JP2001201862A - Peripheral aligner - Google Patents

Peripheral aligner

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JP2001201862A
JP2001201862A JP2000009801A JP2000009801A JP2001201862A JP 2001201862 A JP2001201862 A JP 2001201862A JP 2000009801 A JP2000009801 A JP 2000009801A JP 2000009801 A JP2000009801 A JP 2000009801A JP 2001201862 A JP2001201862 A JP 2001201862A
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JP
Japan
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exposure
light source
peripheral exposure
peripheral
exposure apparatus
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JP2000009801A
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Japanese (ja)
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Takeshi Naraki
剛 楢木
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the throughput and the working rate of a peripheral aligner. SOLUTION: A light source unit 14A and a light source unit 14B are respectively movable in ±X directions along a support member 12A and a support member 12B. The support members 12A and 12B are made to travel in ±Y directions, while emitting light beams from both light source units 14A and 14B, so that the photoresist of the peripheral part of a glass substrate G is exposed. In the state where either the light source units 14A or 14B is turned off, peripheral exposure operation is continued by the other light source unit. This, the continuation of the peripheral exposure operation by only the other light source unit is attained during the cool-down and the warm-up periods of a lamp needed at exchanging of the lamp of the other light source unit. Also, at exposing of an exposure object area along one line, both light source units 14A and 14B are moved in tandem along one line.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、LCD(液晶表示
装置)やPDP(プラズマ表示パネル)などに用いられ
るガラスプレートやIC基板等を製作する過程におい
て、フォトレジストの塗布された基板上で回路パターン
等が露光される領域以外の部分に塗布されているフォト
レジストに光を照射する周辺露光装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a process for manufacturing a glass plate or an IC substrate used for an LCD (Liquid Crystal Display) or a PDP (Plasma Display Panel) or the like. The present invention relates to a peripheral exposure apparatus that irradiates light to a photoresist applied to a portion other than a region where a pattern or the like is exposed.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示パネル等を製造する際の一工程
であるリソグラフィ工程においては、投影光学系が内部
に組み込まれている投影露光装置が用いられる。マスク
に形成されているパターンの像は、この投影光学系によ
り基板上のフォトレジスト塗布面に投影される。この基
板には、上述したプロセスによってパターンが露光され
る部分、すなわちパターン領域と、上記パターンの露光
されない領域、すなわち非パターン領域とを有する。こ
の非パターン領域には、光を照射する必要がある。理由
は、基板にポジ型レジストが塗布されていることによ
る。つまり、ポジレジストの未露光部分は、現像後も基
板上に残る。特に、スピンコートによってフォトレジス
トを基板上に塗布した場合、その膜厚は基板中央部より
も周辺部の方で厚くなる。一般に、基板の周辺部は非パ
ターン領域であることが多く、除去されずに残っている
フォトレジストは膜厚が厚いほど剥がれやすいという性
質を有している。このポジレジストが後の処理工程中に
剥離し、細片(パーティクル)となって飛散することが
ある。このパーティクルは、液晶表示パネル等、露光対
象の基板の歩留まりを低下させる要因となっている。ま
た、たとえ剥離を生じなくても、CVDなどの後処理を
基板に施す際に、基板周辺部等にフォトレジストが残っ
ているとパターン領域に形成される薄膜の膜厚の不均一
をもたらすこともある。
2. Description of the Related Art In a lithography step, which is one step of manufacturing a liquid crystal display panel or the like, a projection exposure apparatus having a projection optical system incorporated therein is used. The image of the pattern formed on the mask is projected onto the photoresist coated surface on the substrate by the projection optical system. The substrate has a portion where a pattern is exposed by the above-described process, that is, a pattern region, and a region where the pattern is not exposed, that is, a non-pattern region. This non-pattern area needs to be irradiated with light. The reason is that a positive resist is applied to the substrate. That is, the unexposed portion of the positive resist remains on the substrate even after development. In particular, when a photoresist is applied on a substrate by spin coating, the thickness of the photoresist is greater at the peripheral portion than at the central portion of the substrate. In general, the peripheral portion of the substrate is often a non-pattern region, and the photoresist remaining without being removed has a property that the photoresist is more easily peeled off as the film thickness increases. The positive resist may be peeled off during a later processing step and may be scattered as small pieces (particles). These particles cause a reduction in the yield of a substrate to be exposed, such as a liquid crystal display panel. Also, even if no peeling occurs, when a post-process such as CVD is performed on the substrate, if the photoresist is left around the substrate or the like, the thickness of the thin film formed in the pattern region may be uneven. There is also.

【0003】そこで、非パターン領域のフォトレジスト
に光を照射して感光させ、後に続く現像工程において不
要なレジストを除去することが一般に行われている。こ
のように、基板上の非パターン領域に光を照射するもの
として、光源から出射するスポット光を走査させて基板
上の非パターン領域に光を照射する装置が種々提案され
ている。以下、本明細書中では、基板上の非パターン領
域に光を照射する装置を「周辺露光装置」と称する。ま
た、基板上の非パターン領域で光の照射される部分を
「周辺露光領域」と称する。
Therefore, it is common practice to irradiate a photoresist in a non-pattern area with light to expose the photoresist, and to remove unnecessary resist in a subsequent development step. As described above, various devices that irradiate a non-pattern region on a substrate by scanning a spot light emitted from a light source to irradiate the non-pattern region on the substrate with light have been proposed. Hereinafter, in this specification, an apparatus that irradiates a non-pattern area on a substrate with light is referred to as a “peripheral exposure apparatus”. In addition, a portion irradiated with light in a non-pattern region on the substrate is referred to as a “peripheral exposure region”.

【0004】基板上に形成されるパターンの精細化にと
もない、投影露光装置には、より短波長のものが用いら
れるようになってきている。これにともない、基板に塗
布されるフォトレジストの感光波長帯域も短波長側にシ
フトしている。したがって、周辺露光装置に用いられる
光源もg線やi線等の短波長の光を出射するものが用い
られている。
[0004] As the pattern formed on the substrate becomes finer, a projection exposure apparatus having a shorter wavelength has been used. Along with this, the photosensitive wavelength band of the photoresist applied to the substrate has also shifted to the shorter wavelength side. Therefore, a light source that emits light of a short wavelength such as a g-line or an i-line is also used as a light source for the peripheral exposure apparatus.

【0005】上述したフォトレジストに対応可能な周辺
露光装置に用いられる光源としては、生産効率の向上を
目的として、高輝度のもの、たとえば超高圧水銀灯など
が用いられる。理由は、フォトレジストに対して同じド
ーズ量を与えようとしたときに、大光量の光源を用いれ
ばそれだけ短い露光時間で済むからである。つまり、光
源から出射されるスポット光を走査させる際の速度を上
げることができ、これにより短時間のうちに周辺露光領
域への光の照射を済ますことができるからである。
As a light source used in the peripheral exposure apparatus that can handle the above-mentioned photoresist, a light source of high luminance, for example, an ultra-high pressure mercury lamp or the like is used for the purpose of improving production efficiency. The reason is that, when trying to give the same dose to the photoresist, a shorter exposure time is required if a large amount of light source is used. In other words, the speed at which the spot light emitted from the light source is scanned can be increased, and the irradiation of the peripheral exposure region can be completed in a short time.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記周辺露
光装置にはさらなる生産効率の向上が求められるように
なってきており、露光に要する時間をさらに短縮してス
ループットを向上させるのに加えて、稼働率を向上させ
ることが要求されている。
However, the peripheral exposure apparatus has been required to further improve the production efficiency. In addition to improving the throughput by further shortening the time required for exposure, It is required to improve the operation rate.

【0007】稼働率を低下させる要因の一つとして、光
源のランプを交換する間の装置停止時間がある。これに
ついて説明すると、超高圧水銀灯は大光量の光とともに
高熱を発する。このため、発光を停止させてからランプ
交換が可能な程度に温度が下がるまでの間(クールダウ
ン中)、暫く放置する必要がある。また、ランプの交換
を終え、点灯を開始してから波長および光量が安定する
までの間(ウオームアップ中)、やはり暫く放置する必
要がある。この間、周辺露光装置は作動を停止せざるを
得ず、基板の処理数は大幅に低下することになる。
One of the factors that lowers the operation rate is the downtime of the apparatus while replacing the light source lamp. To explain this, an ultra-high pressure mercury lamp emits high heat with a large amount of light. For this reason, it is necessary to leave for a while after the light emission is stopped until the temperature is reduced to such an extent that the lamp can be replaced (during cooling down). In addition, it is necessary to leave the lamp for a while after the replacement of the lamp is completed and after the lighting is started until the wavelength and the light amount are stabilized (during warm-up). During this time, the peripheral exposure apparatus must stop its operation, and the number of substrates to be processed is greatly reduced.

【0008】本発明の目的は、上述した課題に鑑みてな
されたもので、周辺露光装置のスループットおよび稼働
率を向上させることにある。
An object of the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has as its object to improve the throughput and operating rate of a peripheral exposure apparatus.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】一実施の形態を示す図1
〜図3および図6に対応付けて以下の発明を説明する。 (1) 請求項1に記載の発明は、パターンを形成すべ
きパターン領域とパターン領域とは異なる非パターン領
域とを有する感光基板Gの非パターン領域に露光光を照
射するための複数の照明ユニット14A、14Bを有す
る周辺露光装置に適用される。そして、複数の照明ユニ
ット14A、14Bの個々の状態に応じて、複数の照明
ユニット14A、14Bのうち所定の照明ユニットを選
択して露光する露光制御部100を有することにより上
述した目的を達成する。 (2) 請求項2に記載の発明に係る周辺露光装置は、
露光制御部100が、所定の照明ユニットとして、複数
の照明ユニット14A、14Bのうちの少なくとも一つ
を選択するものである。 (3) 請求項3に記載の発明に係る周辺露光装置は、
露光制御部100が、メインテナンス中または照射準備
中の照明ユニット14Aまたは14Bを選択対象から除
外するものである。 (4) 請求項4に記載の発明に係る周辺露光装置は、
露光制御部100が、照明ユニット14A、14Bの照
明光量に基づいて、所定の照明ユニットを選択するもの
である。 (5) 請求項5に記載の発明に係る周辺露光装置は、
露光制御部100が、所定の照明ユニットとして、所定
の照射光量を照射可能な照明ユニット14Aまたは14
Bを選択するものである。 (6) 請求項6に記載の発明に係る周辺露光装置は、
露光制御部100が、選択された照明ユニット14A、
14Bに応じて、非パターン領域を露光する際の一連の
露光動作を変えるものである。 (7) 請求項7に記載の発明に係る周辺露光装置は、
露光制御部100が、選択された照明ユニット14A、
14Bの数に応じて、非パターン領域を露光する際の一
連の露光動作を変えるものである。 (8) 請求項8に記載の発明に係る周辺露光装置は、
照明ユニット14A(14B)が、光源40A(40
B)と集光光学系65A、66A(65B、66B)と
を有し;露光制御部100は、光源40A(40B)の
状態に応じて、所定の照明ユニット14A、14Bを選
択するものである。 (9) 一実施の形態を示す図3、図6および図7に対
応付けて説明すると、請求項9に記載の発明は、パター
ンを形成すべきパターン領域とパターン領域とは異なる
非パターン領域とを有する感光基板Gの非パターン領域
に露光光を照射するための複数の照明ユニット14A、
14Bを有する周辺露光装置に適用される。そして、非
パターン領域中で同一線上に延在する露光対象部分PA
を露光する際に、複数の照明ユニット14A、14Bの
うち少なくとも二つを同一線上に沿って感光基板Gと相
対移動させるものである。 (10) 一実施の形態を示す図1〜図3および図6に
対応付けて説明すると、請求項10に記載の発明は、パ
ターンを形成すべきパターン領域とパターン領域とは異
なる非パターン領域とを有する感光基板Gの非パターン
領域に露光光を照射するための照明ユニット14A、1
4Bを複数備えた周辺露光装置を用い、非パターン領域
を照明ユニット14A、14Bから出射される露光光で
露光する露光方法に適用される。そして、複数の照明ユ
ニット14A、14Bの個々の状態に応じて、感光基板
Gを露光する照明ユニット14A、14Bを選択して露
光するものである。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.
The following invention will be described with reference to FIGS. (1) A plurality of illumination units for irradiating exposure light to a non-pattern area of a photosensitive substrate G having a pattern area where a pattern is to be formed and a non-pattern area different from the pattern area. It is applied to a peripheral exposure apparatus having 14A and 14B. The above-described object is achieved by having the exposure control unit 100 that selects and exposes a predetermined illumination unit among the plurality of illumination units 14A and 14B according to the individual state of the plurality of illumination units 14A and 14B. . (2) The peripheral exposure apparatus according to the invention described in claim 2 is:
The exposure controller 100 selects at least one of the plurality of illumination units 14A and 14B as a predetermined illumination unit. (3) The peripheral exposure apparatus according to the invention described in claim 3 is:
The exposure control unit 100 excludes the illumination unit 14A or 14B during maintenance or preparation for irradiation from selection targets. (4) The peripheral exposure apparatus according to claim 4 is:
The exposure control unit 100 selects a predetermined illumination unit based on the illumination light amounts of the illumination units 14A and 14B. (5) The peripheral exposure apparatus according to the invention described in claim 5,
Exposure control unit 100 is a lighting unit that can emit a predetermined amount of irradiation light as a predetermined lighting unit.
B is selected. (6) The peripheral exposure apparatus according to the invention described in claim 6,
The exposure control unit 100 controls the selected illumination unit 14A,
A series of exposure operations when exposing a non-pattern area is changed according to 14B. (7) The peripheral exposure apparatus according to the invention described in claim 7,
The exposure control unit 100 controls the selected illumination unit 14A,
A series of exposure operations when exposing a non-pattern area is changed according to the number of 14B. (8) The peripheral exposure apparatus according to the invention described in claim 8,
The lighting unit 14A (14B) is connected to the light source 40A (40
B) and condensing optical systems 65A, 66A (65B, 66B); the exposure control section 100 selects a predetermined illumination unit 14A, 14B according to the state of the light source 40A (40B). . (9) Referring to FIGS. 3, 6 and 7 showing one embodiment, the invention according to claim 9 is directed to a pattern region where a pattern is to be formed and a non-pattern region different from the pattern region. A plurality of illumination units 14A for irradiating the non-pattern area of the photosensitive substrate G having exposure light with exposure light;
14B is applied to a peripheral exposure apparatus. Then, the exposure target portion PA extending on the same line in the non-pattern region
Is exposed, at least two of the plurality of illumination units 14A and 14B are moved relative to the photosensitive substrate G along the same line. (10) An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3 and FIG. 6 showing an embodiment. A pattern region where a pattern is to be formed and a non-pattern region different from the pattern region are provided. Illumination units 14A and 1B for irradiating the non-pattern area of the photosensitive substrate G having the
The present invention is applied to an exposure method of exposing a non-pattern area with exposure light emitted from the illumination units 14A and 14B using a peripheral exposure apparatus having a plurality of 4Bs. The illumination units 14A and 14B for exposing the photosensitive substrate G are selected and exposed according to the individual states of the plurality of illumination units 14A and 14B.

【0010】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が実施の形態に限定されるものではない。
In the section of the means for solving the above-mentioned problems, which explains the configuration of the present invention, the drawings of the embodiments of the present invention are used for easy understanding of the present invention. However, the present invention is not limited to this.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施の形態に係
る周辺露光装置の概略的構成を説明する平面図である。
図1において、紙面左右方向にX軸を、上下方向にY軸
を、紙面に直交する方向にZ軸をとり、以下の説明では
これらの座標軸に沿う方向を適宜X方向、Y方向、Z方
向と称する。また、必要に応じ、座標値の増える方向を
プラスX方向、プラスY方向、プラスZ方向などと称す
る。他の図においても、適宜図1に示す座標軸と一致さ
せるようにして座標軸が示してある。
FIG. 1 is a plan view illustrating a schematic configuration of a peripheral exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
In FIG. 1, the X axis is taken in the horizontal direction of the paper, the Y axis is taken in the vertical direction, and the Z axis is taken in the direction perpendicular to the paper. In the following description, the directions along these coordinate axes are appropriately set in the X, Y, and Z directions. Called. The directions in which the coordinate values increase are referred to as plus X direction, plus Y direction, plus Z direction, and the like, as necessary. In the other figures, the coordinate axes are shown so as to match the coordinate axes shown in FIG. 1 as appropriate.

【0012】− 主走査方向駆動機構 − 定盤2の上面の四隅には4本の支柱6A、6B、6Cお
よび6Dが固定されている。支柱6Aおよび6Cの上端
にはガイドレール8Aが、支柱6Bおよび6Dの上端に
はガイドレール8Bが、それぞれY方向に沿って掛け渡
されて固定されている。
-Main scanning direction driving mechanism-Four columns 6A, 6B, 6C and 6D are fixed to four corners of the upper surface of the surface plate 2. A guide rail 8A is fixed to the upper ends of the columns 6A and 6C, and a guide rail 8B is fixed to the upper ends of the columns 6B and 6D along the Y direction.

【0013】ガイドレール8Aおよび8Bの間には2つ
の支持部材12Aおよび12BがX方向に沿って掛け渡
されている。ガイドレール8Aの内部には、主走査モー
タ30A、31A(図1では不図示、図6参照)によっ
て互いに独立して回転駆動される送りネジ機構(不図
示)がY方向に沿って内蔵されている。また、ガイドレ
ール8Bの内部には、主走査モータ30B、31B(図
1では不図示、図7参照)によって互いに独立して回転
駆動される送りネジ機構(不図示)がY方向に沿って内
蔵されている。主走査モータ30Aおよび30Bを正逆
転することにより、支持部材12Aを±Y方向(以下、
本明細書中では図1の±Y方向を「主走査方向」と称す
る)に移動させることが可能となっている。同様に、主
走査モータ31Aおよび31Bを正逆転することによ
り、支持部材12Bを±Y方向に移動させることが可能
となっている。
Two support members 12A and 12B are extended between the guide rails 8A and 8B along the X direction. Inside the guide rail 8A, a feed screw mechanism (not shown) that is driven to rotate independently of each other by main scanning motors 30A and 31A (not shown in FIG. 1, see FIG. 6) is built in along the Y direction. I have. Further, inside the guide rail 8B, a feed screw mechanism (not shown) that is driven to rotate independently from each other by main scanning motors 30B and 31B (not shown in FIG. 1, see FIG. 7) is built in along the Y direction. Have been. By rotating the main scanning motors 30A and 30B forward and backward, the support member 12A is moved in the ± Y direction
In this specification, the ± Y direction in FIG. 1 can be moved in the “main scanning direction”). Similarly, by rotating the main scanning motors 31A and 31B forward and backward, the support member 12B can be moved in the ± Y direction.

【0014】− 副走査方向駆動機構 − 光源ユニット14Aは支持部材12Aによって、そして
光源ユニット14Bは支持部材12Bによって、それぞ
れ±X方向に移動可能に支持されている。また、支持部
材12Aの内部には副走査モータ32A(図1では不図
示、図6参照)によって回転駆動される送りネジ機構
(不図示)がX方向に沿って内蔵されている。同様に、
支持部材12Bの内部には副走査モータ32B(図1で
は不図示、図6参照)によって回転駆動される送りネジ
機構(不図示)がX方向に沿って内蔵されている。これ
らの副走査モータ32Aおよび32Bを独立して正逆転
させることにより、光源ユニット14Aおよび14Bを
それぞれ独立して±X方向(以下、本明細書中では図1
における±X方向を「副走査方向」と称する)に駆動可
能となっている。
-Sub-scanning direction driving mechanism-The light source unit 14A is supported by the support member 12A, and the light source unit 14B is supported by the support member 12B so as to be movable in ± X directions. A feed screw mechanism (not shown) that is driven to rotate by a sub-scanning motor 32A (not shown in FIG. 1, see FIG. 6) is built in the support member 12A along the X direction. Similarly,
A feed screw mechanism (not shown) rotatably driven by a sub-scanning motor 32B (not shown in FIG. 1, see FIG. 6) is built in the support member 12B along the X direction. By independently rotating the sub-scanning motors 32A and 32B forward and backward, the light source units 14A and 14B can be independently rotated in the ± X directions (hereinafter, FIG.
Are referred to as “sub-scanning directions”).

【0015】以上に説明した主走査方向駆動機構および
副走査方向駆動機構により、光源ユニット14Aおよび
14Bは互いに独立してXY平面に沿う2次元の方向に
移動可能に構成されている。
By the main scanning direction driving mechanism and the sub-scanning direction driving mechanism described above, the light source units 14A and 14B are configured to be movable independently of each other in a two-dimensional direction along the XY plane.

【0016】− 光量センサ − 光量センサ48は、光源ユニット14A、14Bから出
射される光束の光量を測定するためのセンサである。こ
の光量センサ48により、周辺露光動作に先だって光源
ユニット14A、14Bから出射される光束の光量が順
次測定される。なお、光量センサ48で光源ユニット1
4A、14Bから出射される光束の光量を測定する理由
については後で説明する。
-Light amount sensor-The light amount sensor 48 is a sensor for measuring the light amount of the light flux emitted from the light source units 14A and 14B. The light amount sensor 48 sequentially measures the light amounts of the light beams emitted from the light source units 14A and 14B prior to the peripheral exposure operation. Note that the light source unit 1 is
The reason for measuring the amount of light emitted from the light beams 4A and 14B will be described later.

【0017】− プレートホルダ − 図1に示すIIの方向より見た様子を示す図2を参照して
説明すると、露光対象物のガラス基板Gが載置されるプ
レートホルダ4は、定盤2に固定されているプレートホ
ルダ支持部5によってZ軸回りに回動可能に支持されて
いる。プレートホルダ4の上面には、複数の突起4aが
設けられている。これら複数の突起4aの高さは、ほぼ
同じに揃えられている。また、これら複数の突起4aの
上面には不図示の管路を介して負圧源に接続されている
孔が明けられており、プレートホルダ4に露光対象物の
ガラス基板Gが載置された後、吸着、固定される。
-Plate holder-Referring to Fig. 2 showing a state viewed from the direction II shown in Fig. 1, a plate holder 4 on which a glass substrate G to be exposed is placed is mounted on the surface plate 2. It is rotatably supported around the Z-axis by the fixed plate holder support 5. A plurality of protrusions 4a are provided on the upper surface of the plate holder 4. The heights of the plurality of protrusions 4a are almost equal. A hole connected to a negative pressure source via a conduit (not shown) is formed on the upper surface of the plurality of projections 4a, and the glass substrate G to be exposed is placed on the plate holder 4. After that, it is absorbed and fixed.

【0018】− 光源ユニット − 図3は、光源ユニット14Aおよび14Bの内部構成を
概略的に説明する図であり、Z軸に平行な方向に延在す
る光源ユニット14A(14B)の光軸を含む面での断
面を示す。なお、光源ユニット14A、14Bは同じ構
成を有しているので、図3においては光源ユニット14
Bの構成要素については括弧付きの符号を付し、光源ユ
ニット14Aの構成のみについて説明する。
-Light Source Unit-FIG. 3 is a diagram schematically illustrating an internal configuration of the light source units 14A and 14B, and includes an optical axis of the light source unit 14A (14B) extending in a direction parallel to the Z axis. 2 shows a cross section in a plane. Since the light source units 14A and 14B have the same configuration, in FIG.
The components of B are denoted by reference numerals in parentheses, and only the configuration of the light source unit 14A will be described.

【0019】光源ユニット14Aの内部には、超高圧水
銀ランプ40Aが反射鏡62Aの内部に固定されてい
る。反射鏡62Aの下方にはリレーレンズ66Aおよび
投影レンズ65Aが固定され、超高圧水銀ランプ40A
から出射された光束は反射鏡62Aで集光された後、リ
レーレンズ66A、投影レンズ65Aを介してガラス基
板Gの感光面、すなわちフォトレジストの塗布された面
に導かれる。
Inside the light source unit 14A, an extra-high pressure mercury lamp 40A is fixed inside a reflecting mirror 62A. A relay lens 66A and a projection lens 65A are fixed below the reflecting mirror 62A, and the ultra-high pressure mercury lamp 40A
After being converged by the reflecting mirror 62A, the light flux emitted from the glass substrate G is guided to the photosensitive surface of the glass substrate G, that is, the surface on which the photoresist is applied, via the relay lens 66A and the projection lens 65A.

【0020】シャッタアクチュエータ34Aにより、X
Y平面に沿う方向に駆動されるシャッタ63Aは、超高
圧水銀ランプ40Aから出射された光をリレーレンズ6
6Aの入射面に導く状態と遮る状態とに切り換えるため
のものである。一般に、超高圧水銀ランプから発せられ
る光が安定するまでには、ランプ点灯を開始してから数
十分のウオーミングアップ時間を必要とする。このた
め、周辺露光装置が稼働を開始した後、超高圧水銀ラン
プ40Aから発せられる光の照射を一時的に停止させる
必要がある場合には、超高圧水銀ランプ40Aを消灯さ
せることはせずに、シャッタ63Aにて遮光する。
The shutter actuator 34A causes X
The shutter 63A driven in the direction along the Y plane transmits light emitted from the ultra-high pressure mercury lamp 40A to the relay lens 6A.
This is for switching between a state of guiding to the incident surface of 6A and a state of blocking. In general, a warm-up time of several tens of minutes after starting the lamp lighting is required until the light emitted from the ultra-high pressure mercury lamp is stabilized. Therefore, if it is necessary to temporarily stop the irradiation of the light emitted from the ultra-high pressure mercury lamp 40A after the peripheral exposure apparatus starts operating, the ultra-high pressure mercury lamp 40A is not turned off without being turned off. The light is shielded by the shutter 63A.

【0021】ブラインドアクチュエータ36Aによって
駆動されるブラインド64Aは、ガラス基板Gに照射す
る光束を矩形に整形するとともに、光源ユニット14
A、14Bの走査方向に直交する方向に沿う光束の幅を
調節する機能を有する。このブラインド64Aは、投影
レンズ65Aの光出射面とガラス基板Gのフォトレジス
ト塗布面との間で、できるだけフォトレジスト塗布面に
近接させるようにして配置される。なお、このブライン
ド64Aは、投影レンズ65Aに関して、フォトレジス
ト塗布面と共役の位置(図3において矢印Cで示す位
置)に配置してもよい。
The blind 64A, which is driven by the blind actuator 36A, shapes the light beam irradiated on the glass substrate G into a rectangular shape,
A and 14B have a function of adjusting the width of a light beam along a direction orthogonal to the scanning direction. The blind 64A is arranged between the light emitting surface of the projection lens 65A and the photoresist coated surface of the glass substrate G so as to be as close as possible to the photoresist coated surface. Note that the blind 64A may be arranged at a position conjugate to the photoresist coating surface (the position indicated by the arrow C in FIG. 3) with respect to the projection lens 65A.

【0022】− ローダ − 以下で図4、図5を参照して説明するローダ70は、周
辺露光装置に内蔵されるものであっても、そうでなくて
もよいが、ここでは周辺露光装置の外(近傍)に設置さ
れるものとして説明する。なお、図4および図5におい
て周辺露光装置は、定盤20、プレートホルダ4および
プレートホルダ支持部5のみが図示され、他の構成要素
の図示は省略されている。
The loader 70 described below with reference to FIGS. 4 and 5 may or may not be built in the peripheral exposure apparatus. The description will be made assuming that it is installed outside (near). In FIGS. 4 and 5, the peripheral exposure apparatus only shows the surface plate 20, the plate holder 4, and the plate holder supporting portion 5, and other components are not shown.

【0023】ローダ70は、周辺露光装置と他の装置、
たとえばコータ・デベロッパや液晶露光装置等との間で
露光対象物のガラス基板Gを搬送するために用いられる
ものである。そして、床面等に設置される基部75の上
にスカラロボットのアーム72が設置されている。アー
ム72は、XY平面に平行な面方向、±Z方向、そして
Z軸回りに動作の自由度を有している。このアーム72
の先端には、コの字状の搬送枠73が固定されている。
ガラス基板Gは、搬送枠73の腕部73aで支持された
状態で搬送される。
The loader 70 includes a peripheral exposure device and other devices,
For example, it is used for transporting a glass substrate G to be exposed to and from a coater / developer, a liquid crystal exposure apparatus, or the like. An arm 72 of the SCARA robot is installed on a base 75 installed on a floor or the like. The arm 72 has a degree of freedom of movement in a plane direction parallel to the XY plane, ± Z directions, and around the Z axis. This arm 72
A U-shaped transfer frame 73 is fixed to the end of the frame.
The glass substrate G is transported while being supported by the arms 73a of the transport frame 73.

【0024】引き続き図4および図5を参照し、ガラス
基板Gをプレートホルダ4に載置する際のローダ70の
動作を説明する。先述したように、プレートホルダ4に
は複数の突起4aが設けられており、ローダ70はアー
ム72および基板Gが突起4aと衝突することのないよ
うに、突起4aの僅か上方の空間内で腕部73aで支持
されたガラス基板Gを搬送する。そして、ガラス基板G
がプレートホルダ4上の所定位置に達すると、ローダ7
0はアーム72をマイナスZ方向に動かし、ガラス基板
Gを降下させる。この過程でガラス基板Gは複数の突起
4aと接触し、続いてガラス基板Gは突起4aの上面へ
真空吸着される。その後、ローダ70はアーム72をマ
イナスY方向に移動させて周辺露光装置の外へ退避させ
る。そして、後で説明するように周辺露光装置が作動を
開始する。
The operation of the loader 70 when placing the glass substrate G on the plate holder 4 will be described with reference to FIGS. As described above, the plate holder 4 is provided with the plurality of protrusions 4a, and the loader 70 is provided with the arm in the space slightly above the protrusion 4a so that the arm 72 and the substrate G do not collide with the protrusion 4a. The glass substrate G supported by the unit 73a is transported. And the glass substrate G
When the loader reaches a predetermined position on the plate holder 4, the loader 7
0 moves the arm 72 in the minus Z direction to lower the glass substrate G. In this process, the glass substrate G comes into contact with the plurality of projections 4a, and then the glass substrate G is vacuum-adsorbed to the upper surface of the projection 4a. Thereafter, the loader 70 moves the arm 72 in the minus Y direction and retracts it outside the peripheral exposure device. Then, the peripheral exposure apparatus starts operating as described later.

【0025】− 制御回路 − 図6は、以上に説明した周辺露光装置の動作制御を行う
制御回路の概略的構成を説明するブロック図である。周
辺露光装置の動作を統括制御する制御部100には、主
走査モータ30A、30B、31Aおよび31B、副走
査モータ32Aおよび32B、シャッタアクチュエータ
34Aおよび34B、ブラインドアクチュエータ36A
および36B、そして超高圧水銀ランプ40Aおよび4
0Bが接続されている。制御部100にはさらに、電磁
式方向切換弁50、光量センサ48、ステージアクチュ
エータ52、発光停止スイッチ49そして発光再開スイ
ッチ51が接続されている。電磁式方向切換弁50は、
突起4aのそれぞれに開けられている孔と不図示の負圧
源との間を連通する状態と遮断する状態とに切り換える
ためのものである。ステージアクチュエータ52は、プ
レートホルダ4をZ軸に平行な回転軸まわりに回転する
ためのものである。発光停止スイッチ49は、オペレー
タによって操作されるスイッチであり、超高圧水銀ラン
プ40Aおよび40Bのうち、任意のものを消灯するよ
うに設定するためのスイッチである。発光再開スイッチ
51は、オペレータによって操作されるスイッチであ
り、発光停止スイッチ49によって消灯するように設定
されていた超高圧水銀ランプ40Aまたは40Bの点灯
を再開するように設定するためのスイッチである。
-Control Circuit-FIG. 6 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a control circuit that controls the operation of the peripheral exposure apparatus described above. The control unit 100 that integrally controls the operation of the peripheral exposure apparatus includes main scanning motors 30A, 30B, 31A and 31B, sub-scanning motors 32A and 32B, shutter actuators 34A and 34B, and a blind actuator 36A.
And 36B, and ultra high pressure mercury lamps 40A and 4
0B is connected. The control unit 100 is further connected with an electromagnetic directional switching valve 50, a light amount sensor 48, a stage actuator 52, a light emission stop switch 49, and a light emission restart switch 51. The electromagnetic directional switching valve 50
This is for switching between a state in which communication is made between a hole formed in each of the protrusions 4a and a negative pressure source (not shown) and a state in which the connection is cut off. The stage actuator 52 is for rotating the plate holder 4 around a rotation axis parallel to the Z axis. The light emission stop switch 49 is a switch operated by an operator, and is a switch for setting to turn off any of the ultra-high pressure mercury lamps 40A and 40B. The light emission restart switch 51 is a switch operated by the operator, and is a switch for setting the light emission stop switch 49 to turn off the ultra-high pressure mercury lamp 40A or 40B which has been set to be turned off.

【0026】制御部100にはまた、ホストコンピュー
タ200が接続されている。このホストコンピュータ2
00は、周辺露光装置を含む複数の装置にそれぞれ組み
込まれている制御回路と通信を行って製造プロセスを統
括制御するためのものであり、周辺露光装置の外部に設
置されるものである。制御部100は、プレートホルダ
4に露光対象のガラス基板Gが載置され、ホストコンピ
ュータ200から上記ガラス基板Gを露光する際のプロ
セスシーケンスやガラス基板Gの露光面に与えるドーズ
量等の制御パラメータ等(レシピ)の情報を入力するの
に応じて以下に説明する露光動作の制御を開始する。
The control section 100 is also connected to a host computer 200. This host computer 2
Reference numeral 00 denotes a device for performing overall control of the manufacturing process by communicating with control circuits incorporated in a plurality of devices including the peripheral exposure device, and is provided outside the peripheral exposure device. The control unit 100 includes control parameters such as a process sequence when the glass substrate G to be exposed is mounted on the plate holder 4 and the host computer 200 exposes the glass substrate G, and a dose amount given to the exposed surface of the glass substrate G. In response to input of such information (recipe), control of the exposure operation described below is started.

【0027】− 周辺露光装置の動作 − 以上のように構成される周辺露光装置の動作について図
1〜図6を適宜参照しながら説明する。なお、以下の動
作説明では、超高圧水銀ランプ40Aおよび40Bは点
灯開始してから相当の時間が経過してウオームアップが
完了し、安定状態、すなわち周辺露光が行える状態にあ
るものとする。
-Operation of Peripheral Exposure Apparatus-The operation of the peripheral exposure apparatus configured as described above will be described with reference to FIGS. In the following description of operation, it is assumed that the warm-up of the ultrahigh pressure mercury lamps 40A and 40B has been completed after a considerable time has elapsed since the start of lighting, and the ultrahigh pressure mercury lamps 40A and 40B are in a stable state, that is, a state in which peripheral exposure can be performed.

【0028】ホストコンピュータ200から入力したレ
シピに従い、制御部100は周辺露光動作制御を開始す
る。ここでは先ず、矩形の外形形状を有するガラス基板
Gの周囲、四辺を「ロ」の字状に露光する場合について
説明する。ガラス基板Gがプレートホルダ4に載置され
た後、制御部100は電磁式方向切換弁50を制御して
複数の突起4aに空けられている孔と不図示の負圧源と
を連通させる。これにより、ガラス基板Gはプレートホ
ルダ4に吸着、固定される。
According to the recipe input from the host computer 200, the control section 100 starts the peripheral exposure operation control. Here, first, a case will be described in which the periphery and four sides of the glass substrate G having a rectangular outer shape are exposed in a square shape. After the glass substrate G is placed on the plate holder 4, the control unit 100 controls the electromagnetic directional switching valve 50 so that the holes formed in the plurality of protrusions 4a communicate with the negative pressure source (not shown). Thereby, the glass substrate G is attracted and fixed to the plate holder 4.

【0029】制御部100は、主走査モータ30A、3
0B、31A、31Bそして副走査モータ32A、32
Bを回転させ、光源ユニット14Aおよび14Bの光射
出部を順次光量センサ48の上方に位置させ、各光源ユ
ニットから出射される光束の光量を計測する。制御部1
00は、計測して得られた値を一時的に記憶する。
The control unit 100 includes main scanning motors 30A,
0B, 31A, 31B and sub-scanning motors 32A, 32
By rotating B, the light emitting units of the light source units 14A and 14B are sequentially positioned above the light amount sensor 48, and the light amount of the light beam emitted from each light source unit is measured. Control unit 1
00 temporarily stores the value obtained by measurement.

【0030】続いて制御部100は、ホストコンピュー
タ200から入力したレシピの情報中に含まれるドーズ
量(露光量)に基づき、光源ユニット14Aおよび14
Bをガラス基板Gに対して相対移動させる際の移動速度
を算出する。
Subsequently, the control unit 100 controls the light source units 14A and 14A based on the dose (exposure) included in the recipe information input from the host computer 200.
The moving speed when B is moved relative to the glass substrate G is calculated.

【0031】制御部100は、シャッタアクチュエータ
34A、34Bを制御してシャッタ63Aおよび63B
を閉じ、光源ユニット14A、14Bから光束が出射し
ない状態とする。続いて制御部100は、主走査モータ
30A、30B、31A、31Bおよび副走査モータ3
2A、32Bを制御し、光源ユニット14A、14Bを
主走査方向および副走査方向に駆動して位置決めをす
る。つまり、光源ユニット14Aおよび14Bの光束出
射位置を周辺露光開始位置と一致させる。続いて制御部
100は、ホストコンピュータ200から入力したレシ
ピに基づいてブラインドアクチュエータ36A、36B
を制御し、周辺露光領域の幅に合わせて光源ユニット1
4A、14Bから出射される光束のビーム幅を調節す
る。
The controller 100 controls the shutter actuators 34A and 34B to control the shutters 63A and 63B.
Is closed so that no light flux is emitted from the light source units 14A and 14B. Subsequently, the control unit 100 controls the main scanning motors 30A, 30B, 31A, 31B and the sub-scanning motor 3
2A and 32B are controlled, and the light source units 14A and 14B are driven in the main scanning direction and the sub scanning direction to perform positioning. That is, the light emission positions of the light source units 14A and 14B are made to coincide with the peripheral exposure start position. Subsequently, the control unit 100 controls the blind actuators 36A, 36B based on the recipe input from the host computer 200.
And adjust the light source unit 1 according to the width of the peripheral exposure area.
The beam width of the light beam emitted from 4A, 14B is adjusted.

【0032】制御部100は、シャッタアクチュエータ
34A、34Bを制御してシャッタ63A、63Bを開
き、光源ユニット14A、14Bから光束が出射する状
態とし、続いて主走査モータ30A、30B、31A、
31Bを制御して光源ユニット14A、14Bを主走査
方向に走査させる。光源ユニット14Aおよび14B
は、それぞれ支持部材12A、12Bで保持された状態
でガラス基板Gの上方をほぼ一定の速度で走査し、ガラ
ス基板Gの2辺(図1においてY方向に沿う2辺)の周
辺露光を完了する。
The control unit 100 controls the shutter actuators 34A and 34B to open the shutters 63A and 63B so that the light beams are emitted from the light source units 14A and 14B. Then, the main scanning motors 30A, 30B, 31A,
By controlling 31B, the light source units 14A and 14B are caused to scan in the main scanning direction. Light source units 14A and 14B
Scans the upper side of the glass substrate G at a substantially constant speed while being held by the supporting members 12A and 12B, and completes the peripheral exposure on two sides of the glass substrate G (two sides along the Y direction in FIG. 1). I do.

【0033】上述のようにして、ガラス基板Gの対向す
る2辺の周辺露光が完了するのにともない、制御部10
0はシャッタアクチュエータ34A、34Bを制御して
シャッタ63A、63Bを閉じ、光源ユニット14A、
14Bからの光束の出射を停止させる。
As described above, when the peripheral exposure of the two opposing sides of the glass substrate G is completed, the control unit 10
0 controls the shutter actuators 34A and 34B to close the shutters 63A and 63B,
The emission of the light beam from 14B is stopped.

【0034】続いて制御部100は、ステージアクチュ
エータ52を制御してプレートホルダ4をZ軸に平行な
回転軸まわりに90度回転させる。そして、ホストコン
ピュータ200から入力したレシピに従い、制御部10
0は副走査モータ32A、32Bそしてブラインドアク
チュエータ36A、36Bを制御して光源ユニット14
A、14Bの光軸間距離を変更するとともにビームサイ
ズの変更を行う。
Subsequently, the control unit 100 controls the stage actuator 52 to rotate the plate holder 4 by 90 degrees around a rotation axis parallel to the Z axis. Then, according to the recipe input from the host computer 200, the control unit 10
0 controls the sub-scanning motors 32A and 32B and the blind actuators 36A and 36B to control the light source unit 14;
The distance between the optical axes of A and 14B is changed and the beam size is changed.

【0035】上述したプレートホルダ4の回転、光源ユ
ニット14A、14Bの光軸間距離の変更、そしてビー
ムサイズの変更に続き、制御部100は主走査モータ3
0A、30B、31A、31Bを制御して光源ユニット
14A、14Bを主走査方向に移動させ、光束の出射部
を次の周辺露光の開始位置に移動させる。
Following the rotation of the plate holder 4, the change of the distance between the optical axes of the light source units 14A and 14B, and the change of the beam size, the control unit 100 controls the main scanning motor 3
By controlling 0A, 30B, 31A, and 31B, the light source units 14A and 14B are moved in the main scanning direction, and the light beam emission section is moved to the next peripheral exposure start position.

【0036】続いて制御部100は、シャッタアクチュ
エータ34Aおよび34Bを制御してシャッタ63A、
63Bを開き、光源ユニット14A、14Bから光束が
出射する状態とした上で主走査モータ30A、30B、
31A、31Bを制御し、光源ユニット14A、14B
を主走査方向に走査させる。
Subsequently, the control unit 100 controls the shutter actuators 34A and 34B to control the shutters 63A,
The main scanning motors 30A, 30B, 63B are opened by opening the light source unit 63B so that the light beams are emitted from the light source units 14A, 14B.
31A, 31B, and the light source units 14A, 14B
Are scanned in the main scanning direction.

【0037】制御部100による以上の制御動作によ
り、ガラス基板Gの4辺(「ロ」の字状)の周辺露光が
完了する。なお、以上ではガラス基板Gの4辺の周辺露
光を行う際に、制御部100がブラインドアクチュエー
タ36A、36Bを制御してビームサイズを周辺露光領
域の幅に応じて変化させる例について説明したが、必ず
しもビームサイズを変化させる必要はない。つまり、ガ
ラス基板Gの四辺の周辺露光を行う場合、ビームサイズ
は狭めずにおき、余分な光束はガラス基板Gの外側に逃
がしてしまってもよい。
By the above control operation by the control unit 100, the peripheral exposure of the four sides ("B" shape) of the glass substrate G is completed. In the above description, an example has been described in which the control unit 100 controls the blind actuators 36A and 36B to change the beam size according to the width of the peripheral exposure area when performing the peripheral exposure on the four sides of the glass substrate G. It is not necessary to change the beam size. That is, when performing the peripheral exposure of the four sides of the glass substrate G, the beam size may be kept small, and the extra light flux may escape to the outside of the glass substrate G.

【0038】周辺露光領域のパターン形状が「ロ」の字
状でなく、たとえば、いわゆる「目」の字、「日」の
字、「田」の字状のものである場合、あるいはこれらを
複合した形状のパターンである場合、制御部100は引
き続いて上述した周辺露光の動作を繰り返し行う。この
とき制御部100は、周辺露光領域のパターンを形成す
るラインの数が偶数本ある場合には光源ユニット14
A、14Bの双方を走査させて露光を行う。一方、周辺
露光領域のパターンを構成するラインの数が奇数本の場
合には、図7を参照して以下に説明する三つの方法のう
ちのいずれかで残る1本のラインの露光が行われる。な
お、図7は、図1に示される周辺露光装置の一部を示し
ており、光源ユニット14A、14Bの近辺のみを示し
ている。
When the pattern shape of the peripheral exposure region is not the shape of the letter "B", for example, the shape of the so-called "eye", "day", or "field", or a combination of these. If the pattern has the shape described above, the control unit 100 subsequently repeats the above-described peripheral exposure operation. At this time, when the number of lines forming the pattern of the peripheral exposure area is an even number,
Exposure is performed by scanning both A and 14B. On the other hand, when the number of lines constituting the pattern of the peripheral exposure area is an odd number, exposure of the remaining one line is performed by one of the three methods described below with reference to FIG. . FIG. 7 shows a part of the peripheral exposure apparatus shown in FIG. 1, and shows only the vicinity of the light source units 14A and 14B.

【0039】(1) 光源ユニットを一つだけ用いて周
辺露光を行う方法 光源ユニット14A、14Bのうちのいずれか一つを用
いて周辺露光を行う場合、制御部100は、各光源ユニ
ット14A、14Bから出射される光束の光量の計測結
果に基づいて、より多い光量の光束を出射可能な光源ユ
ニットを用いて周辺露光を行う。このように光量の多い
方の光源ユニットを用いることにより、走査速度を高め
ることができるので、周辺露光装置のスループットを高
めることができる。 (2) 光源ユニットを縦列に並べて走査させ、周辺露
光を行う方法 この方法は、図7(a)に示すように周辺露光領域のパ
ターンPAを形成するラインの延在方向に沿って二つの
光源ユニット14Aおよび14Bが縦列になるようにし
て周辺露光を行う方法である。一つのライン上を、上述
のように複数の光源ユニット14A、14Bを縦列に走
査させることで、各光源ユニット14A、14B一つあ
たりのドーズ量を減じることができる。つまり、走査速
度を高めることができるので、周辺露光に要する時間を
短縮することが可能となり、露光装置のスループットを
向上させることができる。 (3) 周辺露光領域のパターンを形成する1本のライ
ンを複数の光源ユニットで分担して周辺露光する方法 この方法は、上記(2)の方法に似た方法であり、周辺
露光領域のパターンPAを形成するラインのうちの1本
を露光する際に、複数の光源ユニット14A、14Bが
上記1本のラインの上を沿うように移動して周辺露光を
行う方法である。そして、上記(2)の方法と相違する
のは、図7(b)に示されるように、一つのパターンP
Aに沿って周辺露光する際に、これら複数の光源ユニッ
ト14A、14Bによる露光領域が分担されている点で
ある。この場合、走査速度を上げることはできないが、
複数の光源ユニット14A、14Bが1本のライン上の
異なる領域を分担して周辺露光を行い、しかもほぼ同時
に露光が行われるので、周辺露光を終えるまでの光源ユ
ニット14A、14Bそれぞれの走査距離を短縮するこ
とができる。したがって、周辺露光に要する時間を短縮
することができる。
(1) Method of Performing Peripheral Exposure Using Only One Light Source Unit In the case of performing peripheral exposure using one of the light source units 14A and 14B, the control unit 100 controls each light source unit 14A, Based on the measurement result of the light amount of the light beam emitted from 14B, peripheral exposure is performed using a light source unit capable of emitting a light beam of a larger amount. Since the scanning speed can be increased by using the light source unit having the larger amount of light, the throughput of the peripheral exposure apparatus can be increased. (2) Method of Peripheral Exposure by Arranging and Scanning Light Source Units in Columns This method employs two light sources along the extending direction of a line forming a pattern PA of a peripheral exposure area as shown in FIG. In this method, the peripheral exposure is performed such that the units 14A and 14B are arranged in tandem. By scanning a plurality of light source units 14A and 14B in a column on one line as described above, the dose per light source unit 14A and 14B can be reduced. That is, since the scanning speed can be increased, the time required for peripheral exposure can be reduced, and the throughput of the exposure apparatus can be improved. (3) A method in which one line forming the pattern of the peripheral exposure area is shared by a plurality of light source units to perform the peripheral exposure. This method is similar to the method of the above (2). In this method, when exposing one of the lines forming the PA, the plurality of light source units 14A and 14B move along the one line to perform the peripheral exposure. The difference from the method (2) is that, as shown in FIG.
The point is that when the peripheral exposure is performed along the line A, the exposure regions of the plurality of light source units 14A and 14B are shared. In this case, the scanning speed cannot be increased,
Since the plurality of light source units 14A and 14B share the different areas on one line and perform the peripheral exposure, and the exposure is performed almost simultaneously, the scanning distance of each of the light source units 14A and 14B until the peripheral exposure is completed is reduced. Can be shortened. Therefore, the time required for peripheral exposure can be reduced.

【0040】上記方法のうち、(1)の方法で周辺露光
領域のパターンを形成するラインのうちの1本の露光が
行われる場合、周辺露光動作にあずからない方の光源ユ
ニットは、周辺露光動作にあずかる方の光源ユニットと
干渉しないように移動する。
In the above method, if one of the lines forming the pattern of the peripheral exposure area is exposed by the method (1), the light source unit which does not participate in the peripheral exposure operation is the peripheral light exposure unit. Move so as not to interfere with the light source unit participating in the operation.

【0041】− ランプ交換時に継続して行われる周辺
露光動作 − 超高圧水銀ランプ40A、40Bのうちのいずれかが交
換の必要を生じた場合、本発明に係る周辺露光装置では
交換対象となっていない方の超高圧水銀ランプで周辺露
光動作を継続することができる。以下では、そのときの
周辺露光動作について図8および図9を参照して説明す
る。なお、以下では交換対象が超高圧水銀ランプ14
A、14Bのうちの14Aであるものとして説明をす
る。
-Peripheral exposure operation continuously performed when replacing the lamp-If any of the ultra-high pressure mercury lamps 40A and 40B needs to be replaced, the peripheral exposure apparatus according to the present invention is subject to replacement. The peripheral exposure operation can be continued with the extra high pressure mercury lamp that is not used. Hereinafter, the peripheral exposure operation at that time will be described with reference to FIGS. In the following, the replacement object is an ultra-high pressure mercury lamp 14
The description will be made assuming that 14A of A and 14B.

【0042】図8は、本発明の実施の形態に係る周辺露
光装置の作動シーケンスの一例を概略的に示すタイミン
グチャートである。図8に示される作動シーケンスは、
図6に示す制御部100によって制御される。図9
(a)には周辺露光領域のパターンPAの一例が、図9
(b)および図9(c)には図8に示す作動シーケンス
によって周辺露光領域のパターンPAを形成する各ライ
ンが露光される様子が順を追って示されている。図9
(a)に示される周辺露光領域のパターンPAは、図の
縦方向に延在する1番〜4番のラインと横方向に延在す
る5番〜8番のラインとで構成される。以下ではこれら
のラインを単に「ライン1」、「ライン2」、…、と称
する。
FIG. 8 is a timing chart schematically showing an example of an operation sequence of the peripheral exposure apparatus according to the embodiment of the present invention. The operation sequence shown in FIG.
It is controlled by the control unit 100 shown in FIG. FIG.
FIG. 9A shows an example of the pattern PA in the peripheral exposure area shown in FIG.
(B) and FIG. 9 (c) sequentially show how each line forming the pattern PA in the peripheral exposure area is exposed by the operation sequence shown in FIG. FIG.
The pattern PA of the peripheral exposure area shown in FIG. 9A is composed of the first to fourth lines extending in the vertical direction in the figure and the fifth to eighth lines extending in the horizontal direction. Hereinafter, these lines are simply referred to as “line 1”, “line 2”,.

【0043】先ず、通常の周辺露光動作について図8お
よび図9(b)を参照して説明する。本実施の形態にお
いて、通常は二つの光源ユニット14A、14Bによっ
て周辺露光が行われるので、1回の主走査で2本のライ
ンの露光が行われる。すなわち、主走査の往路でライン
1、ライン4の露光がほぼ同時に行われ、復路でライン
2、ライン3の露光がほぼ同時に行われる。図8におい
て、主走査の動作タイミングを示すグラフ中に14、2
3、58、67、…と記されているが、これは1回の主
走査に際して上述のようにライン1とライン4、ライン
2とライン3、ライン5とライン8、ライン6とライン
7がそれぞれほぼ同時に露光される様子を示している。
続いてプレートホルダ4が90度回転され、主走査の往
路でライン5、ライン8の露光がほぼ同時に行われ、復
路でライン6、ライン7の露光がほぼ同時に行われる。
以上の露光動作が図9(b)の手順A、B、CおよびD
に図示されている。このとき、ガラス基板Gへ光を照射
する/しないの切り換えは制御部100がシャッタアク
チュエータ34A、34B(図6)を制御することで行
われ、超高圧水銀ランプ40A、40Bは常時点灯状態
となっている。
First, a normal peripheral exposure operation will be described with reference to FIGS. 8 and 9B. In the present embodiment, since the peripheral exposure is usually performed by the two light source units 14A and 14B, the exposure of two lines is performed in one main scan. That is, the exposure of lines 1 and 4 is performed almost simultaneously on the outward path of main scanning, and the exposure of lines 2 and 3 is performed almost simultaneously on the return path. In FIG. 8, 14, 2 in the graph showing the operation timing of the main scanning.
, 58, 67,..., Which indicate that line 1 and line 4, line 2 and line 3, line 5 and line 8, and line 6 and line 7 in one main scan as described above. Each shows a state of being exposed almost simultaneously.
Subsequently, the plate holder 4 is rotated by 90 degrees, and the exposure of the lines 5 and 8 is performed almost simultaneously on the outward path of the main scanning, and the exposure of the lines 6 and 7 is performed almost simultaneously on the return path.
The above exposure operation is performed by the procedures A, B, C, and D shown in FIG.
Is shown in FIG. At this time, switching between irradiating and not irradiating the glass substrate G is performed by the control unit 100 controlling the shutter actuators 34A and 34B (FIG. 6), and the ultrahigh-pressure mercury lamps 40A and 40B are always turned on. ing.

【0044】続いて、上述した周辺露光動作が行われて
いる最中にオペレータが発光停止スイッチ49(図6)
を操作して超高圧水銀ランプ40Aを消灯させる設定を
した場合における制御部100の制御動作について説明
する。
Subsequently, while the peripheral exposure operation described above is being performed, the operator operates the light emission stop switch 49 (FIG. 6).
The control operation of the control unit 100 in the case where the setting is made to turn off the extra-high pressure mercury lamp 40A by operating is described.

【0045】例えば、図8に示されるようにライン2、
ライン3の露光動作中(図8において符号Aで示される
タイミング)にオペレータが発光停止スイッチ49を操
作して超高圧水銀ランプ40Aを消灯する設定をした場
合、その時点で超高圧水銀ランプ40Aは消灯しない。
そして、オペレータが上述のように発光停止スイッチ4
9を操作した時点で行われていた露光が完了した後のタ
イミング(図8において符号Bで示されるタイミング)
で超高圧水銀ランプ40Aの消灯が行われる。したがっ
て、周辺露光途中で超高圧水銀ランプ40Aが消灯して
しまってガラス基板Gが不良品となってしまうことがな
い。加えて、現在行われている周辺露光動作がどこまで
進んでいるかを気にすることなく、オペレータは上述し
た操作をすることができるので、周辺露光装置の操作性
を向上させることができる。
For example, as shown in FIG.
If the operator operates the light emission stop switch 49 to turn off the ultra-high pressure mercury lamp 40A during the exposure operation of the line 3 (the timing indicated by the symbol A in FIG. 8), Does not turn off.
Then, the operator operates the light emission stop switch 4 as described above.
9 after the completion of the exposure performed at the time of operating 9 (the timing indicated by reference numeral B in FIG. 8)
Then, the super high pressure mercury lamp 40A is turned off. Therefore, there is no possibility that the ultra-high pressure mercury lamp 40A is turned off during the peripheral exposure and the glass substrate G is not a defective product. In addition, the operator can perform the above-described operation without worrying about how far the currently performed peripheral exposure operation has progressed, so that the operability of the peripheral exposure apparatus can be improved.

【0046】超高圧水銀ランプ40Aを消灯した後、制
御部100は以下で説明する単独光源による周辺露光動
作の制御を行う。
After turning off the ultra-high pressure mercury lamp 40A, the control unit 100 controls the peripheral exposure operation using a single light source as described below.

【0047】新たなガラス基板Gがプレートホルダ4に
載置された後、制御部100は主走査モータ30A、3
1Aおよび副走査モータ32Aを制御して光源ユニット
14Aを周辺露光動作範囲の外に動かす。なお、この光
源ユニット14Aは、上述のように周辺露光動作範囲の
外には動かさず、光源ユニット14Bの動きと干渉しな
いようにしながら動き続けるものであってもよい。この
場合、ランプ交換時のみ光源ユニット14Aが周辺露光
動作範囲の外に退避し、停止するようにすればよい。続
いて制御部100は、主走査モータ30B、31Bおよ
び副走査モータ32Bを制御して光源ユニット14Bの
光出射部をライン1の露光開始位置に移動させる。その
後、制御部100は、主走査モータ30B、31Bおよ
び副走査モータ32Bを制御して光源ユニット14Bの
主走査動作および副走査動作を交互に行わせる。上記制
御動作に際して制御部100は、光源ユニット14Bの
主走査動作中にのみシャッタアクチュエータ34Bを制
御して光源ユニット14Bから光束を出射させる。この
ようにして周辺露光動作が行われる際の露光手順の一例
を図9(c)に示す。図9(c)の手順P〜Wに示され
るように、光源ユニットがすべては点灯していない状態
であっても、ライン4、ライン3、ライン2、ライン
1、ライン5、ライン6、ライン7、ライン8と、消灯
していない方の光源ユニット14Bを用いて周辺露光動
作が継続して行われる。このときの様子が図8中の主走
査の動作タイミングを示すグラフ中で右側の部分に示さ
れている。すなわち、このグラフ中で4、3、2、1、
5、6、7、8と記されている部分があるが、これは1
回の主走査でライン4、ライン3、ライン2、…が順次
単独で露光される様子を示している。
After the new glass substrate G is placed on the plate holder 4, the control unit 100 controls the main scanning motors 30A, 3A
1A and the sub-scanning motor 32A are controlled to move the light source unit 14A out of the peripheral exposure operation range. The light source unit 14A may not be moved outside the peripheral exposure operation range as described above, and may continue to move while not interfering with the movement of the light source unit 14B. In this case, the light source unit 14A may be retracted out of the peripheral exposure operation range and stopped only when the lamp is replaced. Subsequently, the control unit 100 controls the main scanning motors 30B and 31B and the sub-scanning motor 32B to move the light emitting unit of the light source unit 14B to the exposure start position of the line 1. Thereafter, the control unit 100 controls the main scanning motors 30B and 31B and the sub-scanning motor 32B to alternately perform the main scanning operation and the sub-scanning operation of the light source unit 14B. At the time of the above control operation, the control unit 100 controls the shutter actuator 34B to emit a light beam from the light source unit 14B only during the main scanning operation of the light source unit 14B. FIG. 9C shows an example of an exposure procedure when the peripheral exposure operation is performed in this manner. As shown in steps P to W in FIG. 9C, even when all the light source units are not turned on, the lines 4, 4, 3, 2, 5, 6, and 6 7, the peripheral exposure operation is continuously performed using the line 8 and the light source unit 14B which is not turned off. The state at this time is shown on the right side in the graph showing the operation timing of the main scanning in FIG. That is, in this graph, 4, 3, 2, 1,
There are parts marked 5, 6, 7, and 8 which are 1
.., Line 4, line 3, line 2,...

【0048】光源ユニット14Bのみを用いての上記周
辺露光動作に際し、光源ユニット14Aは周辺露光動作
にあずかる光源ユニット14Bと干渉しない位置に移動
するので、周辺露光動作を継続して行うことができる。
このとき、二つの光源ユニットを用いる場合に比べれば
スループットは低下するものの、周辺露光動作を継続し
て行うことができるので、ランプ交換にともなう周辺露
光装置の稼働率の低下を最低限に抑止することができ
る。
In the peripheral exposure operation using only the light source unit 14B, the light source unit 14A moves to a position where it does not interfere with the light source unit 14B participating in the peripheral exposure operation, so that the peripheral exposure operation can be performed continuously.
At this time, although the throughput is reduced as compared with the case where two light source units are used, the peripheral exposure operation can be performed continuously, so that a decrease in the operation rate of the peripheral exposure apparatus due to lamp replacement is suppressed to a minimum. be able to.

【0049】オペレータは、超高圧水銀ランプ40Aが
消灯してから所定の時間が経過し、交換可能な程度にま
で超高圧水銀ランプ40Aの温度が低下したら、この超
高圧水銀ランプ40Aを新たなものに交換する。このと
き、光源ユニット14Aは、周辺露光動作にあずかる光
源ユニット14Bの動作範囲の外に位置しているので、
ランプ交換の際にも、周辺露光装置の動作を継続させる
ことができる。超高圧水銀ランプ40Aを新しいものに
交換した後、オペレータは発光再開スイッチ51(図
6)を操作して超高圧水銀ランプ40Aの点灯を開始す
るように設定する。制御部100は、オペレータによる
上記設定を検知するとシャッタ63Aを閉じた状態で超
高圧水銀ランプ40Aへの通電を再開する。
When a predetermined period of time has elapsed since the ultra-high pressure mercury lamp 40A was turned off and the temperature of the ultra-high pressure mercury lamp 40A has dropped to such an extent that it can be replaced, the operator changes the ultra-high pressure mercury lamp 40A to a new one. Replace with At this time, since the light source unit 14A is located outside the operating range of the light source unit 14B participating in the peripheral exposure operation,
Even when the lamp is replaced, the operation of the peripheral exposure apparatus can be continued. After replacing the ultra-high pressure mercury lamp 40A with a new one, the operator operates the light emission restart switch 51 (FIG. 6) to set the ultra-high pressure mercury lamp 40A to start lighting. When the control unit 100 detects the setting by the operator, the control unit 100 restarts energizing the ultrahigh-pressure mercury lamp 40A with the shutter 63A closed.

【0050】− ランプ点灯再開後の周辺露光動作 − 超高圧水銀ランプ40Aへの通電再開後、所定時間が経
過して超高圧水銀ランプ40Aのウオームアップが完了
するまでは、新たなガラス基板Gがセットされるたびに
上述した光源ユニット14Bのみを用いての周辺露光動
作が繰り返し行われる。制御部100は、超高圧水銀ラ
ンプ40Aの作動が安定したことを検出した後、切りの
よいところですべての光源ユニット14A、14Bを用
いての周辺露光動作を再開する。ここで、「きりのよい
ところ」とは、たとえば超高圧水銀ランプ40Aの作動
安定を検出した時点で行われている周辺露光動作が完了
し、新たなガラス基板Gに対する周辺露光動作が開始さ
れる時点を示す。この「きりのよいところ」に関し、周
辺露光装置の稼働率低下をできるだけ抑制する観点から
は、超高圧水銀ランプ40Aの作動安定を検出した時点
で行われている周辺露光動作が完了した直後に行われる
周辺露光動作の開始時であることが望ましい。しかし、
数回の周辺露光動作を見送った後にすべての光源ユニッ
ト14A、14Bを用いての周辺露光動作を再開するも
のであってもよい。なお、光源ユニット14Aの上記復
帰タイミング制御に関し、超高圧水銀ランプ40Aの作
動安定を検出した時点で行われている光源ユニット14
Bのみによる走査が完了した後、まだ残っている周辺露
光対象のパターン(ライン)に対して光源ユニット14
A、14Bを用いて周辺露光するものであってもよい。
-Peripheral exposure operation after resumption of lamp lighting-New glass substrate G is maintained until the warm-up of extra-high pressure mercury lamp 40A is completed after a predetermined time has elapsed after re-energization of extra-high pressure mercury lamp 40A. Each time it is set, the peripheral exposure operation using only the light source unit 14B described above is repeatedly performed. After detecting that the operation of the ultrahigh-pressure mercury lamp 40A is stabilized, the control unit 100 restarts the peripheral exposure operation using all the light source units 14A and 14B at a sharp point. Here, the “fine place” means, for example, that the peripheral exposure operation performed when the operation stability of the ultra-high pressure mercury lamp 40A is detected is completed, and the peripheral exposure operation for a new glass substrate G is started. Indicates a point in time. Regarding this “good place”, from the viewpoint of minimizing the decrease in the operation rate of the peripheral exposure apparatus, the operation is performed immediately after the peripheral exposure operation performed when the operation stability of the ultra-high pressure mercury lamp 40A is detected is completed. It is desirable to start the peripheral exposure operation. But,
The peripheral exposure operation using all the light source units 14A and 14B may be restarted after several peripheral exposure operations have been postponed. Regarding the return timing control of the light source unit 14A, the light source unit 14A, which is performed when the operation stability of the ultra-high pressure mercury lamp 40A is detected, is determined.
After the scanning by only B is completed, the light source unit 14 is applied to the remaining pattern (line) of the peripheral exposure target.
A, 14B may be used to perform peripheral exposure.

【0051】以上で説明した発光停止スイッチ49およ
び発光再開スイッチ51に関しては、不図示のコンソー
ル上に設けられるものであってもよいし、キーボード等
(不図示)をオペレータが操作するものであってもよ
い。あるいは、周辺露光装置の動作状態を表示するディ
スプレイ(不図示)に設けられるタッチパネル等をオペ
レータが操作するものであってもよい。
The light emission stop switch 49 and the light emission restart switch 51 described above may be provided on a console (not shown) or operated by a keyboard or the like (not shown) by an operator. Is also good. Alternatively, the operator may operate a touch panel or the like provided on a display (not shown) that displays the operation state of the peripheral exposure apparatus.

【0052】制御部100が超高圧水銀ランプ40A、
40Bの作動の安定を検出する方法としては、この超高
圧水銀ランプに印加される電圧と超高圧水銀ランプ中を
流れる電流とを測定し、これらの測定結果が予め定めら
れた値に達したことを検知する方法がある。あるいは超
高圧水銀ランプの点灯開始後の経過時間を計測し、この
時間が予め定められた値に達したことを検知するもので
あってもよい。その他、輝度センサや放射温度測定セン
サ等を設け、これらのセンサから出力される信号の大き
さに基づいて超高圧水銀ランプの作動が安定したことを
検出してもよい。
The control unit 100 controls the ultra-high pressure mercury lamp 40A,
As a method of detecting the stability of the operation of the 40B, a voltage applied to the ultra-high pressure mercury lamp and a current flowing in the ultra-high pressure mercury lamp are measured, and the measurement result reaches a predetermined value. There is a way to detect Alternatively, the elapsed time from the start of lighting of the ultrahigh-pressure mercury lamp may be measured, and it may be detected that the time has reached a predetermined value. In addition, a luminance sensor, a radiation temperature measurement sensor, or the like may be provided to detect that the operation of the ultra-high pressure mercury lamp is stable based on the magnitude of a signal output from these sensors.

【0053】以上に説明した、消灯中の超高圧水銀ラン
プの点灯再開後に行われる周辺露光動作について図10
を参照して説明する。図10は、消灯中の超高圧水銀ラ
ンプ40Aが点灯を再開した後に行われる周辺露光装置
の作動シーケンスの一例を概略的に示すタイミングチャ
ートである。図10において、符号αを付したタイミン
グで行われる基板交換の後に行われる周辺露光動作の途
中でオペレータが発光再開スイッチ51を操作し、超高
圧水銀ランプ40Aの点灯を再開する設定をする。この
設定に応じ、制御部100は超高圧水銀ランプ40Aへ
の通電を開始する(図10で符号Aを付したタイミン
グ)。制御部100は、超高圧水銀ランプ40Aの作動
安定化完了を上述した方法によって検出する(図10で
符号Bを付したタイミング)。その後、新たなガラス基
板Gがプレートホルダ4に載置されるのにともない(図
10で符号βを付したタイミング)、制御部100はす
べての光源ユニットを用いての周辺露光動作を開始す
る。
FIG. 10 shows the peripheral exposure operation performed after restarting the turning-on of the ultra-high pressure mercury lamp that has been turned off as described above.
This will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a timing chart schematically showing an example of an operation sequence of the peripheral exposure apparatus performed after the turned-off ultrahigh-pressure mercury lamp 40A restarts lighting. In FIG. 10, the operator operates the light emission restart switch 51 during the peripheral exposure operation performed after the substrate replacement performed at the timing denoted by the symbol α to set the restart of the lighting of the ultra-high pressure mercury lamp 40A. In accordance with this setting, the control unit 100 starts energization of the ultra-high pressure mercury lamp 40A (timing denoted by A in FIG. 10). The control unit 100 detects the completion of the stabilization of the operation of the extra-high pressure mercury lamp 40A by the above-described method (the timing denoted by the symbol B in FIG. 10). Thereafter, as a new glass substrate G is placed on the plate holder 4 (timing denoted by reference symbol β in FIG. 10), the controller 100 starts the peripheral exposure operation using all the light source units.

【0054】以上に説明したように、オペレータは周辺
露光装置の動作状態を気にすることなく、消灯中の超高
圧水銀ランプ40Aの点灯再開の設定を行うことができ
るので操作性を高めることができる。そして、点灯を再
開した超高圧水銀ランプ40Aがウォームアップを完了
した後に、制御部100は複数の光源ユニット14A、
14Bを用いての周辺露光動作が自動的に再開されるの
で、発光状態の不安定な状態で周辺露光が行われること
がない。したがって、超高圧水銀ランプの交換作業にと
もなって周辺露光途中のガラス基板Gの不良を生じるこ
とがない。また、超高圧水銀ランプ40Aの交換につい
ては、交換可能になったことを示す表示や、オペレータ
コールを行う。あるいは、オペレータが待機するまで
は、交換可能であっても点灯している方で継続して露光
してもよい。
As described above, the operator can set the restart of the turned-on ultrahigh-pressure mercury lamp 40A without worrying about the operation state of the peripheral exposure apparatus, so that the operability can be improved. it can. Then, after the ultrahigh-pressure mercury lamp 40A whose lighting has been resumed has completed warming-up, the control unit 100 returns to the plurality of light source units 14A,
Since the peripheral exposure operation using 14B is automatically restarted, the peripheral exposure is not performed in an unstable light emitting state. Therefore, there is no possibility that the glass substrate G will be defective during the peripheral exposure due to the replacement operation of the ultra-high pressure mercury lamp. Further, regarding the replacement of the ultra-high pressure mercury lamp 40A, a display indicating that replacement is possible or an operator call is performed. Alternatively, until the operator is on standby, the light may be exchanged or the lit one may continue exposure.

【0055】以上のようにして、交換対象の超高圧水銀
ランプ40Aを消灯してからクールダウンが完了するの
を待って新たな超高圧水銀ランプ40Aに交換し、点灯
を開始してからウォームアップを完了するまでの間は残
りの超高圧水銀ランプ40Bで周辺露光を継続すること
ができる。このため、光源ランプの交換作業にともなう
周辺露光装置の処理能力の低下を最小限にとどめること
が可能となる。
As described above, after turning off the ultrahigh-pressure mercury lamp 40A to be replaced, wait for the cooling down to be completed, replace it with a new ultrahigh-pressure mercury lamp 40A, start lighting, and then warm up. Until the completion, the peripheral exposure can be continued with the remaining ultra-high pressure mercury lamp 40B. For this reason, it is possible to minimize a decrease in the processing capability of the peripheral exposure apparatus due to the replacement work of the light source lamp.

【0056】以上では、光源ユニット14A、14Bの
いずれもが露光対象のガラス基板Gの全露光対象領域上
を移動可能なものであるものを例として説明したが、本
発明は以上に説明した実施の形態に限られるものではな
い。たとえば、図1を参照して説明すると、ガラス基板
GのY方向に延在する中心線を境にして、光源ユニット
14Aは左側の領域のみを移動可能であり、光源ユニッ
ト14Bは右側の領域のみを移動可能な構成としてもよ
い。この場合、単独の光源ユニットを用いて周辺露光を
行う際に、図9(c)に示されるような手順で周辺露光
を行うことはできないので、図11を参照して以下に説
明する手順で周辺露光を行えばよい。
In the above description, both the light source units 14A and 14B can be moved on the entire exposure target area of the glass substrate G to be exposed. However, the present invention is not limited to the embodiment described above. However, the present invention is not limited to this. For example, referring to FIG. 1, the light source unit 14A can move only in the left area, and the light source unit 14B can move only in the right area with respect to a center line extending in the Y direction of the glass substrate G. May be configured to be movable. In this case, when performing the peripheral exposure using a single light source unit, the peripheral exposure cannot be performed in the procedure as shown in FIG. 9C, so that the procedure described below with reference to FIG. Peripheral exposure may be performed.

【0057】図11(a)は、図9(a)と同様に周辺
露光領域のパターンPAの一例を図示したものであり、
図11(b)は周辺露光領域のパターンPAを形成する
ライン1〜ライン8が順次露光される様子を、順を追っ
て示したものである。例えば超高圧水銀ランプ40Aが
交換の対象となっている場合、制御部100は光源ユニ
ット14Bのみを用いて以下のように周辺露光の動作制
御を行う。すなわち、制御部100は、ライン4、ライ
ン3の露光を順次行い(手順K)、プレートホルダ4を
図1において時計回りの方向に90度回転させる。続い
て制御部100は、ライン5、ライン6の露光を順次行
い(手順L)、プレートホルダ4をさらに時計回り方向
に90度回転させ、ライン1、ライン2の露光を順次行
う(手順M)。制御部100は、さらにプレートホルダ
4を時計回り方向に90度回転させ、ライン8、ライン
7の露光を行う(手順N)。
FIG. 11A shows an example of the pattern PA in the peripheral exposure area as in FIG. 9A.
FIG. 11B shows a state in which the lines 1 to 8 forming the pattern PA in the peripheral exposure area are sequentially exposed. For example, when the ultrahigh-pressure mercury lamp 40A is to be replaced, the control unit 100 controls the peripheral exposure operation using only the light source unit 14B as follows. That is, the control unit 100 sequentially performs exposure of the line 4 and the line 3 (procedure K), and rotates the plate holder 4 90 degrees clockwise in FIG. Subsequently, the control unit 100 sequentially performs the exposure of the line 5 and the line 6 (procedure L), further rotates the plate holder 4 by 90 degrees in the clockwise direction, and sequentially performs the exposure of the line 1 and the line 2 (procedure M). . The control unit 100 further rotates the plate holder 4 by 90 degrees clockwise to expose the lines 8 and 7 (procedure N).

【0058】以上のようにして周辺露光領域のパターン
PAを構成するすべてのラインについて露光を行なった
後、制御部100はプレートホルダ4を反時計回りの方
向に270度回転させて初期位置に戻す。なお、上述の
ように反時計回りの方向に270度回転させてプレート
ホルダ4を初期位置に戻すのに代えて、時計回りの方向
へプレートホルダ4をさらに90度回転させてもよい。
この場合、次のガラス基板Gに対して行われる周辺露光
に際しては上述したのと逆の方向にプレートホルダ4を
回転させることが望ましい。このようにプレートホルダ
4の回転を制御することにより、プレートホルダ4に接
続される空圧系統の配管や電気系統の配線等がよじれる
ことがない。
After exposing all the lines constituting the pattern PA in the peripheral exposure area as described above, the control unit 100 rotates the plate holder 4 270 degrees counterclockwise to return to the initial position. . Instead of rotating the plate holder 4 to the initial position by rotating it 270 degrees counterclockwise as described above, the plate holder 4 may be further rotated 90 degrees clockwise.
In this case, it is desirable to rotate the plate holder 4 in the opposite direction to that described above during the peripheral exposure performed on the next glass substrate G. By controlling the rotation of the plate holder 4 in this manner, the pneumatic system piping connected to the plate holder 4 and the electric system wiring are not twisted.

【0059】以上では、周辺露光装置が二つの光源ユニ
ット14A、14Bを有するものとして説明したが、光
源ユニットの数は3以上としてもよい。この場合、すべ
ての光源ユニットを用いて周辺露光を行うときに、周辺
露光領域のパターンを形成するラインの数と光源ユニッ
トの数との関係によっては最後に残るライン数が半端に
なる。このようなときには、周辺露光領域のパターンを
形成するラインの数を周辺露光にあずかる光源ユニット
の数で割ったときの余りの数のパターンを一部の光源ユ
ニットで露光すればよい。
Although the peripheral exposure apparatus has been described as having two light source units 14A and 14B, the number of light source units may be three or more. In this case, when peripheral exposure is performed using all the light source units, the last remaining line number may be odd depending on the relationship between the number of lines forming the pattern of the peripheral exposure area and the number of light source units. In such a case, the remaining number of patterns obtained by dividing the number of lines forming the pattern of the peripheral exposure area by the number of light source units participating in the peripheral exposure may be exposed by some light source units.

【0060】また、以上では、超高圧水銀ランプ40A
を交換して再度使用可能となるまでの間、光源ユニット
14Bのみを用いて周辺露光を行う際に、主走査方向に
光源ユニット14Bを走査させる例について説明した
が、この例において光源ユニット14Bを副走査方向に
も走査させて周辺露光を行うものであってもよい。すな
わち、光源ユニット14A、14Bは、支持部材12A
または12Bに支持された状態で主走査方向に略直交す
る副走査方向に移動可能である。これを利用し、図1に
示されるようにガラス基板Gが載置されているときに、
長辺側の周辺露光に際しては主走査方向に、短辺側の周
辺露光に際しては副走査方向に、それぞれ光源ユニット
14Bを走査させてもよい。この場合、光源ユニットか
ら出射される光束のビームサイズは、2次元方向に変え
ることが可能なように構成しておくことが望ましい。以
上では超高圧水銀ランプ40Aが交換対象である場合に
超高圧水銀ランプ40Bで周辺露光を行う例について説
明したが、超高圧水銀ランプ40Bが交換対象のときに
は光源ユニット14Aのみで周辺露光を行うことができ
るのはもちろんである。
In the above description, the super-high pressure mercury lamp 40A
The example in which the light source unit 14B is scanned in the main scanning direction when peripheral exposure is performed using only the light source unit 14B until the light source unit 14B can be used again until the light source unit 14B can be used again has been described. The peripheral exposure may be performed by scanning in the sub-scanning direction. That is, the light source units 14A and 14B are
Alternatively, it can be moved in a sub-scanning direction substantially orthogonal to the main scanning direction while being supported by 12B. Utilizing this, when the glass substrate G is placed as shown in FIG.
The light source unit 14B may be scanned in the main scanning direction for peripheral exposure on the long side and in the sub-scanning direction for peripheral exposure on the short side. In this case, it is desirable that the beam size of the light beam emitted from the light source unit is configured to be changeable in a two-dimensional direction. In the above, an example in which peripheral exposure is performed by the ultra-high pressure mercury lamp 40B when the ultra-high pressure mercury lamp 40A is to be replaced has been described. However, when the ultra-high pressure mercury lamp 40B is to be replaced, peripheral exposure is performed only by the light source unit 14A. Of course you can.

【0061】以上の説明では、光源ユニット14Aおよ
び14Bから出射される光束の光量を検出するために、
定盤2上に光量センサ48が設けられる例について説明
したが、光源ユニット14A、14Bのそれぞれに内蔵
するものであってもよい。
In the above description, in order to detect the amount of light emitted from the light source units 14A and 14B,
Although the example in which the light amount sensor 48 is provided on the surface plate 2 has been described, the light amount sensor 48 may be built in each of the light source units 14A and 14B.

【0062】複数の光源ユニットを主走査方向および副
走査方向に駆動するためのものとして、以上に説明した
送りネジ機構のみならず、リニアモータやベルト駆動機
構等、他のアクチュエータや機構等を用いるものであっ
てもよい。
In order to drive the plurality of light source units in the main scanning direction and the sub-scanning direction, not only the feed screw mechanism described above but also other actuators and mechanisms such as a linear motor and a belt driving mechanism are used. It may be something.

【0063】以上では、LCDパネルやPDPパネル等
に用いられるガラス基板の周辺露光動作を行うものにつ
いて説明したが、ウェーハ等、他の基板の周辺露光を行
うものに適用することも可能である。
In the above, the operation of performing the peripheral exposure of a glass substrate used for an LCD panel, a PDP panel, or the like has been described. However, the present invention can be applied to a device that performs the peripheral exposure of another substrate such as a wafer.

【0064】以上では、直線状のラインの露光を行うも
のについて説明したが、光源ユニット14A、14Bを
駆動する際に、主走査方向に沿う駆動と副走査方向に沿
う駆動とを組み合わせることで、周辺露光の対象となる
非パターン領域が曲線や折れ線に沿うようなものに対し
ても露光可能である。
In the above description, the exposure of a linear line is performed. However, when driving the light source units 14A and 14B, the driving along the main scanning direction and the driving along the sub-scanning direction are combined. It is possible to expose even a non-pattern area to be subjected to peripheral exposure along a curve or a polygonal line.

【0065】また、以上では複数の光源ユニット14
A、14Bが支持部材12A、12Bによりそれぞれ独
立して主走査方向に駆動される例について説明したが、
一つの支持部材上で複数の光源ユニットが副走査方向に
移動可能に支持されるものであってもよい。この場合、
複数の光源ユニットを独立して主走査方向に駆動するこ
とはできないので、図7を参照して説明した露光を行う
ことはできない。しかし、たとえばいずれかの光源ユニ
ットがウォーミングアップ中に、残りの光源ユニットを
用いて、図9、図11を参照して説明した方法で露光を
行うことができる。
In the above description, the plurality of light source units 14
A and 14B have been described in which the supporting members 12A and 12B are independently driven in the main scanning direction.
A plurality of light source units may be supported movably in the sub-scanning direction on one support member. in this case,
Since the plurality of light source units cannot be driven independently in the main scanning direction, the exposure described with reference to FIG. 7 cannot be performed. However, for example, while one of the light source units is warming up, exposure can be performed using the remaining light source units by the method described with reference to FIGS.

【0066】以上の発明の実施の形態と請求項との対応
において、超高圧水銀ランプ40A、40Bが光源を、
リレーレンズ66A、66Bおよび投影レンズ65A、
65Bが集光光学系を、光源ユニット14Aおよび14
Bが照明ユニットを、ガラス基板Gが感光基板を、制御
部100が露光制御部をそれぞれ構成する。
In the correspondence between the above-described embodiments and the claims, the ultra-high pressure mercury lamps 40A and 40B serve as light sources,
Relay lenses 66A, 66B and projection lens 65A,
65B is a light condensing optical system, and the light source units 14A and 14B
B configures an illumination unit, the glass substrate G configures a photosensitive substrate, and the control unit 100 configures an exposure control unit.

【0067】[0067]

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれば
以下の効果を奏する。 (1) 請求項1または10に記載の発明によれば、複
数の照明ユニットの個々の状態に応じて、複数の照明ユ
ニットのうち所定の照明ユニットを選択して露光するこ
とにより、たとえばメインテンス中であったり、照射準
備中であったり、光量が低下している等の照明ユニット
以外のものを選択して露光を行うことができ、露光装置
の稼働率低下を抑制できる。 (2) 請求項2に記載の発明によれば、露光制御部は
所定の照明ユニットとして、複数の照明ユニットのうち
の少なくとも一つを選択することにより、少なくとも一
つの照明ユニットで露光動作を継続することができ、露
光装置の稼働率低下を抑制することができる。 (3) 請求項3に記載の発明によれば、露光制御部は
メインテナンス中または照射準備中の照明ユニットを選
択対象から除外することにより、残りの照明ユニットで
露光を継続して行うことができ、露光装置の稼働率低下
を抑制することができる。 (4) 請求項4に記載の発明によれば、露光制御部が
照明ユニットの照明光量に基づいて所定の照明ユニット
を選択することにより、たとえば光量の多い照明ユニッ
トを選択すれば露光に要する時間を短縮することがで
き、露光装置のスループットを向上させることができ
る。 (5) 請求項5に記載の発明によれば、露光制御部が
所定の照明ユニットとして、所定の照射光量を照射可能
な照明ユニットを選択することにより、露光に要する時
間が伸びるのを抑制することができる。 (6) 請求項6に記載の発明によれば、露光制御部
が、選択された照明ユニットに応じて非パターン領域を
露光する際の一連の露光動作を変えることにより、選択
された照明ユニットの数、状態、光量等に応じて最適の
手順で露光動作を行うことができ、露光時間を短縮して
露光装置のスループットを向上させることができる。 (7) 請求項7に記載の発明によれば、露光制御部
が、選択された照明ユニットの数に応じて、非パターン
領域を露光する際の一連の露光動作を変えることによ
り、選択された照明ユニットの数に応じて最適の手順で
露光動作を行うことができ、露光時間を短縮して露光装
置のスループットを向上させることができる。 (8) 請求項8に記載の発明によれば、照明ユニット
は、光源と集光光学系とを有し、露光制御部は、光源の
状態に応じて所定の照明ユニットを選択することによ
り、たとえばメインテンス中であったり、消灯中であっ
たり、照射準備中であったり、光量が低下している等の
光源の状態に応じて照明ユニットを選択することによ
り、露光装置の稼働率低下を抑制することが可能とな
る。 (9) 請求項9に記載の発明によれば、感光基板の非
パターン領域中で同一線上に延在する露光対象部分を露
光する際に、複数の照明ユニットのうち少なくとも二つ
を上記同一線上に沿って感光基板と相対移動させること
により、露光時間を短縮して露光装置のスループットを
向上させることができる。
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (1) According to the first or tenth aspect of the present invention, a predetermined lighting unit of the plurality of lighting units is selected and exposed according to the state of each of the plurality of lighting units, so that, for example, maintenance is performed. Exposure can be performed by selecting a unit other than the illumination unit, such as one that is in the middle, is preparing for irradiation, or has a reduced light amount, so that a decrease in the operation rate of the exposure apparatus can be suppressed. (2) According to the invention described in claim 2, the exposure control unit selects at least one of the plurality of illumination units as the predetermined illumination unit, thereby continuing the exposure operation with at least one illumination unit. And a reduction in the operation rate of the exposure apparatus can be suppressed. (3) According to the third aspect of the present invention, the exposure control unit excludes the illumination unit under maintenance or preparation for irradiation from the selection targets, so that the exposure can be continuously performed with the remaining illumination units. In addition, it is possible to suppress a decrease in the operation rate of the exposure apparatus. (4) According to the invention described in claim 4, the exposure control unit selects a predetermined illumination unit based on the illumination light amount of the illumination unit. Can be shortened, and the throughput of the exposure apparatus can be improved. (5) According to the invention described in claim 5, the exposure control unit selects an illumination unit capable of irradiating a predetermined amount of irradiation light as the predetermined illumination unit, thereby suppressing an increase in time required for exposure. be able to. (6) According to the invention described in claim 6, the exposure control unit changes a series of exposure operations when exposing a non-pattern area according to the selected illumination unit, thereby changing the selected illumination unit. The exposure operation can be performed in an optimal procedure according to the number, the state, the light amount, and the like, and the exposure time can be shortened to improve the throughput of the exposure apparatus. (7) According to the invention described in claim 7, the exposure control unit changes the series of exposure operations when exposing the non-pattern area in accordance with the number of selected illumination units, thereby selecting the selected unit. The exposure operation can be performed in an optimal procedure according to the number of illumination units, and the exposure time can be shortened to improve the throughput of the exposure apparatus. (8) According to the invention as set forth in claim 8, the illumination unit has a light source and a condensing optical system, and the exposure control unit selects a predetermined illumination unit according to a state of the light source. For example, by selecting an illumination unit according to the state of the light source such as during maintenance, turning off the light, preparing for irradiation, or decreasing the amount of light, the operating rate of the exposure apparatus can be reduced. It becomes possible to suppress. (9) According to the ninth aspect, when exposing an exposure target portion extending on the same line in the non-pattern area of the photosensitive substrate, at least two of a plurality of illumination units are aligned on the same line. , The exposure time can be shortened and the throughput of the exposure apparatus can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 図1は、本発明の実施の形態に係る周辺露光
装置の概略的構成を説明する平面図である。
FIG. 1 is a plan view illustrating a schematic configuration of a peripheral exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図2は、本発明の実施の形態に係る周辺露光
装置の概略的構成を説明する部分断面図である。
FIG. 2 is a partial cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a peripheral exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図3】 図3は、光源ユニットの構成例を概略的に示
す縦断面図である。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration example of a light source unit.

【図4】 図4は、本実施の形態に係る周辺露光装置と
他の装置との間で露光対象物を受け渡しするローダを説
明する図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a loader that transfers an object to be exposed between the peripheral exposure apparatus according to the present embodiment and another apparatus.

【図5】 図5は、露光対象物がローダによって周辺露
光装置にセットされる様子を説明する図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining how an exposure target is set in a peripheral exposure apparatus by a loader;

【図6】 図6は、本発明の実施の形態に係る周辺露光
装置の制御回路を概略的に示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram schematically showing a control circuit of the peripheral exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図7】 図7は、同一線上に延在する露光対象部分の
露光をする際に、複数の照明ユニットを上記同一線上に
沿って移動させる様子を説明する図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a state in which a plurality of illumination units are moved along the same line when exposing an exposure target portion extending on the same line.

【図8】 図8は、本発明の実施の形態に係る周辺露光
装置の動作シーケンスを示す図であり、露光動作の途中
で二つの光源ユニットのうちの一つが消灯される際の様
子を説明する図である。
FIG. 8 is a diagram showing an operation sequence of the peripheral exposure apparatus according to the embodiment of the present invention, and illustrates a state where one of two light source units is turned off during the exposure operation. FIG.

【図9】 図9は、一部の光源ユニットのみを用いて周
辺露光が行われる様子の一例を順を追って示す図であ
る。
FIG. 9 is a diagram sequentially illustrating an example of how peripheral exposure is performed using only some light source units.

【図10】 図10は、本発明の実施の形態に係る周辺
露光装置の動作シーケンスを示す図であり、露光動作か
ら離れていた光源ユニットを用いての露光動作が再開さ
れる様子を説明する図である。
FIG. 10 is a diagram showing an operation sequence of the peripheral exposure apparatus according to the embodiment of the present invention, and explains how the exposure operation using the light source unit apart from the exposure operation is restarted. FIG.

【図11】 図11は、一部の光源ユニットのみを用い
て周辺露光が行われる様子の他の例を示す図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating another example in which peripheral exposure is performed using only some of the light source units.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 … 定盤 4 … プレートホルダ 5 …
プレートホルダ支持部 8A、8B … ガイドレール 12A、12B …
支持部材 14A、14B … 光源ユニット 30A、30B、31A、31B … 主走査モータ 32A、32B … 副走査モータ 34A、34B … シャッタアクチュエータ 36A、36B … ブラインドアクチュエータ 40A、40B … 超高圧水銀ランプ 48 … 光量センサ 49 … 発光停止スイッ
チ 51 … 発光再開スイッチ 52 … ステージア
クチュエータ 70 … ローダ 100 … 制御部 200 … ホストコンピュータ
2 ... platen 4 ... plate holder 5 ...
Plate holder support 8A, 8B ... Guide rail 12A, 12B ...
Support members 14A, 14B Light source unit 30A, 30B, 31A, 31B Main scanning motor 32A, 32B Sub scanning motor 34A, 34B Shutter actuator 36A, 36B Blind actuator 40A, 40B Ultra-high pressure mercury lamp 48 Light intensity sensor 49: light emission stop switch 51: light emission restart switch 52: stage actuator 70: loader 100: control unit 200: host computer

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】パターンを形成すべきパターン領域と前記
パターン領域とは異なる非パターン領域とを有する感光
基板の前記非パターン領域に露光光を照射するための複
数の照明ユニットを有する周辺露光装置において、 前記複数の照明ユニットの個々の状態に応じて、前記複
数の照明ユニットのうち所定の照明ユニットを選択して
露光する露光制御部を有することを特徴とする周辺露光
装置。
1. A peripheral exposure apparatus having a plurality of illumination units for irradiating exposure light to said non-pattern area of a photosensitive substrate having a pattern area where a pattern is to be formed and a non-pattern area different from said pattern area. An edge exposure apparatus, comprising: an exposure control unit that selects and exposes a predetermined illumination unit among the plurality of illumination units in accordance with individual states of the plurality of illumination units.
【請求項2】請求項1に記載の周辺露光装置において、 前記露光制御部は、前記所定の照明ユニットとして、前
記複数の照明ユニットのうちの少なくとも一つを選択す
ることを特徴とする周辺露光装置。
2. The peripheral exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure control section selects at least one of the plurality of illumination units as the predetermined illumination unit. apparatus.
【請求項3】請求項1または2に記載の周辺露光装置に
おいて、 前記露光制御部は、メインテナンス中または照射準備中
の照明ユニットを選択対象から除外することを特徴とす
る周辺露光装置。
3. The peripheral exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure control unit excludes a lighting unit during maintenance or preparation for irradiation from selection targets.
【請求項4】請求項1または2に記載の周辺露光装置に
おいて、 前記露光制御部は、前記照明ユニットの照明光量に基づ
いて、前記所定の照明ユニットを選択することを特徴と
する周辺露光装置。
4. The peripheral exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure control unit selects the predetermined illumination unit based on an illumination light amount of the illumination unit. .
【請求項5】請求項4に記載の周辺露光装置において、 前記露光制御部は、前記所定の照明ユニットとして、所
定の照射光量を照射可能な照明ユニットを選択すること
を特徴とする周辺露光装置。
5. The peripheral exposure apparatus according to claim 4, wherein said exposure control unit selects an illumination unit capable of irradiating a predetermined irradiation light amount as said predetermined illumination unit. .
【請求項6】請求項1〜5のいずれか1項に記載の周辺
露光装置において、 前記露光制御部は、前記選択された照明ユニットに応じ
て、前記非パターン領域を露光する際の一連の露光動作
を変えることを特徴とする周辺露光装置。
6. The peripheral exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure control unit performs a series of operations when exposing the non-pattern area according to the selected illumination unit. A peripheral exposure apparatus that changes an exposure operation.
【請求項7】請求項6に記載の周辺露光装置において、 前記露光制御部は、前記選択された照明ユニットの数に
応じて、前記非パターン領域を露光する際の一連の露光
動作を変えることを特徴とする周辺露光装置。
7. The peripheral exposure apparatus according to claim 6, wherein the exposure control unit changes a series of exposure operations when exposing the non-pattern area according to the number of the selected illumination units. A peripheral exposure apparatus characterized by the above-mentioned.
【請求項8】請求項6に記載の周辺露光装置において、 前記照明ユニットは、光源と集光光学系とを有し、 前記露光制御部は、前記光源の状態に応じて、前記所定
の照明ユニットを選択することを特徴とする周辺露光装
置。
8. The peripheral exposure apparatus according to claim 6, wherein the illumination unit has a light source and a condensing optical system, and the exposure control unit is configured to perform the predetermined illumination according to a state of the light source. A peripheral exposure apparatus characterized by selecting a unit.
【請求項9】パターンを形成すべきパターン領域と前記
パターン領域とは異なる非パターン領域とを有する感光
基板の前記非パターン領域に露光光を照射するための複
数の照明ユニットを有する周辺露光装置において、 前記非パターン領域中で同一線上に延在する露光対象部
分を露光する際に、前記複数の照明ユニットのうち少な
くとも二つを前記同一線上に沿って前記感光基板と相対
移動させることを特徴とする周辺露光装置。
9. A peripheral exposure apparatus having a plurality of illumination units for irradiating exposure light to said non-pattern area of a photosensitive substrate having a pattern area on which a pattern is to be formed and a non-pattern area different from said pattern area. When exposing an exposure target portion extending on the same line in the non-pattern region, at least two of the plurality of illumination units are relatively moved with the photosensitive substrate along the same line. Peripheral exposure equipment.
【請求項10】パターンを形成すべきパターン領域と前
記パターン領域とは異なる非パターン領域とを有する感
光基板の前記非パターン領域に露光光を照射するための
照明ユニットを複数備えた周辺露光装置を用い、前記非
パターン領域を前記照明ユニットから出射される露光光
で露光する露光方法において、 前記複数の照明ユニットの個々の状態に応じて、前記感
光基板を露光する照明ユニットを選択して露光すること
を特徴とする露光方法。
10. A peripheral exposure apparatus having a plurality of illumination units for irradiating exposure light to said non-pattern area of a photosensitive substrate having a pattern area where a pattern is to be formed and a non-pattern area different from said pattern area. An exposure method for exposing the non-pattern area with exposure light emitted from the illumination unit, wherein an exposure unit for exposing the photosensitive substrate is selected and exposed according to an individual state of the plurality of illumination units. An exposure method comprising:
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100479119B1 (en) * 2002-06-11 2005-03-28 동부아남반도체 주식회사 Light source system for semiconductor pattern alignment
JP2006216663A (en) * 2005-02-02 2006-08-17 Disco Abrasive Syst Ltd Exposure device
JP2007148360A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Peripheral exposure apparatus and method therefor
JP2007148361A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Peripheral exposure apparatus and method therefor
JP2007148362A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Laser beam/uv-irradiation peripheral exposure apparatus and method therefor
JP2007148358A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Laser beam/uv irradiation peripheral exposure apparatus, and method therefor
JP2007148359A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Laser beam exposure apparatus and method therefor
WO2022065048A1 (en) * 2020-09-24 2022-03-31 株式会社ニコン Pattern formation method, electronic device production method, and pattern exposure device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI330763B (en) * 2006-05-26 2010-09-21 Au Optronics Corp Exposing apparatus and exposing system

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100479119B1 (en) * 2002-06-11 2005-03-28 동부아남반도체 주식회사 Light source system for semiconductor pattern alignment
JP2006216663A (en) * 2005-02-02 2006-08-17 Disco Abrasive Syst Ltd Exposure device
JP4571870B2 (en) * 2005-02-02 2010-10-27 株式会社ディスコ Exposure equipment
JP2007148359A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Laser beam exposure apparatus and method therefor
JP2007148362A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Laser beam/uv-irradiation peripheral exposure apparatus and method therefor
JP2007148358A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Laser beam/uv irradiation peripheral exposure apparatus, and method therefor
JP2007148361A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Peripheral exposure apparatus and method therefor
JP4491446B2 (en) * 2005-11-04 2010-06-30 株式会社オーク製作所 Peripheral exposure apparatus and method
JP4491444B2 (en) * 2005-11-04 2010-06-30 株式会社オーク製作所 Laser beam / ultraviolet irradiation peripheral exposure apparatus and method
JP4491445B2 (en) * 2005-11-04 2010-06-30 株式会社オーク製作所 Peripheral exposure apparatus and method
JP4491447B2 (en) * 2005-11-04 2010-06-30 株式会社オーク製作所 Laser beam / ultraviolet irradiation peripheral exposure apparatus and method
JP4533874B2 (en) * 2005-11-04 2010-09-01 株式会社オーク製作所 Laser beam exposure system
JP2007148360A (en) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd Peripheral exposure apparatus and method therefor
WO2022065048A1 (en) * 2020-09-24 2022-03-31 株式会社ニコン Pattern formation method, electronic device production method, and pattern exposure device

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