JP5306020B2 - Proximity exposure apparatus, substrate moving method of proximity exposure apparatus, and display panel substrate manufacturing method - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 236
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 62
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、プロキシミティ方式を用いて基板の露光を行うプロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板移動方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に係り、特に、基板をXY方向へステップ移動させて、基板の一面を複数のショットに分けて露光するプロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板移動方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。
The present invention relates to a proximity exposure apparatus that exposes a substrate using a proximity method in manufacturing a display panel substrate such as a liquid crystal display device, a substrate moving method of the proximity exposure apparatus, and a display panel using the same. BACKGROUND OF THE
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のTFT(Thin Film Transistor)基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機EL(Electroluminescence)表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙(プロキシミティギャップ)を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがある。プロキシミティ方式は、プロジェクション方式に比べてパターン解像性能は劣るが、照射光学系の構成が簡単で、かつ処理能力が高く量産用に適している。 Manufacturing of TFT (Thin Film Transistor) substrates, color filter substrates, plasma display panel substrates, organic EL (Electroluminescence) display panel substrates, and the like of liquid crystal display devices used as display panels is performed using photolithography using an exposure apparatus. This is performed by forming a pattern on the substrate by a technique. As an exposure apparatus, a projection method in which a mask pattern is projected onto a substrate using a lens or a mirror, and a minute gap (proximity gap) is provided between the mask and the substrate to transfer the mask pattern to the substrate. There is a proximity method. The proximity method is inferior in pattern resolution performance to the projection method, but the configuration of the irradiation optical system is simple, the processing capability is high, and it is suitable for mass production.
近年、表示用パネルの各種基板の製造では、大型化及びサイズの多様化に対応するため、比較的大きな基板を用意し、表示用パネルのサイズに応じて、1枚の基板から1枚又は複数枚の表示用パネル基板を製造している。この場合、プロキシミティ方式では、基板の一面を一括して露光しようとすると、基板と同じ大きさのマスクが必要となり、高価なマスクのコストがさらに増大する。そこで、基板より比較的小さなマスクを用い、基板をXY方向へステップ移動させて、基板の一面を複数のショットに分けて露光する方式が主流となっている。 In recent years, in the manufacture of various substrates for display panels, a relatively large substrate is prepared in order to cope with an increase in size and a variety of sizes, and one or a plurality of substrates can be selected from one substrate depending on the size of the display panel. Manufactures display panel substrates. In this case, in the proximity method, if one surface of the substrate is to be exposed at once, a mask having the same size as the substrate is required, and the cost of the expensive mask is further increased. In view of this, the mainstream method is to use a mask that is relatively smaller than the substrate, move the substrate stepwise in the XY directions, and divide and expose one surface of the substrate into a plurality of shots.
プロキシミティ方式では、マスクと基板とを数百μm程度のプロキシミティギャップまで接近させて露光を行う。マスクと基板とのギャップ合わせは、マスクを保持するマスクホルダ又は基板を支持するチャックをZ方向へ移動及びチルトすることにより行われる。基板をXY方向へステップ移動させて、基板の一面を複数のショットに分けて露光する場合、基板のステップ移動は、マスクと基板との接触を防止するため、マスクと基板とのギャップを広げて行われる。基板のステップ移動後、マスクと基板とのギャップ合わせ及び基板のアライメントを行った後に、ショットが行われる。各ショットは、露光光を遮断するシャッターを開閉して行われる。なお、基板の一面を複数のショットに分けて露光するプロキシミティ露光装置として、特許文献1及び特許文献2に記載のものがある。
In the proximity method, exposure is performed by bringing a mask and a substrate close to a proximity gap of about several hundred μm. The gap between the mask and the substrate is adjusted by moving and tilting a mask holder that holds the mask or a chuck that supports the substrate in the Z direction. When stepping the substrate in the XY direction and exposing one side of the substrate in multiple shots, the step movement of the substrate widens the gap between the mask and the substrate to prevent contact between the mask and the substrate. Done. After step movement of the substrate, a shot is performed after gap alignment between the mask and the substrate and alignment of the substrate are performed. Each shot is performed by opening and closing a shutter that blocks exposure light. As a proximity exposure apparatus that divides and exposes one surface of a substrate into a plurality of shots, there are those described in
プロキシミティ方式で基板の一面を複数のショットに分けて露光する場合、基板のステップ移動、マスクと基板とのギャップ合わせ、基板のアライメント及びショットが繰り返され、これらに要する時間が全てタクトタイムに加算される。基板のステップ移動前には、マスクと基板とのギャップを広げる動作がさらに必要である。 When exposing one side of a substrate in multiple shots using the proximity method, step movement of the substrate, gap alignment between the mask and the substrate, alignment of the substrate and shot are repeated, and all of these times are added to the tact time. Is done. Before the step movement of the substrate, it is necessary to further increase the gap between the mask and the substrate.
タクトタイムを短縮するためには、1つの動作が終了した後、次の動作をできるだけ早く開始しなければならない。従来、1つのショットが終了した後、次の動作へ移行するタイミングは、シャッターが閉じる動作を終了した時点か、あるいはシャッターが閉じる動作中に露光光の照度がしきい値になった時点としていた。これは、しきい値を超える露光光が照射された状態で基板をステップ移動すると、パターンの焼付けがぶれて、露光品質が低下するからである。しかしながら、基板のステップ移動前には、マスクと基板とのギャップを広げる動作が必要であり、この動作に要する時間が、基板のステップ移動の開始を遅らせる要因となっていた。 In order to shorten the tact time, after one operation is completed, the next operation must be started as soon as possible. Conventionally, the timing of shifting to the next operation after the end of one shot is the time when the shutter closing operation ends or the time when the illuminance of exposure light becomes a threshold value during the shutter closing operation. . This is because if the substrate is stepped while being exposed to exposure light that exceeds the threshold value, pattern printing will be blurred and the exposure quality will deteriorate. However, before the step movement of the substrate, an operation to widen the gap between the mask and the substrate is necessary, and the time required for this operation is a factor that delays the start of the step movement of the substrate.
本発明の課題は、露光品質を低下させることなく、基板のステップ移動を早期に開始して、タクトタイムを短縮することである。また、本発明の課題は、パターンの焼付けを短い間隔で精度良く行い、高いスループットで高品質な基板を製造することである。 An object of the present invention is to start the step movement of the substrate at an early stage without reducing the exposure quality and to shorten the tact time. It is another object of the present invention to manufacture a high-quality substrate with high throughput by accurately performing pattern printing at short intervals.
本発明のプロキシミティ露光装置は、基板を支持するチャックと、マスクを保持するマスクホルダと、チャックを移動するステージとを備え、ステージによりチャックを移動して基板のXY方向へのステップ移動を行い、基板の一面を複数のショットに分けて露光するプロキシミティ露光装置において、露光光を遮断するシャッターと、シャッターを開閉するシャッター駆動装置と、露光光の照度を測定する照度センサーと、ステージを駆動するステージ駆動回路と、マスクホルダとチャックとを相対的にZ方向へ移動及びチルトするZ−チルト機構と、Z−チルト機構を駆動するZ−チルト機構駆動回路と、シャッター駆動装置、ステージ駆動回路、及びZ−チルト機構駆動回路を制御する制御装置とを備え、制御装置が、シャッター駆動装置へシャッターを閉じる様に指令してから所定時間が経過した後、シャッターが閉じ終わる前に、Z−チルト機構駆動回路によりZ−チルト機構を駆動して、マスクと基板とのギャップを広げる動作を開始し、マスクと基板とのギャップを広げる動作が終了して、照度センサーにより測定した露光光の照度がしきい値以下になったら、ステージ駆動回路によりステージを駆動して、基板のXY方向へのステップ移動を行うものである。 The proximity exposure apparatus of the present invention includes a chuck that supports a substrate, a mask holder that holds a mask, and a stage that moves the chuck, and moves the chuck by the stage to perform step movement of the substrate in the XY directions. In a proximity exposure system that divides and exposes one side of a substrate into multiple shots, a shutter that blocks exposure light, a shutter drive that opens and closes the shutter, an illuminance sensor that measures the illuminance of the exposure light, and a stage drive Stage driving circuit, Z-tilt mechanism for moving and tilting the mask holder and chuck relatively in the Z direction, Z-tilt mechanism driving circuit for driving the Z-tilt mechanism, shutter driving device, stage driving circuit And a control device for controlling the Z-tilt mechanism driving circuit, and the control device drives the shutter. The Z-tilt mechanism is driven by the Z-tilt mechanism drive circuit and the gap between the mask and the substrate is widened after a predetermined time has elapsed since the command to close the shutter to the device and before the shutter has been closed. After the operation to widen the gap between the mask and the substrate is completed and the illuminance of the exposure light measured by the illuminance sensor falls below the threshold value, the stage is driven by the stage drive circuit, and the XY direction of the substrate Step movement is performed.
また、本発明のプロキシミティ露光装置の基板移動方法は、基板を支持するチャックと、マスクを保持するマスクホルダと、チャックを移動するステージとを備え、ステージによりチャックを移動して基板のXY方向へのステップ移動を行い、基板の一面を複数のショットに分けて露光するプロキシミティ露光装置の基板移動方法であって、露光光を遮断するシャッターと、シャッターを開閉するシャッター駆動装置と、露光光の照度を測定する照度センサーと、マスクホルダとチャックとを相対的にZ方向へ移動及びチルトするZ−チルト機構とを設け、シャッター駆動装置へシャッターを閉じる様に指令してから所定時間が経過した後、シャッターが閉じ終わる前に、Z−チルト機構によりマスクと基板とのギャップを広げる動作を開始し、マスクと基板とのギャップを広げる動作が終了して、照度センサーにより測定した露光光の照度がしきい値以下になったら、基板のXY方向へのステップ移動を行うものである。 In addition, the substrate exposure method of the proximity exposure apparatus of the present invention includes a chuck that supports the substrate, a mask holder that holds the mask, and a stage that moves the chuck. Is a substrate moving method of a proximity exposure apparatus that performs exposure by dividing a surface of a substrate into a plurality of shots, a shutter that blocks exposure light, a shutter drive that opens and closes the shutter, and exposure light An illuminance sensor that measures the illuminance of the sensor and a Z-tilt mechanism that moves and tilts the mask holder and chuck relatively in the Z direction, and a predetermined time has elapsed since the shutter drive device was instructed to close the shutter. After that, before the shutter finishes closing, the Z-tilt mechanism starts to widen the gap between the mask and the substrate. , The operation to widen the gap between the mask and the substrate is completed, the illuminance of the exposure light as measured by the illuminance sensor After falls below the threshold value, and performs step movement in the XY direction of the substrate.
シャッター駆動装置へシャッターを閉じる様に指令してから所定時間が経過した後、シャッターが閉じ終わる前に、Z−チルト機構によりマスクと基板とのギャップを広げる動作を開始する。シャッター駆動装置へシャッターを閉じる様に指令しても、シャッターが閉じ終わるまでは、露光光が基板へ照射されているが、その間にマスク又は基板を縦方向へ移動しても、基板を横方向へ移動する場合と違って、パターンの焼付けぶれはほとんど発生しない。そして、マスクと基板とのギャップを広げる動作が終了して、照度センサーにより測定した露光光の照度がしきい値以下になったら、基板のXY方向へのステップ移動を行うので、露光品質を低下させることなく、基板のステップ移動が早期に開始され、タクトタイムが短縮される。 After a predetermined time has elapsed since the shutter driving device was instructed to close the shutter, the Z-tilt mechanism starts to widen the gap between the mask and the substrate before the shutter is closed. Even if the shutter drive device is instructed to close the shutter, the exposure light is irradiated to the substrate until the shutter is closed. However, even if the mask or substrate is moved in the vertical direction, the substrate is moved in the horizontal direction. Unlike when moving to, pattern burn-in blurring hardly occurs. When the operation to widen the gap between the mask and the substrate is completed, and the illuminance of the exposure light measured by the illuminance sensor falls below the threshold value, the substrate is moved stepwise in the XY direction, so that the exposure quality is lowered. Without this, the step movement of the substrate is started early, and the tact time is shortened.
さらに、本発明のプロキシミティ露光装置は、制御装置が、照度センサーにより測定した露光光の照度の変化に応じて、マスクと基板とのギャップを広げる動作が終了した時点で、露光光の照度がしきい値以下になる様に、所定時間を設定するものである。また、本発明のプロキシミティ露光装置の基板移動方法は、照度センサーにより測定した露光光の照度の変化に応じて、マスクと基板とのギャップを広げる動作が終了した時点で、露光光の照度がしきい値以下になる様に、所定時間を決定するものである。同じ様に基板のXY方向へのステップ移動を露光光の照度がしきい値になった時点で開始する場合でも、マスクと基板とのギャップを広げる動作が終了してから、露光光の照度がしきい値になるまでに時間が有る場合に比べて、所定時間を長く取ることができる。従って、シャッターを閉じる動作が進行して露光光の照度が小さくなってから、マスクと基板とのギャップを広げる動作が開始され、パターンの焼付けぶれが発生する恐れがさらに小さくなる。 Furthermore, in the proximity exposure apparatus of the present invention, when the control device finishes the operation of widening the gap between the mask and the substrate according to the change in the illuminance of the exposure light measured by the illuminance sensor, the illuminance of the exposure light is increased. The predetermined time is set so as to be below the threshold value. In addition, according to the method of moving the substrate of the proximity exposure apparatus of the present invention, when the operation of widening the gap between the mask and the substrate is completed according to the change in the illuminance of the exposure light measured by the illuminance sensor, the illuminance of the exposure light is increased. The predetermined time is determined so as to be equal to or less than the threshold value. Similarly, when the step movement of the substrate in the XY direction is started when the illuminance of the exposure light reaches the threshold value, the illuminance of the exposure light is increased after the operation to widen the gap between the mask and the substrate is completed. The predetermined time can be set longer than when there is time before the threshold value is reached. Therefore, after the operation of closing the shutter proceeds and the illuminance of the exposure light is reduced, the operation of widening the gap between the mask and the substrate is started, and the risk of pattern printing blurring is further reduced.
本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかのプロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行い、あるいは、上記のいずれかのプロキシミティ露光装置の基板移動方法を用いて基板を移動し、基板の露光を行うものである。露光品質を低下させることなく、基板のステップ移動が早期に開始されるので、パターンの焼付けが短い間隔で精度良く行われ、高いスループットで高品質な基板が製造される。 The method for producing a display panel substrate according to the present invention exposes a substrate using any one of the above-described proximity exposure apparatuses, or removes the substrate using any one of the above-described proximity exposure apparatuses. It moves to expose the substrate. Since the step movement of the substrate is started at an early stage without deteriorating the exposure quality, pattern printing is accurately performed at short intervals, and a high-quality substrate is manufactured with high throughput.
本発明のプロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置の基板移動方法によれば、シャッター駆動装置へシャッターを閉じる様に指令してから所定時間が経過した後、シャッターが閉じ終わる前に、Z−チルト機構によりマスクと基板とのギャップを広げる動作を開始し、マスクと基板とのギャップを広げる動作が終了して、照度センサーにより測定した露光光の照度がしきい値以下になったら、基板のXY方向へのステップ移動を行うことにより、露光品質を低下させることなく、基板のステップ移動を早期に開始して、タクトタイムを短縮することができる。 According to the proximity exposure apparatus and the substrate moving method of the proximity exposure apparatus of the present invention, the Z-tilt is performed after a predetermined time elapses after the shutter driving apparatus is instructed to close the shutter and before the shutter finishes closing. When the operation to widen the gap between the mask and the substrate is started by the mechanism, and the operation to widen the gap between the mask and the substrate is completed, and the illuminance of the exposure light measured by the illuminance sensor becomes below the threshold value, the XY of the substrate By performing the step movement in the direction, the step movement of the substrate can be started at an early stage and the tact time can be shortened without deteriorating the exposure quality.
さらに、本発明のプロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置の基板移動方法によれば、照度センサーにより測定した露光光の照度の変化に応じて、マスクと基板とのギャップを広げる動作が終了した時点で、露光光の照度がしきい値以下になる様に、所定時間を決定することにより、パターンの焼付けぶれが発生する恐れをさらに小さくすることができる。 Furthermore, according to the proximity exposure apparatus and the substrate moving method of the proximity exposure apparatus of the present invention, when the operation of widening the gap between the mask and the substrate is completed according to the change in the illuminance of the exposure light measured by the illuminance sensor. Thus, by determining the predetermined time so that the illuminance of the exposure light is less than or equal to the threshold value, the risk of pattern burn-in blurring can be further reduced.
本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、露光品質を低下させることなく、基板のステップ移動を早期に開始することができるので、パターンの焼付けを短い間隔で精度良く行い、高いスループットで高品質な基板を製造することができる。 According to the method for manufacturing a display panel substrate of the present invention, the step movement of the substrate can be started at an early stage without deteriorating the exposure quality. A high-quality substrate can be manufactured.
図1は、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の概略構成を示す図である。プロキシミティ露光装置は、ベース3、Xガイド4、Xステージ5、Yガイド6、Yステージ7、θステージ8、チャック支持台9、チャック10、マスクホルダ20、ホルダフレーム21、トップフレーム22、エアクッション23、Z−チルト機構30、ギャップセンサー40、主制御装置50、Xステージ駆動回路61、Yステージ駆動回路62、θステージ駆動回路63、Z−チルト機構駆動回路64、及び露光光照射装置70を含んで構成されている。プロキシミティ露光装置は、これらの他に、基板1をチャック10へ搬入し、また基板1をチャック10から搬出する基板搬送ロボット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a proximity exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. The proximity exposure apparatus includes a
なお、以下に説明する実施の形態におけるXY方向は例示であって、X方向とY方向とを入れ替えてもよい。 Note that the XY directions in the embodiments described below are examples, and the X direction and the Y direction may be interchanged.
図1において、チャック10は、基板1の露光を行う露光位置にある。露光位置の上空には、トップフレーム22が設置されている。トップフレーム22には、エアクッション23を介して、ホルダフレーム21が取り付けられている。ホルダフレーム21には、マスク2を保持するマスクホルダ20が取り付けられている。図2は、マスクホルダの上面図である。図2において、マスクホルダ20には、露光光が通過する開口20aが設けられており、開口20aの下方には、マスク2が装着されている。マスクホルダ20の下面の開口20aの周囲には、吸着溝が設けられており、マスクホルダ20は、吸着溝により、マスク2の周辺部を真空吸着して保持している。図1において、マスクホルダ20に保持されたマスク2の上空には、後述する露光光照射装置70が配置されている。露光時、露光光照射装置70からの露光光がマスク2を透過して基板1へ照射されることにより、マスク2のパターンが基板1の表面に転写され、基板1上にパターンが形成される。
In FIG. 1, the
図3は、チャックをロード/アンロード位置へ移動した状態を示す図である。ロード/アンロード位置において、図示しない基板搬送ロボットにより、基板1がチャック10へ搬入され、また基板1がチャック10から搬出される。チャック10への基板1のロード及びチャック10からの基板1のアンロードは、チャック10に設けた複数の突き上げピンを用いて行われる。突き上げピンは、チャック10の内部に収納されており、チャック10の内部から上昇して、基板1をチャック10にロードする際、基板搬送ロボットから基板1を受け取り、基板1をチャック10からアンロードする際、基板搬送ロボットへ基板1を受け渡す。
FIG. 3 is a diagram illustrating a state in which the chuck is moved to the load / unload position. At the load / unload position, the
図1及び図3において、チャック10は、チャック支持台9を介してθステージ8に搭載されており、θステージ8の下にはYステージ7及びXステージ5が設けられている。Xステージ5は、ベース3に設けられたXガイド4に搭載され、Xガイド4に沿ってX方向(図1及び図3の図面横方向)へ移動する。Yステージ7は、Xステージ5に設けられたYガイド6に搭載され、Yガイド6に沿ってY方向(図1及び図3の図面奥行き方向)へ移動する。θステージ8は、Yステージ7に搭載され、θ方向へ回転する。チャック支持台9は、θステージ8に搭載され、チャック10を複数箇所で支持する。
1 and 3, the
Xステージ5のX方向への移動及びYステージ7のY方向への移動により、チャック10は、ロード/アンロード位置と露光位置との間を移動される。ロード/アンロード位置において、Xステージ5のX方向への移動、Yステージ7のY方向への移動、及びθステージ8のθ方向への回転により、チャック10に搭載された基板1のプリアライメントが行われる。露光位置において、Xステージ5のX方向への移動及びYステージ7のY方向への移動により、チャック10に搭載された基板1のXY方向へのステップ移動が行われる。そして、Xステージ5のX方向への移動、Yステージ7のY方向への移動、及びθステージ8のθ方向への回転により、基板1のアライメントが行われる。また、マスクホルダ20の側面に設けたZ−チルト機構30により、マスクホルダ20をZ方向(図1の図面上下方向)へ移動及びチルトすることによって、マスク2と基板1とのギャップ合わせが行われる。
The
図1において、Xステージ駆動回路61は、主制御装置50の制御により、Xステージ5を駆動する。Yステージ駆動回路62は、主制御装置50の制御により、Yステージ7を駆動する。θステージ駆動回路63は、主制御装置50の制御により、θステージ8を駆動する。Z−チルト機構駆動回路64は、主制御装置50の制御により、各Z−チルト機構30を駆動し、各Z−チルト機構30の移動が終了したとき、移動が終了した旨の終了信号を、主制御装置50へ出力する。
In FIG. 1, the X
図4(a)はZ−チルト機構の正面図、図4(b)はZ−チルト機構の側面図である。Z−チルト機構30は、ケーシング31、直動ガイド32、可動ブロック33、モータ34、軸継手35、ボールねじ36a、ナット36b、及びボール37を含んで構成されている。図4(b)に示す様に、ケーシング31は、トップフレーム22の側面に取り付けられている。図4(a)に示す様に、ケーシング31の内部には、直動ガイド32が設けられており、直動ガイド32には、可動ブロック33が搭載されている。ケーシング31の上方には、モータ34が設置されており、モータ34の回転軸には、軸継手35を介して、ボールねじ36aが接続されている。可動ブロック33には、ボールねじ36aにより移動されるナット36bが取り付けられており、可動ブロック33は、モータ34の回転により、直動ガイド32に沿って上下に移動する。
4A is a front view of the Z-tilt mechanism, and FIG. 4B is a side view of the Z-tilt mechanism. The Z-
図4(b)に示す様に、ホルダフレーム21の下面には、チルト用腕24が設けられている。可動ブロック33の下面には、ボール37が取り付けられており、ボール37は、可動ブロック33によりチルト用腕24に押し付けられている。図2において、Z−チルト機構30は、ホルダフレーム21の側面近くの三箇所に設置されている。3つのZ−チルト機構30は、可動ブロック33を上下に移動して、チルト用腕24を押すボール37の高さをそれぞれ変更することにより、エアクッション23により支持されているホルダフレーム21の高さを三箇所で変更して、マスクホルダ20をZ方向へ移動及びチルトする。
As shown in FIG. 4B, a
なお、本実施の形態では、Z−チルト機構30によりマスクホルダ20をZ方向へ移動及びチルトすることによって、マスク2と基板1とのギャップ合わせを行っているが、チャック支持台9にZ−チルト機構を設けて、チャック10をZ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク2と基板1とのギャップ合わせを行ってもよい。
In the present embodiment, the gap between the
図2において、マスクホルダ20に保持されたマスク2の上方には、4つのギャップセンサー40が設けられている。マスク2と基板1とのギャップ合わせを行う際、各ギャップセンサー40は、図示しない移動機構により、マスクホルダ20の開口20aの四隅の上方へ移動され、マスク2と基板1とのギャップを、マスク2の四隅で測定する。マスク2と基板1とのギャップ合わせが終了した後、各ギャップセンサー40は、図示しない移動機構により、マスクホルダ20の開口20aの外側へ移動される。
In FIG. 2, four
図5は、ギャップセンサーの概略構成を示す図である。ギャップセンサー40は、レーザー光源41、コリメーションレンズ群42、投影レンズ43、ミラー44,45、結像レンズ46、及びCCDラインセンサー47を含んで構成されている。レーザー光源41から発生されたレーザー光は、コリメーションレンズ群42及び投影レンズ43を通り、ミラー44からマスク2へ斜めに照射される。マスク2へ照射されたレーザー光は、その一部がマスク2の上面で反射され、一部がマスク2の内部へ透過する。マスク2の内部へ透過したレーザー光は、その一部がマスク2の下面で反射され、一部がマスク2の下面から基板1の表面へ照射される。基板1の表面へ照射されたレーザー光は、その一部が基板1の表面で反射され、一部が基板1の内部へ透過する。マスク2の下面で反射されたレーザー光及び基板1の表面で反射されたレーザー光は、マスクの上面から射出された後、ミラー45で反射され、結像レンズ46を通って、CCDラインセンサー47の受光面に結像する。CCDラインセンサー47は、受光面で受光した光の強度に応じた検出信号を出力する。CCDラインセンサー47のマスク2の下面で反射されたレーザー光の検出信号の位置と、基板1の表面で反射されたレーザー光の検出信号の位置とから、マスク2と基板1とのギャップGが測定される。
FIG. 5 is a diagram illustrating a schematic configuration of the gap sensor. The
図1において、マスクホルダ20の上空には、露光光照射装置70が設けられている。露光光照射装置70は、ランプ71、集光鏡72、第1平面鏡73、レンズ74、シャッター75、コリメーションレンズ76、第2平面鏡77、電源78、照度センサー79、及びシャッター駆動装置80を含んで構成されている。ランプ71には、水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ等の様に、高圧ガスをバルブ内に封入したランプが使用されている。ランプ71は、電源78から電圧が印加されると点灯して、露光光を発生する。なお、本実施の形態では、露光光を発生する光源に1つのランプ71が用いられているが、ランプの数はこれに限らず、2つ以上のランプを用いてもよい。また、ランプの代わりに、発光ダイオードやレーザーダイオード等の半導体発光素子を用いてもよい。
In FIG. 1, an exposure
ランプ71の周囲には、ランプ71から発生した光を集光する集光鏡72が設けられている。ランプ71から発生した光は、集光鏡72により集光され、第1平面鏡73へ照射される。第1平面鏡73で反射した光は、フライアイレンズ又はロットレンズ等からなるレンズ74へ入射し、レンズ74を透過して照度分布が均一化される。シャッター駆動装置80は、主制御装置50の制御により、基板1の露光を行う時、シャッター75を開き、基板1の露光を行わない時、シャッター75を閉じる。シャッター75が開いているとき、レンズ74を透過した光は、コリメーションレンズ76を透過して平行光線束となり、第2平面鏡77で反射して、マスク2へ照射される。マスク2へ照射された露光光により、マスク2のパターンが基板1へ転写され、基板1の露光が行われる。シャッター75が閉じているとき、レンズ74を透過した光は、シャッター75に遮断され、基板1の露光は行われない。
A condensing
主制御装置50は、シャッター75の開閉を指令するシャッター駆動信号を、シャッター駆動装置80へ出力する。シャッター駆動装置80は、シャッター駆動信号によりシャッター75を開く動作又はシャッター75を閉じる動作を開始し、各動作が終了したとき、各動作が終了した旨の終了信号を、主制御装置50へ出力する。
The
第2平面鏡77の裏側近傍には、照度センサー79が配置されている。第2平面鏡77には、露光光の一部を通過させる小さな開口が設けられている。照度センサー79は、第2平面鏡77の開口を通過した光を受光して、露光光の照度を測定する。照度センサー79の測定結果は、主制御装置50へ入力される。
An
以下、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の基板移動方法について説明する。本実施の形態のプロキシミティ露光装置は、露光位置において、基板1をXY方向へステップ移動させて、基板1の一面を複数のショットに分けて露光する。図6は、ショットの領域の一例を示す図である。図6は、基板1の一面を6つのショットに分けて露光する例を示している。1回目のショットで基板1の領域1aが露光され、2回目のショットで基板1の領域1bが露光され、3回目のショットで基板1の領域1cが露光され、4回目のショットで基板1の領域1dが露光され、5回目のショットで基板1の領域1eが露光され、6回目のショットで基板1の領域1fが露光される。
Hereinafter, a substrate moving method of a proximity exposure apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. The proximity exposure apparatus according to the present embodiment performs exposure by dividing the surface of the
図7は、露光処理の動作を示すフローチャートである。まず、ロード/アンロード位置において、チャック10への基板1のロードが行われる(ステップ301)。主制御装置50は、Xステージ駆動回路61によりXステージ5を駆動し、Yステージ駆動回路62によりYステージ7を駆動し、θステージ駆動回路63によりθステージ8を駆動して、ロード/アンロード位置においてチャック10をXY方向へ移動及びθ方向へ回転させ、基板1のプリアライメントを行う(ステップ302)。次に、主制御装置50は、Xステージ駆動回路61によりXステージ5を駆動し、Yステージ駆動回路62によりYステージ7を駆動して、チャック10を露光位置へ移動させ、基板1を露光位置の1回目のショットを行う位置へ移動させる(ステップ303)。
FIG. 7 is a flowchart showing the operation of the exposure process. First, the
続いて、主制御装置50は、4つのギャップセンサー40の測定結果に基づき、Z−チルト機構駆動回路64により各Z−チルト機構30を駆動して、マスク2と基板1とのギャップ合わせを行う(ステップ304)。次に、主制御装置50は、Xステージ駆動回路61によりXステージ5を駆動し、Yステージ駆動回路62によりYステージ7を駆動し、θステージ駆動回路63によりθステージ8を駆動して、露光位置においてチャック10をXY方向へ移動及びθ方向へ回転させ、基板1のアライメントを行う(ステップ305)。
Subsequently, the
マスク2と基板1とのギャップ合わせが終了して、ショット(ステップ306)を行った後、主制御装置50は、全ショットが終了したか否かを判断する(ステップ307)。全ショットが終了していない場合、主制御装置50は、Z−チルト機構駆動回路64により各Z−チルト機構30を駆動して、マスク2と基板1とのギャップを広げた後、Xステージ駆動回路61によりXステージ5を駆動し、Yステージ駆動回路62によりYステージ7を駆動して、基板1のXY方向へのステップ移動を行い(ステップ308)、基板1を次のショットを行う位置へ移動させる。そして、ステップ304へ戻り、全ショットが終了するまで、ステップ304〜308を繰り返す。
After completing the gap alignment between the
全ショットが終了した場合、主制御装置50は、Z−チルト機構駆動回路64により各Z−チルト機構30を駆動して、マスク2と基板1とのギャップを広げた後、Xステージ駆動回路61によりXステージ5を駆動し、Yステージ駆動回路62によりYステージ7を駆動して、チャック10をロード/アンロード位置へ移動させる(ステップ309)。そして、ロード/アンロード位置において、チャック10からの基板1のアンロードが行われる(ステップ310)。
When all shots are completed, the
図8は、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の基板移動方法を示すフローチャートである。図7のステップ306において、主制御装置50は、各ショットの露光時間が経過すると、シャッター駆動信号により、シャッター駆動装置80へシャッター75を閉じる様に指令し、これによりシャッター75を閉じる動作が開始される(ステップ401)。図7のステップ308において、主制御装置50は、シャッター75を閉じる様に指令してから所定時間が経過したか否かを判断する(ステップ402)。所定時間が経過していない場合、主制御装置50は、照度センサー79により測定した露光光の照度がしきい値以下であるか否かを判断する(ステップ403)。露光光の照度がしきい値以下でない場合、主制御装置50は、シャッター駆動装置80からの終了信号の有無により、シャッター75を閉じる動作が終了したか否かを判断する(ステップ404)。所定時間が経過し、または露光光の照度がしきい値以下になり、またはシャッター75を閉じる動作が終了するまで、ステップ402〜404を繰り返す。
FIG. 8 is a flowchart showing a substrate moving method of the proximity exposure apparatus according to the embodiment of the present invention. In
所定時間が経過し、または露光光の照度がしきい値以下になり、またはシャッター75を閉じる動作が終了した場合、主制御装置50は、Z−チルト機構駆動回路64により各Z−チルト機構30を駆動して、マスク2と基板1とのギャップを広げるための各Z−チルト機構30の移動を開始する(ステップ405)。そして、主制御装置50は、Z−チルト機構駆動回路64からの終了信号の有無により、各Z−チルト機構30の移動が終了したか否かを判断し(ステップ406)、終了していない場合はこれを繰り返す。
When the predetermined time has elapsed, or the illuminance of the exposure light falls below the threshold value, or the operation of closing the
各Z−チルト機構30の移動が終了した場合、主制御装置50は、照度センサー79により測定した露光光の照度がしきい値以下であるか否かを判断する(ステップ407)。露光光の照度がしきい値以下でない場合、主制御装置50は、シャッター駆動装置80からの終了信号の有無により、シャッター75を閉じる動作が終了したか否かを判断する(ステップ408)。露光光の照度がしきい値以下になり、またはシャッター75を閉じる動作が終了するまで、ステップ407〜408を繰り返す。
When the movement of each Z-
露光光の照度がしきい値以下になり、またはシャッター75を閉じる動作が終了した場合、主制御装置50は、Xステージ駆動回路61によりXステージ5を駆動し、Yステージ駆動回路62によりYステージ7を駆動して、基板1のXY方向へのステップ移動を行うためのXステージ5及びYステージ7の移動を行う(ステップ409)。
When the illuminance of the exposure light falls below the threshold value or the operation of closing the
図9は、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の基板移動方法のタイムチャートである。図9(a)は主制御装置50のシャッター駆動信号、図9(b)は照度センサー79により測定した露光光の照度、図9(c)はZ−チルト機構30の動作、図9(d)はXステージ5及びYステージ7の動作を示す。図9(a),(b)に示す様に、シャッター駆動信号によりシャッター75の開閉を指令するタイミングと、実際にシャッター75が露光光の光路上を移動して露光光の照度が変化するタイミングには、ずれがある。本実施の形態では、図9(a),(c)に示す様に、シャッター駆動信号によりシャッター75を閉じる様に指令してから所定時間T1が経過した後、シャッター75が閉じ終わる前に、マスク2と基板1とのギャップを広げるためのZ−チルト機構30の移動が開始される。そして、Z−チルト機構30の移動が終了してから、図9(b),(d)に示す様に、照度センサー79により測定した露光光の照度がしきい値になった時点で、基板1のXY方向へのステップ移動を行うためのXステージ5及びYステージ7の移動が開始される。
FIG. 9 is a time chart of the substrate moving method of the proximity exposure apparatus according to the embodiment of the present invention. 9A shows the shutter drive signal of the
シャッター駆動装置80へシャッター75を閉じる様に指令しても、シャッター75が閉じ終わるまでは、露光光が基板1へ照射されているが、その間にマスク2又は基板1を縦方向へ移動しても、基板1を横方向へ移動する場合と違って、パターンの焼付けぶれはほとんど発生しない。そして、マスク2と基板1とのギャップを広げる動作が終了して、照度センサー79により測定した露光光の照度がしきい値以下になったら、基板1のXY方向へのステップ移動を行うので、露光品質を低下させることなく、基板1のステップ移動が早期に開始され、タクトタイムが短縮される。
Even if the
図10は、本発明の他の実施の形態によるプロキシミティ露光装置の基板移動方法のタイムチャートである。図10(a)は主制御装置50のシャッター駆動信号、図10(b)は照度センサー79により測定した露光光の照度、図10(c)はZ−チルト機構30の動作、図10(d)はXステージ5及びYステージ7の動作を示す。本実施の形態では、図10(a),(c)に示す様に、シャッター駆動信号によりシャッター75を閉じる様に指令してから所定時間T2が経過した後、シャッター75が閉じ終わる前に、マスク2と基板1とのギャップを広げるためのZ−チルト機構30の移動が開始される。主制御装置50は、照度センサー79により測定した露光光の照度の変化に応じて、マスク2と基板1とのギャップを広げるためのZ−チルト機構30の移動が終了した時点で、露光光の照度がしきい値以下になる様に、所定時間T2を設定する。従って、図10(c),(d)に示す様に、マスク2と基板1とのギャップを広げるためのZ−チルト機構30の移動が終了した時点で、基板1のXY方向へのステップ移動を行うためのXステージ5及びYステージ7の移動が開始される。
FIG. 10 is a time chart of the substrate moving method of the proximity exposure apparatus according to another embodiment of the present invention. 10A shows the shutter drive signal of the
同じ様に基板1のXY方向へのステップ移動を露光光の照度がしきい値になった時点で開始する場合でも、マスク2と基板1とのギャップを広げる動作が終了してから、露光光の照度がしきい値になるまでに時間が有る図9の場合に比べて、所定時間T2を長く取ることができる。従って、図10(b)に示す様にシャッター75を閉じる動作が進行して露光光の照度が小さくなってから、マスク2と基板1とのギャップを広げる動作が開始され、パターンの焼付けぶれが発生する恐れがさらに小さくなる。
Similarly, even when the step movement of the
図13は、従来の基板移動方法のタイムチャートである。図13(a)はシャッター駆動信号、図13(b)は露光光の照度、図13(c)はZ−チルト機構の動作、図13(d)はXステージ及びYステージの動作を示す。従来は、図13(b),(c)に示す様に、露光光の照度がしきい値になった時点で、マスクと基板とのギャップを広げるためのZ−チルト機構の移動が開始される。そして、図13(c),(d)に示す様に、Z−チルト機構の移動が終了した時点で、基板のXY方向へのステップ移動を行うためのXステージ及びYステージの移動が開始される。 FIG. 13 is a time chart of the conventional substrate moving method. 13A shows the shutter drive signal, FIG. 13B shows the illuminance of the exposure light, FIG. 13C shows the operation of the Z-tilt mechanism, and FIG. 13D shows the operations of the X stage and the Y stage. Conventionally, as shown in FIGS. 13B and 13C, when the illuminance of the exposure light reaches a threshold value, the movement of the Z-tilt mechanism for widening the gap between the mask and the substrate is started. The Then, as shown in FIGS. 13C and 13D, when the movement of the Z-tilt mechanism is finished, the movement of the X stage and the Y stage for performing the step movement of the substrate in the XY directions is started. The
図13と図9及び図10とを比べると、図13に示した従来例では、露光光の照度がしきい値以下になった後、マスクと基板とのギャップを広げるためのZ−チルト機構の移動が行われ、その後に、基板のXY方向へのステップ移動が行われるが、図9及び図10に示した実施の形態では、照度センサー79により測定した露光光の照度がしきい値以下になった後、直ちに、基板1のXY方向へのステップが行われる。
13 is compared with FIGS. 9 and 10, in the conventional example shown in FIG. 13, the Z-tilt mechanism for widening the gap between the mask and the substrate after the illuminance of the exposure light falls below the threshold value. Then, the substrate is moved stepwise in the X and Y directions. In the embodiment shown in FIGS. 9 and 10, the illuminance of the exposure light measured by the
以上説明した実施の形態によれば、シャッター駆動装置80へシャッター75を閉じる様に指令してから所定時間が経過した後、シャッター75が閉じ終わる前に、Z−チルト機構30によりマスク2と基板1とのギャップを広げる動作を開始し、マスク2と基板1とのギャップを広げる動作が終了して、照度センサー79により測定した露光光の照度がしきい値以下になったら、基板1のXY方向へのステップ移動を行うことにより、露光品質を低下させることなく、基板1のステップ移動を早期に開始して、タクトタイムを短縮することができる。
According to the embodiment described above, the
さらに、図10に示した実施の形態によれば、照度センサー79により測定した露光光の照度の変化に応じて、マスク2と基板1とのギャップを広げる動作が終了した時点で、露光光の照度がしきい値以下になる様に、所定時間T2を決定することにより、パターンの焼付けぶれが発生する恐れをさらに小さくすることができる。
Furthermore, according to the embodiment shown in FIG. 10, when the operation of widening the gap between the
本発明において、シャッターを閉じる様に指令してからZ−チルト機構によりマスクと基板とのギャップを広げる動作を開始するまでの所定時間は、仮に決定した値で基板のテスト露光を行い、テスト露光で露光した基板の製品評価を行って、最適値を選択する。
In the present invention, the test exposure of the substrate is performed at a predetermined value for a predetermined time from when the shutter is instructed to close until the operation of widening the gap between the mask and the substrate is started by the Z-tilt mechanism. Evaluate the product of the substrate exposed in
本発明のプロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行い、あるいは、本発明のプロキシミティ露光装置の基板移動方法を用いて基板を移動し、基板の露光を行うことにより、露光品質を低下させることなく、基板のステップ移動を早期に開始することができるので、パターンの焼付けを短い間隔で精度良く行い、高いスループットで高品質な基板を製造することができる。 Exposure of the substrate is lowered by performing exposure of the substrate using the proximity exposure apparatus of the present invention, or moving the substrate using the substrate moving method of the proximity exposure apparatus of the present invention to perform exposure of the substrate. Therefore, the step movement of the substrate can be started at an early stage, so that the pattern can be printed with high accuracy at a short interval, and a high-quality substrate can be manufactured with high throughput.
例えば、図11は、液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程(ステップ101)では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長(CVD)法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程(ステップ102)では、ロール塗布法等により感光樹脂材料(フォトレジスト)を塗布して、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程(ステップ103)では、プロキシミティ露光装置や投影露光装置等を用いて、マスクのパターンをフォトレジスト膜に転写する。現像工程(ステップ104)では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程(ステップ105)では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程(ステップ106)では、エッチング工程(ステップ105)でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にTFTアレイが形成される。 For example, FIG. 11 is a flowchart showing an example of the manufacturing process of the TFT substrate of the liquid crystal display device. In the thin film formation step (step 101), a thin film such as a conductor film or an insulator film, which becomes a transparent electrode for driving liquid crystal, is formed on the substrate by sputtering, plasma chemical vapor deposition (CVD), or the like. In the resist coating process (step 102), a photosensitive resin material (photoresist) is applied by a roll coating method or the like to form a photoresist film on the thin film formed in the thin film forming process (step 101). In the exposure step (step 103), the mask pattern is transferred to the photoresist film using a proximity exposure apparatus, a projection exposure apparatus, or the like. In the development step (step 104), a developer is supplied onto the photoresist film by a shower development method or the like to remove unnecessary portions of the photoresist film. In the etching process (step 105), a portion of the thin film formed in the thin film formation process (step 101) that is not masked by the photoresist film is removed by wet etching. In the peeling step (step 106), the photoresist film that has finished the role of the mask in the etching step (step 105) is peeled off with a peeling solution. Before or after each of these steps, a substrate cleaning / drying step is performed as necessary. These steps are repeated several times to form a TFT array on the substrate.
また、図12は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程(ステップ202)では、染色法、顔料分散法、印刷法、電着法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、R、G、Bの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程(ステップ203)では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程(ステップ204)では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。 FIG. 12 is a flowchart showing an example of the manufacturing process of the color filter substrate of the liquid crystal display device. In the black matrix forming step (step 201), a black matrix is formed on the substrate by processing such as resist coating, exposure, development, etching, and peeling. In the colored pattern forming step (step 202), a colored pattern is formed on the substrate by a dyeing method, a pigment dispersion method, a printing method, an electrodeposition method, or the like. This process is repeated for the R, G, and B coloring patterns. In the protective film forming step (step 203), a protective film is formed on the colored pattern, and in the transparent electrode film forming step (step 204), a transparent electrode film is formed on the protective film. Before, during or after each of these steps, a substrate cleaning / drying step is performed as necessary.
図11に示したTFT基板の製造工程では、露光工程(ステップ103)において、図12に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)及び着色パターン形成工程(ステップ202)の露光処理において、本発明のプロキシミティ露光装置又はプロキシミティ露光装置の基板移動方法を適用することができる。 In the TFT substrate manufacturing process shown in FIG. 11, in the exposure process (step 103), in the color filter substrate manufacturing process shown in FIG. 12, in the black matrix forming process (step 201) and the colored pattern forming process (step 202). In this exposure process, the proximity exposure apparatus or the substrate moving method of the proximity exposure apparatus of the present invention can be applied.
1 基板
2 マスク
3 ベース
4 Xガイド
5 Xステージ
6 Yガイド
7 Yステージ
8 θステージ
9 チャック支持台
10 チャック
20 マスクホルダ
21 ホルダフレーム
22 トップフレーム
23 エアクッション
24 チルト用腕
30 Z−チルト機構
31 ケーシング
32 直動ガイド
33 可動ブロック
34 モータ
35 軸継手
36a ボールねじ
36b ナット
37 ボール
40 ギャップセンサー
41 レーザー光源
42 コリメーションレンズ群
43 投影レンズ
44,45 ミラー
46 結像レンズ
47 CCDラインセンサー
50 主制御装置
61 Xステージ駆動回路
62 Yステージ駆動回路
63 θステージ駆動回路
64 Z−チルト機構駆動回路
70 露光光照射装置
71 ランプ
72 集光鏡
73 第1平面鏡
74 レンズ
75 シャッター
76 コリメーションレンズ
77 第2平面鏡
78 電源
79 照度センサー
80 シャッター駆動装置
DESCRIPTION OF
Claims (6)
露光光を遮断するシャッターと、
前記シャッターを開閉するシャッター駆動装置と、
露光光の照度を測定する照度センサーと、
前記ステージを駆動するステージ駆動回路と、
前記マスクホルダと前記チャックとを相対的にZ方向へ移動及びチルトするZ−チルト機構と、
前記Z−チルト機構を駆動するZ−チルト機構駆動回路と、
前記シャッター駆動装置、前記ステージ駆動回路、及び前記Z−チルト機構駆動回路を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、
前記シャッター駆動装置へ前記シャッターを閉じる様に指令してから所定時間が経過した後、前記シャッターが閉じ終わる前に、前記Z−チルト機構駆動回路により前記Z−チルト機構を駆動して、マスクと基板とのギャップを広げる動作を開始し、
マスクと基板とのギャップを広げる動作が終了して、前記照度センサーにより測定した露光光の照度がしきい値以下になったら、前記ステージ駆動回路により前記ステージを駆動して、基板のXY方向へのステップ移動を行うことを特徴とするプロキシミティ露光装置。 A chuck for supporting the substrate, a mask holder for holding the mask, and a stage for moving the chuck are provided. The chuck is moved by the stage to perform step movement of the substrate in the XY directions, and a plurality of surfaces of the substrate are arranged. In proximity exposure equipment that divides and exposes shots,
A shutter that blocks exposure light;
A shutter driving device for opening and closing the shutter;
An illuminance sensor that measures the illuminance of the exposure light;
A stage drive circuit for driving the stage;
A Z-tilt mechanism that relatively moves and tilts the mask holder and the chuck in the Z direction;
A Z-tilt mechanism drive circuit for driving the Z-tilt mechanism;
A control device for controlling the shutter drive device, the stage drive circuit, and the Z-tilt mechanism drive circuit;
The controller is
The Z-tilt mechanism driving circuit drives the Z-tilt mechanism after a predetermined time has elapsed since the shutter driving device was instructed to close the shutter and before the shutter finished closing. Started to widen the gap with the substrate,
When the operation of widening the gap between the mask and the substrate is completed, and the illuminance of the exposure light measured by the illuminance sensor falls below a threshold value, the stage is driven by the stage drive circuit to move in the XY direction of the substrate. Proximity exposure apparatus characterized by performing step movement.
前記照度センサーにより測定した露光光の照度の変化に応じて、マスクと基板とのギャップを広げる動作が終了した時点で、露光光の照度がしきい値以下になる様に、所定時間を設定することを特徴とする請求項1に記載のプロキシミティ露光装置。 The controller is
A predetermined time is set so that the illuminance of the exposure light falls below the threshold value when the operation of widening the gap between the mask and the substrate is completed according to the change in the illuminance of the exposure light measured by the illuminance sensor. The proximity exposure apparatus according to claim 1, wherein:
露光光を遮断するシャッターと、シャッターを開閉するシャッター駆動装置と、露光光の照度を測定する照度センサーと、マスクホルダとチャックとを相対的にZ方向へ移動及びチルトするZ−チルト機構とを設け、
シャッター駆動装置へシャッターを閉じる様に指令してから所定時間が経過した後、シャッターが閉じ終わる前に、Z−チルト機構によりマスクと基板とのギャップを広げる動作を開始し、
マスクと基板とのギャップを広げる動作が終了して、照度センサーにより測定した露光光の照度がしきい値以下になったら、基板のXY方向へのステップ移動を行うことを特徴とするプロキシミティ露光装置の基板移動方法。 A chuck for supporting the substrate, a mask holder for holding the mask, and a stage for moving the chuck are provided. The chuck is moved by the stage to perform step movement of the substrate in the XY directions so that one surface of the substrate is made into a plurality of shots. A method for moving a substrate of a proximity exposure apparatus that performs exposure separately.
A shutter that blocks exposure light, a shutter drive that opens and closes the shutter, an illuminance sensor that measures the illuminance of the exposure light, and a Z-tilt mechanism that relatively moves and tilts the mask holder and chuck in the Z direction. Provided,
After a predetermined time has elapsed after instructing the shutter drive device to close the shutter, before the shutter finishes closing, an operation to widen the gap between the mask and the substrate is started by the Z-tilt mechanism.
Proximity exposure characterized in that when the operation of widening the gap between the mask and the substrate ends and the illuminance of the exposure light measured by the illuminance sensor falls below a threshold value, the substrate is moved stepwise in the XY directions. A method for moving a substrate of an apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009086144A JP5306020B2 (en) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | Proximity exposure apparatus, substrate moving method of proximity exposure apparatus, and display panel substrate manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2010237498A JP2010237498A (en) | 2010-10-21 |
JP5306020B2 true JP5306020B2 (en) | 2013-10-02 |
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ID=43091869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009086144A Expired - Fee Related JP5306020B2 (en) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | Proximity exposure apparatus, substrate moving method of proximity exposure apparatus, and display panel substrate manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5306020B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102736422B (en) * | 2011-03-31 | 2015-07-22 | 上海微电子装备有限公司 | Proximity field exposure device and method |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06260392A (en) * | 1993-03-05 | 1994-09-16 | Hitachi Ltd | Projection aligner |
JP2007164085A (en) * | 2005-11-15 | 2007-06-28 | Nsk Ltd | Proximity exposure method |
JP4932352B2 (en) * | 2005-12-19 | 2012-05-16 | Nskテクノロジー株式会社 | Exposure apparatus and exposure method |
-
2009
- 2009-03-31 JP JP2009086144A patent/JP5306020B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010237498A (en) | 2010-10-21 |
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