JP2007193154A - Exposure device, exposure method and method for producing display panel substrate - Google Patents
Exposure device, exposure method and method for producing display panel substrate Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007193154A JP2007193154A JP2006011943A JP2006011943A JP2007193154A JP 2007193154 A JP2007193154 A JP 2007193154A JP 2006011943 A JP2006011943 A JP 2006011943A JP 2006011943 A JP2006011943 A JP 2006011943A JP 2007193154 A JP2007193154 A JP 2007193154A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- exposure
- gap
- exposure light
- shutters
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、基板の露光を行う露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に係り、特に、輝度の高い光源を用いて露光を行うのに好適な露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus for exposing a substrate, an exposure method, and a method for manufacturing a display panel substrate using the same in the manufacture of a display panel substrate such as a liquid crystal display device. The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a method for manufacturing a display panel substrate using the same.
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のTFT(Thin Film Transistor)基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機EL(Electroluminescence)表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置は、感光樹脂材料(フォトレジスト)を塗布した基板へ、フォトマスク(以下、「マスク」と称す)を介して露光光を照射することにより、マスクのパターンを基板へ転写するものである。 The manufacture of TFT (Thin Film Transistor) substrates, color filter substrates, plasma display panel substrates, organic EL (Electroluminescence) display panel substrates, etc. for liquid crystal display devices used as display panels is performed using an exposure apparatus, photolithography. This is performed by forming a pattern on the substrate by a technique. The exposure apparatus transfers a mask pattern onto a substrate by irradiating a substrate coated with a photosensitive resin material (photoresist) with exposure light via a photomask (hereinafter referred to as “mask”). .
一般に、露光装置の露光光照射装置は、露光光を発生する光源と、光源が発生した露光光を遮断するシャッターとを備え、シャッターの開放時間を調節することにより、露光時間を調節して、露光光の光量を一定に保っている。この様な露光光照射装置のシャッター機構として、例えば、特許文献1に記載のものがある。
露光光の光量は、露光光の照度と露光時間とに比例する。近年、表示用パネルの大画面化に伴い基板が大型化する程、露光光照射装置の光源により輝度の高いものを使用する様になってきた。光源の輝度が高い程、露光光の照度が高くなり、露光時間が短く済んでタクトタイムが短縮され、スループットが向上する。 The amount of exposure light is proportional to the illuminance of the exposure light and the exposure time. In recent years, as the size of a substrate increases with an increase in the screen size of a display panel, a light source having a higher luminance has been used as a light source of an exposure light irradiation apparatus. The higher the brightness of the light source, the higher the illuminance of the exposure light, the shorter the exposure time, the shorter the tact time, and the higher the throughput.
一方、近年、高感度のフォトレジストが実用化されるに伴い、露光に必要な露光光の少量化が進んでいる。露光光の照度が高く、露光に必要な露光光の光量が少ない場合、シャッターの開放時間を短くして、露光時間を短くしなければならない。しかしながら、特許文献1に記載の様に2枚のシャッターを交互に動作させる従来の技術では、シャッターの開放時間を各シャッターの動作時間より短くすることができなかった。 On the other hand, in recent years, as high-sensitivity photoresists are put into practical use, the amount of exposure light necessary for exposure has been reduced. When the illuminance of exposure light is high and the amount of exposure light necessary for exposure is small, the shutter opening time must be shortened to shorten the exposure time. However, in the conventional technique in which two shutters are operated alternately as described in Patent Document 1, the shutter opening time cannot be made shorter than the operation time of each shutter.
このため、従来は、光源のランプの入力電圧を下げて露光光の照度を下げるか、あるいはフィルタを用いて減光を行っていた。ランプの入力電圧を下げる方法は、露光光の照度が安定するのに時間が掛かり、また照度が変更可能な範囲も100〜85%程度であるという制約があった。一方、フィルタによる方法は、フィルタが高価であり、また露光光の照度分布に悪影響を与えて露光むらが発生する恐れがあった。さらに、フィルタを交換しないと、露光光の照度を変更することができないという不都合があった。 For this reason, conventionally, the input voltage of the lamp of the light source is lowered to lower the illuminance of the exposure light, or the light is reduced using a filter. The method of reducing the input voltage of the lamp takes time to stabilize the illuminance of the exposure light, and there is a restriction that the range in which the illuminance can be changed is about 100 to 85%. On the other hand, in the method using a filter, the filter is expensive, and there is a possibility that exposure unevenness occurs due to an adverse effect on the illuminance distribution of exposure light. Furthermore, there is a disadvantage that the illuminance of the exposure light cannot be changed unless the filter is replaced.
本発明の課題は、安価な構成で、露光光の光量を広範囲かつ高精度に制御することである。また、本発明の課題は、特に露光に必要な露光光の光量が少ない場合に、露光光の照度分布に悪影響を与えることなく、露光光の光量を高精度に制御することである。また、本発明の課題は、品質の高い基板を短いタクトタイムで製造することである。 An object of the present invention is to control the amount of exposure light in a wide range and with high accuracy with an inexpensive configuration. Another object of the present invention is to control the amount of exposure light with high accuracy without adversely affecting the illuminance distribution of the exposure light, particularly when the amount of exposure light necessary for exposure is small. Another object of the present invention is to manufacture a high-quality substrate with a short tact time.
本発明の露光装置は、露光光を発生する光源と、光源が発生した露光光を遮断する第1のシャッターと、第1のシャッターを移動する第1のモータと、第1のシャッターと平行に設けられた第2のシャッターと、第2のシャッターを移動する第2のモータと、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間の幅及び両シャッターの移動速度を指示する制御手段と、制御手段の指示に従って、第1のモータ及び第2のモータを駆動し、両モータを同期制御して、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間を所定の幅に保つ駆動手段とを備え、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間を通過した露光光により基板を露光するものである。 An exposure apparatus of the present invention includes a light source that generates exposure light, a first shutter that blocks exposure light generated by the light source, a first motor that moves the first shutter, and a first shutter that is parallel to the first shutter. A second shutter provided, a second motor for moving the second shutter, a control means for instructing the width of the gap between the first shutter and the second shutter and the moving speed of both shutters, and control Driving means for driving the first motor and the second motor in accordance with the instructions of the means, controlling both the motors synchronously, and maintaining the gap between the first shutter and the second shutter at a predetermined width; The substrate is exposed by the exposure light that has passed through the gap between the first shutter and the second shutter.
また、本発明の露光方法は、第1のシャッターと第2のシャッターとを平行に設け、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間の幅及び両シャッターの移動速度を決定し、第1のシャッターを移動する第1のモータと、第2のシャッターを移動する第2のモータとを同期制御して、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間を所定の幅に保ちながら、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間を通過した露光光により基板を露光するものである。 In the exposure method of the present invention, the first shutter and the second shutter are provided in parallel, the width of the gap between the first shutter and the second shutter and the moving speed of both shutters are determined, The first motor that moves the second shutter and the second motor that moves the second shutter are synchronously controlled to maintain the gap between the first shutter and the second shutter at a predetermined width, while The substrate is exposed by exposure light that has passed through the gap between the first shutter and the second shutter.
第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間を所定の幅に保ちながら、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間を通過した露光光により基板を露光するので、露光光の光量は、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間の幅及び両シャッターの移動速度に依存する。第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間の幅を広くし、または両シャッターの移動速度を遅くすると、露光光の光量が多くなる。第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間の幅を狭くし、または両シャッターの移動速度を速くすると、露光光の光量が少なくなる。第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間の幅及び両シャッターの移動速度を調節することにより、露光光の光量が広範囲かつ高精度に制御される。特に露光に必要な露光光の光量が少ない場合に、露光光の照度分布に悪影響を与えることなく、露光光の光量が高精度に制御される。 Since the substrate is exposed by the exposure light that has passed through the gap between the first shutter and the second shutter while keeping the gap between the first shutter and the second shutter at a predetermined width, the amount of exposure light is: It depends on the width of the gap between the first shutter and the second shutter and the moving speed of both shutters. Increasing the width of the gap between the first shutter and the second shutter or slowing the moving speed of both shutters increases the amount of exposure light. If the width of the gap between the first shutter and the second shutter is narrowed or the moving speed of both shutters is increased, the amount of exposure light decreases. By adjusting the width of the gap between the first shutter and the second shutter and the moving speed of both shutters, the amount of exposure light is controlled over a wide range and with high accuracy. In particular, when the amount of exposure light necessary for exposure is small, the amount of exposure light is controlled with high accuracy without adversely affecting the illuminance distribution of the exposure light.
さらに、本発明の露光装置は、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間を通過した露光光の光量を測定する測定手段を備え、制御手段が、測定手段の測定結果に基づき、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間の幅又は両シャッターの移動速度を調節するものである。 Furthermore, the exposure apparatus of the present invention further includes a measuring unit that measures the amount of exposure light that has passed through the gap between the first shutter and the second shutter, and the control unit uses the first result based on the measurement result of the measuring unit. The width of the gap between the shutter and the second shutter or the moving speed of both shutters is adjusted.
また、本発明の露光方法は、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間を通過した露光光の光量を測定し、測定結果に基づき、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間の幅又は両シャッターの移動速度を調節するものである。 Further, the exposure method of the present invention measures the amount of exposure light that has passed through the gap between the first shutter and the second shutter, and based on the measurement result, the gap between the first shutter and the second shutter. It adjusts the width or the moving speed of both shutters.
実際に第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間を通過した露光光の光量を測定し、測定結果に基づき、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間の幅又は両シャッターの移動速度を調節するので、露光光の光量がさらに高精度に制御される。 The amount of exposure light actually passing through the gap between the first shutter and the second shutter is measured, and the width of the gap between the first shutter and the second shutter or the moving speed of both shutters is measured based on the measurement result. Therefore, the amount of exposure light is controlled with higher accuracy.
本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかの露光装置又は露光方法を用いて、マスクのパターンを基板へ転写するものである。上記の露光装置又は露光方法を用いることにより、露光光の光量が広範囲かつ高精度に制御され、露光に必要な露光光の光量が少ない場合も露光むらを発生することなく、かつ露光に必要な露光光の光量が多い場合も短い露光時間で露光が行われる。従って、高品質な基板が短いタクトタイムで製造される。 The method for producing a display panel substrate of the present invention is to transfer the mask pattern onto the substrate using any one of the exposure apparatuses or exposure methods described above. By using the above exposure apparatus or exposure method, the amount of exposure light is controlled over a wide range and with high accuracy, and even when the amount of exposure light necessary for exposure is small, exposure unevenness is not required and exposure is necessary. Even when the amount of exposure light is large, exposure is performed in a short exposure time. Therefore, a high-quality substrate is manufactured with a short tact time.
本発明の露光装置及び露光方法によれば、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間を所定の幅に保ちながら、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間を通過した露光光により基板を露光することにより、安価な構成で、露光光の光量を広範囲かつ高精度に制御することができる。特に露光に必要な露光光の光量が少ない場合に、露光光の照度分布に悪影響を与えることなく、露光光の光量を高精度に制御することができる。 According to the exposure apparatus and the exposure method of the present invention, the exposure light having passed through the gap between the first shutter and the second shutter while keeping the gap between the first shutter and the second shutter at a predetermined width. By exposing the substrate, the amount of exposure light can be controlled over a wide range and with high accuracy with an inexpensive configuration. In particular, when the amount of exposure light necessary for exposure is small, the amount of exposure light can be controlled with high accuracy without adversely affecting the illuminance distribution of the exposure light.
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間を通過した露光光の光量を測定し、測定結果に基づき、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間の幅又は両シャッターの移動速度を調節することにより、露光光の光量をさらに高精度に制御することができる。 Furthermore, according to the exposure apparatus and the exposure method of the present invention, the amount of exposure light that has passed through the gap between the first shutter and the second shutter is measured, and the first shutter and the second shutter are measured based on the measurement result. By adjusting the width of the gap with the shutter or the moving speed of both shutters, the amount of exposure light can be controlled with higher accuracy.
本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、露光光の光量を広範囲かつ高精度に制御することができるので、露光に必要な露光光の光量が少ない場合も露光むらを発生することなく、かつ露光に必要な露光光の光量が多い場合も短い露光時間で露光を行うことができる。従って、高品質な基板を短いタクトタイムで製造することができる。 According to the method for manufacturing a display panel substrate of the present invention, the amount of exposure light can be controlled over a wide range and with high accuracy, so that even when the amount of exposure light required for exposure is small, exposure unevenness does not occur. In addition, even when the amount of exposure light necessary for exposure is large, exposure can be performed with a short exposure time. Therefore, a high-quality substrate can be manufactured with a short tact time.
図1は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。本実施の形態は、マスクと基板との間に微小な間隙(プロキシミティギャップ)を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式の露光装置の例を示している。露光装置は、ベース3、Xガイド4、Xステージ5、Yガイド6、Yステージ7、θステージ8、Z−チルト機構9、チャック10、マスクホルダ20、露光光照射装置30、入出力装置40、積算照度計50、制御装置60、及びモータ駆動回路70を含んで構成されている。なお、露光装置は、これらの他に、基板1を搬入する搬入ユニット、基板1を搬出する搬出ユニット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
FIG. 1 is a view showing the schematic arrangement of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. This embodiment shows an example of a proximity type exposure apparatus that provides a minute gap (proximity gap) between a mask and a substrate and transfers the mask pattern to the substrate. The exposure apparatus includes a
図1において、チャック10は、基板1の露光を行う露光位置にある。露光位置の上空には、マスクホルダ20によってマスク2が保持されている。基板1は、露光位置から離れた受け渡し位置において、図示しない搬入ユニットによりチャック10へ搭載され、また図示しない搬出ユニットによりチャック10から回収される。
In FIG. 1, the
チャック10は、Z−チルト機構9を介してθステージ8に搭載されており、θステージ8の下にはYステージ7及びXステージ5が設けられている。Xステージ5は、ベース3に設けられたXガイド4に沿ってX方向(図面横方向)へ移動する。Xステージ5のX方向への移動によって、チャック10は受け渡し位置と露光位置との間を移動する。Yステージ7は、Xステージ5に設けられたYガイド6に沿ってY方向(図面奥行き方向)へ移動する。θステージ8はθ方向へ回転し、Z−チルト機構9はZ方向(図面縦方向)へ移動及びチルトする。
The
露光位置において、Xステージ5のX方向への移動、Yステージ7のY方向への移動、及びθステージ8のθ方向への回転によって、基板1の位置決めが行われる。また、Z−チルト機構9のZ方向への移動及びチルトによって、マスク2と基板1とのギャップ制御が行われる。
At the exposure position, the substrate 1 is positioned by moving the X stage 5 in the X direction, moving the
マスクホルダ20の上空には、露光光照射装置30が設けられている。露光光照射装置30は、ランプ31、集光鏡32、第1平面鏡33、シャッター34a,34b、レンズ35、第2平面鏡36、及びモータ37a,37bを含んで構成されている。
An exposure
ランプ31で発生した露光光は、集光鏡32により集光され、第1平面鏡33で反射する。第1平面鏡33で反射した露光光は、シャッター34aとシャッター34bとの隙間を通り、フライアイレンズ又はロットレンズ等からなるレンズ35へ入射し、レンズ35を透過して平行光線束となる。レンズ35を透過した露光光は、第2平面鏡36で反射して、マスク2へ照射される。
The exposure light generated by the
シャッター34a,34bは、平板状のスライドシャッターであり、互いに平行に設置され、それぞれ図面奥行き方向にスライドする。モータ37a,37bは、例えばリニアモータで構成され、モータ駆動回路70により駆動されて、それぞれシャッター34a,34bを移動する。
The
入出力装置40には、基板1の大きさ、露光時間、基板1の露光に必要な露光光の光量等の情報が入力される。制御装置60は、入出力装置40に入力された情報に基づき、シャッター34aとシャッター34bとの隙間の幅及び両シャッターの移動速度を決定し、動作指示信号をモータ駆動回路70へ出力する。モータ駆動回路70は、制御装置60からの動作指示信号に従って、モータ37a及びモータ37bを駆動し、両モータを同期制御して、シャッター34aとシャッター34bとの隙間を指示された幅に保ちながら、両シャッターを指示された移動速度で移動する。
Information such as the size of the substrate 1, the exposure time, and the amount of exposure light necessary for exposure of the substrate 1 is input to the input /
図2は、シャッターの動作を説明する図である。本図は、図1のシャッター34a,34bを上から見た状態を示している。なお、図2ではシャッター34aが開いてシャッター34bが閉じる場合について示しているが、シャッター34bが開いてシャッター34aが閉じる様にしてもよい。
FIG. 2 is a diagram for explaining the operation of the shutter. This figure has shown the state which looked at
待機状態では、図2(a)に示す様に、一方のシャッター(シャッター34a)が完全に閉じており、他方のシャッター(シャッター34b)が完全に開いている。このとき、露光光の進行方向に見て、2つのシャッターは一部重なっており、2つのシャッターの間に隙間はない。 In the standby state, as shown in FIG. 2A, one shutter (shutter 34a) is completely closed and the other shutter (shutter 34b) is completely opened. At this time, the two shutters partially overlap each other when viewed in the traveling direction of the exposure light, and there is no gap between the two shutters.
まず、閉じていたシャッター(シャッター34a)が移動を開始し、開方向(図面下方向)へ指示された移動速度で移動する。これにより、露光光の進行方向に見て、2つのシャッターの間に隙間が発生し、露光光が2つのシャッターの隙間を通過する。 First, the closed shutter (shutter 34a) starts to move, and moves at an instructed moving speed in the opening direction (downward in the drawing). As a result, a gap is generated between the two shutters when viewed in the traveling direction of the exposure light, and the exposure light passes through the gap between the two shutters.
続いて、図2(b)に示す様に2つのシャッターの隙間が指示された幅Wに達すると、開いていたシャッター(シャッター34b)が移動を開始し、閉方向(図面下方向)へ指示された移動速度で移動する。図2(b),(c),(d)に示す様に、2つのシャッターの隙間は、指示された幅Wに保たれながら、2つのシャッターの移動方向(図面下方向)へ2つのシャッターの移動速度と同じ速度で移動する。 Subsequently, as shown in FIG. 2 (b), when the gap between the two shutters reaches the designated width W, the opened shutter (shutter 34b) starts to move and instructs in the closing direction (downward in the drawing). Move at the specified movement speed. As shown in FIGS. 2B, 2C, and 2D, the two shutters move in the moving direction of the two shutters (downward in the drawing) while the gap between the two shutters is maintained at the designated width W. Move at the same speed as
閉じていたシャッター(シャッター34a)は、図2(d)に示す様に完全に開いた状態になると、移動を停止する。一方、開いていたシャッター(シャッター34b)は、図2(e)に示す様に完全に閉じた状態になると、移動を停止する。2つのシャッターの移動が終了すると、モータ駆動回路70は、動作終了信号を制御装置60へ出力する。
The closed shutter (shutter 34a) stops moving when it is fully opened as shown in FIG. 2 (d). On the other hand, the opened shutter (shutter 34b) stops moving when it is completely closed as shown in FIG. When the movement of the two shutters ends, the
本実施の形態では、実際の露光処理を開始する前に、シャッター34a,34bを試験的に動作させて、シャッター34aとシャッター34bとの隙間を通過した露光光の光量を測定する。そして、測定結果に基づき、シャッター34aとシャッター34bとの隙間の幅又は両シャッターの移動速度を調節する。
In the present embodiment, before the actual exposure process is started, the
図1において、積算照度計50は、シャッター34aとシャッター34bとの隙間を通過した露光光の光量を測定し、測定結果を制御装置60へ出力する。制御装置60は、積算照度計50の測定結果を入出力装置40に入力された基板1の露光に必要な露光光の光量と比較して、露光光の光量が適切か否かを判断する。
In FIG. 1, the
露光光の光量が適切でないと判断した場合、制御装置60は、比較結果に基づき、シャッター34aとシャッター34bとの隙間の幅又は両シャッターの移動速度を変更する。そして、新たな動作指示信号をモータ駆動回路70へ出力して、シャッター34a,34bを再度試験的に動作させる。
When determining that the amount of exposure light is not appropriate, the
露光光の光量が適切であると判断した場合、制御装置60は、露光光の光量を入出力装置40に表示し、実際の露光処理を開始する。露光装置は、シャッター34aとシャッター34bとの隙間を通過した露光光により基板1の露光を行う。
When it is determined that the amount of exposure light is appropriate, the
本実施の形態において、露光光の光量は、シャッター34aとシャッター34bとの隙間の幅及び両シャッターの移動速度に依存する。シャッター34aとシャッター34bとの隙間の幅を広くし、または両シャッターの移動速度を遅くすると、露光光の光量が多くなる。シャッター34aとシャッター34bとの隙間の幅を狭くし、または両シャッターの移動速度を速くすると、露光光の光量が少なくなる。
In the present embodiment, the amount of exposure light depends on the width of the gap between the
以上説明した実施の形態によれば、シャッター34aとシャッター34bとの隙間を所定の幅に保ちながら、シャッター34aとシャッター34bとの隙間を通過した露光光により基板1を露光することにより、安価な構成で、露光光の光量を広範囲かつ高精度に制御することができる。特に露光に必要な露光光の光量が少ない場合に、露光光の照度分布に悪影響を与えることなく、露光光の光量を高精度に制御することができる。
According to the embodiment described above, the substrate 1 is exposed with the exposure light that has passed through the gap between the
さらに、シャッター34aとシャッター34bとの隙間を通過した露光光の光量を測定し、測定結果に基づき、シャッター34aとシャッター34bとの隙間の幅又は両シャッターの移動速度を調節することにより、露光光の光量をさらに高精度に制御することができる。
Further, the amount of exposure light passing through the gap between the
本発明の露光装置又は露光方法を用いて、マスクのパターンを基板へ転写することにより、露光光の光量を広範囲かつ高精度に制御することができるので、露光に必要な露光光の光量が少ない場合も露光むらを発生することなく、かつ露光に必要な露光光の光量が多い場合も短い露光時間で露光を行うことができる。従って、高品質な基板を短いタクトタイムで製造することができる。 By transferring the mask pattern to the substrate using the exposure apparatus or exposure method of the present invention, the amount of exposure light can be controlled over a wide range and with high accuracy, so the amount of exposure light required for exposure is small. In this case, exposure can be performed with a short exposure time without causing uneven exposure and also when the amount of exposure light necessary for exposure is large. Therefore, a high-quality substrate can be manufactured with a short tact time.
例えば、図3は、液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程(ステップ101)では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長(CVD)法等により、ガラス基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程(ステップ102)では、ロール塗布法等により感光樹脂材料(フォトレジスト)を塗布して、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程(ステップ103)では、プロキシミティ露光装置や投影露光装置等を用いて、マスクのパターンをフォトレジスト膜に転写する。現像工程(ステップ104)では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程(ステップ105)では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程(ステップ106)では、エッチング工程(ステップ105)でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、ガラス基板上にTFTアレイが形成される。 For example, FIG. 3 is a flowchart showing an example of the manufacturing process of the TFT substrate of the liquid crystal display device. In the thin film formation step (step 101), a thin film such as a conductor film or an insulator film, which becomes a transparent electrode for driving liquid crystal, is formed on a glass substrate by sputtering, plasma chemical vapor deposition (CVD), or the like. In the resist coating process (step 102), a photosensitive resin material (photoresist) is applied by a roll coating method or the like to form a photoresist film on the thin film formed in the thin film forming process (step 101). In the exposure step (step 103), the mask pattern is transferred to the photoresist film using a proximity exposure apparatus, a projection exposure apparatus, or the like. In the development step (step 104), a developer is supplied onto the photoresist film by a shower development method or the like to remove unnecessary portions of the photoresist film. In the etching process (step 105), a portion of the thin film formed in the thin film formation process (step 101) that is not masked by the photoresist film is removed by wet etching. In the stripping step (step 106), the photoresist film that has finished the role of the mask in the etching step (step 105) is stripped with a stripping solution. Before or after each of these steps, a substrate cleaning / drying step is performed as necessary. These steps are repeated several times to form a TFT array on the glass substrate.
また、図4は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、ガラス基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程(ステップ202)では、染色法、顔料分散法、印刷法、電着法等により、ガラス基板上に着色パターンを形成する。この工程を、R、G、Bの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程(ステップ203)では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程(ステップ204)では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。 FIG. 4 is a flowchart showing an example of the manufacturing process of the color filter substrate of the liquid crystal display device. In the black matrix forming step (step 201), a black matrix is formed on the glass substrate by processes such as resist coating, exposure, development, etching, and peeling. In the colored pattern forming step (step 202), a colored pattern is formed on the glass substrate by a dyeing method, a pigment dispersion method, a printing method, an electrodeposition method, or the like. This process is repeated for the R, G, and B coloring patterns. In the protective film forming step (step 203), a protective film is formed on the colored pattern, and in the transparent electrode film forming step (step 204), a transparent electrode film is formed on the protective film. Before, during or after each of these steps, a substrate cleaning / drying step is performed as necessary.
図3に示したTFT基板の製造工程では、露光工程(ステップ103)において、図4に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)及び着色パターン形成工程(ステップ202)の露光処理において、本発明の露光装置又は露光方法を適用することができる。 In the TFT substrate manufacturing process shown in FIG. 3, in the exposure process (step 103), in the color filter substrate manufacturing process shown in FIG. 4, in the black matrix forming process (step 201) and the colored pattern forming process (step 202). In this exposure process, the exposure apparatus or the exposure method of the present invention can be applied.
1 基板
2 マスク
3 ベース
4 Xガイド
5 Xステージ
6 Yガイド
7 Yステージ
8 θステージ
9 Z−チルト機構
10 チャック
20 マスクホルダ
30 露光光照射装置
31 ランプ
32 集光鏡
33 第1平面鏡
34a,34b シャッター
35 レンズ
36 第2平面鏡
37a,37b モータ
40 入出力装置
50 積算照度計
60 制御装置
70 モータ駆動回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (6)
前記光源が発生した露光光を遮断する第1のシャッターと、
前記第1のシャッターを移動する第1のモータと、
前記第1のシャッターと平行に設けられた第2のシャッターと、
前記第2のシャッターを移動する第2のモータと、
前記第1のシャッターと前記第2のシャッターとの隙間の幅及び両シャッターの移動速度を指示する制御手段と、
前記制御手段の指示に従って、前記第1のモータ及び前記第2のモータを駆動し、両モータを同期制御して、前記第1のシャッターと前記第2のシャッターとの隙間を所定の幅に保つ駆動手段とを備え、
前記第1のシャッターと前記第2のシャッターとの隙間を通過した露光光により基板を露光することを特徴とする露光装置。 A light source that generates exposure light;
A first shutter that blocks exposure light generated by the light source;
A first motor that moves the first shutter;
A second shutter provided in parallel with the first shutter;
A second motor for moving the second shutter;
Control means for instructing the width of the gap between the first shutter and the second shutter and the moving speed of both shutters;
The first motor and the second motor are driven in accordance with instructions from the control means, and both the motors are synchronously controlled to keep the gap between the first shutter and the second shutter at a predetermined width. Driving means,
An exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light that has passed through a gap between the first shutter and the second shutter.
前記制御手段は、前記測定手段の測定結果に基づき、前記第1のシャッターと前記第2のシャッターとの隙間の幅又は両シャッターの移動速度を調節することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 Measuring means for measuring the amount of exposure light that has passed through the gap between the first shutter and the second shutter;
2. The control unit according to claim 1, wherein the control unit adjusts a width of a gap between the first shutter and the second shutter or a moving speed of both shutters based on a measurement result of the measurement unit. Exposure device.
第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間の幅及び両シャッターの移動速度を決定し、
第1のシャッターを移動する第1のモータと、第2のシャッターを移動する第2のモータとを同期制御して、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間を所定の幅に保ちながら、
第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間を通過した露光光により基板を露光することを特徴とする露光方法。 The first shutter and the second shutter are provided in parallel,
Determine the width of the gap between the first shutter and the second shutter and the moving speed of both shutters;
The first motor that moves the first shutter and the second motor that moves the second shutter are controlled synchronously, and the gap between the first shutter and the second shutter is kept at a predetermined width. ,
An exposure method comprising exposing a substrate with exposure light that has passed through a gap between a first shutter and a second shutter.
測定結果に基づき、第1のシャッターと第2のシャッターとの隙間の幅又は両シャッターの移動速度を調節することを特徴とする請求項3に記載の露光方法。 Measure the amount of exposure light that has passed through the gap between the first shutter and the second shutter;
4. The exposure method according to claim 3, wherein the width of the gap between the first shutter and the second shutter or the moving speed of both shutters is adjusted based on the measurement result.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006011943A JP2007193154A (en) | 2006-01-20 | 2006-01-20 | Exposure device, exposure method and method for producing display panel substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006011943A JP2007193154A (en) | 2006-01-20 | 2006-01-20 | Exposure device, exposure method and method for producing display panel substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007193154A true JP2007193154A (en) | 2007-08-02 |
Family
ID=38448891
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006011943A Pending JP2007193154A (en) | 2006-01-20 | 2006-01-20 | Exposure device, exposure method and method for producing display panel substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007193154A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120113403A1 (en) * | 2009-04-03 | 2012-05-10 | Koichi Kajiyama | Exposure method and exposure apparatus |
US9316923B2 (en) | 2010-07-19 | 2016-04-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Exposure apparatus and exposure method using the same |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10106942A (en) * | 1996-10-02 | 1998-04-24 | Canon Inc | Scanning type exposing device and manufacture of semiconductor device using the device |
JPH10284371A (en) * | 1997-04-03 | 1998-10-23 | Nikon Corp | Exposure method and equipment |
JPH11243050A (en) * | 1998-02-24 | 1999-09-07 | Canon Inc | Aligner |
JP2002214794A (en) * | 2001-01-17 | 2002-07-31 | Toshiba Corp | Aligner |
JP2005091790A (en) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Dainippon Printing Co Ltd | Exposing method for columnar spacer formation, color filter formation substrate for liquid crystal display device, and liquid crystal display device |
-
2006
- 2006-01-20 JP JP2006011943A patent/JP2007193154A/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10106942A (en) * | 1996-10-02 | 1998-04-24 | Canon Inc | Scanning type exposing device and manufacture of semiconductor device using the device |
JPH10284371A (en) * | 1997-04-03 | 1998-10-23 | Nikon Corp | Exposure method and equipment |
JPH11243050A (en) * | 1998-02-24 | 1999-09-07 | Canon Inc | Aligner |
JP2002214794A (en) * | 2001-01-17 | 2002-07-31 | Toshiba Corp | Aligner |
JP2005091790A (en) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Dainippon Printing Co Ltd | Exposing method for columnar spacer formation, color filter formation substrate for liquid crystal display device, and liquid crystal display device |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120113403A1 (en) * | 2009-04-03 | 2012-05-10 | Koichi Kajiyama | Exposure method and exposure apparatus |
US8497979B2 (en) * | 2009-04-03 | 2013-07-30 | V Technology Co., Ltd. | Exposure method and exposure apparatus |
US9316923B2 (en) | 2010-07-19 | 2016-04-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Exposure apparatus and exposure method using the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4863948B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and manufacturing method of display panel substrate | |
JP5345443B2 (en) | Exposure apparatus, exposure light irradiation method, and display panel substrate manufacturing method | |
JP4749299B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and manufacturing method of display panel substrate | |
JP2005215686A (en) | Exposure apparatus | |
TW201335722A (en) | Exposure apparatus, exposure method, and fabricating method of display panel substrate | |
JP2019086709A (en) | Exposure system, exposure method, and manufacturing method of panel substrate for display | |
JP4808676B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and manufacturing method of display panel substrate | |
Nishimura et al. | Photolithography | |
JP4879085B2 (en) | Exposure equipment | |
US20060134559A1 (en) | Method for forming patterns on a semiconductor device | |
JP2008058898A (en) | Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing display panel substrate | |
JP2007193154A (en) | Exposure device, exposure method and method for producing display panel substrate | |
JP4884149B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and manufacturing method of display panel substrate | |
TWI640837B (en) | Substrate tuning system and method using optical projection | |
JP5184767B2 (en) | Exposure equipment | |
JP2007232890A (en) | Exposure device, exposure method, and method for manufacturing display panel substrate | |
JP2004119570A (en) | Exposure setting method, exposure method and aligner using the same | |
JP5306020B2 (en) | Proximity exposure apparatus, substrate moving method of proximity exposure apparatus, and display panel substrate manufacturing method | |
JP5441770B2 (en) | Proximity exposure apparatus, gap control method for proximity exposure apparatus, and method for manufacturing display panel substrate | |
JP2011123102A (en) | Proximity exposure apparatus, method for adjusting substrate temperature of the proximity exposure apparatus, and method for manufacturing display panel substrate | |
JP2008009012A (en) | Exposure device, exposure method, and method for manufacturing panel substrate for display | |
JP2012032666A (en) | Exposure equipment, exposure method and method for manufacturing panel substrate for display | |
JP5281987B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method using the same, and manufacturing method of display panel substrate | |
KR100993822B1 (en) | apparatus and method for lithographing | |
KR101217159B1 (en) | TFT manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080307 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100727 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101124 |