JP2000250226A - Exposure device - Google Patents

Exposure device

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JP2000250226A
JP2000250226A JP11051882A JP5188299A JP2000250226A JP 2000250226 A JP2000250226 A JP 2000250226A JP 11051882 A JP11051882 A JP 11051882A JP 5188299 A JP5188299 A JP 5188299A JP 2000250226 A JP2000250226 A JP 2000250226A
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JP
Japan
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reticle
blind
mark
exposure
substrate
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP11051882A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsutsugu Hanazaki
哲嗣 花崎
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JP2000250226A publication Critical patent/JP2000250226A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily execute the positioning of a blind device in a short time. SOLUTION: This exposure device is provided with the blind device 10 regulating the illuminating area of a mask R having a pattern, and a pattern image transmitted through the illuminating area is exposed on a base plate P. The blind device 10 possesses a mark showing the position of the blind device 10, and is provided with a detector 6 detecting the mark provided at the blind device 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光源からのビーム
によってレチクルのパターンを感光基板に転写する露光
装置に関し、特に、光源からのビームをブラインドの開
口を介してレチクル上に照射する露光装置に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for transferring a reticle pattern onto a photosensitive substrate by a beam from a light source, and more particularly, to an exposure apparatus for irradiating a beam from a light source onto a reticle through a blind opening. Things.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示素子等を製造する露光装置とし
ては、レチクル上に形成されたパターンを感光基板の所
定領域に露光した後、感光基板を一定距離だけステッピ
ングさせて、再びレチクルのパターンを露光することを
繰り返す、いわゆるステップ・アンド・リピート方式の
もの(ステッパー)がある。
2. Description of the Related Art As an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or the like, after exposing a pattern formed on a reticle to a predetermined area of a photosensitive substrate, the photosensitive substrate is stepped by a predetermined distance, and the pattern of the reticle is changed again. There is a so-called step-and-repeat type (stepper) that repeats exposure.

【0003】従来、例えば液晶表示素子用のLCDパタ
ーンをステッパーで形成する際には、通常画面合成法が
用いられている。この画面合成法は、分割されたLCD
パターンのそれぞれに対応する複数のレチクルを用い、
一枚のレチクルに対応するガラス基板の露光領域に該レ
チクルのパターンを露光した後に、ガラス基板をステッ
プさせるとともにレチクルを別のものに交換し、このレ
チクルに対応する露光領域に該レチクルのパターンを露
光することにより、ガラス基板に複数のパターンが合成
されたLCDパターンを形成するものである。
Conventionally, for example, when an LCD pattern for a liquid crystal display element is formed by a stepper, a normal screen synthesizing method is used. This screen composition method uses a divided LCD
Using multiple reticles corresponding to each of the patterns,
After exposing the reticle pattern to the exposure area of the glass substrate corresponding to one reticle, the glass substrate is stepped and the reticle is replaced with another one, and the reticle pattern is exposed to the exposure area corresponding to the reticle. Exposure is to form an LCD pattern in which a plurality of patterns are synthesized on a glass substrate.

【0004】ところで、上記画面合成法を行う際には、
レチクルのパターン描画誤差や投影光学系のレンズの収
差、ガラス基板をステップ移動させるステージの位置決
め誤差等に起因してパターンの継ぎ目部に段差が発生
し、デバイスの特性が損なわれたり、さらに、画面合成
された分割パターンを多層に重ね合わせた場合、各層の
露光領域の重ね誤差やパターンの線幅差がパターンの継
ぎ目部分で不連続に変化し、デバイスの品質が低下する
ことを回避するために、いわゆる、重ね継ぎが行われて
いる。
[0004] By the way, when performing the above-mentioned screen composition method,
A step occurs at the joint of the pattern due to a pattern writing error of the reticle, an aberration of the lens of the projection optical system, a positioning error of the stage for moving the glass substrate step by step, etc., thereby deteriorating the characteristics of the device and further reducing the screen. When the synthesized divided patterns are superimposed on multiple layers, in order to avoid that the overlay error of the exposure area of each layer and the line width difference of the pattern change discontinuously at the seam of the pattern, the device quality is reduced. That is, a so-called splicing is performed.

【0005】この重ね継ぎは、隣接する露光領域でこの
継ぎ目部分を重ね合わせ露光し、且つ各露光領域で、例
えば露光時間を変化させることでこの継ぎ目部分の露光
量を境界へ向けて比例的に減少させることにより、重ね
合わせ露光した際に、この部分の露光量を他の部分の露
光量と略一致させるものである。
[0005] In the overlap splicing, the seam portion is overlap-exposed in an adjacent exposure region, and the exposure amount of the seam portion is proportionally shifted toward the boundary by changing the exposure time in each exposure region. By reducing the amount, the exposure amount of this portion is made substantially equal to the exposure amount of the other portion when the overlay exposure is performed.

【0006】上記、露光量を減少させるには、例えば、
レチクルの照明領域を規定するブラインド装置の開口を
露光中に露光光と直交する方向に一定の速度で移動させ
ることで、変位した開口の端部の露光時間を変化させる
方法が採られている。そのため、重ね継ぎを実施する際
には、レチクルとブラインド装置の開口とを高精度に位
置決めする必要がある。
In order to reduce the exposure amount, for example,
A method has been adopted in which the exposure time at the end of the displaced opening is changed by moving the opening of a blind device defining an illumination area of the reticle at a constant speed in a direction orthogonal to the exposure light during the exposure. Therefore, when performing the splicing, it is necessary to position the reticle and the opening of the blind device with high accuracy.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の露光装置には、以下のような問題が存在
する。レチクルの位置決めは、該レチクルに形成された
レチクルマークをマーク検出系で検出することにより容
易になされている。ところが、ブラインド装置の位置決
めは、一旦、基板上に試し露光を行うとともに基板を現
像し、転写されたパターンを別途読み取り、計測するこ
とによりなされているため、作業が繁雑で多大な作業時
間も必要であった。
However, the conventional exposure apparatus as described above has the following problems. The reticle is easily positioned by detecting a reticle mark formed on the reticle with a mark detection system. However, the positioning of the blind device is performed by once performing test exposure on the substrate, developing the substrate, and separately reading and measuring the transferred pattern. Met.

【0008】また、位置決め作業は、トライ・アンド・
エラーを繰り返すため、さらに多くの作業時間を要する
ことに加えて調整時間のばらつきも多くなってしまうと
いう問題もあった。
[0008] The positioning operation is performed by a trial and
Since the error is repeated, more work time is required, and there is also a problem that the adjustment time varies more.

【0009】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、ブラインド装置の位置決めを容易、且つ短
時間で実施することのできる露光装置を提供することを
目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and has as its object to provide an exposure apparatus capable of easily positioning a blind apparatus in a short time.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図1ないし図5に対応
付けした以下の構成を採用している。本発明の露光装置
は、パターンを有したマスクRの照明領域を規定するブ
ラインド装置(10)を備え、照明領域を透過したパタ
ーン像を基板(P)に露光する露光装置(1)におい
て、ブラインド装置(10)が該ブラインド装置(1
0)の位置を示すマーク(15a〜15d)を有してお
り、ブラインド装置(10)に設けられたマーク(15
a〜15d)を検出する検出装置(6)を備えたことを
特徴とするものである。
In order to achieve the above object, the present invention employs the following structure corresponding to FIGS. 1 to 5 showing an embodiment. The exposure apparatus according to the present invention includes a blind device (10) for defining an illumination region of a mask R having a pattern, and the exposure device (1) for exposing a pattern image transmitted through the illumination region to a substrate (P) is blind. The device (10) is connected to the blind device (1)
0) and marks (15a to 15d) indicating the position of the mark (15) provided on the blind device (10).
a to 15d) are provided.

【0011】従って、本発明の露光装置では、検出装置
(6)がブラインド装置(10)に設けられたマーク
(15a〜15d)を検出することにより、ブラインド
装置(10)の位置を検出することができる。そのた
め、ブラインド装置(10)をマスク(R)に対して位
置決めすることができる。
Therefore, in the exposure apparatus of the present invention, the position of the blind device (10) is detected by the detecting device (6) detecting the marks (15a to 15d) provided on the blind device (10). Can be. Therefore, the blind device (10) can be positioned with respect to the mask (R).

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の露光装置の実施の
形態を、図1ないし図4を参照して説明する。ここで
は、露光装置がステッパ方式である例を用いて説明す
る。図1は、露光装置1の概略構成図である。なお、本
実施の形態の露光装置1は、従来技術で説明した画面合
成法によりガラスプレートにLCDパターンを露光する
液晶用露光装置である。露光装置1は、レチクル(マス
ク)Rに形成されたパターン(例えば、液晶表示素子パ
ターン)を角形のガラスプレートである基板P上へ投影
転写するものであって、水銀ランプ2、照明光学系3、
投影光学系4、基板ステージ5、レチクルRを保持して
移動可能なレチクルステージRS、マーク検出装置(検
出装置)6および露光装置1全体を制御する制御装置1
00から概略構成されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of an exposure apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. Here, an example in which the exposure apparatus is a stepper method will be described. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of the exposure apparatus 1. The exposure apparatus 1 of the present embodiment is a liquid crystal exposure apparatus that exposes an LCD pattern on a glass plate by the screen synthesis method described in the related art. The exposure apparatus 1 projects and transfers a pattern (for example, a liquid crystal display element pattern) formed on a reticle (mask) R onto a substrate P which is a square glass plate, and includes a mercury lamp 2 and an illumination optical system 3. ,
A control device 1 that controls the projection optical system 4, the substrate stage 5, a reticle stage RS that can hold and move the reticle R, a mark detection device (detection device) 6, and the entire exposure device 1.
It is schematically configured from 00.

【0013】水銀ランプ2は、露光光としてのビームB
を発するものである。この水銀ランプ2には、楕円鏡2
aが付設されている。楕円鏡2aは、水銀ランプ2が発
する露光光を集光するものである。
The mercury lamp 2 has a beam B as exposure light.
It emits. This mercury lamp 2 has an elliptical mirror 2
a is attached. The elliptical mirror 2a focuses the exposure light emitted from the mercury lamp 2.

【0014】照明光学系3は、反射ミラー7a,7b
と、波長選択フィルタ8と、フライアイインテグレータ
9と、レチクルブラインド(ブラインド装置)10と、
リレーレンズ11と、ハーフミラー12とから概略構成
されている。反射ミラー7aは、楕円鏡2aで集光され
たビームBを波長選択フィルタ8へ向けて反射するもの
である。反射ミラー7bは、リレーレンズ11を通過し
たビームBをレチクルRへ向けて反射するものである。
The illumination optical system 3 includes reflection mirrors 7a and 7b.
A wavelength selection filter 8, a fly-eye integrator 9, a reticle blind (blind device) 10,
It is roughly composed of a relay lens 11 and a half mirror 12. The reflection mirror 7a reflects the beam B condensed by the elliptical mirror 2a toward the wavelength selection filter 8. The reflection mirror 7b reflects the beam B passing through the relay lens 11 toward the reticle R.

【0015】波長選択フィルタ8は、ビームBのうち露
光に必要な波長(g線やi線)のみを通過させるもので
ある。フライアイインテグレータ9は、波長選択フィル
タ8を通過したビームBの照度分布を均一にするもので
ある。
The wavelength selection filter 8 allows only the wavelength (g-line or i-line) of the beam B necessary for exposure to pass. The fly-eye integrator 9 makes the illuminance distribution of the beam B passing through the wavelength selection filter 8 uniform.

【0016】レチクルブラインド10は、フライアイイ
ンテグレータ9を通過したビームBがレチクルRを照明
する照明領域を設定するものであって、開口部材10
a、10bと駆動機構(不図示)とを備えた構成であ
り、制御装置100の制御に基づいて照明領域を設定す
る。開口部材10a、10bは、レチクルRの共役面を
挟んで互いに対向するように微小隙間(例えば、300
μm程度)をあけて配置され、ビームBと直交する平面
内でこの互いに直交する方向にそれぞれ移動自在とされ
ている。
The reticle blind 10 is for setting an illumination area where the beam B passing through the fly-eye integrator 9 illuminates the reticle R.
a, 10b and a drive mechanism (not shown), and sets an illumination area based on the control of the control device 100. The opening members 10a and 10b are opposed to each other with a small gap (for example, 300
(about μm), and are movable in directions perpendicular to each other in a plane perpendicular to the beam B.

【0017】図2に示すように、開口部材10aは、C
r蒸着等により遮光された平面視矩形状の遮光部13a
と、該遮光部13aの略中央に形成された平面視矩形状
の開口14aとから構成されている。同様に、開口部材
10bは、いずれも平面視矩形状を有する遮光部13b
と開口14bとから構成されている。そして、開口部材
10a、10bが移動して、開口14a、14bが組み
合わされることで、レチクルRの照明領域の位置、大き
さが設定される構成になっている。なお、開口部材10
a、10bは、特開平7−235466号公報に開示さ
れているように、開口14a(14b)の任意の辺に開
口14a(14b)から周辺に向けて透過率が変化する
減光部を設けたものでもよい。
As shown in FIG. 2, the opening member 10a is
A light shielding portion 13a having a rectangular shape in a plan view, which is shielded from light by vapor deposition or the like.
And a rectangular opening 14a in a plan view formed substantially at the center of the light shielding portion 13a. Similarly, the opening member 10b includes a light shielding portion 13b having a rectangular shape in plan view.
And an opening 14b. Then, by moving the opening members 10a and 10b and combining the openings 14a and 14b, the position and size of the illumination area of the reticle R are set. The opening member 10
As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-235466, the light-attenuating portions a and 10b are provided on any side of the opening 14a (14b) so that the transmittance changes from the opening 14a (14b) toward the periphery. May be used.

【0018】また、開口部材10aの遮光部13aに
は、開口部材10aの位置を示すアライメントマーク
(マーク)15a、15bが開口14aを挟んで該開口
14aと所定寸法離間してそれぞれ設けられている。同
様に、開口部材10bの遮光部13bには、開口部材1
0bの位置を示すアライメントマーク(マーク)15
c、15dが設けられている。図3に示すように、各ア
ライメントマーク15a〜15dは、X方向およびY方
向の計測を行うために、各方向に延在するスリット形状
の開口パターンをそれぞれ有している。
In the light shielding portion 13a of the opening member 10a, alignment marks (marks) 15a and 15b indicating the position of the opening member 10a are provided at predetermined intervals from the opening 14a with the opening 14a interposed therebetween. . Similarly, the light shielding portion 13b of the opening member 10b has the opening member 1
Alignment mark (mark) 15 indicating the position of 0b
c and 15d are provided. As shown in FIG. 3, each of the alignment marks 15a to 15d has a slit-shaped opening pattern extending in each direction in order to perform measurement in the X direction and the Y direction.

【0019】駆動機構は、開口部材10a、10bの上
記ビームBと直交する平面内で互いに直交する方向への
移動およびビームB周りの回転移動をそれぞれ駆動する
ものである。
The driving mechanism drives the movement of the opening members 10a and 10b in directions orthogonal to each other in a plane orthogonal to the beam B and the rotational movement around the beam B, respectively.

【0020】リレーレンズ11は、レチクルブラインド
10の開口14a、14bで設定された照明領域の像を
レチクルRで結像させるものである。ハーフミラー12
は、フライアイインテグレータ9を通過したビームBを
レチクルブラインド10へ向けて通過させるとともに、
後述する発光部(照射部)16から照射される検出光を
光電子増倍管(受光部)17へ向けて反射するものであ
る。
The relay lens 11 forms an image of the illumination area set by the openings 14a and 14b of the reticle blind 10 with the reticle R. Half mirror 12
Transmits the beam B having passed through the fly-eye integrator 9 toward the reticle blind 10,
The detection light emitted from a light emitting unit (irradiation unit) 16 described later is reflected toward a photomultiplier tube (light receiving unit) 17.

【0021】投影光学系4は、レチクルRの照明領域に
存在するパターンの像を基板P上に結像させるものであ
る。基板ステージ5は、基板Pを保持するものであっ
て、制御装置100の制御により互いに直交する方向へ
移動自在とされている。この基板ステージ5上には、移
動鏡18が設けられている。移動鏡18には、位置検出
装置であるレーザ干渉計19からレーザ光が射出され、
その反射光と入射光との干渉に基づいて移動鏡18とレ
ーザ干渉計19との間の距離、すなわち基板ステージ5
の位置が検出される構成になっている。なお、レーザ干
渉計19の出力は、制御装置100に入力される。
The projection optical system 4 forms an image of a pattern existing in the illumination area of the reticle R on the substrate P. The substrate stage 5 holds the substrate P, and is movable in directions orthogonal to each other under the control of the control device 100. A movable mirror 18 is provided on the substrate stage 5. A laser beam is emitted from a laser interferometer 19, which is a position detecting device, to the movable mirror 18,
Based on the interference between the reflected light and the incident light, the distance between the movable mirror 18 and the laser interferometer 19, that is, the substrate stage 5
Is detected. The output of the laser interferometer 19 is input to the control device 100.

【0022】マーク検出装置6は、レチクルブラインド
10に設けられたアライメントマーク15a〜15dお
よびレチクルRに形成されたレチクルマーク(不図示)
を検出するものであって、上記発光部16と光電子増倍
管17とを主体として構成されている。発光部16は、
上記のマークを検出するための検出光を投影光学系4へ
向けて照射するものであって、基板ステージ5上に配置
されている。また、発光部16には、図3に示した図3
に示したレチクルブラインド10のアライメントマーク
15a〜15dと同様にスリット形状の開口パターンが
形成されている。そして、上記検出光は、このスリット
形状で照射されるようになっている。光電子増倍管17
は、発光部16から照射された検出光を投影光学系4を
通して受光して電気信号に変換し制御装置100に出力
するものである。
The mark detecting device 6 includes alignment marks 15a to 15d provided on the reticle blind 10 and a reticle mark (not shown) formed on the reticle R.
, And mainly includes the light emitting section 16 and the photomultiplier tube 17. The light emitting unit 16
The detection light for detecting the mark is emitted toward the projection optical system 4, and is arranged on the substrate stage 5. In addition, the light emitting unit 16 includes the light emitting unit 16 shown in FIG.
A slit-shaped opening pattern is formed similarly to the alignment marks 15a to 15d of the reticle blind 10 shown in FIG. The detection light is emitted in the form of the slit. Photomultiplier tube 17
Is for receiving the detection light emitted from the light emitting unit 16 through the projection optical system 4, converting the detection light into an electric signal, and outputting the electric signal to the control device 100.

【0023】レチクルRは、投影光学系4側の面に上記
パターンが形成されたパターン領域(不図示)を有して
おり、このパターン領域の周囲に上記レチクルマークが
形成されている。このレチクルマークは、図3に示した
レチクルブラインド10のアライメントマーク15a〜
15dと同様に、スリット形状の開口パターンが形成さ
れている。
The reticle R has a pattern area (not shown) in which the pattern is formed on the surface on the side of the projection optical system 4, and the reticle mark is formed around the pattern area. These reticle marks are the alignment marks 15a to 15c of the reticle blind 10 shown in FIG.
Similarly to 15d, a slit-shaped opening pattern is formed.

【0024】上記の構成の露光装置において制御装置1
00によるレチクルRとレチクルブラインド10とを位
置決めする手順について説明する。ここで、基板ステー
ジ5に対する発光部16の位置、レチクルRに対するレ
チクルマークの位置、開口部材10aにおける開口14
aとアライメントマーク15a、15bとの関係位置お
よび開口部材10bにおける開口14bとアライメント
マーク15c、15dとの関係位置は、既知であるもの
とする。
In the exposure apparatus having the above configuration, the control device 1
A procedure for positioning the reticle R and the reticle blind 10 according to 00 will be described. Here, the position of the light emitting section 16 with respect to the substrate stage 5, the position of the reticle mark with respect to the reticle R, the opening 14 in the opening member 10a.
It is assumed that the relationship between a and the alignment marks 15a and 15b and the relationship between the opening 14b and the alignment marks 15c and 15d in the opening member 10b are known.

【0025】レチクルブラインド10の内、開口部材1
0aを位置決めするには、まず開口部材10bを発光部
16からの検出光と干渉しない位置に退避させる。次
に、基板ステージ5を移動させるに先だって、開口部材
10aのアライメントマーク15aが上記検出光の光路
に概ね位置するように開口部材10aを移動させる。そ
して、発光部16から検出光を照射しながら基板ステー
ジ5を、例えばX方向に走査移動する。
Opening member 1 of reticle blind 10
In order to position Oa, first, the opening member 10b is retracted to a position where it does not interfere with the detection light from the light emitting unit 16. Next, prior to moving the substrate stage 5, the opening member 10a is moved so that the alignment mark 15a of the opening member 10a is substantially located in the optical path of the detection light. Then, the substrate stage 5 is scanned and moved in, for example, the X direction while irradiating the detection light from the light emitting unit 16.

【0026】この検出光は、投影光学系4、レチクルR
を通過して、リレーレンズ11によりレチクル共役面に
結像し、検出光の光路にアライメントマーク15aが位
置したときに該アライメントマーク15aのスリットを
透過する。
This detection light is transmitted to the projection optical system 4 and the reticle R
And the image is formed on the reticle conjugate plane by the relay lens 11, and passes through the slit of the alignment mark 15a when the alignment mark 15a is located on the optical path of the detection light.

【0027】ここで、レチクルRは、透明部分を検出光
が通過するように予め移動しておくか、パターンが形成
されていない透明のレチクルが用いられる。さらに、レ
チクルRを取り除いてもよい。また、基板ステージ5を
X方向に移動させる際には、アライメントマーク15a
の内、Y方向に延在するスリットを用いる。
Here, the reticle R is moved in advance so that the detection light passes through the transparent portion, or a transparent reticle on which no pattern is formed is used. Further, the reticle R may be removed. When the substrate stage 5 is moved in the X direction, the alignment mark 15a
Of these, a slit extending in the Y direction is used.

【0028】スリットを透過した検出光は、ハーフミラ
ー12で反射して光電子増倍管17に入射して電気信号
に変換される。図4に、発光部16の走査方向の位置と
光電子増倍管17に入射した検出光の信号レベルとの関
係を示す。この図に示すように、発光部16とアライメ
ントマーク15aの位置が一致したときに信号レベルの
最大値が発生する。基板ステージ5の移動の際には、レ
ーザ干渉計19が、基板ステージ5上の移動鏡17に向
けてレーザ光18を射出し、基板ステージ5の位置を正
確に検出しているので、制御装置100は、上記検出光
の信号レベルが最大値になったときの基板ステージ5の
位置座標および発光部16の位置とからアライメントマ
ーク15aのX座標を検出できる。
The detection light transmitted through the slit is reflected by the half mirror 12, enters the photomultiplier tube 17, and is converted into an electric signal. FIG. 4 shows the relationship between the position of the light emitting unit 16 in the scanning direction and the signal level of the detection light incident on the photomultiplier tube 17. As shown in the figure, the maximum value of the signal level occurs when the position of the light emitting section 16 matches the position of the alignment mark 15a. When the substrate stage 5 is moved, the laser interferometer 19 emits the laser beam 18 toward the movable mirror 17 on the substrate stage 5 to accurately detect the position of the substrate stage 5, so that the controller 100 can detect the X coordinate of the alignment mark 15a from the position coordinates of the substrate stage 5 and the position of the light emitting section 16 when the signal level of the detection light reaches the maximum value.

【0029】続いて、同様の手順で基板ステージ5をY
方向に走査移動することにより、アライメントマーク1
5aのY座標を決定する。このとき、アライメントマー
ク15aの内、X方向に延在するスリットが用いられ
る。さらに、開口部材15aを、アライメントマーク1
5bが上記検出光の光路に概ね位置するように移動させ
る。そして、上記と同様の手順によりアライメントマー
ク15bのX座標、Y座標をそれぞれ決定する。ここ
で、アライメントマーク15a、15bと開口14aと
の位置関係は既知であるので、開口14aの基板ステー
ジ5における座標を正確に検出することができる。
Subsequently, the substrate stage 5 is moved to Y in the same procedure.
The scanning movement in the direction, the alignment mark 1
The Y coordinate of 5a is determined. At this time, a slit extending in the X direction among the alignment marks 15a is used. Further, the opening member 15a is aligned with the alignment mark 1
5b is moved so as to be located substantially in the optical path of the detection light. Then, the X coordinate and the Y coordinate of the alignment mark 15b are determined by the same procedure as described above. Here, since the positional relationship between the alignment marks 15a and 15b and the opening 14a is known, the coordinates of the opening 14a on the substrate stage 5 can be accurately detected.

【0030】次に、開口部材10aを発光部16からの
検出光と干渉しない位置に移動させた後に、開口部材1
0aと同様に、開口部材10bのアライメントマーク1
5c、15dのX座標、Y座標をそれぞれ検出する。ア
ライメントマーク15c、15dと開口14bとの位置
関係も既知であるので、開口14bの基板ステージ5に
おける座標を正確に検出することができる。
Next, after the opening member 10a is moved to a position where it does not interfere with the detection light from the light emitting section 16, the opening member 1a is moved.
0a, the alignment mark 1 of the opening member 10b.
The X and Y coordinates of 5c and 15d are detected, respectively. Since the positional relationship between the alignment marks 15c and 15d and the opening 14b is also known, the coordinates of the opening 14b on the substrate stage 5 can be accurately detected.

【0031】そして、得られた開口14a、14bの位
置と、設計上あるべき理想位置とのずれ量を求めて、開
口部材10a、10bの回転補正量、XYシフト補正量
を求める。これらの補正量に基づいて開口部材10a、
10bを駆動機構を用いて位置決めする。
Then, the amount of deviation between the obtained positions of the openings 14a, 14b and the ideal position to be designed is obtained, and the rotation correction amount and the XY shift correction amount of the opening members 10a, 10b are obtained. Based on these correction amounts, the opening members 10a,
10b is positioned using a drive mechanism.

【0032】続いて、制御装置100によりレチクルR
を位置決めする手順について説明する。まず、開口14
a、14b内に検出光の光路が位置するように開口部材
10a、10bを移動させる。次に、レチクルRのレチ
クルマークが上記検出光の光路に概ね位置するようにレ
チクルRを移動させる。そして、開口部材10a、10
bのアライメントマーク15a、15bを検出するとき
と同様に、発光部16から検出光を照射しながら基板ス
テージ5を走査移動することにより、レチクルマークの
X座標、Y座標を検出する。
Subsequently, the reticle R
The procedure for positioning is described. First, the opening 14
The opening members 10a and 10b are moved so that the optical path of the detection light is located in the positions a and b. Next, the reticle R is moved so that the reticle mark of the reticle R is located substantially on the optical path of the detection light. Then, the opening members 10a, 10
Similarly to the case of detecting the alignment marks 15a and 15b of b, the X- and Y-coordinates of the reticle mark are detected by scanning and moving the substrate stage 5 while emitting the detection light from the light emitting unit 16.

【0033】そして、得られたレチクルマークの位置
と、設計上あるべき理想位置とのずれ量を求めて、レチ
クルRの回転補正量、XYシフト補正量、XY倍率オフ
セット量を求める。これらの補正量に基づいてレチクル
Rを位置決めする。かくして、レチクルブラインド10
およびレチクルRが基板ステージ5の座標系で位置決め
される。
Then, a deviation amount between the obtained position of the reticle mark and an ideal position to be designed is obtained, and a rotation correction amount, an XY shift correction amount, and an XY magnification offset amount of the reticle R are obtained. The reticle R is positioned based on these correction amounts. Thus, reticle blind 10
And reticle R is positioned in the coordinate system of substrate stage 5.

【0034】そして、基板ステージ5上に基板Pがセッ
トされてアライメントされると露光処理に入る。レチク
ルRが、レチクルステージRSにアライメントされてセ
ットされると、レチクルブラインド10の開口部材10
a、10bを移動させる。これにより、レチクルRに
は、開口14a、14bに対応する照明領域が設定され
る。また、開口部材10a、10bを移動させると同時
に、開口14a、14bで設定された照明領域に対応す
る位置に基板ステージ5を移動させる。
When the substrate P is set on the substrate stage 5 and aligned, the exposure process starts. When reticle R is set in alignment with reticle stage RS, opening member 10 of reticle blind 10
a and 10b are moved. Thus, an illumination area corresponding to the openings 14a and 14b is set on the reticle R. At the same time as moving the opening members 10a and 10b, the substrate stage 5 is moved to a position corresponding to the illumination area set by the openings 14a and 14b.

【0035】レチクルブラインド10および基板ステー
ジ5が所定位置にセットされると、水銀ランプ2からの
露光光であるビームBが楕円鏡2aで集光され、反射ミ
ラー7aから波長選択フィルタ8に入射する。波長選択
フィルタ8で露光に必要な波長のみが通過したビームB
は、フライアイインテグレータ9で均一な照度分布に調
整された後、ハーフミラー12を通過してレチクルブラ
インド10に到達する。
When the reticle blind 10 and the substrate stage 5 are set at predetermined positions, the beam B, which is exposure light from the mercury lamp 2, is condensed by the elliptical mirror 2a and enters the wavelength selection filter 8 from the reflection mirror 7a. . Beam B that has passed only the wavelength required for exposure by wavelength selection filter 8
Is adjusted to a uniform illuminance distribution by the fly-eye integrator 9 and then reaches the reticle blind 10 through the half mirror 12.

【0036】レチクルブラインド10の開口を通過した
ビームBは、リレーレンズ11に入射する。このリレー
レンズ11によりレチクルブラインド10の開口の像が
反射ミラー7bで反射した後、レチクルRで結像し、上
記開口に対応するレチクルRの照明領域が照明される。
レチクルRの照明領域に存在するパターンの像は、投影
光学系4により基板P上に結像する。これにより、基板
P上にレチクルRのパターンが転写される。なお、開口
部材10a、10bは、レチクルRの共役面に対して微
小距離離間しているが、発光部16の検出光を結像させ
る光学系の焦点深度が上記共役面と開口部材10a、1
0bとの間の距離以上であれば不都合はない。
The beam B having passed through the opening of the reticle blind 10 enters the relay lens 11. After the image of the opening of the reticle blind 10 is reflected by the reflection mirror 7b by the relay lens 11, the image is formed by the reticle R, and the illumination area of the reticle R corresponding to the opening is illuminated.
The image of the pattern existing in the illumination area of the reticle R is formed on the substrate P by the projection optical system 4. Thereby, the pattern of the reticle R is transferred onto the substrate P. Although the aperture members 10a and 10b are separated from the conjugate plane of the reticle R by a small distance, the depth of focus of the optical system that forms the detection light of the light emitting unit 16 is different from the conjugate plane and the aperture members 10a and 1b.
There is no inconvenience as long as the distance is longer than 0b.

【0037】本実施の形態の露光装置では、レチクルブ
ラインド10の開口部材10a、10bに設けられたア
ライメントマーク15a〜15dをマーク検出装置6で
検出することで開口部材10a、10bを位置決めでき
るので、レチクルブラインド10の位置決めの際に基板
Pへの試し露光が必要なくなり、作業の簡便化および試
し露光に伴う基板Pの現像、パターンの読み取りに要す
る時間を削除でき、作業時間の短縮化、安定化を実現す
ることができる。加えて、試し露光に必要な資材、設備
を別途設ける必要もなくなるので、装置の小型化、低価
格化も実現することができる。なお、本実施の形態で
は、制御装置100の制御によりレチクルブラインド1
0の位置決めを行ったが、制御装置100を用いずにマ
ニュアル作業で行ってもよいことは言うまでもない。
In the exposure apparatus of the present embodiment, the opening members 10a and 10b can be positioned by detecting the alignment marks 15a to 15d provided on the opening members 10a and 10b of the reticle blind 10 with the mark detection device 6, The test exposure on the substrate P is not required when positioning the reticle blind 10, so that the operation can be simplified and the time required for developing the substrate P and reading the pattern due to the test exposure can be eliminated, thereby shortening and stabilizing the operation time. Can be realized. In addition, since it is not necessary to separately provide materials and equipment necessary for the test exposure, it is possible to reduce the size and cost of the apparatus. In the present embodiment, reticle blind 1 is controlled by control device 100.
Although the positioning of 0 is performed, it goes without saying that the positioning may be performed manually without using the control device 100.

【0038】また、本実施の形態の露光装置では、マー
ク検出装置6としてレチクルマークを検出するための装
置を用いているので、アライメントマーク15a〜15
dを検出するための装置を別途設ける必要がなく、装置
の一層の小型化、低価格化を実現することができる。
Further, in the exposure apparatus of the present embodiment, since a device for detecting a reticle mark is used as the mark detection device 6, the alignment marks 15a to 15
It is not necessary to separately provide a device for detecting d, and it is possible to further reduce the size and cost of the device.

【0039】さらに、本実施の形態の露光装置では、発
光部16を基板ステージ5に設け、基板ステージ5を移
動させながらアライメントマーク15a〜15dを検出
しているので、投影光学系4のディストーションを含め
て実際に基板Pに投影される状態と近似の状態での補正
量を求めることができ、レチクルRや開口部材10a、
10bの位置決めを高精度に実施することができる。
Further, in the exposure apparatus of the present embodiment, the light emitting section 16 is provided on the substrate stage 5, and the alignment marks 15a to 15d are detected while moving the substrate stage 5, so that the distortion of the projection optical system 4 is reduced. The amount of correction can be obtained in a state similar to the state actually projected on the substrate P, including the reticle R and the opening member 10a.
The positioning of 10b can be performed with high accuracy.

【0040】また、本実施の形態の露光装置では、駆動
機構により移動した開口部材10a、10bの移動量を
検出する移動量検出部を設けることによって、開口14
a、14bの位置修正を自動で行うことが可能になり、
経時変化や熱変形により開口14a、14bの位置が変
化しても適宜位置補正を実施でき、装置精度を維持でき
るという効果も得られる。
Further, in the exposure apparatus of the present embodiment, the movement of the opening members 10a and 10b moved by the drive mechanism is provided, so that the opening 14 is provided.
It is possible to automatically correct the positions of a and 14b,
Even if the positions of the openings 14a and 14b change due to aging or thermal deformation, the position can be appropriately corrected, and the effect of maintaining the accuracy of the apparatus can be obtained.

【0041】なお、上記実施の形態において、発光部1
6から検出光を照射する構成としたが、これに限られ
ず、例えば、水銀ランプ2から照射されるビームBをラ
イトガイド等の光伝搬手段により基板ステージ5に導
き、検出光を水銀ランプからのビームBとする構成であ
ってもよい。この場合、発光部を別途設ける必要がなく
なり、装置の小型化、低価格化に寄与できる。
In the above embodiment, the light emitting section 1
Although the configuration is such that the detection light is irradiated from the mercury lamp 6, the present invention is not limited to this. For example, the beam B irradiated from the mercury lamp 2 is guided to the substrate stage 5 by a light propagation means such as a light guide, and the detection light is transmitted The configuration may be a beam B. In this case, it is not necessary to separately provide a light emitting unit, which can contribute to miniaturization and cost reduction of the device.

【0042】さらに、上記実施の形態において、発光部
16を基板ステージ5に設け、光電子増倍管17をフラ
イアイインテグレータ9とレチクルブラインド10との
間に設ける構成としたが、これに限定されるものではな
く、図5に示すように、発光部を水銀ランプ2とし、光
電子増倍管17を基板ステージ5に設け、検出光として
のビームBを反射ミラー12aを介して光電子増倍管1
7で検出するような構成であってもよい。
Further, in the above embodiment, the light emitting section 16 is provided on the substrate stage 5, and the photomultiplier 17 is provided between the fly-eye integrator 9 and the reticle blind 10. However, the present invention is not limited to this. Instead, as shown in FIG. 5, the light emitting portion is a mercury lamp 2, a photomultiplier tube 17 is provided on the substrate stage 5, and a beam B as detection light is applied to the photomultiplier tube 1 via a reflection mirror 12a.
7 may be used.

【0043】また、上記実施の形態において、アライメ
ントマーク15a〜15d、レチクルマークをスリット
形状の開口パターンとしたが、開口ではなく遮蔽のスリ
ットマークや他の各種形状を採用することができる。
In the above-described embodiment, the alignment marks 15a to 15d and the reticle mark are formed as slit-shaped opening patterns. However, not the openings but the shielding slit marks and other various shapes can be adopted.

【0044】なお、基板Pとしては、液晶ディスプレイ
デバイス用のガラス基板のみならず、半導体デバイス用
の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエ
ハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチク
ルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用され
る。
As the substrate P, not only a glass substrate for a liquid crystal display device, but also a semiconductor wafer for a semiconductor device, a ceramic wafer for a thin-film magnetic head, or an original mask or reticle (synthetic quartz) used in an exposure apparatus. , Silicon wafer) and the like.

【0045】露光装置1としては、レチクルRと基板P
とを静止した状態でレチクルRのパターンを露光し、基
板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピ
ート方式の露光装置(ステッパー)でも、レチクルRと
基板Pとを同期移動してレチクルRのパターンを露光す
るステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装
置(スキャニング・ステッパー)にも適用することがで
きる。
The exposure apparatus 1 includes a reticle R and a substrate P
In a step-and-repeat type exposure apparatus (stepper) that exposes the pattern of the reticle R while the substrate P is stationary and sequentially moves the substrate P stepwise, the pattern of the reticle R is moved synchronously with the reticle R and the substrate P. And a step-and-scan type scanning projection exposure apparatus (scanning stepper).

【0046】露光装置1の種類としては、上記液晶ディ
スプレイデバイス製造用のみならず、半導体製造用の露
光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるい
はレチクルRなどを製造するための露光装置などにも広
く適用できる。
The types of the exposure apparatus 1 include not only the above-described liquid crystal display device manufacturing but also an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor, an exposure apparatus for manufacturing a thin film magnetic head, an imaging device (CCD), a reticle R, and the like. Can be widely applied.

【0047】また、照明光学系3の光源として、水銀ラ
ンプ2から発生する輝線(g線(436nm)、i線
(365nm))、KrFエキシマレーザ(248n
m)、ArFエキシマレーザ(193nm)、F2レー
ザ(157nm)、X線などを用いることができる。ま
た、YAGレーザや半導体レーザ等の高周波などを用い
てもよい。
As the light source of the illumination optical system 3, bright lines (g-line (436 nm), i-line (365 nm)) generated from the mercury lamp 2 and a KrF excimer laser (248n)
m), an ArF excimer laser (193 nm), an F 2 laser (157 nm), X-rays, or the like can be used. Alternatively, a high frequency such as a YAG laser or a semiconductor laser may be used.

【0048】投影光学系4の倍率は、縮小系のみならず
等倍および拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系
4としては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場
合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材
料を用い、F2レーザを用いる場合は反射屈折系または
屈折系の光学系にする。
The magnification of the projection optical system 4 may be not only a reduction system but also an equal magnification or an enlargement system. Further, as the projection optical system 4, when far ultraviolet rays such as an excimer laser are used, a material that transmits far ultraviolet rays such as quartz or fluorite is used as a glass material, and when a F 2 laser is used, a catadioptric or refraction type is used. Use an optical system.

【0049】基板ステージ5やレチクルステージRSに
リニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いた
エア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を
用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ス
テージは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガ
イドを設けないガイドレスタイプであってもよい。
When a linear motor is used for the substrate stage 5 or the reticle stage RS, either an air levitation type using an air bearing or a magnetic levitation type using Lorentz force or reactance force may be used. In addition, each stage may be of a type that moves along a guide, or may be a guideless type in which no guide is provided.

【0050】基板ステージ5の移動により発生する反力
は、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がし
てもよい。レチクルステージRSの移動により発生する
反力は、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃
がしてもよい。
The reaction force generated by the movement of the substrate stage 5 may be mechanically released to the floor (ground) using a frame member. The reaction force generated by the movement of the reticle stage RS may be mechanically released to the floor (ground) using a frame member.

【0051】複数の光学素子から構成される照明光学系
3および投影光学系4をそれぞれ露光装置本体に組み込
んでその光学調整をするとともに、多数の機械部品から
なるレチクルステージRSや基板ステージ5を露光装置
本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整
(電気調整、動作確認等)をすることにより本実施の形
態の露光装置1を製造することができる。なお、露光装
置1の製造は、温度およびクリーン度等が管理されたク
リーンルームで行うことが望ましい。
The illumination optical system 3 and the projection optical system 4 each composed of a plurality of optical elements are respectively incorporated in the exposure apparatus main body to adjust the optical properties, and the reticle stage RS and the substrate stage 5 composed of many mechanical parts are exposed. The exposure apparatus 1 of the present embodiment can be manufactured by attaching wires and pipes to the apparatus main body and performing comprehensive adjustments (electrical adjustment, operation confirmation, and the like). It is desirable that the manufacture of the exposure apparatus 1 be performed in a clean room in which temperature, cleanliness, and the like are controlled.

【0052】液晶ディスプレイデバイスや半導体デバイ
ス等のデバイスは、各デバイスの機能・性能設計を行う
ステップ、この設計ステップに基づいたレチクルRを製
作するステップ、ガラス基板P、ウエハ等を製作するス
テップ、前述した実施の形態の露光装置1によりレチク
ルRのパターンを基板P、ウエハに露光するステップ、
各デバイスを組み立てるステップ、検査ステップ等を経
て製造される。
For a device such as a liquid crystal display device or a semiconductor device, a step of designing the function and performance of each device, a step of manufacturing a reticle R based on the design step, a step of manufacturing a glass substrate P, a wafer, etc. Exposing the pattern of the reticle R to the substrate P and the wafer by the exposure apparatus 1 of the embodiment described above;
It is manufactured through a step of assembling each device, an inspection step, and the like.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係る露
光装置は、ブラインド装置が該ブラインド装置の位置を
示すマークを有しており、検出装置がこのマークを検出
する構成となっている。これにより、この露光装置で
は、作業の簡便化および試し露光に伴って発生する作業
時間を削除でき、作業時間の短縮化、安定化を実現でき
るとともに、試し露光に必要な資材、設備を別途設ける
必要もなくなるので、装置の小型化、低価格化も実現で
きるという効果が得られる。
As described above, in the exposure apparatus according to the first aspect, the blind device has the mark indicating the position of the blind device, and the detecting device detects the mark. . Thus, in this exposure apparatus, it is possible to simplify the work and eliminate the work time generated due to the test exposure, to shorten and stabilize the work time, and to separately provide materials and equipment necessary for the test exposure. Since the necessity is eliminated, the effect that the size and cost of the device can be reduced can be obtained.

【0054】請求項2に係る露光装置は、検出装置が、
検出光を照射する照射部とマークからの検出光を受光す
る受光部とを備える構成となっている。これにより、こ
の露光装置では、照射部が照射した検出光を受光部が受
光することでブラインド装置の位置を検出できるので、
試し露光に伴う作業の簡便化および試し露光に伴って発
生する作業時間を削除でき、作業時間の短縮化、安定化
を実現できるとともに、試し露光に必要な資材、設備を
別途設ける必要もなくなるので、装置の小型化、低価格
化も実現できるという効果が得られる。
According to a second aspect of the present invention, in the exposure apparatus, the detecting device comprises:
It is configured to include an irradiation unit that irradiates the detection light and a light receiving unit that receives the detection light from the mark. Accordingly, in this exposure apparatus, the position of the blind device can be detected by receiving the detection light emitted by the irradiation unit by the light receiving unit.
This simplifies the work involved in the test exposure and eliminates the work time involved in the test exposure, shortening and stabilizing the work time, and eliminating the need for additional materials and equipment required for the test exposure. In addition, it is possible to obtain an effect that the size and cost of the device can be reduced.

【0055】請求項3に係る露光装置は、照射部を基板
ステージに設ける構成となっている。これにより、この
露光装置では、投影光学系のディストーションを含めて
実際に基板に投影される状態と近似の状態での補正量を
求めることができ、マスクやブラインド装置の位置決め
を高精度に実施するできるという効果が得られる。
The exposure apparatus according to claim 3 has a configuration in which the irradiation unit is provided on the substrate stage. Thus, in this exposure apparatus, it is possible to obtain the correction amount in a state similar to the state of being actually projected on the substrate, including the distortion of the projection optical system, and to perform the positioning of the mask and the blind apparatus with high accuracy. The effect that it can be obtained is obtained.

【0056】請求項4に係る露光装置は、基板ステージ
が移動しながら、検出装置がマークを検出する構成とな
っている。これにより、この露光装置では、実際に基板
に投影される状態と一層近似の状態での補正量を求める
ことができ、マスクやブラインド装置の位置決めを高精
度に実施するできるという効果が得られる。
The exposure apparatus according to claim 4 has a configuration in which the detection device detects a mark while the substrate stage moves. As a result, in this exposure apparatus, it is possible to obtain the correction amount in a state closer to the state actually projected on the substrate, and it is possible to obtain the effect that the positioning of the mask and the blind apparatus can be performed with high accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態を示す図であって、マー
ク検出装置を備えた露光装置の概略構成図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating an embodiment of the present invention, and is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus including a mark detection device.

【図2】 同露光装置を構成するレチクルブラインドの
開口部材を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing an opening member of a reticle blind constituting the exposure apparatus.

【図3】 同開口部材に形成されたアライメントマーク
の平面図である。
FIG. 3 is a plan view of an alignment mark formed on the opening member.

【図4】 本発明の実施の形態を示す図であって、発光
部の走査方向の位置と光電子増倍管で検出する信号レベ
ルとの関係図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating an embodiment of the present invention, and is a diagram illustrating a relationship between a position of a light emitting unit in a scanning direction and a signal level detected by a photomultiplier tube.

【図5】 本発明の別の実施の形態を示す図であって、
光電子増倍管が基板ステージに設けられた露光装置の概
略構成図である。
FIG. 5 is a view showing another embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus in which a photomultiplier is provided on a substrate stage.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

P 基板 R レチクル(マスク) 1 露光装置 5 基板ステージ 6 マーク検出装置(検出装置) 10 レチクルブラインド(ブラインド装置) 15a、15b、15c、15d アライメントマーク
(マーク) 16 発光部(照射部) 17 光電子増倍管(受光部)
P Substrate R Reticle (mask) 1 Exposure device 5 Substrate stage 6 Mark detection device (detection device) 10 Reticle blind (blind device) 15a, 15b, 15c, 15d Alignment mark (mark) 16 Light emitting unit (irradiating unit) 17 Photoelectron increase Doubler (light receiving part)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パターンを有したマスクの照明領域を規
定するブラインド装置を備え、前記照明領域を透過した
パターン像を基板に露光する露光装置において、 前記ブラインド装置は、該ブラインド装置の位置を示す
マークを有しており、前記ブラインド装置に設けられた
マークを検出する検出装置を備えたことを特徴とする露
光装置。
1. An exposure apparatus, comprising: a blind device for defining an illumination area of a mask having a pattern; and exposing a pattern image transmitted through the illumination area to a substrate, wherein the blind apparatus indicates a position of the blind apparatus. An exposure apparatus having a mark, and comprising a detection device for detecting the mark provided on the blind device.
【請求項2】 前記検出装置は、前記マークを検出する
検出光を照射する照射部と、前記マークからの前記検出
光を受光する受光部とを備えたことを特徴とする請求項
1記載の露光装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the detection device includes an irradiation unit that irradiates detection light for detecting the mark, and a light receiving unit that receives the detection light from the mark. Exposure equipment.
【請求項3】 前記基板を保持して移動する基板ステー
ジを備え、前記照射部を前記基板ステージに設けたこと
を特徴とする請求項2記載の露光装置。
3. The exposure apparatus according to claim 2, further comprising a substrate stage that holds and moves the substrate, and wherein the irradiation unit is provided on the substrate stage.
【請求項4】 前記検出装置は、前記基板ステージを移
動しながら前記マークを検出することを特徴とする請求
項3記載の露光装置。
4. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the detection device detects the mark while moving the substrate stage.
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