JP3316710B2 - Exposure equipment - Google Patents

Exposure equipment

Info

Publication number
JP3316710B2
JP3316710B2 JP34561993A JP34561993A JP3316710B2 JP 3316710 B2 JP3316710 B2 JP 3316710B2 JP 34561993 A JP34561993 A JP 34561993A JP 34561993 A JP34561993 A JP 34561993A JP 3316710 B2 JP3316710 B2 JP 3316710B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
projection optical
substrate
optical system
exposure
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP34561993A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH07183204A (en
Inventor
雅人 熊澤
欣也 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP34561993A priority Critical patent/JP3316710B2/en
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to KR1019940015475A priority patent/KR100319216B1/en
Priority to US08/453,538 priority patent/US5729331A/en
Publication of JPH07183204A publication Critical patent/JPH07183204A/en
Priority to US08/587,346 priority patent/US6157497A/en
Priority to US09/173,530 priority patent/US6351305B1/en
Priority to US09/722,278 priority patent/US6480262B1/en
Priority to US09/722,515 priority patent/US6509954B1/en
Priority to US09/722,516 priority patent/US6556278B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3316710B2 publication Critical patent/JP3316710B2/en
Priority to US10/382,874 priority patent/US6795169B2/en
Priority to US10/920,294 priority patent/US7023527B2/en
Priority to US11/101,553 priority patent/US7088425B2/en
Priority to US11/471,658 priority patent/US7372543B2/en
Priority to US11/797,605 priority patent/US7372544B2/en
Priority to US12/078,863 priority patent/US7956984B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70275Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は露光装置に関し、特に投
影光学系に対して第1の基板と第2の基板とを相対的に
移動させて投影露光を行う走査型の投影露光装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus, and more particularly to a scanning projection exposure apparatus which performs projection exposure by moving a first substrate and a second substrate relative to a projection optical system.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ワープロ、パソコン、テレビ等の
表示素子として、液晶表示パネルが多用されるようにな
った。液晶表示パネルは、ガラス基板上に透明薄膜電極
をフォトリソグラフィの手法で所望の形状にパターンニ
ングして作られる。このリソグラフィのための装置とし
て、マスク上に形成された原画パターンを投影光学系を
介してガラス基板上のフォトレジスト層に露光するミラ
ープロジェクションタイプのアライナーが使われてい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display panels have been frequently used as display elements for word processors, personal computers, televisions, and the like. A liquid crystal display panel is manufactured by patterning a transparent thin-film electrode on a glass substrate into a desired shape by a photolithography technique. As an apparatus for the lithography, a mirror projection type aligner that exposes an original pattern formed on a mask to a photoresist layer on a glass substrate via a projection optical system is used.

【0003】図8は、従来のミラープロジェクションタ
イプのアライナーの構成を示す図であって、(a)はア
ライナーの全体構成を示す斜視図であり、(b)はアラ
イナーの投影光学系の構成を示すレンズ断面図である。
図8(a)において、図示を省略した照明光学系により
マスク71cが円弧状の照野72aにおいて照明され
る。この照野72aからの光は、図8(b)に示すよう
に、台形ミラー73の第1の反射面73aにおいてその
光路が90°偏向され、凹面鏡74および凸面鏡75を
介して、再び凹面鏡74で反射される。凹面鏡74で反
射された光は、台形ミラーの第2の反射面73bにおい
てその光路が90°偏向される。こうして、プレート7
6上には、マスク71cの像すなわち照野72aの像7
2bが形成される。
FIG. 8 is a view showing the structure of a conventional mirror projection type aligner. FIG. 8A is a perspective view showing the entire structure of the aligner, and FIG. 8B is a view showing the structure of a projection optical system of the aligner. It is a lens sectional view shown.
In FIG. 8A, the mask 71c is illuminated in an arcuate illumination field 72a by an illumination optical system (not shown). As shown in FIG. 8 (b), the light path of the light from the illumination field 72a is deflected by 90 ° at the first reflection surface 73a of the trapezoidal mirror 73, and is again transmitted through the concave mirror 74 and the convex mirror 75 to the concave mirror 74. Is reflected by The light path of the light reflected by the concave mirror 74 is deflected by 90 ° at the second reflection surface 73b of the trapezoidal mirror. Thus, plate 7
6, an image of the mask 71 c, that is, an image 7 of the illumination field 72 a
2b is formed.

【0004】図示のアライナーでは、プレート76とマ
スク71cとを図中X方向に移動させながらいわゆる走
査露光を行い、マスク71c上の回路パターンをプレー
ト76の所定領域に転写する。最近、液晶表示パネルの
大型化が望まれている。この大型化の要求に伴い、上述
のようなアライナーにおいても、露光領域の拡大が望ま
れている。
In the illustrated aligner, so-called scanning exposure is performed while moving the plate 76 and the mask 71c in the X direction in the figure, and the circuit pattern on the mask 71c is transferred to a predetermined area of the plate 76. Recently, it has been desired to increase the size of a liquid crystal display panel. Along with the demand for the enlargement, it is desired to enlarge the exposure area even in the aligner as described above.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の露光装
置では、露光領域を拡大するために、露光領域を分割し
て露光していた。具体的には、図8(a)に示すよう
に、プレート76上の露光領域を76a乃至76dの4
つの領域に分割し、マスク71aと領域76aとを走査
露光し、領域76aにマスク71aの回路パターンを転
写する。次いで、マスク71aとマスク71bとを交換
するとともに、投影光学系の露光領域と領域76bとが
重なるように、プレート76を図中XY平面内でステッ
プ的に移動させる。そして、マスク71bと領域76b
とを走査露光して、マスク71bの回路パターンを領域
76b上に転写する。以下、マスク71cおよび71d
ならびに領域76cおよび76dについて同様の工程を
繰り返し、マスク71cおよび71dの回路パターンを
それぞれ領域76cおよび76dに転写していた。
In the conventional exposure apparatus described above, the exposure area is divided and exposed in order to enlarge the exposure area. Specifically, as shown in FIG. 8A, the exposure area on the plate 76 is divided into four exposure areas 76a to 76d.
The mask 71a and the region 76a are scanned and exposed, and the circuit pattern of the mask 71a is transferred to the region 76a. Next, the mask 71a and the mask 71b are exchanged, and the plate 76 is moved stepwise in the XY plane in the drawing so that the exposure area of the projection optical system and the area 76b overlap. Then, the mask 71b and the region 76b
Are scanned and exposed to transfer the circuit pattern of the mask 71b onto the region 76b. Hereinafter, masks 71c and 71d
The same process was repeated for the regions 76c and 76d, and the circuit patterns of the masks 71c and 71d were transferred to the regions 76c and 76d, respectively.

【0006】このように、露光領域を分割して露光する
場合、1つの露光領域に対して複数回の走査露光を行う
ためスループット(単位時間当たりの露光基板量)が低
い。さらに、分割露光の場合には、隣接する露光領域と
の間に継ぎ目が発生するのでその継ぎ精度を高める必要
がある。このため、投影光学系の倍率誤差を0に近づけ
る必要があるとともに、アライメント精度の大幅な向上
が要求され、装置のコスト高を招くという不都合があっ
た。
As described above, when exposing an exposure area, exposure is performed a plurality of times for one exposure area, so that the throughput (the amount of exposed substrate per unit time) is low. Further, in the case of the division exposure, a joint is generated between the adjacent exposure areas, and therefore, it is necessary to increase the joint accuracy. For this reason, the magnification error of the projection optical system needs to be close to 0, and a great improvement in alignment accuracy is required, resulting in a disadvantage that the cost of the apparatus is increased.

【0007】一方、分割露光することなく大きな1つの
露光領域を一括して走査露光するために、投影光学系の
大型化を図ることが考えられる。しかしながら、投影光
学系の大型化を図るためには、大型の光学素子を非常に
高精度に製作する必要があり、その結果製作コストの増
大および装置の大型化を招く。また、投影光学系の大型
化により収差の増大すなわち結像性能の低下を招くとい
う不都合があった。本発明は、前述の課題に鑑みてなさ
れたものであり、スループットを低下させることなく良
好な結像性能をもって、大きな露光領域を一括して走査
露光することのできる露光装置を提供することを目的と
する。
On the other hand, it is conceivable to increase the size of the projection optical system in order to collectively scan and expose one large exposure area without performing division exposure. However, in order to increase the size of the projection optical system, it is necessary to manufacture a large-sized optical element with extremely high precision, which results in an increase in manufacturing cost and an increase in the size of the apparatus. In addition, there is a disadvantage that an increase in the size of the projection optical system causes an increase in aberration, that is, a reduction in imaging performance. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide an exposure apparatus capable of collectively scanning and exposing a large exposure area with good imaging performance without reducing throughput. And

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明においては、投影光学系に対して第1の基板
および第2の基板を相対的に移動させて前記第1の基板
上に形成されたパターンを前記投影光学系を介して前記
第2の基板上に投影露光する露光装置において、前記投
影光学系は、前記第1の基板に形成されたパターンの等
倍正立像を前記第2の基板上に形成する、少なくとも像
側がテレセントリックな複数の投影光学ユニットからな
り、前記複数の投影光学ユニットの各々を介して前記第
2の基板上に形成された複数の露光領域の前記移動方向
に沿った長さの総和が前記移動方向と直交する方向に亘
り実質的に一定になるように制御するための制御手段と
を備えていることを特徴とする露光装置を提供する。
In order to solve the above-mentioned problems, according to the present invention, a first substrate and a second substrate are relatively moved with respect to a projection optical system, and the first substrate and the second substrate are moved on the first substrate. An exposure apparatus for projecting and exposing the pattern formed on the second substrate via the projection optical system, wherein the projection optical system forms an equal-size erect image of the pattern formed on the first substrate. The movement of a plurality of exposure regions formed on the second substrate via the plurality of projection optical units, each of which includes a plurality of projection optical units at least on the image side formed on the second substrate and which is telecentric on the image side. An exposure apparatus is provided, comprising: control means for controlling the total length along the direction to be substantially constant in a direction orthogonal to the moving direction.

【0009】本発明の好ましい態様によれば、前記投影
光学ユニットは、少なくとも1つの凹面鏡と、少なくと
も1つの凸面鏡とを備えたオフナー型光学系である。ま
た、前記投影光学ユニットは、前記第1の基板上に形成
されたパターンの中間像を形成する第1の部分光学系
と、前記中間像を前記第2の基板上に再結像させる第2
の部分光学系とを備えているのが好ましい。
According to a preferred aspect of the present invention, the projection optical unit is an Offner-type optical system including at least one concave mirror and at least one convex mirror. The projection optical unit may further include a first partial optical system that forms an intermediate image of the pattern formed on the first substrate, and a second partial optical system that re-images the intermediate image on the second substrate.
It is preferable to provide a partial optical system.

【0010】[0010]

【作用】以上のように、本発明では、走査型の露光装置
において、第1の基板であるマスクに形成された回路パ
ターンの等倍正立像(左右上下の横倍率が正となる像)
を複数の投影光学ユニットからなる投影光学系を介して
第2の基板であるプレート上に投影露光する。なお、複
数の投影光学ユニットの各々を介してプレート上に形成
される複数の露光領域は、走査方向に沿った長さの総和
が走査直交方向に亘り一定になるように、すなわちプレ
ート全面に亘り露光光量が一定になるように構成されて
いる。このように、走査方向に沿った露光領域の幅の総
和が走査直交方向に一定になるように複数の投影光学ユ
ニットが配列されているので、個々の投影光学ユニット
が小型でその露光領域が小さくても、1回の走査露光に
より全体として1つの大きな露光領域を得ることができ
る。
As described above, according to the present invention, in a scanning type exposure apparatus, an equal-size erect image of a circuit pattern formed on a mask serving as a first substrate (an image in which the right, left, up, down, and lateral magnifications are positive).
Is projected onto a plate as a second substrate through a projection optical system including a plurality of projection optical units. The plurality of exposure regions formed on the plate via each of the plurality of projection optical units are such that the sum of the lengths in the scanning direction is constant in the scanning orthogonal direction, that is, over the entire surface of the plate. The exposure light quantity is configured to be constant. As described above, since the plurality of projection optical units are arranged so that the total sum of the widths of the exposure regions along the scanning direction is constant in the scanning orthogonal direction, each projection optical unit is small and the exposure region is small. However, one large exposure area can be obtained as a whole by one scanning exposure.

【0011】また、個々の投影光学ユニットが小型であ
るため、収差の発生を最小限に抑え良好な結像性能をも
って走査露光をすることができる。各投影光学ユニット
が2つの部分光学系からなり、第1の部分光学系を介し
てマスクパターンの中間像が形成される位置に配置され
た視野絞りの開口部形状によってプレート上に形成され
る各露光領域を規定する場合、開口部の端部は三角形状
を有し、隣接する開口部の三角形端部と走査方向に重複
するのがよい。また、部分光学系がオフナー型光学系の
場合には、開口部の両端部を除く中央開口部は、2つの
円弧によってあるいは2つの折れ線によって規定されて
いるのが好ましい。
In addition, since each projection optical unit is small, it is possible to minimize the occurrence of aberration and perform scanning exposure with good imaging performance. Each projection optical unit is composed of two partial optical systems, each of which is formed on a plate by an aperture shape of a field stop arranged at a position where an intermediate image of a mask pattern is formed via a first partial optical system. When defining the exposure area, the end of the opening has a triangular shape, and preferably overlaps the triangular end of the adjacent opening in the scanning direction. When the partial optical system is an Offner-type optical system, it is preferable that the central opening except for both ends of the opening is defined by two arcs or two broken lines.

【0012】[0012]

【実施例】本発明の実施例を、添付図面に基づいて説明
する。図1は、本発明の実施例にかかる露光装置の構成
を示す斜視図である。また、図2は、図1の露光装置の
投影光学系の構成を示す図である。図1では、所定の回
路パターンが形成されたマスク8とレジストが塗布され
たガラス基板からなるプレート9とが一体的に搬送され
る方向(走査方向)をX軸とし、マスク8の平面内でX
軸と直交する方向をY軸とし、マスク8の法線方向をZ
軸としている。
An embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view illustrating a configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a projection optical system of the exposure apparatus of FIG. In FIG. 1, the direction (scanning direction) in which the mask 8 on which a predetermined circuit pattern is formed and the plate 9 made of a glass substrate coated with a resist are integrally conveyed is defined as the X axis, and within the plane of the mask 8. X
The direction perpendicular to the axis is the Y axis, and the normal direction of the mask 8 is Z
Axis.

【0013】図1において、本実施例の露光装置は、図
中XY平面内のマスク8を均一に照明するための照明光
学系10を備えている。マスク8の下方には、複数の投
影光学ユニット2a乃至2gからなる投影光学系が配設
されている。各投影光学ユニットはそれぞれ同じ構成を
有する。投影光学系のさらに下方には、プレート9がX
Y平面とほぼ平行になるようにステージ上に載置されて
いる。なお、走査露光中、マスク8とプレート9とは図
中矢印方向(X0方向)に一体的に移動される。
In FIG. 1, the exposure apparatus of the present embodiment includes an illumination optical system 10 for uniformly illuminating a mask 8 in an XY plane in the figure. Below the mask 8, a projection optical system including a plurality of projection optical units 2a to 2g is provided. Each projection optical unit has the same configuration. Further below the projection optical system, a plate 9
It is mounted on a stage so as to be substantially parallel to the Y plane. During the scanning exposure, the mask 8 and the plate 9 are moved integrally in the direction of the arrow (X0 direction) in the figure.

【0014】図2は、各投影光学ユニットの構成を概略
的に示す図である。図示の投影光学ユニットは、第1の
部分光学系(21〜23)と、視野絞り24と、第2の
部分光学系(25〜27)とから構成されている。第1
部分光学系(21〜23)および第2部分光学系(25
〜27)は、それぞれオフナー型の光学系であって、同
じ構成を有する。
FIG. 2 is a diagram schematically showing the configuration of each projection optical unit. The illustrated projection optical unit includes a first partial optical system (21 to 23), a field stop 24, and a second partial optical system (25 to 27). First
The partial optical system (21 to 23) and the second partial optical system (25
To 27) are Offner-type optical systems, each having the same configuration.

【0015】第1の部分光学系は、マスク8からの光を
X軸方向(図中右側)に偏向する第1の反射面21aを
有する等脚台形プリズム21と、等脚台形プリズム21
の第1の反射面21aで反射された光を図中左方向に反
射する凹面鏡22と、凹面鏡22の光軸と同軸に凹面鏡
22と対向するように配置された凸面鏡23とからな
る。上述したように、第1の部分光学系と第2の部分光
学系とは全く同じ構成を有する。図2において、第2の
部分光学系の構成要素には第1の部分光学系の構成要素
と異なる符号が付されているが、第2の部分光学系の構
成について重複する説明を省略する。
The first partial optical system includes an isosceles trapezoidal prism 21 having a first reflection surface 21a for deflecting light from the mask 8 in the X-axis direction (right side in the figure), and an isosceles trapezoidal prism 21
A concave mirror 22 for reflecting the light reflected by the first reflecting surface 21a in the left direction in the figure, and a convex mirror 23 arranged coaxially with the optical axis of the concave mirror 22 to face the concave mirror 22. As described above, the first partial optical system and the second partial optical system have exactly the same configuration. In FIG. 2, the components of the second partial optical system are denoted by the same reference numerals as those of the first partial optical system, but redundant description of the configuration of the second partial optical system is omitted.

【0016】マスク8を透過した照明光は、等脚台形プ
リズム21の第1の反射面21aで図中右側に偏向さ
れ、凹面鏡22に入射する。凹面鏡22で図中左方向に
反射された光は、凸面鏡23で図中右側に反射され、再
び凹面鏡22に入射する。再び凹面鏡22で図中左方向
に反射された光は、等脚台形プリズム21の第2の反射
面21bで図中下方に偏向され、第1の部分光学系と第
2の部分光学系との間にマスク8のパターンの一次像が
形成される。このように、第1の部分光学系(21〜2
3)によって形成された一次像は、X方向の横倍率が正
でY方向の横倍率が負のマスク8の等倍像である。な
お、一次像が形成される位置には視野絞り24が配置さ
れている。
The illumination light transmitted through the mask 8 is deflected rightward in FIG. 1 by a first reflection surface 21 a of a trapezoidal prism 21 and is incident on a concave mirror 22. The light reflected by the concave mirror 22 to the left in the figure is reflected by the convex mirror 23 to the right in the figure, and again enters the concave mirror 22. The light reflected again to the left in the figure by the concave mirror 22 is deflected downward in the figure by the second reflection surface 21b of the isosceles trapezoidal prism 21, and is deflected by the first partial optical system and the second partial optical system. A primary image of the pattern of the mask 8 is formed therebetween. Thus, the first partial optical system (21 to 2)
The primary image formed by 3) is an equal-magnification image of the mask 8 having a positive lateral magnification in the X direction and a negative lateral magnification in the Y direction. Note that a field stop 24 is disposed at a position where the primary image is formed.

【0017】視野絞り24を介した一次像からの光は、
等脚台形プリズム25の第1の反射面25aで図中右側
に偏向され、凹面鏡26に入射する。凹面鏡26で図中
左方向に反射された光は、凸面鏡27で図中右側に反射
され、再び凹面鏡26に入射する。再び凹面鏡26で図
中左方向に反射された光は、等脚台形プリズム25の第
2の反射面25bで図中下方に偏向され、プレート9上
にはマスク8のパターンの二次像が形成される。
The light from the primary image through the field stop 24 is
The light is deflected rightward in the figure by the first reflection surface 25 a of the trapezoidal prism 25, and enters the concave mirror 26. The light reflected by the concave mirror 26 in the left direction in the figure is reflected by the convex mirror 27 to the right in the figure, and enters the concave mirror 26 again. The light reflected again to the left in the figure by the concave mirror 26 is deflected downward in the figure by the second reflecting surface 25b of the isosceles trapezoidal prism 25, and a secondary image of the pattern of the mask 8 is formed on the plate 9. Is done.

【0018】上述したように、第1の部分光学系と第2
の部分光学系とは全く同じ構成を有し、第2の部分光学
系はX方向の横倍率が正でY方向の横倍率が負の一次像
の等倍像を形成する。したがって、第1および第2の部
分光学系を介してプレート9上に形成される二次像は、
マスク8の等倍正立像(X方向およびY方向の横倍率が
ともに正の像)となる。ここで、第1および第2のオフ
ナー型部分光学系からなる投影光学ユニットは、両側
(物体側および像側の双方)テレセントリック光学系で
ある。なお、図2の投影光学ユニットでは、第1の部分
光学系の凹面鏡22と第2の部分光学系の凹面鏡26と
がともに図中左側を向くように構成されており、これに
よって投影光学ユニットの小型化ひいては投影光学系の
小型化を図ることができる。
As described above, the first partial optical system and the second
The second partial optical system forms an equal-magnification image of a primary image having a positive lateral magnification in the X direction and a negative lateral magnification in the Y direction. Therefore, the secondary image formed on the plate 9 via the first and second partial optical systems is:
An equal-size erect image of the mask 8 (an image having a positive lateral magnification in both the X and Y directions). Here, the projection optical unit composed of the first and second Offner-type partial optical systems is a telecentric optical system on both sides (both on the object side and on the image side). In the projection optical unit shown in FIG. 2, the concave mirror 22 of the first partial optical system and the concave mirror 26 of the second partial optical system are both configured to face the left side in the figure, whereby the projection optical unit Thus, the size of the projection optical system can be reduced.

【0019】図3は、視野絞りの開口部の形状の第1の
例を示す図であって、(a)は視野絞りに形成された開
口部を、(b)は開口部の形状と最大視野領域との関係
を示している。図3(b)において破線で示すように、
オフナー型光学系では収差が十分小さい領域として規定
される最大視野領域はほぼ半円環状となる。したがっ
て、視野絞り24に形成される開口部24Aの形状は上
記半円環状の最大視野領域内において規定される。
FIGS. 3A and 3B are diagrams showing a first example of the shape of the aperture of the field stop. FIG. 3A shows the aperture formed in the field stop, and FIG. The relationship with the visual field region is shown. As shown by the broken line in FIG.
In the Offner-type optical system, the maximum visual field region defined as a region where the aberration is sufficiently small is substantially semicircular. Therefore, the shape of the opening 24A formed in the field stop 24 is defined in the semi-annular maximum viewing area.

【0020】図3(b)において、開口部24Aの走査
方向と直交する方向(図中左右方向に対応)の幅は24
Mで示されており、そのうち幅が24Lで2つの円弧2
4cおよび24dによって規定された中央開口部分24
aにおいては、その走査方向(図中上下方向に対応)の
幅が一定(24W)になるように構成されている。な
お、走査速度を最大限に向上させるために、中央開口部
分24aの走査方向の幅24Wは、最大視野領域に対し
て最大になるように選定するのが好ましい。一方、幅2
4Lの中央開口部分24a以外の両端開口部分24b
(図中、破線部分)では、その走査方向の幅が端部に向
かって線形的に減少するように三角形状に構成されてい
る。
In FIG. 3B, the width of the opening 24A in the direction orthogonal to the scanning direction (corresponding to the horizontal direction in the figure) is 24.
M, of which two arcs 2 are 24L wide and
Central opening 24 defined by 4c and 24d
In a, the width in the scanning direction (corresponding to the vertical direction in the figure) is configured to be constant (24 W). In order to maximize the scanning speed, the width 24W of the central opening 24a in the scanning direction is preferably selected so as to be maximum with respect to the maximum visual field area. Meanwhile, width 2
Opening portions 24b at both ends other than the 4L central opening portion 24a
(Indicated by a broken line in the drawing) is formed in a triangular shape so that the width in the scanning direction decreases linearly toward the end.

【0021】図4は、視野絞りの開口部の形状の第2の
例を示す図であって、(a)は視野絞りに形成された開
口部を、(b)は開口部の形状と最大視野領域との関係
を示している。図4(b)において、開口部24Bの走
査方向と直交する方向(図中左右方向に対応)の幅は2
4Mで示されており、そのうち幅が24Lで2つの折れ
線24cおよび24dによって規定されたの中央開口部
分24aにおいては、その走査方向(図中上下方向に対
応)の幅が一定(24W)になるように構成されてい
る。なお、走査速度を最大限に向上させるために、中央
開口部分24aの走査方向の幅24Wは、最大視野領域
に対して最大になるように選定するのが好ましい。
FIGS. 4A and 4B are diagrams showing a second example of the shape of the aperture of the field stop. FIG. 4A shows the aperture formed in the field stop, and FIG. The relationship with the visual field region is shown. In FIG. 4B, the width in a direction orthogonal to the scanning direction of the opening 24B (corresponding to the horizontal direction in the figure) is 2
4M, of which the width is 24L, and the width of the central opening 24a defined by the two polygonal lines 24c and 24d is constant (24W) in the scanning direction (corresponding to the vertical direction in the figure). It is configured as follows. In order to maximize the scanning speed, the width 24W of the central opening 24a in the scanning direction is preferably selected so as to be maximum with respect to the maximum visual field area.

【0022】一方、幅24Lの中央開口部分24a以外
の両端開口部分24b(図中、破線部分)では、その走
査方向の幅が端部に向かって線形的に減少するように三
角形状に構成されている。このように、図3に示す視野
絞りの開口部ではその中央開口部分が2つの円弧で規定
されているのに対し、図4に示す視野絞りの開口部では
その中央開口部分が2つの折れ線で規定されている点が
基本的に相違する。
On the other hand, the opening portions 24b at both ends (broken portions in the drawing) other than the central opening portion 24a having a width 24L are formed in a triangular shape so that the width in the scanning direction decreases linearly toward the end. ing. Thus, in the opening of the field stop shown in FIG. 3, the center opening is defined by two arcs, whereas in the opening of the field stop shown in FIG. 4, the center opening is formed by two broken lines. The specified point is basically different.

【0023】図1において、投影光学ユニット2a乃至
2gにそれぞれ配置された視野絞りにより、マスク8上
において視野領域8a乃至8gが規定される。これらの
視野領域8a乃至8gの像は、投影光学系を介してプレ
ート9上の露光領域9a乃至9gにおいて等倍正立像と
して形成される。ここで、投影光学ユニット2a乃至2
dは、対応する視野領域8a乃至8dが図中Y方向すな
わち走査直交方向に沿って直線状に並ぶように配設され
ている。一方、投影光学ユニット2e乃至2gは、対応
する視野領域8e乃至8gがY方向に沿って視野領域8
a乃至8dとは異なる直線状に並ぶように配設されてい
る。
In FIG. 1, field areas 8a to 8g are defined on the mask 8 by field stops arranged in the projection optical units 2a to 2g, respectively. These images in the visual field regions 8a to 8g are formed as equal-size erect images in the exposure regions 9a to 9g on the plate 9 via the projection optical system. Here, the projection optical units 2a to 2a
“d” is arranged such that the corresponding visual field regions 8 a to 8 d are linearly arranged in the Y direction, that is, the scanning orthogonal direction in the drawing. On the other hand, the projection optical units 2e to 2g have the corresponding visual field regions 8e to 8g in the Y direction.
They are arranged so as to be arranged in a straight line different from a to 8d.

【0024】なお、投影光学ユニット2a乃至2dの光
軸および投影光学ユニット2e乃至2gの光軸はともに
X軸に平行で、且つ投影光学ユニット2a乃至2dの等
脚台形プリズムと投影光学ユニット2e乃至2gの等脚
台形プリズムとが近接するように、すなわち第1群の投
影光学ユニット2a乃至2dと第2群の投影光学ユニッ
ト2e乃至2gとが対向するように構成されている。さ
らに、Y方向に沿って投影光学ユニット2a、2e、2
b、2f、2c、2g、2dの順に第1群と第2群とが
交互に配設されている。
The optical axes of the projection optical units 2a to 2d and the optical axes of the projection optical units 2e to 2g are both parallel to the X-axis, and the isosceles trapezoidal prisms of the projection optical units 2a to 2d and the projection optical units 2e to 2d. The projection optical units 2a to 2d of the first group are opposed to the projection optical units 2e to 2g of the second group so that the 2g isosceles trapezoidal prisms are close to each other. Further, along the Y direction, the projection optical units 2a, 2e, 2
The first group and the second group are arranged alternately in the order of b, 2f, 2c, 2g, and 2d.

【0025】視野領域8a乃至8dと視野領域8e乃至
8gとのX方向間隔を広げるように第1群の投影光学ユ
ニット2a乃至2dと第2群の投影光学ユニット2e乃
至2gとを同じ向き配列してもよい。しかしながら、こ
の場合、走査露光を行うための走査量(マスク8および
プレート9のX方向移動量)が増大して、スループット
が低下するので好ましくない。
The first group of projection optical units 2a to 2d and the second group of projection optical units 2e to 2g are arranged in the same direction so as to widen the X-direction interval between the field regions 8a to 8d and the field regions 8e to 8g. You may. However, in this case, the amount of scanning (the amount of movement of the mask 8 and the plate 9 in the X direction) for performing the scanning exposure is increased, and the throughput is undesirably reduced.

【0026】なお、マスク8上の視野領域8a乃至8g
は、それぞれ対応する投影光学ユニット内の視野絞りの
開口部によって規定される。したがって、照明光学系1
0には、視野領域8a乃至8gを厳密に規定するための
光学系を設ける必要がない。このように、プレート9上
には、投影光学ユニット8a乃至8dを介して露光領域
9a乃至9dがY方向に沿って直線状に形成され、投影
光学ユニット8e乃至8gを介して露光領域9e乃至9
gがY方向に沿って直線状に形成される。これらの露光
領域9a乃至9gは、マスク8上の視野領域8a乃至8
gの等倍正立像である。
The visual field regions 8a to 8g on the mask 8
Are defined by the apertures of the field stops in the respective projection optical units. Therefore, the illumination optical system 1
For 0, it is not necessary to provide an optical system for strictly defining the visual field regions 8a to 8g. In this manner, on the plate 9, the exposure regions 9a to 9d are formed linearly along the Y direction via the projection optical units 8a to 8d, and are exposed via the projection optical units 8e to 8g.
g is formed linearly along the Y direction. These exposure regions 9a to 9g are provided on the mask 8 as viewing regions 8a to 8g.
It is an erect image at the same magnification of g.

【0027】図5は、マスク上での視野絞りの配置を示
す図であって、投影光学ユニット2a乃至2gによって
規定される視野領域8a乃至8gとマスク8との平面的
な位置関係を示している。図5において、マスク8には
矩形状の回路パターンPAが形成されており、この回路
パターンPAを包囲するように遮光部LSAが設けられ
ている。照明光学系10は、少なくとも図中破線で囲ま
れた照明領域111a乃至111gをほぼ均一な照度で
照明する。
FIG. 5 is a view showing the arrangement of the field stop on the mask, and shows the planar positional relationship between the mask 8 and the field areas 8a to 8g defined by the projection optical units 2a to 2g. I have. In FIG. 5, a rectangular circuit pattern PA is formed on the mask 8, and a light-shielding portion LSA is provided so as to surround the circuit pattern PA. The illumination optical system 10 illuminates at least illumination regions 111a to 111g surrounded by broken lines in the drawing with substantially uniform illuminance.

【0028】この照明領域111a乃至111g内に
は、それぞれ対応する投影光学ユニット2a乃至2gの
視野絞りによって図中斜線部で示すように三日月状に規
定された視野領域8a乃至8gが納まるようになってい
る。ここで、視野領域8a乃至8dの凸側と視野領域8
e乃至8gの凸側とが対向するように配置され、さらに
各視野領域の三角形状端部とこれに隣接する視野領域の
対応する三角形状端部とがX方向(走査方向)に重複す
るようになっている。
In the illumination regions 111a to 111g, the field regions 8a to 8g defined in a crescent shape as shown by oblique lines in the drawing are accommodated by the field stops of the corresponding projection optical units 2a to 2g. ing. Here, the convex sides of the viewing areas 8a to 8d and the viewing area 8
e to 8g are arranged so that the convex sides thereof are opposed to each other, and the triangular end of each viewing area and the corresponding triangular end of the adjacent viewing area overlap in the X direction (scanning direction). It has become.

【0029】このように、第1群の視野領域8a乃至8
dと第2群の視野領域8e乃至8gとをY方向に交互に
配置するのは、各投影光学ユニットが両側テレセントリ
ック光学系であるため、XY平面において投影光学ユニ
ット2a乃至2gが占める領域がそれぞれ対応する視野
領域8a乃至8gより大きくなってしまうからである。
すなわち、直線状に配列した投影光学ユニット2a乃至
2dの視野絞りによって規定される視野領域8a乃至8
dでは、各領域の間でY方向に間隔が発生する。その結
果、投影光学ユニット2a乃至2dだけではプレート9
上においてY方向に連続した露光領域を確保することが
できなくなってしまう。そこで、投影光学ユニット2e
乃至2gを付設して、対応する視野領域8e乃至8gで
視野領域8a乃至8dのY方向間隔を補完して、Y方向
に連続した露光領域を確保している。
As described above, the first group of visual field areas 8a to 8a
The reason for arranging d and the second group of viewing areas 8e to 8g alternately in the Y direction is that each projection optical unit is a double-sided telecentric optical system, so that the area occupied by the projection optical units 2a to 2g in the XY plane is respectively This is because it becomes larger than the corresponding visual field regions 8a to 8g.
That is, the visual field regions 8a to 8 defined by the visual field stops of the projection optical units 2a to 2d arranged linearly.
In d, an interval occurs in the Y direction between the regions. As a result, only the projection optical units 2a through 2d
In this case, it becomes impossible to secure a continuous exposure area in the Y direction. Therefore, the projection optical unit 2e
2 to 2g are added, and the corresponding viewing areas 8e to 8g complement the intervals in the Y direction between the viewing areas 8a to 8d, thereby securing a continuous exposure area in the Y direction.

【0030】なお、視野領域8aおよび8dは、その中
央部分であって走査方向の長さが一定である領域におい
て、遮光部LSAと回路パターンPAとの境界線と交差
するように位置決めされている。このように、マスク8
上の視野領域8a乃至8gにおいて、走査方向(X方
向)に沿った視野領域の長さの総和が走査直交方向(Y
方向)の任意の位置において一定になっている。すなわ
ち、視野領域の等倍正立像である露光領域9a乃至9g
においても、走査方向(X方向)に沿った視野領域の長
さの総和が走査直交方向(Y方向)の任意の位置におい
て一定になる。その結果、走査露光により、プレート9
上の全面に亘って均一な露光光量分布を得ることができ
る。
The visual field regions 8a and 8d are positioned so as to intersect with the boundary between the light-shielding portion LSA and the circuit pattern PA in the central portion where the length in the scanning direction is constant. . Thus, the mask 8
In the upper visual field areas 8a to 8g, the sum of the lengths of the visual field areas along the scanning direction (X direction) is equal to the scanning orthogonal direction (Y
Direction) at any position. That is, the exposure areas 9a to 9g which are the same-size erect images of the visual field area.
Also, the sum of the lengths of the viewing areas along the scanning direction (X direction) becomes constant at an arbitrary position in the scanning orthogonal direction (Y direction). As a result, the plate 9
A uniform exposure light amount distribution can be obtained over the entire upper surface.

【0031】図6は、別の投影光学ユニットの構成を示
す図である。図6の投影光学ユニットは、2つのオフナ
ー型の部分光学系と視野絞りとからなる図2の投影光学
ユニットとは異なり、1つのオフナー型光学系からなり
視野絞りを有しない点が基本的に相違する。さらに、図
6の投影光学ユニットは、図2の各部分光学系と同様の
構成を有するが、等脚台形プリズムの第1の反射面がダ
ハ面になっている点が相違している。
FIG. 6 is a diagram showing the configuration of another projection optical unit. The projection optical unit shown in FIG. 6 is basically different from the projection optical unit shown in FIG. 2 which comprises two Offner-type partial optical systems and a field stop, and comprises one Offner-type optical system and does not have a field stop. Different. Further, the projection optical unit in FIG. 6 has the same configuration as each of the partial optical systems in FIG. 2, except that the first reflecting surface of the isosceles trapezoidal prism is a roof surface.

【0032】図6の投影光学ユニットでは、マスク8を
透過した照明光が、等脚台形プリズム51のダハ面51
aで図中右側に偏向され、凹面鏡52に入射する。凹面
鏡52で図中左方向に反射された光は、凸面鏡53で図
中右側に反射され、再び凹面鏡52に入射する。再び凹
面鏡52で図中左方向に反射された光は、等脚台形プリ
ズム51の反射面51bで図中下方に偏向され、マスク
8のパターンの等倍正立像がプレート9上に形成され
る。
In the projection optical unit shown in FIG. 6, the illumination light transmitted through the mask 8 is applied to the roof surface 51 of the isosceles trapezoidal prism 51.
The light is deflected to the right in the figure at a, and enters the concave mirror 52. The light reflected by the concave mirror 52 in the left direction in the figure is reflected by the convex mirror 53 to the right in the figure, and enters the concave mirror 52 again. Light reflected again by the concave mirror 52 in the left direction in the figure is deflected downward in the figure by the reflection surface 51b of the trapezoidal prism 51, and an equal-size erect image of the pattern of the mask 8 is formed on the plate 9.

【0033】このように、ダハ面51aによって物体面
および像面内での光軸直交方向(図中、紙面と直交する
方向)の像向きが逆転する。このため、マスク8上のパ
ターンが、光軸に沿った方向(X方向)並びに物体面お
よび像面内での光軸直交方向(Y方向)の横倍率がとも
に正の正立像がプレート9上に形成される。したがっ
て、このような投影光学ユニットを複数組み合わせてな
る投影光学系を有する走査露光装置において、マスク8
の走査方向とプレート9の走査方向とを一致させること
ができる。
As described above, the image direction in the optical axis orthogonal direction (the direction orthogonal to the paper plane in the figure) in the object plane and the image plane is reversed by the roof surface 51a. For this reason, when the pattern on the mask 8 is an erect image on the plate 9 in which the lateral magnification in the direction along the optical axis (X direction) and in the direction orthogonal to the optical axis in the object plane and image plane (Y direction) are both positive. Formed. Therefore, in a scanning exposure apparatus having a projection optical system formed by combining a plurality of such projection optical units, the mask 8
And the scanning direction of the plate 9 can be matched.

【0034】なお、図6の投影光学ユニットは視野絞り
を備えていないため、照明光学系10によってマスク8
上の視野領域を厳密に規定する必要がある。しかしなが
ら、図6の投影光学ユニットは1つのオフナー型光学系
によって構成されているので、図2のように2つのオフ
ナー型の部分光学系からなる投影光学ユニットと比べ
て、光学収差量の発生が小さく良好な結像性能を得るこ
とができる。
Since the projection optical unit of FIG. 6 does not have a field stop, the illumination optical system 10 controls the mask 8.
The upper viewing area must be strictly defined. However, since the projection optical unit of FIG. 6 is constituted by one Offner-type optical system, the amount of optical aberration is smaller than that of the projection optical unit having two Offner-type partial optical systems as shown in FIG. Small and good imaging performance can be obtained.

【0035】このように、本実施例では、複数の投影光
学ユニットを介して1回の走査露光により、全体として
1つの大きな露光領域を継ぎ目なく得ることができる。
また、個々の投影光学ユニットが小型であるため、収差
の発生を最小限に抑え良好な結像性能をもって走査露光
をすることができる。さらに、各投影光学ユニットの視
野絞りにより、被露光の全面に亘って均一な露光光量分
布を得ることができるように、各投影光学ユニットに対
応する視野領域および露光領域を規定することができ
る。その結果、照明光学系に視野領域を厳密に規定する
ために光学系を設ける必要がない。
As described above, in the present embodiment, one large exposure area as a whole can be seamlessly obtained by one scanning exposure through a plurality of projection optical units.
In addition, since the individual projection optical units are small, it is possible to minimize the occurrence of aberration and perform scanning exposure with good imaging performance. Furthermore, the field stop and the exposure area corresponding to each projection optical unit can be defined by the field stop of each projection optical unit so that a uniform exposure light amount distribution can be obtained over the entire surface to be exposed. As a result, there is no need to provide an optical system for strictly defining the field of view in the illumination optical system.

【0036】次に、図7を参照して上述の各実施例にお
ける投影光学ユニットの望ましい配置関係について説明
する。図7は、2組の投影光学ユニットと視野領域(露
光領域)との関係を示すXY平面図である。なお、図7
においては、前述の実施例と同一の機能を有する部材に
は、同じ符号を付してある。
Next, with reference to FIG. 7, a desirable arrangement relationship of the projection optical units in each of the above embodiments will be described. FIG. 7 is an XY plan view showing a relationship between two sets of projection optical units and a field area (exposure area). FIG.
In FIG. 7, members having the same functions as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals.

【0037】図7において、視野領域8aの像を物体面
(実施例ではマスク面)上に形成する投影光学ユニット
2aは、等脚台形プリズム21Aと凹面鏡22Aと凸面
鏡23Aとのみを図示しており、視野領域8bの像を物
体面上に形成する投影光学ユニット2bは、等脚台形プ
リズム21Bと凹面鏡22Bと凸面鏡23Bとのみを図
示している。ここで、投影光学ユニット2aの光軸Axa
と投影光学ユニット2bの光軸AxbとのY方向における
間隔dは、24Lを円弧形状の視野領域における内側
(円弧の中心側)のY方向の幅、24Mを視野領域のY
方向の最大幅とするとき、
In FIG. 7, the projection optical unit 2a for forming an image of the field of view 8a on the object plane (the mask plane in the embodiment) shows only an isosceles trapezoidal prism 21A, a concave mirror 22A and a convex mirror 23A. The projection optical unit 2b that forms an image of the visual field region 8b on the object plane shows only an isosceles trapezoidal prism 21B, a concave mirror 22B, and a convex mirror 23B. Here, the optical axis Axa of the projection optical unit 2a
The distance d between the optical axis Axb of the projection optical unit 2b and the projection optical unit 2b in the Y direction is defined as 24L, the width in the Y direction on the inner side (center side of the arc) in the arc-shaped field of view, and 24M as the Y in the field of view.
When setting the maximum width in the direction,

【数1】 d=24L+(24M−24L)/2 (1) を満足することが望ましい。It is desirable that d = 24L + (24M−24L) / 2 (1) is satisfied.

【0038】ここで、2組の投影光学ユニット2a、2
bが上記条件式(1)を満足しない場合には、物体面上
で視野領域が重ならないため、または視野領域のX方向
(走査方向)の幅が一定とならないため好ましくない。
なお、上記24L、24Mは、物体面上の視野領域にお
ける幅でなくとも、像面(実施例ではプレート面)上の
露光領域における幅または視野絞りにおける幅としても
条件式(1)成立する。また、上記条件式(1)は、2
組以上の投影光学ユニットがある場合にも適用すること
ができ、投影光学ユニットがダイソン型であっても適用
することができる。ここで、投影光学ユニットがダイソ
ン型の場合において、このダイソン型光学系の視野がた
とえば台形状のときには、24Lを台形状視野における
一対の平行な辺のうちの短辺とし、24Mを長辺とすれ
ばよい。
Here, two sets of projection optical units 2a, 2a
If b does not satisfy the above conditional expression (1), it is not preferable because the visual field regions do not overlap on the object plane or the width of the visual field region in the X direction (scanning direction) is not constant.
Note that the conditional expressions (1) hold even if the above 24L and 24M are not the widths in the visual field region on the object plane, but are the widths in the exposure area on the image plane (plate surface in the embodiment) or the field stop. Also, the above conditional expression (1) satisfies 2
The present invention can be applied to a case where there are more than one set of projection optical units, and can be applied to a case where the projection optical unit is a Dyson type. Here, in the case where the projection optical unit is of the Dyson type, when the field of view of the Dyson-type optical system is, for example, trapezoidal, 24L is defined as a short side of a pair of parallel sides in the trapezoidal field of view, and 24M is defined as a long side. do it.

【0039】[0039]

【効果】以上説明したように、本発明では、スループッ
トを低下させることなく良好な結像性能をもって、大き
な露光領域を一括して走査露光することができる。
As described above, according to the present invention, a large exposure area can be collectively scanned and exposed with good imaging performance without lowering the throughput.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例にかかる露光装置の構成を示す
斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view illustrating a configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の露光装置の投影光学系の構成を示す図で
ある。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a projection optical system of the exposure apparatus of FIG.

【図3】視野絞りの開口部の形状の第1の例を示す図で
あって、(a)は視野絞りに形成された開口部を、
(b)は開口部の形状と最大視野領域との関係を示して
いる。
3A and 3B are diagrams illustrating a first example of the shape of an opening of a field stop. FIG. 3A illustrates an opening formed in a field stop.
(B) shows the relationship between the shape of the opening and the maximum viewing area.

【図4】視野絞りの開口部の形状の第2の例を示す図で
あって、(a)は視野絞りに形成された開口部を、
(b)は開口部の形状と最大視野領域との関係を示して
いる。
FIGS. 4A and 4B are diagrams showing a second example of the shape of the opening of the field stop, and FIG. 4A shows an opening formed in the field stop;
(B) shows the relationship between the shape of the opening and the maximum viewing area.

【図5】マスク上での視野絞りの配置を示す図であっ
て、投影光学ユニット2a乃至2gによって規定される
視野領域8a乃至8gとマスク8との平面的な位置関係
を示している。
FIG. 5 is a diagram showing an arrangement of a field stop on a mask, and shows a planar positional relationship between field regions 8a to 8g defined by projection optical units 2a to 2g and a mask 8;

【図6】別の投影光学ユニットの構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration of another projection optical unit.

【図7】複数の投影光学ユニットの配置関係を説明する
図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating an arrangement relationship of a plurality of projection optical units.

【図8】従来のミラープロジェクションタイプのアライ
ナーの構成を示す図であって、(a)はアライナーの全
体構成を示す斜視図であり、(b)はアライナーの投影
光学系の構成を示すレンズ断面図である。
8A and 8B are diagrams showing a configuration of a conventional mirror projection type aligner, in which FIG. 8A is a perspective view showing an entire configuration of the aligner, and FIG. 8B is a lens cross section showing a configuration of a projection optical system of the aligner. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 投影光学ユニット 8 マスク 9 プレート 10 照明光学系 21 等脚台形プリズム 22 凹面鏡 23 凸面鏡 24 視野絞り 2 Projection optical unit 8 Mask 9 Plate 10 Illumination optical system 21 Equilateral trapezoidal prism 22 Concave mirror 23 Convex mirror 24 Field stop

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−15266(JP,A) 特開 平4−251812(JP,A) 米国特許4696889(US,A) 米国特許4769680(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/20 G02B 9/00 - 17/08 INSPEC(DIALOG)Continuation of front page (56) References JP-A-52-15266 (JP, A) JP-A-4-251812 (JP, A) US Patent 4,696,889 (US, A) US Patent 4,768,880 (US, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 G03F 7/20 G02B 9/00-17/08 INSPEC (DIALOG)

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 投影光学系に対して第1の基板および第
2の基板を相対的に移動させて前記第1の基板上に形成
されたパターンを前記投影光学系を介して前記第2の基
板上に投影露光する露光装置において、 前記投影光学系は、前記第1の基板に形成されたパター
ンの等倍正立像を前記第2の基板上に形成する、少なく
とも像側がテレセントリックな複数の投影光学ユニット
からなり、 前記複数の投影光学ユニットの各々を介して前記第2の
基板上に形成された複数の露光領域の前記移動方向に沿
った長さの総和が前記移動方向と直交する方向に亘り実
質的に一定になるように制御するための制御手段とを備
えていることを特徴とする露光装置。
A first substrate and a second substrate that are relatively moved with respect to a projection optical system to transfer a pattern formed on the first substrate to the second substrate via the projection optical system; In an exposure apparatus for projecting and exposing on a substrate, the projection optical system forms a plurality of projections at least on the image side that are telecentric at least on the image side, wherein the projection optical system forms an equal-size erect image of the pattern formed on the first substrate on the second substrate. An optical unit, wherein a sum of lengths of the plurality of exposure regions formed on the second substrate along the moving direction via each of the plurality of projection optical units is in a direction orthogonal to the moving direction. An exposure apparatus, comprising: control means for performing control so as to be substantially constant throughout the exposure apparatus.
【請求項2】 前記投影光学ユニットは、少なくとも1
つの凹面鏡と、少なくとも1つの凸面鏡とを備えたオフ
ナー型光学系であることを特徴とする請求項1に記載の
露光装置。
2. The projection optical unit according to claim 1, wherein at least one
2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus is an Offner-type optical system including one concave mirror and at least one convex mirror.
【請求項3】 前記投影光学ユニットは、前記第1の基
板上に形成されたパターンの中間像を形成する第1の部
分光学系と、前記中間像を前記第2の基板上に再結像さ
せる第2の部分光学系とを備えていることを特徴とする
請求項1または2に記載の露光装置。
3. The projection optical unit includes: a first partial optical system that forms an intermediate image of a pattern formed on the first substrate; and a re-imaging of the intermediate image on the second substrate. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising a second partial optical system that causes the second partial optical system to perform the exposure.
【請求項4】 前記制御手段は、前記中間像の位置に配
置された視野絞りであることを特徴とする請求項3に記
載の露光装置。
4. An exposure apparatus according to claim 3, wherein said control means is a field stop arranged at a position of said intermediate image.
【請求項5】 前記視野絞りは全体的に半円環状の開口
部を有し、 前記開口部は、中央開口領域と該中央開口領域を挟む2
つの周辺開口領域とからなり、 前記中央開口領域においては前記移動方向に沿った開口
長さが一定であり、前記周辺開口領域は前記移動方向に
沿った開口長さが端部に向かって線形的に変化するよう
に三角形状であり、前記周辺開口領域は隣接する視野絞
りの開口部の対応する周辺開口領域と前記走査方向に重
複していることを特徴とする請求項4に記載の露光装
置。
5. The field stop has a generally semi-annular opening, and the opening has a central opening region and two openings sandwiching the central opening region.
In the central opening region, the opening length along the moving direction is constant, and in the peripheral opening region, the opening length along the moving direction is linear toward the end. 5. The exposure apparatus according to claim 4, wherein the peripheral aperture region overlaps with a peripheral aperture region corresponding to an aperture of an adjacent field stop in the scanning direction. .
【請求項6】 前記中央開口領域の境界線のうち前記周
辺開口領域と隣接しない境界線は、2つの円弧により規
定されていることを特徴とする請求項5に記載の露光装
置。
6. The exposure apparatus according to claim 5, wherein a boundary line that is not adjacent to the peripheral opening region among the boundary lines of the central opening region is defined by two arcs.
【請求項7】 前記中央開口領域の境界線のうち前記周
辺開口領域と隣接しない境界線は、2つの折れ線により
規定されていることを特徴とする請求項5に記載の露光
装置。
7. The exposure apparatus according to claim 5, wherein a boundary line that is not adjacent to the peripheral opening region among the boundary lines of the central opening region is defined by two broken lines.
【請求項8】Claim 8. 投影光学系に対して第1の基板および第The first substrate and the second
2の基板を相対的に移動させて前記第1の基板上に形成Forming on the first substrate by relatively moving the second substrate
されたパターンを前記投影光学系を介して前記第2の基The obtained pattern is transferred to the second base through the projection optical system.
板上に投影露光する露光方法において、In an exposure method of projecting and exposing on a plate, 少なくとも像側がテレセントリックな複数の投影光学ユA plurality of projection optical units that are telecentric at least on the image side.
ニットを用いて前記第1の基板に形成されたパターンのOf a pattern formed on the first substrate using a knit
等倍正立像を前記第2の基板上に形成し、Forming an equal-size erect image on the second substrate; 前記複数の投影光学ユニットの各々を介して前記第2のThe second through each of the plurality of projection optical units
基板上に形成された複数の露光領域の前記移動方向に沿A plurality of exposure regions formed on the substrate are moved along the moving direction.
った長さの総和は、前記移動方向と直交する方向に亘りThe sum of the measured lengths is in a direction orthogonal to the moving direction.
実質的に一定であることを特徴とする露光方法。An exposure method characterized by being substantially constant.
【請求項9】9. 前記投影光学ユニットは、少なくとも1The projection optical unit has at least one
つの凹面鏡と、少なくとも1つの凸面鏡とを備えたオフOff with one concave mirror and at least one convex mirror
ナー型光学系であることを特徴とする請求項8に記載の9. The method according to claim 8, wherein the optical system is a knurled optical system.
露光方法。Exposure method.
【請求項10】10. 前記複数の投影光学ユニットは、前記The plurality of projection optical units,
第1の基板上に形成されたパターンの中間像を形成するForming an intermediate image of the pattern formed on the first substrate
第1の部分光学系と、前記中間像を前記第2の基板上にA first partial optical system and the intermediate image on the second substrate
再結像させる第2の部分光学系とをそれぞれ備えているAnd a second partial optical system for re-imaging.
ことを特徴とする請求項8または9に記載の露光方法。The exposure method according to claim 8 or 9, wherein:
【請求項11】11. 前記複数の投影光学ユニットは、前記The plurality of projection optical units,
中間像の位置に配置された視野絞りを有していることをHaving a field stop located at the position of the intermediate image
特徴とする請求項10に記載の露光方法。The exposure method according to claim 10, wherein:
【請求項12】12. 前記視野絞りは全体的に半円環状の開The field stop has a generally semi-annular opening.
口部を有し、Has a mouth, 前記開口部は、中央開口領域と該中央開口領域を挟む2The opening has a central opening region and two openings sandwiching the central opening region.
つの周辺開口領域とからなり、Consists of two peripheral aperture areas, 前記中央開口領域においては前記移動方向に沿った開口An opening along the moving direction in the central opening area
長さが一定であり、前記周辺開口領域は前記移動方向にThe length is constant, and the peripheral opening area is in the moving direction.
沿った開口長さが端部に向かって線形的に変化するようSo that the length of the opening along it varies linearly towards the end
に三角形状であり、前記周辺開口領域は隣接する視野絞The peripheral aperture area is adjacent to the field stop.
りの開口部の対応する周辺開口領域と前記走査方向に重Overlap with the corresponding peripheral opening area of the opening in the scanning direction.
複していることを特徴とする請求項1112. The method according to claim 11, wherein the object is duplicated. に記載の露光方Exposure method described in
法。Law.
【請求項13】Claim 13 前記中央開口領域の境界線のうち前記Of the boundary line of the central opening area,
周辺開口領域と隣接しない境界線は、2つの円弧によりThe boundary line that is not adjacent to the peripheral opening area is defined by two arcs
規定されていることを特徴とする請求項12に記載の露13. The dew-forming device according to claim 12, wherein the dew is defined.
光方法。Light method.
【請求項14】14. 前記中央開口領域の境界線のうち前記Of the boundary line of the central opening area,
周辺開口領域と隣接しない境界線は、2つの折れ線によThe boundary line that is not adjacent to the peripheral opening area is indicated by two broken lines.
り規定されていることを特徴とする請求項12に記載の13. The method according to claim 12, wherein
露光方法。Exposure method.
JP34561993A 1993-06-30 1993-12-22 Exposure equipment Expired - Lifetime JP3316710B2 (en)

Priority Applications (14)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34561993A JP3316710B2 (en) 1993-12-22 1993-12-22 Exposure equipment
KR1019940015475A KR100319216B1 (en) 1993-06-30 1994-06-30 Exposure device
US08/453,538 US5729331A (en) 1993-06-30 1995-05-30 Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US08/587,346 US6157497A (en) 1993-06-30 1996-01-16 Exposure apparatus
US09/173,530 US6351305B1 (en) 1993-06-30 1998-10-15 Exposure apparatus and exposure method for transferring pattern onto a substrate
US09/722,278 US6480262B1 (en) 1993-06-30 2000-11-28 Illumination optical apparatus for illuminating a mask, method of manufacturing and using same, and field stop used therein
US09/722,515 US6509954B1 (en) 1993-06-30 2000-11-28 Aperture stop having central aperture region defined by a circular ARC and peripheral region with decreased width, and exposure apparatus and method
US09/722,516 US6556278B1 (en) 1993-06-30 2000-11-28 Exposure/imaging apparatus and method in which imaging characteristics of a projection optical system are adjusted
US10/382,874 US6795169B2 (en) 1993-06-30 2003-03-07 Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US10/920,294 US7023527B2 (en) 1993-06-30 2004-08-18 Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US11/101,553 US7088425B2 (en) 1993-06-30 2005-04-08 Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US11/471,658 US7372543B2 (en) 1993-06-30 2006-06-21 Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US11/797,605 US7372544B2 (en) 1993-06-30 2007-05-04 Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US12/078,863 US7956984B2 (en) 1993-06-30 2008-04-07 Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34561993A JP3316710B2 (en) 1993-12-22 1993-12-22 Exposure equipment

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001147349A Division JP3316760B2 (en) 2001-05-17 2001-05-17 Scanning exposure method
JP2001147348A Division JP3341838B2 (en) 2001-05-17 2001-05-17 Exposure equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07183204A JPH07183204A (en) 1995-07-21
JP3316710B2 true JP3316710B2 (en) 2002-08-19

Family

ID=18377830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34561993A Expired - Lifetime JP3316710B2 (en) 1993-06-30 1993-12-22 Exposure equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3316710B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005030839A1 (en) * 2005-07-01 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure system with a plurality of projection lenses
JP6039292B2 (en) * 2012-08-02 2016-12-07 キヤノン株式会社 Exposure apparatus and article manufacturing method
JP6243616B2 (en) * 2013-03-26 2017-12-06 キヤノン株式会社 Exposure apparatus and article manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07183204A (en) 1995-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3348467B2 (en) Exposure apparatus and method
KR20080101866A (en) Exposure method, exposure apparatus, photomask and photomask manufacturing method
JP5071382B2 (en) Scanning exposure apparatus and microdevice manufacturing method
JPH11265848A (en) Projection aligner and exposure
JP3359123B2 (en) Aberration correction optical system
US20080165333A1 (en) Projection optical apparatus, exposure method and apparatus, photomask, and device and photomask manufacturing method
US6661498B1 (en) Projection exposure apparatus and method employing rectilinear aperture stops for use with periodic mask patterns
JP2007286580A (en) Scanning type exposure apparatus, method of manufacturing micro-device, mask, projection optical apparatus, and method of manufacturing mask
JP2007101592A (en) Scanning exposure apparatus and method for manufacturing microdevice
JPH088169A (en) Exposure system
JP2001297975A (en) Aligner and method of exposure
TWI432914B (en) Projection optical apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
JP3316710B2 (en) Exposure equipment
JP3316760B2 (en) Scanning exposure method
JP3341838B2 (en) Exposure equipment
JP2007279113A (en) Scanning exposure apparatus and method for manufacturing device
JP3610597B2 (en) Exposure apparatus and method
JP3385718B2 (en) Exposure apparatus and method
JP3348721B2 (en) Lighting device and method
JP3451721B2 (en) Projection optical apparatus, exposure apparatus having the same, and method of adjusting the same
JP4110606B2 (en) Scanning exposure apparatus and exposure method
JP3791037B2 (en) Exposure equipment
JP4707924B2 (en) Projection optical system, exposure apparatus, and microdevice manufacturing method
KR100319216B1 (en) Exposure device
JP2001337462A (en) Exposure device, method for manufacturing exposure device and method for manufacturing microdevice

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140614

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term