JP2007279113A - Scanning exposure apparatus and method for manufacturing device - Google Patents

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正紀 加藤
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a scanning exposure apparatus that uses a variable forming mask and is capable of performing an exposure process at a high throughput. <P>SOLUTION: The scanning exposure apparatus is equipped with a variable forming mask for forming a predetermined pattern, a substrate stage PST to mount a photosensitive substrate P, and exposure optical system L1 to L3 to form an image on the photosensitive substrate P with a light beam from the variable forming mask so as to expose the substrate P to the predetermined pattern. The exposure optical systems L1 to L3, each have an optical member which deflects the traveling direction of the main light beam of the light beam from the variable forming mask, in a direction nearly orthogonal to the surface of the photosensitive substrate P. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は、液晶表示素子等のフラットパネル表示素子等のマイクロデバイスをリソグラフィ工程で製造するための走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いたデバイスの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a scanning exposure apparatus for manufacturing a microdevice such as a flat panel display element such as a liquid crystal display element in a lithography process and a device manufacturing method using the scanning exposure apparatus.

マイクロデバイスの一つである液晶表示素子等を製造する場合において、投影光学系を介してマスク(レチクル、フォトマスク等)のパターンを、フォトレジスト等が塗布されたプレート(ガラスプレート、半導体ウエハ等)上に投影露光する投影露光装置が使用されている。   In the case of manufacturing a liquid crystal display element, which is one of micro devices, a mask (reticle, photomask, etc.) pattern is applied via a projection optical system to a plate coated with a photoresist (glass plate, semiconductor wafer, etc.) A projection exposure apparatus that performs projection exposure on top is used.

従来は、プレート上の各ショット領域にそれぞれマスクのパターンを一括して露光するステップアンドリピート方式の投影露光装置(ステッパ)が多用されていた。近年、1つの大型の投影光学系を使用する代わりに、複数の小型の投影光学ユニットを走査方向に沿って所定間隔で複数列に配置し、マスクステージと基板ステージとを同期走査しつつ、各投影光学ユニットにおいてそれぞれのマスクのパターンを連続的にプレート上に露光するステップアンドスキャン方式の投影露光装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平7−57986号公報
Conventionally, step-and-repeat type projection exposure apparatuses (steppers) that collectively expose a mask pattern to each shot area on a plate have been widely used. In recent years, instead of using one large projection optical system, a plurality of small projection optical units are arranged in a plurality of rows at predetermined intervals along the scanning direction, and the mask stage and the substrate stage are synchronously scanned, There has been proposed a step-and-scan projection exposure apparatus that continuously exposes each mask pattern on a plate in a projection optical unit (see, for example, Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 7-57986

ところで、プレートは液晶表示素子の大型化に伴い大型化しており、現在では1m角以上のプレートも用いられており、同時にマスクも大型化している。露光装置に要求されるデバイスのパターンルールが一定であれば大型のマスクにも小型のマスクと同様の平面度が要求されるため、大型のマスクのたわみやうねりを小型のマスクのたわみやうねりと同程度に抑えるために大型のマスクの厚さを小型のマスクよりも大幅に厚くする必要がある。また、一般にTFTで使用されているマスクは、コスト高の石英ガラスであるため、大型化すれば製造コストが増大する。更に、マスクの平面度を維持するためのコスト、マスクパターンの検査時間の拡大等によるコスト等が増大している。   By the way, the plate has been enlarged with the increase in the size of the liquid crystal display element. Currently, a plate of 1 m square or more is used, and the mask is also enlarged. If the pattern rule of the device required for the exposure apparatus is constant, the large mask needs to have the same flatness as the small mask. Therefore, the deflection and undulation of the large mask can be compared with the deflection and undulation of the small mask. In order to keep the same level, it is necessary to make the thickness of the large mask significantly larger than that of the small mask. In general, a mask used in a TFT is high-cost quartz glass. Therefore, if the size is increased, the manufacturing cost increases. Furthermore, the cost for maintaining the flatness of the mask, the cost due to the expansion of the inspection time of the mask pattern, and the like are increasing.

そこで、マスクの代わりに可変成形マスクの一例であるDMD等を用いてパターンを基板上に露光するマスクレス露光装置が提案されている。このマスクレス露光装置においては、大型のプレートに対して高スループットで露光を行なうことが望まれている。   In view of this, a maskless exposure apparatus has been proposed in which a pattern is exposed on a substrate using DMD or the like, which is an example of a variable shaping mask, instead of a mask. In this maskless exposure apparatus, it is desired to expose a large plate with high throughput.

この発明の課題は、可変形成マスクを用いた走査型露光装置であって、高いスループットで露光を行なうことができる走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いたデバイスの製造方法を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a scanning exposure apparatus using a variable formation mask, which can perform exposure with high throughput, and a device manufacturing method using the scanning exposure apparatus. It is.

この発明の走査型露光装置は、所定のパターンを形成する可変成形マスク(8)と、感光基板(P)を載置する基板ステージ(PST)と、前記可変成形マスク(8)からの光ビームにより前記感光基板(P)上に像を形成する露光光学系(L1〜L3)とを備え、前記感光基板(P)上に前記所定のパターンを露光する走査型露光装置において、前記露光光学系(L1〜L3)は、前記可変成形マスク(8)からの前記光ビームの主光線を前記感光基板(P)面に対してほぼ直交するように進行方向を偏向する光学部材(11)を備えることを特徴とする。   The scanning exposure apparatus of the present invention comprises a variable shaping mask (8) for forming a predetermined pattern, a substrate stage (PST) for placing a photosensitive substrate (P), and a light beam from the variable shaping mask (8). And an exposure optical system (L1 to L3) that forms an image on the photosensitive substrate (P), and in the scanning exposure apparatus that exposes the predetermined pattern on the photosensitive substrate (P), the exposure optical system (L1 to L3) include an optical member (11) for deflecting the traveling direction so that the principal ray of the light beam from the variable shaping mask (8) is substantially orthogonal to the surface of the photosensitive substrate (P). It is characterized by that.

また、この発明のデバイスの製造方法は、この発明の走査型露光装置を用いて所定のパターンを感光基板(P)上に露光する露光工程(S303)と、前記露光工程により露光された前記感光基板(P)を現像する現像工程(S304)とを含むことを特徴とする。   The device manufacturing method of the present invention includes an exposure step (S303) in which a predetermined pattern is exposed on a photosensitive substrate (P) using the scanning exposure apparatus of the present invention, and the photosensitive layer exposed by the exposure step. And a developing step (S304) for developing the substrate (P).

この発明の走査型露光装置によれば、複数の可変成形マスクからの光ビームの主光線を感光基板面に対してほぼ直交するように進行方向を偏向する光学部材を備えているため、それぞれの可変成形マスクからの光ビームにより感光基板上にほぼ一列に連続した露光領域を形成することができる。したがって、従来の走査型露光装置のように複数の露光光学ユニットを走査方向に沿って複数列配置する必要がないため、走査露光する際に走査距離を短くすることができ、スループットを向上させることができる。また、装置本体を小型化することが可能となる。   According to the scanning type exposure apparatus of the present invention, the optical exposure apparatus includes the optical members that deflect the traveling direction so that the principal rays of the light beams from the plurality of variable shaping masks are substantially orthogonal to the photosensitive substrate surface. With the light beam from the variable shaping mask, it is possible to form an exposure region that is continuous in a line on the photosensitive substrate. Accordingly, since it is not necessary to arrange a plurality of exposure optical units in the scanning direction as in the conventional scanning exposure apparatus, the scanning distance can be shortened during the scanning exposure, and the throughput is improved. Can do. In addition, the apparatus main body can be reduced in size.

また、従来の走査型露光装置においては走査方向に沿って異なる列に配列された露光光学ユニットにより形成される露光領域の継ぎ誤差が発生していたが、この発明の走査型露光装置においては各可変成形マスクにより形成される露光領域を一列に連続させることができるため、継ぎ誤差の発生を防止することができ、各可変成形マスクにより形成される露光領域の継ぎ精度を向上させることができる。   Further, in the conventional scanning exposure apparatus, there are splice errors in the exposure areas formed by the exposure optical units arranged in different rows along the scanning direction. Since the exposure areas formed by the variable shaping mask can be continued in a line, it is possible to prevent splicing errors and improve the splicing accuracy of the exposure areas formed by the variable shaping masks.

また、この発明のデバイスの製造方法によれば、この発明の走査型露光装置を用いてデバイスを製造するため、良好なデバイスを得ることができる。   Further, according to the device manufacturing method of the present invention, a device can be manufactured using the scanning exposure apparatus of the present invention, so that a good device can be obtained.

以下、図面を参照して、この発明の第1の実施の形態にかかる走査型露光装置について説明する。図1は、第1の実施の形態にかかる走査型露光装置の概略構成を示す斜視図である。第1の実施の形態においては、露光光学系を構成する複数の露光光学ユニットL1〜L3に対して外径が500mmよりも大きいフラットパネル表示素子用のプレートPを相対的に移動させつつ液晶表示素子等のパターンを感光性材料(レジスト)が塗布された感光基板としてのプレートP上に転写するステップアンドスキャン方式の走査型投影露光装置を例に挙げて説明する。なお、外径が500mmよりも大きいとは、プレートPの一辺または対角線が500mmよりも大きいということである。   A scanning exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a scanning exposure apparatus according to the first embodiment. In the first embodiment, a liquid crystal display is performed while relatively moving a flat panel display element plate P having an outer diameter larger than 500 mm with respect to the plurality of exposure optical units L1 to L3 constituting the exposure optical system. A step-and-scan type scanning projection exposure apparatus that transfers a pattern of elements and the like onto a plate P as a photosensitive substrate coated with a photosensitive material (resist) will be described as an example. Note that the outer diameter being larger than 500 mm means that one side or diagonal of the plate P is larger than 500 mm.

また、以下の説明においては、図1中に示した直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。XYZ直交座標系は、X軸及びY軸がプレートPに対して平行となるよう設定され、Z軸がプレートPに対して直交する方向に設定されている。図中のXYZ座標系は、実際にはXY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直方向に設定される。また、この実施の形態では、プレートPを移動させる方向(走査方向)をX方向に設定している。   In the following description, the orthogonal coordinate system shown in FIG. 1 is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. The XYZ orthogonal coordinate system is set so that the X axis and the Y axis are parallel to the plate P, and the Z axis is set in a direction orthogonal to the plate P. In the XYZ coordinate system in the figure, the XY plane is actually set to a plane parallel to the horizontal plane, and the Z axis is set to the vertical direction. In this embodiment, the direction in which the plate P is moved (scanning direction) is set to the X direction.

この走査型露光装置はプレートP上に所定のパターンを露光するための露光光学系を備えており、露光光学系は複数(この実施の形態においては3つ)の露光光学ユニット(部分露光光学ユニット)L1〜L3を備えている。複数の露光光学ユニットL1〜L3は、Y方向(非走査方向)に並んで配置されている。   This scanning exposure apparatus includes an exposure optical system for exposing a predetermined pattern on the plate P. The exposure optical system includes a plurality (three in this embodiment) of exposure optical units (partial exposure optical units). ) L1-L3. The plurality of exposure optical units L1 to L3 are arranged side by side in the Y direction (non-scanning direction).

図示しないLD光源部から射出した光ビームは、ファイバに入射する。この実施の形態においては、各露光光学ユニットL1〜L3に対応して複数のLD光源部及びファイバが設けられている。なお、1つのLD光源部及び1つのファイバを設け、ファイバが各露光光学ユニットL1〜L3に対応した複数のファイバ射出端を有するようにしてもよい。   A light beam emitted from an LD light source (not shown) enters the fiber. In this embodiment, a plurality of LD light source units and fibers are provided corresponding to the exposure optical units L1 to L3. Note that one LD light source unit and one fiber may be provided, and the fiber may have a plurality of fiber exit ends corresponding to the exposure optical units L1 to L3.

図2は、露光光学ユニットL1の概略構成を示す図である。図示しないLD光源部から射出され、ファイバ2に入射した光ビームは、ファイバ2の射出端から射出する。ファイバ2の射出端から射出した光ビームは、コリメート光学系4及びミラー6を介して、露光光学ユニットL1を構成するDMD(Digital Micromirror DeviceまたはDeformable Micromirror Device)8を均一に照明する。なお、DMD8を露光光学ユニットL1とは別に設けるようにしてもよい。   FIG. 2 is a view showing a schematic configuration of the exposure optical unit L1. A light beam emitted from an LD light source unit (not shown) and incident on the fiber 2 is emitted from the emission end of the fiber 2. The light beam emitted from the emission end of the fiber 2 uniformly illuminates a DMD (Digital Micromirror Device or Deformable Micromirror Device) 8 constituting the exposure optical unit L1 through the collimating optical system 4 and the mirror 6. The DMD 8 may be provided separately from the exposure optical unit L1.

図3は、DMD(部分可変成形マスク)8の構成を示す図である。DMD8は、図3に示すように、微小領域に区分されたデバイスとしての多数のマイクロミラー8aを有している。各マイクロミラー8aはその角度をそれぞれ独立に変更可能に構成されており、DMD8は各マイクロミラー8aの角度を変化させることによりプレートP上に転写される所定のパターンを形成する可変成形マスクとして機能する。即ち、プレートPの走査に同期して、反射光が後述するリレー光学系10に導かれるように一部のマイクロミラー8aの角度を変化させ、反射光がリレー光学系10とは異なる方向に進行するように他部のマイクロミラー8aの角度を変化させることにより、対応する露光領域に投影される露光パターンを順次生成する。   FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a DMD (partially variable molding mask) 8. As shown in FIG. 3, the DMD 8 has a large number of micromirrors 8a as devices divided into minute regions. Each micromirror 8a is configured such that its angle can be changed independently, and the DMD 8 functions as a variable molding mask that forms a predetermined pattern transferred onto the plate P by changing the angle of each micromirror 8a. To do. That is, in synchronization with the scanning of the plate P, the angles of some of the micromirrors 8a are changed so that the reflected light is guided to the relay optical system 10 described later, and the reflected light travels in a different direction from the relay optical system 10. As described above, by changing the angle of the other micromirror 8a, the exposure patterns projected onto the corresponding exposure regions are sequentially generated.

また、DMD(位置調整機構)8は、Z軸に対して回転可能、XY方向にシフト可能、かつZ方向に移動可能に構成されている。DMD8をZ軸に対して回転させることにより、プレートP上に形成されるパターンの像が回転する。また、DMD8をXY方向にシフトさせることにより、プレートP上に形成されるパターンの像がシフトする。また、DMD8をZ方向に移動させることにより、光路長が変化するため後述するマイクロレンズアレイ16により絞られたスポットサイズを補正することができる。   The DMD (position adjustment mechanism) 8 is configured to be rotatable with respect to the Z axis, shiftable in the XY directions, and movable in the Z directions. By rotating the DMD 8 with respect to the Z axis, the pattern image formed on the plate P rotates. Further, by shifting the DMD 8 in the XY directions, the pattern image formed on the plate P is shifted. Further, since the optical path length is changed by moving the DMD 8 in the Z direction, the spot size narrowed down by the microlens array 16 described later can be corrected.

DMD8(一部のマイクロミラー8a)により反射された光ビームは、リレー光学系10に入射する。リレー光学系10は、リレーレンズ10a、絞り10b及びリレーレンズ10cを備えている。光ビームは、リレーレンズ10a、絞り10b及びリレーレンズ10cを介して、菱形プリズム11の入射面11aに入射する。菱型プリズム11の入射面11aに入射した光ビームは、反射面11b、11cにより順次反射され、射出面11dを通過する。菱形プリズム(光学部材)11は、リレーレンズ10cを通過した光ビームの主光線の進行方向を偏向する。即ち、主光線がプレートP面に対してほぼ直交する方向(−Z方向)に進行している光ビームの進行方向が+Y方向にシフトし、露光光学ユニットL1の像側テレセントリック性を維持した状態で、プレートP面に対してほぼ直交する方向に進行する。   The light beam reflected by the DMD 8 (a part of the micromirrors 8 a) enters the relay optical system 10. The relay optical system 10 includes a relay lens 10a, a diaphragm 10b, and a relay lens 10c. The light beam is incident on the incident surface 11a of the rhombus prism 11 through the relay lens 10a, the stop 10b, and the relay lens 10c. The light beam incident on the incident surface 11a of the rhomboid prism 11 is sequentially reflected by the reflecting surfaces 11b and 11c and passes through the exit surface 11d. The rhomboid prism (optical member) 11 deflects the traveling direction of the principal ray of the light beam that has passed through the relay lens 10c. That is, the traveling direction of the light beam in which the principal ray travels in a direction substantially orthogonal to the plane of the plate P (−Z direction) is shifted to the + Y direction, and the image side telecentricity of the exposure optical unit L1 is maintained. Thus, it proceeds in a direction substantially orthogonal to the plate P surface.

なお、露光光学ユニットL2及びL3の構成は、露光光学ユニットL1の菱形プリズム11以外の構成については、露光光学ユニットL1の構成と同一である。露光光学ユニットL2は菱形プリズム11を備えておらず、露光光学ユニットL3は菱形プリズム11の代わりに、−Y方向に光ビームの進行方向をシフトする菱形プリズム11´(図4参照)を備えている。   The configuration of the exposure optical units L2 and L3 is the same as that of the exposure optical unit L1 except for the rhombus prism 11 of the exposure optical unit L1. The exposure optical unit L2 does not include the rhombus prism 11, and the exposure optical unit L3 includes a rhombus prism 11 ′ (see FIG. 4) that shifts the traveling direction of the light beam in the −Y direction instead of the rhombus prism 11. Yes.

図4は、露光光学ユニットL1〜L3のそれぞれを介した光ビームが後述するマイクロレンズアレイ16に入射する光路を示す図である。露光光学ユニットL1のリレーレンズ10cを通過した光ビームは、菱形プリズム11により進行方向が+Y方向にシフトされて、マイクロレンズアレイ16に入射する。露光光学ユニットL2のリレーレンズ10dはリレーレンズ10cと同一の構成を有しており、リレーレンズ10dを通過した光ビームは、シフトされることなく、マイクロレンズアレイ16に入射する。露光光学ユニットL3のリレーレンズ10eはリレーレンズ10cと同一の構成を有しており、リレーレンズ10eを通過した光ビームは、菱形プリズム11´に入射し、菱形プリズム11´を介することにより進行方向が−Y方向にシフトされて、マイクロレンズアレイ16に入射する。   FIG. 4 is a diagram showing an optical path through which a light beam passing through each of the exposure optical units L1 to L3 enters a microlens array 16 described later. The light beam that has passed through the relay lens 10 c of the exposure optical unit L 1 is shifted in the + Y direction by the rhombus prism 11 and enters the microlens array 16. The relay lens 10d of the exposure optical unit L2 has the same configuration as the relay lens 10c, and the light beam that has passed through the relay lens 10d enters the microlens array 16 without being shifted. The relay lens 10e of the exposure optical unit L3 has the same configuration as the relay lens 10c, and the light beam that has passed through the relay lens 10e is incident on the rhomboid prism 11 ′ and travels through the rhombus prism 11 ′. Are shifted in the −Y direction and enter the microlens array 16.

このとき、菱形プリズム11,11´により、リレーレンズ10a〜10c,10eからの光は、マイクロレンズアレイ16上で連続した光ビームとなる。これにより、プレートP上で連続した像を形成することが可能となる。このように、マイクロレンズアレイ16の光軸に対して、リレーレンズ10a〜10c,10eの配置が斜め方向に外れた際に菱形プリズム11,11´を用いることにより、マイクロレンズアレイ16の光軸に沿うように入射させることとなる。なお、リレーレンズ10a〜10c,10eからの光ビームは、離散的な露光光学ユニットと同様に離散的となっている。   At this time, the light from the relay lenses 10 a to 10 c and 10 e becomes a continuous light beam on the microlens array 16 by the rhombus prisms 11 and 11 ′. This makes it possible to form a continuous image on the plate P. As described above, when the arrangement of the relay lenses 10a to 10c and 10e is deviated obliquely with respect to the optical axis of the microlens array 16, the rhomboid prisms 11 and 11 'are used. It will be made to inject along. The light beams from the relay lenses 10a to 10c and 10e are discrete like the discrete exposure optical unit.

マイクロレンズアレイ16は、DMD8を構成するマイクロミラー8a及び露光光学ユニットL2,L3の各DMDを構成するマイクロミラー(図示せず)のそれぞれに対応する多数の要素レンズ16aを有しており、プレートPと光学的に共役な位置またはその近傍に配置されている。マイクロレンズアレイ16の各要素レンズ16aを通過した光ビームは、主光線がプレートP面に対してほぼ直交する方向(Z方向)からプレートP上に到達する。プレートP上に到達した光ビームはDMD8及び露光光学ユニットL2,L3の各DMD(図示せず)により形成された所定のパターンの像を形成し、レジストが塗布されたプレートP上には所定のパターンが露光される。このとき、DMD8及び露光光学ユニットL2,L3の各DMDからの光ビームは、プレートP上で連続したパターンの像を形成する。即ち、各露光光学ユニットL1〜L3が備えるDMDのY方向における配置間隔と各露光光学ユニットL1〜L3を介した光ビームにより形成される露光領域のY方向における配置間隔は異なっているが、露光光学ユニットL1およびL3が光ビームの進行方向を偏光する菱形プリズム11及び11´を備えているため、露光光学ユニットL1〜L3のそれぞれを介した光ビームは、プレートP上でY方向にほぼ一列に連続した複数(この実施の形態においては3つ)の露光領域を形成する。   The microlens array 16 has a number of element lenses 16a corresponding to each of the micromirrors 8a constituting the DMD 8 and the micromirrors (not shown) constituting the DMDs of the exposure optical units L2 and L3. It is arranged at a position optically conjugate with P or in the vicinity thereof. The light beam that has passed through each element lens 16a of the microlens array 16 reaches the plate P from a direction (Z direction) in which the principal ray is substantially orthogonal to the plate P surface. The light beam that has reached the plate P forms an image of a predetermined pattern formed by each DMD (not shown) of the DMD 8 and the exposure optical units L2 and L3, and a predetermined pattern is formed on the resist-coated plate P. The pattern is exposed. At this time, the light beam from each DMD of the DMD 8 and the exposure optical units L2 and L3 forms an image of a continuous pattern on the plate P. That is, the arrangement interval in the Y direction of the DMD included in each exposure optical unit L1 to L3 is different from the arrangement interval in the Y direction of the exposure area formed by the light beam via each exposure optical unit L1 to L3. Since the optical units L1 and L3 include the rhombus prisms 11 and 11 ′ that polarize the traveling direction of the light beam, the light beams that pass through the exposure optical units L1 to L3 are substantially aligned in the Y direction on the plate P. A plurality of (three in this embodiment) exposure regions are formed.

図1に示すように、プレートPを載置するプレートステージPSTは、防振台32a,32b及び図示しない防振台に支持されているベース34上に設けられている。プレートステージPSTは、リニアモータ36により走査方向(X方向)に移動可能に構成されており、ガイド37に対してエアギャップで浮上させる所謂エアステージの構成を有している。また、プレートステージPSTは、非走査方向(Y方向)に微量移動可能に構成されている図示しない微動ステージを有している。   As shown in FIG. 1, the plate stage PST on which the plate P is placed is provided on a vibration isolator 32a, 32b and a base 34 supported by a vibration isolator (not shown). The plate stage PST is configured to be movable in the scanning direction (X direction) by the linear motor 36, and has a so-called air stage configuration that floats with respect to the guide 37 with an air gap. The plate stage PST has a fine movement stage (not shown) configured to be movable in a small amount in the non-scanning direction (Y direction).

また、露光光学ユニットL1〜L3に対するプレートステージPSTのX方向における位置を、移動鏡40a,40bを用いて計測及び制御するXレーザ干渉計38を備えている。また、露光光学ユニットL1〜L3に対するプレートPSTのY方向における位置を、移動鏡42を用いて計測及び制御するYレーザ干渉計(図示せず)を備えている。   Further, an X laser interferometer 38 for measuring and controlling the position of the plate stage PST in the X direction with respect to the exposure optical units L1 to L3 using the movable mirrors 40a and 40b is provided. Further, a Y laser interferometer (not shown) that measures and controls the position of the plate PST in the Y direction with respect to the exposure optical units L1 to L3 by using the moving mirror 42 is provided.

また、露光光学ユニットL1〜L3の近傍には、プレートPに設けられているアライメントマークを検出する複数のアライメント系(図示せず)及びプレートPのZ方向における位置を検出するオートフォーカス系(図示せず)が設けられている。また、プレートステージPSTの−X方向の端部には、Y方向に複数並んだAISマークを有する基準部材44が設けられている。また、基準部材44の下方には図示しない空間像計測センサ(AIS)が設けられており、空間像計測センサはプレートステージPSTに埋設されている。   In addition, in the vicinity of the exposure optical units L1 to L3, a plurality of alignment systems (not shown) for detecting alignment marks provided on the plate P and an autofocus system (not shown) for detecting the position of the plate P in the Z direction. Not shown). Further, a reference member 44 having a plurality of AIS marks arranged in the Y direction is provided at the end portion in the −X direction of the plate stage PST. An aerial image measurement sensor (AIS) (not shown) is provided below the reference member 44, and the aerial image measurement sensor is embedded in the plate stage PST.

空間像計測センサは、各DMDの位置と、各DMDにより形成される所定のパターンの像がプレートP上に投影される相対位置関係を求めるために用いられる。即ち、DMDにより形成される基準マークとAISマークが一致するようにプレートステージPSTを移動し、基準マークの像とAISマークとを空間像計測センサで検出し、この検出結果に基づいてDMDの位置とDMDにより形成されるパターンの像がプレートP上に投影される位置との関係を求める。なお、この場合にDMDにより形成される基準マークは、後述するパターン記憶部74(図5参照)に記憶されており、プレートステージPSTの位置はXレーザ干渉計38及びYレーザ干渉計により検出される。   The aerial image measurement sensor is used to obtain a relative positional relationship in which the position of each DMD and an image of a predetermined pattern formed by each DMD are projected on the plate P. That is, the plate stage PST is moved so that the fiducial mark formed by the DMD and the AIS mark coincide with each other, the fiducial mark image and the AIS mark are detected by the aerial image measurement sensor, and the position of the DMD is detected based on the detection result. And the position at which the pattern image formed by the DMD is projected onto the plate P. In this case, the reference mark formed by the DMD is stored in a pattern storage unit 74 (see FIG. 5) described later, and the position of the plate stage PST is detected by the X laser interferometer 38 and the Y laser interferometer. The

図5は、この実施の形態にかかる走査型露光装置のシステム構成を示すブロック図である。図5に示すように、この走査型露光装置は、露光処理に関する動作を統括制御する制御装置CONTを備えている。制御装置CONTには、DMD8の各マイクロミラー8aを個別に駆動するマイクロミラー駆動部60が接続されている。マイクロミラー駆動部60は、制御装置CONTからの制御信号に基づいてDMD8の各マイクロミラー8aの角度を変更する。同様に、制御装置CONTには露光光学ユニットL2及びL3を構成するDMDの各マイクロミラーを個別に駆動するマイクロミラー駆動部(図示せず)が接続されており、マイクロミラー駆動部は制御装置CONTからの制御信号に基づいてDMDの各マイクロミラーの角度を変更する。   FIG. 5 is a block diagram showing the system configuration of the scanning exposure apparatus according to this embodiment. As shown in FIG. 5, the scanning exposure apparatus includes a control unit CONT that performs overall control of operations related to exposure processing. Connected to the control device CONT is a micromirror driving unit 60 that individually drives each micromirror 8a of the DMD 8. The micromirror drive unit 60 changes the angle of each micromirror 8a of the DMD 8 based on a control signal from the control device CONT. Similarly, a micromirror driving unit (not shown) for individually driving the DMD micromirrors constituting the exposure optical units L2 and L3 is connected to the control unit CONT, and the micromirror driving unit is connected to the control unit CONT. The angle of each micromirror of the DMD is changed based on the control signal from.

また、制御部CONTには、DMD8を駆動するDMD駆動部61が接続されている。DMD駆動部61は、制御装置CONTからの制御信号に基づいてDMD8をZ軸に対して回転、XY平面にシフト、またはZ方向に移動させる。同様に、制御装置CONTには露光光学ユニットL2及びL3を構成するDMDを駆動するDMD駆動部(図示せず)が接続されており、DMD駆動部は制御装置CONTからの制御信号に基づいてDMDをZ軸に対して回転、XY平面にシフト、またはZ方向に移動させる。   In addition, a DMD driving unit 61 that drives the DMD 8 is connected to the control unit CONT. The DMD driving unit 61 rotates the DMD 8 with respect to the Z axis, shifts to the XY plane, or moves in the Z direction based on a control signal from the control device CONT. Similarly, a DMD driving unit (not shown) for driving the DMDs constituting the exposure optical units L2 and L3 is connected to the control device CONT, and the DMD driving unit performs DMD based on a control signal from the control device CONT. Is rotated about the Z axis, shifted to the XY plane, or moved in the Z direction.

また、制御装置CONTには、プレートステージPSTを走査方向であるX方向に沿って移動させ、かつY方向に微小移動させるプレートステージ駆動部72が接続されている。また、制御装置CONTには、アライメント系、オートフォーカス系、空間像計測センサ、照度計、Xレーザ干渉計38及びYレーザ干渉計が接続されている。また、制御装置CONTには、DMD8において形成する転写パターン(露光パターンデータ)や、アライメントや空間像計測に用いられる基準マークを記憶するパターン記憶部74が接続されている。   The control device CONT is connected to a plate stage driving unit 72 that moves the plate stage PST along the X direction, which is the scanning direction, and moves it slightly in the Y direction. Further, an alignment system, an autofocus system, an aerial image measurement sensor, an illuminometer, an X laser interferometer 38, and a Y laser interferometer are connected to the control device CONT. The control device CONT is connected to a pattern storage unit 74 that stores a transfer pattern (exposure pattern data) formed in the DMD 8 and a reference mark used for alignment and aerial image measurement.

この実施の形態においては、各DMDからの光ビームによりプレートP上に形成される各露光領域をY方向に一列に継ぎ合わせて露光を行なう。したがって、各DMDにより形成されたパターンの像の相対的な位置ずれが生じている場合、その相対的な位置ずれを補正する必要がある。そこで、制御装置CONTは、空間像計測センサの計測結果に基づいて、各DMDにより形成されるパターンの像の相対的な位置ずれを検出する。検出された相対的な位置ずれ量に基づいて、各DMDの補正量を算出し、各DMD駆動部を介して各DMDを適宜移動させて、各DMDにより形成されるパターンの像位置の補正を行う。   In this embodiment, exposure is performed by joining the exposure regions formed on the plate P in a row in the Y direction by the light beams from the DMDs. Therefore, when a relative displacement of the pattern image formed by each DMD has occurred, it is necessary to correct the relative displacement. Therefore, the control device CONT detects the relative positional deviation of the pattern image formed by each DMD based on the measurement result of the aerial image measurement sensor. Based on the detected relative displacement amount, a correction amount of each DMD is calculated, and each DMD is appropriately moved via each DMD driving unit to correct the image position of the pattern formed by each DMD. Do.

第1の実施の形態にかかる走査型露光装置によれば、3つのDMDからの光ビームの主光線をプレートP面に対してほぼ直交するように進行方向をシフトする菱形プリズム11,11´を備えているため、それぞれのDMDからの光ビームによりプレートP上にY方向にほぼ一列に連続した露光領域を形成することができる。したがって、従来の走査型露光装置のように複数の露光光学ユニットを走査方向に沿って複数列配置する必要がないため、走査露光する際に走査距離を短くすることができ、スループットを向上させることができる。また、露光装置本体を小型化することが可能となる。   According to the scanning exposure apparatus according to the first embodiment, the rhomboid prisms 11 and 11 ′ that shift the traveling direction so that the principal rays of the light beams from the three DMDs are substantially orthogonal to the plate P surface are provided. Therefore, an exposure region that is continuous in a line in the Y direction can be formed on the plate P by the light beam from each DMD. Accordingly, since it is not necessary to arrange a plurality of exposure optical units in the scanning direction as in the conventional scanning exposure apparatus, the scanning distance can be shortened during the scanning exposure, and the throughput is improved. Can do. Further, the exposure apparatus main body can be reduced in size.

また、従来の走査型露光装置においては走査方向に沿って異なる列に配列された露光光学ユニットにより形成される露光領域の継ぎ誤差が発生していたが、第1の実施の形態にかかる走査型露光装置においては各DMDにより形成される露光領域を一列に連続的に配置することができ、かつ各DMDにより形成されるパターンの像位置を調整することができるため、継ぎ誤差の発生を防止することができ、各DMDにより形成される露光領域の継ぎ精度を向上させることができる。   Further, in the conventional scanning exposure apparatus, there is a splice error in the exposure area formed by the exposure optical units arranged in different rows along the scanning direction. However, the scanning type according to the first embodiment In the exposure apparatus, the exposure areas formed by the DMDs can be continuously arranged in a line, and the image position of the pattern formed by the DMDs can be adjusted. And the splicing accuracy of the exposure area formed by each DMD can be improved.

次に、図面を参照して、この発明の第2の実施の形態にかかる走査型露光装置について説明する。図6は、第2の実施の形態にかかる走査型露光装置の構成を示す図である。なお、第2の実施の形態の説明においては、第1の実施の形態にかかる走査型露光装置の構成と同一の構成の詳細な説明は省略する。また、第2の実施の形態にかかる走査型露光装置の説明においては第1の実施の形態にかかる走査型露光装置と同一の構成には第1の実施の形態で用いたものと同一の符号を付して説明を行なう。   Next, a scanning exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a scanning exposure apparatus according to the second embodiment. In the description of the second embodiment, a detailed description of the same configuration as that of the scanning exposure apparatus according to the first embodiment is omitted. In the description of the scanning exposure apparatus according to the second embodiment, the same reference numerals as those used in the first embodiment are used for the same components as those in the scanning exposure apparatus according to the first embodiment. A description will be given with.

この走査型露光装置は、露光光学ユニットL11〜L13を備えている。図7は、露光光学ユニットL11の構成を示す図である。なお、露光光学ユニットL12,L13の構成は、露光光学ユニットL11の構成と同一である。露光光学ユニットL11は、図7に示すように、ミラー6とDMD8との間の光路中に挿脱可能に構成されている照度調整フィルタ7を備えている。照度調整フィルタ7は、その透過率分布を調整することにより、プレートP上に到達する光ビームの照度の調整、即ち露光光学ユニットL11を介した光ビームによりプレートP上に形成される露光領域内の照度ムラの補正を行う。なお、図7においては、照度調整フィルタ7がミラー6とDMD8との間の光路中に挿入されている状態を示している。また、照度調整フィルタ7は、DMD8と後述するリレーレンズ10aとの間の光路中に挿入してもよい。   This scanning exposure apparatus includes exposure optical units L11 to L13. FIG. 7 is a view showing the arrangement of the exposure optical unit L11. The configuration of the exposure optical units L12 and L13 is the same as that of the exposure optical unit L11. As shown in FIG. 7, the exposure optical unit L11 includes an illuminance adjustment filter 7 configured to be detachable in the optical path between the mirror 6 and the DMD 8. The illuminance adjusting filter 7 adjusts the transmittance distribution to adjust the illuminance of the light beam reaching the plate P, that is, within the exposure region formed on the plate P by the light beam via the exposure optical unit L11. Correction of illuminance unevenness. FIG. 7 shows a state in which the illuminance adjustment filter 7 is inserted in the optical path between the mirror 6 and the DMD 8. The illuminance adjustment filter 7 may be inserted in the optical path between the DMD 8 and a relay lens 10a described later.

DMD8により反射された光ビームは、リレー光学系10´のリレーレンズ10a、絞り10bを通過し、拡大系のリレーレンズ10c´を通過することにより拡大され、マイクロプリズム(光学部材)14に入射する。また、図6に示すように、露光光学ユニットL12及びL13のそれぞれが備える拡大系のリレーレンズ(図示せず)を通過することにより拡大された光ビームもマイクロプリズム14に入射する。マイクロプリズム14は、リレーレンズ10c´により露光光学ユニットL11の像側のテレセントリック性を崩して拡大された光ビームの主光線の向きをプレートPに対してほぼ直交する方向に補正することにより、露光光学ユニットL11の像側のテレセントリック性を回復させる機能を有する。即ち、マイクロプリズム14を備えることにより、露光光学ユニットL11は、像側テレセントリックな光学系となる。   The light beam reflected by the DMD 8 passes through the relay lens 10 a and the aperture 10 b of the relay optical system 10 ′, is enlarged by passing through the relay lens 10 c ′ of the enlargement system, and enters the microprism (optical member) 14. . Further, as shown in FIG. 6, the light beam expanded by passing through an enlargement system relay lens (not shown) provided in each of the exposure optical units L12 and L13 also enters the microprism 14. The microprism 14 corrects the principal ray direction of the light beam expanded by breaking the telecentricity on the image side of the exposure optical unit L11 by the relay lens 10c ′ in a direction substantially orthogonal to the plate P, thereby exposing the light. It has a function of restoring telecentricity on the image side of the optical unit L11. That is, by providing the microprism 14, the exposure optical unit L11 becomes an image side telecentric optical system.

図8は、マイクロプリズム14の構成を示す図である。図8に示すように、マイクロプリズム14の入射面は、露光光学ユニットL11〜L13に対応して、ゾーンプレートが形成されている。各ゾーンプレートの中心は、各露光光学ユニットL11〜L13の光軸の位置に形成されている。ゾーンプレートの同心円の間隔は、リレーレンズ10c´を介してマイクロレンズアレイ16の要素レンズ16aのそれぞれに入射する光ビームの主光線がプレートP面に対してほぼ直交するように進行方向が偏向されるように、形成されている。   FIG. 8 is a diagram showing the configuration of the microprism 14. As shown in FIG. 8, a zone plate is formed on the incident surface of the microprism 14 corresponding to the exposure optical units L11 to L13. The center of each zone plate is formed at the position of the optical axis of each exposure optical unit L11-L13. The distance between the concentric circles of the zone plates is such that the traveling direction is deflected so that the principal ray of the light beam incident on each of the element lenses 16a of the microlens array 16 via the relay lens 10c 'is substantially perpendicular to the plate P surface. So that it is formed.

即ち、図9に示すように、マイクロプリズム14の入射面に入射する光ビームの入射角をθ、マイクロプリズム14の頂角をΔ、マイクロプリズム14の屈折率をnとしたとき、θ=sin−1(n・sinΔ)−Δの条件を満たすような頂角及び屈折率を有するマイクロプリズム14を用いる。このようなマイクロプリズム14を焦点距離Fであるマイクロレンズアレイ16の前側焦点位置F´に配置すると、テレセントリック性を維持することができる。また、ゾーンプレートのパターンピッチ(同心円の間隔)をP、露光波長をλとしたとき、θ=sin−1(λ/P)の条件を満たすようなパターンピッチを有するゾーンプレートを用いる。なお、このときの露光波長λは固定とする。 That is, as shown in FIG. 9, when the incident angle of the light beam incident on the incident surface of the microprism 14 is θ, the apex angle of the microprism 14 is Δ, and the refractive index of the microprism 14 is n, θ = sin A microprism 14 having an apex angle and a refractive index satisfying the condition of −1 (n · sin Δ) −Δ is used. When such a microprism 14 is arranged at the front focal position F ′ of the microlens array 16 having the focal length F, telecentricity can be maintained. Further, a zone plate having a pattern pitch that satisfies the condition of θ = sin −1 (λ / P), where P is the pattern pitch of the zone plate (concentric circle interval) and λ is the exposure wavelength, is used. The exposure wavelength λ at this time is fixed.

マイクロレンズアレイ16を介してプレートP上に到達した光ビームはDMD8及び露光光学ユニットL12,L13の各DMD(図示せず)により形成された所定のパターンの像を形成し、レジストが塗布されたプレートP上には所定のパターンが露光される。このとき、DMD8及び露光光学ユニットL12,L13の各DMDからの光ビームは、プレートP上で連続したパターンの像を形成する。即ち、各露光光学ユニットL11〜L13が備えるDMDのY方向における配置間隔と各露光光学ユニットL11〜L13を介した光ビームにより形成される露光領域のY方向における配置間隔は異なっているが、拡大系のリレーレンズを備えているため、露光光学ユニットL11〜L13のそれぞれを介した光ビームは、プレートP上でY方向にほぼ一列に連続した複数(この実施の形態においては3つ)の露光領域を形成する。   The light beam that has reached the plate P via the microlens array 16 forms a predetermined pattern image formed by the DMD 8 and each DMD (not shown) of the exposure optical units L12 and L13, and a resist is applied. A predetermined pattern is exposed on the plate P. At this time, the light beam from each DMD of the DMD 8 and the exposure optical units L12 and L13 forms an image of a continuous pattern on the plate P. That is, the arrangement interval in the Y direction of the DMD included in each exposure optical unit L11 to L13 is different from the arrangement interval in the Y direction of the exposure region formed by the light beam via each exposure optical unit L11 to L13. Since the system relay lens is provided, a plurality (three in this embodiment) of light beams that pass through each of the exposure optical units L11 to L13 are arranged in a row in the Y direction on the plate P. Form a region.

また、プレートステージPSTの近傍には、露光光学ユニットL11〜L13を介した光ビームの照度を計測する少なくとも1つの照度センサ(図示せず)が設けられている。照度センサは、XY平面上を移動可能に構成されており、各露光光学ユニットL11〜L13から射出される光ビームの照度を計測することができる位置に移動し、各露光光学ユニットL11〜L13から射出される光ビームの照度を計測する。照度センサによる計測結果は、制御装置CONT対して出力される。   In addition, at least one illuminance sensor (not shown) that measures the illuminance of the light beam via the exposure optical units L11 to L13 is provided in the vicinity of the plate stage PST. The illuminance sensor is configured to be movable on the XY plane, moves to a position where the illuminance of the light beam emitted from each of the exposure optical units L11 to L13 can be measured, and from each of the exposure optical units L11 to L13. The illuminance of the emitted light beam is measured. The measurement result by the illuminance sensor is output to the control device CONT.

この実施の形態においては、マイクロプリズム14等により、各露光光学ユニットL11〜L13を介した光ビームにより形成される露光領域内に照度ムラが発生する場合がある。その場合には、露光光学ユニットL11〜L13を介した光ビームの照度を計測し、照度調整フィルタ7を用いて、計測結果に基づいて光ビームにより照明される露光領域内における照度ムラを補正する。具体的には、制御装置CONTは、露光光学ユニットL11を介した光ビームにより形成される露光領域内の複数の計測点上に照度センサを移動させる。照度センサは各計測点における光ビームの照度を計測し、計測結果を制御装置CONTに対して出力する。制御装置CONTは、照度センサによる各計測点における光ビームの照度の計測結果に基づいて、露光光学ユニットL11を介した光ビームにより形成される露光領域内に照度ムラが発生しているか否か判別する。照度ムラが発生している場合には、照度調整フィルタ7の透過率分布を調整し、照度ムラの補正を行なう。   In this embodiment, the illuminance unevenness may occur in the exposure region formed by the light beam via the exposure optical units L11 to L13 due to the microprism 14 or the like. In that case, the illuminance of the light beam via the exposure optical units L11 to L13 is measured, and the illuminance adjustment filter 7 is used to correct the illuminance unevenness in the exposure area illuminated by the light beam based on the measurement result. . Specifically, the control device CONT moves the illuminance sensor onto a plurality of measurement points in the exposure area formed by the light beam via the exposure optical unit L11. The illuminance sensor measures the illuminance of the light beam at each measurement point, and outputs the measurement result to the control device CONT. The control device CONT determines whether illuminance unevenness has occurred in the exposure region formed by the light beam via the exposure optical unit L11, based on the measurement result of the illuminance of the light beam at each measurement point by the illuminance sensor. To do. When the illuminance unevenness occurs, the transmittance distribution of the illuminance adjustment filter 7 is adjusted to correct the illuminance unevenness.

また、照度センサは露光光学ユニットL12,L13を介した光ビームにより形成される露光領域内の複数の計測点における光ビームの照度も同様に計測し、制御装置CONTは照度センサによる計測結果に基づいて露光光学ユニットL12,L13を介した光ビームにより形成される露光領域内に照度ムラが発生しているか否か判別する。そして、照度ムラが発生している場合には、各露光光学ユニットL12、L13が備える照度フィルタを用いて、照度ムラの補正を行なう。   The illuminance sensor similarly measures the illuminance of the light beam at a plurality of measurement points in the exposure region formed by the light beam via the exposure optical units L12 and L13, and the control device CONT is based on the measurement result of the illuminance sensor. Then, it is determined whether or not illuminance unevenness occurs in the exposure region formed by the light beam via the exposure optical units L12 and L13. If illuminance unevenness occurs, the illuminance unevenness is corrected using an illuminance filter provided in each of the exposure optical units L12 and L13.

第2の実施の形態にかかる走査型露光装置によれば、3つのDMDからの光ビームを拡大する拡大系のリレーレンズ及び光ビームの主光線をプレートP面に対してほぼ直交するように進行方向を制御するマイクロプリズム14を備えているため、各DMDからの光ビームによりプレートP上にY方向にほぼ一列に連続した露光領域を形成することができる。したがって、従来の走査型露光装置のように複数の露光光学ユニットを走査方向に沿って複数列配置する必要がないため、走査露光する際の走査距離を短くすることができ、スループットを向上させることができる。また、露光装置本体を小型化することが可能となる。   According to the scanning exposure apparatus of the second embodiment, the relay lens of the expansion system that expands the light beam from the three DMDs and the principal ray of the light beam travel so as to be substantially orthogonal to the plate P plane. Since the microprism 14 for controlling the direction is provided, it is possible to form an exposure region that is continuous in a line in the Y direction on the plate P by the light beam from each DMD. Accordingly, it is not necessary to arrange a plurality of exposure optical units in the scanning direction as in the conventional scanning exposure apparatus, so that it is possible to shorten the scanning distance at the time of scanning exposure and to improve the throughput. Can do. Further, the exposure apparatus main body can be reduced in size.

また、従来の走査型露光装置においては走査方向に沿って異なる列に配列された露光光学ユニットにより形成される露光領域の継ぎ誤差が発生していたが、第2の実施の形態にかかる走査型露光装置においては各DMDにより形成される露光領域を一列に連続的に配置することができ、かつ各DMDにより形成されるパターンの像位置を調整することができるため、継ぎ誤差の発生を防止することができ、各DMDにより形成される露光領域の継ぎ精度を向上させることができる。   Further, in the conventional scanning exposure apparatus, there has been a splicing error in the exposure area formed by the exposure optical units arranged in different rows along the scanning direction, but the scanning type according to the second embodiment In the exposure apparatus, the exposure areas formed by the DMDs can be continuously arranged in a line, and the image position of the pattern formed by the DMDs can be adjusted. And the splicing accuracy of the exposure area formed by each DMD can be improved.

なお、第2の実施の形態においては、プレートP上に3つの露光領域が隙間なく一列に連続的に形成される例を示しているが、3つの露光領域の少なくとも一部が重複するようにしてもよい。即ち、プレートP上に形成される3つの露光領域の継ぎ部が一部重複するようにしてもよい。この場合、継ぎ部の境界部分をわかりにくくすることが可能となる。また、継ぎ合わせる際のそれぞれの露光領域の形状は、矩形の形状であってもよいが、台形や平行四辺形、六角形などの形状が好ましい。その際、重複させる部分継ぎ部は、隣り合った露光領域の継ぎ合わせる位置に相当する位置の三角形の部分を対応させることにより、最適な露光量とすることが可能となる。   In the second embodiment, an example is shown in which three exposure areas are continuously formed in a line on the plate P without a gap, but at least a part of the three exposure areas overlaps. May be. In other words, the joint portions of the three exposure areas formed on the plate P may partially overlap. In this case, it becomes possible to obscure the boundary portion of the joint portion. In addition, the shape of each exposure region at the time of joining may be a rectangular shape, but a shape such as a trapezoid, a parallelogram, and a hexagon is preferable. At this time, the overlapping partial overlapping portions can be made to have an optimum exposure amount by associating triangular portions at positions corresponding to positions where adjacent exposure regions are joined together.

また、第2の実施の形態においては、拡大系のリレーレンズにより光ビームを拡大させてプレートP上で一列に連続したパターン像が形成されるようにしているが、拡大系のリレーレンズを用いないでプレートP上で一列に連続したパターン像を形成することができる。例えば、図10に示すように、露光光学ユニットL11´により形成される所定のパターンの像がプレートP上に転写される位置が+Y方向に移動するように、露光光学ユニットL11´を構成する。また、露光光学ユニットL13´により形成される所定のパターンの像がプレートP上に転写される位置が−Y方向に移動するように、露光光学ユニットL13´を構成する。そして、露光光学ユニットL11´〜L13´により一列に連続したパターン像が形成されるようにする。   In the second embodiment, a light beam is magnified by an enlarging relay lens so that a continuous pattern image is formed on the plate P. However, an enlarging relay lens is used. Therefore, a pattern image continuous in a line on the plate P can be formed. For example, as shown in FIG. 10, the exposure optical unit L11 ′ is configured such that the position where the image of the predetermined pattern formed by the exposure optical unit L11 ′ is transferred on the plate P moves in the + Y direction. Further, the exposure optical unit L13 ′ is configured such that the position where the image of the predetermined pattern formed by the exposure optical unit L13 ′ is transferred onto the plate P moves in the −Y direction. Then, a pattern image continuous in a line is formed by the exposure optical units L11 ′ to L13 ′.

このとき、露光光学ユニットL11´〜L13´を介した光ビームは、マイクロプリズム14´に入射する。マイクロプリズム14´は、露光光学ユニットL11´,L13´を介した光ビームの主光線の向きをプレートPに対してほぼ直交する方向に補正する機能を有している。マイクロプリズム14´を備えることにより、露光光学ユニットL11´〜L13´は、像側テレセントリックな光学系となる。これにより、プレートPの平面度に左右されることなく像の位置精度を高く保つことができる。   At this time, the light beam that has passed through the exposure optical units L11 ′ to L13 ′ enters the microprism 14 ′. The microprism 14 ′ has a function of correcting the direction of the principal ray of the light beam that has passed through the exposure optical units L 11 ′ and L 13 ′ in a direction substantially orthogonal to the plate P. By providing the microprism 14 ′, the exposure optical units L11 ′ to L13 ′ become an image side telecentric optical system. Thereby, the position accuracy of the image can be kept high without being influenced by the flatness of the plate P.

また、図7に示すように、マイクロプリズム14を用いることにより、プレートP側をテレセントリックに設定したまま、リレー光学系10´の有効径よりも大きな露光領域を露光することができる。言い換えると、リレー光学系10´の有効径を露光領域よりも小さくすることができるため、リレー光学系10´の大きさを小さくすることが可能となり、配置の制約を緩和することができる。   Further, as shown in FIG. 7, by using the microprism 14, an exposure area larger than the effective diameter of the relay optical system 10 ′ can be exposed while the plate P side is set to be telecentric. In other words, since the effective diameter of the relay optical system 10 ′ can be made smaller than the exposure area, the size of the relay optical system 10 ′ can be reduced, and the arrangement restriction can be relaxed.

また、上述の各実施の形態においては、プレートP上で一列に連続したパターン像を形成するために光ビームの進行方向を制御する光学部材(菱形プリズム、拡大系のリレーレンズ、マイクロプリズム)を備えているが、光学部材を備えることなくプレートP上に一列に連続したパターン像を形成することができる。即ち、DMD及びマイクロレンズアレイ16の配置位置を調整することにより光ビームの進行方向を制御し、プレートP上で一列に連続したパターン像を形成する。具体的には、各DMDのマイクロミラーの1つを介した光ビームの主光線がこのマイクロミラーに対応するマイクロレンズアレイ16の要素レンズ16aの焦点位置を通過するように、各要素レンズ16aを配置する。このように要素レンズ16aを配置することにより、各要素レンズ16aを通過した光ビームの主光線をプレートP面に対してほぼ直交するように導くことができる。   Further, in each of the above-described embodiments, an optical member (rhombus prism, magnifying relay lens, microprism) that controls the traveling direction of the light beam in order to form a continuous pattern image on the plate P is provided. However, it is possible to form a continuous pattern image on the plate P without providing an optical member. That is, the traveling direction of the light beam is controlled by adjusting the arrangement position of the DMD and the microlens array 16, and a continuous pattern image on the plate P is formed. Specifically, each element lens 16a is set so that the principal ray of the light beam passing through one of the DMD micromirrors passes through the focal position of the element lens 16a of the microlens array 16 corresponding to the micromirror. Deploy. By disposing the element lens 16a in this way, the principal ray of the light beam that has passed through each element lens 16a can be guided so as to be substantially orthogonal to the plate P surface.

また、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置においては、各露光光学ユニットが備えるDMDがプレート上に形成されるパターンの像位置を調整する位置調整機構として機能しているが、少なくとも1つのDMDが位置調整機構として機能すればよい。また、DMDをZ方向に移動することにより光路長の調整を行っているが、露光光学ユニットL1〜L3を構成する他の光学部材により光路長の調整を行うようにしてもよい。   In the scanning exposure apparatus according to each of the above-described embodiments, the DMD included in each exposure optical unit functions as a position adjustment mechanism that adjusts the image position of the pattern formed on the plate. Two DMDs may function as a position adjusting mechanism. Further, although the optical path length is adjusted by moving the DMD in the Z direction, the optical path length may be adjusted by other optical members constituting the exposure optical units L1 to L3.

また、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置においては、各露光光学ユニットが部分可変成形マスクとしてのDMDを備えて構成されている例を示しているが、1つのDMDを複数の領域に分解し、分解されたそれぞれの領域を部分可変成形マスクとして機能させるようにしてもよい。   In the scanning exposure apparatus according to each of the above-described embodiments, an example is shown in which each exposure optical unit is configured to include a DMD as a partially variable molding mask. However, one DMD is divided into a plurality of regions. It is also possible to make the respective areas decomposed to function as partially variable molding masks.

また、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置においては、マイクロレンズアレイを備えているが、マイクロレンズアレイを用いず、マイクロレンズアレイの位置にそのままパターンを投影する構成にしてもよいことは言うまでもない。   The scanning exposure apparatus according to each of the above embodiments includes a microlens array. However, the microlens array may not be used, and a pattern may be projected as it is on the position of the microlens array. Needless to say.

また、複数の露光光学ユニットのそれぞれに対応して、複数の部分可変成形マスク(DMD)をそれぞれ設けるような実施の形態を一例として示したが、複数の露光光学ユニットに対して1つの可変成形マスクを設けるようにしてもよいことは言うまでもない。   Further, the embodiment in which a plurality of partial variable molding masks (DMD) are provided corresponding to each of the plurality of exposure optical units has been shown as an example. However, one variable molding is performed for the plurality of exposure optical units. Needless to say, a mask may be provided.

また、本実施の形態のように複数の露光光学ユニットにより投影される投影領域の間隔と複数の露光光学ユニットの間隔とが異なる場合に本発明は有効である。したがって、本実施の形態のように連続した露光領域となるものでもよいし、複数の露光領域に離散的に離散したパターンであってもよい。   Further, the present invention is effective when the interval between projection areas projected by a plurality of exposure optical units and the interval between the plurality of exposure optical units are different as in the present embodiment. Therefore, it may be a continuous exposure area as in the present embodiment, or may be a pattern discretely dispersed in a plurality of exposure areas.

なお、本実施の形態では、可変成形マスクを用いるものを示したが、一般的な透過型マスクや反射型マスクを用いるような構成であっても適応することが可能である。その際には、マイクロレンズアレイを省いた構成としてもよい。   In this embodiment, the variable shaped mask is used. However, the present invention can be applied to a configuration using a general transmission type mask or a reflection type mask. In that case, the microlens array may be omitted.

上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置では、投影光学系を用いて可変成形マスクとしてのDMDにより形成された転写用のパターンを感光性基板(プレート)に露光する(露光工程)ことにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置を用いて感光性基板としてのプレート等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図11のフローチャートを参照して説明する。   In the scanning exposure apparatus according to each of the above-described embodiments, the photosensitive substrate (plate) is exposed (exposure process) by exposing a transfer pattern formed by DMD as a variable molding mask using a projection optical system. Microdevices (semiconductor elements, imaging elements, liquid crystal display elements, thin film magnetic heads, etc.) can be manufactured. Hereinafter, an example of a technique for obtaining a semiconductor device as a micro device by forming a predetermined circuit pattern on a plate or the like as a photosensitive substrate using the scanning exposure apparatus according to each of the above embodiments will be described. This will be described with reference to the flowchart of FIG.

先ず、図11のステップS301において、1ロットのプレート上に金属膜が蒸着される。次のステップS302において、その1ロットのプレート上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップS303において、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置を用いて、DMDにより形成されたパターンの像が投影光学系を介して、その1ロットのプレート上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップS304において、その1ロットのプレート上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップS305において、その1ロットのプレート上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、DMDにより形成されたパターンに対応する回路パターンが、各プレート上の各ショット領域に形成される。   First, in step S301 in FIG. 11, a metal film is deposited on one lot of plates. In the next step S302, a photoresist is applied on the metal film on the one lot of plates. Thereafter, in step S303, using the scanning exposure apparatus according to each of the above-described embodiments, the pattern image formed by DMD is sequentially applied to each shot area on the plate of one lot via the projection optical system. Exposure transferred. After that, in step S304, the photoresist on the one lot of plates is developed, and in step S305, the resist pattern is used as an etching mask on the one lot of plates to form the DMD. A circuit pattern corresponding to the pattern is formed in each shot area on each plate.

その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置を用いて露光を行なっているため、良好な半導体デバイスを得ることができる。なお、ステップS301〜ステップS305では、プレート上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、プレート上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。   Thereafter, a device pattern such as a semiconductor element is manufactured by forming a circuit pattern of an upper layer. According to the semiconductor device manufacturing method described above, since the exposure is performed using the scanning exposure apparatus according to each of the above-described embodiments, a good semiconductor device can be obtained. In steps S301 to S305, a metal is vapor-deposited on the plate, a resist is applied on the metal film, and exposure, development and etching processes are performed. Prior to these processes, the process is performed on the plate. It is needless to say that after forming a silicon oxide film, a resist may be applied on the silicon oxide film, and steps such as exposure, development, and etching may be performed.

また、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図12のフローチャートを参照して、このときの手法の一例について説明する。まず、図12において、パターン形成工程S401では、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置を用いて可変成形マスクとしてのDMDにより形成されたパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程S402へ移行する。   In the scanning exposure apparatus according to each of the above embodiments, a liquid crystal display element as a micro device is obtained by forming a predetermined pattern (circuit pattern, electrode pattern, etc.) on a plate (glass substrate). You can also. Hereinafter, an example of the technique at this time will be described with reference to the flowchart of FIG. First, in FIG. 12, in the pattern formation step S401, a pattern formed by DMD as a variable molding mask using the scanning exposure apparatus according to each of the above-described embodiments is formed on a photosensitive substrate (a glass substrate coated with a resist). And so on), a so-called photolithography process is performed. By this photolithography process, a predetermined pattern including a large number of electrodes and the like is formed on the photosensitive substrate. Thereafter, the exposed substrate undergoes steps such as a developing step, an etching step, and a resist stripping step, whereby a predetermined pattern is formed on the substrate, and the process proceeds to the next color filter forming step S402.

次に、カラーフィルタ形成工程S402では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程S402の後に、セル組み立て工程S403が実行される。セル組み立て工程S403では、パターン形成工程S401にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルタ形成工程S402にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。セル組み立て工程S403では、例えば、パターン形成工程S401にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程S402にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。   Next, in the color filter forming step S402, a large number of groups of three dots corresponding to R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a matrix or three of R, G, and B A color filter is formed by arranging a plurality of stripe filter sets in the horizontal scanning line direction. Then, after the color filter formation step S402, a cell assembly step S403 is executed. In the cell assembly step S403, a liquid crystal panel (liquid crystal cell) is assembled using the substrate having the predetermined pattern obtained in the pattern formation step S401, the color filter obtained in the color filter formation step S402, and the like. In the cell assembly step S403, for example, liquid crystal is injected between the substrate having the predetermined pattern obtained in the pattern formation step S401 and the color filter obtained in the color filter formation step S402, and a liquid crystal panel (liquid crystal cell ).

その後、モジュール組み立て工程S404にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置を用いて露光を行なっているため、良好な液晶表示素子を得ることができる。   Thereafter, in a module assembly step S404, components such as an electric circuit and a backlight for performing a display operation of the assembled liquid crystal panel (liquid crystal cell) are attached to complete a liquid crystal display element. According to the above-described method for manufacturing a liquid crystal display element, since the exposure is performed using the scanning exposure apparatus according to each of the above-described embodiments, a good liquid crystal display element can be obtained.

第1の実施の形態にかかる走査型露光装置の概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic structure of the scanning exposure apparatus concerning 1st Embodiment. 第1の実施の形態にかかる露光光学ユニットの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the exposure optical unit concerning 1st Embodiment. 第1の実施の形態にかかるDMDの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of DMD concerning 1st Embodiment. 露光光学ユニットを介した光ビームがマイクロレンズアレイに入射する光路を示す図である。It is a figure which shows the optical path in which the light beam which passed through the exposure optical unit injects into a micro lens array. 第1の実施の形態にかかる走査型露光装置のシステム構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a system configuration of a scanning exposure apparatus according to a first embodiment. 第2の実施の形態にかかる走査型露光装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the scanning exposure apparatus concerning 2nd Embodiment. 第2の実施の形態にかかる露光光学ユニットの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the exposure optical unit concerning 2nd Embodiment. マイクロプリズムの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of a microprism. マイクロプリズムの構成要件を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structural requirement of a microprism. 実施の形態にかかる走査型露光装置の他の構成を示す図である。It is a figure which shows the other structure of the scanning exposure apparatus concerning embodiment. この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての半導体デバイスの製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the semiconductor device as a microdevice concerning embodiment of this invention. この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての液晶表示素子の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the liquid crystal display element as a microdevice concerning embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

2…ファイバ、4…コリメート光学系、6…ミラー、7…照度調整フィルタ、8…DMD、10,10´…リレー光学系、11,11´…菱形プリズム、14…マイクロプリズム、16…マイクロレンズアレイ、38…Xレーザ干渉計、44…基準部材、L1〜L3,L11〜L13…露光光学ユニット、P…プレート、PST…プレートステージ、CONT…制御装置。
2 ... Fiber, 4 ... Collimating optical system, 6 ... Mirror, 7 ... Illuminance adjustment filter, 8 ... DMD, 10, 10 '... Relay optical system, 11, 11' ... Rhombus prism, 14 ... Micro prism, 16 ... Micro lens Array, 38 ... X laser interferometer, 44 ... reference member, L1-L3, L11-L13 ... exposure optical unit, P ... plate, PST ... plate stage, CONT ... control device.

Claims (15)

所定のパターンを形成する可変成形マスクと、感光基板を載置する基板ステージと、前記可変成形マスクからの光ビームにより前記感光基板上に像を形成する露光光学系とを備え、前記感光基板上に前記所定のパターンを露光する走査型露光装置において、
前記露光光学系は、前記可変成形マスクからの前記光ビームの主光線を前記感光基板面に対してほぼ直交するように進行方向を偏向する光学部材を備えることを特徴とする走査型露光装置。
A variable shaping mask that forms a predetermined pattern; a substrate stage on which a photosensitive substrate is placed; and an exposure optical system that forms an image on the photosensitive substrate by a light beam from the variable shaping mask. In the scanning exposure apparatus for exposing the predetermined pattern to
The exposure optical system includes an optical member that deflects a traveling direction of the principal ray of the light beam from the variable shaping mask so as to be substantially orthogonal to the surface of the photosensitive substrate.
前記可変成形マスクは、複数の部分可変成形マスクを有し、
前記光学部材は、前記複数の部分可変成形マスクのうち少なくとも1つからの前記光ビームの主光線を偏向することを特徴とする請求項1記載の走査型露光装置。
The variable molding mask has a plurality of partially variable molding masks,
2. The scanning exposure apparatus according to claim 1, wherein the optical member deflects a principal ray of the light beam from at least one of the plurality of partially variable shaping masks.
前記複数の部分可変成形マスクからの前記光ビームは、前記感光基板上で連続したパターンの像を形成することを特徴とする請求項2記載の走査型露光装置。   3. The scanning exposure apparatus according to claim 2, wherein the light beams from the plurality of partially variable molding masks form a continuous pattern image on the photosensitive substrate. 前記複数の部分可変成形マスクからの前記光ビームは、前記感光基板上でほぼ一列に連続した複数の露光領域を形成することを特徴とする請求項2または請求項3記載の走査型露光装置。   4. The scanning exposure apparatus according to claim 2, wherein the light beams from the plurality of partially variable shaping masks form a plurality of exposure regions that are substantially continuous in a row on the photosensitive substrate. 前記複数の部分可変成形マスクからの前記光ビームは、前記感光基板上で少なくとも一部が重複することを特徴とする請求項2乃至請求項4の何れか一項に記載の走査型露光装置。   5. The scanning exposure apparatus according to claim 2, wherein at least a part of the light beams from the plurality of partially variable shaping masks overlap on the photosensitive substrate. 6. 前記複数の部分可変成形マスクの配置間隔と前記複数の露光領域の配置間隔とが異なることを特徴とする請求項2乃至請求項5の何れか一項に記載の走査型露光装置。   6. The scanning exposure apparatus according to claim 2, wherein an arrangement interval between the plurality of partial variable shaping masks is different from an arrangement interval between the plurality of exposure regions. 前記光学部材は、複数のマイクロプリズムにより構成されることを特徴とする請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の走査型露光装置。   The scanning exposure apparatus according to claim 1, wherein the optical member includes a plurality of microprisms. 前記露光光学系は、前記複数の部分可変成形マスクに対応するように配置された複数の部分露光光学ユニットを備えることを特徴とする請求項2乃至請求項7の何れか一項に記載の走査型露光装置。   8. The scanning according to claim 2, wherein the exposure optical system includes a plurality of partial exposure optical units arranged so as to correspond to the plurality of partial variable shaping masks. Mold exposure equipment. 前記露光光学系は、複数のマイクロレンズを備え、
前記複数のマイクロレンズは、前記複数の部分可変成形マスクの何れか介した前記光ビームの主光線が前記複数のマイクロレンズの何れかの前記焦点位置を通過する位置に配置され、前記光学部材を介した前記光ビームの主光線を前記感光基板面に対してほぼ直交するように導くことを特徴とする請求項2乃至請求項8の何れか一項に記載の走査型露光装置。
The exposure optical system includes a plurality of microlenses,
The plurality of microlenses are arranged at positions where a principal ray of the light beam through any of the plurality of partially variable molding masks passes through the focal position of any of the plurality of microlenses, 9. The scanning type exposure apparatus according to claim 2, wherein a principal ray of the light beam is guided so as to be substantially orthogonal to the surface of the photosensitive substrate.
前記露光光学系は、像側テレセントリックな光学系であることを特徴とする請求項1乃至請求項9の何れか一項に記載の走査型露光装置。   The scanning exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure optical system is an image side telecentric optical system. 前記複数の部分可変成形マスクからの前記光ビームの主光線を、前記光学部材に導く偏向光学部材を備えることを特徴とする請求項2乃至請求項10の何れか一項に記載の走査型露光装置。   11. The scanning exposure according to claim 2, further comprising a deflecting optical member that guides a principal ray of the light beam from the plurality of partially variable shaping masks to the optical member. apparatus. 前記複数の可変成形マスクのうち少なくとも一つの部分可変成形マスクは、該部分可変成形マスクの位置を調整する位置調整機構を備えることを特徴とする請求項2乃至請求項11の何れか一項に記載の走査型露光装置。   The at least one partially variable forming mask among the plurality of variable forming masks includes a position adjusting mechanism for adjusting a position of the partially variable forming mask. The scanning exposure apparatus described. 前記感光基板は、フラットパネル表示素子用の基板であることを特徴とする請求項1乃至請求項12の何れか一項に記載の走査型露光装置。   The scanning exposure apparatus according to any one of claims 1 to 12, wherein the photosensitive substrate is a substrate for a flat panel display element. 前記感光基板は、外径が500mmよりも大きい感光基板であることを特徴とする請求項1乃至請求項13の何れか一項に記載の走査型露光装置。   The scanning exposure apparatus according to any one of claims 1 to 13, wherein the photosensitive substrate is a photosensitive substrate having an outer diameter larger than 500 mm. 請求項1乃至請求項14の何れか一項に記載の走査型露光装置を用いて所定のパターンを感光基板上に露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
An exposure step of exposing a predetermined pattern on a photosensitive substrate using the scanning exposure apparatus according to any one of claims 1 to 14,
A development step of developing the photosensitive substrate exposed by the exposure step;
A device manufacturing method comprising:
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