KR20140086439A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140086439A
KR20140086439A KR1020120156942A KR20120156942A KR20140086439A KR 20140086439 A KR20140086439 A KR 20140086439A KR 1020120156942 A KR1020120156942 A KR 1020120156942A KR 20120156942 A KR20120156942 A KR 20120156942A KR 20140086439 A KR20140086439 A KR 20140086439A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pixel
column direction
lower electrode
length
wiring lines
Prior art date
Application number
KR1020120156942A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102037273B1 (ko
Inventor
문중수
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120156942A priority Critical patent/KR102037273B1/ko
Priority to EP13188626.9A priority patent/EP2750196B1/en
Priority to US14/108,543 priority patent/US9190461B2/en
Publication of KR20140086439A publication Critical patent/KR20140086439A/ko
Priority to US14/921,526 priority patent/US9536928B2/en
Priority to US16/238,819 priority patent/USRE49592E1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102037273B1 publication Critical patent/KR102037273B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

수명을 연장시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치가 제공된다. 유기 발광 표시 장치는 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소 및 상기 복수의 화소 사이에 행 방향으로 배치된 지그재그 형상의 복수의 배선 라인을 포함한다.

Description

유기 발광 표시 장치 {ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서 보다 상세하게는 수명을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 복수의 화소를 포함할 수 있으며, 복수의 화소 각각은 제1 전극, 제2 전극 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 유기층을 포함할 수 있다. 유기층은 제1 전극과 제2 전극 사이에 흐르는 전류에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 제1 전극과 제2 전극 사이에 흐르는 전류를 제어하여 원하는 화상을 표시할 수 있다.
유기층은 시간의 경과에 따라 성능이 열화되어 발광 효율이 저하될 수 있다. 유기층은 외부로부터의 산소 또는 수분의 침투에 따른 유기층의 부식, 구동시 유기층에 작용하는 전기적인 응력에 의한 구조의 변화 또는 온도의 변화에 따른 유기층 내 물질의 결정화 현상 등에 의하여 발생할 수 있다. 유기층의 열화에 따라 유기 발광 표시 장치의 수명이 결정될 수 있다.
유기층의 열화 정도는 유기층이 발광하는 빛의 색상에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 발광하는 빛이 적색, 녹색 및 청색인 경우의 순서로, 유기층의 수명은 짧을 수 있다. 유기층 성능은 유기층에 흐르는 전류의 밀도에 대응하여 열화될 수 있다. 예를 들어, 유기층에 흐르는 전류의 밀도가 상승할수록 유기층의 열화는 상승할 수 있다. 따라서, 유기층의 수명을 균일하도록 하기 위하여 발광하는 색상별로 유기층의 크기가 다르도록 유기 발광 표시 장치를 형성할 수 있다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 열화가 빠르게 일어나는 색상의 유기층의 크기를 확장시켜 수명을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 개구율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소 및 상기 복수의 화소 사이에 행 방향으로 배치된 지그재그 형상의 복수의 배선 라인을 포함한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기재, 상기 기재 상에 배치된 절연층, 상기 절연층 상에 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 하부 전극, 상기 복수의 하부 전극 상에 배치된 유기 발광층, 상기 유기 발광층의 상부에 배치된 상부 전극 및 상기 절연층 상부에 상기 복수의 하부 전극의 행들 사이에 배치되는 지그재그 형상의 복수의 배선 라인을 포함한다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과 있다.
즉, 유기 발광 표시 장치의 수명을 향상시킬 수 있다.
또, 유기 발광 표시 장치의 개구율을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 회로도이다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소와 배선 라인의 배치를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3에서 IV 내지 IV'에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하부 전극과 배선 라인의 배치를 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 유기층과 배선 라인의 배치를 나타낸 평면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소와 배선 라인의 배치를 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하부 전극과 배선 라인의 배치를 나타낸 평면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 유기층과 배선 라인의 배치를 나타낸 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 블록도이다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(1000)은 표시 패널(100)을 포함한다.
표시 패널(100)은 복수의 화소(PX) 및 복수의 화소(PX)에 신호들을 전달하기 위한 배선들을 포함할 수 있다. 복수의 화소(PX)는 매트릭스 형상으로 배치될 수 있다. 복수의 화소(PX) 각각은 적색, 녹색 또는 청색 중의 하나의 색으로 발광할 수 있다. 복수의 화소(PX)는 표시 패널(100)의 외부로부터 제공되는 제1 내지 제n 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn), 제1 내지 제m 데이터 신호(D1, D2, ..., Dm) 및 제1 내지 제n 발광 신호(EM1, EM2, ..., EMn)에 의하여 발광이 제어될 수 있다. 제1 내지 제n 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)은 복수의 화소(PX) 각각이 제1 내지 제m 데이터 신호(D1, D2, ..., Dm)를 수신할 지 여부를 제어할 수 있다. 제1 내지 제m 데이터 신호(D1, D2, ..., Dm)는 복수의 화소(PX) 각각이 발광하는 휘도에 관한 정보를 포함할 수 있다. 제1 내지 제m 발광 신호(EM1, EM2, ..., EMn)는 복수의 화소(PX) 각각의 발광 여부를 제어할 수 있다. 이하, 도 2를 참조하여 화소(PX)의 동작에 대하여 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 회로도이다. 도 2를 참조하면, 화소(PX)는 제1 내지 제 6 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6), 구동 트랜지스터(Td), 유기 발광 다이오드(OLED) 및 제1 캐패시터(C1)를 포함할 수 잇다.
구동 트랜지스터(Td)의 드레인 전극은 제5 트랜지스터(T5) 및 제4 트랜지스터(T4)에 연결되고, 소스 전극은 제 6트랜지스터(T6) 및 제2 트랜지스터(T2)에 연결된다. 구동 트랜지스터(Td)는 소스 전극과 게이트 전극 간 전압차에 대응되는 전류를 유기 발광 다이오드(OLED)로 전달하여, 유기 발광 다이오드를 그에 대응하여 발광시킬 수 있다.
제5 및 제6 트랜지스터(T5, T6)은 각각 구동 트랜지스터(Td)의 드레인 전극 및 소스 전극에 연결되어, 구동 트랜지스터(Td)로부터 유기 발광 다이오드(OLED)로 전달되는 전류가 흐르도록 하거나 차단할 수 있다. 제5 및 제6 트랜지스터(T5, T6)의 게이트 전극에는 제i 발광 신호(EMi)가 전달되며, 제5 및 제6 트랜지스터(T5, T6)의 동작은 제i 발광 신호(EMi)에 의하여 제어될 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에는 제i-1 스캔 신호(Si-1)가 전달될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 제i 스캔 신호(Si)가 화소(PX)로 전달되기 전에, 제i-1 스캔 신호(Si-1)에 의하여 턴온될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)가 턴온되면, 전원 전압(ELVDD)을 구동 트랜지스터(Td)의 소스 전극에 전달할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에는 제i 스캔 신호(Si)가 전달될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제i 스캔 신호(Si)에 의하여 턴온될 수 있으며, 제1 트랜지스터(T1)가 턴온되면, 제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터(Td)의 소스 전극에 제j 데이터 신호(Dj)를 전달할 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극에는 제i-1 스캔 신호(Si-1)가 전달될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 제i-1 스캔 신호(Si-1)에 의하여 턴온될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)가 턴온되면, 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전극에는 초기화 전압(VINIT)이 전달될 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극에는 제i 스캔 신호(Si)가 전달될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 제i 스캔 신호(Si)에 의하여 턴온될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)가 턴온되면, 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 드레인 전극을 연결하여, 구동 트랜지스터(Td)를 다이오드 연결시킬 수 있다.
제1 캐패시터(C1)는 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 전원 전압(ELVDD) 사이에 배치되고, 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전극에 인가되는 전압을 유지하도록 할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드는 제5 트랜지스터(T5)에 연결되고, 캐소드에는 기저 전원 전압(ELVSS)가 인가될 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 제5 및 제6 트랜지스터(T5, T6)가 턴온된 경우, 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류에 대응하는 휘도록 발광할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 배선들은 제1 내지 제n 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn), 제1 내지 제m 데이터 신호(D1, D2, ..., Dm), 제1 내지 제m 발광 신호(EM1, EM2, ..., EMn) 및 초기화 전압(VINIT)을 전달하기 위한 배선들을 포함할 수 있다. 제1 내지 제n 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn) 및 제1 내지 제m 발광 신호(EM1, EM2, ..., EMn)를 전달하기 위한 배선들은 복수의 화소의(PX)의 행 방향으로 연장되도록 배치될 수 있다. 제1 내지 제m 데이터 신호(D1, D2, ..., Dm)를 전달하기 위한 배선들은 복수의 화소(PX)의 열 방향으로 연장되도록 배치될 수 있다. 초기화 전압(VINIT)을 전달하기 위한 배선들은 복수의 화소(PX)의 행 방향으로 연장되도록 배치될 수 있다. 초기화 전압(VINIT)을 전달하기 위한 배선들은 지그재그 형태로 형성될 수 있다. 초기화 전압(VINIT)을 전달하기 위한 배선들이 지그재그 형태로 형성되면, 유기 발광 표시 장치(1000)의 개구율을 향상시킬 수 있으며, 청색의 화소(PX)의 유기층의 면적을 증가시켜, 청색의 화소(PX)의 수명을 증가시킬 수 있다. 이에 관하여는 이후에 상세히 설명하도록 한다.
유기 발광 표시 장치(1000)는 구동부 및 전압 생성부(300)를 더 포함할 수 있다.
구동부는 타이밍 제어부(210), 데이터 구동부(220) 및 스캔 구동부(230)를 포함할 수 있다. 타이밍 제어부(210)는 외부로부터 영상 데이터를 수신하여 그에 대응되도록 스캔 구동부(230)를 제어할 수 있는 스캔 구동부 제어 신호(SCS) 및 데이터 구동부(220)를 제어할 수 있는 데이터 구동부 제어 신호(DCS)를 생성할 수 있다.
데이터 구동부(220)는 데이터 구동부 제어 신호(DCS)를 수신하여 그에 대응되도록 제1 내지 제m 데이터 신호(D1, D2, ..., Dm)를 생성할 수 있다.
스캔 구동부(230)는 스캔 구동부 제어 신호(SCS)를 수신하여 그에 대응되도록 제1 내지 제n 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn) 및 제1 내지 제n 발광 신호(EM1, EM2, ..., EMn)를 생성할 수 있다.
전압 생성부(300)는 초기화 전압(VINIT), 전원 전압(ELVDD) 및 전원 기저 전압(ELVSS)을 생성하여 표시 패널(100)에 제공할 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면, 초기화 전압(VINIT), 전원 전압(ELVDD) 및 전원 기저 전압(ELVSS)은 가변될 수 있으며, 타이밍 제어부(210)는 초기화 전압(VINIT), 전원 전압(ELVDD) 및 전원 기저 전압(ELVSS)이 가변되도록 전압 생성부(300)을 제어할 수도 있다.
이하 도 3을 참조하여, 복수의 화소(PX)와 배선 라인의 배치에 대하여 보다 상세히 설명하도록 한다. 도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소와 배선 라인의 배치를 나타낸 평면도이다.
도 3을 참조하면, 복수의 화소(PX)는 제1 화소(PR), 제2 화소(PG) 및 제3 화소(PB)로 나뉘어질 수 있다. 예를 들어, 제1 화소(PR)은 적색으로 발광하는 화소일 수 있고, 제2 화소(PG)는 녹색으로 발광하는 화소일 수 있고, 제3 화소(PB)는 청색으로 발광하는 화소일 수 있다. 제1 화소(PR)의 행 방향의 양측에는 제2 화소(PG)들이 배치될 수 있다. 제1 화소(PR)의 열 방향의 양측에는 제3 화소(PB)들이 배치될 수 있다. 제2 화소(PG)의 행 방향의 양측에는 하나의 제1 화소(PR) 및 하나의 제3 화소(PB)가 배치될 수 있다. 제2 화소(PG)의 열 방향의 양측에는 제2 화소(PG)들이 배치될 수 있다. 제3 화소(PB)의 행 ?향의 양측에는 제2 화소(PG)들이 배치될 수 있다. 제3 화소(PB)의 열 방향의 양측에는 제1 화소(PR)들이 배치될 수 있다.
배선 라인(WL1, WL2)은 복수의 화소(PR, PG, PB)의 행들 사이에 배치될 수 있다. 배선 라인(WL1, WL2)에는 초기화 전압(VINIT)이 인가될 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면, 배선 라인(WL1, WL2)에는 초기화 전압(VINIT) 이외의 신호가 인가될 수도 있으며, 배선 라인(WL1, WL2)이 복수의 화소(PR, PG, PB)와 중첩하여 형성될 수 없는 구성이라면, 어떠한 신호가 인가되더라도 도 3의 배선 라인(WL1, WL2)에 해당할 수 있다. 배선 라인(WL1, WL2)은 지그재그 형상으로 형성될 수 있다. 배선 라인(WL1, WL2)이 지그재그 형상으로 형성되면, 복수의 화소(PR, PG, PB) 각각의 열 방향의 길이를 서로 다르도록 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 화소(PR)의 열 방향의 길이(dR)는 제2 화소(PG)의 열 방향의 길이(dG)보다 짧고, 제2 화소(PG)의 열 방향의 길이(dG)는 제3 화소(PB)의 열 방향의 길이(dB)보다 짧도록 형성될 수 있다. 따라서, 상대적으로 화소(PX)에 포함된 유기층의 열화가 빠르게 진행되는 제3 화소(PB)의 면적을 제1 및 제2 화소(PR, PG)보다 용이하게 증가시킬 수 있다. 화소(PX)의 발광 휘도는 유기층에 흐르는 전류에 대응되므로, 제3 화소(PB)의 면적을 제1 및 제2 화소(PR, PG)보다 크게 형성하면, 동일한 휘도로 발광하기 위한 제3 화소(PB)에 포함된 유기층에 흐르는 전류의 밀도를 감소시킬 수 있다. 화소(PX)에 포함된 유기층의 열화는 유기층에 흐르는 전류의 밀도가 증가하면 상승하므로, 제3 화소(PB)에 포함된 유기층에 흐르는 전류의 밀도를 감소시키면, 제3 화소(PB)의 수명을 연장시킬 수 있다. 따라서, 배선 라인(WL1, WL2)이 지그재그 형상으로 형성되면, 수명이 가장 짧은 제3 화소(PB)의 수명을 연장시켜 유기 발광 표시 장치(1000)의 수명을 연장시킬 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치(1000)에서 화소(PX) 이외의 발광하지 않는 부분 면적의 화소(PX)의 면적에 대한 비율을 줄여, 유기 발광 표시 장치(1000)의 개구율을 향상시킬 수 있다.
배선 라인(WL1, WL2)은 제1 배선 라인(WL1) 및 제2 배선 라인(WL2)을 포함할 수 있다. 제1 배선 라인(WL1) 및 제2 배선 라인(WL2)은 상호 인접한 배선 라인(WL1, WL2)일 수 있다. 제1 배선 라인(WL1)은 화소(PX)의 일행의 일측에 인접하여 인접하여 배치될 수 있고, 제2 배선 라인(WL2)은 화소(PX)의 상기 일행의 타측에 인접하여 배치될 수 있다. 배선 라인(WL1, WL2)이 지그재그 형태로 배치되면, 제1 배선 라인(WL1)과 제2 배선 라인(WL2) 사이의 거리는 측정 위치에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 제1 화소(PR)를 가로질러 측정한 제1 배선 라인(WL1)과 제2 배선 라인(WL2) 사이의 거리(d1)은 제2 화소(PG)를 가로질러 측정한 거리(d2)보다 짧고, 제2 화소(PG)를 가로질러 측정한 거리(d2)는 제3 화소(PB)를 가로질러 측정한 거리(d3)보다 짧을 수 있다. 이러한 경우 제3 화소(PB)의 폭을 제1 및 제2 화소(PR, PG)보다 크게 형성하여 수명이 가장 짧은 제3 화소(PB)의 수명을 연장시켜 유기 발광 표시 장치(1000)의 수명을 연장시킬 수 있고, 유기 발광 표시 장치(1000)의 개구율을 향상시킬 수 있다.
이하 도 4를 참조하여, 화소(PX) 및 배선 라인(WL1, WL2)의 배치에 관하여 보다 상세히 설명하도록 한다. 도 4는 도 3에서 IV 내지 IV'에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(1000)는 기재(10), 버퍼층(20), 반도체층(SM), 게이트 절연막(30), 게이트 전극(G), 층간 절연막(40), 소스 전극(S), 드레인 전극(D), 평탄화막(50), 하부 전극(E1), 유기층(EL), 상부 전극(E2), 캡핑층(70), 제2 배선 라인(WL2) 및 게이트 라인(GL)을 포함할 수 있다.
기재(10)는 유기 발광 표시 장치(1000)의 타 구성들을 지지할 수 있다. 기재(10)는 절연 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기재(10)는 유리, PET(polyethyeleneterepthalate), PC(polycarbonate), PES(polyethersulfone), PI(polyimide) 또는 PMMA(polymethylmetharcylate) 등으로 형성될 수 있으며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에 의하면, 기재(10)는 가요성을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
버퍼층(20)은 기재(10)의 상부면 상에 형성될 수 있다. 버퍼층(20)은 불순 원소의 침투를 방지하며 기재(10)의 상부면을 평탄화할 수 있다. 버퍼층(20)은 이와 같은 기능을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(20)으로서 질화 규소(SiNx)막, 산화 규소(SiO2)막, 산질화 규소(SiOxNy)막 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면, 버퍼층(20)은 생략될 수도 있다.
반도체층(SM)은 버퍼층(20)의 상부에 배치될 수 있다. 반도체층(SM)은 비정질 규소막 또는 다결정 규소막으로 형성될 수 있다. 반도체층(SM)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역, 채널 영역의 양 측에 배치되고 p+ 도핑되어 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D) 과 각각 접촉하는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 반도체층(SM)에 도핑되는 불순물은 붕소(B)를 포함하는 P형 불순물일 수 있으며, 예를 들어, B2H6 등이 불순물로서 사용될 수 있다. 반도체층(SM)에 도핑되는 불순물의 종류는 실시예에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면, 반도체층(SM)은 산화 반도체로 형성될 수도 있다.
게이트 절연막(30)은 반도체층(SM) 상부에 배치될 수 있다. 게이트 절연막(30)은 후술할 게이트 전극(G)과 반도체층(SM)을 상호 절연시킬 수 있다. 게이트 절연막(30)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2)로 형성될 수 있다.
게이트 전극(G)은 게이트 절연막(30)의 상부에 배치될 수 있다. 게이트 전극(G)은 반도체층(SM)의 적어도 일부 영역과 중첩되도록 배치될 수 있다. 게이트 전극(G)에 인가되는 전압에 의하여, 반도체층(SM)이 도전성 또는 비도전성을 갖는지 여부가 제어될 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(G)에 상대적으로 높은 전압이 인가되는 경우, 반도체층(SM)이 도전성을 가져, 드레인 전극(D) 및 소스 전극(S)이 상호 전기적으로 연결되도록 할 수 있으며, 게이트 전극(G)에 상대적으로 낮은 전압이 인가되는 경우, 반도체층(SM)이 비도전성을 가져, 드레인 전극(D) 및 소스 전극(S)이 상호 절연되도록 할 수 있다.
게이트 라인(GL)은 게이트 절연막(30)의 상부에 배치될 수 있다. 게이트 라인(GL)은 게이트 전극(G)과 동일한 공정으로 동일한 층에 형성될 수 있다. 게이트 라인(GL)은 제1 내지 제n 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)를 게이트 전극(G)에 전달할 수 있다.
소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)은 층간 절연막(40)의 상부에 배치될 수 있다. 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)은 층간 절연막(40)과 게이트 절연막(30)을 관통하여 형성된 컨택홀을 통하여 각각 반도체층(SM)과 연결될 수 있다. 소스 전극(S), 드레인 전극(D) 게이트 전극(G) 및 반도체층(SM)은 박막 트랜지스터(T)를 형성할 수 있으며, 박막 트랜지스터(T)는 게이트 전극(G)에 인가되는 전압에 따라, 소스 전극(S)에 전달되는 신호를 드레인 전극(D)에 전달할지 여부를 결정할 수 있다.
평탄화막(50)은 소스 전극(S), 드레인 전극(D) 및 층간 절연막(40) 상에 배치될 수 있다. 평탄화막(50)의 상부에 배치되는 유기층(EL)의 발광 효율을 높이기 위하여, 평탄화막(50)의 상부면은 단차가 없이 평탄한 면으로 형성될 수 있다. 평탄화막(50)은 절연 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 평탄화막(50)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolicresin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
평탄화막(50)에는 컨택홀(H)이 형성될 수 있다. 컨택홀(H)은 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(D)을 상부로 노출시키도록 형성될 수 있다. 컨택홀(H)을 통하여 하부 전극(E1)과 드레인 전극(D)은 연결될 수 있다.
하부 전극(E1)은 평탄화막(50) 상에 배치될 수 있다. 하부 전극(E1)은 컨택홀(H)을 통하여 드레인 전극(D)과 연결될 수 있다. 드레인 전극(D)으로부터 하부 전극(E1)에 전달된 신호에 의하여, 유기층(80)의 발광이 제어될 수 있다.
하부 전극(E1)은 반사형 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 하부 전극(E1)은 Ag/ITO(Indium Tin Oxide), ITO/Ag/ITO, Mo/ITO, Al/ITO 또는 Ti/ITO의 구조로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 하부 전극(E1)은 반사형 도전성 물질로 형성되어, 유기층(EL)에서 생성된 빛을 상부로 반사시킬 수 있다.
제2 배선 라인(WL2)은 평탄화막(50) 상에 하부 전극(E1)과 이격되어 배치될 수 있다. 제2 배선 라인(WL2)은 하부 전극(E1)과 동일한 층에 동일한 공정으로 형성될 수 있다. 제2 배선 라인(WL2)이 하부 전극(E1)과 동일한 층에 형성되면, 제2 배선 라인(WL2)의 배치에 따라 하부 전극(E1)의 배치가 제한되며, 화소(PX)의 배치 또한 제한된다. 따라서, 제2 배선 라인(WL2)이 지그재그 형상으로 형성되면, 제3 화소(PB)의 면적이 제1 및 제2 화소(PB)보다 크게 형성할 수 있어, 유기 발광 표시 장치(1000)의 수명 및 개구율을 향상시킬 수 있다. 도시되지는 않았으나, 제1 배선 라인(WL1)에 대한 설명도 제2 배선 라인(WL2)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다. 이하, 도 5를 참조하여, 배선 라인(WL1, WL2)와 하부 전극(E1)의 배치에 관하여 보다 상세히 설명하도록 한다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하부 전극과 배선 라인의 배치를 나타낸 평면도이다.
도 5를 참조하면, 하부 전극(E1)은 제1 내지 제3 하부 전극(ER, EG, EB)로 나뉘어질 수 있다. 제1 하부 전극(ER)은 제1 화소(PR)에 배치되고, 제2 하부 전극(EG)은 제2 화소(PG)에 배치되고, 제3 하부 전극(EB)은 제3 화소(PB)에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 하부 전극(ER, EG, EB)의 배치는 도 3에서의 제1 내지 제3 화소(PR, PG, PB)의 배치와 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 하부 전극(ER)의 열 방향의 길이(dER)는 제2 하부 전극(EG)의 열 방향의 길이(dEG)보다 짧고, 제2 하부 전극(EG)의 열 방향의 길이(dEG)는 제3 하부 전극(EB)의 열 방향의 길이(dEB)보다 짧을 수 있다. 이러한 경우, 제3 화소(PB)의 열 방향의 길이를 제1 및 제2 화소(PR, PG)보다 길게 형성하여 제3 화소(PB)의 크기를 용이하게 확장시킬 수 있어, 제3 화소(PB)의 수명을 연장시켜 유기 발광 표시 장치(1000)의 수명을 연장시키고, 개구율을 향상시킬 수 있다.
유기층(EL)은 하부 전극(E1) 상에 배치될 수 있다. 유기층(EL)은 후술할 화소 정의막(60)이 배치되지 않은 개구부 내에 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면, 유기층(EL)은 유기 발광 표시 장치(1000)의 전면에 배치될 수도 있다. 유기층(EL)에 흐르는 전류는 하부 전극(E1) 및 상부 전극(E2)에 인가되는 신호에 의하여 제어될 수 있다. 유기층(EL)은 유기층(EL)에 흐르는 전류에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다. 유기층(EL)은 적색, 청색, 녹색 중 하나의 색으로 발광할 수 있다. 도 4에서는 제1 화소(PR) 및 그에 인접한 영역의 단면도를 도시하고 있으므로, 도 4의 유기층(EL)은 적색으로 발광할 수 있다. 유기층(EL)이 발광하는 빛의 색은 상술한 색들에 한정되지 않으며, 실시예들에 따라 변경될 수 있다. 이하 도 6을 참조하여, 유기층(EL)과 배선 라인(WL1, WL2)의 배치에 관하여 보다 상세히 설명하도록 한다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 유기층과 배선 라인의 배치를 나타낸 평면도이다.
도 6을 참조하면, 유기층(EL)은 제1 내지 제3 유기층(ELR, ELG, ELB)로 나뉘어질 수 있다. 제1 유기층(ELR)은 제1 화소(PR)에 배치되고, 제2 유기층(ELG)은 제2 화소(PG)에 배치되고, 제3 유기층(ELB)은 제3 화소(PG)에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 유기층(ELR, ELG, ELB)의 배치는 도 3에서의 제1 내지 제3 화소(PR, PG, PB)의 배치와 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 유기층(ER)의 열 방향의 길이(dELR)는 제2 유기층(EG)의 열 방향의 길이(dELG)보다 짧고, 제2 유기층(EG)의 열 방향의 길이(dELG)는 제3 유기층(EB)의 열 방향의 길이(dELB)보다 짧을 수 있다. 도 6은 유기층(EL)이 화소 정의막(60)이 배치되지 않은 개구부 내에 배치된 경우를 도시한 것이며, 유기층(EL)이 유기 발광 표시 장치(1000)의 전면에 배치된 경우에는 유기층(EL)의 배치는 도 6과 상이할 수 있다.
다시 도 4를 참조하면, 화소 정의막(60)은 평탄화막(50)의 상부에 배치될 수 있다. 화소 정의막(60)은 유기 전계 표시 장치(1000)에 포함되는 복수의 화소(PX) 각각의 영역들을 정의할 수 있다. 화소 정의막(60)은 평탄화막(50) 상부의 전면을 커버하는 것은 아니다. 유기 발광 표시 장치(1000)는 화소 정의막(60)이 배치되지 않은 하부 전극(E1)을 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다. 개구부가 배치된 영역은 화소(PX)로서 정의될 수 있다.
상부 전극(E2)은 유기층(EL) 상에 배치될 수 있다. 상부 전극(E2)는 복수의 화소에 걸쳐 배치될 수 있다. 상부 전극(E2)은 유기 발광 표시 장치(1000)의 전면에 배치될 수 있다. 상부 전극(E2)은 광학적으로 투명 또는 반투명한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상부 전극(E2)은 ITO, IZO(Indium Zinc Oxide), 마그네슘(Mg)와 은(Ag)의 화합물, 칼슘(Ca)과 은(Ag)의 화합물 또는 리튬(Li)과 알루미늄(Al)의 화합물로 형성될 수 있으며, 이에 반드시 한정되는 것은 아니다. 유기층(EL)에서 생성된 빛은 상부 전극(E2)을 통하여 외부로 방출될 수 있다. 상부 전극(E2)의 광투과율을 향상시키기 위하여 제2 전극(E2)의 두께는 얇게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(E2)의 두께는 200Å이하로 형성될 수 있다.
캡핑층(70)은 상부 전극(E2) 상에 배치될 수 있다. 캡핑층(70)은 하부 전극(E1)의 상부 또는 개구부에 배치될 수 있다. 캡핑층(70)은 유기 발광 표시 장치(1000)의 전면에 배치될 수도 있다. 캡핑층(70)은 유기층(EL)에서 방출되는 광의 광학적 특성을 제어할 수 있다.
이하 도 7 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 대하여 설명하도록 한다. 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소와 배선 라인의 배치를 나타낸 평면도이다.
도 7을 참조하면, 제1 화소(PR)의 행 방향의 양측에는 제2 화소(PG) 및 제3 화소(PG)가 하나씩 배치될 수 있다. 제1 화소(PR)의 열 방향의 양측에는 제3 화소(PB)들이 배치될 수 있다. 제2 화소(PG)의 행 방향의 양측에는 제1 화소(PR) 및 제3 화소(PB)가 하나씩 배치될 수 있다. 제2 화소(PG)의 열 방향의 양측에는 제2 화소(PG)들이 배치될 수 있다. 제3 화소(PB)의 행 방향의 양측에는 제1 화소(PR) 및 제2 화소(PG)가 하나씩 배치될 수 있다. 제3 화소(PB)의 열 방향의 양측에는 제1 화소(PR)들이 배치될 수 있다.
배선 라인(WL1', WL2')은 복수의 화소(PR, PG, PB)의 행들 사이에 배치될 수 있다. 배선 라인(WL1', WL2')은 지그재그 형상으로 형성될 수 있다. 배선 라인(WL1', WL2')이 지그재그 형상으로 형성되면, 복수의 화소(PR, PG, PB) 각각의 열 방향의 길이를 서로 다르도록 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 화소(PR)의 열 방향의 길이(dR')는 제2 화소(PG)의 열 방향의 길이(dG')보다 짧고, 제2 화소(PG)의 열 방향의 길이(dG')는 제3 화소(dB)의 열 방향의 길이(dB')보다 짧도록 형성될 수 있다. 따라서, 상대적으로 화소(PX)에 포함된 유기층의 열화가 빠르게 진행되는 제3 화소(PB)의 면적을 제1 및 제2 화소(PR, PG)보다 용이하게 증가시킬 수 있다. 화소(PX)의 발광 휘도는 유기층에 흐르는 전류에 대응되므로, 제3 화소(PB)의 면적을 제1 및 제2 화소(PR, PG)보다 크게 형성하면, 동일한 휘도로 발광하기 위한 제3 화소(PB)에 포함된 유기층에 흐르는 전류의 밀도를 감소시킬 수 있다. 화소(PX)에 포함된 유기층의 열화는 유기층에 흐르는 전류의 밀도가 증가하면 상승하므로, 제3 화소(PB)에 포함된 유기층에 흐르는 전류의 밀도를 감소시키면, 제3 화소(PB)의 수명을 연장시킬 수 있다. 따라서, 배선 라인(WL1', WL2')이 지그재그 형상으로 형성되면, 수명이 가장 짧은 제3 화소(PB)의 수명을 연장시켜 유기 발광 표시 장치(1000)의 수명을 연장시킬 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치(1000)에서 화소(PX) 이외의 발광하지 않는 부분 면적의 화소(PX)의 면적에 대한 비율을 줄여, 유기 발광 표시 장치(1000)의 개구율을 향상시킬 수 있다.
배선 라인(WL1', WL2')은 제1 배선 라인(WL1') 및 제2 배선 라인(WL2')을 포함할 수 있다. 제1 배선 라인(WL1') 및 제2 배선 라인(WL2')은 상호 인접한 배선 라인(WL1', WL2')일 수 있다. 제1 배선 라인(WL1')은 화소(PX)의 일행의 일측에 인접하여 인접하여 배치될 수 있고, 제2 배선 라인(WL2')은 화소(PX)의 상기 일행의 타측에 인접하여 배치될 수 있다. 배선 라인(WL1', WL2')이 지그재그 형태로 배치되면, 제1 배선 라인(WL1')과 제2 배선 라인(WL2') 사이의 거리는 측정 위치에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 제1 화소(PR)를 가로질러 측정한 제1 배선 라인(WL1')과 제2 배선 라인(WL2') 사이의 거리(d1')은 제2 화소(PG)를 가로질러 측정한 거리(d2')보다 짧고, 제2 화소(PG)를 가로질러 측정한 거리(d2')는 제3 화소(PB)를 가로질러 측정한 거리(d3')보다 짧을 수 있다. 이러한 경우 제3 화소(PB)의 폭을 제1 및 제2 화소(PR, PG)보다 크게 형성하여 수명이 가장 짧은 제3 화소(PB)의 수명을 연장시켜 유기 발광 표시 장치(1000)의 수명을 연장시킬 수 있고, 유기 발광 표시 장치(1000)의 개구율을 향상시킬 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하부 전극과 배선 라인의 배치를 나타낸 평면도이다. 도 8을 참조하면, 하부 전극(E1)은 제1 내지 제3 하부 전극(ER, EG, EB)로 나뉘어질 수 있다. 제1 하부 전극(ER)은 제1 화소(PR)에 배치되고, 제2 하부 전극(EG)은 제2 화소(PG)에 배치되고, 제3 하부 전극(EB)은 제3 화소(PB)에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 하부 전극(ER, EG, EB)의 배치는 도 7에서의 제1 내지 제3 화소(PR, PG, PB)의 배치와 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 하부 전극(ER)의 열 방향의 길이(dER')는 제2 하부 전극(EG)의 열 방향의 길이(dEG')보다 짧고, 제2 하부 전극(EG)의 열 방향의 길이(dEG')는 제3 하부 전극(EB)의 열 방향의 길이(dEB')보다 짧을 수 있다. 이러한 경우, 제3 화소(PB)의 열 방향의 길이를 제1 및 제2 화소(PR, PG)보다 길게 형성하여 제3 화소(PB)의 크기를 용이하게 확장시킬 수 있어, 제3 화소(PB)의 수명을 연장시켜 유기 발광 표시 장치(1000)의 수명을 연장시키고, 개구율을 향상시킬 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 유기층과 배선 라인의 배치를 나타낸 평면도이다. 도 9를 참조하면, 유기층(EL)은 제1 내지 제3 유기층(ELR, ELG, ELB)로 나뉘어질 수 있다. 제1 유기층(ELR)은 제1 화소(PR)에 배치되고, 제2 유기층(ELG)은 제2 화소(PG)에 배치되고, 제3 유기층(ELB)은 제3 화소(PG)에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 유기층(ELR, ELG, ELB)의 배치는 도 7에서의 제1 내지 제3 화소(PR, PG, PB)의 배치와 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 유기층(ER)의 열 방향의 길이(dELR')는 제2 유기층(EG)의 열 방향의 길이(dELG')보다 짧고, 제2 유기층(EG)의 열 방향의 길이(dELG')는 제3 유기층(EB)의 열 방향의 길이(dELB')보다 짧을 수 있다. 도 9은 유기층(EL)이 화소 정의막(60)이 배치되지 않은 개구부 내에 배치된 경우를 도시한 것이며, 유기층(EL)이 유기 발광 표시 장치(1000)의 전면에 배치된 경우에는 유기층(EL)의 배치는 도 9와 상이할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1000: 유기 발광 표시 장치 10: 기재
20: 버퍼층 30: 게이트 절연막
40: 층간 절연막 50: 평탁화막
60: 화소 정의막 80: 캡핑층
100: 표시 패널 210: 타이밍 제어부
220: 데이터 구동부 230: 스캔 구동부
300: 전압 생성부
T: 박막 트랜지스터 SM: 반도체층
G: 게이트 전극 S: 소스 전극
D: 드레인 전극 H: 컨택홀
E1: 하부 전극 E2: 상부 전극
EL: 유기층

Claims (20)

  1. 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소; 및
    상기 복수의 화소 사이에 행 방향으로 배치된 지그재그 형상의 복수의 배선 라인을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 배선 라인에는 초기화 신호가 전달되는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 화소 사이에 열 방향으로 배치된 복수의 데이터 라인을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치..
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 배선 라인 중 인접한 두 배선 라인 간의 열 방향의 거리는 상기 두 배선 라인 사이에 배치된 화소의 색에 따라 변경되는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 화소는 적색으로 발광하는 제1 화소, 녹색으로 발광하는 제2 화소 및 청색으로 발광하는 제3 화소를 포함하고,
    상기 제1 화소를 가로지르는 상기 두 배선 라인 사이의 거리는 상기 제2 화소를 가로지르는 상기 두 배선 라인 사이의 거리보다 짧고,
    상기 제2 화소를 가로지르는 상기 두 배선 라인 사이의 거리는 상기 제3 화소를 가로지르는 상기 두 배선 라인 사이의 거리보다 짧은 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 화소의 열 방향의 양측에는 상기 제3 화소가 인접하고,
    상기 제3 화소의 열 방향의 양측에는 상기 제1 화소가 인접하고,
    상기 제2 화소의 열 방향의 양측에는 상기 제2 화소가 인접하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 화소 및 상기 제2 화소의 행 방향의 양측에는 상기 제2 화소가 인접하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 내지 상기 제3 화소의 행 방향의 양측에는 동일한 종류의 화소가 인접하지 않는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 화소의 열 방향의 길이는 상기 제2 화소의 열 방향의 길이보다 짧고,
    상기 제2 화소의 열 방향의 길이는 상기 제3 화소의 열 방향의 길이보다 짧은 유기 발광 표시 장치.
  10. 기판;
    상기 기판 상에 배치된 절연층;
    상기 절연층 상에 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 하부 전극;
    상기 복수의 하부 전극 상에 배치된 유기층;
    상기 유기층의 상부에 배치된 상부 전극; 및
    상기 절연층 상부에 상기 복수의 하부 전극의 행들 사이에 배치되는 지그재그 형상의 복수의 배선 라인을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 복수의 배선 라인에는 초기화 신호가 전달되는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 복수의 배선 라인은 상기 복수의 하부 전극의 일행의 일측에 배치되는 제1 배선 라인; 및
    상기 일행의 타측에 배치되는 제2 배선 라인을 포함하되,
    상기 제1 배선 라인과 상기 제2 배선 라인의 거리는 상기 유기층이 발광하는 색상에 따라 가변되는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 유기층은 적색, 녹색 및 청색 중 어느 하나의 색으로 발광할 수 있고,
    적색으로 발광하는 상기 유기층의 열 방향의 길이는 녹색으로 발광하는 상기 유기층의 열 방향의 길이보다 짧고,
    녹색으로 발광하는 상기 유기층의 열 방향의 길이는 청색으로 발광하는 상기 유기층의 열 방향의 길이보다 짧은 유기 발광 표시 장치.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 유기 발광층은 제1 내지 제3 색으로 각각 발광하는 제1 내지 제3 발광 영역을 포함하고,
    상기 하부 전극은 상기 제1 내지 상기 제3 발광 영역의 하부에 각각 배치된 제1 내지 제3 하부 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 색은 적색, 상기 제2 색은 녹색, 상기 제3 색은 청색인 유기 발광 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 하부 전극에 인접한 상기 배선 라인들 간의 상기 제1 하부 전극을 가로질러 측정한 거리는 상기 제2 하부 전극에 인접한 상기 배선 라인들 간의 상기 제2 하부 전극을 측정한 거리보다 짧고,
    상기 제2 하부 전극에 인접한 상기 배선 라인들 간의 상기 제2 하부 전극을 가로질러 측정한 거리는 상기 제3 하부 전극에 인접한 상기 배선 라인들 간의 상기 제3 하부 전극을 측정한 거리보다 짧은 유기 발광 표시 장치.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 하부 전극은 열 방향의 양측으로 상기 제3 하부 전극과 인접하고,
    상기 제3 하부 전극은 열 방향의 양측으로 상기 제1 하부 전극과 인잡한 유기 발광 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제2 하부 전극은 열 방향의 양측으로 상기 제2 하부 전극과 인접한 유기 발광 표시 장치.
  19. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 하부 전극의 열 방향의 길이는 상기 제2 하부 전극의 열 방향의 길이보다 짧고,
    상기 제2 하부 전극의 열 방향의 길이는 상기 제3 하부 전극의 열 방향의 길이보다 짧은 유기 발광 표시 장치.
  20. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 발광 영역의 열 방향의 길이는 상기 제2 발광 영역의 열 방향의 길이보다 짧고,
    상기 제2 발광 영역의 열 방향의 길이는 상기 제3 발광 영역의 열 방향의 길이보다 짧은 유기 발광 표시 장치.
KR1020120156942A 2012-12-28 2012-12-28 유기 발광 표시 장치 KR102037273B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120156942A KR102037273B1 (ko) 2012-12-28 2012-12-28 유기 발광 표시 장치
EP13188626.9A EP2750196B1 (en) 2012-12-28 2013-10-15 Organic light-emitting display device
US14/108,543 US9190461B2 (en) 2012-12-28 2013-12-17 Organic light-emitting display device
US14/921,526 US9536928B2 (en) 2012-12-28 2015-10-23 Organic light-emitting display device
US16/238,819 USRE49592E1 (en) 2012-12-28 2019-01-03 Organic light-emitting display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120156942A KR102037273B1 (ko) 2012-12-28 2012-12-28 유기 발광 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140086439A true KR20140086439A (ko) 2014-07-08
KR102037273B1 KR102037273B1 (ko) 2019-11-27

Family

ID=49328449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120156942A KR102037273B1 (ko) 2012-12-28 2012-12-28 유기 발광 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (3) US9190461B2 (ko)
EP (1) EP2750196B1 (ko)
KR (1) KR102037273B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160046152A (ko) * 2014-10-20 2016-04-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102037273B1 (ko) * 2012-12-28 2019-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6393529B2 (ja) * 2014-06-18 2018-09-19 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN106298833B (zh) * 2015-03-25 2019-08-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 像素结构
CN105185229B (zh) * 2015-08-28 2017-11-10 厦门天马微电子有限公司 显示装置及其显示方法
CN105552102B (zh) * 2015-12-23 2019-07-02 昆山国显光电有限公司 像素排布结构及其制造方法，显示器
CN208157411U (zh) 2018-03-27 2018-11-27 京东方科技集团股份有限公司 发光器件和显示装置
US11195882B2 (en) * 2019-01-11 2021-12-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel arrangement structure, display substrate and display device
KR20210074447A (ko) * 2019-12-11 2021-06-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113971907A (zh) * 2020-07-22 2022-01-25 东莞市中麒光电技术有限公司 一种led显示模块和led显示装置
CN112968038B (zh) * 2021-01-28 2023-04-07 合肥京东方卓印科技有限公司 一种像素结构及制作方法、显示面板及驱动方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001290441A (ja) * 1999-02-26 2001-10-19 Sanyo Electric Co Ltd カラー表示装置
JP2007115529A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及び表示装置の製造方法
KR101227361B1 (ko) * 2005-03-30 2013-01-28 산요덴키가부시키가이샤 표시 장치

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6838819B2 (en) * 2000-06-19 2005-01-04 Lg Electronics Inc. Full color organic EL display panel, manufacturing method thereof and driving circuit thereof
KR100404204B1 (ko) * 2001-08-21 2003-11-03 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자
JP3767590B2 (ja) * 2002-11-26 2006-04-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US6867549B2 (en) * 2002-12-10 2005-03-15 Eastman Kodak Company Color OLED display having repeated patterns of colored light emitting elements
US6861800B2 (en) * 2003-02-18 2005-03-01 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
US7030554B2 (en) * 2004-02-06 2006-04-18 Eastman Kodak Company Full-color organic display having improved blue emission
US20060170712A1 (en) * 2005-02-01 2006-08-03 Eastman Kodak Company Color display device with enhanced pixel pattern
KR100721945B1 (ko) 2005-08-16 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치
US8115788B2 (en) * 2006-05-31 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, driving method of display device, and electronic appliance
US7863612B2 (en) * 2006-07-21 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
KR101427579B1 (ko) * 2007-10-02 2014-08-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP4909323B2 (ja) * 2008-07-25 2012-04-04 住友化学株式会社 アクティブマトリクス基板、ディスプレイパネル、表示装置およびアクティブマトリクス基板の製造方法
KR101480839B1 (ko) 2008-08-14 2015-01-12 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
FR2944148B1 (fr) * 2009-04-02 2012-03-02 Saint Gobain Procede de fabrication d'une structure a surface texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et structure a surface texturee obtenue par ce procede
JP5382658B2 (ja) * 2010-02-26 2014-01-08 株式会社ジャパンディスプレイ タッチセンサ付き表示装置、タッチパネル、タッチパネルの駆動方法、および電子機器
US9735303B2 (en) * 2010-03-25 2017-08-15 Nri R&D Patent Licensing, Llc Color imaging using color OLED or LED array as color light-field imaging sensor
KR101739526B1 (ko) 2010-10-28 2017-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2012132862A1 (ja) * 2011-03-29 2012-10-04 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイとその製造方法
KR101885698B1 (ko) * 2011-06-27 2018-08-07 삼성디스플레이 주식회사 광투과율 제어가 가능한 표시장치
US9761553B2 (en) * 2012-10-19 2017-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Inductor with conductive trace
KR102037273B1 (ko) * 2012-12-28 2019-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001290441A (ja) * 1999-02-26 2001-10-19 Sanyo Electric Co Ltd カラー表示装置
KR101227361B1 (ko) * 2005-03-30 2013-01-28 산요덴키가부시키가이샤 표시 장치
JP2007115529A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及び表示装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160046152A (ko) * 2014-10-20 2016-04-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP2750196B1 (en) 2021-11-24
KR102037273B1 (ko) 2019-11-27
US20160043147A1 (en) 2016-02-11
EP2750196A3 (en) 2018-01-03
EP2750196A2 (en) 2014-07-02
USRE49592E1 (en) 2023-07-25
US9190461B2 (en) 2015-11-17
US9536928B2 (en) 2017-01-03
US20140183484A1 (en) 2014-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USRE49592E1 (en) Organic light-emitting display device
KR102662898B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN108269835B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
US10418430B2 (en) Display device
KR100830981B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102506035B1 (ko) 전계발광 표시장치
KR20140136271A (ko) 유기 발광 표시 장치
JP2005338781A (ja) 有機電界発光表示パネル及びその製造方法
KR20190126963A (ko) 유기 발광 표시 장치
JP7389106B2 (ja) 有機発光表示装置
KR102653121B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US10950822B2 (en) Display device capable of improving light extraction efficiency
KR20090046053A (ko) 유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법
KR20180098447A (ko) 유기 발광 표시 장치
US11563067B2 (en) Display device with improved aperture ratio and transmissivity
TWI690103B (zh) 有機發光二極體顯示器
KR20190079309A (ko) 전계발광 표시장치
JP4254675B2 (ja) ディスプレイパネル
US20120169699A1 (en) Organic luminescent display device and method of manufacturing the same
JP4217834B2 (ja) ディスプレイパネル
JP2006267847A (ja) ディスプレイパネル
JP4265515B2 (ja) ディスプレイパネル
JP4687179B2 (ja) ディスプレイパネル
JP4192879B2 (ja) ディスプレイパネル
JP5212405B2 (ja) ディスプレイパネル

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant