KR20140083649A - 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 - Google Patents

에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 개시된 발명은 절연기판의 일면에 일 방향으로 형성된 게이트배선; 상기 게이트 배선으로부터 연장된 게이트 전극 상부에 형성된 액티브층; 상기 액티브층의 상부 일측에 형성된 소스전극을 구비한 데이터배선; 상기 게이트 배선과 데이터배선이 교차하여 이루는 절연기판의 화소 영역, 및 상기 소스전극과 이격된 상기 액티브층의 상부 타측에 형성된 화소전극; 상기 데이터배선과 소스전극 상부에 형성된 평탄화 막; 상기 평탄화 막을 포함한 절연기판 전면에 형성된 패시베이션막; 및 상기 패시베이션막 상에 형성되고, 상기 화소전극 및 데이터배선과 오버랩되는 공통전극을 포함하여 구성된다.

Description

에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법{ARRAY SUBSTRATE FOR FRINGE FIELD SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 에프에프에스(FFS; Fringe Field Switching) 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치의 구동 원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.
현재에는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬 방식으로 배열된 능동 행렬 액정표시장치(AM-LCD: Active Matrix LCD, 이하 액정표시장치로 약칭함)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
상기 액정표시장치는 공통전극이 형성된 컬러필터 기판(즉, 상부기판)과 화소전극이 형성된 어레이 기판 (즉, 하부기판)과, 상부기판 및 하부기판 사이에 충진된 액정으로 이루어진다.
이러한 액정표시장치에서는 공통전극과 화소전극이 상-하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하지만, 상-하로 걸리는 전기장에 의한 액정 구동은 시야각 특성이 우수하지 못한 단점이 있다.
따라서, 상기의 단점을 극복하기 위해 새롭게 제안된 기술이 에프에프에스 (FFS) 방식에 의한 액정 구동방법인데, 이 에프에프에스(FFS) 방식에 의한 액정 구동방법은 시야각 특성이 우수한 장점을 가지고 있다.
이러한 장점을 지니고 있는 기존의 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치에 대해 도 1 및 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래기술에 따른 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도로서, 종래기술에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판의 개략적인 단면도이다.
종래기술에 따른 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치용 어레이기판(10)은, 도 1 및 2에 도시된 바와 같이, 투명한 절연기판(11) 상에 일 방향으로 연장되고 서로 평행하게 이격된 다수의 게이트배선(14)과; 상기 게이트배선(14)과 교차하고, 이 교차하여 이루는 지역에 화소영역을 정의하는 다수의 데이터배선(23)과; 상기 게이트배선(14)과 데이터배선(23)의 교차지점에 마련되고, 게이트전극(13)과 액티브층 (17)과 소스전극(23a) 및 드레인전극(23b)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 포함하여 구성된다.
또한, 상기 절연기판(11)의 화소영역의 전면에는 상기 게이트배선(14) 및 데이터배선(23)과 이격된 공간을 두고 대면적의 투명한 화소전극(29)이 배치되어 있으며, 상기 화소전극(29) 상부에는 평탄화 막(31)을 사이에 두고 분기된 다수의 막대 형상의 투명한 공통전극(35)들이 배치되어 있다.
그리고, 상기 화소전극(29)은 상기 드레인전극(23b)과 전기적으로 연결되어 있다.
더욱이, 상기 게이트배선(14)과 데이터배선(23)의 각 일단에는 게이트패드 (13a)와 데이터패드(13b)가 연장되어 형성되어 있으며, 이 게이트패드(13a)와 데이터패드(13b)는 게이트패드 연결패턴(35a)과 데이터패드 연결패턴(35b)에 접속되어 있다.
상기 구성에 따르면, 데이터 신호가 박막트랜지스터(T)를 거쳐 화소전극(29)에 공급되면, 공통전압이 공급된 공통전극들(35)과 화소전극(29) 사이에 프린지 필드(fringe field)를 형성함으로써, 상기 절연기판(11)과 이 절연기판(11)과 합착되는 칼라필터 기판(미도시) 사이에서 수평 방향으로 배열된 액정분자들이 유전 이방성에 의해 회전하게 된다. 그리고, 액정분자들이 회전 정도에 따라 화소영역을 투과하는 광 투과율이 달라지게 됨으로써 계조를 구현하게 된다.
상기 구성으로 이루어지는 종래기술에 따른 프린지 필드(FFS) 방식 액정표시장치 용 어레이 기판의 제조시에 사용되는 마스크 제조공정에 대해 도 3을 참조하여 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
도 3은 종래기술에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조시에 사용되는 마스크의 제조 공정 흐름도이다.
도 3을 참조하면, 종래기술에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조공정은, 절연기판(11) 상에 게이트 배선(14), 게이트 전극(13), 게이트 패드(13a) 및 데이터 패드(13b)을 형성하는 제1 마스크 공정(51)과; 상기 게이트 전극(13) 상부에 액티브층(17)을 형성하는 제2 마스크 공정(52)과; 상기 액티브층 (17) 상부에 서로 이격된 소스전극(23a) 및 드레인 전극(23b)과, 데이터 배선(23)을 형성하는 제3 마스크 공정(53)과; 상기 드레인 전극(23b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(미도시)을 형성하는 제4 마스크 공정(54)과; 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(23b)과 전기적으로 연결되는 대면적의 화소전극(29)을 형성하는 제5 마스크 공정(55)과; 상기 게이트 패드(13b) 및 데이터 패드(13b)을 노출시키는 게이트 패드 콘택홀(미도시) 및 데이터 패드 콘택홀(미도시)을 형성하는 제6 마스크 공정(56)과; 상기 화소전극(29)과 대응하는 공통전극들(35)과 게이트 패드 연결패턴(35a) 및 데이터 패드 연결패턴(35b)을 형성하는 제7 마스크 공정(57)으로 이루어진다.
한편, 이렇게 7회에 걸친 마스크 공정에 의해 제조되는 종래기술에 따른 프린지 필드(FFS) 방식 액정표시장치 용 어레이 기판의 제조방법에 대해 도 4a 내지 4g를 참조하여 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
도 4a 내지 4g는 종래기술에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판의 제조 공정 단면도들이다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 투명한 절연기판(11) 상에 스위칭 영역을 포함하는 다수의 화소영역이 정의하고, 상기 투명한 절연기판(11) 상에 제1 도전 금속층(미도시)을 스퍼터링 방법에 의해 증착한 후, 포토 리소그라피 기술을 이용한 제1 마스크 공정(미도시; 도 3의 부호 51 참조)을 통해 상기 제1 도전 금속층(미도시)을 패터닝하여 게이트배선(미도시; 도 1의 부호 14 참조)과 이 게이트배선(14)으로 부터 돌출된 게이트전극(13a), 외부 구동회로부와 전기적으로 접속되는 게이트패드 (13b) 및 데이터 패드(13b)를 형성한다.
이어서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 전극(13)을 포함한 기판 전면에 게이트절연막(15)을 증착한 후, 그 위에 비정질실리콘층(a-Si:H)(미도시)과 불순물이 포함된 비정질실리콘층(n+ 또는 p+)(미도시)을 차례로 증착한다.
그 다음, 도면에는 도시하지 않았지만, 포토 리소그라피 기술을 이용한 제2 마스크 공정(미도시; 도 3의 부호 52 참조)을 통해 상기 불순물이 포함된 비정질실리콘층(n+ 또는 p+)(미도시)과 비정질실리콘층(a-Si:H)(미도시)을 패터닝하여 액티브층(17)과 오믹콘택층(미도시)을 형성한다.
이어서, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층(17)과 오믹콘택층(미도시)을 포함한 절연기판(11) 전면에 제2 도전 금속층(미도시)을 증착한 후, 포토 리소그라피 기술을 이용한 제3 마스크 공정(미도시; 도 3의 부호 53 참조)을 통해 상기 제2 도전 금속층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여 상기 게이트배선(13)과 수직되게 교차하는 데이터배선(23)과, 이 데이터배선(23)으로부터 연장된 소스전극(23a)과 드레인전극(23b)을 형성한다.
그 다음, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 데이터배선(23)을 포함한 기판 전면에 패시베이션막(25)을 증착한 후, 포토 리소그라피 기술을 이용한 제4 마스크 공정(미도시; 도 3의 부호 54 참조)을 통해 상기 패시베이션막(25)을 선택적으로 패터닝하여 상기 드레인전극(23b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(27), 상기 게이트패드(13a)와 데이터패드(13b)를 노출시키는 게이트패드 콘택홀(27a)과 데이터패드 콘택홀(27b)을 형성한다.
이어서, 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 드레인전극(23b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(27a), 상기 게이트패드(13a)와 데이터패드(13b)를 노출시키는 게이트패드 콘택홀(27a) 및 데이터패드 콘택홀(27b)을 포함한 패시베이션막(25) 상부에 제1 투명 도전물질층(미도시)을 형성한 후, 포토 리소그라피 기술을 이용한 제5 마스크 공정(미도시; 도 3의 부호 55 참조)을 통해 상기 제1 투명 도전 물질층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여, 상기 드레인전극(23b)과 전기적으로 연결되는 대면적의 화소전극(29)을 형성한다.
그 다음, 도 4f에 도시된 바와 같이, 상기 화소전극(29)을 포함한 절연기판 (11) 전면에 평탄화 막(31)을 형성한 후, 포토 리소그라피 기술을 이용한 제6 마스크 공정(미도시; 도 3의 부호 56 참조)을 통해 상기 평탄화 막(31)을 패터닝하여 상기 게이트패드(13a)와 데이터패드(13b)를 각각 노출시키는 게이트 패드 개구부 (33a)와 데이터패드 개구부(33b)를 형성한다.
이어서, 도 4g에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 패드 개구부 (33a)와 데이터패드 개구부(33b)를 포함한 평탄화 막(31) 상에 제2 투명 도전물질층(미도시)을 형성한 후, 포토 리소그라피 기술을 이용한 제7 마스크 공정(미도시; 도 3의 부호 57 참조)을 통해 상기 제2 투명 도전 물질층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여, 상기 화소전극(29)와 대응하는 다수의 분기된 공통전극(35)과 함께, 상기 게이트패드 (13a) 및 데이터패드(13b)와 전기적으로 연결되는 게이트패드 연결패턴(35a) 및 데이터패드 연결패턴(35b)를 형성함으로써, 종래기술에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조공정을 완료한다.
이후에, 도면에는 도시하지 않았지만, 컬러필터 어레이 기판 제조공정과 함께 어레이기판과 컬러필터 기판 사이에 액정층을 형성하는 공정을 수행함으로써 에프에프에스 방식 액정표시장치를 제조하게 된다.
그러나, 종래기술에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법에 따르면, 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조시에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정과 화소전극을 형성하는 공정이 각각 별개로 진행하기 때문에, 전체 7회에 걸친 마스크 공정이 요구되므로 그만큼 제조 공정이 복잡해지고 그로 인해 제조공정 비용이 증가하게 된다.
또한, 종래기술에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법에 따르면, 기존의 저전압 구동을 위해 Z-인버젼(inversion)을 최상층에 공통전극을 형성하는 구조를 적용하는 경우에, 화소전극과 데이터배선의 오버레이 (overlay) 차이에 의해 캐패시턴스(Cdp)가 변경되어 짝수(even)/홀수(odd) 불량이 발생하게 된다. 특히, 데이터 배선과 화소전극의 오버랩에 따른 짝수(even)/홀수(odd) 불량 발생으로 인해 저소비전력 구동방식에서는 공통전극(Vcom)의 최상층(Top) 적용이 어렵다.
그리고, 종래기술에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법에 따르면, 드레인전극과 화소전극을 전기적으로 연결시켜 주기 위한 드레인 콘택홀을 별도로 형성해야 하기 때문에, 그만큼 드레인 콘택홀을 형성하기 위한 면적이 필요하게 됨으로써 이로 인해 투과율 및 개구율이 감소하게 된다. 특히, 드레인전극과 화소전극을 형성하기 위한 드레인 콘택홀이 필요하기 때문에 그만큼 개구 면적이 감소하게 되고, 이 드레인 콘택홀 형성지역을 덮기 위해 블랙매트릭스가 추가로 필요하게 됨으로써 그만큼 개구 면적은 더욱 줄어들게 된다.
더욱이, 종래기술에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법에 따르면, 평탄화막이 절연기판 전면에 형성되어 있기 때문에, 그만큼 개구부의 투과율이 감소하게 된다.
이에 본 발명은 상기 종래기술의 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치 제조시에, Z-인버젼(inversion)과 최상층에 공통전극을 형성하는 구조를 적용할 수 있도록 화소전극과 드레인전극을 한번에 형성하여 드레인 콘택홀 구조를 생략함으로써 투과율을 극대화시킬 수 있는 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이 기판은, 절연기판의 일면에 일 방향으로 형성된 게이트 배선; 상기 게이트 배선으로부터 연장된 게이트 전극 상부에 형성된 액티브층; 상기 액티브층의 상부 일측에 형성된 소스전극을 가지며, 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 이루는 데이터배선; 상기 소스전극과 이격된 상기 액티브층의 상부 타측과, 상기 절연기판의 화소 영역에 걸쳐 형성된 화소전극; 상기 데이터배선과 소스전극 상부에 형성된 평탄화 막; 상기 평탄화 막을 포함한 절연기판 전면에 형성된 패시베이션막; 및 상기 패시베이션막 상에 형성되고, 상기 화소전극 및 데이터배선과 오버랩되는 공통전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법은, 절연기판의 일면에 일 방향으로 게이트배선, 게이트 패드 및 데이터 패드를 형성하는 단계; 상기 게이트 배선으로부터 연장된 게이트 전극 상부에 액티브층을 형성하는 단계; 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 이루며, 상기 액티브층의 상부 일측에 배치되는 소스전극을 구비한 데이터배선을 형성하는 단계; 상기 소스전극과 이격된 상기 액티브층의 상부 타측과, 상기 절연기판의 화소 영역에 걸쳐 화소전극을 형성하는 단계; 상기 데이터배선과 소스전극 상부에 평탄화 막을 형성하는 단계; 상기 평탄화 막을 포함한 절연기판 전면에 패시베이션막을 형성하는 단계; 상기 패시베이션막에 상기 게이트 패드 및 데이터 패드를 노출시키는 게이트 패드 콘택홀 및 데이터 패드 콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 패시베이션막 상부에 상기 화소전극 및 데이터배선과 오버랩되는 공통전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법에 따르면, 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치 제조시에, Z-인버젼 (inversion)과 최상층에 공통전극을 형성하는 구조를 적용할 수 있도록 화소전극과 드레인전극을 한번에 형성하여 드레인 콘택홀 구조를 생략함으로써 개구율 및 투과율을 극대화시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법에 따르면, 소스전극을 포함한 데이터배선과 화소전극을 동시에 형성할 수 있어 그만큼 마스크 수가 저감되며, 소스전극과 화소전극 간 자기정렬(Self Align)로 인해 오버레이 마진(Overlay Margin)이 없어지므로, 짝수(even)/홀수(odd) 불량이 발생하지 않는다.
그리고, 본 발명에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법에 따르면, 평탄화 막이 절연기판 전면에 형성되어 있는 것이 아니라, 데이터배선 상부에만 존재하기 때문에, 그만큼 개구부의 투과율이 증가한다.
도 1은 종래기술에 따른 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도로서, 종래기술에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 개략적인 단면도이다.
도 3은 종래기술에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이 기판 제조시에 사용되는 마스크의 제조 공정 흐름도이다.
도 4a 내지 4g는 종래기술에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 공정 단면도들이다.
도 5는 본 발명에 따른 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치의 어레이 기판의 개략적인 평면도이다.
도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ선에 따른 단면도로서, 본 발명에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이 기판 제조시에 사용되는 마스크의 제조 공정 흐름도이다.
도 8a 내지 8j는 본 발명에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 공정 단면도들이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치의 어레이 기판 구조에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명에 따른 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ선에 따른 단면도로서, 본 발명에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 개략적인 단면도이다.
본 발명에 따른 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치용 어레이 기판(100)은, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 절연기판(101)의 일면에 일 방향으로 형성된 게이트 배선(104)과; 상기 게이트 배선(104)으로부터 연장된 게이트 전극(103) 상부에 형성된 액티브층(110)과, 상기 게이트 배선(104)과 교차하여 화소영역을 이루며, 상기 액티브층(100)의 상부 일측에 형성된 소스전극(123a)을 구비한 데이터배선(123)과; 상기 소스전극(123a)과 이격된 상기 액티브층(110)의 상부 타측과 함께, 상기 게이트 배선(104)과 데이터배선(123)이 교차하여 이루는 절연기판(101)의 화소 영역에 형성된 화소전극(113a)과; 상기 데이터배선(123)과 소스전극(123a) 상부에 형성된 평탄화 막(117a)과; 상기 평탄화 막(117a)을 포함한 절연기판(101) 전면에 형성된 패시베이션막(125)과; 상기 패시베이션막(125) 상에 형성되고, 상기 화소전극(113a) 및 데이터배선(123)과 오버랩되는 공통전극(129)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 박막트랜지스터(T)는 절연기판(101) 상에 형성된 게이트배선 (104)으로부터 수직방향으로 연장된 게이트전극(103)과 이 게이트전극(103) 상부에 형성된 게이트절연막(105)과, 반도체층 패턴(107a) 및 오믹콘택층 패턴(109a)으로 이루어진 액티브층(110)의 채널영역만큼 서로 이격된 소스전극(123a) 및 화소전극 (113a)으로 이루어진다. 이때, 상기 화소전극(113a)은 드레인 전극 역할도 함께 수행한다. 즉, 본 발명에서는 별도의 드레인 전극을 형성하지 않고, 화소전극(113a)을 드레인 전극으로 사용한다.
또한, 상기 대면적의 투명한 화소전극(113a)은 상기 게이트배선(104)과 데이터배선(123)이 교차하여 이루는 상기 절연기판(101)의 화소영역에 배치되어 있다. 이때, 상기 화소전극(113a)은 투명 도전물질층의 단일 층 구조로 이루어져 있다. 상기 데이터배선(123)은 투명 도전물질층 패턴(113b)과 금속층패턴(115b)의 적층 구조로 이루어져 있으며, 소스 전극(123a)은 투명 도전물질층 패턴(113c)과 금속층패턴(115c)의 적층 구조로 이루어져 있다. 이때, 상기 소스 전극(123a)은 상기 데이터 배선(123)으로부터 연장되어 있다.
그리고, 상기 평탄화 막(117a)은 데이터배선(123) 및 소스전극(123a) 상부에만 형성되어 있고, 상기 절연기판(101)의 화소영역에 위치하는 화소전극(113a)을 포함한 게이트 패드(103a) 및 데이터패드(103b) 상측에는 존재하지 않는다. 따라서, 상기 평탄화 막(117a)은 상기 절연기판(101) 전면에 형성되어 있는 것이 아니라, 소스전극(123a)을 포함한 데이터배선(123) 상부에만 존재하기 때문에, 그만큼 개구부의 투과율이 증가하게 된다.
더욱이, 상기 공통전극(129)은 다수 개로 분기되어 있으며, 이 분기된 다수 개의 공통전극(129)들은 상기 패시베이션막(125)을 사이에 두고 상기 화소전극 (113a)과 오버랩되어 있다. 이때, 상기 공통전극(129)은 상기 데이터배선(123)과 오버랩되어 있다.
따라서, 상기 다수의 공통전극(129)으로는 액정 구동을 위한 기준 전압, 즉 공통전압을 각 화소에 공급한다. 상기 공통전극(129)은 각 화소 영역에서 패시베이션막(125)을 사이에 두고 상기 대면적의 화소전극(113a)과 중첩되어 프린지 필드 (fringe field)를 형성한다.
더욱이, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 공통전극(129)을 포함한 절연기판 (101) 전면에는 하부 배향막(미도시)이 형성된다.
한편, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 박막트랜지스터 기판, 즉 절연기판 (101)과 서로 이격되어 합착되는 칼라필터 기판(미도시) 상에는 화소영역을 제외한 지역으로 광이 투과되는 것을 차단시켜 주기 위한 블랙매트릭스(BM; black matrix) (미도시)가 형성되어 있다.
또한, 상기 칼라필터 기판(미도시)의 화소영역에는 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue) 색상의 칼라필터층(미도시)들이 형성되어 있다. 이때, 상기 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue) 색상의 칼라필터층(미도시)들 사이의 칼라필터 기판(미도시)에는 상기 블랙매트릭스(미도시)이 형성되어 있다.
여기서, 상기 칼라필터 기판(미도시)과 박막트랜지스터 기판인 절연기판(미도시)의 합착시에, 상기 블랙매트릭스(미도시)는 상기 절연기판(101)의 화소영역을 제외한 지역, 예를 들어 박막트랜지스터(T), 게이트배선(104) 및 데이터배선(123) 상부와 오버랩되게 배치된다. 이때, 본 발명에서는 화소전극(113a)이 드레인 전극 역할을 함께 수행하기 때문에 드레인 콘택홀을 별도로 형성하지 않아도 된다. 따라서, 본 발명에서는 드레인 콘택홀을 별도로 형성하지 않아도 되기 때문에, 그만큼 블랙매트릭스(미도시)가 덮는 지역이 줄어들게 됨으로써, 개구율 및 투과율을 극대화시킬 수 있다.
또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 칼라필터층(미도시) 상에는 액정을 일정한 방향으로 배열되도록 하는 상부 배향막(미도시)이 형성되어 있다.
이렇게 하여, 상기 박막트랜지스터(T)를 통해 화소전극(113a)에 데이터 신호가 공급되면, 공통전압이 공급된 공통전극(129)과 화소전극(113a) 사이에 프린지 필드(fringe field)가 형성되어, 절연기판(101)과 칼라필터 기판(미도시) 사이에서 수평 방향으로 배열된 액정분자들이 유전 이방성에 의해 회전하게 됨으로써, 액정분자들이 회전 정도에 따라 화소 영역을 투과하는 광 투과율이 달라지게 됨으로써 계조를 구현하게 된다.
따라서, 본 발명에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이 기판에 따르면, 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치 제조시에, Z-인버젼 (inversion)과 최상층에 공통전극을 형성하는 구조를 적용할 수 있도록 화소전극과 드레인전극을 한번에 형성하여 드레인 콘택홀 구조를 생략함으로써 개구율 및 투과율을 극대화시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이 기판에 따르면, 평탄화 막이 절연기판 전면에 형성되어 있는 것이 아니라, 데이터배선 상부에만 존재하기 때문에, 그만큼 개구부의 투과율이 증가한다.
한편, 상기 구성으로 이루어지는 본 발명에 따른 프린지 필드(FFS) 방식 액정표시장치 용 어레이 기판의 제조시에 사용되는 마스크 제조공정에 대해 도 7을 참조하여 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
도 7은 본 발명에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조시에 사용되는 마스크의 제조 공정 흐름도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조공정은, 절연기판(101) 상에 게이트 배선(104), 게이트 전극(103), 게이트 패드(103a) 및 데이터 패드(103b)을 형성하는 제1 마스크 공정(151)과; 상기 게이트 전극(103) 상부에 액티브층(110)을 형성하는 제2 마스크 공정(153)과; 상기 액티브층(110) 상부에 소스전극(123a)을 포함한 데이터 배선(123)과 함께, 상기 소스전극(123a)과 이격되고 상기 데이터배선(123)과 게이트 배선(104)이 교차하여 이루는 화소 영역에 대면적의 화소전극을 형성하는 제3 마스크 공정(55)과; 상기 게이트 패드(103a) 및 데이터 패드(103b)를 노출시키는 게이트 패드 콘택홀(미도시; 도 8j의 127a 참조) 및 데이터 패드 콘택홀(미도시; 도 8j의 127b 참조)을 형성하는 제4 마스크 공정(157)과; 상기 화소전극(113a)과 대응하는 공통전극(129)과 게이트 패드 연결패턴(129a) 및 데이터 패드 연결패턴(129b)을 형성하는 제5 마스크 공정(159)으로 이루어진다.
상기 구성으로 이루어지는 본 발명에 따른 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법에 대해 도 8a 내지 도 8j를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 8a 내지 8j는 본 발명에 따른 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 공정 단면도이다.
도 8a에 도시된 바와 같이, 투명한 절연기판(101) 상에 스위칭 영역을 포함하는 다수의 화소영역이 정의하고, 상기 절연기판(101) 상에 제1 금속 도전층(미도시)을 스퍼터링 방법에 의해 차례로 증착한다. 이때, 상기 제1 금속 도전층 (미도시)으로는, 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리 (Cu), 몰리브덴(Mo), 크롬 (Cr), 티타늄(Ti), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄 (MoTi), 구리/몰리티타늄 (Cu/MoTi)을 포함하는 도전성 금속 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 사용한다.
그 다음, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제1 금속 도전층(미도시) 상부에 투과율이 높은 포토레지스트(photo-resist)를 도포하여 제1 감광막(미도시)을 형성한다.
이어서, 포토 리소그라피 공정 기술을 이용한 제1 마스크 공정(도 6의 151 참조)을 통해 상기 제1 감광막(미도시)을 패터닝하여, 제1 감광막패턴(미도시)을 형성한다.
그 다음, 상기 제1 감광막패턴을 식각 마스크로 상기 제1 금속 도전층(미도시)을 선택적으로 식각하여, 상기 절연기판(101) 상에 게이트 전극(103), 게이트 패드(103a) 및 데이터 패드(103b)를 형성한다. 이때, 상기 게이트 전극(103)은 게이트 배선(104)으로부터 연장되어 형성된다.
이어서, 도 8b에 도시된 바와 같이, 상기 제1 감광막패턴(미도시)을 제거하고, 상기 게이트 전극(103)을 포함한 절연기판(101) 전면에 질화 실리콘 (SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiO2)으로 이루어진 게이트 절연막(105)을 형성한다.
그 다음, 도 8c에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 절연막(105) 상부에 비정질 실리콘 층(a-Si:H)(107)과 오믹 콘택층(109)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 오믹 콘택층(109)으로는 몰리브덴티타늄(MoTi) 또는 불순물이 포함된 비정질 실리콘층 (n+ 또는 p+)(109)을 사용한다. 본 발명에서는 오믹 콘택층(109)으로 몰리브덴 티타늄(MoTi)을 사용하는 경우를 실례로 들어 설명하기로 한다.
이어서, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 오믹 콘택층(109) 상부에 투과율이 높은 포토레지스트(photo-resist)를 도포하여 제2 감광막(미도시)을 형성한다.
그 다음, 포토 리소그라피 공정 기술을 이용한 제2 마스크 공정(도 6의 153 참조)을 통해 상기 제2 감광막(미도시)을 패터닝하여, 제2 감광막패턴(미도시)을 형성한다.
이어서, 도 8d에 도시된 바와 같이, 상기 제2 감광막패턴(미도시)을 식각 마스크로 상기 비정질 실리콘층(a-Si:H) (107)과 상기 오믹 콘택층(109)을 선택적으로 식각하여, 비정질 실리콘층 패턴(107a)과 오믹콘택층 패턴(109a)으로 이루어진 액티브층(110)을 형성한다.
그 다음, 도 8e에 도시된 바와 같이, 상기 제2 감광막패턴(미도시)을 제거하고, 상기 액티브층(110)을 포함한 절연기판(101)의 전면에 제1 투명 도전물질층 (113)과 제2 금속 도전층(115)을 스퍼터링 방법에 의해 차례로 증착한다. 이때, 상기 제1 투명 도전물질층(113)으로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide)를 포함한 그룹 중에서 선택된 어느 하나를 사용한다. 또한, 상기 제2 금속 도전층(115)으로는, 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 크롬 (Cr), 티타늄(Ti), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄 (MoTi), 구리/몰리티타늄 (Cu/MoTi)을 포함하는 도전성 금속 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 사용한다.
이어서, 상기 제2 금속 도전층(115) 상부에 감광성을 가지는 평탄화 막(117)을 형성한다. 이때, 상기 평탄화 막(117)으로는 포토 아크릴(Photo-Acryl)을 포함한 유기 절연물질 중에서 감광성을 가지는 물질 중에서 어느 하나를 선택하여 사용한다.
그 다음, 광차단막 패턴(120a)과 반투과막 패턴(120b)이 구비된 하프톤 마스크(Half-Ton mask)(120)를 이용하여 상기 평탄화 막(117)에 자외선을 조사하여 노광 공정을 진행한다. 이때, 상기 하프톤 마스크(120)의 광차단막 패턴(120a)은 소소전극을 포함한 데이터배선 형성지역과 대응하는 상기 평탄화 막(117) 상측에 위치하며, 상기 반투과막 패턴(120b)은 화소전극 형성 지역과 대응하는 상기 평탄화 막(117) 상측에 위치한다. 한편, 상기 하프톤 마스크(120) 대신에 광의 회절 효과를 이용하는 회절 마스크, 예를 들어 슬릿 마스크(slit mask) 또는 기타 다른 회절 마스크를 사용할 수도 있다.
이어서, 도 8f에 도시된 바와 같이, 상기 노광 공정을 진행한 다음 현상공정을 통해 상기 평탄화 막(117)을 선택적으로 제거하여 소스전극을 포함한 데이터배선 형성 지역과 대응하는 평탄화막 패턴(117a)과, 화소전극 형성 지역과 대응하는 더미 평탄화막 패턴(127b)을 형성한다. 이때, 상기 평탄화막 패턴(117a)은 광이 투과되지 않은 상태이기 때문에 평탄화 막(117) 두께를 그대로 유지하고 있지만, 상기 더미 평탄화막 패턴(117b)은 광의 일부가 투과되어 일정 두께만큼 제거된다. 즉, 상기 더미 평탄화막 패턴(117b)는 상기 평탄화막 패턴(117a)보다 얇은 두께를 갖는다.
이어서, 도 8g에 도시된 바와 같이, 상기 평탄화 막 패턴(117a) 및 더미 평탄화 막 패턴(117b)을 식각 마스크로 상기 제2 금속 도전층(115) 및 제1 투명 도전물질층(113)을 선택적으로 식각하여, 상기 평탄화 막 패턴(117a) 하부에 데이터 배선 (123)과 이 데이터 배선(123)으로부터 연장된 소스전극(123a)을 형성한다. 이때, 상기 소스전극(123a) 및 데이터 배선(123)은 제1 투명 도전물질층 패턴(113b, 113c)과 제2 금속 도전층 패턴(115b, 115c)의 적층 구조로 이루어진다. 또한, 상기 평탄화 막 패턴(117a)은 소스전극(123a)을 포함한 데이터배선(123) 상부에만 형성되어 있다.
그 다음, 도 8h에 도시된 바와 같이, 상기 평탄화 막 패턴(117a) 및 더미 평탄화 막 패턴(117b)을 경화(cure) 처리한 이후에, 에싱(ashing) 공정을 실시하여 상기 더미 평탄화 막 패턴(117b) 전체를 제거함으로써 그 하부의 더미 금속 도전층 패턴(113a)을 노출시킨다. 이때, 상기 평탄화 막 패턴(117a)의 일부 두께도 함께 제거된다.
이어서, 도 8i에 도시된 바와 같이, 노출된 상기 더미 금속 도전층 패턴 (113a)을 습식 식각 공정을 통해 제거하여, 절연기판(101)의 화소 영역에 대면적의 화소전극(113a)을 형성한다. 이때, 상기 화소전극(113a)은 상기 데이터배선(123)과 게이트배선(104)이 교차하여 이루는 화소영역에 배치된다.
그 다음, 도 8j에 도시된 바와 같이, 상기 화소전극(113a)을 포함한 절연기판 (101) 전면에 무기 절연물질 또는 유기 절연물질을 증착하여 패시베이션막 (passivation(125)을 형성하고, 이어 상기 패시베이션막(125) 상부에 투과율이 높은 포토레지스트(photo-resist)를 도포하여 제3 감광막(미도시)을 형성한다.
이어서, 도면에는 도시하지 않았지만, 포토 리소그라피 공정기술을 이용한 제4 마스크 공정(미도시; 도 6의 157 참조)에 의해 노광 및 현상공정을 실시하여 상기 제3 감광막(미도시)을 제거하여 제3 감광막패턴(미도시)을 형성한다.
그 다음, 상기 제3 감광막패턴(미도시)을 마스크로 상기 패시베이션막(125)과 그 하부의 게이트절연막(105)을 선택적으로 식각하여 상기 게이트 패드(103a) 및 데이터 패드(103b)를 노출시키는 게이트패드 콘택홀(127a)과 데이터패드(103b)를 노출시키는 데이터패드 콘택홀(127b)를 동시에 형성한다.
이어서, 상기 제3 감광막패턴(미도시)을 제거하고, 상기 게이트패드 콘택홀 (127a)과 데이터패드 콘택홀(127b)를 포함한 절연기판(101) 전면에 제2 투명 도전 물질층(미도시)을 DC 마그네트론 스퍼터링법 (magnetron sputtering)으로 증착한다. 이때, 상기 제2 투명 도전물질층(미도시)으로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide)를 포함한 투명한 물질 그룹 중에서 선택된 어느 하나를 사용한다.
그 다음, 상기 제2 투명 도전물질층(미도시) 상부에 투과율이 높은 포토레지스트(photo-resist)를 도포하여 제4 감광막(미도시)을 형성한다.
이어서, 포토 리소그라피 공정기술을 이용한 제5 마스크 공정(미도시; 도 6의 159 참조)에 의해 노광 및 현상공정을 실시하여 상기 제4 감광막(미도시)을 제거함으로써 제4 감광막패턴(미도시)을 형성한다.
그 다음, 도 8j에 도시된 바와 같이, 상기 제4 감광막패턴(미도시)을 식각 마스크로 상기 제2 투명 도전물질층(미도시)을 식각하여, 서로 이격되어 분기된 다수의 공통전극(129)과 함께 상기 게이트 패드 콘택홀(127a)과 데이터 패드 콘택홀 (127b)을 통해 상기 게이트 패드(103a) 및 데이터 패드(103b)와 전기적으로 연결되는 게이트 패드 연결패턴(129a) 및 데이터 패드 연결패턴(129b)을 동시에 형성한다.
이어서, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제4 감광막패턴(미도시)을 제거하고, 상기 다수의 공통전극(129)을 포함한 기판 전면에 하부 배향막(미도시)을 형성함으로써, 본 발명에 따른 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치용 어레이 기판 제조공정을 완료하게 된다.
한편, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 절연기판(101)과 서로 이격되어 합착되는 칼라필터 기판(미도시) 상에 화소영역을 제외한 지역으로 광이 투과되는 것을 차단시켜 주기 위해 블랙매트릭스(BM; black matrix) (미도시)를 형성한다.
이어서, 상기 칼라필터 기판(미도시)의 화소영역에 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue) 색상의 칼라필터층(미도시)을 형성한다. 이때, 상기 적색(Red), 녹색 (Green), 청색(Blue) 색상의 칼라필터층들(미도시) 사이의 칼라필터 기판(미도시)에는 상기 블랙매트릭스(미도시)가 위치한다.
이때, 상기 블랙매트릭스(미도시)는, 상기 칼라필터 기판(미도시)과 박막트랜지스터 기판인 절연기판(101)의 합착시에, 상기 절연기판(101)의 화소영역을 제외한 지역, 예를 들어 박막트랜지스터(T), 게이트배선(104) 및 데이터배선(123) 상부와 오버랩되게 배치한다. 이때, 본 발명에서는 화소전극(113a)이 드레인 전극 역할을 함께 수행하기 때문에 드레인 콘택홀을 별도로 형성하지 않아도 된다.
따라서, 본 발명에서는 드레인 콘택홀을 별도로 형성하지 않아도 되기 때문에, 그만큼 블랙매트릭스(미도시)가 덮는 지역이 줄어들게 됨으로써, 개구율 및 투과율을 극대화시킬 수 있다.
그 다음, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 칼라필터층(미도시) 상에는 액정을 일정한 방향으로 배열시켜 주기 위해 상부 배향막(미도시)을 형성함으로써 컬러필터 어레이기판을 제조하는 공정을 완료한다.
이어서, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 절연기판(101)과 컬러필터 기판 (미도시) 사이에 액정층(미도시)을 형성함으로써 본 발명에 따른 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치를 제조하게 된다.
따라서, 본 발명에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법에 따르면, 에프에프에스(FFS) 방식 액정표시장치 제조시에, Z-인버젼 (inversion)과 최상층에 공통전극을 형성하는 구조를 적용할 수 있도록 화소전극과 드레인전극을 한번에 형성하여 드레인 콘택홀 구조를 생략함으로써 개구율 및 투과율을 극대화시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법에 따르면, 소스전극을 포함한 데이터배선과 화소전극을 동시에 형성할 수 있어 그만큼 마스크 수가 저감되며, 소스전극과 화소전극 간 자기정렬(Self Align)로 인해 오버레이 마진(Overlay Margin)이 없어지므로, 짝수(even)/홀수(odd) 불량이 발생하지 않는다.
그리고, 본 발명에 따른 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법에 따르면, 평탄화 막이 절연기판 전면에 형성되어 있는 것이 아니라, 데이터배선 상부에만 존재하기 때문에, 그만큼 개구부의 투과율이 증가한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
101: 하부기판 103: 게이트전극
103a: 게이트 패드 103b: 데이터 패드
105: 게이트 절연막 107a: 비정질 실리콘층 패턴
109a: 오믹 콘택층 패턴 110: 액티브층
113a: 화소전극 117a: 평탄화 막 패턴
123: 데이터배선 123a: 소스전극
125: 패시베이션막 127a: 게이트 패드 콘택홀
127b: 데이터 패드 콘택홀 129: 공통전극
129a: 게이트 패드 연결패턴ㅂ 129b: 데이터 패드 연결패턴

Claims (11)

  1. 절연기판의 일면에 일 방향으로 형성된 게이트배선;
    상기 게이트 배선으로부터 연장된 게이트 전극 상부에 형성된 액티브층;
    상기 액티브층의 상부 일측에 형성된 소스전극을 가지며, 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 이루는 데이터배선;
    상기 소스전극과 이격된 상기 액티브층의 상부 타측과, 상기 절연기판의 화소 영역에 걸쳐 형성된 화소전극;
    상기 데이터배선과 소스전극 상부에 형성된 평탄화 막;
    상기 평탄화 막을 포함한 절연기판 전면에 형성된 패시베이션막; 및
    상기 패시베이션막 상에 형성되고, 상기 화소전극 및 데이터배선과 오버랩되는 공통전극을 포함하여 구성되는 액정표시장치용 어레이 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화소전극은 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판.
  3. 제1항에 있어서, 상기 평탄화 막은 상기 데이터배선과 소스전극 상부에만 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판.
  4. 제1항에 있어서, 상기 평탄화 막은 감광성을 가지는 유기 절연물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판.
  5. 제1항에 있어서, 상기 소스전극 및 데이터 배선은 투명 도전물질층패턴과 금속 도전층 패턴의 적층 구조로 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판.
  6. 절연기판의 일면에 일 방향으로 게이트배선, 게이트 패드 및 데이터 패드를 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선으로부터 연장된 게이트 전극 상부에 액티브층을 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 이루며, 상기 액티브층의 상부 일측에 배치되는 소스전극을 구비한 데이터배선을 형성하는 단계;
    상기 소스전극과 이격된 상기 액티브층의 상부 타측과, 상기 절연기판의 화소 영역에 걸쳐 화소전극을 형성하는 단계;
    상기 데이터배선과 소스전극 상부에 평탄화 막을 형성하는 단계;
    상기 평탄화 막을 포함한 절연기판 전면에 패시베이션막을 형성하는 단계;
    상기 패시베이션막에 상기 게이트 패드 및 데이터 패드를 노출시키는 게이트 패드 콘택홀 및 데이터 패드 콘택홀을 형성하는 단계; 및
    상기 패시베이션막 상부에 상기 화소전극 및 데이터배선과 오버랩되는 공통전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 화소전극은 드레인 전극으로도 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 평탄화 막은 상기 데이터배선과 소스전극 상부에만 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 평탄화 막은 감광성을 가지는 유기 절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 소스전극 및 데이터 배선은 투명 도전물질층 패턴과 금속 도전층 패턴의 적층 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
  11. 제6항에 있어서, 상기 게이트 배선과 교차하며 상기 액티브층의 상부 일측에 배치되는 소스전극을 구비한 데이터배선을 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선과 데이터배선이 교차하여 이루는 절연기판의 화소 영역과, 상기 소스전극과 이격된 상기 액티브층의 상부 타측에 화소전극을 형성하는 단계는 한번의 마스크 공정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
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