KR20140080215A - 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제 및 이를 이용한 탈지방법 - Google Patents
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- 238000005237 degreasing agent Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000013527 degreasing agent Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 25
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- -1 alcohol amine Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical group OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 10
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 5
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 5
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical group OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXHZRQHZVYDRGX-UHFFFAOYSA-M sodium;hydrogen sulfate;hydrate Chemical compound [OH-].[Na+].OS(O)(=O)=O JXHZRQHZVYDRGX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
본 발명은 글리콜 에테르, 알코올 아민, 아민 계면활성제 및 물을 포함하는 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제 및 이를 이용한 탈지방법을 제공한다. 본 발명에 따른 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제는 인쇄회로기판과 PSR 잉크의 접합성이 저하되지 않으면서도, 우수한 세정력을 가져 동보임 불량 및 SR 이물 불량을 현저하게 감소시킬 뿐만 아니라 기존의 황산의 사용을 현저히 감소시켜 친환경적으로 인쇄회로기판을 탈지시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 포토 솔더 레지스트 (Photo Solder Resist: PSR) 전처리용 탈지제 및 이를 이용한 탈지방법에 관한 것이다. 이하, 본 명세서에서, 용어 "솔더 레지스트 (Solder Resist: SR)"는 PSR과 실질적으로 동일한 의미로 특별한 구분없이 사용된다.
인쇄회로기판, 특히, BOC (Board On Chip) 패키지를 제조할 때 PSR이 많이 사용된다. PSR의 사용 목적은 크게 회로패턴 사이의 쇼트 (short) 방지와 솔더볼 (solder ball)을 지지하기 위한 것이다. 리드프레임 (lead frame) 타입의 PSR은 솔더 페이스트 (solder paste)로 리드프레임을 기판에 부착할 경우에 회로패턴 사이의 쇼트를 방지하기 위한 절연 역할을 하고, BGA (Ball Grid Array) 타입의 PSR은 솔더볼이 기판의 제 위치에 부착가능하도록 하는 역할과 리플로우 (reflow)시에 인접한 볼 (ball)과 솔더 페이스트에 의한 쇼트를 방지하기 위해 사용되고 있다.
그러나, 인쇄회로기판에 PSR를 형성시, 테이프 (Tape) 찐, 드라이 필름 (Dry film 또는 D/F)과 같은 아크릴레이트계 이물에 의한 SR 이물 불량 (즉, 이물질에 의해 솔더 레지스트가 인쇄회로기판상에 잘 부착 또는 형성되지 않은 현상)이 지속 발생하였으며, SR 외관 불량 중에서도 SR 이물에 의한 불량이 가장 높은 빈도를 나타내었다. SR 이물 불량시료를 입수하여 성분 분석한 결과, 찐성 이물에 의한 외관불량으로 분석되었다. 이물 발생의 주원인은 PSR 공정 전에, 회로 현상 에칭 박리 (DES) 공정 및/또는 회로형성 (AOI) 검사 공정의 수행시에 무진 테이프, 클린 패드 (Clean Pad), 접착 테이프 (Adhesive Tape) 등에서 전이된 이물에 의한 것이며, 이물 성분 분석결과, 아크릴레이트 성분이 50% 이상 점유한다.
이러한 아크릴레이트 성분은 PSR 전처리 전 외관검사시 확인이 되며, PSR 전처리 진행 시 제거되지 않아 SR 도포시 잉크와 혼합되어 동보임 (즉, 구리 회로패턴 상에 이물질에 의해 금 도금이 형성되지 않아 구리가 노출되어 구리가 시각적으로 보이는 현상), SR 이물 등 불량이 발생하게 된다.
이러한 아크릴레이트 성분을 제거하기 위해, 기존의 PSR 전처리시에 사용된 약품은 모두 황산 및 황산과수와 같은 표면 산화 제거 타입이며, 아크릴레이트 성분과 같은 접착성이 높은 이물질은 황산계열 약품으로 제거가 불가하다. 한편, 특허문헌 1에서는 N-메틸피롤리돈 및 디메틸포름아미드를 주성분으로 하는 조성물이 아크릴 성분을 제거할 수 있다고 개시하고 있으나, PSR 전처리용이 아닐 뿐만 아니라 세정력이 떨어지는 경향이 있다.
PSR 전처리 약품으로 PSR를 전처리하는 약품처리장치의 길이는 약 1m 이내로 약품처리 시간이 약 20초 수준에 지나지 않음으로 고반응성 세정약품 개발이 필요하다. 또한, PSR 전처리에 적용 가능한 알칼리 세정약품은 알칼리 성분에 의해 인쇄회로기판과 PSR 잉크의 접합성이 저하되지 않아야 한다. 그러나, 기존에 PSR 전처리 전용으로 개발된 알칼리 약품은 없는 상황이다.
특허문헌 1: 한국 공개특허 제2006-0098100호
이에 본 발명에서는 아민-에테르 (amine-ether) 화합물을 포함하는 새로운 알카리계 탈지제 조성물을 개발하여 상술한 문제를 해결할 수 있었고, 본 발명은 이에 기초하여 완성되었다.
따라서, 본 발명의 하나의 관점은 인쇄회로기판과 PSR 잉크의 접합성이 저하되지 않으면서도, 우수한 세정력을 가져 동보임 불량 및 SR 이물 불량을 현저하게 감소시킬 수 있는 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 관점은 상기 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제를 사용하여 기존의 황산의 사용을 현저히 감소시킴으로써 친환경적으로 인쇄회로기판을 탈지시키는 방법을 제공하는 데 있다.
상기 하나의 관점을 달성하기 위한 본 발명에 따른 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제 (이하 "제1 발명"이라 함)는 글리콜 에테르, 알코올 아민, 아민계 계면활성제 및 물을 포함한다.
제1 발명에 있어서, 상기 탈지제는 10∼70 중량%의 글리콜 에테르, 1∼25중량%의 알코올 아민, 10∼70중량%의 아민계 계면활성제 및 나머지는 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
제1 발명에 있어서, 상기 글리콜 에테르는 에틸렌글리콜 (Ethylene glycol), 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르 (polyethylene glycol monobutyl ether), 또는 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르 (polyethylene glycol monomethyl ether)인 것을 특징으로 한다.
제1 발명에 있어서, 상기 알코올 아민은 메틸디에탄올아민 (Methyldiethanolamine) 또는 모노에탄올아민 (monoethanolamine)인 것을 특징으로 한다.
제1 발명에 있어서, 상기 아민계 계면활성제는 화학식 R-NH2로 표시되며, 여기서 R은 탄소수 11∼18의 알킬기인 비이온성 계면활성제인 것을 특징으로 한다.
제1 발명에 있어서, 상기 탈지제는 산화방지제, 소포제 또는 이들의 혼합물을 0.1∼5중량%의 범위로 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 관점을 달성하기 위한 상기 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제를 이용한 탈지방법 (이하 "제2 발명"이라 함)은 포토 솔더 레지스트의 형성 전에 이물질이 잔존하는 인쇄회로기판의 표면을 글리콜 에테르, 알코올 아민, 아민계 계면활성제 및 물을 포함하는 탈지제를 도포하는 단계; 상기 탈지제로 처리된 인쇄회로기판의 표면을 Al2O3 알갱이로 제트 연마를 수행하는 단계; 및 상기 제트 연마된 인쇄회로기판의 표면을 황산으로 처리하는 단계를 포함한다.
제2 발명에 있어서, 상기 탈지제는 10∼70 중량%의 글리콜 에테르, 1∼25중량%의 알코올 아민, 10∼70중량%의 아민계 계면활성제 및 나머지는 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
제2 발명에 있어서, 상기 글리콜 에테르는 에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 또는 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르인 것을 특징으로 한다.
제2 발명에 있어서, 상기 알코올 아민은 메틸디에탄올아민 또는 모노에탄올아민인 것을 특징으로 한다.
제2 발명에 있어서, 상기 아민계 계면활성제는 화학식 R-NH2로 표시되며, 여기서 R은 탄소수 11∼18의 알킬기인 비이온성 계면활성제인 것을 특징으로 한다.
제2 발명에 있어서, 상기 탈지제는 산화방지제, 소포제 또는 이들의 혼합물을 0.1∼5중량%의 범위로 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
제2 발명에 있어서, 상기 탈지제의 도포단계는 1∼2㎏f의 압력으로 10∼40초 동안 스프레이 분사되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제는 인쇄회로기판과 PSR 잉크의 접합성이 저하되지 않으면서도, 우수한 세정력을 가져 동보임 불량 및 SR 이물 불량을 현저하게 감소시킬 뿐만 아니라 기존의 황산의 사용을 현저히 감소시켜 친환경적으로 인쇄회로기판을 탈지시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부 도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 탈지제를 이용하여 이물질 (테이프 찐 등)이 제거되는 원리를 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 탈지제를 이용한 탈지방법을 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 탈지제 및 기존의 탈지제의 세정효과를 비교한 사진이다.
도 2는 본 발명에 따른 탈지제를 이용한 탈지방법을 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 탈지제 및 기존의 탈지제의 세정효과를 비교한 사진이다.
본 발명을 좀 더 구체적으로 설명하기 전에, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정되어서는 아니되며, 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시 예의 구성은 본 발명의 바람직한 하나의 예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.
전술한 바와 같이, 종래에 인쇄회로기판 표면의 산화막 및 유막 제거를 위해 황산을 사용하였으나, 아크릴레이트 및 D/F와 같은 접착력이 있는 이물의 경우, 황산으로는 제거 불가하다. 아크릴레이트 및/또는 D/F와 같은 찐성 이물은 황산과는 전혀 반응하지 않으며, 찐성 이물을 제거하기 위해서는 이온화 물질에 의한 중화 반응 및 계면 활성제의 물리적인 팽윤 (swelling) 반응이 필요하다.
하기 반응식 1 및 2는 일반적인 세척용 디핑 라인 (Dipping Line)에서 사용중인 탈지제의 찐 제거 반응 메커니즘이다. 탈지제의 세정원리는 하기 반응식 1과 같은 접착제 성분의 OH 고리를 끊어주는 킬레이트와 같은 화학 반응, 하기 반응식 2와 같은 팽윤 (Swell)에 의한 물리적 탈착 (Remove) 반응이 있다. 또한 이러한 세정력은 온도와 시간에 따라 비례하게 된다 (운동에너지와 온도와의 법칙, 아레니우스 법칙).
[반응식 1]
[반응식 2]
상기 반응식 1과 같은 이온화 반응성이 높은 Na+을 이용한 화학적인 반응의 경우 접착제 성분과 직접적으로 반응하므로 제거효과는 우수하지만, 중화 반응에 따른 고체 결정 (물유리 현상)이 발생하므로, 시험 결과, PCB의 전처리 라인 적용이 불가하였다. 상기 반응식 2와 같은 일반적인 계면 활성제 타입의 탈지제의 경우 스프레이 분사시 과도한 거품이 발생되기 때문에, 스프레이 타입의 습식 라인 (wet line)에서는 적합하지 않다.
이러한 두 가지 문제로 인해 일반적인 디핑 라인에서 사용되는 탈지제는 탈지효과는 우수하지만 양산 라인에 적용은 불가하다. 이러한 문제점을 극복하기 위해 선결되어야 하는 과제는 하기와 같다.
1) 결정 이물의 미발생 - 금속 성분이 필요한 이온화 물질은 적용 불가.
2) 높은 반응성 요구 - 짧은 습식 라인의 한계를 극복할 수 있는 고 반응성 약품.
3) 거품 발생 불가 - 계면활성제 적용 불가. 동일한 역할의 대체 물질 필요.
4) SR 접합성에 대한 저해 (risk)가 없어야 함.
본 발명에서는 이러한 요구조건을 만족시킬 수 있는 PSR 전처리 전용 아민-에테르 (amine-ether) 성분을 기초로 한 탈지제를 개발하였다. 기존의 아민-에테르 성분을 갖는 탈지 및 세정제는 PSR 전처리용으로는 사용이 불가하다. 전술한 바와 같이, 기존의 세정제는 PSR 잉크와의 접합 신뢰성에 저해가 있으므로 완벽한 수용성이 필요하다. 또한, 짧은 시간에 높은 이물 제거 효과 및 장시간 사용시 약품의 균형 (balance)이 깨지지 않고, 지속적으로 유지될 수 있는 내구성도 필요하다.
본 발명에 따른 아민-에테르 화합물은 계면활성제와 같은 팽윤 및 박리 효과를 가지지만, 거품이 발생하지 않는 특성을 가진다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 아민-에테르 화합물은 아민-에테르 화합물의 NH가 접착제 성분에 직접 침투, 용해 (Solution) 실시 및 에테르에 의한 팽윤 효과로 인하여 시편의 경계 표면 (PSR 시편과 찐)에서의 찐을 떨어트리는 효과를 가진다.
본 발명에 따른 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제는 글리콜 에테르, 알코올 아민, 아민계 계면활성제 및 물을 포함한다. 바람직하게는, 상기 탈지제는 10∼70중량%의 글리콜 에테르, 1∼25중량%의 알코올 아민, 10∼70중량%의 아민계 계면활성제 및 나머지는 물을 포함한다.
본 발명에 있어서, 상기 글리콜 에테르는 조성물의 팽윤 및 침투력 향상을 위해 첨가되며, 예를 들어, 에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 또는 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 글리콜 에테르의 혼합량은 10∼70 중량%가 바람직하며, 10중량% 미만이면 세정력이 떨어지는 경향이 있고, 70중량%를 초과하면 상기 글리콜 에테르가 인화성 물질이므로 부식, 신뢰성 등에 문제가 있다.
상기 알코올 아민은, 예를 들어, 메틸디에탄올아민 또는 모노에탄올아민 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 알코올 아민의 혼합량은 1∼25중량%가 바람직하며, 1중량% 미만이면 세정력이 떨어지고, 25중량%를 초과하면 신뢰성 등에 문제가 있다.
상기 아민계 계면활성제는, 예를 들어, 화학식 R-NH2로 표시되는 비이온성 계면활성제로서, 여기서 R은 탄소수 11∼18의 알킬기이다. 상기 아민계 계면활성제의 혼합량은 10∼70중량%가 바람직하며, 10중량% 미만이면 조성물 자체의 혼화성이 떨어지고, 70중량%를 초과하면 세정력이 떨어지는 경향이 있다.
상기 아민계 계면활성제로 에폭시 경화물을 제거하는 세정 기작은 하기 반응식 3과 같다. 반응식 3을 참조하면, 상기 아민계 계면활성제의 아민기는 에폭시 경화물의 에폭시기를 절단하여 에폭시 경화물의 접착력을 약화시켜 제거한다.
[반응식 3]
한편, 본 발명의 탈지제 조성물은 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에서, 필요에 따라 산화방지제, 소포제 또는 이들의 혼합물을 0.1∼5중량%의 범위로 더욱 포함하여 바람직한 물성이나 기능을 발현시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 수지 조성물을 수용액 상태로 혼합하여 본 발명의 탈지제를 얻는다. 상기 탈지제를 이용한 인쇄회로기판의 PSR 전처리 공정을 도 2를 참조하여 살펴보면, 먼저, 1) 구리 회로패턴 (20)이 형성된 인쇄회로기판 (10)의 산화막 및 기타 이물 제거를 위해 본 발명의 탈지제로 약 1∼2㎏f의 압력으로 10∼40초 동안 스프레이 분사하여 처리한 다음, 수세하고 건조시킨다. 2) 상기 기판 표면의 이물 제거를 위해 제트 (Jet) 연마를 실시한다. 상기 제트 연마는 50∼100㎛의 크기를 갖는 Al2O3 알갱이를 약 1∼3㎏f의 압력으로 20∼50초 동안 물리적으로 타격한 다음, 수세하고 건조시킨다. 3) PSR의 밀착력을 향상시키기 위해 최종 약 10%의 황산으로 약 1∼2㎏f의 압력으로 10∼30초 동안 스프레이 분사하여 처리한 다음, 수세하고 건조시킨다.
이렇게 본 발명에 따른 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제로 탈지 처리된 인쇄회로기판은 PSR 잉크와 접합성이 우수할 뿐만 아니라 동보임 불량 및 SR 이물 불량이 현저하게 감소된다.
이하 실시 예 및 비교 예를 통하여 본 발명을 좀 더 구체적으로 살펴보지만, 하기 예에 본 발명의 범주가 한정되는 것은 아니다.
비교 예 1
물에 10중량%의 알코올 아민 (Cas No. 111-42-2) 및 7중량%의 아민계 계면활성제 (Cas No. 61790-85-0)을 첨가하여 잘 혼합하여 탈지제를 제조하였다.
실시 예 1
물에 15중량%의 글리콜 에테르 (Cas No. 111-46-6), 10중량%의 알코올 아민 (Cas No. 111-42-2), 및 25중량%의 아민계 계면활성제 (Cas No. 61790-85-0)을 첨가하여 잘 혼합하여 본 발명의 탈지제를 제조하였다.
이를 동판 표면에 찐을 임의로 부착하여 황산, 수산화나트륨 및 본 발명의 탈지제를 이용하여 20 초 및 30초간 침적 시험 및 공정능력 B/D를 이용하여 무전해 금도금까지 진행하여 확인하였다. 그 결과를 도 3 및 하기 표 1에 나타내었다. 도 3에서, A는 10% 황산, B는 10% 수산화나트륨 용액, C는 비교 예 1의 탈지제, 및 D는 실시 예 1의 탈지제이다.
구분 | 황산 | 수산화나트륨 | 비교 예 1 | 실시 예 1 |
찐 제거력 | 100% 미제거 | 30초 100% 제거 | 30초 100% 제거 | 20초 100% 제거 |
수세력 | 우수 | 미흡 (표면 미끌거림) | 우수 | 우수 |
24시간 방치후 외관 | 표면얼룩발생 | 표면얼룩발생 | 얼룩발생 없슴 | 얼룩발생 없슴 |
도 3 및 표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 침적 시험시 10% 황산 용액에서는 테이프 찐 제거가 거의 되지 않는 부분이 확인되었으며, 탈지제의 경우 30초 이전부터 세정 효과를 보이며 완전히 제거되는 부분을 확인할 수 있었다. 아울러, 본 발명의 탈지제 만이 약 20초 정도에 100% 찐 제거력을 나타내었다.
한편, 공정능력 B/D를 이용하여 전처리 설비에 투입하여 스프레이 시험을 진행한 결과, 본 발명의 탈지제는 황산대비 50%이상 찐제거 성능을 보였으며, 양산 적용전 선 검증을 위한 시험시 도금 거침 및 SR 들뜸이 발생하지 않았다 (거품발생 없음). 본 발명의 탈지제의 경우, 전처리 진행전 발견된 찐성 이물이 전처리 통과후 제거되는 부분을 확인할 수 있었다.
실시 예 2
인쇄회로기판 표면에 찐을 임의로 부착하여 PSR 전처리 약품처리 장치에 위치시킨 다음, 상기 실시 예 1에 따른 탈지제로 약 2㎏f의 압력으로 약 20초 동안 스프레이 분사하여 처리한 다음, 물로 수세하고 건조하였다. 그 다음, 상기 기판을 약 50∼100㎛의 크기를 갖는 Al2O3 알갱이를 약 2㎏f의 압력으로 약 40초 동안 물리적으로 타격한 다음, 물로 수세하고 건조하였다. 그 다음, 약 10%의 황산으로 약 2㎏f의 압력으로 약 15초 동안 스프레이 분사하여 처리한 다음, 물로 수세하고 건조하였다.
그 결과, 찐성 이물 주원인인 아크릴레이트, 폴리디메틸설파이드 (PDMS) 성분이 제거되는 부분을 확인할 수 있다. 탈지제 적용 전후의 동보임 불량율 비교결과 적용전 대비 약 40% (3,080ppm에서 1,820ppm)개선이 이루어졌으며, 찐성 이물에 의한 SR 이물이 감소되어 신뢰성을 확보할 수 있었다. 아울러, 기존의 황산 처리를 본 발명의 탈지제로 변경함에 따라 황산 폐수처리 비용이 절감되는 추가적인 효과도 확인되었다.
이상 본 발명을 구체적인 실시 예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
10: 인쇄회로기판 20: 회로패턴
Claims (13)
- 글리콜 에테르, 알코올 아민, 아민 계면활성제 및 물을 포함하는 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제.
- 청구항 1에 있어서,
상기 탈지제는 10∼70중량%의 글리콜 에테르, 1∼25중량%의 알코올 아민, 10∼70중량%의 아민계 계면활성제 및 나머지는 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제.
- 청구항 1에 있어서,
상기 글리콜 에테르는 에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 또는 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르 것을 특징으로 하는 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제.
- 청구항 1에 있어서,
상기 알코올 아민은 메틸디에탄올아민 또는 모노에탄올아민인 것을 특징으로 하는 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제.
- 청구항 1에 있어서,
상기 아민 계면활성제는 화학식 R-NH2로 표시되며, 여기서 R은 탄소수 11∼18의 알킬기인 비이온성 계면활성제인 것을 특징으로 하는 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제.
- 청구항 1에 있어서,
상기 탈지제는 산화방지제, 소포제 또는 이들의 혼합물을 0.1∼5중량%의 범위로 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제.
- 포토 솔더 레지스트의 형성 전에 이물질이 잔존하는 인쇄회로기판의 표면을 글리콜 에테르, 알코올 아민, 아민 계면활성제 및 물을 포함하는 탈지제를 도포하는 단계;
상기 탈지제로 처리된 인쇄회로기판의 표면을 Al2O3 알갱이로 제트 연마를 수행하는 단계; 및
상기 제트 연마된 인쇄회로기판의 표면을 황산으로 처리하는 단계를 포함하는 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제를 이용한 탈지방법.
- 청구항 7에 있어서,
상기 탈지제는 10∼70 중량%의 글리콜 에테르, 1∼25중량%의 알코올 아민, 10∼70중량%의 아민 계면활성제 및 나머지는 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 탈지방법.
- 청구항 7에 있어서,
상기 글리콜 에테르는 에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 또는 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르인 것을 특징으로 하는 탈지방법.
- 청구항 7에 있어서,
상기 알코올 아민은 메틸디에탄올아민 또는 모노에탄올아민인 것을 특징으로 하는 탈지방법.
- 청구항 7에 있어서,
상기 아민 계면활성제는 화학식 R-NH2로 표시되며, 여기서 R은 탄소수 11∼18의 알킬기인 비이온성 계면활성제인 것을 특징으로 하는 탈지방법.
- 청구항 7에 있어서,
상기 탈지제는 산화방지제, 소포제 또는 이들의 혼합물을 0.1∼5중량%의 범위로 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 탈지방법.
- 청구항 7에 있어서,
상기 탈지제의 도포단계는 1∼2㎏f의 압력으로 10∼40초 동안 스프레이 분사되는 것을 특징으로 하는 탈지방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120149773A KR101432389B1 (ko) | 2012-12-20 | 2012-12-20 | 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제 및 이를 이용한 탈지방법 |
JP2013137450A JP5763129B2 (ja) | 2012-12-20 | 2013-06-28 | フォトソルダーレジスト前処理用脱脂剤及びこれを用いた脱脂方法 |
TW102128721A TW201425568A (zh) | 2012-12-20 | 2013-08-09 | 感光防焊劑前處理用脫脂劑及應用其之脫脂方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120149773A KR101432389B1 (ko) | 2012-12-20 | 2012-12-20 | 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제 및 이를 이용한 탈지방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140080215A true KR20140080215A (ko) | 2014-06-30 |
KR101432389B1 KR101432389B1 (ko) | 2014-08-20 |
Family
ID=51130999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120149773A KR101432389B1 (ko) | 2012-12-20 | 2012-12-20 | 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제 및 이를 이용한 탈지방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5763129B2 (ko) |
KR (1) | KR101432389B1 (ko) |
TW (1) | TW201425568A (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111580357A (zh) * | 2020-01-02 | 2020-08-25 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 一种激光热模光刻胶用显影液及其制备方法 |
CN111770642A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-10-13 | 珠海斗门超毅实业有限公司 | 键合剂在线路板表面处理中的应用方法和线路板 |
WO2024162230A1 (ja) * | 2023-01-31 | 2024-08-08 | 三井化学株式会社 | 洗浄液、これを用いた被めっき材の製造方法、および異方導電性シートの製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08917B2 (ja) * | 1990-06-27 | 1996-01-10 | 花王株式会社 | 洗浄剤組成物 |
JPH0551599A (ja) * | 1991-08-27 | 1993-03-02 | Toho Chem Ind Co Ltd | 洗浄剤組成物 |
JPH05125395A (ja) * | 1991-11-05 | 1993-05-21 | Metsuku Kk | 洗浄剤組成物 |
JPH05295365A (ja) * | 1992-04-24 | 1993-11-09 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 銅張積層板整面処理剤 |
JPH0754178A (ja) * | 1993-08-16 | 1995-02-28 | Showa Shell Sekiyu Kk | 脱脂方法 |
JPH08309662A (ja) * | 1995-05-16 | 1996-11-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレームのメッキ前処理設備 |
JP2944518B2 (ja) * | 1996-07-16 | 1999-09-06 | 富山日本電気株式会社 | 銅及び銅合金の表面処理剤 |
KR100429152B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2004-04-28 | 주식회사 포스코 | 용접성이 우수한 용접관용 표면처리강판의 제조방법 |
JP2007335856A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-12-27 | Sanyo Chem Ind Ltd | エレクトロニクス材料用洗浄剤 |
JP5113423B2 (ja) | 2007-05-28 | 2013-01-09 | ディバーシー株式会社 | フロアーポリッシュ用剥離剤組成物およびそれを用いた剥離除去方法 |
-
2012
- 2012-12-20 KR KR1020120149773A patent/KR101432389B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-06-28 JP JP2013137450A patent/JP5763129B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-08-09 TW TW102128721A patent/TW201425568A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014122416A (ja) | 2014-07-03 |
JP5763129B2 (ja) | 2015-08-12 |
TW201425568A (zh) | 2014-07-01 |
KR101432389B1 (ko) | 2014-08-20 |
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Legal Events
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180702 Year of fee payment: 5 |
|
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Payment date: 20190701 Year of fee payment: 6 |