KR20140073422A - Method for grinding liquid crystal panel - Google Patents

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KR20140073422A
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마사히로 사토
히로후미 니시키
카츠토시 타카하시
아키노리 아이자와
나오토 미우라
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가부시키가이샤 쿠라모토 세이사쿠쇼
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Abstract

The objective of the present invention is to provide a method for polishing a liquid crystal panel, capable of reducing generation of crack or damage of a large scale liquid crystal panel, and also suppressing display failure according to generation of a dimple drastically. In order to achieve the objective of the present invention, the method for polishing a liquid crystal panel performs a chemical polishing process on a surface of the liquid crystal panel formed by holding a liquid crystal member between a first glass substrate formed with a thin film transistor layer and a second glass substrate formed with a color filter layer. The method includes: a trimming process of trimming the first and the second glass substrate of the liquid crystal panel before the chemical polishing process; a first glass substrate mechanical polishing process of performing mechanical polishing of the first glass substrate so that an average diameter of dimples existing on the surface of the first glass substrate after the chemical polishing process becomes equal to or less than 200 μm; a first residue treatment process of removing residues on the surface of the liquid crystal panel; and a reaction product removal process of removing reaction products generated during a chemical polishing process after the chemical polishing process.

Description

액정 패널 연마방법{METHOD FOR GRINDING LIQUID CRYSTAL PANEL}[0001] METHOD FOR GRINDING LIQUID CRYSTAL PANEL [0002]

본 발명은 액정 패널 연마방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal panel polishing method.

최근, 휴대전화, 휴대 게임기기, 휴대 단말기기 등의 표시용 디스플레이로서 액정 디스플레이(이하, LCD라 표기함)가 용도에 따라서 사용되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, a liquid crystal display (hereinafter referred to as an LCD) has been used as a display for a display in portable telephones, portable game machines, portable terminals, and the like depending on its use.

이들 LCD 중에서도, 특히 박막 트랜지스터(이하, TFT라 표기함)형 LCD는 표시가 고선명하기 때문에 폭넓게 사용되고 있다.Of these LCDs, in particular, a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) type LCD is widely used because the display is high-definition.

이 TFT형 LCD에서는 TFT층을 형성한 유리기판과, 컬러필터(이하 CF라 표기함)층을 형성한 유리기판에 의해 스페이서를 포함하는 액정 부재를 사이에 두고 적층하여 밀봉한 구성의 액정 패널이 사용되고 있다.In this TFT type LCD, a liquid crystal panel having a structure in which a glass substrate on which a TFT layer is formed and a glass substrate on which a color filter (hereinafter referred to as CF) layer is formed are laminated and sealed with a liquid crystal member including a spacer interposed therebetween .

한편, 이 TFT형 LCD는 최근, 휴대형 단말기기 등에 사용되기 때문에 박형화의 요구가 높아지고 있다. 그리고, 이 TFT형 LCD의 박형화에 대해서는 TFT형 LCD에 사용되는 액정 패널의 주요 재료인 유리기판을 얇게 함으로써 TFT형 LCD 전체의 박형화를 가능하게 할 수 있다.On the other hand, since this TFT type LCD is recently used in portable terminal equipments, there is an increasing demand for thinning. With respect to thinning of the TFT-type LCD, the entirety of the TFT-type LCD can be made thin by thinning the glass substrate which is the main material of the liquid crystal panel used for the TFT-type LCD.

액정 패널에 사용되고 있는 유리기판의 박형화를 꾀하는 방법으로서는, 일반적으로 액정 패널 전체 또는 편면을, 불산 등의 연마액에 침지해서 유리기판 표면을 연마하는 화학연마법이 행해지고 있다.As a method for reducing the thickness of the glass substrate used in the liquid crystal panel, generally, the entire liquid crystal panel or one side is immersed in a polishing liquid such as hydrofluoric acid to perform polishing of the surface of the glass substrate.

그러나, 이 침지에 의한 화학연마법에서는 연마 후의 유리기판 표면에 딤플이나 반응생성물이 발생할 경우가 있었다.However, dimpling or reaction products sometimes occurred on the surface of the glass substrate after polishing in the case of this chemical immersion by immersion.

딤플은 화학연마 후의 유리기판 표면에 점 형상, 또는 열 형상으로 나타나는 오목부이며, 화학연마 전에 유리기판 표면에 존재하는 수십㎛ 정도의 상처나 미세구멍이 화학연마에 의해 확대되어 오목부로서 검출되는 것이다.The dimples are concave portions appearing in a point shape or a column shape on the surface of the glass substrate after chemical polishing, and scratches and fine holes of about several tens of micrometers existing on the surface of the glass substrate before chemical polishing are enlarged by chemical polishing to be detected as concave portions will be.

또한, 반응생성물은 유리기판의 재료에 포함되는 성분이 화학 연마액과 반응한 것이나 화학 연마액에 녹은 성분이며, 이것이 유리 표면에 고착된다.The reaction product is a component in which the components contained in the material of the glass substrate are reacted with the chemical polishing solution or a component which is dissolved in the chemical polishing solution, and is adhered to the glass surface.

그리고, 이러한 딤플이 발생하거나, 반응생성물이 고착된 액정 패널을 이용하여 TFT형 LCD를 제조했을 경우에는, 딤플을 원인으로 한 휘점이라고 불리는 표시 불량이 발생하거나, 반응생성물이 고착되어 막 특성이 저하하는 것에 의한 표시 불량이나 터치패널의 문제 등이 발생할 경우가 있었다.When such a dimple is generated or a TFT type LCD is manufactured using a liquid crystal panel to which a reaction product is adhered, a display defect called a bright spot caused by dimples may occur, or a reaction product may be adhered to deteriorate film properties There is a possibility that a display failure or a problem of a touch panel caused by the touch panel may occur.

지금까지, 이 딤플을 해소하는 방법으로서, 미리 딤플의 원인이 되는 상처나 미세 구멍을 소멸시키기 위해서 화학연마 전의 유리기판 표면에 기계연마를 실시하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면 특허문헌 1을 참조).As a method for solving the dimples, there has been proposed a method of performing mechanical polishing on the surface of a glass substrate before chemical polishing in order to extinguish scratches and fine holes which cause dimples in advance (see, for example, Patent Document 1 Reference).

그러나, 이 방법은 딤플의 억제만을 목적으로 한 것이며, 화학연마에 의해 발생하는 반응생성물의 고착을 억제하는 것은 목적으로 하고 있지 않기 때문에, 반응생성물에 기인하는 표시 불량이나 터치패널의 문제까지를 해결할 수 있는 것은 아니었다.However, this method is for the purpose of suppressing dimples only, and does not aim at suppressing adhesion of reaction products generated by chemical polishing. Therefore, problems such as display defects and touch panels caused by reaction products can be solved It was not possible.

한편, 액정 패널은 현재, 일반적으로 G(generation)로 나타내어지는 규격의 G5(1200㎜×1000㎜) 정도의 대형 사이즈의 액정 패널을 절단하여 최종 제품의 화면 사이즈로 하고 있다.On the other hand, the liquid crystal panel cuts a large-sized liquid crystal panel of a size of about G5 (1200 mm x 1000 mm) having a size generally denoted by G (generation) to make the screen size of the final product.

이러한 현재의 상태에 있어서, 제조 현장에서는 대형의 액정 패널을 취급할 때에 액정 패널 측면의 깨짐이나, 액정 패널 자체의 파손이 발생할 경우가 있었다. 그리고, 이들 액정 패널의 깨짐이나 파손은 수율의 저하를 초래하여 제조 비용 상승의 원인이 되고 있었다.In such a present state, there is a case where the side of the liquid crystal panel is broken and the liquid crystal panel itself is damaged when a large liquid crystal panel is handled at the manufacturing site. The breakage or breakage of these liquid crystal panels causes a decrease in the yield and causes a rise in manufacturing cost.

또한, 종래의 액정 패널의 제조 현장에서는 이들 G5 정도의 대형의 액정 패널을 취급할 때의 깨짐이나 파손의 발생 대책을 고려하고 있지 않았다.In addition, in the conventional production site of the liquid crystal panel, countermeasures against generation of breakage or breakage when handling large-sized liquid crystal panels of about G5 are not considered.

일본 특허 공개 2003-15111호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-15111

본 발명은 상기와 같은 배경으로부터 종래의 문제점을 해소하고, 대형의 액정 패널의 깨짐이나 파손의 발생을 저감하고, 또한 딤플의 발생, 그리고 반응생성물의 고착에 따르는 표시 불량 등의 문제를 대폭 억제할 수 있는 액정 패널 연마방법을 제공하는 것을 과제로 하고 있다.DISCLOSURE OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the conventional problems from the background as described above and to reduce the occurrence of breakage or breakage of a large liquid crystal panel and to significantly suppress problems such as generation of dimples and display defects due to adhesion of reaction products And a method of polishing a liquid crystal panel.

즉, 본 발명의 액정 패널 연마방법은 이하를 특징으로 하고 있다.That is, the liquid crystal panel polishing method of the present invention is characterized as follows.

제 1 에, TFT층을 형성한 제 1 유리기판과 컬러필터층을 형성한 제 2 유리기판 사이에 액정 부재를 협지해서 이루어지는 액정 패널의 표면에 화학연마를 실시하는 화학연마 공정을 갖는 액정 패널 연마방법에 있어서, 상기 화학연마 공정 전에 상기 액정 패널의 상기 제 1 및 제 2 유리기판의 모따기를 행하는 모따기 공정과, 상기 화학연마 공정 후의 상기 제 1 유리기판 표면에 존재하는 딤플의 평균 지름이 200㎛ 이하로 되도록 상기 제 1 유리기판의 기계연마를 행하는 제 1 유리기판 기계연마 공정과, 상기 액정 패널 표면의 잔사를 제거하는 제 1 잔사처리 공정과, 상기 화학연마 공정 후에 화학연마 공정에서 발생하는 반응생성물을 제거하는 반응생성물 제거 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.First, a liquid crystal panel polishing method having a chemical polishing step of performing chemical polishing on the surface of a liquid crystal panel sandwiched between liquid crystal members sandwiched between a first glass substrate on which TFT layers are formed and a second glass substrate on which color filter layers are formed A chamfering step of chamfering the first and second glass substrates of the liquid crystal panel before the chemical polishing step; and a chamfering step of chamfering the dimples existing on the surface of the first glass substrate after the chemical polishing step, A first glass substrate polishing step of mechanically polishing the first glass substrate such that the first glass substrate is polished, a first residue processing step of removing residues on the surface of the liquid crystal panel, And a reaction product removing step of removing the reaction product.

제 2 에, 상기 제 1 액정 패널 연마방법에 있어서 상기 화학연마 공정 후의 상기 제 2 유리기판 표면에 존재하는 딤플의 평균 지름이 50㎛ 이하로 되도록 상기 제 2 유리기판의 기계연마를 행하는 제 2 유리기판 기계연마 공정과, 상기 액정 패널 표면의 잔사 및 상기 화학연마 공정에서 발생한 반응생성물을 제거하는 제 2 잔사처리 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.Second, in the first liquid crystal panel polishing method, the second glass is subjected to the mechanical polishing of the second glass substrate so that the average diameter of the dimples existing on the surface of the second glass substrate after the chemical polishing process becomes 50 탆 or less And a second residue treatment step of removing a reaction product generated in the substrate polishing step, a residue on the surface of the liquid crystal panel and the chemical polishing step.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

상기 제 1 발명에 의하면, 화학연마 공정 전에 액정 패널의 상기 제 1 및 제 2 유리기판의 모따기를 행하는 모따기 공정과, 화학연마 공정 후의 상기 제 1 유리기판 표면에 존재하는 딤플의 평균 지름이 200㎛ 이하로 되도록 제 1 유리기판의 기계연마를 행하는 제 1 유리기판 기계연마 공정과, 액정 패널 표면의 잔사를 제거하는 제 1 잔사처리 공정을 설치하고, 화학연마 공정 후에 반응생성물 제거 공정을 설치함으로써 대형의 액정 패널의 깨짐이나 파손의 발생을 저감하고, 딤플의 발생에 수반되는 표시 불량을 대폭 억제하며, 화학연마 공정에 의해 액정 패널 표면에 고착된 반응생성물을 제거할 수 있는 액정 패널 연마방법을 제공할 수 있다.According to the first aspect of the present invention, the chamfering step of chamfering the first and second glass substrates of the liquid crystal panel before the chemical polishing step, the chamfering step of chamfering the dimples existing on the surface of the first glass substrate after the chemical polishing step, A first glass substrate mechanical polishing step for mechanically polishing the first glass substrate so that the first glass substrate is polished and a first residue processing step for removing the residue on the surface of the liquid crystal panel are provided and a reaction product removal step is performed after the chemical polishing step, There is provided a liquid crystal panel polishing method capable of reducing the occurrence of breakage or breakage of a liquid crystal panel of a liquid crystal panel and greatly suppressing display defects accompanying generation of dimples and removing reaction products fixed on the surface of the liquid crystal panel by a chemical polishing process can do.

상기 제 2 발명에 의하면, 화학연마 공정 후의 제 2 유리기판 표면에 존재하는 딤플의 평균 지름이 50㎛ 이하로 되도록 상기 제 2 유리기판의 기계연마를 행하는 제 2 유리기판 기계연마 공정과, 상기 액정 패널 표면의 잔사 및 화학연마 공정에서 발생한 반응생성물을 제거하는 제 2 잔사처리 공정을 설치함으로써, 상기 제 1 발명의 효과에 추가하여, 더욱 딤플의 발생에 수반되는 표시 불량을 대폭 억제한 액정 패널 연마방법을 제공하는 것이 가능해진다.According to the second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a second glass substrate mechanical polishing step of performing mechanical polishing of the second glass substrate so that an average diameter of dimples existing on the surface of the second glass substrate after the chemical polishing step becomes 50 m or less; A second residue processing step for removing the residue of the surface of the panel and the reaction product generated in the chemical polishing step is provided so that the liquid crystal panel polishing process further suppressing the display defects accompanied by the generation of dimples, It is possible to provide a method.

도 1은 액정 패널의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 액정 패널 연마방법의 일실시형태를 나타내는 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 액정 패널 연마방법의 다른 실시형태를 나타내는 흐름도이다.
도 4의 (a)부분은 상면으로부터 본 코너부의 연마 형상을 나타내는 개략도이며, (b)부분은 측면으로부터 본 측면부의 연마 상태를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic sectional view showing a configuration of a liquid crystal panel.
2 is a flowchart showing an embodiment of a liquid crystal panel polishing method of the present invention.
3 is a flow chart showing another embodiment of the liquid crystal panel polishing method of the present invention.
4 (a) is a schematic view showing a polishing shape of the corner portion viewed from the upper surface, and FIG. 4 (b) is a schematic view showing the polishing state of the side surface viewed from the side.

본 발명의 액정 패널 연마방법은, 도 1에 나타내는 바와 같은 구성의 액정 패널 표면의 연마를 행하는 액정 패널 연마방법이다.The liquid crystal panel polishing method of the present invention is a liquid crystal panel polishing method for polishing the surface of the liquid crystal panel having the structure shown in Fig.

이 액정 패널은 제 1 유리기판(1)과 제 2 유리기판(2)에 의해 액정 부재(3) 및 스페이서(31)를 협지하여 가장자리부를 시일재(4)에 의해 밀봉한 구성으로 되어 있다.This liquid crystal panel has a constitution in which the liquid crystal member 3 and the spacer 31 are sandwiched by the first glass substrate 1 and the second glass substrate 2 and the edge portion is sealed by the sealing material 4.

제 1 유리기판(1)은 액정 부재(3)측에 TFT층(11)이 형성되어 있고, 또한 제 2 유리기판(2)은 액정 부재(3)측에 CF층(21)이 형성되어 있다.The first glass substrate 1 has the TFT layer 11 formed on the liquid crystal member 3 side and the second glass substrate 2 has the CF layer 21 formed on the liquid crystal member 3 side .

본 발명의 액정 패널 연마방법은 액정 패널의 표면, 즉 유리기판의 TFT층(11), CF층(21)이 형성되어 있지 않은 표면(12, 22)측을 연마하는 방법에 관한 것이다.The liquid crystal panel polishing method of the present invention relates to a method of polishing the surface of a liquid crystal panel, that is, the surfaces of the glass substrate on which the TFT layer 11 and the surfaces 12 and 22 on which the CF layer 21 are not formed are polished.

이하에, 본 발명의 액정 패널 연마방법에 대해서 흐름도를 이용하여 상세하게 설명한다. 도 2는 본 발명의 액정 패널 연마방법의 일실시형태를 나타내는 흐름도이다.Hereinafter, the liquid crystal panel polishing method of the present invention will be described in detail with reference to flowcharts. 2 is a flowchart showing an embodiment of a liquid crystal panel polishing method of the present invention.

이 실시형태의 액정 패널 연마방법에서는 모따기 공정(S1), 제 1 유리기판 기계연마 공정(S2), 제 1 잔사처리 공정(S3), 화학연마 공정(S4), 반응생성물 제거 공정(S5)의 공정을 갖고 있다.In the liquid crystal panel polishing method of this embodiment, the chamfering step S1, the first glass substrate mechanical polishing step S2, the first residue processing step S3, the chemical polishing step S4 and the reaction product removing step S5 Process.

본 발명의 액정 패널 연마방법에 적합하게 대응 가능한 액정 패널의 사이즈는, 일반적으로 G(generation)로 나타내어지는 규격의 대형 액정 패널로 되는 G5(1200㎜×1000㎜) 정도의 사이즈의 것이다.The size of the liquid crystal panel that can be suitably applied to the liquid crystal panel polishing method of the present invention is a size of about G5 (1200 mm x 1000 mm) which is a large liquid crystal panel of a standard generally indicated by G (generation).

G5 정도의 사이즈의 액정 패널에서는, 통상 딤플의 발생이나, 반응생성물의 부착에 수반되는 표시 불량 등을 억제하는 것이 매우 곤란하고, 또한 연마 공정 등에서의 깨짐이나 크랙의 발생에 수반되는 손해가 큰 것으로 된다.In the liquid crystal panel having a size of about G5, it is very difficult to suppress the generation of dimples and display defects accompanying adhesion of reaction products, and the damage accompanied by breakage or cracks in the polishing process do.

그 때문에, 이하에 설명하는 본 발명의 액정 패널 연마방법의 모따기 공정(S1)부터 반응생성물 제거 공정(S5)의 일련의 공정은 중요하고, 이들 공정에 의해 고품질의 액정 패널을 수율 좋게 제조하는 것이 가능해진다.Therefore, a series of steps from the chamfering step (S1) to the reaction product removing step (S5) of the liquid crystal panel polishing method of the present invention to be described below are important, and the production of a high quality liquid crystal panel It becomes possible.

<모따기 공정(S1)>&Lt; Chamfering step (S1) >

본 발명의 액정 패널 연마방법에서는, 우선 모따기 공정(S1)에 의해 액정 패널의 코너부 및 측면부의 에지부의 모따기를 행한다.In the liquid crystal panel polishing method of the present invention, first, chamfering of the edge portions of the corner portion and the side surface portion of the liquid crystal panel is performed by the chamfering step (S1).

모따기의 조건으로서는 최종 제품인 LCD의 기능에 영향을 끼치지 않는 범위이면 특별히 제한은 없고, 액정 패널의 반송로의 중간부에 설치한 연마장치에 의해 액정 패널의 코너부 및 에지부의 연마를 행할 수 있다.The condition of the chamfer is not particularly limited as long as it does not affect the function of the LCD which is the final product and the corner portion and the edge portion of the liquid crystal panel can be polished by the polishing apparatus provided in the middle portion of the conveying path of the liquid crystal panel .

코너부의 연마는, 예를 들면 다이아몬드 입도 #300∼600의 메탈본드의 회전 숫돌을 이용하여, 도 4(a)에 나타내는 바와 같은 컷 형상으로 1C∼5C 또는 1R∼5R로 되도록 행할 수 있다(C 및 R은 JISB001:2010에 준한다).The corner portion can be polished by using a metal-bonded rotary grindstone having a diamond particle size of 300 to 600, for example, to be 1C to 5C or 1R to 5R in a cut shape as shown in Fig. 4A (C And R conform to JISB001: 2010).

또한, 측면부의 모따기는 예를 들면 다이아몬드 입도 #300∼600의 메탈본드의 회전 숫돌을 이용하여, 도 4(b)에 나타내는 바와 같은 컷 형상으로 모따기 폭 0.1㎜ 이상, 면 형상 C 또는 R로 되도록 행할 수 있다(C 및 R은 JISB001:2010에 준한다).In addition, the chamfer of the side portion can be formed by using, for example, a metal bond rotating grindstone having a diamond particle size of 300 to 600, to have a cut shape as shown in Fig. 4 (b) so as to have a chamfer width of 0.1 mm or more, (C and R are in accordance with JIS B001: 2010).

상기 코너부 및 측면부의 연마는 액정 패널을 반송하면서 연마장치에 의해 행하는 것이지만, 반송 조건 및 연마장치의 운전 조건은 도입하는 액정 패널의 사이즈나 재질 등에 따라 각각 적당하게 설정할 수 있다.The polishing of the corner portions and the side portions is performed by a polishing apparatus while conveying the liquid crystal panel. However, the conveying conditions and the operating conditions of the polishing apparatus can be appropriately set in accordance with the size and material of the liquid crystal panel to be introduced.

상기 조건에 의한 액정 패널의 모따기를 행함으로써 기계적인 충격에 대한 코너부 및 측면부의 강도를 비약적으로 향상시킬 수 있고, 이 후의 각 공정에서의 액정 패널의 깨짐이나 파손을 대폭 저감시키는 것이 가능해진다.By performing chamfering of the liquid crystal panel under the above conditions, it is possible to remarkably improve the strength of the corner portion and the side portion against mechanical impact, and to greatly reduce the breakage and breakage of the liquid crystal panel in each subsequent step.

또한, 이 모따기 공정에서는 모따기 후의 세정 건조 공정에 의해 연마 유리분말이나 유리기판 표면의 오염을 세정 제거하고, 건조를 행한다.Further, in this chamfering step, the polished glass powder or the surface of the glass substrate is cleaned and removed by the cleaning and drying process after chamfering, and drying is performed.

세정, 건조의 조건으로서는 연마 유리분말이나 유리기판 표면의 오염을 제거할 수 있는 조건이면 특별히 제한은 없지만, 세정은 예를 들면 액정 패널을 반송하면서 액정 패널의 상하면을 재질이 나일론 등인 디스크 브러시와, 재질이 나일론 등인 롤 브러시를 이용하여 물에 의해 행할 수 있다.The conditions for washing and drying are not particularly limited as long as the condition for removing the contamination on the surface of the abrasive glass powder or the glass substrate is such that the upper and lower surfaces of the liquid crystal panel are cleaned with a disk brush made of nylon, It can be performed with water using a roll brush made of nylon or the like.

또한 건조는, 예를 들면 재질이 PVA(폴리비닐알콜) 스폰지 등인 탈수 롤 및, 에어 나이프, 온풍 건조기 등을 이용하여 행할 수 있다.Further, drying can be performed using a dehydrating roll, for example, a material such as PVA (polyvinyl alcohol) sponge, and an air knife, a hot air drier or the like.

<제 1 유리기판 기계연마 공정(S2)> &Lt; First Glass Substrate Mechanical Polishing Step (S2) >

이어서, TFT층을 형성한 제 1 유리기판 표면을 기계연마하는 제 1 유리기판 기계연마 공정(S2)을 행한다.Subsequently, a first glass substrate machine polishing step (S2) for mechanically polishing the surface of the first glass substrate on which the TFT layer is formed is performed.

제 1 유리기판 기계연마 공정(S2)에서 사용하는 연마기는 연마 패드 및 연마재를 이용하여 연마하는 통상 공지의 자동 기계연마기를 적합하게 사용할 수 있고, 예를 들면 재질이 발포 폴리우레탄 등의 연마 패드 및, 재질이 산화세륨 등의 연마재를 이용하여 행할 수 있다.A commonly known automatic mechanical polishing machine for polishing using a polishing pad and an abrasive can be suitably used as the polishing machine used in the first glass substrate mechanical polishing step (S2). For example, the material may be a polishing pad such as foamed polyurethane, , And the material may be an abrasive such as cerium oxide.

제 1 유리기판 기계연마 공정(S2)을 후술하는 화학연마 공정(S4)의 앞에 행하고, 미리 TFT층을 형성한 제 1 유리기판 표면의 상처나 미세구멍을 깎아 둠으로써 화학연마 공정 후의 제 1 유리기판 표면에 존재하는 딤플의 평균 지름을 200㎛ 이하, 바람직하게는 50㎛ 이하로 억제할 수 있다. 또한, 본 발명의 딤플의 평균 지름이란 딤플의 직경을 의미한다.The first glass substrate mechanical polishing step (S2) is performed before the chemical polishing step (S4) to be described later, and the scratches and fine holes on the surface of the first glass substrate on which the TFT layer is formed in advance are scraped, The average diameter of the dimples existing on the substrate surface can be suppressed to 200 mu m or less, preferably 50 mu m or less. The average diameter of the dimples of the present invention means the diameter of the dimples.

본 발명의 액정 패널 연마방법에 있어서의 제 1 유리기판 기계연마 공정에서 TFT층을 형성한 제 1 유리기판 표면을 연마하는 이유로서는, 딤플의 발생에 수반되는 표시 불량이 TFT층을 형성한 제 1 유리기판 표면에 발생한 딤플에 의한 곳이 많기 때문이다.The reason for polishing the surface of the first glass substrate on which the TFT layer is formed in the first glass substrate mechanical polishing process in the liquid crystal panel polishing method of the present invention is that the display defects accompanying the generation of dimples are caused by the first This is because many dimples are generated on the surface of the glass substrate.

이것은 TFT층을 형성한 제 1 유리기판이 백라이트측으로 되기 때문에, 예를 들면 TFT층을 형성한 제 1 유리기판 표면의 딤플이 오목렌즈의 역활을 하고, 이것에 백라이트로부터의 광이 난반사해서 확산되어 휘점 등의 표시 불량으로 되는 것이 고려되기 때문이다.This is because the first glass substrate on which the TFT layer is formed becomes the backlight side, for example, the dimple on the surface of the first glass substrate on which the TFT layer is formed serves as the concave lens, and the light from the backlight diffuses It is considered that display defects such as bright spots are caused.

따라서, 본 발명에 있어서의 TFT층을 형성한 제 1 유리기판 표면을 기계연마하는 제 1 유리기판 기계연마 공정(S2)은 특히 중요한 공정이다.Therefore, the first glass substrate mechanical polishing step (S2) for mechanically polishing the surface of the first glass substrate on which the TFT layer is formed according to the present invention is a particularly important step.

<제 1 잔사처리 공정(S3)>&Lt; First residue processing step (S3) >

본 발명의 액정 패널 연마방법에서는 제 1 유리기판 기계연마 공정(S2)의 다음에 제 1 잔사처리 공정(S3)을 행한다.In the liquid crystal panel polishing method of the present invention, the first residue processing step (S3) is performed after the first glass substrate machine polishing step (S2).

이 제 1 잔사처리 공정(S3)은 연마 후의 연마 유리분말이나 연마재의 제거 및, 제 2 유리기판 표면에 발생하는 연마재의 고착을 방지하기 위한 스크러브 처리와, 세정, 건조 처리로 이루어지는 공정이다.The first residue treatment step (S3) is a step of removing scrubbing glass powder or abrasive material after polishing, scrubbing treatment for preventing adhesion of an abrasive material to the surface of the second glass substrate, and cleaning and drying.

스크러브 처리의 조건은 연마 유리분말이나 연마재를 제거할 수 있으면 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 액정 패널의 상하면을 연마재로서 탄산칼슘 또는 산화세륨 등을 사용하고, 재질이 PVA(폴리비닐알콜) 등인 디스크 스폰지를 사용하여 행할 수 있다.The conditions of the scrubbing treatment are not particularly limited as long as the abrasive glass powder and the abrasive can be removed. For example, when the upper and lower surfaces of the liquid crystal panel are made of calcium carbonate, cerium oxide or the like as an abrasive material and the material is PVA (polyvinyl alcohol) A disk sponge may be used.

또한 세정은, 예를 들면 재질이 나일론 등인 롤 브러시를 이용하여 물에 의해 행할 수 있다.The cleaning can be performed by using a roll brush made of, for example, nylon or the like.

또한 건조는, 예를 들면 재질이 PVA(폴리비닐알콜) 스폰지 등인 탈수 롤 및, 에어 나이프, 온풍 건조기 등을 이용하여 행할 수 있다.Further, drying can be performed using a dehydrating roll, for example, a material such as PVA (polyvinyl alcohol) sponge, and an air knife, a hot air drier or the like.

이 제 1 잔사처리 공정(S3)을 행함으로써 액정 패널의 TFT측 표면에 딤플의 원인이 되는 상처나 미세구멍 및, 연마에 따르는 잔사가 없는 청정한 액정 패널로 할 수 있다.By performing the first residue treatment step (S3), it is possible to obtain a clean liquid crystal panel free from scratches, micropores and residues caused by grinding, which cause dimples on the TFT side surface of the liquid crystal panel.

<화학연마 공정(S4)> &Lt; Chemical polishing step (S4) >

이어서, 화학연마 공정(S4)을 행한다. 이 화학연마 공정(S4)은 액정 패널을 얇게 하기 위해서 일반적으로 행하여지는 화학연마법에 의해 행할 수 있다.Then, a chemical polishing step (S4) is performed. This chemical polishing step (S4) can be performed by chemical mechanical polishing generally performed to thin the liquid crystal panel.

이 화학연마 방법에서는 액정 패널 전체를 연마액에 침지하여 제 1 및 제 2 유리기판 표면의 연마를 행한다. 연마액으로서는 통상 화학연마에서 사용되는 불산 등을 들 수 있고, 연마 조건은 최종적인 액정 패널의 두께를 고려해서 적당하게 설정할 수 있다.In this chemical polishing method, the entire surface of the liquid crystal panel is immersed in a polishing liquid to polish the surfaces of the first and second glass substrates. Examples of the polishing liquid include hydrofluoric acid which is usually used in chemical polishing, and polishing conditions can be suitably set in consideration of the final thickness of the liquid crystal panel.

또한, 화학연마 후는 연마액의 제거를 목적으로 하는 세정 및 건조 공정을 행한다.After the chemical polishing, a cleaning and drying step for removing the polishing liquid is performed.

<반응생성물 제거 공정(S5)>&Lt; Reaction product removal step (S5) >

이어서, 본 발명의 액정 패널의 연마방법에서는 화학연마 공정(S4)에서 발생해서 고착된 반응생성물을 제거하는 것을 목적으로 해서 반응생성물 제거 공정(S5)을 행한다.Next, in the method of polishing a liquid crystal panel according to the present invention, a reaction product removing step (S5) is carried out in order to remove the reaction product which is generated in the chemical polishing step (S4) and is fixed.

화학연마 공정에서 발생하는 반응생성물은, 통상 화학연마에서 연마액으로서 사용되는 불산과, 연마액에 의해 연마된 액정 패널의 재료 성분이 반응해서 생성되는 물질이다.The reaction product generated in the chemical polishing process is a substance produced by reacting hydrofluoric acid, which is usually used as a polishing liquid in chemical polishing, with material components of a liquid crystal panel polished by a polishing liquid.

반응생성물의 원인이 되는 액정 패널의 재료 성분은, 유리 조성 중에 포함되는 Al, Ca, Mg, Sr 등의 물질 이외에, 액정 패널의 가장자리부의 시일재나 기판, 유리와 기판 사이의 접착제 성분 등이며, 구체적인 반응생성물로서는 예를 들면 불화알루미늄(AlF3), 불화마그네슘(MgF2), 불화칼슘(CaF2), 불화규소(SiF4) 등의 무기 불화물이나, 무기·유기 복합물 등을 들 수 있다. 또한, 연마액에 용해한 규소(Si) 등이 유리기판 상에 재고착된 것도 포함된다.The material component of the liquid crystal panel which is the cause of the reaction product is not limited to the materials such as Al, Ca, Mg, and Sr contained in the glass composition but also the sealant or substrate on the edge of the liquid crystal panel and the adhesive component between the glass and the substrate. Examples of the reaction product include inorganic fluorides such as aluminum fluoride (AlF 3 ), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ) and silicon fluoride (SiF 4 ), and inorganic and organic complexes. In addition, silicon (Si) or the like dissolved in a polishing liquid is also included on a glass substrate.

이것들의, 유리기판 표면에 고착된 반응생성물은 표시 불량이나 터치패널의 문제의 원인이 되는 것이다.These reaction products adhering to the surface of the glass substrate cause defective display and problems of the touch panel.

이 반응생성물 제거 공정(S5)은 제 1 유리기판 및 제 2 유리기판의 양쪽 표면에 대하여 행하는 것이다.The reaction product removing step (S5) is performed on both surfaces of the first glass substrate and the second glass substrate.

반응생성물 제거 공정(S5)의 조건으로서는 반응생성물을 완전하게 제거할 수 있으면 특별히 제한은 없지만, 스크러브 처리는 예를 들면 연마재로서 탄산칼슘 또는 산화세륨 등과, 재질이 PVA(폴리비닐알콜) 등인 디스크 스폰지를 이용하여 행할 수 있다.The condition of the reaction product removal step (S5) is not particularly limited as long as the reaction product can be completely removed, but the scrubbing treatment can be carried out, for example, by using calcium carbonate or cerium oxide as the abrasive and a disk such as PVA (polyvinyl alcohol) It can be performed using a sponge.

또한 세정은, 예를 들면 재질이 나일론 등인 롤 브러시를 이용하여 물에 의해 행할 수 있다.The cleaning can be performed by using a roll brush made of, for example, nylon or the like.

또한 건조는, 예를 들면 재질이 PVA(폴리비닐알콜) 스폰지 등인 탈수 롤 및, 에어 나이프, 온풍 건조기 등을 이용하여 행할 수 있다.Further, drying can be performed using a dehydrating roll, for example, a material such as PVA (polyvinyl alcohol) sponge, and an air knife, a hot air drier or the like.

이 반응생성물 제거 공정(S5)을 행함으로써 액정 패널 전체에 딤플이 없는 청정한 액정 패널을 제조할 수 있다.By performing the reaction product removing step (S5), a clean liquid crystal panel free of dimples on the entire liquid crystal panel can be manufactured.

이어서, 본 발명의 액정 패널 연마방법의 다른 실시형태를 도 3의 흐름도를 이용하여 상세하게 설명한다.Next, another embodiment of the liquid crystal panel polishing method of the present invention will be described in detail with reference to the flowchart of FIG.

이 실시형태의 액정 패널 연마방법에서는 모따기 공정(S1), 제 1 유리기판 기계연마 공정(S2), 제 1 잔사처리 공정(S3), 화학연마 공정(S4), 제 2 유리기판 기계연마 공정(S6), 제 2 잔사처리 공정(S7)을 갖고 있다.In the liquid crystal panel polishing method of this embodiment, the chamfering step (S1), the first glass substrate mechanical polishing step (S2), the first residue processing step (S3), the chemical polishing step (S4) S6) and a second residue processing step (S7).

이 실시형태에 있어서 모따기 공정(S1)부터 화학연마 공정(S4)의 각 공정은, 먼저 설명한 도 2에 나타내는 실시형태의 모따기 공정(S1)부터 화학연마 공정(S4)의 공정과 같은 공정이기 때문에 그 설명을 생략한다.In this embodiment, each of the chamfering step (S1) to the chemical polishing step (S4) is the same as the chamfering step (S1) to the chemical polishing step (S4) of the embodiment shown in FIG. 2 The description thereof will be omitted.

<제 2 유리기판 기계연마 공정(S6)>&Lt; Second glass substrate machine polishing step (S6) >

본 발명의 액정 패널 연마방법에서는 액정 패널의 CF층을 형성한 제 2 유리기판 표면에 발생 가능성이 있는 딤플을 제거하는 것을 목적으로 해서 제 2 유리기판 기계연마 공정(S6)을 행할 수 있다.In the liquid crystal panel polishing method of the present invention, the second glass substrate machine polishing step (S6) can be performed for the purpose of removing the dimples that may occur on the surface of the second glass substrate on which the CF layer of the liquid crystal panel is formed.

이 제 2 유리기판 기계연마 공정(S6)에서는 제 1 유리기판 기계연마 공정(S2)에서 사용하는 연마기와 같은 자동 기계연마기를 적합하게 사용해서 행할 수 있다. 연마 조건으로서는, 예를 들면 재질이 발포 폴리우레탄 등인 연마 패드 및, 재질이 산화세륨 등인 연마재를 이용하여 행할 수 있다.In this second glass substrate mechanical polishing step (S6), an automatic mechanical polishing machine such as a polishing machine used in the first glass substrate mechanical polishing step (S2) can be suitably used. As the polishing conditions, for example, a polishing pad made of foamed polyurethane or the like and an abrasive material made of cerium oxide or the like can be used.

상기와 같이, 제 2 유리기판 기계연마 공정(S6)을 화학연마 공정(S4)의 뒤에 행함으로써 화학연마 공정 후의 제 2 유리기판 표면에 존재하는 딤플의 평균 지름을 50㎛ 이하, 바람직하게는 30㎛ 이하로 억제할 수 있다.As described above, by performing the second glass substrate mechanical polishing step (S6) after the chemical polishing step (S4), the average diameter of the dimples existing on the surface of the second glass substrate after the chemical polishing step is 50 mu m or less, preferably 30 Mu m or less.

<제 2 잔사처리 공정(S7)>&Lt; Second Residue Treatment Step (S7) >

본 발명의 액정 패널 연마방법에서는 제 2 유리기판 기계연마 공정(S6)의 다음에 제 2 잔사처리 공정(S7)을 행한다.In the liquid crystal panel polishing method of the present invention, the second residue processing step (S7) is performed after the second glass substrate machine polishing step (S6).

이 제 2 잔사처리 공정(S7)은 제 2 유리기판 기계연마 공정(S6)에 의해 생긴 연마 후의 연마 유리분말이나 연마재의 제거와 함께, 화학연마 공정(S4)에서 발생해서 고착된 반응생성물의 제거를 목적으로 하는 반응생성물 제거 공정을 포함하는 공정이며, 스크러브 처리와, 세정, 건조 처리로 이루어지는 공정이다.This second residue processing step (S7) is a step for removing the polished glass powder and the abrasive material after polishing performed by the second glass substrate mechanical polishing step (S6), removing the reaction product formed in the chemical polishing step (S4) , Which is a step comprising scrubbing, cleaning and drying.

이 제 2 잔사처리 공정(S7)은 제 1 유리기판 및 제 2 유리기판의 양쪽 표면에 대하여 행하는 것이다.This second residue treatment step (S7) is performed on both surfaces of the first glass substrate and the second glass substrate.

스크러브 처리는 연마 유리분말, 연마재 및 반응생성물을 제거할 수 있으면 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 연마재로서 탄산칼슘 또는 산화세륨 등을 사용하고, 재질이 PVA(폴리비닐알콜) 등인 디스크 스폰지를 사용하여 행할 수 있다.The scrubbing treatment is not particularly limited as long as it can remove the abrasive glass powder, the abrasive and the reaction product. For example, calcium carbonate, cerium oxide or the like is used as the abrasive and a disk sponge made of PVA (polyvinyl alcohol) .

또한 세정은, 예를 들면 재질이 나일론 등인 롤 브러시를 이용하여 물에 의해 행할 수 있다.The cleaning can be performed by using a roll brush made of, for example, nylon or the like.

또한 건조는, 예를 들면 재질이 PVA(폴리비닐알콜) 스폰지 등인 탈수 롤 및, 에어 나이프, 온풍 건조기 등을 이용하여 행할 수 있다.Further, drying can be performed using a dehydrating roll, for example, a material such as PVA (polyvinyl alcohol) sponge, and an air knife, a hot air drier or the like.

이 제 2 잔사처리 공정(S7)을 행함으로써 연마 유리분말, 연마재 및, 반응생성물을 제거할 수 있고, 액정 패널 표면에 잔사가 없는 청정한 액정 패널을 제조할 수 있다.By carrying out the second residue treatment step (S7), the polished glass powder, the abrasive and the reaction product can be removed, and a clean liquid crystal panel free from residue on the liquid crystal panel surface can be manufactured.

이상, 실시형태에 의거하여 본 발명의 액정 패널 연마방법을 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 조금도 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 각종의 변경이 가능하다.The liquid crystal panel polishing method of the present invention has been described above based on the embodiments. However, the present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications are possible within the scope not departing from the gist of the present invention.

예를 들면, 상기 실시형태에서는 제 1 유리기판 기계연마 공정(S2)에 있어서 TFT층을 형성한 제 1 유리기판 표면만을 기계연마하고 있지만, 이 공정에서 TFT층을 형성한 제 1 유리기판 표면과 CF층을 형성한 제 2 유리기판 표면을 동시에, 또는 한면씩 각각 기계연마하도록 하여도 좋다.For example, in the above embodiment, only the surface of the first glass substrate on which the TFT layer is formed in the first glass substrate mechanical polishing step (S2) is mechanically polished. In this step, however, the first glass substrate surface on which the TFT layer is formed The surface of the second glass substrate on which the CF layer is formed may be mechanically polished at the same time or one side.

예를 들면, 모따기 공정(S1)을 화학연마 공정(S4)의 뒤에 행함으로써 화학연마 공정(S4)에 의해 손상되는 액정 패널의 코너부 및 측면부의 강도를 향상시킬 수 있다.For example, by performing the chamfering step S1 after the chemical polishing step S4, it is possible to improve the strength of corner portions and side portions of the liquid crystal panel damaged by the chemical polishing step S4.

또한, 상기 실시형태에서는 본 발명의 액정 패널 연마방법에 적합하게 대응 가능한 액정 패널을 G5(1200㎜×1000㎜) 정도의 사이즈로서 설명했지만, 당연히 G5 이하의 패널 사이즈[G1(400㎜×300㎜)∼G4.5(920㎜×730 ㎜)]의 것도 대응 가능하고, 또한 G5.5(1500㎜×1300㎜) 이상의 사이즈에 대해서도 대응 가능하다.In the above-described embodiment, the liquid crystal panel which can be suitably applied to the liquid crystal panel polishing method of the present invention is described as having a size of about G5 (1200 mm x 1000 mm), but of course, the panel size G1 ) To G4.5 (920 mm x 730 mm)] or a size of G5.5 (1500 mm x 1300 mm) or more.

1 : 제 1 유리기판 11 : TFT층
12 : 표면 2 : 제 2 유리기판
21 : CF층 22 : 표면
3 : 액정 부재 31 : 스페이서
4 : 밀봉재 S1 : 모따기 공정
S2 : 제 1 유리기판 기계연마 공정 S3 : 제 1 잔사처리 공정
S4 : 화학연마 공정 S5 : 반응생성물 제거 공정
S6 : 제 2 유리기판 기계연마 공정 S7 : 제 2 잔사처리 공정1: first glass substrate 11: TFT layer
12: Surface 2: Second glass substrate
21: CF layer 22: surface
3: liquid crystal member 31: spacer
4: sealing material S1: chamfering process
S2: first glass substrate machine polishing step S3: first residue processing step
S4: chemical polishing step S5: reaction product removal step
S6: second glass substrate machine polishing step S7: second residue processing step

Claims (2)

박막 트랜지스터층을 형성한 제 1 유리기판과 컬러필터층을 형성한 제 2 유리기판 사이에 액정 부재를 협지해서 이루어지는 액정 패널의 표면에 화학연마를 실시하는 화학연마 공정을 갖는 액정 패널 연마방법에 있어서, 상기 화학연마 공정 전에 상기 액정 패널의 상기 제 1 및 제 2 유리기판의 모따기를 행하는 모따기 공정과, 상기 화학연마 공정 후의 상기 제 1 유리기판 표면에 존재하는 딤플의 평균 지름이 200㎛ 이하가 되도록 상기 제 1 유리기판의 기계연마를 행하는 제 1 유리기판 기계연마 공정과, 상기 액정 패널 표면의 잔사를 제거하는 제 1 잔사처리 공정과, 상기 화학연마 공정 후에 화학연마 공정에서 발생하는 반응생성물을 제거하는 반응생성물 제거 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 패널 연마방법.A liquid crystal panel polishing method having a chemical polishing step of chemically polishing a surface of a liquid crystal panel sandwiched between liquid crystal members between a first glass substrate on which a thin film transistor layer is formed and a second glass substrate on which a color filter layer is formed, A chamfering step of chamfering the first and second glass substrates of the liquid crystal panel before the chemical polishing step; and a chamfering step of chamfering the first and second glass substrates so that the average diameter of the dimples existing on the surface of the first glass substrate after the chemical polishing step becomes 200 [ A first glass substrate polishing step of mechanically polishing the first glass substrate, a first residue processing step of removing residues of the liquid crystal panel surface, and a step of removing the reaction products generated in the chemical polishing step after the chemical polishing step And a reaction product removing step. 제 1 항에 있어서,
상기 화학연마 공정 후의 상기 제 2 유리기판 표면에 존재하는 딤플의 평균 지름이 50㎛ 이하가 되도록 상기 제 2 유리기판의 기계연마를 행하는 제 2 유리기판 기계연마 공정과, 상기 액정 패널 표면의 잔사 및 상기 화학연마 공정에서 발생한 반응생성물을 제거하는 제 2 잔사처리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 패널 연마방법.
The method according to claim 1,
A second glass substrate mechanical polishing step of mechanically polishing the second glass substrate so that an average diameter of the dimples existing on the surface of the second glass substrate after the chemical polishing step is 50 m or less; And a second residue treatment step of removing reaction products generated in the chemical polishing step.
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