KR20140064638A - 보호막의 형성 방법, 보호막, 경화성 조성물 및 적층체 - Google Patents
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Abstract
(해결 수단) 알케닐기 함유 폴리실록산 (A), 하이드로겐폴리실록산 (B) 및 하이드로실릴화 반응용 촉매 (C)를 함유하고, 추가로 특정의 조건을 충족하는 경화성 조성물을, 반도체 소자를 갖는 웨이퍼에 도포하여, 얻어진 도막을 경화시킴으로써 보호막을 형성하는 웨이퍼 레벨 패키징용 보호막의 형성 방법이다.
(효과) 본 발명의 패시베이션막의 형성 방법에 의하면, 웨이퍼 레벨 패키징 기술에 있어서 광면적에 걸쳐 보호막을 형성하는 경우라도, 웨이퍼의 휨 및 보호막의 크랙의 발생을 억제할 수 있다.
(효과) 본 발명의 패시베이션막의 형성 방법에 의하면, 웨이퍼 레벨 패키징 기술에 있어서 광면적에 걸쳐 보호막을 형성하는 경우라도, 웨이퍼의 휨 및 보호막의 크랙의 발생을 억제할 수 있다.
Description
본 발명은, 보호막의 형성 방법, 보호막 및 경화성 조성물에 관한 것이며, 더욱 상세하게는, 웨이퍼 레벨 패키징법에 있어서 웨이퍼 상에 보호막을 형성하는 보호막의 형성 방법, 이 방법에 의해 얻어지는 보호막 및 이 방법에 이용되는 경화성 조성물에 관한 것이다.
최근, 휴대 전화, 모바일 컴퓨터, 퍼스널 휴대 정보 기기(PDA), 디지털 스틸카메라(DSC) 등의 일렉트로닉스 제품은, 소형화, 경량화 및 고기능화가 비약적으로 진행되고 있다. 이러한 시장 동향에 수반하여, 일렉트로닉스 제품에 탑재되는 반도체 패키지에 대해서도, 소형화, 박육화(薄肉化), 경량화 및 실장 기판으로의 고밀도 실장이 강하게 요구되어 오고 있다.
이러한 배경 아래, 웨이퍼 레벨 패키징이라는 새로운 반도체 패키지 기술이 주목받고 있다. 웨이퍼 레벨 패키징이란, 웨이퍼 상태인 채로 재(再)배선, 패시베이션막 등의 보호막의 형성 및 전극의 형성 등을 행하여, 최종적으로 웨이퍼를 절단하여 반도체 칩을 얻는 패키징 기술이다. 이 기술에 의하면, 웨이퍼를 절단하여 얻어진 반도체 칩의 크기가 그대로 패키지의 크기로 되기 때문에, 소형화 및 경량화가 가능해진다.
특허문헌 1에는, 발광 다이오드(LED)와, LED를 구동하는 구동 회로부와, LED의 광 출력을 검출하는 광 검출 소자와, 구동 회로부로부터 LED로 흐르는 전류를 피드백 제어하는 제어 회로부를 구비한 발광 장치의 제조 방법으로서, 광 검출 소자를 실장 기판에 형성하면서도 소형화를 실현한 발광 장치의 제조 방법이 기재되어 있으며, 이 제조 방법에 웨이퍼 레벨 패키징 기술을 적용함으로써 더욱 소형화할 수 있는 것이 기재되어 있다.
웨이퍼 레벨 패키징에 있어서 웨이퍼 상에 보호막을 형성하는 경우에는, 개개의 칩 상에 보호막을 형성하는 경우에 비하여, 제막(製膜)하는 면적이 현저히 넓기 때문에, 웨이퍼와 보호막과의 열팽창차의 영향을 받기 쉽고, 보호막 형성 후의 웨이퍼의 휨 및 보호막의 크랙이 발생하기 쉽다. 이 때문에, 웨이퍼 레벨 패키징에 있어서는, 그러한 웨이퍼의 휨 및 보호막의 크랙이 발생하지 않는 보호막의 형성 방법의 개발이 강하게 요구되고 있었다.
본 발명의 과제는, 웨이퍼 레벨 패키징 기술에 의해 보호막을 형성하는 경우에 있어서, 웨이퍼의 휨 및 보호막의 크랙의 발생이 적은 보호막의 형성 방법을 개발하는 것이다.
본 발명자는, 폴리실록산을 함유하는 특정의 조건을 충족하는 조성물을 이용함으로써 상기 과제를 해결하는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 즉, 본 발명은 이하의 [1]∼[6]에 관한 것이다.
[1] 하기 화학식 (1)로 나타나는 적어도 1종의 알케닐기 함유 폴리실록산 (A), 하기 화학식 (2)로 나타나는 적어도 1종의 하이드로겐폴리실록산 (B) 및 하이드로실릴화 반응용 촉매 (C)를 함유하고, 추가로 하기식 (3) 및 하기식 (4)에 나타내는 조건을 충족하는 경화성 조성물을, 반도체 소자를 갖는 웨이퍼에 도포하여, 얻어진 도막을 경화시킴으로써 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지용 보호막의 형성 방법:
(식 중, R1은 알케닐기, R2는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기 또는 아르알킬기, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 아르알킬기 또는 에폭시기를 갖는 기, X1은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼3의 알킬기를 나타내고; 부호 a1, b1, c1, d1, e1 및 f1은, 1분자 중에 포함되는, 그 부호를 붙인 구조 단위의 개수를 나타내고, a1은 2 이상의 정수, b1, c1, d1, e1 및 f1은 각각 독립적으로 0 이상의 정수임);
(식 중, R6은 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기 또는 아르알킬기, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 아르알킬기 또는 에폭시기를 갖는 기, X2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼3의 알킬기를 나타내고; 부호 a2, b2, c2, d2, e2 및 f2는, 1분자 중에 포함되는, 그 부호를 붙인 구조 단위의 개수를 나타내고, a2는 2 이상의 정수, b2, c2, d2, e2 및 f2는 각각 독립적으로 0 이상의 정수임);
(식 중, a1∼e1은 각각 식 (1)에 있어서의 a1∼e1과 동일한 의미이며, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 대한 a1∼e1을 나타내고; a2∼e2는 각각 식 (2)에 있어서의 a2∼e2와 동일한 의미이며, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 대한 a2∼e2를 나타내고; L1은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)의 함유량을 중량부로 나타냈을 때의 수치이며, L2는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)의 함유량을 중량부로 나타냈을 때의 수치이고(단, 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 L1의 합계와 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 L2의 합계와의 합을 100으로 함);
Σ[(d1＋e1)×L1]은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 (d1＋e1)×L1의 총합을 나타내고,
Σ[(d2＋e2)×L2]는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 (d2＋e2)×L2의 총합을 나타내고,
Σ[(a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1]은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 (a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1의 총합을 나타내고,
Σ[(a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2]는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 (a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2의 총합을 나타냄);
(식 중, a1∼e1은 각각 식 (3)에 있어서의 a1∼e1과 동일한 의미이며, a2∼e2는 각각 식 (3)에 있어서의 a2∼e2와 동일한 의미이고; L1 및 L2는 각각 식 (3)에 있어서의 L1 및 L2와 동일한 의미이고;
Σ[c1×L1]은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 c1×L1의 총합을 나타내고,
Σ[c2×L2]는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 c2×L2의 총합을 나타내고,
Σ[(a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1]은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 (a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1의 총합을 나타내고,
Σ[(a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2]는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 (a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2의 총합을 나타냄).
[2] 상기 반도체 소자가, 발광 다이오드인 상기 [1]에 기재된 웨이퍼 레벨 패키징용 보호막의 형성 방법.
[3] 상기 [1]에 기재된 웨이퍼 레벨 패키지용 보호막의 형성 방법에 의해 형성된 웨이퍼 레벨 패키징용 보호막.
[4] 상기 [1]에 기재된 화학식 (1)에 나타나는 알케닐기 함유 폴리실록산 (A), 상기 [1]에 기재된 화학식 (2)에 나타나는 하이드로겐폴리실록산 (B) 및 하이드로실릴화 반응용 촉매 (C)를 함유하고, 상기 [1]에 기재된 식 (3) 및 식 (4)에 나타나는 조건을 충족하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키징용의 경화성 조성물.
[5] 상기 [4]에 기재된 경화성 조성물로부터 얻어진 웨이퍼 레벨 패키징용 보호막.
[6] 상기 [3] 또는 [5]에 기재된 웨이퍼 레벨 패키징용 보호막, 웨이퍼 및, 반도체 소자를 갖는 것을 특징으로 하는 적층체.
본 발명의 보호막의 형성 방법에 의하면, 웨이퍼 레벨 패키징 기술에 있어서 광면적에 걸쳐 보호막을 형성하는 경우라도, 웨이퍼의 휨 및 보호막의 크랙의 발생을 억제할 수 있다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
[웨이퍼 레벨 패키징용 보호막의 형성 방법]
본 발명의 웨이퍼 레벨 패키징용 보호막의 형성 방법은, 하기 화학식 (1)로 나타나는 적어도 1종의 알케닐기 함유 폴리실록산 (A), 하기 화학식 (2)로 나타나는 적어도 1종의 하이드로겐폴리실록산 (B) 및 하이드로실릴화 반응용 촉매 (C)를 함유하고, 추가로 하기식 (3) 및 하기식 (4)에 나타내는 조건을 충족하는 경화성 조성물을, 반도체 소자를 갖는 웨이퍼에 도포하여, 얻어진 도막을 열경화시킴으로써 보호막을 형성하는 것을 특징으로 한다:
(식 중, R1은 알케닐기, R2는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기 또는 아르알킬기, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 아르알킬기 또는 에폭시기를 갖는 기, X1은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼3의 알킬기를 나타내고; 부호 a1, b1, c1, d1, e1 및 f1은, 1분자 중에 포함되는, 그 부호를 붙인 구조 단위의 개수를 나타내고, a1은 2 이상의 정수, b1, c1, d1, e1 및 f1은 각각 독립적으로 0 이상의 정수임);
(식 중, R6은 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기 또는 아르알킬기, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 아르알킬기 또는 에폭시기를 갖는 기, X2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼3의 알킬기를 나타내고; 부호 a2, b2, c2, d2, e2 및 f2는, 1분자 중에 포함되는, 그 부호를 붙인 구조 단위의 개수를 나타내고, a2는 2 이상의 정수, b2, c2, d2, e2 및 f2는 각각 독립적으로 0 이상의 정수임);
(식 중, a1∼e1은 각각 식 (1)에 있어서의 a1∼e1과 동일한 의미이며, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 대한 a1∼e1을 나타내고; a2∼e2는 각각 식 (2)에 있어서의 a2∼e2와 동일한 의미이며, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 대한 a2∼e2를 나타내고; L1은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)의 함유량을 중량부로 나타냈을 때의 수치이며, L2는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)의 함유량을 중량부로 나타냈을 때의 수치이고(단, 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 L1의 합계와 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 L2의 합계와의 합을 100으로 함);
Σ[(d1＋e1)×L1]은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 (d1＋e1)×L1의 총합을 나타내고,
Σ[(d2＋e2)×L2]는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 (d2＋e2)×L2의 총합을 나타내고,
Σ[(a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1]은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 (a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1의 총합을 나타내고,
Σ[(a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2]는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 (a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2의 총합을 나타냄);
(식 중, a1∼e1은 각각 식 (3)에 있어서의 a1∼e1과 동일한 의미이며, a2∼e2는 각각 식 (3)에 있어서의 a2∼e2와 동일한 의미이고; L1 및 L2는 각각 식 (3)에 있어서의 L1 및 L2와 동일한 의미이고;
Σ[c1×L1]은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 c1×L1의 총합을 나타내고,
Σ[c2×L2]는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 c2×L2의 총합을 나타내고,
Σ[(a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1]은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 (a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1의 총합을 나타내고,
Σ[(a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2]는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 (a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2의 총합을 나타냄).
본 발명에 있어서 웨이퍼 레벨 패키징이란, 웨이퍼를 칩 형상으로 절단하는 일 없이, 웨이퍼 상태인 채로 재배선, 보호막의 형성 및 전극의 형성 등을 행하고, 그 후 웨이퍼를 절단하여 반도체 칩을 얻는 패키징 기술을 의미한다.
본 발명에 있어서 보호막이란, 웨이퍼에 형성된 반도체 소자를 보호하기 위해, 웨이퍼 상에 형성된 막으로서, 패시베이션막 및 봉지막 등을 포함하는 개념이다.
상기 웨이퍼란, 얇은 기판(두께 1㎜에 대하여, 면적 5㎠ 이상)인 것이다. 웨이퍼는, 통상, 실리콘, 사파이어, 질화 갈륨, 유리 등의 무기 화합물이나, 에폭시 수지나 폴리이미드 등의 유기 화합물로 되어 있는 것이다. 또한, 웨이퍼는 요철을 갖고 있어도 좋다.
상기 반도체 소자에는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 발광 다이오드(LED)를 들 수 있다.
본 발명의 보호막의 형성 방법에 있어서는, 반도체 소자를 갖는 웨이퍼에 상기 경화성 조성물을 도포한다.
도포 방법으로서는, 스핀 코팅법 및 스크린 인쇄법 등을 들 수 있다.
상기 경화성 조성물은, 알케닐기 함유 폴리실록산 (A), 하이드로겐폴리실록산 (B) 및 하이드로실릴화 반응용 촉매 (C)를 함유하고, 추가로 필요에 따라서 첨가제 등을 함유할 수 있다.
알케닐기 함유 폴리실록산 (A)는 하이드로겐폴리실록산 (B)와의 하이드로실릴화 반응에 의해 경화하여, 보호막의 주(主)성분이 된다.
알케닐기 함유 폴리실록산 (A)는 상기 화학식 (1)에 나타난다. 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)는, 1종 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.
화학식 (1)에 있어서, R1은 알케닐기이다. 알케닐기로서는, 예를 들면 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기, 이소부테닐기, 펜테닐기, 헵테닐기, 헥세닐기 및 사이클로헥세닐기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 비닐기, 알릴기 및 헥세닐기가 바람직하다.
R2는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기 또는 아르알킬기이다. 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 등을 들 수 있다. 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기 등을 들 수 있다. 아르알킬기로서는, 벤질기, 2-페닐에틸기, 2-나프틸에틸기, 디페닐메틸기 등을 들 수 있다.
R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 아르알킬기 또는 에폭시기를 갖는 기이다. 알킬기, 아릴기 및 아르알킬기에 대해서는, R2에 대해서 서술한 알킬기, 아릴기 및 아르알킬기와 각각 동일하다. 에폭시기를 갖는 기로서는, 예를 들면 글리시독시기, 3-글리시독시프로필기 등의 글리시독시알킬기, 그리고 3,4-에폭시사이클로펜틸기, 3,4-에폭시사이클로헥실기, 2-(3,4-에폭시사이클로펜틸)에틸기 및 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸기 등의 에폭시사이클로알킬기 등을 들 수 있다.
X1은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼3의 알킬기이다. 탄소수 1∼3의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기 등을 들 수 있다.
화학식 (1)에 있어서, 부호 a1, b1, c1, d1, e1 및 f1은, 1분자 중에 포함되는, 그 부호를 붙인 구조 단위의 개수를 나타내고, a1은 2 이상의 정수, b1, c1, d1, e1 및 f1은 각각 독립적으로 0 이상의 정수이다.
알케닐기 함유 폴리실록산 (A)는, 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 통상, 100∼50000의 범위에 있고, 500∼5000의 범위에 있는 것이 바람직하다. 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)의 중량 평균 분자량이 상기 범위 내에 있으면, 본 경화성 조성물의 취급성이 향상되고, 또한 본 열경화성 조성물로부터 얻어지는 보호막이 충분한 강도를 갖는다.
하이드로겐폴리실록산 (B)는, 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 대한 가교제이며, 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)와의 하이드로실릴화 반응에 의해 경화되어, 보호막을 형성한다.
하이드로겐폴리실록산 (B)는 상기 화학식 (2)에 나타난다. 하이드로겐폴리실록산 (B)는, 1종 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.
화학식 (2)에 있어서의 R6, R7, R8, R9 및 X는, 각각 화학식 (1)에 있어서의 R6, R7, R8, R9 및 X와 동일하다.
화학식 (2)에 있어서, 부호 a2, b2, c2, d2, e2 및 f2는, 1분자 중에 포함되는, 그 부호를 붙인 구조 단위의 개수를 나타내고, a2는 2 이상의 정수, b2, c2, d2, e2 및 f2는 각각 독립적으로 0 이상의 정수이다.
단, 본 경화성 조성물에 있어서는, 상기식 (3) 및 (4)에 나타나는 조건이 충족되기 때문에, 본 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 d1 및 e1 그리고 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 d2 및 e2가 전부 0인 경우는 없고, 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 c1 및 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 c2가 전부 0인 경우는 없다.
본 경화성 조성물에 있어서는 상기식 (3) 및 (4)에 나타나는 조건이 충족된다.
식 (3) 및 (4)에 있어서의 a1∼e1은 각각 식 (1)에 있어서의 a1∼e1과 동일한 의미이며, 본 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 대한 a1∼e1을 나타낸다. a2∼e2는 각각 식 (2)에 있어서의 a2∼e2와 동일한 의미이며, 본 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 대한 a2∼e2를 나타낸다.
식 (3) 및 (4)에 있어서의 L1은, 본 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)의 함유량을 중량부로 나타냈을 때의 수치이며, L2는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)의 함유량을 중량부로 나타냈을 때의 수치이다. 단, 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 L1의 합계와 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 L2의 합계와의 합을 100으로 한다.
식 (3)에 있어서, Σ[(d1＋e1)×L1]은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 (d1＋e1)×L1의 총합을 나타낸다.
Σ[(d2＋e2)×L2]는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 (d2＋e2)×L2의 총합을 나타낸다.
Σ[(a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1]은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 (a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1의 총합을 나타낸다.
Σ[(a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2]는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 (a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2의 총합을 나타낸다.
식 (4)에 있어서, Σ[c1×L1]은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 c1×L1의 총합을 나타낸다.
Σ[c2×L2]는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 c2×L2의 총합을 나타낸다.
Σ[(a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1]은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 (a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1의 총합을 나타낸다.
Σ[(a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2]는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 (a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2의 총합을 나타낸다.
예를 들면, 본 경화성 조성물이 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)로서 폴리실록산 (A1) 1종류만을 포함하고, 하이드로겐폴리실록산 (B)로서 폴리실록산 (B1) 1종류만을 포함하는 것으로 한다. 이 경우, L1은, 폴리실록산 (A1) 및 폴리실록산 (B1)의 함유량의 합계를 100중량부로 했을 때의 폴리실록산 (A1)의 함유량을 중량부로 나타냈을 때의 수치이며, L2는, 폴리실록산 (A1) 및 폴리실록산 (B1)의 함유량의 합계를 100중량부로 했을 때의 폴리실록산 (B1)의 함유량을 중량부로 나타냈을 때의 수치이다. 예를 들면, 폴리실록산 (A1)의 함유량이 70중량부, 폴리실록산 (B1)의 함유량이 30중량부일 때, L1은 70이며, L2는 30이다.
상기의 경우, 식 (3)에 있어서의 Σ[(d1＋e1)×L1]은, 폴리실록산 (A1)에 있어서의 (d1＋e1)×L1을 나타내고, Σ[(a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1]은, 폴리실록산 (A1)에 있어서의 (a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1을 나타낸다. 또한, 식 (3)에 있어서의Σ[(d2＋e2)×L2]는, 폴리실록산 (B1)에 있어서의 (d2＋e2)×L2를 나타내고, Σ[(a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2]는, 폴리실록산 (B1)에 있어서의 (a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2를 나타낸다. 식 (4)에 대해서도 동일하다.
또한, 본 경화성 조성물이 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)로서 폴리실록산 (A1) 및 폴리실록산 (A2)의 2종류를 포함하고, 하이드로겐폴리실록산 (B)로서 폴리실록산 (B1) 및 폴리실록산 (B2)의 2종류를 포함하는 것으로 한다. 이 경우, L1은, 폴리실록산 (A1), 폴리실록산 (A2), 폴리실록산 (B1) 및 폴리실록산 (B2)의 함유량의 합계를 100중량부로 했을 때의 폴리실록산 (A1) 및 폴리실록산 (A2)의 함유량을 중량부로 나타냈을 때의 수치이며, L2는, 폴리실록산 (A1), 폴리실록산 (A2), 폴리실록산 (B1) 및 폴리실록산 (B2)의 함유량의 합계를 100중량부로 했을 때의 폴리실록산 (B1) 및 폴리실록산 (B2)의 함유량을 중량부로 나타냈을 때의 수치이다. 예를 들면, 폴리실록산 (A1)의 함유량이 40중량부, 폴리실록산 (A2)의 함유량이 30중량부, 폴리실록산 (B1)의 함유량이 20중량부, 폴리실록산 (B2)의 함유량이 10중량부일 때, 폴리실록산 (A1)에 대한 L1은 40이며, 폴리실록산 (A2)에 대한 L1은 30이며, 폴리실록산 (B1)에 대한 L2는 20이며, 폴리실록산 (B2)에 대한 L2는 10이다.
상기의 경우, 식 (3)에 있어서의 Σ[(d1＋e1)×L1]은, 폴리실록산 (A1)에 있어서의 (d1＋e1)×L1과 폴리실록산 (A2)에 있어서의 (d1＋e1)×L1과의 합을 나타내고, Σ[(a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1]은, 폴리실록산 (A1)에 있어서의 (a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1과 폴리실록산 (A2)에 있어서의 (a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1과의 합을 나타낸다. 또한, 식 (3)에 있어서의 Σ[(d2＋e2)×L2]는, 폴리실록산 (B1)에 있어서의 (d2＋e2)×L2와 폴리실록산 (B2)에 있어서의 (d2＋e2)×L2와의 합을 나타내고,Σ[(a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2]는, 폴리실록산 (B1)에 있어서의 (a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2와 폴리실록산 (B2)에 있어서의 (a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2와의 합을 나타낸다. 식 (4)에 대해서도 동일하다.
본 경화성 조성물이 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)로서 3종류 이상의 폴리실록산을 포함하는 경우, 또는 하이드로겐폴리실록산 (B)로서 3종류의 폴리실록산을 포함하는 경우도 상기와 동일하다.
식 (3)은, 주제(主劑)인 알케닐기 함유 폴리실록산 (A) 및 가교제인 하이드로겐폴리실록산 (B) 중에 포함되는 4관능의 구조 단위(Q단위) 및 3관능의 구조 단위(T단위)의 함유 비율을 규정한 것이다. Q단위 및 T단위는 폴리실록산의 분기에 기여하는 단위이다. 따라서, 식 (3)은, 본 경화성 조성물로부터 얻어지는 가교체의 분기의 정도를 나타내는 파라미터가 된다.
식 (4)는, 주제인 알케닐기 함유 폴리실록산 (A) 및 가교제인 하이드로겐폴리실록산 (B) 중에 포함되는 2관능의 구조 단위(D단위)의 함유 비율을 규정한 것이다. D단위는 폴리실록산의 직쇄에 기여하는 단위이다. 따라서, 식 (4)는 직쇄의 정도를 나타내는 파라미터가 된다.
즉, 본 경화성 조성물이 식 (3) 및 (4)의 조건을 충족한다는 것은, 본 경화성 조성물로부터 얻어지는 가교체에 있어서의 분기 부분의 비율과 직쇄 부분의 비율과의 균형이 특정 범위 내에 있는 것을 의미한다. 그 결과로서, 본 경화성 조성물을 이용하여 웨이퍼 레벨 패키징 기술에 의해 보호막을 웨이퍼 상에 형성하면, 광면적에 걸쳐 제막한 경우라도, 웨이퍼의 휨 및 보호막의 크랙의 발생이 적다는 효과가 얻어진다.
식 (3)에 있어서의 [Σ[(d1＋e1)×L1]＋Σ[(d2＋e2)×L2]]/[Σ[(a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1]＋Σ[(a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2]](이하, (3)값이라고도 함)는, 0.25보다 크고, 0.55보다 작은 것이 바람직하고, 0.3보다 크고, 0.5보다 작은 것이 더욱 바람직하다. (3)값이 상기 범위 내에 있으면, 점착성, 웨이퍼의 휨의 발생 및, 보호막의 크랙의 발생이 적은 보호막을 얻을 수 있다.
식 (4)에 있어서의 [Σ[c1×L1]＋Σ[c2×L2]]/[Σ[(a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1]＋Σ[(a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2]](이하, (4)값이라고도 함)는, 0.07보다 크고, 0.3보다 작은 것이 바람직하고, 0.1보다 크고, 0.2보다 작은 것이 더욱 바람직하다. (4)값이 상기 범위 내에 있으면, 점착성, 웨이퍼의 휨의 발생이 적은 보호막을 얻을 수 있다.
또한, 식 (3) 및 (4)에 있어서 a1∼e1 및 a2∼e2는, 전술한 바와 같이, 1분자 중에 포함되는, 그 부호를 붙인 구조 단위의 개수를 나타내지만, (3)값 및 (4)값을 구함에 있어서, 하기 실시예에 있어서 나타낸 바와 같이, a1∼e1 및 a2∼e2를 이용하는 대신에, 폴리실록산에 포함되는 각 구조 단위의 함유량(단위：m㏖/g 등)을 이용할 수도 있다.
본 경화성 조성물에 있어서, 하이드로겐폴리실록산 (B)의 함유량은 통상 10∼50중량부, 바람직하게는 15∼45중량부이다(단, 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)의 함유량을 100중량부로 함). 본 경화성 조성물이 2종류 이상의 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)를 포함하는 경우에는, 상기 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)의 함유량은, 본 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)의 함유량(L1 중량부)의 합계를 의미한다. 본 경화성 조성물이 2종류 이상의 하이드로겐폴리실록산 (B)를 포함하는 경우에는, 상기 하이드로겐폴리실록산 (B)의 함유량은, 본 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)의 함유량(L2 중량부)의 합계를 의미한다.
알케닐기 함유 폴리실록산 (A) 및 하이드로겐폴리실록산 (B)의 제조 방법으로서는, 일본공개특허공보 평6-9659호, 일본공개특허공보 2003-183582호, 일본공개특허공보 2007-008996호, 일본공개특허공보 2007-106798호, 일본공개특허공보 2007-169427호 및 일본공개특허공보 2010-059359호 등에 기재된 공지의 방법, 예를 들면, 각 단위원(單位源)이 되는 클로로실란이나 알콕시실란을 공가수분해하는 방법이나, 공가수분해물을 알칼리 금속 촉매 등에 의해 평형화 반응하는 방법 등을 들 수 있다.
알케닐기 함유 폴리실록산 (A) 및 하이드로겐폴리실록산 (B)를 제조할 때에 사용하는 4관능의 실란 화합물, 3관능의 실란 화합물 및 2관능의 실란 화합물의 배합 비율을 적절하게 조정함으로써 제조된 알케닐기 함유 폴리실록산 (A) 및 하이드로겐폴리실록산 (B)를 사용함으로써, 상기식 (3) 및 (4)의 조건을 충족하는 조성물을 얻을 수 있다.
하이드로실릴화 반응용 촉매 (C)는, 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)와 하이드로겐폴리실록산 (B)와의 하이드로실릴화 반응의 촉매이다.
하이드로실릴화 반응용 촉매 (C)로서는, 종래의 하이드로실릴계 폴리실록산 조성물에 있어서 하이드로실릴화 반응용 촉매로서 사용되고 있는 촉매이면 특별히 제한되는 일 없이 사용할 수 있다.
하이드로실릴화 반응용 촉매 (C)의 구체예로서는, 백금계 촉매, 로듐계 촉매, 팔라듐계 촉매를 들 수 있다. 이들 중에서, 본 경화성 조성물의 경화 촉진의 관점에서 백금계 촉매가 바람직하다. 백금계 촉매로서는, 예를 들면, 백금-알케닐실록산 착체 등을 들 수 있다. 알케닐실록산으로서는, 예를 들면, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산 등을 들 수 있다. 특히, 착체의 안정성의 관점에서, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산이 바람직하다.
본 발명의 경화성 조성물에 있어서의 하이드로실릴화 반응용 촉매 (C)는, 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)와 하이드로겐폴리실록산 (B)와의 하이드로실릴 반응이 현실적으로 진행하는 양을 이용한다.
본 경화성 조성물이 함유할 수 있는 첨가제로서는, 예를 들면, 흄드실리카, 석영 분말 등의 미립자 형상 실리카, 산화 티탄, 산화 아연 등의 무기 충전제, 사이클로-테트라메틸테트라비닐테트라실록산 등의 지연제, 디페닐비스(디메틸비닐실록시)실란, 페닐트리스(디메틸비닐실록시)실란 등의 희석제, 형광체, 안료, 난연제, 내열제, 산화 방지제 등을 들 수 있다.
보호막 형성용의 폴리실록산 조성물에 무기 충전제를 함유시키면, 그 조성물로 이루어지는 보호막은 열팽창률이 낮아지고, 그 조성물을 이용하여 웨이퍼 상에 보호막을 형성했을 때, 웨이퍼의 휨 및 보호막의 크랙의 발생을 경감할 수 있는 것이 알려져 있다. 그러나, 웨이퍼 레벨 패키징의 경우에는, 열팽창률이 낮은 기판의 위에 넓은 면적에 걸쳐 균일하게 막을 형성하는 점에서, 웨이퍼의 휨이 특히 발생하기 쉽다. 이 때문에, 통상, 웨이퍼 레벨 패키징에 있어서, 조성물에 무기 충전제를 배합함으로써 휨을 억제하려면, 무기 충전제의 배합량을 많게 할 필요가 있다. 무기 충전제의 배합량이 많아지면, 경화성 조성물의 틱소성에 의해 균일하게 도막하는 것이 곤란해진다.
그러나, 본 경화성 조성물로부터 얻어지는 보호막은 웨이퍼의 휨을 억제하는 성능이 높기 때문에, 본 경화성 조성물에 있어서는 무기 충전제를 배합하지 않아도 휨을 억제할 수 있으며, 또한 무기 충전제를 배합하는 경우라도 그 배합량을 소량으로 억제할 수 있다. 본 경화성 조성물에 무기 충전제를 배합하는 경우, 그 배합량은 경화성 조성물 중, 통상 30중량％ 이하이며, 바람직하게는 0.01∼10중량％, 보다 바람직하게는 0.1∼5중량％이다.
본 경화성 조성물은, 상기 각 성분을 믹서 등 공지의 방법에 의해 균일하게 혼합함으로써 조제할 수 있다.
본 발명의 경화성 조성물의 25℃에 있어서의 점도로서는, 바람직하게는 1∼1000000mPa·s이며, 보다 바람직하게는 10∼10000 mPa·s이다. 점도가 이 범위 내이면, 본 경화성 조성물의 조작성이 향상된다.
본 경화성 조성물은, 1액으로서 조제할 수도 있고, 2액로 나누어 조제하여, 사용시에 2액을 혼합하여 사용할 수도 있다. 필요에 따라서, 아세틸렌알코올 등의 경화 억제제를 소량 첨가해도 좋다.
상기 경화성 조성물을, 반도체 소자를 갖는 웨이퍼에 도포하는 방법에는 특별히 제한은 없고, 종래 웨이퍼에 보호막을 형성할 때에 보호막 형성용 조성물을 도포하는 스핀 코팅법을 채용할 수 있다. 상기 경화성 조성물을 도포하여 얻어지는 도막의 두께 등도, 이것을 경화시킴으로써 보호막을 형성할 수 있는 한 특별히 제한은 없다.
상기 도막을 경화시키는 방법으로서는, 예를 들면, 상기 도막을 100∼180℃에서 1∼13시간 가열하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 제1 가열 후, 제1 가열보다 높은 온도에서 제2 가열을 행하는, 2단계에 의한 가열 경화 방법을 채용할 수도 있다.
상기 경화성 조성물을 경화시킴으로써 웨이퍼 레벨 패키징용 보호막이 얻어진다. 반도체 소자를 갖는 웨이퍼에 상기 웨이퍼 레벨 패키징용 보호막을 형성함으로써 웨이퍼 레벨 패키징용 보호막, 웨이퍼 및 반도체 소자를 갖는 적층체가 얻어진다.
상기 도막을 경화시킴으로써 얻어지는 보호막은, 전술한 바와 같이, 웨이퍼 레벨 패키징 기술에 있어서 광면적에 걸쳐 형성된 경우라도, 웨이퍼의 휨이나 크랙의 발생을 억제하는 특성을 갖는다.
(실시예)
1.
알케닐기
함유
폴리실록산 (
A) 및
하이드로겐폴리실록산 (B)의
준비
1-1. 구조 해석
하기 합성예에서 합성한 화합물의 구조는, 29Si NMR 및 13C NMR로 해석했다.
1-2.
폴리실록산의
합성
[합성예 A1∼A57] 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)의 합성
교반기, 환류 냉각관, 투입구, 온도계 부착 4구 플라스크에, 표 1에 나타내는 실란 화합물을 표 1에 나타내는 비율로 넣고, 추가로 물, 트리플루오로메탄술폰산 및 톨루엔을 투입하여 혼합하고, 가열 환류했다. 냉각 후, 반응액에 0.5중량％의 수산화칼륨 수용액을 더하여 가열 환류한 후, 잉여의 물을 공비 탈수로 제거했다. 냉각 후, 반응액을 아세트산으로 중화하고, 물세정했다. 반응액으로부터 용제를 제거함으로써 표 1에 나타내는 구조 단위를 표 1에 나타내는 양으로 갖는 폴리실록산 (A1)∼(A57)을 얻었다.
[합성예 B1∼B19] 하이드로겐폴리실록산 (B)의 합성
교반기, 환류 냉각관, 투입구, 온도계 부착 4구 플라스크에, 표 2에 나타내는 실란 화합물을 표 2에 나타내는 비율로 넣고, 추가로 물, 트리플루오로메탄술폰산, 아세트산 및 톨루엔을 투입하여 혼합하고, 50℃로 가열했다. 가열 후, 톨루엔과 물을 이용하여 분액 추출하여, 표 2에 나타내는 구조 단위를 표 2에 나타내는 양으로 갖는 폴리실록산 (B1)∼(B19)를 얻었다.
표 중의 상세한 것은 이하와 같다.
실란 화합물
m1: 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산
m2: 1,1,3,3-테트라메틸디실록산
m3: 메틸비닐디메톡시실란
m4: 디페닐디메톡시실란
m5: 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란
m6: 디메틸디메톡시실란
m7: 페닐트리메톡시실란
m8: 메틸트리메톡시실란
m9: 테트라메톡시실란
구조 단위
M(Vi)-A: 식 (1)의 (R1R2 2SiO1 /2)에 해당하는 구조 단위
M-A: 식 (1)의 (R3 3SiO1 /2)에 해당하는 구조 단위
D-A: 식 (1)의 (R4 2SiO2 /2)에 해당하는 구조 단위
T-A: 식 (1)의 (R5SiO3 /2)에 해당하는 구조 단위
Q-A: 식 (1)의 (SiO4 /2)에 해당하는 구조 단위
M(H)-B: 식 (2)의 (HR6 2SiO1 /2)에 해당하는 구조 단위
M-B: 식 (2)의 (R7 3SiO1 /2)에 해당하는 구조 단위
D-B: 식 (2)의 (R8 2SiO2 /2)에 해당하는 구조 단위
T-B: 식 (2)의 (R9SiO3 /2)에 해당하는 구조 단위
Q-B: 식 (2)의 (SiO4 /2)에 해당하는 구조 단위
2. 조성물의 조제 및 평가
2-1. 조성물의 조제
하기표 3에 나타내는 폴리실록산을 표 3에 나타내는 비율로 혼합함으로써, 실시예인 조성물 1∼3, 5 및 7∼12 그리고 비교예인 조성물 4, 6 및 13∼19를 조제했다. 조성물 1∼19에 있어서의 (3)값 및 (4)값을 표 3에 나타낸다.
2-2. 웨이퍼의 휨
조성물 1∼19를 각각 상이한 5㎝ 각(角)의 동장(銅張) 적층판(미츠비시가스카가쿠사 제조 프린트 기판, 「CCL-HL950K」) 상에 도포 후, 100℃에서 1시간, 이어서 150℃에서 5시간 가열하여, 조성물 1∼19 중 어느 1종으로 이루어지는 19종류의 막두께 0.5㎜의 보호막을 형성했다. 보호막 형성 후, 기판을 정반(定盤)의 위에 두고, 정반과 기판의 모서리와의 간격을 휘어 올린 높이로서 측정하여, 하기의 평가 기준으로 웨이퍼의 휨을 평가했다. 평가 결과를 표 3에 나타낸다.
「A」: 휨 높이 1㎜ 미만
「B」: 휨 높이 1㎜ 이상 3㎜ 미만
「C」: 휨 높이 3㎜ 이상 10㎜ 미만
「D」: 휨 높이 10㎜ 이상
2-3. 보호막의
크랙
내성
조성물 1∼19를 각각 상이한 직경 8인치의 실리콘 웨이퍼 상에 도포 후, 100℃에서 1시간, 이어서 150℃에서 5시간 가열하여, 조성물 1∼19 중 어느 1종으로 이루어지는 19종류의 막두께 1㎜의 보호막을 형성했다. 얻어진 보호막을 광학 현미경으로 관찰하여, 하기 평가 기준으로 보호막의 크랙 내성을 평가했다. 평가 결과를 표 3에 나타낸다.
「A」: 보호막에 크랙 없음.
「B」: 보호막에 크랙 있음.
2-4. 보호막의 점착성
조성물 1∼19를 각각 상이한 5㎝ 각의 동장 적층판(미츠비시가스카가쿠사 제조 프린트 기판 CCL-HL950K) 상에 도포 후, 100℃에서 1시간, 이어서 150℃에서 5시간 가열하여, 조성물 1∼19 중 어느 1종으로 이루어지는 19종류의 막두께 0.5㎜의 패시베이션막을 형성했다. 점착성 평가에는, 택킹 시험기(가부시키가이샤 레스카 제조 TAC-1000)를 이용했다. 보호막에 프로브를 밀어붙이고, 떼어놓을 때의 점착력을 상기 시험기에 의해 측정하여, 점착성을 평가했다. 평가 결과를 표 3에 나타낸다. 점착성이 작으면, 웨이퍼 레벨 패키징법에 있어서, 웨이퍼 절단시의 웨이퍼 파편의 부착 등의 문제를 막을 수 있다.
「A」: 점착력 40gf 미만
「B」: 점착력 40gf 이상 100gf 미만
「C」: 점착력 100gf 이상 500gf 미만
「D」: 점착력 500gf 이상
「-」: 미평가
Claims (6)
- 하기 화학식 (1)로 나타나는 적어도 1종의 알케닐기 함유 폴리실록산 (A), 하기 화학식 (2)로 나타나는 적어도 1종의 하이드로겐폴리실록산 (B) 및 하이드로실릴화 반응용 촉매 (C)를 함유하고, 추가로 하기식 (3) 및 하기식 (4)에 나타내는 조건을 충족하는 경화성 조성물을, 반도체 소자를 갖는 웨이퍼에 도포하여, 얻어진 도막을 경화시킴으로써 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키징용 보호막의 형성 방법:
(식 중, R1은 알케닐기, R2는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기 또는 아르알킬기, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 아르알킬기 또는 에폭시기를 갖는 기, X1은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼3의 알킬기를 나타내고; 부호 a1, b1, c1, d1, e1 및 f1은, 1분자 중에 포함되는, 그 부호를 붙인 구조 단위의 개수를 나타내고, a1은 2 이상의 정수, b1, c1, d1, e1 및 f1은 각각 독립적으로 0 이상의 정수임);
(식 중, R6은 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기 또는 아르알킬기, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 아르알킬기 또는 에폭시기를 갖는 기, X2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼3의 알킬기를 나타내고; 부호 a2, b2, c2, d2, e2 및 f2는, 1분자 중에 포함되는, 그 부호를 붙인 구조 단위의 개수를 나타내고, a2는 2 이상의 정수, b2, c2, d2, e2 및 f2는 각각 독립적으로 0 이상의 정수임);
(식 중, a1∼e1은 각각 식 (1)에 있어서의 a1∼e1과 동일한 의미이며, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 대한 a1∼e1을 나타내고; a2∼e2는 각각 식 (2)에 있어서의 a2∼e2와 동일한 의미이며, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 대한 a2∼e2를 나타내고; L1은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)의 함유량을 중량부로 나타냈을 때의 수치이며, L2는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)의 함유량을 중량부로 나타냈을 때의 수치이고(단, 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 L1의 합계와 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 L2의 합계와의 합을 100으로 함);
Σ[(d1＋e1)×L1]은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 (d1＋e1)×L1의 총합을 나타내고,
Σ[(d2＋e2)×L2]는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 (d2＋e2)×L2의 총합을 나타내고,
Σ[(a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1]은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 (a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1의 총합을 나타내고,
Σ[(a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2]는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 (a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2의 총합을 나타냄);
(식 중, a1∼e1은 각각 식 (3)에 있어서의 a1∼e1과 동일한 의미이며, a2∼e2는 각각 식 (3)에 있어서의 a2∼e2와 동일한 의미이고; L1 및 L2는 각각 식 (3)에 있어서의 L1 및 L2와 동일한 의미이고;
Σ[c1×L1]은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 c1×L1의 총합을 나타내고,
Σ[c2×L2]는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 c2×L2의 총합을 나타내고,
Σ[(a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1]은, 경화성 조성물에 포함되는 각 알케닐기 함유 폴리실록산 (A)에 있어서의 (a1＋b1＋c1＋d1＋e1)×L1의 총합을 나타내고,
Σ[(a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2]는, 경화성 조성물에 포함되는 각 하이드로겐폴리실록산 (B)에 있어서의 (a2＋b2＋c2＋d2＋e2)×L2의 총합을 나타냄). - 제1항에 있어서,
상기 반도체 소자가, 발광 다이오드인 웨이퍼 레벨 패키징용 보호막의 형성 방법. - 제1항에 기재된 웨이퍼 레벨 패키징용 보호막의 형성 방법에 의해 형성된 웨이퍼 레벨 패키징용 보호막.
- 제1항에 기재된 화학식 (1)에 나타나는 알케닐기 함유 폴리실록산 (A), 제1항에 기재된 화학식 (2)에 나타나는 하이드로겐폴리실록산 (B) 및 하이드로실릴화 반응용 촉매 (C)를 함유하고, 제1항에 기재된 식 (3) 및 식 (4)에 나타나는 조건을 충족하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키징용의 경화성 조성물.
- 제4항에 기재된 경화성 조성물로부터 얻어진 웨이퍼 레벨 패키징용 보호막.
- 제3항 또는 제5항에 기재된 웨이퍼 레벨 패키징용 보호막, 웨이퍼 및, 반도체 소자를 갖는 것을 특징으로 하는 적층체.
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