KR20140042728A - 형광 접착 시트, 광반도체 소자-형광체층 감압 접착체 및 광반도체 장치 - Google Patents

형광 접착 시트, 광반도체 소자-형광체층 감압 접착체 및 광반도체 장치 Download PDF

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히로나카 후지이
마사히로 시라카와
히사타카 이토
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

형광 접착 시트는, 형광체를 함유하는 형광체층, 및 형광체층의 두께 방향 한쪽 면에 적층되는 접착제층을 구비한다. 접착제층은 실리콘 감압 접착제 조성물로 형성된다. 형광 접착 시트의 박리 강도의 백분율이 30% 이상이다.

Description

형광 접착 시트, 광반도체 소자-형광체층 감압 접착체 및 광반도체 장치{PHOSPHOR ADHESIVE SHEET, OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT-PHOSPHOR LAYER PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE BODY, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 형광 접착 시트(phosphor adhesive sheet), 광반도체 소자-형광체층 감압 접착체 및 광반도체 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드 장치(이하, 간단히 LED 장치라고 한다)나 레이저 다이오드 조사 장치(이하, 간단히 LD 조사 장치라고 한다) 등의 광반도체 장치는, 예컨대 발광 다이오드 소자(LED)나 레이저 다이오드(LD) 등의 광반도체 소자, 및 광반도체 소자의 위에 배치되는 형광체층을 구비한다. 이러한 광반도체 장치는, 광반도체 소자로부터 발광되고, 예컨대 형광체층을 투과한 청색광과, 형광체층에서 청색광의 일부가 파장 변환된 황색광의 혼색에 의해 백색광을 발광한다.
그와 같은 광반도체 장치로서, LED가 투명 봉지 재료로 봉지된 LED 패키지, 및 그의 상면에 적층되는 형광 테이프를 구비하는 LED 장치가 제안되어 있다(예컨대 미국 특허 제7,294,861호 명세서(특허문헌 1) 참조).
미국 특허 제7,294,861호 명세서의 형광 테이프는, 형광층, 및 그의 이면에 적층되는 (메트)아크릴레이트계 감압 접착제로 이루어지는 아크릴 감압 접착층을 구비하고, 형광층이 아크릴 감압 접착층을 통해 LED 패키지의 표면에 부착되어 있다.
미국 특허 제7,294,861호 명세서
그런데, 형광 테이프는 LED의 발광에 수반하여 고온이 되기 쉬운 바, 미국 특허 제7,294,861호 명세서의 형광 테이프에서는 고온(예컨대 75℃를 포함하는 고온)의 접착력이 상온(25℃)의 접착력에 비해 현저히 저하된다는 문제가 있다.
게다가, 미국 특허 제7,294,861호 명세서의 형광 테이프를 고온에서 장시간 이용하면 열화되고, 그 때문에 LED 장치의 휘도가 저하된다는 문제도 있다.
본 발명의 목적은 내열성 및 내구성이 우수한 형광 접착 시트, 광반도체 소자-형광체층 감압 접착체 및 광반도체 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 형광 접착 시트는, 형광체를 함유하는 형광체층, 및 상기 형광체층의 두께 방향 한쪽 면에 적층되는 접착제층을 구비하며, 상기 접착제층은 실리콘 감압 접착제 조성물로 형성되고, 하기 박리 강도의 백분율이 30% 이상인 것을 특징으로 하고 있다.
박리 강도의 백분율=[(75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃)/(25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃)]×100
75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃: 지지체에 적층된 상기 접착제층을 상기 형광체층에 감압 접착하고, 그 후, 온도 75℃에서 상기 지지체 및 접착제층을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 상기 형광체층으로부터 박리했을 때의 박리 강도.
25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃: 지지체에 적층된 상기 접착제층을 상기 형광체층에 감압 접착하고, 그 후, 온도 25℃에서 상기 지지체 및 접착제층을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 상기 형광체층으로부터 박리했을 때의 박리 강도.
또한, 본 발명의 형광 접착 시트에서는, 상기 박리 강도의 백분율이 200% 이하인 것이 적합하다.
또한, 본 발명의 형광 접착 시트에서는, 상기 형광체층이 상기 형광체의 세라믹으로 형성되어 있는 것이 적합하다.
또한, 본 발명의 형광 접착 시트에서는, 상기 형광체층이, 상기 형광체 및 수지를 함유하는 형광체 수지 조성물로 형성되어 있는 것이 적합하다.
또한, 본 발명의 광반도체 소자-형광체층 감압 접착체는, 광반도체 소자, 및 상기 광반도체 소자의 두께 방향 한쪽 면에 감압 접착하는 형광 접착 시트를 구비하고, 상기 형광 접착 시트는, 형광체를 함유하는 형광체층, 및 상기 형광체층의 두께 방향 한쪽 면에 적층되는 접착제층을 구비하며, 상기 접착제층은 실리콘 감압 접착제 조성물로 형성되고, 하기 박리 강도의 백분율이 30% 이상인 것을 특징으로 하고 있다.
박리 강도의 백분율=[(75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃)/(25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25 ℃)]×100
75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75 ℃: 지지체에 적층된 상기 접착제층을 상기 형광체층에 감압 접착하고, 그 후, 온도 75℃에서 상기 지지체 및 접착제층을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 상기 형광체층으로부터 박리했을 때의 박리 강도.
25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃: 지지체에 적층된 상기 접착제층을 상기 형광체층에 감압 접착하고, 그 후, 온도 25℃에서 상기 지지체 및 접착제층을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 상기 형광체층으로부터 박리했을 때의 박리 강도.
또한, 본 발명의 광반도체 장치는, 기판, 상기 기판에 실장되는 광반도체 소자, 및 상기 광반도체 소자의 두께 방향 한쪽 면에 감압 접착하는 형광 접착 시트를 구비하고, 상기 형광 접착 시트는, 형광체를 함유하는 형광체층, 및 상기 형광체층의 두께 방향 한쪽 면에 적층되는 접착제층을 구비하며, 상기 접착제층은 실리콘 감압 접착제 조성물로 형성되고, 하기 박리 강도의 백분율이 30% 이상인 것을 특징으로 하고 있다.
박리 강도의 백분율=[(75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃)/(25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃)]×100
75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃: 지지체에 적층된 상기 접착제층을 상기 형광체층에 감압 접착하고, 그 후, 온도 75℃에서 상기 지지체 및 접착제층을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 상기 형광체층으로부터 박리했을 때의 박리 강도.
25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃: 지지체에 적층된 상기 접착제층을 상기 형광체층에 감압 접착하고, 그 후, 온도 25℃에서 상기 지지체 및 접착제층을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 상기 형광체층으로부터 박리했을 때의 박리 강도.
또한, 본 발명의 광반도체 장치는, 기판, 상기 기판에 실장되는 광반도체 소자, 상기 기판의 두께 방향 한쪽 측에 형성되고, 상기 두께 방향으로 투영했을 때에 상기 광반도체 소자를 둘러싸도록 배치되는 리플렉터, 및 상기 리플렉터 내에 충전되고, 상기 광반도체 소자를 봉지하는 봉지층을 구비하는 광반도체 패키지; 및 상기 광반도체 패키지의 상기 두께 방향 한쪽 면에 감압 접착하는 형광 접착 시트를 구비하고, 상기 형광 접착 시트는, 형광체를 함유하는 형광체층, 및 상기 형광체층의 두께 방향 한쪽 면에 적층되는 접착제층을 구비하며, 상기 접착제층은 실리콘 감압 접착제 조성물로 형성되고, 하기 박리 강도의 백분율이 30% 이상인 것을 특징으로 하고 있다.
박리 강도의 백분율=[(75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃)/(25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃)]×100
75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃: 지지체에 적층된 상기 접착제층을 상기 형광체층에 감압 접착하고, 그 후, 온도 75℃에서 상기 지지체 및 접착제층을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 상기 형광체층으로부터 박리했을 때의 박리 강도.
25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃: 지지체에 적층된 상기 접착제층을 상기 형광체층에 감압 접착하고, 그 후, 온도 25℃에서 상기 지지체 및 접착제층을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 상기 형광체층으로부터 박리했을 때의 박리 강도.
본 발명의 형광 접착 시트 및 광반도체 소자-형광체층 감압 접착체에서는, 접착제층이 실리콘 감압 접착제 조성물로 형성되고, 또한 형광 접착 시트의 박리 강도의 백분율이 30% 이상이기 때문에, 내열성 및 내구성이 우수하다.
그 때문에, 본 발명의 광반도체 장치는 장기에 걸쳐 우수한 발광 신뢰성을 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 형광 접착 시트의 일 실시형태의 단면도를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 광반도체 장치의 일 실시형태인 LED 장치의 제조 방법의 공정도로서,
도 2(a)는 형광 접착 시트 및 LED를 각각 준비하는 공정,
도 2(b)는 형광 접착 시트를 LED에 감압 접착하는 공정을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 광반도체 장치의 다른 실시형태인 LED 장치의 제조 방법의 공정도로서,
도 3(a)는 형광 접착 시트 및 LED를 각각 준비하는 공정,
도 3(b)는 형광 접착 시트를 LED에 감압 접착하는 공정을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 광반도체 장치의 다른 실시형태인 LED 장치의 제조 방법의 공정도로서,
도 4(a)는 기판 및 LED-형광체층 감압 접착체를 각각 준비하는 공정,
도 4(b)는 LED-형광체층 감압 접착체의 LED를 기판에 실장하는 공정을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 광반도체 장치의 다른 실시형태의 제조 방법의 공정도로서,
도 5(a)는 LED 패키지, 및 형광 접착 시트를 준비하는 공정,
도 5(b)는 형광 접착 시트를 LED 패키지에 감압 접착하는 공정을 나타낸다.
도 1에 있어서, 본 발명의 일 실시형태로서의 형광 접착 시트(6)는 형광체층(3), 및 형광체층(3)의 상면(두께 방향 한쪽 면)에 적층되는 접착제층(4)을 구비하고 있다.
형광체층(3)은, 예컨대 후술하는 LED(2)(도 2 참조)로부터 발광되는 청색광의 일부를 황색광으로 하는 파장 변환층(형광체층)이다. 또한, 형광체층(3)은, 상기한 파장 변환에 더하여, 청색광의 일부를 적색광으로 변환해도 좋다. 형광체층(3)은 플레이트상 또는 시트상으로 형성되어 있다. 형광체층(3)은, 예컨대 형광체의 세라믹으로부터 형광체 세라믹 플레이트로서 형성되거나, 또는 형광체 및 수지를 함유하는 형광체 수지 조성물로부터 형광체 수지 시트로서 형성되어 있다.
형광체는 여기광으로서 파장 350∼480nm의 광의 일부 또는 전부를 흡수하여 여기되어, 여기광보다도 장파장, 예컨대 500∼650nm의 형광을 발광한다. 구체적으로는, 형광체로서는 예컨대 황색 형광체를 들 수 있다. 그와 같은 형광체로서는 예컨대 복합 금속 산화물이나 금속 황화물 등에 예컨대 세륨(Ce)이나 유로퓸(Eu) 등의 희토류 원소가 도핑된 형광체를 들 수 있다.
구체적으로는, 형광체로서는 예컨대 Y3Al5O12:Ce(YAG(이트륨·알루미늄·가넷):Ce), (Y,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce, Tb3Al3O12:Ce, Lu3Al3O12:Ce, Ca3Sc2Si3O12:Ce, Lu2CaMg2(Si,Ge)3O12:Ce 등의 가넷형 결정 구조를 갖는 가넷형 형광체, 예컨대 (Sr,Ba)2SiO4:Eu, Ca3SiO4Cl2:Eu, Sr3SiO5:Eu, Li2SrSiO4:Eu, Ca3Si2O7:Eu 등의 실리케이트 형광체, 예컨대 CaAl12O19:Mn, SrAl2O4:Eu 등의 알루미네이트 형광체, 예컨대 ZnS:Cu,Al, CaS:Eu, CaGa2S4:Eu, SrGa2S4:Eu 등의 황화물 형광체, 예컨대 CaSi2O2N2:Eu, SrSi2O2N2:Eu, BaSi2O2N2:Eu, Ca-α-SiAlON 등의 산질화물 형광체, 예컨대 CaAlSiN3:Eu, CaSi5N8:Eu 등의 질화물 형광체, 예컨대 K2SiF6:Mn, K2TiF6:Mn 등의 불화물계 형광체 등을 들 수 있다. 바람직하게는 가넷형 형광체, 더 바람직하게는 Y3Al5O12:Ce(YAG)를 들 수 있다.
형광체는 단독 사용하거나 2종 이상 병용할 수 있다.
형광체층(3)을 형광체 세라믹 플레이트로서 형성하기 위해서는, 상기한 형광체를 세라믹 재료로 하여, 이러한 세라믹 재료를 소결하는 것에 의해 형광체층(3)(형광체 세라믹)을 얻는다. 또는, 상기한 형광체의 원재료를 소결하여, 그에 의한 화학 반응에 의해 형광체층(3)(형광체 세라믹)을 얻을 수도 있다
한편, 형광체 세라믹을 얻을 때에는, 소결 전에, 예컨대 바인더 수지, 분산제, 가소제, 소결 조제 등의 첨가제를 적절한 비율로 첨가할 수도 있다.
한편, 형광체층(3)을 형광체 수지 조성물로 형성하기 위해서는, 예컨대, 우선, 상기한 형광체와 수지를 배합하는 것에 의해 형광체 수지 조성물을 조제한다.
수지는 형광체를 분산시키는 매트릭스이고, 예컨대 실리콘 수지 조성물, 에폭시 수지, 아크릴 수지 등의 투명 수지 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 내구성의 관점에서 실리콘 수지 조성물을 들 수 있다.
실리콘 수지 조성물은, 주로 실록세인 결합(-Si-O-Si-)으로 이루어지는 주쇄, 및 주쇄의 규소 원자(Si)에 결합하는 알킬기(예컨대 메틸기 등), 아릴기(예컨대 페닐기 등) 또는 알콕실기(예컨대 메톡시기) 등의 유기기로 이루어지는 측쇄를 분자 내에 갖고 있다.
구체적으로는, 실리콘 수지 조성물로서는, 예컨대 탈수 축합 경화형 실리콘 레진, 부가 반응 경화형 실리콘 레진, 과산화물 경화형 실리콘 레진, 습기 경화형 실리콘 레진 등의 경화형 실리콘 레진 등을 들 수 있다.
실리콘 수지 조성물의 25℃에서의 동점도는 예컨대 10∼30mm2/s이다.
수지는 단독 사용하거나 2종 이상 병용할 수 있다.
각 성분의 배합 비율은, 형광체의 배합 비율이 형광체 수지 조성물에 대하여 예컨대 1질량% 이상, 바람직하게는 5질량% 이상이고, 또한 예컨대 50질량% 이하, 바람직하게는 30질량% 이하이기도 하다. 또한, 수지 100질량부에 대한 형광체의 배합 비율이 예컨대 1질량부 이상, 바람직하게는 5질량부 이상이고, 또한 예컨대 100질량부 이하, 바람직하게는 40질량부 이하이기도 하다.
또한, 수지의 배합 비율은 형광체 수지 조성물에 대하여 예컨대 50질량% 이상, 바람직하게는 70질량% 이상이고, 예컨대 99질량% 이하, 바람직하게는 95질량% 이하이기도 하다.
형광체 수지 조성물은 형광체 및 수지를 상기한 배합 비율로 배합하고, 교반 혼합하는 것에 의해 조제된다. 조제된 형광체 수지 조성물은 시트상으로 성형되어 있고, 구체적으로는 형광체 수지 시트로서 형성된다.
형광체 수지 시트는, 수지가 경화형 실리콘 레진을 함유하는 경우에는, B 스테이지 또는 C 스테이지로서 형성된다. 또한, 형광체 수지 시트는, B 스테이지로 형성되는 경우에는, 후의 가열에 의해 C 스테이지로 할 수도 있다.
형광체층(3)은, LED(2) 및 형광체층(3)에 의한 발열의 열 전도의 관점에서, 바람직하게는 형광체 세라믹 플레이트로부터 형성된다.
형광체층(3)은, 형광체 세라믹 플레이트로서 형성되는 경우에는, 두께가 예컨대 50㎛ 이상, 바람직하게는 100㎛ 이상이고, 또한 예컨대 1000㎛ 이하, 바람직하게는 500㎛ 이하이다. 또한, 형광체 수지 시트로부터 형성되는 경우에는, 두께가 성막성 및 장치의 외관의 관점에서 예컨대 25㎛ 이상, 바람직하게는 50㎛ 이상이고, 또한 예컨대 1000㎛ 이하, 바람직하게는 200㎛ 이하이기도 하다.
접착제층(4)은 형광체층(3)의 상면(두께 방향 한쪽 면) 전체 면에 형성되어 있다. 접착제층(4)은 실리콘 감압 접착제 조성물로 시트상으로 형성되어 있다.
실리콘 감압 접착제 조성물은, 예컨대 제 1 폴리실록세인, 제 2 폴리실록세인 및 촉매 등을 함유하는 원료로부터 조제된다.
제 1 폴리실록세인은 실리콘 감압 접착제 조성물의 주원료이고, 예컨대 실란올기 함유 폴리실록세인 등의 반응성 폴리실록세인을 들 수 있다.
실란올기 함유 폴리실록세인으로서는, 예컨대 실란올기 양말단 폴리실록세인을 들 수 있다.
실란올기 양말단 폴리실록세인은 분자의 양말단에 실란올기(SiOH기)를 함유하는 오가노실록세인이고, 구체적으로는 하기 화학식 1로 표시된다.
(화학식 1 중, R1은 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기로부터 선택되는 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, n은 1 이상의 정수를 나타낸다.)
상기 화학식 1 중, R1로 표시되는 1가 탄화수소기에 있어서 포화 탄화수소기로서는, 예컨대 탄소수 1∼6의 직쇄상 또는 분기상 알킬기(메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, 아이소뷰틸기, 펜틸기, 헥실기 등), 예컨대 탄소수 3∼6의 사이클로알킬기(사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 중, R1로 표시되는 1가 탄화수소기에 있어서 방향족 탄화수소기로서는, 예컨대 탄소수 6∼10의 아릴기(페닐기, 나프틸기) 등을 들 수 있다.
상기 화학식 1에서, R1은 동일하거나 서로 달라도 좋고, 바람직하게는 동일하다.
1가 탄화수소기로서는, 바람직하게는 탄소수 1∼6의 알킬기 및 탄소수 6∼10의 아릴기를 들 수 있고, 더 바람직하게는 메틸기, 페닐기를 들 수 있다.
상기 화학식 1에서, n은 바람직하게는 10,000 이하의 정수, 더 바람직하게는 1,000 이하의 정수이다.
한편, 상기 화학식 1에서의 n은 평균값으로서 산출된다.
실란올기 양말단 폴리실록세인으로서는, 구체적으로는 실란올기 양말단 폴리다이메틸실록세인, 실란올기 양말단 폴리메틸페닐실록세인, 실란올기 양말단 폴리다이페닐실록세인 등을 들 수 있다.
이와 같은 제 1 폴리실록세인은 단독 사용하거나 상이한 복수 종류를 병용할 수 있다.
제 1 폴리실록세인 중에서는, 바람직하게는 실란올기 양말단 폴리다이메틸실록세인을 들 수 있다.
제 1 폴리실록세인은 시판품을 이용할 수 있고, 또한 공지의 방법에 따라서 합성한 것을 이용할 수도 있다.
제 1 폴리실록세인의 수평균분자량은 예컨대 100 이상, 바람직하게는 200 이상이고, 또한 예컨대 1,000,000 이하, 바람직하게는 100,000 이하이기도 하다. 수평균분자량은 겔 침투 크로마토그래피에 의해 표준 폴리스타이렌으로 환산되어 산출된다.
제 1 폴리실록세인의 배합 비율은 실리콘 감압 접착제 조성물에 있어서 예컨대 60질량% 이상, 바람직하게는 80질량% 이상이고, 또한 예컨대 99.5질량% 이하, 바람직하게는 98질량% 이하이기도 하다.
제 2 폴리실록세인은 실리콘 감압 접착제 조성물의 부원료이고, 예컨대 접착제층(4)의 경도의 향상, 접착력의 향상, 내열성의 향상과 같은 특성을 얻기 위해 필요에 따라 첨가된다. 제 2 폴리실록세인으로서는, 예컨대 쇄상 폴리실록세인, 환상 폴리실록세인 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 환상 폴리실록세인을 들 수 있다.
환상 폴리실록세인은 하기 화학식 2로 표시된다.
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(화학식 2 중, R1은 화학식 1에서의 R1과 동일한 의미이다. m은 2 이상의 정수를 나타낸다.)
m은 바람직하게는 3 이상의 정수를 나타내고, 또한 예컨대 10 이하의 정수, 바람직하게는 6 이하의 정수이기도 하다.
환상 폴리실록세인으로서는, 구체적으로는 헥사메틸사이클로트라이실록세인(화학식 2 중, R1이 메틸, m이 3), 옥타메틸사이클로테트라실록세인(화학식 2 중, R1이 메틸, m이 4), 데카메틸사이클로펜타실록세인(화학식 2 중, R1이 메틸, m이 5) 등을 들 수 있다.
이와 같은 제 2 폴리실록세인은 단독 사용하거나 상이한 복수 종류를 병용할 수도 있다.
제 2 폴리실록세인 중에서는, 바람직하게는 옥타메틸사이클로테트라실록세인을 들 수 있다.
제 2 폴리실록세인의 배합 비율은 제 1 폴리실록세인 100질량부에 대하여 예컨대 20질량부 이하, 바람직하게는 10질량부 이하이다.
촉매로서는, 예컨대 과산화물을 들 수 있고, 그와 같은 과산화물로서는, 예컨대 다이벤조일 퍼옥사이드, 벤조일 m-메틸벤조일 퍼옥사이드, m-톨릴 퍼옥사이드 등의 벤조일계 과산화물 등의 유기 과산화물을 들 수 있다.
촉매는 단독 사용하거나 병용할 수 있다.
촉매로서, 바람직하게는 다이벤조일 퍼옥사이드, 벤조일 m-메틸벤조일 퍼옥사이드 및 m-톨릴 퍼옥사이드의 병용(혼합물)을 들 수 있다.
촉매의 배합 비율은, 접착제층(4)의 경도를 제어하는 관점에서, 제 1 폴리실록세인 100질량부에 대하여 예컨대 0.5질량부 이상, 바람직하게는 1질량부 이상이고, 또한 10질량부 이하, 바람직하게는 5질량부 이하이기도 하다.
그리고, 실리콘 감압 접착제 조성물은, 상기한 원료를 필요에 따라 용매에 배합하여 바니쉬를 조제하고, 계속해서 필요에 따라 그들을 반응시켜 조제된다. 용매로서는, 톨루엔 등의 방향족 탄화수소 등을 들 수 있다.
한편, 상기한 용매는, 접착제층(4)의 피막을 형성한 후, 필요에 따라 증류 제거된다.
상기한 실리콘 감압 접착제 조성물은 시판품을 이용할 수 있고, 예컨대 다우코닝사제의 280A, 282, 7355, 7358, 7502, 7657, Q2-7406, Q2-7566, Q2-7735, 예컨대 모멘티브사제의 PSA 590, PSA 600, PSA 595, PSA 610, PSA 518, PSA 6574, PSA 529, PSA 750-D1, PSA 825-D1, PSA 800-C 등이 이용된다.
이렇게 하여 형성되는 접착제층(4)의 두께는 감압 접착성의 관점에서 예컨대 5㎛ 이상이고, 또한 예컨대 200㎛ 이하, 바람직하게는 LED(2) 및 형광체층(3)에 의한 발열의 열 전도의 관점에서 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하이기도 하다.
다음으로, 이 형광 접착 시트(6)의 제조 방법에 대하여 설명한다.
이 방법에서는, 우선, 형광체층(3)을 준비한다.
이어서, 접착제층(4)을 형광체층(3)의 상면에 적층한다.
구체적으로는, 실리콘 감압 접착제 조성물이 바니쉬로서 조제되는 경우에는, 바니쉬를 형광체층(3)의 상면 전체 면에, 예컨대 바 코터 등 공지의 도포 방법에 의해 도포한다. 이에 의해, 실리콘 감압 접착제 조성물의 피막을 형성한다. 계속해서, 필요에 따라 용매를 증류 제거한다.
또는, 바니쉬를 이형 시트 등의 표면에 도포하여 피막을 형성하고, 이러한 피막을, 필요에 따라 용매를 증류 제거한 후, 이형 시트로부터 형광체층(3)에 전사할 수도 있다. 이형 시트는 형광 접착 시트(6)의 사용 시에 접착제층(4)으로부터 떼어진다.
이에 의해, 접착제층(4)을 형광체층(3)의 표면에 형성한다.
이에 의해, 접착제층(4)이 형광체층(3)에 적층된 형광 접착 시트(6)를 얻는다.
이렇게 하여 얻어지는 형광 접착 시트(6)에 있어서, 하기 박리 강도의 백분율은 30% 이상이고, 바람직하게는 35% 이상, 보다 바람직하게는 40% 이상이며, 또한 예컨대 200% 이하, 바람직하게는 150% 이하이기도 하다.
박리 강도의 백분율=[(75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃)/(25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃)]×100
75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃: 지지체에 적층된 접착제층(4)을 형광체층(3)에 감압 접착하고, 그 후, 온도 75℃에서 지지체 및 접착제층(4)을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 형광체층(3)으로부터 박리했을 때의 박리 강도. 즉, 75℃ 분위기에서의 접착제층(4)의 형광체층(3)에 대한 박리 강도.
25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃: 지지체에 적층된 접착제층(4)을 형광체층(3)에 감압 접착하고, 그 후, 온도 25℃에서 지지체 및 접착제층(4)을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 형광체층(3)으로부터 박리했을 때의 박리 강도. 즉, 25℃ 분위기에서의 접착제층(4)의 형광체층(3)에 대한 박리 강도.
박리 강도의 백분율이 30%에 못미치면, 접착제층(4)이 형광체층(3)으로부터 계면 박리된다는 문제가 있다.
한편, 접착제층(4)의 접착력이 상기 상한 이하이면, 감압 접착 대상인 LED(2)(도 2∼도 4 참조) 또는 LED 패키지(10)(도 5 참조)에 손상이 있는 경우에는, 형광 접착 시트(6)를 그들로부터 일단 떼어, 그들을 수리하는 리페어(repair)를 용이하게 실시할 수 있다.
다음으로, 도 1의 형광 접착 시트(6)를 이용하여 본 발명의 광반도체 장치로서의 LED 장치(7)를 얻는 방법에 대하여, 도 2를 참조하여 설명한다.
이 방법에서는, 도 2(a)의 상측도에 나타내는 바와 같이, 형광 접착 시트(6)를 준비한다.
형광 접착 시트(6)는 평면시에 있어서의 LED(2)의 외형 형상과 동일한 형상이 되도록 다이싱 등에 의해 외형 가공된다.
이와 함께, 도 2(a)의 하측도에 나타내는 바와 같이, 광반도체 소자로서의 LED(2)를 미리 기판(5)에 실장하여 준비한다.
LED(2)는 단면 대략 직사각 형상의 대략 평판 형상을 이루고, 공지의 반도체 재료로 형성되어 있다. 또한, LED(2)에는, 도시하지 않지만, 다음에 설명하는 기판(5)의 기판측 단자와 전기적으로 접속하기 위한 LED측 단자가 설치되어 있다.
기판(5)은 평면시에 있어서 LED(2)보다 약간 큰 평판 형상으로 형성되어 있다. 기판(5)은, 예컨대 실리콘 기판, 세라믹 기판, 폴리이미드 수지 기판, 금속 기판에 절연층이 적층된 적층 기판 등의 절연 기판으로 이루어진다.
또한, 기판(5)의 상면에는, LED(2)의 LED측 단자(도시하지 않음)와 전기적으로 접속하기 위한 기판측 단자(도시하지 않음), 및 그에 연속하는 배선을 구비하는 도체 패턴(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 도체 패턴은 예컨대 금, 구리, 은, 니켈 등의 도체로 형성되어 있다.
LED(2)는, 기판(5)에, 예컨대 플립 칩 실장 또는 와이어 본딩 접속에 의해 접속된다. 한편, LED(2)가 기판(5)에 와이어 본딩 접속되는 경우에는, LED(2)에 감압 접착하는 형광 접착 시트(6)는 와이어를 피하는(우회하는) 형상으로 형성된다.
이어서, 이 방법에서는, 형광 접착 시트(6)를 LED(2)에 부착한다. 구체적으로는, 형광체층(3)을 접착제층(4)을 통해 LED(2)의 상면에 감압 접착한다. 즉, 접착제층(4)의 하면을 LED(2)의 상면에 접촉시킨다.
형광 접착 시트(6)와 LED(2)의 접합은 상온(구체적으로는 20∼25℃)에서 실시한다. 또는, 필요에 따라 형광 접착 시트(6)를 예컨대 30∼50℃로 가열하여 실시할 수도 있다.
이에 의해, 기판(5), 기판(5)에 실장되는 LED(2), 및 LED(2)의 상면에 감압 접착하는 형광 접착 시트(6)를 구비하는 LED 장치(7)를 얻는다.
그 후, 필요에 따라, 도 2(b)의 가상선으로 나타내는 바와 같이, 제 1 봉지층(8)을 LED 장치(7)에 설치할 수도 있다. 제 1 봉지층(8)은, 기판(5)의 위에서 LED(2) 및 형광 접착 시트(6)를 피복하도록 투명 수지로 형성된다. 제 1 봉지층(8)은, LED 장치(7)에 설치된 후, 필요에 따라 예컨대 연마나 다이싱 등에 의해 사이즈가 조정된다.
그리고, 이 형광 접착 시트(6)에서는, 접착제층(4)이 실리콘 감압 접착제 조성물로 형성되고, 또한 상기한 형광 접착 시트(6)의 박리 강도의 백분율이 30% 이상이기 때문에, 내열성 및 내구성이 우수하다.
상세하게는, 형광 접착 시트(6)의 고온(예컨대 75℃를 포함하는 고온)의 접착력이 형광 접착 시트(6)의 상온(25℃)의 접착력에 비해 현저히 저하되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 우수한 내열성을 확보할 수 있다.
또한, 접착제층(4)이 실리콘 감압 접착제 조성물로 형성되기 때문에, 접착제층(4)의 열화를 유효하게 억제하여, LED 장치(7)에 있어서 휘도의 저하를 억제할 수 있다.
그 결과, LED 장치(7)는 상기한 형광 접착 시트(6)를 구비하기 때문에, 장기에 걸쳐 우수한 발광 신뢰성을 확보할 수 있다.
도 3 이후의 각 도면에 있어서, 상기한 각 부에 대응하는 부재 및 공정에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이고, 그의 상세한 설명을 생략한다.
도 2(b)의 실시형태에 있어서의 LED 장치(7)에서는, 형광 접착 시트(6)를 LED(2)의 상면에만 감압 접착시키고 있지만, 예컨대 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, LED(2)의 상면 및 측면에 감압 접착시킬 수도 있다.
도 3(b)에 나타내는 LED 장치(7)를 얻기 위해서는, 도 1이 참조되는 바와 같이, 우선, 접착제층(4)을 형광체층(3)의 상면 전체 면에 적층하고, 그 후, 필요에 따라 그들을 LED(2)보다 큰 사이즈로 외형 가공하여, LED(2)보다 큰 사이즈의 형광 접착 시트(6)를 얻는다.
이어서, 형광 접착 시트(6)를, 기판(5)에 미리 실장된 LED(2)의 상면 및 측면에 부착한다.
이 LED 장치(7)에서는, 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, LED(2)의 상면 및 측면에는 접착제층(4)이 연속하여 적층되어 있다.
또한, 접착제층(4)의 표면(상면 및 측면)에는 형광체층(3)이 적층되어 있다.
형광체층(3) 및 접착제층(4)은, 하방으로 개방되는 단면 대략 ㄷ자 형상으로 형성되어 있다.
이에 의해, 형광체층(3)은, 접착제층(4)을 통해 LED(2)의 상면 및 측면의 양면에 대해 감압 접착된다.
도 3의 실시형태에 의해서도 도 2와 마찬가지의 작용효과를 나타낸다.
또한, 도 2의 실시형태에서는, 도 2(a)에 나타내는 바와 같이, 형광 접착 시트(6)를 준비하고, 별도로 LED(2)를 미리 기판(5)에 실장하여 준비해 두고, 그 후, 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 형광 접착 시트(6)를 기판(5)의 위에서 LED(2)에 감압 접착하는 것에 의해 LED 장치(7)를 제작하고 있다.
그러나, 예컨대, 우선, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 형광 접착 시트(6)와 LED(2)를 감압 접착하여, 그들로 이루어지는 광반도체 소자-형광체층 감압 접착체로서의 LED-형광체층 감압 접착체(1)를 기판(5)과는 별도로 제작하고, 그 후, 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, LED-형광체층 감압 접착체(1)의 LED(2)를 기판(5)에 실장할 수도 있다.
이 방법에서는, 우선, 형광 접착 시트(6)와 LED(2)를 준비하고, 그들을 접합한다. 구체적으로는, 형광체층(3)을 접착제층(4)을 통해 LED(2)의 상면에 감압 접착시킨다.
이에 의해, LED(2)와, LED(2)의 상면(두께 방향 한쪽 면)에 감압 접착하는 형광 접착 시트(6)를 구비하는 LED-형광체층 감압 접착체(1)를 제작한다.
이어서, 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, LED-형광체층 감압 접착체(1)의 LED(2)를 기판(5)에 실장한다.
이에 의해, LED 장치(7)를 얻는다.
도 4의 실시형태에 의해서도 도 2의 실시형태와 마찬가지의 작용효과를 나타낸다. 또한, LED-형광체층 감압 접착체(1)는 형광 접착 시트(6)를 구비하기 때문에, 내열성 및 내구성이 우수하다.
또한, 도 2 및 도 3의 실시형태에서는, 형광 접착 시트(6)를 LED(2)에 부착하고 있지만, 예컨대 도 5에 나타내는 바와 같이, LED 패키지(10)에 부착할 수도 있다.
도 5(a)에 있어서, LED 패키지(10)는, 기판(5), 기판(5)에 실장되는 LED(2), 기판(5)의 위에 형성되고, 두께 방향으로 투영했을 때에 LED(2)를 둘러싸도록 배치되는 리플렉터(11), 및 리플렉터(11) 내에 충전되고, LED(2)를 봉지하는 봉지층으로서의 제 2 봉지층(12)을 구비한다.
LED(2)는 미리 기판(5)에 실장되어 있다.
리플렉터(11)는, 평면시에 있어서 중앙이 개구되는 대략 직사각형 프레임 형상 또는 대략 링 형상(원환(圓環) 형상 또는 타원환 형상)으로 형성되어 있다. 또한, 리플렉터(11)는, 단면시에 있어서 상방을 향해 점차 폭이 좁아지는 대략 사다리꼴 형상으로 형성되어 있다. 리플렉터(11)는 LED(2)를 둘러싸도록 LED(2)와 간격을 두고 배치되어 있다. 즉, LED(2)는 리플렉터(11) 내에 배치되어 있다.
리플렉터(11)는, 예컨대 광반사 성분(예컨대 산화타이타늄 등)을 함유하는 세라믹 재료의 소결체나, 광반사 성분을 함유하는 반사 수지 조성물 등으로 형성되어 있고, LED(2)로부터 발광되는 광을 반사한다.
제 2 봉지층(12)은 리플렉터(11) 내에 충전되어 있고, 구체적으로는 리플렉터(11)의 내측면과, LED(2)로부터 노출되는 기판(5)의 상면과, LED(2)의 상면 및 외측면을 피복하도록 형성되어 있다.
또한, 제 2 봉지층(12)의 상면은, 리플렉터(11)의 상면과, 면 방향(두께 방향에 직교하는 방향)을 따르는 동일 평면을 형성하도록 형성되어 있다. 한편, 도시하지 않지만, 제 2 봉지층(12)의 상면에, 둘레 단부(端部)로부터 중앙부를 향해 점차 하방으로 우묵하게 들어간 오목부(도시하지 않음)가 형성되어 있어도 좋다.
형광 접착 시트(6)를 LED 패키지(10)에 부착하기 위해서는, 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 형광 접착 시트(6) 및 LED 패키지(10)를 각각 준비한다.
이어서, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 형광 접착 시트(6)를 LED 패키지(10)의 상면에, 예컨대 상온(구체적으로는 20∼25℃)에서 부착한다.
이에 의해, 상면(두께 방향 한쪽 면)에 형광체층(3)이 접착제층(4)을 통해 감압 접착된 LED 패키지(10)를 구비하는 LED 장치(7)를 제조할 수 있다.
도 5의 실시형태에 의해서도 도 2의 실시형태와 마찬가지의 작용효과를 나타낼 수 있다.
또한, 도 2∼도 5의 실시형태에서는, 본 발명의 광반도체 소자로서 LED(2)를 들어 설명하고 있지만, 예컨대 LD(레이저 다이오드)(2)를 채용할 수도 있다.
그 경우에는, LED 장치(7)는 레이저 다이오드 조사 장치(7)로 여겨지고, 또한 LED-형광체층 감압 접착체(1)는 LD-형광체층 감압 접착체(1)로 여겨지며, LED 패키지(10)는 LD 패키지(10)로 여겨진다.
실시예
이하에, 제작예, 준비예, 비교 준비예, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더 상세히 설명하지만, 본 발명은 하등 그들에 한정되지 않는다.
(형광체 세라믹 플레이트의 제작)
제작예 1
산화이트륨 입자(순도 99.99%, lot: N-YT4CP, 닛폰이트륨사제) 11.34g, 산화알루미늄 입자(순도 99.99%, 제품명 「AKP-30」, 스미토모화학사제) 8.577g, 및 산화세륨 입자 0.087g으로 이루어지는 형광체의 원료 분말을 조제했다.
조제한 형광체의 원료 분말 20g과, 수용성 바인더 수지(「WB4101」, Polymer Inovations, Inc사제)를, 고형분의 체적 비율이 60:40으로 되도록 혼합하고, 추가로 증류수를 가하여 알루미나제 용기에 넣고, 직경 3mm의 이트륨 안정화 지르코니아 볼을 가하여 24시간 동안 볼 밀에 의해 습식 혼합함으로써, 형광체의 원료 입자의 슬러리 용액을 조제했다.
이어서, 조제한 슬러리 용액을 닥터 블레이드법에 의해 PET 필름 상에 테이프 캐스팅하고, 70℃에서 건조하여 세라믹 그린 시트를 형성한 후, 세라믹 그린 시트를 PET 필름으로부터 박리하여 두께 90㎛의 세라믹 그린 시트를 얻었다.
그 후, 얻어진 그린 시트를 20mm×20mm의 사이즈로 잘라내고, 이를 2장 제작하여, 그들을 중첩시키고, 2축 핫 프레스를 이용하여 열 라미네이트하는 것에 의해 세라믹 그린 시트 적층체를 제작했다.
그 후, 제작한 세라믹 그린 시트 적층체를 전기 머플 노에서 대기 중 1℃/분의 승온 속도로 1200℃까지 가열하여 바인더 수지 등의 유기 성분을 분해 제거하는 탈바인더 처리를 실시했다. 그 후, 고온 진공 노에 적층체를 옮겨, 약 10-3Torr(133×10-3N/m2)의 감압 하에서 5℃/분의 승온 속도로 1750℃까지 가열하고, 그 온도에서 5시간 소성함으로써 두께 150㎛의 형광체 세라믹 플레이트(형광체 시트)를 제작했다.
(형광체 수지 시트의 제작)
제작예 2
YAG 형광체 분말(제품명 BYW01A, 평균 입자 직경 9㎛, Phosphor Tech사제)를 2액 혼합 타입의 열경화성 실리콘 엘라스토머(신에쓰실리콘사제, 제품명 KER2500)에, YAG 형광체 분말의 농도가 25질량%로 되도록 분산시킨 용액을, 애플리케이터를 이용하여 유리판 상에 도공하여 두께 150㎛의 형광체 피막을 형성하고, 형광체 피막을 100℃에서 1시간, 계속해서 150℃에서 1시간 가열하는 것에 의해 두께 150㎛의 C 스테이지의 형광체 수지 시트(형광체 시트)를 제작했다.
(실리콘 감압 접착제 조성물의 준비)
준비예 1
실리콘 감압 접착제 조성물(상품명 PSA 600, 모멘티브사제)을 준비했다.
한편, 실리콘 감압 접착제 조성물의 원료는 이하와 같았다.
·실란올기 양말단 폴리다이메틸실록세인
·옥타메틸사이클로테트라실록세인(화학식 2 중, R1: 모두 메틸, m: 3): 1∼5질량%(고형분 총량에 대하여)
·벤조일계 과산화물의 혼합물(다이벤조일 퍼옥사이드, 벤조일 m-메틸벤조일 퍼옥사이드 및 m-톨릴 퍼옥사이드의 혼합물): 소량
·톨루엔: 고형분에 대하여 45질량%
(실리콘 감압 접착제 조성물의 준비)
비교 준비예 1
실리콘 감압 접착제 조성물(상품명 SD 4580 PSA, 도레이 다우코닝사제)을 준비했다.
한편, 실리콘 감압 접착제 조성물의 원료는 이하와 같았다.
·실란올기 양말단 폴리다이메틸실록세인
·벤조일계 과산화물의 혼합물(다이벤조일 퍼옥사이드, 벤조일 m-메틸벤조일 퍼옥사이드 및 m-톨릴 퍼옥사이드의 혼합물): 소량
·톨루엔: 고형분에 대하여 70질량%
(아크릴 감압 접착제 조성물의 준비)
비교 준비예 2
일본 특허공개 평6-172729호 공보의 실시예 2의 처방을 참고로 하여 아크릴 감압 접착제를 준비했다.
(형광 접착 시트 및 LED 장치의 제조)
실시예 1
제작예 1의 형광체 세라믹 플레이트의 상면 전체 면에 준비예 1의 실리콘 감압 접착제 조성물을 도포하여 피막을 형성했다. 계속해서, 용매를 증류 제거했다.
이에 의해, 두께 40㎛의 실리콘 감압 접착제층(접착제층)을 형성했다(도 1 참조).
그 후, 형광체 세라믹 플레이트 및 실리콘 감압 접착제층을 합쳐서 다이싱함으로써, 사이즈 1mm×1mm의 형광 접착 시트를 제작했다(도 2(a)의 상측도 참조).
그 후, 형광 접착 시트를, 미리 기판에 실장되고 형광 접착 시트와 동일한 사이즈의 LED(Cree제)(도 2(a) 참조)에 25℃에서 접합했다(도 2(b) 참조). 즉, 형광체 세라믹 플레이트를, 실리콘 감압 접착제층을 통해 LED에 감압 접착했다.
이에 의해, LED 장치를 제조했다.
실시예 2
제작예 1의 형광체 세라믹 플레이트 대신에 제작예 2의 형광체 수지 시트를 이용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 처리하여 형광 접착 시트를 얻고(도 1 참조), 계속해서 LED 장치를 제조했다(도 2(b) 참조).
실시예 3
실리콘 감압 접착제층의 두께를 60㎛로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 처리하여 형광 접착 시트를 얻고(도 1 참조), 계속해서 LED 장치를 제조했다(도 2(b) 참조).
실시예 4
실리콘 감압 접착제층의 두께를 120㎛로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 처리하여 형광 접착 시트를 얻고(도 1 참조), 계속해서 LED 장치를 제조했다(도 2(b) 참조).
비교예 1
준비예 1의 실리콘 감압 접착제 조성물 대신에 비교 준비예 1의 실리콘 감압 접착제 조성물을 이용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 처리하여 형광 접착 시트를 얻고(도 1 참조), 계속해서 LED 장치를 제조했다(도 2(b) 참조).
비교예 2
준비예 1의 실리콘 감압 접착제 조성물 대신에 비교 준비예 2의 아크릴 감압 접착제 조성물을 이용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 처리하여 형광 접착 시트를 얻고(도 1 참조), 계속해서 LED 장치를 제조했다(도 2(b) 참조).
비교예 3
준비예 1의 실리콘 감압 접착제 조성물 대신에 비교 준비예 2의 아크릴 감압 접착제 조성물을 이용한 것 이외는, 실시예 2와 마찬가지로 처리하여 형광 접착 시트를 얻고(도 1 참조), 계속해서 LED 장치를 제조했다(도 2(b) 참조).
각 실시예 및 각 비교예에 있어서의 형광체층 및 접착제층에 이용된 재료 등을 표 1에 나타낸다.
Figure pat00003
(평가)
실시예 및 비교예의 각각의 감압 접착제층에 대하여, 형광체 시트에 대한 박리 강도를 이하의 방법에 의해 평가했다.
또한, 실시예 및 비교예의 각각의 LED 장치를 점등했을 때의 형광 접착 시트의 표면 온도, 및 경시적인 발광 신뢰성도 평가했다. 그들의 결과를 표 2에 나타낸다.
1. 박리 강도
25℃와 75℃의 각각의 분위기에서의 감압 접착제층의 형광체 세라믹 플레이트에 대한 박리 강도를, 19mm 폭에서의 박리 접착력 측정[N/19mm]에 의해 산출했다.
상세하게는, 지지체로서의 두께 25㎛의 폴리이미드 필름의 표면에 감압 접착제 조성물을 폭이 19mm로 되고 또한 두께가 40㎛로 되도록 도공했다. 이에 의해, 지지체에 적층된 감압 접착제층을 형성했다. 이어서, 사이즈 20mm×20mm의 형광체 세라믹 플레이트에, 감압 접착제층 부착 폴리이미드 필름을 폴리이미드 필름의 위로부터 2kg의 롤러로 1 왕복하는 것에 의해 압착했다. 압착 후, 약 30분 방치했다. 그 후, 소정 온도로 설정된 항온조 내에 구비된 인장 시험 장치 내(장치명: 시마즈제작소사제, 항온조 내의 인장 시험기 AUTOGRAPH AG-10kNX)에 세팅하여 하기 온도 분위기에서 5분간 유지하고, 그 후, 폴리이미드 필름을 감압 접착제층과 함께 형광체 세라믹 플레이트로부터 하기 조건에서 떼어(박리하여), 그때의 박리 접착력을 박리 강도로서 측정했다.
항온조 내의 온도: 25℃ 또는 75℃
박리(떼기) 조건: 박리 각도 180도
인장 속도 300mm/분
측정 후, 75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75 ℃[N/19mm]의 25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25 ℃[N/19mm]에 대한 백분율([PS75 ℃/PS25 ℃]×100)을 산출했다.
2. LED 장치를 점등했을 때의 형광체층의 표면 온도
실시예 및 비교예의 각각의 LED 장치를 충분한 사이즈의 히트 싱크(heat sink)와 열 전도 그리스에 의해 접속시키고, 또한 전원과 전기적으로 접속했다. 이어서, 전원으로부터 350mA의 전류를 인가하여 LED 장치를 발광시키고, 1분간 발광시킨 후의 형광체층의 표면 온도를 서모그래피로 측정했다.
한편, 비교예 1에 대해서는, 접착제층이 형광체 세라믹 플레이트로부터 박리되었다. 그 때문에, 형광체층의 표면 온도를 측정할 수 없었다.
3. 경시적인 발광 신뢰성
상기 2.에서 제작한 LED 장치를 350mA에서 초기 발광시켰을 때의 발광 휘도(초기 휘도)와, 30일간 연속하여 발광시켰을 때의 휘도(30일 후 휘도)를 각각 측정했다.
그리고, 30일 후 휘도의 초기 휘도에 대한 백분율([30일 후 휘도/초기 휘도]×100)을 산출했다.
한편, 비교예 1에 대해서는, 접착제층이 형광체 세라믹 플레이트로부터 박리되었기 때문에 30일 후 휘도를 측정할 수 없어, 상기한 백분율을 산출할 수 없었다.
Figure pat00004
한편, 상기 설명은 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이는 단순한 예시에 불과하며, 한정적으로 해석해서는 안된다. 당해 기술분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는 후기의 특허청구의 범위에 포함되는 것이다.
1: LED-형광체 감압 접착체 2: LED
3: 형광체층 4: 접착제층
5: 기판 6: 형광 접착 시트
7: LED 장치 8: 제 1 봉지층
10: LED 패키지 11: 리플렉터
12: 제 2 봉지층

Claims (7)

  1. 형광체를 함유하는 형광체층, 및
    상기 형광체층의 두께 방향 한쪽 면에 적층되는 접착제층을 구비하며,
    상기 접착제층은 실리콘 감압 접착제 조성물로 형성되고,
    하기 박리 강도의 백분율이 30% 이상인 것을 특징으로 하는 형광 접착 시트.
    박리 강도의 백분율=[(75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃)/(25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃)]×100
    75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃: 지지체에 적층된 상기 접착제층을 상기 형광체층에 감압 접착하고, 그 후, 온도 75℃에서 상기 지지체 및 접착제층을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 상기 형광체층으로부터 박리했을 때의 박리 강도.
    25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃: 지지체에 적층된 상기 접착제층을 상기 형광체층에 감압 접착하고, 그 후, 온도 25℃에서 상기 지지체 및 접착제층을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 상기 형광체층으로부터 박리했을 때의 박리 강도.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 박리 강도의 백분율이 200% 이하인 것을 특징으로 하는 형광 접착 시트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 형광체층이 상기 형광체의 세라믹으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 형광 접착 시트.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 형광체층이, 상기 형광체 및 수지를 함유하는 형광체 수지 조성물로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 형광 접착 시트.
  5. 광반도체 소자, 및
    상기 광반도체 소자의 두께 방향 한쪽 면에 감압 접착하는 형광 접착 시트
    를 구비하고,
    상기 형광 접착 시트는,
    형광체를 함유하는 형광체층, 및
    상기 형광체층의 두께 방향 한쪽 면에 적층되는 접착제층을 구비하며,
    상기 접착제층은 실리콘 감압 접착제 조성물로 형성되고,
    하기 박리 강도의 백분율이 30% 이상인 것을 특징으로 하는 광반도체 소자-형광체층 감압 접착체.
    박리 강도의 백분율=[(75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃)/(25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃)]×100
    75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃: 지지체에 적층된 상기 접착제층을 상기 형광체층에 감압 접착하고, 그 후, 온도 75℃에서 상기 지지체 및 접착제층을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 상기 형광체층으로부터 박리했을 때의 박리 강도.
    25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃: 지지체에 적층된 상기 접착제층을 상기 형광체층에 감압 접착하고, 그 후, 온도 25℃에서 상기 지지체 및 접착제층을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 상기 형광체층으로부터 박리했을 때의 박리 강도.
  6. 기판,
    상기 기판에 실장되는 광반도체 소자, 및
    상기 광반도체 소자의 두께 방향 한쪽 면에 감압 접착하는 형광 접착 시트
    를 구비하고,
    상기 형광 접착 시트는,
    형광체를 함유하는 형광체층, 및
    상기 형광체층의 두께 방향 한쪽 면에 적층되는 접착제층을 구비하며,
    상기 접착제층은 실리콘 감압 접착제 조성물로 형성되고,
    하기 박리 강도의 백분율이 30% 이상인 것을 특징으로 하는 광반도체 장치.
    박리 강도의 백분율=[(75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃)/(25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃)]×100
    75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃: 지지체에 적층된 상기 접착제층을 상기 형광체층에 감압 접착하고, 그 후, 온도 75℃에서 상기 지지체 및 접착제층을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 상기 형광체층으로부터 박리했을 때의 박리 강도.
    25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃: 지지체에 적층된 상기 접착제층을 상기 형광체층에 감압 접착하고, 그 후, 온도 25℃에서 상기 지지체 및 접착제층을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 상기 형광체층으로부터 박리했을 때의 박리 강도.
  7. 기판, 상기 기판에 실장되는 광반도체 소자, 상기 기판의 두께 방향 한쪽 측에 형성되고, 상기 두께 방향으로 투영했을 때에 상기 광반도체 소자를 둘러싸도록 배치되는 리플렉터, 및 상기 리플렉터 내에 충전되고, 상기 광반도체 소자를 봉지하는 봉지층을 구비하는 광반도체 패키지; 및
    상기 광반도체 패키지의 상기 두께 방향 한쪽 면에 감압 접착하는 형광 접착 시트
    를 구비하고,
    상기 형광 접착 시트는,
    형광체를 함유하는 형광체층, 및
    상기 형광체층의 두께 방향 한쪽 면에 적층되는 접착제층을 구비하며,
    상기 접착제층은 실리콘 감압 접착제 조성물로 형성되고,
    하기 박리 강도의 백분율이 30% 이상인 것을 특징으로 하는 광반도체 장치.
    박리 강도의 백분율=[(75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃)/(25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃)]×100
    75℃ 분위기에서의 박리 강도 PS75℃: 지지체에 적층된 상기 접착제층을 상기 형광체층에 감압 접착하고, 그 후, 온도 75℃에서 상기 지지체 및 접착제층을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 상기 형광체층으로부터 박리했을 때의 박리 강도.
    25℃ 분위기에서의 박리 강도 PS25℃: 지지체에 적층된 상기 접착제층을 상기 형광체층에 감압 접착하고, 그 후, 온도 25℃에서 상기 지지체 및 접착제층을 박리 각도 180도, 속도 300mm/분으로 상기 형광체층으로부터 박리했을 때의 박리 강도.
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014072351A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Nitto Denko Corp 蛍光体層貼着キット、光半導体素子−蛍光体層貼着体および光半導体装置
CN103865427A (zh) * 2014-04-03 2014-06-18 苏州华周胶带有限公司 一种夜光美纹胶带
EP3152619B1 (en) * 2014-06-04 2018-03-28 Dow Corning Corporation Imprinting process of hot-melt type curable silicone composition for optical devices
US9929319B2 (en) * 2014-06-13 2018-03-27 General Electric Company LED package with red-emitting phosphors
KR101467808B1 (ko) 2014-07-14 2014-12-03 엘지전자 주식회사 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지
TWI661583B (zh) * 2015-02-04 2019-06-01 億光電子工業股份有限公司 Ｌｅｄ封裝結構及其製造方法
CN104793275A (zh) * 2015-04-29 2015-07-22 宁波江北激智新材料有限公司 一种色度坐标和色域范围可调的荧光薄膜
JP7227004B2 (ja) * 2015-12-15 2023-02-21 マテリオン コーポレイション 改良された波長変換デバイス
CN107195756A (zh) * 2017-07-05 2017-09-22 斯内尔特种材料有限公司 半导体发光装置的预封装结构及半导体发光装置
US20190181307A1 (en) * 2016-09-28 2019-06-13 Flory Optoelectric MAterials (Suzhou) Co., Ltd. Prepackaging Structure of Semiconductor Light Emitting Device and Semiconductor Light Emitting Device
WO2019016960A1 (ja) * 2017-07-21 2019-01-24 日立化成株式会社 接合体の製造方法、接合体、液晶ディスプレイ及び画像表示装置
CN110183979A (zh) * 2019-06-24 2019-08-30 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 多层复合膜及其应用
CN111430344A (zh) * 2020-04-28 2020-07-17 广东三橙电子科技有限公司 一种cob显示模组的封装方法及cob显示模组
EP3920246A1 (en) * 2020-06-04 2021-12-08 Lumileds LLC Adhesive film transfer coating and use in the manufacture of light emitting devices
US11322665B2 (en) 2020-05-14 2022-05-03 Lumileds Llc Adhesive film transfer coating and use in the manufacture of light emitting devices
WO2021231722A1 (en) * 2020-05-14 2021-11-18 Lumileds Llc Adhesive film transfer coating and use in the manufacture of light emitting devices
KR102482039B1 (ko) * 2020-07-06 2022-12-27 주식회사 루츠 형광체 및 이를 포함하는 발광모듈 및 형광체 제조방법
KR102584107B1 (ko) * 2021-10-28 2023-10-05 한국광기술원 고 연색성 단결정 형광 복합체 제조 방법

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3932558A (en) * 1973-07-02 1976-01-13 Kest Donald O Heat sealable adhesive product and method of making the same
JPH0819393B2 (ja) 1992-12-09 1996-02-28 日東電工株式会社 感圧接着剤とその接着シ―ト類
EP0725809B1 (en) * 1993-10-29 1999-12-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Pressure-sensitive adhesives having microstructured surfaces
US6407195B2 (en) * 1996-04-25 2002-06-18 3M Innovative Properties Company Tackified polydiorganosiloxane oligourea segmented copolymers and a process for making same
GB9827085D0 (en) * 1998-12-09 1999-02-03 Dow Corning Polymerisation of siloxanes
JP4246887B2 (ja) * 2000-05-29 2009-04-02 富士フイルム株式会社 放射線像変換パネルの製造方法
JP2004082658A (ja) * 2002-08-29 2004-03-18 Nippon Paper Industries Co Ltd 蛍光体転写フィルム
US7927703B2 (en) * 2003-04-11 2011-04-19 3M Innovative Properties Company Adhesive blends, articles, and methods
JP2006098242A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線像変換パネル
US7294861B2 (en) * 2005-06-30 2007-11-13 3M Innovative Properties Company Phosphor tape article
US20100012964A1 (en) * 2006-11-10 2010-01-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising monolithic ceramic luminescence converter
EP3042909B1 (en) * 2007-04-17 2018-08-01 Kaneka Corporation Polyhedral polysiloxane modified product and composition using the modified product
JP4766571B2 (ja) * 2007-11-22 2011-09-07 日東電工株式会社 水性感圧接着剤組成物とその利用
CN101565595A (zh) * 2008-04-24 2009-10-28 3M创新有限公司 胶粘剂组合物、对胶粘剂改性的方法及其制品
EP2350220B2 (en) * 2008-10-29 2020-02-26 3M Innovative Properties Company Electron beam cured silicone materials
JP5230018B2 (ja) * 2009-09-09 2013-07-10 日東電工株式会社 両面接着性粘着シート
CN102597088A (zh) * 2009-09-11 2012-07-18 艾利丹尼森公司 双交联增粘压敏粘合剂
US8517552B2 (en) * 2009-10-19 2013-08-27 Lg Innotek Co., Ltd. Optical film and light emitting device using the same
JP5397944B2 (ja) * 2009-11-11 2014-01-22 日東電工株式会社 蛍光体含有複合シート
JP2012160664A (ja) * 2011-02-02 2012-08-23 Bridgestone Kbg Co Ltd 青色ｌｅｄから得られた白色光及びこれに用いるシリコーンテープ
JP5864367B2 (ja) * 2011-06-16 2016-02-17 日東電工株式会社 蛍光接着シート、蛍光体層付発光ダイオード素子、発光ダイオード装置およびそれらの製造方法
TWM432148U (en) * 2012-01-13 2012-06-21 Avatack Co Ltd Pressure sensitive adhesive sheet for light emitting diode package
JP2014072351A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Nitto Denko Corp 蛍光体層貼着キット、光半導体素子−蛍光体層貼着体および光半導体装置

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