CN110183979B - 多层复合膜及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种多层复合膜，其包括荧光胶层和热熔材料层，所述热熔材料层在熔融后呈现为流体，而在所述热熔材料层被熔融为流体时，所述荧光胶层至少能保持初始物理形貌。本发明还公开了一种半导体发光装置的封装方法，包括：将所述多层复合膜内的热熔材料层与所述半导体发光器件的出光面贴合；在指定的温度和压力条件下，使所述热熔材料层熔融为流体，并使所述荧光胶层与所述出光面结合。本发明的多层复合膜可使半导体发光装置的封装工艺更为简单、高效，尤其适于Mini LED的封装，并可使形成的半导体发光装置更省电、厚度更小、光质更高、色域更宽，还可以是柔性的，使用寿命更长，成本更低。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域的一种荧光胶膜(Phosphor Film or Phosphor Sheet)，特别是一种多层复合膜，其可在封装LED等半导体发光元件中应用。
背景技术
LED(半导体发光二极管)因具有低能耗、长寿命、小体积等优点，而被广泛应用于照明、背光等领域。而封装工序是LED制程中的一个非常重要的工序，其对于LED的工作性能、成本等有着非常显著的影响。
US7294861B、US2014091346A1等提出了利用荧光胶带或荧光粘接片进行LED封装的技术方案。在这些荧光胶带、荧光粘接片中分散有荧光粉、荧光纳米晶等，用以实现LED出射光的波长转换。这些荧光胶带、荧光粘接片具有成本低、便于使用等优点，但同时也存在一些缺陷，例如，其中不可避免的需要使用粘胶等物质，这些粘胶物质的存在，会对LED封装结构的出光效率和散热性能等带来不利影响。有鉴于此，本申请人还提出了一种无需粘胶物质等，而可以利用自有的压敏胶性能直接与LED芯片等结合的荧光胶膜，但该荧光胶膜在经过一定时间的存储后，会出现粘性降低等问题，且其保质期也有待提升。
又及，US2014091346A1也利用压膜的方式，将LED芯片嵌入荧光粘接片，但这种方式会使芯片上部与芯片四周的荧光粉分布不一致，从而引起光学上的不完善。
发明内容
本发明的主要目的之一在于提供一种多层复合膜，其作为一种改良的多层复合膜(Phosphor Film，PF)，可以克服现有技术中的不足。
本发明的主要目的之二在于提供所述多层复合膜的用途，例如在形成半导体发光装置的封装结构中的应用。
为实现所述发明目的，本发明采用的技术方案包括：
本发明实施例提供了一种多层复合膜，其包括荧光胶层和热熔材料层，所述热熔材料层在熔融后呈现为流体，而在所述热熔材料层被熔融为流体时，所述荧光胶层至少能保持初始物理形貌。
进一步的，所述热熔材料层在熔融后呈现为透明流体或不透明流体。
在一些实施方案中，所述荧光胶层包括有机硅基体，所述有机硅基体中均匀分散有荧光颗粒物。
本发明实施例还提供了一种半导体发光装置的封装方法，所述半导体发光装置包括一个以上半导体发光器件；并且，所述封装方法包括：
提供所述的多层复合膜，以及
将所述多层复合膜内的热熔材料层与所述半导体发光器件的出光面贴合；
在指定的温度和压力条件下，使所述热熔材料层熔融为流体，并使所述荧光胶层与所述出光面结合。
在一些实施方案中，所述的封装方法包括：在所述指定的压力和/或温度条件下，由所述热熔材料层熔融形成的流体能够离开所述出光面，从而使所述荧光胶层与所述出光面直接贴合。在一些实施方案中，所述半导体发光装置包括微LED阵列。
本发明实施例还提供了一种半导体发光装置的预封装结构，所述半导体发光装置包括一个以上半导体发光器件；并且，所述预封装结构还包括所述的多层复合膜，所述多层复合膜内的热熔材料层与所述半导体发光器件的出光面结合。
本发明实施例还提供了一种半导体发光装置的封装结构，其由前述实施例中的任意一种封装方法形成。
较之现有技术，本发明提供的多层复合膜具有更好的荧光颗粒分布均匀性、更易于使用等优点，且可使半导体发光装置的封装工艺更为高效(从单颗芯片的封装提高到多颗芯片封装，以至于晶圆级封装)，同时还可显著改善生产产率和速度，以及可以使封装工艺的成本更为低廉。本发明提供的多层复合薄膜适用于多种形式的封装，例如micro LED封装、mini LED封装、COB LED封装、SMD LED封装、大功率LED封装等，尤其适用于Mini LED(微LED)的封装，并可使形成的半导体发光装置更为省电、厚度更小、光质更高、色域更宽，还可以是柔性的，使用寿命更长，成本更低。
以下结合实施例对本发明的技术方案作更为具体的解释说明，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1是本发明一实施方案中一种多层复合膜的结构示意图；
图2是本发明一实施方案中应用图1所示多层复合膜进行LED封装的工艺原理图；
图3是本发明一实施方案中应用一种多层复合膜实现的LED封装结构剖视图；
图4是本发明一实施方案中应用一种多层复合膜实现的LED封装结构俯视图；
图5是本发明一实施方案中应用另一种多层复合膜实现的LED封装工艺流程图；
图6是本发明一实施例中利用一种多层复合膜进行mini LED封装的工艺流程图；
图7是本发明一实施例中利用一种多层复合膜实现的mini LED封装结构的截面图；
图8是本发明一实施例中利用一种多层复合膜实现的mini LED封装结构的俯视图；
图9是本发明一对照例中用于封装mini LED的单层荧光胶膜被剥离时的照片。
具体实施方式
本发明实施例的一个方面提供了一种多层复合膜，其包括荧光胶层和热熔材料层，所述热熔材料层在熔融后呈现为流体，而在所述热熔材料层被熔融为流体时，所述荧光胶层至少能保持初始物理形貌。
例如，请参阅图1示出了本发明一典型实施方案中一种多层复合膜10，其包括相互结合的一荧光胶层11和一热熔材料层12。
进一步的，所述热熔材料层在熔融后呈现为透明流体或不透明流体。
在一些优选实施方案中，所述不透明流体在固化后能够形成具备反光性质的结构。
进一步的，所述热熔材料层主要由热熔胶形成。由所述热熔材料层熔融形成的流体能够在在加热或辐射条件下交联固化。
适用于本发明实施例的热熔胶材料可以选自乙烯共聚物、聚酰胺、聚氨酯、聚酯、聚烯烃、聚苯乙烯、有机硅等物质中的一种或多种的组合，且不限于此。例如，所述热熔胶材料可以选自CN101437861B等文献述及的热熔胶材料。
例如，在一个较为具体的实施例中，所述热熔胶材料层的原料可以包括按照质量百分比计算的如下组分：聚乙烯醇50％、聚醋酸乙烯25％、邻乙酰柠檬酸三乙酯25％、醋酸乙烯-乙烯共聚物0.1％、2，6-二叔丁基对甲苯酚0.02％。
在一些优选实施方案中，所述热熔材料层内还分布有反光填料。优选的，所述反光填料为具有反光性能的无机金属氧化物和/或无机金属盐，例如可以选自氧化铝、氧化锌、二氧化钛、氧化镁、玻璃珠、锌钡白、氧化锆、云母、滑石粉、蒙脱土、水滑石、玻璃鳞片中的一种或多种的组合，且不限于此。更优选的，所述反光填料可以采用二氧化钛或硫酸钡，其粒径为0.001～50μm。
进一步的，所述热熔材料层内的反光填料的添加量应满足如下的需求，即：使所述热熔胶材料层熔融后形成的流体保持其流动性，但在再次固化后具有反光性能。优选的，所述热熔材料层内反光填料的含量5wt％～95wt％，优选为20wt％～50wt％。
在一些优选实施方案中，所述热熔材料层内还分布有荧光颗粒物。
其中，所述荧光颗粒物可以为荧光粉，其粒径为0.001～50μm。
其中，所述荧光颗粒物可以为荧光量子点，其粒径为1.0～100nm。
同样的，所述热熔材料层内的荧光颗粒物的添加量应满足如下的需求，即：使所述热熔胶材料层熔融后形成的流体保持其流动性。
优选的，所述热熔材料层内荧光颗粒物的含量为0.01wt％～95wt％，优选为20wt％～75wt％。
在一些较为优选的实施方案中，可以将所述热熔胶的软化点控制在40～250℃的范围内。
在一些较为优选的实施方案中，可以将所述热熔胶熔融后形成的流体粘度控制在100000cPs以下。
在一些实施方案中，所述流体能够在指定的基底表面的第一区域自由流动，并能够自动汇聚或在指定的压力和/或温度条件下汇聚到所述基底表面的第二区域，所述第一区域与第二区域之间形成无缝接合。
进一步的，所述流体为能够自由流动的液体。
在一些优选实施方案中，所述第一区域为平面，所述第二区域为相对凹下部。
例如，若所述基底为半导体发光装置，且所述半导体发光装置表面间隔设置有多个半导体发光器件，则每一半导体发光器件的出光面可以被认为是所述基底表面的第一区域，而相邻半导体发光器件之间的间隙可以被认为所述基底表面的第二区域。在所述指定温度及压力条件下，由所述热熔胶材料层熔融形成的流体将会自行或被动的聚集到该第二区域形成反光结构(例如“白墙”)，如此可以在相邻半导体发光器件之间形成光学隔离，避免各半导体发光器件发射的光线彼此干扰。
在一些实施方案中，所述热熔材料层的厚度优选为0.001～10000μm，尤其优选为1～500μm。
进一步的，所述荧光胶层包括有机硅基体，所述有机硅基体中均匀分散有荧光颗粒物。
进一步地，所述荧光胶层可以由荧光封装组合物预固化或完全固化形成，所述荧光封装组合物可以主要由所述有机硅组合物和所述荧光颗粒物(如下亦简称“荧光材料”)组成。
在一些实施方案中，所述荧光胶层可以由荧光封装组合物预固化(B-stageSilicone Curables)形成，且表面具有压敏胶的功能(pressure sensitive adhesivePSA)。
更进一步地，所述荧光封装组合物通过以下比例配所述荧光颗粒物和所述有机硅组合物并搅拌混合来制备。
在一些实施方案中，所述荧光封装组合物中荧光材料占非溶剂组分的含量为0.01wt％～90wt％，优选为1wt％～80wt％，更优选为3wt％～70wt％。
在一些实施方案中，所述荧光材料的色温为1800K-20000K，显色指数为60～100。
在一些实施方案中，所述荧光颗粒物为荧光粉，其粒径为1～50μm。
在一些实施方案中，所述荧光粉包括稀土荧光粉、稀土石榴石荧光粉、碱土金属硫化镓酸盐、碱土金属硫化物、硫化锌型、碱土金属铝酸盐、磷酸盐、硼酸盐、硅酸盐、氟砷酸盐、氟锗酸盐、稀土硫化物、稀土氧化物、钒酸盐、氮化物荧光粉中的任意一种两种以上的组合。优选的，所述荧光粉可以选用化学与高温稳定性较佳的铝酸盐、硅酸盐、氮化物以及氮氧化物类荧光粉，特别是氮化物以及氮氧化物类荧光粉。尤其优选的，所述荧光粉为稀土元素掺杂的YAG钇铝石榴石荧光粉或Ce掺杂的YAG钇铝石榴石荧光粉。这些荧光粉可以从市场途径自由的获取。例如，所述荧光粉可以是多种荧光粉的组合物，例如可以添加有GE公司(通用电气公司)出品的红粉，即氟化物荧光粉，其属于氟硅酸钾(PFS)磷光体系列。
在一些实施方案中，进一步地，所述荧光颗粒物为荧光量子点，其粒径为1～100nm，优选为1～20nm。
在一些实施方案中，所述荧光量子点的组成材料包含II-VI族或III-V族元素，尤为优选的，所述荧光量子点的材质包括ZnSe、CdS、CdSe和CdSe中的任意一种两种以上的组合，进一步优选的，所述荧光量子点的材质选自镓化砷、磷化铟或氮化镓，更进一步优选的，所述荧光量子点具有核壳结构，更进一步优选的，所述荧光量子点为CdSe/ZnS核壳结构量子点。在一些实施方案中，所述荧光量子点亦可选用钙钛矿量子点。
在一些实施方案中，所述荧光封装组合物中荧光粉占非溶剂组分的含量优选为1.0wt％～90wt％，更优选为1.0wt％～70wt％。
在一些实施方案中，所述荧光封装组合物中荧光量子点占非溶剂组分的含量优选为0.01～50wt％，更优选为0.01～5.0wt％。
进一步的，所述有机硅组合物在分子内具有主要由硅氧烷键(-Si-O-Si-)形成的主链，以及键合于主链的硅原子(Si)的、由烷基(例如甲基等)、芳基(例如苯基等)或烷氧基(例如甲氧基)等有机基团形成的侧链。具体而言，作为有机硅树脂组合物，例如可列举出脱水缩合固化型有机硅树脂、加成反应固化型有机硅树脂、过氧化物固化型有机硅树脂、湿气固化型有机硅树脂等固化型有机硅树脂等。树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。
在一些实施方案中，所述有机硅组合物的主要成分为数均分子量高于3×104g/mol的硅氧烷基橡胶，含乙烯基官能团的硅氧烷树脂，含Si-H官能团的硅氧烷树脂，氢化硅烷化催化剂，以及，用以与所述有机硅组合物的各组分配合而形成均相溶液的有机溶剂或稀释剂。
在一些实施方案中，所述硅氧烷基橡胶(又称硅氧烷橡胶)含乙烯基官能团，优选的，所述硅氧烷基橡胶的每个分子中含有2个以上乙烯基，更优选的，所述硅氧烷基橡胶含苯基官能团，进一步优选的，所述硅氧烷基橡胶的每个分子中含有1个以上苯基。
在一些实施方案中，所述硅氧烷橡胶是一种在聚合物主链上以有机硅氧烷单元作为重复链节的橡胶，其中由下面的通式-﹛Si(R1)(R2)-O--﹜表示有机硅氧烷单元，其中R1和R2各自是单价的有机基团，或特别是烷基，如甲基、乙基等；芳基，如苯基等；链烯基，如乙烯基等；氰烷基，如γ-氰丙基等；或氟烷基，如三氟丙基等。
在一些实施方案中，所述硅氧烷橡胶可以通过业界所知的合适途径获取，包括自制或从市场途径获取。例如，可参阅EP 0470745A2、《Glossary ofChemical Terms》(VanNostr and Reinhold Company，1976年)、JP2005288916、DE102004050128.9、U3)279890A、JP 330084/1998、JP19981124、JP332821/1998、CN1212265A等文献，
更为具体的，所述硅氧烷橡胶可以选自二甲基硅氧烷橡胶、甲基苯基硅氧烷橡胶、甲基乙烯基硅氧烷橡胶、氟化的烷基甲基硅氧烷橡胶、氰烷基硅氧烷橡胶等，但也不限于此。
进一步地，在所述有机硅氧烷单元中的R1和/或R2优选乙烯基、苯基。
进一步地，在所述有机硅组合物中，硅氧烷橡胶占非溶剂组分的含量可以为1wt％～90wt％，优选为10wt％～70wt％，尤其优选为20wt％～50wt％。
较为理想的，所述硅氧烷橡胶中乙烯基的含量为硅氧烷橡胶总重量的0.01％以上、70％以下。更为理想的，所述硅氧烷橡胶中苯基的含量为硅氧烷橡胶的总重量的0.01％以上，95％以下。优选的，所述硅氧烷基橡胶的数均分子量为3×104g/mol～1×108g/mol，更优选的为1×105g/mol～1×107g/mol，尤其优选为3×105g/mol～1×106g/mol。
进一步地，所述含乙烯基官能团的硅氧烷树脂的每个分子中含有2个以上乙烯基，优选的，所述含乙烯基官能团的硅氧烷树脂包含直链、支链或网状结构，优选的，所述含乙烯基官能团的硅氧烷树脂的数均分子量(Mn)在105g/mol以下，优选为1×102g/mol～1×105g/mol，更优选的为1×102g/mol～1×104g/mol。
更优选的，所述含乙烯基官能团的硅氧烷树脂的每个分子中含有1个以上苯基。
在一些实施方案中，所述含乙烯基官能团的硅氧烷树脂包含RSiO3/2单元、RR'SiO2/2单元、RR'R"SiO1/2单元和SiO4/2单元中的任意一种或多种的组合，其中R、R'、R"为取代的或未取代的单价烃基。
在一些实施方案中，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂包含RSiO3/2单元、RR'SiO2/2单元、RR'R"SiO1/2单元和SiO4/2单元中的任意一种或多种的组合，其中R、R'、R"为取代的或未取代的单价烃基。
更为具体的，在一些实施例中，所述含乙烯基官能团的硅氧烷树脂的结构如下：
在一些实施方案中，所述含乙烯基官能团的硅氧烷树脂可以为(R1[OR2]SiO)m-(R3CH2＝CH-SiO)n，其中R1、R2、R3可均为乙烯基，m、n可以为0或一个正整数。
在一些实施方案中，所述含乙烯基官能团的硅氧烷树脂可以选自含有乙烯基的POSS。
进一步地，在所述有机硅组合物中，含乙烯基官能团的硅氧烷树脂占非溶剂组分的含量可以为1wt％～90wt％，优选为10wt％～70wt％，尤其优选为20wt％～50wt％。
在本发明中，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂的每个分子中含有2个以上Si-H基，优选的，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂包含直链、支链或网状结构；优选的，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂的数均分子量低于105g/mol，优选为102g/mol～105g/mol，更优选的为1×102g/mol～1×104g/mol。
更优选的，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂的每个分子中含有1个以上苯基。
本发明中所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂内，除与硅键合的氢原子以外的与硅键合的基团可以是除烯基以外的任选被取代的一价烃基，例如甲基、乙基、丙基或类似的烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基或类似的芳基；苯甲基、苯乙基或类似的芳烷基；3-氯丙基、3，3，3-三氟丙基或类似的卤代烷基，但优选的，在该组分的一个分子中有至少一个芳基，特别是苯基，尤其是两个以上苯基。该组分的分子结构没有特殊的限制，它可以具有直链的、支化的或部分支化的直链、环状或树枝状的分子结构。在一些实施案例中，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂可以由以下物质代表：由式(CH3)2HSiO1/2和C6H5SiO3/2的单元组成的有机聚硅氧烷树脂；由式(CH3)2HSiO1/2、(CH3)3SiO1/2和式C6H5SiO3/2的单元组成的有机聚硅氧烷树脂；由式(CH3)2HSiO1/2和SiO4/2的单元组成的有机聚硅氧烷树脂；由式(CH3)2HSiO1/2、(CH3)2SiO2/2和SiO4/2的单元组成的有机聚硅氧烷树脂，等等。
更为具体的，在一些实施例中，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂的结构如下：
其中，p为大于或等于1的整数。
在一些实施方案中，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂亦可选自含有Si-H官能团的POSS。在所述有机硅组合物中，含Si-H官能团的硅氧烷树脂的含量为1wt％～90wt％，优选为2wt％～50wt％，尤其优选为5wt％～30wt％。
进一步地，在本发明中，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂内Si-H基的含量在0.1mol％～100mol％，优选在0.2mol％～95mol％，尤其优选在0.5mol％～90mol％。
进一步地，在本发明中，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂内Si-H基与所述含乙烯基官能团的硅氧烷树脂内乙烯基的摩尔比为0.02～50：1，优选在0.1～10：1，尤其优选在0.5～5：1。进一步地，关于这种含Si-H官能团的硅氧烷树脂的选取和制备工艺可参考CN101151328A、CN102464887A等等。
进一步的，在本申请中，所述含Si-H官能团的硅氧烷树脂亦可被替换为含有多个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物或其异构体，其中一些典型化合物的结构可以参阅下列的任一结构式，即：
进一步的，前述含有多个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物或其异构体可以是具有以下结构式的化合物的加成产物：
在本发明的实施例中，一种制备所述含多个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物或其异构体的制备方法可以包括：使含有多个乙烯基的环状化合物、含有多个硅氢键的环状化合物与含有多个硅氢键及苯基的化合物在有催化剂存在的条件下进行硅氢加成反应，生成含六个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物或其异构体。
优选的，所述的制备方法具体包括：将含有多个乙烯基的环状化合物、含有多个硅氢键及苯基的化合物、含有多个硅氢键的环状化合物、催化剂及有机溶剂混合后，加热回流进行硅氢加成反应，生成含六个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物或其异构体。
优选的，所述含有多个乙烯基的环状化合物具有如下所示的任一种结构：
优选的，所述含有多个硅氢键及苯基的化合物具有下式所示的结构：
优选的，所述含有多个硅氢键的环状化合物具有如下所示的任一种结构：
优选的，所述催化剂包括氢化硅烷化催化剂。
优选的，所述含有多个乙烯基的环状化合物、含有多个硅氢键的环状化合物与含有多个硅氢键及苯基的化合物的摩尔比为0.90～1.10：0.90～1.10：2.90～3.10。
或者，所述含有多个乙烯基的环状化合物、含有多个硅氢键的环状化合物与含有多个硅氢键及苯基的化合物的摩尔比为0.90～1.10：1.90～2.10：1.90～2.10。
或者，所述含有多个乙烯基的环状化合物、含有多个硅氢键的环状化合物与含有多个硅氢键及苯基的化合物的摩尔比为0.90～1.10：2.90～3.10：0.90～1.10。
优选的，所述硅氢加成反应的温度为室温～150℃，时间为10min～2400min。
在一些较为具体的实施方案中，所述的制备方法具体包括：将含有多个乙烯基的环状化合物、含有多个硅氢键及苯基的化合物、含有多个硅氢键的环状化合物、催化剂及有机溶剂混合后，加热回流进行硅氢加成反应，生成含多个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物和/或其异构体。
优选的，所述催化剂包括氢化硅烷化催化剂，它是本领域中已知的且是商业上可获得的。
在一些实施案例中，基于整个反应体系的重量，氢化硅烷化催化剂的量可以为以下范围的铂族金属：0.1ppm至1,0000ppm，可选地为1ppm至1000ppm，且可选地为10ppm至100ppm。优选的，所述含有多个乙烯基的环状化合物、含有多个硅氢键的环状化合物与含有多个硅氢键及苯基的化合物的摩尔比为0.90～1.10：0.90～1.10：2.90～3.10。
优选的，所述硅氢加成反应的温度为室温～150℃，时间为10min～2400min。
所述的有机溶剂可以选自能够将含有多个乙烯基的环状化合物、含有多个硅氢键的环状化合物、含有多个硅氢键及苯基的化合物溶解，但不会与含有多个乙烯基的环状化合物、含有多个硅氢键的环状化合物、含有多个硅氢键及苯基的化合物、催化剂等反应物中的任一者反应的有机溶剂，例如苯、甲苯等常见有机溶剂。
进一步的，前述硅氢加成反应的条件可以参考“硅氢加成反应与研究”(邵阳师专学报，1998年第2期，p82-84)等文献。
进一步地，所述硅氧烷树脂(含乙烯基官能团的硅氧烷树脂、含Si-H官能团的硅氧烷树脂)是一类可溶于诸如苯、甲苯、二甲苯、庚烷和类似物的液态烃、酮、脂、光刻胶用溶剂或可溶于诸如低粘度的环状聚二有机硅氧烷和直链聚二有机硅氧烷的液态有机硅化合物，其可包括由R3 3SiO1/2代表的单官能(M)单元、R3 2SiO2/2代表的双官能(D)单元、R3SiO3/2代表的三官能(T)单元和由SiO4/2代表的四官能(Q)单元。R3代表单价的有机基团，其为取代的或未取代的单价烃基。其中，所述单价未取代的烃基可选自但不限于如下基团：烷基，诸如甲基、乙基、丙基、戊基、辛基、十一烷基和十八烷基；链烯基，诸如乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基和己烯基；脂环族基团，诸如环己基和环己烯基乙基；炔基，诸如乙炔基、丙炔基和丁炔基；环烷基诸如环戊基和环己基；以及，芳族基团，诸如乙基苄基、萘基、苯基、甲苯基、二甲苯基、苄基、苯乙烯基、1-苯乙基和2-苯乙基，可选地为苯基。可存在于R3上的非活性取代基包括但不限于卤素和氰基。作为取代的烃基的单价有机基团可选自但不限于以下基团：卤化烷基，如氯甲基、3-氯丙基和3，3，3-三氟丙基、氟甲基、2-氟丙基、3，3，3-三氟丙基、4，4，4-三氟丁基、4，4，4，3，3-五氟丁基、5，5，5，4，4，3，3-七氟戊基、6，6，6，5，5，4，4，3，3-九氟己基和8，8，8，7，7-五氟辛基等。优选的，本发明的硅氧烷树脂中单价未取代的烃基为乙烯基，特别是所述硅氧烷树脂的每个分子中含有2个以上苯基。关于本发明中硅氧烷树脂的选取和制备工艺可参考US6,124,407、US2,676,182、U2),774,310、US6,124,407等。
所述氢化硅烷化催化剂的用量应足以促进本发明有机硅组合物的固化。这些氢化硅烷化催化剂是本领域中已知的且是商业上可获得的，例如可选自但不限于如下物质：铂族金属：铂、铑、钌、钯、锇或铱金属或其有机金属化合物及其组合。更为具体的，其可以选自铂黑、化合物诸如氯铂酸、氯铂酸六水合物、和一元醇的反应产物、双(乙基乙酰乙酸)铂、双(乙酰丙酮酸)铂、二氯化铂和所述化合物与烯烃或低分子量的有机聚硅氧烷或在基质或核壳类型结构中微囊化的铂化合物的复合物。铂与低分子量的有机聚硅氧烷的复合物，包括具有铂的1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷复合物。这些复合物可于树脂基质中微囊化。可选地，催化剂可包括具有铂的1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷复合物。这些氢化硅烷化催化剂可参考CN1863875A(说明书第0020-0021段)、US 3,159,601、U1),220,972、U1),296,291、U1),419,593号、U1),516,946、U1),814,730、U1),989,668、U2),784,879、U3),036,117、U3),175,325号、EP 0347895B、U2),766,176、U3),017,654等文献。和/或，至少一个UV活性Pt催化剂，可参考US8,314,200。
在一些实施案例中，基于所述有机硅组合物的重量，氢化硅烷化催化剂的量可以为以下范围的铂族金属：0.1ppm至1,0000ppm，可选地为1ppm至1000ppm，且可选地为10ppm至100ppm.在本发明中，所述的溶剂可以是适用的任何类型，例如水、有机溶剂或两者的混合物，优选自有机溶剂，例如可选自但不限于正己烷、甲苯、氯仿、二氯甲烷、乙醇、丙酮、2-丁酮、4-甲基-2-戊酮、脂、光刻胶用溶剂(例如PGME、PGMEA)等，用以与该组合物中的其余材料组合为具有良好流动性的液体，特别是均相溶液。
在所述有机硅组合物中，所述溶剂的含量可以为约10wt％～90wt％，优选为20wt％～80wt％，尤其优选为30wt％～70wt％，特别是所述溶剂在常压下的沸点为60℃～250℃。
在所述有机硅组合物中，所述稀释剂的含量可以为约10wt％～90wt％，优选为20wt％～80wt％，尤其优选为30wt％～70wt％。
在一些实施方案中，所述稀释剂包括至少一种反应型稀释剂，优选的，所述反应型稀释剂采用能够参与硅氢加成反应的单乙烯基化合物、含有一个Si-H官能团的化合物或者含有一个Si-H官能团的单乙烯基化合物。尤其优选的，所述反应型稀释剂可选自单乙烯基硅烷化合物和/或单烯丙基硅烷化合物。优选的，所述稀释剂于室温下的粘度小于100cPs，尤其优选小于50cPs，尤其优选小于10cPs。通过采用所述的反应型稀释剂，可避免有机溶剂的使用，减少环境污染，以及还可提升所述有机硅组合物中各组分的相容性。
更为具体的，适于作为所述稀释剂的单乙烯基化合物可以参考US6,333,375B等文献。例如可选自一种或多种芳族乙烯基化合物，典型的如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、甲基苯乙烯、甲基苯乙烯、4-二异丙基苯乙烯、二甲基苯乙烯、4-叔丁基苯乙烯，5-t-丁基-2甲基苯乙烯、氯苯、苯乙烯和苯乙烯单氟氯等。尤其可优选采用苯乙烯等。
又及，所述的单乙烯基化合物的聚合单体分子内亦可以包含至少一个具有杂原子的极性基团，例如可以是包含胺基的乙烯基单体、包含羟基的乙烯基单体、包含氧的乙烯基单体，尤其可优选前两者。这些具有含杂原子的极性基团的乙烯基单体可单独或者组合使用。
进一步地，所述包含胺基的乙烯基单体是可聚合的单体，其分子中的至少一个胺基为伯胺(例如丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、对氨基苯、氨甲基(甲基)丙烯酸氨基乙基(甲基)丙烯酸氨基丙基(甲基)丙烯酸氨基(甲基)丙烯酸丁酯)、仲胺(例如可参阅JP130355/86A，例如苯胺基苯基丁二烯单取代的(甲基)丙烯酰胺如N-甲基(甲基)丙烯酰胺、N-乙基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烯酰胺、N-(4-苯胺基苯基)甲基丙烯酰胺)或叔胺(如N，N-二取代氨基烷基丙烯酸酯、N，N-二烷基氨基烷基丙烯酰胺、N，N-二取代的氨基芳香族乙烯基化合物和含乙烯基的吡啶化合物)，尤其优选为叔胺。更为具体的，包含丙烯酸基或甲基丙烯酸基的N，N-二取代氨基烷基丙烯酸酯可选自N，N-二甲基氨基甲基(甲基)丙烯酸、N，N-二甲基氨基乙基(甲基)丙烯酸、N，N-二甲基氨基丙基(甲基)丙烯酸、N，N-二甲基氨基丁基(甲基)丙烯酸、N，N-二乙基氨基乙基(甲基)丙烯酸、N，N-二乙基氨基丙基(甲基)丙烯酸、N，N-二乙基氨基丁基(甲基)丙烯酸，N-甲基-N-乙基氨基乙基(甲基)丙烯酸、N，N-二丙基氨基乙基(甲基)丙烯酸、N，N-二丁基氨基乙基(甲基)丙烯酸、N，N-二丁基氨基丙基(甲基)丙烯酸、N，N-二丁基氨基丁基(甲基)丙烯酸、N，N-二己基氨基乙基(甲基)丙烯酸、N，N-二辛基氨基乙基(甲基)丙烯酸和丙烯酰吗啉(acryloylmorpholine)。其中，N，N-二(甲基)丙烯酸、N，N-二(甲基)丙烯酸、N，N-二丙基氨基乙基(甲基)丙烯酸、N，N-二辛基氨基乙基(甲基)丙烯酸和N-甲基-N-乙基氨基乙酯(甲基)丙烯酸酯尤为优选。又例如，所述N，N-二取代氨基芳族乙烯基化合物可以包括苯乙烯衍生物，例如N，N-二甲基氨基乙基苯乙烯、N，N-二乙基氨基乙基苯乙烯、N，N-二丙基氨基乙基苯乙烯和N，N-二辛基氨基乙基苯乙烯。又例如，含乙烯基的吡啶化合物可以包括乙烯基吡啶、4-乙烯基吡啶、5-甲基-2-乙烯基吡啶、5-乙基-2-乙烯基吡啶，尤其优选为前两者。
进一步地，所述含羟基的乙烯基单体可为包含至少一个伯羟基、仲羟基或叔羟基的可聚合的单体。这些含羟基的乙烯基单体包括例如含有羟基的不饱和羧酸单体、含羟基的乙烯基醚单体和含羟基的乙烯基酮单体，优选为含羟基的不饱和羧酸单体。含羟基的不饱和羧酸单体的例子包括丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、富马酸和马来酸的衍生物(如酯、酰胺、酸酐)。其中，丙烯酸和甲基丙烯酸酯类化合物尤为优选。更为具体的，含羟基的乙烯基单体可以包括羟甲基(甲基)丙烯酸，甲基丙烯酸羟丙酯(甲基)、(甲基)丙烯酸羟丙基(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸-2-羟丙基，3-苯氧基-2-羟丙基(甲基)丙烯酸甘油酯(甲基)丙烯酸丁酯(甲基)丙烯酸，2-氯-3-羟丙基(甲基)丙烯酸，羟己基(甲基)丙烯酸酯，羟辛基(甲基)丙烯酸、羟甲基(甲基)丙烯酰胺、2-羟丙基(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酰胺，羟丙基二(乙二醇)衣康酸、衣康酸二(丙二醇)、双(2-羟丙基)双(2-羟乙基)衣康酸、衣康酸、双(2-羟基乙基)酯、双马来酸(2-羟乙基)，甲基乙烯基醚，羟甲基乙烯酮与烯丙醇。其中，羟甲基(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、(甲基)丙烯酸、丙烯酸羟丙基(甲基)，3-苯氧基-2-羟丙基(甲基)丙烯酸甘油酯(甲基)丙烯酸丁酯(甲基)丙烯酸(甲基)丙烯酸羟己基，羟丙基(甲基)丙烯酸、羟甲基(甲基)丙烯酰胺，2-羟丙基(甲基)丙烯酰胺和羟丙基(甲基)丙烯酰胺是首选。
进一步地，所述含氧乙烯基单体可包括含烷氧基的乙烯基单体(参阅JP188356/95A)，如三甲氧基乙烯基硅烷，三乙氧基乙烯基硅烷、6-甲氧基硅烷基-1,2-己烯，对三甲氧甲矽烷基苯乙烯，3-三甲氧基硅丙酯和3-三乙氧基甲硅烷基丙烯酸丙酯，等等。
适用于本发明的实施例的另外一些可固化的有机硅组合物可以包括含有乙烯基的聚硅氧烷类组分，含硅氢键的组分和氢化硅烷化催化剂；其中，所述含硅氢键的组分采用前述的含多个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物和/或其异构体。
在一些较佳实施方案中，所述含有乙烯基的聚硅氧烷类组分含有至少两个与硅键合的链烯基和至少一个与硅键合的芳香基。
优选的，所述含有乙烯基的聚硅氧烷类组分的折光率不小于1.5，尤其优选为1.50～1.65。优选的，所述含有乙烯基的聚硅氧烷类组分于25℃的粘度为10～10,000cPs，尤其优选为50～5000cPs。
优选的，含有乙烯基的聚硅氧烷类组分选自线型聚合物、支链型聚合物或网状聚合物的一种或多种。
进一步优选的，所述含有乙烯基的聚硅氧烷类组分选自线型聚合物。
更进一步优选的，所述含有乙烯基的聚硅氧烷类组分具有下式所示结构：
其中，D＝1～500，M＝1～500，N＝1～500；更为优选的，D＝1～50，M＝1～500，N＝1～50。
在一些较佳实施方案中，所述含有乙烯基的聚硅氧烷类组分中所含的乙烯基与所述含硅氢键的组分中所含的硅氢键的摩尔比为10:1～1:10，优选为2:1～1:2。
本发明的实施例中，氢化硅烷化催化剂的种类及用量可以如前文所示。
另外，在一些可行的实施方案中，于本发明的有机硅组合物中还可包含除本发明的多个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物和/或其异构体之外的其它一种或多种含硅氢键的组分，例如三(二甲基硅氧烷基)苯基硅烷等。当然，这些实施方案的效果可能是劣于只在本发明的有机硅组合物中添加本发明含多个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物和/或其异构体的那些实施方案的。
在一些更为具体的优选实施方案中，所述有机硅组合物包括：10～95重量份的含有乙烯基的聚硅氧烷类组分、5～90重量份的含硅氢键的组分、0.1～10,000ppm的氢化硅烷化催化剂、0.001～1.0重量份的氢化硅烷反应抑制剂、0.001～5重量份的添加剂、0.001～90重量份的稀释剂。
前述实施例的有机硅组合物(含多个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物和/或其异构体)可以参考目前业界广泛应用的有机硅胶混合物的组配方式配制，例如，其组分可以被分为组分A(主要包含含有乙烯基的聚硅氧烷类组分、铂催化剂、添加剂等)和组分B((主要包含含硅氢键的组分、添加剂等)，在使用时将A、B两组分按一定比例混合。
前述实施例的有机硅组合物(含多个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物和/或其异构体)具有包含但不限于如下列出的优点，包括：在室温下依然有较长使用寿命(大于8h而没有显著的粘度变化)、简化半导体器件(如LED)的封装流程而提高产率，以及，贮藏稳定性更佳(在0-5℃下，大于1个月，优选为3个月，更优选为6个月)。
而且，前述实施例的有机硅组合物在与荧光粉、荧光量子点等荧光材料协同使用时，能极大幅度的降低甚至消除荧光材料，特别是荧光粉随时间而产生的沉降，例如，当将业界常用的各类荧光材料与本发明组合物混合后，室温下，大于8h没有沉淀情况发生，优选为24h以上，因而可以产生更为均匀的封装效果，提高半导体发光器件类的发光均匀度等。
在一些实施方案之中，前述的有机硅组合物还可包含添加剂，例如抑制剂，小分子硅烷(可含有或不含乙烯或Si-H功能基团)，粘接促进剂,热或UV固化的环氧/丙烯酸/聚氨酯/双马来酰亚胺等树脂，无机填充剂，流变改性剂，增粘剂，润湿剂，消泡剂，流平剂，染料和荧光粉防沉淀剂(例如信越DM-30、Sanwell SH系列LED荧光粉防沉剂等)中的任一种或两种以上的组合。
其中，所述抑制剂，即硅氢加成反应抑制剂是指能够导致硅氢加成反应不良的物质，参考CN1863875A(第0025段)等，其可选自炔醇类化合物、烯-炔化合物、硅氧烷或苯并三唑及其他氢化硅烷反应抑制剂。例如，炔醇类化合物抑制剂可选自2-苯基-3-丁炔-2-醇、2-甲基-3-丁炔-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇等；烯-炔化合物可选自诸如3-甲基-3-戊烯-1-炔等，硅氧烷可选自1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四己烯基环四硅氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷等。其中优选炔醇类化合物，尤其优选2-苯基-3-丁炔-2-醇。
其中，所述增粘剂或粘结促进剂可以选自正硅酸乙酯、乙烯基三甲氧基硅烷、硼酸正丁酯、硼酸异丙酯、异辛酸钛、异辛酸锆、钛酸正丁酯、钛酸异丙酯、KH-171、KH-560和KH-570等(参考CN1863875A说明书第0026段等)，市售途径可以获得的粘结促进剂可以为道康宁公司出品的JCR6101、JCR6101UP、EG6301、OE6336、JCR6175、JCR6109、Hipec4939、Hipec1－9224、OE6250、SR7010、SE9207、SE1740、SE9187L等，但不限于此。
其中，所述无机填充剂可以是本领域中已知的且是商业上可获得的，例如可包括无机填料诸如二氧化硅，例如，胶态二氧化硅、火成二氧化硅、石英粉、氧化钛、玻璃、氧化铝、氧化锌，或其组合，填料可具有50纳米或更小的平均粒径且不会通过散射或吸收降低透光百分率。而关于诸如流变改性剂，润湿剂，消泡剂，流平剂，染料等，其定义是业界悉知的，并可从业界常用的相应材料内自由选取。
所述有机硅组合物可通过任何常规方法来制备，比如在合适的温度，例如室温下混合所有成分。
所述有机硅组合物的粘度为1,000mPa.s～500,000mPa.s，优选为5,000mPa.s～100,000mPa.s，尤其优选为7,000mPa.s～50,000mPa.s。
在一些实施方案中，所述的荧光胶层可由所述的荧光封装组合物半固化(预固化)形成，并优选为柔性薄膜。
进一步地，所述半固化的条件包括：加热通风条件，温度条件为20℃～200℃，优选为80℃～120℃，时间为10～100000s，优选为10～8000s。
进一步地，使所述荧光胶层完全固化的条件包括：通过加热或电磁辐照使所述荧光胶层完全固化。
进一步地，所述荧光胶层的厚度可以极薄(例如可以达到10μm～10000μm左右，优选在20～500μm左右)。
进一步地，所述荧光胶层可以长期稳定保存。为避免其被外部环境污染，可以在其表面覆设离型材料(如离型纸等)，而在使用时将离型材料撕除。
在一些实施方案，所述荧光胶层的制备方法具体可以包括：
S1：制膜，将所述荧光封装组合物通过溶液成膜、流延涂覆、丝网/钢网印刷、旋转涂覆、(真空)挤出成膜等方式成膜；
S2：初步固化，形成表面不粘且可以揭起的预固化膜，即所述荧光胶层，其具有压敏胶相似的特性。
在一可选实施方案之中，所述步骤S2)可以包括：在辐射和/或加热通风条件下去除所述膜中的有机溶剂，从而形成所述预固化膜。其中采用的加热温度可以为20～200℃，优选为80～120℃，加热时间为10～100000秒，优选为10～8000秒。
进一步的，所述荧光胶层是具有一定形变能力的，特别是在一定压力条件下，其能被压延。例如，在本发明前述实施例所述及的指定压力条件下，至少是所述荧光胶层的局部区域会发生形变并进入所述基底表面的第二区域，所述第二区域为所述基底表面的相对凹下部。
例如，若所述基底为半导体发光装置，且所述半导体发光装置表面间隔设置有多个半导体发光器件，则每一半导体发光器件的出光面可以被认为是所述基底表面的第一区域，而相邻半导体发光器件之间的间隙可以被认为所述基底表面的第二区域。在所述指定温度及压力条件下，由所述热熔胶材料层熔融形成的流体将会自行或被动的聚集到该第二区域，同时，所述荧光胶层被挤压变形，其一方面可以更薄，另一方面其局部区域还会受挤压而填入该第二区域(即，本发明实施例的荧光胶层将体现出优异的填隙性能，gapfiling)，如此可以使形成的封装结构更薄、均匀性更好，且可更好的提升半导体发光装置的出光品质。
在一些实施方案中，所述荧光胶层也可以是完全固化的荧光胶膜，其可以是柔性的，也可以是刚性的。
进一步地，所述荧光胶层的完全固化体的下述热失重率在5％以下(≤5wt％)；
所述的热失重率被定义为：将所述完全固化体在温度150℃放置1000h的失重率。
优选的，所述的热失重率在2％以下。
本发明实施例的一个方面还提供了一种制备所述多层复合膜的方法，其可以包括：将所述热熔材料层与所述荧光胶层贴合，形成多层复合膜。
所述热熔材料层、所述荧光胶层均可以是自支撑膜。
在本发明的一些实施方案中，所述多层复合膜的制备方法可以包括：将制备完成的所述热熔材料层与制备完成的所述荧光胶层贴合，形成所述的多层复合膜。
其中，所述热熔材料层的制备方法可以是业界已知的。例如，所述热熔材料层可以是市售的热熔胶膜。
在本发明的一些实施方案中，也可以采用如下的制备工艺制成所述多层复合膜，例如：
制备所述荧光胶层；
将组成所述热熔材料层的热熔胶或热熔胶与反光填料的组合物于熔融状态下直接涂布在所述荧光胶层上制备形成所述多层复合膜。
在一些实施方案中，所述多层复合膜的厚度为0.01～10000μm，优选为1～500μm。
本发明提供的多层复合膜具有更好的荧光颗粒分布均匀性、更易于使用等优点，其在应用于封装半导体发光器件等时，可以有效简化半导体发光器件的封装工艺，降低成本，同时还可显著改善半导体发光器件的工作性能，特别是优化其发光品质，保障其工作稳定性，延长其使用寿命。
本发明提供的多层复合膜适用于对micro LED、mini LED等进行封装，尤其适用于对后者进行封装，但也适用于其他封装，例如COB LED封装、SMD LED封装、大功率LED封装等。本发明实施例的另一个方面提供了一种半导体发光装置的封装方法，所述半导体发光装置包括一个以上半导体发光器件，所述封装方法包括：
提供本发明实施例所述的多层复合膜，以及
将所述多层复合膜内的热熔材料层与所述半导体发光器件的出光面贴合；
在指定的温度和压力条件下，使所述热熔材料层熔融为流体，并使所述荧光胶层与所述出光面结合。
前述“封装”(packaging)的涵义是本领域技术人员所知悉的。
在一些实施方案中，所述的封装方法包括：在所述指定的压力和/或温度条件下，由所述热熔材料层熔融形成的流体能够完全离开所述出光面，从而使所述荧光胶层与所述出光面直接贴合。
在一些实施方案中，所述的封装方法还包括：使由所述热熔材料层熔融形成的流体固化，并将所述荧光胶层与所述半导体发光器件连接。
例如，图2即示出了本发明一典型实施方案中应用一种多层复合膜进行LED封装的工艺原理图。
而相应的，由此形成的一种LED封装结构可以如图3、图4所示。
在一些实施方案中，所述半导体发光装置包括结合在一基底表面的两个以上半导体发光器件，所述两个以上半导体发光器件彼此间隔设置，在所述指定的压力和/或温度条件下，由所述热熔材料层熔融形成的流体能够离开所述出光面，并填充入相邻半导体发光器件之间的间隙内。在一些实施方案中，所述指定的压力条件是指施加的压力大小为1Pa～1000000Pa，优选为10Pa～1000Pa，施加压力时间为0.1s～10000s，优选为10s～2000s。
在一些实施方案中，所述指定的温度条件是指温度为30℃～250℃，优选为60℃～150℃，尤其优选为80℃～120℃，时间优选为10s～2000s。
在一些实施方案中，所述的封装方法还包括：使填充入相邻半导体发光器件之间的间隙内的所述流体固化形成反光结构。例如，图5即示出了本发明一典型实施方案中应用另一种多层复合膜进行LED封装的工艺原理图。由此形成的一种LED封装结构中，填充入所述间隙内的所述流体固化后形成反光结构。
在一些实施方案中，在所述指定的压力条件下，至少是所述荧光胶层的局部区域会发生形变并进入所述相邻半导体发光器件之间的间隙内。
在一些实施方案中，所述半导体发光器件包括LED芯片。
在一些实施方案中，所述半导体发光装置包括微LED阵列，
例如，所述半导体发光装置为mini LED。所述Mini LED又名“次毫米发光二极管”，意指晶粒尺寸约在100微米以上的LED。从制程上看，Mini LED相较于Micro LED来说，良率高，具有异型切割特性，搭配软性基板亦可达成高曲面背光的形式，采用局部调光设计，拥有更好的演色性，能带给液晶面板更为精细的HDR分区，且厚度也趋近OLED，同时具有省电功能。同时，Mini LED的成本也明显低于OLED等。
在一些情况下，所述半导体发光装置也可以为micro LED，其LED单元尺寸小于100微米。其中，LED芯片可以预先安装于基板上。LED芯片中还设有用于与基板的基板侧端子电连接的LED侧端子。基板可以是由例如硅基板、陶瓷基板、聚酰亚胺树脂基板、金属基板上层叠绝缘层而成的层叠基板等绝缘基板形成。例如，基板的上表面形成有具备用于与LED的LED侧端子电连接的基板侧端子和与其连接的布线的导体图案。导体图案例如是由金、铜、银、镍等导体形成的。LED芯片可以是通过例如倒装芯片安装或引线接合连接在基板上。
优选的，所述基底可以是柔性电路板(Flexible Printed Circuit，简称FPC)，其可以是聚酰亚胺或聚酯薄膜等材质的，具有高度可靠性、优异的可挠性。相应的，在所述基底上可设置数个、数十个乃至数万个或更多的LED芯片，特别是mini LED。
进一步地，在一些较为具体的实施方案中，所述的封装方法可以包括如下步骤：
1)：贴膜，将所述多层复合膜覆盖在LED等半导体发光器件的出光面上，使热熔胶材料层与所述出光面贴合，并在一定温度条件(不低于热熔胶材料层的熔融温度)和一定压力条件下使其中的热熔胶材料熔化形成流体后离开所述出光面，而使荧光胶层与所述出光面贴合；
2)：固化，将贴附有所述多层复合膜的半导体发光器件置于恒温(加热，elevatedtemperature)环境中，并使所述荧光胶层及热熔胶材料熔化形成的流体均固化；
3)：固化后处理。例如，可以在所述的封装方法完成后，还可以根据需要在LED与多层复合膜的封装结构上设置其它的透明封装层，此类透明封装层可以由透明树脂形成。继而还根据需要通过例如研磨、切割等方式调整此类透明封装层的尺寸。
在一些更为具体的实施案例中，一类LED发光装置的封装工艺可以包括：
在常温下或一定的加热条件下，将一个或多个LED芯片的出光面贴附在一多层复合膜的热熔胶材料层的表面上，并通过橡胶辊碾压等方式施加一定的压力，使二者紧密贴合；
通过模切等方式对多层复合膜进行外形加工，使其与LED芯片的外形匹配；
将贴附有多层复合膜的LED芯片置于加热平台上，经一段时间后，使其中的热熔胶材料层完全被熔化形成流体，同时或之后对多层复合膜或LED芯片施加压力，使其中的荧光胶层与LED芯片出光面结合；以及
在一定光照条件和/或加热条件下，使荧光胶层完全固化，并使该荧光胶层的固化体、热熔材料的固化体与LED芯片之间形成几乎是一体结合的结构，也可以认为，该两者几乎不能被相互剥离。
利用本发明实施例提供的多层复合膜封装的Mini LED能很好的满足HDR、异型显示器等背光源应用需求，适合应用于手机、电视、车用面板及电竞笔记型计算机等产品上。
本发明实施例的另一个方面还提供了一种半导体发光装置的预封装结构，所述半导体发光装置包括一个以上半导体发光器件。进一步的，所述预封装结构还包括前述的任一种多层复合膜，所述多层复合膜内的热熔材料层与所述半导体发光器件的出光面结合。
其中，所述的半导体发光装置可以是前文所列的任一种半导体发光装置。
本发明实施例的另一个方面还提供了一种半导体发光装置的封装结构，其由前述的任一种封装方法形成。
其中，所述的半导体发光装置可以是前文所列的任一种半导体发光装置。
在一些实施方案中，所述的半导体发光装置的封装结构还包括环绕所述半导体发光器件设置的反光结构，所述出光面设置在所述反光结构围合形成的空间之内或者从所述反光结构围合形成的空间中露出。
在一些实施方案中，所述半导体发光装置中至少一半导体发光元件的出光面设置在反光结构围合形成的空间内，而覆盖在所述出光面上的多层复合膜的表面从所述反光结构围合形成的空间中露出。
在一些实施方案中，所述反光结构的至少局部内壁是在远离半导体发光器件的方向上逐渐向外倾斜设置的，并且在所述半导体发光器件与所述反光结构内壁的倾斜面之间填充有透明封装胶。这样的设计可以进一步改善半导体发光器件的出光效率。
在一些实施方案中，所述出光面从所述反光结构围合形成的空间中露出，所述多层复合膜连续覆盖所述出光面及所述反光结构的至少局部的表面。
所述半导体发光器件可以芯片级的LED芯片、也可以是晶圆级LED器件、LD(激光器)等等。但优选的，所述半导体发光器件为微LED(mini LED)。
总之，利于本发明实施例提供的前述多层复合膜，可以使半导体发光装置的封装工艺更为高效，同时还可显著改善生产产率和速度，以及可以使封装工艺的成本更为低廉；特别是，本发明提供的多层复合膜尤其适用于Mini LED(微LED)的封装，并可使形成的半导体发光装置更为省电、厚度更小、光质更高、色域更宽，还可以是柔性的，使用寿命更长，成本更低。本发明实施例的另一个方面还提供了一类包括本发明前述实施例所述封装结构的显示装置或照明装置。
所述显示装置或照明装置可以是基于mini LED的，或者也可以是基于micro LED的，但优选为前者。
以下结合若干更为具体的实施例及相应对比例对本发明的技术方案作更为详细的解释说明。但仍需强调的是，这些实施例不应被视作对本发明的保护范围构成任何限制。又及，除非另外指明，否则本发明说明书中的所有份数、百分数、比率等均按重量计。
在如下实施例中所涉及的荧光封装组合物可以参考目前业界广泛应用的有机硅胶混合物的组配方式配制，例如，其中的有机硅组合物的组分可以被分为组分A(主要包含含乙烯基官能团的硅氧烷树脂、铂催化剂、添加剂等)和组分B((主要包含含乙烯基官能团的硅氧烷树脂、含Si-H官能团的硅氧烷树脂、添加剂等)，在使用时将两组分按一定比例混合，然后加入相应含量的荧光粉或荧光粉组合。
如下实施例中采用的无机填料、有机硅组合物(亦可认为是有机硅胶料)、荧光粉等均可以从市场途径获取。例如，其中的无机填料可以为TiO2(杜邦TS6300，D50＝0.53um)、SiO2(卡博特TS720)、Al2O3(百图高新材料股份有限公司，TPA-5、D50＝5um)、ZnO(腾太化工、D50＝50nm)、BN(百图高新材料股份有限公司ABN-5、D50＝5um)、MgO(百图高新材料股份有限公司，粒径约为10-20um)中一种或多种的组合。其中的有机硅胶料可以为低折PF1浆料或高折PF2浆料(购自弗洛里光电材料(苏州)有限公司)。
如下实施例中采用的含多个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物的结构式如下：
其中，含六个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物或其异构体可以通过如下方法合成：
(1)在N2气氛中，向装有温度计和冷凝器的三颈1000mL烧瓶中加入300g甲苯，再加入17.23g2,4,6,8-四乙烯基-2,4,6,8-四甲基环四硅氧烷(CAS号2554-06-5，2,4,6,8-Tetravinyl-2,4,6,8-tetramethylcyclotetrasiloxane)和0.44g铂催化剂，加热到70℃并用磁力搅拌器搅拌。
(2)通过100mL压力平衡加料漏斗将49.89g 1,1,5,5-四甲基-3,3-二苯基三硅氧烷(CAS号17875-55-7，1,1,5,5-Tetramethyl-3,3-diphenyltrisiloxane)和12.03g 2,4,6,8-四甲基环四硅氧烷(CAS号2370-88-9，2,4,6,8-Tetramethylcyclotetrasiloxane)的混合物滴加到步骤(1)所获的混合物中，于0.5～1.0h内滴加完毕，之后继续反应12h。烧瓶内的反应温度从69℃波动到80～90℃，用FT-IR和NMR光谱监测反应过程，待Vi官能度(Vifunctionality)消失后结束反应。
(3)将步骤(2)最终所获混合反应物转移到1L单颈烧瓶中，在高真空条件下用旋转蒸发器汽提取出甲苯，最终获得73g左右的无色油，即为目标产物，其1H NMR、13C NMR、FT-IR(亦请参阅图1)表征数据分别如下：1H NMR(400MHz,CDCl3):δ7.65-7.35；7.35-7.15；5.00-4.75；4.75-4.50；2.25；2.00；0.99；0.46；0.20-0.10；0.09-(-0.05)ppm.13C NMR(400MHz,CDCl3):δ135.78；135.34；133.68；129.49；127.29；8.94；8.05；7.62；0.34；0.28；-0.45；-0.88；-1.97ppm.FT-IR(neat)：3036；2965；2907；2126；1586；1254；1117；1045；987；896；837；778；772；763；713；681；622cm-1。该含六个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物或其异构体的折光率约1.5(25℃)，粘度约540cps(25℃)。
依据相同方法，通过调整各种原料的用量，可以实现含八个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物或含十个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物的合成。例如，在含八个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物的合成工艺中，于步骤(2)内，可以将33.26g 1,1,5,5-四甲基-3,3-二苯基三硅氧烷和24.05g 2,4,6,8-四甲基环四硅氧烷的混合物作为反应物。例如，在含十个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物的合成工艺中，于步骤(2)内，可以将16.63g 1,1,5,5-四甲基-3,3-二苯基三硅氧烷和36.03g 2,4,6,8-四甲基环四硅氧烷的混合物作为反应物。
在如下实施例中所涉及的多层复合膜的制程可以为：
(一)荧光胶层的制备：将荧光封装组合物倒置于平板或PET膜上，使用成膜器(例如上海普申化工机械有限公司的单面制备器)制成一定厚度的膜，在加热平台通过固化取得不流动、可剥离的胶膜(B-stage，free-standing)，即荧光胶层。
例如，本发明一个实施例中的一种荧光胶层的制备方法包括如下步骤：
(1)提供一种有机硅胶PF1浆料(购自弗洛里光电材料(苏州)有限公司)，其为一种有机硅组合物，包含数均分子量高于3×105g/mol的乙烯基硅氧烷基橡胶(组分1，SG6066,乙烯基二甲基硅烷基封端甲基乙烯基硅橡胶，vinyldimethylsilyl terminated MethylVinyl Silicone Gum，Power Chemicals Ltd，数均分子量450,000-600,000g/mol，乙烯基含量约0.90-1.10wt％)、含乙烯基官能团的硅氧烷树脂(组分2，A05-01-A，弗洛里光电材料(苏州)有限公司)、含Si-H官能团的硅氧烷树脂(组分3，A05-01-B,弗洛里光电材料(苏州)有限公司)、氢化硅烷化催化剂(组分4，SIP6832.2，Gelest，200ppm)、溶剂(4-甲基-2-戊酮，200g)等基础组分，当然还可包含其它辅助组分。
(2)在所述PF1浆料中以10：1的质量比例混入市售黄色荧光粉SDY558-15(烟台希尔德新材料有限公司)，再经双行星搅拌器混合均匀后，形成荧光封装组合物。
(3)采用制膜器(如1mm制膜器)或印刷方式，特别是丝网印刷方式将荧光封装组合物涂覆到基板上成膜，之后在100℃(通风橱内的加热平台)加热20min，获得荧光胶层。
其中，前述实施例的步骤(1)中涉及的荧光封装组合物亦由一种有机硅胶PF1浆料(购自弗洛里光电材料(苏州)有限公司)与荧光粉组合形成，其组分如下：数均分子量高于3×105g/mol的乙烯基硅氧烷基橡胶(SG6066,乙烯基二甲基硅烷基封端甲基乙烯基硅橡胶，vinyldimethylsilyl terminated Methyl Vinyl Silicone Gum，Power Chemicals Ltd，数均分子量约450,000-600,000g/mol，乙烯基含量约0.90-1.10wt％)4g、含乙烯基官能团的硅氧烷树脂(A05-01-A，弗洛里光电材料(苏州)有限公司)12.8g、乙烯基甲氧基硅氧烷均聚物(Vinylmethoxysiloxane Homopolymer VMM-010，Gelest)0.35g、含Si-H官能团的硅氧烷树脂(A05-01-B,弗洛里光电材料(苏州)有限公司)6.8g、氢化硅烷化催化剂(SIP6832.2，Gelest)20ppm、溶剂4-甲基-2戊酮20g，黄色荧光粉SDY558-15from烟台希尔德新材料有限公司35.5g。相应的，步骤(3)中采用的预固化条件为：110℃(通风橱内的加热平台)10min。其中，前述实施例的步骤(1)中涉及的荧光封装组合物亦由一种有机硅胶PF1浆料(购自弗洛里光电材料(苏州)有限公司)与荧光粉组合形成，其数均分子量高于3×105g/mol的乙烯基硅氧烷基橡胶(SG6066，乙烯基二甲基硅烷基封端甲基乙烯基硅橡胶，vinyldimethylsilyl terminated Methyl Vinyl Silicone Gum，Power Chemicals Ltd,数均分子量约450,000-600,000g/mol，乙烯基含量约0.90-1.10wt％)1.8g、含乙烯基官能团的硅氧烷树脂(A05-01-A，弗洛里光电材料(苏州)有限公司)4.6g、乙烯基甲氧基硅氧烷均聚物(Vinylmethoxysiloxane Homopolymer，VMM-010，Gelest)0.35g、含Si-H官能团的硅氧烷树脂(A05-01-B,弗洛里光电材料(苏州)有限公司)4.6g、氢化硅烷化催化剂(SIP6832.2，Gelest)10ppm、溶剂4-甲基-2戊酮9.0g，0.34g黄色荧光粉SDY558-15、20.1g绿色荧光粉SDG530H、1.2g红色荧光粉SSDR630Q-2(均购自烟台希尔德新材料有限公司)。
其中，前述实施例的步骤(1)中涉及的荧光封装组合物亦由一种有机硅胶PF1浆料(购自弗洛里光电材料(苏州)有限公司)与荧光粉组合形成，其数均分子量高于3×105g/mol的甲基苯基乙烯基硅氧烷基橡胶(Methyl Phenyl Vinyl Silicone Rubber，弗洛里光电材料(苏州)有限公司,数均分子量约500,000g/mol，苯基含量约30wt％，乙烯基含量约0.35-0.40wt％)3.7g、含苯基和乙烯基官能团的硅氧烷树脂(H20-01-A，弗洛里光电材料(苏州)有限公司)7.7g、含苯基和Si-H官能团的硅氧烷树脂(H20-01-B,弗洛里光电材料(苏州)有限公司)7.7g、氢化硅烷化催化剂(SIP6832.2，Gelest)10ppm、溶剂4-甲基-2戊酮1.2g，0.48g黄色荧光粉SDY558-15、14.3g绿色荧光粉SDG530H、0.86g红色荧光粉SSDR630Q-2(均购自烟台希尔德新材料有限公司)。将以上组分经双行星搅拌器混合均匀后得到一个荧光粉含量为44.9wt％的混合物。
其中，前述实施例的步骤(1)中涉及的荧光封装组合物亦由一种有机硅胶PF1浆料(购自弗洛里光电材料(苏州)有限公司)与荧光粉组合形成，该有机硅胶PF1浆料中溶剂组分PGMEA为50wt％，其中非溶剂组分包括：5wt％γ-氰丙基硅氧烷橡(MW＝4.12×105g/mol)、90wt％式I化合物(MW＝1.2×102g/mol)、5wt％式V化合物、1ppm氯铂酸。
其中，前述实施例的步骤(1)中涉及的荧光封装组合物亦由一种有机硅胶PF1浆料(购自弗洛里光电材料(苏州)有限公司)与荧光粉组合形成，该有机硅胶PF1浆料溶剂组分4-甲基-2-戊酮为50wt％，其中非溶剂组分包括：51wt％三氟丙基硅氧烷橡胶(MW＝1×108g/mol)、21wt％式III化合物(MW＝1.05×104g/mol)、28wt％式II化合物、100ppm双(乙基乙酰乙酸)铂。
其中，前述实施例的步骤(1)中涉及的荧光封装组合物亦可由具有下表1所示组成的有机硅组合物(命名为样品1、样品2)与荧光粉组合形成，
表1
表1中的QVA-22B是一种硅倍半氧烷树脂，含有多个苯基部分和多个乙烯基部分，折射率为1.547，乙烯基当量重量为1.6mmol/g，粘度为20000cps(25℃)，可从弗洛里光电材料(苏州)有限公司购得。交联剂采用前述的含六个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物。抑制剂采用2-苯基-3-丁炔-2-醇。铂催化剂可以采用业界常用的类型。这些抑制剂、催化剂都是可以从商购途径获取的。
该样品1、2及其完全固化物具有下表2所示特性：
表2
注：硬度Shore D(邵氏D)>>ShoreA(邵氏A)>>Shore OO(邵氏OO)。
(二)多层复合膜的制备：将热熔材料层(市售热熔胶膜)与荧光胶层贴合，获得所述多层复合膜。当然，也可以将熔融的热熔胶直接涂布在所述荧光胶层上(可使用或者不使用溶剂)，形成所述热熔材料层，获得所述多层复合膜。
或者，也可以在熔融为流体的热熔胶内均匀掺入荧光颗粒，之后再制备成膜状，获得热熔材料层。优选的，所述热熔胶材料层内荧光颗粒的种类、含量与前述荧光胶层中的相同或基本一致。
或者，也可以在熔融为流体的热熔胶内均匀掺入反光填料，之后再制备成膜状，获得热熔材料层。优选的，所述热熔胶材料层内反光填料的种类、含量可以如上文所述，即可以采用粒径为0.001～50μm的无机金属氧化物和/或无机金属盐，例如二氧化钛或硫酸钡，其添加量为5wt％～95wt％，优选为20wt％～50wt％。
前述实施例中，荧光胶层的厚度可以为50μm～150μm。前述热熔胶材料层的厚度可以为50μm～150μm。相应的，所述多层复合膜的厚度为100μm～300μm。
其中，前述热熔胶材料层被熔融为流体时的温度为40℃～250℃。
前述实施例提供的多层复合膜可以应用于半导体发光装置的封装。所述半导体发光装置包括一个或多个LED芯片。
例如，请参阅图6示出了应用前述实施例中的一种多层复合膜进行mini LED器件的封装，其可以包括如下步骤：
提供柔性电路板；
在柔性电路板上设置多个mini LED形成LED阵列，完成“固晶”；
将多层复合膜覆盖在LED阵列上，并使热熔材料层与LED阵列表面贴合，形成预封装结构；将预封装结构放置在加热平台上，并升温至足够使所述热熔材料层熔融为流体的温度(且不会对荧光胶膜造成损伤)，向荧光胶膜表面施加压力，使所述的流体离开各LED芯片的出光面，且使荧光胶膜与LED芯片出光面结合(此过程中，所述流体可以与B-stage的荧光胶膜一起在紫外光照、加热等条件下固化)，完成“封装”。
前述过程中采用的温度条件可以是30℃～250℃，优选为60℃～150℃，尤其优选为80℃～120℃，相应的加热时间可以控制10s～2000s。
前述过程中采用的压力条件可以是1Pa～1000000Pa，优选为10Pa～1000Pa，施加压力时间为0.1s～10000s，优选为10s～2000s。
前述的温度、压力条件的具体选择，可以依据荧光胶膜的材质、厚度以及热熔胶材料层的材质、厚度等而定。
在前述过程中，可以在完成“固晶”后，向形成的器件内通入电流，观察其发光情况，利于判别器件是否能够正常工作。
在前述过程中，还可以在完成“封装”后，向形成的器件内通入电流，观察其发光情况，利于判别器件是否能够正常工作，以及，多层复合膜是否能促成光的均匀、高效的转换。
进一步的，可以选取前述实施例制得的一个多层复合膜作为一个样品进行miniLED阵列的封装测试。该多层复合膜样品中荧光胶层的厚度为75um左右、热熔胶材料层的厚度为100um左右，该热熔胶材料层是透明的。
参照前文，将mini LED阵列固定到柔性电路板表面，完成“固晶”，通电测试后发现，此时器件的平均测试数值为：色坐标：(0.1555,0.0233)、色温≧100000K。之后将该多层复合膜样品贴到mini LED阵列表面，再在温度为150℃左右、压力为750Pa左右的条件下处理30min左右，最终获得的封装结构的俯视图如图7所示，其横向截面形貌如图8所示，可以看到，热熔胶基本汇聚到相邻LED芯片的间隙中，而在LED芯片的出光面上基本没有热熔胶残留，使得LED芯片出光面可与荧光胶层直接结合，同时，荧光胶层的部分区域填充入相邻LED芯片的间隙中，其中基本没有孔洞存在。如此，一方面可以使封装结构更薄，荧光胶层与LED芯片的结合更为牢固(两者几乎是不可被剥离的)，另一方面还可使封装结构在工作时的出光效率和品质更好。通电测试后发现，此时器件的平均测试数值为：色坐标：(0.2822,0.2597)、色温：12301K，Stdev值为：色坐标：(0.0015,0.0027)、色温：594K。
作为对比，可以将与该多层复合膜样品中的荧光胶膜具有相同组成、相同厚度的单层荧光膜也贴附到相同的mini LED阵列表面，再同样在温度为150℃左右、压力为750Pa左右的条件下处理30min左右。但最终所获封装结构中，单层荧光膜是较容易被剥离的，参阅图9。
另外，将由该多层复合膜样品封装的mini LED发光器件与由该单层荧光膜封装的mini LED发光器件进行出光均匀性、出光效率等方面的比较，本发明人非常惊喜的发现，前者在各方面均远远优于后者。
特别是对于前述基于含多个硅-氢键的苯基硅氧烷环氧化物的荧光封装组合物形成的多层复合膜来说，由其形成的封装结构呈现出具有更高折光率，可以实现更高的LED光提取效率，而且硬度更高、热稳定性更好。
此外，本案发明人还以前述的各种荧光胶膜，配合其它掺杂有荧光颗粒、掺杂有反光颗粒的热熔材料层，制成了其它一系列的多层复合膜样品，并参考前述过程进行了miniLED、晶圆级LED、micro LED的封装，且对其力学(可剥离性、硬度等)及光学性能(出光效率、光色均一性)等进行了测试，均获得了较为理想的测试结果。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。应当理解，上述实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (19)
1.一种半导体发光装置的封装方法，所述半导体发光装置包括一个以上半导体发光器件，其特征在于，所述封装方法包括：
提供多层复合膜，所述多层复合膜包括荧光胶层和热熔材料层，所述荧光胶层包括有机硅基体和均匀分散在所述有机硅基体中的荧光颗粒物，并且所述荧光胶层中的有机硅组合物是预固化的，所述荧光胶层用于与热熔材料层结合的表面具有压敏胶功能，所述热熔材料层由热熔胶形成，且在熔融后呈现为流体，当所述热熔材料层被熔融为流体时，所述荧光胶层至少能保持初始物理形貌；
将所述热熔材料层与所述半导体发光器件的出光面贴合；
之后，在指定的温度和压力条件下，使所述热熔材料层被熔融为所述流体，并使所述流体完全离开所述出光面，从而使所述荧光胶层与所述出光面直接贴合；
其后，使所述流体固化，从而将所述荧光胶层与所述半导体发光器件连接，
以及，使所述荧光胶层在光照条件和/或加热条件下完全固化。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述热熔材料层内还分布有荧光颗粒物。
3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述热熔材料层内分布有反光填料，并且所述热熔材料层在熔融后呈现为不透明流体，所述不透明流体在固化后能够形成具备反光性质的结构，所述反光填料为具有反光性能的无机金属氧化物和/或无机金属盐。
4.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于：所述反光填料为二氧化钛或硫酸钡，其粒径为0.001～50μm。
5.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于：所述热熔材料层内反光填料的含量为5wt%～95wt%。
6.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于：所述热熔材料层内反光填料的含量为20wt%～50wt%。
7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述热熔胶熔融后形成的流体粘度在100000cPs以下。
8.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述指定的压力条件是指施加的压力大小为1Pa～1000000Pa，施加压力时间为0.1s～10000s；所述指定的温度条件是指温度为30℃～250℃。
9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于：所述指定的压力条件是指施加的压力大小为10Pa～1000Pa，施加压力时间为10s～2000s；所述指定的温度条件是指温度为60℃～150℃。
10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于：所述指定的温度条件是指温度为80℃～120℃。
11.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述热熔材料层的厚度为1～500µm。
12. 根据权利要求1-2中任一项所述的封装方法，其特征在于：所述荧光颗粒物为荧光粉或荧光量子点，所述荧光粉的粒径为 0.001～50μm，所述荧光量子点的粒径为1.0～100nm。
13.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述荧光胶层的厚度为1～500µm。
14. 根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述多层复合膜的厚度为1～500 µm。
15.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述半导体发光装置包括结合在一基底表面的两个以上半导体发光器件，所述两个以上半导体发光器件彼此间隔设置，在所述指定的温度和压力条件下，所述流体离开所述出光面，并填充入相邻半导体发光器件之间的间隙内。
16.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，还包括：使填充入相邻半导体发光器件之间的间隙内的所述流体固化形成反光结构。
17.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：在所述指定的压力条件下，使所述荧光胶层的局部区域发生形变并进入所述相邻半导体发光器件之间的间隙内。
18.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述半导体发光器件包括LED芯片。
19.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述半导体发光装置包括mini-LED阵列或micro-LED阵列。
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