KR20140038772A - Cleaning apparatus - Google Patents

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KR20140038772A
KR20140038772A KR1020120105294A KR20120105294A KR20140038772A KR 20140038772 A KR20140038772 A KR 20140038772A KR 1020120105294 A KR1020120105294 A KR 1020120105294A KR 20120105294 A KR20120105294 A KR 20120105294A KR 20140038772 A KR20140038772 A KR 20140038772A
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김순철
임광민
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청진테크 주식회사
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

The present invention relates to a cleaning device. The present invention comprises a chamber housing; a collection cup which is installed in the chamber housing and has multi-stage collection spaces vertically; a wafer fixing unit which is placed in the collection cup and fastens or unfastens a wafer; a collection cup driving unit which places the wafer fixed at the wafer fixing unit to one position of the collection cup by moving the collection cup vertically; a wafer rotating unit which rotates the wafer fixing unit; a multiphase fluid injection unit which injects a multiphase fluid to the wafer while moving vertically and horizontally according to the positions of the wafer; an auxiliary fluid injection unit which is installed at the chamber housing and injects an auxiliary fluid to the wafer; and a injected material collection unit which collects injected materials gathering in each collection space of the collection cup. The cleaning device can minimize the use of a cleaning solution such as an alkaline cleaning solution and an acidic cleaning solution as well as collect the cleaning solution used for cleaning to reuse the cleaning solution. Also, the present invention cleans the central part and the edge of the wafer uniformly and shortens the time for cleaning the wafer.

Description

세정 장치{CLEANING APPARATUS}CLEANING APPARATUS

본 발명은 세정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning apparatus.

반도체 디바이스 제조공정에서는 웨이퍼에 패턴을 형성한 후 세정하는 세정 공정이 반복된다. 웨이퍼를 세정하는 이유는 포토레지스트막이나 폴리머막 등의 유기물이나 파티클 등을 제거하는 것이다. In the semiconductor device manufacturing process, a cleaning process is repeated in which a wafer is patterned and then cleaned. The reason for cleaning the wafer is to remove organic materials such as a photoresist film and a polymer film, particles and the like.

웨이퍼의 세정 공정은 웨이퍼를 회전시키는 상태에서 알칼리성 세정액과 산성 세정액의 조합이나 그 밖의 약품을 웨이퍼 세정면, 즉 상면에 분사하여 세정하게 된다.In the cleaning process of the wafer, a combination of the alkaline cleaning liquid and the acidic cleaning liquid or other chemicals is sprayed onto the cleaning surface of the wafer, that is, the upper surface, while the wafer is being rotated.

세정액으로 웨이퍼를 세정할 경우 세정액이 고가이고 환경 오염을 유발시키게 된다. 또한 웨이퍼의 중심부분과 가장자리 부분의 세정 정도가 차이가 발생되어 반도체 디바이스의 품질 저하를 유발시키게 된다. Cleaning the wafer with the cleaning liquid is expensive and causes environmental pollution. In addition, a difference occurs in the degree of cleaning of the center portion and the edge portion of the wafer, which causes deterioration of the quality of the semiconductor device.

본 발명의 목적은 알칼리성 세정액, 산성 세정액 등의 세정액 사용을 최소화할 뿐만 아니라 세정에 사용된 세정액을 재사용할 수 있도록 회수하는 세정 장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a cleaning apparatus which not only minimizes the use of cleaning liquids such as alkaline cleaning liquids and acidic cleaning liquids, but also recovers them to be reused.

또한, 본 발명의 다른 목적은 웨이퍼의 중간 부분과 가장 자리를 균일하게 세정하는 세정 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a cleaning apparatus for uniformly cleaning the middle portion and the edge of the wafer.

또한, 본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼를 세정하는 시간을 단축시키는 세정 장치를 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a cleaning apparatus that shortens the time for cleaning a wafer.

본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 챔버 하우징; 상기 챔버 하우징 내부에 구비되며, 상하 방향으로 다단의 회수공간들이 구비된 회수컵; 상기 회수컵 내부에 위치하며, 웨이퍼를 고정/해제시키는 웨이퍼 고정유닛; 상기 회수컵을 상하로 움직여 상기 웨이퍼 고정유닛에 고정된 웨이퍼를 상기 회수컵의 한 위치에 위치시키는 회수컵 구동유닛; 상기 웨이퍼 고정유닛을 회전시키는 웨이퍼 회전유닛; 상기 웨이퍼의 위치에 따라 상하 및 수평 방향으로 움직이면서 상기 웨이퍼에 다상 유체를 분사하는 다상유체 분사유닛; 상기 챔버 하우징에 구비되며, 상기 웨이퍼에 보조 유체를 분사하는 보조유체 분사유닛; 상기 회수컵의 각 회수공간에 모이는 분사물을 각각 회수하는 분사물 회수유닛을 포함하는 세정 장치가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention, the chamber housing; A recovery cup provided in the chamber housing, the recovery cup having multiple recovery spaces in a vertical direction; A wafer fixing unit positioned inside the recovery cup and configured to fix / release a wafer; A recovery cup driving unit which moves the recovery cup up and down to position the wafer fixed to the wafer fixing unit at one position of the recovery cup; A wafer rotating unit for rotating the wafer fixing unit; A multiphase fluid injection unit for injecting a multiphase fluid onto the wafer while moving in a vertical direction and a horizontal direction according to the position of the wafer; An auxiliary oil injection unit provided in the chamber housing and configured to inject an auxiliary fluid into the wiper; Provided is a cleaning apparatus including an injection recovery unit for recovering injections collected in each recovery space of the recovery cup.

상기 챔버 하우징에 상기 다상유체 분사유닛에서 분사되는 다상 유체가 상기 챔버 하우징의 외부로 누출되는 것을 방지하는 다상유체 누출방지유닛이 구비되는 것이 바람직하다.Preferably, the chamber housing is provided with a polyphase fluid leakage preventing unit for preventing the polyphase fluid injected from the polyphase fluid injection unit from leaking to the outside of the chamber housing.

상기 다상유체 누출방지유닛은 상기 챔버 하우징 내부에 위치하여 상기 회수컵을 둘러싸는 커버통과, 상기 챔버 하우징의 바깥 일측에 구비되며 상하 구동력을 발생시키는 커버통 구동유닛과, 상기 커버통과 커버통 구동유닛을 연결하는 커버통 연결부재와, 상기 커버통 연결부재의 움직임을 안내하는 가이드유닛을 포함하는 것이 바람직하다.The multi-phase fluid leakage preventing unit is located inside the chamber housing and surrounding the recovery cup, a cover cylinder driving unit provided on one side of the outside of the chamber housing and generating a vertical driving force, and the cover cylinder cover cover driving unit. It is preferred that the cover cylinder connecting member for connecting the guide unit for guiding the movement of the cover cylinder connecting member.

상기 다상유체 분사유닛을 통해 분사되는 다상 유체는 스팀과 순수와 압축건조공기를 혼합한 것이 바람직하다.The multiphase fluid injected through the multiphase fluid injection unit is preferably a mixture of steam, pure water, and compressed dry air.

상기 다상유체 분사유닛은 상기 챔버 하우징의 외측에 한쪽에 위치하는 가이드축들과; 상기 가이드축들에 상하로 움직임 가능하게 결합되는 베이스부재와; 상기 베이스부재를 상하로 움직이는 제1 구동유닛과; 상기 베이스부재에 수평으로 직선 움직임 가능하게 결합되는 고정부와, 상기 고정부에 절곡 연장되어 상기 챔버 하우징의 상측에 위치하는 장착부를 포함하는 노즐지지부재와; 상기 노즐지지부재의 장착부에 장착되며 다상 유체가 분사되는 노즐부재와; 상기 노즐지지부재를 움직이는 제2 구동유닛을 포함하는 것이 바람직하다.The multi-phase fluid injection unit and the guide shaft which is located on one side outside the chamber housing; A base member coupled to the guide shafts so as to be movable up and down; A first drive unit moving the base member up and down; A nozzle support member including a fixing part coupled to the base member so as to be linearly movable horizontally, and a mounting part bent to the fixing part and positioned above the chamber housing; A nozzle member mounted to a mounting portion of the nozzle support member and to which a multiphase fluid is injected; It is preferable to include a second drive unit for moving the nozzle support member.

상기 보조유체 분사유닛은 제1세정액을 분사시키는 제1세정액 분사유닛과, 제2세정액을 분사시키는 제2세정액 분사유닛과, 순수를 분사시키는 순수 분사유닛과, 웨이퍼 건조에 필요한 질소를 분사시키는 질소 분사유닛을 포함하는 것이 바람직하다.The auxiliary fluid injection unit includes a first cleaning liquid injection unit for injecting a first cleaning liquid, a second cleaning liquid injection unit for injecting a second cleaning liquid, a pure water injection unit for injecting pure water, and nitrogen for injecting nitrogen required for wafer drying. It is preferable to include an injection unit.

상기 제1,2세정액 분사유닛은 각각 굴곡진 형태로 형성되는 분사관과, 상기 분사관의 단부에 연결되는 노즐과, 상기 분사관의 한쪽 끝부분을 기준으로 상기 분사관을 각회전시키는 분사관 회전유닛을 포함하는 것이 바람직하다.The first and second cleaning liquid injection units each have an injection pipe formed in a curved shape, a nozzle connected to an end of the injection pipe, and an injection pipe for rotating each of the injection pipes based on one end of the injection pipe. It is preferable to include a rotating unit.

상기 분사물 회수유닛은 상기 회수컵의 각 회수공간과 연통되도록 상기 회수컵에 각각 연결되는 복수 개의 회수관들과, 상기 각 회수관에 연결되는 회수통을 포함하는 것이 바람직하다.The spray recovery unit preferably includes a plurality of recovery pipes connected to the recovery cups so as to communicate with each recovery space of the recovery cup, and a recovery container connected to each recovery pipe.

본 발명은 스팀을 포함하는 다상 유체, 제1세정액, 제2세정액, 순수, 질소를 각각 웨이퍼에 분사되는 과정에서, 다상 유체는 드레인 통로를 통해 배출되고, 제1세정액은 회수컵의 제1 회수공간으로 유입되어 제2 회수관을 통해 제2 회수통에 회수되고, 제2세정액은 회수컵의 제1 회수공간으로 유입되어 제1 회수관을 통해 제1 회수통에 회수된다. 이와 같이, 웨이퍼에 각각 분사되는 다상 유체, 제1세정액, 제2세정액, 순수, 질소가 서로 혼합되지 않고 제1세정액과 제2세정액이 각각 분리 회수되므로 제1,2세정액의 재사용이 가능하게 된다. 이로 인하여, 약액인 제1,2세정액의 사용을 감소시키게 된다.In the present invention, in the process of spraying the multiphase fluid containing steam, the first cleaning liquid, the second cleaning liquid, pure water, and nitrogen onto the wafer, the polyphase fluid is discharged through the drain passage, and the first cleaning liquid is the first recovery of the recovery cup. The liquid flows into the space and is recovered in the second collecting container through the second collecting pipe, and the second washing liquid is introduced into the first collecting space of the collecting cup and collected in the first collecting container through the first collecting pipe. In this way, the first and second cleaning liquids are separately collected and recovered without mixing the polyphase fluid, the first cleaning liquid, the second cleaning liquid, the pure water, and the nitrogen which are respectively injected onto the wafer, thereby enabling reuse of the first and second cleaning liquids. . This reduces the use of the first and second cleaning liquids.

또한, 본 발명은 스팀을 포함한 다상 유체를 분사하는 노즐부재가 버큠척에 흡착된 상태로 회전하는 웨이퍼의 가장자리부터 가운데 부분으로 직선으로 이동하면서 다상 유체를 분사하게 되므로 웨이퍼의 세정면 전체가 골고루 균일하게 세정된다. 이로 인하여, 웨이퍼의 세정 효과를 높이게 된다. In addition, the present invention is a nozzle member for injecting a multi-phase fluid including steam is sprayed in a multi-phase fluid while moving in a straight line from the edge of the rotating wafer in the state adsorbed on the chuck chuck uniformly uniform cleaning surface of the wafer It is washed. This increases the cleaning effect of the wafer.

또한, 본 발명은 제1세정액 분사유닛을 통해 웨이퍼에 제1세정액을 분사한 후 노즐부재를 통해 스팀, 순수, 압축건조공기의 다상 유체를 웨이퍼에 분사하고 이어 제1세정액을 분사하는 과정을 반복하게 되므로 웨이퍼의 도포 물질이 빠르고 효과적으로 제거된다. 즉, 웨이퍼의 도포 물질이 제1세정액에 의해 세정되고, 이어 스팀, 순수, 압축건조공기가 혼합된 다상 유체로 웨이퍼의 도포 물질을 세정하게 되므로 웨이퍼의 도포 물질을 효과적으로 빠르게 제거하게 된다. 이로 인하여, 세정 공정 시간을 단축시키게 된다.In addition, the present invention is spraying the first cleaning liquid to the wafer through the first cleaning liquid injection unit and then spraying the multi-phase fluid of steam, pure water, compressed dry air to the wafer through the nozzle member and then spraying the first cleaning liquid As a result, the coating material of the wafer is quickly and effectively removed. That is, the coating material of the wafer is cleaned by the first cleaning solution, and then the coating material of the wafer is cleaned with a multiphase fluid mixed with steam, pure water, and compressed dry air, thereby effectively and quickly removing the coating material of the wafer. For this reason, the washing | cleaning process time is shortened.

도 1은 본 발명에 따른 세정 장치의 일실시예를 도시한 평면도,
도 2는 본 발명에 따른 세정 장치의 일실시예를 도시한 정면도,
도 3은 본 발명에 따른 세정 장치의 일실시예를 도시한 정단면도,
도 4는 본 발명에 따른 세정 장치의 일실시예를 구성하는 분사물 회수유닛을 도시한 단면도.1 is a plan view showing an embodiment of a cleaning apparatus according to the present invention,
2 is a front view showing an embodiment of a cleaning apparatus according to the present invention,
3 is a front sectional view showing one embodiment of a cleaning apparatus according to the present invention;
Figure 4 is a cross-sectional view showing a spray recovery unit constituting an embodiment of the cleaning apparatus according to the present invention.

이하, 본 발명에 따른 세정 장치의 실시예를 첨부도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a cleaning apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 세정 장치의 일실시예를 도시한 평면도이다. 도 2는 본 발명에 따른 세정 장치의 일실시예를 도시한 정면도이다. 도 3은 본 발명에 따른 세정 장치의 일실시예를 도시한 정단면도이다. 1 is a plan view showing an embodiment of a cleaning apparatus according to the present invention. 2 is a front view showing an embodiment of a cleaning apparatus according to the present invention. Figure 3 is a front sectional view showing an embodiment of the cleaning apparatus according to the present invention.

도 1, 2, 3에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 세정 장치는 챔버 하우징(100), 회수컵(200), 웨이퍼 고정유닛(300), 회수컵 구동유닛(400), 웨이퍼 회전유닛(500), 다상유체 분사유닛(600), 보조유체 분사유닛(700), 분사물 회수유닛(800)을 포함한다.1, 2, 3, the cleaning apparatus according to the present invention is a chamber housing 100, recovery cup 200, wafer holding unit 300, recovery cup drive unit 400, wafer rotation unit ( 500), the multi-phase fluid injection unit 600, the auxiliary fluid injection unit 700, the spray recovery unit 800.

상기 챔버 하우징(100)은 베이스 프레임(10)의 상면에 구비된다. 상기 챔버 하우징(100)은 상측이 개구된 사각통 형상으로 형성됨이 바람직하다.The chamber housing 100 is provided on an upper surface of the base frame 10. The chamber housing 100 is preferably formed in a rectangular cylinder shape of the upper side is opened.

상기 회수컵(200)은 상기 챔버 하우징(100)의 내부에 구비된다. 상기 회수컵(200)은 상측이 개구되고 하면에 관통구멍이 구비된 원통체(210)와, 상기 원통체(210)의 내주면에 구비된 링 형상의 제1 환형구획판(220)과, 상기 제1 환형구획판(220)의 위쪽에 위치하도록 상기 원통체(210)의 내주면에 위치하는 링 형상의 제2 환형구획판(230)과, 상기 제2 환형구획판(230)의 위쪽에 위치하도록 상기 원통체(210)의 상단에 위치하는 제3 환형구획판(240)을 포함한다. 상기 제1 환형구획판(220), 제2 환형구획판(230), 제3 환형구획판(240)의 내경은 각각 서로 같은 것이 바람직하며, 각 구획판은 중심을 향하여 경사진다. 상기 제1 환형구획판(220)과 제2 환형구획판(230) 사이의 공간을 제1 회수공간이라 하고, 제2 환형구획판(230)과 제3 환형구획판(240) 사이의 공간을 제2 회수공간이라 한다.The recovery cup 200 is provided inside the chamber housing 100. The recovery cup 200 has a cylindrical body 210 having an upper side thereof and a through hole at a lower surface thereof, a ring-shaped first annular partition plate 220 provided on an inner circumferential surface of the cylindrical body 210, and A ring-shaped second annular partition plate 230 located on the inner circumferential surface of the cylindrical body 210 and located above the second annular partition plate 230 so as to be positioned above the first annular partition plate 220. It includes a third annular partition plate 240 located on the upper end of the cylindrical body 210. The inner diameter of the first annular partition plate 220, the second annular partition plate 230, and the third annular partition plate 240 is preferably the same as each other, and each partition plate is inclined toward the center. A space between the first annular partition plate 220 and the second annular partition plate 230 is called a first recovery space, and a space between the second annular partition plate 230 and the third annular partition plate 240 is defined. It is called a second collection space.

상기 웨이퍼 고정유닛(300)은 웨이퍼를 수평으로 고정하거나 그 고정을 해제시킨다. 상기 웨이퍼 고정유닛(300)은 상기 회수컵(200)의 내부에 위치한다. 상기 웨이퍼 고정유닛(300)은 웨이퍼가 수평상으로 놓여지는 버큠척(310)과, 상기 버큠척(310)에 연결되며 상기 버큠척(310)에 버큠이 공급되는 버큠라인(320)을 포함한다.The wafer fixing unit 300 fixes the wafer horizontally or releases the fixing thereof. The wafer fixing unit 300 is located inside the recovery cup 200. The wafer fixing unit 300 includes a chuck chuck 310 on which the wafer is placed horizontally, and a chuck line 320 connected to the chuck chuck 310 and supplied with the chuck chuck 310. .

상기 회수컵 구동유닛(400)은 상기 회수컵(200)을 상하로 움직인다. 상기 회수컵 구동유닛(400)이 회수컵(200)을 상하로 움직여 상기 웨이퍼 고정유닛(300)에 고정된 웨이퍼가 상기 회수컵(200)의 제1 환형구획판(220), 제2 환형구획판(230), 또는 제3 환형구획판(240)의 내주면과 동일선상에 위치하도록 위치시킨다. 상기 회수컵 구동유닛(400)은 상기 회수컵(200)에 연결되는 회수컵 지지부재(410)와, 상기 챔버 하우징(100)의 아래쪽에 구비되며 상기 회수컵 지지부재(410)를 상하로 움직이는 엑츄에이터(420)를 포함한다. 상기 엑츄에이터(420)의 작동에 따라 상기 회수컵(200)이 상하로 움직인다. 상기 회수컵 구동유닛(400)은 다양한 형태로 구현될 수 있다.The recovery cup drive unit 400 moves the recovery cup 200 up and down. The recovery cup driving unit 400 moves the recovery cup 200 up and down so that the wafer fixed to the wafer fixing unit 300 is the first annular partition plate 220 and the second annular partition of the recovery cup 200. The plate 230 or the third annular partition plate 240 is positioned in line with the inner circumferential surface. The recovery cup drive unit 400 is provided below the recovery cup support member 410 connected to the recovery cup 200 and the chamber housing 100 and moves the recovery cup support member 410 up and down. Actuator 420 is included. The recovery cup 200 moves up and down according to the operation of the actuator 420. The recovery cup drive unit 400 may be implemented in various forms.

상기 웨이퍼 회전유닛(500)은 상기 웨이퍼 고정유닛(300)에 고정된 웨이퍼가 회전하도록 상기 웨이퍼 고정유닛(300)을 회전시킨다. 상기 웨이퍼 회전유닛(500)은 상기 웨이퍼 고정유닛(300)의 버큠척(310)에 연결되는 중공축(510)과, 상기 중공축(510)에 연결되는 중공모터(520)를 포함한다. 상기 중공축(510)과 중공모터(520)의 내부에 상기 버큠라인(320)이 위치한다.The wafer rotating unit 500 rotates the wafer fixing unit 300 to rotate the wafer fixed to the wafer fixing unit 300. The wafer rotating unit 500 includes a hollow shaft 510 connected to the chuck 310 of the wafer fixing unit 300, and a hollow motor 520 connected to the hollow shaft 510. The vacuum line 320 is positioned inside the hollow shaft 510 and the hollow motor 520.

상기 다상유체 분사유닛(600)은 상기 웨이퍼의 위치에 따라 상하 및 수평 방향으로 움직이면서 상기 웨이퍼에 다상 유체(multi-phase fluid)를 분사한다. 상기 다상 유체는 스팀(steam)과 순수(deionized water)와 압축건조공기(CDA;Compressed Dry Air)를 포함하는 것이 바람직하다. The multi-phase fluid injection unit 600 injects a multi-phase fluid to the wafer while moving in the vertical and horizontal directions according to the position of the wafer. Preferably, the multiphase fluid includes steam, deionized water, and compressed dry air (CDA).

상기 다상유체 분사유닛(600)의 일실시예로, 상기 다상유체 분사유닛(600)은 가이드축(610)들, 베이스부재(620), 제1 구동유닛(630), 노즐지지부재(640), 노즐부재(650), 제2 구동유닛(660)을 포함한다. 상기 가이드축(610)들은 두 개이며 상기 챔버 하우징(100)의 외측 한쪽에 서로 일정 간격을 두고 위치한다. 상기 베이스부재(620)는 소정의 면적을 가지며 양쪽 단부가 상기 두 개의 가이드축(610)들에 각각 상하로 움직임 가능하게 결합된다. 상기 제1 구동유닛(630)은 상기 베이스부재(620)를 상하로 움직이며, 상기 베이스부재(620)는 가이드축(610)들을 따라 움직인다. 상기 제1 구동유닛(630)은 상기 베이스부재(620)와 연결되는 연결부재(631)와 상기 챔버 하우징(100)의 하부에 장착되어 상기 연결부재(631)에 연결되는 엑츄에이터(632)를 포함한다. 상기 엑츄에이터(632)는 에어 실린더인 것이 바람직하다. 상기 제1 구동유닛(630)은 다양한 형태로 구현될 수 있다. 상기 노즐지지부재(640)는, 기역자 형태로, 일정 길이를 가지며 상기 베이스부재(620)에 움직임 가능하게 결합되는 고정부(641)와, 상기 고정부(641)에 절곡된 형태로 일정 길이 연장되며 상기 노즐부재(650)가 장착되는 장착부(642)를 포함한다. 상기 베이스부재(620)에 상하 일정 간격을 두고 두 개의 가이드 레일(621)들이 구비되고 상기 가이드 레일(621)에 슬라이딩 가능하게 슬라이딩블록(622)이 구비되고, 상기 슬라이딩블록(622)들에 상기 노즐지지부재(640)의 고정부(641)가 연결된다. 상기 노즐부재(650)는 상기 노즐지지부재(640)의 장착부(642)에 장착되는 것이 바람직하다. 상기 노즐부재(650)는 다상 유체를 분사한다. 상기 노즐부재(650)에 스팀이 공급되는 스팀공급라인(L1)과 순수가 공급되는 순수공급라인(L2)과 압축건조공기가 공급되는 압축공기공급라인(L3)이 연결된다. 상기 제2 구동유닛(660)은 상기 노즐지지부재(640)를 직선 왕복 운동시킨다. 상기 제2 구동유닛(660)은 상기 베이스부재(620)에 구비되는 것이 바람직하다. 상기 제2 구동유닛(660)은 리니어모터를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 제2 구동유닛(660)은 볼스크류 어셈블리를 포함할 수 있다. 상기 제1 구동유닛(630)이 베이스부재(620)를 상하로 이동시킴에 따라 노즐부재(650)가 상하로 움직이며, 상기 제2 구동유닛(660)이 노즐지지부재(640)를 수평방향으로 직선으로 이동시킴에 따라 노즐부재(650)가 수평으로 움직인다. 즉, 상기 제1,2 구동유닛(630)(660)의 작동에 따라 노즐부재(650)가 상하 및 수평방향으로 움직이면서 다상 유체를 상기 웨이퍼 고정유닛(300)에 고정된 웨이퍼에 분사하게 된다.In one embodiment of the multi-phase fluid injection unit 600, the multi-phase fluid injection unit 600 is a guide shaft 610, the base member 620, the first drive unit 630, the nozzle support member 640 , A nozzle member 650, and a second driving unit 660. The guide shafts 610 are two and positioned at a predetermined distance from each other on the outer side of the chamber housing 100. The base member 620 has a predetermined area and both ends are coupled to the two guide shafts 610 so as to be movable up and down, respectively. The first driving unit 630 moves the base member 620 up and down, and the base member 620 moves along the guide shafts 610. The first driving unit 630 includes a connection member 631 connected to the base member 620 and an actuator 632 mounted to the lower portion of the chamber housing 100 and connected to the connection member 631. do. It is preferable that the actuator 632 is an air cylinder. The first driving unit 630 may be implemented in various forms. The nozzle support member 640 has a fixed length, and has a fixed length 641 is coupled to the base member 620 so as to be movable, and extends a predetermined length in the form bent to the fixing portion 641 And a mounting unit 642 on which the nozzle member 650 is mounted. Two guide rails 621 are provided on the base member 620 at regular intervals up and down, and a sliding block 622 is provided on the guide rail 621 so as to be slidable. The fixing part 641 of the nozzle support member 640 is connected. The nozzle member 650 is preferably mounted to the mounting portion 642 of the nozzle support member 640. The nozzle member 650 uses a multiphase fluid. A steam supply line L1 to which steam is supplied to the nozzle member 650, a pure water supply line L2 to which pure water is supplied, and a compressed air supply line L3 to which compressed dry air is supplied are connected. The second driving unit 660 linearly reciprocates the nozzle support member 640. The second driving unit 660 is preferably provided in the base member 620. The second drive unit 660 preferably includes a linear motor. The second drive unit 660 may include a ball screw assembly. As the first drive unit 630 moves the base member 620 up and down, the nozzle member 650 moves up and down, and the second drive unit 660 moves the nozzle support member 640 in the horizontal direction. The nozzle member 650 moves horizontally as it moves in a straight line. That is, the nozzle member 650 moves in the vertical and horizontal directions in accordance with the operation of the first and second driving units 630 and 660 to spray the multiphase fluid onto the wafer fixed to the wafer fixing unit 300.

상기 챔버 하우징(100)에 다상유체 누출방지유닛(900)이 구비되는 것이 바람직하다. 상기 다상유체 누출방지유닛(900)은 상기 다상유체 분사유닛(600)의 노즐부재(650)에서 분사되는 다상 유체가 상기 챔버 하우징(100)의 외부로 누출되는 것을 방지한다. 상기 다상유체 누출방지유닛(900)의 일실시예로, 상기 다상유체 누출방지유닛(900)은 상기 챔버 하우징(100) 내부에 위치하여 상기 회수컵(200)을 둘러싸는 커버통(910)과, 상기 챔버 하우징(100)의 바깥 일측에 구비되며 상하 구동력을 발생시키는 커버통 구동유닛(920)과, 상기 커버통(910)과 커버통 구동유닛(920)을 연결하는 커버통 연결부재(930)와, 상기 커버통 연결부재(930)의 움직임을 안내하는 가이드유닛(940)을 포함한다. 상기 커버통(910)은 상하측이 개구된 사각통 형상으로 그 사각통의 각 모서리는 라운딩된 형상으로 형성된다. 상기 커버통 구동유닛(920)은 엑츄에이터를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 엑츄에이터는 에어 실린더인 것이 바람직하다. 상기 커버통 연결부재(930)는 디귿자 형상으로 상기 챔버 하우징(100)의 세 개의 측면들에 걸쳐 위치하는 디귿자형 측면연결부(931)와, 상기 디귿자형 측면연결부(931)의 양단부 상면에 각각 연장 절곡되어 상기 커버통(910)의 상부에 각각 연결되는 상부연결부(932)들과, 상기 디귿자형 측면연결부(931)의 한쪽 단부와 상기 커버통 구동유닛(920)을 연결하는 구동연결부(933)를 포함한다. 상기 가이드유닛(940)은 디귿자형 측면연결부(931)의 양단부가 각각 위치하는 상기 챔버 하우징(100)의 두 개의 측면에 각각 구비되는 것이 바람직하다. 상기 가이드유닛(940)은 상기 챔버 하우징(100)의 측면에 결합되는 가이드 레일(941)과 상기 가이드 레일(941)이 슬라이딩 가능하게 결합되는 슬라이딩블록(942)을 포함하며, 상기 슬라이딩블록(942)은 디귿자형 측면연결부(931)의 단부에 연결된다. Preferably, the chamber housing 100 is provided with a multiphase fluid leakage preventing unit 900. The polyphase fluid leakage preventing unit 900 prevents the polyphase fluid injected from the nozzle member 650 of the polyphase fluid injection unit 600 to leak out of the chamber housing 100. In one embodiment of the polyphase fluid leakage prevention unit 900, the polyphase fluid leakage prevention unit 900 is located in the chamber housing 100 and the cover cylinder 910 surrounding the recovery cup 200 and; Is provided on the outer side of the chamber housing 100, the cover cylinder drive unit 920 for generating a vertical driving force, the cover cylinder connecting member 930 for connecting the cover cylinder 910 and the cover cylinder drive unit 920 And, the guide unit 940 for guiding the movement of the cover connecting member 930. The cover cylinder 910 has a rectangular cylinder shape of which the upper and lower sides are opened, each corner of the rectangular cylinder is formed in a rounded shape. The cover cylinder drive unit 920 preferably includes an actuator. Preferably, the actuator is an air cylinder. The cover cylinder connecting member 930 extends to the upper surface of both ends of the recessed side connection portion 931 and the recessed side connection portion 931 positioned over the three sides of the chamber housing 100 in a recessed shape. The upper connecting portion 932 which is bent and connected to the upper portion of the cover cylinder 910, and the driving connecting portion 933 which connects one end of the dish-shaped side connecting portion 931 and the cover cylinder driving unit 920. It includes. The guide unit 940 is preferably provided on each of two side surfaces of the chamber housing 100 where both ends of the recessed side connection portion 931 are located. The guide unit 940 includes a guide rail 941 coupled to the side of the chamber housing 100 and a sliding block 942 to which the guide rail 941 is slidably coupled, and the sliding block 942. ) Is connected to the end of the recessed side connection portion 931.

상기 커버통 구동유닛(920)이 커버통 연결부재(930)를 상하로 움직이면 상기 커버통 연결부재(930)가 가이드유닛(940)을 따라 상하로 움직이면서 커버통 연결부재(930)에 연결된 커버통(910)을 상하로 움직이게 된다.When the cover cylinder driving unit 920 moves the cover cylinder connecting member 930 up and down, the cover cylinder connecting member 930 moves up and down along the guide unit 940 while being connected to the cover cylinder connecting member 930. 910 is moved up and down.

상기 보조유체 분사유닛(700)은 상기 챔버 하우징(100)에 구비된다. 상기 보조유체 분사유닛(700)은 제1세정액을 분사시키는 제1세정액 분사유닛(710)과, 제2세정액을 분사시키는 제2세정액 분사유닛(720)과, 순수를 분사시키는 순수 분사유닛(730)과, 질소를 분사시키는 질소분사유닛(740)을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 제1 세정액은 ELS이고, 상기 제2 세정액은 이소프로필알코올이 될 수 있다.The auxiliary fluid injection unit 700 is provided in the chamber housing 100. The auxiliary fluid injection unit 700 includes a first cleaning liquid injection unit 710 for injecting a first cleaning liquid, a second cleaning liquid injection unit 720 for injecting a second cleaning liquid, and a pure water injection unit 730 for injecting pure water. ), And a nitrogen injection unit 740 for injecting nitrogen. The first cleaning liquid may be ELS, and the second cleaning liquid may be isopropyl alcohol.

상기 제1세정액 분사유닛(710)은 상기 챔버 하우징(100)의 한쪽 모서리에 구비된다. 상기 제1세정액 분사유닛(710)은 굴곡진 형태로 형성되는 분사관(711)과, 상기 분사관(711)의 단부에 연결되는 노즐(712)과, 상기 분사관(710)의 한쪽 끝부분을 기준으로 상기 분사관(711)을 각회전시키는 분사관 회전유닛(713)을 포함한다. 상기 분사관(711)의 다른 한쪽 끝에 제1세정액이 공급되는 제1세정액 공급라인(미도시)이 연결된다. The first cleaning liquid injection unit 710 is provided at one corner of the chamber housing 100. The first cleaning liquid injection unit 710 has a spray pipe 711 formed in a curved shape, a nozzle 712 connected to the end of the spray pipe 711, and one end of the spray pipe 710 It includes a spray pipe rotating unit 713 for rotating the spray pipe 711 on the basis of. A first cleaning liquid supply line (not shown) to which the first cleaning liquid is supplied is connected to the other end of the injection pipe 711.

상기 제2세정액 분사유닛(720)은 상기 챔버 하우징(100)의 다른 한쪽 모서리에 구비된다. 상기 제2세정액 분사유닛(720)은 굴곡진 형태로 형성되는 분사관(721)과, 상기 분사관(721)의 단부에 연결되는 노즐(722)과, 상기 분사관(721)의 한쪽 끝부분을 기준으로 상기 분사관(721)을 각회전시키는 분사관 회전유닛(723)을 포함한다. 상기 분사관(721)의 다른 한쪽 끝에 제2세정액이 공급되는 제2세정액 공급라인(미도시)이 연결된다.The second cleaning liquid injection unit 720 is provided at the other corner of the chamber housing 100. The second cleaning liquid injection unit 720 is a spray pipe 721 formed in a curved shape, a nozzle 722 connected to the end of the spray pipe 721, and one end of the spray pipe 721 It includes a spray pipe rotating unit 723 for rotating the spray pipe 721 on the basis of. A second cleaning liquid supply line (not shown) to which the second cleaning liquid is supplied is connected to the other end of the injection pipe 721.

상기 순수 분사유닛(730)은 상기 챔버 하우징(100)의 한쪽 내측면에 구비된 복수 개의 순수 분사관(731)들을 포함한다. 상기 복수 개의 순수 분사관(731)들의 각 한쪽 끝은 상기 회수컵(200)쪽을 향한다. 상기 복수 개의 순수 분사관(731)들의 각 다른 한쪽 끝은 순수 공급라인(미도시)에 연결된다.The pure water injection unit 730 includes a plurality of pure water injection pipes 731 provided on one inner side surface of the chamber housing 100. One end of each of the plurality of pure water injection tubes 731 faces the recovery cup 200. The other end of each of the plurality of pure water injection pipes 731 is connected to a pure water supply line (not shown).

상기 질소 분사유닛(740)은 상기 순수 분사관의 옆에 위치하는 질소 분사관을 포함하며, 상기 질소 분사관의 한쪽 끝은 상기 회수컵(200)쪽을 향하고 질소 분사관의 다른 한쪽은 질소 공급라인(미도시)과 연결된다.The nitrogen injection unit 740 includes a nitrogen injection tube located next to the pure water injection tube, one end of the nitrogen injection tube toward the recovery cup 200 and the other side of the nitrogen injection tube is supplied with nitrogen It is connected to a line (not shown).

상기 분사물 회수유닛(800)은, 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 회수컵(200)의 각 회수공간에 모이는 제1 세정액과 제2 세정액을 각각 회수한다. 상기 분사물 회수유닛(800)은 상기 제1 회수공간과 연통되도록 상기 회수컵(200)의 외주면에 연결되는 제1 회수관(810)과, 상기 제1 회수관(810)에 연결되는 제1 회수통(820)과, 상기 제2 회수공간과 연통되도록 상기 회수컵(200)의 외주면에 연결되는 제2 회수관(830)과, 상기 제2 회수관(830)에 연결되는 제2 회수통(840)을 포함한다.As shown in FIG. 4, the spray recovery unit 800 recovers the first cleaning liquid and the second cleaning liquid collected in each recovery space of the recovery cup 200. The spray recovery unit 800 includes a first recovery pipe 810 connected to an outer circumferential surface of the recovery cup 200 so as to communicate with the first recovery space, and a first connection pipe connected to the first recovery pipe 810. A recovery container 820, a second recovery pipe 830 connected to an outer circumferential surface of the recovery cup 200 so as to communicate with the second recovery space, and a second recovery container connected to the second recovery pipe 830. 840.

상기 챔버 하우징(100)의 한쪽 외측면에 챔버 하우징(100)의 내부 하면과 드레인 통로(850)가 연결되며, 상기 드레인 통로(850)에 기액분리통(미도시)이 연결된다.An inner bottom surface of the chamber housing 100 and a drain passage 850 are connected to one outer side surface of the chamber housing 100, and a gas-liquid separator (not shown) is connected to the drain passage 850.

이하, 본 발명에 따른 세정 장치의 작용과 효과를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation and effects of the cleaning apparatus according to the present invention will be described.

먼저, 웨이퍼 고정유닛(300)의 버큠척(310)에 웨이퍼를 고정시킨다. 웨이퍼는 두 가지 모드로 세정할 수 있다. 제1 모드는 스팀, 순수, 압축건조공기의 다상 유체만으로 웨이퍼에 분사시켜 웨이퍼를 세정한다. 제2 모드는 다상 유체와 제1세정액을 반복적으로 웨이퍼에 분사하면서 웨이퍼를 세정한다.First, the wafer is fixed to the chuck 310 of the wafer fixing unit 300. The wafer can be cleaned in two modes. The first mode is to spray the wafers on the wafers with only polyphase fluid of steam, pure water, and compressed dry air to clean the wafers. The second mode cleans the wafer while repetitively spraying the polyphase fluid and the first cleaning liquid onto the wafer.

제1 모드로 버큠척(310)에 고정된 웨이퍼를 세정하는 동작은 다음과 같다. The operation of cleaning the wafer fixed to the chuck 310 in the first mode is as follows.

회수컵 구동유닛(400)의 엑츄에이터(420)가 작동하여 회수컵(200)의 제3 환형구획판(240)이 웨이퍼와 동일 선상에 위치하도록 회수컵(200)을 이동시킨다. 다상유체 분사유닛(600)의 제1,2 구동유닛(630)(660)이 각각 작동하여 초기 위치에 있는 노즐부재(650)를 세정 위치로 이동시킨다. 다상유체 누출방지유닛(900)의 커버통 구동유닛(920)이 작동하여 커버통(910)을 설정된 위치로 이동시킨다. 웨이퍼 회전유닛(500)이 웨이퍼 고정유닛(300)의 버큠척(310)을 회전시킴에 의해 웨이퍼를 회전시킨다. 다상유체 분사유닛(600)의 제2 구동유닛(660)이 작동하여 노즐부재(650)를 수평으로 이동시키면서 노즐부재(650)가 다상 유체를 웨이퍼의 상면에 분사시킨다. 노즐부재(650)가 웨이퍼 위에서 설정된 횟수로 직선 왕복 운동하면서 웨이퍼 상면에 다상 유체를 분사하면서 웨이퍼의 상면을 세정하게 된다.The actuator 420 of the recovery cup driving unit 400 operates to move the recovery cup 200 such that the third annular partition plate 240 of the recovery cup 200 is positioned on the same line as the wafer. The first and second drive units 630 and 660 of the multiphase fluid injection unit 600 operate to move the nozzle member 650 in the initial position to the cleaning position. The cover cylinder driving unit 920 of the polyphase fluid leakage prevention unit 900 is operated to move the cover cylinder 910 to a set position. The wafer rotating unit 500 rotates the wafer chuck 310 of the wafer fixing unit 300 to rotate the wafer. The second drive unit 660 of the polyphase fluid injection unit 600 operates to move the nozzle member 650 horizontally while the nozzle member 650 injects the polyphase fluid onto the upper surface of the wafer. The nozzle member 650 cleans the upper surface of the wafer while spraying a multiphase fluid on the upper surface of the wafer while linearly reciprocating the number of times set on the wafer.

상기 노즐부재(650)가 스팀을 포함한 다상 유체를 웨이퍼에 분사시킬 때 웨이퍼에 분사된 스팀을 포함한 다상 유체는 커버통(910)에 의해 챔버 하우징(100) 외부로 누출되는 것이 방지된다.When the nozzle member 650 injects the multiphase fluid including steam to the wafer, the multiphase fluid including steam injected into the wafer is prevented from leaking out of the chamber housing 100 by the cover cylinder 910.

상기 노즐부재(650)에서 웨이퍼 상면으로 분사된 다상 유체는 챔버 하우징(100)의 하면으로 유동하면서 드레인 통로(850)를 통해 배출되어 기액분리통으로 유입되며, 상기 기액분리통으로 유입된 다상 유체 중 순수는 폐수되고, 기체는 폐기된다.The multiphase fluid injected from the nozzle member 650 to the upper surface of the wafer is discharged through the drain passage 850 while flowing to the lower surface of the chamber housing 100 and introduced into the gas-liquid separator, and the pure water of the multi-phase fluid introduced into the gas-liquid separator. Is wastewater and gas is disposed of.

웨이퍼의 세정이 완료되면 노즐부재(650)로부터 다상 유체의 분사가 정지되고, 제1,2 구동유닛(630)(660)이 작동하여 노즐부재(650)를 초기 위치로 이동시킨다.When the cleaning of the wafer is completed, the injection of the multiphase fluid from the nozzle member 650 is stopped, and the first and second driving units 630 and 660 operate to move the nozzle member 650 to an initial position.

제2 모드로 버큠척(310)에 고정된 웨이퍼를 세정하는 동작은 다음과 같다.The operation of cleaning the wafer fixed to the chuck 310 in the second mode is as follows.

회수컵 구동유닛(400)의 엑츄에이터(420)가 작동하여 회수컵(200)의 제2 환형구획판(230)이 웨이퍼와 동일 선상에 위치하도록 회수컵(200)을 이동시킨다. 제1세정액 분사유닛(710)의 분사관 회전유닛(713)이 분사관(711)을 회전시켜 웨이퍼의 상면에 위치시킨다. 웨이퍼 회전유닛(500)이 웨이퍼 고정유닛(300)의 버큠척(310)을 회전시킴에 의해 웨이퍼를 회전시킨다. 제1세정액 분사유닛(710)의 분사관(711) 및 노즐(712)을 통해 웨이퍼 상면에 제1세정액을 분사시킨다. 웨이퍼 상면에 설정된 시간 또는 설정된 양의 제1세정액을 분사시킨 후 제1세정액 분사가 정지된다. 분사관 회전유닛(713)이 분사관(711)을 각회전시켜 초기 위치로 이동시킨다.The actuator 420 of the recovery cup driving unit 400 is operated to move the recovery cup 200 so that the second annular partition plate 230 of the recovery cup 200 is positioned on the same line as the wafer. The injection tube rotating unit 713 of the first cleaning liquid injection unit 710 rotates the injection tube 711 to be positioned on the upper surface of the wafer. The wafer rotating unit 500 rotates the wafer chuck 310 of the wafer fixing unit 300 to rotate the wafer. The first cleaning liquid is injected onto the upper surface of the wafer through the injection pipe 711 and the nozzle 712 of the first cleaning liquid injection unit 710. The injection of the first cleaning liquid is stopped after the injection of the first cleaning liquid of a predetermined time or a predetermined amount on the wafer upper surface. The injection tube rotating unit 713 rotates the injection tube 711 to the initial position.

그리고 회수컵 구동유닛(400)의 엑츄에이터(420)가 작동하여 회수컵(200)의 제3 환형구획판(240)이 웨이퍼와 동일 선상에 위치하도록 회수컵(200)을 이동시킨다. 다상유체 분사유닛(600)의 제1,2 구동유닛(630)(660)이 각각 작동하여 초기 위치에 있는 노즐부재(650)를 세정 위치로 이동시킨다. 다상유체 누출방지유닛(600)의 커버통 구동유닛(920)이 작동하여 커버통(910)을 설정된 위치로 이동시킨다. 다상유체 분사유닛(600)의 제2 구동유닛(660)이 작동하여 노즐부재(650)를 수평으로 이동시키면서 노즐부재(650)가 다상 유체를 웨이퍼의 상면에 분사시킨다. 노즐부재(650)가 웨이퍼 위에서 설정된 횟수로 직선 왕복 운동하면서 웨이퍼 상면에 다상 유체를 분사한 후 다상 유체의 분사를 정지시킨다. 제1,2 구동유닛(630)(660)이 작동하여 노즐부재(650)를 초기 위치로 이동시킨다. 다상유체 누출방지유닛(900)의 커버통 구동유닛(920)이 작동하여 커버통(910)을 아래로 이동시킨다.The actuator 420 of the recovery cup driving unit 400 operates to move the recovery cup 200 such that the third annular partition plate 240 of the recovery cup 200 is positioned on the same line as the wafer. The first and second drive units 630 and 660 of the multiphase fluid injection unit 600 operate to move the nozzle member 650 in the initial position to the cleaning position. The cover cylinder driving unit 920 of the polyphase fluid leakage prevention unit 600 is operated to move the cover cylinder 910 to a set position. The second drive unit 660 of the polyphase fluid injection unit 600 operates to move the nozzle member 650 horizontally while the nozzle member 650 injects the polyphase fluid onto the upper surface of the wafer. After the nozzle member 650 linearly reciprocates a predetermined number of times on the wafer, the multi-phase fluid is injected onto the wafer and then the injection of the multi-phase fluid is stopped. The first and second driving units 630 and 660 operate to move the nozzle member 650 to an initial position. The cover cylinder driving unit 920 of the polyphase fluid leakage preventing unit 900 is operated to move the cover cylinder 910 down.

그리고 제1세정액을 위와 같은 동작으로 웨이퍼 상면에 분사시킨다.Then, the first cleaning liquid is sprayed onto the upper surface of the wafer by the above operation.

제1세정액과 다상 유체를 반복적으로 설정된 횟수로 웨이퍼 상면에 분사시킨 후 회수컵 구동유닛(400)의 엑츄에이터(420)가 작동하여 회수컵(200)의 제1 환형구획판(220)이 웨이퍼와 동일 선상에 위치하도록 회수컵(200)을 이동시킨다. 제2세정액 분사유닛(720)의 분사관 회전유닛(723)이 분사관(721)을 각회전시켜 웨이퍼의 상면에 위치시킨다. 웨이퍼 회전유닛(500)이 웨이퍼 고정유닛(300)의 버큠척(310)을 회전시킴에 의해 웨이퍼를 회전시킨다. 제2세정액 분사유닛의 분사관(721) 및 노즐(722)을 통해 웨이퍼 상면에 제2세정액을 분사시킨다. 웨이퍼 상면에 설정된 시간 또는 설정된 양의 제2세정액을 분사시킨 후 제2세정액 분사를 정지시킨다. 제2세정액 분사유닛(720)의 분사관 회전유닛(723)이 분사관(711)을 각회전시켜 초기 위치로 이동시킨다.After the first cleaning liquid and the multiphase fluid are repeatedly sprayed on the upper surface of the wafer, the actuator 420 of the recovery cup driving unit 400 is operated so that the first annular partition plate 220 of the recovery cup 200 is connected to the wafer. The recovery cup 200 is moved to be positioned on the same line. The injection tube rotating unit 723 of the second cleaning liquid injection unit 720 rotates the injection tube 721 at each position to place it on the upper surface of the wafer. The wafer rotating unit 500 rotates the wafer chuck 310 of the wafer fixing unit 300 to rotate the wafer. The second cleaning liquid is injected onto the upper surface of the wafer through the injection pipe 721 and the nozzle 722 of the second cleaning liquid injection unit. After the injection of the second cleaning liquid of a predetermined time or a predetermined amount on the upper surface of the wafer, the second cleaning liquid injection is stopped. The injection pipe rotating unit 723 of the second washing liquid injection unit 720 rotates the injection pipe 711 to the initial position.

회수컵 구동유닛(400)의 엑츄에이터(420)가 작동하여 회수컵(200)의 제3 환형구획판(240)이 웨이퍼와 동일 선상에 위치하도록 회수컵(200)을 이동시킨다. 웨이퍼 회전유닛(500)이 웨이퍼 고정유닛의 버큠척(310)을 회전시킴에 의해 웨이퍼를 회전시킨다. 순수 분사유닛(730)의 분사관(731)들을 통해 웨이퍼 상면에 순수가 분사된다. 웨이퍼에 순수를 설정된 양 또는 시간 분사시킨 후 순수의 분사를 정지시킨다. 질소 분사유닛(740)을 통해 웨이퍼 상면에 질소를 분사시킴과 아울러 웨이퍼의 회전 속도를 증가시키면서 웨이퍼를 건조시킨다. 웨이퍼의 건조를 완료한 후 질소의 분사를 정지시킴과 아울러 웨이퍼의 회전을 정지시켜 웨이퍼의 세정을 마치게 된다.The actuator 420 of the recovery cup driving unit 400 operates to move the recovery cup 200 such that the third annular partition plate 240 of the recovery cup 200 is positioned on the same line as the wafer. The wafer rotating unit 500 rotates the wafer chuck 310 of the wafer holding unit to rotate the wafer. Pure water is injected onto the upper surface of the wafer through the injection pipes 731 of the pure water injection unit 730. After the pure water is injected into the wafer for the set amount or time, the injection of pure water is stopped. Nitrogen is injected onto the wafer upper surface through the nitrogen injection unit 740 and the wafer is dried while increasing the rotational speed of the wafer. After the drying of the wafer is completed, the injection of nitrogen is stopped, and the rotation of the wafer is stopped to complete the cleaning of the wafer.

위의 과정에서, 노즐부재(650)에서 웨이퍼 상면으로 분사된 다상 유체는 챔버 하우징(100)의 하면으로 유동하면서 드레인 통로(850)를 통해 기액분리통으로 유입되며, 기액분리통으로 유입된 다상 유체의 순수는 폐수되고 기체는 폐기된다. 순수 분사유닛(730)의 분사관(731)을 통해 웨이퍼에 분사된 순수 또한 챔버 하우징(100)의 하면으로 유동하면서 드레인 통로(850)를 통해 기액분리통으로 유입된다. 그리고 웨이퍼에 분사된 제1세정액은 제2 회수공간으로 유입되면서 제2 회수관(830)을 통해 제2 회수통(840)으로 회수된다. 그리고 웨이퍼에 분사된 제2세정액은 제1 회수공간으로 유입되면서 제1 회수관(810)을 통해 제1 회수통(820)으로 회수된다.In the above process, the multi-phase fluid injected from the nozzle member 650 to the upper surface of the wafer flows into the lower surface of the chamber housing 100 and flows into the gas-liquid separator through the drain passage 850, and the Pure water is wastewater and gas is disposed of. Pure water injected onto the wafer through the injection pipe 731 of the pure water injection unit 730 also flows to the lower surface of the chamber housing 100 and flows into the gas-liquid separator through the drain passage 850. In addition, the first cleaning liquid injected into the wafer is recovered into the second recovery container 840 through the second recovery pipe 830 while flowing into the second recovery space. The second cleaning liquid injected into the wafer is recovered into the first recovery container 820 through the first recovery pipe 810 while flowing into the first recovery space.

본 발명은 스팀을 포함하는 다상 유체, 제1세정액, 제2세정액, 순수, 질소를 각각 웨이퍼에 분사되는 과정에서, 다상 유체는 드레인 통로(850)를 통해 배출되고, 제1세정액은 회수컵(200)의 제1 회수공간으로 유입되어 제2 회수관(830)을 통해 제2 회수통(840)에 회수되고, 제2세정액은 회수컵(200)의 제1 회수공간으로 유입되어 제1 회수관(810)을 통해 제1 회수통(820)에 회수된다. 이와 같이, 웨이퍼에 각각 분사되는 다상 유체, 제1세정액, 제2세정액, 순수, 질소가 서로 혼합되지 않고 제1세정액과 제2 세정액이 분리 회수되므로 재사용이 가능하게 된다. 이로 인하여, 제1세정액과 제2세정액의 폐기량을 줄이 환경 오염을 최소화시킬 뿐만 아니라 세정 비용을 절감시킬 수 있다.According to the present invention, in the process of spraying the multiphase fluid including steam, the first cleaning liquid, the second cleaning liquid, pure water, and nitrogen onto the wafer, the polyphase fluid is discharged through the drain passage 850, and the first cleaning liquid is a recovery cup ( Flows into the first recovery space of the 200 and is recovered in the second recovery container 840 through the second recovery pipe 830, and the second cleaning liquid flows into the first recovery space of the recovery cup 200 to recover the first It is recovered to the first recovery container 820 through the tube 810. As described above, the first washing liquid and the second washing liquid are separated and recovered without being mixed with the polyphase fluid, the first washing liquid, the second washing liquid, the pure water, and the nitrogen respectively injected onto the wafer, thereby enabling reuse. As a result, it is possible to reduce the waste of the first cleaning liquid and the second cleaning liquid, thereby minimizing environmental pollution and reducing cleaning costs.

또한, 본 발명은 스팀을 포함한 다상 유체를 분사하는 노즐부재(650)가 버큠척(310)에 흡착된 상태로 회전하는 웨이퍼의 가장자리부터 가운데 부분으로 직선으로 이동하면서 다상 유체를 분사하게 되므로 웨이퍼의 세정면 전체가 골고루 균일하게 세정된다. 이로 인하여, 웨이퍼의 세정 효과를 높이게 된다. In addition, the present invention because the nozzle member 650 for injecting the multi-phase fluid including steam is sprayed in a straight line from the edge of the rotating wafer in the state adsorbed by the chuck chuck 310 to the center portion to inject the multi-phase fluid of the wafer The entire cleaning surface is evenly cleaned. This increases the cleaning effect of the wafer.

또한, 본 발명은 제1세정액 분사유닛(710)을 통해 웨이퍼에 제1세정액을 분사한 후 노즐부재(650)를 통해 스팀, 순수, 압축건조공기의 다상 유체를 웨이퍼에 분사하고 이어 제1세정액을 분사하는 과정을 반복하게 되므로 웨이퍼의 도포 물질이 빠르고 효과적으로 제거된다. 즉, 웨이퍼의 도포 물질이 제1세정액에 의해 세정되고, 이어 스팀, 순수, 압축건조공기가 혼합된 다상 유체로 웨이퍼의 도포 물질을 세정하게 되므로 웨이퍼의 도포 물질을 효과적으로 빠르게 제거하게 된다. 이로 인하여, 세정 공정 시간을 단축시키게 된다.In addition, the present invention sprays the first cleaning liquid on the wafer through the first cleaning liquid injection unit 710, and then sprays a multi-phase fluid of steam, pure water, compressed dry air through the nozzle member 650 to the wafer and then the first cleaning liquid Since the spraying process is repeated, the coating material of the wafer is quickly and effectively removed. That is, the coating material of the wafer is cleaned by the first cleaning solution, and then the coating material of the wafer is cleaned with a multiphase fluid mixed with steam, pure water, and compressed dry air, thereby effectively and quickly removing the coating material of the wafer. For this reason, the washing | cleaning process time is shortened.

100; 챔버 하우징 200; 회수컵
300; 웨이퍼 고정유닛 400; 회수컵 구동유닛
500; 웨이퍼 회전유닛 600; 다상유체 분사유닛
700; 보조유체 분사유닛 800; 분사물 회수유닛
900; 다상유체 누설방지유닛100; Chamber housing 200; Recovery cup
300; A wafer holding unit 400; Recovery Cup Drive Unit
500; Wafer rotating unit 600; Multiphase fluid injection unit
700; Auxiliary fluid injection unit 800; Injection Recovery Unit
900; Multiphase Fluid Leak Prevention Unit

Claims (8)

챔버 하우징;
상기 챔버 하우징 내부에 구비되며, 상하 방향으로 다단의 회수공간들이 구비된 회수컵;
상기 회수컵 내부에 위치하며, 웨이퍼를 고정/해제시키는 웨이퍼 고정유닛;
상기 회수컵을 상하로 움직여 상기 웨이퍼 고정유닛에 고정된 웨이퍼를 상기 회수컵의 한 위치에 위치시키는 회수컵 구동유닛;
상기 웨이퍼 고정유닛을 회전시키는 웨이퍼 회전유닛;
상기 웨이퍼의 위치에 따라 상하 및 수평 방향으로 움직이면서 상기 웨이퍼에 스팀을 포함하는 다상 유체를 분사하는 다상유체 분사유닛;
상기 챔버 하우징에 구비되며, 상기 웨이퍼에 보조 유체를 분사하는 보조유체 분사유닛;
상기 회수컵의 각 회수공간에 모이는 분사물을 각각 회수하는 분사물 회수유닛을 포함하는 세정 장치.Chamber housing;
A recovery cup provided in the chamber housing, the recovery cup having multiple recovery spaces in a vertical direction;
Located in the recovery cup, the wafer holding unit for fixing / releasing the wafer;
A recovery cup driving unit which moves the recovery cup up and down to position the wafer fixed to the wafer fixing unit at one position of the recovery cup;
A wafer rotating unit for rotating the wafer fixing unit;
A multiphase fluid injection unit for injecting a multiphase fluid including steam to the wafer while moving in a vertical direction and a horizontal direction according to the position of the wafer;
An auxiliary fluid injection unit provided in the chamber housing and injecting an auxiliary fluid to the wafer;
And a spray recovery unit for recovering sprays collected in each recovery space of the recovery cup. 제 1 항에 있어서, 상기 챔버 하우징에 상기 다상유체 분사유닛에서 분사되는 다상유체가 상기 챔버 하우징의 외부로 누출되는 것을 방지하는 다상유체 누출방지유닛이 구비되는 것을 특징으로 하는 세정 장치.The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the chamber housing is provided with a polyphase fluid leakage preventing unit which prevents the polyphase fluid injected from the polyphase fluid injection unit from leaking to the outside of the chamber housing. 제 2 항에 있어서, 상기 다상유체 누출방지유닛은 상기 챔버 하우징 내부에 위치하여 상기 회수컵을 둘러싸는 커버통과, 상기 챔버 하우징의 바깥 일측에 구비되며 상하 구동력을 발생시키는 커버통 구동유닛과, 상기 커버통과 커버통 구동유닛을 연결하는 커버통 연결부재와, 상기 커버통 연결부재의 움직임을 안내하는 가이드유닛을 포함하는 세정 장치.The cover cylinder driving unit of claim 2, wherein the polyphase fluid leakage preventing unit is disposed inside the chamber housing and surrounds the recovery cup, and is provided on one outside of the chamber housing and generates a vertical driving force. And a cover cylinder connecting member for connecting the cover cylinder and the cover cylinder driving unit, and a guide unit for guiding the movement of the cover cylinder connecting member. 제 1 항에 있어서, 상기 다상유체 분사유닛을 통해 분사되는 다상 유체는 스팀과 순수와 압축건조공기를 혼합한 것을 특징으로 하는 세정 장치.The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the multiphase fluid injected through the multiphase fluid injection unit is a mixture of steam, pure water, and compressed dry air. 제 1 항에 있어서, 상기 다상유체 분사유닛은 상기 챔버 하우징의 외측에 한쪽에 위치하는 가이드축들과; 상기 가이드축들에 상하로 움직임 가능하게 결합되는 베이스부재와; 상기 베이스부재를 상하로 움직이는 제1 구동유닛과; 상기 베이스부재에 수평으로 직선 움직임 가능하게 결합되는 고정부와, 상기 고정부에 절곡 연장되어 상기 챔버 하우징의 상측에 위치하는 장착부를 포함하는 노즐지지부재와; 상기 노즐지지부재의 장착부에 장착되며 다상 유체가 분사되는 노즐부재와; 상기 노즐지지부재를 움직이는 제2 구동유닛을 포함하는 세정 장치.According to claim 1, wherein the multi-phase fluid injection unit and the guide shaft which is located on one side outside the chamber housing; A base member coupled to the guide shafts so as to be movable up and down; A first drive unit moving the base member up and down; A nozzle support member including a fixing part coupled to the base member so as to be linearly movable horizontally, and a mounting part bent to the fixing part and positioned above the chamber housing; A nozzle member mounted to a mounting portion of the nozzle support member and to which a multiphase fluid is injected; And a second driving unit to move the nozzle support member. 제 1 항에 있어서, 상기 보조유체 분사유닛은 제1세정액을 분사시키는 제1세정액 분사유닛과, 제2세정액을 분사시키는 제2세정액 분사유닛과, 순수를 분사시키는 순수 분사유닛과, 웨이퍼 건조에 필요한 질소를 분사시키는 질소 분사유닛을 포함하는 세정 장치.2. The auxiliary fluid spraying unit according to claim 1, wherein the auxiliary fluid spraying unit comprises: a first washing liquid spraying unit for spraying the first washing liquid, a second washing liquid spraying unit for spraying the second washing liquid, a pure water spraying unit for spraying pure water, and wafer drying. Cleaning apparatus comprising a nitrogen injection unit for injecting the required nitrogen. 제 6 항에 있어서, 상기 제1세정액 분사유닛은 굴곡진 형태로 형성되는 분사관과, 상기 분사관의 단부에 연결되는 노즐과, 상기 분사관의 한쪽 끝부분을 기준으로 상기 분사관을 각회전시키는 분사관 회전유닛을 포함하는 세정 장치.According to claim 6, wherein the first cleaning liquid injection unit is a rotating tube formed in a curved form, the nozzle connected to the end of the injection pipe, and the one end of the injection pipe angular rotation of the injection pipe Cleaning apparatus comprising a spray pipe rotating unit to make. 제 1 항에 있어서, 상기 분사물 회수유닛은 상기 회수컵의 각 회수공간과 연통되도록 상기 회수컵에 각각 연결되는 복수 개의 회수관들과, 상기 각 회수관에 연결되는 회수통을 포함하는 세정 장치.The cleaning apparatus of claim 1, wherein the spray recovery unit includes a plurality of recovery pipes connected to the recovery cups so as to communicate with each recovery space of the recovery cup, and a recovery container connected to each recovery pipe. .
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160019606A (en) * 2014-08-11 2016-02-22 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrates and method for drying substrates
CN108818987A (en) * 2018-08-23 2018-11-16 重庆市嘉凌新科技有限公司 Chip cutting cleaning equipment

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6247479B1 (en) * 1997-05-27 2001-06-19 Tokyo Electron Limited Washing/drying process apparatus and washing/drying process method
KR20030020059A (en) * 2001-08-29 2003-03-08 삼성전자주식회사 Cleaning and drying method and apparatus
KR101036605B1 (en) * 2008-06-30 2011-05-24 세메스 주식회사 Substrate supporting unit and single type substrate polishing apparatus using the same
KR101614773B1 (en) * 2010-05-24 2016-05-02 엘지디스플레이 주식회사 Cleaning apparatus for substrate and cleaning method thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160019606A (en) * 2014-08-11 2016-02-22 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrates and method for drying substrates
CN108818987A (en) * 2018-08-23 2018-11-16 重庆市嘉凌新科技有限公司 Chip cutting cleaning equipment

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