KR20100052658A - Substrate cleaning apparatus and method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 세정 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 세정 처리하는 기판 세정 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate cleaning apparatus, and more particularly, to a substrate cleaning apparatus and method for cleaning a substrate.
일반적으로, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질이나 불필요한 막을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. In general, as semiconductor devices become more dense, highly integrated, and higher in performance, micronization of circuit patterns proceeds rapidly, and contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the surface of the substrate have a great effect on device characteristics and production yield. Will be affected. For this reason, the cleaning process for removing various contaminants and unnecessary films adhering to the substrate surface is very important in the semiconductor manufacturing process, and the process for cleaning the substrate is performed at the front and rear stages of each unit process for manufacturing the semiconductor. .
현재 반도체 제조 공정에서 사용되는 세정 방법은 건식 세정(Dry Cleaning)과 습식 세정(Wet Cleaning)으로 크게 나누어지며, 습식 세정은 약액 중에 기판을 침적시켜 화학적 용해 등에 의해서 오염 물질을 제거하는 배스(Bath) 타입과, 스핀 척 위에 기판을 놓고 기판을 회전시키는 동안 기판의 표면에 약액을 공급하여 오염 물질을 제거하는 매엽 타입으로 나누어진다. Currently, the cleaning method used in the semiconductor manufacturing process is roughly divided into dry cleaning and wet cleaning, and wet cleaning is a bath for removing contaminants by chemical dissolution by depositing a substrate in a chemical solution. Type and a sheet type which removes contaminants by supplying a chemical to the surface of the substrate while the substrate is placed on the spin chuck and the substrate is rotated.
매엽 타입의 세정 장치에서는 소닉 노즐을 이용하여 기판을 세정하는데, 공정 중에는 소닉 노즐의 초음파 출력 유무(정상 동작 유무)를 확인할 수 있는 방법이 없었다. In the single wafer type cleaning apparatus, the substrate is cleaned using a sonic nozzle, and there is no method of confirming the presence or absence of ultrasonic output (normal operation) of the sonic nozzle during the process.
따라서, 기존의 기판 세정 장치는 소닉 노즐이 공정 중에 고장나더라도 소닉 노즐의 고장 진단 기능이 없었기 때문에, 세정 장치의 동작이 멈추게 될 때(또는 정기점검시)에서야 비로소 고장 상태를 진단할 수 있게 되고, 이에 따라 세정 장치의 가동 효율은 저하되고 고장 보수에 많은 시간과 비용 소모가 불가피하게 되는 문제점이 있었다. 이처럼, 소닉 노즐에 대한 점검을 위해서는 기판 세정 장치를 정지시키고 작업자의 인위적인 작업이 필요하였다. 이에 따라, 기판 세정 장치를 효율적으로 운용하기에 어려움이 있었고, 작업공수 및 시간소비량이 늘어나는 문제점이 있었다.Therefore, the conventional substrate cleaning apparatus does not have a sonic nozzle failure diagnosis function even when the sonic nozzle fails in the process, so that the failure state can be diagnosed only when the cleaning apparatus is stopped (or at regular inspection). Therefore, there is a problem in that the operation efficiency of the cleaning device is lowered and a lot of time and cost are inevitable for troubleshooting. As such, the inspection of the sonic nozzle required stopping the substrate cleaning apparatus and man-made work. Accordingly, there is a difficulty in efficiently operating the substrate cleaning apparatus, and there is a problem in that the labor and time consumption are increased.
본 발명의 목적은 기판 세정 공정이 진행중에도 수시로 소닉 노즐의 고장 유무를 확인할 수 있는 기판 세정 장치 및 방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus and method capable of checking the failure of a sonic nozzle at any time while the substrate cleaning process is in progress.
본 발명의 목적은 소닉 노즐의 고장 발생으로 인한 공정 사고를 사전에 방지할 수 있는 기판 세정 장치 및 방법을 제공하는데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus and method that can prevent a process accident caused by a failure of a sonic nozzle in advance.
본 발명의 목적은 세정 효율 증가 및 이의 보수에 비용 및 시간을 절약할 수 있는 기판 세정 장치 및 방법을 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate cleaning apparatus and method which can save cost and time in increasing cleaning efficiency and repair thereof.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 매엽식 기판 세정 장치는, 기판이 놓여지는 스핀 헤드를 포함하는 기판지지부재; 상기 스핀 헤드 주위를 감싸도록 설치되어 기판상에서 비산되는 처리유체를 회수하는 처리용기; 기판상으로 처리유체를 제공하는 약액 공급 노즐; 기판에 제공된 처리유체를 진동시키는 소닉 로드; 상기 소닉 로드와 결합하여 상기 소닉 로드를 이동 가능하게 하는 아암; 및 상기 소닉 로드가 정상적으로 동작하는지를 점검하는 소닉 측정부재를 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a sheet type substrate cleaning apparatus comprising: a substrate support member including a spin head on which a substrate is placed; A processing vessel installed to wrap around the spin head to recover a processing fluid scattered on a substrate; A chemical liquid supply nozzle for providing a processing fluid onto the substrate; A sonic rod for vibrating a processing fluid provided on the substrate; An arm coupled with the sonic rod to move the sonic rod; And a sonic measuring member for checking whether the sonic rod operates normally.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 세정 장치는 상기 소닉 로드가 대기하는 홈 포트를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the substrate cleaning apparatus further includes a home port on which the sonic rod waits.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 소닉 측정 부재는 상기 홈 포트에 설치되어 상기 홈 포트에서 대기하는 상기 소닉 로드를 점검한다.According to an embodiment of the present invention, the sonic measuring member is installed in the home port and checks the sonic rod waiting at the home port.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 홈 포트는 상기 소닉 로드가 일부 잠겨지도록 세정액이 채워지는 내조; 및 상기 내조를 감싸도록 설치되며, 상기 내조로부터 오버플로우되는 세정액을 담는 외조를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the home port may include an inner tank in which a cleaning liquid is filled to partially lock the sonic rod; And it is installed to surround the inner tank, and includes an outer tank containing the cleaning liquid overflowed from the inner tank.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 소닉 측정부재는 상기 내조에 설치되어 상기 소직 로드의 출력 및 음압을 측정하는 센서; 및 상기 측정 센서로부터 신호를 제공받아 상기 소직 로드의 출력 유무 및 음압 측정값을 알려주는 표시부를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the sonic measuring member includes a sensor installed in the inner tank to measure the output and sound pressure of the soybean rod; And a display unit which receives a signal from the measurement sensor and informs the presence or absence of output of the vertical rod and a sound pressure measurement value.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 홉 포트는 상기 내조에 세정액이 항상 넘 쳐 흐르도록 세정액을 공급하는 세정액 공급관이 연결된다.According to an embodiment of the present invention, the hop port is connected to a cleaning solution supply pipe for supplying a cleaning solution so that the cleaning solution always flows into the inner tank.
상술한 과제를 해결하기 위한 기판 세정 장치는 기판상으로 처리유체를 제공하는 약액 공급 노즐; 기판에 제공된 처리유체로 초음파를 제공하는 소닉 로드; 상기 소닉 로드가 대기하는 홈 포트; 및 상기 홈 포트에 설치되며, 상기 홈 포트에서 대기하는 동안 상기 소닉 로드의 출력 유무 및 음압을 측정하는 센서를 포함한다.Substrate cleaning apparatus for solving the above problems is a chemical liquid supply nozzle for providing a processing fluid on the substrate; A sonic rod for providing ultrasonic waves to the processing fluid provided on the substrate; A home port on which the sonic load waits; And a sensor installed at the home port and measuring the presence or absence of the output of the sonic rod and the sound pressure while waiting at the home port.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 홈 포트는 상기 소닉 로드를 세정하기 위한 세정액이 채워지는 그리고 상기 측정 센서가 설치되는 내조; 및 상기 내조를 감싸도록 설치되며, 상기 내조로부터 오버플로우되는 세정액을 담는 외조를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the home port may include: an inner tank in which a cleaning liquid for cleaning the sonic rod is filled and in which the measurement sensor is installed; And it is installed to surround the inner tank, and includes an outer tank containing the cleaning liquid overflowed from the inner tank.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 소닉 로드는 상기 내조에 담겨진 상태에서 대기한다.According to an embodiment of the invention, the sonic rod waits in the state contained in the inner tank.
상술한 과제를 해결하기 위한 기판 세정 방법은 처리유체를 기판으로 공급하여 기판 상에 세정액층을 형성하고; 소닉 로드를 통해 발생되는 초음파를 상기 세정액층에 전달하여 기판을 세정하는 단계; 기판 세정이 완료되면 소닉 로드를 홈 포트에 위치시키는 단계; 및 상기 홈 포트에서 대기하는 상기 소닉 로드를 작동시켜 상기 소직 로드의 출력 유무 및 음압을 측정하는 단계를 포함한다.A substrate cleaning method for solving the above problems is to supply a processing fluid to the substrate to form a cleaning liquid layer on the substrate; Cleaning the substrate by transferring ultrasonic waves generated through a sonic rod to the cleaning liquid layer; Placing the sonic rod in the home port when substrate cleaning is complete; And operating the sonic rod waiting at the home port to measure the presence or absence of the output of the soybean rod and the sound pressure.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 측정 단계는 상기 소닉 로드가 상기 홈 포트에 채워진 세정액에 담궈진 상태에서 진행된다.According to an embodiment of the present invention, the measuring step is performed while the sonic rod is immersed in the cleaning liquid filled in the home port.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 소닉 로드는 상기 홈 포트에 대기하면서 세정액으로 세정된다.According to an embodiment of the invention, the sonic rod is cleaned with a cleaning liquid while waiting for the home port.
본 발명에 의하면, 소닉 로드가 홈 포트에서 대기할 때 초음파 출력 유무를 점검함으로써 소닉 로드의 고장 발생을 초기에 파악하여 보수할 수 있다.According to the present invention, when the sonic rod waits at the home port, by checking the presence or absence of the ultrasonic output, it is possible to identify and repair the failure of the sonic rod at an early stage.
또한, 본 발명에 의하면 소닉 로드의 고장 유무를 기판 처리전에 점검함으로써 공정 결함을 사전에 예방할 수 있다.Moreover, according to this invention, a process defect can be prevented beforehand by checking the presence or absence of the failure of a sonic rod before processing a board | substrate.
또한, 본 발명에 의하면 소닉 로드를 이용한 세정 장치의 효율 증가 및 이이 보수에 비용 및 시간을 절약할 수 있다. Further, according to the present invention, it is possible to save cost and time in increasing efficiency and repairing the cleaning device using the sonic rod.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 매엽식 기판 세정 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, a sheet type substrate cleaning apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals are assigned to the same components as much as possible, even if shown on different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.
아래의 실시예에서는 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다. In the following examples, an apparatus for cleaning a substrate using processing fluids such as alkaline chemical liquid (including ozone water), acidic chemical liquid, rinse liquid, and dry gas (gas containing IPA) will be described as an example. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto, and the present invention may be applied to all kinds of apparatuses that perform a process while rotating a substrate such as an etching process.
( 실시 예 )(Example)
도 1은 본 발명에 따른 기판 세정 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다. 도 2는 본 발명에 따른 기판 세정 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다. 1 is a plan view showing the configuration of a substrate cleaning apparatus according to the present invention. Figure 2 is a side cross-sectional view showing the configuration of the substrate cleaning apparatus according to the present invention.
본 실시예에서는 매엽식 기판 세정 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판를 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다. Although the semiconductor substrate is illustrated and described as an example of the substrate processed by the sheet type
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 세정 장치(1)는 다양한 처리유체들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치로써, 챔버(10), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 소닉 노즐(300) 그리고 처리유체 공급노즐(320)을 포함한다. 도시하지 않았지만, 처리유체 공급노즐은 복수개가 구비될 수 있다. 1 and 2, the
챔버(10)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(12)이 설치된다. 팬필터유닛(12)은 챔버(10) 내부에 수직기류를 발생시킨다. 팬필터유닛(12)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 챔버 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(12)을 통과하여 챔버 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다. The
도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(10)는 수평 격벽(14)에 의해 공정 영역(16)과 유지보수 영역(18)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영 역(18)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 서브배기라인(410) 이외에도 승강유닛의 구동부과, 이동 노즐 부재(300)의 이동 노즐(310)들과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(18)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 2, the
처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 처리 용기(100) 내측에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기판 지지부재(200)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판을 회전시킨다. The
도 2를 참조하면, 처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간(132a)과, 상부공간(132a)과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간(132b)을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간(132a)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 처리유체와 기체, 흄을 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다. Referring to FIG. 2, the
환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다. The annular first, second and
구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이 격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.In detail, the first to
제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)으로부터 비산된 처리유체 및 흄이 포함된 기체가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다. The first to
한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수 되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다. On the other hand, the
이 실시예에 있어서, 기판 처리장치(1)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리장치(1)는 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.In this embodiment, the
기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부 면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹 핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다. The
스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다. A
배기부재(400)는 공정시 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 배기부재(400)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브배기라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브배기라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 메인배기라인과 연결된다. The
소닉 노즐(300)은 소닉 로드(310)와, 아암(312) 그리고 구동부(314)를 포함한다. 소닉 로드(310)는 진동 내지는 발진 에너지에 의해 진동하도록 설계된다. 소닉 로드(310)는 이동 가능한 아암(312)의 일단에 설치된다. 소닉 로드(310)의 팁(tip)은 기판 상에 제공된 처리액과 접촉한다. 이에 따라, 소닉 로드(310)의 진동이 약액으로 전달되어 약액이 진동한다. 처리액은 약액 공급 노즐(320)로부터 분사되어 기판의 상면에 제공된다. 처리액은 기판의 상면, 구체적으로는 기판의 상면의 중심부로 제공될 수 있다. 소닉 로드(310)는 공정 진행시 기판 상으로 이동되며, 공정 전,후에는 홈 포트(330)에서 대기하게 된다. The
여기서의 약액은 웨이퍼(W)에 부착된 이물질(particle)의 제거 및 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 먼저 사용된 세정액의 린스의 목적으로 사용되는 가령, 초순수(deionized water: H2O)일 수 있다. 초순수 이외에 여러 종류의 케미컬(chemical)이 세정액으로 사용될 수 있다. 예를 들면, 케미컬은 수산화암모늄(NH4OH)과 과산화 수소(H2O2)와 초순수(H2O)의 혼합액, 불산(HF)과 초순수(H2O)의 혼합액, 불화암모늄(NH4F)과 불산(HF)과 초순수(H2O)의 혼합액, 인산(H3PO4)과 초순수(H2O)와의 혼합액일 수 있다. 케미컬은 세정시 조건에 따라 적절한 세정액으로 선택될 수 있다. 또는, 상기한 다양한 세정액은 제거하고자 하는 이물질의 종류에 따라 이들 중 어느 하나만을 사용하거나 이들 중 일부를 혼합하거나 또는 순차적으로 사용할 수 있다.The chemical liquid herein may be, for example, deionized water (H 2 O) used for the purpose of removing foreign particles adhering to the wafer W and rinsing of the previously used cleaning liquid remaining on the surface of the wafer W. have. In addition to ultrapure water, various kinds of chemicals may be used as the cleaning liquid. For example, the chemical is a mixture of ammonium hydroxide (NH 4 OH), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and ultrapure water (H 2 O), a mixture of hydrofluoric acid (HF) and ultrapure water (H 2 O), and ammonium fluoride (NH). 4 F) and a mixture of hydrofluoric acid (HF) and ultrapure water (H 2 O), and a mixture of phosphoric acid (H 3 PO 4 ) and ultrapure water (H 2 O). The chemical may be selected as an appropriate cleaning liquid depending on the cleaning conditions. Alternatively, the above-described various cleaning solutions may use only one of them, some of them may be mixed, or may be used sequentially according to the kind of foreign matter to be removed.
약액 공급 노즐(320)은 기판 세정 공정시 처리액을 기판의 상면에 계속적으로 또는 간헐적으로 제공할 수 있다. 스핀헤드(210) 상에 지지된 기판은 기판 세정 공정시 회전한다. 약액 공급 노즐(320)로부터 약액이 분사되어 기판의 상면에 제공되면, 아암(312)이 이동되어 소닉 로드(310)가 기판 상에 제공된 처리액과 접촉한다. 이때, 소닉 로드(310)가 진동하게 되면 그 진동이 처리액으로 전달된다. 소닉을 이용한 기판 세정시 기판은 회전한다. 처리액은 기판의 중심부로 제공되어지는 것이 기판의 회전에 따른 원심력으로써 처리액이 기판의 상면에 걸쳐 골고루 퍼지는데 바람직하다. 처리액의 진동으로써 파티클이 기판으로부터 탈락되고, 기판의 회전에 따른 원심력에 의해 파티클을 함유한 처리액은 기판 밖으로 밀려나가게 된다. 이에 따라, 처리액은 종국적으로 배출관을 통해 배출된다. The chemical
기판 세정 공정시 기판은 회전하고 이와 병행하여 아암(312)이 슬라이딩 이동함으로써 소닉 로드(310)가 기판의 중심으로부터 외면쪽으로 또는 외면으로부터 중심쪽으로 이동할 수도 있다. 그러하므로써, 소닉 로드(310)는 기판의 상면 전체 를 스위핑(sweeping) 할 수 있게 되어 결국 기판 전체에 걸쳐 균일한 세정 처리도 가능하다. In the substrate cleaning process, the substrate rotates and the
소닉을 이용한 기판 세정이 완료되면 소닉 로드(310)는 홈 포트(330)에서 대기한다. 홈포트(330)에서는 소닉 로드(310)가 대기하는 동안 소닉 로드에 묻어 있는 처리액 등의 이물질을 제거하는 세정 과정과, 소닉 로드(310)가 정상적으로 동작하는지를 감지하는 점검 과정이 진행된다. When the substrate cleaning using the sonic is completed, the
도 3은 홈 포트에서 대기하는 소닉 로드를 보여주는 도면이다.3 is a diagram showing a sonic rod waiting at a home port.
도 3에 도시된 바와 같이, 홈 포트(330)는 내조(332)와 외조(334)로 이루어지며, 내조(332)에는 세정액이 채워지며, 내조(332)의 일측에는 세정액을 공급하는 세정액 공급관(336)이 연결된다. 내조(332)에 채워지는 세정액은 정체되지 않도록 오버플로우되며, 이렇게 내조(332)로부터 흘러내린 세정액은 외조(334)에서 모아져 외조에 연결된 배출관(338)으로 배출된다. 세정액이 채워진 내조(332)에는 소닉 로드(310)의 팁 부분이 담겨진다. 이렇게, 소닉 로드(310)는 내조(332)로 공급되는 세정액에 의해 씻겨지게 된다. As shown in FIG. 3, the
한편, 내조(332)에는 소닉 로드(310)가 정상적으로 동작하는지를 점검하는 소닉 측정부재(350)의 센서(352)가 설치된다. 소닉 측정 부재(350)는 홈 포트(330)의 내조(332)에 설치되어 홈 포트(330)에서 대기하는 소닉 로드(310)의 출력 및 음압을 측정하는 센서(352)와, 센서(352)로부터 신호를 제공받아 상기 소직 로드(310)의 출력 유무 및 음압 측정값을 알려주고, 이상 발생시 이를 작업자에게 알려주는 알람기능을 갖는 표시부(354)를 포함한다.On the other hand, the
다시 말해, 소닉 측정 부재(350)는 소닉 세정 공정을 진행하기 전(후)에 소닉 로드(310)가 정상적으로 초음파를 출력하는지 그리고 그 출력값이 정상니지 등의 음압 측정을 실시하여 소닉 로드(310)의 고장 유무를 기판 처리 전에 점검함으로써 공정 결합을 사전에 예방할 수 있다. In other words, before and after the sonic cleaning process, the sonic measuring
앞에서 설명한 소닉 노즐(300)은 기판으로 분사된 처리액에 초음파를 제공하는 방식이지만, 이 방식 이외에 직접 세정액에 초음파를 제공하여 기판으로 분사하는 소닉 노즐도 있다. 이러한 소닉 노즐은 홈 포트의 형상이 조금 다르다. 도 4에는 초음파가 인사된 세정액을 기판으로 분사하는 소닉 노즐과 홈 포트를 보여주는 도면이다. The
도 4에서와 같이, 소닉 노즐(300a)은 홈 포트(330)에서 대기하게 되며, 홈 포트(330)는 단일 베스 형태로 일측에는 소닉 노즐(300a)의 소닉 로드(310a)의 팁을 세정하기 위한 분사 노즐(339)이 설치된다. 한편, 소닉 노즐(310a)은 소닉 측정 부재(350)의 센서(352)가 출력 유무 및 음압 측정을 할 수 있도록 홈 포트(330)에서 초음파가 인가된 처리액을 일정량 분사하게 된다. 센서(352)는 소닉 노즐(310a)로부터 분사되는 처리액(초음파 에너지를 갖고 있는 처리액)으로부터 초음파 출력 및 음압을 측정하게 된다. As shown in FIG. 4, the
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
도 1은 본 발명에 따른 기판 세정 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다. 1 is a plan view showing the configuration of a substrate cleaning apparatus according to the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 기판 세정 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다. Figure 2 is a side cross-sectional view showing the configuration of the substrate cleaning apparatus according to the present invention.
도 3은 홈 포트에서 대기하는 소닉 로드를 보여주는 도면이다. 3 is a diagram showing a sonic rod waiting at a home port.
도 4에는 초음파가 인가된 세정액을 기판으로 분사하는 소닉 노즐과 홈 포트를 보여주는 도면이다. 4 is a view showing a sonic nozzle and a home port for spraying a cleaning solution applied with ultrasonic waves to a substrate.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
10 : 챔버 100 : 처리 용기10
200 : 기판 지지 부재 300 : 소닉 노즐 200: substrate support member 300: sonic nozzle
310 : 소닉 로드 330 : 홈 포트310: Sonic Road 330: Home Port
350 : 소닉 측정부재 350: Sonic measuring member
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