KR101040746B1 - Wet type washing device of wafer and thereof method - Google Patents

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Abstract

약액의 처리 공정에서 약액에 의해 기판이 역오염되는 것을 방지할 수 있는 습식 기판 세정 장치가 제공된다. 그 습식 기판 세정 장치는, 상기 제3보울(61)의 상단에 형성되어 있을 뿐만 아니라 초순수가 충진되고 제3보울(61)을 타고 흘러내리도록 저면에 배출공(1)이 다수 형성되어 있는 세정챔버(2)와, 상기 세정챔버(2)에 초순수를 공급하도록 설치되어 있는 공급배관(3)을 포함한다. 그 세정 방법은, 회전 및 승강하는 스핀헤드(51)에 기판(W)을 안착시키고 제1, 2 약액을 노즐부(53)로 분사하여 세정하고 초순수를 분사하여 린스를 하며 각각의 약액들을 제1, 2, 3보울(59, 60, 61)로 포집하여 배출하도록 하는 습식 기판 세정 방법에 있어서, 상기 초순수를 분사하여 린스를 하기 전에 제3보울(61)에 형성된 세정챔버(2)에 초순수를 공급하고 제3보울(61)의 벽면을 타고 흘러내리면서 제1, 2약액을 세척하도록 하는 것을 포함한다.A wet substrate cleaning apparatus capable of preventing back contamination of a substrate by a chemical liquid in a chemical liquid treatment step is provided. The wet substrate cleaning apparatus is not only formed on the upper end of the third bowl 61, but also provided with a plurality of discharge holes 1 formed on the bottom thereof so that ultra pure water is filled and flows down the third bowl 61. And a supply pipe 3 installed to supply ultrapure water to the cleaning chamber 2. In the cleaning method, the substrate W is seated on the rotating and elevating spin head 51, the first and second chemicals are sprayed onto the nozzle unit 53, cleaned, sprayed with ultrapure water, and rinsed. In the wet substrate cleaning method for collecting and discharging into 1, 2, 3 bowls (59, 60, 61), ultrapure water in the cleaning chamber (2) formed in the third bowl (61) before spraying the ultrapure water to rinse. Supplying and flowing down the wall of the third bowl (61) includes washing the first and second chemicals.

매엽식 기판 세정장치, 습식 기판 세정 장치, DIW, 습식 기판 세정 방법 Single wafer cleaning device, wet substrate cleaning device, DIW, wet substrate cleaning method

Description

습식 기판 세정 장치 및 그 세정 방법{Wet type washing device of wafer and thereof method} Wet substrate cleaning apparatus and its cleaning method {Wet type washing device of wafer and pretty method}

본 발명은 습식 기판 세정 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 약액의 처리 공정에서 약액에 의해 기판이 역오염되는 것을 방지할 수 있는 습식 기판 세정 장치 및 그 세정 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wet substrate cleaning apparatus and method, and more particularly, to a wet substrate cleaning apparatus and a cleaning method capable of preventing back contamination of a substrate by a chemical liquid in a chemical liquid treatment step.

일반적으로, 반도체 제조장치는 증착, 포토리소그래피, 식각, 화학적 기계적 연마, 세정, 건조등과 같은 단위공정들의 반복적인 수행에 의해 제조된다.In general, a semiconductor manufacturing apparatus is manufactured by repetitive performance of unit processes such as deposition, photolithography, etching, chemical mechanical polishing, cleaning, drying, and the like.

상기 단위 공정들중 세정 및 건조공정은 각각의 단위공정들을 수행하는 동안 반도체 기판 표면에 잔류하는 이물질 또는 불필요한 막을 제거하는 공정이다.Among the unit processes, the cleaning and drying processes are for removing foreign substances or unnecessary films remaining on the surface of the semiconductor substrate during the respective unit processes.

상기 세정 및 건조공정을 수행하는 장치는 다수의 기판을 동시에 세정하는배치식 세정장치와 낱장단위로 기판을 세정하는 매엽식 세정장치로 구분된다.The apparatus for performing the cleaning and drying process is divided into a batch type cleaning device for cleaning a plurality of substrates at the same time and a sheet type cleaning device for cleaning the substrate in a sheet unit.

여기서, 매엽식 세정장치는 낱장의 기판을 지지하는 척과 기판처리면에 처리유체들을 공급하는 적어도 하나의 노즐을 포함하는 바, 매엽식 세정장치의 공정이시작되면, 척에 기판이 안착되고 노즐은 세정액, 린스액 및 건조가스를 순차적으로 분사하여 기판을 세정 및 건조시키게 된다. Here, the sheet cleaning apparatus includes a chuck for supporting a single substrate and at least one nozzle for supplying processing fluids to the substrate processing surface. When the process of the sheet cleaning apparatus starts, the substrate is seated on the chuck and the nozzle is The cleaning liquid, the rinse liquid and the drying gas are sequentially sprayed to clean and dry the substrate.

도3은 매엽식 기판 세정장치를 도시한 개략 단면도로서, 상부가 개방된 원통형으로 구성되어 있고 내부에 공정처리를 위한 공간이 형성된 공정챔버(50)와, 상기 공정챔버(50)의 내부에 배치되어 있을 뿐만 아니라 기판(W)이 안착되고 세정공정을 위해 공급되는 약액에 대응하여 상하이동 및 회전하는 스핀헤드(51)와, 상기 공정챔버(50)로 다수의 약액들을 공급하는 약액공급부(52)와 연결되어 기판(W) 표면으로 약액을 분사하는 노즐부(53)와, 상기 공정챔버(50)에 구비되어 종류별 약액들을 회수하는 다수의 약액포집장치(54)로 구성된다.Figure 3 is a schematic cross-sectional view showing a single wafer cleaning apparatus, which has a cylindrical shape with an open top and a space formed therein for processing, and disposed inside the process chamber 50. In addition, the substrate W is mounted and the spin head 51 moves and rotates in response to the chemical liquid supplied for the cleaning process, and the chemical liquid supply unit 52 supplies a plurality of chemical liquids to the process chamber 50. And a nozzle unit 53 connected to the substrate W to inject the chemical liquid onto the surface of the substrate W, and a plurality of chemical liquid collecting devices 54 provided in the process chamber 50 to recover the chemical liquids of each type.

또한, 상기 스핀헤드(51)와 노즐부(53)를 상하이동 또는 회전 이동시키도록 구성된 구동부(56, 57) 및 공정 진행에 따라 스핀헤드(51)와 노즐부(53)의 치를 이동하거나 회전시키도록 구동부(56, 57)를 제어하는 제어부(58)가 설치되어 있다.In addition, the driving units 56 and 57 configured to move or rotate the spin head 51 and the nozzle unit 53 and the teeth of the spin head 51 and the nozzle unit 53 as the process proceeds or rotate. The control part 58 which controls the drive parts 56 and 57 is provided.

상기 약액공급부(52)에서 공급되는 다양한 약액은 각각의 공급라인을 통해 노즐부(53)에서 분사되는 바, 약액공급부(52)는 세정 및 건조공정을 위하여 제1, 2, 3약액을 공급하는 바, 제1, 제2 약액은 불산(HF)용액, SC-1(Standard Clean-1) 용액이고, 제3약액은 초순수(DIW) 및 건조가스 예를 들면 이소프로필알코올(IPA : Isopropyl Alcohol)을 사용하게 된다.The various chemical liquids supplied from the chemical liquid supply unit 52 are sprayed from the nozzle unit 53 through respective supply lines, and the chemical liquid supply unit 52 supplies the first, second, and third chemical liquids for cleaning and drying processes. The first and second chemical solutions are hydrofluoric acid (HF) solution and SC-1 (Standard Clean-1) solution, and the third chemical solution is ultrapure water (DIW) and dry gas, for example, isopropyl alcohol (IPA). Will be used.

상기 약액포집장치(54)는 공정챔버(50)의 내부에 형성되어 제1, 2, 3약액을각각 포집하도록 구성된 복수개의 보울로 이루어져 있는 바, 제1약액이 수용되는 공간(S1)을 이루는 제1보울(59)과, 제2약액이 수용되는 공간(S2)을 이루는 제2보울(60)과, 상기 제3약액이 수용되는 공간(S3)을 이루는 제3보울(61)로 이루어져 있다.The chemical liquid collecting device 54 is formed inside the process chamber 50 and includes a plurality of bowls configured to collect the first, second, and third chemical liquids, respectively, to form a space S1 in which the first chemical liquid is accommodated. A first bowl 59, a second bowl 60 forming a space S2 for accommodating the second chemical liquid, and a third bowl 61 forming a space S3 for accommodating the third chemical liquid are included. .

또한, 상기 약액포집장치(54)의 공간에서 회수된 약액들을 각각 배출하도록 배출배관(62)이 설치되어 있게 된다.In addition, the discharge pipe 62 is installed so as to discharge each of the chemical liquids recovered from the space of the chemical liquid collecting device 54.

상기 기판세정장치의 동작을 설명하면, 세정 및 건조공정시 스핀헤드(51)를 각각의 약액에 대응하는 위치로 이동함과 아울러 일정 속도로 회전시키게 되고, 노즐부(53)를 통해 해당 약액공급부(52)로부터 공급되는 약액을 기판(W)으로 분사시켜서 기판을 세정한다. Referring to the operation of the substrate cleaning apparatus, during the cleaning and drying process, the spin head 51 is moved to a position corresponding to each of the chemical liquids and rotated at a constant speed. The chemical liquid supplied from 52 is sprayed onto the substrate W to clean the substrate.

이때, 상기 약액포집장치(54)의 해당 공간(S1, S2, S3)에는 각각의 약액(제1, 2, 3약액)이 포집되어 배출배관(62)으로 배출된다. At this time, each of the chemical liquids (first, second, third chemical liquid) is collected in the corresponding space (S1, S2, S3) of the chemical liquid collecting device 54 is discharged to the discharge pipe (62).

그러나, 상기 다수의 보울에 의해 각각의 약액을 포집할 때 기판으로 분사되는 약액이 스핀헤드의 회전력과 원심력에 의해 보울에 충돌하면서 약액이 리바운드(rebound)되어 보울에 묻어있게 되고, 상기 약액은 초순수(DIW)로 린스를 행할 때 역오염되는 문제점이 있다.However, when the respective chemicals are collected by the plurality of bowls, the chemicals injected onto the substrate collide with the bowls by the rotational and centrifugal force of the spin head, and the chemicals rebound to be buried in the bowls. There is a problem of back contamination when rinsing with (DIW).

따라서, 본 발명의 목적은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 초순수등으로 보울을 린스 처리할 때 약액이 보울 벽면에 잔존하여 역오염을 유발하는 것을 방지할 수 있는 습식 기판 세정 장치를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a wet substrate cleaning apparatus which can prevent the chemical liquid from remaining on the bowl wall surface and causing reverse contamination when the bowl is rinsed with ultrapure water or the like.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판이 안착되고 세정공정을 위해 공급되는 약액에 대응하여 상하이동 및 회전하는 스핀헤드와, 상기 다수의 약액들을 공급하는 약액공급부와 연결되어 기판 표면으로 약액을 분사하는 노즐부와, 상기 약액들을 각각 회수하기 위해 설치된 제1, 2, 3보울을 포함하는 습식 기판 세정 장치에 있어서, 상기 제3보울의 상단에 형성되어 있을 뿐만 아니라 초순수가 충진되고 제3보울을 타고 흘러내리도록 저면에 배출공이 다수 형성되어 있는 세정챔버와, 상기 세정챔버에 초순수를 공급하도록 설치되어 있는 공급배관을 포함함을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention is connected to the spin head which is moved and rotated in response to the chemical liquid which is placed on the substrate and is supplied for the cleaning process, and the chemical liquid supply part which supplies the plurality of chemical liquids to the substrate surface. A wet substrate cleaning apparatus comprising a nozzle unit for spraying and first, second and third bowls installed to recover the chemicals, respectively, which is formed on the upper end of the third bowl and is filled with ultrapure water and the third bowl. It characterized in that it comprises a cleaning chamber in which a plurality of discharge holes are formed in the bottom surface so as to flow down, and a supply pipe is installed to supply ultrapure water to the cleaning chamber.

또한, 본 발명에 따른 세정 방법은, 회전 및 승강하는 스핀헤드에 기판을 안착시키고 제1, 2 약액을 노즐부로 분사하여 세정하고 초순수를 분사하여 린스를 하며 각각의 약액들을 제1, 2, 3보울로 포집하여 배출하도록 하는 습식 기판 세정 방 법에 있어서,상기 초순수를 분사하여 린스를 하기 전에 제3보울에 형성된 세정챔버에 초순수를 공급하고 제3보울의 벽면을 타고 흘러내리면서 제1, 2약액을 세척하도록 하는 것을 포함함을 특징으로 한다.In addition, in the cleaning method according to the present invention, the substrate is mounted on the rotating and elevating spin head, and the first and second chemicals are sprayed and cleaned by spraying the nozzle, and the ultrapure water is rinsed, and the respective chemicals are first, second and third. In the wet substrate cleaning method for collecting and discharging into the bowl, the ultra-pure water is supplied to the cleaning chamber formed in the third bowl before the rinsing by spraying the ultra-pure water and flows down the wall of the third bowl to flow down the first and second. It characterized in that it comprises to wash the chemical liquid.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이상과 같이 본 발명은 초순수로 기판을 세정하기 전에 제3보울을 초순수로 세척할 수 있도록 제3보울 상면에 초순수를 공급하여 충진하는 세정챔버를 형성하고, 여기에서 배출공을 통해 제3보울의 벽면을 세척하도록 함으로써, 초순수로 기판을 린스할 때 역오염이 발생되지 않는 잇점이 있는 것이다.As described above, the present invention forms a cleaning chamber in which ultra pure water is supplied by filling the upper surface of the third bowl so that the third bowl can be cleaned with ultra pure water before the substrate is cleaned with ultra pure water, and the discharge hole of the third bowl is formed therein. By having the walls cleaned, there is an advantage that no back contamination occurs when the substrate is rinsed with ultrapure water.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

본 발명의 바람직한 실시예에 대해 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.Preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 습식 기판 세정 장치의 단면도이고, 도 2는 도1에서 A-A 선 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a wet substrate cleaning apparatus according to the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view taken along line A-A in FIG.

본 발명의 실시예에 따른 습식 기판 세정장치는, 공정챔버(50)의 내부에 배치되어 있을 뿐만 아니라 기판(W)이 안착되고 세정공정을 위해 공급되는 약액에 대응하여 상하이동 및 회전하는 스핀헤드(51)와, 상기 공정챔버(50)로 다수의 약액들을 공급하는 약액공급부(52)와 연결되어 기판(W) 표면으로 약액을 분사하는 노즐부(53)와, 제1, 2, 3보울(59, 60, 61)로 이루어지는 약액포집장치(54)와, 상기 약액포집장치(54)의 제3보울(61) 상단에 형성되어 있을 뿐만 아니라 저면에 배출공(1)이 다수 형성되어 있는 세정챔버(2)와, 상기 세정챔버(2)에 초순수(DIW)를 공급하도록 설치되어 있는 공급배관(3)으로 구성되어 있다.The wet substrate cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention is not only disposed inside the process chamber 50 but also spins and rotates in response to a chemical liquid to which the substrate W is seated and supplied for the cleaning process. A nozzle unit 53 connected to the chemical liquid supply unit 52 for supplying a plurality of chemical liquids to the process chamber 50 and spraying the chemical liquid to the surface of the substrate W, and first, second and third bowls. A chemical liquid collecting device (54) consisting of (59, 60, 61) and a third bowl (61) of the chemical liquid collecting device (54), as well as a plurality of discharge holes (1) are formed on the bottom surface. The cleaning chamber 2 and the supply pipe 3 provided to supply ultrapure water DIW to the cleaning chamber 2 are provided.

즉, 상기 세정챔버(2)가 원통형인 제3보울(61) 전체를 커버할 수 있도록 원형 링 형태로 형성됨과 아울러 상기 세정챔버(2)의 저면에 다수의 배출공(1)이 형성됨으로써, 제3보울(61)에 묻어있는 제1, 2약액이 린스공정전에 세정챔버(2)에 공급되는 초순수에 의해 세척되도록 하는 것이다.That is, since the cleaning chamber 2 is formed in a circular ring shape to cover the entire cylindrical third bowl 61 and a plurality of discharge holes 1 are formed in the bottom surface of the cleaning chamber 2, The first and second chemical liquids buried in the third bowl 61 are to be washed by the ultrapure water supplied to the cleaning chamber 2 before the rinsing process.

상기 세정챔버(2)는 제3보울(61)의 외주변을 감싸도록 원형링형으로 형성되어 있고, 배출공(1)이 세정 챔버(2) 전체를 커버할 수 있도록 균일하게 다수가 형성된다.The cleaning chamber 2 is formed in a circular ring shape so as to surround the outer periphery of the third bowl 61, and a plurality of uniformly formed discharge holes 1 may cover the entire cleaning chamber 2.

상기 배출공(1)의 배열은, 예를 들면 초순수가 배출공(1)으로 흘러 내릴 때 제3보울(61)의 내벽면 전체를 세척할 수 있도록 배치하게 된다.The arrangement of the discharge hole 1 is, for example, arranged so that the entire inner wall surface of the third bowl 61 can be washed when ultrapure water flows into the discharge hole 1.

또한, 상기 세정챔버(2)를 외부와 밀폐되도록 형성하여 초순수(DIW)의 공급 시 외부로 초순수가 유출되지 않고, 외부의 이물질등에 의해 오염되지 않도록 한다.In addition, the cleaning chamber 2 is formed to be sealed to the outside so that the ultrapure water does not leak to the outside when the ultrapure water (DIW) is supplied, and is not contaminated by foreign matters.

상기 공급배관(3)은 초순수를 저장하고 있는 저장탱크(미 도시)에 연결되어 초순수를 공급받게 된다.The supply pipe 3 is connected to a storage tank (not shown) that stores ultrapure water and receives ultrapure water.

또한, 상기 배출공(1)은 최대한 제3보울(61)의 벽면에 근접되도록 형성하여, 배출공(1)에서 그냥 떨어지지 않고 제3보울(61)의 벽면을 따라 흘러내릴 수 있도록 구성하게 된다.In addition, the discharge hole (1) is formed to be as close as possible to the wall surface of the third bowl (61), it is configured to flow along the wall surface of the third bowl (61) without just falling from the discharge hole (1). .

특히, 제3보울(61)의 벽면측으로 경사지게 배출공(1)을 형성하게 되면 보다 효과적으로 초순수가 제3보울(61)의 벽면을 타고 흘러내리도록 할 수 있게 됨으로써, 제1, 2약액의 제거 효과가 보다 향상될 수 있다.In particular, when the discharge hole 1 is formed to be inclined toward the wall surface of the third bowl 61, the ultrapure water flows down the wall surface of the third bowl 61, thereby effectively removing the first and second chemicals. The effect can be further improved.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 습식 기판 세정 장치의 작동 및 그 작용모드를 설명하면 다음과 같다. Referring to the operation and the mode of operation of the wet substrate cleaning apparatus according to the present invention configured as described above are as follows.

기판(W)을 세정하기 위하여 먼저 스핀헤드(51)에 기판(W)을 올려놓은 상태에서, 구동부를 통해 스핀헤드(51)를 제1보울(59) 위치로 이동시킴과 아울러 회전시키고 노즐부(53)를 회전 및 이동시키게 된다.In order to clean the substrate W, first, the substrate W is placed on the spin head 51, the spin head 51 is moved to the first bowl 59 position and rotated through the driving unit. The 53 is rotated and moved.

이와 동시에 약액공급부(52)를 통해 제1약액을 공급하면서 스핀헤드(51)에 안착되어 있는 기판(W)으로 제1약액을 분사하게 되는 바, 상기 제1약액이 분사되면 기판(W)에 충돌하면서 기판(스핀헤드)의 회전력에 의해 제1약액이 튀게 된다.At the same time, the first chemical is injected onto the substrate W seated on the spin head 51 while supplying the first chemical through the chemical supply unit 52. When the first chemical is injected, the first chemical is sprayed onto the substrate W. While colliding, the first chemical liquid is splashed by the rotational force of the substrate (spin head).

제1약액의 처리가 완료되면 이 상태에서 다시 스핀헤드(51)를 상승시켜 제2보울(60) 위치로 이동시킨 후 제2약액을 노즐부(53)에서 분사하여 기판(W)을 처리하게 된다.In this state, when the processing of the first chemical is completed, the spin head 51 is raised again to move to the second bowl 60, and then the second chemical is injected from the nozzle unit 53 to process the substrate W. do.

상기한 바와 같이 제1, 2약액의 분사에 의해 기판(W)을 세정한 후, 초순수를 분사하여 기판(W)을 린스해야 하는 바, 상기 린스공정전에 공급배관(3)을 통해 세정챔버(2)로 초순수를 공급하게 된다.As described above, after cleaning the substrate W by spraying the first and second chemical liquids, it is necessary to rinse the substrate W by spraying ultrapure water. The cleaning chamber may be formed through the supply pipe 3 before the rinsing process. Ultra pure water is supplied to 2).

세정챔버(2)에 초순수가 공급되면 이는 세정챔버(2) 내부에 충진되면서 세정챔버(2)의 하단에 형성되어 있는 배출공(1)을 통해 흘러내리게 된다.When ultrapure water is supplied to the cleaning chamber 2, it is filled in the cleaning chamber 2 and flows down through the discharge hole 1 formed at the lower end of the cleaning chamber 2.

세정챔버(2)의 저면에 형성되어 있는 배출공(1)을 통해 초순수가 흘러내리게 되면, 제3보울(61)의 벽면에 묻어있는 제1, 2약액이 세척되는 바, 이때 초순수가 제3보울(61)의 내측벽면 전체를 세척하기 때문에 제3보울(61)에 제1, 2약액이 완벽하게 제거된다.When ultra pure water flows down through the discharge hole 1 formed at the bottom of the cleaning chamber 2, the first and second chemical liquids buried on the wall of the third bowl 61 are washed. Since the entire inner wall of the bowl 61 is washed, the first and second chemicals are completely removed from the third bowl 61.

즉, 스핀헤드(51)에 안착된 기판(W)을 제1, 2약액으로 세정하게 되면, 이때 스핀헤드(51)의 회전력에 의해 제1, 2약액이 튀어 오르면서 제3보울(61)까지도 튀어서 묻게 되는 바, 상기 제3보울(61)에 묻은 약액들은 세정챔버(2)에서 흘러내리는 초순수에 의해 세척된다.That is, when the substrate W seated on the spin head 51 is cleaned with the first and second chemicals, at this time, the first and second chemicals spring up by the rotational force of the spin head 51 and the third bowl 61. Bars are also splashed and buried, the chemical liquids buried in the third bowl 61 are washed by ultrapure water flowing from the cleaning chamber (2).

여기서, 상기 세정챔버(2)에 형성된 배출공(1)은 비교적 조밀하게 형성되어 제3보울(61)의 벽면 전체에 초순수를 흘릴 수 있게 구성되어 있기 때문에, 제3보울(61)의 벽면 전체에 묻은 약액을 깨끗하게 제거할 수 있다.Here, since the discharge hole (1) formed in the cleaning chamber (2) is formed relatively densely and is configured to flow ultrapure water through the entire wall of the third bowl (61), the entire wall of the third bowl (61) You can get rid of the chemicals on your face.

세정챔버(2)의 배출공(1)을 통해 흘러내리는 초순수에 의해 제3보울(61)에 묻은 제1, 2약액이 세척되면, 다시 스핀헤드(51)를 상승시켜 제3보울(61)의 위치로 이동시킨 후, 노즐부(53)에서 제3약액인 초순수를 분사하여 기판(W)을 세정하게 된다.When the first and second chemical liquids buried in the third bowl 61 are washed by ultrapure water flowing through the discharge hole 1 of the cleaning chamber 2, the spin head 51 is raised again to raise the third bowl 61. After moving to the position of, ultrapure water, which is the third chemical, is injected from the nozzle unit 53 to clean the substrate W.

이때, 상기 제3보울(61)은 이미 세정챔버(2)에서 흘러내리는 초순수에 의해 세척되어 있는 상태이기 때문에, 초순수를 노즐부(53)에서 분사하여 기판(W)을 린스할 때에 초순수가 제3보울(61)에 튀고 기판(W)으로 다시 튀어도 역오염의 위험이 없게 되는 것이다.At this time, since the third bowl 61 is already washed by the ultrapure water flowing down from the cleaning chamber 2, the ultrapure water is discharged when the ultra pure water is sprayed from the nozzle part 53 to rinse the substrate W. Even if bounced into the three bowls 61 and bounced back into the substrate W, there is no risk of reverse contamination.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains have various permutations, modifications, and modifications without departing from the spirit or essential features of the present invention. It is to be understood that modifications may be made and other embodiments may be embodied. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

도 1은 본 발명에 따른 습식 기판 세정 장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a wet substrate cleaning apparatus according to the present invention.

도 2는 도1에서 A-A 선 단면도이다.2 is a cross-sectional view taken along the line A-A in FIG.

도 3은 일반적인 매엽식 습식 기판 세정 장치를 도시한 개략 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view showing a general sheet type wet substrate cleaning apparatus.

<도면의 주요 부분에 대한 설명>Description of the main parts of the drawing

1: 배출공 2: 세정챔버1: outlet hole 2: cleaning chamber

3: 공급배관 51: 스핀헤드3: supply piping 51: spin head

53: 노즐부 59: 제1보울53: nozzle 59: first bowl

60: 제2보울 61: 제3보울60: second bowl 61: third bowl

Claims (4)

기판이 안착되고 세정공정을 위해 공급되는 다수의 약액들에 대응하여 상하이동 및 회전하는 스핀헤드와, 상기 다수의 약액들을 공급하는 약액공급부와 연결되어 기판 표면으로 약액을 분사하는 노즐부와, 상기 다수의 약액들을 각각 회수하기 위해 설치된 제1, 2, 3보울을 포함하는 습식 기판 세정 장치에 있어서,A nozzle head for injecting the chemical liquid onto the surface of the substrate connected to the chemical liquid supply part supplying the plurality of chemical liquids to the spin head which is moved and rotated in response to the plurality of chemical liquids on which the substrate is placed and supplied for the cleaning process; A wet substrate cleaning apparatus comprising first, second, and third bowls installed to recover a plurality of chemical liquids, respectively, 상기 제3보울의 상단에 형성되어 있을 뿐만 아니라 초순수가 충진되고 상기 제3보울을 타고 흘러내리도록 저면에 배출공이 다수 형성되어 있는 세정챔버와, The cleaning chamber is formed not only on the upper end of the third bowl, but also has a plurality of discharge holes formed on the bottom surface so that ultrapure water is filled and flows down the third bowl. 상기 세정챔버에 초순수를 공급하도록 설치되어 있는 공급배관을 포함하되,It includes a supply pipe is installed to supply ultrapure water to the cleaning chamber, 상기 배출공은 상기 제3보울의 벽면측으로 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 습식 기판 세정 장치.The discharge hole is wet substrate cleaning apparatus, characterized in that formed to be inclined toward the wall surface side of the third bowl. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 배출공을 형성할 때 원통형인 상기 제3보울의 면 전체를 세척할 수 있도록 구성함을 특징으로 하는 습식 기판 세정 장치.Wet substrate cleaning apparatus, characterized in that configured to wash the entire surface of the cylindrical bowl when forming the discharge hole. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 배출공은 최대한 상기 제3보울의 벽면에 근접되도록 형성하여 상기 제3보울의 벽면을 따라 흘러내릴 수 있도록 구성함을 특징으로 하는 습식 기판 세정 장치.The outlet hole is formed as close to the wall surface of the third bowl wet substrate cleaning apparatus, characterized in that configured to flow along the wall surface of the third bowl. 회전 및 승강하는 스핀헤드에 기판을 안착시키고 제1, 2 약액을 노즐부로 분사하여 세정하고 초순수를 분사하여 린스를 하며 각각의 약액들을 제1, 2, 3보울로 포집하여 배출하도록 하는 습식 기판 세정 방법에 있어서,Wet substrates are mounted on the rotating and lifting spin heads, and the first and second chemicals are sprayed and cleaned by the nozzle unit, and ultrapure water is sprayed to rinse, and each of the chemicals is collected and discharged into the first, second and third bowls. In the method, 상기 초순수를 분사하여 린스를 하기 전에 상기 제3보울의 상단에 형성된 세정챔버에 초순수를 공급하여, 상기 세정챔버의 배출공을 통과한 상기 초순수가 상기 제3보울의 벽면을 타고 흘러내리면서 상기 제1, 2약액을 세척하도록 하는 것을 포함하되,The ultrapure water is supplied to the cleaning chamber formed at the upper end of the third bowl before the rinsing by spraying the ultrapure water, and the ultrapure water passing through the discharge hole of the cleaning chamber flows down the wall surface of the third bowl. 1, 2 including washing the drug, 상기 배출공은 상기 세정챔버의 저면에 상기 제3보울의 벽면측으로 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 습식 기판 세정 방법.The discharge hole is a wet substrate cleaning method, characterized in that the bottom surface of the cleaning chamber is formed to be inclined toward the wall surface of the third bowl.
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