KR20140026472A - 화학적 기계적 폴리싱을 이용하여 비­평면형 멤브레인들을 형성하는 방법 - Google Patents

화학적 기계적 폴리싱을 이용하여 비­평면형 멤브레인들을 형성하는 방법 Download PDF

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Abstract

일 실시예에서, 기판을 성형하는 방법이 제 1 지지 층을 제공하는 단계, 상기 제 1 지지 층 상에 제 1 성형 패턴을 제공하는 단계, 상기 제 1 성형 패턴 상에 기판을 제공하는 단계, 상기 제 1 성형 패턴 상에 배치된 기판 상에서 제 1 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 프로세스를 실시하는 단계, 및 폴리싱된 기판을 상기 제 1 성형 패턴으로부터 제거하는 단계를 포함한다.

Description

화학적 기계적 폴리싱을 이용하여 비­평면형 멤브레인들을 형성하는 방법{METHOD OF FORMING NON­PLANAR MEMBRANES USING CMP}
본원은 2011년 4월 14일자로 출원된 미국 가출원 제 61/475,422 호의 이익 향유를 주장한다.
본원 발명은 미세전자기계 시스템(MEMS) 장치들, 미소규모(microscale) 광학적 장치들, 또는 반도체 장치들을 형성하는데 이용되는 기판들과 같은 기판들에 관한 것이다.
반도체 기판들이 매우 다양한 용도들에서 이용된다. 그러한 용도 중 하나는 미제전자기계 시스템(MEMS) 장치의 형성이다. MEMS 장치들의 물리적 구조의 증대된 복잡성에 대한 요구가 커짐에 따라, 많은 수의 상이한 성형 프로세스들이 개발되었다. 3개의 중요한 성형 프로세스들의 카테고리들로서, 실리콘의 벌크 마이크로가공(bulk micromachining of silicon), 표면 마이크로가공(surface micromachining), 및 심도 반응성 이온 에칭(deep reactive ion etching (DRIE))이 있다. 이러한 프로세스들의 각각은 특유한 장점들 및 능력들을 가진다. 예를 들어, DRIE 프로세스들은 매우 가파른 측벽들을 제공하고, 그러한 측벽들은 장치 풋프린트(footprint)를 최소화하는데 있어서 유용하다.
전형적으로, 기판을 성형하는데 있어서 이용되는 프로세스들은 매우 복잡한 형상들이 기판의 평면 내에 형성될 수 있게 한다. 예를 들어, 원들, 정사각형들, 및 라인들이 기판 표면 상에서 리소그래피와 같은 프로세스들에 의해서 형성될 수 있고 그리고 이어서 에칭 프로세스들을 이용하여 리소그래픽 층에 의해서 커버되지 않은 재료를 제거할 수 있다. 그러나, 횡단면적 평면에서의 기판의 형상은 특별한 재료 제거 프로세스에 의해서 한정된다. 그에 따라, DRIE는 실질적으로 수직한 측벽들을 제공하는 한편, 화학적 기계적 폴리싱(CMP)은 실질적으로 수평적인 표면을 제공한다.
그러나, 횡단면적 평면 내의 곡선형 형상들은 덜 결정적이다(less deterministic). 예를 들어, 에칭을 이용하여 곡선형 형상을 생성할 수 있다. 그러나, 에칭 프로세스의 제어가 어렵다. 그에 따라, 에칭 프로세스를 이용할 때 곡선형 측벽의 정밀한 위치 및 형상이 문제가 된다.
그에 따라, 기판의 횡단면적 평면에서 곡선형 형상을 제공하기 위한 방법이 요구된다. 횡단면적 평면에서 정밀하게 배치되고 치수결정된(dimensioned) 곡선형 형상들을 제공하기 위해서 이용될 수 있는 방법이 또한 요구되고 있다.
일 실시예에서, 기판을 성형하는 방법이 제 1 지지 층을 제공하는 단계, 상기 제 1 지지 층 상에 제 1 성형 패턴을 제공하는 단계, 상기 제 1 성형 패턴 상에 기판을 제공하는 단계, 상기 제 1 성형 패턴 상에 배치된 기판 상에서 제 1 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 프로세스를 실시하는 단계, 및 한차례(once) 폴리싱된 기판을 상기 제 1 성형 패턴으로부터 제거하는 단계를 포함한다.
추가적인 실시예에서, 기판을 성형하는 방법이 제 1 지지 층 상에 제 1 성형 패턴을 제공하는 단계, 상기 제 1 성형 패턴 상에 기판을 배치하는 단계, 상기 제 1 성형 패턴 상에 배치된 기판 상에서 제 1 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 프로세스를 실시하는 단계, 상기 제 1 성형 패턴의 결과로서 상기 기판의 상부 표면 상의 제 1 위치에서 제 1 압력을 생성하는 단계, 상기 제 1 성형 패턴의 결과로서 상기 기판의 상부 표면 상의 제 2 위치에서 제 2 압력을 생성하는 단계로서, 상기 제 1 압력이 상기 제 2 압력 보다 큰, 제 2 압력을 생성하는 단계, 상기 제 2 위치에 대비하여 상기 제 1 위치로부터 더 많은 양의 재료를 제거하는 단계, 및 한차례 폴리싱된 기판을 상기 제 1 성형 패턴으로부터 제거하는 단계를 포함한다.
도 1은 기판의 일 측부 상에 형성된 볼록부(convexity)를 가지는 기판의 측방향의 횡단면도이다.
도 2는 평면형 지역에 의해서 둘러싸인 볼록부를 도시한, 도 1의 기판의 평면도이다.
도 3은 기판 상에서 볼록부 또는 오목부를 성형하기 위해서 실시될 수 있는 공정의 흐름도이다.
도 4는 도 3의 공정에 따라서 제공되는 지지 층의 측방향의 횡단면도이다.
도 5는 성형 패턴 내의 2개의 음각 피쳐들(negative features)을 포함하는, 도 4의 기판 상의 성형 패턴의 평면도이다.
도 6은 도 5의 지지 층 및 성형 패턴 상에 배치된 기판의 측방향의 횡단면도이다.
도 7은 도 6의 기판 위에 배치된 폴리싱 패드를 도시한다.
도 8은 도 7의 기판 내에 감소된 재료 제거의 지역을 제공하기 위해서 도 7의 폴리싱 패드에 의해서 편향된(deflected) 도 7의 기판의 부분적인 측방향의 횡단면도이다.
도 9는 기판 내에 2개의 볼록부들을 제공하기 위해 CMP가 이용된 후에 도 7의 기판을 도시한 도면이다.
도 10 및 11은 도 3의 공정을 이용하여 기판 내에 생성될 수 있는 다양한 오목부들 및 볼록부들을 도시한 도면이다.
도 12는 기판 내에 오목부들 및 볼록부들을 생성하기 위해서 이용될 수 있는 여러 가지 양각 및 음각 피쳐들을 포함하는 지지 층 상에 일체로 형성된 성형 패턴을 도시한 도면이다.
도 13은 도 12의 지지 층의 횡단면적 평면도이다.
발명의 원리들의 이해를 촉진하기 위한 목적으로, 첨부 도면들에 도시되고 이하에 기술된 명세서에서 설명된 실시예들을 참조할 것이다. 그러한 참조에 의해서 발명의 범위가 제한되지 않는다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 본원 발명이 설명된 실시예들에 대한 임의의 변형예들 및 수정예들을 포함하고 그리고 본원 발명과 관련된 당업자가 정상적으로 이해할 수 있는 발명들의 원리들의 추가적인 적용예들도 포함한다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 1 및 2는, 이러한 실시예에서 실리콘 재료로 이루어지는 기판(100)을 도시한다. 기판(100)은 전반적으로 평면형인 하부 표면(102) 및 두꺼운 부분(108) 주위에 위치된 평면형 표면 부분(106)을 포함하는 상부 표면(104)을 포함한다. 두꺼운 부분(108)은, 횡단면(도 1 참조)에서 볼 때, 중심에 위치된 정점부(112)를 가지는 연속적으로 곡선형인 프로파일을 형성한다.
두꺼운 부분(108)은 도 3에 도시된 프로세스(130)를 이용하여 형성된다. 프로세스(130)는 지지 층을 제공함으로써 시작된다(블록(132)). 일 실시예에서, 지지 층이 평면형 표면이다. 이어서, 성형 패턴이 지지 층 위에 배치된다(블록(134)). 리소그래피와 같은 임의의 희망하는 프로세스를 이용하여 지지 층 상에 침착되는(deposited) 성형 층일 수 있는 성형 패턴은, 이하에서 보다 구체적으로 설명하는 바와 같이, 인접한 지역 보다 더 두꺼운 적어도 하나의 성형 층 재료를 특징으로 한다. 이어서, 성형하고자 하는 기판이 성형 층 내에 형성된 성형 패턴 상에 배치된다(블록(136)).
이어서, 조립된 기판, 성형 층, 및 지지 층으로 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 프로세스가 가해진다(블록(138)). CMP 중에, 지지 층의 하부 표면이 CMP 장치에 의해서 전체적으로(fully) 지지되는 한편, CMP 장치의 폴리싱 패드에 의해서 기판의 상부 표면 상으로 압력이 인가된다. 직접적으로 CMP 폴리싱 패드 및 성형 층의 두꺼운 재료(양각 피쳐) 사이의 위치들에서 기판의 상부 표면이 증대된 압력을 받는 한편, 직접적으로 성형 층의 얇은 부분들(음각 피쳐들) 사이의 위치들에서 기판의 상부 표면은 보다 적은 양의 압력을 받는다. 결과적으로, CMP가 진행됨에 따라, 양각 피쳐들의 바로 위에 위치되는 기판의 상부 표면으로부터 보다 많은 재료가 제거되고 그리고 음각 피쳐들의 바로 위에 위치되는 기판의 상부 표면으로부터 보다 적은 양의 재료가 제거된다.
희망하는 양의 재료가 기판의 상부 표면으로부터 제거되면, CMP가 종료되고(블록(140)) 그리고 기판이 세정되고 성형 패턴으로부터 제거된다. 양각 피쳐들 바로 위의 위치로부터 보다 많은 기판이 제거되기 때문에, 기판의 이러한 부분들은 성형 층의 음각 피쳐들 위의 기판의 부분들 보다 더 얇다. 따라서, 두꺼운 부분(108)과 같은, 기판의 보다 더 두꺼운 부분들이 CMP 폴리싱에 의해서 얻어질 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 기판이 성형 패턴 상에서 유지될 수 있을 것이고, 그에 따라 규정된 챔버가 기판의 얇은 부분 아래에 위치될 수 있도록 허용된다.
도 4-8은 도 3의 프로세스(130)에 따라 성형된 기판을 도시한다. 도 4에서, 지지 층(150)이 제공된다(블록(132)). 이어서, 성형 층(152)이 도 5에 도시된 바와 같이 지지 층 상으로 침착된다(블록(134)). 성형 층(152)의 패턴이 2개의 원들(154 및 156)을 형성하고, 상기 원들을 통해서 지지 층(150)이 육안으로 확인된다. 그에 따라, 원들(154 및 156)은 성형 층(152)의 음각 피쳐들이 되는 한편, 성형 층(152)의 나머지가 양각 피쳐가 된다.
따라서, "양각 피쳐"는, 횡단면에서 볼 때, 성형 패턴(152)의 인접한 지역 보다 z-평면(도 6에 도시된 바와 같음)으로 더 두꺼운 두께를 가지는 성형 층(152)의 부분이 된다. "음각 피쳐"는, 횡단면에서 볼 때, 성형 패턴(152)의 인접한 지역 보다 z-평면(도 6에 도시된 바와 같음)으로 더 얇은 두께를 가지는 성형 층(152)의 부분이 된다. 따라서, 음각 피쳐는, 인접 지역 보다 단순히 얇은 또는 재료 결핍된 성형 층(152)의 지역이 될 수 있을 것이다. 희망하는 경우에, 패턴이 단일 성형 층 내에서 다양한 두께를 포함하여 CMP 후에 다양한 기판 두께를 제공할 수 있을 것이다. 따라서, 하나의 인접한 지역에 대해서 "양각"인 피쳐가 다른 인접한 지역에 대해서 "음각"이 될 수 있을 것이다.
도 4-8의 실시예에서 성형 층(152)이 지지 층으로부터 분리되어 제공되어 있지만, 일부 실시예들에서, 성형 패턴이 본질적으로 지지 층과 함께 형성될 수 있을 것이다. 예로서, 일체형 패턴을 가지는 지지 층을 형성하도록 기판이 에칭될 수 있을 것이다.
도 6을 계속 참조하면, 성형 층(152)이 지지 층(150) 상에 일단 제공되면, 기판(158)이 성형 층(152) 상에 배치된다(블록(136)). 이어서, CMP 장치를 이용하여 기판(158)의 상부 측부(160)를 폴리싱한다(블록(138)). 따라서, 도 7에 도시된 바와 같이, 폴리싱 패드(164)를 이용하여 폴리싱 슬러시(162)가 상부 측부(160)에 대항하여 프레스된다(pressed). 대안적인 실시예들에서, 폴리싱 슬러시(162)가 생략될 수 있을 것이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 폴리싱 패드(164)가 압력을 인가함에 따라, 기판(158)의 지지되지 않는 지역 즉, 성형 층(152)의 음각 피쳐 바로 위의 부분이 폴리싱 패드(164)로부터 멀리 이동되는 한편, 성형 층(152)의 양각 피쳐들 바로 위의 기판(158)의 부분은 패드(164)로부터 멀리 이동되도록 허용되지 않는다. 따라서, CMP 프로세스가 계속됨에 따라, 양각 피쳐들 바로 위의 기판(158)의 부분에서 기판(158)으로부터 보다 많은 재료가 제거되고 그리고 기판(158)의 지지되지 않는 지역들 내의 기판(158)으로부터 적은 재료가 제거된다.
기판(158)의 굴곡량은 다양한 디자인 매개변수들에 의존할 것이다. 그러한 매개변수들은 기판(158) 형성에 이용되는 재료의 타입, 기판의 두께, 프로세스의 온도, 패드에 의해서 인가되는 압력 등을 포함한다. 이러한 매개변수들은 기판의 희망하는 최종 형상을 기초로 선택될 수 있다.
희망하는 양의 CMP가 일단 달성되면, CMP가 종료되고(블록(140)), 결과적으로 도 9에 도시된 기판 구성을 초래한다. 도 9에 도시된 바와 같은 기판(158)은, CMP 이전의 기판(158)의 두께 보다 얇은 평면형 부분들(166) 내의 z-축을 따른 두께를 가진다. 도 9에 도시된 바와 같은 기판(158)은 또한 CMP 이전의 기판(158)의 두께 보다 얇은 두꺼운 지역들(166) 내의 z-축을 따른 두께를 가진다. 그러나, 기판(158)의 지지되지 않는 지역들 내의 기판(158)으로부터 적은 재료가 제거되기 때문에, 성형 층(152) 내의 음각 피쳐들에 상응하는 위치들에 배치되는 두꺼운 지역들(168)은, 평면형 부분(166)의 최대 두께 보다 더 두꺼운 z-축을 따른 최대 두께를 가진다.
양각 피쳐들(154) 및 음각 피쳐들(156)의 형상 및 두께의 수정에 의해서, 많은 수의 달리 성형된 영역들이 기판 상에 형성될 수 있을 것이다. 추가적으로, 많은 수의 부가적인 형상들을 형성하기 위해서, 기판의 양 측부들이 폴리싱될 수 있을 것이다. 예를 들어, 도 10은 오목부들(182, 184, 및 186)을 포함하는 기판(180)을 도시한다. 기판(180)은 볼록부들(188, 190, 및 192)을 더 포함한다.
오목부들(182 및 184)과 볼록부(188)가 기판(180)의 상부 측부(194) 상에서 실시되는 CMP 프로세스 중에 형성될 수 있는 한편, 오목부(186) 및 볼록부들(190 및 192)이 기판(180)의 하부 측부(196) 상에서 실시되는 제 2 CMP 프로세스 중에 형성될 수 있을 것이다. 상부 표면(194) 및 하부 표면(196) 모두에서 성형된 기판(180)을 획득하는데 있어서, 단일 성형 패턴 상에서 기판(180)을 단순히 반전시키는 것은 전형적으로 충분치 않을 것이다. 예를 들어, 오목부(182)가 형성되는 위치에서 증가된 압력을 초래하는 성형 층 상의 양각 피쳐의 결과로서 오목부(182)가 얻어진다. 만약 기판이 반전되고 그리고 오목부(182)가 동일한 양각 피쳐와 정렬된다면, 양각 피쳐가 오목부(182) 내에 "피팅(fit)"될 것이고 그리고 오목부(182)를 형성하기 위해서 이용된 것과 동일한 증가된 압력이 생성되지는 않을 것이다. 그에 따라, 오목부(186)를 획득하기 위해서 필요한 증가된 압력을 획득하기 위해서는 보다 큰 양각 피쳐가 요구될 것이다.
단순히 단일 측부를 성형하는 것 보다 더 복잡한, 기판의 양 측부들을 성형할 수 있는 능력은 다양한 구성들이 실현될 수 있게 한다. 도 10에 도시된 바와 같이, 2개의 오목부들(182 및 186)이 정렬되고, 2개의 볼록부들(188 및 190)이 정렬되며, 그리고 오목부(184)가 볼록부(192)와 정렬된다. 부가적인 구성들이 또한 얻어질 수 있을 것이다. 도 11에 도시된 바와 같이, 기판(200)이 볼록부(204)로부터 오프셋된 오목부(202)를 포함한다. 기판(200)은 볼록부(208)와 정렬된 오목부(206)를 더 포함한다. 그러나, 볼록부(208)는 오목부(206)의 반경 보다 더 큰 반경을 가진다. 따라서, 기판의 대향 측부들이 상보적인 볼록부와, 또는 상보적인 오목부와 쌍을 이루는 오목부를 가지도록 성형될 수 있다. 대향 측부들 상의 오목부 및/또는 볼록부가 동일한 또는 상이한 직경들을 가질 수 있을 것이다. 오목부들/볼록부들 중 하나 이상이 다르게, 예를 들어, 세장형으로 성형될 수 있을 것이다.
일부 실시예들에서 정렬되는 한편 다른 실시예들에서 오프셋되는, 도 10-11에 도시된 것들을 포함하는 오목부들 및 볼록부들이 다양한 방식들로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 12-13은 원통형 돌출부들(222 및 232), 직사각형 공동들(224 및 230), 그리고 원통형 공동들(226 및 228)을 포함하는 일체로 형성된 성형 패턴과 함께 지지 기판(220)을 도시한다. 지지 기판(220) 내의 양각 및 음각 피쳐들이 전형적으로 도 12에 도시된 것 보다 더 큰 간격을 가질 것이다.
지지 기판(220) 내의 여러 가지 양각 및 음각 피쳐들의 형상들 및 구성들이 상이한 성형 능력들을 제공할 것이다. 원통형 돌출부(232)에 대비하여 증가된 원통형 돌출부(222)의 높이는 보다 깊은 오목부를 초래할 것이다. 원통형 공동들(226 및 228)의 상이한 폭들은 상이한 반경의 볼록부들을 초래할 것이다. 얕은 원통형 공동(228)은 기판의 편향을 제한할 것이고, 결과적으로 보다 억제된(subdued) 볼록부를 초래한다. 직사각형 공동들(224 및 230)은 세장형 볼록부들을 초래할 것이다. 이러한 그리고 다른 형상들이 희망 형상에 따라서 이용될 수 있을 것이다.
부가적으로, 도 3의 프로세스를 이용하여 기판을 패터닝할 수 있을 것이고, 이어서 그러한 기판을 후속 기판을 위한 성형 층으로서 이용할 수 있을 것이다. 예를 들어, 도 13의 실린더(222)와 같은 실린더가 패터닝될 수 있을 것이고 그리고 기판 내에 오목부를 형성하기 위해서 이용될 수 있을 것이다. 이어서, 그러한 오목부를 성형 층 내의 음각 피쳐로서 이용하여 볼록부를 형성할 수 있을 것이다. 따라서, 횡단면 평면에서 곡선형인 측벽들이 최종 구성으로서 또는 성형 층 내의 음각 피쳐 또는 양각 피쳐로서 획득될 수 있을 것이다.
도면들 및 전술한 설명에서 발명을 구체적으로 도시하고 설명하였지만, 그러한 것이 설명적인 것이고 특성을 제한하지 않는다는 것을 이해하여야 할 것이다. 바람직한 실시예들만이 제시되었고 그리고 발명의 사상 내에 포함되는 그러한 모든 변경예들, 수정예들 및 추가적인 적용예들에 대해서도 보호받고자 한다는 것을 이해하여야 할 것이다.

Claims (18)

  1. 기판을 성형하는 방법으로서:
    제 1 지지 층을 제공하는 단계;
    상기 제 1 지지 층 상에 제 1 성형 패턴을 제공하는 단계;
    상기 제 1 성형 패턴 상에 기판을 제공하는 단계;
    상기 제 1 성형 패턴 상에 배치된 기판 상에서 제 1 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 프로세스를 실시하는 단계; 및
    한차례 폴리싱된 기판을 상기 제 1 성형 패턴으로부터 제거하는 단계를 포함하는, 기판을 성형하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판이 실리콘계 기판을 포함하는, 기판을 성형하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 성형 패턴이 적어도 하나의 공극(void) 지역을 포함하는, 기판을 성형하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    제 2 지지 층을 제공하는 단계;
    상기 제 2 지지 층 상에 제 2 성형 패턴을 제공하는 단계;
    상기 한차례 폴리싱된 기판을 상기 제 2 성형 패턴 상에 배치하는 단계;
    상기 제 2 성형 패턴 상에 배치된 상기 한차례 폴리싱된 기판 상에서 제 2 CMP 프로세스를 실시하는 단계; 및
    상기 두 차례 폴리싱된 기판을 상기 제 2 성형 패턴으로부터 제거하는 단계를 더 포함하는, 기판을 성형하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판의 제 1 표면이 제 1 CMP 프로세스 중에 폴리싱되고; 그리고
    상기 기판의 제 2 표면이 제 2 CMP 프로세스 중에 폴리싱되는, 기판을 성형하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판 상에서 제 1 CMP 프로세스를 실시하는 단계가 상기 제 1 기판 부분으로부터 증가된 양의 기판 재료를 제거하는 단계를 포함하고;
    상기 한차례 폴리싱된 기판을 제 2 성형 패턴 상에 배치하는 단계가,
    상기 제 1 기판 부분을 상기 제 2 성형 패턴의 양각 피쳐와 정렬시키는 단계, 및
    상기 제 1 기판 부분을 상기 양각 피쳐 상에 배치하는 단계를 포함하고; 그리고
    상기 기판 상에서 제 2 CMP 프로세스를 실시하는 단계가 상기 제 2 기판 부분으로부터 증가된 양의 기판 재료를 제거하는 단계를 포함하고, 상기 제 2 기판 부분이 상기 제 1 기판 부분에 직접적으로 대향하는 기판의 부분 상에 위치되는, 기판을 성형하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 성형 패턴이:
    적어도 하나의 제 1 양각 피쳐; 및
    적어도 하나의 제 1 음각 피쳐를 포함하는, 기판을 성형하는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 성형 패턴이 적어도 하나의 제 2 양각 피쳐를 포함하고, 상기 적어도 하나의 제 1 양각 피쳐가 상기 적어도 하나의 제 2 양각 피쳐의 형상과 상이한 형상을 가지는, 기판을 성형하는 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 성형 패턴이 적어도 하나의 제 2 양각 피쳐를 포함하고, 상기 적어도 하나의 제 1 양각 피쳐가 상기 적어도 하나의 제 2 양각 피쳐의 두께와 상이한 두께를 가지는, 기판을 성형하는 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 성형 패턴이 적어도 하나의 제 2 음각 피쳐를 포함하고, 상기 적어도 하나의 제 1 음각 피쳐가 상기 적어도 하나의 제 2 음각 피쳐의 형상과 상이한 형상을 가지는, 기판을 성형하는 방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 성형 패턴이 적어도 하나의 제 2 음각 피쳐를 포함하고, 상기 적어도 하나의 제 1 음각 피쳐가 상기 적어도 하나의 제 2 음각 피쳐의 두께와 상이한 두께를 가지는, 기판을 성형하는 방법.
  12. 기판을 성형하는 방법으로서:
    제 1 지지 층 상에 제 1 성형 패턴을 제공하는 단계;
    상기 제 1 성형 패턴 상에 기판을 배치하는 단계;
    상기 제 1 성형 패턴 상에 배치된 기판 상에서 제 1 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 프로세스를 실시하는 단계;
    상기 제 1 성형 패턴의 결과로서 상기 기판의 상부 표면 상의 제 1 위치에서 제 1 압력을 생성하는 단계;
    상기 제 1 성형 패턴의 결과로서 상기 기판의 상부 표면 상의 제 2 위치에서 제 2 압력을 생성하는 단계로서, 상기 제 1 압력이 상기 제 2 압력 보다 큰, 제 2 압력을 생성하는 단계;
    상기 제 2 위치에 대비하여 상기 제 1 위치로부터 더 많은 양의 재료를 제거하는 단계; 및
    한차례 폴리싱된 기판을 상기 제 1 성형 패턴으로부터 제거하는 단계를 포함하는, 기판을 성형하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 기판이 실리콘계 기판을 포함하는, 기판을 성형하는 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 성형 패턴이:
    적어도 하나의 제 1 양각 피쳐; 및
    적어도 하나의 제 1 음각 피쳐를 포함하는, 기판을 성형하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 성형 패턴이 적어도 하나의 제 2 양각 피쳐를 포함하고, 상기 적어도 하나의 제 1 양각 피쳐가 상기 적어도 하나의 제 2 양각 피쳐의 형상과 상이한 형상을 가지는, 기판을 성형하는 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 성형 패턴이 적어도 하나의 제 2 양각 피쳐를 포함하고, 상기 적어도 하나의 제 1 양각 피쳐가 상기 적어도 하나의 제 2 양각 피쳐의 두께와 상이한 두께를 가지는, 기판을 성형하는 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 성형 패턴이 적어도 하나의 제 2 음각 피쳐를 포함하고, 상기 적어도 하나의 제 1 음각 피쳐가 상기 적어도 하나의 제 2 음각 피쳐의 형상과 상이한 형상을 가지는, 기판을 성형하는 방법.
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    상기 제 1 성형 패턴이 적어도 하나의 제 2 음각 피쳐를 포함하고, 상기 적어도 하나의 제 1 음각 피쳐가 상기 적어도 하나의 제 2 음각 피쳐의 두께와 상이한 두께를 가지는, 기판을 성형하는 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD786439S1 (en) 2015-09-08 2017-05-09 Samsung Electronics Co., Ltd. X-ray apparatus
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Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6283335A (ja) 1985-10-04 1987-04-16 Hoya Corp マイクロレンズアレ−の製造方法
JPH10125637A (ja) * 1996-10-15 1998-05-15 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US5993293A (en) * 1998-06-17 1999-11-30 Speedram Corporation Method and apparatus for improved semiconductor wafer polishing
JP2000271855A (ja) * 1999-03-25 2000-10-03 Mitsubishi Electric Corp ウエハ研磨装置
AU1430001A (en) 1999-09-03 2001-04-10 University Of Maryland At College Park, The Process for fabrication of 3-dimensional micromechanisms
US20030136759A1 (en) 2002-01-18 2003-07-24 Cabot Microelectronics Corp. Microlens array fabrication using CMP
US6913941B2 (en) 2002-09-09 2005-07-05 Freescale Semiconductor, Inc. SOI polysilicon trench refill perimeter oxide anchor scheme
US7056757B2 (en) 2003-11-25 2006-06-06 Georgia Tech Research Corporation Methods of forming oxide masks with submicron openings and microstructures formed thereby
US7825484B2 (en) 2005-04-25 2010-11-02 Analog Devices, Inc. Micromachined microphone and multisensor and method for producing same
EP1880044A1 (en) 2005-04-29 2008-01-23 E.I.Du pont de nemours and company Membrane-mediated electropolishing with topographically patterned membranes
CN101459044B (zh) * 2007-12-13 2010-06-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械抛光中凹陷现象检测单元、制作方法及检测方法
WO2010006065A2 (en) 2008-07-08 2010-01-14 Wispry, Inc. Thin-film lid mems devices and methods
JP2010207943A (ja) * 2009-03-09 2010-09-24 Mitsubishi Materials Corp Ｃｍｐコンディショナー及びｃｍｐコンディショナーの製造方法
ES2342872B1 (es) 2009-05-20 2011-05-30 Baolab Microsystems S.L. Chip que comprende un mems dispuesto en un circuito integrado y procedimiento de fabricacion correspondiente.
US20110086444A1 (en) 2009-10-14 2011-04-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Process for producing substrates free of patterns using an alpha stepper to ensure results

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD786439S1 (en) 2015-09-08 2017-05-09 Samsung Electronics Co., Ltd. X-ray apparatus
USD790710S1 (en) 2015-09-08 2017-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. X-ray apparatus
USD791323S1 (en) 2015-09-08 2017-07-04 Samsung Electronics Co., Ltd. X-ray apparatus

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