KR20140021644A - 이형층 부착 몰드의 세정 방법 및 이형층 부착 몰드의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 임프린트에 의해 소정의 패턴을 피전사물에 전사하기 위한 몰드 (30)에 이형층 (31)이 설치된 이형층 부착 몰드의 세정 방법에 있어서, 이형층 (31)은 불소 화합물을 포함하고, 이형층 부착 몰드의 이형층 (31)에 대하여 자외선을 조사하는 자외선 조사 처리 공정과, 자외선 조사 처리 공정에 의해서 화학적으로 변성된 이형층을 세정하여 제거하는 세정 처리 공정을 구비함으로써 실현된다. 단, 자외선 조사 처리 공정에서는, 자외선 광원의 중심 파장을 150 내지 200 nm로 했을 때, 자외선의 누적 조사 에너지를 5000 내지 7000 mJ/㎠로 한다.

Description

이형층 부착 몰드의 세정 방법 및 이형층 부착 몰드의 제조 방법{METHOD FOR CLEANING MOLD WITH MOLD-RELEASING LAYER AND METHOD FOR PRODUCING MOLD WITH MOLD-RELEASING LAYER}

본 발명은 이형층 부착 몰드의 세정 방법 및 이형층 부착 몰드의 제조 방법에 관한 것이다.

종래 하드디스크 등으로 이용되는 자기 디스크에서는, 자기 헤드폭을 극소화하여, 정보가 기록되는 데이터 트랙 사이를 좁혀 고밀도화를 도모한다는 수법이 이용되어 왔다.

그 반면, 이 자기 디스크는 고밀도화가 점점 진행되면, 인접 트랙 사이의 자기적 영향을 무시할 수 없게 되어 있다. 이 때문에, 종래 수법으로는 고밀도화가 한계에 다다랐다.

따라서, 자기 디스크의 데이터 트랙을 자기적으로 분리하여 형성하는 패턴드 미디어(Patterned Media)라는, 새로운 타입의 미디어가 제안되고 있다. 이 패턴드 미디어란, 기록에 불필요한 부분의 자성 재료를 제거(홈 가공)하여 신호 품질을 개선하고자 하는 것이다.

이 패턴드 미디어를 양산하는 기술로서, 마스터 몰드, 또는 마스터 몰드를 원형의 몰드로서 1회 또는 복수회 전사시켜 복제한 카피 몰드(워킹 레플리카(Working Replica)라고도 함)가 갖는 요철 패턴을 피전사재에 전사함으로써 패턴드 미디어를 제작한다는 임프린트 기술(또는, 나노임프린트 기술이라 함)이 알려져 있다.

또한, 이 임프린트 기술은 크게 2종으로 나눌 수 있으며, 열 임프린트와 광 임프린트가 있다.

열 임프린트는, 미세한 요철 패턴이 형성된 몰드를 피성형 재료인 열가소성 수지에 가열하면서 가압하고, 그 후 피성형 재료를 냉각·이형하여 미세 패턴을 전사하는 방법이다.

또한, 광 임프린트는, 미세한 요철 패턴이 형성된 몰드를 피성형 재료인 광 경화성 수지에 가압하여 자외광을 조사하여 경화시키고, 그 후 피성형 재료를 이형하여 미세 패턴을 전사하는 방법이다.

임프린트에 의한 피성형물의 양산 공정에서는, 일반적으로 마스터 몰드 그 자체를 이용하는 것은 아니다. 구체적으로는, 마스터 몰드의 대체 몰드로서, 워킹 레플리카라 불리는 몰드이며 마스터 몰드로부터 복제한 카피 몰드를 양산 라인마다 이용하게 된다. 카피 몰드는 마스터 몰드의 미세한 요철 패턴을 별도의 피성형 재료에 전사하여 복제한 2차 몰드나, 이 2차 몰드의 미세한 요철 패턴을 또 다른 피성형 재료에 전사하여 복제한 3차 몰드 등이다.

따라서, 임프린트의 양산 공정에서 카피 몰드에 변형이나 파손이 발생하였다고 해도, 마스터 몰드에는 영향이 없다. 즉, 마스터 몰드가 무사하면, 얼마든지 카피 몰드를 제작할 수 있기 때문에 임프린트의 양산 공정에 지장을 초래하는 것은 아니다.

그런데, 이 카피 몰드를 제작할 때는 상술한 바와 같이, 미세한 요철 패턴이 형성된 마스터 몰드, 또는 원형이 되는 카피 몰드, 즉 3차 몰드에 대한 2차 몰드 등(또한, 이하에서 설명을 위해 카피 몰드를 형성하는 기준이 되는 이들 몰드를 원형 몰드라 함)을 피전사물에 있어서의 피성형 재료에 가압할 필요가 있고, 그에 따라 피성형 재료, 나아가 피전사물로부터 원형 몰드를 이형할 필요가 있다.

또한, 임프린트의 양산 공정에서도 마찬가지로, 카피 몰드를 피전사물에 있어서의 피성형 재료에 가압할 필요가 있고, 그에 따라 피성형 재료, 나아가 피전사물로부터 카피 몰드를 이형할 필요가 있다(또한, 이하에서 설명을 위해 원형 몰드, 카피 몰드를 단순히 몰드라 함).

피전사물로부터 몰드를 원활히 이형하기 위해, 몰드 표면에 미리 이형제를 실시함으로써 이형층을 형성한 후 패턴의 전사를 행하는 것이 알려져 있다.

이와 같이 몰드에 이형층을 설치함으로써, 몰드와 피전사물 사이의 이형성을 향상시킬 수 있다.

예를 들면, 특허문헌 1에는 이형제 조성물로서, 직쇄 퍼플루오로폴리에테르 구조를 갖는 유기 실리콘 화합물을 포함하는 표면 개질제를 이용하는 기술이 기재되어 있다.

또한, 특허문헌 2에는, 오르가노폴리실록산 구조를 기본 구조로 하는 실리콘계 이형제에 대해서 기재되어 있고, 구체적으로는 미변성 또는 변성 실리콘 오일, 트리메틸실록시규산을 함유하는 폴리실록산, 실리콘계 아크릴 수지 등을 들 수 있다.

그런데 몰드에 설치된 상술한 바와 같은 이형층은, 다수회의 임프린트에 의해 필연적으로 감모하기 때문에 점차 양호한 이형을 실행할 수 없게 되어, 최악의 경우, 전사 결함을 초래할 가능성이 있다. 또한, 이형층이 감모함으로써, 양호한 이형을 실행할 수 없는 경우, 피전사물을 구성하는 피성형 재료의 잔사가 몰드에 부착하는 몰드의 오염을 야기할 가능성도 있다.

따라서, 일반적으로 이형층을 설치한 몰드는, 어느 정도의 횟수의 임프린트를 실행한 몰드에 대하여 재생 처리를 실행한다. 구체적인 재생 처리로는, 우선 황산과 과산화수소수를 혼합한 황산과수 등으로, 이형층 부착 몰드를 세정함으로써 몰드로부터 이형층을 제거한다. 그 후, 적절하게 세정이나 건조 등을 실행하고, 다시 몰드에 이형제를 도포함으로써 새로운 이형층을 설치함으로써, 몰드의 재생 처리가 이루어진다.

또한, 특허문헌 3에서는, 스탬퍼 위에 잔존한 포토레지스트층을 제거하기 위해 알칼리 수용액 처리, 용제 처리, UV/O₃ 처리, 순수 처리를 순차 실시함으로써, 스탬퍼 위의 잔존 포토레지스트층을 제거하도록 하고 있다. 즉, 특허문헌 3에서는, 레지스트를 제거하기 위해 유기 화합물을 오존으로 산화시켜 알칼리에 가용으로 한다는 사고방식이다.

일본 특허 공표 제2008-537557호 공보 일본 특허 공개 제2010-006870호 공보 일본 특허 공개 (평)10-92024호 공보

특허문헌 1 및 2에 기재되어 있는 바와 같이, 나노임프린트용 이형제로는 퍼플루오로폴리에테르 화합물이나 실리콘계 화합물이 일반적으로 사용되고 있다.

이들 화합물로는, 통상 불소나 실리콘에 의해, 피전사물에 대한 이형성이 높아지고 있다. 구체적으로 말하면, 화합물의 분자쇄에 있어서의 변성 실란기가 형성되어 있지 않은 부분, 즉 이 불소 함유기나 실리콘의 부분에 의해서, 몰드의 피전사물 접촉 예정 부분의 표면 자유 에너지를 저하시키고 있다.

그 결과, 몰드 위에 설치된 이형층으로부터 몰드를 원활히 이형할 수 있다. 이 때문에, 양호한 이형층을 설치하기 위해서는, 피전사물과의 접촉 예정 부분에서의 표면 자유 에너지를 저하시키는 것이 바람직하다고 여겨지고 있다.

표면 자유 에너지가 큰 상태, 예를 들면 상술한 바와 같은 표면 자유 에너지를 저하시킨 이형층이 설치되어 있지 않은 몰드에 대하여, 황산과수 또는 IPA(이소프로필알코올), 순수(純水)에 의한 세정 처리를 실시한 경우에는, 양호한 세정 처리가 가능해진다.

그러나, 원활한 이형을 실현하기 위해, 피전사물과의 접촉 예정 부분에서의 표면 자유 에너지를 저하시킨 이형층을 몰드 위에 설치한 경우, 이 이형층의 매우 낮은 표면 자유 에너지의 영향에 의해, 황산과수, 또는 IPA와 순수와 같은 세정 용매, 세정 물질의 이형층에 대한 습윤성이 매우 나쁜 상태가 되어 버린다.

이와 같이 습윤성이 나쁘면, 몰드의 재생시에 세정을 실시한 경우, 세정 흔적, 건조 불균일 등을 유발하여, 양호한 몰드의 재생을 방해한다는 문제가 있다. 또한, 습윤성이 나쁘면, 세정 효율의 저하로도 이어지기 때문에, 양산 공정을 수반하는 패턴드 미디어 등 미세한 패턴의 전사를 수반하는 공정에서 매우 큰 문제가 되어 버린다.

따라서, 본원 발명은, 상술한 문제를 해결하기 위해 제안된 것으로, 몰드에 형성된 이형층을 거의 완전히 제거하도록 세정하여, 초미세한 패턴을 열화(劣化)시키지 않고, 몰드를 재생할 수 있는 이형층 부착 몰드의 세정 방법 및 이형층 부착 몰드의 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 제1 양태는, 임프린트에 의해 소정의 패턴을 피전사물에 전사하기 위한 몰드에 이형층이 설치된 이형층 부착 몰드의 세정 방법에 있어서, 상기 이형층은 불소 화합물을 포함하고, 상기 이형층 부착 몰드의 이형층에 대하여 자외선을 조사하는 자외선 조사 처리 공정과, 상기 자외선 조사 처리 공정에 의해서 화학적으로 변성된 이형층을 세정하여 제거하는 세정 처리 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 이형층 부착 몰드의 세정 방법이다.

단, 상기 자외선 조사 처리 공정에서는, 자외선 광원의 출력의 중심 파장을 150 내지 200 nm로 했을 때, 자외선의 누적 조사 에너지를 5000 내지 7000 mJ/㎠로 한다.

본 발명의 제2 양태는, 상기 불소 화합물은, 하기의 화합물인 것을 특징으로 하는 상기 제1 양태에 기재된 이형층 부착 몰드의 세정 방법이다.

<화학식 1>

단, m은 자연수이다.

본 발명의 제3 양태는, 상기 불소 화합물은, 하기의 화합물인 것을 특징으로 하는 상기 제1 양태에 기재된 이형층 부착 몰드의 세정 방법이다.

<화학식 2>

단, m은 자연수이다.

본 발명의 제4 양태는, 상기 이형층을 소정의 고온 상태까지 가열하는 가열 처리 및 상기 이형층에 대하여 전자선을 조사하는 전자선 조사 처리 중 적어도 어느 하나와, 상기 자외선 조사 처리 공정을 조합하는 것을 특징으로 하는 상기 제1 양태에 기재된 이형층 부착 몰드의 제조 방법이다.

본 발명의 제5 양태는, 상기 제1 내지 제4 양태 기재 중 어느 하나의 이형층 부착 몰드의 세정 방법을 이용하여, 몰드의 이형층을 세정하여 제거한 몰드에 대하여, 이형층을 재차 설치하는 것을 특징으로 하는 이형층 부착 몰드의 제조 방법이다.

본 발명에 따르면, 몰드에 형성된 이형층을 거의 완전히 제거하도록 세정하여 초미세한 패턴을 열화시키지 않고, 몰드를 재생하는 것을 가능하게 한다.

도 1은 본 실시 형태에 따른 이형층 부착 몰드에 대해서 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 2는 실시예에서, 불소의 XPS(X선 광전자 분광)에 의한 측정 결과를 나타낸 도면이다.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다. 도 1(a)는, 원형 몰드나 원형 몰드로부터 제작된 카피 몰드의 형태를 나타낸 개략 단면도이다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 임프린트용 원형 몰드(즉 마스터 몰드 등)나, 원형 몰드에 의해서 제작된 카피 몰드를 단순히 몰드라 부른다.

몰드 (30)의 재료로는, 임프린트 몰드로서 사용할 수 있는 것이면 어떠한 것일 수도 있다. 예를 들면, 광 임프린트를 실행하는 경우에는, 투광성을 갖는 것(예를 들면 석영, 사파이어 등)이면 몰드 (30)을 통해 노광을 행할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 몰드 (30)의 재료로서, 실리콘 웨이퍼, 니켈 등을 사용할 수도 있다. 또한, 열 임프린트를 실행하는 경우에는 SiC 기판 등도 사용 가능하다.

또한, 이 몰드 (30) 위에 형성되는 소정의 패턴은 마이크로미터오더일 수도 있지만, 최근의 전자 기기의 성능이라는 관점에서는 나노오더일 수도 있고, 임프린트 몰드 등에 의해 제작되는 최종 제품의 성능을 고려하면, 나노오더인 것이 바람직하다.

(몰드에의 이형층의 설치)

도 1(b)는, 몰드 (30)에 이형층 (31)을 설치한 모습을 나타낸 개략 단면도이다. 도 1(b)에 도시한 바와 같이, 몰드 (30)에는 적어도 소정의 패턴이 형성된 부분에 이형제를 도포함으로써 이형층 (31)을 설치한다.

이러한 이형층 (31)을 설치한 몰드 (30)을 피전사물에 접촉시킴으로써 소정의 패턴을 전사한다. 그리고, 각 임프린트 수법(광 임프린트 또는 열 임프린트)에 따라 피전사물을 경화시킨다. 계속해서, 경화시킨 피전사물로부터 이형층 (31)을 설치한 몰드 (30)을 박리하게 되지만, 이형층 (31)을 설치함으로써 몰드 (30)의 표면 자유 에너지가 저하되고 있기 때문에 용이하게 박리할 수 있다.

이와 같이 몰드 (30)에 이형층 (31)을 설치함으로써, 피전사물로부터 몰드 (30)을 원활하게 이형할 수 있기 때문에, 작업 처리량이 향상될 뿐 아니라 몰드 (30) 및 피전사물의 패턴 붕괴를 억제할 수 있다.

몰드 (30)에 도포하는 이형제, 즉 이형층 (31)에는, 불소 화합물을 이용한다. 이와 같이 이형층 (31)에 화학적으로 매우 안정적인 불소 화합물을 이용하면, 피전사물과 접촉하고 있는 몰드 (30)의 표면 자유 에너지를 양호하게 저하시킬 수 있기 때문에, 매우 양호한 이형을 실현할 수 있다.

그런데, 이러한 이형층 (31)이 설치된 몰드 (30)을 이용하여, 피전사물에 소정의 패턴의 전사를 반복하면 이형층 (31)의 감모 등의 발생에 의해 양호한 이형을 할 수 없게 되거나, 몰드 (30)에 피전사물의 일부가 부착되는 것과 같은 오염 등이 발생한다. 따라서, 이러한 문제를 회피하기 위해 복수회의 임프린트를 실행한 경우에는, 몰드 (30)에 설치한 이형층 (31)을 일단 제거하고, 새로운 이형층 (31)을 설치하는 몰드 (30)의 재생 처리가 필요해진다.

(몰드의 재생 처리에 대해서)

본 발명자는, 상술한 바와 같이 몰드 (30)을 고품질로 재생하기 위해서는, 해당 몰드 (30)의 표면에 형성된 화학적으로 매우 안정적인 불소 화합물을 포함하는 이형층 (31)을 화학적으로 변성시키는 것이 유효하다는 지견을 얻었다.

구체적으로는, 종래와 같이 황산과수 등으로 세정하는 전 단계에 있어서, 이형층 (31)에 대하여 변성 처리로서, 이형층 (31)에 자외선을 조사하는 자외선 처리를 실행한다. 여기서 자외선 조사 처리에 대해서는, 자외선 광원의 출력의 중심 파장이 150 내지 200 nm인 자외선을, 누적 조사 에너지가 5000 내지 7000 mJ/㎠가 되도록 이형층 (31)에 조사하는 것이 바람직하다. 또한, 상기한 자외선 조사 처리에, 이형층 (31)을 소정의 고온 상태까지 가열하는 가열 처리, 및 이형층 (31)에 대하여 전자선을 조사하는 전자선 조사 처리 중 어느 하나 또는 양쪽을 조합하여 실행할 수도 있다. 또한, 상술한 수법 이외에도 이형층 (31)을 화학적으로 변성시키는 것이 가능하면 어떠한 처리일 수도 있다.

이에 따라 이형층 (31)의 이형제 분자는 분해되어 몰드 (30) 자체의 표면 자유 에너지가 상승하게 된다. 그 후, 황산과수, IPA/순수 등으로 몰드 (30)을 세정하여 이형층 (31)을 제거하고, 적절하게 세정이나 건조 등을 행한다. 그리고, 다시 이형제를 도포함으로써 새롭게 재차 이형층 (31)을 몰드 (30) 위에 설치함으로써 재생을 실현한다.

<본 발명의 실시 형태의 효과>

이상과 같은 본 실시 형태에서는, 이하의 효과를 얻을 수 있다. 몰드의 재생 처리에 있어서, 화학적으로 매우 안정적인 불소 화합물을 포함하는 이형층 (31)을, 우선 화학적으로 변성시킴으로써, 이형제 분자를 분해시키기 때문에, 그 후 세정 공정에서 용이하게 이형층 (31)을 형성하는 이형제를 제거할 수 있다.

이에 따라, 종래의 세정 방법에 의한 세정만으로는 제거할 수 없었던 이형층 (31)을 거의 완전히 제거하는 것이 가능하기 때문에, 고품질의 세정을 실현할 수 있다. 따라서, 몰드 (30)의 재생 처리를 원활히 수행할 수 있음으로써 임프린트 처리를 효율적으로 실현할 수 있다. 또한, 사용된 몰드 (30)이어도 패턴의 열화를 매우 감소시킨 상태에서 몰드 (30)을 재생 처리할 수 있기 때문에, 몰드 (30)의 장기 수명화가 가능해진다. 따라서, 특히 고비용이 드는 초미세 패턴을 전사하는 몰드에 있어서는, 재이용의 수명이 길어지기 때문에 대폭적인 비용 삭감을 실현할 수 있다.

이러한 몰드는 열 임프린트에도 광 임프린트에도 사용할 수 있고, 나아가 나노임프린트 기술에도 응용할 수 있다. 특히, 임프린트 기술을 이용하여 제작되는 패턴드 미디어에 본 실시 형태를 바람직하게 응용할 수 있다.

이상, 본 발명에 따른 실시 형태를 예로 들었지만, 상기한 개시 내용은, 본 발명의 예시적인 실시 형태를 나타내는 것이다. 본 발명의 범위는, 상기한 예시적인 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 본 명세서 중에서 명시적으로 기재되어 있거나 또는 시사되어 있는지의 여부에 관계없이, 당업자이면 본 명세서의 개시 내용에 기초하여 본 발명의 실시 형태에 다양한 개변을 가하여 실시할 수 있다.

[실시예]

다음으로 실시예를 나타내고, 본 발명에 대해서 구체적으로 설명한다. 물론 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다.

<실시예 1>

본 실시예에서는, 깊이 30 nm, 라인 15 nm 또한 스페이스 10 nm의 하프 피치 25 nm 주기 구조의 라인 앤드 스페이스 패턴이 설치되어 있는 석영 기판으로 이루어지는 몰드 (30)을 이용하였다. 이 몰드 (30)을 VERTRELXF-UP(VERTREL은 등록상표, 미쓰이·듀퐁 플루오로 케미컬 가부시끼가이샤 제조)으로 0.5중량％에 희석한 하기 화합물(상기 화학식 1과 동일함)을 포함하는 이형제에 5분간 침지하였다. 단, m은 자연수이다.

<화학식 3>

그 후, 120 mm/분의 속도로 몰드 (30)을 취출하였다.

이와 같이 침지법에 의해 이형제의 도포를 행하였다. 또한 이 때, 시료에 대하여 170℃의 온도에서 열 처리를 행하였다. 그 후, 몰드 (30)에 대하여 린스 처리를 행하였다. 이 때에도 린스액으로서 VERTRELXF-UP을 이용하여, 10분간 린스 처리를 행하였다. 이와 같이 하여 이형층 부착 몰드를 얻었다.

이러한 이형층 부착 몰드에 대하여, 중심 파장 172 nm이고, (램프) 출력이 50 mW/㎠인 자외선을 2분간 조사하였다. 또한, 이 때의 조사 환경은 N₂와 O₂의 혼합 분위기로 하고, 그의 유량비는 O₂가 5 내지 10％가 되는 범위로 하였다. 그리고, 자외선을 조사한 후, 열황산, 냉황산으로 각 30분간 세정 처리하고, 추가로 순수, IPA로 세정 처리를 행하였다.

도 2에 X선 광전자 분광(XPS)을 이용하여, 불소의 F1s 스펙트럼을 관찰하였다. 도 2에 도시한 바와 같이 F1s 피크는 거의 관찰할 수 없었기 때문에, 이형층을 형성하고 있는 이형제가 거의 완전히 제거되어 있다고 생각된다.

<실시예 2>

본 실시예에서는, 하기 화합물(상기 화학식 2와 동일함)을 포함하는 이형제를 이용하는 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 행하였다. 불소의 F1s 스펙트럼을 관찰한 바, 실시예 1과 마찬가지의 F1s 피크는 거의 관찰할 수 없었다. 단, m은 자연수이다.

<화학식 4>

<비교예>

비교예에서는, 실시예와 마찬가지의 수법에 의해 제작한 이형층 부착 몰드를 3개 준비하고, 이번에는 자외선을 조사하는 시간 의존성을 검토하였다. 1번째는 자외선을 전혀 조사하지 않은 경우, 2번째는 조사 시간을 5분간으로 하는 경우, 3번째는 조사 시간을 10분간으로 하는 경우로 한다. 어느 경우도, 실시예와 마찬가지로 열황산, 냉황산으로 각 30분간 세정 처리하고, 추가로 순수, IPA로 세정 처리를 행하였다.

도 2에 도시한 바와 같이 자외선을 전혀 조사하지 않고 종래의 세정 수법을 적용한 1번째의 경우 불소의 F1s 스펙트럼은 높은 값을 나타내고, 이형제가 제거되어 있지 않은 것을 알 수 있다. 또한, 2번째, 3번째의 경우도, 불소의 F1s 스펙트럼의 피크를 확인할 수 있기 때문에, 어느 경우도 이형제의 세정이 불충분하다는 것을 알 수 있었다.

<평가>

실시예, 비교예로부터도 알 수 있는 바와 같이, 이형층을 화학적으로 변성시키기 위한 처리인 자외선의 조사에는 시간 의존성이 있으며, 중심 파장 172 nm의 자외선으로 2분간의 조사 시간이 이형제의 제거에는 매우 높은 효과를 나타내는 것을 알 수 있었다.

이는 말단 관능기를 히드록실기로 하는 불소계 중합체에 있어서, 자외선 조사 처리에 의해 말단에 가까운 부분으로부터 주쇄의 절단이 시작되어, 서서히 분자의 분해가 시작되고 있다고 생각된다. 이러한 점에서 2분보다 길게 자외선을 조사하면 주쇄의 전체에서 분해가 발생하기 때문에 생성된 불소 저분자 화합물이 몰드 표면을 화학적으로 수식(修飾)하는 것으로 추측된다.

따라서, 자외선의 조사를 실행한 후에 소정의 세정 처리를 실시하여도 이형제를 양호하게 제거할 수 없었을 것으로 추측된다. 이에 반해, 2분 정도 자외선을 조사한 경우에는, 말단 부근, 즉 흡착기의 부근만 분자의 절단이 일어났기 때문에, 그 후 소정의 세정 처리에 의해 이형제를 양호하게 제거할 수 있었다고 생각된다.

이상의 내용으로부터, 자외선 조사 처리에 있어서의 바람직한 조건에 대해서 검토한다. 상기한 실시예에서는, 출력이 50 mW/㎠인 자외선을 2분간 조사했기 때문에, 자외선의 누적 조사 에너지는 다음과 같이 구해진다.

50 mW/㎠×120초=6000 mJ/㎠

이러한 점에서, 자외선 광원의 출력의 중심 파장이 150 내지 200 nm의 범위에서, 5000 내지 7000 mJ/㎠의 범위의 누적 조사 에너지로 함으로써, 상기한 실시예와 동등한 효과가 생기는 것이라고도 생각된다.

30 몰드
31 이형층

Claims (5)

1. 임프린트에 의해 소정의 패턴을 피전사물에 전사하기 위한 몰드에 이형층이 설치된 이형층 부착 몰드의 세정 방법에 있어서,
   상기 이형층은 불소 화합물을 포함하고,
   상기 이형층 부착 몰드의 이형층에 대하여 자외선을 조사하는 자외선 조사 처리 공정과,
   상기 자외선 조사 처리 공정에 의해서 화학적으로 변성된 이형층을 세정하여 제거하는 세정 처리 공정을 구비하고,
   상기 자외선 조사 처리 공정에서는, 자외선 광원의 출력의 중심 파장을 150 내지 200 nm으로 했을 때, 자외선의 누적 조사 에너지를 5000 내지 7000 mJ/㎠로 하는 것을 특징으로 하는, 이형층 부착 몰드의 세정 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 불소 화합물은 하기의 화합물인 것을 특징으로 하는 이형층 부착 몰드의 세정 방법.
   <화학식 1>
   

   

   
   (단, m은 자연수임)
3. 제1항에 있어서, 상기 불소 화합물은 하기의 화합물인 것을 특징으로 하는 이형층 부착 몰드의 세정 방법.
   <화학식 2>
   

   

   
   (단, m은 정수임)
4. 제1항에 있어서, 상기 이형층을 소정의 고온 상태까지 가열하는 가열 처리 및 상기 이형층에 대하여 전자선을 조사하는 전자선 조사 처리 중 적어도 어느 하나와, 상기 자외선 조사 처리 공정을 조합하는 것을 특징으로 하는 이형층 부착 몰드의 세정 방법.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 이형층 부착 몰드의 세정 방법을 이용하여, 몰드의 이형층을 세정하여 제거한 몰드에 대하여, 이형층을 재차 설치하는 것을 특징으로 하는 이형층 부착 몰드의 제조 방법.

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