KR20140021478A

KR20140021478A - 콘택트 프로브 및 프로브 카드

Info

Publication number: KR20140021478A
Application number: KR1020130080852A
Authority: KR
Inventors: 마사토모 우에바야시; 아키라 소마
Original assignee: 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스
Priority date: 2012-08-10
Filing date: 2013-07-10
Publication date: 2014-02-20
Also published as: JP5968158B2; JP2014035335A; TW201415035A; TWI509250B; KR101468390B1; US9146257B2; US20140043055A1

Abstract

본 발명은 각 프로브에 걸리는 실효 OD 양의 차이에 상관없이 스크럽 양을 일정 범위 내로 하기 위한 것이다. 본 발명의 콘택트 프로브는, 테스터 쪽과 피시험회로의 전극 패드를 전기적으로 접속하는 부재이다. 이 콘택트 프로브는, 기단부에 위치하여 프로브 카드에 설치되는 설치부와, 선단부에 위치하여 상기 전극 패드에 접촉되는 접촉부와, 이들 사이에 위치하여 상기 접촉부를 탄성적으로 지지하는 암부를 갖추었다. 상기 접촉부는 상기 암부의 선단부에 일체로 설치된 대좌부의 하단부에 설치되고, 상기 암부는 상기 대좌부를 지지하여 그 대좌부의 상하운동을 허용하는 한쪽 암 편과, 상기 대좌부를 지지하여 그 대좌부의 경사각도를, 상기 접촉부의 스크럽 양을 작게 하도록 조정하는 다른쪽 암 편을 갖추었다. 본 발명의 프로브 카드는 상기 콘택트 프로브를 이용하고 있다.

Description

콘택트 프로브 및 프로브 카드{Contact Probe and Probe Card}

본 발명은 통전시험 등에 이용되는 캔틸레버형 콘택트 프로브 및 프로브 카드에 관한 것이다.

최근 기술개발에 의해 반도체 집적회로가 고밀도화, 고집적화하고, 이에 따라, 반도체 집적회로의 전극 패드도 작아지고 있다. 이에 대하여, 반도체 집적회로의 안정한 통전시험을 하기 위해서는, 전극 패드의 크기에 맞추어 콘택트 프로브의 선단을 작게 할 필요가 있다. 게다가, 콘택트 프로브에 하중을 가했을 때(전극 패드측으로부터의 반력에 의해 콘택트 프로브 선단부가 들어 올려지는 오버 드라이브 시)의 선단 스크럽 양도 적게 할 필요가 있다.

종래, 회로의 고밀도화 등에 의해 작아진 전극 패드에 대응하여, 스크럽 양을 적게 한 기술로는, 예를 들어, 특허문헌 1에 기재된 캔틸레버형 콘택트 프로브나, 특허문헌 2에 기재된 수직형 콘택트 프로브가 있다.

수직형 콘택트 프로브(수직형 프로브)의 경우는, 프로브 카드 쪽에 접속되어 지지되어 있는 지지부(풋(foot)부)와 회로 쪽의 전극 패드에 접촉하는 선단부가 XY 방향(수평방향)으로 떨어져 있지 않기 때문에, 스크럽은 거의 발생하지 않는다. 그러나, 수직형 프로브의 경우는, 프로브 카드 조립 시에, 프로브의 프로브 카드에의 접속이 어렵고, 또 원리상 각 프로브 간의 피치에 제약이 있기 때문에, 회로의 고밀도화 등에 의해 작아진 전극 패드에 대응하기 어렵다.

이에 대하여, 상기 캔틸레버형 콘택트 프로브의 경우는, 회로의 고밀도화 등에 의해 작아진 전극 패드에 대응할 수 있다. 게다가, 상기 캔틸레버형 콘택트 프로브의 경우는, 풋부와 선단부가 XY 방향으로 떨어져 있지만, 오버 드라이브(이하 「OD」라 함)를 걸었을 때에, 그 OD에 따라 상기 전극 패드의 크기의 범위 내에서 스크럽이 발생하도록 설정되어 있다.

특허문헌 1: 일본 공개특허 특개2009-229410호 공보 특허문헌 2: 일본 공개특허 특개2009-162483호 공보

그런데, 상기 종래의 캔틸레버형 콘택트 프로브에는 다음과 같은 문제가 있다.

종래의 콘택트 프로브는, OD를 걸었을 때, OD에 따라 전극 패드 위에서 일정한 스크럽이 발생했지만, 회로의 고밀도화 등이 더 진행하면, 전극 패드에의 대응이 어려워진다. 즉, 회로의 고밀도화 등에 의해 전극 패드가 더 작아지면, 상대적으로 스크럽 양이 커져, 스크럽 시에 콘택트 프로브의 선단부가 전극 패드 밖으로 벗어나게 되는 문제가 발생한다.

또, 각 콘택트 프로브 간의 높이의 고르지 못함이나 프로브 카드의 뒤틀림 등이 있으면, 각 프로브에 걸리는 실효 OD 양이 하나의 프로브 카드면 내의 각 콘택트 프로브 사이에서 달라져 버리는 문제가 있다.

본 발명은 이와 같은 문제점에 감안하여 이루어진 것으로, 전극 패드의 더한 소형화에 대응하고, 그리고 각 프로브에 걸리는 실효 OD 양의 차이에 상관없이 스크럽 양을 일정 범위 내로 할 수 있는 콘택트 프로브 및 프로브 카드를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에 따른 콘택트 프로브는, 테스터 쪽의 프로브 카드 기판에 지지되어 피시험회로의 전극 패드로 연장되고, 상기 테스터 쪽과 상기 피시험회로의 전극 패드를 전기적으로 접속하는 콘택트 프로브로서, 기단부에 위치하고 상기 테스터 쪽의 프로브 카드 기판에 설치되는 설치부와, 선단부에 위치하고 상기 피시험회로의 전극 패드에 접촉되는 접촉부와, 이들 사이에 위치하고 상기 접촉부를 탄성적으로 지지하는 암부를 갖추고, 상기 접촉부는 상기 암부의 선단부에 일체로 설치된 대좌부의 하단부에 설치되고, 상기 암부는 상기 대좌부를 지지하여 그 대좌부의 상하운동을 허용하는 한쪽 암 편(片)과, 상기 대좌부를 지지하여 그 대좌부의 경사각도를, 상기 접촉부의 스크럽 양을 작게 하도록 조정하는 다른쪽 암 편(片)을 갖춘 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 프로브 카드는 상기 콘택트 프로브를 이용한 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 콘택트 프로브 및 프로브 카드는, 전극 패드의 더한 소형화에 대응할 수 있다. 또, 프로브 카드의 뒤틀림 등에 의해 각 프로브에 걸리는 실효 OD 양이 달라도, 스크럽 양을 일정 범위 내로 할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 콘택트 프로브를 나타내는 정면도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 콘택트 프로브를 나타내는 배면도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 따른 콘택트 프로브를 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 실시형태에 따른 콘택트 프로브의 선단쪽 만곡 암 편 및 기단쪽 만곡 암 편의 비율을 나타내는 정면도이다.
도 5는 본 발명의 실시형태에 따른 콘택트 프로브의 선단쪽 만곡 암 편의 기단부(11a) 및 선단부(11b) 및 기단쪽 만곡 암 편의 기단부(12c) 및 선단부(12d)의 비율(11a:11b, 12c:12d)을 적절히 변경했을 때의, 오버 드라이브 양과 접촉부의 스크럽 양과의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시형태에 따른 콘택트 프로브의 선단쪽 만곡 암 편의 기단부(11a) 및 선단부(11b) 및 기단쪽 만곡 암 편의 기단부(12c) 및 선단부(12d)의 비율(11a:11b, 12c:12d)을 적절히 변경했을 때의, 오버 드라이브 양과 접촉부의 스크럽 양과의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시형태에 따른 콘택트 프로브의 오버 드라이브 양과 접촉부의 선단 각도와의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실시형태에 따른 콘택트 프로브의 접촉부의 평탄면이 전극 패드의 표면에 대하여 정합(整合)한 상태를 나타내는 요부 확대도이다.
도 9는 본 발명의 실시형태에 따른 콘택트 프로브의 접촉부의 평탄면이 전극 패드의 표면에 대하여 경사진 상태를 나타내는 요부 확대도이다.

이하, 본 발명의 실시형태에 따른 콘택트 프로브 및 프로브 카드에 대해서, 첨부도면을 참조하면서 설명한다. 본 실시형태의 콘택트 프로브는, 검사대상이 되는 반도체 디바이스의 수 및, 각 디바이스의 전극 패드의 수에 따라 프로브 카드에 조립된다. 즉, 복수의 콘택트 프로브가 프로브 카드에 설치된다. 이 프로브 카드는, 복수의 콘택트 프로브를 지지하여, 반도체 디바이스 등을 시험하는 테스터에 설치된다. 프로브 카드로는, 예를 들어 특허문헌 1의 도 1에 나타내어지는 프로브 카드가 있지만, 본 실시형태에 따른 콘택트 프로브를 설치할 수 있는 모든 프로브 카드에 본 발명을 적용할 수 있다. 이 때문에, 프로브 카드 자체의 설명은 특허문헌 1 등에 맡기고, 이하에서는 이와 같은 프로브 카드에 설치되는 콘택트 프로브를 중심으로 설명한다.

본 실시형태의 콘택트 프로브는, 도 1∼4에 나타냈듯이, 캔틸레버형 콘택트 프로브이다. 이 콘택트 프로브(1)는, 예를 들어 금속재료의 도금에 의해 형성된다. 이 콘택트 프로브(1)의 치수는, 수 mm 정도이다. 콘택트 프로브(1)는 주로, 기단부(도 1 중의 오른쪽 위의 단부)에 위치하는 설치부(2)와, 선단부(도 1 중의 왼쪽 아래의 단부)에 위치하는 접촉부(3)와, 이들 사이에 위치하는 암부(4)를 갖추어 구성되어 있다.

상기 설치부(2)는, 상기 테스터 쪽의 프로브 카드에 설치되는 부분이다. 설치부(2)는 거의 사각 판상으로 형성되어 있다. 이 설치부(2)에는 지지봉부(6)가 형성되어 있다. 지지봉부(6)는 설치부(2)에서 아래쪽으로 연장한 봉재(棒材)로 구성되어 있다. 상기 암부(4)의 기단부는 이 지지봉부(6)에 일체로 설치되어 있다.

상기 접촉부(3)는, 피시험회로의 전극 패드(도시하지 않음)와 접촉하는 부분이다. 상기 접촉부(3)는 대좌부(台座部)(7)의 선단부(하단부)에 설치되어 있다. 이 대좌부(7)는 상기 암부(4)의 선단부에 일체로 설치되어 있다. 대좌부(7)는 상기 암부(4)에 지지되어 상하운동하는 부재이다. 후술하는 이유에 의해, OD를 걸었을 때에, 대좌부(7)가 상하운동하여 접촉부(3)의 스크럽 양을 전극 패드의 치수 이내가 되도록 되어 있다.

상기 암부(4)는, 상기 접촉부(3)를 탄성적으로 지지하기 위한 부재이다. 상기 암부(4)는 상기 금속재료 등에 의해 구성됨으로써, 탄성적으로 변형하도록 되어 있다. 상기 암부(4)는 아래쪽 암 편(8)과, 위쪽 암 편(9)으로 구성되어 있다.

아래쪽 암 편(8)은, 상기 대좌부(7)(접촉부(3))를 지지하여, OD에 따른 대좌부(7)(접촉부(3))의 상하운동을 허용하기 위한 한쪽 암 편이다. 아래쪽 암 편(8)은 직선상의 봉재로 구성되어 있다. 아래쪽 암 편(8)은 설치부(2) 쪽의 지지봉부(6)와 접촉부(3) 쪽의 대좌부(7)에 일체로 설치되어 있다. 이에 의해, 아래쪽 암 편(8)은 OD를 걸었을 때에, 그 선단부에 고정된 상기 대좌부(7)(접촉부(3))를, 그 기단부(설치부(2) 쪽의 지지봉부(6)와의 접속부)를 회전 중심으로 한 원호를 그리도록 지지한다.

한편, 위쪽 암 편(9)은, 상기 대좌부(7)(접촉부(3))를 지지하여, 접촉부(3)의 스크럽 양을 작게 하도록 경사각도를 조정하기 위한 다른쪽 암 편이다. 위쪽 암 편(9)은 구부러진 봉재로 구성되어 있다. 구체적으로는, 위쪽 암 편(9)은 선단부(접촉부(3)) 쪽으로부터 연장하는 선단쪽 만곡 암 편(11)과, 기단부(설치부(2)) 쪽으로부터 연장하는 기단쪽 만곡 암 편(12)으로 구성되어 있다. 선단쪽 만곡 암 편(11)은, 위쪽으로 돌출한 (아래쪽에 곡률 중심이 위치하는) 만곡 봉재로 구성되어 있다. 기단쪽 만곡 암 편(12)은, 아래쪽으로 돌출한 (위쪽에 곡률 중심이 위치하는) 만곡 봉재로 구성되어 있다. 이 선단쪽 만곡 암 편(11)과 기단쪽 만곡 암 편(12)이 그 선단 위치와 중간 위치에서 서로 일체로 접속하여, 위쪽 암 편(9)을 구성하고 있다.

여기에서, 선단쪽 만곡 암 편(11) 중, 기단쪽 만곡 암 편(12)의 접촉부쪽 단부(13)와의 접속부분(14)을 경계로, 기단부(11a) 및 선단부(11b)(도 4 참조)라 한다. 그리고, 이들이 이하에 서술하는 비율로 되어 있다. 또, 기단쪽 만곡 암 편(12) 중, 선단쪽 만곡 암 편(11)의 기단부쪽 단부(15)와의 접속부분(16)을 경계로, 기단부(12c) 및 선단부(12d)(도 4 참조)라 한다. 그리고 이들이 이하에 서술하는 비율로 되어 있다.

게다가, 선단쪽 만곡 암 편(11)의 선단부(11b)와, 기단쪽 만곡 암 편(12)의 선단부(12d)가 서로 환상으로 접속하여, 팽출부(18)를 구성하고 있다. 이 팽출부(18)는, 거의 타원형상으로 형성되어 있다. 이 환상의 팽출부(18)의 내부는 비어 있다.

이와 같은 팽출부(18)를 갖춘 위쪽 암 편(9)은 조정기능을 갖추고 있다. 이 조정기능이란, 구체적으로는 외력(접촉부(3)가 상기 피시험회로의 전극 패드에 접촉할 때의 반력)에 의해 선단쪽 만곡 암 편(11) 및 기단쪽 만곡 암 편(12)이 휘어(탄성 변형하여), 그들의 곡률을 변경함으로써, 위쪽 암 편(9)이 신축하여, 직접적으로 상기 대좌부(7)의 경사각도를 조정하고, 이 대좌부(7)의 경사각도의 조정에 의해 간접적으로 접촉부(3)의 선단 각도를 조정하는 것이다. 여기에서, 선단 각도란, 접촉부(3)의 선단(하단)의 평탄면(3a)(도 8 참조)과 전극 패드의 표면(20)(도 8 참조)이 이루는 각도이다. 접촉부(3)의 평탄면(3a)이 전극 패드의 표면(20)에 정합한 상태(대좌부(7))의 경사각도가 0도로, 접촉부(3)의 평탄면(3a)과 전극 패드의 표면(20) 사이에 틈이 없는 도 8의 상태)가 선단 각도 0도이다. 그리고, 대좌부(7)가 경사져, 접촉부(3)의 평탄면(3a)이 전극 패드의 표면(20)에 대하여 경사지면, 선단 각도가 커진다(도 9 참조).

상기 대좌부(7)의 경사각도의 조정은 접촉부(3)의 빗나감(전극 패드 밖으로 벗어나는 빗나감)을 흡수하기 위한 것이다. 접촉부(3)의 선단 각도의 조정은, 이 선단 각도를 작게 함으로써, 접촉부(3)의 평탄면(3a)과 전극 패드의 표면(20)을 넓은 면적에서 양호하게 접촉시키기 위함이다. 이때, 상기 대좌부(7)의 경사각도의 조정은 접촉부(3)의 선단 각도의 조정에 우선하여 행해진다. 구체적으로는, 우선, 접촉부(3)가 전극 패드 밖으로 벗어나지 않도록 대좌부(7)의 경사각도가 조정되고, 이어서 접촉부(3)가 전극 패드 밖으로 벗어나지 않는 범위에서, 접촉부(3)의 선단 각도가 작아지도록 조정된다.

이때, 팽출부(18)는 외력에 의해 탄성 변형하여, 좁고 긴 타원형 상태에서, OD 양에 따라 원형에 가까운 방향으로 부풀도록 되어 있다. 이에 의해, 대좌부(7)의 경사각도(접촉부(3)의 선단 각도)를 교정하여, 접촉부(3)의 스크럽 양을 작게 하도록 (적어도 전극 패드의 치수 이내가 되도록) 조정한다. 즉, 수직형 프로브와 동등한 록킹 모션 양이 되도록, 대좌부(7)의 기울기를 팽출부(18)로 교정하도록 되어 있다.

[해석예]

계속해서, 상기 구성의 선단쪽 만곡 암 편(11)의 기단부(11a) 및 선단부(11b) 및 기단쪽 만곡 암 편(12)의 기단부(12c) 및 선단부(12d)의 비율(11a:11b, 12c:12d)을 바꾸어, 접촉부(3)의 스크럽 양을 해석하였다. 이 해석에는 FEM 해석법을 이용하였다.

여기에서는, 11a:11b=3:7, 12c:12d=3:7의 비율의 암을, 실제로 시작(試作)하여 평가를 함과 동시에, 이것을 적절히 변경하여 해석을 하였다. 즉, 12c:12d=3:7을 고정하고, 11a:11b를 변경하여 해석을 하였다. 또, 11a:11b=3:7을 고정하고, 12c:12d를 변경하여 해석을 하였다. 그 결과, 하기의 표 1과 같이 되었다.

	11a:11b	12c:12d
①	1:9	3:7
②	2:8	3:7
③	3:7	3:7
④	4:6	3:7
⑤	5:5	3:7
⑥	6:4	3:7
⑦	3:7	1:9
⑧	3:7	2:8
⑨	3:7	3:7
⑩	3:7	4:6
⑪	3:7	5:5
⑫	3:7	6:4

또한, 상기 표 1에서, 한쪽을 3:7로 고정한 경우의 다른쪽 비율(11a:11b, 12c:12d)을 1:9∼6:4까지로 한 것은, 이들의 비율보다도 큰 경우(7:3, 8:2, 9:1의 경우), 팽출부(18)를 형성할 수 없는 형상이 되기 때문이다.

이들의 조합으로 해석을 한 결과를 도 5, 도 6의 그래프 1 및 그래프 2에 각각 나타낸다. 도 5에 나타낸 그래프 1은 종래품 및 상기 표 1의 1∼6의 비율의 콘택트 프로브(1)의 결과를 나타낸다. 도 6에 나타낸 그래프 2는 종래품 및 상기 표 1의 7∼12의 비율의 콘택트 프로브(1)의 결과를 나타낸다.

도 5의 그래프 1에서는, 종래품이 OD 양의 증가에 거의 비례하여 스크럽 양이 거의 선형적으로 증가하는데 대해, 상기 표 1의 1∼6의 비율의 콘택트 프로브(1)에서는 OD 양의 증가에 상관없이, 스크럽 양의 변화는 작았다. 한편, 도 6의 그래프 2에서는, 상기 표 1의 12의 비율(a:b=3:7, c:d=6:4)의 콘택트 프로브(1)일 때, 종래품과 동일하게, OD 양에 거의 비례하여 스크럽 양이 거의 선형적으로 증가하였다. 다른 비율의 콘택트 프로브(1)는, OD 양의 증가에 상관없이, 스크럽 양의 변화는 작았다. 즉, 상기 표 1의 1∼11의 비율의 콘택트 프로브(1)는, OD 양 30 ㎛∼180 ㎛ 정도의 범위에서 스크럽 양의 변화가 거의 없었다. 이것은 OD 양을 30 ㎛∼180 ㎛의 폭으로 바꾸어도 스크럽 양은 변하지 않고 안정함을 나타내고 있다.

또, OD 양과 접촉부(3)의 선단 각도와의 관계를 도 7의 그래프에 나타낸다. 이 그래프로부터 알 수 있듯이, 종래품도 본 발명품(도시한 예에서는 11a:11b=3:7, 12c:12d=3:7)도 모두, OD 양의 증가에 따라 접촉부(3)의 선단 각도가 커지고 있지만, 이 선단 각도의 변화량은 본 발명품이 종래품에 비해 작게 되어 있다. 즉, 록킹 모션이 작게 되어 있음을 나타내고 있다. 예를 들어, OD 양 100 ㎛에서는, 본 발명품의 선단 각도의 변화량은 종래품의 25% 정도로 되어 있다. 이 선단 각도의 차이는, 상기 비율의 위쪽 암 편(9)의 조정기능에 의한 것이다.

만약, 암부(4)가 통상의 평행 링크 기구로 구성되어 있는 경우는, 대좌부(7)는 원호를 그리면서 평행 이동하게 된다. 즉, 대좌부(7)는, 그 경사각도를 바꾸지 않고, 암부(4)와 지지봉부(6)와의 접합부를 회전 중심으로 하여, 암부(4)의 전체길이를 반경으로 하는 원호를 그리면서 평행 이동한다. 그 결과, 접촉부(3)가 전극 패드 밖으로 벗어나 버린다.

그러나, 상기 암부(4)의 위쪽 암 편(9)은, 팽출부(18)를 갖춘 특수한 형상을 갖고 신축하고, 도 7의 그래프와 같이, 접촉부(3)의 선단 각도를 OD 양에 맞추어, 종래보다도 작은 각도로 경사시킨다. 이 각도는 접촉부(3)의 상기 전극 패드 바깥으로의 벗어남을 해소하는 각도이다. 즉, 상기 대좌부(7)의 평행이동(원호를 그리는 평행이동)에 의한, 접촉부(3)의 빗나감(전극 패드 밖으로 벗어나는 빗나감)을 흡수하여, 도 5 및 도 6과 같이, 접촉부(3)의 스크럽 양이 거의 변하지 않도록 조정하기 위한 각도이다.

이에 의해, 대좌부(7)는, 암부(4)의 아래쪽 암 편(8)의 전체길이를 반경으로 하는 원호를 그리면서 평행 이동할 때에, 위쪽 암 편(9)이 휘어, 팽출부(18)가 변형하고, 설정 각도만큼 경사져 상기 평행이동에 의한 빗나감을 흡수하여, 접촉부(3)의 스크럽 양이 거의 변하지 않도록 하고 있다.

이 때문에, 11a:11b가 1:9∼6:4의 범위, 12c:12d가 1:9∼5:5의 범위에 있는 것을 본 실시형태의 위쪽 암 편(9)의 최적의 구성으로 한다.

[효과]

프로브 카드의 뒤틀림 등에 의해 각 콘택트 프로브(1)에 걸리는 실효 OD 양이 고르지 못해도, 각 콘택트 프로브(1)에서의 스크럽 양을 일정 범위 내로 할 수 있게 된다. 즉, OD 양의 차이에 상관없이, 스크럽 양이 대략 일정하여 거의 변화하지 않기 때문에, 복수의 콘택트 프로브(1) 사이에 높이의 고르지 못함이 있거나, 프로브 카드에 뒤틀림이 있어, 각 접촉부(3) 사이에 높이의 고르지 못함이 있어도, 각 접촉부(3)의 스크럽 양에는 거의 차이가 없다.

그 결과, 복수의 콘택트 프로브(1) 사이에 높이의 고르지 못함 등이 있는 경우, 그것을 조정하지 않아도 균일한 스크럽 마크를 얻을 수 있다. 이에 의해, 각 접촉부(3)를 각 전극 패드에 정확하게 접촉시킬 수 있기 때문에, 검사 정밀도가 향상함과 동시에 테스터에 대한 신뢰성이 향상한다.

게다가, 균일한 스크럽 마크를 얻을 수 있음과 동시에, 록킹 모션도 작기 때문에, 각 접촉부(3)의 선단 크리닝 시의 선단 마모량이 작아져, 각 접촉부(3)의 수명을 연장할 수 있다.

또, 도 7의 그래프와 같이, 각 접촉부(3)의 록킹 모션이 작은 점은 수직형 프로브와 유사하기 때문에, 수직형 프로브 대신에 본 실시형태의 콘택트 프로브(1)를 이용할 수 있다. 즉, 상기 각 접촉부(3)의 선단 형상 및 스크럽 자국을, 상기 수직형 프로브의 선단 형상 및 스크럽 자국과 동일하게 함으로써, 이제까지 수직형 프로브를 사용하여 검사를 했던 피검사물(예를 들어, 납땜 범프 등)에도 본 실시형태의 콘택트 프로브(1)를 이용할 수 있다.

그 결과, 수직형 프로브 대신에 본 실시형태의 콘택트 프로브(1)를 이용함으로써, 좁은 피치로 배치할 수 있게 되기 때문에, 수직형 프로브로는 곤란하였던 좁은 피치의 전극 패드에의 콘택트 측정 검사가 가능해진다.

또, 전극 패드에 대한 접촉부(3)의 선단 치수는 하기의 표 2와 같이 되어 있다.

여기에서, 전극 패드에 대한 접촉부(3)의 선단 점유율은, 선단 크기÷전극 패드 면적으로 계산한다. 또, 전극 패드에 대한 스크럽 마크 점유율은 스크럽 마크 크기÷전극 패드 면적으로 계산한다.

표 2와 같이, 전극 패드 치수는 매년 작아지고 있고, 이후에도 그 경향이 이어질 것으로 예상된다. 이에 대하여 종래는 전극 패드 치수에 따라 선단 크기를 작게 했지만, 선단 강도도 사이즈에 따라 감소하기 때문에, 현상태 이상으로 작게 하는 것은 어렵다. 이 때문에, 전극 패드 치수가 작아지면, 전극 패드에 대한 접촉부(3)의 선단 점유율은 커져 갈 뿐이다.

또, 전극 패드에 대한 스크럽 마크 점유율은 패드의 에지 마진을 고려하면, 5% 이하가 바람직하지만, 로드맵 상에서는 2013년부터 6%를 넘는다.

이에 대하여, 본 발명품에서는, 선단의 크기를 변경시키지 않고, 전극 패드에 대한 스크럽 마크 점유율을 감소시킬 수 있고, 대응할 수 있는 전극 패드 치수도 최소 27×37 μ㎡까지 작게 할 수 있다.

이에 의해, 본 발명의 콘택트 프로브(1)는 전극 패드의 더한 소형화에 대응할 수 있게 된다.

[변형예]

상기 실시형태에서는, 팽출부(18)를 암부(4)의 위쪽 암 편(9)에 설치했지만, 팽출부(18)를 아래쪽 암 편(8)에 설치하는 경우도 있다. 상기 실시형태에서는, 암부(4)는 수평으로 배치되어 있기 때문에, 오버 드라이브가 걸리면, 선단의 대좌부(7)는 위쪽의 기단 쪽(도 1 중의 오른쪽 위)으로 원호를 그리도록 이동한다. 그러나, 암부(4)가 수평보다도 아래쪽에 배치되어 있는 경우는, 암부(4)가 수평이 될 때까지는 상기와 반대로, 선단의 대좌부(7)는 위쪽의 선단 쪽(도 1 중의 왼쪽 위)으로 원호를 그리도록 이동한다. 이 경우는, 팽출부(18)를 암부(4)의 아래쪽 암 편(8)에 설치하고, 대좌부(7)를 상기 실시형태의 경우와 반대 방향으로 경사지도록 제어한다.

이에 의해서도 상기 실시형태와 동일한 작용, 효과를 나타낼 수 있다.

또한, 본 발명은 상기 실시형태나 변형예에 한정되는 것은 아니고, 실시단계에서는 그 요지를 벗어나지 않는 범위에서 구성요소를 변형하여 구체화할 수 있다. 또, 상기 실시형태나 변형예에 개시되어 있는 복수의 구성요소의 적절한 조합에 의해, 각종 발명을 형성할 수 있다.

1: 콘택트 프로브 2: 설치부
3: 접촉부 3a: 접촉부(3)의 평탄면
4: 암부 6: 지지봉부
7: 대좌부 8: 아래쪽 암 편(片)
9: 위쪽 암 편 11: 선단쪽 만곡 암 편
11a: 기단부 11b: 선단부
12: 기단쪽 만곡 암 편 12c: 기단부
12d: 선단부 13: 접촉부쪽 단부
14: 접속부분 15: 기단부쪽 단부
16: 접속부분 18: 팽출부(膨出部)
20: 전극 패드의 표면

Claims

테스터 쪽의 프로브 카드 기판에 지지되어 피시험회로의 전극 패드로 연장되고, 상기 테스터 쪽과 상기 피시험회로의 전극 패드를 전기적으로 접속하는 콘택트 프로브로서,
기단부에 위치하여 상기 테스터 쪽의 프로브 카드 기판에 설치되는 설치부와, 선단부에 위치하여 상기 피시험회로의 전극 패드에 접촉되는 접촉부와, 이들 사이에 위치하여 상기 접촉부를 탄성적으로 지지하는 암부를 갖추고,
상기 접촉부는, 상기 암부의 선단부에 일체로 설치된 대좌부의 하단부에 설치되고,
상기 암부는, 상기 대좌부를 지지하여 그 대좌부의 상하운동을 허용하는 한쪽 암 편과, 상기 대좌부를 지지하여 그 대좌부의 경사각도를, 상기 접촉부의 스크럽 양을 작게 하도록 조정하는 다른쪽 암 편을 갖는 것을 특징으로 하는 콘택트 프로브.
제1항에 있어서, 상기 다른쪽 암 편은, 선단부 쪽에서 연장하는 선단쪽 만곡 암 편과, 기단부 쪽에서 연장하는 기단쪽 만곡 암 편과, 상기 선단쪽 만곡 암 편과 상기 기단쪽 만곡 암 편이 서로 접속하여 형성된 환상의 팽출부로 구성된 것을 특징으로 하는 콘택트 프로브.
제2항에 있어서, 상기 팽출부는, 오버 드라이브에 따른 외력으로 상기 선단쪽 만곡 암 편 및 상기 기단쪽 만곡 암 편이 휨으로써 탄성 변형하여 상기 대좌부의 경사각도를 조정하여, 상기 접촉부의 선단 각도를 조정하는 것을 특징으로 하는 콘택트 프로브.
제3항에 있어서, 상기 팽출부는, 상기 대좌부의 원호를 그리는 평행 이동에 의한, 상기 접촉부의 상기 전극 패드 밖으로 벗어나는 빗나감을 흡수하여, 상기 접촉부의 스크럽 양이 거의 변하지 않도록 조정하는 것을 특징으로 하는 콘택트 프로브.
피시험회로의 전극 패드에 접촉하는 콘택트 프로브를 복수 지지한 프로브 카드로서,
상기 콘택트 프로브로서 청구상 1 내지 4의 어느 한 항에 기재된 콘택트 프로브를 이용한 것을 특징으로 하는 프로브 카드.