KR20140019349A - 광반사성 이방성 도전 접착제 및 발광 장치 - Google Patents

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히데쯔구 나미끼
시유끼 가니사와
히데아끼 우마꼬시
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데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명에 있어서, 발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접속하기 위해 사용하는 광반사성 이방성 도전 접착제는, 열경화성 수지 조성물, 도전 입자 및 광반사성 절연 입자를 함유한다. 이러한 광반사성 절연 입자는 산화티탄 입자를 Al2O3, SiO, SiO2, ZnO, ZnO2 및 ZrO2로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종으로 표면 처리한 것이다. 광반사성 절연 입자의 산화티탄 함유량은 85 내지 93％이다. 광반사성 절연 입자의 입경은 0.2 내지 0.3 ㎛이고, 도전 입자의 입경은 2 내지 10 ㎛이다.

Description

광반사성 이방성 도전 접착제 및 발광 장치 {LIGHT-REFLECTIVE ANISOTROPIC CONDUCTIVE ADHESIVE AND LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접속하기 위해 사용하는 광반사성 이방성 도전 접착제, 그의 접착제를 이용하여 발광 소자를 배선판에 실장하여 이루어지는 발광 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED) 소자를 사용한 발광 장치가 널리 사용되고 있으며, 구 타입의 발광 장치의 구조는, 도 3에 도시한 바와 같이 기판 (31) 상에 다이본드 접착제 (32)로 LED 소자 (33)을 접합하고, 그의 상면의 p 전극 (34)와 n 전극 (35)를 기판 (31)의 접속 단자 (36)에 금 와이어 (37)로 와이어 본딩하고, LED 소자 (33) 전체를 투명 몰드 수지 (38)로 밀봉한 것으로 되어 있다. 그런데, 도 3의 발광 장치의 경우, LED 소자 (33)이 발하는 광 중, 상면측에 출사하는 400 내지 500 nm의 파장의 광을 금 와이어 (37)이 흡수하며, 하면측에 출사한 광의 일부가 다이본드 접착제 (32)에 의해 흡수되어, LED 소자 (33)의 발광 효율이 저하된다는 문제가 있다.
이 때문에, 도 4에 도시한 바와 같이, LED 소자 (33)을 플립 칩 실장하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 1). 상기 플립 칩 실장 기술에 있어서는, p 전극 (34)와 n 전극 (35)에 범프 (39)가 각각 형성되어 있고, 추가로 LED 소자 (33)의 범프 형성면에는 p 전극 (34)와 n 전극 (35)가 절연되도록 광 반사층 (40)이 설치되어 있다. 그리고, LED 소자 (33)과 기판 (31)은, 이방성 도전 페이스트 (41)이나 이방성 도전 필름(도시하지 않음)을 이용하여, 이들을 경화시켜 접속 고정된다. 이 때문에, 도 4의 발광 장치에 있어서는, LED 소자 (33)의 상측에 출사한 광은 금 와이어로 흡수되지 않고, 하측에 출사한 광의 대부분은 광 반사층 (40)에서 반사하여 상측으로 출사하기 때문에, 발광 효율(광취출 효율)이 저하되지 않는다.
일본 특허 공개 (평)11-168235호 공보
그러나, 특허문헌 1의 기술에서는 LED 소자 (33)에 광 반사층 (40)을 p 전극 (34)와 n 전극 (35)가 절연되도록 금속 증착법 등에 의해 설치하여야 하므로, 제조상 비용 상승을 피할 수 없다는 문제가 있었다.
한편, 광 반사층 (40)을 설치하지 않은 경우에는, 경화한 이방성 도전 페이스트나 이방성 도전 필름 중 금, 니켈 또는 구리로 피복된 도전 입자의 표면은 차색 내지 암차색을 나타내며, 도전 입자를 분산시키고 있는 에폭시 수지 결합제 자체도, 그의 경화를 위해 상용되는 이미다졸계 잠재성 경화제를 위해 차색을 나타내고 있어, 발광 소자가 발한 광의 발광 효율(광취출 효율)을 향상시키는 것이 곤란하다는 문제도 있었다.
본 발명의 목적은, 이상의 종래 기술의 문제점을 해결하는 것이며, 발광 다이오드(LED) 소자 등의 발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접착제를 이용하여 플립 칩 실장하여 발광 장치를 제조할 때에, 제조 비용의 증대를 초래하는 광 반사층을 LED 소자에 설치하지 않아도 발광 효율을 개선할 수 있는 이방성 도전 접착제, 그 접착제를 사용하여 발광 소자를 배선판에 플립 칩 실장하여 이루어지는 발광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 이방성 도전 접착제 그 자체에 광 반사 기능을 갖게 하면, 발광 효율을 저하시키지 않도록 할 수 있다는 가정하에, 이방성 도전 접착제에 굴절률이 높은 산화티탄 입자를 광반사성 절연 입자로서 배합함으로써, 발광 소자의 발광 효율을 저하시키지 않도록 할 수 있는 것을 발견하였다. 또한, 본 발명자들은 높은 광 촉매 작용을 나타내는 표면을 갖는 산화티탄 입자를 함유하는 광반사성 이방성 도전 접착제를 발광 장치에 적용한 경우, 경화한 접착제 중에 포함되는 유기물이 광 분해되는 것이 염려되지만, 산화티탄 입자의 표면을 산화알루미늄 등의 금속 산화물로 피복하도록 표면 처리함으로써, 그러한 염려가 불식되는 것을 발견하였다. 그리고 이러한 지견에 기초하여 본 발명자들은 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접속하기 위해 사용하는 광반사성 이방성 도전 접착제로서, 열경화성 수지 조성물, 도전 입자 및 광반사성 절연 입자를 함유하여 이루어지고, 상기 광반사성 절연 입자가 산화티탄 입자를 그것 이외의 금속 산화물로 표면 처리한 것임을 특징으로 하는 광반사성 이방성 도전 접착제를 제공한다.
또한, 본 발명은 상술한 광반사성 이방성 도전 접착제를 통해, 발광 소자가 플립 칩 방식으로 배선판에 실장되어 있는 발광 장치를 제공한다.
발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접속하기 위해 사용하는 본 발명의 광반사성 이방성 도전 접착제는, 굴절률이 높은 산화티탄 입자의 표면을 금속 산화물로 표면 처리하여 이루어지는 광반사성 절연 입자를 함유한다. 따라서, 상기 광반사성 이방성 도전 접착제는 광을 반사할 수 있다. 게다가, 상기 산화티탄 입자 자체는, 그것 이외의 금속 산화물(이하, 본 발명에서 "금속 산화물"이라 기재한 경우에는, 산화티탄 이외의 금속 산화물을 의미하는 것임)로 표면 처리되어 있기 때문에, 접착제의 경화물 중 유기물과 직접 접촉하지 않도록 되어 있다. 이 때문에, 광반사성 이방성 도전 접착제를 발광 장치에 있어서의 발광 소자를 배선판에 실장할 때에 적용한 경우에도, 경화한 접착제 중에 포함되는 유기물이 광 분해되지 않도록 할 수 있다.
또한, 도전 입자로서 금속 재료로 피복되어 있는 코어 입자와, 그의 표면에 산화아연(ZnO) 입자 또는 산화알루미늄(Al2O3) 입자로 형성된 백색 내지 회색의 광 반사층으로 구성되어 있는 광반사성 도전 입자를 사용한 경우, 상기 광반사성 도전 입자 자체가 백색 내지 회색을 나타내고 있기 때문에, 가시광에 대한 반사 특성의 파장 의존성이 작고, 따라서 발광 효율을 더욱 향상시킬 수 있으며, 게다가 발광 소자의 발광색을 그대로의 색으로 반사시킬 수 있다.
[도 1a] 이방성 도전 접착제용의 광반사성 도전 입자의 단면도이다.
[도 1b] 이방성 도전 접착제용의 광반사성 도전 입자의 단면도이다.
[도 2] 본 발명의 발광 장치의 단면도이다.
[도 3] 종래의 발광 장치의 단면도이다.
[도 4] 종래의 발광 장치의 단면도이다.
본 발명은 발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접속하기 위해 사용하는 광반사성 이방성 도전 접착제로서, 열경화성 수지 조성물, 도전 입자 및 광반사성 절연 입자를 함유하는 광반사성 이방성 도전 접착제이고, 이방성 도전 접착제에 입사한 광을 외부로 반사하기 위한 광반사성 절연 입자로서, 산화티탄 입자를 금속 산화물로 표면 처리한 것을 사용하는 것이 특징으로 되어 있다.
본 발명에서 광반사성 절연 입자로서 산화티탄(TiO2) 입자를 이용하는 이유는, 굴절률이 유기물인 접착제 성분보다도 높고, 백색 은폐성이 높기 때문이다. 이러한 산화티탄으로서 루틸형, 아나타스형을 모두 사용할 수 있지만, 보다 굴절률이 높다는 점에서 루틸형을 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 산화티탄 입자를 금속 산화물로 표면 처리하는 이유는, 산화티탄의 높은 광 촉매 작용에 의해 접착제의 경화물에 포함되는 유기물이 광 분해되지 않도록, 산화티탄 입자와 접착제의 경화물이 직접 접촉하는 것을 방지하기 위함이다.
산화티탄 입자를 표면 처리하기 위한 금속 산화물로는, 광반사성이며 절연성인 것이 필요하고, 구체적으로는 산화알루미늄(Al2O3), 일산화규소(SiO), 이산화규소(SiO2), 산화아연(ZnO), 이산화아연(ZnO2) 및 산화지르코늄(ZrO2)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 들 수 있다. 바람직하게는 적어도 Al2O3을 사용한다. 또한, SiO2는 그 자체가 비교적 굴절률이 낮기 때문에, 산화티탄의 높은 굴절률에 영향을 미치기 어렵다고 생각된다.
산화티탄 입자의 금속 산화물에 의한 표면 처리의 수법으로는, 공지된 건식 또는 습식 표면 처리 공정을 채용할 수 있다. 예를 들면, 건식 표면 처리 공정으로는, 진공 증착법, CVD법, 스퍼터링법, 메카노퓨전법 등을 들 수 있다. 또한, 습식 표면 처리 공정으로는, 콜로이드상의 금속 산화물 중에 산화티탄 입자를 분산시키고, 그 표면에 금속 산화물을 흡착시키는 방법, 산화티탄 입자의 수성 분산액에 금속 할로겐화물 또는 금속 알콕시드를 투입하고, 필요에 따라 염산 등을 이용하여 가수분해 처리함으로써 금속 산화물의 코팅막을 형성하는 방법 등을 들 수 있다.
습식 표면 처리 공정에 따라 산화티탄 입자를 Al2O3으로 표면 처리하는 예 (가) 및 (나)를 이하에 설명한다.
(가) 우선, 원료인 산화티탄 입자를 물에 분산시켜 수성 슬러리를 취득하고, 얻어진 수성 슬러리에 알루민산나트륨, 황산알루미늄, 질산알루미늄, 염화알루미늄 등의 표면 처리제를 첨가하고, 산화티탄 입자의 표면에 표면 처리제를 흡착시켜 건조시킨 후, 소성, 분쇄함으로써, Al2O3으로 표면 피복된 산화티탄 입자를 얻을 수 있다.
(나) 별법으로서, 산화티탄 입자를 포함하는 수성 슬러리에 상술한 표면 처리제를 첨가한 후, 산 또는 알칼리로 pH를 6 내지 7 정도로 조정하고, 이산화티탄 입자를 표면 처리제로 피복한 후, 수성 슬러리를 필터 프레스, 드럼 필터 등으로 여과하고, 세정하여 잔존하는 염류를 씻어낸다. 그 후, 밴드 드라이어, 분무 건조기 등으로 건조시켜 건조물을 얻는다. 이어서, 상기 건조물을 전기로 또는 회전형 소성로 등의 적절한 수단을 이용하여 400 내지 1000℃의 범위, 바람직하게는 500 내지 900℃ 범위의 온도에서 소성한다. 이에 따라 소성 괴상물로서, Al2O3으로 표면 피복된 산화티탄 입자를 얻을 수 있다.
또한, 이와 같이 하여 얻어진 소성 괴상물은, 그대로 유체 에너지밀을 이용하여 분쇄할 수도 있고, 수성 슬러리로서 비드밀로 분쇄를 행하고, 여과, 수세, 건조의 각 공정을 거친 후, 유체 에너지밀로 분쇄할 수도 있다.
또한, 상기 (가) 및 (나)에 있어서 건조물을 분쇄할 때에, 필요에 따라 적당한 유기 처리제를 이용할 수도 있다. 그러한 유기 처리제로서, 예를 들면 다가 알코올, 알칸올아민, 실리콘 오일, 실란 커플링제, 티탄커플링제 등을 들 수 있다.
또한, 산화티탄 입자에 대한 표면 처리제의 사용량은, 광반사성 절연 입자에서의 산화티탄 입자가 필요로 하는 함유량에 따라, 수성 슬러리에 대한 표면 처리제의 첨가량을 조정함으로써 결정할 수 있다.
광반사성 절연 입자 중 산화티탄의 함유량은, 너무 적으면(즉, 산화티탄 입자의 표면에 존재하는 금속 산화물량이 많아져 금속 산화물 표면 처리막이 너무 두꺼워지면) 산화티탄의 높은 굴절률을 이용하는 것이 곤란해지는 경향이 있고, 반대로 너무 많으면(즉, 산화티탄 입자의 표면에 존재하는 금속 산화물량이 적어져 금속 산화물 표면 처리막이 너무 얇아지면) 산화티탄 입자의 광 촉매 작용을 충분히 억제할 수 없을 우려가 발생하기 때문에, 원자수 기준으로 바람직하게는 80 내지 96％, 보다 바람직하게는 85 내지 93％이다. 또한, 이 수치는 형광 X선 분석에 의해 취득할 수 있다.
산화티탄 입자를 코어 입자로 하는 광반사성 절연 입자의 형상으로는, 대략 구상, 인편상, 무정형상, 침상 등일 수도 있지만, 반사 효율이나 수지 조성물에의 분산성, 금속 산화물에 의한 표면 처리의 취급성 등을 고려하면, 대략 구상이 바람직하다.
또한, 이러한 대략 구상인 광반사성 절연 입자의 입경으로는, 코어 입자인 산화티탄이 높은 굴절률을 갖고 있기 때문에, 광 반사제로서 널리 사용되고 있는 0.5 ㎛ 이상의 입경인 산화아연보다도 보다 작은 입경인 것을 사용할 수 있어, 광반사성 절연 입자의 배합에 기초하는 이방성 도전 접속의 신뢰성의 저하를 방지하는 것이 가능해진다. 한편, 과도하게 입경이 작으면 광 반사율이 저하되는 경향이 있다. 따라서, 바람직한 입경은 0.1 내지 10 ㎛, 특히 바람직하게는 0.2 내지 0.3 ㎛이다. 또한, 이 범위는 광반사성 이방성 도전 접착제를 사용하여 청색의 광을 발광하는 LED 소자를 플립 칩 실장하는 데에 있어서 효과적이다.
광반사성 절연 입자는, 그의 굴절률(JIS K7142)이 바람직하게는 열경화성 수지 조성물의 경화물의 굴절률(JIS K7142)보다도 큰 것, 보다 바람직하게는 적어도 0.02 정도 큰 것이 바람직하다. 이는 굴절률차가 작으면 이들의 계면에서의 반사 효율이 저하되기 때문이다.
또한, 본 발명에서 이상 설명한 산화티탄 입자를 금속 산화물로 표면 처리한 광반사성 절연 입자 이외의 광반사성 절연 입자를, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 병용할 수 있다. 이러한 병용 가능한 광반사성 절연 입자로는 금속 입자의 표면을 투명한 절연성 수지로 피복한 수지 피복 금속 입자를 들 수 있다. 금속 입자로는 니켈, 은, 알루미늄 등을 들 수 있다. 입자의 형상으로는 무정형상, 구상, 인편상, 침상 등을 들 수 있지만, 그 중에서도 광 확산 효과 측면에서 구상, 전반사 효과 측면에서 인편상의 형상이 바람직하다. 특히 바람직한 것은, 광의 반사율 측면에서 인편상 또는 구상 은 입자, 그 중에서도 인편상 은 입자이다.
이러한 수지 피복 금속 입자의 크기는 형상에 따라서도 다르지만, 일반적으로 너무 크면, 이방성 도전 입자에 의한 접속을 저해할 우려가 있고, 너무 작으면 광을 반사하기 어려워지기 때문에, 바람직하게는 구상의 경우에는 입경 0.1 내지 30 ㎛, 보다 바람직하게는 0.2 내지 10 ㎛이고, 인편상의 경우에는 장경이 바람직하게는 0.1 내지 100 ㎛, 보다 바람직하게는 1 내지 50 ㎛이고, 두께가 바람직하게는 0.01 내지 10 ㎛, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5 ㎛이다.
또한, 광반사성 절연 입자의 크기는 절연 피복되어 있는 경우에는, 그의 절연 피복도 포함시킨 크기이다.
이러한 수지 피복 금속 입자에 있어서의 해당 수지로는, 다양한 절연성 수지를 사용할 수 있다. 기계적 강도나 투명성 등의 측면에서 아크릴계 수지의 경화물을 바람직하게 이용할 수 있다. 예를 들면, 벤조일퍼옥시드 등의 유기 과산화물 등의 라디칼 중합 개시제의 존재하에, 메타크릴산메틸과 메타크릴산2-히드록시에틸을 라디칼 공중합시킨 수지를 들 수 있다. 이 경우, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트 등의 이소시아네이트계 가교제로 가교되어 있는 것이 보다 바람직하다. 또한, 금속 입자로는 미리 실란 커플링제로 γ-글리시독시기나 비닐기 등을 금속 표면에 도입해 두는 것이 바람직하다.
이러한 수지 피복 금속 입자는, 예를 들면 톨루엔 등의 용매 중에 금속 입자와 실란 커플링제를 투입하고, 실온에서 약 1시간 교반한 후, 라디칼 단량체와 라디칼 중합 개시제와, 필요에 따라 가교제를 투입하여, 라디칼 중합 개시 온도로 가온하면서 교반함으로써 제조할 수 있다.
이상 설명한 광반사성 절연 입자의 광반사성 이방성 도전 접착제 중 배합량은, 너무 적으면 충분한 광 반사를 실현할 수 없고, 너무 많으면 병용하고 있는 도전 입자에 기초하는 접속이 저해되기 때문에, 열경화성 수지 조성물에 대하여 바람직하게는 1 내지 50 부피％, 보다 바람직하게는 2 내지 25 부피％이다.
본 발명의 광반사성 이방성 도전 접착제를 구성하는 도전 입자로는, 이방성 도전 접속용의 종래의 도전 입자에서 이용되고 있는 금속 입자를 이용할 수 있다. 예를 들면, 금, 니켈, 구리, 은, 땜납, 팔라듐, 알루미늄, 이들의 합금, 이들의 다층화물(예를 들면, 니켈 도금/금 플래시 도금물) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 금, 니켈, 구리는 도전 입자를 차색으로 하기 때문에, 본 발명의 효과를 다른 금속 재료보다도 더 얻을 수 있다.
도전 입자로서 적용하는 금속 입자의 형상으로는, 구상 형상, 플레이크상 형상 등을 들 수 있지만, 구상 형상이 바람직하고, 그의 입경은 너무 크면 접속 신뢰성이 저하되기 때문에, 바람직하게는 1 내지 20 ㎛, 보다 바람직하게는 2 내지 10 ㎛, 특히 바람직하게는 3 내지 6 ㎛이다.
또한, 도전 입자로서, 수지 입자를 금속 재료로 피복한 금속 피복 수지 입자를 사용할 수 있다. 이러한 수지 입자로는 스티렌계 수지 입자, 벤조구아나민 수지 입자, 나일론 수지 입자 등을 들 수 있다. 수지 입자를 금속 재료로 피복하는 방법으로도 종래 공지된 방법을 채용할 수 있으며, 무전해 도금법, 전해 도금법 등을 이용할 수 있다. 또한, 피복하는 금속 재료의 층 두께는 양호한 접속 신뢰성을 확보할만한 두께로, 수지 입자의 입경이나 금속의 종류에 따라서도 다르지만, 통상 0.1 내지 3 ㎛이다.
또한, 수지 입자의 입경은 너무 작으면 도통 불량이 발생하고, 너무 크면 패턴간 쇼트가 발생하는 경향이 있기 때문에, 바람직하게는 1 내지 20 ㎛, 보다 바람직하게는 3 내지 10 ㎛, 특히 바람직하게는 3 내지 5 ㎛이다. 이 경우, 수지 입자의 형상으로는 구상이 바람직하지만, 플레이크 형상, 럭비볼 형상일 수도 있다.
바람직한 금속 피복 수지 입자는 구상 형상이고, 그의 입경은 너무 크면 접속 신뢰성이 저하되기 때문에, 바람직하게는 1 내지 20 ㎛, 보다 바람직하게는 2 내지 10 ㎛, 특히 바람직하게는 3 내지 6 ㎛이다.
특히, 본 발명에서는 상술한 바와 같은 도전 입자에 대하여 광반사성을 부여하여, 광반사성 도전 입자로 하는 것이 바람직하다. 도 1a, 도 1b는 이러한 광반사성 도전 입자 (10, 20)의 단면도이다. 우선, 도 1a의 광반사성 도전 입자부터 설명한다.
광반사성 도전 입자 (10)은, 금속 재료로 피복되어 있는 코어 입자 (1)과, 그 표면에 산화아연(ZnO) 입자 또는 산화알루미늄(Al2O3) 입자로부터 선택된 적어도 1종의 무기 입자 (2)로 형성된 광 반사층 (3)으로 구성된다. 산화아연 입자 또는 산화알루미늄 입자는, 태양광하에서는 백색을 나타내는 무기 입자이다. 따라서, 이들로 형성된 광 반사층 (3)은 백색 내지 회색을 나타낸다. 백색 내지 회색을 나타내고 있다는 것은, 가시광에 대한 반사 특성의 파장 의존성이 작으며, 가시광을 반사하기 쉬운 것을 의미한다.
또한, 산화아연 입자 또는 산화알루미늄 입자 중, 경화한 광반사성 이방성 도전 접착제의 열경화성 수지 조성물의 경화물의 광 열화가 염려되는 경우에는, 광 열화에 대하여 촉매성이 없고 굴절률도 높은 산화아연 입자를 바람직하게 사용할 수 있다.
코어 입자 (1)은 이방성 도전 접속에 이용되는 것이기 때문에, 그 표면이 금속 재료로 구성되어 있다. 여기서, 표면이 금속 재료로 피복되어 있는 양태로는, 상술한 바와 같이 코어 입자 (1) 자체가 금속 재료(예를 들면 니켈, 땜납, 구리 등)인 양태, 또는 앞서 설명한 금속 피복 수지 입자와 같이 수지 입자의 표면이 금속 재료로 피복된 양태를 들 수 있다.
무기 입자 (2)로 형성된 광 반사층 (3)의 층 두께는, 코어 입자 (1)의 입경과의 상대적 크기 측면에서 보면, 코어 입자 (1)의 입경에 대하여, 너무 작으면 반사율의 저하가 현저해지고, 너무 크면 도통 불량이 발생하기 때문에, 바람직하게는 0.5 내지 50％, 보다 바람직하게는 1 내지 25％이다.
또한, 광반사성 도전 입자 (10)에 있어서, 광 반사층 (3)을 구성하는 무기 입자 (2)의 입경은, 너무 작으면 광 반사 현상이 발생하기 어려워지고, 너무 크면 광 반사층의 형성이 곤란해지는 경향이 있기 때문에, 바람직하게는 0.02 내지 4 ㎛, 보다 바람직하게는 0.1 내지 1 ㎛, 특히 바람직하게는 0.2 내지 0.5 ㎛이다. 이 경우, 광 반사시키는 광의 파장 측면에서 보면, 무기 입자 (2)의 입경은, 반사시켜야 하는 광(즉, 발광 소자가 발하는 광)이 투과되지 않도록, 그 광의 파장의 50％ 이상인 것이 바람직하다. 이 경우, 무기 입자 (2)의 형상으로는 무정형상, 구상, 인편상, 침상 등을 들 수 있지만, 그 중에서도 광 확산 효과 측면에서 구상, 전반사 효과 측면에서 인편상의 형상이 바람직하다.
도 1a의 광반사성 도전 입자 (10)은, 크고 작은 분말끼리 물리적으로 충돌시킴으로써 대입경 입자의 표면에 소입경 입자를 포함한 막을 형성시키는 공지된 성막 기술(이른바 메카노퓨전법)에 의해 제조할 수 있다. 이 경우, 무기 입자 (2)는, 코어 입자 (1)의 표면의 금속 재료에 침식되도록 고정되며, 한편 무기 입자 (2)끼리 융착 고정되기 어렵기 때문에, 무기 입자 (2)의 모노레이어가 광 반사층 (3)을 구성한다. 따라서, 도 1a의 경우, 광 반사층 (3)의 층 두께는 무기 입자 (2)의 입경과 동등 내지는 약간 얇아진다고 생각된다.
다음으로, 도 1b의 광반사성 도전 입자 (20)에 대해서 설명한다. 상기 광반사성 도전 입자 (20)에 있어서는, 광 반사층 (3)이 접착제로서 기능하는 열가소성 수지 (4)를 함유하며, 상기 열가소성 수지 (4)에 의해 무기 입자 (2)끼리도 고정되고, 무기 입자 (2)가 다층화(예를 들면 2층 또는 3층으로 다층화)하고 있다는 점에서 도 1a의 광반사성 도전 입자 (10)과 상이하다. 이러한 열가소성 수지 (4)를 함유함으로써, 광 반사층 (3)의 기계적 강도가 향상되고, 무기 입자 (2)의 박락(剝落) 등이 발생하기 어려워진다.
열가소성 수지 (4)로는, 환경 저부하를 의도하여 할로겐프리의 열가소성 수지를 바람직하게 사용할 수 있으며, 예를 들면 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀이나 폴리스티렌, 아크릴 수지 등을 바람직하게 사용할 수 있다.
이러한 광반사성 도전 입자 (20)도, 메카노퓨전법에 의해 제조할 수 있다. 메카노퓨전법에 적용하는 열가소성 수지 (4)의 입경은, 너무 작으면 접착 기능이 저하되고, 너무 크면 코어 입자에 부착되기 어려워지기 때문에, 바람직하게는 0.02 내지 4 ㎛, 보다 바람직하게는 0.1 내지 1 ㎛이다. 또한, 이러한 열가소성 수지 (4)의 배합량은, 너무 적으면 접착 기능이 저하되고, 너무 많으면 입자의 응집체가 형성되기 때문에, 무기 입자 (2)의 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.2 내지 500 질량부, 보다 바람직하게는 4 내지 25 질량부이다.
본 발명의 광반사성 이방성 도전 접착제에 사용하는 열경화성 수지 조성물로는, 되도록이면 무색 투명인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 이방성 도전 접착제 중 광반사성 도전 입자의 광 반사 효율을 저하시키지 않으며, 게다가 입사광의 광색을 변경하지 않고 반사시키기 때문이다. 여기서 무색 투명이란, 열경화성 수지 조성물의 경화물이 파장 380 내지 780 nm인 가시광에 대하여 광로 길이 1 cm의 광투과율(JIS K7105)이 80％ 이상, 바람직하게는 90％ 이상이 되는 것을 의미한다.
본 발명의 광반사성 이방성 도전 접착제에 있어서, 열경화성 수지 조성물 100 질량부에 대한 광반사성 도전 입자 등의 도전 입자의 배합량은, 너무 적으면 도통 불량이 발생하고, 너무 많으면 패턴간 쇼트가 발생하는 경향이 있기 때문에, 바람직하게는 1 내지 100 질량부, 보다 바람직하게는 10 내지 50 질량부이다.
본 발명의 광반사성 이방성 도전 접착제의 반사 특성은, 발광 소자의 발광 효율을 향상시키기 위해, 광반사성 이방성 도전 접착제의 경화물의 파장 450 nm의 광에 대한 반사율(JIS K7105)이 적어도 30％인 것이 바람직하다. 이러한 반사율로 하기 위해서는, 사용하는 광반사성 도전 입자의 반사 특성이나 배합량, 열경화성 수지 조성물의 배합 조성 등을 적절하게 조정할 수 있다. 통상, 반사 특성이 양호한 광반사성 도전 입자의 배합량을 증량하면, 반사율도 증대되는 경향이 있다.
또한, 광반사성 이방성 도전 접착제의 반사 특성은 굴절률이라는 관점에서 평가할 수도 있다. 즉, 그 경화물의 굴절률이 도전 입자와 광반사성 절연 입자를 제외한 열경화성 수지 조성물의 경화물의 굴절률보다도 크면, 광반사성 절연 입자와 그것을 둘러싸는 열경화성 수지 조성물의 경화물과의 계면에서의 광 반사량이 증대하기 때문이다. 구체적으로는, 광반사성 절연 입자의 굴절률(JIS K7142)로부터 열경화성 수지 조성물의 경화물의 굴절률(JIS K7142)을 뺀 차가, 바람직하게는 0.02 이상, 보다 바람직하게는 0.2 이상인 것이 요구된다. 또한, 통상 에폭시 수지를 주체로 하는 열경화성 수지 조성물의 경화물의 굴절률은 약 1.5이다.
본 발명의 광반사성 이방성 도전 접착제를 구성하는 열경화성 수지 조성물로는, 종래의 이방성 도전 접착제나 이방성 도전 필름에서 사용되고 있는 것을 이용할 수 있다. 일반적으로 이러한 열경화성 수지 조성물은 절연성 결합제 수지에 경화제를 배합한 것이다. 절연성 결합제 수지로는, 지환식 에폭시 화합물이나 복소환계 에폭시 화합물이나 수소 첨가 에폭시 화합물 등을 주성분으로 한 에폭시계 수지를 바람직하게 들 수 있다.
지환식 에폭시 화합물로는, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 것을 바람직하게 들 수 있다. 이들은 액상일 수도 있고, 고체상일 수도 있다. 구체적으로는, 글리시딜헥사히드로비스페놀 A, 3,4-에폭시시클로헥세닐메틸-3',4'-에폭시시클로헥센카르복실레이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경화물에 LED 소자의 실장 등에 적합한 광 투과성을 확보할 수 있으며, 속경화성도 우수하다는 점에서, 3,4-에폭시시클로헥세닐메틸-3',4'-에폭시시클로헥센카르복실레이트를 바람직하게 사용할 수 있다.
복소환계 에폭시 화합물로는 트리아진환을 갖는 에폭시 화합물을 들 수 있고, 특히 바람직하게는 1,3,5-트리스(2,3-에폭시프로필)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온을 들 수 있다.
수소 첨가 에폭시 화합물로는, 상술한 지환식 에폭시 화합물이나 복소환계 에폭시 화합물의 수소 첨가물이나, 기타 공지된 수소 첨가 에폭시 화합물을 사용할 수 있다.
지환식 에폭시 화합물이나 복소환계 에폭시 화합물이나 수소 첨가 에폭시 화합물은 단독으로 사용할 수도 있지만, 2종 이상을 병용할 수 있다. 또한, 이들 에폭시 화합물에 추가로 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 다른 에폭시 화합물을 병용할 수도 있다. 예를 들면, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 테트라메틸비스페놀 A, 디아릴비스페놀 A, 히드로퀴논, 카테콜, 레조르신, 크레졸, 테트라브로모비스페놀 A, 트리히드록시비페닐, 벤조페논, 비스레조르시놀, 비스페놀헥사플루오로아세톤, 테트라메틸비스페놀 A, 테트라메틸비스페놀 F, 트리스(히드록시페닐)메탄, 비크실레놀, 페놀노볼락, 크레졸노볼락 등의 다가 페놀과 에피클로로히드린을 반응시켜 얻어지는 글리시딜에테르; 글리세린, 네오펜틸글리콜, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부틸렌글리콜, 헥실렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 지방족 다가 알코올과 에피클로로히드린을 반응시켜 얻어지는 폴리글리시딜에테르; p-옥시벤조산, β-옥시나프토산과 같은 히드록시카르복실산과 에피클로로히드린을 반응시켜 얻어지는 글리시딜에테르에스테르; 프탈산, 메틸프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 테트라히드로프탈산, 엔드메틸렌테트라히드로프탈산, 엔드메틸렌헥사히드로프탈산, 트리멜리트산, 중합 지방산과 같은 폴리카르복실산으로부터 얻어지는 폴리글리시딜에스테르; 아미노페놀, 아미노알킬페놀로부터 얻어지는 글리시딜아미노글리시딜에테르; 아미노벤조산으로부터 얻어지는 글리시딜아미노글리시딜에스테르; 아닐린, 톨루이딘, 트리브로모아닐린, 크실릴렌디아민, 디아미노시클로헥산, 비스아미노메틸시클로헥산, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰 등으로부터 얻어지는 글리시딜아민; 에폭시화폴리올레핀 등의 공지된 에폭시 수지류를 들 수 있다.
경화제로는 산 무수물, 이미다졸 화합물, 디시안 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경화물을 변색시키기 어려운 산 무수물계 경화제, 특히 지환식 산 무수물계 경화제를 바람직하게 사용할 수 있다. 구체적으로는 메틸헥사히드로프탈산 무수물 등을 바람직하게 들 수 있다.
본 발명의 광반사성 이방성 도전 접착제의 열경화성 수지 조성물에 있어서, 지환식 에폭시 화합물과 지환식 산 무수물계 경화제를 사용하는 경우, 각각의 사용량은 지환식 산 무수물계 경화제가 너무 적으면 미경화 에폭시 화합물이 많아지고, 너무 많으면 잉여의 경화제의 영향으로 피착체 재료의 부식이 촉진되는 경향이 있기 때문에, 지환식 에폭시 화합물 100 질량부에 대하여, 지환식 산 무수물계 경화제를, 바람직하게는 80 내지 120 질량부, 보다 바람직하게는 95 내지 105 질량부의 비율로 사용한다.
본 발명의 광반사성 이방성 도전 접착제는, 광반사성 절연 입자와 도전 입자(바람직하게는 광반사성 도전 입자)와 열경화성 수지 조성물을 균일하게 혼합함으로써 제조할 수 있다. 또한, 광반사성 이방성 도전 필름으로 하는 경우에는, 이들을 톨루엔 등의 용매와 함께 분산 혼합하고, 박리 처리한 PET 필름에 소기의 두께가 되도록 도포하고, 약 80℃ 정도의 온도에서 건조시킬 수 있다.
다음으로, 본 발명의 발광 장치에 대해서 도 2를 참조하면서 설명한다. 발광 장치 (200)은, 기판 (21) 위의 접속 단자 (22)와, 발광 소자로서 LED 소자 (23)의 n 전극 (24)와 p 전극 (25)의 각각에 형성된 접속용 범프 (26) 사이에, 상술한 본 발명의 광반사성 이방성 도전 접착제를 도포하고, 기판 (21)과 LED 소자 (23)이 플립 칩 실장되어 있는 발광 장치이다. 여기서, 도 2에 있어서의 광반사성 이방성 도전 접착제의 경화물 (100)은, 광반사성 절연 입자(도시하지 않음)와 광반사성 도전 입자 (10)이 열경화성 수지 조성물의 경화물 (11) 중에 분산하여 이루어지는 것이다. 광반사성 도전 입자 (10) 대신에 비광반사성 도전 입자를 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라 LED 소자 (23)의 전체를 덮도록 투명 몰드 수지로 밀봉할 수도 있다. 또한, LED 소자 (23)에 종래와 마찬가지로 광 반사층을 설치할 수도 있다.
이와 같이 구성되어 있는 발광 장치 (200)에 있어서는, LED 소자 (23)이 발한 광 중, 기판 (21)측을 향해 발한 광은, 광반사성 이방성 도전 접착제의 경화물 (100) 중 광반사성 절연 입자와 광반사성 도전 입자 (10)에서 반사하여, LED 소자 (23)의 상면으로부터 출사한다. 따라서, 발광 효율의 저하를 방지할 수 있다.
본 발명의 발광 장치 (200)에 있어서의 광반사성 이방성 도전 접착제 이외의 구성(LED 소자 (23), 범프 (26), 기판 (21), 접속 단자 (22) 등)은, 종래의 발광 장치의 구성과 마찬가지로 할 수 있다. 또한, 본 발명의 발광 장치 (200)은, 본 발명의 광반사성 이방성 도전 접착제를 사용하는 것 이외에는, 종래의 이방성 도전 접속 기술을 이용하여 제조할 수 있다. 또한, 발광 소자로는, LED 소자 이외에 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 공지된 발광 소자를 적용할 수 있다.
[실시예]
실시예 1
굴절률이 약 1.50인 무색 투명한 열 경화형 에폭시계 결합제 조성물(YX-8000, JER(주): MeHHPA를 50 질량％로 함유)에, 이하의 광반사성 절연 입자 1을 12 부피％, 도전 입자로서 평균 입경 5 ㎛의 Au 피복 수지 도전 입자(평균 입경 4.6 ㎛의 구상 아크릴 수지 입자에 0.2 ㎛ 두께의 무전해 금 도금을 실시한 입자(브라이트 20GNB4.6EH, 닛본 가가꾸 고교(주))를 10 질량％가 되는 비율로 균일하게 혼합함으로써, 외관색이 백색인 광반사성 이방성 도전 접착제를 얻었다.
(광 반사율 평가 시험)
얻어진 광반사성 이방성 도전 접착제를 세라믹제의 백색판에 건조 두께로 100 ㎛가 되도록 도포하고, 200℃에서 1분간 가열하여 경화시켰다. 상기 경화물에 대해서, 분광 광도계(U3300, (주)히다치 세이사꾸쇼)를 이용하여, 파장 450 nm의 광에 대한 반사율(JIS K7150)을 측정하였다. 얻어진 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 반사율은 실용상 30％ 이상인 것이 요구된다.
(LED 실장 샘플에 있어서의 전체 광속량 평가 시험)
100 ㎛ 피치의 구리 배선에 Ni/Au(5.0 ㎛ 두께/0.3 ㎛ 두께) 도금 처리한 배선을 갖는 유리 에폭시 기판에 범프 본더(FB700, (주)카이져)를 이용하여 15 ㎛ 높이의 금 범프를 형성하였다. 상기 금 범프 장착 에폭시 기판에 광반사성 이방성 도전 접착제를 이용하여, 청색 LED(Vf=3.2(If=20 mA))를 200℃, 60초, 1 Kg/칩이라는 조건으로 플립 칩 실장하여 테스트용 LED 모듈을 얻었다.
얻어진 테스트용 LED 모듈에 대해서, 전체 광속량 측정 시스템(적분 전체 구)(LE-2100, 오오쓰카 덴시(주))을 이용하여 전체 광속량을 측정하였다(측정 조건; If=20 mA(정전류 제어)). 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다. 전체 광속량은 실용상 300 mlm 이상인 것이 요구된다.
(내광성 시험)
전체 광속량 평가 시험에 적용한 테스트용 LED 모듈을 새롭게 제조하고, 에이징 조건(85℃, 85％RH, 500시간)하에서 점등을 계속하였다. 그리고, 에이징 전(초기)후의 테스트용 LED 모듈의 전체 광속량을, 전체 광속량 평가 시험의 경우와 마찬가지로 측정하고, 이하의 평가 기준에 따라 평가하였다. 실용상 적어도 "△" 평가인 것이 바람직하다.
<평가 기준>
◎: 에이징 전의 전체 광속량에 대한 에이징 후의 전체 광속량의 감소율(％)이 5％ 미만
○: 에이징 전의 전체 광속량에 대한 에이징 후의 전체 광속량의 감소율(％)이 5％ 이상 10％ 미만
△: 에이징 전의 전체 광속량에 대한 에이징 후의 전체 광속량의 감소율(％)이 10％ 이상 20％ 미만
×: 에이징 전의 전체 광속량에 대한 에이징 후의 전체 광속량의 감소율(％)이 20％ 이상
실시예 2
광반사성 절연 입자의 배합량을 7 부피％로 하는 것 이외에, 실시예 1과 동일하게 하여 외관색이 백색인 광반사성 이방성 도전 접착제를 얻었다. 또한, 실시예 1과 동일하게 광 반사율 평가 시험, LED 실장 샘플에 있어서의 전체 광속량 평가 시험 및 내광성 시험을 행하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.
실시예 3
광반사성 절연 입자의 배합량을 21 부피％로 하는 것 이외에, 실시예 1과 동일하게 하여 외관색이 백색인 광반사성 이방성 도전 접착제를 얻었다. 또한, 실시예 1과 동일하게 광 반사율 평가 시험, LED 실장 샘플에 있어서의 전체 광속량 평가 시험 및 내광성 시험을 행하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.
실시예 4
Au 피복 수지 도전 입자 대신에 평균 입경 5 ㎛의 Ni 피복 수지 도전 입자(평균 입경 4.6 ㎛의 구상 아크릴 수지 입자에 0.2 ㎛ 두께의 무전해 니켈 도금을 실시한 입자)를 사용하는 것 이외에, 실시예 1과 동일하게 하여 외관색이 백색인 광반사성 이방성 도전 접착제를 얻었다. 또한, 실시예 1과 동일하게 광 반사율 평가 시험, LED 실장 샘플에 있어서의 전체 광속량 평가 시험 및 내광성 시험을 행하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.
실시예 5 내지 10 및 비교예 1
이하의 광반사성 절연 입자 2 내지 8을 각각 사용하는 것 이외에, 실시예 1과 동일하게 하여 외관색이 백색인 실시예 5 내지 10 및 비교예 1의 광반사성 이방성 도전 접착제를 얻었다. 또한, 실시예 1과 동일하게 광 반사율 평가 시험, LED 실장 샘플에 있어서의 전체 광속량 평가 시험 및 내광성 시험을 행하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.
<광반사성 절연 입자 1(실시예 1 내지 4에서 사용)>
Al2O3과 SiO2로 표면 처리된 산화티탄 입자(KR-380, 티탄 고교(주): 입경 0.5 ㎛, 티탄 함유량 94％)
<광반사성 절연 입자 2(실시예 5에서 사용)>
Al2O3과 SiO2로 표면 처리된 산화티탄 입자(R-7E, 티탄 고교(주): 입경 0.23 ㎛, 티탄 함유량 85％ 또는 약간 초과)
<광반사성 절연 입자 3(실시예 6에서 사용)>
Al2O3과 SiO2와 ZrO2로 표면 처리된 산화티탄 입자(D-918, 티탄 고교(주): 입경 0.26 ㎛, 티탄 함유량 88％ 또는 약간 초과)
<광반사성 절연 입자 4(실시예 7에서 사용)>
Al2O3과 SiO2로 표면 처리된 산화티탄 입자(R-3L, 티탄 고교(주): 입경 0.23 ㎛, 티탄 함유량 90％ 또는 약간 초과)
<광반사성 절연 입자 5(실시예 8에서 사용)>
Al2O3과 SiO2와 ZnO로 표면 처리된 산화티탄 입자(R-650, 티탄 고교(주): 입경 0.23 ㎛, 티탄 함유량 93％ 또는 약간 초과)
<광반사성 절연 입자 6(실시예 9에서 사용)>
Al2O3으로 표면 처리된 산화티탄 입자(SR-1, 티탄 고교(주): 입경 0.25 ㎛, 티탄 함유량 94％ 또는 약간 초과)
<광반사성 절연 입자 7(실시예 10에서 사용)>
Al2O3으로 표면 처리된 산화티탄 입자(R-11P, 티탄 고교(주): 입경 0.2 ㎛, 티탄 함유량 95％ 또는 약간 초과)
<광반사성 절연 입자 8(비교예 1에서 사용)>
금속 산화물로 표면 처리되어 있지 않은 산화티탄 입자(R-310, 티탄 고교(주): 입경 0.2 ㎛, 티탄 함유량 97％ 또는 약간 초과)
Figure pct00001
표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 광반사성 절연 입자를 함유하는 실시예 1 내지 10의 광반사성 이방성 도전 접착제의 경우, 광 반사율이 모두 30％ 이상이고, 450 nm의 광의 청색이 그대로의 색으로 반사하고 있었다. 게다가 전체 광속량도 300 mlm 이상이었다. 그리고 내광성도 적어도 "△"로 평가되었다.
그에 반해, 비교예 1의 경우, 광반사성 절연 입자가 금속 산화물로 표면 처리되어 있지 않은 산화티탄 입자를 사용했기 때문에, 반사율과 전체 광속량에 대해서는 바람직한 결과였지만, 내광성 시험의 결과가 "×"로 평가되었다.
본 발명의 광반사성 이방성 도전 접착제는, 발광 다이오드(LED) 소자 등의 발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접착제를 이용하여 플립 칩 실장하여 발광 장치를 제조할 때에, 제조 비용의 증대를 초래하는 광 반사층을 발광 소자에 설치하지 않아도, 발광 효율을 저하시키지 않도록 할 수 있다. 또한, 내광성도 우수하다. 따라서, 본 발명의 광반사성 이방성 도전 접착제는, LED 소자를 플립 칩 실장할 때에 유용하다.
1 코어 입자
2 무기 입자
3 광 반사층
4 열가소성 수지
10, 20 광반사성 도전 입자
11 열경화성 수지 조성물의 경화물
21 기판
22 접속 단자
23 LED 소자
24 n 전극
25 p 전극
26 범프
31 기판
32 다이본드 접착제
33 LED 소자
34 p 전극
35 n 전극
36 접속 단자
37 금 와이어
38 투명 몰드 수지
39 범프
40 광 반사층
41 이방성 도전 페이스트
100 광반사성 이방성 도전 접착제의 경화물
200 발광 장치

Claims (20)

  1. 발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접속하기 위해 사용하는 광반사성 이방성 도전 접착제로서, 열경화성 수지 조성물, 도전 입자 및 광반사성 절연 입자를 함유하여 이루어지고, 상기 광반사성 절연 입자가 산화티탄 입자를 그것 이외의 금속 산화물로 표면 처리한 것임을 특징으로 하는 광반사성 이방성 도전 접착제.
  2. 제1항에 있어서, 광반사성 절연 입자의 산화티탄 함유량이 원자수 기준으로 85 내지 93％인 광반사성 이방성 도전 접착제.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속 산화물이 Al2O3, SiO, SiO2, ZnO, ZnO2 및 ZrO2로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종인 광반사성 이방성 도전 접착제.
  4. 제3항에 있어서, 상기 금속 산화물이 적어도 Al2O3인 광반사성 이방성 도전 접착제.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광반사성 절연 입자의 형상이 대략 구상인 광반사성 이방성 도전 접착제.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 광반사성 절연 입자의 입경이 0.2 내지 0.3 ㎛이고, 도전 입자의 입경이 2 내지 10 ㎛인 광반사성 이방성 도전 접착제.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 광반사성 절연 입자의 굴절률이 열경화성 수지 조성물의 경화물의 굴절률보다도 큰 광반사성 이방성 도전 접착제.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 산화티탄 입자를 그것 이외의 금속 산화물로 표면 처리한 광반사성 절연 입자에 더하여, 수지 피복 금속 입자를 광반사성 절연 입자로서 함유하는 광반사성 이방성 도전 접착제.
  9. 제8항에 있어서, 수지 피복 금속 입자가 인편상 은 입자인 광반사성 이방성 도전 접착제.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 열경화성 수지 조성물에 대한 광반사성 절연 입자의 배합량이 1 내지 50 부피％인 광반사성 이방성 도전 접착제.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 도전 입자가 금속 재료로 피복되어 있는 코어 입자와, 그 표면에 산화아연 입자 또는 산화알루미늄 입자로부터 선택된 적어도 1종의 무기 입자로 형성된 광 반사층을 포함하는 광반사성 도전 입자인 광반사성 이방성 도전 접착제.
  12. 제11항에 있어서, 도전 입자가 금속 재료로 피복되어 있는 코어 입자와, 그 표면에 산화아연 입자로 형성된 광 반사층을 포함하는 광반사성 도전 입자인 광반사성 이방성 도전 접착제.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 코어 입자가 수지 입자의 표면이 금속 재료로 피복된 것인 광반사성 이방성 도전 접착제.
  14. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 코어 입자의 입경에 대한 광 반사층의 층 두께가 0.5 내지 50％인 광반사성 이방성 도전 접착제.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 열경화성 수지 조성물이 에폭시계 수지와 산 무수물계 경화제를 함유하는 광반사성 이방성 도전 접착제.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 열경화성 수지 조성물의 경화물의 파장 380 내지 780 nm의 가시광에 대한 광로 길이 1 cm의 광투과율(JIS K7105)이 80％ 이상인 광반사성 이방성 도전 접착제.
  17. 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 열경화성 수지 조성물 100 질량부에 대한 광반사성 도전 입자의 배합량이 1 내지 100 질량부인 광반사성 이방성 도전 접착제.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 광반사성 이방성 도전 접착제의 경화물의 파장 450 nm의 광에 대한 반사율(JIS K7105)이 적어도 30％인 광반사성 이방성 도전 접착제.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 기재된 광반사성 이방성 도전 접착제를 통해 발광 소자가 플립 칩 방식으로 배선판에 실장되어 있는 발광 장치.
  20. 제19항에 있어서, 발광 소자가 발광 다이오드인 발광 장치.
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