KR20140018178A - 열 확산 챔버 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 열 확산 챔버에서, 프레임(104)은 격납 챔버(102)를 지지하며, 상기 격납 챔버는 바람직하게 프로세스 챔버(106)를 둘러싸고 격납하도록 구성되어 있다. 열원 모듈(108)은 상기 격납 챔버와 상기 프로세스 챔버 사이에 배치되어 있고, 열 조절 공동(110)은 상기 열원 모듈과 상기 프로세스 챔버 사이에 유지되어 있다. 바람직하게, 하나 이상의 유체 입구 박스(112)는 상기 열 조절 공동과 유체 연통하며, 상기 유체 입구 박스는, 상기 열 조절 공동으로부터의 유체의 흐름을 상기 유체 입구 박스를 통해 상기 열 조절 공동의 외부의 환경으로 이동시키는 플레이트 밸브(134)를 구비하고 있다. 또한, 상기 유체 입구 박스는, 상기 열 조절 공동의 외부 환경으로부터 상기 플레이트 밸브를 지나 상기 열 조절 공동으로 흐르는 유체 흐름을 제어하기 위해 상기 플레이트 밸브와 상호작용하는 흐름 조절 구조물(136)을 더 포함한다.
Description
본 발명은 열 확산 챔버, 특히 열 확산 챔버 장비의 프로세스 챔버의 온도를 제어하기 위한 열 제어 시스템 및 방법에 관한 것이다.
태양 에너지 생산의 한 형태는 솔라 패널에 의존하고, 솔라 패널은 기판에 대한 선택 재료의 확산에 의존한다. 일예에서, 유리가 기판으로서 사용되고, 기판은 기판에 구리, 인듐, 및 셀렌화물 함유 필름을 형성하기 위해 기상 셀렌화물 종에 노출된다. 기상 셀렌화물 종은 인간에게 유독한 것으로 알려져 있으며, 그것은 열 조절 시스템을 포함하는 신중한 취급 방법을 강조한다.
그와 같이, 프로세스 챔버 내로부터 대기로의 기상 셀렌화물 종의 이동 및 유출을 효율적이고 신뢰성 있는 방식으로 막을 수 있는 열 조절 시스템은, 기판 내에 확산된 구리, 인듐, 및 셀렌화물 함유 필름을 기판에 제공하는 데에 사용되는 열 챔버의 작동 및 생산 출력을 크게 향상시킬 수 있다.
따라서, 열 확산 챔버를 위한 프로세스 챔버의 열 조절의 향상된 기구 및 방법에 대한 지속적인 필요성이 있다.
본 발명의 목적은 열 확산 챔버, 특히 열 확산 챔버 장비의 프로세스 챔버의 온도를 제어하기 위한 열 제어 시스템 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 열 확산 챔버의 여러 가지 실시예에 따라, 격납 챔버를 지지하는 프레임이 구성되어 있다. 상기 격납 챔버는 상기 격납 챔버 내에 격납되는 프로세스 챔버를 지지하며, 둘러싸고, 격납하도록 구성되어 있다. 예시적 실시예에서, 열원 모듈은 상기 격납 챔버와 상기 프로세스 챔버 사이에 배치되어 있고, 열 조절 공동은 상기 열원 모듈과 상기 프로세스 챔버 사이에 형성되어 있다. 예시적 실시예에서, 하나 이상의 유체 입구 박스는 상기 열 조절 공동과 유체 연통하며, 상기 유체 입구 박스는, 바람직하게 상기 열 조절 공동으로부터의 유체의 흐름을 상기 유체 입구 박스를 통해 상기 열 조절 공동의 외부의 환경으로 이동시키는 플레이트 밸브를 구비한다. 바람직하게, 상기 유체 입구 박스는, 상기 열 조절 공동의 외부 환경으로부터 상기 플레이트 밸브를 지나 상기 열 조절 공동으로 흐르는 유체 흐름을 제어하기 위해 상기 플레이트 밸브와 상호작용하는 흐름 조절 구조물을 더 포함한다.
다른 예시적 실시예에서, 열 확산 챔버를 형성하는 방법은, 적어도, 프레임을 제공하는 단계, 상기 프레임 상에 격납 챔버를 지지하는 단계, 및 상기 격납 챔버 내에 열원 모듈을 위치시키는 단계를 포함한다. 상기 열원 모듈이 정위치에 있는 상태에서, 프로세스 챔버는 상기 열원 모듈 내에 둘러싸이고, 격납되며, 지지되어, 상기 열원 모듈과 상기 프로세스 챔버 사이에 위치되는 열 조절 공동을 형성한다. 상기 열 조절 공동이 형성된 상태에서, 다음 단계는, 하나 이상의 유체 입구 박스를 상기 열 조절 공동과 유체 연통하는 상태로 고정하는 단계를 포함하며, 상기 유체 입구 박스는, 상기 열 조절 공동으로부터의 유체의 흐름을 상기 유체 입구 박스를 통해 상기 열 조절 공동의 외부의 환경으로 이동시키는 플레이트 밸브를 구비하고, 상기 유체 입구 박스는, 상기 열 조절 공동의 외부 환경으로부터 상기 플레이트 밸브를 지나 상기 열 조절 공동으로 흐르는 유체 흐름을 제어하기 위해 상기 플레이트 밸브와 상호작용하는 흐름 조절 구조물을 더 포함한다.
다음에, 출구 매니폴드 내의 압력을 대기압 아래의 값으로 감소시킴으로써, 상기 열 조절 공동과 유체 연통하는 상기 출구 매니폴드는, 유체를 상기 유체 입구 박스의 상기 플레이트 밸브를 지나 상기 프로세스 챔버 주위로 상기 퍼지(purge) 도관 밖으로 유출시킨다.
청구된 본 발명을 특징짓는 이들 및 다른 특징 및 이점은 다음의 상세한 설명을 판독하고 관련 도면을 검토하여 명백하게 될 것이다.
도 1은, 본 발명의 열 챔버의 예시적 실시예의 부분 절결 사시도이다.
도 2는, 도 1의 열 챔버의 예시적 실시예에 사용하기 위해 구성된 예시적 기판 지지 프레임의 사시도이다.
도 3은, 도 1의 열 챔버의 예시적 실시예의 오른쪽 측단면도이다.
도 4는, 배기 매니폴드 및 도관을 도시하는 도 1의 열 챔버의 예시적 실시예의 오른쪽 측단면도이다.
도 5는 도 1의 열 챔버의 예시적 실시예의 전방 단면도이다.
도 6은, 도 1의 열 챔버의 예시적 실시예의 유체 입구 박스의 확대 단면도이다.
도 7은, 도 1의 열 챔버의 예시적 실시예의 자동화된 유체 입구 박스의 확대 단면도이다.
도 8은, 도 1의 열 챔버의 예시적 실시예의 부착된 입구 도관을 가진 유체 입구 박스의 확대 상세 단면도이다.
도 9는, 도 1의 열 챔버의 예시적 실시예를 형성하는 방법의 흐름도이다.
도 2는, 도 1의 열 챔버의 예시적 실시예에 사용하기 위해 구성된 예시적 기판 지지 프레임의 사시도이다.
도 3은, 도 1의 열 챔버의 예시적 실시예의 오른쪽 측단면도이다.
도 4는, 배기 매니폴드 및 도관을 도시하는 도 1의 열 챔버의 예시적 실시예의 오른쪽 측단면도이다.
도 5는 도 1의 열 챔버의 예시적 실시예의 전방 단면도이다.
도 6은, 도 1의 열 챔버의 예시적 실시예의 유체 입구 박스의 확대 단면도이다.
도 7은, 도 1의 열 챔버의 예시적 실시예의 자동화된 유체 입구 박스의 확대 단면도이다.
도 8은, 도 1의 열 챔버의 예시적 실시예의 부착된 입구 도관을 가진 유체 입구 박스의 확대 상세 단면도이다.
도 9는, 도 1의 열 챔버의 예시적 실시예를 형성하는 방법의 흐름도이다.
이제 도면에 도시된 본 발명의 여러 가지 실시예의 하나 이상의 예를 상세히 참조한다. 각각의 예는 본 발명의 여러 가지 실시예의 설명을 위해 제공된 것이며, 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 예를 들면, 일실시예의 부분으로서 도시되거나 설명된 특징은 또 다른 실시예를 제공하기 위해 다른 실시예에 사용될 수 있다. 설명된 실시예에 대한 다른 수정 및 변경 역시 청구된 본 발명의 범위 및 정신 내에 있는 것으로 사료된다.
도면으로 돌아가서, 도 1은 예시적 열 확산 챔버(100)를 도시하고 있으며, 열 확산 챔버는 프레임(104)에 의해 지지되는 격납 챔버(102)를 포함하고, 격납 챔버는 프로세스 챔버(106)를 지지한다. 바람직하게, 예시적 열 확산 챔버(100)는, 프로세스 챔버(106)와 격납 챔버(102) 사이에 배치되는 열원 모듈(108), 및 프로세스 챔버(106)와 열원 모듈(108) 사이에 형성되는 열 조절 공동(110)을 더 포함한다. 도 1은 또한, 열 조절 공동(110)과 유체 연통하는 하나 이상의 유체 입구 박스(112)가 구비되는 것을 도시하고 있다.
도 2는, 열 확산 챔버(100)(도 1)의 예시적 실시예에 사용하기 위해 구성되는 예시적 기판 지지 프레임(113)을 도시하고 있다. 바람직한 실시예에서, 기판 지지 프레임(113)은 쿼트(quarts)들로 형성되며, 복수의 기판(115)(1개만 도시됨)을 수용한다. 작동 시에, 기판 지지 프레임(113)은 기판(115)으로 완전히 채워지고, 프로세스 챔버(106) 내에 위치된다. 프로세스 챔버(106) 내에서, 기판 지지 프레임(113)은 확산 프로세스 동안에 기판(115)을 위한 고정구로서 작용한다. 바람직하게, 기판(115)은 형상이 사각형이고, 실질적으로 650mm의 폭 및 실질적으로 1650mm의 길이를 가지며, 유리 바람직하게 소다-석회-규소 유리(sode-lime-silica glass)로부터 형성된다.
도 3에 의해 도시된 열 확산 챔버(100)의 오른쪽 측단면도는, 열 조절 공동(110)과 유체 연통하는 입구 박스(112)를 더 상세히 도시하고 있다. 도 3에, 바람직하게 열원 모듈(108)과 프로세스 챔버(106) 사이에 위치되는 복수의 지지부(114)가 더 도시되어 있다.
바람직한 예시적 실시예에서, 열원 모듈(108)은 복수의 가열기(116)로부터 형성되며, 예시적 실시예에서는 실질적으로 전체 22개의 가열기로 구성된다. 바람직하게, 각각의 가열기는 가열기 외피(118), 가열기 외피(118)에 인접하는 가열기 절연체(120), 및 복수의 가열 부재(122)를 구비한다. 예시적 실시예에서, 가열 부재(122) 전기에 의해 구동되고, 바람직하게 코일 부재이다.
도 1로 돌아오면, 도 1은, 유체 입구 박스(112)가 입구 매니폴드(126)에 고정되는 입구 도관(124)을 더 포함하는 것을 도시하고 있다. 바람직하게, 입구 매니폴드(126)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(106)에 분배하기 위해 유체를 유체 입구 박스(112)에 공급한다.
도 4는 또한, 예시적 열 확산 챔버(100)가, 열 조절 공동(110)과 유체 연통하며 출구 매니폴드(130)에 고정되는 퍼지 도관(128)을 포함하는 것을 도시하고 있으며, 출구 매니폴드(130)는 유체를 유체 입구 박스(112)를 통해 프로세스 챔버(106) 주위로 퍼지 도관(128) 밖으로 유출하기 위해 대기압보다 낮은 내압을 선택적으로 제공한다.
또한 도 4에, 프로세스 챔버(106)와 접촉하여 인접되며, 대응 가열기(116)를 통해 연장되고, 격납 챔버(102)의 외부로부터의 연결을 위해 전기 리드선(133)을 제공하는 복수의 열 센서(132)가 도시되어 있다. 예시적 열 확산 챔버(100)의 작동의 바람직한 모드에서, 프로세스 챔버(106)의 외부 온도의 더 정확한 판독을 제공하기 위해, 유체 흐름은 중지되며, 즉 유체 흐름은 유체 흐름 조절을 겪는다. 복수의 열 센서(132)로부터 수집되는 정보는, 어느 유체 입구 박스(112)가 유체 흐름이 제한되어야 하고 어느 유체 입구 박스가 최대 유체 흐름을 위해 조절되어야 하는지 판정하기 위해 사용된다.
복수의 유체 입구 박스(112)를 통한 유체 흐름을 조절함으로써, 프로세스 챔버(106)의 더 균일한 냉각이 달성될 수 있다. 또한, 예시적 열 확산 챔버(100)의 작동의 다른 바람직한 모드에서, 복수의 열 센서(132)는, 프로세스 챔버(106)의 가열 사이클 동안에 가열 부재(122)에 공급되는 전력의 양을 조절하기 위한 정보를 제공한다. 즉, 프로세스 챔버(106)의 가열 사이클 동안에, 전력은 복수의 가열기(116) 각각에 공급된다. 조절에 의해, 복수의 가열기(116) 각각에 공급되는 전력을 조절될 수 있고, 프로세스 챔버(106)의 더 균일한 가열이 달성될 수 있다.
도 5는 유체 입구 박스(112)가 플레이트 밸브(134)를 포함하는 것을 도시하고 있으며, 플레이트 밸브는 열 조절 공동(110)으로부터의 흐름 가스를 유체 입구 박스(112)를 통해 열 조절 공동의 외부의 환경으로 이동시킨다. 도 5는 또한, 열 조절 공동의 외부 환경으로부터 플레이트 밸브(134)를 지나 열 조절 공동(110)으로 흐르는 유체 흐름을 제어하기 위해 플레이트 밸브(134)와 상호작용하는 흐름 조절 구조물(136)을 포함한다.
도 6은 유체 입구 박스(112)의 더욱 상세한 도면이다. 바람직한 실시예에서, 유체 입구 박스(112)는 또한, 플레이트 밸브(134)와 접촉하여 인접하는 입구 도관(124)을 지지하는 흡입 포트(138)를 구비한다. 바람직하게, 입구 박스(112)는 또한, 열 조절 공동(110)과 유체 연통하는 출구 도관(142)을 지지하는 배기 포트(140)를 구비한다.
도 7은 다른 유체 입구 박스(144)의 상세도이다. 바람직한 실시예에서, 플레이트 밸브(134)와 접촉하여 인접하는 입구 도관(124)을 지지하는 흡입 포트(138)를 구비하는 것에 더하여, 유체 입구 박스(144)는 모터(146)를 구비하며, 모터는, 도 4의 프로세스 챔버(106)의 온도의 불균형을 검출하는 도 4의 열 센서(132)에 따라, 열 조절 공동의 외부 환경으로부터 플레이트 밸브(134)를 지나 열 조절 공동(110)으로 흐르는 유체 흐름을 제어하기 위해 플레이트 밸브(134)와 상호작용하는 흐름 제어 로드(148)와 상호작용한다.
도 8은 유체 입구 박스(112)의 강화된 도면이다. 바람직한 실시예에서, 출구 도관(142)을 지지하는 배기 포트(140)를 구비하는 것에 더하여, 유체 입구 박스(112)는 인접 단부와 말단 단부를 가지는 연장 도관(150)을 구비하며, 인접 단부는 출구 도관(142)에 접촉하여 인접하고 고정되며, 연장 도관(150)은 열 조절 공동의 외부 환경으로부터 유체를 도 5의 열 조절 공동(110)으로 인도하기 위해 구비된다. 연장 도관(150)의 말단 단부에 바람직하게, 연장 도관에 고정되는 확산 부재(152)가 형성되며, 확산 부재(152)는, 열 조절 공동의 외부 환경으로부터 인도된 유체가 프로세스 챔버(106)에 대해 직각인 스트림으로 도 5의 프로세스 챔버(106)에 인가되는 것을 막기 위해 구성된다.
도 8은 또한, 유체 입구 박스(112)가 플레이트 밸브(134)와 피봇 지지부(156) 사이에 배치되는 피봇 핀(154)을 더 구비하는 것을 도시하고 있다. 피봇 지지부(156)는 입구 도관(124)에 인접하여 고정된다. 피봇 핀(154)은, 흐름 조절 구조물(136)과 조합되어, 유체가 열 조절 공동(110)으로 유입될 때, 입구 도관(124)과의 접촉 인접으로부터 플레이트 밸브(134)의 제어되고 사전 판정되며 조절 가능한 이동을 촉진한다. 피봇 핀(154)은, 소스 유체가 정지되었을 때, 입구 도관(124)에 인접하는 플레이트 밸브(134)의 폐쇄를 더 촉진한다. 다시 말해서, 폐쇄된 플레이트 밸브(134)는, 유체가 열 조절 공동(110)으로 유입되지 않을 때, 열 조절 공동(110)으로부터 열 조절 공동의 외부 환경으로의 유체의 통과를 저지한다.
도 9는, 본 발명의 여러 가지 실시예에 따라 수행되는 열 챔버를 제조하는 예시적 방법(200)을 도시하고 있다. 열 챔버를 제조하는 방법(200)은 시동 프로세스 단계(202)에서 시작되고 프로세스 단계(204)로 계속된다. 프로세스 단계(204)에서, 프레임(104와 같음)이 제공된다. 프로세스 단계(206)에서, 격납 챔버(102와 같음)가 프레임에 지지 및 고정된다. 프로세스 단계(208)에서, 열원 모듈이 격납 챔버 내에 배치되고 격납 챔버에 의해 격납된다. 프로세스 단계(210)에서, 프로세스 챔버(106과 같음)는 열원 모듈 내에 격납된다. 바람직하게, 프로세스 챔버는 하나 이상의 내면과 외면을 포함한다.
프로세스 단계(212)에서, 열 조절 공동(110과 같음)은, 프로세스 챔버를 조절하는 능력을 제공하기 위해 열원 모듈과 프로세스 챔버 사이에 형성된다. 프로세스 단계(214)에서, 유체 입구 박스(112와 같음)는 바람직하게 열 조절 공동과 유체 연통하는 상태로 격납 챔버에 고정된다. 바람직하게, 유체 입구 박스는, 열 조절 공동으로부터 유체 입구 박스를 통해 열 조절 공동의 외부 환경으로의 유체의 흐름을 이동시키는 플레이트 밸브(134와 같음)를 구비하며, 유체 입구 박스는, 열 조절 공동의 외부 환경으로부터 플레이트 밸브를 지나 열 조절 공동으로의 유체 흐름을 제어하기 위해 플레이트 밸브와 상호작용하는 흐름 조절 구조물(136과 같음)을 더 포함한다.
프로세스 단계(216)에서, 바람직하게 열 조절 공동과 유체 연통하는 출구 매니폴드(130와 같음) 내의 유체 압력은 출구에서의 대기압 아래의 값으로 감소되며, 유체는, 출구 매니폴드 내의 압력의 감소의 결과로서, 유체 입구 박스의 플레이트 밸브를 지나 프로세스 챔버 주위로 퍼지 도관(128과 같음) 밖으로 유출되고, 퍼지 도관은 출구 매니폴드와 열 조절 공동 사이에 배치되며, 프로세스는 종료 프로세스 단계(218)에서 종료된다.
본 발명의 여러 가지 실시예의 여러 가지 특징 및 이점이 본 발명의 여러 가지 실시예의 구조 및 기능의 상세사항과 함께 상기 설명에서 설명되었지만, 상세 설명은 단지 설명을 위한 것이며, 전적으로 첨부된 청구범위가 표현된 용어의 광의의 일반적 의미에 의해 표시된 청구된 본 발명의 원리 내에서 특히 부품의 구조 및 배치의 문제에서의 상세사항에 대해 변경이 이루어질 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 예를 들면, 특정 부재는 청구된 본 발명의 정신 및 범위로부터 이탈함이 없이 특정 응용에 따라 변할 수 있다.
본 발명은 상술한 목적과 이점 및 본 발명에 고유한 목적과 이점을 양호하게 달성할 수 있다는 것은 명백할 것이다. 현재의 바람직한 실시예가 이러한 명세서의 목적을 위해 설명되었지만, 당업자에게 명백하고 첨부된 청구범위에 의해 포함되는 여러 가지 변경이 이루어질 수 있다.
Claims (20)
- 열 확산 챔버에 있어서,
격납 챔버를 지지하는 프레임,
상기 격납 챔버 내에 격납된 프로세스 챔버,
상기 격납 챔버와 상기 프로세스 챔버 사이에 배치된 열원 모듈,
상기 열원 모듈과 상기 프로세스 챔버 사이에 형성된 열 조절 공동, 및
상기 열 조절 공동과 유체 연통하는 하나 이상의 유체 입구 박스
를 포함하며,
상기 유체 입구 박스는, 상기 열 조절 공동으로부터의 유체의 흐름을 상기 유체 입구 박스를 통해 상기 열 조절 공동의 외부의 환경으로 이동시키는 플레이트 밸브를 구비하고 있고,
상기 유체 입구 박스는, 상기 열 조절 공동의 외부 환경으로부터 상기 플레이트 밸브를 지나 상기 열 조절 공동으로 흐르는 유체 흐름을 제어하기 위해 상기 플레이트 밸브와 상호작용하는 흐름 조절 구조물을 더 포함하는,
열 확산 챔버. - 제1항에 있어서,
상기 유체 입구 박스는, 상기 플레이트 밸브와 접촉하여 인접한 입구 도관을 지지하고 있는 흡입 포트를 더 구비하고 있는, 열 확산 챔버. - 제2항에 있어서,
상기 유체 입구 박스는, 상기 열 조절 공동과 유체 연통하는 출구 도관을 지지하고 있는 배기 포트를 더 구비하고 있는, 열 확산 챔버. - 제3항에 있어서,
상기 유체 입구 박스는, 상기 플레이트 밸브와 접촉하여 인접한 피봇 지지부를 더 구비하고 있는, 열 확산 챔버. - 제4항에 있어서,
상기 유체 입구 박스는, 인접 단부와 말단 단부를 가지고 있는 연장 도관을 더 구비하고 있으며,
상기 인접 단부는 상기 출구 도관에 접촉하여 인접하고 있으며,
상기 연장 도관은 상기 열 조절 공동의 외부 환경으로부터 유체를 상기 열 조절 공동으로 인도하는,
열 확산 챔버. - 제5항에 있어서,
상기 연장 도관은, 상기 연장 도관의 상기 말단 단부에 고정된 하나 이상의 확산 부재를 구비하고 있으며,
상기 확산 부재는, 상기 열 조절 공동의 외부 환경으로부터 인도된 유체가 상기 프로세스 챔버에 대해 직각인 스트림으로 상기 프로세스 챔버에 인가되는 것을 막기 위해 구성되어 있는,
열 확산 챔버. - 제6항에 있어서,
상기 유체 입구 박스는, 상기 플레이트 밸브와 상기 피봇 지지부 사이에 배치된 피봇 핀을 더 구비하고 있으며,
상기 피봇 핀은, 유체가 상기 열 조절 공동으로 유입될 때, 상기 입구 도관과의 접촉 인접으로부터 상기 플레이트 밸브의 이동을 촉진하고, 유체가 상기 열 조절 공동으로 유입되지 않을 때, 상기 열 조절 공동으로부터 상기 열 조절 공동의 외부 환경으로의 유체의 통과를 저지하는,
열 확산 챔버. - 제7항에 있어서,
상기 입구 도관에 고정된 입구 매니폴드를 더 포함하며,
상기 입구 매니폴드는 유체를 상기 열 조절 공동의 외부 환경으로부터 상기 입구 도관으로 인도하는,
열 확산 챔버. - 제2항에 있어서,
상기 열 조절 공동과 유체 연통하며 출구 매니폴드에 고정된 퍼지(purge) 도관을 포함하며,
상기 출구 매니폴드는 유체를 상기 유체 입구 박스를 통해 상기 프로세스 챔버 주위로 상기 퍼지 도관 밖으로 유출하기 위해 상기 입구 도관의 내압보다 낮은 내압을 선택적으로 제공하는,
열 확산 챔버. - 제1항에 있어서,
상기 프로세스 챔버는, 상기 프로세스 챔버 내에 배치된 기판을 수용하도록 구성되어 있고,
상기 기판은 650mm 이상의 폭 및 실질적으로 1650mm 이상의 길이를 가지고 있는,
열 확산 챔버. - 열 확산 챔버를 형성하는 방법에 있어서,
프레임을 제공하는 단계,
상기 프레임 상에 격납 챔버를 지지하는 단계,
상기 격납 챔버 내에 열원 모듈을 위치시키는 단계,
상기 열원 모듈 내에 프로세스 챔버를 격납하는 단계, 및
상기 열원 모듈과 상기 프로세스 챔버 사이에 위치되는 열 조절 공동을 형성하는 단계, 및
하나 이상의 유체 입구 박스를 상기 열 조절 공동과 유체 연통하는 상태로 상기 격납 챔버에 고정하는 단계
를 포함하며,
상기 유체 입구 박스는, 상기 열 조절 공동으로부터의 유체의 흐름을 상기 유체 입구 박스를 통해 상기 열 조절 공동의 외부의 환경으로 이동시키는 플레이트 밸브를 구비하고,
상기 유체 입구 박스는, 상기 열 조절 공동의 외부 환경으로부터 상기 플레이트 밸브를 지나 상기 열 조절 공동으로 흐르는 유체 흐름을 제어하기 위해 상기 플레이트 밸브와 상호작용하는 흐름 조절 구조물을 더 포함하는,
열 확산 챔버를 형성하는 방법. - 제11항에 있어서,
상기 유체 입구 박스는, 상기 플레이트 밸브와 접촉하여 인접한 입구 도관을 지지하고 있는 흡입 포트를 더 구비하고 있는, 열 확산 챔버를 형성하는 방법. - 제12항에 있어서,
상기 유체 입구 박스는, 상기 열 조절 공동과 유체 연통하는 출구 도관을 지지하고 있는 배기 포트를 더 구비하고 있는, 열 확산 챔버를 형성하는 방법. - 제13항에 있어서,
상기 유체 입구 박스는, 상기 플레이트 밸브와 접촉하여 인접한 피봇 지지부를 더 구비하고 있는, 열 확산 챔버를 형성하는 방법. - 제14항에 있어서,
상기 유체 입구 박스는, 인접 단부와 말단 단부를 가지고 있는 연장 도관을 더 구비하고 있으며,
상기 인접 단부는 상기 출구 도관에 접촉하여 인접하고 있으며,
상기 연장 도관은 상기 열 조절 공동의 외부 환경으로부터 유체를 상기 열 조절 공동으로 인도하는,
열 확산 챔버를 형성하는 방법. - 제15항에 있어서,
상기 연장 도관은, 상기 연장 도관의 상기 말단 단부에 고정된 하나 이상의 확산 부재를 구비하고 있으며,
상기 확산 부재는, 상기 열 조절 공동의 외부 환경으로부터 인도된 유체가 상기 프로세스 챔버에 대해 직각인 스트림으로 상기 프로세스 챔버에 인가되는 것을 막기 위해 구성되어 있는,
열 확산 챔버를 형성하는 방법. - 제16항에 있어서,
상기 유체 입구 박스는, 상기 플레이트 밸브와 상기 피봇 지지부 사이에 배치된 피봇 핀을 더 구비하고 있으며,
상기 피봇 핀은, 유체가 상기 열 조절 공동으로 유입될 때, 상기 입구 도관과의 접촉 인접으로부터 상기 플레이트 밸브의 이동을 촉진하고, 유체가 상기 열 조절 공동으로 유입되지 않을 때, 상기 열 조절 공동으로부터 상기 열 조절 공동의 외부 환경으로의 유체의 통과를 저지하는,
열 확산 챔버를 형성하는 방법. - 제17항에 있어서,
입구 매니폴드를 상기 입구 도관에 고정시키는 단계를 더 포함하며,
상기 입구 매니폴드는 유체를 상기 열 조절 공동의 외부 환경으로부터 상기 입구 도관으로 인도하는,
열 확산 챔버를 형성하는 방법. - 제11항에 있어서,
상기 열 조절 공동과 유체 연통하는 출구 매니폴드 내의 압력을 상기 입구 도관의 내압 아래의 값으로 감소시키는 단계, 및
퍼지 도관을 배치하고, 유체를, 상기 출구 매니폴드 내의 압력의 감소의 결과로서, 상기 유체 입구 박스의 상기 플레이트 밸브를 지나 상기 프로세스 챔버 주위로 상기 퍼지 도관 밖으로 유출시키는 단계
를 더 포함하는,
열 확산 챔버를 형성하는 방법. - 제19항에 있어서,
상기 프로세스 챔버는, 상기 프로세스 챔버 내에 배치되는 기판을 수용하도록 구성되고,
상기 기판은 실질적으로 650mm 이상의 폭 및 실질적으로 1650mm 이상의 길이를 가지는,
열 확산 챔버를 형성하는 방법.
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Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8950470B2 (en) * | 2010-12-30 | 2015-02-10 | Poole Ventura, Inc. | Thermal diffusion chamber control device and method |
US20120168143A1 (en) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Poole Ventura, Inc. | Thermal Diffusion Chamber With Heat Exchanger |
US20130153201A1 (en) * | 2010-12-30 | 2013-06-20 | Poole Ventura, Inc. | Thermal diffusion chamber with cooling tubes |
US20110254228A1 (en) * | 2011-01-28 | 2011-10-20 | Poole Ventura, Inc. | Thermal Chamber |
US8097085B2 (en) * | 2011-01-28 | 2012-01-17 | Poole Ventura, Inc. | Thermal diffusion chamber |
WO2014142975A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Poole Ventura, Inc. | Thermal diffusion chamber with convection compressor |
CN105887205A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-08-24 | 无锡宏纳科技有限公司 | 扩散用高温炉 |
Family Cites Families (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2197876A (en) * | 1938-07-16 | 1940-04-23 | W G Shelton Company | Hair waving machine |
US2688404A (en) * | 1948-03-05 | 1954-09-07 | Wahl Walter | Thermal diffuser separator |
US2720978A (en) * | 1954-03-01 | 1955-10-18 | Standard Oil Co | Thermal diffusion method |
US3403243A (en) * | 1965-05-27 | 1968-09-24 | Tasope Ltd | Radiant burn-in unit for photoengraving plates |
DE2309032B2 (de) * | 1973-02-23 | 1975-01-16 | Dr. C. Otto & Co Gmbh, 4630 Bochum | Koksofentür |
JPS52122958A (en) | 1976-04-09 | 1977-10-15 | Hitachi Ltd | Cloth drier |
US4266338A (en) * | 1978-02-22 | 1981-05-12 | Grumman Aerospace | Method of manufacturing photoelectrochemical cell |
US4172925A (en) * | 1978-02-22 | 1979-10-30 | Refac Electronics Corporation | Photoelectrochemical cell |
GB2132060B (en) * | 1982-12-24 | 1985-12-18 | Thorn Emi Domestic Appliances | Heating apparatus |
JPS59201438A (ja) | 1983-04-28 | 1984-11-15 | Toshiba Corp | ウエ−ハ移し換え装置 |
US5259881A (en) | 1991-05-17 | 1993-11-09 | Materials Research Corporation | Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus |
US4753192A (en) * | 1987-01-08 | 1988-06-28 | Btu Engineering Corporation | Movable core fast cool-down furnace |
US5062386A (en) * | 1987-07-27 | 1991-11-05 | Epitaxy Systems, Inc. | Induction heated pancake epitaxial reactor |
JPH03140746A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-14 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 空調用圧電型開閉弁 |
JPH03278860A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-10 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 紫外線照射装置 |
DE69222549T2 (de) * | 1991-02-20 | 1998-03-05 | Canon Kk | Solarzellenmodul mit Schutzelement |
US6095083A (en) * | 1991-06-27 | 2000-08-01 | Applied Materiels, Inc. | Vacuum processing chamber having multi-mode access |
JPH0590214A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 同軸型プラズマ処理装置 |
AU8011394A (en) | 1993-10-13 | 1995-05-04 | Materials Research Corporation | Vacuum seal of heating window to housing in wafer heat processing machine |
US5452396A (en) * | 1994-02-07 | 1995-09-19 | Midwest Research Institute | Optical processing furnace with quartz muffle and diffuser plate |
US6002109A (en) * | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
JP2915327B2 (ja) * | 1995-07-19 | 1999-07-05 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
CN1169228C (zh) * | 1995-08-24 | 2004-09-29 | 佳能株式会社 | 太阳能电池组件,其制造方法以及建筑物构件 |
US6433913B1 (en) * | 1996-03-15 | 2002-08-13 | Gentex Corporation | Electro-optic device incorporating a discrete photovoltaic device and method and apparatus for making same |
US5805330A (en) * | 1996-03-15 | 1998-09-08 | Gentex Corporation | Electro-optic window incorporating a discrete photovoltaic device |
JP3725612B2 (ja) | 1996-06-06 | 2005-12-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US5944899A (en) * | 1996-08-22 | 1999-08-31 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma processing chamber |
US6367410B1 (en) * | 1996-12-16 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Closed-loop dome thermal control apparatus for a semiconductor wafer processing system |
JP3740251B2 (ja) * | 1997-06-09 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
US6460971B2 (en) * | 1997-07-15 | 2002-10-08 | Silverbrook Research Pty Ltd | Ink jet with high young's modulus actuator |
US6406543B1 (en) * | 1998-07-23 | 2002-06-18 | Applied Materials, Inc. | Infra-red transparent thermal reactor cover member |
US6352430B1 (en) * | 1998-10-23 | 2002-03-05 | Goodrich Corporation | Method and apparatus for cooling a CVI/CVD furnace |
JP3659863B2 (ja) * | 2000-04-06 | 2005-06-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
JP4409714B2 (ja) * | 2000-04-07 | 2010-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 枚葉式熱処理装置 |
JP5049443B2 (ja) * | 2000-04-20 | 2012-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム |
US6533991B1 (en) * | 2000-06-20 | 2003-03-18 | Ipsen International, Inc. | Cooling gas injection nozzle for a vacuum heat treating furnace |
US6970644B2 (en) * | 2000-12-21 | 2005-11-29 | Mattson Technology, Inc. | Heating configuration for use in thermal processing chambers |
JP3896395B2 (ja) * | 2001-06-20 | 2007-03-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
WO2003017745A2 (en) * | 2001-08-23 | 2003-03-06 | Sciperio, Inc. | Architecture tool and methods of use |
JP3798674B2 (ja) * | 2001-10-29 | 2006-07-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置および熱処理方法 |
US7255899B2 (en) * | 2001-11-12 | 2007-08-14 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method of substrate |
US6609908B2 (en) * | 2001-11-13 | 2003-08-26 | Ets Schaefer Corporation | Replaceable heater cover |
US6903306B2 (en) * | 2002-05-23 | 2005-06-07 | Ipsen International, Inc. | Directional cooling system for vacuum heat treating furnace |
US7450292B1 (en) * | 2003-06-20 | 2008-11-11 | Los Alamos National Security, Llc | Durable electrooptic devices comprising ionic liquids |
US6961168B2 (en) * | 2002-06-21 | 2005-11-01 | The Regents Of The University Of California | Durable electrooptic devices comprising ionic liquids |
US7253017B1 (en) * | 2002-06-22 | 2007-08-07 | Nanosolar, Inc. | Molding technique for fabrication of optoelectronic devices |
US20070243317A1 (en) * | 2002-07-15 | 2007-10-18 | Du Bois Dale R | Thermal Processing System and Configurable Vertical Chamber |
US6885815B2 (en) * | 2002-07-17 | 2005-04-26 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Thermal processing apparatus performing irradiating a substrate with light |
JP4133062B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2008-08-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
JP4437641B2 (ja) * | 2002-08-21 | 2010-03-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
US7091453B2 (en) * | 2003-02-27 | 2006-08-15 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Heat treatment apparatus by means of light irradiation |
US7115304B2 (en) * | 2004-02-19 | 2006-10-03 | Nanosolar, Inc. | High throughput surface treatment on coiled flexible substrates |
JP2008520101A (ja) * | 2004-11-10 | 2008-06-12 | デイスター テクノロジーズ,インコーポレイティド | Cigsにおいて現場接合層を作製するための熱プロセス |
US7133606B1 (en) * | 2005-02-11 | 2006-11-07 | Elliott Daniel F | Pipe heating assembly with hingedly attached light emitters |
US20060251827A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-09 | Applied Materials, Inc. | Tandem uv chamber for curing dielectric materials |
US7196262B2 (en) * | 2005-06-20 | 2007-03-27 | Solyndra, Inc. | Bifacial elongated solar cell devices |
US7394016B2 (en) * | 2005-10-11 | 2008-07-01 | Solyndra, Inc. | Bifacial elongated solar cell devices with internal reflectors |
US7259322B2 (en) * | 2006-01-09 | 2007-08-21 | Solyndra, Inc. | Interconnects for solar cell devices |
US7235736B1 (en) * | 2006-03-18 | 2007-06-26 | Solyndra, Inc. | Monolithic integration of cylindrical solar cells |
US20070295389A1 (en) * | 2006-05-05 | 2007-12-27 | Nanosolar, Inc. | Individually encapsulated solar cells and solar cell strings having a hybrid organic/inorganic protective layer |
JP4916802B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2012-04-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
RU2449049C2 (ru) * | 2006-09-11 | 2012-04-27 | Улвак, Инк. | Устройство для вакуумной обработки паром |
US7501292B2 (en) * | 2007-07-19 | 2009-03-10 | Asm Japan K.K. | Method for managing UV irradiation for curing semiconductor substrate |
WO2009075944A2 (en) * | 2007-10-17 | 2009-06-18 | Yann Roussillon | Improved solution deposition assembly |
JP2009164451A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
US8367983B2 (en) * | 2008-04-09 | 2013-02-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus including heating source reflective filter for pyrometry |
ES2581378T3 (es) * | 2008-06-20 | 2016-09-05 | Volker Probst | Dispositivo de procesamiento y procedimiento para procesar productos de procesamiento apilados |
EP2319084A1 (en) * | 2008-07-18 | 2011-05-11 | James B. Paull | Encapsulation of a photovoltaic concentrator |
FR2940505B1 (fr) * | 2008-12-18 | 2011-02-25 | Valeo Securite Habitacle | Dispositif de commande comportant un interrupteur, boitier de dispositif de commande et interrupteur pour dispositif de commande |
CN102356458B (zh) * | 2009-04-16 | 2014-10-15 | Tp太阳能公司 | 利用极低质量运送系统的扩散炉及晶圆快速扩散加工处理的方法 |
US20120168143A1 (en) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Poole Ventura, Inc. | Thermal Diffusion Chamber With Heat Exchanger |
US20110249960A1 (en) * | 2011-01-28 | 2011-10-13 | Poole Ventura, Inc. | Heat Source Door For A Thermal Diffusion Chamber |
US8097085B2 (en) * | 2011-01-28 | 2012-01-17 | Poole Ventura, Inc. | Thermal diffusion chamber |
US20110254228A1 (en) * | 2011-01-28 | 2011-10-20 | Poole Ventura, Inc. | Thermal Chamber |
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