KR20140007749A - Nozzle cleaning apparatus, coating apparatus, nozzle cleaning method, coating method, and computer storage medium - Google Patents

Nozzle cleaning apparatus, coating apparatus, nozzle cleaning method, coating method, and computer storage medium Download PDF

Info

Publication number
KR20140007749A
KR20140007749A KR1020130078320A KR20130078320A KR20140007749A KR 20140007749 A KR20140007749 A KR 20140007749A KR 1020130078320 A KR1020130078320 A KR 1020130078320A KR 20130078320 A KR20130078320 A KR 20130078320A KR 20140007749 A KR20140007749 A KR 20140007749A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nozzle
cleaning
contact member
slit nozzle
moving
Prior art date
Application number
KR1020130078320A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102011519B1 (en
Inventor
도시후미 이나마스
유키오 오가사와라
다이스케 이케모토
도시히로 야마시타
와타루 요시토미
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20140007749A publication Critical patent/KR20140007749A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102011519B1 publication Critical patent/KR102011519B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • B05C11/1007—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to condition of liquid or other fluent material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

A nozzle cleaning apparatus adequately cleans a nozzle having an injection hole injecting a coating solution to a substrate and extended in the longitudinal direction of the substrate. The nozzle cleaning apparatus includes a cleaning part (110) cleaning the lower surface of at least slit nozzle, and a moving unit for the cleaning part moving the cleaning part in the longitudinal direction of the slit nozzle. The cleaning part (110) includes contact members (112) touching the lower surface of the slit nozzle, a horizontal movement unit (167) moving each contact member (120) in a horizontal direction, a vertical movement unit moving the contact members (120) in a vertical direction, a cleaning supply unit (121) supplying a cleaning solution to the lower surface of the slit nozzle, and a gas supply unit (122) supplying a dry gas to the lower surface of the slit nozzle.

Description

노즐 세정 장치, 도포 처리 장치, 노즐 세정 방법, 도포 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체{NOZZLE CLEANING APPARATUS, COATING APPARATUS, NOZZLE CLEANING METHOD, COATING METHOD, AND COMPUTER STORAGE MEDIUM}NOZZLE CLEANING APPARATUS, COATING APPARATUS, NOZZLE CLEANING METHOD, COATING METHOD, AND COMPUTER STORAGE MEDIUM}

본 발명은, 노즐을 세정하는 노즐 세정 장치, 상기 노즐 세정 장치를 포함하는 도포 처리 장치, 상기 노즐 세정 장치를 이용한 노즐 세정 방법, 상기 도포 처리 장치를 이용한 도포 처리 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a nozzle cleaning apparatus for cleaning a nozzle, a coating processing apparatus including the nozzle cleaning apparatus, a nozzle cleaning method using the nozzle cleaning apparatus, a coating processing method using the coating processing apparatus, a program and a computer storage medium. will be.

예컨대 액정 디스플레이(LCD) 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에서의 포토리소그래피 공정에서는, 유리 기판 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리가 행해지고 있다. For example, in the photolithography process in the manufacturing process of a flat panel display (FPD), such as a liquid crystal display (LCD), the resist coating process which apply | coats a resist liquid on a glass substrate and forms a resist film is performed.

전술한 레지스트 도포 처리는, 기판 반송 라인 상에 설치된 레지스트 도포 처리 장치에서 행해진다. 그리고, 상기 레지스트 도포 처리 장치에 유리 기판이 순차적으로 반송되어, 각 유리 기판에 레지스트 도포 처리가 행해진다. The resist coating process mentioned above is performed by the resist coating apparatus provided on the board | substrate conveyance line. And a glass substrate is conveyed to the said resist coating apparatus sequentially, and a resist coating process is performed to each glass substrate.

또한 레지스트 도포 처리 장치에서는, 예컨대 부상(浮上) 반송 방식으로 레지스트 도포 처리가 행해진다. 이러한 부상 반송 방식에서는, 유리 기판을 지지하기 위한 스테이지를 부상식으로 구성하여, 스테이지 상에서 유리 기판을 공중에 부상시킨 채로 수평한 한방향(스테이지 길이 방향)으로 반송한다. 그리고, 반송 도중의 정해진 위치에서 스테이지 상방에 설치한 길이가 긴 노즐의 토출구를 통해, 바로 아래를 통과하는 유리 기판을 향해 레지스트액을 띠모양으로 토출함으로써, 유리 기판 상의 일단으로부터 타단까지 레지스트액을 도포한다. In the resist coating apparatus, for example, a resist coating treatment is performed by a floating conveying method. In such a floating conveyance system, the stage for supporting a glass substrate is floated, and it conveys in a horizontal one direction (stage longitudinal direction), making a glass substrate float in the air on a stage. And the resist liquid is discharged in strip shape toward the glass substrate which passes just below through the discharge opening of the long nozzle which installed above the stage at the fixed position in the middle of conveyance, and the resist liquid from one end to the other end on a glass substrate is discharged. Apply.

정해진 수의 유리 기판에 대하여 레지스트 도포 처리를 행하면, 노즐의 토출구 부근에 레지스트액이 부착 또는 잔류하는 경우가 있기 때문에, 상기 노즐을 세정할 필요가 있다. 이러한 노즐 세정은, 종래, 예컨대 세정 노즐 및 건조 노즐을 노즐 길이 방향으로 주사 이동시키면서, 노즐의 토출구 주변부의 각 부를 향해, 처음에 세정 노즐이 세정액을 분사하고, 이어서 건조 노즐이 건조 가스를 분사하여 행해지고 있다. When a resist coating process is performed with respect to a predetermined number of glass substrates, since the resist liquid may adhere or remain in the vicinity of the discharge port of a nozzle, it is necessary to wash the said nozzle. In the nozzle cleaning, the cleaning nozzle first sprays the cleaning liquid toward the respective parts of the discharge port periphery of the nozzle while scanning movement of the cleaning nozzle and the drying nozzle in the nozzle length direction, and then the drying nozzle injects the drying gas. It is done.

그러나, 전술한 노즐 세정 방법에서는, 1회의 세정 주사(세정 노즐 및 건조 노즐의 이동)에 의해 노즐의 토출구 주변부를 충분히 세정하는 것이 어렵고, 이 때문에 세정 주사를 복수회 반복했다. 이 때문에, 노즐 세정 처리의 택트타임이 긴 것이나, 세정액 소비량이 많은 것 등이 문제가 되었다.However, in the nozzle cleaning method described above, it is difficult to sufficiently clean the discharge port periphery of the nozzle by one cleaning scan (movement of the cleaning nozzle and the drying nozzle), and thus the cleaning scan is repeated a plurality of times. For this reason, a long tact time of the nozzle cleaning process, a large amount of the cleaning liquid consumption, and the like have become a problem.

따라서, 예컨대 노즐의 토출구 주변부를 따라서 노즐의 길이 방향과 평행하게 수평한 세정 주사 방향에서 이동하는 캐리지와, 캐리지에 탑재되어, 세정 주사 방향에서 이동하면서 노즐의 토출구 주변부에 세정액을 분사하는 복수의 세정 유닛과, 세정 주사 방향에 있어서 세정 유닛 뒤에 위치하여 캐리지에 탑재되어, 세정 주사 방향에서 이동하면서 노즐의 토출구 주변부에 부착된 액을 닦아내는 복수의 와이퍼 유닛을 갖는 노즐 세정 장치가 제안되어 있다(특허문헌 1). 그리고, 이러한 노즐 세정 장치에서는, 세정 주사 방향에 있어서 노즐의 각 위치의 토출구 주변부에 대하여, 세정 유닛이 세정액을 분사함으로써 상기 토출구 주변부를 세정하고, 와이퍼 유닛이 토출구 주변부에 접촉함으로써 상기 토출구 주변부를 세정한다.Thus, for example, a plurality of washings that move in the washing scanning direction horizontally parallel to the longitudinal direction of the nozzle along the discharge port peripheral part of the nozzle, and a plurality of washings mounted on the carriage and spraying the cleaning liquid around the discharge opening of the nozzle while moving in the cleaning scanning direction. A nozzle cleaning apparatus having a unit and a plurality of wiper units located behind the cleaning unit in the cleaning scanning direction and mounted in the carriage and moving in the cleaning scanning direction to wipe off the liquid attached to the discharge port periphery of the nozzle has been proposed (patented). Document 1). In such a nozzle cleaning apparatus, the cleaning unit sprays the cleaning liquid around the discharge port peripheral portion at each position of the nozzle in the cleaning scanning direction, and the peripheral portion of the discharge opening is cleaned by the wiper unit contacting the discharge opening peripheral portion. do.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2011-167607호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-167607

그러나, 특허문헌 1에 기재된 노즐 세정 장치에서는, 와이퍼 유닛의 형상은 노즐의 토출구 주변부의 형상에 들어맞을 필요가 있지만, 와이퍼 유닛의 제작상 그 형상 정밀도에는 한계가 있다. 또한, 와이퍼 유닛을 캐리지에 탑재할 때의 위치 정밀도에도 한계가 있다. 특히 복수의 와이퍼 유닛을 전부 적절한 위치로 조정하는 것은 매우 어렵다. 그렇게 하면, 노즐 세정 장치로 노즐을 세정할 때, 와이퍼 유닛이 노즐에 적절하게 접촉하지 않아, 상기 노즐을 적절하게 세정할 수 없는 경우가 있었다. However, in the nozzle cleaning apparatus described in Patent Literature 1, the shape of the wiper unit needs to match the shape of the discharge port peripheral part of the nozzle, but the shape accuracy of the wiper unit is limited. In addition, there is a limit in the positional accuracy when the wiper unit is mounted on the carriage. In particular, it is very difficult to adjust all the wiper units to the proper positions. In such a case, when the nozzle is cleaned with the nozzle cleaning device, the wiper unit may not be in proper contact with the nozzle, so that the nozzle may not be properly cleaned.

본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 폭방향으로 연신(延伸)되고, 상기 기판에 대하여 도포액을 토출하는 토출구가 하면에 형성된 노즐을 적절하게 세정하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of such a point, and an object of this invention is to extend | stretch in the width direction of a board | substrate, and it aims at appropriately cleaning the nozzle formed in the lower surface by the discharge port which discharges a coating liquid with respect to the said board | substrate.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 기판의 폭방향으로 연신되고, 상기 기판에 대하여 도포액을 토출하는 토출구가 하면에 형성된 노즐을 세정하는 노즐 세정 장치로서, 적어도 상기 노즐의 하면을 세정하는 세정부와, 상기 세정부를 상기 노즐의 길이 방향을 따라서 이동시키는 세정부 이동 기구를 포함하고, 상기 세정부는, 적어도 상기 노즐의 하면에 접촉 가능한 복수의 접촉 부재와, 상기 각 접촉 부재를 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동 기구와, 상기 각 접촉 부재를 수직 방향으로 이동시키는 수직 이동 기구를 갖는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, the present invention is a nozzle cleaning device that is stretched in the width direction of the substrate, the nozzle cleaning apparatus for cleaning the nozzle formed on the lower surface of the discharge port for discharging the coating liquid to the substrate, at least to clean the lower surface of the nozzle And a washing unit moving mechanism for moving the washing unit along the longitudinal direction of the nozzle, wherein the washing unit includes a plurality of contact members capable of contacting at least the lower surface of the nozzle, and the contact members horizontally. And a horizontal moving mechanism for moving in the direction, and a vertical moving mechanism for moving the respective contact members in the vertical direction.

본 발명에 의하면, 수평 이동 기구와 수직 이동 기구에 의해 각 접촉 부재의 수평 방향의 위치와 수직 방향의 위치를 조정하여, 복수의 접촉 부재를 노즐의 하면에 접촉시킨다. 이 상태로 세정부 이동 기구에 의해 세정부를 노즐의 길이 방향을 따라서 이동시켜 노즐을 세정한다. 이와 같이 모든 접촉 부재를 노즐에 적절하게 접촉시킬 수 있기 때문에, 상기 접촉 부재에 의해 노즐을 적절하게 세정할 수 있다. According to the present invention, the horizontal movement mechanism and the vertical movement mechanism adjust the horizontal position and the vertical position of each contact member to bring the plurality of contact members into contact with the lower surface of the nozzle. In this state, the cleaning unit is moved along the longitudinal direction of the nozzle by the cleaning unit moving mechanism to clean the nozzle. Thus, since all the contact members can be made to contact a nozzle suitably, the said contact member can wash | clean a nozzle suitably.

다른 관점에 따른 본 발명은, 상기 노즐 세정 장치와 상기 노즐을 가지며, 기판에 도포액을 도포하는 도포 처리 장치로서, 상기 노즐을 승강시키는 노즐 승강 기구와, 상기 세정부 이동 기구에 의해 상기 세정부를 이동시킬 때 상기 접촉 부재가 상기 노즐의 단부(端部)에 위치한 경우에, 상기 노즐을 상승시키도록 상기 노즐 승강 기구를 제어하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a coating processing apparatus including the nozzle cleaning device and the nozzle and applying a coating liquid to a substrate, the nozzle lifting mechanism for raising and lowering the nozzle, and the cleaning unit by the cleaning unit moving mechanism. And a control unit for controlling the nozzle elevating mechanism to raise the nozzle when the contact member is located at the end of the nozzle when moving.

또 다른 관점에 따른 본 발명은, 노즐 세정 장치를 이용하여, 기판의 폭방향으로 연신되고, 상기 기판에 대하여 도포액을 토출하는 토출구가 하면에 형성된 노즐을 세정하는 노즐 세정 방법으로서, 상기 노즐 세정 장치는, 적어도 상기 노즐의 하면을 세정하는 세정부와, 상기 세정부를 상기 노즐의 길이 방향을 따라서 이동시키는 세정부 이동 기구를 포함하고, 상기 세정부는, 적어도 상기 노즐의 하면에 접촉 가능한 복수의 접촉 부재와, 상기 각 접촉 부재를 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동 기구와, 상기 각 접촉 부재를 수직 방향으로 이동시키는 수직 이동 기구를 가지며, 상기 수평 이동 기구와 상기 수직 이동 기구에 의해 상기 각 접촉 부재의 위치를 조정하여, 상기 복수의 접촉 부재를 상기 노즐의 하면에 접촉시키면서, 상기 세정부 이동 기구에 의해 상기 세정부를 이동시켜 상기 노즐을 세정하는 것을 특징으로 한다. According to still another aspect of the present invention, there is provided a nozzle cleaning method for cleaning a nozzle formed in a lower surface by a nozzle cleaning device, which is drawn in a width direction of a substrate and discharges a coating liquid to the substrate. The apparatus includes at least a cleaning unit for cleaning the lower surface of the nozzle, and a cleaning unit moving mechanism for moving the cleaning unit along the longitudinal direction of the nozzle, wherein the cleaning unit is capable of contacting at least the lower surface of the nozzle. A contact member, a horizontal moving mechanism for moving the respective contact members in a horizontal direction, and a vertical moving mechanism for moving the respective contact members in a vertical direction, wherein the respective contact members are caused by the horizontal moving mechanism and the vertical moving mechanism. Adjusting the position of the member, while the plurality of contact members in contact with the lower surface of the nozzle, the cleaning unit mover By by moving the cleaning section it is characterized by cleaning the nozzle.

또 다른 관점에 따른 본 발명은, 상기 노즐 세정 장치와 상기 노즐을 갖는 도포 처리 장치를 이용하여, 기판에 도포액을 도포하는 도포 처리 방법으로서, 상기 도포 처리 장치는 상기 노즐을 승강시키는 노즐 승강 기구를 가지며, 상기 세정부 이동 기구에 의해 상기 세정부를 이동시킬 때, 상기 접촉 부재가 상기 노즐의 단부에 위치한 경우에, 상기 노즐 승강 기구에 의해 상기 노즐을 상승시키는 것을 특징으로 한다. According to still another aspect of the present invention, there is provided a coating treatment method for applying a coating liquid to a substrate by using the coating apparatus having the nozzle cleaning device and the nozzle, wherein the coating apparatus is a nozzle elevating mechanism for elevating the nozzle. When the said cleaning member is moved by the said washing | cleaning part movement mechanism, when the said contact member is located in the edge part of the nozzle, the said nozzle raising mechanism raises the said nozzle, It is characterized by the above-mentioned.

또 다른 관점에 따른 본 발명에 의하면, 상기 노즐 세정 방법을 노즐 세정 장치에 의해 실행시키기 위해, 상기 노즐 세정 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a computer-readable storage medium storing a program running on a computer of a control unit controlling the nozzle cleaning device, in order to execute the nozzle cleaning method by the nozzle cleaning device.

본 발명에 의하면, 기판의 폭방향으로 연신되고, 상기 기판에 대하여 도포액을 토출하는 토출구가 하면에 형성된 노즐을 적절하게 세정할 수 있다.According to the present invention, a nozzle which is stretched in the width direction of the substrate and discharges the coating liquid onto the substrate can be properly cleaned.

도 1은 본 실시형태에 따른 레지스트 도포 처리 장치와 노즐 세정 장치를 포함하는 도포 현상 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 2는 레지스트 도포 처리 장치와 노즐 세정 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 3은 레지스트 도포 처리 장치와 노즐 세정 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 4는 슬릿 노즐의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다.
도 5는 세정부의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 6은 세정부의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 7은 세정부의 구성의 개략을 나타내는 사시도이다.
도 8은 접촉 부재의 구성의 개략을 나타내는 사시도이다.
도 9는 접촉 부재의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 10은 접촉 부재의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 11은 지지 부재와 수직 방향 이동 기구의 구성의 개략을 나타내는 사시도이다.
도 12는 다른 실시형태에 따른 복수의 접촉 부재의 구성의 개략을 나타내는 사시도이다.
도 13은 다른 실시형태에 따른 슬릿 노즐의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 14는 다른 실시형태에 따른 슬릿 노즐의 하면 형상, 슬릿 노즐의 높이 및 세정부의 이동 속도의 관계를 나타내는 타임차트이다.
도 15는 세정부의 선단부가 슬릿 노즐의 단부에 위치한 모습을 나타내는 설명도이다.
도 16은 세정부의 선단부가 슬릿 노즐의 노치에 위치한 모습을 나타내는 설명도이다.1 is a plan view showing an outline of a configuration of a coating and developing treatment system including a resist coating and treating apparatus according to the present embodiment.
2 is a longitudinal cross-sectional view schematically illustrating the configuration of a resist coating apparatus and a nozzle cleaning apparatus.
It is a top view which shows the outline of the structure of a resist coating apparatus and a nozzle cleaning apparatus.
It is explanatory drawing which shows the outline of a structure of a slit nozzle.
5 is a plan view illustrating an outline of a configuration of a cleaning unit.
It is a side view which shows the outline of the structure of a washing | cleaning part.
7 is a perspective view illustrating an outline of the configuration of the cleaning unit.
8 is a perspective view illustrating an outline of a configuration of a contact member.
9 is a plan view schematically illustrating the configuration of a contact member.
It is a side view which shows the outline of the structure of a contact member.
It is a perspective view which shows the outline of the structure of a support member and a vertical direction movement mechanism.
12 is a perspective view illustrating an outline of a configuration of a plurality of contact members according to another embodiment.
It is a side view which shows the outline of the structure of the slit nozzle which concerns on other embodiment.
14 is a time chart showing the relationship between the shape of the lower surface of the slit nozzle, the height of the slit nozzle, and the moving speed of the cleaning part according to another embodiment.
It is explanatory drawing which shows the state in which the front end part of a washing | cleaning part is located in the edge part of a slit nozzle.
It is explanatory drawing which shows the state in which the front-end | tip part of the washing | cleaning part was located in the notch of a slit nozzle.

이하, 본 발명의 실시형태에 관해 설명한다. 도 1은, 본 실시형태에 따른 레지스트 도포 처리 장치와 노즐 세정 장치를 포함하는 도포 현상 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described. 1 is a plan view showing an outline of the configuration of a coating and developing processing system 1 including a resist coating and a nozzle cleaning apparatus according to the present embodiment.

도포 현상 처리 시스템(1)은, 도 1에 나타낸 바와 같이 예컨대 복수의 유리 기판(G)을 카세트 단위로 외부에 대하여 반입 반출하기 위한 카세트 스테이션(2)과, 포토리소그래피 공정 중에서 매엽식으로 정해진 처리를 실시하는 각종 처리 장치가 배치된 처리 스테이션(3)과, 처리 스테이션(3)에 인접하여 설치되어, 처리 스테이션(3)과 노광 장치(4) 사이에서 유리 기판(G)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(5)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다. As shown in FIG. 1, the coating and developing treatment system 1 includes a cassette station 2 for carrying in and out of a plurality of glass substrates G in a cassette unit, for example. Interface which is provided adjacent to the processing station 3 and the processing station 3 in which the various processing apparatuses which implement the method are performed, and which transfers the glass substrate G between the processing station 3 and the exposure apparatus 4 are performed. It has the structure which connected the station 5 integrally.

카세트 스테이션(2)에는, 카세트 배치대(10)가 설치되고, 상기 카세트 배치대(10)는, 복수의 카세트(C)를 X방향(도 1 중의 상하 방향)으로 일렬로 배치 가능하게 되어 있다. 카세트 스테이션(2)에는, 반송로(11) 상을 X방향을 향해 이동 가능한 기판 반송체(12)가 설치되어 있다. 기판 반송체(12)는, 카세트(C)에 수용된 유리 기판(G)의 배열 방향(Z방향; 수직 방향)으로도 이동 가능하고, X방향으로 배열된 각 카세트(C) 내의 유리 기판(G)에 대하여 선택적으로 액세스할 수 있다. The cassette placing table 10 is provided in the cassette station 2, and the cassette placing table 10 is capable of arranging a plurality of cassettes C in a line in the X direction (up and down direction in FIG. 1). . The cassette station 2 is provided with a substrate carrier 12 which is movable on the conveying path 11 in the X direction. The substrate carrier 12 is also movable in the arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the glass substrate G accommodated in the cassette C, and the glass substrate G in each cassette C arranged in the X direction. ) Can optionally be accessed.

기판 반송체(12)는, Z축 둘레의 θ방향으로 회전 가능하고, 후술하는 처리 스테이션(3)측의 엑시머 UV 조사 장치(20)나 제6 열처리 장치군(34)의 각 장치에 대해서도 액세스할 수 있다. The board | substrate carrier body 12 can rotate in the (theta) direction of a Z-axis circumference, and also accesses each apparatus of the excimer UV irradiation apparatus 20 and the 6th heat processing apparatus group 34 of the processing station 3 side mentioned later. can do.

처리 스테이션(3)은, 예컨대 Y방향(도 1의 좌우 방향)으로 연장되는 2열의 반송 라인(A, B)을 포함한다. 이 반송 라인(A, B)에서는, 롤러 반송이나 아암에 의한 반송 등에 의해, 유리 기판(G)을 반송할 수 있다. 처리 스테이션(3)의 정면측(X방향 부방향측(도 1의 하측))의 반송 라인(A)에는, 카세트 스테이션(2)측으로부터 인터페이스 스테이션(5)측을 향해서 순서대로, 예컨대 유리 기판(G) 상의 유기물을 제거하는 엑시머 UV 조사 장치(20), 유리 기판(G)을 세정하는 스크러버 세정 장치(21), 제1 열처리 장치군(22), 제2 열처리 장치군(23), 유리 기판(G)에 도포액으로서의 레지스트액을 도포하는 도포 처리 장치로서의 레지스트 도포 처리 장치(24), 유리 기판(G)을 감압 건조하는 감압 건조 장치(25) 및 제3 열처리 장치군(26)이 직선적으로 일렬로 배치되어 있다. The processing station 3 includes, for example, two rows of conveying lines A and B extending in the Y direction (left and right directions in FIG. 1). In this conveyance line (A, B), glass substrate G can be conveyed by roller conveyance, conveyance by an arm, etc. In the conveyance line A of the front side (X direction negative direction side (lower side of FIG. 1)) of the processing station 3, it is a glass substrate in order from the cassette station 2 side toward the interface station 5 side, for example. Excimer UV irradiation apparatus 20 which removes the organic substance on (G), the scrubber cleaning apparatus 21 which wash | cleans glass substrate G, the 1st heat treatment apparatus group 22, the 2nd heat treatment apparatus group 23, glass The resist coating apparatus 24 as a coating apparatus which apply | coats the resist liquid as a coating liquid to the board | substrate G, the pressure reduction drying apparatus 25 and the 3rd heat processing apparatus group 26 which dry-pressure-dry the glass substrate G is It is arranged in a straight line.

제1 및 제2 열처리 장치군(22, 23)에는, 유리 기판(G)을 가열 또는 냉각하는 복수의 열처리 장치가 다단으로 적층되어 있다. 제1 열처리 장치군(22)과 제2 열처리 장치군(23) 사이에는, 이 장치군(22, 23) 사이의 유리 기판(G)의 반송을 행하는 반송체(27)가 설치되어 있다. 제3 열처리 장치군(26)에도 마찬가지로, 열처리 장치가 다단으로 적층되어 있다. In the first and second heat treatment device groups 22 and 23, a plurality of heat treatment devices for heating or cooling the glass substrate G are laminated in multiple stages. Between the 1st heat treatment apparatus group 22 and the 2nd heat treatment apparatus group 23, the conveyance body 27 which conveys the glass substrate G between these apparatus groups 22 and 23 is provided. Similarly, the heat treatment apparatus is stacked in multiple stages in the third heat treatment apparatus group 26.

처리 스테이션(3)의 배면측(X방향 정방향측(도 1의 상방측))의 반송 라인(B)에는, 인터페이스 스테이션(5)측으로부터 카세트 스테이션(2)측을 향해서 순서대로, 예컨대 제4 열처리 장치군(30), 유리 기판(G)을 현상 처리하는 현상 처리 장치(31), 유리 기판(G)의 탈색 처리를 행하는 i선 UV 조사 장치(32), 제5 열처리 장치군(33) 및 제6 열처리 장치군(34)이 직선형으로 일렬로 배치되어 있다. The conveyance line B on the back side (the X-direction forward side (upper side in FIG. 1)) of the processing station 3 is, for example, fourth in order from the interface station 5 side toward the cassette station 2 side. The heat treatment apparatus group 30, the developing apparatus 31 which develops a glass substrate G, the i-line UV irradiation apparatus 32 which decolorizes the glass substrate G, and the 5th heat treatment apparatus group 33 And the sixth heat treatment apparatus group 34 are arranged in a straight line.

제4~제6 열처리 장치군(30, 33, 34)에는, 각각 열처리 장치가 다단으로 적층되어 있다. 또한, 제5 열처리 장치군(33)과 제6 열처리 장치군(34) 사이에는, 이 장치군(33, 34) 사이의 유리 기판(G)의 반송을 행하는 반송체(40)가 설치되어 있다. In the fourth to sixth heat treatment device groups 30, 33, and 34, heat treatment devices are stacked in multiple stages, respectively. Moreover, the conveyance body 40 which conveys the glass substrate G between these apparatus groups 33 and 34 is provided between the 5th heat treatment apparatus group 33 and the 6th heat treatment apparatus group 34. As shown in FIG. .

반송 라인(A)의 제3 열처리 장치군(26)과 반송 라인(B)의 제4 열처리 장치군(30) 사이에는, 이 장치군(26, 30) 사이의 유리 기판(G)의 반송을 행하는 반송체(41)가 설치되어 있다. 이 반송체(41)는, 후술하는 인터페이스 스테이션(5)의 익스텐션ㆍ쿨링 장치(60)에 대해서도 유리 기판(G)을 반송할 수 있다. Between the 3rd heat treatment apparatus group 26 of conveyance line A and the 4th heat treatment apparatus group 30 of conveyance line B, conveyance of the glass substrate G between these apparatus groups 26 and 30 is carried out. The carrier 41 to perform is provided. This conveyance body 41 can convey glass substrate G also with respect to the extension cooling apparatus 60 of the interface station 5 mentioned later.

반송 라인(A)과 반송 라인(B) 사이에는, Y방향을 따르는 직선적인 공간(50)이 형성되어 있다. 공간(50)에는, 유리 기판(G)을 배치하여 반송 가능한 셔틀(51)이 설치되어 있다. 셔틀(51)은, 처리 스테이션(3)의 카세트 스테이션(2)측의 단부로부터 인터페이스 스테이션(5)측의 단부까지 이동 가능하고, 처리 스테이션(3) 내의 각 반송체(27, 40, 41)에 대하여 유리 기판(G)을 전달할 수 있다. Between the conveyance line A and the conveyance line B, the linear space 50 along a Y direction is formed. The shuttle 51 which can arrange | position and convey the glass substrate G in the space 50 is provided. The shuttle 51 is movable from the end on the cassette station 2 side of the processing station 3 to the end on the interface station 5 side, and each carrier 27, 40, 41 in the processing station 3 is provided. The glass substrate G can be delivered with respect to.

인터페이스 스테이션(5)에는, 예컨대 냉각 기능을 가지며 유리 기판(G)의 전달을 행하는 익스텐션ㆍ쿨링 장치(60)와, 유리 기판(G)을 일시적으로 수용하는 버퍼 카세트(61)와, 외부 장치 블록(62)이 설치되어 있다. 외부 장치 블록(62)에는, 기판(G)에 생산 관리용의 코드를 노광하는 타이틀러와, 유리 기판(G)의 주변부를 노광하는 주변 노광 장치가 설치되어 있다. 인터페이스 스테이션(5)에는, 상기 익스텐션ㆍ쿨링 장치(60), 버퍼 카세트(61), 외부 장치 블록(62) 및 노광 장치(4)에 대하여, 유리 기판(G)을 반송 가능한 기판 반송체(63)가 설치되어 있다. The interface station 5 includes, for example, an extension / cooling device 60 having a cooling function to transfer the glass substrate G, a buffer cassette 61 temporarily accommodating the glass substrate G, and an external device block. 62 is provided. The external device block 62 is provided with a titler for exposing the code for production management to the substrate G, and a peripheral exposure apparatus for exposing the peripheral portion of the glass substrate G. The board | substrate conveyance body 63 which can convey glass substrate G to the interface station 5 with respect to the said extension cooling apparatus 60, the buffer cassette 61, the external device block 62, and the exposure apparatus 4 is carried out. ) Is installed.

다음으로, 전술한 레지스트 도포 처리 장치(24)의 구성에 관해 설명한다. Next, the structure of the resist coating apparatus 24 mentioned above is demonstrated.

레지스트 도포 처리 장치(24)에는, 예컨대 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이 반송 라인(A)을 따르는 Y방향으로 연신되는 스테이지(70)가 설치되어 있다. 스테이지(70)는, 반입 스테이지(70a), 도포 스테이지(70b) 및 반출 스테이지(70c)를 반송 라인(A)의 상류측(Y방향 부방향측)으로부터 하류측(Y방향 정방향측)을 향해서 순서대로 포함한다. 반입 스테이지(70a)와 반출 스테이지(70c)의 상면에는, 도 3에 나타낸 바와 같이 다수의 가스 분출구(71)가 형성되어 있다. 도포 스테이지(70b)의 상면에는, 가스 분출구(71)와 흡인구(72)가 형성되어 있다. 가스 분출구(71)로부터 가스를 분출함으로써, 스테이지(70)의 전면(全面)에서 유리 기판(G)을 부상시킬 수 있다. 또한, 도포 스테이지(70b)에서는, 가스 분출구(71)에 의한 가스의 분출과 흡인구(72)에 의한 흡인을 조정함으로써, 유리 기판(G)을 보다 도포 스테이지(70b)에 가까이 하여 안정된 높이로 부상시킬 수 있다. 그리고, 스테이지(70)는, 유리 기판(G)을 반송 라인(A)을 따르는 수평 방향으로 반송할 수 있다. The resist coating processing apparatus 24 is provided with the stage 70 extended in the Y direction along the conveyance line A, for example, as shown to FIG. 2 and FIG. The stage 70 moves the carrying-in stage 70a, the application | coating stage 70b, and the carrying out stage 70c toward the downstream side (Y direction positive direction side) from the upstream side (Y direction negative direction side) of the conveyance line A. FIG. Include in order. On the upper surface of the carrying-in stage 70a and the carrying out stage 70c, as shown in FIG. 3, many gas ejection openings 71 are formed. The gas blowing port 71 and the suction port 72 are formed in the upper surface of the application | coating stage 70b. By blowing out the gas from the gas ejection port 71, the glass substrate G can be floated on the entire surface of the stage 70. In addition, in the application | coating stage 70b, by adjusting the blowing of the gas by the gas ejection opening 71 and the suction by the suction opening 72, the glass substrate G is made closer to the application stage 70b, and to a stable height. It may cause injury. And the stage 70 can convey the glass substrate G in the horizontal direction along the conveyance line A. FIG.

스테이지(70)의 폭방향(X방향)의 양측에는, Y방향으로 연신되는 한쌍의 제1 가이드 레일(73)이 형성되어 있다. 각 제1 가이드 레일(73)에는, 유리 기판(G)의 폭방향의 단부를 유지하여 이동하는 유지 아암(74)이 설치되어 있다. 스테이지(70) 상에서 부상한 유리 기판(G)의 양단부를 유지 아암(74)에 의해 유지하여, 그 유리 기판(G)을 제1 가이드 레일(73)을 따라서 Y방향으로 이동시킬 수 있다. On both sides of the stage 70 in the width direction (X direction), a pair of first guide rails 73 extending in the Y direction are formed. The holding arms 74 which hold | maintain and move the edge part of the width direction of the glass substrate G are provided in each 1st guide rail 73. As shown in FIG. Both ends of the glass substrate G which floated on the stage 70 can be hold | maintained by the holding arm 74, and the glass substrate G can be moved to the Y direction along the 1st guide rail 73. FIG.

레지스트 도포 처리 장치(24)의 스테이지(70) 상에는, 유리 기판(G)에 레지스트액을 토출하는 슬릿 노즐(80)이 설치되어 있다. 슬릿 노즐(80)은, 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이 X방향으로 연신되는 대략 직방체형상으로 형성되어 있다. 슬릿 노즐(80)은, 예컨대 유리 기판(G)의 X방향의 폭보다 길게 형성되어 있다. 또한 도 4에 나타낸 바와 같이, 슬릿 노즐(80)을 길이 방향(X방향)으로 본 측면시(側面視)에 있어서, 슬릿 노즐(80)의 하부는 수직 방향 하방으로 갈수록 테이퍼형으로 축소되어 있다. 즉, 슬릿 노즐(80)의 하부는 V자형을 갖고 있다. 또한 슬릿 노즐(80)의 하면(80a)에는, 슬릿형의 토출구(80b)가 형성되어 있다. 슬릿 노즐(80)의 상부에는, 레지스트액 공급원(81)에 통하는 레지스트액 공급관(82)이 접속되어 있다. 또 이하의 설명에서, 전술한 V자형을 갖는 슬릿 노즐(80)의 하부를 테이퍼부(80c)라고 하는 경우가 있다. On the stage 70 of the resist coating processing apparatus 24, the slit nozzle 80 which discharges a resist liquid to the glass substrate G is provided. The slit nozzle 80 is formed in the substantially rectangular parallelepiped shape extended in a X direction as shown to FIG. 3 and FIG. The slit nozzle 80 is formed longer than the width of the X direction of the glass substrate G, for example. In addition, as shown in FIG. 4, in the side view of the slit nozzle 80 viewed in the longitudinal direction (X direction), the lower portion of the slit nozzle 80 is reduced in a tapered shape toward the vertical direction downward. . That is, the lower part of the slit nozzle 80 has a V shape. In addition, the slit-shaped discharge port 80b is formed in the lower surface 80a of the slit nozzle 80. The resist liquid supply pipe 82 which connects to the resist liquid supply source 81 is connected to the upper part of the slit nozzle 80. In addition, in the following description, the lower part of the slit nozzle 80 which has the above V-shape may be called the taper part 80c.

도 3에 나타낸 바와 같이 슬릿 노즐(80)의 양측에는, Y방향으로 연신되는 한쌍의 제2 가이드 레일(83, 83)이 형성되어 있다. 슬릿 노즐(80)은, 도포 스테이지(70b)의 X방향의 양측에 걸쳐 가설된 도어형의 갠트리 아암(84)에 의해 지지되어 있다. 또한, 갠트리 아암(84)은, 제2 가이드 레일(83)에 부착되어 있다. 슬릿 노즐(80)은, 이 갠트리 아암(84)의 구동 기구(도시하지 않음)에 의해, 제2 가이드 레일(83)을 따라서 Y방향으로 이동할 수 있다. 또한 갠트리 아암(84)은, 상기 구동 기구에 의해 노즐 승강 기구로서 기능한다. 그리고 슬릿 노즐(80)은, 이 갠트리 아암(84)에 의해, 정해진 높이로 승강할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 슬릿 노즐(80)은, 유리 기판(G)에 레지스트액을 토출하는 도포 위치(E)와, 그것보다 Y방향 부방향측에 있는, 후술하는 프라이밍 롤러(90), 대기 버스(92) 및 노즐 세정 장치(100) 사이를 이동할 수 있다. As shown in FIG. 3, a pair of second guide rails 83 and 83 extending in the Y direction are formed on both sides of the slit nozzle 80. The slit nozzle 80 is supported by the door-type gantry arm 84 constructed on both sides of the application | coating stage 70b in the X direction. In addition, the gantry arm 84 is attached to the second guide rail 83. The slit nozzle 80 can move to the Y direction along the 2nd guide rail 83 by the drive mechanism (not shown) of this gantry arm 84. Moreover, the gantry arm 84 functions as a nozzle raising mechanism by the said drive mechanism. And the slit nozzle 80 can be raised and lowered by the fixed height by this gantry arm 84. By this structure, the slit nozzle 80 has the application position E which discharges a resist liquid to glass substrate G, and the priming roller 90 mentioned later and the atmospheric bus which are in the Y direction negative direction side more than that. It is possible to move between the 92 and the nozzle cleaning apparatus 100.

도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이 슬릿 노즐(80)의 도포 위치(E)보다 상류측, 즉 슬릿 노즐(80)의 도포 위치(E)의 Y방향 부방향측에는, 슬릿 노즐(80)의 선단부에 부착된 레지스트액을 균일화하는 프라이밍 처리를 행하는 프라이밍 롤러(90)가 설치되어 있다. 프라이밍 롤러(90)는, 회전 가능하게 구성되어 있다. 또한 프라이밍 롤러(90)는, 회전축이 X방향을 향하여, 예컨대 슬릿 노즐(80)보다 길게 형성되어 있다. 프라이밍 롤러(90)는, 예컨대 이 프라이밍 롤러(90)를 세정하기 위한 세정 탱크(91) 내에 수용되어 있다. 이러한 프라이밍 롤러(90)의 최상부에 슬릿 노즐(80)의 토출구(80b)를 근접시켜, 프라이밍 롤러(90)를 회전시키면서, 토출구(80b)로부터 프라이밍 롤러(90)에 레지스트액을 토출한다. 그리고, 프라이밍 롤러(90)를 회전시켜 상기 레지스트액을 권취함으로써, 슬릿 노즐(80)의 토출구(80b)에서의 레지스트액의 부착 상태가 갖춰져, 토출구(80b)에서의 레지스트액의 토출 상태를 안정시킬 수 있다. As shown in FIG.2 and FIG.3, the front-end | tip part of the slit nozzle 80 is located upstream rather than the application position E of the slit nozzle 80, ie, the Y direction negative direction side of the application position E of the slit nozzle 80. FIG. The priming roller 90 which performs the priming process which equalizes the resist liquid attached to this is provided. The priming roller 90 is comprised so that rotation is possible. In addition, the priming roller 90 is formed to be longer than the slit nozzle 80 with the rotational axis facing the X direction. The priming roller 90 is accommodated in the washing tank 91 for washing this priming roller 90, for example. The discharge port 80b of the slit nozzle 80 is brought close to the top of the priming roller 90, and the resist liquid is discharged from the discharge port 80b to the priming roller 90 while rotating the priming roller 90. Then, by rotating the priming roller 90 to wind up the resist liquid, the adhesion state of the resist liquid at the discharge port 80b of the slit nozzle 80 is provided, and the discharge state of the resist liquid at the discharge port 80b is stabilized. You can.

프라이밍 롤러(90)의 더 상류측에는, 슬릿 노즐(80)의 대기 버스(92)가 설치되어 있다. 이 대기 버스(92)에는, 예컨대 슬릿 노즐(80)의 건조를 방지하는 기능이 설치되어 있다. 구체적으로는, 예컨대 대기 버스(92)에는, 내부에 레지스트액의 용제(기체형)을 저장하는 용제 공급원(도시하지 않음)이 연통하고 있다. 그리고, 대기 버스(92)에 슬릿 노즐(80)을 대기시킬 때, 대기 버스(92)의 내부는 용제 분위기로 유지되고, 슬릿 노즐(80)의 토출구(80b)에서의 레지스트액의 토출 상태를 유지할 수 있다. The standby bus 92 of the slit nozzle 80 is provided further upstream of the priming roller 90. The standby bus 92 is provided with a function to prevent drying of the slit nozzle 80, for example. Specifically, for example, a solvent supply source (not shown) that stores a solvent (gas type) of a resist liquid therein communicates with the standby bus 92. And when waiting the slit nozzle 80 to the standby bus 92, the inside of the standby bus 92 is maintained in a solvent atmosphere, and the discharge state of the resist liquid in the discharge port 80b of the slit nozzle 80 is maintained. I can keep it.

대기 버스(92)의 더 상류측에는, 슬릿 노즐(80)을 세정하는 노즐 세정 장치(100)가 설치되어 있다. 노즐 세정 장치(100)는, 상면이 개구된 용기(101)를 갖고 있다. 용기(101)는, X방향으로 연신, 즉 슬릿 노즐(80)의 길이 방향으로 연신되고 있다. 또한 용기(101)의 하면에는, 슬릿 노즐(80)을 세정할 때 제거된 레지스트액이나 세정액 등을 배출하기 위한 배출구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. A nozzle cleaning device 100 for cleaning the slit nozzle 80 is provided further upstream of the standby bus 92. The nozzle cleaning device 100 has a container 101 whose upper surface is opened. The container 101 is stretched in the X direction, that is, stretched in the longitudinal direction of the slit nozzle 80. Moreover, the lower surface of the container 101 is provided with the discharge port (not shown) for discharging the resist liquid, washing liquid, etc. which were removed when the slit nozzle 80 was wash | cleaned.

용기(101)의 내부에는, 적어도 슬릿 노즐(80)의 하면(80a), 즉 슬릿 노즐(80)의 토출구(80b)의 주변부를 세정하는 세정부(110)가 설치되어 있다. 세정부(110)의 측방에는, 상기 세정부(110)를 지지하는 캐리지(111)가 설치되어 있다. 캐리지(111)의 하방에는, 수직 부재(112)를 개재하여 세정부 이동 기구(113)가 설치되어 있다. 세정부 이동 기구(113)는, 용기(101)의 바닥면에서 X방향으로 연신되는 제3 가이드 레일(114)에 부착되어 있다. 또한 세정부 이동 기구(113)는, 예컨대 모터 등의 구동 기구(도시하지 않음)를 내장하고 있다. 이러한 구성에 의해, 세정부(110)는, 제3 가이드 레일(114)을 따라서, 즉 후술하는 바와 같이 슬릿 노즐(80)의 길이 방향과 평행한 세정 방향을 따라서 이동할 수 있다. The inside of the container 101 is provided with the washing | cleaning part 110 which wash | cleans the peripheral part of the lower surface 80a of the slit nozzle 80, ie, the discharge port 80b of the slit nozzle 80 at least. The carriage 111 which supports the said washing | cleaning part 110 is provided in the side of the washing | cleaning part 110. As shown in FIG. Below the carriage 111, the washing part moving mechanism 113 is provided via the vertical member 112. The washing | cleaning part movement mechanism 113 is attached to the 3rd guide rail 114 extended in the X direction from the bottom surface of the container 101. As shown in FIG. Moreover, the washing | cleaning part movement mechanism 113 has built-in drive mechanisms (not shown), such as a motor. By this structure, the washing | cleaning part 110 can move along the 3rd guide rail 114, ie, along the washing | cleaning direction parallel to the longitudinal direction of the slit nozzle 80 as mentioned later.

세정부(110)는, 슬릿 노즐(80)의 토출구(80b)의 주변부를 세정한다. 이 토출구(80b)의 주변부에는, 토출구(80b)가 형성된 하면(80a)에 더하여, 슬릿 노즐(80)의 하부에서의 테이퍼부(80c)도 포함된다. 예컨대 슬릿 노즐(80)로부터의 레지스트액 토출시에는, 토출구(80b)뿐만 아니라, 테이퍼부(80c)의 양측면에도 레지스트액이 부착된다. 이와 같이 레지스트 도포 처리가 종료된 후의 토출구(80b)와 테이퍼부(80c)에는 레지스트액의 오염이 남기 때문에, 세정부(110)는, 슬릿 노즐(80)의 토출구(80b)와 테이퍼부(80c)를 세정한다. The cleaning unit 110 cleans the peripheral portion of the discharge port 80b of the slit nozzle 80. In addition to the lower surface 80a in which the discharge port 80b was formed, the peripheral part of this discharge port 80b also includes the taper part 80c in the lower part of the slit nozzle 80. As shown in FIG. For example, when discharging the resist liquid from the slit nozzle 80, the resist liquid is attached not only to the discharge port 80b but also to both sides of the tapered portion 80c. Thus, since the contamination of the resist liquid remains in the discharge port 80b and the tapered portion 80c after the resist coating process is completed, the cleaning unit 110 discharges the discharge port 80b and the tapered portion 80c of the slit nozzle 80. )).

도 5~도 7에 나타낸 바와 같이 세정부(110)는, 슬릿 노즐(80)의 하면(80a)과 테이퍼부(80c)에 접촉 가능한 접촉 부재(120)와, 슬릿 노즐(80)의 하면(80a)과 테이퍼부(80c)에 세정액을 공급하는 세정액 공급 기구(121)와, 슬릿 노즐(80)의 하면(80a)과 테이퍼부(80c)에 건조 가스를 공급하는 가스 공급 기구(122)를 갖고 있다. 접촉 부재(120)는 복수, 예컨대 3개 설치되어 있다. 또한 세정액 공급 기구(121)도 복수, 예컨대 4개 설치되어 있다. 그리고, 세정부(110)에는, 슬릿 노즐(80)의 길이 방향과 평행한 세정 방향(X방향 부방향으로서, 슬릿 노즐(80)을 세정할 때 세정부(110)를 이동시키는 방향)에 있어서, 제1 세정액 공급 기구(121a), 제1 접촉 부재(120a), 제2 세정액 공급 기구(121b), 제2 접촉 부재(120b), 제3 세정액 공급 기구(121c), 제3 접촉 부재(120c), 제4 세정액 공급 기구(121d), 가스 공급 기구(122)가 이 순서대로 배치되어 있다. 또, 각 접촉 부재(120), 세정액 공급 기구(121), 가스 공급 기구(122)는, 각각 캐리지(111)에 대하여 착탈 가능하게 구성되어 있다. 또, 도 7에서는, 캐리지(111)의 내부 구조를 나타내므로, 제1 세정액 공급 기구(121a)와 제1 접촉 부재(120a)의 도시를 생략했다.5 to 7, the cleaning unit 110 includes a contact member 120 capable of contacting the lower surface 80a and the tapered portion 80c of the slit nozzle 80, and the lower surface of the slit nozzle 80 ( The cleaning liquid supply mechanism 121 which supplies the cleaning liquid to 80a and the taper part 80c, and the gas supply mechanism 122 which supplies dry gas to the lower surface 80a and the taper part 80c of the slit nozzle 80 are carried out. Have The contact member 120 is provided in plurality, for example, three. In addition, a plurality of washing liquid supply mechanisms 121 are provided, for example, four. The cleaning unit 110 includes a cleaning direction parallel to the longitudinal direction of the slit nozzle 80 (a direction in which the cleaning unit 110 is moved when cleaning the slit nozzle 80 as the negative direction in the X direction). , The first cleaning liquid supply mechanism 121a, the first contact member 120a, the second cleaning liquid supply mechanism 121b, the second contact member 120b, the third cleaning liquid supply mechanism 121c, and the third contact member 120c. ), The fourth cleaning liquid supply mechanism 121d and the gas supply mechanism 122 are arranged in this order. Moreover, each contact member 120, the washing | cleaning liquid supply mechanism 121, and the gas supply mechanism 122 are comprised so that attachment or detachment is possible with respect to the carriage 111, respectively. In addition, since the internal structure of the carriage 111 is shown in FIG. 7, illustration of the 1st cleaning liquid supply mechanism 121a and the 1st contact member 120a was abbreviate | omitted.

세정액 공급 기구(121)는, 슬릿 노즐(80)의 하면(80a)과 테이퍼부(80c)에 세정액, 예컨대 레지스트액의 용제를 공급하는 복수의 세정액 노즐(130)과, 상기 복수의 세정액 노즐(130)을 지지하는 지지체(131)를 갖고 있다. 세정액 노즐(130)에는, 지지체(131)의 측면에 부착된 배관 커넥터(132)를 통해, 세정액 공급관(도시하지 않음)이 접속되어 있다. 또한 세정액 공급관은, 내부에 세정액을 저장하는 세정액 공급원(도시하지 않음)에 연통하고 있다. The cleaning liquid supply mechanism 121 includes a plurality of cleaning liquid nozzles 130 for supplying a cleaning liquid, for example, a solvent of a resist liquid, to the lower surface 80a and the tapered portion 80c of the slit nozzle 80, and the plurality of cleaning liquid nozzles ( It has the support body 131 which supports 130. As shown in FIG. The cleaning liquid supply pipe (not shown) is connected to the cleaning liquid nozzle 130 via a pipe connector 132 attached to the side surface of the support 131. The cleaning liquid supply pipe communicates with a cleaning liquid supply source (not shown) that stores the cleaning liquid therein.

지지체(131)에는, 그 상면 중앙부에 홈부(133)가 형성되어 있다. 상기 복수의 세정액 노즐(130)은, 이 홈부(133)의 양측의 내측면으로부터 돌출되어 설치되어 있다. 홈부(133)는, 슬릿 노즐(80)이 통과하는 크기로 형성되어 있다. 그리고, 홈부(133) 내를 통과하는 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)에 대하여, 세정액 노즐(130)로부터 세정액이 공급되도록 되어 있다. In the support body 131, the groove part 133 is formed in the center part of the upper surface. The plurality of cleaning liquid nozzles 130 protrude from the inner side surfaces of both sides of the groove portion 133. The groove part 133 is formed in the magnitude | size which the slit nozzle 80 passes. The cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle 130 to the lower surface 80a and the tapered portion 80c of the slit nozzle 80 passing through the groove portion 133.

지지체(131)의 하면에는, 상기 지지체(131)를 지지하는 지지판(134)이 설치되어 있다. 지지판(134)은, 지지체(131)로부터 수평 방향, 수직 상방, 수평 방향으로 이 순서대로 연신되고, 캐리지(111)의 상면에 지지되어 있다. The support plate 134 which supports the said support body 131 is provided in the lower surface of the support body 131. The support plate 134 is extended in this order from the support body 131 in the horizontal direction, the vertical upper direction, and the horizontal direction, and is supported by the upper surface of the carriage 111.

가스 공급 기구(122)는, 슬릿 노즐(80)의 하면(80a)과 테이퍼부(80c)에 건조 가스, 예컨대 질소가스 등의 불활성 가스를 공급하는 복수의 가스 노즐(140)과, 상기 복수의 가스 노즐(140)을 지지하는 지지체(141)를 갖고 있다. 가스 노즐(140)에는, 지지체(141)의 측면에 부착된 배관 커넥터(142)를 통해, 가스 공급관(도시하지 않음)이 접속되어 있다. 또한 가스 공급관은, 내부에 건조 가스를 저장하는 가스 공급원(도시하지 않음)에 연통하고 있다. The gas supply mechanism 122 includes a plurality of gas nozzles 140 for supplying an inert gas such as a dry gas, for example, nitrogen gas, to the lower surface 80a and the tapered portion 80c of the slit nozzle 80, and the plurality of the plurality of gas nozzles 140. The support body 141 which supports the gas nozzle 140 is provided. A gas supply pipe (not shown) is connected to the gas nozzle 140 via a piping connector 142 attached to the side surface of the support 141. In addition, the gas supply pipe communicates with a gas supply source (not shown) which stores dry gas therein.

지지체(141)에는, 그 상면 중앙부에 홈부(143)가 형성되어 있다. 상기 복수의 가스 노즐(140)은, 이 홈부(143)의 양측의 내측면으로부터 돌출되어 설치되어 있다. 홈부(143)는, 슬릿 노즐(80)이 통과하는 크기로 형성되어 있다. 그리고, 홈부(143) 내를 통과하는 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)에 대하여, 가스 노즐(140)로부터 건조 가스가 공급되도록 되어 있다. In the support body 141, the groove part 143 is formed in the center part of the upper surface. The plurality of gas nozzles 140 are provided to protrude from the inner side surfaces of both sides of the groove portion 143. The groove part 143 is formed in the magnitude | size which the slit nozzle 80 passes. The dry gas is supplied from the gas nozzle 140 to the lower surface 80a and the tapered portion 80c of the slit nozzle 80 passing through the groove portion 143.

지지체(141)의 하면에는, 상기 지지체(141)를 지지하는 지지판(144)이 설치되어 있다. 지지판(144)은, 지지체(141)로부터 수평 방향, 수직 상방, 수평 방향으로 이 순서대로 연신되고, 캐리지(111)의 상면에 지지되어 있다. On the lower surface of the support 141, a support plate 144 for supporting the support 141 is provided. The support plate 144 is extended in this order from the support body 141 in the horizontal direction, vertically upward, and horizontal direction, and is supported by the upper surface of the carriage 111.

접촉 부재(120)에는, 슬릿 노즐(80)의 세정시에 상기 슬릿 노즐(80)과 접촉하여 슬라이딩하는 재료, 예컨대 불소 함유 엘라스토머 등의 고무가 이용된다. 접촉 부재(120)의 상부 형상은, 슬릿 노즐(80)의 하부 형상, 즉 슬릿 노즐(80)의 테이퍼부(80c)의 형상에 들어맞는다. 구체적으로는, 도 8~도 10에 나타낸 바와 같이 접촉 부재(120)의 상부에는, 테이퍼부(80c)의 형상에 들어맞는 V자형의 홈부(150)가 형성되어 있다. 홈부(150)의 X방향 부방향측에는, 상기 홈부(150)로부터 수직 방향 하방이자 접촉 부재(120)의 중심부를 향해서 경사진 한쌍의 제1 사면(151, 151)이 형성되어 있다. 또한 홈부(150)의 X방향 정방향측에는, 상기 홈부(150)로부터 수직 방향 하방을 향해서 경사진 한쌍의 제2 사면(152, 152)이 형성되어 있다. 또한 접촉 부재(120)의 하부(153)는, 대략 직방체 형상을 갖고 있다. The contact member 120 is made of a material, such as a fluorine-containing elastomer, that slides in contact with the slit nozzle 80 when the slit nozzle 80 is cleaned. The upper shape of the contact member 120 fits the lower shape of the slit nozzle 80, that is, the shape of the tapered portion 80c of the slit nozzle 80. Specifically, as shown in FIGS. 8-10, the V-shaped groove portion 150 is formed on the upper portion of the contact member 120 to fit the shape of the tapered portion 80c. On the negative direction side of the groove part 150, a pair of 1st slopes 151 and 151 which are inclined downward from the said groove part 150 toward the center part of the contact member 120 are formed. Moreover, the pair of 2nd slopes 152 and 152 inclined toward the downward direction from the said groove part 150 are formed in the positive direction side of the groove part 150 in the X direction. In addition, the lower part 153 of the contact member 120 has a substantially rectangular parallelepiped shape.

접촉 부재(120)의 이러한 구성에 의해, 슬릿 노즐(80)을 세정할 때에는, 접촉 부재(120)의 홈부(150)와 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)가 적절하게 접촉한다. 그리고, 접촉 부재(120)와 슬릿 노즐(80)은, 거의 균일한 압력으로 접촉한다. By this structure of the contact member 120, when cleaning the slit nozzle 80, the groove portion 150 of the contact member 120, the lower surface 80a and the tapered portion 80c of the slit nozzle 80 are appropriate. Contact. And the contact member 120 and the slit nozzle 80 contact with a substantially uniform pressure.

도 11에 나타낸 바와 같이 접촉 부재(120)의 하방에는, 상기 접촉 부재(120)를 지지하는 지지 부재(160)가 설치되어 있다. 지지 부재(160)의 내부에는, 후술하는 수직 이동 기구(162)의 자석체(165)와 반대의 극성을 갖는 자석(161)이 설치되어 있다. 또한 지지 부재(160)는, 하면이 개구된 중공형상을 가지며, 수직 이동 기구(162)를 덮도록 설치되어 있다. As shown in FIG. 11, below the contact member 120, the support member 160 which supports the said contact member 120 is provided. Inside the support member 160, a magnet 161 having a polarity opposite to that of the magnet body 165 of the vertical movement mechanism 162 described later is provided. In addition, the support member 160 has a hollow shape with an open lower surface, and is provided to cover the vertical movement mechanism 162.

또한 지지 부재(160)의 하방에는, 접촉 부재(120)를 수직 방향으로 이동시키는 수직 이동 기구(162)가 설치되어 있다. 수직 이동 기구(162)는, 대략 직방체형상의 본체(163)와, 다른 압박 부재로서의 스프링(164)과, 자석(161)과 반대의 극성을 갖는 자석체(165)를 갖고 있다. 스프링(164)은, 본체(163)와 자석체(165) 사이에 예컨대 2개 설치되어 있다. 그리고 슬릿 노즐(80)을 세정할 때에는, 스프링(164)은, 자석체(165), 자석(161) 및 지지 부재(160)를 개재하여, 접촉 부재(120)를 슬릿 노즐(80)측에 수직 방향으로 압박하여, 접촉 부재(120)와 슬릿 노즐(80)을 접촉시킨다. 또한, 자석(161)과 자석체(165)에 의해, 지지 부재(160)가 수직 이동 기구(162)에 대하여 용이하게 착탈 가능하게 되어 있다. Moreover, below the support member 160, the vertical movement mechanism 162 which moves the contact member 120 to a vertical direction is provided. The vertical movement mechanism 162 includes a substantially rectangular parallelepiped main body 163, a spring 164 as another pressing member, and a magnet body 165 having a polarity opposite to that of the magnet 161. Two springs 164 are provided, for example, between the main body 163 and the magnet body 165. And when cleaning the slit nozzle 80, the spring 164, through the magnet body 165, the magnet 161 and the support member 160, the contact member 120 to the slit nozzle 80 side. By pressing in the vertical direction, the contact member 120 is brought into contact with the slit nozzle 80. Moreover, the support member 160 can be easily attached or detached with respect to the vertical movement mechanism 162 by the magnet 161 and the magnet body 165.

수직 이동 기구(162)는, 지지판(166)에 지지되어 있다. 지지판(166)은, 수직 이동 기구(162)로부터 수평 방향, 수직 상방, 수평 방향으로 이 순서대로 연신되고, 도 7에 나타낸 바와 같이 캐리지(111)의 상면에 지지되어 있다. The vertical movement mechanism 162 is supported by the support plate 166. The support plate 166 is extended in this order from the vertical movement mechanism 162 in the horizontal direction, vertically upward, and horizontal direction, and is supported by the upper surface of the carriage 111 as shown in FIG.

도 7에 나타낸 바와 같이 지지판(166)의 하방이자 캐리지(111)의 내부에는, 접촉 부재(120)를 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동 기구(167)가 설치되어 있다. 즉, 수평 이동 기구(167)는 접촉 부재(120)의 측방에 배치되어 있다. 수평 이동 기구(167)는, 평판형의 본체(168)와, 상기 본체(168)에 부착된 압박 부재로서의 스프링(169)을 갖고 있다. 그리고 슬릿 노즐(80)을 세정할 때에는, 스프링(169)은, 본체(168), 지지판(166), 수직 이동 기구(162), 지지 부재(160)를 개재하여, 접촉 부재(120)를 슬릿 노즐(80)측에 수평 방향으로 압박하여, 접촉 부재(120)와 슬릿 노즐(80)을 접촉시킨다. As shown in FIG. 7, a horizontal moving mechanism 167 is provided below the support plate 166 and inside the carriage 111 to move the contact member 120 in the horizontal direction. In other words, the horizontal movement mechanism 167 is disposed on the side of the contact member 120. The horizontal movement mechanism 167 has a flat body 168 and a spring 169 as a pressing member attached to the main body 168. And when cleaning the slit nozzle 80, the spring 169 slit the contact member 120 via the main body 168, the support plate 166, the vertical movement mechanism 162, the support member 160. The contact member 120 is brought into contact with the slit nozzle 80 by pressing in the horizontal direction on the nozzle 80 side.

이상의 도포 현상 처리 시스템(1)에는, 도 1에 나타낸 바와 같이 제어부(200)가 설치되어 있다. 제어부(200)는, 예컨대 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 도포 현상 처리 시스템(1)에서의 유리 기판(G)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 전술한 각종 처리 장치나 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 도포 현상 처리 시스템(1)에서의 후술하는 기판 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또, 상기 프로그램은, 예컨대 컴퓨터 판독 가능한 하드디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(200)에 인스톨된 것이어도 좋다. The control part 200 is provided in the application | coating development system 1 mentioned above as shown in FIG. The control unit 200 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). In the program storage unit, a program for controlling the processing of the glass substrate G in the coating and developing processing system 1 is stored. The program storage unit also stores a program for controlling the operation of drive systems such as the various processing apparatuses and the conveying apparatus described above to realize the substrate processing described later in the coating and developing processing system 1. The program is recorded in a computer readable storage medium H such as, for example, a computer readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card. It may have been installed in the control unit 200 from the storage medium H.

다음으로, 이상과 같이 구성된 레지스트 도포 처리 장치(24)에서의 도포 처리 프로세스와 노즐 세정 장치(100)에서의 노즐 세정 프로세스를, 도포 현상 처리 시스템(1)에서 행해지는 포토리소그래피 공정의 프로세스와 함께 설명한다. Next, the coating process in the resist coating apparatus 24 and the nozzle cleaning process in the nozzle cleaning apparatus 100 configured as described above are combined with the process of the photolithography process performed in the coating and developing processing system 1. Explain.

우선, 카세트 스테이션(2)의 카세트(C) 내의 복수의 유리 기판(G)이, 기판 반송체(12)에 의해, 순차적으로 처리 스테이션(3)의 엑시머 UV 조사 장치(20)에 반송된다. 유리 기판(G)은, 반송 라인(A)을 따라서, 엑시머 UV 조사 장치(20), 스크러버 세정 장치(21), 제1 열처리 장치군(22)의 열처리 장치, 제2 열처리 장치군(23)의 열처리 장치, 레지스트 도포 처리 장치(24), 감압 건조 장치(25) 및 제3 열처리 장치군(26)의 열처리 장치에 순서대로 반송되어, 각 처리 장치에서 정해진 처리가 실시된다. 제3 열처리 장치군(26)에서 열처리가 종료된 유리 기판(G)은, 반송체(41)에 의해 인터페이스 스테이션(5)에 반송되고, 기판 반송체(63)에 의해 노광 장치(4)에 반송된다. First, the some glass substrate G in the cassette C of the cassette station 2 is conveyed by the substrate carrier 12 to the excimer UV irradiation apparatus 20 of the processing station 3 sequentially. The glass substrate G is a heat treatment apparatus of the excimer UV irradiation apparatus 20, the scrubber cleaning apparatus 21, the 1st heat treatment apparatus group 22, and the 2nd heat treatment apparatus group 23 along the conveyance line A. FIG. It is conveyed in order to the heat processing apparatus of the heat processing apparatus, the resist coating processing apparatus 24, the pressure reduction drying apparatus 25, and the 3rd heat processing apparatus group 26, and the process prescribed | regulated by each processing apparatus is performed. The glass substrate G in which the heat processing was completed in the 3rd heat processing apparatus group 26 is conveyed to the interface station 5 by the conveyance body 41, and is conveyed to the exposure apparatus 4 by the board | substrate conveyance body 63. FIG. Is returned.

노광 장치(4)에서 노광 처리가 종료된 유리 기판(G)은, 기판 반송체(63)에 의해 인터페이스 스테이션(5)에 복귀되고, 반송체(41)에 의해 처리 스테이션(3)의 제4 열처리 장치군(30)에 반송된다. 유리 기판(G)은, 반송 라인(B)을 따라서, 제4 열처리 장치군(30)의 열처리 장치, 현상 처리 장치(31), i선 UV 조사 장치(32), 제5 열처리 장치군(33)의 열처리 장치 및 제6 열처리 장치군(34)의 열처리 장치에 순서대로 반송되어, 각 처리 장치에서 정해진 처리가 실시된다. 제6 열처리 장치군(34)에서 열처리가 종료된 유리 기판(G)은, 기판 반송체(12)에 의해 카세트 스테이션(2)의 카세트(C)에 복귀되어, 일련의 포토리소그래피 공정이 종료한다. The glass substrate G in which the exposure process was complete | finished in the exposure apparatus 4 is returned to the interface station 5 by the board | substrate carrier body 63, and the 4th of the processing station 3 is carried out by the carrier body 41. FIG. It is conveyed to the heat processing apparatus group 30. The glass substrate G is the heat treatment apparatus of the 4th heat treatment apparatus group 30, the image development processing apparatus 31, the i-line UV irradiation apparatus 32, and the 5th heat treatment apparatus group 33 along the conveyance line B. As shown in FIG. ) Is sequentially conveyed to the heat treatment apparatus of the heat treatment apparatus and the 6th heat treatment apparatus group 34, and the process prescribed | regulated by each processing apparatus is performed. The glass substrate G in which the heat processing was completed in the 6th heat processing apparatus group 34 is returned to the cassette C of the cassette station 2 by the board | substrate carrier body 12, and a series of photolithography process is complete | finished. .

다음으로, 레지스트 도포 처리 장치(24)에서의 도포 처리 프로세스와 노즐 세정 장치(100)에서의 노즐 세정 프로세스에 관해 설명한다. Next, the coating process in the resist coating apparatus 24 and the nozzle cleaning process in the nozzle cleaning apparatus 100 will be described.

우선, 대기 버스(92)에 대기시켰던 슬릿 노즐(80)에 대하여 슬릿 노즐(80)의 프라이밍 처리가 행해진다. 또, 슬릿 노즐(80)을 대기시키고 있는 동안, 대기 버스(92)의 내부는 용제의 분위기로 유지되어 있다. 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이 갠트리 아암(84)을 Y방향 정방향측으로 이동시켜, 슬릿 노즐(80)을 대기 버스(92)로부터 프라이밍 롤러(90)의 상방으로 이동시킨다. 그 후, 슬릿 노즐(80)을 하강시켜, 슬릿 노즐(80)의 토출구(80b)가 프라이밍 롤러(90)의 상부 표면에 근접된다. 그리고 프라이밍 롤러(90)가 회전하고, 슬릿 노즐(80)로부터 프라이밍 롤러(90)에 레지스트액이 토출되어, 슬릿 노즐(80)의 토출 상태가 안정된다. First, the slit nozzle 80 is primed with respect to the slit nozzle 80 that has been waiting on the standby bus 92. Moreover, while waiting for the slit nozzle 80, the inside of the standby bus 92 is maintained in the atmosphere of a solvent. As shown in FIG.2 and FIG.3, the gantry arm 84 is moved to the Y-direction forward direction, and the slit nozzle 80 is moved above the priming roller 90 from the atmospheric bus 92. As shown in FIG. Thereafter, the slit nozzle 80 is lowered so that the discharge port 80b of the slit nozzle 80 comes close to the upper surface of the priming roller 90. And the priming roller 90 rotates, the resist liquid is discharged from the slit nozzle 80 to the priming roller 90, and the discharge state of the slit nozzle 80 is stabilized.

슬릿 노즐(80)의 프라이밍 처리가 종료되면, 갠트리 아암(84)을 Y방향 정방향측으로 이동시켜, 슬릿 노즐(80)을 도포 위치(E)로 이동시킨다. 그 후, 슬릿 노즐(80)을 하강시켜, 정해진 높이의 토출 위치로 이동시킨다. 지금까지, 유리 기판(G)은 반입 스테이지(70a)에 반입되어 있고, 또한 반입 스테이지(70a)의 유리 기판(G)이 일정한 속도로 Y방향 정방향측으로 반송된다. 그리고, 유리 기판(G)이 도포 스테이지(70b) 상을 이동하여, 슬릿 노즐(80)의 하측을 통과할 때, 슬릿 노즐(80)로부터 레지스트액이 토출되어, 유리 기판(G)의 상면의 전면(全面)에 레지스트액이 도포된다. When the priming process of the slit nozzle 80 is complete | finished, the gantry arm 84 is moved to the Y direction forward direction, and the slit nozzle 80 is moved to the application | coating position E. FIG. Thereafter, the slit nozzle 80 is lowered and moved to a discharge position of a predetermined height. Until now, the glass substrate G is carried in to the carry-in stage 70a, and the glass substrate G of the carry-in stage 70a is conveyed to the Y direction positive direction side at a constant speed. And when glass substrate G moves on the application | coating stage 70b and passes below the slit nozzle 80, the resist liquid is discharged from the slit nozzle 80, and the upper surface of glass substrate G is carried out. The resist liquid is applied to the entire surface.

이러한 슬릿 노즐(80)의 프라이밍 처리와 슬릿 노즐(80)에 의한 도포 처리가, 정해진 매수, 예컨대 1로트의 유리 기판(G)에 대하여 연속적으로 반복하여 행해진다. 그 후, 노즐 세정 장치(100)에서 슬릿 노즐(80)이 세정된다. 또, 이 정해진 매수는 임의로 설정할 수 있다. 또한, 노즐 세정 장치(100)로 세정된 슬릿 노즐(80)은 대기 버스(92) 내에서 대기하고, 다음으로 유리 기판(G)에 도포 처리가 행해지기 직전에, 프라이밍 롤러(90)에 의해 슬릿 노즐(80)의 프라이밍 처리가 행해진다. The priming treatment of the slit nozzle 80 and the coating treatment by the slit nozzle 80 are repeatedly performed on a predetermined number of sheets, for example, one lot of glass substrate G. Thereafter, the slit nozzle 80 is cleaned by the nozzle cleaning apparatus 100. The number of sheets determined can be arbitrarily set. In addition, the slit nozzle 80 cleaned by the nozzle cleaning apparatus 100 waits in the waiting bus 92, and is immediately processed by the priming roller 90 just before the coating process is performed on the glass substrate G next. The priming process of the slit nozzle 80 is performed.

노즐 세정 장치(100)에서 슬릿 노즐(80)을 세정할 때에는, 우선, 갠트리 아암(84)을 Y방향 부방향측으로 이동시켜, 슬릿 노즐(80)을 노즐 세정 장치(100)의 상방으로 이동시킨다. 그 후, 슬릿 노즐(80)이 접촉 부재(120a~120c)에 접촉하는 정해진 위치까지 슬릿 노즐(80)을 하강시킨다. 이 때, 각 접촉 부재(120a~120c)는, 각각 수직 이동 기구(162)의 스프링(164)에 의해 수직 방향으로 슬릿 노즐(80)측에 압박되고, 수평 이동 기구(167)의 스프링(169)에 의해 수평 방향으로 슬릿 노즐(80)측에 압박된다. 그렇게 하면, 각 접촉 부재(120a~120c)의 홈부(150)가 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)를 따르도록 변위한다. 그 결과, 각 접촉 부재(120a~120c)는, 각각 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)에 균일한 압력으로 적절하게 접촉한다. 이와 같이 모든 접촉 부재(120a~120c)와 슬릿 노즐(80)의 위치 맞춤이 개별적으로 자동적으로 행해진다. When cleaning the slit nozzle 80 in the nozzle cleaning device 100, first, the gantry arm 84 is moved to the negative direction in the Y direction, and the slit nozzle 80 is moved above the nozzle cleaning device 100. . Thereafter, the slit nozzle 80 is lowered to a predetermined position where the slit nozzle 80 contacts the contact members 120a to 120c. At this time, each contact member 120a-120c is urged to the slit nozzle 80 side in the vertical direction by the spring 164 of the vertical movement mechanism 162, respectively, and the spring 169 of the horizontal movement mechanism 167 is carried out. Is pressed against the slit nozzle 80 side in the horizontal direction. Then, the groove part 150 of each contact member 120a-120c is displaced so that the lower surface 80a and the taper part 80c of the slit nozzle 80 may be followed. As a result, each contact member 120a-120c contacts a lower surface 80a and the taper part 80c of the slit nozzle 80 suitably at a uniform pressure, respectively. Thus, the alignment of all the contact members 120a-120c and the slit nozzle 80 is performed automatically automatically.

계속해서, 각 세정액 공급 기구(121a~121d)의 세정액 노즐(130)로부터 세정액을 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)에 대하여 공급하고, 가스 공급 기구(122)의 가스 노즐(140)로부터 건조 가스를 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)에 대하여 공급한다. 세정액의 공급과 건조 가스의 공급을 시작하는 것과 거의 동시에, 세정부 이동 기구(113)에 의해 슬릿 노즐(80)의 길이 방향을 따라서 세정부(110)를 정해진 속도로 이동시킨다. Subsequently, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzles 130 of the cleaning liquid supply mechanisms 121a to 121d to the lower surface 80a and the taper portion 80c of the slit nozzle 80, and the gas of the gas supply mechanism 122 is supplied. Dry gas is supplied from the nozzle 140 to the lower surface 80a and the taper part 80c of the slit nozzle 80. Almost simultaneously with starting the supply of the cleaning liquid and the supply of the dry gas, the cleaning part 110 is moved by the cleaning part moving mechanism 113 along the longitudinal direction of the slit nozzle 80 at a predetermined speed.

그리고, 제1 세정액 공급 기구(121a)로부터 공급되는 세정액에 의해, 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)에 부착된 레지스트액이 용해된다. 그 직후, 제1 접촉 부재(120a)가 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)에 접촉함으로써, 레지스트액과 세정액을 아래로 긁어서 떼어낸다. 이들 제1 세정액 공급 기구(121a)와 제1 접촉 부재(120a)에 의해, 슬릿 노즐(80)이 충분히 세정되고, 상기 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)에 레지스트액과 세정액이 잔존하고 있더라도 소량이다. And the resist liquid adhered to the lower surface 80a and the taper part 80c of the slit nozzle 80 melt | dissolves with the washing | cleaning liquid supplied from the 1st washing | cleaning liquid supply mechanism 121a. Immediately thereafter, the first contact member 120a contacts the lower surface 80a and the tapered portion 80c of the slit nozzle 80, thereby scraping off the resist liquid and the cleaning liquid. By the first cleaning liquid supply mechanism 121a and the first contact member 120a, the slit nozzle 80 is sufficiently cleaned, and the resist liquid is applied to the lower surface 80a and the tapered portion 80c of the slit nozzle 80. Even if the excess and the cleaning liquid remain, the amount is small.

또한, 제1 세정액 공급 기구(121a)와 제1 접촉 부재(120a)의 세정 방향 하류측에 설치된, 세정액 공급 기구(121b~121d)와 접촉 부재(120b, 120c)에 의해, 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)에 부착된 소량의 레지스트액이 완전히 제거된다. In addition, the slit nozzle 80 is provided by the cleaning solution supply mechanisms 121b to 121d and the contact members 120b and 120c provided on the downstream side in the cleaning direction of the first cleaning solution supply mechanism 121a and the first contact member 120a. The small amount of resist liquid adhering to the lower surface 80a and the tapered portion 80c is completely removed.

마지막으로, 세정액 공급 기구(121a~121d)와 접촉 부재(120a~120c)의 세정 방향 하류측에 설치된 가스 공급 기구(122)로부터 공급되는 건조 가스에 의해, 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)에 부착된 세정액을 건조시켜 제거한다. Finally, the lower surface 80a of the slit nozzle 80 by the dry gas supplied from the gas supply mechanism 122 provided in the washing | cleaning liquid supply mechanism 121a-121d and the contact member 120a-120c downstream of the washing | cleaning direction. And the cleaning liquid attached to the tapered portion 80c is dried and removed.

이렇게 하여 슬릿 노즐(80)의 일단으로부터 타단까지 전체 길이에 걸쳐 세정부(110)를 1회 이동시킴으로써, 슬릿 노즐(80)이 충분히 세정된다. In this way, the slit nozzle 80 is fully cleaned by moving the washing | cleaning part 110 once from the one end to the other end of the slit nozzle 80 over the full length.

이상의 실시형태에 의하면, 수직 이동 기구(162)와 수평 이동 기구(167)에 의해 각 접촉 부재(120a~120c)의 위치를 조정할 수 있기 때문에, 이들 접촉 부재(120a~120c)의 형상에 차이가 있거나, 또는 접촉 부재(120a~120c)의 설치 정밀도가 높지 않더라도, 이들 모든 접촉 부재(120a~120c)를 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)에 적절하게 접촉시킬 수 있다. 따라서, 접촉 부재(120a~120c)에 의해, 슬릿 노즐(80)을 적절하게 세정할 수 있다. According to the above embodiment, since the position of each contact member 120a-120c can be adjusted with the vertical movement mechanism 162 and the horizontal movement mechanism 167, the shape of these contact members 120a-120c differs. Or all of the contact members 120a to 120c can be brought into proper contact with the lower surface 80a and the tapered portion 80c of the slit nozzle 80 even if the installation accuracy of the contact members 120a to 120c is not high. . Therefore, the slit nozzle 80 can be appropriately cleaned by the contact members 120a-120c.

게다가, 수직 이동 기구(162)는 스프링(164)을 가지며, 수평 이동 기구(167)는 스프링(169)을 갖기 때문에, 간편한 구조로 각 접촉 부재(120a~120c)를 슬릿 노즐(80)측에 압박할 수 있다. 또한, 이들 스프링(164, 169)에 의해 접촉 부재(120a~120c)가 압박되는 것에 더하여, 각 접촉 부재(120a~120c)의 상부 형상은, 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)의 형상에 들어맞기 때문에, 각 접촉 부재(120a~120c)를 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)에 균일한 압력으로 접촉시킬 수 있다. 따라서, 접촉 부재(120a~120c)에 의해, 슬릿 노즐(80)을 보다 적절하게 세정할 수 있다. In addition, since the vertical movement mechanism 162 has a spring 164 and the horizontal movement mechanism 167 has a spring 169, the contact members 120a to 120c are arranged on the slit nozzle 80 side with a simple structure. I can stress it. Moreover, in addition to pressing the contact members 120a-120c by these springs 164 and 169, the upper shape of each contact member 120a-120c has the lower surface 80a of the slit nozzle 80, and a taper part. Since it fits into the shape of 80c, each contact member 120a-120c can be made to contact the lower surface 80a and the taper part 80c of the slit nozzle 80 by uniform pressure. Therefore, the slit nozzle 80 can be cleaned more appropriately by the contact members 120a-120c.

또한 세정부(110)는, 세정액 공급 기구(121a~121d)를 갖고 있기 때문에, 각 세정액 공급 기구(121a~121d)로부터 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)에 대하여 세정액을 공급하면서, 접촉 부재(120a~120c)를 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)에 접촉시킬 수 있다. 또한 세정부(110)는, 가스 공급 기구(122)를 갖고 있기 때문에, 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)에 부착된 세정액을 건조시켜 제거할 수 있다. 따라서, 슬릿 노즐(80)을 더욱 적절하게 세정할 수 있다. Moreover, since the washing | cleaning part 110 has washing | cleaning liquid supply mechanisms 121a-121d, it wash | cleans the cleaning liquid with respect to the lower surface 80a and the taper part 80c of the slit nozzle 80 from each washing | cleaning liquid supply mechanism 121a-121d. The contact members 120a to 120c can be brought into contact with the lower surface 80a and the tapered portion 80c of the slit nozzle 80 while supplying the. Moreover, since the washing | cleaning part 110 has the gas supply mechanism 122, it can dry and remove the washing | cleaning liquid attached to the lower surface 80a of the slit nozzle 80, and the taper part 80c. Therefore, the slit nozzle 80 can be cleaned more appropriately.

또한 이와 같이 슬릿 노즐(80)의 일단으로부터 타단까지 전체 길이에 걸쳐 세정부(110)를 1회 이동시키는 것만으로, 슬릿 노즐(80)을 적절하게 세정할 수 있기 때문에, 세정 처리의 택트타임을 단축할 수 있다. 바꾸어 말하면, 본 실시형태의 세정부(110)에 의하면, 슬릿 노즐(80)의 세정 효율을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다. In addition, since the slit nozzle 80 can be appropriately cleaned only by moving the cleaning unit 110 once over the entire length from one end of the slit nozzle 80 to the other end, the tact time of the cleaning process It can be shortened. In other words, according to the washing | cleaning part 110 of this embodiment, the washing | cleaning efficiency of the slit nozzle 80 can be improved. Thereby, the throughput of substrate processing can be improved.

또한, 세정부(110)는 복수의 접촉 부재(120a~120c)를 갖기 때문에, 예컨대 1개의 접촉 부재(120)가 손상을 입더라도, 다른 접촉 부재(120)에 의해 슬릿 노즐(80)을 세정할 수 있다. In addition, since the cleaning unit 110 includes a plurality of contact members 120a to 120c, even if one contact member 120 is damaged, for example, the slit nozzle 80 is cleaned by the other contact member 120. can do.

또한, 각 접촉 부재(120a~120c)를 지지하는 지지 부재(160)는 수직 이동 기구(162)를 덮도록 설치되어 있기 때문에, 접촉 부재(120a~120c)에 의해 긁어낸 레지스트액과 세정액에 의해 수직 이동 기구(162)가 더러워지지 않는다.Moreover, since the support member 160 which supports each contact member 120a-120c is provided so that the vertical movement mechanism 162 may be covered, it is made by the resist liquid and the washing | cleaning liquid scraped off by the contact member 120a-120c. The vertical movement mechanism 162 does not get dirty.

또한, 지지 부재(160)와 수직 이동 기구(162)에는, 각각 극성이 상이한 자석(161)과 자석체(165)가 설치되어 있기 때문에, 수직 이동 기구(162)에 대하여 지지 부재(160)가 용이하게 착탈 가능하게 되어 있다. 그리고, 예컨대 접촉 부재(120)를 교환할 때에는, 지지 부재(160)를 함께 교환한다. 이러한 경우, 지지 부재(160)와 수직 이동 기구(162)는 자석(161)과 자석체(165)에 의해 고정되어 있을 뿐이기 때문에, 접촉 부재(120)와 지지 부재(160)를 수직 이동 기구(162)로부터 용이하게 제거할 수 있다. 마찬가지로, 새로운 접촉 부재(120)와 지지 부재(160)를 수직 이동 기구(162)에 용이하게 부착할 수 있다. 게다가, 이 새로운 접촉 부재(120)와 지지 부재(160)를 부착할 때, 자석(161)과 자석체(165)에 의해 접촉 부재(120)와 수직 이동 기구(162)의 상대적인 위치가 자동적으로 조정된다. 따라서, 접촉 부재(120)를 용이하고 적절하게 교환할 수 있다. In addition, since the support member 160 and the vertical movement mechanism 162 are each provided with a magnet 161 and a magnet body 165 having different polarities, the support member 160 is provided with respect to the vertical movement mechanism 162. It is easily removable. For example, when replacing the contact member 120, the support member 160 is replaced together. In this case, since the support member 160 and the vertical movement mechanism 162 are only fixed by the magnet 161 and the magnet body 165, the contact member 120 and the support member 160 are moved vertically. It can be easily removed from 162. Similarly, the new contact member 120 and the support member 160 can be easily attached to the vertical movement mechanism 162. In addition, when the new contact member 120 and the support member 160 are attached, the relative positions of the contact member 120 and the vertical movement mechanism 162 by the magnet 161 and the magnet body 165 are automatically Adjusted. Therefore, the contact member 120 can be replaced easily and appropriately.

이상의 실시형태에서는, 접촉 부재(120a~120c)는 각각 동일한 형상을 갖고 있었지만, 예컨대 도 12에 나타낸 바와 같이 상이한 형상을 갖고 있어도 좋다. 예컨대 각 접촉 부재(120a~120c)의 홈부(150)의 형상을 각각 상이한 형상으로 해도 좋다. 이러한 경우, 상이한 형상의 접촉 부재(120a~120c)가 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)에 접촉하기 때문에, 상기 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)를 보다 확실하게 세정할 수 있다. 또, 이들 120a~120c의 각각의 형상은, 레지스트액의 종류나 접촉 부재(120a~120c)의 재질 등에 따라서 임의로 설정할 수 있다. 또한, 도 12의 예에서는, 상기 세정액 공급 기구(121)와 가스 공급 기구(122)의 도시를 생략했지만, 물론 이들 세정액 공급 기구(121)와 가스 공급 기구(122)를 설치해도 좋다. In the above embodiment, although the contact members 120a-120c had the same shape, respectively, they may have a different shape as shown, for example in FIG. For example, the shape of the groove part 150 of each contact member 120a-120c may be made into a different shape, respectively. In this case, since the contact members 120a to 120c having different shapes contact the lower surface 80a and the tapered portion 80c of the slit nozzle 80, the lower surface 80a and the tapered portion of the slit nozzle 80 are formed. 80c) can be cleaned more reliably. In addition, each shape of these 120a-120c can be arbitrarily set according to the kind of resist liquid, the material of contact members 120a-120c, etc. In addition, although the illustration of the said cleaning liquid supply mechanism 121 and the gas supply mechanism 122 was abbreviate | omitted in the example of FIG. 12, you may provide these cleaning liquid supply mechanism 121 and the gas supply mechanism 122, of course.

또한 이상의 실시형태에서는, 세정부(110)는 3개의 접촉 부재(120)를 갖고 있었지만, 접촉 부재(120)의 수는, 이것에 한정되지 않고 임의로 설정할 수 있다. 마찬가지로, 세정부(110)는 4개의 세정액 공급 기구(121)를 설치했지만, 세정액 공급 기구(121)의 수는, 이것에 한정되지 않고 임의로 설정할 수 있다. Moreover, in the above embodiment, although the washing | cleaning part 110 had three contact members 120, the number of the contact members 120 is not limited to this, It can set arbitrarily. Similarly, although the washing | cleaning part 110 provided four washing | cleaning liquid supply mechanisms 121, the number of the washing | cleaning liquid supply mechanisms 121 is not limited to this, It can set arbitrarily.

이상의 실시형태의 세정부(110)는, 접촉 부재(120), 세정액 공급 기구(121) 및 가스 공급 기구(122)를 갖고 있었지만, 세정부(110)로부터 세정액 공급 기구(121) 및 가스 공급 기구(122)를 생략하고, 접촉 부재(120)만을 설치해도 좋다. 접촉 부재(120)만으로도 충분한 세정 효과가 있기 때문에, 예컨대 슬릿 노즐(80)로부터 토출되는 레지스트액의 종류에 따라서는, 접촉 부재(120)만으로 슬릿 노즐(80)을 적절하게 세정할 수 있다. 이러한 경우, 세정부(110)의 구성을 간략화하여, 그 제조 비용을 저렴화할 수 있다. 또한, 슬릿 노즐(80)의 세정에 필요한 세정액이나 건조 가스를 생략할 수 있기 때문에, 그 라이닝 비용도 저렴화할 수 있다. Although the washing | cleaning part 110 of the above embodiment had the contact member 120, the washing | cleaning liquid supply mechanism 121, and the gas supply mechanism 122, from the washing | cleaning part 110, the washing | cleaning liquid supply mechanism 121 and the gas supply mechanism. You may abbreviate | omit 122 and only the contact member 120 may be provided. Since only the contact member 120 has a sufficient cleaning effect, for example, depending on the type of resist liquid discharged from the slit nozzle 80, the slit nozzle 80 can be appropriately cleaned with only the contact member 120. In this case, the structure of the washing | cleaning part 110 can be simplified and manufacturing cost can be reduced. Moreover, since the washing | cleaning liquid and dry gas which are necessary for the washing | cleaning of the slit nozzle 80 can be omitted, its lining cost can also be reduced.

이상의 실시형태의 수직 이동 기구(162)와 수평 이동 기구(167)는, 각각 압박 부재로서 스프링(164, 169)을 갖고 있었지만, 압박 부재는 이것으로 한정되지 않는다. 예컨대 압박 부재로서, 스프링 이외의 탄성체를 이용해도 좋고, 에어쿠션을 이용해도 좋고, 실린더를 이용해도 좋다. 또는, 예컨대 자석으로 처킹하도록 해도 좋다. Although the vertical movement mechanism 162 and the horizontal movement mechanism 167 of the above embodiment had springs 164 and 169 as pressing members, respectively, the pressing member is not limited to this. For example, as the pressing member, an elastic body other than a spring may be used, an air cushion may be used, or a cylinder may be used. Alternatively, for example, it may be chucked with a magnet.

그런데, 슬릿 노즐(80)로부터 유리 기판(G)에 레지스트액을 도포할 때, 유리 기판(G)에 토출된 레지스트액은, 슬릿 노즐(80)의 길이 방향의 측방에 위치하는 유리 기판(G) 상에도 유동 확산하는 경우가 있다. 즉, 유리 기판(G) 상의 레지스트액은, 상기 레지스트액이 도포되어야 하는 정해진 범위인, 슬릿 노즐(80)의 토출구(80b)의 폭에서 비어져 나오는 경우가 있다. 이러한 경우, 유리 기판(G) 상에 형성되는 레지스트막의 막두께가 정해진 막두께보다 작아질 우려가 있어, 제품의 수율 저하를 초래할 가능성이 있다. By the way, when apply | coating a resist liquid to the glass substrate G from the slit nozzle 80, the resist liquid discharged to the glass substrate G is located in the side of the longitudinal direction of the slit nozzle 80 (G). Flow diffusion may also be performed on That is, the resist liquid on the glass substrate G may protrude from the width | variety of the discharge port 80b of the slit nozzle 80 which is a predetermined range to which the said resist liquid should be apply | coated. In such a case, there is a possibility that the film thickness of the resist film formed on the glass substrate G may be smaller than the predetermined film thickness, which may lead to a decrease in the yield of the product.

따라서, 도 13에 나타낸 바와 같이 슬릿 노즐(80)의 하면(80a)에, 상기 하면(80a)이 수직 상방으로 움푹 패인 노치(300)를 복수 개소, 예컨대 2개소에 형성하는 경우가 있다. 이 노치(300) 내에 정해진 양의 레지스트액을 유동시킴으로써, 슬릿 노즐(80)로부터 유리 기판(G)에 토출된 레지스트액이 정해진 범위의 외측으로 유동하는 것을 억제할 수 있다. 그리고, 유리 기판(G) 상에 레지스트액을 정해진 막두께로 균일하게 도포할 수 있다. Therefore, as shown in FIG. 13, the notch 300 in which the said lower surface 80a was recessed perpendicularly upward may be formed in several places, for example, two places on the lower surface 80a of the slit nozzle 80. As shown in FIG. By flowing a predetermined amount of resist liquid into the notch 300, it is possible to suppress the resist liquid discharged from the slit nozzle 80 to the glass substrate G from flowing out of the predetermined range. And the resist liquid can be apply | coated uniformly to a predetermined film thickness on glass substrate G. As shown in FIG.

이러한 경우, 슬릿 노즐(80)을 세정하기 위해 세정부(110)를 슬릿 노즐(80)의 길이 방향으로 일정한 속도로 이동시키면, 접촉 부재(120)가 노치(300)에 의해 손상을 입는 경우가 있다. In this case, when the cleaning unit 110 is moved at a constant speed in the longitudinal direction of the slit nozzle 80 to clean the slit nozzle 80, the contact member 120 may be damaged by the notch 300. have.

또한, 세정부(110)를 슬릿 노즐(80)의 길이 방향으로 이동시킬 때, 상기 슬릿 노즐(80)을 길이 방향의 전체 길이에 걸쳐 확실하게 세정하기 위해, 세정부(110)는 슬릿 노즐(80)의 외측으로부터 이동한다. 이 때, 발명자들이 예의 검토한 바, 슬릿 노즐(80)의 단부(80d)에서도, 접촉 부재(120)가 손상을 입는 경우가 있다는 것을 알았다.In addition, when moving the cleaning part 110 in the longitudinal direction of the slit nozzle 80, in order to reliably clean the slit nozzle 80 over the entire length of the longitudinal direction, the cleaning part 110 is a slit nozzle ( 80) to move from the outside. At this time, the inventors earnestly examined and found that the contact member 120 may be damaged even at the end portion 80d of the slit nozzle 80.

따라서, 이와 같이 접촉 부재(120)가 손상을 입는 개소에서는, 슬릿 노즐(80)을 정해진 높이까지 상승시켜도 좋다. 슬릿 노즐(80)은, 전술한 바와 같이 노즐 승강 기구로서의 갠트리 아암(84)에 의해 승강할 수 있게 되어 있다. 또한, 슬릿 노즐(80)을 상승시키는 경우의 세정부(110)의 이동 속도는, 슬릿 노즐(80)을 상승시키지 않는 경우의 세정부(110)의 이동 속도에 비해 저속이어도 좋다. 도 14는, 슬릿 노즐(80)의 하면 형상, 슬릿 노즐(80)의 높이, 및 세정부(110)의 이동 속도의 관계를 나타내는 타임차트이다. Therefore, in the place where the contact member 120 is damaged in this way, you may raise the slit nozzle 80 to predetermined height. As described above, the slit nozzle 80 can be lifted up and down by the gantry arm 84 serving as the nozzle lift mechanism. In addition, the moving speed of the washing | cleaning part 110 at the time of raising a slit nozzle 80 may be low speed compared with the moving speed of the washing | cleaning part 110 at the time of not raising a slit nozzle 80. FIG. 14 is a time chart showing the relationship between the shape of the lower surface of the slit nozzle 80, the height of the slit nozzle 80, and the moving speed of the cleaning unit 110.

또, 도 14에서, 슬릿 노즐(80)을 상승시키지 않은 상태로, 세정부(110)에 의한 통상의 세정이 행해지는 경우의 슬릿 노즐(80)의 높이 위치를 세정 위치라고 하고, 슬릿 노즐(80)을 상승시킨 경우의 슬릿 노즐(80)의 높이 위치를 회피 위치라고 한다. 또한, 도 14에서, 슬릿 노즐(80)을 상승시키지 않은 상태로, 세정부(110)에 의한 통상의 세정이 행해지는 경우의 상기 세정부(110)의 이동 속도를 고속이라고 하고, 슬릿 노즐(80)을 상승시킨 상태로, 세정부(110)에 의한 세정이 행해지는 경우의 상기 세정부(110)의 이동 속도를 저속이라고 한다. In FIG. 14, the height position of the slit nozzle 80 when the normal cleaning is performed by the cleaning unit 110 without raising the slit nozzle 80 is referred to as a cleaning position, and the slit nozzle ( The height position of the slit nozzle 80 at the time of raising 80 is called avoidance position. 14, the moving speed of the said washing | cleaning part 110 when the normal washing | cleaning by the washing | cleaning part 110 is performed in the state which does not raise the slit nozzle 80 is called high speed, and the slit nozzle ( The moving speed of the said washing | cleaning part 110 when the washing | cleaning by the washing | cleaning part 110 is performed in the state which raised 80) is called low speed.

노즐 세정 장치(100)에서 슬릿 노즐(80)을 세정할 때에는, 도 13에 나타낸 바와 같이 세정부(110)는 슬릿 노즐(80)의 외측으로부터 이동한다. When the slit nozzle 80 is cleaned by the nozzle cleaning device 100, the cleaning unit 110 moves from the outside of the slit nozzle 80 as shown in FIG. 13.

도 15에 나타낸 바와 같이 세정부(110)의 선단부(제1 접촉 부재(120a))가 슬릿 노즐(80)의 단부(80d)에 위치한 경우에, 슬릿 노즐(80)을 회피 위치까지 상승시킨다(도 14의 시간 t0). 이 회피 위치는, 슬릿 노즐(80)의 하면(80a) 및 테이퍼부(80c)가 접촉 부재(120)와 접촉하지 않는 위치, 또는 접촉 부재(120)와 약간 접촉하는 위치이다. 그리고, 이 회피 위치까지 슬릿 노즐(80)을 예컨대 수 밀리미터 상승시킨다. 이 때, 접촉 부재(120)와 슬릿 노즐(80)의 접촉 압력이 작아지기 때문에, 세정부(110)의 세정 능력이 낮아진다. 따라서, 시간 t0에서 슬릿 노즐(80)을 상승시키고, 세정부(110)의 이동 속도를 저속으로 한다. As shown in FIG. 15, when the front-end | tip part (1st contact member 120a) of the washing | cleaning part 110 is located in the edge part 80d of the slit nozzle 80, the slit nozzle 80 is raised to an avoiding position ( Time t 0 of FIG. 14. This avoidance position is a position where the lower surface 80a and the tapered portion 80c of the slit nozzle 80 do not contact the contact member 120, or a position where the contact member 120 slightly contacts. And the slit nozzle 80 is raised several millimeters to this avoidance position, for example. At this time, since the contact pressure of the contact member 120 and the slit nozzle 80 becomes small, the washing | cleaning ability of the washing | cleaning part 110 falls. Therefore, the slit nozzle 80 is raised at time t 0 , and the moving speed of the cleaning unit 110 is made low.

그 후, 세정부(110)의 후단부(제3 접촉 부재(120c))가 슬릿 노즐(80)의 단부에 위치한 경우에, 슬릿 노즐(80)을 세정 위치까지 하강시킨다(도 14의 시간 t1). 이 때, 접촉 부재(120)와 슬릿 노즐(80)의 접촉 압력이 커지기 때문에, 세정부(110)의 세정 능력이 높아진다. 따라서, 시간 t1에서 슬릿 노즐(80)을 하강시키고, 세정부(110)의 이동 속도를 고속으로 한다. Thereafter, when the rear end (third contact member 120c) of the cleaning unit 110 is located at the end of the slit nozzle 80, the slit nozzle 80 is lowered to the cleaning position (time t in FIG. 14). 1 ). At this time, since the contact pressure of the contact member 120 and the slit nozzle 80 becomes large, the washing | cleaning ability of the washing | cleaning part 110 becomes high. Therefore, the slit nozzle 80 is lowered at time t 1 , and the moving speed of the cleaning unit 110 is made high.

이와 같이 시간 t0으로부터 시간 t1에서, 슬릿 노즐(80)을 회피 위치까지 상승시키기 때문에, 슬릿 노즐(80)의 단부(80d)에 의해 접촉 부재(120)가 손상을 입는 것을 억제할 수 있다. 이 때, 세정부(110)의 이동 속도를 저속으로 하기 때문에, 세정부(110)의 세정 능력의 저하를 억제하여, 슬릿 노즐(80)을 적절하게 세정할 수 있다. 또, 이러한 접촉 부재(120)의 손상과 세정부(110)의 세정 능력의 저하를 보다 확실하게 억제하기 위해, 본 실시형태에서는, 시간 t0은 세정부(110)의 선단부가 슬릿 노즐(80)의 단부(80d)에 도달하기 약간 전으로 설정되고, 시간 t1은 세정부(110)의 후단부가 슬릿 노즐(80)의 단부(80d)를 통과한 약간 후로 설정된다. Thus, since the slit nozzle 80 is raised to the avoiding position from time t 0 to time t 1 , the contact member 120 can be suppressed from being damaged by the end portion 80d of the slit nozzle 80. . At this time, since the moving speed of the washing | cleaning part 110 is made low, the fall of the washing | cleaning ability of the washing | cleaning part 110 can be suppressed, and the slit nozzle 80 can be cleaned appropriately. Moreover, in order to more reliably suppress such damage of the contact member 120 and the fall of the washing | cleaning ability of the washing | cleaning part 110, in this embodiment, the front end of the washing | cleaning part 110 is time slit nozzle 80 at time t0 . The time t 1 is set a little after the end of the cleaning part 110 has passed through the end 80d of the slit nozzle 80.

그 후, 도 16에 나타낸 바와 같이 세정부(110)의 선단부(제1 접촉 부재(120a))가 슬릿 노즐(80)의 노치(300)에 위치한 경우에, 슬릿 노즐(80)을 회피 위치까지 상승시킨다(도 14의 시간 t2). 이 시간 t2에서, 세정부(110)의 세정 능력의 저하를 억제하기 위해, 슬릿 노즐(80)을 상승시키고, 세정부(110)의 이동 속도를 저속으로 한다. Then, as shown in FIG. 16, when the front-end | tip part (1st contact member 120a) of the washing | cleaning part 110 is located in the notch 300 of the slit nozzle 80, the slit nozzle 80 is moved to an avoiding position. Increase (time t 2 in FIG. 14). At this time t 2 , the slit nozzle 80 is raised to reduce the deterioration of the cleaning ability of the cleaning unit 110, and the moving speed of the cleaning unit 110 is made low.

그 후, 세정부(110)의 후단부(제3 접촉 부재(120c))가 슬릿 노즐(80)의 노치(300)에 위치한 경우에, 슬릿 노즐(80)을 세정 위치까지 하강시킨다(도 14의 시간 t3). 이 때, 세정부(110)의 세정 능력이 높아지기 때문에, 시간 t3에서 슬릿 노즐(80)을 하강시키고, 세정부(110)의 이동 속도를 고속으로 한다. Thereafter, when the rear end (third contact member 120c) of the cleaning unit 110 is located at the notch 300 of the slit nozzle 80, the slit nozzle 80 is lowered to the cleaning position (Fig. 14). Time t 3 ). At this time, due to high cleaning capability of the cleaning section 110, and lower the nozzle slit 80 at time t 3, and the moving speed of the cleaning section 110 at a high speed.

이 시간 t2로부터 시간 t3에서는, 전술한 시간 t0으로부터 시간 t1과 마찬가지로 접촉 부재(120)의 손상과 세정부(110)의 세정 능력의 저하를 억제할 수 있다. 또, 이러한 접촉 부재(120)의 손상과 세정부(110)의 세정 능력의 저하를 보다 확실하게 억제하기 위해, 본 실시형태에서는, 시간 t2는 세정부(110)의 선단부가 슬릿 노즐(80)의 노치(300)에 도달하기 약간 전으로 설정되고, 시간 t3은 세정부(110)의 후단부가 슬릿 노즐(80)의 노치(300)를 통과한 약간 후로 설정된다. From this time t 2 to time t 3 , damage to the contact member 120 and deterioration of the cleaning ability of the cleaning unit 110 can be suppressed in the same manner as the time t 1 from the above time t 0 . Further, in order to more reliably suppress such contact damage and deterioration of the cleaning ability of the cleaning section 110 of the member 120, in this embodiment, the time t 2 is the front end of the cleaning section 110, a slit nozzle (80 ) Is set slightly before reaching the notch 300, and time t 3 is set slightly after the rear end of the cleaning unit 110 passes through the notch 300 of the slit nozzle 80.

그 후, 도 14의 시간 t4로부터 시간 t5에서, 세정부(110)가 슬릿 노즐(80)의 다른 노치(300)를 통과하지만, 이러한 시간 t4로부터 시간 t5의 슬릿 노즐(80)의 승강과 세정부(110)의 이동(이동 속도)은, 전술한 시간 t2로부터 시간 t3과 동일하기 때문에 상세한 설명을 생략한다. Then, at time t 5 from time t 4 in FIG. 14, the cleaning unit 110 passes through another notch 300 of the slit nozzle 80, but the slit nozzle 80 at time t 5 from this time t 4 . Since the elevating and the moving (moving speed) of the cleaning unit 110 are the same as the time t 3 from the time t 2 described above, detailed description thereof will be omitted.

그 후, 도 14의 시간 t6으로부터 시간 t7에서, 세정부(110)가 슬릿 노즐(80)의 단부(80d)를 통과하지만, 이러한 시간 t6으로부터 시간 t7의 슬릿 노즐(80)의 승강과 세정부(110)의 이동(이동 속도)은, 전술한 시간 t0으로부터 시간 t1과 동일하기 때문에 상세한 설명을 생략한다. Then, at time t 7 from time t 6 of FIG. 14, the cleaning unit 110 passes through the end portion 80d of the slit nozzle 80, but from this time t 6 , the slit nozzle 80 of time t 7 is removed. Since the lifting and lowering and the movement (moving speed) of the cleaning unit 110 are the same as the time t 1 from the time t 0 described above, detailed description thereof is omitted.

본 실시형태에 의하면, 접촉 부재(120)가 슬릿 노즐(80)의 단부(80d)를 통과할 때(시간 t0으로부터 시간 t1, 시간 t6으로부터 시간 t7)와, 접촉 부재(120)가 슬릿 노즐(80)의 노치(300)를 통과할 때(시간 t2로부터 시간 t3, 시간 t4로부터 시간 t5)에 있어서, 슬릿 노즐(80)을 회피 위치까지 상승시키기 때문에, 슬릿 노즐(80)의 단부(80d)에 의해 접촉 부재(120)가 손상을 입는 것을 억제할 수 있다. 또한 세정부(110)의 이동 속도를 저속으로 하기 때문에, 세정부(110)의 세정 능력의 저하를 억제하여, 슬릿 노즐(80)을 적절하게 세정할 수 있다. According to this embodiment, the contact member 120 (time t 7 from the time period t 1, the time t 6 from t 0) end passing through the (80d) of the contact member 120, the slit nozzle 80 When the slit nozzle 80 is raised to the avoiding position when the light passes through the notch 300 of the slit nozzle 80 (time t 2 to time t 3 , time t 4 to time t 5 ), the slit nozzle Damage to the contact member 120 can be suppressed by the end portion 80d of the 80. Moreover, since the moving speed of the washing | cleaning part 110 is made low, the fall of the washing | cleaning ability of the washing | cleaning part 110 can be suppressed, and the slit nozzle 80 can be cleaned appropriately.

또, 이상의 실시형태에서는, 슬릿 노즐(80)의 하면(80a)에 노치(300)가 형성되어 있는 경우에 관해 설명했지만, 슬릿 노즐(80)의 하면(80a)에 상기 노치(300)가 형성되어 있지 않은 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다. 즉, 접촉 부재(120)가 슬릿 노즐(80)의 단부(80d)를 통과할 때(시간 t0으로부터 시간 t1, 시간 t6으로부터 시간 t7)에 있어서, 슬릿 노즐(80)을 회피 위치까지 상승시키고, 세정부(110)의 이동 속도를 저속으로 한다. 그렇게 하면, 상기 실시형태와 동일한 효과를 누릴 수 있다. Moreover, in the above embodiment, although the case where the notch 300 was formed in the lower surface 80a of the slit nozzle 80 was demonstrated, the said notch 300 is formed in the lower surface 80a of the slit nozzle 80. As shown in FIG. Even if it is not, this invention can be applied. That is, when the contact member 120 passes through the end portion 80d of the slit nozzle 80 (from time t 0 to time t 1 and time t 6 to time t 7 ), the slit nozzle 80 is avoided. It raises to and makes the moving speed of the washing | cleaning part 110 low speed. By doing so, the same effect as the above embodiment can be enjoyed.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시형태에 관해 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구범위에 기재된 사상의 범주내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 이를 수 있는 것은 분명하고, 이들에 관해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 예컨대 이상의 실시형태에서는, 레지스트액의 도포 처리를 예로 채택하여 설명했지만, 본 발명은, 레지스트액 이외의 다른 도포액, 예컨대 반사 방지막, SOG(Spin On Glass)막, SOD(Spin On Dielectric)막 등을 형성하는 도포액의 도포 처리에도 적용할 수 있다. 또한 본 발명은, LCD 기판 이외의 기판, 예컨대 포토마스크용 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, this invention is not limited to this example. It will be apparent to those skilled in the art that various changes or modifications can be made within the scope of the spirit described in the claims, and these also naturally belong to the technical scope of the present invention. For example, in the above embodiment, the coating process of the resist liquid is adopted as an example, and the present invention is applied to other coating liquids other than the resist liquid, such as an anti-reflection film, a spin on glass (SOG) film, a spin on dielectric (SOD) film, and the like. It can also be applied to the coating treatment of the coating liquid for forming the resin. Moreover, this invention is applicable also to the case of board | substrates other than LCD board | substrates, for example, other board | substrates, such as a mask reticle for photomasks.

1 : 도포 현상 처리 시스템 24 : 레지스트 도포 처리 장치
70 : 스테이지 80 : 슬릿 노즐
80a : 하면 80b : 토출구
80c : 테이퍼부 80d : 단부
84 : 갠트리 아암 100 : 노즐 세정 장치
110 : 세정부 111 : 캐리지
113 : 세정부 이동 기구 114 : 제3 가이드 레일
120(120a~120c) : 접촉 부재 121(121a~121d) : 세정액 공급 기구
122 : 가스 공급 기구 130 : 세정액 노즐
140 : 가스 노즐 160 : 지지 부재
161 : 자석 162 : 수직 이동 기구
164 : 스프링 165 : 자석체
167 : 수평 이동 기구 169 : 스프링
200 : 제어부 300 : 노치
G : 유리 기판DESCRIPTION OF SYMBOLS 1: Coating developing processing system 24: Resist coating processing apparatus
70: stage 80: slit nozzle
80a: Lower surface 80b: Outlet
80c: taper 80d: end
84: gantry arm 100: nozzle cleaning device
110: cleaning unit 111: carriage
113: cleaning unit moving mechanism 114: third guide rail
120 (120a-120c): Contact member 121 (121a-121d): Cleaning liquid supply mechanism
122 gas supply mechanism 130 cleaning liquid nozzle
140 gas nozzle 160 support member
161: magnet 162: vertical movement mechanism
164: spring 165: magnet body
167: horizontal movement mechanism 169: spring
200: control unit 300: notch
G: glass substrate

Claims (21)

기판의 폭방향으로 연신(延伸)되고, 상기 기판에 대하여 도포액을 토출하는 토출구가 하면에 형성된 노즐을 세정하는 노즐 세정 장치로서,
적어도 상기 노즐의 하면을 세정하는 세정부와,
상기 세정부를 상기 노즐의 길이 방향을 따라서 이동시키는 세정부 이동 기구를 포함하고,
상기 세정부는,
적어도 상기 노즐의 하면에 접촉 가능한 복수의 접촉 부재와,
상기 각 접촉 부재를 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동 기구와,
상기 각 접촉 부재를 수직 방향으로 이동시키는 수직 이동 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 장치. A nozzle cleaning apparatus for stretching a nozzle in a width direction of a substrate and cleaning a nozzle formed at a lower surface of a discharge port for discharging a coating liquid with respect to the substrate,
A cleaning unit for cleaning at least the lower surface of the nozzle,
A washing unit moving mechanism for moving the washing unit along the longitudinal direction of the nozzle,
The cleaning unit may include:
A plurality of contact members capable of contacting at least the lower surface of the nozzle,
A horizontal moving mechanism for moving the respective contact members in a horizontal direction;
And a vertical movement mechanism for moving the respective contact members in the vertical direction. 제1항에 있어서, 상기 수평 이동 기구는, 상기 접촉 부재를 압박하는 압박 부재를 가지며,
상기 수직 이동 기구는, 상기 접촉 부재를 압박하는 다른 압박 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 장치. The said horizontal moving mechanism has a press member which presses the said contact member,
The said vertical movement mechanism has another press member which presses the said contact member, The nozzle cleaning apparatus characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 수평 이동 기구는, 상기 접촉 부재의 옆쪽에 배치되고,
상기 수직 이동 기구는, 상기 접촉 부재의 수직 하방에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 장치.The said horizontal movement mechanism is arrange | positioned at the side of the said contact member, The said horizontal moving mechanism of Claim 1 or 2,
The said vertical movement mechanism is arrange | positioned under the contact member vertically, The nozzle cleaning apparatus characterized by the above-mentioned. 제3항에 있어서, 상기 접촉 부재를 지지하는 지지 부재를 가지며,
상기 지지 부재는, 상기 수직 이동 기구를 덮도록 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 장치.According to claim 3, Having a support member for supporting the contact member,
The support member is provided so as to cover the vertical movement mechanism. 제4항에 있어서, 상기 지지 부재와 상기 수직 이동 기구에는, 각각 극성이 상이한 자석이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 장치.The nozzle cleaning device according to claim 4, wherein magnets having different polarities are provided in the support member and the vertical movement mechanism, respectively. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 노즐을 길이 방향으로 본 측면시(側面視)에 있어서, 상기 노즐의 하부는 수직 하방으로 갈수록 테이퍼형으로 축소되고,
상기 접촉 부재의 상부 형상은, 상기 노즐의 하부 형상에 들어맞는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 장치. The side view of the said nozzle in the longitudinal direction WHEREIN: The lower part of the said nozzle is reduced in taper shape as it goes down vertically,
The upper shape of the said contact member is suitable for the lower shape of the said nozzle, The nozzle cleaning apparatus characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정부는, 적어도 상기 노즐의 하면에 세정액을 공급하는 세정액 공급 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 장치. The nozzle cleaning apparatus according to claim 1 or 2, wherein the cleaning section has a cleaning solution supply mechanism for supplying a cleaning solution to at least a lower surface of the nozzle. 제7항에 있어서, 상기 세정부는, 적어도 상기 노즐의 하면에 건조 가스를 공급하는 가스 공급 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 장치. The nozzle cleaning apparatus according to claim 7, wherein the cleaning section has a gas supply mechanism for supplying a dry gas to at least a lower surface of the nozzle. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 접촉 부재는, 상이한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 장치.The nozzle cleaning device according to claim 1 or 2, wherein the plurality of contact members have different shapes. 제1항 또는 제2항에 기재된 노즐 세정 장치와 상기 노즐을 가지며, 기판에 도포액을 도포하는 도포 처리 장치로서,
상기 노즐을 승강시키는 노즐 승강 기구와,
상기 세정부 이동 기구에 의해 상기 세정부를 이동시킬 때 상기 접촉 부재가 상기 노즐의 단부(端部)에 위치한 경우에, 상기 노즐을 상승시키도록 상기 노즐 승강 기구를 제어하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치. A coating treatment apparatus comprising the nozzle cleaning apparatus according to claim 1 or 2 and the nozzle, wherein the coating liquid is applied to a substrate.
A nozzle elevating mechanism for elevating the nozzle;
And a control unit for controlling the nozzle elevating mechanism to raise the nozzle when the contact member is located at the end of the nozzle when the cleaning unit is moved by the cleaning unit moving mechanism. Coating processing apparatus. 제10항에 있어서, 상기 노즐의 하면에는 노치가 형성되고,
상기 제어부는, 상기 세정부 이동 기구에 의해 상기 세정부를 이동시킬 때 상기 접촉 부재가 상기 노즐의 노치에 위치한 경우에, 상기 노즐을 상승시키도록 상기 노즐 승강 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.The method of claim 10, wherein the notch is formed on the lower surface of the nozzle,
The control unit controls the nozzle elevating mechanism to raise the nozzle when the contact member is positioned at the notch of the nozzle when the cleaning unit is moved by the cleaning unit moving mechanism. Device. 제10항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 노즐을 상승시키는 경우의 상기 세정부의 이동 속도가, 상기 노즐을 상승시키지 않는 경우의 상기 세정부의 이동 속도에 비하여 저속이 되도록 상기 세정부 이동 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치. The said control part moves the said washing | cleaning part moving mechanism of Claim 10 so that the moving speed of the said washing | cleaning part at the time of raising the said nozzle may become low speed compared with the moving speed of the said washing | cleaning part when not raising the said nozzle. Coating processing apparatus characterized by the above-mentioned. 노즐 세정 장치를 이용하여, 기판의 폭방향으로 연신되고, 상기 기판에 대하여 도포액을 토출하는 토출구가 하면에 형성된 노즐을 세정하는 노즐 세정 방법으로서,
상기 노즐 세정 장치는,
적어도 상기 노즐의 하면을 세정하는 세정부와,
상기 세정부를 상기 노즐의 길이 방향을 따라서 이동시키는 세정부 이동 기구를 포함하고,
상기 세정부는,
적어도 상기 노즐의 하면에 접촉 가능한 복수의 접촉 부재와,
상기 각 접촉 부재를 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동 기구와,
상기 각 접촉 부재를 수직 방향으로 이동시키는 수직 이동 기구를 가지며,
상기 수평 이동 기구와 상기 수직 이동 기구에 의해 상기 각 접촉 부재의 위치를 조정하여, 상기 복수의 접촉 부재를 상기 노즐의 하면에 접촉시키면서, 상기 세정부 이동 기구에 의해 상기 세정부를 이동시켜 상기 노즐을 세정하는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 방법.A nozzle cleaning method for cleaning a nozzle formed on a lower surface by a nozzle cleaning apparatus, which is drawn in a width direction of a substrate and discharges a coating liquid onto the substrate.
The nozzle cleaning apparatus includes:
A cleaning unit for cleaning at least the lower surface of the nozzle,
A washing unit moving mechanism for moving the washing unit along the longitudinal direction of the nozzle,
The cleaning unit may include:
A plurality of contact members capable of contacting at least the lower surface of the nozzle,
A horizontal moving mechanism for moving the respective contact members in a horizontal direction;
It has a vertical moving mechanism for moving each contact member in the vertical direction,
The position of each contact member is adjusted by the horizontal movement mechanism and the vertical movement mechanism to move the cleaning portion by the cleaning portion movement mechanism while the plurality of contact members are brought into contact with the lower surface of the nozzle. Nozzle cleaning method characterized in that for cleaning. 제13항에 있어서, 상기 수평 이동 기구는, 압박 부재에 의해 상기 접촉 부재를 압박하고,
상기 수직 이동 기구는, 다른 압박 부재에 의해 상기 접촉 부재를 압박하는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 방법.The said horizontal movement mechanism presses the said contact member by the press member,
The said vertical movement mechanism presses the said contact member by another press member, The nozzle cleaning method characterized by the above-mentioned. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 접촉 부재를 지지하는 지지 부재가, 상기 수직 이동 기구를 덮도록 설치되고,
상기 지지 부재와 상기 수직 이동 기구에는, 각각 극성이 상이한 자석이 설치되어 있고,
상기 접촉 부재를 교환할 때에는, 상기 접촉 부재를 지지하는 상기 지지 부재와 함께 교환하는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 방법. The support member which supports the said contact member is provided so that the said vertical movement mechanism may be covered,
The support member and the vertical movement mechanism are provided with magnets having different polarities, respectively.
When replacing the said contact member, it replaces with the said support member which supports the said contact member, The nozzle cleaning method characterized by the above-mentioned. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 세정부는, 적어도 상기 노즐의 하면에 세정액을 공급하는 세정액 공급 기구를 가지며,
상기 세정액 공급 기구로부터 상기 노즐의 하면에 대하여 세정액을 공급하면서, 상기 복수의 접촉 부재를 상기 노즐의 하면에 접촉시켜, 상기 노즐을 세정하는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 방법.The cleaning unit according to claim 13 or 14, wherein the cleaning unit has a cleaning liquid supply mechanism for supplying a cleaning liquid to at least a lower surface of the nozzle,
And cleaning the nozzles by contacting the plurality of contact members with the lower surface of the nozzle while supplying the cleaning liquid to the lower surface of the nozzle from the cleaning liquid supply mechanism. 제16항에 있어서, 상기 세정부는, 적어도 상기 노즐의 하면에 건조 가스를 공급하는 가스 공급 기구를 가지며,
상기 세정액 공급 기구로부터 세정액이 공급된 상기 노즐의 하면에 대하여 공급된 세정액을, 상기 가스 공급 기구로부터 공급되는 건조 가스에 의해 건조시키는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 방법. The said cleaning part has a gas supply mechanism which supplies a dry gas to the lower surface of at least the said nozzle,
The cleaning liquid supplied to the lower surface of the nozzle supplied with the cleaning liquid from the cleaning liquid supply mechanism is dried by a dry gas supplied from the gas supply mechanism. 제13항 또는 제14항에 기재된 노즐 세정 장치와 상기 노즐을 갖는 도포 처리 장치를 이용하여, 기판에 도포액을 도포하는 도포 처리 방법으로서,
상기 도포 처리 장치는 상기 노즐을 승강시키는 노즐 승강 기구를 가지며,
상기 세정부 이동 기구에 의해 상기 세정부를 이동시킬 때, 상기 접촉 부재가 상기 노즐의 단부에 위치한 경우에, 상기 노즐 승강 기구에 의해 상기 노즐을 상승시키는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법. As a coating processing method of apply | coating a coating liquid to a board | substrate using the nozzle cleaning apparatus of Claim 13 or 14, and the coating processing apparatus which has the said nozzle,
The coating processing apparatus has a nozzle elevating mechanism for elevating the nozzle,
And the nozzle is raised by the nozzle elevating mechanism when the contact member is positioned at the end of the nozzle when the cleaning unit is moved by the cleaning unit moving mechanism. 제18항에 있어서, 상기 노즐의 하면에는 노치가 형성되고,
상기 세정부 이동 기구에 의해 상기 세정부를 이동시킬 때, 상기 접촉 부재가 상기 노즐의 노치에 위치한 경우에, 상기 노즐 승강 기구에 의해 상기 노즐을 상승시키는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법. The method of claim 18, wherein the notch is formed on the lower surface of the nozzle,
And the nozzle is raised by the nozzle elevating mechanism when the contact member is positioned at the notch of the nozzle when the cleaning unit is moved by the cleaning unit moving mechanism. 제18항에 있어서, 상기 노즐을 상승시키는 경우의 상기 세정부의 이동 속도는, 상기 노즐을 상승시키지 않는 경우의 상기 세정부의 이동 속도에 비하여 저속인 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.19. The coating treatment method according to claim 18, wherein the moving speed of the cleaning part when raising the nozzle is lower than the moving speed of the cleaning part when not raising the nozzle. 제13항 또는 제14항에 기재된 노즐 세정 방법을 노즐 세정 장치에 의해 실행시키기 위해, 상기 노즐 세정 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.The computer-readable storage medium which stored the program which operates on the computer of the control part which controls the said nozzle cleaning apparatus in order to implement the nozzle cleaning method of Claim 13 or 14 by a nozzle cleaning apparatus.
KR1020130078320A 2012-07-10 2013-07-04 Nozzle cleaning apparatus, coating apparatus, nozzle cleaning method, coating method, and computer storage medium KR102011519B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-154408 2012-07-10
JP2012154408A JP5809114B2 (en) 2012-07-10 2012-07-10 Coating processing apparatus and coating processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140007749A true KR20140007749A (en) 2014-01-20
KR102011519B1 KR102011519B1 (en) 2019-08-16

Family

ID=50109969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130078320A KR102011519B1 (en) 2012-07-10 2013-07-04 Nozzle cleaning apparatus, coating apparatus, nozzle cleaning method, coating method, and computer storage medium

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5809114B2 (en)
KR (1) KR102011519B1 (en)
TW (1) TWI543825B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200013169A (en) * 2018-07-20 2020-02-06 (주)일루미네이드 Discharging device having nozzle clogging prevention function

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103447252A (en) * 2013-08-29 2013-12-18 安徽宝辉清洗设备制造有限公司 Valve body cleaning machine
JP6251062B2 (en) * 2014-01-30 2017-12-20 タツモ株式会社 Slit nozzle cleaning device and workpiece coating device
CN106563617B (en) * 2016-11-15 2018-10-09 安徽养和医疗器械设备有限公司 One kind is for breathing card liquid coating device
JP6845077B2 (en) * 2017-05-11 2021-03-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Coating device, coating method and nozzle
JP7312204B2 (en) * 2021-02-22 2023-07-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス NOZZLE CLEANING DEVICE, NOZZLE CLEANING METHOD, AND COATING DEVICE

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006167508A (en) * 2004-12-13 2006-06-29 Toray Ind Inc Method and device for cleaning die for coating application and method and apparatus for manufacturing member for display
KR20110095133A (en) * 2010-02-17 2011-08-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Slit nozzle cleaning apparatus and coating apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH078788U (en) * 1993-07-13 1995-02-07 株式会社東芝 Surface contamination wiper
JPH09165165A (en) * 1995-12-19 1997-06-24 Hitachi Building Syst Co Ltd Cleaner for elevator steel tape
JP3052987U (en) * 1998-04-01 1998-10-13 松下電工株式会社 Glass cleaning equipment

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006167508A (en) * 2004-12-13 2006-06-29 Toray Ind Inc Method and device for cleaning die for coating application and method and apparatus for manufacturing member for display
KR20110095133A (en) * 2010-02-17 2011-08-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Slit nozzle cleaning apparatus and coating apparatus
JP2011167607A (en) 2010-02-17 2011-09-01 Tokyo Electron Ltd Apparatus for cleaning slit nozzle and coating apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200013169A (en) * 2018-07-20 2020-02-06 (주)일루미네이드 Discharging device having nozzle clogging prevention function

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014014784A (en) 2014-01-30
KR102011519B1 (en) 2019-08-16
JP5809114B2 (en) 2015-11-10
TWI543825B (en) 2016-08-01
TW201408386A (en) 2014-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102011519B1 (en) Nozzle cleaning apparatus, coating apparatus, nozzle cleaning method, coating method, and computer storage medium
KR101046486B1 (en) Stage device and coating processing device
KR101079441B1 (en) Stage apparatus and application processing apparatus
KR100886021B1 (en) Solution treatment method and solution treatment unit
JP4040025B2 (en) Coating film forming device
TW419716B (en) Processing apparatus
KR101087845B1 (en) Coating processing apparatus and coating processing method
JP2007190483A (en) Coating method, coating apparatus and coating program
KR101845090B1 (en) Apparatus for coating film and method of coating film
JP5226046B2 (en) Coating device and nozzle maintenance method
KR101169839B1 (en) Coating fi1m forming apparatus
KR101300853B1 (en) Substrate conveying system, substrate conveying device and substrate treatment device
JP5288383B2 (en) Coating processing apparatus and coating processing method
JP5352080B2 (en) NOZZLE CLEANING DEVICE, NOZZLE CLEANING METHOD, COATING DEVICE, AND COATING METHOD
KR20030005029A (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2012232269A (en) Slit coat type coating apparatus for substrate floating type transportation mechanism
KR101976860B1 (en) Coating apparatus, coating method, and computer-readable storage medium
KR20130044172A (en) Coating treatment apparatus
KR100292322B1 (en) Substrate treatment device and substrate transporting method
JP5518284B2 (en) NOZZLE CLEANING DEVICE, NOZZLE CLEANING METHOD, COATING DEVICE, AND COATING METHOD
KR100982154B1 (en) Coating applicator
JP2013205709A (en) Exposure device
JP5244446B2 (en) Coating device
JP2006051504A (en) Applicator
KR101264937B1 (en) Cleaning mechanism of rotation roller and cleaning method of rotation roller

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right