KR20130140712A - 연마용 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 연마용 조성물은 복수의 돌기를 표면에 갖는 콜로이달 실리카 입자를 함유한다. 연마용 조성물 중의 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자가 표면에 갖고 있는 돌기의 높이를 각각 동일한 돌기의 기초부에서의 폭으로 나눔으로써 얻어지는 값의 평균은 0.245 이상이다. 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자의 평균 종횡비는 1.15 이상인 것이 바람직하다. 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자가 표면에 갖고 있는 돌기의 평균 높이는 3.5 nm 이상인 것이 바람직하다.

Description

연마용 조성물 {POLISHING COMPOSITION}
본 발명은 반도체 디바이스 재료를 포함하는 연마 대상물, 예를 들면 실리콘 웨이퍼를 비롯한 반도체 웨이퍼를 연마하는 용도로 주로 사용되는 연마용 조성물에 관한 것이다.
종래 연마 속도의 향상을 주된 목적으로, 비구형의 콜로이달 실리카 입자를 연마용 조성물의 지립으로서 사용하는 것이 알려져 있다. 예를 들면 일본 특허 공개 제2007-153732호 공보(특허문헌 1)에는, 다수의 작은 돌기를 표면에 갖는 콜로이달 실리카 입자를 실리콘 웨이퍼의 경면 연마에 이용하는 것이 개시되어 있다. 또한 일본 특허 공개 제2009-149493호 공보(특허문헌 2)에는, 단경/장경의 비가 0.01 내지 0.8의 범위에 있고 복수의 사마귀상 돌기를 표면에 갖는 실리카 입자를 포함한 실리카졸을 지립으로서 사용한 연마용 조성물이 개시되어 있다.
그러나, 보다 높은 연마 속도를 실현하는 것이 가능한 콜로이달 실리카 입자를 함유한 연마용 조성물을 구하는 요구가 여전히 존재하고 있다.
일본 특허 공개 제2007-153732호 공보 일본 특허 공개 제2009-149493호 공보
따라서 본 발명의 목적은, 보다 높은 연마 속도를 실현하는 것이 가능한 콜로이달 실리카 입자를 함유한 연마용 조성물을 제공하는 것에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 한 양태에서는, 복수의 돌기를 표면에 갖는 콜로이달 실리카 입자를 함유한 연마용 조성물로서, 상기 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자가 표면에 갖고 있는 돌기의 높이를 각각 동일한 돌기의 기초부에서의 폭으로 나눔으로써 얻어지는 값의 평균이 0.245 이상인 연마용 조성물을 제공한다.
상기한 양태에 있어서, 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자의 평균 종횡비는 1.15 이상인 것이 바람직하다.
상기한 양태에 있어서, 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자가 표면에 갖고 있는 돌기의 평균 높이는 3.5 nm 이상인 것이 바람직하다.
상기한 양태에 있어서, 콜로이달 실리카 입자의 동적 광산란법에 의한 평균 입경은 10 내지 300 nm의 범위 내에 있는 것이 바람직하다.
상기한 양태에 있어서, 콜로이달 실리카 입자의 입경의 표준편차는 10 nm 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 별도의 형태에서는, 복수의 돌기를 표면에 갖는 콜로이달 실리카 입자로서, 상기 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자가 표면에 갖고 있는 돌기의 높이를 각각 동일한 돌기의 기초부에서의 폭으로 나눔으로써 얻어지는 값의 평균이 0.245 이상인 콜로이달 실리카 입자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 높은 연마 속도를 실현하는 것이 가능한 콜로이달 실리카 입자를 함유한 연마용 조성물을 제공할 수 있다.
[도 1] 본 발명의 한 실시 형태에 관한 연마용 조성물 중에 포함되는 콜로이달 실리카 입자의 외형을 투영한 윤곽을 도시한 도면이다.
[도 2] 도 2(a)는 실시예 1의 연마용 조성물 중 콜로이달 실리카 입자의 주사형 전자 현미경 사진이고, 도 2(b)는 비교예 3의 연마용 조성물 중 콜로이달 실리카 입자의 주사형 전자 현미경 사진이다.
이하, 본 발명의 한 실시 형태를 설명한다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은, 복수의 돌기를 표면에 갖는 콜로이달 실리카 입자를 적어도 함유하고 있으며, 반도체 디바이스 재료를 포함하는 연마 대상물, 예를 들면 실리콘 웨이퍼나 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼, 또는 웨이퍼 위에 형성된 유전체 물질 또는 도전체 물질의 막을 연마하는 용도로 주로 사용된다.
연마용 조성물 중 콜로이달 실리카 입자가 표면에 갖고 있는 돌기의 수는, 콜로이달 실리카 입자 1개당 평균적으로 3개 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5개 이상이다.
여기서 말하는 돌기란, 콜로이달 실리카 입자의 입경에 비하여 충분히 작은 높이 및 폭을 갖는 것이다. 덧붙여 말하면, 도 1에 있어서 점 A 및 점 B를 통과하는 곡선 AB로 나타내고 있는 부분의 길이가, 콜로이달 실리카 입자의 최대 내접원의 원주 길이, 보다 정확하게는 콜로이달 실리카 입자의 외형을 투영한 윤곽에 내접하는 최대 원의 원주 길이의 4분의 1을 초과하지 않는 돌기이다. 또한, 돌기의 폭이란, 돌기의 기초부에서의 폭을 말하며, 도 1에 있어서는 점 A와 점 B 사이의 거리로서 표시되는 것이다. 또한, 돌기의 높이란, 돌기의 기초부와, 그 기초부에서 가장 떨어진 돌기의 부위 사이의 거리를 말하며, 도 1에 있어서는 직선 AB와 직교하는 선분 CD의 길이로서 나타낸 것이다.
연마용 조성물 중 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자가 표면에 갖고 있는 돌기의 높이를 각각 동일한 돌기의 기초부에서의 폭으로 나눔으로써 얻어지는 값의 평균은 0.245 이상인 것이 필수적이고, 바람직하게는 0.255 이상이다. 이 값의 평균이 0.245 이상인 경우에는, 돌기의 형상이 비교적 예리하기 때문에, 높은 연마 속도를 얻는 것이 가능해진다. 또한, 이 값의 평균이 0.255 이상인 경우에는, 연마용 조성물에 의한 연마 속도가 더욱 향상된다. 또한, 콜로이달 실리카 입자의 각 돌기의 높이 및 그의 기초부에서의 폭은, 일반적인 화상 해석 소프트웨어를 이용하여, 주사형 전자 현미경에 의한 콜로이달 실리카 입자의 화상을 해석함으로써 구할 수 있다.
연마용 조성물 중의 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자의 평균 종횡비는 1.15 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.20 이상이다. 이 경우, 연마용 조성물에 의한 연마 속도가 향상된다는 이점이 있다. 또한, 콜로이달 실리카 입자의 평균 종횡비는, 주사형 전자 현미경에 의한 콜로이달 실리카 입자의 화상에 외접하는 최소의 직사각형의 긴 변의 길이를 동일한 직사각형의 짧은 변의 길이로 나눔으로써 얻어지는 값의 평균이고, 일반적인 화상 해석 소프트웨어를 이용하여 구할 수 있다.
연마용 조성물 중의 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자가 표면에 갖고 있는 돌기의 평균 높이는 3.5 nm 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 4.0 nm 이상이다. 이 경우, 연마용 조성물에 의한 연마 속도가 향상된다는 이점이 있다. 또한, 콜로이달 실리카 입자의 돌기의 평균 높이도, 평균 종횡비와 마찬가지로 일반적인 화상 해석 소프트웨어를 이용하여 구할 수 있다.
연마용 조성물 중 콜로이달 실리카 입자의 동적 광산란법에 의한 평균 입경은 10 내지 300 nm의 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 연마용 조성물의 침강 안정성이 향상될 뿐 아니라, 연마용 조성물을 이용하여 연마한 후 연마 대상물에 있어서 양호한 표면 거칠기를 얻기 쉽다는 이점이 있다.
연마용 조성물 중 콜로이달 실리카 입자의 입도 분포는, 한쪽으로 치우친 것보다도 폭 넓게 되어 있는 것이 바람직하다. 달리 말하면, 연마용 조성물 중 콜로이달 실리카 입자의 입경의 표준편차는 큰 것이 바람직하고, 구체적으로는 10 nm 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 14 nm 이상이다. 이 경우, 연마용 조성물에 의한 연마 속도가 향상된다는 이점이 있다. 또한, 콜로이달 실리카 입자의 입경의 표준편차는, 주사형 전자 현미경에 의한 콜로이달 실리카 입자의 화상 면적을 계측하여, 그것과 동일한 면적의 원의 직경으로서 구해지는 콜로이달 실리카 입자의 입경의 표준편차를 말하며, 이것도 일반적인 화상 해석 소프트웨어를 이용하여 구할 수 있다.
연마용 조성물 중 콜로이달 실리카의 바람직한 순도는, 연마용 조성물의 용도에 따라 다르다. 예를 들면, 실리콘, 게르마늄, 갈륨비소, 인듐비소, 인듐인 또는 질화갈륨 등의 반도체를 포함하는 웨이퍼나 해당 웨이퍼를 이용한 반도체 디바이스를 연마하는 용도로 사용되는 연마용 조성물의 경우, 사용되는 콜로이달 실리카는 고순도인 것이 요구된다. 구체적으로는, 나트륨, 칼륨, 칼슘, 붕소, 알루미늄, 티탄, 지르코늄, 망간, 철, 코발트, 구리, 아연, 은, 납 등의 콜로이달 실리카 중에 포함되는 금속 불순물의 총량은 1 ppm 이하인 것이 바람직하다. 이러한 고순도의 콜로이달 실리카는 알콕시실란을 원료로서 이용함으로써 제조 가능하다. 또한, 콜로이달 실리카 중 금속 불순물의 양은 예를 들면 ICP 질량 분석 장치에 의해 측정이 가능하다. 한편, 예를 들면 하드디스크 기판을 연마하는 용도로 사용되는 연마용 조성물의 경우에는, 사용되는 콜로이달 실리카는 그렇게까지 고순도일 필요는 없으며, 예를 들면 규산소다를 원료로서 이용함으로써 저비용으로 제조할 수 있는 콜로이달 실리카를 사용하는 것이 비용적으로 유리하다. 나트륨 오염을 회피하는 용도로 연마용 조성물이 사용되는 경우는, 나트륨 함유량이 적은 활성 규산 또는 규산칼륨을 규산소다 대신에 원료로서 이용하여 제조되는 콜로이달 실리카를 사용할 수도 있다.
알콕시실란의 가수분해에 의해 콜로이달 실리카를 제조하는 일반적인 방법은, 예를 들면 삿카 스미오가 저술한 "졸-겔법의 과학"의 제154 내지 156페이지에 기재되어 있다. 또한, 일본 특허 공개 (평)11-60232호 공보에는, 규산메틸 또는 규산메틸과 메탄올의 혼합물을 물, 메탄올 및 암모니아 또는 암모니아와 암모늄염을 포함하는 혼합 용매 중에 적하하여 규산메틸과 물을 반응시킴으로써 제조되는 누에고치형 콜로이달 실리카가 개시되어 있다. 일본 특허 공개 제2001-48520호 공보에는, 알킬실리케이트를 산 촉매로 가수분해한 후, 알칼리 촉매를 가하여 가열하고 규산의 중합을 진행시켜 입자 성장시킴으로써 제조되는 가늘고 긴 형상의 콜로이달 실리카가 개시되어 있다. 일본 특허 공개 제2007-153732호 공보에는, 특정한 종류의 가수분해 촉매를 특정한 양으로 사용함으로써, 다수의 작은 돌기를 갖는 콜로이달 실리카를 제조할 수 있는 것이 기재되어 있다.
규산소다를 원료로 하는 콜로이달 실리카의 제조는 일반적으로 규산소다를 이온 교환함으로써 행해진다. 일본 특허 공개 제2002-338232호 공보에는, 단분산의 콜로이달 실리카에 응집제를 첨가함으로써 구상으로 이차 응집시키는 것이 기재되어 있다. 일본 특허 공개 (평)07-118008호 공보 및 국제 공개 제2007/018069호에는, 가늘고 긴 등의 이형의 콜로이달 실리카를 얻기 위해, 규산소다로부터 얻어지는 활성 규산에 칼슘염 또는 마그네슘염을 첨가하는 것이 개시되어 있다. 일본 특허 공개 제2001-11433호 공보에는, 규산소다로부터 얻어지는 활성 규산에 칼슘염을 첨가함으로써 염주상의 콜로이달 실리카를 얻는 것이 개시되어 있다. 일본 특허 공개 제2008-169102호 공보에는, 시드 입자의 표면에 미소 입자를 생성 및 성장시킴으로써 별사탕처럼 다수의 작은 돌기를 갖는 콜로이달 실리카를 제조할 수 있는 것이 기재되어 있다.
본 실시 형태의 연마용 조성물 중에 포함되는 콜로이달 실리카 입자는, 이형 즉 비구상의 콜로이달 실리카 입자의 표면, 또는 복수의 구상의 콜로이달 실리카 입자를 포함하는 이형의 회합체 표면에 복수의 돌기를 형성시킴으로써 제조될 수도 있다. 또는, 돌기를 갖는 복수의 콜로이달 실리카 입자를 회합시킴으로써 제조될 수도 있다. 구상 또는 이형의 콜로이달 실리카 입자를 얻는 것이나, 콜로이달 실리카 입자를 회합하는 것, 또한 콜로이달 실리카 입자의 표면 또는 콜로이달 실리카 입자의 회합체의 표면에 복수의 돌기를 형성하는 것은, 예를 들면 상기 2개의 단락에서 예를 든 문헌의 기재에 따라 행할 수 있다. 예를 들면, 복수의 돌기를 표면에 갖는 콜로이달 실리카 입자는 이하의 방법으로 제조할 수 있다. 우선, 암모니아수가 촉매로서 가해진 메탄올과 물의 혼합 용액에 알콕시실란을 연속적으로 첨가하여 가수분해함으로써 이형의 콜로이달 실리카 입자를 포함한 슬러리를 얻는다. 얻어진 슬러리를 가열하여 메탄올 및 암모니아를 증류 제거한다. 그 후, 슬러리에 유기 아민을 촉매로서 가한 뒤, 70℃ 이상의 온도에서 다시 알콕시실란을 연속적으로 첨가하여 가수분해한다. 이에 따라, 이형의 콜로이달 실리카 입자의 표면에 복수의 돌기가 형성된다.
본 실시 형태에 따르면 이하의 이점이 얻어진다.
·본 실시 형태의 연마용 조성물 중에 포함되는 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자가 표면에 갖고 있는 돌기의 높이를 각각 동일한 돌기의 기초부에서의 폭으로 나눔으로써 얻어지는 값의 평균은 0.245 이상이다. 이에 따라, 본 실시 형태의 연마용 조성물은, 높은 연마 속도로 연마 대상물을 연마할 수 있고, 예를 들면 반도체 디바이스 재료를 포함하는 연마 대상물을 연마하는 용도에 있어서 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 실시 형태는 다음과 같이 변경할 수도 있다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 공지된 첨가제를 필요에 따라 추가로 함유할 수도 있다. 예를 들면, (a) 알칼리 금속의 수산화물, 알칼리 금속염, 암모니아, 암모늄염, 아민, 아민 화합물, 제4급 암모늄 수산화물, 제4급 암모늄염 등의 알칼리, (b) 염산, 인산, 황산, 포스폰산, 질산, 포스핀산, 붕산 등의 무기산, 또는 아세트산, 이타콘산, 숙신산, 타르타르산, 시트르산, 말레산, 글리콜산, 말론산, 메탄술폰산, 포름산, 말산, 글루콘산, 알라닌, 글리신, 락트산, 히드록시에틸리덴디포스폰산(HEDP), 니트릴로트리스[메틸렌포스폰산](NTMP), 포스포노부탄트리카르복실산(PBTC) 등의 유기산, (c) 비이온성, 음이온성, 양이온성 또는 양성의 계면활성제, (d) 수용성 셀룰로오스, 비닐계 중합체, 폴리알킬렌옥시드 등의 수용성 중합체, (e) 폴리아민, 폴리포스폰산, 폴리아미노카르복실산, 폴리아미노포스폰산 등의 킬레이트제, (f) 과산화수소, 과산화물, 옥소산, 산성 금속염 화합물 등의 산화제, (g) 방균제, 살균제, 살생물제 등의 그 밖의 첨가제 중 어느 하나를 함유할 수도 있다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 연마용 조성물의 원액을 물로 희석함으로써 제조될 수도 있다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 반도체 디바이스 재료를 포함하는 연마 대상물을 연마하는 것 이외의 용도로 사용될 수도 있다.
다음에, 본 발명의 실시예 및 비교예를 설명한다.
실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 6에서는, 콜로이달 실리카 슬러리를 순수로 희석한 후, 48 질량％ 수산화칼륨 수용액을 이용하여 pH 11.0으로 조정함으로써 연마용 조성물을 제조하였다. 어느 연마용 조성물의 경우에도 연마용 조성물 중 콜로이달 실리카 입자의 함유량은 5.0 질량％이다. 각 예의 연마용 조성물 중에 포함되는 콜로이달 실리카 입자의 상세, 및 각 예의 연마용 조성물을 이용하여 연마 속도의 값을 측정한 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 또한, 참고로 실시예 1 및 비교예 3의 연마용 조성물 중 콜로이달 실리카 입자의 주사형 전자 현미경 사진을 도 2(a) 및 도 2(b)에 각각 도시하였다.
Figure pct00001
표 1의 "돌기의 평균폭" 란에는, 각 예의 연마용 조성물 중의 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자가 표면에 갖고 있는 돌기의 기초부에서의 폭의 평균을 측정한 결과를 나타낸다.
표 1의 "돌기의 평균 높이" 란에는, 각 예의 연마용 조성물 중의 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자가 표면에 갖고 있는 돌기 높이의 평균을 측정한 결과를 나타낸다.
표 1의 "돌기의 높이/돌기의 폭의 평균" 란에는, 각 예의 연마용 조성물 중의 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자가 표면에 갖고 있는 돌기의 높이를 각각 동일한 돌기의 기초부에서의 폭으로 나눔으로써 얻어지는 값의 평균을 측정한 결과를 나타낸다.
표 1의 "평균 종횡비" 란에는, 각 예의 연마용 조성물 중의 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자의 종횡비의 평균을 측정한 결과를 나타낸다.
표 1의 "평균 입경" 란에는, 동적 광산란 입도 분포 측정기를 이용하여, 각 예의 연마용 조성물 중 콜로이달 실리카 입자의 평균 입경을 측정한 결과를 나타낸다.
표 1의 "입경의 표준편차" 란에는, 각 예의 연마용 조성물 중 콜로이달 실리카 입자의 입경의 표준편차를 측정한 결과를 나타낸다.
표 1의 "연마 속도" 란에는, 각 예의 연마용 조성물을 이용하여 PE-TEOS(plasma-enhanced tetraethyl orthosilicate) 블랭킷 웨이퍼의 표면을 하기 표 2에 기재된 연마 조건으로 연마했을 때의 연마 속도를 나타낸다. 연마 속도의 값은, 정밀 전자 천칭을 이용하여 측정되는 연마 전후의 웨이퍼의 중량의 차에 기초하여, 이하의 계산식에 따라 구했다.
연마 속도[Å/min]=연마 전후의 웨이퍼의 중량의 차[g]/연마 시간[분]/웨이퍼 표면의 면적[cm2](=20.26 cm2)/TEOS의 진 밀도[g/cm3](= 2.2 g/cm3)× 108
Figure pct00002
표 1에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 및 실시예 2의 연마용 조성물을 사용한 경우에는 모두 1400Å/분을 초과하는 높은 연마 속도가 얻어졌다. 이에 반해 콜로이달 실리카 입자의 돌기의 높이/돌기의 폭의 평균의 값이 0.245 미만인 비교예 1 내지 6의 연마용 조성물을 사용한 경우에는, 얻어지는 연마 속도의 값이 낮았다. 또한, 콜로이달 실리카 입자의 평균 입경이 커짐에 따라, 얻어지는 연마 속도의 값이 커지는 경향이 인정되었다. 그러나, 콜로이달 실리카 입자의 돌기의 높이/돌기의 폭의 평균의 값이 0.245 미만일 때, 덧붙여 말하면, 추가로 콜로이달 실리카 입자의 평균 종횡비가 1.15 미만이기도 할 때에는, 가령 콜로이달 실리카 입자의 평균 입경을 크게 한다고 해도 1400Å/분을 초과하는 연마 속도를 얻는 것은 곤란했다.

Claims (6)

  1. 복수의 돌기를 표면에 갖는 콜로이달 실리카 입자를 함유한 연마용 조성물로서, 상기 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자가 표면에 갖고 있는 돌기의 높이를 각각 동일한 돌기의 기초부에서의 폭으로 나눔으로써 얻어지는 값의 평균이 0.245 이상인 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자의 평균 종횡비는 1.15 이상인 연마용 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자가 표면에 갖고 있는 돌기의 평균 높이는 3.5 nm 이상인 연마용 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 콜로이달 실리카 입자의 동적 광산란법에 의한 평균 입경은 10 내지 300 nm의 범위 내에 있는 연마용 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 콜로이달 실리카 입자의 입경의 표준편차는 10 nm 이상인 연마용 조성물.
  6. 복수의 돌기를 표면에 갖는 콜로이달 실리카 입자로서, 상기 콜로이달 실리카 입자 중 콜로이달 실리카 입자의 부피 평균 입경보다도 입경이 큰 입자가 표면에 갖고 있는 돌기의 높이를 각각 동일한 돌기의 기초부에서의 폭으로 나눔으로써 얻어지는 값의 평균이 0.245 이상인 것을 특징으로 하는 콜로이달 실리카 입자.
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