KR20130134528A - 마이크로 패턴과 나노홀로그램 패턴이 형성된 성형물 제작용 금형 및 이의 제작 방법 - Google Patents
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Abstract
마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴을 형성하기 위한 금형의 제작 방법에 있어서, a) 상기 마이크로 패턴이 형성된 제 1 금형 상에 상기 나노 홀로그램 패턴의 공간을 확보하기 위한 수지를 삽입하여 제 1 전사물을 제작하고, 상기 나노 홀로그램 패턴이 형성된 제 2 금형을 이용하여 제 2 전사물을 제작하는 단계; b) 상기 제 1 전사물의 상기 나노 홀로그램 패턴을 삽입을 위한 공간에 상기 제 2 전사물을 삽입하여 복합 전사물을 제작하는 단계; 및 c) 상기 복합 전사물을 이용하여 상기 마이크로 패턴과 상기 나노 홀로그램 패턴을 함께 형성하기 위한 제 3 금형을 제작하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이로 인하여 본 발명은 하나의 금형에 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴이 함께 있는 복합 디자인을 만들 경우 각각의 별도의 작업 공정을 거치지 않고 간단하게 하나의 금형으로 제작가능하여 공정순서를 줄일 수 있다. 또한, 별도의 스티커 부착이나 인쇄 작업을 하지 않으므로 제품의 두께가 일정하고 제품을 얇게 제작할 수 있으므로, 박막화된 필름이 요구되는 박막카드, 박막휴대폰 케이스 제품군에 사용할 수 있다.
이로 인하여 본 발명은 하나의 금형에 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴이 함께 있는 복합 디자인을 만들 경우 각각의 별도의 작업 공정을 거치지 않고 간단하게 하나의 금형으로 제작가능하여 공정순서를 줄일 수 있다. 또한, 별도의 스티커 부착이나 인쇄 작업을 하지 않으므로 제품의 두께가 일정하고 제품을 얇게 제작할 수 있으므로, 박막화된 필름이 요구되는 박막카드, 박막휴대폰 케이스 제품군에 사용할 수 있다.
Description
본 발명은 패턴을 제작하기 위한 금형 및 그 제작방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴을 구현하기 위한 금형 및 그 제작 방법에 관한 것이다.
일반적으로 마이크로 패턴은 기판 위에 나노 구조체가 마이크로 단위의 크기로 일정한 패턴을 가지고 배열되어 있는 형태를 지칭하는 것으로, 마이크로 패턴의 선폭을 수십에서 수백 ㎛ 의 범위로 하여 헤어 라인, 스핀, 그라데이션과 같은 다양한 패턴을 디자인하여 외장을 형성할 수 있다.
또한, 나노 홀로그램 패턴은 물체의 표면에 150~800 ㎚ 나노 사이즈의 패턴을 형성하면 빛의 반사 및 산란으로 인하여 홀로그램 특이현상 발현, 광 확산성 향상 등의 특이한 광학적 특성과 물이 묻지 않는 초 소수성의 표면특성 등을 갖는다. 이에 따라 로고 부위를 나노 홀로그램 패턴으로 제작하면 로고부위가 3D 입체나 컬러 타입으로 나타나 로고를 특이화할 수 있고 외장을 고급스럽게 나타낼 수 있다.
최근 마이크로 패턴을 단순 반복시키거나 다소 큰 패턴으로 외장을 형성하여외장의 고급화 추세에 있다. 여기에 마이크로 패턴 외장에 회사 로고를 은색등의 금속성 재질 테크로 부착하거나 잉크 타입을 이용하여 외부에 인쇄 도장으로 로고를 특이화하고 있다. 그러나 이와 같은 종래의 방법은 마이크로 패턴이 형성된 외장에 별도의 금속성 재질을 부착하거나 인쇄해야 하므로 완성 제품의 두께가 증가하는 문제점이 있으며, 마이크로 패턴을 형성하기 위한 공정과 로고 등을 형성하기 위한 공정이 별도로 이루어져 공정이 증가하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 그 목적은 제품에 심미감과 장식성을 주기 위한 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴을 일체화하여 하나의 금형으로 제작함으로써 공정의 간소화와 제품의 두께를 감소시킬 수 있는 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴이 함께 형성된 금형 및 이의 제작 방법을 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴을 형성하기 위한 금형의 제작 방법에 있어서, a) 상기 마이크로 패턴이 형성된 제 1 금형 상에 상기 나노 홀로그램 패턴의 공간을 확보하기 위한 수지를 삽입하여 제 1 전사물을 제작하고, 상기 나노 홀로그램 패턴이 형성된 제 2 금형을 이용하여 제 2 전사물을 제작하는 단계; b) 상기 제 1 전사물의 상기 나노 홀로그램 패턴을 삽입을 위한 공간에 상기 제 2 전사물을 삽입하여 복합 전사물을 제작하는 단계; 및 c) 상기 복합 전사물을 이용하여 상기 마이크로 패턴과 상기 나노 홀로그램 패턴을 함께 형성하기 위한 제 3 금형을 제작하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴을 형성하기 위한 금형의 제작 방법을 제공한다.
그리고 본 발명은 바람직하게 상기 수지는, DFR(Dry Film Resist)인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 a) 단계에서는, 상기 DFR이 부착된 상기 제 1 금형 상에 포토레지스트와 PEP(phosphoenolopyruvate) 필름을 적층시켜 상기 제 1 전사물을 제작하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 제 2 금형은, electron-beam을 이용하여 제작되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 a) 단계에서는, 상기 제 2 금형상에 PVA(polyvinyl alcohol)층과 실리콘 필름을 적층한 후 상기 제 2 금형으로부터 분리하여 열처리함으로써 상기 제 2 전사물을 제작하는 것이 바람직하다.
상기 c) 단계에서는, 상기 복합 전사물 상에 US 150 수지와 PET 프라이머 필름을 적층한 후 노광함으써 상기 제 3 금형을 제작하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 바람직하게 상기에 기재된 금형의 제작 방법에 의하여 제작된, 상기 마이크로 패턴과 상기 나노 홀로그램 패턴이 형성된 성형물 제작용 금형을 제공한다.
또한, 상기 기재된 금형에 의해 제작된 성형물을 제공한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 하나의 금형에 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴이 함께 있는 복합 디자인을 만들 경우 각각의 별도의 작업 공정을 거치지 않고 간단하게 하나의 금형으로 제작가능하여 공정순서를 줄일 수 있다. 또한, 별도의 스티커 부착과 같은 작업을 하지 않으므로 제품의 두께가 일정하고 제품을 얇게 제작할 수 있으므로, 박막화된 필름이 요구되는 박막카드, 박막휴대폰 케이스 제품군에 사용할 수 있다.
도 1 a는 본 발명에 따른 마이크로 패턴의 제 1 금형의 평면도이다.
도 1 b는 본 발명에 따른 마이크로 패턴의 제 1 금형의 단면도이다.
도 2 a는 본 발명에 따른 제 1 금형 상에 나노 홀로그램 패턴의 공간 확보를 위한 수지의 적층을 나타내는 평면도이다.
도 2 b는 본 발명에 따른 제 1 금형 상에 나노 홀로그램 패턴의 공간 확보를 위한 수지의 적층을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 제 1 전사물 제작 단계를 나타낸 단면도이다.
도 4 a는 본 발명에 따른 제 1 전사물의 평면도이다.
도 4 b는 본 발명에 따른 제 1 전사물의 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 나노 홀로그램 패턴의 제 2 금형의 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 제 2 전사물의 제작 단계를 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 제 2 전사물의 단면도이다.
도 8 a는 본 발명에 따른 제 1 전사물 상에 제 2 전사물을 삽입한 단계를 나타낸 단면도이다.
도 8 b는 본 발명에 따른 제 2 전사물의 실리콘 필름을 제거한 복합 전사물의 단면도이다.
도 9는 본 발명에 따른 제 3 금형의 제작 단계를 나타낸 단면도이다.
도 10은 본 발명에 따른 제 3 금형의 단면도이다.
도 11 a는 본 발명에 따른 최종 금형을 이용한 성형물의 평면도이다.
도 11 b는 본 발명에 따른 최종 금형을 이용한 성형물의 단면도이다.
도 1 b는 본 발명에 따른 마이크로 패턴의 제 1 금형의 단면도이다.
도 2 a는 본 발명에 따른 제 1 금형 상에 나노 홀로그램 패턴의 공간 확보를 위한 수지의 적층을 나타내는 평면도이다.
도 2 b는 본 발명에 따른 제 1 금형 상에 나노 홀로그램 패턴의 공간 확보를 위한 수지의 적층을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 제 1 전사물 제작 단계를 나타낸 단면도이다.
도 4 a는 본 발명에 따른 제 1 전사물의 평면도이다.
도 4 b는 본 발명에 따른 제 1 전사물의 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 나노 홀로그램 패턴의 제 2 금형의 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 제 2 전사물의 제작 단계를 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 제 2 전사물의 단면도이다.
도 8 a는 본 발명에 따른 제 1 전사물 상에 제 2 전사물을 삽입한 단계를 나타낸 단면도이다.
도 8 b는 본 발명에 따른 제 2 전사물의 실리콘 필름을 제거한 복합 전사물의 단면도이다.
도 9는 본 발명에 따른 제 3 금형의 제작 단계를 나타낸 단면도이다.
도 10은 본 발명에 따른 제 3 금형의 단면도이다.
도 11 a는 본 발명에 따른 최종 금형을 이용한 성형물의 평면도이다.
도 11 b는 본 발명에 따른 최종 금형을 이용한 성형물의 단면도이다.
이하, 본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 (1) 제 1 전사물 제작단계, (2) 제 2 전사물 제작 단계, (3) 복합 전사물 제작단계, (4) 최종 금형 제작 단계로 나누어 상세히 설명하기로 한다.
(1) 제 1 전사물 제작 단계
본 발명에 따른 제 1 전사물은 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴이 삽입될 공간이 형성되어 있는 필름이다.
우선 본 발명에 따른 제 1 전사물을 제작하기 위해서는 본 발명에 따른 제 1 금형을 제작한다.
도 1 a는 본 발명에 따른 마이크로 패턴의 제 1 금형의 평면도이다. 도 1 b는 본 발명에 따른 마이크로 패턴의 제 1 금형의 단면도이다.
도 1 a를 참조하면, 본 발명에 따른 제 1 금형(10)은 마이크로 패턴(12)이 형성되어 있다. 상기 제 1 금형(10)은 베이스를 형성하는 기판상에 포토레지스트(미도시)를 이용하여 원하는 형태의 마이크로 패턴을 형성한다.
그 다음 상기 기판을 도금 장비에 장착하여 니켈 전기 도금을 실시하여 증착한다. 상기 니켈 도금의 두께는 기계적 강도를 유지하기 위해 충분한 도께로 도금하는 것이 바람직하다.
상기 증착에 의해 얻어진 니켈 도금층 상에 US 150 수지(미도시)와 PET (폴리에틸렌 테레프탈레이트) 프라이머 필름(미도시)을 적층한 후 노광을 한다.
상기 US 150 수지는 UV 성형수지이며, 상기 PET 프라이머 필름은 자체에 접착제가 도포된 플라스틱 필름이다.
UV 노광에 의해 상기 US 150 수지는 상기 니켈 도금층 상의 마이크로 패턴이 전사되어 성형되며, 상기 PET 프라이머 필름은 자체의 접착제에 의해 전사된 상기 US 150 수지와 접착하여 경화된다.
도 1b를 참조하면, 상기의 경화된 US 150수지와 상기 PET 프라이머 필름은 본 발명의 제 1 금형(10)을 형성하게 된다. 상기 제 1 금형(10)의 마이크로 패턴(12)은 수십 내지 수백 마이크로 단위로 제작되며 제품의 외장을 형성하기 위한 디자인으로 되어 있다.
다음으로는 상기 제 1 금형(10) 상에 나노 홀로그램 패턴이 삽입될 공간을 확보하는 단계가 진행된다.
도 2 a는 본 발명에 따른 제 1 금형 상에 나노 홀로그램 패턴의 공간 확보를 위한 수지의 적층을 나타내는 평면도이다. 도 2 b는 본 발명에 따른 제 1 금형 상에 나노 홀로그램 패턴의 공간 확보를 위한 수지의 적층을 나타내는 단면도이다.
본 발명의 도면에 도시된 패턴의 사이즈는 마이크로 내지 나노 사이즈이다. 마이크로 패턴 상에 나노 홀로그램 패턴의 삽입을 위해 확보된 공간의 크기는 센티미터의 사이즈로 마이크로 패턴의 사이즈와 비례로 도시하지 않고 도시의 편의상 축소하여 도시하였다.
도 2 a와 2 b를 참조하면, 마이크로 패턴(12)이 형성된 제 1 금형(10) 상에 나노 홀로그램 패턴의 삽입을 위한 공간을 확보하기 위해 수지(14)를 적층한다.
상기 수지(14)는 DFR (Dry Film PhotpResist)(14)을 사용하였다.
본 발명은 나노 홀로그램 패턴의 삽입 공간의 정확한 위치확보와 정확한 사이즈의 재단이 필요하다. 액상의 포토레지스트를 사용할 경우 액상의 유동성으로 인해 정확한 사이즈의 재단이나 상기 제 1 금형(10)상의 정확한 위치에 공간 확보를 위한 적층이 어렵다. 따라서, 본 발명은 정확한 사이즈 재단과 정확한 위치의 선정이 가능한 고체의 DFR(14)을 사용하였다.
다음으로 상기 DFR(14)이 적층된 상기 제 1금형(10)을 전사하여 제 1 전사물을 제작한다.
도 3은 본 발명에 따른 제 1 전사물 제작 단계를 나타낸 단면도이다. 도 3을 참조하면, 상기 DFR(14)가 적층된 상기 제 1 금형(10) 상에 포토레지스트(16)와 PEP (phosphoenolopyruvate)필름(18)을 적층시킨 후 열을 가한다.
열에 의하여 상기 포토레지스트(16)는 상기 마이크로 패턴과 상기 DFR 수지(14)가 있는 부분이 전사되며 상기 포토레지스트(16)를 지지하고 보호하는 PEP 필름과 접착하여 경화된다.
도 4 a는 본 발명에 따른 제 1 전사물의 평면도이다. 도 4 b는 본 발명에 따른 제 1 전사물의 단면도이다.
도 4a와 도 4b를 참조하면, 상기 DFR(14)는 상기 나노 홀로그램 패턴이 삽입될 공간(22)을 형성하며, 제 1 금형(10) 상에 형성된 마이크로 패턴(12)은 상기 포토레지스트(16)에 전사된다.
따라서, 제 1 전사물(20)은 상기 나노 홀로그램 패턴이 삽입될 공간(22)과 상기 마이크로 패턴(12)이 전사된 형태로 제작된다.
(2) 제 2 전사물 제작 단계
본 발명에 따른 제 2 전사물은 나노 홀로그램 패턴이 전사된 필름이다. 상기 제 2 전사물을 형성하기 위해서 우선 나노 홀로그램 패턴의 제 2 금형을 제작한다.
도 5는 본 발명에 따른 나노 홀로그램 패턴의 제 2 금형의 단면도이다.
도 5을 참조하면, 제 2 금형(30) 상의 상기 나노 홀로그램 패턴(32)은 electron-beam을 이용하여 제작한다. 나노단위의 패터닝은 금속 금형으로 제작하기 어렵기 때문에 상기 제 2 금형(30)은 기판(미도시) 상에 상기 electron-beam을 주사하여 나노 홀로그램 패턴(32)을 패터닝하여 제작된다.
로고(SMK)를 electron-beam을 주사하여 나노 홀로그램 패턴(32)으로 제작함으로써 3D 입체나 컬러 타입으로 나타낼 수 있다.
다음으로는 상기 제 2 금형(30)이 전사된 제 2 전사물을 제작한다.
도 6은 본 발명에 따른 제 2 전사물의 제작 단계를 나타낸 단면도이다.
도 6을 참조하면, 상기 제 2 금형(30) 상에 PVA 층(polyvinyl alcohol)(34)과 실리콘 필름(36)을 적층한 후 오븐에서 열처리하여 수분을 제거한다.
상기 PVA는 수용성 플라스틱의 하나로 포발(poval)이라고도 한다. 물 이외의 보통의 유기용매에는 녹지 않는 백색 분말이며, 140 ℃정도까지는 안정된 물질이다. 본 발명의 실시예에서는 물에 녹인 4~ 6 %의 폴리비닐 알코올을 사용하였다.
상기의 열처리로 인하여 상기 PVA층(34)에는 상기 나노 홀로그램 패턴이 전사되고, 상기 전사된 PVA층(34)는 실리콘 필름(36)에 점착된다.
따라서, 상기 제 2 금형(30)을 제거함으로써 상기 PVA층(34)과 실리콘 필름(36)으로 구성된 상기 제 2 전사물(38)이 형성된다.
도 7은 본 발명에 따른 제 2 전사물의 단면도이다. 도 7을 참조하면, 상기 제 2 전사물(38)은 상기 실리콘 필름(36)에 상기 나노 홀로그램 패턴이 전사된 PVA 층(34)이 점착된 형태이다.
상기 실리콘 필름(36)은 상기 PVA 층(34)을 지지하는 것으로 제거가 용이하며, 제 3 금형을 형성할 시 불필요하므로 제거하게 된다.
(3) 복합 전사물 제작단계
본 발명에 따른 복합 전사물은 상기 제 1 전사물(20)의 삽입공간(22)에 제 2 전사물(38)을 삽입하여 제작한다.
도 8 a는 본 발명에 따른 제 1 전사물 상에 제 2 전사물을 삽입한 단계를 나타낸 단면도이다.
도 8 a를 참조하면, 상기 나노 홀로그램 패턴의 삽입 공간(22)이 마련된 상기 제 1 전사물(20)에 상기 나노 홀로그램 패턴이 전사된 제 2 전사물(38)을 삽입한다.
삽입시 상기 제 2 전사물(38)의 상기 PVA층(34)이 상기 제 1 전사물(20)에 닿도록 하며, 상기 실리콘 필름(36)이 외부를 향하도록 적층한다.
이후 가열 라미네이팅하여 상기 제 1 전사물(20)에 상기 제 2 전사물(38)의 상기 PVA층(34)을 접착시킨다.
도 8 b는 본 발명에 따른 제 2 전사물의 실리콘 필름을 제거한 복합 전사물의 단면도이다.
도 8 b를 참조하면, 상기 나노 홀로그램 패턴이 전사된 PVA층(34)만 남기고 상기 실리콘 필름(36)은 제거한다.
상기 실리콘 필름(36)은 상기 PVA층(34)의 보호 지지 역할은 하지만 상기 나노 홀로그램 패턴이 전사된 PVA층(34)의 디자인을 덮고 있어 제 3 금형 제작시 제거해야 한다.
이로 인해 마이크로 패턴이 형성된 상기 제 1 전사물(20)과 나노 홀로그램 패턴이 형성된 제 2 전사물(38)의 상기 PVA층(34)이 결합한 상기 본 발명에 따른 복합 전사물(40)이 형성된다.
(4) 최종 금형 제작 단계
도 9는 본 발명에 따른 제 3 금형의 제작 단계를 나타낸 단면도이다.
도 9를 참조하면, 상기 제 1 전사물(20) 상에 전사된 PVA층(34)이 접착되어 형성된 복합전사물(40)은 최종 금형인 제 3 금형의 제작에 이용된다.
상기 제 3 금형(50)은 상기 복합전사물(40) 상에 US 150 수지(42)와 PET 프라이머 필름(44)을 적층한 후 UV 노광시킨다.
상기 US 150 수지는 UV 성형수지이며, 상기 PET 프라이머 필름은 자체에 접착제가 도포된 플라스틱 필름이다.
UV 노광에 의해 상기 US 150 수지는 상기 복합 전사물(40)의 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴이 전사되어 성형되며, 상기 PET 프라이머 필름은 자체의 접착제에 의해 상기 US 150 수지와 접착하여 경화된다.
도 10은 본 발명에 따른 제 3 금형의 단면도이다. 도 10을 참조하면, 상기 복합 전사물(40)을 제거하면 본 발명에 따른 최종 금형인 제 3 금형(50)이 완성된다. 본 발명에 따른 최종 금형인 제 3 금형(50)은 하나의 금형에 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴이 함께 형성되어 있다.
상기의 제작단계에 의하여, 본 발명에 따른 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴이 함께 형성된 금형이 완성된다. 상기의 최종 금형은 다양한 제품의 성형에 적용될 수 있다.
도 11 a는 본 발명에 따른 최종 금형을 이용한 성형물의 단면도이다. 도 11 b는 본 발명에 따른 최종 금형을 이용한 성형물의 평면도이다.
도 11 a와 11b를 참조하면, 본 발명에 따른 최종 금형을 이용한 성형물(60)은 외관을 형성하는 마이크로 패턴(64)과 로고(SMK)를 형성하는 나노 홀로그램 패턴(62)으로 이루어져 있다.
본 발명에 따른 성형물(60)은 별도의 스티커의 부착이나 인쇄작업 없이 마이크로 패턴(64)과 나노 홀로그램 패턴(62)이 형성되어 있다.
별도의 스티커 부착은 성형 제품의 두께를 증가시키고, 별도 제작공정으로 비용과 시간이 증가는 문제점이 있었다. 이에 본 발명에 따른 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴이 형성된 성형물은 제품의 두께가 일정하고 얇아 박막화된 필름이 요구되는 박막카드, 박막휴대폰 케이스 제품군에 사용 가능하다.
10 : 제 1 금형 12 : 마이크로 패턴
14 : DFR 수지 16 : 포토레지스트
18 : PEP 필름 20 : 제 1 전사물
22 : 제 2 전사물 삽입 공간 30 : 제 2 금형
32 : 나노 홀로그램 패턴 34 : PVA 층
36 : 실리콘 필름 38 : 제 2 전사물
40 : 복합 전사물` 50 : 제 3 금형
60 : 성형물 62 : 나노 홀로그램 패턴
64 : 마이크로 패턴
14 : DFR 수지 16 : 포토레지스트
18 : PEP 필름 20 : 제 1 전사물
22 : 제 2 전사물 삽입 공간 30 : 제 2 금형
32 : 나노 홀로그램 패턴 34 : PVA 층
36 : 실리콘 필름 38 : 제 2 전사물
40 : 복합 전사물` 50 : 제 3 금형
60 : 성형물 62 : 나노 홀로그램 패턴
64 : 마이크로 패턴
Claims (8)
- 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴을 형성하기 위한 금형의 제작 방법에 있어서,
a) 상기 마이크로 패턴이 형성된 제 1 금형 상에 상기 나노 홀로그램 패턴의 공간을 확보하기 위한 수지를 삽입하여 제 1 전사물을 제작하고, 상기 나노 홀로그램 패턴이 형성된 제 2 금형을 이용하여 제 2 전사물을 제작하는 단계;
b) 상기 제 1 전사물의 상기 나노 홀로그램 패턴을 삽입을 위한 공간에 상기 제 2 전사물을 삽입하여 복합 전사물을 제작하는 단계; 및
c) 상기 복합 전사물을 이용하여 상기 마이크로 패턴과 상기 나노 홀로그램 패턴을 함께 형성하기 위한 제 3 금형을 제작하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴을 형성하기 위한 금형의 제작 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 수지는, DFR(Dry Film Resist)인 것을 특징으로 하는 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴을 형성하기 위한 금형의 제작 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 a) 단계에서는, 상기 DFR이 부착된 상기 제 1 금형 상에 포토레지스트와 PEP(phosphoenolopyruvate) 필름을 적층시켜 상기 제 1 전사물을 제작하는 것을 특징으로 하는 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴을 형성하기 위한 금형의 제작 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 금형은, electron-beam을 이용하여 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴을 형성하기 위한 금형의 제작 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 a) 단계에서는, 상기 제 2 금형상에 PVA(polyvinyl alcohol)과 실리콘 필름을 적층한 후 상기 제 2 금형으로부터 분리하여 열처리함으로써 상기 제 2 전사물을 제작하는 것을 특징으로 하는 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴을 형성하기 위한 금형의 제작 방법. - 상기 c) 단계에서는, 상기 복합 전사물 상에 US 150 수지와 PET 프라이머 필름을 적층한 후 노광함으로써 상기 제 3 금형을 제작하는 것을 특징으로 하는 마이크로 패턴과 나노 홀로그램 패턴을 형성하기 위한 금형의 제작 방법.
- 상기 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 금형의 제작 방법에 의하여 제작된, 상기 마이크로 패턴과 상기 나노 홀로그램 패턴이 형성된 성형물 제작용 금형.
- 상기 제 7 항에 기재된 금형에 의해 제작된 성형물.
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