KR20130122530A - 발광성 물질 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 식 I, Aa LucCexAll.GamO12 (I)의 적어도 하나의 발광성 물질 및 적어도 하나의 적색 방출 발광성 물질을 함유하는 혼합물에 관한 것이고, 대응하는 상기 혼합물의 제조 방법에 관한 것이고, 변환 발광성 물질로서 상기 혼합물의 사용에 관한 것이다.

Description

발광성 물질 {LUMINESCENT SUBSTANCES}
본 발명은 형광체 혼합물에 관한 것이고, 이들 혼합물의 제조 방법에 관한 것이고, 그의 변환 형광체 (phosphor) 로서 또는 램프들에서의 용도에 관한 것이다.
LED들은 조명으로서 그리고 또한 액정 디스플레이 (LC 디스플레이들) 에서의 백라이팅으로서의 용도 양쪽 모두에서 중요성이 증가하고 있다. 이들 신규한 광원들은 종래의 CCFL (cold-cathode fluorescent lamp) 에 비해 다수의 이점들, 이를테면 더 긴 수명, 포텐셜 에너지 절감, 해로운 성분들의 부재 (이를테면 CCFL에서의 수은) 를 갖는다.
과거에는, 예를 들면 청색, 녹색 및 적색 광을 방출하는 LED들의 배열들은 LC TV 응용들을 위한 백라이팅 광원으로서 채용되었다. 하지만, 이 다중칩 접근법은 다음과 같은 몇몇 단점들을 갖는다: 3개의 상이한 칩 재료들을 조합하는 것이 극히 곤란하고 컬러 포인트와 같은 광 파라미터들의 균일성 및 안정성을 확보하는 것이 극히 곤란하다.
따라서, pcLED들 (형광체 변환 LED들) 이 백라이팅으로서의 사용을 위한 광원으로서 도입되었다. 이들은 보통, LED 칩의 청색광 방출과 함께 녹색 형광체 및 심적색 형광체를 포함하고, 이들은 칼라 필터의 투과 스펙트럼들 (스펙트럼의 청색, 녹색 및 적색 영역에서의 투과 대역) 에 따라 밸런싱된다. 이론적으로, 이러한 타입의 구성은 보통 sRGB보다 훨씬 큰 컬러 스페이스를 가능하게 한다. 적합한 품질의 이용가능성에서의 병목현상 때문에, 더 최적화된 형광체들 및/또는 형광체 혼합물들에 대한 요구가 여전히 존재한다.
놀랍게도, 특정 형광체 조합이 비교적 소량으로 채용될 때에도 양호한 LED 품질을 나타낸다는 것을 알아냈다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시형태는, 하기 식 1의 적어도 하나의 형광체 (phosphor), 및
적어도 하나의 적색 방출 형광체를 포함하는 혼합물이다:
AaLuc,CexAll,GamO12 (I)
상기 식에서,
A는 Y, Gd, Se, Sm, Tb, Pr, Th, Ir, Sb, Bi로부터 선택되는 하나 이상의 원소들을 나타내고,
a는 0 내지 2.895 범위로부터의 값을 나타내고,
c는 0.1 내지 2.995 범위로부터의 값을 나타내고,
x는 0.005 내지 1 범위로부터의 값을 나타내고,
상기 식에서, a, c 및 x는 a + c + x = 3이 되도록 선택되고,
l은 0 내지 4.99 범위로부터의 값을 나타내고,
m은 0.01 내지 5 범위로부터의 값을 나타내고, l 및 m은 l + m = 5가 되도록 선택된다.
본 발명에 따른 혼합물은 비교적 소량으로 채용될 때에도 양호한 LED 품질을 나타낸다. 바람직한 혼합물들의 사용시, 특히 적색 형광체의 형광체 양은 심지어 동일한 LED 품질에 대해 선행 기술과 비교하여 감소될 수 있거나 또는 보통 양이 채용되는 경우 LED 품질이 증가될 수 있다. LED 품질은, 예를 들면, 컬러 렌더링 인덱스, 상관 컬러 온도, 루멘 당량 (lumen equivalent) 또는 절대 루멘 (absolute lumen), 또는 CIE x 및 CIE y 좌표들에서의 컬러 포인트와 같은 종래 파라미터들을 통해 여기에서 설명된다.
컬러 렌더링 인덱스 또는 CRI는, 인공 광원의 컬러 재현 충실도를 태양광 또는 필라멘트 광원의 그것과 비교하는 (후자의 2개는 100의 CRI를 갖는다), 당업자에게 친숙한 무차원 조명 양이다.
CCT 또는 상관 컬러 온도는 단위 켈빈을 갖는, 당업자에게 친숙한 조명 양이다. 수치 값이 더 높아질 수록, 인공 방사원으로부터의 백색광은 관측자에게 더 차갑게 보인다. CCT는 흑체 방사체의 개념을 따르고, 그의 컬러 온도는 CIE 다이어그램에서 플랑크 곡선을 따른다.
루멘 당량은 단위 와트를 갖는 특정 방사 측정의 방사 전력에서 광원의 루멘들에서의 광도 측정의 광속의 크기를 기술하는 단위 lm/W를 갖는 당업자에게 친숙한 조명 양이다. 루멘 당량이 더 높아질 수록, 광원은 더 효율적이다.
루멘은 방사원에 의해 방출된 전체 가시 방사의 측정인, 광원의 광속을 기술하는 당업자에게 친숙한 광도 측정의 조명 양이다. 광속이 더 커질 수록, 광원은 관측자에게 더 밝게 보인다.
CIE x 및 CIE y는, 당업자에게 친숙한 표준 CIE 컬러 차트 (여기에서는 표준 관측자 1931) 에서의 좌표들을 나타내고, 그에 의해 광원의 컬러가 기술된다. 전술된 모든 광 품질들은 당업자에게 친숙한 방법들에 의한 광원의 방출 스펙트럼들로부터 계산된다.
바람직한 혼합물들은 a가 0 내지 0.5 범위로부터, 바람직하게는 0 내지 0.3 범위로부터 값을 나타내고, 특히 바람직하게는 a = 0 내지 0.2인 것을 특징으로 하는 식 I의 적어도 하나의 형광체를 포함한다. 그 혼합물은, x가 0.01 내지 0.5 의 범위로부터, 바람직하게는 0.015 내지 0.2의 범위로부터 그리고 특히 바람직하게는 0.02 내지 0.1 범위로부터 값을 나타내는 식 I의 적어도 하나의 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합물들이 마찬가지로 바람직하다. 또한, m이 0.05 내지 3 범위로부터, 바람직하게는 0.1 내지 2 범위로부터, 그리고 특히 바람직하게는 0.5 내지 1.5 범위로부터 값을 나타내는 것을 특징으로 하는 식 I의 적어도 하나의 형광체를 포함하는 혼합물들이 또한 바람직하다. 인덱스들 a, x 및 m이 표시된 바람직한 범위들의 조합을 나타내는 혼합물이 여기에서 특히 바람직하다.
식 I의 대응하는 화합물들은 당업자에게 잘 알려져 있다. 따라서, 루테튬 및 갈륨에 의해 다양한 양들이 치환되는 YAG 유도체들의 형광체 속성들은 예를 들면, J.M. Robertson, M.W. van Tol, W.H. Smits, J.P.H. Heynen, Philips J. Res. 36 (1981) 15-30에서 조사되었다.
그 혼합물은 적어도 하나의 적색 방출 형광체를 포함한다는 것은 본 발명에 본질적이다.
본 출원의 맥락에서, 적색 방출 또는 적색 광은 세기 최대치가 610nm와 670nm 사이의 파장인 광을 나타내고, 대응하여, 녹색은 최대치가 508nm와 550nm 사이의 파장인 광을 나타내고, 황색은 최대치 551nm와 585nm 사이의 파장인 광을 나타낸다.
본 발명에 따라 바람직한 혼합물들에서 적어도 하나의 적색 방출 형광체는 Ce-도핑 가넷, Eu-도핑 티오갈레이트, Eu-도핑 술포셀레나이드 및 Eu- 및/또는 Ce-도핑 니트라이드, 옥시니트라이드, 알루모니트라이드 및/또는 Mn(IV)-도핑 옥사이드 및/또는 플루오라이드로부터 선택된다. 적색 방출 형광체가 니트라이드 형광체, 바람직하게는 (Ca,Sr,Ba)2Si5N8:Eu, (Ca,Sr)AlSiN3:Eu, (Ca,Sr,Ba)SiN2:Eu, (Ca,Sr,Ba)6Si3O6N4:Eu, A2-0.5y-xEuxSi5N8-yOy (여기서 A는 Ca, Sr, Ba로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 나타내고, x는 0.005 내지 1 범위로부터 값을 나타내고, y는 0.01 내지 3 범위로부터 값을 나타낸다), 또는 상기 화합물들의 변이체로서, 개개의 격자 위치들이 다른 화학 원소들 이를테면 알칼리 금속, 알루미늄, 갈륨 또는 가돌리늄에 의해 치환되거나 또는 이런 종류의 추가 원소들이 도펀트로서 결함 (flaw) 을 차지하는, 상기 화합물들의 변이체로부터 선택되는 것이 특히 바람직할 수도 있다. 당업자에게 알려져 있고 적합한 재료 시스템들은 실리콘니트라이드 및 알루모실리콘니트라이드 (Xie, Sci. Technol. Adv. Mater. 2007, 8, 588-600 참조): 1-1-2-니트라이드, 이를테면, 예를 들어, CaSiN2:Eu2+ (Le Toquin, Cheetham, Chem. Phys. Lett. 2006, 423, 352), 2-5-8-니트라이드, 이를테면 (Ca,Sr,Ba)2Si5N8:Eu2+ (Li 이외, Chem. Mater. 2005, 15, 4492), 및 알루모실리콘니트라이드, 이를테면 (Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+ (K. Uheda 이외, Electrochem. Solid State Lett. 2006, 9, H22) 이다.
화합물 A2-0.5y-xEuxSi5N8-yOy (여기서, A는 Ca, Sr, Ba로부터의 하나 이상의 원소들을 나타내고, x는 0.005 내지 1 범위로부터의 값을 나타내고, y는 0.01 내지 3 범위로부터의 값을 나타낸다) 이 특허 출원 EP10000933.1에 기재되어 있고 아래에서 식 II의 화합물로 칭해진다. 화합물은 적어도 하나의 추가의 실리콘- 및 산소- 함유 화합물을 갖는 혼합물에서 또는 순수한 물질로서 여기에서 존재할 수 있으며, 적어도 하나의 추가 실리콘- 및 산소- 함유 화합물이 식 II의 화합물의 제조의 반응 부산물이고 이것은 식 II의 화합물의 응용 관련 광학 속성들에 악영향을 미치지 않는 것이 바람직하다. 그러므로 본 발명은 또한 식 II의 화합물을 포함하는 혼합물에 관한 것이고, 그 혼합물은 단계 a)에서, 바이너리 니트라이드 (binary nitride), 할라이드, 및 옥사이드 또는 이들의 대응하는 반응성 형태들로부터 선택된 적합한 출발 재료가 혼합되고, 단계 b)에서 그 혼합물이 환원성 조건하에서 열처리되는 프로세스에 의해 획득가능하다. 본 발명에 따른 식 II의 화합물에서, 바람직한 실시형태들에서 A는 Sr을 나타내는 한편, 바람직한 실시형태들에서 x는 0.01 내지 0.8 범위로부터, 바람직하게는 0.02 내지 0.7 범위로부터 그리고 특히 바람직하게는 0.05 내지 0.6 범위로부터 그리고 아주 특히 바람직하게는 0.1 내지 0.4 범위로부터의 값을 나타내고, 바람직한 실시형태들에서 y는 0.1 내지 2.5 범위로부터, 바람직하게는 0.2 내지 2 범위로부터 그리고 특히 바람직하게는 0.22 내지 1.8 범위로부터 값을 나타낸다.
식 II의 형광체들의 제조를 위해, 바이너리 니트라이드, 할라이드, 및 옥사이드 또는 이들의 대응하는 반응성 형태들로부터 선택된 적합한 출발 재료가 단계 a)에서 혼합되고, 단계 b)에서 그 혼합물이 환원성 조건하에서 열처리된다. 전술된 열처리에서, 이것은 적어도 부분적으로 환원성 조건하에서 수행되는 것이 바람직하다. 단계 b)에서, 그 반응은 보통 800℃보다 높은 온도에서, 바람직하게는 1200℃보다 높은 온도에서 그리고 특히 바람직하게는 1400℃ - 1800℃ 범위에서 수행된다. 환원성 조건은 여기에서 예를 들면, 일산화탄소, 포밍 가스 (forming gas) 또는 수소 또는 적어도 진공 또는 산소 결핍 분위기를 사용하여, 바람직하게는 질소의 스트림에서, 바람직하게는 N2/H2의 스트림에서 그리고 특히 바람직하게는 N2/H2/NH3의 스트림에서 확립된다. 순수한 형태의 식 II의 화합물들을 제조하기 원하면, 이것은 출발 재료 화학양론의 정밀한 제어를 통해 또는 유리상 부분들로부터 식 II의 화합물들의 결정들의 기계적 분리에 의해 수행될 수 있다. 그 분리는, 예를 들면, 당업자에게 알려진 분리 방법에 의해, 상이한 밀도, 입자 형상 또는 입자 크기를 통해 수행될 수 있다.
본 발명에 따르면, 식 1의 적어도 하나의 형광체 및 적어도 하나의 적색 방출 형광체는 보통 20 : 1 내지 1: 1 중량비에서 존재한다. 본 발명에 따르면, 식 1의 적어도 하나의 형광체 및 적어도 하나의 적색 방출 형광체는 보통 10 : 1 내지 3 : 1 그리고 특히 바람직하게는 6 : 1 내지 4 : 1 중량비로 존재하는 것이 바람직하다.
추가의 실시형태에서, 그 혼합물은 다음으로부터 적어도 하나의 추가 형광체 재료를 더 포함할 수도 있다: 옥사이드, 몰리브데이트, 텅스테이트, 바나데이트, 가넷, 실리케이트, 각 경우에 개별적으로 또는 그들의 Ce, Eu, Mn, Cr 및/또는 Bi와 같은 하나 이상의 활성자 이온과의 혼합물. 이것은, 특정 컬러 스페이스가 확립되야하는 경우에 특히 유리하다.
본 발명은 또한 식 I의 적어도 하나의 형광체가 적어도 하나의 적색 방출 형광체와 혼합되는 형광체 혼합물의 제조 방법에 관한 것이다.
식 I의 발광성 재료의 흡수 및 방출 스펙트럼, 열적 소광 (thermal extinction) 거동 및 감쇠 시간 τ1/e은 3가 양이온의 정밀 조성에 고도로 의존한다. 전술된 분광 속성들을 위한 중요한 팩터는 Ce3+ 상의 도데카히드론 위치의 결정장 세기 또는 Ce-O 결합의 공유결합성, 즉 산소 음이온들의 유효 네가티브 전하 및 음이온과 금속 오비탈의 오버랩이다.
본 발명에 따른 형광체들의 입경은 보통 50 nm과 30 ㎛ 사이, 바람직하게는 1 ㎛ 과 20 ㎛ 사이이다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 입자 형태의 형광체들은 Si02, Ti02, Al203, ZnO, Zr02 및/또는 Y203와 이들의 혼합 옥사이드들로 이루어지는 연속 표면 코팅을 갖는다. 이 표면 코팅은, 코팅 재료들의 굴절률의 적합한 그레이딩 (grading) 을 통해, 굴절률은 환경에 매칭될 수 있다는 이점을 갖는다. 이 경우에, 형광체의 표면에서의 광의 산란이 감소되고 더 큰 비율의 광이 형광체 속으로 침투할 수 있고 거기에서 흡수 및 변환될 수 있다. 또한, 굴절률 매칭된 표면 코팅은 더 많은 광이 형광체로부터 커플링되는 것을 가능하게 하는데, 왜냐하면 내부 전반사가 감소되기 때문이다.
또한, 형광체가 캡슐화되야 하는 경우에 연속 층이 유리하다. 이것은 직접적인 환경 (immediate environment) 에서 확산하는 물 또는 다른 재료에 대한 형광체 또는 그의 부분들의 민감성에 대항하기 위하여 필요할 수도 있다. 닫힌 쉘을 갖는 캡슐화의 추가적 이유는 칩에서 발생된 열로부터 실제 형광체의 열적 디커플링이다. 이 열은 형광체의 형광광 수율의 감소를 초래하고 또한 형광 광의 컬러에 영향을 미칠 수도 있다. 마지막으로, 이러한 타입의 코팅은 형광체에서 발생하는 격자 진동이 환경으로 전파되는 것을 방지함으로써 형광체의 효율이 증가되는 것을 가능하게 한다.
또한, 형광체들은 형광체 조성물의 Si02, Ti02, Al203, ZnO, Zr02 및/또는 Y203 또는 이들의 혼합 옥사이드들로 이루어지는 다공질 표면 코팅을 갖는 것이 바람직하다. 이들 다공질 코팅들은 단일 층의 굴절률의 더 감소시키는 가능성을 제공한다. 이러한 타입의 다공질 코팅들은, 참조에 의해 전부 본원의 맥락에 원용된 WO 03/027015에 기술된 바처럼 3개의 종래 방법들에 의해 생산될 수 있다: 유리의 식각 (예를 들면, 소다 석회 유리 (US 4019884 참조)), 다공질 층의 도포, 및 다공질 층과 식각 동작의 조합.
추가의 바람직한 실시형태에서, 형광체 입자들은, 바람직하게는 에폭시 또는 실리콘 수지로 이루어지는, 환경에 화학적 본딩을 용이하게 하는 작용기들을 지니는 표면을 갖는다. 이들 작용기들은, 예를 들면, 옥소기를 통해 본딩되고 에폭시 및/또는 실리콘에 기초한 바인더들의 성분들에 링크를 형성할 수 있는 에스테르 또는 다른 유도체들일 수 있다. 이 타입의 표면들은 바인더로의 형광체들의 균질한 혼합이 용이해지는 이점을 갖는다. 또한, 형광체/바인더 시스템의 유동학적 속성 및 또한 가용 시간 (pot live) 은 그에 의해 어느 정도 조정될 수 있다. 따라서, 혼합물들의 프로세싱이 단순화된다.
LED 칩에 도포된 본 발명에 따른 형광체 층은 바람직하게는 벌크 캐스팅에 의해 도포되는 실리콘 및 균질한 형광체 입자들의 혼합물로 이루어지고 실리콘은 표면 장력을 갖기 때문에, 이 형광체 층은 미세한 레벨 상에서 균일하지 않거나 또는 그 층의 두께는 전체에 걸쳐 일정하지 않다. 이것은 일반적으로 또한, 형광체가 벌크 캐스팅 프로세스에 의해 도포되는 것이 아니라, 대신에 고농도, 박형 형광체 층이 정전기 방법의 도움으로 칩의 표면에 직접 도포되는 소위 칩-레벨 변환 프로세스에서 도포되는 경우에 그러하다.
전술한 프로세스의 도움으로, 임의의 원하는 외형의 형광체 입자들, 이를테면 구형 입자들, 플레이크 및 구조화된 재료 및 세라믹들을 생산하는 것이 가능하다.
추가의 바람직한 실시형태로서 플레이크형 형광체들의 제조는 대응하는 금속 염들 및/또는 희토류 염들로부터 종래 프로세스들에 의해 수행된다. 제조 프로세스는, 참조에 의해 본원의 맥락에 전부 원용되는 EP 763573 및 DE 102006054331.9에 상세하게 기술되어 있다. 이들 플레이크형 형광체들은, 수성 분산물 또는 현탁물에서 침전 반응에 의해 형광체 층으로 매우 큰 종횡비, 원자적으로 매끄러운 표면 및 조정가능한 두께를 갖는 예를 들면, 운모, Si02, Al203, Zr02, 유리 또는 Ti02 플레이크들을 포함하는, 천연 또는 합성 제조된, 고도로 안정한 지지체 또는 기판을 코팅하는 것에 제조될 수 있다. 운모, Zr02, Si02, Al203, 유리 또는 Ti02 이외에, 플레이크들은 또한 형광체 재료 자체로 이루어질 수도 있거나 또는 하나의 재료로부터 만들어질 수도 있다. 플레이크 자체가 단순히 형광체 코팅을 위한 지지체 역할을 하면, 후자는 LED의 원색 방사선에 투명하거나 또는 원색 방사선을 흡수하고 이 에너지를 형광체 층으로 전달하는 재료로 이루어져야 한다. 플레이크형 형광체들은 수지 (예를 들면 실리콘 또는 에폭시 수지) 에 분산되고, 이 분산물이 LED 칩에 도포된다. 플레이크형 형광체들은 50 nm 내지 약 20 ㎛, 바람직하게는 150nm 와 5㎛ 사이의 두께로 큰 산업적 규모로 제조될 수 있다. 여기에서 그 직경은 50 nm 내지 20 ㎛이다. 이것은 일반적으로, 1 : 1 내지 400 : 1 그리고 특히 3 : 1 내지 100 : 1 종횡비 (직경대 입자 두께의 비) 를 갖는다. 플레이크 치수들 (길이 x 폭) 은 배열에 의존한다. 플레이크들은 또한, 특히 이들이 특히 작은 치수들을 가지면, 변환 층 내에서 산란의 중심으로서 적합하다. LED 칩을 향하는 본 발명에 따른 플레이크형 형광체의 표면에는 LED 칩에 의해 방출된 원색 방사선에 대해 반사방지 작용을 갖는 코팅이 제공될 수 있다. 이것은 원색 방사선의 후방 산란의 감소를 초래하고, 이는 후자가 본 발명에 따른 형광체 몸체내로 더 잘 커플링되는 것을 가능하게 한다. 이 목적으로, 예를 들면, 다음의 두께 d를 가져야 하는 매칭된 굴절률의 코팅이 적합하다 : d = [LED 칩의 원색 방사선의 파장/(4* 형광체 세라믹의 굴절률)], 예를 들면, Gerthsen, Physik [Physics], Springer Verlag, 18th Edition, 1995 참조. 이 코팅은 또한, 어느 작용성을 달성하기 위하여 플레이크형태 형광체의 표면의 구조화를 또한 포함하는 광자 결정들로 이루어질 수도 있다.
세라믹 몸체들 형태의 본 발명에 따른 형광체들의 제조는, 참조에 의해 전부 본원에 원용된 DE 102006037730 (Merck) 에 기재된 프로세스와 유사하게 수행된다. 이 프로세스에서, 형광체는 대응하는 출발 재료들과 도펀트들을 혼합하여 습식 화학 방법들에 의해 제조되고, 다음으로 등방압 가압되고, 균질한 박형 및 비다공질 플레이크형태의 칩의 표면에 직접 도포된다. 따라서, 형광체의 여기 (excitation) 및 방출의 위치 의존적 변화는 존재하지 않고, 이는 그것이 구비된 LED가 일정한 컬러의 균질광 콘 (cone) 을 방출하고 높은 광 출력을 갖는다는 것을 의미한다. 세라믹 형광체 몸체들은, 예를 들면 수 100 nm 내지 약 500㎛의 두께의 플레이크들로서 큰 산업적 규모로 제조될 수 있다. 플레이크 치수들 (길이 x 폭) 은 배열에 의존한다. 칩에의 직접 도포의 경우에, 플레이크의 크기는, 대응하여 또는 적합한 칩 배열 (예를 들면, 플립칩 배열) 로 칩 표면의 약 10% 내지 30%의 어느 오버사이즈 (oversize) 를 갖는 칩 치수 (약 100 ㎛ * 100 ㎛ 내지 수 mm2) 에 따라 선택되야 한다. 형광체 플레이크가 마무리된 LED 상에 설치되면, 모든 사출 광 콘은 플레이크를 통과한다.
세라믹 형광체 몸체의 측 표면들은 경 금속 또는 귀금속, 바람직하게는, 알루미늄 또는 은으로 코팅될 수 있다. 금속 코팅은 형광체 몸체로부터 측방향으로 광이 사출되지 않는 효과를 갖는다. 측방향으로 사출되는 광은 LED로부터 커플링되는 광속을 감소시킬 수 있다. 세라믹 형광체 몸체의 금속 코팅은 로드 또는 플레이크를 제공하기 위하여 등방압 가압된 후에 프로세스 단계에서 수행되고, 여기서 로드 또는 플레이크는 선택적으로 금속 코팅 전에 필요 크기로 절단될 수 있다. 이런 목적으로, 측 표면들이 예를 들면 은 니트레이트 및 글루코스를 포함하는 용액으로 적셔지고 다음으로 상승된 온도에서 암모니아 분위기에 노출된다. 예를 들면, 은 코팅이 프로세스에서 측 표면 상에 형성된다. 다르게는, 무전류 금속화 프로세스 (currentless metallisation process) 들이 또한 적합하다 (예를 들면, Hollemann-Wiberg, Lehrbuch der Anorganischen Chemie [Textbook of Inorganic Chemistry], Walter de Gruyter Verlag 또는 Ullmanns Enzyklopadie der chemischen Technologie [Ullmann's Encyclopaedia of Chemical Technology] 참조). 세라믹 형광체 몸체는, 필요한 경우, 물유리 용액을 이용하여 LED 칩의 베이스보드 (baseboard) 에 부착될 수 있다.
추가 실시형태에서, 세라믹 형광체 몸체는 LED 칩 반대 측상의 구조화된 (예를 들면, 피라미드형) 표면을 갖는다. 이것은 가능한한 많은 광이 형광체 몸체로부터 커플링되는 것을 가능하게 한다. 형광체 몸체 상의 구조화된 표면은 구조화된 압력 플레이트를 갖는 압축 몰드를 이용하여 등방압 가압을 수행하고 따라서 구조를 표면내로 엠보싱하여 제조된다. 가장 박형의 가능한 형광체 몸체들 또는 플레이크들을 생산할 목적이면, 구조화된 표면들이 바람직하다. 가압 조건들은 당업자에게 잘 알려져 있다 (J. Kriegsmann, Technische keramische Werkstoffe [Industrial Ceramic Materials], Chapter 4, Deutscher Wirtschaftsdienst, 1998 참조). 사용된 가압 온도는 가압될 물질의 융점의 2/3 내지 5/6인 것이 중요하다.
또한, 본 발명에 따른 형광체들은 약 410 nm 내지 530 nm, 바람직하게는 430 nm 내지 약 500 nm에 이르는, 넓은 범위에 걸쳐 여기될 수 있다. 따라서 이들 형광체들은 LED들 또는 (예를 들면 Hg에 기초한) 종래 방전 램프들과 같은 UV 또는 청색 방출 광원에 의한 여기뿐만아니라, 451nm의 청색 In3+ 라인을 이용하는 것들과 같은 광원들에 적합하다.
또한 본 발명은, 적어도 하나의 원색 광원을 갖고, 그 광원이 식 I의 적어도 하나의 형광체 및 적어도 하나의 적색 방출 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원에 관한 것이다. 광원 유닛은 바람직하게는 백색 방출이거나 또는 어느 컬러 포인트를 갖는 광을 방출한다 (컬러-온-디맨드 원리).
본 발명에 따른 광원의 바람직한 실시형태에서, 원색 광원은, 특히 식 IniGajAlkN (식중, 0 ≤ i, 0 ≤ j, 0 ≤ k, 및 i + j + k = 1) 의 발광성 인듐 알루미늄 갈륨 니트라이드이다.
본 발명에 따른 광원의 추가 바람직한 실시형태에서, 원색 광원은 ZnO, TCO (transparent conducting oxide), ZnSe 또는 SiC에 기초한 발광성 배열이거나 또는 유기 광 방출 층 (OLEO) 에 기초한 배열이다.
본 발명에 따른 광원의 추가 바람직한 실시형태에서, 원색 광원은 전계 발광 (electroluminescence) 및/또는 광발광 (photoluminescence) 을 나타내는 광원이다. 게다가 원색 광원은 또한 플라즈마 또는 방전 원 (discharge source) 일 수도 있다.
이러한 타입의 광원의 가능한 형태들은 당업자에게 잘 알려져 있다. 이들은 다양한 구조의 광 방출 LED 칩들일 수 있다.
본 발명에 따른 형광체들은 수지 (예를 들면, 에폭시 또는 실리콘 수지) 에 분산되거나 또는 적합한 크기 비의 경우에, 원색 광원에 직접 배열되거나 또는 다르게는 그로부터 원격으로, 용도에 따라, 배열된다 (후자의 배열은 또한 "원격 형광체 기술" 을 포함한다). 원격 형광체 기술의 이점들은 당업자에게 알려져 있고 예를 들면 다음의 공개물에 의해 밝혀져 있다: Japanese Journ. of Appl. Phys. Vol. 44, No. 21 (2005). L649-L651.
본 발명에 따른 바람직한 광원들에서, 형광체들은 적색 방출 형광체가 본질적으로 원색 광원으로부터의 광에 의해 조사되는 한편, 식 I의 형광체가 본질적으로, 적색 방출 형광체를 이미 통과한 광에 의해서 조사되거나 그에 의해 산란된 방식으로 원색 광원 상에 배열된다. 바람직한 실시형태에서, 이것은 원색 광원과 식 I의 형광체 사이에 배열된 적색 방출 형광체에 의해 달성된다.
본 발명은 또한, 특히 전술한 적어도 하나의 광원을 포함하는 것을 특징으로 하는, 특히 디스플레이 디바이스들의 백라이팅을 위한 조명 유닛에 관한 것이고, 이러한 타입의 적어도 하나의 조명 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이팅을 갖는 대응하는 디스플레이 디바이스, 특히 액정 디스플레이 디바이스 (LC 디스플레이) 에 관한 것이다.
추가의 실시형태에서, 형광체와 원색 광원 사이의 조명 유닛의 광학 커플링이 도광 배열에 의해 달성되는 것이 바람직하다. 이것은 원색 광원이 중심 위치에 설치되고 예를 들면 광섬유와 같은 도광 디바이스들에 의해 형광체에 광학적으로 커플링되는 것을 가능하게 만든다. 이런 식으로, 광 스크린을 형성하도록 배열될 수 있는 하나 또는 다양한 형광체들과 원색 광원에 커플링되는 광도파관으로 단순히 이루어지는 조명 의도에 적합한 램프들을 달성하는 것이 가능하다. 이런 식으로, 전기적 설치에 유리할 수 있는 위치에 강한 원색 광원을 배치하고 추가 전기적 케이블링 없이, 그러나 대신에 오직 광도파관들을 놓는 것에 의해서 임의의 원하는 위치들에서 광 도파관들에 커플링되는 형광체들을 포함하는 램프들을 설치하는 것이 가능하다.
본 발명은 또한 발광성 다이오드로부터 청색 또는 근 자외선 방출의 부분적 또는 완전한 변환을 위한 본 발명에 따른 형광체들의 사용에 관한 것이다.
청색 또는 근 자외선 방출의 가시 백색 방사선으로의 변환을 위한 본 발명에 따른 형광체들의 사용이 또한 바람직하다. "컬러-온-디맨드" 개념에 따라 원색 방사선의 어느 컬러 포인트로의 변환을 위한 본 발명에 따른 형광체들의 사용이 또한 바람직하다.
본 발명은 또한, 예를 들면 아연 설파이드 또는 Mn2+, Cu+ 또는 Ag+으로 도핑된 아연 설파이드가 황색-녹색 영역에서 방출하는 방출체로서 채용되는 예를 들면 (조명 필름 또는 광 필름으로서도 알려져 있는) 전계발광 필름과 같은 전계발광 재료에서의 본 발명에 따른 형광체들의 사용에 관한 것이다. 전계발광 필름의 응용 분야들은 예를 들면, 광고, 액정 디스플레이 스크린 (LC 디스플레이) 및 박막 트랜지스터 (TFT) 디스플레이에서 디스플레이 백라이팅, 자기 조명 차량 번호 판 (self-illuminating vehicle licence plate), (내분쇄성 및 미끄럼 방지 라미네이트 (slip-proof laminate) 와 조합되는) 플로어 그래픽스, 디스플레이 및/또는 제어 엘리먼트들에, 예를 들면, 자동차, 열차, 선박 및 항공기 또는 또한 가전 제품, 정원 장비, 측정 기구 또는 스포츠 및 레저 장비에 있다.
다음의 예들은 본 발명을 예시하기 위한 것이다. 하지만, 그 예들은 결코 제한적인 것으로 간주되어서는 안된다. 조성에서 사용될 수 있는 모든 화합물 또는 성분들은 알려져 있고 상업적으로 이용가능하거나 또는 알려진 방법에 의해 합성될 수 있다. 실시예들에 표시된 온도들은 항상 ℃ 단위이다. 또한, 상세한 설명 및 실시예들 양자 모두에서, 조성물에서의 성분들의 첨가된 양은 항상 총 100%가 된다는 것은 말할 필요도 없다. 주어진 퍼센트 데이터는 항상 주어진 맥락에서 고려되야 한다. 하지만, 그것들은 보통 항상 표시된 부분량 또는 전체량의 중량에 관한 것이다.
추가 코멘트가 없더라도, 당업자는 위의 설명을 그의 가장 넓은 범위에서 이용할 수 있으리라는 것이 가정된다. 따라서 바람직한 실시형태들은 절대적으로 결코 제한적이지 않은 설명적인 개시로 단순히 간주되야 한다. 전술 및 후술된 모든 출원 및 공개물들의 완전한 개시 내용은 참조에 의해 본원에 원용된다. 다음의 예들은 본 발명을 예시하기 위한 것이다. 하지만, 그 예들은 결코 제한적인 것으로 간주되어서는 안된다. 조성물에서 사용될 수 있는 모든 화합물 또는 성분들은 알려져 있고 상업적으로 이용가능하거나 또는 알려진 방법에 의해 합성될 수 있다.
도 1: 실시예 2로부터의 저도로 도핑된 LuAG의 방출 스펙트럼 (연속 라인, 525nm에서의 피크) 및 실시예 1로부터의 고도로 도핑된 LuGaAG의 방출 곡선은 대략 동일한 컬러 특성들을 갖는다. (방출 측정은 실온에서 Edinburgh Instruments OC290 스펙트로미터를 이용하여 450nm의 여기로 형광체의 광학적으로 무한 두께 층 상에서 수행되었다.)
도 2: 실시예 4 및 실시예 5로부터 광 방출 다이오드들의 방출 스펙트럼. 연속 라인은 비교예 4로부터의 LED를 나타낸다 (LuAG : 니트라이드의 중량비 = 10:1). 점선은 638 nm에서 방출하는 2-5-8 니트라이드 및 LuGaAG:Ce로 이루어진 형광체 혼합물 (LuGaAG : 니트라이드의 중량비 = 6:1)로 구성된 실시예 5에 따른 LED를 나타낸다. (방출 스펙트럼은 Keithley model 2601 전원의 도움으로 Instrument Systems ISP 250 적분 구체 (integration sphere) 에서 Instrument Systems CAS 140 스펙트로미터를 이용하여 수행되었다. LED는 실온에서 안정화된 20 mA로 연속적으로 어드레싱된다.)
실시예
실시예 1: 가넷 형광체의 제조
실시예 1A: 형광체 Lu 2.91 Al 4 Ga0 12 :Ce 0.09 ("LuGaAG") 의 제조
387g 의 알루미늄 하이드로겐카보네이트가 4.3 리터의 탈이온수에서 1시간 동안 용해된다. 118g의 알루미늄 클로라이드 헥사하이드레이트, 139g의 루테튬 클로라이드 헥사하이드레이트, 3.4g의 세륨 클로라이드 헵타하이드레이트 및 43.8g의 갈륨 니트레이트가 2.7 ℓ의 탈이온수에 용해되고 0.75 시간 동안 하이드로카보네이트 용액에 방울단위로 첨가된다. 하이드로겐카보네이트 용액은 pH8으로 조정된다. 형성된 침전물은 석션으로 걸러내고 세척된다. 그 후에, 그것은 건조되고 오븐으로 옮겨진다. 침전물은 3시간 동안 11OO℃로 공기중에서 예비소성 (pre-calcine) 되고 후속하여 6시간 동안 1700℃에서 환원성 소성 (reductive calcination) 처리된다. 화합물의 방출 스펙트럼은 도 1에 도시되어 있다.
출발 물질 비의 적합한 수정에 의해 또는 추가 출발물질 이트륨 클로라이드 헥사하이드레이트를 사용하여 다음 화합물들이 유사하게 획득된다:
Lu2.91Al4Ga012:CeO.09
Lu2.95Al4Ga012:CeO.O5
Lu2.91Al2Ga3012:CeO.09
YO.3Lu2.61Al4Ga012:CeO.09
YO.3Lu2.61Al4.5Ga0.5012:CeO.09
실시예 1B: 형광체 Lu 2.97 Al 5 0 12 :Ce 0.03 ("LuAG") 의 제조
387g의 알루미늄 하이드로겐카보네이트가 4.3 리터의 탈이온수에서 1시간 동안 용해된다. 148g의 알루미늄 클로라이드 헥사하이드레이트, 135g의 루테튬 클로라이드 헥사하이드레이트, 및 0.86g의 세륨 클로라이드 헵타하이드레이트가 2.7 ℓ의 탈이온수에 용해되고 0.75 시간 동안 하이드로카보네이트 용액에 방울단위로 첨가된다. 하이드로겐카보네이트 용액은 pH 8으로 조정된다. 형성된 침전물은 석션으로 걸러내고 세척된다. 그 후에, 그것은 건조되고 오븐으로 옮겨진다. 침전물은 3시간 동안 11OO℃로 공기중에서 예비소성되고 후속하여 6시간 동안 1700℃에서 환원성 소성처리된다. 화합물의 방출 스펙트럼은 도 1에 도시되어 있다.
실시예 2: 니트라이드 형광체의 제조
실시예 2A: Sr 2 Si 5 N 7.666 0 0.5 :Eu의 제조
18.9g의 Sr3N2, 0.996g의 EuN, 22.66g의 실리콘 니트라이드 및 1.504g의 실리콘 디옥사이드를 계량해 덜어내고 질소 충전 글로브박스에서 혼합한다. 결과적인 혼합물은 보론 니트라이드 도가니속으로 도입되고 및 관형 노로 옮겨진다. 후속하여 그 혼합물은 8시간 동안 1600℃에서 질소/수소 분위기하에서 소성된다. 냉각 후에, 원 형광체 (crude phosphor) 가 제거되고, 잠시 그라인딩되고 다시 몰리브덴 도가니속으로 도입되고, 이는 그후에 고압 오븐으로 옮겨지고, 여기서 형광체는 8시간 동안 1600℃에서 65bar의 질소 압력하에서 다시 소성된다. 냉각 후에, 형광체는 제거되고 100 ㎖의 탈이온 수에서 현탁된다. 결과적인 현탁물은 30분 동안 교반되고, 그 후에 교반기는 스위치 오프된다. 수분 후에, 상청액 (supernatant) 을 따라내고, 나머지 잔부가 다시 탈이온수에 취해지고, 석션으로 걸러내고, 중성 (neutral) 이 될때까지 탈이온수로 세척되고 건조된다.
실시예 2B: Sr 1.6 Ca 0.4 Si 5 N 7.666 0 0.5 :Eu의 제조
19.0g의 Sr3N2, 2.47g의 Ca3N2, 0.83g의 EuN, 28.33g의 실리콘 니트라이드 및 1.88g의 실리콘 디옥사이드를 계량해 덜어내고 질소 충전 글로브박스에서 혼합한다. 결과적인 혼합물은 보론 니트라이드 도가니속으로 도입되고 및 관형 노로 옮겨진다. 후속하여 그 혼합물은 8시간 동안 1600℃에서 질소/수소 분위기하에서 소성된다. 냉각 후에, 원 형광체 (crude phosphor) 가 제거되고, 잠시 그라인딩되고 다시 몰리브덴 도가니속으로 도입되고, 이는 그후에 고압 오븐으로 옮겨지고, 여기서 형광체는 8시간 동안 1600℃에서 65bar의 질소 압력하에서 다시 소성된다. 냉각 후에, 형광체는 제거되고 100 ㎖의 탈이온 수에서 현탁된다. 결과적인 현탁물은 30분 동안 교반되고, 그 후에 교반기는 스위치 오프된다. 수분 후에, 상청액을 따라내고, 나머지 잔부가 다시 탈이온수에 취해지고, 석션으로 걸러내고, 중성이 될때까지 탈이온수로 세척되고 건조된다.
실시예 2C: Ba 2 Si 5 N 7.666 O 0.5 :Eu의 제조
14.446g의 Ba3N2, 0.332g의 EuN, 11.33g의 실리콘 니트라이드 및 0.433g의 실리콘 디옥사이드를 계량해 덜어내고 질소 충전 글로브박스에서 혼합한다. 결과적인 혼합물은 보론 니트라이드 도가니속으로 도입되고 및 관형 노로 옮겨진다. 후속하여 그 혼합물은 8시간 동안 1600℃에서 질소/수소 분위기하에서 소성된다. 냉각 후에, 원 형광체가 제거되고, 잠시 그라인딩되고 다시 몰리브덴 도가니속으로 도입되고, 이는 그후에 고압 오븐으로 옮겨지고, 여기서 형광체는 8시간 동안 1600℃에서 65 bar의 질소 압력하에서 다시 소성된다. 냉각 후에, 형광체는 제거되고 100 ㎖의 탈이온 수에서 현탁된다. 결과적인 현탁물은 30분 동안 교반되고, 그 후에 교반기는 스위치 오프된다. 수분 후에, 상청액을 따라내고, 나머지 잔부가 다시 탈이온수에 취해지고, 석션으로 걸러내고, 중성이 될때까지 탈이온수로 세척되고 건조된다.
실시예 2D: 형광체 Sr 2 Si 5 N 8 :Eu의 제조
1.84g의 Sr3N2, 0.166g의 EuN, 2.33g의 실리콘 니트라이드를 계량해 덜어내고 질소 충전 글로브박스에서 혼합한다. 결과적인 혼합물은 보론 니트라이드 도가니속으로 도입되고 및 관형 노로 옮겨진다. 후속하여 그 혼합물은 8시간 동안 1600℃에서 질소/수소 분위기하에서 소성된다. 냉각 후에, 원 형광체가 제거되고, 잠시 그라인딩되고 다시 몰리브덴 도가니속으로 도입되고, 이는 그후에 고압 오븐으로 옮겨지고, 여기서 형광체는 8시간 동안 1600℃에서 65 bar의 질소 압력하에서 다시 소성된다. 냉각 후에, 형광체는 제거되고 100 ㎖의 탈이온 수에서 현탁된다. 결과적인 현탁물은 30분 동안 교반되고, 그 후에 교반기는 스위치 오프된다. 수분 후에, 상청액을 따라내고, 나머지 잔부가 다시 탈이온수에 취해지고, 석션으로 걸러내고, 중성이 될때까지 탈이온수로 세척되고 건조된다.
실시예 예 2E: 형광체 (Sr,Ca)AlSiN 3 :Eu의 제조
2.22g의 Sr3N2, 0.33g의 Ca3N2, 0.05g의 EuN, 1.23g의 AlN 및 1.4g의 실리콘 니트라이드를 계량해 덜어내고 질소 충전 글로브박스에서 혼합한다. 결과적인 혼합물은 보론 니트라이드 도가니속으로 도입되고 및 열 등방압 프레스로 옮겨진다. 500bar의 질소 압력이 확립되었고, 그 후에 재료는 1700℃로 가열되었고 4시간 동안 이 온도에서 컨디셔닝되고; 이 프로세스 동안, 압력은 1740bar로 증가했다. 냉각 및 환기 후에, 재료는 제거되고 100 ㎖의 탈이온 수에서 현탁된다. 결과적인 현탁물은 30분 동안 교반되고, 그 후에 교반기는 스위치 오프된다. 수분 후에, 상청액을 따라내고, 나머지 잔부가 다시 탈이온수에 취해지고, 석션으로 걸러내고, 중성이 될때까지 탈이온수로 세척되고 건조된다.
실시예 3: 형광체 혼합물의 제조
실시예 3.1: "LuAG - 니트라이드"
실시예 1B로부터 10g의 형광체가 실시예 2D로부터의 1g의 형광체와 긴밀히 혼합 (intimately mixing) 된다.
실시예 1B 및 실시예 2A 또는 실시예 1B 및 실시예 2B 또는 실시예 1B 및 실시예 2C 또는 실시예 1B 및 실시예 2E로부터 형광체들을 포함하는 혼합물이 유사하게 제조된다.
실시예 3.2: "LuGaAG - 니트라이드"
실시예 1A로부터 6g의 LuGaAG 형광체가 실시예 2A로부터의 1g의 형광체와 긴밀히 혼합된다.
실시예 1A 및 실시예 2B 또는 실시예 1A 및 실시예 2C 또는 실시예 1A 및 실시예 2D 또는 실시예 1A 및 실시예 2E로부터 형광체들을 포함하는 혼합물이 유사하게 제조된다.
실시예 4: 광 방출 다이오드 ("LuAG - 니트라이드") 의 제조
실시예 3.1로부터 형광체 혼합물이 2성분 실리콘 (Dow Corning으로부터의 OE 6550) 과 텀블 혼합기 (tumble mixer) 에서 동량의 형광체 혼합물이 실리콘의 2성분에서 분산되고; 실리콘에서 형광체의 전체 농도가 8중량%가 되도록 혼합된다.
2 형광체 함유 실리콘 성분들의 각각 5 ㎖가 서로 균질하게 혼합되고 디스펜서로 옮겨진다. 100㎛2 GaN 칩을 포함하는, OSA optoelectronics, Berlin으로부터의 빈 LED 패키지들이 디스펜서의 도움으로 충전된다. 그 후에 LED들은, 150℃에서 1시간 동안 실리콘을 고화시키기 위하여 가열 챔버에 놓여진다.
실시예 5: 광 방출 다이오드 ("LuGaAG - 니트라이드") 의 제조
실시예 3.2로부터 형광체 혼합물이 2성분 실리콘 (Dow Corning으로부터의 OE 6550) 과 텀블 혼합기에서 동량의 형광체 혼합물이 실리콘의 2성분에서 분산되고; 실리콘에서 형광체의 전체 농도가 5중량%가 되도록 혼합된다.
2 형광체 함유 실리콘 성분들의 각각 5 ㎖가 서로 균질하게 혼합되고 디스펜서로 옮겨진다. 100 ㎛2 GaN 칩을 포함하는, OSA optoelectronics, Berlin으로부터의 빈 LED 패키지들이 디스펜서의 도움으로 충전된다. 그 후에 LED들은, 150℃에서 1시간 동안 실리콘을 고화시키기 위하여 가열 챔버에 놓여진다.
실시예 4 및 실시예 5로부터 2개의 LED들의 방출 스펙트럼들이 도 2에 나타나 있다. 2개 LED들은 대략 동일한 특성 값들을 갖는다:
Figure pct00001
"CRI"는 "컬러 렌더링 인덱스"를 나타내고, 이는 인공 광원의 컬러 재현 충실도를 태양광 또는 필라멘트 광원의 그것과 비교하는 (후자의 2개는 100의 CRI를 갖는다), 당업자에게 친숙한 무차원 조명 양이다.
"CCT"는 상관 컬러 온도를 나타내고, 이는 단위 켈빈을 갖는, 당업자에게 친숙한 조명 양이다. 수치 값이 더 높아질 수록, 인공 광원으로부터의 백색광은 관측자에게 더 차갑게 보인다. CCT는 흑체 방사체의 개념을 따르고, 그의 컬러 온도는 CIE 다이어그램에서 플랑크 곡선을 따른다.
루멘 당량은 단위 와트를 갖는 특정 방사 측정의 방사 전력에서 광원의 루멘들에서의 광도 측정의 광속의 크기를 기술하는 단위 lm/W를 갖는 당업자에게 친숙한 조명 양이다. 루멘 당량이 더 높아질 수록, 광원은 더 효율적이다.
루멘은 방사원에 의해 방출된 전체 가시 방사선의 측정인, 광원의 광속을 기술하는 당업자에게 친숙한 광도 측정의 조명 양이다. 광속이 더 커질 수록, 인공은 관측자에게 더 밝게 보인다.
CIE x 및 CIE y는, 당업자에게 친숙한 표준 CIE 컬러 차트 (여기에서는 표준 관측자 1931) 에서의 좌표들을 나타내고, 그에 의해 광원의 컬러가 기술된다. 전술된 모든 광량들은 당업자에게 친숙한 방법들에 의한 광원의 방출 스펙트럼들로부터 계산된다.
LED "LuAG - 니트라이드"에서 형광체 혼합물의 조성은 10중량부의 LuAG LGA 553 100 : 1 중량부의 니트라이드이다. LED에서 형광체 조성물의 농도는 (실리콘에서) 8중량%이다. LED "LuGaAG - 니트라이드"에서 형광체 혼합물의 조성은 6중량부의 니트라이드의 LuGaAG : 1 중량부의 니트라이드이다. LED에서 형광체 조성물의 농도는 (실리콘에서) 5중량%이다, 즉 실제로 동일한 LED 특성 값들이 더 낮은 형광체 사용 농도 (여기에서: LuGaAG 농도) 에도 불구하고 획득된다.
실시예 6: 적색 방출 형광체가 본질적으로 원색 광원으로부터의 광에 의해 조사되는 한편, 녹색 방출 형광체가 본질적으로, 적색 방출 형광체를 이미 통과한 광에 의해서 조사되거나 그에 의해 산란된 방식으로 원색 광원 상에 형광체들이 배열되는 광 방출 다이오드의 제조
실시예 1A로부터 형광체 또는 실시예 1B로부터의 형광체가 2성분 실리콘 (Dow Corning으로부터의 OE 6550) 과 텀블 혼합기에서 동량의 형광체 혼합물이 실리콘의 2성분에서 분산되도록 혼합된다. 실리콘에서 녹색 형광체의 농도는 5중량%의 LuGaAG (프리믹스 A1) 또는 8중량%의 LuAG (프리믹스 A2) 이다.
실시예 2A 또는 실시예 2B 또는 실시예 2C로부터 적색 방출 형광체가 각 경우에 2성분 실리콘 (Dow Corning으로부터의 OE 6550) 과 텀블 혼합기에서 동량의 형광체 혼합물이 실리콘의 2성분에서 분산되도록 혼합된다. 실리콘에서 적색 형광체의 농도는 1중량%이다 (프리믹스 B1 - 프리믹스 B3).
프리믹스의 2 형광체 함유 실리콘 성분들의 각각 5 ㎖가 서로 균질하게 혼합되고 디스펜서로 옮겨진다. 100 ㎛2 GaN 칩을 포함하는, OSA optoelectronics, Berlin으로부터의 빈 LED 패키지들이 디스펜서의 도움으로 충전된다. 프리믹스 B가 먼저 도입되고, 그 후에 LED들은, 150℃에서 1시간 동안 실리콘을 고화시키기 위하여 가열 챔버에 놓여진다. 다음으로, 프리믹스 A (A1 또는 A2) 가 도입되고, LED들은 다시, 150℃에서 1시간 동안 실리콘을 고화시키기 위하여 가열 챔버에 놓여진다.

Claims (16)

  1. 하기 식 I의 적어도 하나의 형광체 (phosphor), 및
    적어도 하나의 적색 방출 형광체를 포함하는 혼합물.
    AaLuc,CexAll,Gam012 (I)
    상기 식에서,
    A는 Y, Gd, Se, Sm, Tb, Pr, Th, Ir, Sb, Bi로부터 선택되는 하나 이상의 원소들을 나타내고,
    a는 0 내지 2.895 범위로부터의 값을 나타내고,
    c는 0.1 내지 2.995 범위로부터의 값을 나타내고,
    x는 0.005 내지 1 범위로부터의 값을 나타내고,
    상기 식에서, a, c 및 x는 a + c + x = 3가 되도록 선택되고,
    l는 0 내지 4.99 범위로부터의 값을 나타내고,
    m은 0.01 내지 5 범위로부터의 값을 나타내고, l 및 m은 l + m = 5가 되도록 선택된다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 혼합물은 a가 0 내지 0.5 범위로부터, 바람직하게는 0 내지 0.3 범위로부터 값을 나타내고, 특히 바람직하게는 a = 0 내지 0.2인 것을 특징으로 하는 식 I의 적어도 하나의 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 혼합물은 x가 0.01 내지 0.5 범위로부터, 바람직하게는 0.015 내지 0.2 범위로부터, 그리고 특히 바람직하게는 0.02 내지 0.1 범위로부터 값을 나타내는 것을 특징으로 하는 식 I의 적어도 하나의 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 혼합물은 m이 0.05 내지 3 범위로부터, 바람직하게는 0.1 내지 2 범위로부터, 그리고 특히 바람직하게는 0.5 내지 1.5 범위로부터 값을 나타내는 것을 특징으로 하는 식 I의 적어도 하나의 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 적색 방출 형광체가 Ce-도핑 가넷, Eu-도핑 티오갈레이트, Eu-도핑 술포셀레나이드 및 Eu- 및/또는 Ce-도핑 니트라이드, 옥시니트라이드, 알루모니트라이드 및/또는 Mn(IV)-도핑 옥사이드 및/또는 플루오라이드로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 혼합물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 적색 방출 형광체가 니트라이드 형광체, 바람직하게는 (Ca,Sr,Ba)2Si5N8:Eu, (Ca,Sr)AlSiN3:Eu, (Ca,Sr,Ba)SiN2:Eu, (Ca,Sr,Ba)6Si3O6N4:Eu, (Ca,Sr,Ba)2-x/2Si5N8-xOx:Eu (여기서 x는 0.01 내지 3 범위로부터의 수를 나타낸다), 또는 이들 화합물들의 변이체로서 개개의 격자 위치들이 다른 화학 원소들 이를테면 알칼리 금속, 알루미늄, 갈륨 또는 가돌리늄에 의해 치환되거나 또는 이런 종류의 추가 엘리먼트들이 도펀트로서 결함을 차지하는, 상기 화합물들의 변이체로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 혼합물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    식 I의 적어도 하나의 형광체 및 적어도 하나의 적색 방출 형광체는 중량비 20: 1 내지 1: 1, 바람직하게는 10: 1 내지 3:1 그리고 특히 바람직하게는 6: 1 내지 4:1 비로 존재하는 것을 특징으로 하는 혼합물.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 형광체의 혼합물의 제조 방법으로서,
    식 I의 적어도 하나의 형광체가 적어도 하나의 적색 방출 형광체와 혼합되는 것을 특징으로 하는 혼합물의 제조 방법.
  9. 적어도 하나의 원색 광원을 갖는 광원으로서,
    상기 광원은 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 식 I의 적어도 하나의 형광체 (phosphor) 및 적어도 하나의 적색 방출 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 원색 광원은, 특히 식 IniGajAlkN (식중, 0 ≤ i, 0 ≤ j, 0 ≤ k, 및 i + j + k = 1) 의 발광성 인듐 알루미늄 갈륨 니트라이드인 것을 특징으로 하는 광원.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 형광체들은 상기 적색 방출 형광체가 본질적으로 상기 원색 광원으로부터의 광에 의해 조사되는 한편, 식 I의 형광체가 본질적으로, 상기 적색 방출 형광체를 이미 통과한 광에 의해서 조사되거나 그에 의해 산란된 방식으로 상기 원색 광원 상에 배열되는 것을 특징으로 하는 광원.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 적색 방출 형광체는 상기 원색 광원과 상기 식 I의 형광체 사이에 배열되는 것을 특징으로 하는 광원.
  13. 특히 디스플레이 디바이스들의 백라이팅을 위한 조명 유닛으로서,
    제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 광원을 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 유닛.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 형광체와 상기 원색 광원 사이의 광학 커플링이 도광 배열에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 조명 유닛.
  15. 백라이팅을 갖는, 특히 액정 디스플레이 디바이스 (LC 디바이스) 인 디스플레이 디바이스로서,
    제 13 항 또는 제 14 항에 기재된 적어도 하나의 조명 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 디바이스.
  16. 발광성 다이오드로부터 청색 또는 근 자외선 방출의 부분적 또는 완전한 변환을 위한 변환 형광체 (phosphor) 로서의 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 혼합물의 용도.
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011115879A1 (de) * 2011-10-12 2013-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Leuchtstoffe
TWI515922B (zh) * 2011-10-25 2016-01-01 奇美實業股份有限公司 螢光體及使用其之發光裝置
TWI538980B (zh) * 2011-11-29 2016-06-21 奇美實業股份有限公司 螢光體及使用其之發光裝置
WO2014008970A1 (de) 2012-07-13 2014-01-16 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von leuchtstoffen
DE102012021223A1 (de) * 2012-10-27 2014-04-30 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Optimierung der Farbqualität von Lichtquellen
CN103351863B (zh) * 2013-07-08 2015-10-28 江苏博睿光电有限公司 一种红色荧光粉及其制备方法
EP2947697A1 (en) 2013-12-23 2015-11-25 Merck Patent GmbH Antireflection films and photovoltaic devices
US20150184813A1 (en) * 2013-12-31 2015-07-02 Xicato, Inc. Efficient led-based illumination modules with high color rendering index
CN106796976B (zh) * 2014-10-08 2019-04-19 首尔半导体株式会社 发光装置
US10479937B2 (en) * 2015-10-09 2019-11-19 Intematix Corporation Narrow band red phosphor
WO2018050526A1 (en) 2016-09-13 2018-03-22 Merck Patent Gmbh Light luminescent particle
EP3545043A1 (en) 2016-11-28 2019-10-02 Merck Patent GmbH Composition comprising a nanosized light emitting material
CN110072969A (zh) 2016-12-15 2019-07-30 默克专利股份有限公司 半导体发光纳米粒子
WO2018146120A1 (en) 2017-02-10 2018-08-16 Merck Patent Gmbh Semiconductor nanosized material
EP3635069B1 (en) 2017-06-08 2023-06-07 Merck Patent GmbH A composition comprising semiconducting light-emitting nanoparticles having thiol functional surface ligands
CN110799623B (zh) 2017-06-29 2023-06-27 默克专利股份有限公司 包含半导体发光纳米颗粒的组合物
EP3717592B1 (en) 2017-11-30 2022-05-04 Merck Patent GmbH Composition comprising a semiconducting light emitting nanoparticle
CN112088274A (zh) 2018-04-02 2020-12-15 康宁公司 具有色彩转换的光漫射装置和相关的照明系统
WO2019215059A1 (en) 2018-05-09 2019-11-14 Merck Patent Gmbh Semiconducting nanoparticle
WO2019224134A1 (en) 2018-05-23 2019-11-28 Merck Patent Gmbh Semiconducting nanoparticle
US20210198566A1 (en) * 2018-05-24 2021-07-01 Merck Patent Gmbh Formulation
JP2022508726A (ja) 2018-10-15 2022-01-19 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ナノ粒子
WO2020099284A1 (en) 2018-11-14 2020-05-22 Merck Patent Gmbh Nanoparticle
EP3898884A1 (en) 2018-12-20 2021-10-27 Merck Patent GmbH Surface modified semiconducting light emitting nanoparticles and process for preparing such
KR20210118444A (ko) 2019-01-29 2021-09-30 메르크 파텐트 게엠베하 조성물
KR20210151894A (ko) 2019-04-12 2021-12-14 메르크 파텐트 게엠베하 조성물
CN113728073A (zh) 2019-04-26 2021-11-30 默克专利股份有限公司 纳米颗粒
WO2021069432A1 (en) 2019-10-07 2021-04-15 Merck Patent Gmbh Vertically aligned liquid-crystal element having at least one light converting layer which shifts the wavelength of incident light to longer values
JP7432891B2 (ja) * 2020-04-24 2024-02-19 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置及び照明装置
WO2024028426A1 (en) 2022-08-05 2024-02-08 Merck Patent Gmbh Composition
WO2024079230A1 (en) 2022-10-14 2024-04-18 Merck Patent Gmbh Composition

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4019884A (en) 1976-01-22 1977-04-26 Corning Glass Works Method for providing porous broad-band antireflective surface layers on chemically-durable borosilicate glasses
US4807241A (en) * 1985-06-28 1989-02-21 American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories Electron beam pumped laser
JP3242561B2 (ja) 1995-09-14 2001-12-25 メルク・ジヤパン株式会社 薄片状酸化アルミニウム、真珠光沢顔料及びその製造方法
CN1067423C (zh) * 1996-06-28 2001-06-20 电子科技大学 高亮度、高分辨率单晶彩色投影显示管
EP1000933B1 (en) 1998-06-01 2006-08-02 Ihara Chemical Industry Co., Ltd. Trifluoro methylthiomethyl benzene derivatives and process for producing the same
US6608614B1 (en) * 2000-06-22 2003-08-19 Rockwell Collins, Inc. Led-based LCD backlight with extended color space
CN100400450C (zh) 2001-09-21 2008-07-09 默克专利股份有限公司 用于形成耐磨的SiO2抗反射层的混杂型溶胶
AU2003221442A1 (en) * 2002-03-22 2003-10-08 Nichia Corporation Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device
JP4991026B2 (ja) * 2003-02-26 2012-08-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7038370B2 (en) * 2003-03-17 2006-05-02 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
TWI359187B (en) * 2003-11-19 2012-03-01 Panasonic Corp Method for preparing nitridosilicate-based compoun
EP1566426B1 (en) * 2004-02-23 2015-12-02 Philips Lumileds Lighting Company LLC Phosphor converted light emitting device
US7250715B2 (en) * 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
KR100887489B1 (ko) * 2004-04-27 2009-03-10 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치
JP2008505477A (ja) * 2004-07-05 2008-02-21 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 放射線源と蛍光物質とを含む照明システム
US7671529B2 (en) * 2004-12-10 2010-03-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Phosphor converted light emitting device
JP4756261B2 (ja) * 2005-01-27 2011-08-24 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP4325629B2 (ja) * 2005-02-28 2009-09-02 三菱化学株式会社 蛍光体及びその製造方法並びにそれを使用した発光装置
CN101128563B (zh) * 2005-02-28 2012-05-23 三菱化学株式会社 荧光体、其制造方法及其应用
JP4892193B2 (ja) * 2005-03-01 2012-03-07 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
US20060222757A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 General Electric Company Method for making phosphors
US7682850B2 (en) * 2006-03-17 2010-03-23 Philips Lumileds Lighting Company, Llc White LED for backlight with phosphor plates
DE102006037730A1 (de) 2006-08-11 2008-02-14 Merck Patent Gmbh LED-Konversionsleuchtstoffe in Form von keramischen Körpern
CN1927996B (zh) * 2006-09-08 2012-05-09 北京宇极科技发展有限公司 一种荧光粉材料及其制备方法和白光led电光源
DE102006054331A1 (de) 2006-11-17 2008-05-21 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffkörper basierend auf plättchenförmigen Substraten
US20090283721A1 (en) * 2008-05-19 2009-11-19 Intematix Corporation Nitride-based red phosphors
JP2009287027A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Samsung Electro Mech Co Ltd （オキシ）ナイトライド蛍光体、それを含む白色発光素子及び蛍光体の製造方法
JP5227093B2 (ja) * 2008-06-19 2013-07-03 岡谷電機産業株式会社 発光ダイオード
JP2010100743A (ja) * 2008-10-24 2010-05-06 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体含有組成物の製造方法
DE102009037730A1 (de) * 2009-08-17 2011-02-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Konversions-LED mit hoher Farbwiedergabe

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