JP2022508726A - ナノ粒子 - Google Patents
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- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 50
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 190
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 85
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 46
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 40
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 29
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical group [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 27
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 26
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 25
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 20
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims description 18
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 17
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 13
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 9
- -1 photoinitiators Substances 0.000 claims description 9
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 7
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N Methyl 3-methylbutanoate Chemical compound COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XSIFPSYPOVKYCO-UHFFFAOYSA-N butyl benzoate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 XSIFPSYPOVKYCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 6
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 claims description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 claims description 4
- UDONPJKEOAWFGI-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-3-phenoxybenzene Chemical compound CC1=CC=CC(OC=2C=CC=CC=2)=C1 UDONPJKEOAWFGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LOJHHQNEBFCTQK-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxypropan-1-ol Chemical compound OCC(C)OC1=CC=CC=C1 LOJHHQNEBFCTQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LVUBSVWMOWKPDJ-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-1,2-dimethylbenzene Chemical compound COC1=CC=C(C)C(C)=C1 LVUBSVWMOWKPDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001849 group 12 element Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 3
- CDKDZKXSXLNROY-UHFFFAOYSA-N octylbenzene Chemical compound CCCCCCCCC1=CC=CC=C1 CDKDZKXSXLNROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 claims description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 3
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 57
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 17
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 16
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- RZBBHEJLECUBJT-UHFFFAOYSA-N 6-methylheptyl 2-sulfanylacetate Chemical compound CC(C)CCCCCOC(=O)CS RZBBHEJLECUBJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadec-1-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 4
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 description 4
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 3
- ORDRGXFSRBRQQG-UHFFFAOYSA-N 6-methylheptyl 2-sulfanylpropanoate Chemical compound CC(C)CCCCCOC(=O)C(C)S ORDRGXFSRBRQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMBXCGGQNSVESQ-UHFFFAOYSA-N 1-Hexanethiol Chemical compound CCCCCCS PMBXCGGQNSVESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N Octadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PLZVEHJLHYMBBY-UHFFFAOYSA-N Tetradecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCN PLZVEHJLHYMBBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- SVMUEEINWGBIPD-UHFFFAOYSA-N dodecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O SVMUEEINWGBIPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- GJWAEWLHSDGBGG-UHFFFAOYSA-N hexylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCP(O)(O)=O GJWAEWLHSDGBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- FTMKAMVLFVRZQX-UHFFFAOYSA-N octadecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O FTMKAMVLFVRZQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMNLUUOXGOOLSP-UHFFFAOYSA-N 2-mercaptopropanoic acid Chemical class CC(S)C(O)=O PMNLUUOXGOOLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMNLUUOXGOOLSP-UHFFFAOYSA-M 2-sulfanylpropanoate Chemical compound CC(S)C([O-])=O PMNLUUOXGOOLSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DYAOREPNYXXCOA-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylundecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(S)C(O)=O DYAOREPNYXXCOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODJQKYXPKWQWNK-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Thiobispropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCSCCC(O)=O ODJQKYXPKWQWNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUNVCWLKOOCPIT-UHFFFAOYSA-N 6-methylheptylsulfanyl 2-hydroxyacetate Chemical compound CC(C)CCCCCSOC(=O)CO IUNVCWLKOOCPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N CuO Inorganic materials [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical class OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 241001455273 Tetrapoda Species 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000613130 Tima Species 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052586 apatite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- HDFRDWFLWVCOGP-UHFFFAOYSA-N carbonothioic O,S-acid Chemical class OC(S)=O HDFRDWFLWVCOGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical group 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N hexadecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCS ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;fluoride;triphosphate Chemical compound [F-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-M thioglycolate(1-) Chemical compound [O-]C(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical class OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- KREGXBHGJXTOKZ-UHFFFAOYSA-N tridecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O KREGXBHGJXTOKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
Description
本発明は、半電導性発光ナノ粒子、半電導性発光ナノ粒子を含む組成物、配合物、半電導性発光ナノ粒子の使用、組成物の使用、配合物の使用、光学媒体、および光学デバイスに関する。
US 2010/0068522 A1には、結合基としてカルボキシラート基および官能基の好適な末端不飽和基としてビニル基を有する表面結合リガンドをもつ量子ドットナノ粒子が開示される。
US 9,666,768 B2には、量子ドットナノ粒子のために好適なリガンドとして化学式(1)~(6)で表されるジチオリガンドを使用することが記述される。
しかしながら、本発明者らは、以下に列挙されるとおりの、改善が所望される1以上の相当な問題がなお存在することを新しく見出した。
ナノ粒子の量子収量の改善、より高いデバイス効率、ナノ粒子のトラップ放射を低下させること、ナノ粒子のシェル部分の表面状態を最適化すること、ナノ粒子のシェル層の格子欠陥を低減させること、シェル層のダングリングボンドの形成の低減/防止すること、より良好な熱安定性、改善された酸化安定性、ラジカル物質への改善された安定性、QYの著しい低下を引き起こさない長期保存の間の改善された安定性、より良好な化学的安定性、ナノ粒子の製作プロセスを最適化すること、シェル層の格子欠陥を低減するための新しい製作プロセス、および、環境にやさしく、およびより安全な製作プロセスを提供すること。
nは、YがOまたはSである場合0であり、nは、YがNまたはPである場合1であり、好ましくはnは、0であり、
mは、XがOまたはSである場合0であり、mは、YがNまたはPである場合1であり、好ましくはnは、0であり、
で表される化学化合物、
を含む、本質的にからなる、またはからなる新規な半電導性発光ナノ粒子を見出した。
nは、YがOまたはSである場合0であり、nは、YがNまたはPである場合1であり、好ましくはnは、0であり、
mは、XがOまたはSである場合0であり、mは、YがNまたはPである場合1であり、好ましくはnは、0であり、
で表される化学化合物、および
c)別の化合物
を含む組成物にも関する。
A)本発明に従う1つの半電導性発光ナノ粒子、および
B)別の化合物
を含む、本質的にからなる、またはからなる組成物に関する。
少なくとも1つの溶媒、好ましくは該溶媒は有機溶媒であり、なおより好ましくは、シクロヘキシルベンゼン、3-フェノキシトルエン、n-オクチルベンゼン、ブチルベンゾアート、1-オクタノール、3,4-ジメチルアニソール、2-フェノキシエタノール、メチルイソバレラート、ジメチルスルホキシド、2-フェノキシプロパノールまたはこれらの任意の組み合わせである、を含む、本質的にからなる、またはからなる配合物に関する。
別の側面において、本発明はさらに、該光学媒体を少なくとも含む光学デバイスに関する。
本発明に従って、半電導性発光ナノ粒子は、少なくとも、
i)第1半電導性材料、
ii)任意に少なくとも1つのシェル層、
iii)以下の化学式(I)で表される化学化合物
を含む。
-化学化合物
nは、YがOまたはSである場合0であり、nは、YがNまたはPである場合1であり、好ましくはnは、0であり、
mは、XがOまたはSである場合0であり、mは、YがNまたはPである場合1であり、好ましくはnは、0であり、
で表される。
XおよびYは、各々独立してまたは互いに従属して、OまたはSであり、好ましくはそれは、Oであり、
本発明に従って、用語「半導体」は、室温にて伝導体(銅など)のものと絶縁体(ガラスなど)のものとの間の度合いの電気伝導率を有する材料を意味する。好ましくは半導体は、温度とともに電気伝導率が増加する材料である。
よって、本発明に従って、「半電導性発光ナノ粒子」は、サイズが0.1nmと999nmとの間、好ましくは1nm~150nm、より好ましくは3nm~50nmである、室温にて伝導体(銅など)のものと絶縁体(ガラスなど)のものとの間の度合いの電気伝導率を有する、好ましくは半導体は、温度とともに電気伝導率が増加する材料であり、およびサイズが0.1nmと999nmとの間、好ましくは0.5nm~150nm、より好ましくは1nm~50nmである、発光材料を意味すると解釈される。
本発明の好ましい態様において、本発明の半電導性発光ナノ粒子は、量子ドットなどの量子サイズ材料である。
本発明に従って、用語「量子サイズ」は、リガンドも別の表面修飾もない半電導性材料自体のサイズを意味し、例えばISBN:978-3-662-44822-9に記載されるなどの、量子閉じ込め効果を表し得る。
i)第1半電導性材料、
ii)任意に少なくとも1つのシェル層、
iii)以下の化学式(I)で表される化学化合物
をこの順番で含む。
In(1-x-y)Ga1.5xZnyP (III)
式中0≦x<1、0≦y<1、0≦x+y<1で表され、好ましくは該第1半電導性材料は、InP、InP:Zn、InP:ZnS、InP:ZnSe、InP:ZnSSe、InP:Gaからなる群から選択される。
例えば、球形の形状の、細長い形状の、星形状の、多面体形形状の、ピラミッド形状の、テトラポッド形状の、四面体形状の、小平板形状の、円錐形状の、および不規則な形状の第1半導体材料、および-または半電導性発光ナノ粒子を合成され得る。
本発明のいくつかの態様において、該半電導性発光ナノ粒子は、周期表の12族の第1の元素、および周期表の16族の第2の元素を含むまたはからなる少なくとも1つのシェル層を含み、好ましくは、第1の元素はZnであり、および第2の元素はS、Se、またはTeである。
ZnSxSe(1-x-z)Tez、-(II)
式中、0≦x≦1、0≦z≦1、およびx+z≦1で表され、好ましくは、シェル層は、ZnSe、ZnSxSe(1-x)、ZnSe(1-x)Tez、ZnS、Znであり、より好ましくはそれは、ZnSeまたはZnSである。
ZnSxSeyTez、-(II´)
式(II´)中、
0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、およびx+y+z=1で表され、好ましくは、シェル層は、ZnSe、ZnSxSey、ZnSeyTez、またはZnSxTezであり、ただしシェル層と第2のシェル層とは同じでない。
本発明のいくつかの態様において、半電導性発光ナノ粒子は、該第2のシェル層上に、マルチシェル層として1以上の追加のシェル層をさらに含み得る。
例えば、CdSe/CdS、CdSeS/CdZnS、CdSeS/CdS/ZnS、ZnSe/CdS、CdSe/ZnS、InP/ZnS、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS、InZnP/ZnS、InZnP/ZnSe、InZnP/ZnSe/ZnS、InGaP/ZnS、InGaP/ZnSe、InGaP/ZnSe/ZnS、InZnPS/ZnS、InZnPSZnSe、InZnPS/ZnSe/ZnS、ZnSe/CdS、ZnSe/ZnSまたはこれらの任意の組み合わせが使用され得る。好ましくは、InP/ZnS、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS、InZnP/ZnS、InZnP/ZnSe、InZnP/ZnSe/ZnS、InGaP/ZnS、InGaP/ZnSe、InGaP/ZnSe/ZnS。
本発明のいくつかの態様において、半電導性発光ナノ粒子は、式(I)で表される化学化合物に加えて、リガンドとして異なるタイプの化学化合物を任意に含み得る。
好ましくは、該添加剤は、別のリガンドからなる群から選択される。
理論によって拘束されることは望まないが、かかる表面リガンドは、ナノサイズ蛍光材料を溶媒により容易に分散させることに繋がり得ると考えられている。
nは、YがOまたはSである場合0であり、nは、YがNまたはPである場合1であり、好ましくはnは、0であり、
mは、XがOまたはSである場合0であり、mは、YがNまたはPである場合1であり、好ましくはnは、0であり、
で表される1つの化学化合物、
、および
c)別の化合物
を含む、本質的にからなる、またはからなる組成物にも関する。
A)本発明に従う1つの半電導性発光ナノ粒子、および
B)別の化合物
を含む、本質的にからなる、またはからなる組成物に関する。
本発明のいくつかの態様において、半電導性発光ナノ粒子の総量は、組成物の総量に基づき、0.1wt.%から90wt.%まで、好ましくは5wt.%から70wt.%、より好ましくは20wt.%から50wt.%までの範囲である。
本発明のいくつかの態様において、該別の材料は、溶媒、有機発光材料、無機発光材料、電荷輸送材料、散乱粒子、ホスト材料、ナノサイズのプラズモン粒子、光開始剤、およびマトリックス材料からなる群の1以上の要素から選択される。
-マトリックス材料
本発明に従って、光学デバイスのために好適な多種多様な公知の透き通った ポリマーが、マトリックス 材料として好ましくは使用され得る。
本発明の好ましい態様において、例えば、WO2016/134820Aに記載される任意のタイプの公知の透き通ったポリマーが使用され得る。
分子量Mwは、内部標準ポリスチレンに対し、GPC(=ゲル浸透クロマトグラフィー)を用いて決定される。
Tgは、http://pslc.ws/macrog/dsc.htm; Rickey J Seyler, Assignment of the Glass Transition, ASTM publication code number (PCN) 04-012490-50に記載などの示差走査熱量測定で観察された熱容量の変化に基づき測定される。
本発明の好ましい態様において、透き通ったマトリックス材料として、ポリマーの重量平均分子量(Mw)は、1,000から300,000g/molまで、より好ましくはそれは、10,000から250,000g/molまでの範囲である。
別の側面において、本発明は、少なくとも1つの半電導性発光ナノ粒子、および
少なくとも1つの溶媒、好ましくは該溶媒は、有機溶媒であり、より好ましくはシクロヘキシルベンゼン、3-フェノキシトルエン、n-オクチルベンゼン、ブチルベンゾアート、1-オクタノール、3,4-ジメチルアニソール、2-フェノキシエタノール、メチルイソバレラート、ジメチルスルホキシド、2-フェノキシプロパノールからなる群の1以上の要素から選択される、を含む、本質的にからなる、またはからなる配合物に関する。
別の側面において、本発明はまた、組成物、および
少なくとも1つの溶媒、好ましくはそれは、有機溶媒であり、より好ましくは芳香族、ハロゲン化、および脂肪族炭化水素溶媒からなる群の1以上の要素から選択され、より好ましくはトルエン、キシレン、エーテル、テトラヒドロフラン、クロロホルム、ジクロロメタンおよびヘプタン、精製水、エステルアセタート、アルコール、スルホキシド、ホルムアミド、窒化物、ケトンからなる群の1以上の要素から選択される、を含む、本質的にからなる、またはからなる配合物にも関する。
本発明のいくつかの態様において、配合物は、複数の半電導性発光ナノ粒子および/または複数の半電導性材料を含む。
いくつかの態様において、ナノ粒子の総量は、配合物の総量に基づき、0.01wt.%から90wt.%まで、好ましくは0,1wt.%から70wt.%まで、より好ましくは1wt.%から50wt.%までの範囲である。
別の側面において、本発明は、半電導性発光ナノ粒子、組成物、または配合物の、電子デバイス、光学デバイスにおける、バイオメディカルデバイスにおける、または電子デバイス、光学デバイスまたはバイオメディカルデバイスを製作するための使用に関する。
別の側面において、本発明はさらに、少なくとも1つの半電導性発光ナノ粒子または組成物を含む光学媒体に関する。
本発明のいくつかの態様において、光学媒体は、光学シート、例えば、カラーフィルター、色変換フィルム、遠隔蛍光テープ、または別のフィルムまたはフィルターでもよい。
本発明のいくつかの態様において、光学媒体は、アノードおよびカソード、および、少なくとも1つの半電導性発光ナノ粒子または本発明の組成物を含む少なくとも1つの有機層を含み、好ましくは該1つの有機層は、光放射層であり、より好ましくは媒体は、ホール注入層、ホール輸送層、電子ブロッキング層、ホールブロッキング層、電子ブロッキング層、および電子注入層からなる群から選択される1以上の追加の層をさらに含む。
本発明の好ましい態様において、光学媒体は、複数の半電導性発光ナノ粒子を含む。
より好ましくは、前記追加の層もまた、アノードおよびカソードによって挟まれる。
本発明の好ましい態様において、光学媒体は、複数の半電導性発光ナノ粒子を含む。
別の側面において、本発明はさらに、少なくとも1つの本発明の光学媒体を含む光学デバイスに関する。
本発明のいくつかの態様において、光学デバイスは、液晶ディスプレーデバイス(LCD)、有機発光ダイオード(OLED)、光学ディスプレーのためのバックライトユニット、発光ダイオードデバイス(LED)、微小電気機械システム(以後「MEMS」)、エレクトロウェッティングディスプレー、または電気泳動ディスプレー、照明デバイス、および/または太陽電池であり得る。
本発明は、以下の技術的効果の1以上を提供する。
ナノ粒子の量子収量の改善、より高いデバイス効率、ナノ粒子のトラップ放射を低下させること、ナノ粒子のシェル部分の表面状態を最適化すること、ナノ粒子のシェル層の格子欠陥を低減させること、シェル層のダングリングボンドの形成の低減/防止すること、より良好な熱安定性、改善された酸化安定性、ラジカル物質への改善された安定性、QYの著しい低下を引き起こさない長期保存の間の改善された安定性、より良好な化学的安定性、ナノ粒子の製作プロセスを最適化すること、シェル層の格子欠陥を低減するための新しい製作プロセス、および、環境にやさしく、およびより安全な製作プロセスを提供すること。
以下の実施例1~6は、本発明の説明、ならびにそれらの製造の詳細な説明を提供する。
比較例1:トルエン中においてドデカンチオール、ステアリン酸、ミリスチン酸、およびパルミチン酸のリガンドをもつ量子ドット
次いでQDを乾燥トルエン中において0.08mg/mLの濃度にて溶解させ、および初期量子収率(以後、初期QY)についてHamamatsu Quantaurusにおいて測定する。
正規化された初期QY(100%)=各試料の初期QY*α
正規化されたQYは、以下の式に基づき計算される。
正規化されたQY=(QY*α/初期QY)*100
測定の結果を表4に示す。
トルエン中においてドデカンチオール、ステアリン酸、ミリスチン酸、およびパルミチン酸のリガンドをもつRed InP ベースの量子ドット(QD)を、US7,588,828 Bに記載されるとおり調製する。
5mLのQD溶液(トルエン中において50mg/mL)を0,098gのIOMA(Bruno Bock イソ-オクチル チオグリコラート、dist.40286)と混合し、およびアルゴン下で50℃にて終夜撹拌する。混合物を遠心分離バイアルに移し、および5mLの乾燥メタノールを添加する。混合物をアルゴン下で4000rpm、5min間遠心分離する。その後、無色の上澄みを除去し、および赤色の沈殿物を5mLの乾燥トルエン中において懸濁させ、QDを0.08mg/mLの濃度にて乾燥トルエン中において溶解させる。
その後、100mgのQDを2mLの乾燥トルエン中において溶解させ、および3mgの光開始剤Irgacure@TPOと混合し、およびアルゴン下、365nmをもつ光源に60min間曝露させながら室温にて撹拌させる。試料を採取する。次いで試料を0.08mg/mLに希釈する。および次いで、試料の量子収率をHamamatsu Quantaurusにより測定する。
測定の結果を表5に示す。
トルエン中において化学化合物IOMPをもつ量子ドットを、IOMAの代わりにIOMPを使用することを除き、実施例1に記載されるとおりと同じやり方において調製する。
QY測定の結果を表6に示す。
トルエン中において化学化合物ITMPをもつ量子ドットを、IOMAの代わりにITMPを使用することを除き、実施例1に記載されるとおりと同じやり方において調製する。
QY測定の結果を表7に示す。
トルエン中において化学化合物ITMAをもつ量子ドットを、IOMAの代わりにITMAを使用することを除き、実施例1に記載されるとおりと同じやり方において調製する。
QY測定の結果を表8に示す。
トルエン中において化学化合物PMAをもつ量子ドットを、IOMAの代わりにPMAを使用することを除き、実施例1に記載されるとおりと同じやり方において調製する。次いで試料をQY測定のために採取する。
実施例6におけるQY測定において、比較例1からの試料、実施例1からの試料、および実施例5からの試料を測定し、本発明の効果を比較する。
本実施例において、量子収率を、Hamamatsu Quantaurusを使用して、比較例1に記載のとおりに正規化せずに測定する。したがって、図1において用語「量子収率(またはQY)」は、絶対量子収率を意味する。
図1は、QY測定の結果を示す。
Claims (16)
- 少なくとも、
i)第1半電導性材料、
ii)任意に少なくとも1つのシェル層、
iii)以下の化学式(I)
XおよびYは、各々独立してまたは互いに従属して、O、S、PまたはN、好ましくはOまたはSであり、
nは、YがOまたはSである場合0であり、nは、YがNまたはPである場合1であり、好ましくはnは、0であり、
mは、XがOまたはSである場合0であり、mは、YがNまたはPである場合1であり、好ましくはnは、0であり、
R1は、付着基であり、好ましくは該付着基は、S、Se、O、PまたはNから選択される少なくとも1つの元素、より好ましくは硫黄またはセレンを含有する基を含み、なおより好ましくは該付着基は、1つまたは2つのS原子を含み、なおより好ましくは該付着基は、
R2は、1~40個の炭素原子、好ましくは1~25個の炭素原子、より好ましくは1~15個の炭素原子を有する線状のアルキル基またはアルコキシル基、3~40個の炭素原子、好ましくは3~25個の炭素原子、より好ましくは3~15個の炭素原子を有する分枝のアルキル基またはアルコキシル基、3~40個の炭素原子、好ましくは3~25個の炭素原子、より好ましくは3~15個の炭素原子を有するシクロアルカン基、2~40個の炭素原子、好ましくは2~25個の炭素原子を有するアルケニル基、3~40個の炭素原子、好ましくは3~25個の炭素原子を有するアリール基、3~40個の炭素原子、好ましくは3~25個の炭素原子を有するヘテロアリール基、および4~40個の炭素原子、好ましくは4~25個の炭素原子を有するアラルキル基からなる群の1以上の要素(member)から選択され、ここで各場合において1以上のラジカルRaによって置換されていてもよく、ここで1以上の非隣接するCH2基は、RaC=CRa、C≡C、Si(Ra)2、Ge(Ra)2、Sn(Ra)2、C=O、C=S、C=NRa、SO、SO2、NRa、またはCONRaによって置き換えられていてもよく、およびここで1以上のH原子は、D、F、Cl、Br、I、CNまたはNO2、または、1以上のラジカルRaによって置換されていてもよい5~60個の芳香環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香環系によって置き換えられていてもよく、
Raは、出現毎に、同一にまたは異なって、H、D、または、1~20個の炭素原子を有するアルキル基、3~40個の炭素原子を有する環状アルキルまたはアルコキシ基、5~60個の炭素環原子を有する芳香環系、または、5~60個の炭素原子を有するヘテロ芳香環系であり、ここでH原子は、D、F、Cl、Br、Iによって置き換えられていてもよく、ここで2以上の隣接する置換基Raは、相互に、モノ-または多環式、脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香環系を形成してもまたよく、
R3は、二価の結合であり、好ましくはそれは、1~25個の炭素原子、好ましくは1~15個の炭素原子、より好ましくは1~10個の炭素原子、なおより好ましくは1~5個の炭素原子を有する線状のアルキレン基またはアルコキシレン基からなる群の1以上の要素から選択され、ここで1以上の非隣接するCH2基は、RaC=CRa、C≡C、Si(Ra)2、Ge(Ra)2、Sn(Ra)2、C=O、C=S、C=NRa、SO、SO2、NRa、またはCONRaによって置き換えられていてもよく、およびここで1以上のH原子は、D、F、Cl、Br、I、CNまたはNO2、または、1以上のラジカルRaによって置換されていてもよい5~60個の芳香環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香環系によって置き換えられていてもよく、好ましくは非隣接するCH2基のいずれも置換されていない、
R4は、H原子、D原子、またはR2からなる群の1以上の要素から選択され、
R5は、H原子、D原子、またはR2からなる群の1以上の要素から選択され、
で表される化学化合物、
を含む半電導性発光ナノ粒子。 - 少なくとも
i)第1半電導性材料
ii)任意に少なくとも1つのシェル層
iii)以下の化学式(I)で表される化学化合物
をこの順番で含む、請求項1に記載のナノ粒子。 - 以下の化学式(II)
ZnSxSe(1-x-z)Tez、-(II)
式中
0≦x≦1、0≦z≦1、およびx+z≦1、好ましくはシェル層は、ZnSe、ZnSxSe(1-x)、ZnSe(1-x)Tez、ZnS、Znであり、より好ましくはそれは、ZnSeまたはZnSである、で表される少なくとも1つのシェル層を含む、請求項1または2に記載のナノ粒子。 - 第1半電導性材料が、周期表の13族元素または12族元素の少なくとも1つの元素、および周期表の16族元素の1つの元素を含み、好ましくは該13族の元素は、In、Ga、Al、Tiから選択され、該12族の元素はZnまたはCdであり、および該15族の元素は、P、As、Sbから選択され、より好ましくは該第1半電導性材料は、以下の化学式(III)
In(1-x-y)Ga1.5xZnyP (III)
式中0≦x<1、0≦y<1、0≦x+y<1で表され、好ましくは該第1半電導性材料は、InP、InP:Zn、InP:ZnS、InP:ZnSe、InP:ZnSSe、InP:Gaからなる群から選択される、請求項1~3のいずれか一項に記載のナノ粒子。 - 少なくとも
a)コア、任意に少なくとも1つのシェル層を含む1つの半電導性発光ナノ粒子、
b)以下の化学式(I)
XおよびYは、各々独立してまたは互いに従属して、O、S、PまたはN、好ましくはOまたはNであり、
nは、YがOまたはSである場合0であり、nは、YがNまたはPである場合1であり、好ましくはnは、0であり、
mは、XがOまたはSである場合0であり、mは、YがNまたはPである場合1であり、好ましくはnは、0であり、
R1は、付着基であり、好ましくは該付着基は、S、Se、O、PまたはNから選択される少なくとも1つの元素を含み、より好ましくは該付着基は、1つまたは2つのS原子を含み、なおより好ましくは該付着基は、
R2は、1~40個の炭素原子、好ましくは1~25個の炭素原子、より好ましくは1~15個の炭素原子を有する線状のアルキル基またはアルコキシル基、3~40個の炭素原子、好ましくは3~25個の炭素原子、より好ましくは3~15個の炭素原子を有する分枝のアルキル基またはアルコキシル基、3~40個の炭素原子、好ましくは3~25個の炭素原子、より好ましくは3~15個の炭素原子を有するシクロアルカン基、2~40個の炭素原子、好ましくは2~25個の炭素原子を有するアルケニル基、3~40個の炭素原子、好ましくは3~25個の炭素原子を有するアリール基、3~40個の炭素原子、好ましくは3~25個の炭素原子を有するヘテロアリール基、および4~40個の炭素原子、好ましくは4~25個の炭素原子を有するアラルキル基からなる群の1以上の要素(member)から選択され、ここで各場合において1以上のラジカルRaによって置換されていてもよく、ここで1以上の非隣接するCH2基は、RaC=CRa、C≡C、Si(Ra)2、Ge(Ra)2、Sn(Ra)2、C=O、C=S、C=NRa、SO、SO2、NRa、またはCONRaによって置き換えられていてもよく、およびここで1以上のH原子は、D、F、Cl、Br、I、CNまたはNO2、または、1以上のラジカルRaによって置換されていてもよい5~60個の芳香環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香環系によって置き換えられていてもよく、
Raは、出現毎に、同一にまたは異なって、H、D、または、1~20個の炭素原子を有するアルキル基、3~40個の炭素原子を有する環状アルキルまたはアルコキシ基、5~60個の炭素環原子を有する芳香環系、または、5~60個の炭素原子を有するヘテロ芳香環系であり、ここでH原子は、D、F、Cl、Br、Iによって置き換えられていてもよく、ここで2以上の隣接する置換基Raは、相互に、モノ-または多環式、脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香環系を形成してもまたよく、
R3は、1~25個の炭素原子、好ましくは1~15個の炭素原子、より好ましくは1~10個の炭素原子、なおより好ましくは1~5個の炭素原子を有する線状のアルキレン基またはアルコキシレン基からなる群の1以上の要素から選択され、ここで1以上の非隣接するCH2基は、RaC=CRa、C≡C、Si(Ra)2、Ge(Ra)2、Sn(Ra)2、C=O、C=S、C=NRa、SO、SO2、NRa、またはCONRaによって置き換えられていてもよく、およびここで1以上のH原子は、D、F、Cl、Br、I、CNまたはNO2、または、1以上のラジカルRaによって置換されていてもよい5~60個の芳香環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香環系によって置き換えられていてもよく、好ましくは非隣接するCH2基のいずれも置換されていない、
R4は、H原子、D原子、またはR2からなる群の1以上の要素から選択され、
R5は、H原子、D原子、またはR2からなる群の1以上の要素から選択され、
で表される1つの化学化合物、および
c)別の化合物
を含む組成物。 - 少なくとも
A)請求項1~4のいずれか一項に記載の1つの半電導性発光ナノ粒子、および
B)別の化合物、
を含む組成物。 - 組成物が、複数の半電導性発光ナノ粒子を含む、請求項5または6に記載の組成物。
- 該別の材料が、有機発光材料、無機発光材料、電荷輸送材料、散乱粒子、ホスト材料、ナノサイズのプラズモン粒子、光開始剤、およびマトリックス材料からなる群から選択される、請求項5~7のいずれか一項に記載の組成物。
- 少なくとも1つの、請求項1~4のいずれか一項に記載の半電導性発光ナノ粒子、または請求項5~8のいずれか一項に記載の組成物、および、
少なくとも1つの溶媒、好ましくは該溶媒は、有機溶媒、なおより好ましくはシクロヘキシルベンゼン、3-フェノキシトルエン、n-オクチルベンゼン、ブチルベンゾアート、1-オクタノール、3,4-ジメチルアニソール、2-フェノキシエタノール、メチルイソバレラート、ジメチルスルホキシド、2-フェノキシプロパノールまたはこれらの任意の組み合わせである、
を含む配合物。 - 以下の化学式(I)で表される化学化合物の総量が、配合物の総量に基づき、0.001wt.%から50wt.%まで、好ましくは0.005wt.%から30wt.%まで、より好ましくは0,01wt.%から15wt.%までの範囲である、請求項9に記載の配合物。
- ナノ粒子の総量が、配合物の総量に基づき、0.01wt.%から90wt.%まで、好ましくは0.1wt.%から70wt.%まで、より好ましくは1wt.%から50wt.%までの範囲である、請求項9または10に記載の配合物。
- 請求項1~4のいずれか一項に記載の半電導性発光ナノ粒子、または請求項5~8のいずれか一項に記載の組成物、または請求項9~11のいずれか一項に記載の配合物の、電子デバイス、光学デバイスにおける、またはバイオメディカルデバイスにおける使用。
- 少なくとも1つの、請求項1~4のいずれか一項に記載の半電導性発光ナノ粒子、または請求項5~8のいずれか一項に記載の組成物を含む光学媒体。
- アノードおよびカソード、および、少なくとも1つの請求項1~4のいずれか一項に記載の半電導性発光ナノ粒子、または請求項5~8のいずれか一項に記載の組成物を含む少なくとも1つの有機層を含む、好ましくは該1つの有機層は、光放射層である、より好ましくは媒体が、ホール注入層、ホール輸送層、電子ブロッキング層、ホールブロッキング層、電子ブロッキング層、および電子注入層からなる群から選択される1以上の層をさらに含む、請求項13に記載の光学媒体。
- 有機層が、少なくとも1つの請求項1~4のいずれか一項に記載の半電導性発光ナノ粒子、または請求項5~8のいずれか一項に記載の組成物を、およびホスト材料を含む、好ましくはホスト材料は有機ホスト材料である、請求項13または14に記載の光学媒体。
- 請求項13~15のいずれか一項に記載の該光学媒体を少なくとも含む、光学デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP18200551 | 2018-10-15 | ||
EP18200551.2 | 2018-10-15 | ||
PCT/EP2019/077586 WO2020078843A1 (en) | 2018-10-15 | 2019-10-11 | Nanoparticle |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022508726A true JP2022508726A (ja) | 2022-01-19 |
Family
ID=63862078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021545320A Pending JP2022508726A (ja) | 2018-10-15 | 2019-10-11 | ナノ粒子 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11845889B2 (ja) |
EP (1) | EP3867332A1 (ja) |
JP (1) | JP2022508726A (ja) |
KR (1) | KR20210076084A (ja) |
CN (1) | CN112912460A (ja) |
TW (1) | TW202024295A (ja) |
WO (1) | WO2020078843A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7476893B2 (ja) * | 2019-06-13 | 2024-05-01 | 昭栄化学工業株式会社 | 半導体ナノ粒子複合体、半導体ナノ粒子複合体分散液、半導体ナノ粒子複合体組成物、半導体ナノ粒子複合体硬化膜および半導体ナノ粒子複合体の精製方法 |
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KR20180106126A (ko) * | 2017-03-17 | 2018-10-01 | 동우 화인켐 주식회사 | 유기 리간드를 갖는 양자점 |
JP2018153915A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 東友ファインケム株式会社Dongwoo Fine−Chem Co., Ltd. | 有機配位子を有する量子ドット及びその用途 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10249723A1 (de) | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Covion Organic Semiconductors Gmbh | Arylamin-Einheiten enthaltende konjugierte Polymere, deren Darstellung und Verwendung |
EP1491568A1 (en) | 2003-06-23 | 2004-12-29 | Covion Organic Semiconductors GmbH | Semiconductive Polymers |
US7588828B2 (en) | 2004-04-30 | 2009-09-15 | Nanoco Technologies Limited | Preparation of nanoparticle materials |
GB0814458D0 (en) | 2008-08-07 | 2008-09-10 | Nanoco Technologies Ltd | Surface functionalised nanoparticles |
US8471969B2 (en) | 2009-02-23 | 2013-06-25 | Merck Patent Gmbh | Optical display device and method thereof |
WO2010097155A1 (de) | 2009-02-27 | 2010-09-02 | Merck Patent Gmbh | Polymer mit aldehydgruppen, umsetzung sowie vernetzung dieses polymers, vernetztes polymer sowie elektrolumineszenzvorrichtung enthaltend dieses polymer |
KR101699540B1 (ko) * | 2009-07-08 | 2017-01-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 나노 결정 및 그 제조 방법 |
DE102010021341A1 (de) | 2010-05-22 | 2011-11-24 | Merck Patent Gmbh | Leuchtstoffe |
DE102010045368A1 (de) | 2010-09-14 | 2012-03-15 | Merck Patent Gmbh | Silicophosphat-Leuchtstoffe |
WO2012059931A1 (en) | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd. | Polarizing lighting systems |
CN105555792B (zh) | 2013-09-17 | 2019-12-31 | 默克专利有限公司 | 用于oled的多环苯基吡啶铱络合物及其衍生物 |
US9666768B2 (en) | 2014-02-07 | 2017-05-30 | Nanoco Technologies Ltd. | Quantum dot nanoparticles having enhanced stability and luminescence efficiency |
US10509319B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-12-17 | Merck Patent Gmbh | Photosensitive composition and color converting film |
TWI608076B (zh) | 2015-03-04 | 2017-12-11 | 納諾柯技術有限公司 | 以金屬硫醇聚合物穩定化的量子點 |
DE102016113277A1 (de) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | Cynora Gmbh | Organische Moleküle zur Verwendung in optoelektronischen Bauelementen |
CN109563402B (zh) | 2016-08-04 | 2022-07-15 | 默克专利有限公司 | 有机功能材料的制剂 |
CN106367060B (zh) * | 2016-08-30 | 2020-03-10 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点配体交换的方法 |
US10689511B2 (en) * | 2017-01-04 | 2020-06-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, composites prepared therefrom, and electronic devices including the same |
WO2018146120A1 (en) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | Merck Patent Gmbh | Semiconductor nanosized material |
-
2019
- 2019-10-11 US US17/285,242 patent/US11845889B2/en active Active
- 2019-10-11 KR KR1020217014382A patent/KR20210076084A/ko unknown
- 2019-10-11 EP EP19794097.6A patent/EP3867332A1/en active Pending
- 2019-10-11 WO PCT/EP2019/077586 patent/WO2020078843A1/en unknown
- 2019-10-11 JP JP2021545320A patent/JP2022508726A/ja active Pending
- 2019-10-11 CN CN201980067963.4A patent/CN112912460A/zh active Pending
- 2019-10-14 TW TW108136804A patent/TW202024295A/zh unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210380882A1 (en) | 2021-12-09 |
KR20210076084A (ko) | 2021-06-23 |
WO2020078843A1 (en) | 2020-04-23 |
TW202024295A (zh) | 2020-07-01 |
EP3867332A1 (en) | 2021-08-25 |
US11845889B2 (en) | 2023-12-19 |
CN112912460A (zh) | 2021-06-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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