KR20130118831A - 도전성 패턴 형성용 기재 및 이를 이용하여 형성된 도전성 패턴 - Google Patents

도전성 패턴 형성용 기재 및 이를 이용하여 형성된 도전성 패턴 Download PDF

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Abstract

본 발명은 점착 기재, 및 상기 점착 기재의 일면에 구비된 도전성 패턴의 전구물질 패턴 또는 도전성 패턴을 포함하는 도전성 패턴 형성용 점착 기재, 상기 점착 기재를 이용한 도전성 패턴의 제조방법, 상기 점착 기재를 이용하여 제조된 도전성 패턴, 상기 도전성 패턴을 포함하는 전자소자에 관한 것이다.

Description

도전성 패턴 형성용 기재 및 이를 이용하여 형성된 도전성 패턴{SUBSTRATE FOR FORMIMG CONDUCTIVE PATTERN AND CONDUCTIVE PATTERN FORMED BY USING THE SAME}
본 출원은 2012년 4월 20일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2012-0041212호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 도전성 패턴 형성용 기재, 상기 기재를 이용한 도전성 패턴의 제조방법, 상기 기재를 이용하여 제조된 도전성 패턴, 상기 도전성 패턴을 포함하는 전자소자에 관한 것이다.
터치스크린, 디스플레이, 반도체 등 전자소자에는 전극과 같은 도전성 부품이 사용되고 있다. 상기와 같은 전자소자의 고성능화가 진행될수록, 상기 도전성 부품에는 더욱 미세한 도전성 패턴이 요구되고 있다.
그런데, 고가인 전자소자용 기판에 직접 도전성 패턴을 형성하는 경우, 도전성 패턴 형성 도중 오류가 발생하거나, 도전성 패턴이 형성된 기판을 전자소자의 다른 부품과 부착하기 위하여 점착제와 라미네이션할 때 오류가 발생하는 경우, 고가인 전자소자용 기판까지 폐기하여야 하기 때문에 비용이 상승하는 문제가 있다.
한국특허공개 제 2009-0077705 호
본 발명은 도전성 패턴 형성용 기재, 상기 기재를 이용한 도전성 패턴의 제조방법, 상기 기재를 이용하여 제조된 도전성 패턴, 상기 도전성 패턴을 포함하는 전자소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 하나의 실시상태는 점착 기재, 및 상기 점착 기재의 일면에 구비된 도전성 패턴의 전구물질(precursor) 패턴을 포함하는 도전성 패턴 형성용 점착 기재를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 점착 기재는 점착필름일 수 있다. 상기 점착 기재의 구성은 전자 소자와 같은 최종 제품에서 점착 기재가 포함되는지 여부에 따라 선택될 수 있다. 최종 제품에 점착 기재가 포함되지 않는 경우 상기 점착 기재는 박리력을 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로, 박리력은 점착 기재 시판을 2.5 X 12 cm2의 크기로 제작하고, 물성 측정기(texture analyzer)를 사용하여 180°박리 시험 방법(peel test method)으로 평가할 때 3,000 N 이하, 보다 바람직하게는 1500 N인 것이 바람직하다. 최종 제품에 점착 기재가 포함되는 경우에는 점착력은 높을수록 좋다.
본 발명에 있어서, 상기 도전성 패턴의 전구물질(precursor) 패턴이란, 소성에 의하여 도전성을 띄게 되는, 도전성 패턴의 소성 전 물질로 이루어진 패턴을 의미한다. 여기서, 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴은 저온, 예컨대 150℃ 이하의 온도에서 소성시 도전성을 띌 수 있는 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의하여 점착 기재가 내열성이 약한 소재로 이루어진 경우에도, 도전성 패턴 형성에 유리하다. 여기서, 도전성은 비저항 100 μΩ·cm 이하를 갖는 것을 의미하며, 비저항 30 μΩ·cm 이하, 비저항 20 μΩ·cm 이하, 또는 비저항 10 μΩ·cm 이하인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 또 하나의 실시상태는 점착 기재 상에 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 패턴 형성용 점착 기재의 제조방법을 제공한다. 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 형성하는 단계는, 특별히 한정되지 않으나, 반전 오프셋 인쇄법, 그라비아 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법 등이 사용될 수 있다.
본 발명의 또 하나의 실시상태는 점착 기재, 및 상기 점착 기재의 일면에 구비된 도전성 패턴을 포함하는 도전성 패턴 형성용 점착 기재를 제공한다.
본 발명의 또 하나의 실시상태는 점착 기재 상에 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 소성하여 도전성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 패턴 형성용 점착 기재의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 또 하나의 실시상태는
점착 기재, 및 상기 점착 기재의 일면에 구비된 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 포함하는 도전성 패턴 형성용 점착 기재를 준비하는 단계;
상기 도전성 패턴 형성용 점착 기재의 상기 전구물질 패턴이 구비된 면을 추가의 기재 상에 라미네이션시키는 단계; 및
상기 도전성 패턴 형성용 점착 기재와 상기 추가의 기재를 라미네이션하기 전에 또는 라미네이션한 후에 상기 전구물질 패턴을 소성하여 도전성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 패턴의 제조방법을 제공한다.
상기 도전성 패턴의 제조방법에 있어서, 상기 추가의 기재는 상기 도전성 패턴이 최종 적용될 용도, 예컨대 전자소자의 부품인 기재일 수 있다.
상기 도전성 패턴의 제조방법에 있어서, 상기 점착 기재가 소성 과정에서 도전성 패턴의 표면으로 이동하는 점착 성분을 포함하는 경우 도전성 저하가 발생할 우려가 있으므로, 라미네이션 후에 소성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 하나의 실시상태는
점착 기재, 및 상기 점착 기재의 일면에 구비된 도전성 패턴을 포함하는 도전성 패턴 형성용 점착 기재를 준비하는 단계; 및
상기 도전성 패턴 형성용 점착 기재의 상기 도전성 패턴이 구비된 면을 추가의 기재 상에 라미네이션시키는 단계
를 포함하는 도전성 패턴의 제조방법을 제공한다. 여기서, 추가의 기재는 전술한 실시상태에서 언급한 예시들이 적용될 수 있다.
상기 도전성 패턴 형성용 점착 기재가 상기 추가의 기재와 라미네이션된 후에, 상기 점착 기재는 제거될 수도 있으나, 그 자체가 상기 도전성 패턴과 함께 최종 용도에서 하나의 부품으로 사용될 수 있다.
본 발명은 전술한 도전성 패턴의 제조방법으로 형성된 도전성 패턴을 제공한다.
또한, 본 발명은 전술한 도전성 패턴을 포함하는 도전성 패턴을 포함하는 전자소자를 제공한다.
본 발명에 따른 도전성 패턴 형성용 점착 기재를 사용하는 경우 도전성 패턴 형성 도중 오류가 발생하는 경우에도 상기 점착 기재가 전자소자 등 최종 용도에서 사용되는 유리나 플라스틱 기판과 같은 부품보다 저렴하기 때문에 비용을 절감할 수 있다.
추가로, 상기 점착 기재는 최종 용도의 부품으로서 다른 부품과의 부착에 사용됨으로써, 종래와 같이 도전성 패턴이 형성된 부품을 전자소자의 다른 부품과 부착하기 위하여 점착제와 라미네이션할 때 오류가 발생하여 고가의 부품을 버리는 경우를 방지할 수 있다.
또한, 최종 용도에서 도전성 패턴을 직접 형성하기 어려운 기재를 사용하는 경우, 예컨대 기재의 극성이나 표면에너지가 도전성 패턴 형성용 조성물과 맞지 않은 경우, 기재가 평평하지 않고 곡면인 경우, 기재 표면의 거칠기(roughness) 등의 표면 특성으로 인하여 기재의 표면에 직접 도전성 패턴을 형성하기 어려운 경우에도, 본 발명에 따라 용이하게 도전성 패턴을 형성할 수 있다.
추가로, 본 발명에 있어서, 상기 도전성 패턴을 형성하기 위한 재료로서 고분자 바인더를 포함하지 않거나 고분자 바인더를 최소한의 양으로 포함하는 조성물을 사용하는 경우, 인쇄법, 특히 롤 프린팅 인쇄 방법, 특히 반전 오프셋 인쇄 방법에 적합하고, 우수한 도전성을 갖는 도전성 패턴 및 미세한 도전성 패턴을 구현할 수 있으며, 기재와의 밀착성이 우수하고, 저온소성에 의하여 도전성 구현이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시상태에 따른 도전성 패턴 형성용 점착 기재를 예시한 것이다.
도 2는 반전 오프셋 인쇄 방법의 공정 모식도를 예시한 것이다.
도 3은 실시예 1에서 얻어진 도전성 패턴의 사진을 나타낸 것이다.
도 4는 종래기술에 따른 터치스크린의 베젤 전극 형성 공정 모식도를 나타낸 것이다.
도 5 내지 도 12는 각각 본 발명의 실시상태에 따른 터치스크린의 베젤 전극 형성 공정 모식도를 나타낸 것이다.
이하에서 본 발명에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 발명의 하나의 실시상태는 점착 기재, 및 상기 점착 기재의 일면에 구비된 도전성 패턴의 전구물질 패턴 또는 도전성 패턴을 포함하는 도전성 패턴 형성용 점착 기재를 제공한다. 도 1에 본 발명에 따른 도전성 패턴 형성용 점착 기재의 일 예를 도시하였다. 도 1에 따른 도전성 패턴 형성용 점착 기재는 점착 기재 상에 도전성 패턴의 전구물질 패턴 또는 도전성 패턴이 구비된 구조를 갖는다. 도 1에 도시된 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴 또는 도전성 패턴의 패턴 형태는 예시를 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이에 의하여 한정되지 않는다. 상기 패턴의 형태는 최종 용도에서 요구되는 형태를 가지도록 설계될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 점착 기재는 점착필름일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 점착 기재가 상기 도전성 패턴이 사용되는 최종 용도에서 제거되지 않고 존재하는 경우, 상기 점착 기재는 가시광 영역에서 투명한 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 점착필름이 제거되지 않고 상기 도전성 패턴과 함께 최종 용도의 부품으로 잔존하는 경우, 상기 점착필름은 투명한 것이 바람직하다. 본 명세서에 있어서, 투명이란 광투과율이 60% 이상, 더욱 바람직하게는 75% 이상, 더 바람직하게는 90% 이상, 더 바람직하게는 95% 이상인 것을 의미한다.
상기 점착 기재의, 도전성 패턴 형성용 패턴이 구비된 면의 반대면에는 이형 필름이 구비되는 것이 바람직하다.
상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴은 고분자 바인더를 포함하지 않거나 최소로 포함하는 조성물에 의하여 제조되는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 제조되는 도전성 패턴도 역시 고분자 바인더를 포함하지 않거나 최소로 포함하는 것이 바람직하다. 소성 온도가 낮을 때 고분자 바인더가 남아 있으면 도전성 저하의 원인이 된다. 또한, 상기 점착 기재의 성분이 고분자 바인더와 함께 엉키는(entangled) 경우가 많아, 점착 기재를 추후에 박리해야 하는 경우에 문제가 될 수 있다.
상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴은 도전성 입자 및 용매를 포함하는 도전성 패턴 형성용 조성물로 형성될 수 있다. 상기 용매는 25 ℃에서 증기압이 3 토르 이하인 제1 용매 및 25 ℃에서 증기압이 3 토르 초과인 제2 용매를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 필요에 따라 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 유기금속을 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 계면활성제 또는 유기금속은 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴 또는 도전성 패턴 내에 포함되어 있을 수 있다. 다시 말하면, 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴은 계면활성제 및 유기금속 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 고분자 바인더 또는 이형제를 포함하지 않거나 최소로 포함하는 것이 바람직하다. 소성 후 도전성을 원하는 범위 내로 구현할 수 있고, 목적하는 정도로 미세한 패턴을 구현할 수 있다면, 상기 도전성 입자의 크기는 특별히 한정되지 않는다. 다만, 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴 또는 도전성 패턴이 구비된 점착 기재를 추가의 기재 상에 라미네이션 한 후에 상기 점착 기재를 제거하는 경우에는, 상기 도전성 입자는 너무 작지 않은 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자가 너무 작으면 상기 추가의 기재와의 부착도 강하지만, 상기 점차 기재와의 부착도 강하여, 상기 점착 기재를 최종적으로 제거하고자 하는 경우에도 이를 제거하기 어렵다. 일 실시상태에 따르면, 상기 도전성 입자의 입경은 2 마이크로미터 이하일 수 있다. 다른 실시상태에 따르면, 상기 도전성 입자의 입경은 1 마이크로미터 이하, 5 내지 500 nm, 또는 40 내지 400 nm일 수 있다.
하나의 구체적인 실시상태에 있어서, 상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 금속 입자, 25 ℃에서 증기압이 3 토르 이하인 제1 용매, 25 ℃에서 증기압이 3 토르 초과인 제2 용매 및 금속카르복실산염을 포함할 수 있다. 상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 실질적으로 고분자 바인더 또는 이형제를 포함하지 아니할 수 있다.
상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 후술하는 이유로 인쇄 방법, 특히 롤 프린팅 인쇄 방법, 그 중 특히 고무 재질의 인쇄 블랭킷을 이용하는 반전 오프셋 인쇄 (reverse offset printing)에 적합하다.
참고로, 반전 오프셋 인쇄법은 i) 도전성 패턴 형성용 조성물을 롤러에 도포하는 단계; ii) 형성하고자 하는 도전성 패턴에 대응하는 패턴이 음각으로 형성된 클리셰를 상기 롤러에 접촉시켜, 상기 도전성 패턴에 대응하는 도전성 패턴 형성용 조성물의 패턴을 상기 롤러 상에 형성하는 단계; iii) 상기 롤러 상의 도전성 패턴 형성용 조성물의 패턴을 기재 상에 전사하는 단계를 포함한다. 이때 롤러의 외주부는 탄성을 갖는 고무재질의 인쇄 블랭킷으로 구성된다. 이와 같은 반전 오프셋 인쇄 방법을 도 2에 예시하였다.
통상의 도전성 패턴 형성용 조성물은 롤러에 코팅한 후 막이 갈라지거나 핀홀이 생기지 않고 균일한 막을 형성할 수 있도록 고분자 바인더를 첨가한다. 그런데, 고분자 바인더를 첨가하면 200 ℃ 이하의 저온에서 소성시 비저항이 지나치게 높아지기 때문에, 저온에서 소성을 하여도 우수한 도전성을 나타내는 것이 필요한 분야에는 사용하기 어려울 수 있다.
한편, 고분자 바인더를 포함하지 않으면 인쇄 후 막에 크랙이나 핀홀이 발생하거나, 패턴의 전사 불량 또는 직전성 불량 등의 문제가 발생할 수도 있다. 이 때, 상기 도전성 패턴 형성용 조성물에 금속 카르복실산염을 첨가하면, 금속 카르복실산염은 하기와 같은 역할을 할 수 있다. 첫째, 금속 카르복실산염은 소성 과정에서 금속으로 환원되어 도전성 향상에 기여할 수 있다. 둘째, 금속 카르복실산염은 도전성 패턴 형성용 조성물의 고분자 바인더를 대체하여 도전성 패턴 형성용 조성물의 코팅성을 향상시키고 패턴의 전사성과 직진성을 개선할 수 있다.
상기 도전성 패턴 형성용 조성물 중 상기 금속 입자, 상기 금속 카르복실산염, 및 필요한 경우에 첨가되는 계면활성제 이외의 성분은 중량평균분자량이 800 미만인 것이 바람직하다. 또한, 상기 도전성 패턴 형성용 조성물 중 상기 금속 입자 및 상기 금속 카르복실산염 이외의 성분은 상온에서 액체인 것이 바람직하다.
상기 금속 카르복실산염은 적절한 유기용매에 용해가 가능하다면 특별히 알킬기의 사슬 길이, 가지(branched) 유무, 치환기의 유무 등에 제한받지 않는다.
상기 금속 카르복실산염의 사용량은 금속 입자의 함량 100 중량부 대비 0.1 내지 20 중량부가 바람직하다. 상기 금속 카르복실산염이 금속 입자의 함량 100 중량부에 비하여 0.1 중량부 미만으로 포함되는 경우, 상기 금속 카르복실산염이 패턴의 직진성을 개선하거나 도전성 향상에 기여하는 바가 미미하다. 또한, 상기 금속 카르복실산염의 함량이 금속 입자의 함량 100 중량부에 비하여 20 중량부 이하인 것이, 금속 입자와 금속 카르복실산을 균일하게 혼합하는데 유리하고, 이에 따라서 인쇄 후 안정하고 균일한 도막을 형성하는 것이 용이하다.
상기 금속 카르복실산염의 금속은 금속 입자의 금속의 종류와 동일하거나 상이할 수 있으나, 동일한 것이 바람직하다. 또한, 도전성을 고려하여 은이 가장 바람직하다. 상기 금속 카르복실산 염의 탄소수는 2 내지 10인 것이 바람직하다.
상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 또한 두 가지 이상의 용매를 포함하는 것이 바람직하다. 제 1 용매로는 25 ℃에서 증기압이 3 torr 이하인 비교적 낮은 휘발성을 나타내는 용매가 사용될 수 있다. 상기 제1 용매는 인쇄 및 소성 전까지 도전성 패턴 형성용 조성물의 분산매로서 작용할 수 있다. 제 2 용매로서 25 ℃에서 증기압이 3 torr를 초과하는 높은 휘발성을 나타내는 용매가 사용될 수 있다. 상기 제2 용매는 도전성 패턴 형성용 조성물이 기재 또는 롤러 상에 도포될 때까지는 제 1 용매와 함께 도전성 패턴 형성용 조성물의 낮은 점도 및 롤러에 대한 우수한 도포성을 유지하도록 할 수 있다. 또한, 상기 제2 용매는 기재 또는 롤러 상에 도포된 후 휘발에 의해 제거되어 도전성 패턴 형성용 조성물의 점도를 높이고 기재 또는 롤러 상에서의 패턴 형성 및 유지가 잘 이루어지도록 할 수 있는 성분이다.
제1 용매와 제2 용매의 사용량은, 용도, 작업 환경 등을 고려하여 결정될 수 있다. 도전성 패턴 형성용 조성물 도막이 빠르게 형성되어 전체 공정의 택트 타임(tact time)을 줄이기 위해서는 고휘발성 용매인 제2 용매의 사용량을 늘리는 것이 바람직하고, 도전성 패턴 형성용 조성물 도막의 형성속도를 늦추어 공정상의 여유를 확보하려면 제2 용매의 사용량을 줄이는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 전체 용매의 사용량 대비, 제1 용매는 0.1 내지 60 중량%, 제2 용매는 1 내지 80 중량%의 범위 내에서 조절될 수 있다.
제1 용매로 사용가능한 저휘발성 용매로는 디메틸아세트아마이드, 감마부티로락톤, 히드록시톨루엔, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 부틸 셀로솔브, 글리세린, 페녹시에탄올, 부틸 카비톨, 메톡시프로폭시프로판올, 카비톨, 터피놀, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, N-메틸피롤리돈, 프로필렌카보네이트, 디메틸술폭사이드, 디에틸렌글리콜, 트리에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜 등이 있고, 이들을 2종 이상 혼합하여 사용하는 것도 가능하며, 위의 예시에 한정되는 것은 아니다.
휘발성이 높은 제2 용매로는 디메틸글리콜, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 프로판올, 헥산, 헵탄, 옥탄, 1-클로로부탄, 메틸에틸케톤, 시클로헥산 등을 사용할 수 있고, 이들을 2종 이상 혼합하여 사용하는 것도 가능하며, 위의 예시에 한정되는 것은 아니다.
또한, 높은 휘발성을 갖는 제2 용매는 도 2의 단계 i)에서 롤러에 대한 우수한 도포성을 갖도록 표면장력이 26 dyn/cm 미만인 것이 바람직하다. 아울러 제 2 용매는 도 2의 단계 ii) 이전에 상당부분 휘발에 의해 제거되므로, 단계 ii) 및 단계 iii)에서는 낮은 휘발성을 갖는 제 1 용매가 주로 남게 된다. 상기 단계 ii) 및 단계 iii)에서 도전성 패턴 형성용 조성물의 이형력을 높이기 위하여 제 1 용매의 표면장력은 26 dyn/cm 이상인 것이 바람직하다.
한편, 상기 용매는 극성 용매인 것이 바람직하다. 일반적으로 용매의 용해도 상수가 높을수록 극성이 높으므로 상기 용매는 용해도 상수가 높은 것이 바람직하다.
상기 용매 총 중량을 기준으로, 상기 용매는 용해도 상수가 10 (cal/cm3)1/2 이상인 용매를 80 중량 % 이상 포함할 수 있다. 이 경우 도전성 패턴 형성용 조성물에 의한 롤러의 오염을 최소화할 수 있다.
잉크 성분에 의한 롤러의 오염을 최소화하기 위해서는, 롤러 외주부의 주성분인 탄성 고무 재질의 인쇄블랭킷 내부로 잉크 성분이 흡수되는 것을 최소화하여야 한다. 이를 위해서는 탄성 고무 재질의 인쇄블랭킷의 용해도 상수와 차이가 날수록 잉크 성분이 인쇄블랭킷 내부로 흡수되지 않으므로, 잉크 내 용매의 용해도 상수가 10 (cal/cm3)1/2 이상인 것이 바람직하다. 본 발명과 같이 2종 이상의 용매가 혼합된 경우 용매의 무게 조성에 기준한 용해도 상수의 평균값이 10 (cal/cm3)1/2 이상인 것이 바람직하다.
상기 도전성 패턴 형성용 조성물 내에서 도전성을 부여하는 금속 입자는 미세 패턴을 구현하기 위하여 나노 스케일의 평균 입경을 갖는 것이 바람직하다. 예컨대, 선폭 6 마이크로미터 미만, 선간격 3 마이크로미터 미만의 초미세 패턴을 구현하기 위하여 나노스케일, 바람직하게는 5 내지 400 나노미터의 평균 입경을 갖는 것이 좋다.
금속 입자로는 도전성이 높은 것이 바람직하다. 예컨대, 비저항 20 μΩ·cm 이하, 또는 비저항 10 μΩ·cm 이하 또는 비저항 3 μΩ·cm 이하인 금속 입자를 사용할 수 있다. 구체적인 예로서, 금속 입자는 도전성이 높다는 측면에서 은 또는 구리 입자가 바람직하다. 벌크 은의 비저항은 1.59 μΩ·cm 로서, 금속 중 가장 낮은 비저항을 갖고 있으며, 그 다음으로 비저항이 낮은 구리에 비하여 비저항이 65% 수준에 불과하다. 따라서, 전극을 형성하기 위하여, 은을 입자화하여 도전성 패턴 형성용 조성물을 제조하고 이를 인쇄했을 때, 은 입자 외 다른 첨가물이 많아도 소성 후 원하는 도전성을 구현하는 것이 다른 금속보다 상대적으로 용이하다. 특히, 은은 구리보다 비저항이 더 낮고, 별도의 불활성 기체 분위기나 환원 분위기를 조성하지 않아도 산화되지 않고 전도성을 구현할 수 있다는 점에서, 도전성 패턴 형성용 조성물을 제조하기 위한 금속 입자는 특히 은 입자를 사용하는 것이 바람직하다.
금속 입자의 사용량 범위에는 특별한 제한은 없으나, 도전성 패턴 형성용 조성물의 전체 중량을 기준으로 10 중량% 내지 50 중량%가 바람직하다. 금속 입자의 사용량이 50 중량%이하인 것이 도전성 패턴 형성용 조성물의 초기 점도를 20 cps 이하로 조절하는 데 용이하고, 도전성 패턴 형성용 조성물의 가격 상승을 방지할 수 있다. 금속 입자의 사용량이 10 중량% 이상인 것이, 도전성 패턴 형성용 조성물 내의 전도성이라는 기능을 구현하는 데 효율적이다. 상기 도전성 패턴 형성용 조성물의 초기 점도는 1 cps 이상으로 조절될 수 있다.
또한, 통상의 도전성 패턴 형성용 조성물과 같이 고분자 바인더를 사용하는 경우, 금속 입자의 사용량이 10 중량% 미만이라도 적절한 고분자 바인더를 사용하면 도전성 패턴 형성용 조성물을 롤러에 코팅한 후에 균일한 막을 형성하는 것이 가능하다. 그러나, 전술한 실시상태와 같이, 고분자 바인더 성분을 따로 첨가하지 않는 경우 금속 입자를 10 중량% 이상으로 사용하는 것이 코팅된 도전성 패턴 형성용 조성물이 핀홀이나 갈라짐 등의 결점(defect)이 없이 균일한 막을 형성하는 데 유리하다.
전술한 도전성 패턴 형성용 조성물은 저온에서 소성하여도 우수한 도전성을 가질 수 있도록 고분자 바인더를 사용하지 않고, 대신 금속 카르복실산염을 사용한다. 금속 카르복실산염과 금속 입자를 함께 사용하는 경우, 소성 과정에서 금속 카르복실산염이 금속으로 환원되면서 금속 입자 사이의 공극을 메꾸어 도전성이 향상되는 장점이 있다.
상기 도전성 패턴 형성용 조성물의 초기 점도는 20 cps 이하인 것이 바람직하고, 10 cps 이하인 것이 더욱 바람직하다. 초기 점도가 상기 범위 내인 것이 코팅성에 유리하다.
상기 도전성 패턴 형성용 조성물의 초기 표면에너지는 24 dyn/cm 이하인 것이 바람직하고, 21.1~23.9 dyn/cm인 것이 바람직하다. 초기 표면에너지가 상기 범위 내인 것이 코팅성에 유리하다.
상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 계면활성제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 계면활성제는 통상적인 레벨링제, 예를 들어 실리콘계, 불소계 또는 폴리에테르계 계면활성제를 사용할 수 있다. 상기 계면활성제의 함량은, 도전성 패턴 형성용 조성물의 전체 중량을 기준으로 0.01 내지 5 중량%가 바람직하다.
상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 전술한 성분들을 혼합하고, 필요한 경우 필터로 여과하여 제조할 수 있다.
상기 도전성 패턴 형성용 조성물을 이용하여 롤프린팅 공정, 그 중 반전 오프셋 공정을 적용함으로써, 기판 상에 보다 미세한 도전성 패턴을 양호하게 형성할 수 있게 된다. 특히, 상기 도전성 패턴 형성용 조성물을 반전 오프셋 공정에 적용하면, 이전에 적용되던 잉크젯 프린팅법 등에 의해서는 형성될 수 없었던 미세한 도전성 패턴, 예를 들어, 수 마이크로미터 내지 수십 마이크로미터, 구체적으로 약 3~80 ㎛, 또는 약 3~40 ㎛의 선폭 및 선간격을 갖는 도전성 패턴을 양호하게 형성할 수 있게 된다. 특히, 상기 도전성 패턴 형성용 조성물 및 롤프린팅 공정을 이용하여, 약 3~10 ㎛의 선폭 및 약 3~10 ㎛의 선간격을 갖는 미세한 도전성 패턴까지 양호하게 형성할 수 있게 된다.
전술한 고분자 바인더를 포함하지 않는 조성물을 이용하는 경우, 비교적 낮은 온도인 200 ℃ 이하, 110 ℃ 내지 200 ℃, 또는 130 ℃ 내지 200 ℃에서 소성하여도 우수한 도전성을 갖는 도전성 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 전술한 상기 도전성 패턴 형성용 조성물 및 도전성 패턴의 형성 방법을 적용함으로써, 저온에서도 우수한 도전성을 나타내는 미세한 도전성 패턴를 제공할 수 있다. 저온 소성이 적용될 수 있기 때문에, 상기 점착 기재 상에 도전성 패턴의 전구물질 패턴 또는 도전성 패턴을 형성할 수 있고, 유연 디스플레이 소자 및 평판 디스플레이 소자의 가시성 향상 또는 대면적화 등에 크게 기여할 수 있다.
상기 도전성 패턴 형성용 조성물로 형성된 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 소성할 때, 소성 시간은 조성물의 성분 및 조성에 따라 선택될 수 있으며, 예컨대 3 분 내지 60 분간 수행될 수 있다.
본 발명의 또 하나의 실시상태는 점착 기재 상에 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 패턴 형성용 점착 기재의 제조방법을 제공한다. 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 형성하는 단계는 반전 오프셋 인쇄법, 그라비아 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법 등이 사용될 수 있다.
본 발명의 또 하나의 실시상태는 점착 기재, 및 상기 점착 기재의 일면에 구비된 도전성 패턴을 포함하는 도전성 패턴 형성용 점착 기재를 제공한다. 이것은 점착 기재 상에 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 소성하여 도전성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 방법에 의하여 제조될 수 있다. 이 실시상태는 점착 기재 상에 도전성 패턴의 전구물질 패턴이 구비된 대신에 도전성 패턴이 구비된 것을 제외하고는 전술한 실시상태에 따른 설명이 적용될 수 있다.
상기 소성은 열 소성, 마이크로웨이브 오븐 소성, IR 소성, 레이저 소성 등 다양한 방법이 적용될 수 있다. 열 소성은 예컨대 150 ℃ 이하, 110 내지 150 ℃ 에서 3분 내지 60분간 수행될 수 있다.
본 발명의 또 하나의 실시상태는
점착 기재, 및 상기 점착 기재의 일면에 구비된 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 포함하는 도전성 패턴 형성용 점착 기재를 준비하는 단계;
상기 도전성 패턴 형성용 점착 기재의 상기 전구물질 패턴이 구비된 면을 또 하나의 기재 상에 라미네이션시키는 단계; 및
상기 도전성 패턴 형성용 점착 기재와 또 하나의 기재를 라미네이션하기 전에 또는 라미네이션한 후에 상기 전구물질 패턴을 소성하여 도전성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 패턴의 제조방법을 제공한다.
상기 도전성 패턴의 제조방법에 있어서, 상기 또 하나의 기재의 종류는 특별히 한정되지 않고, 상기 도전성 패턴이 최종 적용될 용도에 따라 결정될 수 있으며, 예컨대 전자소자의 부품인 기재일 수 있다. 상기 또 하나의 기재는 유리, 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름일 수 있다. 본 발명에서는 종래에는 도전성 패턴을 직접 형성할 수 없었던 기재 상에도 점착 기재에 먼저 도전성 패턴의 전구물질 패턴 또는 도전성 패턴을 형성함으로써 도전성 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
상기 또 하나의 기재는, 최종 적용될 용도에 필요한 추가의 구성요소를 구비하고 있을 수 있다. 예컨대, 상기 또 하나의 기재는 전도성 패턴, 구체적으로 투명 전도성 산화물 패턴 또는 금속 패턴을 구비할 수 있다. 이 때, 상기 점착 기재는 도전성 패턴의 전구물질 패턴 또는 도전성 패턴이 구비된 점착 기재의 면이 상기 또 하나의 기재의 전도성 패턴이 구비된 면에 접하도록 라미네이션될 수 있다.
상기 도전성 패턴의 제조방법에 있어서, 상기 점착 기재의 성분에 따라 점착 성분이 소성 과정에서 도전성 패턴 위로 이동할 우려가 있는 경우, 도전성 저하를 방지하기 위하여 라미네이션 후에 소성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 하나의 실시상태는
점착 기재, 및 상기 점착 기재의 일면에 구비된 도전성 패턴을 포함하는 도전성 패턴 형성용 점착 기재를 준비하는 단계; 및
상기 도전성 패턴 형성용 점착 기재의 상기 도전성 패턴이 구비된 면을 또 하나의 기재 상에 라미네이션시키는 단계
를 포함하는 도전성 패턴의 제조방법을 제공한다. 여기서, 또 하나의 기재는 전술한 실시상태에서 설명된 예들이 적용될 수 있다.
상기 도전성 패턴 형성용 점착 기재가 또 하나의 기재와 라미네이션되고, 도전성 패턴이 형성된 후에, 상기 도전성 패턴 형성용 점착 기재 중의 점착 기재는 제거될 수도 있으나, 그 자체가 상기 도전성 패턴과 함께 최종 용도에서 하나의 부품으로 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 점착 기재는 최종 용도에서 다른 부품과 부착하는데 이용될 수 있다. 그러나, 상기 점착 기재가 최종용도에 적합하지 않은 경우에는 이를 제거할 수 있다. 예컨대, 상기 점착 기재가 점착력이나 유전율이 최종 용도에 적합하지 않으면 용도에 부합하는 다른 점착층이나 다른 필름으로 대체될 수 있다. 상기 도전성 패턴 형성용 점착 기재에 포함되는 점착 기재가 최종 결과물에 제거되지 않고 남아 있는 경우, 상기 점착 기재는 가시광 영역에서 투명한 것이 바람직하다. 이 경우, 본 발명에 따른 방법으로 제조된 도전성 패턴이 디스플레이 등에 사용될 때 유리하다.
본 발명은 전술한 도전성 패턴의 제조방법으로 형성된 도전성 패턴을 제공한다.
본 발명에 따른 도전성 패턴은 전술한 도전성 패턴 형성용 조성물을 이용함으로써 200 ℃ 이하의 낮은 온도에서 소성된 경우에도 25 μΩ·cm 미만의 낮은 비저항을 가질 수 있다. 또한, 기재와의 부착력이 우수하며, 3~80 ㎛, 약 3~40 ㎛, 또는 약 3~10 ㎛의 선폭 및 선간격을 가질 수 있다. 또한, 비저항이 낮으므로 선고를 불필요하게 높이지 않을 수 있어 소자의 시인성을 향상하고 박형화에 유리하다. 가능한 선고는 인쇄 선폭 및 선간격에 따라 달라지지만, 1 ㎛ 미만으로도 원하는 도전성을 구현할 수 있다. 본 발명에서는 필요에 따라 선고를 100nm 이상으로 조절할 수 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 도전성 패턴은 비저항이 100 μΩ·cm 이하, 30 μΩ·cm 이하, 20 μΩ·cm 이하, 또는 10 μΩ·cm 이하일 수 있다. 본 발명에 따른 도전성 패턴은 90% 이상의 개구율을 가질 수 있으며, 1 ㎛ 미만, 500 nm 이하, 또는 200 nm 이하의 선고를 가지면서도, 면저항이 100 Ω/□ 이하, 50 Ω/□ 이하, 또는 10 Ω/□ 이하인 투명 도전성 필름을 제공할 수 있다.
구체적인 예로서, 상기 도전성 패턴 형성용 조성물을 이용하여 구현가능한 응용 예의 하나로, 터치스크린 등에 응용이 가능한 투명 도전성 필름이 있다. 기존에 터치스크린에 사용되는 투명 도전성 필름인 ITO/PET 필름의 경우 면저항이 50 내지 300 Ω/□이다. 그러나, 후술하는 본 발명의 일 실시상태에 따른 실시예 1에서 제시된 도전성 패턴 형성용 조성물을 기재에 인쇄하여 150 ℃에서 30분간 소성하는 경우, 비저항이 20 μΩ·cm 이하이기 때문에, 200 nm 미만의 막두께로도 개구율이 90% 이상인 패턴을 사용하여 투과도를 높이면서, 동시에 면저항이 약 10 Ω/□ 이하인 투명 도전성 필름을 제조할 수 있다. 따라서, 기존의 ITO 필름 등 전면코팅된 투명전도성 필름보다 높은 도전성을 갖는 투명 전도성 필름의 제조가 가능하여 터치스크린 패널의 대면적화에 유리하다.
또 하나의 구체적인 예로서, 상기 도전성 패턴 형성용 조성물을 이용하여 구현가능한 예로는 터치스크린의 베젤 전극, 터치 감지용 전극 패턴 또는 이들을 모두 포함하는 패턴이다. 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴 또는 도전성 패턴이 구비된 점착 기재를 터치스크린의 베젤 전극 제조에 사용하는 경우, 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴 또는 도전성 패턴이 형성된 점착 기재는 투명 전도성 산화물 패턴, 예컨대 ITO 패턴 또는 금속 패턴이 구비된 추가의 기재에 라미네이션될 수 있다. 여기서, 투명 전도성 산화물 패턴 또는 금속 패턴은 당기술분야에 알려져 있는 패턴이 이용될 수 있다.
도전성 패턴의 형태는 최종 용도에 따라 정할 수 있다. 상기 도전성 패턴은 메쉬 패턴과 같은 규칙적 패턴일 수도 있고, 불규칙한 패턴일 수도 있다.
또한, 본 발명은 전술한 도전성 패턴을 포함하는 도전성 패턴을 포함하는 전자소자를 제공한다. 상기 전자소자의 종류로는 특별히 한정되지 않으며, 터치스크린, 디스플레이 등을 포함한다.
이하에서, 본 발명을 터치스크린의 베젤 전극 형성에 적용한 예를 도면을 참고하여 설명하지만, 이하의 설명은 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
도 4는 종래기술에 따른 터치스크린의 베젤 전극 형성 공정 모식도를 나타낸 것이다. 도 4에 따르면, ITO 전극이 구비된 투명기재의 ITO 전극 상에 베젤 전극을 형성하고, 이것을 투명 점착(OCA, Optical Clear Adhesive) 기재를 이용하여 다른 부품들과 부착한다.
도 5 내지 도 12는 본 발명에 따라 터치스크린의 베젤 전극을 형성한 공정 모식도를 예시한 것이다.
도 5에 따르면, ITO 전극이 구비된 투명기재와 베젤 전극의 전구물질 패턴이 구비된 투명 점착(OCA, Optical Clear Adhesive) 기재를 라미네이션한 후, 상기 전구물질 패턴을 소성한 후, 상기 투명 점착 기재를 이용하여 부품들을 접착한다.
도 6에 따르면, 투명 점착 전구물질 패턴의 소성 후, 베젤 전극의 전구물질 패턴을 형성했었던 투명 점착 기재를 제거하고, 새로운 투명 점착 기재를 라미네이션한 것을 제외하고는 도 5와 같다.
도 7은 2개의 전극 구조 중 어느 하나는 도 5와 같이 본 발명에 따라 베젤 전극을 형성하고, 나머지 하나는 도 4와 같이 종래기술에 따라 베젤 전극을 형성한 예를 도시한 것이다.
도 8은 전구물질 패턴의 소성 후, 베젤 전극의 전구물질 패턴을 형성했었던 투명 점착 기재를 제거하고, 새로운 투명 점착 기재를 라미네이션한 것을 제외하고는 도 7과 같다.
도 9 및 도 10은 투명기재 상에 구비된 전극이 ITO 전극 대신 투명 전도성 금속 전극인 것을 제외하고는 각각 도 5 및 도 6과 같다. 여기서, 투명 전도성 금속 전극은 금속 패턴으로 이루어진 것일 수 있다.
도 11에 따르면, 투명 점착 기재 상에 베젤 전극의 전구물질 패턴과 터치 감지용 투명 전도성 금속 전극의 전구물질 패턴을 형성하고, 이를 투명기재와 라미네이션한 후, 상기 전구물질 패턴을 소성하고, 상기 투명 점착 기재를 이용하여 부품들을 접착한다.
도 12에 따르면, 전구물질 패턴의 소성 후, 전구물질 패턴을 형성했었던 투명 점착 기재를 제거하고, 새로운 투명 점착 기재를 라미네이션한 것을 제외하고는 도 11과 같다.
도 8 내지 도 12에는 금속 패턴이 형성된 영역만을 표시하고, 금속 패턴의 형태를 구체적으로 도시하지 않았으나, 당업자는 최종 용도의 목적에 따라 당기술분야에 알려져 있는 패턴 형태 및 사이즈, 예컨대 선폭, 선간격 등을 설계할 수 있다.
이하에서는 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 그러나, 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이들에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
평균 입경 120 nm의 은 나노 입자 30 g, 네오데칸산염 은(Ag-네오데카노에이트) 1.7 g, 계면활성제 0.6 g, 제1 용매로서 터피네올(25 ℃ 에서 증기압 0.042 torr; 표면장력 33.2 mN/m; 용해도 상수 9.80 (cal/cm3)1/2) 4 g과 프로필 셀로솔브 (25 ℃ 에서 증기압 0.98 torr; 표면장력 26.3 mN/m; 용해도 상수 10.87 (cal/cm3)1/2) 36 g, 제2 용매로 에탄올(25 ℃에서 증기압 59.3 torr; 표면장력 22.1 mN/m; 용해도 상수 12.98 (cal/cm3)1/2) 33 g을 혼합하고 24시간 교반한 후 1 마이크로미터의 필터로 여과하여 도전성 패턴 형성용 조성물을 제조하였다.
상기 도전성 패턴 형성용 조성물을 롤러의 폴리디메틸실록산(PDMS) 블랭킷에 도포한 후, 원하는 도전성 패턴이 음각으로 형성된 클리셰(cliche)와 상기 블랭킷을 접촉시켜 상기 롤러상에 도전성 패턴 형성용 조성물의 패턴을 형성하였다. 이후, 이러한 롤러를 점착필름에 접촉시켜 점착필름상에 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 형성하였다. 이 때 사용한 점착필름은 점착층의 두께 25μm이고, 2.5 X 12 cm2의 크기로 제조하여 물성 측정기(texture analyzer)를 사용하여 180° 박리 시험 방법(peel test method)으로 평가한 박리력이 3,000 N이었다. 상기 점착 필름의 도전성 패턴의 전구물질 패턴이 구비된 면을 PET 기재에 라미네이션하였다. 이어서, 라미네이션된 기재를 30분간 130 ℃에서 소성하고, 상기 점착필름을 PET 기재에서 박리하였더니, PET 기재에 도전성 패턴이 얻어졌다. 얻어진 도전성 패턴의 광학현미경 사진을 도 3에 나타내었다. 이 때, 얻어진 도전성 패턴 물질의 비저항은 20 μΩ·cm 이었다.
비교예 1
평균 입경 120 nm의 은 나노 입자 30 g, 네오데칸산염 은(Ag-네오데카노에이트) 1.7 g, 계면활성제 0.6 g, 제1 용매로서 터피네올(25 ℃ 에서 증기압 0.042 torr; 표면장력 33.2 mN/m; 용해도 상수 9.80 (cal/cm3)1/2) 73 g을 혼합하고 24시간 교반한 후 1 마이크로미터의 필터로 여과하여 도전성 패턴 형성용 조성물을 제조하였다.
상기 도전성 패턴 형성용 조성물을 롤러의 PDMS 블랭킷에 도포하니, 10분 이상 대기한 후에도, 원하는 도전성 패턴이 음각으로 형성된 클리셰(cliche)와 상기 블랭킷을 접촉시켰을 때, 잉크 도막이 클리셰의 양각부와 블랭킷 양쪽으로 갈라지며 두께가 얇아지며, 기재상에 양호한 패턴이 형성되지 않았다.
비교예 2
평균 입경 80 nm의 은 나노 입자 25 g, 제1 용매로서 터피네올(25 ℃ 에서 증기압 0.042 torr; 표면장력 33.2 mN/m; 용해도 상수 9.80 (cal/cm3)1/2) 4 g과 프로필 셀로솔브 (25 ℃ 에서 증기압 0.98 torr; 표면장력 26.3 mN/m; 용해도 상수 10.87 (cal/cm3)1/2) 36 g, 제2 용매로 에탄올(25 ℃ 에서 증기압 59.3 torr; 표면장력 22.1 mN/m; 용해도 상수 12.98 (cal/cm3)1/2) 33 g을 혼합하고 24시간 교반한 후 1 마이크로미터의 필터로 여과하여 도전성 패턴 형성용 조성물을 제조하였다.
상기 도전성 패턴 형성용 조성물을 롤러의 PDMS 블랭킷에 도포하려 시도하니, 균일하게 도포되지 않고 디웨팅(dewetting)되어 잉크가 방울방울 뭉쳐 도포가 불가능하였다.

Claims (29)

  1. 점착 기재, 및 상기 점착 기재의 일면에 구비된 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 포함하는 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴은 소성에 의하여 도전성을 띄게 되는, 소성 전 물질로 이루어진 패턴인 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴은 150 ℃ 이하의 온도에서 소성시 도전성을 띌 수 있는 재료를 포함하는 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 도전성 패턴은 터치스크린의 베젤 전극 패턴, 터치감지용 금속 전극 패턴 또는 이들을 모두 포함하는 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴은 도전성 입자 및 용매를 포함하는 조성물에 의하여 형성된 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 도전성 입자의 입경은 2 마이크로미터 이하인 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  7. 청구항 5에 있어서, 상기 용매는 25 ℃에서 증기압이 3 토르 이하인 제1 용매 및 25 ℃에서 증기압이 3 토르 초과인 제2 용매를 포함하는 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  8. 청구항 5에 있어서, 상기 용매 총 중량을 기준으로, 상기 용매는 용해도 상수가 10 (cal/cm3)1/2 이상인 용매를 80 중량 % 이상 포함하는 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  9. 청구항 5에 있어서, 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴은 계면활성제 및 유기금속 중 적어도 하나를 더 포함하는 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴은 금속 입자, 25 ℃에서 증기압이 3 토르 이하인 제1 용매, 25 ℃에서 증기압이 3 토르 초과인 제2 용매 및 금속카르복실산염를 포함하는 조성물에 의하여 형성된 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴은 고분자 바인더 또는 이형제를 포함하지 않는 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  12. 점착 기재, 및 상기 점착 기재의 일면에 구비된 도전성 패턴을 포함하는 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 도전성 패턴은 터치스크린의 베젤 전극 패턴, 터치 감지용 금속 전극 패턴, 또는 이들을 모두 포함하는 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  14. 청구항 12에 있어서, 상기 도전성 패턴은 150 ℃ 이하의 온도에서 소성시 도전성을 띌 수 있는 재료를 포함하는 조성물에 의하여 형성된 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  15. 청구항 12에 있어서, 상기 도전성 패턴은 금속 입자, 25 ℃에서 증기압이 3 토르 이하인 제1 용매 및 25 ℃에서 증기압이 3 토르 초과인 제2 용매를 포함하는 용매 및 금속카르복실산염를 포함하는 조성물에 의하여 형성된 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  16. 청구항 15에 있어서, 상기 용매의 총 중량을 기준으로, 상기 용매는 용해도 상수가 10 (cal/cm3)1/2 이상인 용매를 80 중량 % 이상 포함하는 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  17. 청구항 15에 있어서, 상기 조성물은 고분자 바인더 또는 이형제를 포함하지 않는 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  18. 청구항 12에 있어서, 상기 도전성 패턴은 계면활성제 및 유기금속 중 적어도 하나를 더 포함하는 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재.
  19. 점착 기재 상에 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 청구항 1 내지 11 중 어느 하나의 항의 도전성 패턴 형성용 점착 기재의 제조방법.
  20. 청구항 19에 있어서, 상기 점착 기재 상에 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 형성하는 단계는 반전 오프셋 인쇄법, 그라비아 오프셋 인쇄법 또는 잉크젯 인쇄법에 의하여 수행하는 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재의 제조방법.
  21. 점착 기재 상에 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 소성하여 도전성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 청구항 12 내지 18 중 어느 하나의 항의 도전성 패턴 형성용 점착 기재의 제조방법.
  22. 청구항 21에 있어서, 상기 점착 기재 상에 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 형성하는 단계는 반전 오프셋 인쇄법, 그라비아 오프셋 인쇄법 또는 잉크젯 인쇄법에 의하여 수행하는 것인 도전성 패턴 형성용 점착 기재의 제조방법.
  23. 점착 기재, 및 상기 점착 기재의 일면에 구비된 도전성 패턴의 전구물질 패턴을 포함하는 청구항 1 내지 11 중 어느 하나의 항의 도전성 패턴 형성용 점착 기재를 준비하는 단계;
    상기 도전성 패턴 형성용 점착 기재의 상기 전구물질 패턴이 구비된 면을 추가의 기재 상에 라미네이션시키는 단계; 및
    상기 도전성 패턴 형성용 점착 기재와 상기 추가의 기재를 라미네이션하기 전에 또는 라미네이션한 후에 상기 전구물질 패턴을 소성하여 도전성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 패턴의 제조방법.
  24. 청구항 23에 있어서, 상기 도전성 패턴 형성용 점착 기재와 상기 추가의 기재를 라미네이션 후에 상기 점착 기재를 제거하는 단계를 더 포함하는 도전성 패턴의 제조방법.
  25. 점착 기재, 및 상기 기재의 일면에 구비된 도전성 패턴을 포함하는 청구항 12 내지 18 중 어느 하나의 항의 도전성 패턴 형성용 점착 기재를 준비하는 단계; 및
    상기 도전성 패턴 형성용 점착 기재의 상기 도전성 패턴이 구비된 면을 추가의 기재 상에 라미네이션시키는 단계
    를 포함하는 도전성 패턴의 제조방법.
  26. 청구항 25에 있어서, 도전성 패턴 형성용 점착 기재와 상기 추가의 기재를 라미네이션 후에 상기 점착 기재를 제거하는 단계를 더 포함하는 도전성 패턴의 제조방법.
  27. 청구항 23에 따른 도전성 패턴의 제조방법으로 형성된 도전성 패턴.
  28. 청구항 27에 있어서, 비저항이 100 μΩ·cm 이하인 도전성 패턴.
  29. 청구항 27에 따른 도전성 패턴을 포함하는 전자소자.
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