KR20130107026A - 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 패키지의 형태에 따라 연마지석의 높이를 실시간으로 조정하기 때문에 반도체 패키지를 균일하게 연마할 수 있는 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 반도체 패키지를 슬림화하는 장치는 상기 반도체 패키지가 진공흡착되는 테이블; 상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지를 연마하는 연마지석; 및 상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지의 높이에 대응하여 상기 연마지석을 변위시키는 제어수단;을 포함한다.
본 발명에 의한 반도체 패키지를 슬림화하는 장치는 상기 반도체 패키지가 진공흡착되는 테이블; 상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지를 연마하는 연마지석; 및 상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지의 높이에 대응하여 상기 연마지석을 변위시키는 제어수단;을 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 패키지의 형태에 따라 연마지석의 높이를 실시간으로 조정하기 때문에 반도체 패키지를 균일하게 연마할 수 있는 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법에 관한 것이다.
최근 들어, 반도체 소자 제조 기술의 개발에 따라, 단시간 내에 보다 많은 데이터를 처리하기에 적합한 반도체소자를 갖는 반도체 패키지들이 개발되고 있다.
반도체 패키지는 리드프레임 또는 인쇄회로기판과 같은 기판자재(Substrate)의 패드 상에 반도체칩을 다이본딩하고 리드프레임의 리드 또는 인쇄회로기판의 단자와 반도체칩을 와이어 본딩한 후, 상기 본딩된 반도체칩 및 와이어의 연결부위를 보호하기 위해 그 주위를 수지(Epoxy Molding Compound ; EMC)로 몰딩한 것을 가리킨다.
도 1 및 도 2는 일반적인 반도체 패키지(100)를 도시한 것이다. 도시된 바와 같이, 인쇄회로기판(110)상에 반도체칩(120)이 와이어 본딩되고, 몰딩부(130)가 형성된 것을 알 수 있다. 반도체 칩(120)은 웨이퍼(121)와 와이어본더(122)를 포함한다.
그러나, 적층된 반도체 칩(120)들의 신호전달을 위해 인쇄회로기판(110)이나 리드 프레임을 이용하고, 또한 반도체 칩(120)을 보호하기 위해 수지로 몰딩한 몰딩부(130)의 형성이 불가피해 반도체 패키지(100)의 전체 두께(t0)가 상승하는 문제가 있다.
최근에는 전자기기의 소형화(Minimization) 및 정보통신 기기의 두께 슬림(Slim)화 추세에 대응하기 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 반도체 패키지의 형태에 따라 연마지석의 높이를 실시간으로 조정하기 때문에 반도체 패키지를 균일하게 연마할 수 있는 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법을 제공함에 있다.
위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 의한 반도체 패키지를 슬림화하는 장치는 상기 반도체 패키지가 진공흡착되는 테이블; 상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지를 연마하는 연마지석; 및 상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지의 높이에 대응하여 상기 연마지석을 변위시키는 제어수단;을 포함한다.
또한 상기 제어수단은, 상기 연마지석의 전측에 구비되어 상기 반도체 패키지의 높이를 실시간으로 측정하는 센서; 및 상기 센서의 측정결과에 따라 상기 연마지석을 변위시키는 구동부를 포함하는 것이 바람직하다.
또한 상기 구동부는 에어실린더 또는 모터인 것이 바람직하다.
또한 상기 연마지석 또는 테이블을 상대이동시키는 수평이동수단이 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 연마지석은 상기 반도체 패키지의 몰딩면을 연마하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 반도체 패키지를 슬림화하는 방법은 1) 상기 반도체 패키지를 테이블에 흡착하는 단계; 2) 상기 테이블 또는 연마지석을 상대적으로 수평이동시키는 단계; 3) 상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지의 높이를 실시간으로 측정하는 단계; 4) 상기 센서의 측정결과에 따라 상기 연마지석을 승강하여 실시간으로 변위시키는 단계; 및 5) 상기 반도체 패키지를 연마하는 단계;를 포함한다.
또한 상기 5)단계는, 상기 반도체 패키지의 몰딩면을 연마하는 것이 바람직하다.
또한 상기 5)단계는, 상기 반도체 패키지가 안착된 테이블을 수평운동하면서 연마하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 반도체 패키지의 형태에 따라 연마지석의 높이를 실시간으로 조정하기 때문에 반도체 패키지를 균일하게 연마할 수 있는 효과가 있다.
또한 슬리밍할 반도체 패키지의 폭보다 더 큰 폭을 갖는 연마지석을 이용하여 반도체 패키지의 전면을 동시에 연마함으로써, 반도체 패키지 또는 연마지석의 폭 끝부분에서 발생하는 무리한 집중하중이 가해지는 것을 방지할 수 있다.
또한 반도체 패키지의 몰딩면을 연마하여 반도체 패키지의 두께를 용이하게 감소시킬 수 있고, 그로 인해 반도체 패키지의 방열기능이 향상되는 효과도 있다.
도 1은 일반적인 반도체 패키지를 나타낸 것이다.
도 2는 도 1의 A-A선 단면도를 나타낸 것이다.
도 3 및 도 4는 본 발명에 의한 슬리밍장치를 나타낸 것이다.
도 5 내지 도 11은 본 발명에 의한 슬리밍방법을 나타낸 것이다.
도 2는 도 1의 A-A선 단면도를 나타낸 것이다.
도 3 및 도 4는 본 발명에 의한 슬리밍장치를 나타낸 것이다.
도 5 내지 도 11은 본 발명에 의한 슬리밍방법을 나타낸 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 슬리밍장치 및 방법을 설명한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 의한 슬리밍장치(1)는 테이블(10)과, 이송수단(30)과 연마수단(20)과 제어수단을 포함한다.
상기 테이블(10)은 반도체 패키지를 진공흡착하는 구성요소로서, 반도체 패키지보다 큰 면적을 갖는 플레이트 형태로서, 복수개의 진공홈(11)이 형성되어 있다. 또한 상기 진공홈(11)에는 복수의 진공홀(12)이 형성되어 있는데, 진공홀(12)은 진공압이 인가되는 진공수단(미도시)에 연결된다.
상기 이송수단(30)은 테이블(10)을 수평왕복운동시키는 구성요소이다. 상기 이송수단(30)은 상기 테이블(10)을 지지한 상태에서 구동원(미도시)에 의해 작동되어 안내부를 따라 수평왕복운동한다.
상기 연마수단(20)은 상기 반도체 패키지를 연마하는 연마지석(21)과, 상기 연마지석(21)을 회전시키는 스핀들(22)을 포함한다.
상기 제어수단은 테이블(10)에 흡착된 반도체 패키지의 높이에 대응하여 연마지석(21)을 변위시키는 구성요소로서, 구체적으로 연마지석(21)의 전측에 구비되어 반도체 패키지의 높이를 실시간으로 측정하는 센서(41)와, 센서(41)의 측정결과에 따라 연마지석(21)을 승강시켜 변위시키는 구동부(미도시)를 포함한다.
한편, 본 실시예(1)에서는 이송수단(30)이 테이블(100을 수평왕복운동시키지만, 이와 달리 테이블은 고정되고 연마수단을 수평왕복운동시키는 것도 가능하다. 또한 이송수단은 LM가이드나 에어실린더 등 공지의 수단을 이용할 수 있다.
이하, 슬리밍장치의 작동상태 및 슬리밍방법을 설명한다.
도 5를 참조하면, 본 발명은 반도체 패키지(100)의 몰딩면을 연마하여 슬림화한다. 반도체 패키지(100)의 두께 감소량(t1)은 필요에 따라 설정할 수 있는데, 몰딩부(130) 이외에 경우에 따라서는 반도체칩(120)의 웨이퍼(121)의 일부를 연마하는 것도 가능하다.
반도체 패키지는 제조공정 중 밴딩되는 등 형태가 변형되는 경우가 있다. 이 경우, 테이블에 흡착을 해도 편평하게 흡착되지 않고 형태가 변형된 채로 흡착된다(도 6 및 도 7의 (a)참조). 이 경우, 연마 후 두께가 불균일한 문제가 있다(도 7의 (b) 참조).
도 8을 참조하면, 연마지석(21)의 전측에 구비된 센서(41)를 이용하여 반도체 패키지(100)까지의 거리(반도체 패키지의 높이)를 실시간으로 측정하고, 그에 따라 설정된 연마량으로 연마되도록 연마지석(21)을 승강시켜 실시간으로 변위시키는 것이다.
따라서 반도체 패키지(100)가 편평하게 흡착되어 있지 않더라도 균일한 두께로 연마하는 것이 가능해진다(도 8 참조).
한편, 연마지석(21)의 폭이 반도체 패키지의 폭보다 작은 경우, 반도체 패키지(100)를 연마지석(21)의 폭에 따라 복수번 나누어 연마할 수 있다. 이 경우, 연마지석(21)과 반도체 패키지(100)가 접촉되는 가장자리에 무리한 집중하중이 가해져 반도체 패키지(100)가 손상될 수 있는 문제가 있다. 특히, 형태가 변형된 반도체 패키지(100)를 연마할 때, 변형된 곳에서 연마지석(21)에서 가해지는 무리한 집중하중 때문에 손상되기도 한다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 연마지석의 폭(t5)은 상기 반도체 패키지의 폭(t6)보다 더 큰 것을 알 수 있다(t5>t6). 이와 같이 구성함으로써, 반도체 패키지(100)의 전체 면적을 동시에 연마할 수 있는 것이다. 이렇게 반도체 패키지(100)의 전체 면적을 동시에 연마함으로써, 반도체 패키지(100)의 변형된 곳 또는 연마지석(21)의 지석폭 끝부분에서 발생되는 무리한 집중하중이 가해지는 것을 방지할 수 있고, 그로 인해 반도체 패키지(100)의 손상을 방지할 수 있는 것이다.
본 실시예에서는 인쇄회로기판 상에 반도체칩이 실장된 반도체 패키지를 슬리밍하는 장치 및 방법을 설명하였으나, 본 발명에 의한 슬리밍장치 및 방법은 반도체칩이 리드프레임상에 실장된 반도체 패키지의 슬리밍에도 동일하게 적용할 수 있는 것은 당연하다.
1: 슬리밍장치 10: 테이블
11: 진공홈 12: 진공홀
20: 연마수단 21: 연마지석
22: 스핀들 30: 이송수단
41: 센서
11: 진공홈 12: 진공홀
20: 연마수단 21: 연마지석
22: 스핀들 30: 이송수단
41: 센서
Claims (8)
- 반도체 패키지를 슬림화하는 장치에 있어서,
상기 반도체 패키지가 진공흡착되는 테이블;
상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지를 연마하는 연마지석; 및
상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지의 높이에 대응하여 상기 연마지석을 변위시키는 제어수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍장치.
- 제1항에 있어서,
상기 제어수단은,
상기 연마지석의 전측에 구비되어 상기 반도체 패키지의 높이를 실시간으로 측정하는 센서; 및
상기 센서의 측정결과에 따라 상기 연마지석을 변위시키는 구동부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍장치.
- 제2항에 있어서,
상기 구동부는 에어실린더 또는 모터인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍장치.
- 제1항에 있어서,
상기 연마지석 또는 테이블을 상대이동시키는 수평이동수단이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 슬리밍장치.
- 제1항에 있어서,
상기 연마지석은 상기 반도체 패키지의 몰딩면을 연마하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍장치.
- 반도체 패키지를 슬림화하는 방법에 있어서,
1) 상기 반도체 패키지를 테이블에 흡착하는 단계;
2) 상기 테이블 또는 연마지석을 상대적으로 수평이동시키는 단계;
3) 상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지의 높이를 실시간으로 측정하는 단계;
4) 상기 센서의 측정결과에 따라 상기 연마지석을 승강하여 실시간으로 변위시키는 단계; 및
5) 상기 반도체 패키지를 연마하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍방법.
- 제6항에 있어서,
상기 5)단계는,
상기 반도체 패키지의 몰딩면을 연마하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍방법.
- 제6항에 있어서,
상기 5)단계는,
상기 반도체 패키지가 안착된 테이블을 수평운동하면서 연마하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍방법.
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Legal Events
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E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
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J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20140407 Effective date: 20141021 Free format text: TRIAL NUMBER: 2014101002095; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20140407 Effective date: 20141021 |
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S901 | Examination by remand of revocation | ||
GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |