KR20130101760A - Shift register and display device using the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A shift register and a display device using the same increase the reliability of the shift register by preventing the degradation of the device characteristics of a thin film transistor (TFT) and the shift of a threshold voltage. CONSTITUTION: A Q node voltage control unit (111) charges a Q node in response to a start signal or a front-end carry signal and discharges the Q node in response to a first logic level voltage of a QB node. A QB node voltage control unit (112) discharges the QB node in response to the start signal or the front-end carry signal and charges the QB node in response to a clock inputted through a reset terminal and a first logic level voltage of a first node. An output unit (114) connects an output node to one of the second logic level voltage terminals receiving a second logic level voltage according to the voltage of the Q node and the QB node.

Description

쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치{SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}

본 발명은 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a shift register and a display device using the same.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)이 개발 및 시판되고 있다. 예를 들어, 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광다이오드 표시장치(OLED: Organic Light Emitting Diode)와 같은 여러가지 평판표시장치가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. Accordingly, a variety of flat panel displays (FPDs) have been developed and marketed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. For example, various flat panel displays such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting diode (OLED) display are utilized.

표시장치는 표시패널의 게이트 라인들에 스캔 신호를 공급하는 게이트 구동회로와 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동회로를 이용하여 영상을 표시한다. 게이트 구동회로는 다수의 게이트 드라이브 집적회로(Integrated Circuit)를 실장한 인쇄회로보드(Printed Circuit Board)를 표시패널에 부착하는 TAB(Tape Automated Bonding) 방식, 또는 게이트 드라이브 직접회로를 표시패널에 직접 형성하는 GIP(Gate Drive IC in Panel) 방식으로 형성될 수 있다. GIP 방식은 TAB 방식에 비해, 표시장치의 슬림화가 가능하므로 외적 미관을 높일 수 있을 뿐만 아니라, 비용 절감이 가능하며, 화소의 구동 TFT(Thin Film Transistor)의 문턱전압을 보상하기 위한 다수의 스캔 신호들을 표시패널 메이커(Maker)가 직접 설계할 수 있는 장점이 있다. 따라서, 최근에 게이트 구동회로는 TAB 방식보다 GIP 방식으로 형성되고 있다.The display device displays an image using a gate drive circuit for supplying a scan signal to the gate lines of the display panel and a data drive circuit for supplying a data voltage to the data lines. The gate driving circuit directly forms a TAB (Tape Automated Bonding) method for attaching a printed circuit board on which a plurality of gate drive integrated circuits are mounted to a display panel or a gate drive integrated circuit directly on the display panel. The gate drive IC in panel (GIP) can be formed. Compared to the TAB method, the GIP method enables a slimmer display device, which not only increases external aesthetics, but also reduces costs, and provides a plurality of scan signals for compensating the threshold voltage of a driving TFT (thin film transistor) of a pixel. There is an advantage that the display panel maker (Maker) can directly design them. Therefore, recently, the gate drive circuit is formed by the GIP method rather than the TAB method.

GIP 방식의 경우, 게이트 구동회로의 쉬프트 레지스터(Shift Register)는 종속적(cascade)으로 접속되어 스캔 신호를 순차적으로 발생하는 스테이지들을 구비한다. 스테이지들 각각은 풀-업 TFT와 풀-다운 TFT를 제어함으로써 스캔 신호를 발생한다. 풀-업 TFT는 게이트 전극에 접속된 Q 노드의 전압에 따라 턴-온 또는 턴-오프되고, 풀-다운 TFT는 게이트 전극에 접속된 QB 노드의 전압에 따라 턴-온 또는 턴-오프된다.In the GIP method, a shift register of a gate driving circuit includes stages that are cascade-connected to sequentially generate scan signals. Each of the stages generates a scan signal by controlling the pull-up TFT and the pull-down TFT. The pull-up TFT is turned on or turned off in accordance with the voltage of the Q node connected to the gate electrode, and the pull-down TFT is turned on or turned off in accordance with the voltage of the QB node connected to the gate electrode.

한편, 스테이지들 각각이 신뢰성(reliability) 높게 구동되기 위해서는 Q 노드와 QB 노드의 전압이 안정화되어야 한다. 스테이지들 각각은 Q 노드와 QB 노드의 전압을 제어하기 위한 다수의 TFT를 포함하며, Q 노드와 QB 노드의 전압을 제어하기 위해 다수의 TFT 중 일부 TFT는 직류 전압원에 접속된다. 하지만, TFT에 장기간 동안 직류 전압이 인가될 경우, TFT는 직류 스트레스(DC stress)로 인해 소자 특성이 열화되거나 문턱전압(threshold voltage)이 쉬프트되는 문제가 발생할 수 있다. 특히, Q 노드의 전압을 제어하는 TFT는 스테이지의 출력과 직접적인 관계가 있으므로, Q 노드의 전압을 제어하는 TFT의 직류 스트레스를 해소해줄 필요가 있다.
Meanwhile, in order for each of the stages to be driven with high reliability, the voltages of the Q node and the QB node must be stabilized. Each of the stages includes a plurality of TFTs for controlling the voltages of the Q node and the QB node, and some of the TFTs of the plurality of TFTs are connected to the DC voltage source to control the voltages of the Q node and the QB node. However, when a DC voltage is applied to the TFT for a long time, the TFT may have a problem of deterioration of device characteristics or shift of a threshold voltage due to DC stress. In particular, since the TFT controlling the voltage of the Q node has a direct relationship with the output of the stage, it is necessary to solve the DC stress of the TFT controlling the voltage of the Q node.

본 발명은 신뢰성을 높일 수 있는 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치를 제공한다.
The present invention provides a shift register that can increase reliability and a display device using the same.

본 발명의 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터는 순차적으로 위상이 지연되는 i(i는 2 이상의 자연수)상 클럭들을 입력받아 순차적으로 출력을 발생하는 다수의 스테이지를 구비하고, 상기 스테이지는, 스타트 단자를 통해 입력되는 스타트 신호 또는 전단 캐리신호에 응답하여 상기 Q 노드를 충전하며, QB 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 Q 노드를 방전시키는 Q 노드 전압 제어부; 상기 스타트 단자를 통해 입력되는 스타트 신호 또는 전단 캐리신호에 응답하여 상기 QB 노드를 방전하며, 리셋 단자를 통해 입력되는 클럭과 제1 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 QB 노드를 충전시키는 QB 노드 전압 제어부; 및 상기 Q 노드와 QB 노드의 전압에 따라 출력 노드를 클럭 단자 및 제2 로직 레벨 전압이 공급되는 제2 로직 레벨 전압 단자 중 어느 하나에 접속시키는 출력부를 포함하고, 상기 Q 노드 전압 제어부는, 상기 QB 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 Q 노드와 출력 노드를 접속시켜 상기 Q 노드를 방전시키는 것을 특징으로 한다.The shift register according to an embodiment of the present invention includes a plurality of stages that sequentially receive a phase (i is a natural number of two or more) phase clocks of which phase is sequentially delayed, and sequentially generate outputs. A Q node voltage controller configured to charge the Q node in response to an input start signal or a front carry signal and discharge the Q node in response to a first logic level voltage of the QB node; A QB node that discharges the QB node in response to a start signal or a front carry signal input through the start terminal, and charges the QB node in response to a clock input through a reset terminal and a first logic level voltage of a first node Node voltage controller; And an output unit configured to connect an output node to any one of a clock terminal and a second logic level voltage terminal supplied with a second logic level voltage according to the voltages of the Q node and the QB node. The Q node is discharged by connecting the Q node and the output node in response to the first logic level voltage of the QB node.

본 발명의 실시 예에 따른 표시장치는 데이터 라인들과 게이트 라인들이 형성된 표시패널; 입력되는 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들에 공급하는 데이터 구동회로; 및 상기 데이터 라인들에 동기되는 게이트 펄스를 상기 게이트 라인들에 순차적으로 출력하는 쉬프트 레지스터를 포함한 게이트 구동회로를 구비하고, 상기 쉬프트 레지스터는 순차적으로 위상이 지연되는 i(i는 2 이상의 자연수)상 클럭들을 입력받아 순차적으로 출력을 발생하는 다수의 스테이지를 구비하며, 상기 스테이지는, 스타트 단자를 통해 입력되는 스타트 신호 또는 전단 캐리신호에 응답하여 상기 Q 노드를 충전하며, QB 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 Q 노드를 방전시키는 Q 노드 전압 제어부; 상기 스타트 단자를 통해 입력되는 스타트 신호 또는 전단 캐리신호에 응답하여 상기 QB 노드를 방전하며, 리셋 단자를 통해 입력되는 클럭과 제1 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 QB 노드를 충전시키는 QB 노드 전압 제어부; 및 상기 Q 노드와 QB 노드의 전압에 따라 출력 노드를 클럭 단자 및 제2 로직 레벨 전압이 공급되는 제2 로직 레벨 전압 단자 중 어느 하나에 접속시키는 출력부를 포함하고, 상기 Q 노드 전압 제어부는, 상기 QB 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 Q 노드와 출력 노드를 접속시켜 상기 Q 노드를 방전시키는 것을 특징으로 한다.
According to an exemplary embodiment of the present invention, a display device includes: a display panel on which data lines and gate lines are formed; A data driving circuit converting input digital video data into an analog data voltage and supplying the converted digital video data to the data lines; And a gate driving circuit including a shift register configured to sequentially output gate pulses synchronized with the data lines to the gate lines, wherein the shift register has an i (i is a natural number of two or more) in which the phase is sequentially delayed. A plurality of stages that receive clocks and sequentially generate outputs, wherein the stages charge the Q node in response to a start signal or a front carry signal input through a start terminal, and the first logic level of the QB node; A Q node voltage controller configured to discharge the Q node in response to a voltage; A QB node that discharges the QB node in response to a start signal or a front carry signal input through the start terminal, and charges the QB node in response to a clock input through a reset terminal and a first logic level voltage of a first node Node voltage controller; And an output unit configured to connect an output node to any one of a clock terminal and a second logic level voltage terminal supplied with a second logic level voltage according to the voltages of the Q node and the QB node. The Q node is discharged by connecting the Q node and the output node in response to the first logic level voltage of the QB node.

본 발명은 Q 노드의 방전을 제어하는 TFT를 직류 전압원이 아닌 스테이지의 출력 노드에 접속시킨다. 그 결과, 본 발명은 Q 노드의 방전을 제어하는 TFT가 직류 스트레스로부터 벗어나도록 할 수 있다. 이로 인해, 본 발명은 Q 노드의 방전을 제어하는 TFT의 소자 특성이 열화되거나 문턱전압이 쉬프트되는 문제를 해소할 수 있으므로, 쉬프트 레지스터의 신뢰성을 높일 수 있다. 또한, 본 발명은 Q 노드가 부트스트래핑되어 게이트 하이 전압보다 높은 전압으로 상승하는 시기에 Q 노드의 방전을 제어하는 TFT의 소스 전극과 드레인 전극 간의 전압 차를 줄일 수 있다.
The present invention connects the TFT controlling the discharge of the Q node to the output node of the stage rather than the direct current voltage source. As a result, the present invention can allow the TFT controlling the discharge of the Q node to be freed from the direct current stress. For this reason, the present invention can solve the problem that the device characteristics of the TFTs controlling the discharge of the Q node are deteriorated or the threshold voltage is shifted, thereby increasing the reliability of the shift register. In addition, the present invention can reduce the voltage difference between the source electrode and the drain electrode of the TFT controlling the discharge of the Q node when the Q node is bootstrapping and rises to a voltage higher than the gate high voltage.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터를 보여주는 블록도.
도 2는 도 1의 제k 스테이지의 회로 구성의 일 예를 보여주는 회로도.
도 3은 도 1의 제k 스테이지의 입력 및 출력 신호를 보여주는 파형도.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여주는 블록도.
1 is a block diagram illustrating a shift register according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an example of a circuit configuration of a k-th stage of FIG. 1. FIG.
3 is a waveform diagram illustrating input and output signals of a k-th stage of FIG. 1;
4 is a block diagram schematically illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. The component name used in the following description may be selected in consideration of easiness of specification, and may be different from the actual product name.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터를 보여주는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터(14)는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들(ST(1)~ST(n), n은 자연수로 스테이지의 개수)을 구비한다. 도 1에서는 설명의 편의를 제1 내지 제4 스테이지(ST(1)~ST(4))만을 예시하였다.1 is a block diagram illustrating a shift register according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the shift register 14 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of stages ST (1) to ST (n) where n is a natural number of stages. In FIG. 1, for convenience of explanation, only the first to fourth stages ST (1) to ST (4) are illustrated.

이하의 설명에서, "전단 스테이지"는 기준이 되는 스테이지의 상부에 위치하는 것을 말한다. 예컨대, 제k(1<k<n, k는 2 이상의 자연수) 스테이지(ST(k))를 기준으로, 전단 스테이지는 제1 스테이지(ST(1)) 내지 제k-1 스테이지(ST(k-1)) 중 어느 하나를 지시한다. "후단 스테이지"는 기준이 되는 스테이지의 하부에 위치하는 것을 말한다. 예컨대, 제k 스테이지(ST(k))를 기준으로, 후단 스테이지는 제k+1 스테이지(ST(k+1)) 내지 제k 스테이지(ST(n)) 중 어느 하나를 지시한다.In the following description, the "shear stage" refers to being located on top of the stage to be a reference. For example, based on the kth (1 <k <n, k is two or more natural numbers) stages ST (k), the front end stages are the first stage ST (1) to the k-1st stage (ST (k) -1)). The "back stage" refers to being located at the lower part of the stage used as a reference. For example, on the basis of the k-th stage ST (k), the trailing stage indicates any one of the (k + 1) th stages ST (k + 1) to k (n).

초기화 전압 라인(INIL)에는 초기화 전압이 인가되고, 스타트 신호 라인(VSTL)에는 스타트 신호(VST)가 인가된다. 스타트 신호(VST)는 1 프레임 기간의 초기에 한 번 발생한다. 또한, 제1 클럭 라인(CL1)에는 제1 클럭(CLK1)이 인가되고, 제2 클럭 라인(CL2)에는 제2 클럭(CLK2)이 인가된다. 또한, 제2 로직 레벨 전압 라인(미도시)에는 제2 로직 레벨 전압이 인가된다.The initialization voltage is applied to the initialization voltage line INIL, and the start signal VST is applied to the start signal line VSTL. The start signal VST occurs once at the beginning of one frame period. In addition, the first clock CLK1 is applied to the first clock line CL1, and the second clock CLK2 is applied to the second clock line CL2. In addition, a second logic level voltage is applied to the second logic level voltage line (not shown).

스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 초기화 단자(INI), 스타트 단자(START), 클럭 단자(CLK), 리셋 단자(RESET), 출력 단자(OUT), 및 제2 로직 레벨 전압 단자(미도시) 등을 구비한다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호에 응답하여 풀-업되고, 리셋 단자(RESET)를 통해 입력되는 클럭에 응답하여 풀-다운된다. 특히, 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 초기화 단자(INI)를 통해 입력되는 초기화 신호(INIS)에 응답하여 풀-업이 가능하도록 초기화된다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 클럭 단자(CLK)를 통해 입력되는 클럭과 동일한 펄스를 갖는 스캔 펄스를 출력 단자(OUT)를 통해 출력한다.Each of the stages ST (1) to ST (n) has an initialization terminal INI, a start terminal START, a clock terminal CLK, a reset terminal RESET, an output terminal OUT, and a second logic level. And a voltage terminal (not shown). Each of the stages ST (1) to ST (n) is pulled up in response to the start signal VST or the front carry signal input through the start terminal START, and is input through the reset terminal RESET. It pulls down in response to a clock. In particular, each of the stages ST (1) to ST (n) is initialized to enable pull-up in response to an initialization signal INIS input through the initialization terminal INI. Each of the stages ST (1) to ST (n) outputs a scan pulse having the same pulse as the clock inputted through the clock terminal CLK through the output terminal OUT.

스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 초기화 단자(INI)에는 초기화 신호(INIS)가 입력된다. 초기화 신호(INIS)는 1 프레임 기간의 액티브(active) 기간 동안 제1 로직 레벨 전압으로 발생하고, 버티컬 블랭크 기간(vertical blank interval) 동안 제2 로직 레벨 전압으로 발생한다. 1 프레임 기간은 액티브 기간과 버티컬 블랭크 기간으로 분할되며, 액티브 기간은 유효한 데이터 전압이 표시패널(10)의 화소들에 공급되는 기간이고, 버티컬 블랭크 기간은 휴지 기간이다.The initialization signal INIS is input to the initialization terminal INI of each of the stages ST (1) to ST (n). The initialization signal INIS is generated at the first logic level voltage during the active period of one frame period and is generated at the second logic level voltage during the vertical blank interval. One frame period is divided into an active period and a vertical blank period. The active period is a period in which a valid data voltage is supplied to the pixels of the display panel 10, and the vertical blank period is a rest period.

스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 스타트 단자(START)에는 스타트 신호(VST) 또는 전단 스테이지의 캐리신호가 입력된다. 예를 들어, 도 3과 같이 제1 스테이지(ST(1))의 스타트 단자(START)에는 스타트 신호 라인(VSTL)의 스타트 신호(VST)가 입력된다. 제k 스테이지들(ST(k)) 각각의 스타트 단자(START)에는 전단 스테이지의 캐리신호인 제k-1 스테이지(ST(k-1))의 출력(OUT(k-1)이 입력된다.The start signal VST or the carry signal of the previous stage is input to the start terminal START of each of the stages ST (1) to ST (n). For example, as shown in FIG. 3, the start signal VST of the start signal line VSTL is input to the start terminal START of the first stage ST (1). The output OUT (k-1) of the k-1st stage ST (k-1), which is a carry signal of the preceding stage, is input to the start terminal START of each of the kth stages ST (k).

스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 클럭 단자(CLK)에는 순차적으로 위상이 지연되는 i(i는 2 이상의 자연수)상 클럭들 중 어느 하나의 클럭이 입력된다. i상 클럭들은 도 3과 같이 2상 클럭들(CLK1, CLK2)로 구현될 수 있다. 본 발명의 실시 예에서는 설명의 편의를 위해 i상 클럭들이 2상 클럭들(CLK1, CLK2)로 구현된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 2상 클럭들(CLK1, CLK2)은 도 3과 같이 소정의 제1 기간마다 순차적으로 위상이 지연될 수 있다. 소정의 제1 기간은 대략 1 수평기간 내지 2 수평기간 내에서 적절하게 구현될 수 있다. 1 수평기간은 표시패널의 1 라인의 픽셀들에 데이터가 기입되는 1 라인 스캐닝 시간을 의미한다. 또한, 2상 클럭들(CLK1, CLK2)은 레벨 쉬프터(13)로부터 TTL 로직 레벨로 레벨 쉬프트되므로, 제1 및 제2 로직 레벨 전압 사이에서 스윙한다. 이하에서, 제1 로직 레벨 전압은 게이트 하이 전압(VGH)이고, 제2 로직 레벨 전압은 게이트 로우 전압(VGL)인 것을 중심으로 설명한다. 게이트 로우 전압(VGL)은 대략 -7V 내지 -15V로 설정될 수 있고, 게이트 하이 전압(VGH)은 대략 15V 내지 30V로 설정될 수 있다. 또한, 2상 클럭들(CLK1, CLK2)는 소정의 제2 기간 동안 중첩되게 구현될 수 있다.The clock terminal CLK of each of the stages ST (1) to ST (n) receives a clock of any one of phase clocks of i (i is a natural number of two or more) whose phase is sequentially delayed. The i-phase clocks may be implemented as two-phase clocks CLK1 and CLK2 as shown in FIG. 3. In the embodiment of the present disclosure, for convenience of description, the i-phase clocks have been described as being implemented with the two-phase clocks CLK1 and CLK2, but the present invention is not limited thereto. As shown in FIG. 3, the two-phase clocks CLK1 and CLK2 may be sequentially delayed in every predetermined first period. The predetermined first period may be appropriately implemented within approximately one horizontal period to two horizontal periods. One horizontal period means one line scanning time in which data is written in one line of pixels of the display panel. In addition, the two-phase clocks CLK1 and CLK2 are level shifted from the level shifter 13 to the TTL logic level, thereby swinging between the first and second logic level voltages. In the following description, the first logic level voltage is the gate high voltage VGH and the second logic level voltage is the gate low voltage VGL. The gate low voltage VGL may be set to approximately −7V to −15V, and the gate high voltage VGH may be set to approximately 15V to 30V. In addition, the two-phase clocks CLK1 and CLK2 may be implemented to overlap each other for a predetermined second period.

스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 리셋 단자(RESET)에는 클럭 신호 중 어느 하나가 입력된다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 리셋 단자(RESET)에 입력되는 클럭 신호는 i상 클럭들 중 어느 하나의 클럭이 입력된다. 예를 들어, 도 3과 같이 제1 스테이지(ST(1))의 리셋 단자(RESET)에는 제2 클럭(CLK2)이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 리셋 단자(RESET)에는 제1 클럭(CLK1)이 입력된다. 한편, 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 리셋 단자(RESET)에 입력되는 클럭은 클럭 단자(CLK)에 입력되는 클럭보다 적어도 한 상 이상이 위상이 지연된 클럭임에 유의하여야 한다.One of a clock signal is input to the reset terminal RESET of each of the stages ST (1) to ST (n). The clock signal input to the reset terminal RESET of each of the stages ST (1) to ST (n) is input with one of the i-phase clocks. For example, as shown in FIG. 3, the second clock CLK2 is input to the reset terminal RESET of the first stage ST (1), and is reset to the reset terminal RESET of the second stage ST (2). The first clock CLK1 is input. Meanwhile, it should be noted that the clock inputted to the reset terminal RESET of each of the stages ST (1) to ST (n) is a clock whose phase is delayed by at least one phase or more than the clock input to the clock terminal CLK. do.

스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 1 개의 출력 단자(OUT)를 구비한다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 출력(OUT(1)~OUT(n))은 표시패널(10)의 게이트 라인(또는 스캔 라인)들에 스캔 신호(SP(1)~SP(n))로 출력됨과 동시에, 후단 스테이지의 스타트 단자(START)에 캐리신호로서 입력된다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 종속적으로 접속되므로, 제1 스테이지(ST(1))에 스타트 전압이 공급되는 경우에만 제1 스테이지(ST(1))부터 제n 스테이지(ST(n))까지 순차적으로 출력이 발생한다.
Each of the stages ST (1) to ST (n) has one output terminal OUT. The outputs OUT (1) to OUT (n) of each of the stages ST (1) to ST (n) have scan signals SP (1) applied to gate lines (or scan lines) of the display panel 10. The signal is outputted to ˜SP (n) and input as a carry signal to the start terminal START of the rear stage. Since each of the stages ST (1) to ST (n) is cascaded, the first stage ST (1) to the nth stage only when the start voltage is supplied to the first stage ST (1). The output occurs sequentially until (ST (n)).

도 2는 도 1의 제k 스테이지의 회로 구성의 일 예를 보여주는 회로도이다. 도 2를 참조하면, 제k 스테이지(ST(k))는 Q 노드(Q)의 충방전을 제어하는 Q 노드 전압 제어부(111), QB 노드(QB)의 충방전을 제어하는 QB 노드 전압 제어부(112), 제1 노드(N1)의 충방전을 제어하는 제1 노드 전압 제어부(113), Q 노드 및 QB 노드(Q, QB)의 전압에 따라 클럭 단자(CLK)를 통해 입력되는 클럭을 출력하는 출력부(114), Q 노드(Q)의 충전과 QB 노드(QB)의 방전을 위해 초기화되는 초기화부(115), 및 제1 내지 제4 캐패시터(C1, C2, C3, C4)를 구비한다.FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an example of a circuit configuration of a k-th stage of FIG. 1. Referring to FIG. 2, the k-th stage ST (k) includes a Q node voltage controller 111 for controlling charge and discharge of the Q node Q, and a QB node voltage controller for controlling charge and discharge of the QB node QB. (112), a clock input through the clock terminal CLK according to the voltages of the first node voltage control unit 113, the Q node, and the QB nodes Q and QB, which control charging and discharging of the first node N1. The output unit 114 for outputting, the initialization unit 115 initialized for charging the Q node Q and discharging the QB node QB, and the first to fourth capacitors C1, C2, C3, and C4. Equipped.

Q 노드 전압 제어부(111)는 초기화 단자(INI)와 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 신호에 응답하여 Q 노드(Q)를 충전하고, 리셋 단자(RESET)를 통해 입력되는 신호에 응답하여 Q 노드(Q)를 방전한다. Q 노드 전압 제어부(111)는 제1 및 제2 TFT(Thin Film Transistor)(T1, T2)를 포함한다. The Q node voltage controller 111 charges the Q node Q in response to a signal input through the initialization terminal INI and the start terminal START, and Q in response to a signal input through the reset terminal RESET. The node Q is discharged. The Q node voltage controller 111 includes first and second thin film transistors (T1, T2).

제1 TFT(T1)는 Q 노드(Q)의 충전을 제어하는 역할을 한다. 제1 TFT(T1)는 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호에 응답하여 Q 노드(Q)를 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전시킨다. 제1 TFT(T1)와 Q 노드(Q) 사이에는 Q 노드(Q)의 충전을 초기화하기 위해 제8 TFT(T8)가 접속될 수 있다. 제1 TFT(T1)의 게이트 전극과 드레인 전극은 스타트 단자(START)에 접속되고, 소스 전극은 제8 TFT(T8)의 드레인 전극에 접속된다. 제2 TFT(T2)는 Q 노드(Q)의 방전을 제어하는 역할을 한다.The first TFT T1 serves to control the charging of the Q node Q. The first TFT T1 charges the Q node Q to the gate high voltage VGH in response to the start signal VST or the front carry signal input through the start terminal START. An eighth TFT T8 may be connected between the first TFT T1 and the Q node Q to initialize the charging of the Q node Q. FIG. The gate electrode and the drain electrode of the first TFT T1 are connected to the start terminal START, and the source electrode is connected to the drain electrode of the eighth TFT T8. The second TFT T2 serves to control the discharge of the Q node Q.

제2 TFT(T2)는 QB 노드(QB)의 게이트 하이 전압(VGH)에 응답하여 Q 노드(Q)를 방전시킨다. 제2 TFT(T2)의 게이트 전극은 QB 노드(QB)에 접속되고, 소스 전극은 출력 노드(NO)에 접속되며, 드레인 전극은 Q 노드(Q)에 접속된다.The second TFT T2 discharges the Q node Q in response to the gate high voltage VGH of the QB node QB. The gate electrode of the second TFT T2 is connected to the QB node QB, the source electrode is connected to the output node NO, and the drain electrode is connected to the Q node Q.

QB 노드 전압 제어부(112)는 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 신호에 응답하여 QB 노드(QB)를 방전하고 리셋 단자(RESET)를 통해 입력되는 신호에 응답하여 QB 노드(QB)를 충전한다. QB 노드 전압 제어부(112)는 제3 내지 제5 TFT(T3, T4, T5)를 포함한다.The QB node voltage controller 112 discharges the QB node QB in response to the signal input through the start terminal START and charges the QB node QB in response to the signal input through the reset terminal RESET. . The QB node voltage controller 112 includes third to fifth TFTs T3, T4, and T5.

제3 TFT(T3)는 QB 노드(QB)의 방전을 제어하는 역할을 한다. 제3 TFT(T3)는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호에 응답하여 QB 노드(QB)를 게이트 로우 전압 단자(VGLT)에 접속시킨다. 이로 인해, QB 노드(QB)는 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전된다. 제3 TFT(T3)와 스타트 단자(START) 사이에는 QB 노드(QB)의 방전을 초기화하기 위해 제9 TFT(T9)가 접속될 수 있다. 제3 TFT(T3)의 게이트 전극은 제9 TFT(T9)의 소스 전극에 접속되고, 소스 전극은 게이트 로우 전압 단자(VGLT)에 접속되며, 드레인 전극은 QB 노드(QB)에 접속된다.The third TFT T3 serves to control the discharge of the QB node QB. The third TFT T3 connects the QB node QB to the gate low voltage terminal VGLT in response to the start signal VST or the front carry signal. As a result, the QB node QB is discharged to the gate low voltage VGL. A ninth TFT T9 may be connected between the third TFT T3 and the start terminal START to initialize the discharge of the QB node QB. The gate electrode of the third TFT T3 is connected to the source electrode of the ninth TFT T9, the source electrode is connected to the gate low voltage terminal VGLT, and the drain electrode is connected to the QB node QB.

제4 및 제5 TFT(T4, T5)는 QB 노드(QB)의 방전을 제어하는 역할을 한다. 제4 TFT(T4)는 리셋 단자(RESET)를 통해 입력되는 i상 클럭들 중 어느 하나의 클럭에 응답하여 QB 노드(QB)와 리셋 단자(RESET)를 접속시킨다. 리셋 단자(RESET)를 통해 게이트 하이 전압(VGH)의 클럭이 인가되는 경우 QB 노드(QB)는 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전된다. 제4 TFT(T4)의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에는 제5 TFT(T5)가 접속될 수 있다. 제4 TFT(T4)의 게이트 전극은 리셋 단자(RESET)에 접속되고, 소스 전극은 QB 노드(QB)에 접속되며, 드레인 전극은 제5 TFT(T5)의 소스 전극에 접속된다. 제5 TFT(T5)는 제1 노드(N1)의 게이트 하이 전압(VGH)에 응답하여 제4 TFT(T4)의 게이트 전극과 소스 전극을 접속시킨다. 제5 TFT(T5)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 소스 전극은 제4 TFT(T4)의 드레인 전극에 접속되며, 드레인 전극은 제4 TFT(T4)의 게이트 전극에 접속된다. 그러므로, 제4 및 제5 TFT(T4, T5)가 모두 턴-온되어야 QB 노드(QB)는 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전된다.The fourth and fifth TFTs T4 and T5 serve to control the discharge of the QB node QB. The fourth TFT T4 connects the QB node QB and the reset terminal RESET in response to one of the i-phase clocks input through the reset terminal RESET. When the clock of the gate high voltage VGH is applied through the reset terminal RESET, the QB node QB is charged to the gate high voltage VGH. The fifth TFT T5 may be connected between the gate electrode and the drain electrode of the fourth TFT T4. The gate electrode of the fourth TFT T4 is connected to the reset terminal RESET, the source electrode is connected to the QB node QB, and the drain electrode is connected to the source electrode of the fifth TFT T5. The fifth TFT T5 connects the gate electrode and the source electrode of the fourth TFT T4 in response to the gate high voltage VGH of the first node N1. The gate electrode of the fifth TFT T5 is connected to the first node N1, the source electrode is connected to the drain electrode of the fourth TFT T4, and the drain electrode is connected to the gate electrode of the fourth TFT T4. do. Therefore, the QB node QB is charged to the gate high voltage VGH only when the fourth and fifth TFTs T4 and T5 are turned on.

제1 노드(N1) 전압 제어부(113)는 클럭 단자(CLK)를 통해 입력되는 클럭에 응답하여 제1 노드(N1)를 충전하고, 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호에 응답하여 제1 노드(N1)를 방전한다. 제1 노드 전압 제어부(113)는 제6 및 제7 TFT(T6, T7)를 포함한다.The first node N1 voltage controller 113 charges the first node N1 in response to a clock input through the clock terminal CLK, and starts the start signal VST or the input signal through the start terminal START. The first node N1 is discharged in response to the front carry signal. The first node voltage controller 113 includes sixth and seventh TFTs T6 and T7.

제6 TFT(T6)는 제1 노드(N1)의 충전을 제어하는 역할을 한다. 제6 TFT(T6)는 클럭 단자(CLK)를 통해 입력되는 클럭에 응답하여 제1 노드(N1)를 클럭 단자(CLK)에 접속시킨다. 제6 TFT(T6)의 게이트 전극과 드레인 전극은 클럭 단자(CLK)에 접속되고, 소스 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. The sixth TFT T6 serves to control the charging of the first node N1. The sixth TFT T6 connects the first node N1 to the clock terminal CLK in response to a clock input through the clock terminal CLK. The gate electrode and the drain electrode of the sixth TFT T6 are connected to the clock terminal CLK, and the source electrode is connected to the first node N1.

제7 TFT(T7)는 제1 노드(N1)의 방전을 제어하는 역할을 한다. 제7 TFT(T7)는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호에 응답하여 제1 노드(N1)를 게이트 로우 전압 단자(VGLT)에 접속시킨다. 이로 인해, 제1 노드(N1)는 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전된다. 제7 TFT(T7)와 스타트 단자(START) 사이에는 제9 TFT(T9)가 접속될 수 있다. 제7 TFT(T7)의 게이트 전극은 제9 TFT(T9)의 소스 전극에 접속되고, 소스 전극은 게이트 로우 전압 단자(VGLT)에 접속되며, 드레인 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다.The seventh TFT T7 serves to control the discharge of the first node N1. The seventh TFT T7 connects the first node N1 to the gate low voltage terminal VGLT in response to the start signal VST or the front carry signal. As a result, the first node N1 is discharged to the gate low voltage VGL. A ninth TFT T9 may be connected between the seventh TFT T7 and the start terminal START. The gate electrode of the seventh TFT T7 is connected to the source electrode of the ninth TFT T9, the source electrode is connected to the gate low voltage terminal VGLT, and the drain electrode is connected to the first node N1.

출력부(114)는 Q 노드(Q)와 QB 노드(QB)의 전압에 따라 출력 단자(OUT)를 클럭 단자(CLK) 또는 게이트 로우 전압 단자(VGLT)에 접속시킨다. 출력부(114)는 풀-업 TFT(TU)와 풀-다운 TFT(TD)를 포함한다.The output unit 114 connects the output terminal OUT to the clock terminal CLK or the gate low voltage terminal VGLT according to the voltages of the Q node Q and the QB node QB. The output section 114 includes a pull-up TFT (TU) and a pull-down TFT (TD).

풀-업 TFT(TU)는 Q 노드의 게이트 하이 전압(VGH)에 응답하여 클럭 단자(CLK)를 출력 노드(NO)에 접속시킨다. 이로 인해, 클럭 단자(CLK)를 통해 입력되는 클럭은 출력 단자(OUT)로 출력된다. 풀-업 TFT(TU)의 게이트 전극은 Q 노드(Q)에 접속되고, 소스 전극은 출력 노드(NO)에 접속되며, 드레인 전극은 클럭 단자(CLK)에 접속된다.The pull-up TFT TU connects the clock terminal CLK to the output node NO in response to the gate high voltage VGH of the Q node. For this reason, the clock input through the clock terminal CLK is output to the output terminal OUT. The gate electrode of the pull-up TFT TU is connected to the Q node Q, the source electrode is connected to the output node NO, and the drain electrode is connected to the clock terminal CLK.

풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 게이트 하이 전압(VGH)에 응답하여 게이트 로우 전압 단자(VGLT)를 출력 노드(NO)에 접속시킨다. 이로 인해, 게이트 로우 전압(VGL)이 출력 단자(OUT)로 출력된다. 풀-다운 TFT(TD)의 게이트 전극은 QB 노드(QB)에 접속되고, 소스 전극은 게이트 로우 전압 단자(VGLT)에 접속되며, 드레인 전극은 출력 노드(NO)에 접속된다.The pull-down TFT TD connects the gate low voltage terminal VGLT to the output node NO in response to the gate high voltage VGH of the QB node QB. As a result, the gate low voltage VGL is output to the output terminal OUT. The gate electrode of the pull-down TFT TD is connected to the QB node QB, the source electrode is connected to the gate low voltage terminal VGLT, and the drain electrode is connected to the output node NO.

초기화부(115)는 초기화 단자(INI)를 통해 입력되는 초기화 신호(INIS)에 응답하여 Q 노드(Q)가 충전될 수 있도록 제8 TFT(T8)를 턴-온시키고, QB 노드(QB)와 제1 노드(N1)가 방전될 수 있도록 제9 TFT(T9)를 턴-온시킨다. 초기화부(115)는 제8 및 제9 TFT(T8, T9)를 포함한다.The initialization unit 115 turns on the eighth TFT T8 so that the Q node Q can be charged in response to the initialization signal INIS input through the initialization terminal INI, and the QB node QB. And the ninth TFT T9 are turned on so that the first node N1 can be discharged. The initialization unit 115 includes eighth and ninth TFTs T8 and T9.

제8 TFT(T8)는 Q 노드(Q) 충전을 위해 초기화를 제어한다. 제8 TFT(T8)는 초기화 단자(INI)를 통해 입력되는 초기화 신호(INIS)에 응답하여 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호를 Q 노드(Q)에 공급한다. 제8 TFT(T8)의 게이트 전극은 초기화 단자(INI)에 접속되고, 소스 전극은 Q 노드(Q)에 접속되며, 드레인 전극은 제1 TFT(T1)의 소스 전극에 접속된다. The eighth TFT T8 controls the initialization for the Q node Q charging. The eighth TFT T8 supplies the start node VST or the front carry signal input through the start terminal START to the Q node Q in response to the initialization signal INIS input through the initialization terminal INI. do. The gate electrode of the eighth TFT T8 is connected to the initialization terminal INI, the source electrode is connected to the Q node Q, and the drain electrode is connected to the source electrode of the first TFT T1.

제9 TFT(T9)는 QB 노드(QB)와 제1 노드(N1) 방전을 위해 초기화를 제어한다. 제9 TFT(T9)는 초기화 단자(INI)를 통해 입력되는 초기화 신호(INIS)에 응답하여 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호를 제3 및 제7 TFT(T3, T7)의 게이트 전극에 공급한다. 제9 TFT(T9)의 게이트 전극은 초기화 단자(INI)에 접속되고, 소스 전극은 제3 및 제7 TFT(T3, T7)의 게이트 전극에 접속되며, 드레인 전극은 스타트 단자(START)에 접속된다. The ninth TFT T9 controls the initialization for discharging the QB node QB and the first node N1. The ninth TFT T9 receives the start signal VST or the front carry signal input through the start terminal START in response to the initialization signal INIS input through the initialization terminal INI. It supplies to the gate electrode of T3, T7. The gate electrode of the ninth TFT T9 is connected to the initialization terminal INI, the source electrode is connected to the gate electrodes of the third and seventh TFTs T3 and T7, and the drain electrode is connected to the start terminal START. do.

제1 캐패시터(C1)는 Q 노드(Q)와 출력 노드(NO) 사이에 접속된다. 제1 캐패시터(C1)는 클럭 단자(CLK)를 통해 게이트 하이 전압(VGH)의 클럭이 출력 노드(NO)에 입력되는 경우, 부트스트래핑(bootstrapping)으로 Q 노드(Q)의 전압을 더욱 상승시킨다. 제2 캐패시터(C2)는 QB 노드(QB)와 게이트 로우 전압 단자(VGLT) 사이에 접속되며, QB 노드(QB)의 전압을 일정하게 유지하는 역할을 한다. 제3 캐패시터(C3)는 Q 노드(Q)와 게이트 로우 전압 단자(VGLT) 사이에 접속되며, Q 노드(Q)의 전압을 일정하게 유지하는 역할을 한다. 제4 캐패시터(C4)는 제1 노드(N1)와 게이트 로우 전압 단자(VGLT) 사이에 접속되며, 제1 노드(N1)의 전압을 일정하게 유지하는 역할을 한다.The first capacitor C1 is connected between the Q node Q and the output node NO. When the clock of the gate high voltage VGH is input to the output node NO through the clock terminal CLK, the first capacitor C1 further increases the voltage of the Q node Q by bootstrapping. . The second capacitor C2 is connected between the QB node QB and the gate low voltage terminal VGLT, and serves to keep the voltage of the QB node QB constant. The third capacitor C3 is connected between the Q node Q and the gate low voltage terminal VGLT, and serves to keep the voltage of the Q node Q constant. The fourth capacitor C4 is connected between the first node N1 and the gate low voltage terminal VGLT, and serves to keep the voltage of the first node N1 constant.

제1 내지 제9 TFT(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8, T9)와, 풀-업 TFT(TU)와, 풀-다운 TFT(TD)의 반도체 층은 a-Si, Poly-Si, 산화물 반도체 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한, 도 2에서는 제1 내지 제9 TFT(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8, T9)와, 풀-업 TFT(TU)와, 풀-다운 TFT(TD)가 N 타입 MOS-FET으로 구현된 것을 중심으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않으며 P 타입 MOS-FET으로도 구현될 수 있다. 하지만, 제1 내지 제9 TFT(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8, T9)와, 풀-업 TFT(TU)와, 풀-다운 TFT(TD)가 P 타입 MOS-FET으로 구현되는 경우, P 타입 MOS-FET의 특성에 맞도록 도 3의 신호들은 수정되어야 할 것이다.
The semiconductor layers of the first through ninth TFTs (T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8, T9), pull-up TFT (TU), and pull-down TFT (TD) are a-Si. , Poly-Si, or oxide semiconductor. 2, the first through ninth TFTs (T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8, T9), pull-up TFT (TU), and pull-down TFT (TD) are N Although described with reference to the implementation of the type MOS-FET, the present invention is not limited thereto, and may also be implemented as a P-type MOS-FET. However, the first through ninth TFTs (T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8, T9), pull-up TFT (TU), and pull-down TFT (TD) are P-type MOS- If implemented in a FET, the signals of Figure 3 will have to be modified to suit the characteristics of the P-type MOS-FET.

도 3은 도 1의 제k 스테이지의 입력 및 출력 신호를 보여주는 파형도이다. 도 3에는 제k 스테이지(ST(k))의 스타트 단자(START)에 입력되는 스타트 신호(VST) 또는 제k-1 스테이지(ST(k-1))의 캐리신호가 나타나 있다. 또한, 도 3에는 2상 클럭들(CLK1, CLK2)과, 제k 스테이지(ST(k))로부터 출력되는 제k 출력 신호(OUT(k))가 나타나 있다. 또한, 도 3에는 제k 스테이지(ST(k))의 Q 노드(Q)의 전압(VQ), 및 QB 노드(QB)의 전압(VQB)이 나타나 있다.3 is a waveform diagram illustrating input and output signals of a k-th stage of FIG. 1. 3 shows a carry signal of the start signal VST or the k-1st stage ST (k-1) input to the start terminal START of the kth stage ST (k). 3 shows the two-phase clocks CLK1 and CLK2 and the k-th output signal OUT (k) output from the k-th stage ST (k). 3 shows the voltage VQ of the Q node Q of the k-th stage ST (k) and the voltage VQB of the QB node QB.

이하에서, 도 2 및 도 3을 참조하여 순방향 모드에서 제1 내지 제4 기간(t1, t2, t3, t4) 동안 제k 스테이지(ST(k))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제k 스테이지(ST(k))의 클럭 단자(CLK)에는 제1 클럭(CLK1)이 입력되고, 리셋 단자(RESET)에는 제2 클럭(CLK2)이 입력되는 것을 중심으로 설명한다. 또한, 제1 내지 제4 기간(t1, t2, t3, t4) 동안 초기화 단자(INI)에는 게이트 하이 전압(VGH)의 초기화 신호(INIS)가 입력되는 것을 중심으로 설명한다. 초기화 신호(INIS)는 도 1에서 설명한 바와 같이 액티브 기간 동안 게이트 하이 전압(VGH)으로 발생하고, 버티컬 블랭크 기간 동안 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생한다.Hereinafter, the operation of the k-th stage ST (k) during the first to fourth periods t1, t2, t3, and t4 in the forward mode will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3. The first clock CLK1 is input to the clock terminal CLK of the k-th stage ST (k), and the second clock CLK2 is input to the reset terminal RESET. In addition, a description will be given based on the input of the initialization signal INIS of the gate high voltage VGH to the initialization terminal INI during the first to fourth periods t1, t2, t3, and t4. As described with reference to FIG. 1, the initialization signal INIS is generated at the gate high voltage VGH during the active period and is generated at the gate low voltage VGL during the vertical blank period.

첫 번째로, 제1 기간(t1) 동안 스타트 단자(START)에는 게이트 하이 전압(VGH)의 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호인 제k-1 스테이지의 출력(OUT(k-1))이 입력되고, 클럭 단자(CLK)에는 게이트 로우 전압(VGL)의 제1 클럭(CLK1)이 입력되며, 리셋 단자(RESET)에는 게이트 하이 전압(VGH)의 제2 클럭(CLK2)이 입력된다.First, during the first period t1, the start terminal START outputs the start signal VST of the gate high voltage VGH or the output OUT (k-1) of the k-1 stage, which is a front carry signal. The first clock CLK1 of the gate low voltage VGL is input to the clock terminal CLK, and the second clock CLK2 of the gate high voltage VGH is input to the reset terminal RESET.

제8 및 제9 TFT(T8, T9)는 초기화 단자(INI)를 통해 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)의 초기화 신호(INIS)에 의해 턴-온된다. 제1, 제3, 및 제6 TFT(T1, T3, T6)는 스타트 단자(START)를 통해 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)의 스타트 신호(VST) 또는 제k-1 스테이지의 출력(OUT(k-1))에 의해 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 리셋 단자(RESET)를 통해 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)의 제2 클럭(CLK2)에 의해 턴-온된다. 제7 TFT(T7)는 클럭 단자(CLK)를 통해 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)의 제1 클럭(CLK1)에 의해 턴-오프된다.The eighth and ninth TFTs T8 and T9 are turned on by the initialization signal INIS of the gate high voltage VGH supplied through the initialization terminal INI. The first, third, and sixth TFTs T1, T3, and T6 are the start signal VST of the gate high voltage VGH supplied through the start terminal START, or the output OUT of the k-1 stage. k-1)). The fourth TFT T4 is turned on by the second clock CLK2 of the gate high voltage VGH supplied through the reset terminal RESET. The seventh TFT T7 is turned off by the first clock CLK1 of the gate low voltage VGL supplied through the clock terminal CLK.

제1 및 제8 TFT(T1, T8)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전된다. 제3 및 제9 TFT(T3, T9)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전된다. 제6 및 제9 TFT(T6, T9)의 턴-온과 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전된다. 제5 TFT(T5)는 제1 노드(N1)의 게이트 로우 전압(VGL)에 의해 턴-오프되므로, 제4 TFT(T4)의 게이트 전극과 드레인 전극은 접속이 차단된다.Due to the turn-on of the first and eighth TFTs T1 and T8, the Q node Q is charged to the gate high voltage VGH. Due to the turn-on of the third and ninth TFTs T3 and T9, the QB node QB is discharged to the gate low voltage VGL. Due to the turn-on of the sixth and ninth TFTs T6 and T9 and the turn-off of the seventh TFT T7, the first node N1 is discharged to the gate low voltage VGL. Since the fifth TFT T5 is turned off by the gate low voltage VGL of the first node N1, the gate electrode and the drain electrode of the fourth TFT T4 are disconnected.

풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 게이트 하이 전압(VGH)에 의해 턴-온되어 클럭 단자(CLK)와 출력 노드(NO)를 접속시킨다. 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 게이트 로우 전압(VGL)에 의해 턴-오프되어 게이트 로우 전압 단자(VGLT)와 출력 노드(NO) 간의 접속을 차단한다. 따라서, 제1 기간(t1) 동안 출력 노드(NO)에는 게이트 로우 전압(VGL)의 제1 클럭(CLK1)이 인가되므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력(OUT(1))은 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생한다.The pull-up TFT TU is turned on by the gate high voltage VGH of the Q node Q to connect the clock terminal CLK and the output node NO. The pull-down TFT TD is turned off by the gate low voltage VGL of the QB node QB to block the connection between the gate low voltage terminal VGLT and the output node NO. Accordingly, since the first clock CLK1 of the gate low voltage VGL is applied to the output node NO during the first period t1, the output OUT (1) of the first stage ST (1) is applied. It occurs at the gate low voltage VGL.

두 번째로, 제2 기간(t2) 동안 스타트 단자(START)에는 게이트 로우 전압(VGL)의 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호인 제k-1 스테이지의 출력(OUT(k-1))이 입력되고, 클럭 단자(CLK)에는 게이트 하이 전압(VGH)의 제1 클럭(CLK1)이 입력되며, 리셋 단자(RESET)에는 게이트 로우 전압(VGL)의 제2 클럭(CLK2)이 입력된다.Secondly, during the second period t2, the start terminal START has an output OUT (k-1) of the k-1 stage, which is the start signal VST of the gate low voltage VGL or the front carry signal. The first clock CLK1 of the gate high voltage VGH is input to the clock terminal CLK, and the second clock CLK2 of the gate low voltage VGL is input to the reset terminal RESET.

제8 및 제9 TFT(T8, T9)는 초기화 단자(INI)를 통해 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)의 초기화 신호(INIS)에 의해 턴-온된다. 제7 TFT(T7)는 클럭 단자(CLK)를 통해 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)의 제1 클럭(CLK1)에 의해 턴-온된다. 제1, 제3, 및 제6 TFT(T1, T3, T6)는 스타트 단자(START)를 통해 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)의 스타트 신호(VST) 또는 제k-1 스테이지의 출력(OUT(k-1))에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 리셋 단자(RESET)를 통해 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)의 제2 클럭(CLK2)에 의해 턴-오프된다.The eighth and ninth TFTs T8 and T9 are turned on by the initialization signal INIS of the gate high voltage VGH supplied through the initialization terminal INI. The seventh TFT T7 is turned on by the first clock CLK1 of the gate high voltage VGH supplied through the clock terminal CLK. The first, third, and sixth TFTs T1, T3, and T6 have a start signal VST of the gate low voltage VGL supplied through the start terminal START, or an output OUT of the k-1th stage. k-1)). The fourth TFT T4 is turned off by the second clock CLK2 of the gate low voltage VGL supplied through the reset terminal RESET.

제6 TFT(T6)의 턴-오프와 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전된다. 제5 TFT(T5)가 제1 노드(N1)의 게이트 하이 전압(VGH)에 의해 턴-온되므로, 제4 TFT(T4)의 게이트 전극과 드레인 전극은 접속된다. 제1 TFT(T1)의 턴-오프로 인해, Q 노드(Q)에는 더 이상 게이트 하이 전압(VGH)이 공급되지 않으나, Q 노드(Q)는 제3 캐패시터(C3)에 의해 게이트 하이 전압(VGH)을 유지한다. 제3 TFT(T3)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 더 이상 게이트 로우 전압(VGL)이 공급되지 않으나, QB 노드(QB)는 제2 캐패시터(C2)에 의해 게이트 로우 전압(VGL)을 유지한다.Due to the turn-off of the sixth TFT T6 and the turn-on of the seventh TFT T7, the first node N1 is charged to the gate high voltage VGH. Since the fifth TFT T5 is turned on by the gate high voltage VGH of the first node N1, the gate electrode and the drain electrode of the fourth TFT T4 are connected. Due to the turn-off of the first TFT T1, the gate high voltage VGH is no longer supplied to the Q node Q, but the Q node Q is connected to the gate high voltage by the third capacitor C3. VGH). Due to the turn-off of the third TFT T3, the gate low voltage VGL is no longer supplied to the QB node QB, but the QB node QB is connected to the gate low voltage by the second capacitor C2. VGL).

풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 게이트 하이 전압(VGH)에 의해 턴-온되어 클럭 단자(CLK)와 출력 노드(NO)를 접속시킨다. 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 게이트 로우 전압(VGL)에 의해 턴-오프되어 게이트 로우 전압 단자(VGLT)와 출력 노드(NO) 간의 접속을 차단한다. 따라서, 제2 기간(t2) 동안 제k 스테이지(ST(k))의 출력(OUT(k))은 게이트 하이 전압(VGH)으로 발생한다. 한편, 제2 기간(t2) 동안 출력 노드(NO)에는 게이트 하이 전압(VGH)의 제2 클럭(CLK2)이 인가되므로, Q 노드(Q)는 제1 캐패시터(C1)에 의해 부트스트래핑(bootstrapping)되어 게이트 하이 전압(VGH)보다 높은 레벨의 전압(VGH')으로 상승한다.The pull-up TFT TU is turned on by the gate high voltage VGH of the Q node Q to connect the clock terminal CLK and the output node NO. The pull-down TFT TD is turned off by the gate low voltage VGL of the QB node QB to block the connection between the gate low voltage terminal VGLT and the output node NO. Therefore, the output OUT (k) of the k-th stage ST (k) is generated at the gate high voltage VGH during the second period t2. Meanwhile, since the second clock CLK2 of the gate high voltage VGH is applied to the output node NO during the second period t2, the Q node Q is bootstrapping by the first capacitor C1. And rises to a voltage VGH 'at a level higher than the gate high voltage VGH.

세 번째로, 제3 기간(t3) 동안 스타트 단자(START)에는 게이트 로우 전압(VGL)의 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호인 제k-1 스테이지의 출력(OUT(k-1))이 입력되고, 클럭 단자(CLK)에는 게이트 로우 전압(VGL)의 제1 클럭(CLK1)이 입력되며, 리셋 단자(RESET)에는 게이트 하이 전압(VGH)의 제2 클럭(CLK2)이 입력된다.Third, the output terminal OUT (k-1) of the k-1 stage, which is the start signal VST of the gate low voltage VGL or the front carry signal, is applied to the start terminal START during the third period t3. The first clock CLK1 of the gate low voltage VGL is input to the clock terminal CLK, and the second clock CLK2 of the gate high voltage VGH is input to the reset terminal RESET.

제8 및 제9 TFT(T8, T9)는 초기화 단자(INI)를 통해 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)의 초기화 신호(INIS)에 의해 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 리셋 단자(RESET)를 통해 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)의 제2 클럭(CLK2)에 의해 턴-온된다. 제1, 제3, 및 제6 TFT(T1, T3, T6)는 스타트 단자(START)를 통해 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)의 스타트 신호(VST) 또는 제k-1 스테이지의 출력(OUT(k-1))에 의해 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)는 클럭 단자(CLK)를 통해 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)의 제1 클럭(CLK1)에 의해 턴-오프된다.The eighth and ninth TFTs T8 and T9 are turned on by the initialization signal INIS of the gate high voltage VGH supplied through the initialization terminal INI. The fourth TFT T4 is turned on by the second clock CLK2 of the gate high voltage VGH supplied through the reset terminal RESET. The first, third, and sixth TFTs T1, T3, and T6 have a start signal VST of the gate low voltage VGL supplied through the start terminal START, or an output OUT of the k-1th stage. k-1)). The seventh TFT T7 is turned off by the first clock CLK1 of the gate low voltage VGL supplied through the clock terminal CLK.

제6 및 제 7 TFT(T6, T7)가 턴-오프되므로, 제1 노드(N1)는 제4 캐패시터(C4)에 의해 게이트 하이 전압(VGH)을 유지한다. 제5 TFT(T5)가 제1 노드(N1)의 게이트 하이 전압(VGH)에 의해 턴-온되므로, 제4 TFT(T4)의 게이트 전극과 드레인 전극은 접속된다. 제4 및 제5 TFT(T4, T5)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전된다. Since the sixth and seventh TFTs T6 and T7 are turned off, the first node N1 maintains the gate high voltage VGH by the fourth capacitor C4. Since the fifth TFT T5 is turned on by the gate high voltage VGH of the first node N1, the gate electrode and the drain electrode of the fourth TFT T4 are connected. Due to the turn-on of the fourth and fifth TFTs T4 and T5, the QB node QB is charged to the gate high voltage VGH.

풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 게이트 하이 전압(VGH)에 의해 턴-온되어 게이트 로우 전압 단자(VGLT)와 출력 노드(NO)를 접속시킨다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전된다. 제2 TFT(T2)는 QB 노드(QB)의 게이트 하이 전압(VGH)에 의해 턴-온되어 Q 노드(Q)와 출력 노드(NO)를 접속시킨다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전된다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 게이트 로우 전압(VGL)에 의해 턴-오프되어 클럭 단자(CLK)와 출력 노드(NO) 간의 접속을 차단한다. 따라서, 제3 기간(t3) 동안 제k 스테이지(ST(k))의 출력(OUT(k))은 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생한다.The pull-down TFT TD is turned on by the gate high voltage VGH of the QB node QB to connect the gate low voltage terminal VGLT and the output node NO. Due to the turn-on of the pull-down TFT TD, the output node NO is discharged to the gate low voltage VGL. The second TFT T2 is turned on by the gate high voltage VGH of the QB node QB to connect the Q node Q and the output node NO. Due to the turn-on of the second TFT T2, the Q node Q is discharged to the gate low voltage VGL. The pull-up TFT TU is turned off by the gate low voltage VGL of the Q node Q to block the connection between the clock terminal CLK and the output node NO. Therefore, the output OUT (k) of the k-th stage ST (k) is generated as the gate low voltage VGL during the third period t3.

네 번째로, 제4 기간(t4) 동안 스타트 단자(START)에는 게이트 로우 전압(VGL)의 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호인 제k-1 스테이지의 출력(OUT(k-1))이 입력되고, 클럭 단자(CLK)에는 게이트 하이 전압(VGH)의 제1 클럭(CLK1)이 입력되며, 리셋 단자(RESET)에는 게이트 로우 전압(VGL)의 제2 클럭(CLK2)이 입력된다.Fourth, during the fourth period t4, the start terminal START has the start signal VST of the gate low voltage VGL or the output OUT (k-1) of the k-1 stage, which is the front carry signal. The first clock CLK1 of the gate high voltage VGH is input to the clock terminal CLK, and the second clock CLK2 of the gate low voltage VGL is input to the reset terminal RESET.

제8 및 제9 TFT(T8, T9)는 초기화 단자(INI)를 통해 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)의 초기화 신호(INIS)에 의해 턴-온된다. 제7 TFT(T7)는 클럭 단자(CLK)를 통해 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)의 제1 클럭(CLK1)에 의해 턴-온된다. 제1, 제3, 및 제6 TFT(T1, T3, T6)는 스타트 단자(START)를 통해 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)의 스타트 신호(VST) 또는 제k-1 스테이지의 출력(OUT(k-1))에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 리셋 단자(RESET)를 통해 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)의 제2 클럭(CLK2)에 의해 턴-오프된다.The eighth and ninth TFTs T8 and T9 are turned on by the initialization signal INIS of the gate high voltage VGH supplied through the initialization terminal INI. The seventh TFT T7 is turned on by the first clock CLK1 of the gate high voltage VGH supplied through the clock terminal CLK. The first, third, and sixth TFTs T1, T3, and T6 have a start signal VST of the gate low voltage VGL supplied through the start terminal START, or an output OUT of the k-1th stage. k-1)). The fourth TFT T4 is turned off by the second clock CLK2 of the gate low voltage VGL supplied through the reset terminal RESET.

제6 TFT(T6)의 턴-오프와 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전된다. 제5 TFT(T5)가 제1 노드(N1)의 게이트 하이 전압(VGH)에 의해 턴-온되므로, 제4 TFT(T4)의 게이트 전극과 드레인 전극은 접속된다. 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 더 이상 게이트 하이 전압(VGH)이 공급되지 않으나, QB 노드(QB)는 제2 캐패시터(C2)에 의해 게이트 하이 전압(VGH)을 유지한다. 제2 TFT(T2)는 QB 노드(QB)의 게이트 하이 전압(VGH)에 의해 턴-온을 유지하므로, Q 노드(Q)는 출력 노드(NO)와 접속을 유지한다.Due to the turn-off of the sixth TFT T6 and the turn-on of the seventh TFT T7, the first node N1 is charged to the gate high voltage VGH. Since the fifth TFT T5 is turned on by the gate high voltage VGH of the first node N1, the gate electrode and the drain electrode of the fourth TFT T4 are connected. Due to the turn-off of the fourth TFT T4, the gate high voltage VGH is no longer supplied to the QB node QB, but the QB node QB is connected to the gate high voltage by the second capacitor C2. VGH). Since the second TFT T2 is turned on by the gate high voltage VGH of the QB node QB, the Q node Q maintains a connection with the output node NO.

풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 게이트 하이 전압(VGH)에 의해 턴-온되어 게이트 로우 전압 단자(VGLT)와 출력 노드(NO)를 접속시킨다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 게이트 로우 전압(VGL)에 의해 턴-오프되어 클럭 단자(CLK)와 출력 노드(NO) 간의 접속을 차단한다. 따라서, 제4 기간(t4) 동안 제k 스테이지(ST(k))의 출력(OUT(k))은 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생한다.The pull-down TFT TD is turned on by the gate high voltage VGH of the QB node QB to connect the gate low voltage terminal VGLT and the output node NO. The pull-up TFT TU is turned off by the gate low voltage VGL of the Q node Q to block the connection between the clock terminal CLK and the output node NO. Accordingly, the output OUT (k) of the kth stage ST (k) is generated as the gate low voltage VGL during the fourth period t4.

나머지 액티브 기간 동안 제k 스테이지(ST(k))의 동작은 제3 및 제4 기간(t3, t4)에서 설명한 바와 같이 반복되므로, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.Since the operation of the k-th stage ST (k) is repeated as described in the third and fourth periods t3 and t4 during the remaining active period, the description thereof will be omitted.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 Q 노드의 방전을 제어하는 제2 TFT(T2)를 직류 전압원이 아닌 스테이지의 출력 노드(NO)에 접속시킨다. 특히, 제2 TFT(T2)는 게이트 로우 전압 단자(VGLT)에 접속된 풀-다운 TFT(TD)에 비해 소자 크기가 작게 형성되므로, 풀-다운 TFT(TD)보다 직류 스트레스(DC stress)에 민감하다. 따라서, 본 발명은 제2 TFT(T2)를 직류 스트레스로부터 벗어나도록 함으로써, TFT의 소자 특성이 열화되거나 문턱전압이 쉬프트되는 문제를 해소할 수 있으므로, 쉬프트 레지스터의 신뢰성을 높일 수 있다.As described above, the present invention connects the second TFT T2 for controlling the discharge of the Q node to the output node NO of the stage, not the DC voltage source. In particular, since the size of the second TFT T2 is smaller than that of the pull-down TFT TD connected to the gate low voltage terminal VGLT, the second TFT T2 is more resistant to DC stress than the pull-down TFT TD. be sensitive. Therefore, the present invention can solve the problem of deteriorating the device characteristics of the TFT or shifting the threshold voltage by removing the second TFT T2 from the direct current stress, thereby increasing the reliability of the shift register.

또한, 제2 TFT(T2)는 Q 노드(Q)에 접속되기 때문에, Q 노드의 부트스트래핑 영향으로 게이트 로우 전압 단자(VGLT)에 접속된 제3 및 제6 TFT(T3, T6)에 비해 소스 전극과 드레인 전극 간의 전압 차가 커질 수 있다. 이 경우, 제2 TFT(T2)는 소스 전극과 드레인 전극 간의 전압 차로 인해 게이트 절연막 또는 보호막 등이 파괴될 수 있다. 따라서, 본 발명은 Q 노드(Q)가 부트스트래핑으로 게이트 하이 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')으로 상승하는 때에 스테이지의 출력 노드(NO)로부터 게이트 하이 전압(VGH)이 인가되므로, 제2 TFT(T2)의 소스 전극과 드레인 전극 간의 전압 차를 줄일 수 있다.
Further, since the second TFT T2 is connected to the Q node Q, the source is compared with the third and sixth TFTs T3 and T6 connected to the gate low voltage terminal VGLT due to the bootstrapping effect of the Q node. The voltage difference between the electrode and the drain electrode can be large. In this case, the gate insulating film or the protective film may be destroyed in the second TFT T2 due to the voltage difference between the source electrode and the drain electrode. Therefore, since the gate high voltage VGH is applied from the output node NO of the stage when the Q node Q rises to the voltage VGH 'higher than the gate high voltage VGH by bootstrapping, The voltage difference between the source electrode and the drain electrode of the two TFTs T2 can be reduced.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여주는 블록도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동회로, 게이트 구동회로, 및 타이밍 콘트롤러(11) 등을 구비한다.4 is a block diagram schematically illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the display device according to the exemplary embodiment includes a display panel 10, a data driving circuit, a gate driving circuit, a timing controller 11, and the like.

본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)를 게이트 라인(또는 스캔 라인)들에 순차적으로 공급하여 라인 순차 스캐닝으로 픽셀들에 디지털 비디오 데이터를 기입하는 어떠한 표시장치도 포함될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode, OLED), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 전기영동 표시장치(Electrophoresis, EPD) 중에 어느 하나로 구현될 수 있다. 본 발명은 아래의 실시예에서 표시장치가 액정표시소자로 구현된 것을 중심으로 예시하였지만, 본 발명의 표시장치는 액정표시소자에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다. 액정표시장치는 투과형 액정표시장치, 반투과형 액정표시장치, 및 반사형 액정표시장치 등 어떠한 형태로도 구현될 수 있다. The display device according to an embodiment of the present invention may include any display device that sequentially supplies gate pulses (or scan pulses) to the gate lines (or scan lines) to write digital video data to the pixels by line sequential scanning. have. For example, a display device according to an embodiment of the present invention includes a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode display (OLED), and a field emission display (FED). The electrophoretic display device may be implemented as one of electrophoresis (EPD). Although the present invention has been exemplified in the following embodiments with the display device implemented as a liquid crystal display device, it should be noted that the display device of the present invention is not limited to the liquid crystal display device. The liquid crystal display may be implemented in any form, such as a transmissive liquid crystal display, a transflective liquid crystal display, and a reflective liquid crystal display.

표시패널(10)은 두 장의 기판 사이에 액정층이 형성된다. 표시패널(10)의 하부 기판에는 데이터 라인들, 데이터 라인들과 교차되는 게이트 라인들, 데이터 라인들과 게이트 라인들의 교차부마다 형성된 TFT, TFT에 접속되어 화소 전극과 공통전극 사이의 전계에 의해 구동되는 액정셀들, 및 스토리지 커패시터(storage capacitor) 등을 포함한 TFT 어레이가 형성된다. 표시패널(10)의 상부 기판상에는 블랙매트릭스와 컬러필터를 포함한 컬러필터 어레이가 형성된다. 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는 TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, IPS(In Plane Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 등의 액정모드로도 구현될 수 있다. 공통전극은 TN 모드와 VA 모드와 같은 수직전계 구동방식에서 상부 기판상에 형성되며, IPS 모드와 FFS 모드와 같은 수평전계 구동방식에서 화소 전극과 함께 하부 기판상에 형성될 수 있다. 표시패널(10)의 상부 기판과 하부 기판상에는 광축이 직교하는 편광판이 부착되고, 액정층과 접하는 계면에 액정의 프리틸트각(pre-tilt angle)을 설정하기 위한 배향막이 형성된다. In the display panel 10, a liquid crystal layer is formed between two substrates. The lower substrate of the display panel 10 has data lines, gate lines crossing the data lines, TFTs formed at intersections of the data lines and the gate lines, and are connected to the TFTs by an electric field between the pixel electrode and the common electrode. A TFT array including liquid crystal cells to be driven, a storage capacitor, and the like is formed. A color filter array including a black matrix and a color filter is formed on the upper substrate of the display panel 10. The liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention may also be implemented in a liquid crystal mode such as twisted nematic (TN) mode, vertical alignment (VA) mode, in plane switching (IPS) mode, or fringe field switching (FFS). The common electrode may be formed on the upper substrate in the vertical electric field driving method such as the TN mode and the VA mode, and may be formed on the lower substrate together with the pixel electrode in the horizontal electric field driving method such as the IPS mode and the FFS mode. Polarizing plates having optical axes orthogonal to each other are attached to the upper substrate and the lower substrate of the display panel 10, and an alignment layer for setting a pre-tilt angle of the liquid crystal is formed at an interface in contact with the liquid crystal layer.

데이터 구동회로는 다수의 소스 드라이브 IC(12)들을 포함한다. 소스 드라이브 IC(12)들은 타이밍 콘트롤러(11)로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)를 입력 받는다. 소스 드라이브 IC(12)들 각각은 타이밍 콘트롤러(11)로부터의 소스 타이밍 제어신호에 응답하여 디지털 비디오 데이터(DATA)를 감마보상전압으로 변환하여 데이터 전압을 발생하고, 그 데이터 전압을 게이트 펄스에 동기되도록 표시패널(10)의 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(12)들은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정으로 표시패널(10)의 데이터 라인들에 접속될 수 있다.The data drive circuit includes a plurality of source drive ICs 12. [ The source drive ICs 12 receive the digital video data DATA from the timing controller 11. Each of the source drive ICs 12 converts the digital video data DATA into a gamma compensation voltage in response to a source timing control signal from the timing controller 11 to generate a data voltage, and synchronizes the data voltage with a gate pulse. The data lines of the display panel 10 are supplied to each other. The source drive ICs 12 may be connected to data lines of the display panel 10 by a chip on glass (COG) process or a tape automated bonding (TAB) process.

게이트 구동회로는 레벨 쉬프터(13)와 쉬프트 레지스터(14)를 포함한다. 레벨 쉬프터(13)는 타이밍 콘트롤러(11)로부터 입력되는 클럭들(CLKs)의 TTL(Transistor-Transistor- Logic) 로직 레벨 전압을 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)으로 레벨 쉬프팅한다. 레벨 쉬프트된 클럭들(CLKs)은 쉬프트 레지스터(14)로 입력된다. 쉬프트 레지스터(14)는 표시패널(10)의 게이트 라인들에 연결되어 게이트 라인들에 게이트 펄스를 순차적으로 출력한다. 쉬프트 레지스터(14)는 GIP(Gate Drive-IC In Panel) 방식으로 표시패널(10)의 하부 기판상에 직접 형성된다. GIP 방식에서, 레벨 쉬프터(13)는 인쇄회로보드(Printed Circuit Board)(15) 상에 실장된다.The gate driving circuit includes a level shifter 13 and a shift register 14. The level shifter 13 level shifts the TTL (Logic-Transistor-Logic) logic level voltage of the clocks CLKs input from the timing controller 11 to the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL. The level shifted clocks CLKs are input to the shift register 14. The shift register 14 is connected to the gate lines of the display panel 10 to sequentially output gate pulses to the gate lines. The shift register 14 is directly formed on the lower substrate of the display panel 10 by a gate drive-IC in panel (GIP) method. In the GIP method, the level shifter 13 is mounted on a printed circuit board 15.

타이밍 콘트롤러(11)는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스, TMDS(Transition Minimized Differential Signaling) 인터페이스 등의 인터페이스를 통해 외부의 호스트 시스템으로부터 디지털 비디오 데이터(RGB)를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(DATA)를 소스 드라이브 IC(12)들로 전송한다. 또한, 타이밍 콘트롤러(11)는 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 수신회로를 통해 호스트 시스템으로부터 수직 동기신호, 수평 동기신호, 데이터 인에이블 신호, 메인 클럭 등의 타이밍 신호를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터의 타이밍 신호를 기준으로 데이터 구동회로와 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. 타이밍 제어신호들은 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호, 소스 드라이브 IC(12)들의 동작 타이밍과 데이터 전압의 극성을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 포함한다.The timing controller 11 receives digital video data RGB from an external host system through an interface such as a Low Voltage Differential Signaling (LVDS) interface or a Transition Minimized Differential Signaling (TMDS) interface. The timing controller 11 transmits digital video data DATA input from the host system to the source drive ICs 12. In addition, the timing controller 11 receives a timing signal such as a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, a data enable signal, a main clock, and the like from the host system through an LVDS or TMDS interface receiving circuit. The timing controller 11 generates timing control signals for controlling the operation timing of the data driving circuit and the gate driving circuit based on the timing signal from the host system. The timing control signals include a gate timing control signal for controlling the operation timing of the gate driving circuit, and a data timing control signal DCS for controlling the operation timing of the source drive ICs 12 and the polarity of the data voltage.

게이트 타이밍 제어신호는 스타트 전압과 i(i는 3 이상의 자연수) 상으로 순차적으로 발생하는 클럭들(CLKs) 등을 포함한다. 스타트 전압은 쉬프트 레지스터(14)에 입력되어 쉬프트 레지스터(14)의 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 클럭들(CLKs)은 레벨 쉬프터(13)에 입력되어 레벨 쉬프팅된 후에 쉬프트 레지스터(14)에 입력되며, 스타트 전압을 쉬프트시키기 위한 클럭신호로 이용된다.The gate timing control signal includes a start voltage and clocks CLKs sequentially generated on i (i is a natural number of 3 or more). The start voltage is input to the shift register 14 to control the shift start timing of the shift register 14. The clocks CLKs are input to the level shifter 13, level shifted, and then input to the shift register 14, and are used as clock signals for shifting the start voltage.

데이터 타이밍 제어신호(DCS)는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock), 극성(Polarity) 제어신호, 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable) 등을 포함한다. 소스 스타트 펄스는 소스 드라이브 IC(12)들의 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 소스 드라이브 IC(12)들 내에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭신호이다. 극성제어신호는 소스 드라이브 IC(12)들로부터 출력되는 데이터 전압의 극성을 제어한다. 타이밍 콘트롤러(11)와 소스 드라이브 IC(12)들 사이의 데이터 전송 인터페이스가 mini LVDS 인터페이스라면, 소스 스타트 펄스(SSP)와 소스 샘플링 클럭(SSC)은 생략될 수 있다.
The data timing control signal DCS includes a source start pulse, a source sampling clock, a polarity control signal, a source output enable signal, and the like. The source start pulse controls the shift start timing of the source drive ICs 12. The source sampling clock is a clock signal that controls the sampling timing of data in the source drive ICs 12 based on the rising or falling edge. The polarity control signal controls the polarity of the data voltage output from the source drive ICs 12. If the data transfer interface between the timing controller 11 and the source drive ICs 12 is a mini LVDS interface, the source start pulse SSP and the source sampling clock SSC may be omitted.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10: 표시패널 11: 타이밍 콘트롤러
12: 소스 드라이브 IC 13: 레벨 쉬프터
14: 쉬프트 레지스터 15: 인쇄회로보드
111: Q 노드 전압 제어부 112: QB 노드 전압 제어부
113: 제1 노드 전압 제어부 114: 출력부
115: 초기화부
10: Display panel 11: Timing controller
12: Source drive IC 13: Level shifter
14: shift register 15: printed circuit board
111: Q node voltage control unit 112: QB node voltage control unit
113: first node voltage controller 114: output unit
115: initialization unit

Claims (11)

순차적으로 위상이 지연되는 i(i는 2 이상의 자연수)상 클럭들을 입력받아 순차적으로 출력을 발생하는 다수의 스테이지를 구비하고,
상기 스테이지는,
스타트 단자를 통해 입력되는 스타트 신호 또는 전단 캐리신호에 응답하여 상기 Q 노드를 충전하며, QB 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 Q 노드를 방전시키는 Q 노드 전압 제어부;
상기 스타트 단자를 통해 입력되는 스타트 신호 또는 전단 캐리신호에 응답하여 상기 QB 노드를 방전하며, 리셋 단자를 통해 입력되는 클럭과 제1 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 QB 노드를 충전시키는 QB 노드 전압 제어부; 및
상기 Q 노드와 QB 노드의 전압에 따라 출력 노드를 클럭 단자 및 제2 로직 레벨 전압이 공급되는 제2 로직 레벨 전압 단자 중 어느 하나에 접속시키는 출력부를 포함하고,
상기 Q 노드 전압 제어부는,
상기 QB 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 Q 노드와 출력 노드를 접속시켜 상기 Q 노드를 방전시키는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
It is provided with a plurality of stages that sequentially receive the i (i is a natural number of two or more) phase clocks of which the phase is delayed in sequence,
The stage includes:
A Q node voltage controller configured to charge the Q node in response to a start signal or a front carry signal input through a start terminal and to discharge the Q node in response to a first logic level voltage of the QB node;
A QB node that discharges the QB node in response to a start signal or a front carry signal input through the start terminal, and charges the QB node in response to a clock input through a reset terminal and a first logic level voltage of a first node Node voltage controller; And
An output unit connecting an output node to any one of a clock terminal and a second logic level voltage terminal supplied with a second logic level voltage according to the voltages of the Q node and the QB node,
The Q node voltage control unit,
Shifting the Q node and an output node in response to a first logic level voltage of the QB node to discharge the Q node.
제 1 항에 있어서,
상기 스테이지는,
초기화 단자를 통해 입력되는 초기화 신호에 응답하여 액티브 기간 동안 상기 Q 노드를 충전하고 상기 QB 노드를 방전할 수 있도록 초기화하는 초기화부; 및
상기 클럭 단자를 통해 입력되는 클럭에 응답하여 상기 제1 노드를 충전하고, 상기 스타트 단자를 통해 입력되는 스타트 신호 또는 전단 캐리신호에 응답하여 상기 제1 노드를 방전하는 제1 노드 전압 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method of claim 1,
The stage includes:
An initialization unit for initializing the Q node and discharging the QB node during an active period in response to an initialization signal input through an initialization terminal; And
And a first node voltage controller configured to charge the first node in response to a clock input through the clock terminal, and discharge the first node in response to a start signal or a front carry signal input through the start terminal. And a shift register.
제 2 항에 있어서,
상기 Q 노드 전압 제어부는,
상기 스타트 단자를 통해 입력되는 스타트 신호 또는 전단 캐리신호에 응답하여 상기 Q 노드와 스타트 단자를 접속시키는 제1 TFT; 및
상기 QB 노드의 전압에 응답하여 상기 Q 노드와 출력 노드를 접속시키는 제2 TFT를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
3. The method of claim 2,
The Q node voltage control unit,
A first TFT connecting the Q node and the start terminal in response to a start signal or a front carry signal input through the start terminal; And
And a second TFT connecting the Q node and the output node in response to the voltage of the QB node.
제 3 항에 있어서,
상기 QB 노드 전압 제어부는,
상기 스타트 단자를 통해 입력되는 스타트 신호 또는 전단 캐리신호에 응답하여 상기 QB 노드와 제2 로직 레벨 전압 단자를 접속시키는 제3 TFT;
상기 리셋 단자를 통해 입력되는 클럭에 응답하여 상기 QB 노드와 리셋 단자를 접속시키는 제4 TFT; 및
상기 제1 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 제4 TFT의 게이트 전극과 드레인 전극을 접속시키는 제5 TFT를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method of claim 3, wherein
The QB node voltage control unit,
A third TFT configured to connect the QB node and a second logic level voltage terminal in response to a start signal or a front carry signal input through the start terminal;
A fourth TFT connecting the QB node and a reset terminal in response to a clock input through the reset terminal; And
And a fifth TFT connecting the gate electrode and the drain electrode of the fourth TFT in response to a first logic level voltage of the first node.
제 4 항에 있어서,
상기 제1 노드 전압 제어부는,
상기 스타트 단자를 통해 입력되는 스타트 신호 또는 전단 캐리신호에 응답하여 상기 제1 노드와 제2 로직 레벨 전압 단자를 접속시키는 제6 TFT; 및
상기 클럭 단자를 통해 입력되는 클럭에 응답하여 상기 제1 노드와 클럭 단자를 접속시키는 제7 TFT를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
5. The method of claim 4,
The first node voltage control unit,
A sixth TFT connecting the first node and a second logic level voltage terminal in response to a start signal or a front carry signal input through the start terminal; And
And a seventh TFT connecting the first node and a clock terminal in response to a clock input through the clock terminal.
제 5 항에 있어서,
상기 초기화부는,
상기 초기화 단자를 통해 입력되는 초기화 신호에 응답하여 상기 Q 노드와 제1 TFT를 접속시키는 제8 TFT; 및
상기 초기화 단자를 통해 입력되는 초기화 신호에 응답하여 상기 스타트 단자를 상기 제3 및 제6 TFT의 게이트 전극에 접속시키는 제9 TFT를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method of claim 5, wherein
The initialization unit,
An eighth TFT connecting the Q node and the first TFT in response to an initialization signal input through the initialization terminal; And
And a ninth TFT connecting the start terminal to the gate electrodes of the third and sixth TFTs in response to an initialization signal input through the initialization terminal.
제 6 항에 있어서,
상기 출력부는,
상기 Q 노드의 전압에 응답하여 상기 클럭 단자와 출력 노드를 접속시키는 풀-업 TFT; 및
상기 QB 노드의 전압에 응답하여 상기 제2 로직 레벨 전압 단자와 출력 노드를 접속시키는 풀-다운 TFT를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 6,
The output unit includes:
A pull-up TFT connecting the clock terminal and an output node in response to the voltage of the Q node; And
And a pull-down TFT connecting the second logic level voltage terminal and an output node in response to the voltage of the QB node.
제 1 항에 있어서,
상기 리셋 단자에 입력되는 클럭은 상기 클럭 단자에 입력되는 클럭보다 적어도 한 상 이상 위상이 지연된 클럭인 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method of claim 1,
And a clock input to the reset terminal is a clock whose phase is delayed by at least one or more phases than a clock input to the clock terminal.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 로직 레벨 전압은 상기 제2 로직 레벨 전압보다 높은 레벨의 전압인 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method of claim 1,
And the first logic level voltage is higher than the second logic level voltage.
제 1 항에 있어서,
상기 스테이지는,
상기 Q 노드와 출력 노드 사이에 접속된 제1 캐패시터;
상기 QB 노드와 상기 제2 로직 레벨 전압 단자 사이에 접속되어 상기 QB 노드의 전압을 일정하게 유지하는 제2 캐패시터;
상기 Q 노드와 상기 제2 로직 레벨 전압 단자 사이에 접속되어 상기 Q 노드의 전압을 일정하게 유지하는 제3 캐패시터; 및
상기 제1 노드와 상기 제2 로직 레벨 전압 단자 사이에 접속되어 상기 제1 노드의 전압을 일정하게 유지하는 제4 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method of claim 1,
The stage includes:
A first capacitor connected between the Q node and the output node;
A second capacitor connected between the QB node and the second logic level voltage terminal to maintain a constant voltage of the QB node;
A third capacitor connected between the Q node and the second logic level voltage terminal to maintain a constant voltage of the Q node; And
And a fourth capacitor connected between the first node and the second logic level voltage terminal to maintain a constant voltage of the first node.
데이터 라인들과 게이트 라인들이 형성된 표시패널;
입력되는 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들에 공급하는 데이터 구동회로; 및
상기 데이터 라인들에 동기되는 게이트 펄스를 상기 게이트 라인들에 순차적으로 출력하는 쉬프트 레지스터를 포함한 게이트 구동회로를 구비하고,
상기 쉬프트 레지스터는 순차적으로 위상이 지연되는 i(i는 2 이상의 자연수)상 클럭들을 입력받아 순차적으로 출력을 발생하는 다수의 스테이지를 구비하며,
상기 스테이지는,
스타트 단자를 통해 입력되는 스타트 신호 또는 전단 캐리신호에 응답하여 상기 Q 노드를 충전하며, QB 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 Q 노드를 방전시키는 Q 노드 전압 제어부;
상기 스타트 단자를 통해 입력되는 스타트 신호 또는 전단 캐리신호에 응답하여 상기 QB 노드를 방전하며, 리셋 단자를 통해 입력되는 클럭과 제1 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 QB 노드를 충전시키는 QB 노드 전압 제어부; 및
상기 Q 노드와 QB 노드의 전압에 따라 출력 노드를 클럭 단자 및 제2 로직 레벨 전압이 공급되는 제2 로직 레벨 전압 단자 중 어느 하나에 접속시키는 출력부를 포함하고,
상기 Q 노드 전압 제어부는,
상기 QB 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 Q 노드와 출력 노드를 접속시켜 상기 Q 노드를 방전시키는 것을 특징으로 하는 표시장치.
A display panel on which data lines and gate lines are formed;
A data driving circuit converting input digital video data into an analog data voltage and supplying the converted digital video data to the data lines; And
A gate driving circuit including a shift register configured to sequentially output gate pulses synchronized with the data lines to the gate lines,
The shift register includes a plurality of stages that sequentially receive outputs of i (i is a natural number of two or more) phase clocks whose phases are sequentially delayed, and sequentially generate outputs.
The stage includes:
A Q node voltage controller configured to charge the Q node in response to a start signal or a front carry signal input through a start terminal and to discharge the Q node in response to a first logic level voltage of the QB node;
A QB node that discharges the QB node in response to a start signal or a front carry signal input through the start terminal, and charges the QB node in response to a clock input through a reset terminal and a first logic level voltage of a first node Node voltage controller; And
An output unit connecting an output node to any one of a clock terminal and a second logic level voltage terminal supplied with a second logic level voltage according to the voltages of the Q node and the QB node,
The Q node voltage control unit,
And discharging the Q node by connecting the Q node and the output node in response to a first logic level voltage of the QB node.
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