KR20130067989A - Gate shift register and display device using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 TFT의 수를 줄여 네로우 베젤 설계가 용이해질 수 있는 게이트 쉬프트 레지스터 및 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gate shift register and a display device using the same, which can reduce the number of TFTs and facilitate a narrow bezel design.
최근, 게이트 구동회로를 패널에 내장해서 표시장치의 부피와 무게를 감소시키고 제조 비용을 절감할 수 있는 GIP(Gate In Panel)형 표시장치가 소개되었다. GIP형 표시장치에서 게이트 구동회로는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(이하, TFT)를 이용하여 패널의 비표시 영역에 내장된다. 이러한 게이트 구동회로는 다수의 게이트 라인에 스캔펄스를 순차적으로 공급하는 게이트 쉬프트 레지스터를 포함한다.Recently, a GIP (Gate In Panel) type display device, in which a gate driving circuit is embedded in a panel, reduces the volume and weight of a display device and reduces manufacturing costs. In the GIP type display device, the gate driving circuit is embedded in the non-display area of the panel by using an amorphous silicon thin film transistor (hereinafter TFT). The gate driving circuit includes a gate shift register for sequentially supplying scan pulses to a plurality of gate lines.
한편, 최근의 표시장치는 고해상도 추세, 네로우 베젤(narrow bezel) 추세에 있다. 따라서, 패널 내장형 게이트 쉬프트 레지스터의 설계 면적을 줄이기 위한 노력이 계속 요구되고 있다.On the other hand, display devices of recent years are in the trend of high resolution, narrow bezel (narrow bezel). Therefore, efforts to reduce the design area of the panel-embedded gate shift resistor are continuously required.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, TFT의 수를 줄여 네로우 베젤 설계가 용이해질 수 있는 게이트 쉬프트 레지스터 및 이를 이용한 표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a gate shift register and a display device using the same, which can reduce the number of TFTs to facilitate narrow bezel design.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명의 실시 예에 따른 게이트 쉬프트 레지스터는 다수의 게이트 쉬프트 클럭들을 입력받아 순차적으로 스캔펄스를 출력하는 다수의 스테이지를 포함하고; 상기 다수의 스테이지 중 제 k 스테이지는 A-1 번째 게이트 쉬프트 클럭에 응답하여 제 1 입력단자를 통해 입력되는 제 k-1 스테이지의 캐리신호를 Q 노드에 인가하는 제 1 스위칭 소자와; 제 2 입력단자를 통해 입력되는 제 k+2 스테이지의 캐리신호에 응답하여 게이트 하이 전압을 상기 Q 노드에 인가하는 제 2 스위칭 소자와; 상기 Q 노드의 전압레벨에 따라 A 번째 게이트 쉬프트 클럭을 출력노드에 인가하는 풀업 스위칭 소자와; A+2 번째 게이트 쉬프트 클럭에 응답하여 상기 게이트 하이 전압을 출력노드에 인가하는 풀다운 스위칭 소자와; 상기 Q 노드와 상기 출력노드 사이에 구비되어 그들에 접속된 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a gate shift register according to an embodiment of the present invention includes a plurality of stages that receive a plurality of gate shift clocks and sequentially output scan pulses; A kth stage of the plurality of stages includes: a first switching element configured to apply a carry signal of a k-1 stage input through a first input terminal to a Q node in response to an A-1 th gate shift clock; A second switching element configured to apply a gate high voltage to the Q node in response to a carry signal of a k + 2 stage input through a second input terminal; A pull-up switching element configured to apply an A-th gate shift clock to an output node according to the voltage level of the Q node; A pull-down switching device configured to apply the gate high voltage to an output node in response to an A + 2th gate shift clock; And a capacitor provided between the Q node and the output node and connected thereto.
상기 스캔펄스는 상기 캐리신호로서 전단 또는 후단 스테이지에 공급되는 것을 특징으로 한다.The scan pulse may be supplied to the front or rear stage as the carry signal.
상기 다수의 게이트 쉬프트 클럭은 각각 2 수평기간의 펄스폭을 가지고 1 수평기간씩 쉬프트 되며; 제 1 게이트 쉬프트 클럭부터 제 4 게이트 쉬프트 클럭까지 순차적으로 지연되는 4 상의 순환 클럭인 것을 특징으로 한다.The plurality of gate shift clocks are shifted by one horizontal period each with a pulse width of two horizontal periods; It is characterized by a four-phase cyclic clock which is sequentially delayed from the first gate shift clock to the fourth gate shift clock.
상기 제 1 및 제 2 스위칭 소자와 상기 풀업 및 풀다운 스위칭 소자는 P 타입으로 구성된 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 한다.The first and second switching elements and the pull-up and pull-down switching elements may be thin film transistors having a P type.
본 발명에 따른 게이트 쉬프트 레지스터는 각 스테이지에 구비된 TFT의 수를 4 개로 줄일 수 있어 내장형 게이트 드라이버의 설계 면적을 줄일 수 있다. 또한, 스테이지들에 인가되는 게이트 로우 전압 공급 라인을 삭제할 수 있어 배선을 줄일 수 있다.The gate shift register according to the present invention can reduce the number of TFTs provided in each stage to four, thereby reducing the design area of the embedded gate driver. In addition, the gate low voltage supply line applied to the stages can be eliminated, thereby reducing wiring.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 게이트 쉬프트 레지스터의 구성도이다.
도 2는 실시 예에 따른 제 k 스테이지(STk)의 회로도이다.
도 3은 제 k 스테이지(STk)의 입력 및 출력 신호를 나타낸다.
도 4는 실시 예에 따른 표시장치의 구성도이다.1 is a block diagram of a gate shift register according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram of a k-th stage STk according to the embodiment.
3 shows the input and output signals of the kth stage STk.
4 is a block diagram of a display device according to an exemplary embodiment.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 게이트 쉬프트 레지스터 및 이를 이용한 표시장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a gate shift register according to an exemplary embodiment of the present invention and a display device using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
참고로, 실시 예에서 상술되는 TFT는 P 타입 또는 N 타입으로 구성될 수 있으나, 이하에서 TFT는 P 타입으로 구성된 것으로 한다. 따라서, 실시 예에서 게이트 온 전압은 게이트 로우 전압(VGL)이고, 게이트 오프 전압은 게이트 하이 전압(VGH)이다.For reference, although the TFT described above in the embodiment may be configured as P type or N type, hereinafter, the TFT is configured as P type. Thus, in the embodiment, the gate-on voltage is the gate-low voltage (VGL) and the gate-off voltage is the gate-high voltage (VGH).
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 게이트 쉬프트 레지스터의 구성도이다.1 is a block diagram of a gate shift register according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 게이트 쉬프트 레지스터는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지(ST1 ~ STn)와, 적어도 2개의 더미 스테이지(미도시)를 포함한다.The gate shift register shown in FIG. 1 includes a plurality of stages ST1 to STn that are cascaded and at least two dummy stages (not shown).
이하의 설명에서 “전단 스테이지”는 기준이 되는 스테이지의 상부에 위치하는 것으로, 예컨대 제 k(1<k<n) 스테이지(STk)에 기준한 전단 스테이지는 “제 k-1 스테이지(ST(k-1)) ~ 제 1 스테이지(ST1)” 중 어느 하나를 지시한다. 그리고, “후단 스테이지”는 기준이 되는 스테이지의 하부에 위치하는 것으로, 예컨대 제 k 스테이지(STk)에 기준한 후단 스테이지는 “제 k+1 스테이지(STk+1) ~ 제 n 스테이지(STn)” 중 어느 하나를 지시한다.In the following description, the "shear stage" is located above the reference stage. For example, the shear stage based on the k th (1 <k <n) stage STk is the "th k-1 stage ST (k -1)) to 1st stage ST1 ". In addition, the "back stage" is located below the reference stage. For example, the rear stage based on the k-th stage STk is the "k + 1th stage STk + 1 to nth stage STn". It indicates either one.
각 스테이지들(ST1 ~ STn)은 2 개의 입력단자와 1 개의 출력단자를 구비하고, 출력단자를 통해 스캔펄스를 출력한다. 스캔펄스는 평판 표시장치의 게이트 라인들에 인가됨과 동시에, 전단 스테이지와 후단 스테이지로 전달되는 캐리신호로서 역할을 한다.Each stage ST1 to STn includes two input terminals and one output terminal, and outputs a scan pulse through the output terminal. The scan pulse is applied to the gate lines of the flat panel display and serves as a carry signal transmitted to the front stage and the rear stage.
각 스테이지들(ST1 ~ STn)은 제 1 입력단자(IN1)에 인가되는 전단 스테이지의 캐리신호와, 제 2 입력단자(IN2)에 인가되는 후단 스테이지의 캐리신호에 응답하여 동작한다. 이러한 스테이지들(ST1 ~ STn)은 “제 1 스테이지(ST1) ~ 제 k 스테이지(STk) ~ 제 n 스테이지(STn)” 순으로 스캔펄스(VOUT1 ~ VOUTn)를 출력한다. 단, 제 1 스테이지(ST1)의 제 1 입력단자(IN1)에는 외부(타이밍 제어부)의 게이트 스타트 펄스가 인가되고, 제 n 스테이지(STn)의 제 2 입력단자(IN2)에는 더미 스테이지의 캐리신호가 인가될 수 있다.Each of the stages ST1 to STn operates in response to a carry signal of a front stage applied to the first input terminal IN1 and a carry signal of a rear stage applied to the second input terminal IN2. These stages ST1 to STn output scan pulses VOUT1 to VOUTn in the order of “first stage ST1 to kth stage STk to nth stage STn”. However, a gate start pulse of an external (timing control unit) is applied to the first input terminal IN1 of the first stage ST1, and a carry signal of the dummy stage is applied to the second input terminal IN2 of the nth stage STn. Can be applied.
실시 예에 따른 게이트 쉬프트 레지스터는 소정 시간만큼 서로 중첩된 스캔펄스(VOUT1 ~ VOUTn)를 출력한다. 이를 위해, 각 스테이지들(ST1 ~ STn)에는 소정 시간만큼 중첩되고 순차적으로 지연되는 i(i는 양의 짝수) 상 게이트 쉬프트 클럭들 중에 3 개의 게이트 쉬프트 클럭들이 입력된다. 이하에서는 4상의 클럭펄스(CLK1 ~ CLK4)를 기준으로 설명한다.The gate shift register according to the embodiment outputs scan pulses VOUT1 to VOUTn superimposed on each other by a predetermined time. To this end, three gate shift clocks are input to each of the stages ST1 to STn among the gate shift clocks on i (i is a positive even number) that are overlapped for a predetermined time and sequentially delayed. Hereinafter, the four-phase clock pulses CLK1 to CLK4 will be described.
4상의 클럭펄스들(CLK1 ~ CLK4)은 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이에서 스윙한다. 그리고 각각 2 수평기간(2H)의 펄스폭을 가지고 1 수평기간씩 쉬프트되며, 이웃한 클럭간은 1 수평기간씩 서로 중첩된다.The four-phase clock pulses CLK1 to CLK4 swing between the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL. Each of them is shifted by one horizontal period with a pulse width of two
도 2는 실시 예에 따른 제 k 스테이지(STk)의 회로도이다. 제 k 스테이지(STk)의 회로 구성은 나머지 스테이지들과 동일하다.2 is a circuit diagram of a k-th stage STk according to the embodiment. The circuit configuration of the kth stage STk is the same as the remaining stages.
도 2를 참조하면, 제 k 스테이지(STk)의 클럭단자에는 4상 클럭들(CLK1 ~ CLK4) 중에서 3 개의 게이트 쉬프트 클럭(CLKA, CLKA-1, CLKA+2)이 입력된다. 여기서 A-1 번째 게이트 쉬프트 클럭(CLKA-1)은 A 번째 게이트 쉬프트 클럭(CLKA)의 바로 이전에 출력된 클럭이고, A+2 번째 게이트 쉬프트 클럭(CLKA+2)은 A 번째 게이트 쉬프트 클럭(CLKA)의 다음 다음에 출력된 클럭이다.Referring to FIG. 2, three gate shift clocks CLKA, CLKA-1, and CLKA + 2 among the four-phase clocks CLK1 to CLK4 are input to the clock terminal of the k-th stage STk. Here, the A-1 th gate shift clock CLKA-1 is a clock output just before the A th gate shift clock CLKA, and the A + 2 th gate shift clock CLKA + 2 is the A th gate shift clock ( CLKA) is the next clock output.
제 k 스테이지(STk)는 4 개의 TFT와, 1 개의 커패시터를 포함한다. 구체적으로, 제 k 스테이지(STk)는 제 1 및 제 2 TFT(T1, T2)와 풀업 TFT(TU)와 풀다운 TFT(TD)를 포함하고, 커패시터(C)를 포함한다.The kth stage STk includes four TFTs and one capacitor. Specifically, the k-th stage STk includes the first and second TFTs T1 and T2, the pull-up TFT TU, and the pull-down TFT TD, and includes a capacitor C.
제 1 TFT(T1)는 A-1 번째 게이트 쉬프트 클럭(CLKA-1)에 응답하여 제 1 입력단자(IN1)를 통해 입력되는 제 k-1 스테이지(STk-1)의 캐리신호(VOUTk-1)를 Q 노드에 인가한다.The first TFT T1 carries the carry signal VOUTk-1 of the k-1 stage STk-1 input through the first input terminal IN1 in response to the A-1 th gate shift clock CLKA-1. ) Is applied to the Q node.
제 2 TFT(T2)는 제 2 입력단자(IN2)를 통해 입력되는 제 k+2 스테이지(STk+2)의 캐리신호(VOUTk+2)에 응답하여 게이트 하이 전압(VGH)을 Q 노드에 인가한다.The second TFT T2 applies the gate high voltage VGH to the Q node in response to the carry signal VOUTk + 2 of the k + 2th stage STk + 2 input through the second input terminal IN2. do.
풀업 TFT(TU)는 Q 노드의 전압레벨에 따라 A 번째 게이트 쉬프트 클럭(CLKA)을 출력노드(NO)에 인가한다.The pull-up TFT TU applies the A-th gate shift clock CLKA to the output node NO according to the voltage level of the Q node.
풀다운 TFT(TD)는 A+2 번째 게이트 쉬프트 클럭(CLKA+2)에 응답하여 게이트 하이 전압(VGH)을 출력노드(NO)에 인가한다.The pull-down TFT TD applies the gate high voltage VGH to the output node NO in response to the A + 2th gate shift clock CLKA + 2.
커패시터(C)는 Q 노드와 출력노드(NO) 사이에 구비되어 그들에 접속된다.The capacitor C is provided between the Q node and the output node NO and connected to them.
이상과 같이 실시 예에 따른 각 스테이지(ST1 ~ STn)은 4 개의 TFT와 1개의 커패시터를 포함한다. 즉, 종래의 게이트 쉬프트 레지스터는 각 스테이지가 적어도 6 개의 TFT를 구비하였으나, 실시 예에 따른 게이트 쉬프트 레지스터는 각 스테이지의 TFT를 4개로 줄여 내장형 게이트 드라이버의 설계 면적을 줄일 수 있다.As described above, each stage ST1 to STn according to the embodiment includes four TFTs and one capacitor. That is, in the conventional gate shift register, each stage has at least six TFTs, but the gate shift register according to the embodiment can reduce the design area of the embedded gate driver by reducing the TFTs of each stage to four.
도 3은 제 k 스테이지(STk)의 입력 및 출력 신호를 나타낸다. 제 k 스테이지(STk)의 동작을 도 2 및 도 3을 참조하여 단계적으로 설명하면 다음과 같다.3 shows the input and output signals of the kth stage STk. The operation of the k-th stage STk will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3 as follows.
4 상의 게이트 쉬프트 클럭(CLK1 ~ CLK4)은 제 1 게이트 쉬프트 클럭(CLK1)부터 제 4 게이트 쉬프트 클럭(CLK4)까지 순차적으로 지연되는 순환 클럭이다. 제 k 스테이지(STk)에 입력되는 “CLKA”는 “CLK1”로 가정하고, “CLKA-1”는 “CLKA-1”는 “CLK4”로 가정하고, “CLKA+2”는 “CLK3”로 가정한다.The gate shift clocks CLK1 to CLK4 on the four phases are cyclic clocks sequentially delayed from the first gate shift clock CLK1 to the fourth gate shift clock CLK4. Assume that "CLKA" input to the kth stage STk is "CLK1", "CLKA-1" is assumed to be "CLKA-1" to "CLK4", and "CLKA + 2" is assumed to be "CLK3". do.
T1 기간에는, 게이트 로우 전압(VGL) 레벨의 제 4 게이트 쉬프트 클럭(CLK4)이 스타트 신호로서 입력된다. 이 스타트 신호에 응답하여 제 1 TFT(T1)가 턴-온 된다. 그 결과, Q 노드는 제 k-1 스테이지(STk-1)의 캐리신호(VOUTk-1)가 인가되어 게이트 로우 전압(VGL)으로 프리-차징 된다.In the T1 period, the fourth gate shift clock CLK4 at the gate low voltage VGL level is input as the start signal. In response to this start signal, the first TFT T1 is turned on. As a result, the Q node is pre-charged to the gate low voltage VGL by applying the carry signal VOUTk-1 of the k-th stage STk-1.
T2 기간에는, 풀업 TFT(TU)의 드레인전극에 인가되는 제 1 게이트 쉬프트 클럭(CLK1)이 게이트 로우 전압(VGL) 레벨로 입력된다. Q 노드의 전압은 풀업 TFT(TU)의 게이트-드레인전극 간의 기생용량에 의해 부트스트래핑 됨으로써 게이트 로우 전압(VGL) 보다 낮은 전압 레벨로 하강되어 풀업 TFT(TU)를 턴-온 시킨다. 이에 따라, 제 k 스테이지(STk)는 게이트 로우 전압(VGL) 레벨의 제 k 스캔펄스(VOUTk)를 출력한다.In the T2 period, the first gate shift clock CLK1 applied to the drain electrode of the pull-up TFT TU is input at the gate low voltage VGL level. The voltage of the Q node is bootstrapped by the parasitic capacitance between the gate and drain electrodes of the pull-up TFT (TU) to be lowered to a voltage level lower than the gate low voltage VGL to turn on the pull-up TFT (TU). Accordingly, the k th stage STk outputs the k th scan pulse VOUTk having the gate low voltage VGL level.
T3 기간에는, 제 2 입력단자(IN2)를 통해서 제 k+2 스테이지(STk+2)의 캐리신호(VOUTk+2)가 리셋 신호로서 입력된다. 이 리셋 신호에 응답하여 제 2 TFT(T2)가 턴-온 된다. 그 결과, Q 노드는 게이트 하이 전압(VGH)으로 방전되며, Q 노드의 방전으로 풀업 TFT(TU)는 턴-오프 된다. 이와 동시에, 게이트 로우 전압(VGL) 레벨의 제 3 게이트 쉬프트 클럭(CLK3)이 풀다운 TFT(TD)의 게이트전극에 인가되어 풀다운 TFT(TD)를 턴-온 시킨다. 이에 따라, 제 k 스테이지(STk)는 게이트 하이 전압(VGH) 레벨의 제 k 스캔펄스(VOUTk)를 출력한다. 이때, 제 k 스캔펄스(VOUTk)는 Q 노드와 출력노드(NO) 사이에 구비된 커패시터(C)로 인해 다음 프레임의 스타트 신호가 인가될 때까지 게이트 하이 전압(VGH) 레벨을 유지한다.In the T3 period, the carry signal VOUTk + 2 of the k + 2th stage STk + 2 is input as a reset signal through the second input terminal IN2. In response to this reset signal, the second TFT T2 is turned on. As a result, the Q node is discharged to the gate high voltage VGH, and the pull-up TFT TU is turned off by the discharge of the Q node. At the same time, the third gate shift clock CLK3 having the gate low voltage VGL level is applied to the gate electrode of the pull-down TFT TD to turn on the pull-down TFT TD. Accordingly, the k th stage STk outputs the k th scan pulse VOUTk having the gate high voltage VGH level. At this time, the k th scan pulse VOUTk maintains the gate high voltage VGH level until the start signal of the next frame is applied due to the capacitor C provided between the Q node and the output node NO.
이상에서 상술한 바와 같이, 실시 예는 각 스테이지(ST1 ~ STn)에 구비된 TFT의 수를 4 개로 줄일 수 있어 내장형 게이트 드라이버의 설계 면적을 줄일 수 있다. 또한, 실시 예는 각 스테이지(ST1 ~ STn)의 구동을 위해 게이트 로우 전압(VGL)을 별도로 인가할 필요가 없다. 이에 따라, 각 스테이지(ST1 ~ STn)에 인가되는 게이트 로우 전압(VGL) 공급 라인을 삭제할 수 있어 배선을 줄일 수 있다.As described above, the embodiment can reduce the number of TFTs provided in each of the stages ST1 to STn to four, thereby reducing the design area of the embedded gate driver. In addition, the embodiment does not need to separately apply the gate low voltage VGL to drive each of the stages ST1 to STn. Accordingly, the gate low voltage VGL supply line applied to each of the stages ST1 to STn can be deleted, thereby reducing the wiring.
도 4는 실시 예에 따른 표시장치의 구성도이다.4 is a block diagram of a display device according to an exemplary embodiment.
도 4에 도시된 표시장치는 표시패널(2)과, 데이터 구동부(4)와, 게이트 구동부(6)와, 타이밍 제어부(8)를 포함한다.The display device shown in FIG. 4 includes a
표시패널(2)은 서로 교차되는 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)과, 매트릭스 형태로 배치된 픽셀(P)들을 포함한다. 표시패널(2)은 액정표시장치(LCD), 유기발광다이오드 표시장치(OLED), 전기영동 표시장치(EPD) 중 어느 하나의 표시패널로 구현될 수 있다.The
데이터 구동부(4)는 적어도 하나의 소스 드라이브 IC(미도시)를 포함한다. 소스 드라이브 IC는 타이밍 제어부(8)로부터 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 입력 받는다. 그리고 소스 드라이브 IC(120)은 타이밍 제어부(8)로부터의 소스 타이밍 제어신호(DCS)에 응답하여 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압을 발생하고, 그 데이터전압을 스캔펄스에 동기되도록 표시패널(2)의 데이터 라인(DL)들에 공급한다. 소스 드라이브 IC들은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정으로 표시패널(2)의 데이터 라인(DL)들에 접속될 수 있다.The
게이트 구동부(6)는 게이트 쉬프트 레지스터를 포함한다. 게이트 쉬프트 레지스터는 타이밍 제어부(8)로부터 제공된 게이트 스타트 펄스(VST)를 게이트 쉬프트 클럭(CLK1 ~ CLK4)에 따라 쉬프트시켜 순차적으로 캐리신호와 스캔펄스를 출력하는 스테이지들로 구성된다. 이와 같은 게이트 구동부(6)는 GIP(Gate In Panel) 방식으로 표시패널(2)의 하부 기판 상에 직접 형성되거나 TAB 방식으로 표시패널(2)의 게이트 라인(GL)들과 타이밍 제어부(8) 사이에 연결될 수 있다.The
타이밍 제어부(8)는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스, TMDS(Transition Minimized Differential Signaling) 인터페이스 등의 인터페이스를 통해 외부의 호스트 컴퓨터로부터 디지털 비디오 데이터(RGB)를 입력 받는다. 타이밍 제어부(8)는 호스트 컴퓨터로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 소스 드라이브 IC들로 전송한다.The
타이밍 제어부(8)는 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 수신회로를 통해 호스트 컴퓨터로부터 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 도트 클럭(DCLK) 등의 타이밍신호를 입력 받는다. 타이밍 제어부(2)는 호스트 컴퓨터로부터의 타이밍 신호를 기준으로 데이터 및 게이트 구동부(4, 6)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들(DCS, GCS)을 발생한다.The
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents. Will be clear to those who have knowledge of.
IN1: 제 1 입력단자 IN2: 제 2 입력단자IN1: first input terminal IN2: second input terminal
Claims (9)
A-1 번째 게이트 쉬프트 클럭에 응답하여 제 1 입력단자를 통해 입력되는 제 k-1 스테이지의 캐리신호를 Q 노드에 인가하는 제 1 스위칭 소자와;
제 2 입력단자를 통해 입력되는 제 k+2 스테이지의 캐리신호에 응답하여 게이트 하이 전압을 상기 Q 노드에 인가하는 제 2 스위칭 소자와;
상기 Q 노드의 전압레벨에 따라 A 번째 게이트 쉬프트 클럭을 출력노드에 인가하는 풀업 스위칭 소자와;
A+2 번째 게이트 쉬프트 클럭에 응답하여 상기 게이트 하이 전압을 출력노드에 인가하는 풀다운 스위칭 소자와;
상기 Q 노드와 상기 출력노드 사이에 구비되어 그들에 접속된 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 게이트 쉬프트 레지스터.A plurality of stages that receive a plurality of gate shift clocks and sequentially output scan pulses; Kth stage of the plurality of stages
A first switching element configured to apply a carry signal of a k-1 stage input to the Q node in response to the A-1 th gate shift clock to the Q node;
A second switching element configured to apply a gate high voltage to the Q node in response to a carry signal of a k + 2 stage input through a second input terminal;
A pull-up switching element configured to apply an A-th gate shift clock to an output node according to the voltage level of the Q node;
A pull-down switching device configured to apply the gate high voltage to an output node in response to an A + 2th gate shift clock;
And a capacitor provided between the Q node and the output node and connected to the Q node.
상기 스캔펄스는 상기 캐리신호로서 전단 또는 후단 스테이지에 공급되는 것을 특징으로 하는 게이트 쉬프트 레지스터.The method of claim 1,
And the scan pulse is supplied to the front or rear stage as the carry signal.
상기 다수의 게이트 쉬프트 클럭은 각각 2 수평기간의 펄스폭을 가지고 1 수평기간씩 쉬프트 되며;
제 1 게이트 쉬프트 클럭부터 제 4 게이트 쉬프트 클럭까지 순차적으로 지연되는 4 상의 순환 클럭인 것을 특징으로 하는 게이트 쉬프트 레지스터.The method of claim 1,
The plurality of gate shift clocks are shifted by one horizontal period each with a pulse width of two horizontal periods;
And a four-phase cyclic clock sequentially delayed from the first gate shift clock to the fourth gate shift clock.
상기 제 1 및 제 2 스위칭 소자와 상기 풀업 및 풀다운 스위칭 소자는 P 타입으로 구성된 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 게이트 쉬프트 레지스터.The method of claim 1,
And the first and second switching elements and the pull-up and pull-down switching elements are thin film transistors of P type.
상기 다수의 게이트 라인에 스캔펄스를 순차적으로 공급하는 게이트 구동부와;
상기 다수의 데이터 라인에 데이터전압을 공급하는 데이터 구동부와;
상기 게이트 구동부 및 상기 데이터 구동부의 구동 타이밍을 제어하는 타이밍 제어부를 포함하고;
상기 게이트 구동부는 다수의 게이트 쉬프트 클럭들을 입력받아 순차적으로 스캔펄스를 출력하는 다수의 스테이지를 포함하고; 상기 다수의 스테이지 중 제 k 스테이지는
A-1 번째 게이트 쉬프트 클럭에 응답하여 제 1 입력단자를 통해 입력되는 제 k-1 스테이지의 캐리신호를 Q 노드에 인가하는 제 1 스위칭 소자와;
제 2 입력단자를 통해 입력되는 제 k+2 스테이지의 캐리신호에 응답하여 게이트 하이 전압을 상기 Q 노드에 인가하는 제 2 스위칭 소자와;
상기 Q 노드의 전압레벨에 따라 A 번째 게이트 쉬프트 클럭을 출력노드에 인가하는 풀업 스위칭 소자와;
A+2 번째 게이트 쉬프트 클럭에 응답하여 상기 게이트 하이 전압을 출력노드에 인가하는 풀다운 스위칭 소자와;
상기 Q 노드와 상기 출력노드 사이에 구비되어 그들에 접속된 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.A display panel including a plurality of pixels in which a plurality of gate lines and a plurality of data lines cross each other and are arranged in a matrix;
A gate driver sequentially supplying scan pulses to the plurality of gate lines;
A data driver supplying data voltages to the plurality of data lines;
A timing controller which controls driving timing of the gate driver and the data driver;
The gate driver includes a plurality of stages that receive a plurality of gate shift clocks and sequentially output scan pulses; Kth stage of the plurality of stages
A first switching element configured to apply a carry signal of a k-1 stage input to the Q node in response to the A-1 th gate shift clock to the Q node;
A second switching element configured to apply a gate high voltage to the Q node in response to a carry signal of a k + 2 stage input through a second input terminal;
A pull-up switching element configured to apply an A-th gate shift clock to an output node according to the voltage level of the Q node;
A pull-down switching device configured to apply the gate high voltage to an output node in response to an A + 2th gate shift clock;
And a capacitor provided between the Q node and the output node and connected to the Q node.
상기 스캔펄스는 상기 캐리신호로서 전단 또는 후단 스테이지에 공급되는 것을 특징으로 하는 표시장치.The method of claim 5, wherein
And the scan pulse is supplied to the front or rear stage as the carry signal.
상기 다수의 게이트 쉬프트 클럭은 각각 2 수평기간의 펄스폭을 가지고 1 수평기간씩 쉬프트 되며;
제 1 게이트 쉬프트 클럭부터 제 4 게이트 쉬프트 클럭까지 순차적으로 지연되는 4 상의 순환 클럭인 것을 특징으로 하는 표시장치.The method of claim 5, wherein
The plurality of gate shift clocks are shifted by one horizontal period each with a pulse width of two horizontal periods;
And a four-phase cyclic clock sequentially delayed from the first gate shift clock to the fourth gate shift clock.
상기 제 1 및 제 2 스위칭 소자와 상기 풀업 및 풀다운 스위칭 소자는 P 타입으로 구성된 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 표시장치.The method of claim 5, wherein
And the first and second switching elements and the pull up and pull down switching elements are thin film transistors formed of a P type.
상기 게이트 구동부는 GIP(Gate In Panel) 방식으로 상기 표시패널의 하부 기판 상에 직접 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치.The method of claim 5, wherein
And the gate driver is directly formed on a lower substrate of the display panel using a gate in panel (GIP) method.
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