KR101773193B1 - Active Matrix Display - Google Patents

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Abstract

본 발명은 공통전압의 리플 성분을 빠르게 제거하여 화질을 향상시킬 수 있는 액티브 매트릭스 표시장치에 관한 것이다.
이 액티브 매트릭스 표시장치는 충전중인 액정셀들의 공통전극들을 연결하는 적어도 하나의 제1 공통라인; 비 충전중인 액정셀들의 공통전극들을 연결하는 다수의 제2 공통라인들; 제1 공통전압이 인가되는 제1 버스 라인; 제2 공통전압이 인가되는 제2 버스 라인; 및 액정셀들로의 데이터 인가시점에 맞추어 스캔펄스를 순차 발생하고, 상기 제1 버스 라인과 상기 제1 공통라인 간 전류 패스를 스위칭시켜 상기 스캔펄스에 의해 충전 동작이 활성화되는 수평라인에 배치된 상기 제1 공통라인에 상기 제1 공통전압을 인가하며, 상기 제2 버스 라인과 상기 제2 공통라인들 간 전류 패스를 스위칭시켜 충전 동작이 활성화되지 않는 수평라인에 배치된 상기 제2 공통라인들에 상기 제2 공통전압을 인가하는 게이트 구동회로를 구비한다.
The present invention relates to an active matrix display device capable of rapidly removing a ripple component of a common voltage to improve picture quality.
The active matrix display device includes at least one first common line connecting common electrodes of liquid crystal cells being charged; A plurality of second common lines connecting common electrodes of uncharged liquid crystal cells; A first bus line to which a first common voltage is applied; A second bus line to which a second common voltage is applied; And a scan driver for sequentially generating scan pulses in accordance with a time point of data application to the liquid crystal cells and switching current paths between the first bus line and the first common line, The first common line is applied to the first common line, and the current path between the second common line and the second common line is switched, And a gate driving circuit for applying the second common voltage to the gate driving circuit.

Description

액티브 매트릭스 표시장치{Active Matrix Display}[0001] Active Matrix Display [

본 발명은 공통전압의 리플 성분을 빠르게 제거하여 화질을 향상시킬 수 있는 액티브 매트릭스 표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an active matrix display device capable of rapidly removing a ripple component of a common voltage to improve picture quality.

액티브 매트릭스(Active Matrix) 구동방식의 표시장치는 스위칭 소자로서 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 "TFT"라 함)를 이용하여 동영상을 표시하고 있다. 이러한 액티브 매트릭스 표시장치로는 대표적으로 액정표시장치(Liquid Crystal Display)가 있다. A display device of an active matrix driving system displays a moving image by using a thin film transistor (hereinafter referred to as "TFT") as a switching element. As such an active matrix display device, a liquid crystal display is typically used.

액정표시장치는 데이터전압이 인가되는 화소전극들과, 이 화소전극들에 대향되고 공통전압이 인가되는 공통전극들을 포함한다. 액정셀들은 화소전극과 공통전극 간 전위차에 의해 구동된다. The liquid crystal display includes pixel electrodes to which a data voltage is applied, and common electrodes which are opposite to the pixel electrodes and to which a common voltage is applied. The liquid crystal cells are driven by a potential difference between the pixel electrode and the common electrode.

공통전극들은 도 1과 같이 게이트라인에 평행한 내부 공통라인들(VCL1)과, 내부 공통라인들(VCL1)이 병렬 접속되는 외부 공통라인(VCL2)을 통해 공통전압(Vcom)을 공급받는다. 내부 공통라인들(VCL1)은 기생 커패시터를 통해 패널의 신호라인들(데이터라인 및 게이트라인등)에 커플링되어 있으므로, 내부 공통라인들(VCL1) 상의 공통전압(Vcom)은 데이터전압 및/또는 게이트전압(스캔펄스)에 영향을 받게 된다. 즉, 스캔펄스(SCAN) 또는 데이터전압(Vdata) 변동시, 공통전압(Vcom)은 일정한 직류레벨로 유지되지 못하고 도 2와 같이 출렁이게 된다. 이러한 공통전압(Vcom)의 리플(ripple) 성분은 픽셀의 충전 특성에 악영향을 미치므로 빠르게 감쇄되어야 한다. 그러나, 종래의 액정표시장치에서는 전압 변동에 의한 공통전압(Vcom)의 리플 성분들이 단일한 외부 공통라인(VCL2)을 통해 한꺼번에 방전되는 구조를 취하므로 실제 리플 성분들의 감쇄 속도가 매우 느려진다. 리플 성분들에 의해 공통전압(Vcom)이 변동되면, 충전 불균일, 수평 방향의 줄무늬 등이 생길 수 있다. The common electrodes are supplied with a common voltage Vcom through internal common lines VCL1 parallel to the gate lines and external common lines VCL2 connected in parallel with the internal common lines VCL1 as shown in FIG. Since the internal common lines VCL1 are coupled to the signal lines (data lines and gate lines, etc.) of the panel via the parasitic capacitors, the common voltage Vcom on the internal common lines VCL1 is the data voltage and / It is affected by the gate voltage (scan pulse). That is, when the scan pulse SCAN or the data voltage Vdata fluctuates, the common voltage Vcom can not be maintained at a constant DC level, but is swung as shown in FIG. The ripple component of this common voltage Vcom adversely affects the charging characteristics of the pixel and must be rapidly attenuated. However, in the conventional liquid crystal display device, since the ripple components of the common voltage Vcom due to the voltage fluctuation are discharged simultaneously through the single common external line VCL2, the attenuation rate of the actual ripple components is very slow. When the common voltage Vcom varies due to the ripple components, uneven charging, horizontal stripes, and the like may occur.

리플 성분들의 감쇄 속도를 좀 더 빠르게 하기 위해, 선폭을 넓게 하여 공통라인들(VCL1,VCL2)의 라인 저항(Rl)을 줄이는 방법을 고려해 볼 수 있다. 하지만, 제반 여건상 공통라인들(VCL1,VCL2)의 선폭을 무한정 넓힐 수는 없으며, 비록 선폭을 아주 넓히더라도 만족할 만큼 빠르게 리플 성분들이 감쇄되지도 않는다.
A method may be considered in which the line width of the common lines VCL1 and VCL2 is reduced by increasing the line width in order to further speed up the attenuation of the ripple components. However, the line width of the common lines (VCL1, VCL2) can not be expanded indefinitely under all circumstances, and the ripple components are not attenuated as satisfactorily even if the line width is greatly enlarged.

따라서, 본 발명의 목적은 공통전압의 리플 성분을 빠르게 제거하여 화질을 향상시킬 수 있도록 한 액티브 매트릭스 표시장치를 제공하는 데 있다.
It is therefore an object of the present invention to provide an active matrix display device capable of rapidly removing a ripple component of a common voltage to improve image quality.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 표시장치는 충전중인 액정셀들의 공통전극들을 연결하는 적어도 하나의 제1 공통라인; 비 충전중인 액정셀들의 공통전극들을 연결하는 다수의 제2 공통라인들; 제1 공통전압이 인가되는 제1 버스 라인; 제2 공통전압이 인가되는 제2 버스 라인; 및 액정셀들로의 데이터 인가시점에 맞추어 스캔펄스를 순차 발생하고, 상기 제1 버스 라인과 상기 제1 공통라인 간 전류 패스를 스위칭시켜 상기 스캔펄스에 의해 충전 동작이 활성화되는 수평라인에 배치된 상기 제1 공통라인에 상기 제1 공통전압을 인가하며, 상기 제2 버스 라인과 상기 제2 공통라인들 간 전류 패스를 스위칭시켜 충전 동작이 활성화되지 않는 수평라인에 배치된 상기 제2 공통라인들에 상기 제2 공통전압을 인가하는 게이트 구동회로를 구비한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an active matrix display device including: at least one first common line connecting common electrodes of liquid crystal cells being charged; A plurality of second common lines connecting common electrodes of uncharged liquid crystal cells; A first bus line to which a first common voltage is applied; A second bus line to which a second common voltage is applied; And a scan driver for sequentially generating scan pulses in accordance with a time point of data application to the liquid crystal cells and switching current paths between the first bus line and the first common line, The first common line is applied to the first common line, and the current path between the second common line and the second common line is switched, And a gate driving circuit for applying the second common voltage to the gate driving circuit.

상기 액정셀들에 의해 표시패널에서의 표시영역이 정의되고; 상기 게이트 구동회로는 상기 표시영역 바깥에 위치한 상기 표시패널의 비 표시영역에 내장된다.A display region in the display panel is defined by the liquid crystal cells; The gate driving circuit is embedded in a non-display area of the display panel located outside the display area.

상기 게이트 구동회로는, 게이트 쉬프트 클럭신호의 입력단과 출력 노드 사이에 접속되며 Q 노드의 전위에 따라 턴 온 레벨의 상기 스캔펄스를 상기 출력 노드에 인가하는 풀업 트랜지스터; 상기 출력 노드와 저전위 구동전압의 입력단 사이에 접속되며 상기 Q 노드와 반대 전위를 갖는 QB 노드의 전위에 따라 턴 오프 레벨의 상기 스캔펄스를 상기 출력 노드에 인가하는 풀다운 트랜지스터; 상기 Q 노드의 전위에 따라 상기 제1 버스 라인과 상기 제1 공통라인 간 전류 패스를 스위칭시키는 제1 스위치 소자; 및 상기 QB 노드의 전위에 따라 상기 제2 버스 라인과 상기 제2 공통라인들 간 전류 패스를 스위칭시키는 제2 스위치 소자를 구비한다.A pull-up transistor connected between an input terminal of the gate shift clock signal and the output node and applying the scan pulse of the turn-on level to the output node according to the potential of the Q node; A pull-down transistor connected between the output node and the input terminal of the low-potential driving voltage, for applying the scan pulse of the turn-off level to the output node according to the potential of the QB node having the opposite potential to the Q node; A first switch element for switching a current path between the first bus line and the first common line according to a potential of the Q node; And a second switch element for switching a current path between the second bus line and the second common line according to the potential of the QB node.

상기 게이트 구동회로는, 상기 Q 노드와 상기 제1 스위치 소자의 게이트단자 사이에 다이오드 커넥션 되도록 접속된 제3 스위치 소자; 및 상기 QB 노드의 전위에 따라 상기 제1 스위치 소자의 게이트단자에 상기 저전위 구동전압을 인가하는 제4 스위치 소자를 더 구비한다.The gate driving circuit includes a third switch element connected to be diode-connected between the Q node and the gate terminal of the first switch element; And a fourth switch element for applying the low potential driving voltage to the gate terminal of the first switch element in accordance with the potential of the QB node.

상기 게이트 구동회로는, 게이트 쉬프트 클럭신호의 입력단과 출력 노드 사이에 접속되며 Q 노드의 전위에 따라 턴 온 레벨의 상기 스캔펄스를 상기 출력 노드에 인가하는 풀업 트랜지스터; 상기 출력 노드와 저전위 구동전압의 입력단 사이에 접속되며 상기 Q 노드와 반대 전위를 갖는 QB 노드의 전위에 따라 턴 오프 레벨의 상기 스캔펄스를 상기 출력 노드에 인가하는 풀다운 트랜지스터; 상기 출력 노드의 전위에 따라 상기 제1 버스 라인과 상기 제1 공통라인 간 전류 패스를 스위칭시키는 제1 스위치 소자; 및 상기 QB 노드의 전위에 따라 상기 제2 버스 라인과 상기 제2 공통라인들 간 전류 패스를 스위칭시키는 제2 스위치 소자를 구비한다.A pull-up transistor connected between an input terminal of the gate shift clock signal and the output node and applying the scan pulse of the turn-on level to the output node according to the potential of the Q node; A pull-down transistor connected between the output node and the input terminal of the low-potential driving voltage, for applying the scan pulse of the turn-off level to the output node according to the potential of the QB node having the opposite potential to the Q node; A first switch element for switching a current path between the first bus line and the first common line according to a potential of the output node; And a second switch element for switching a current path between the second bus line and the second common line according to the potential of the QB node.

상기 게이트 구동회로는, 상기 출력 노드와 상기 제1 스위치 소자의 게이트단자 사이에 다이오드 커넥션 되도록 접속된 제3 스위치 소자; 및 상기 QB 노드의 전위에 따라 상기 제1 스위치 소자의 게이트단자에 상기 저전위 구동전압을 인가하는 제4 스위치 소자를 더 구비한다.The gate driving circuit includes a third switch element connected to be diode-connected between the output node and the gate terminal of the first switch element; And a fourth switch element for applying the low potential driving voltage to the gate terminal of the first switch element in accordance with the potential of the QB node.

상기 게이트 구동회로는, 게이트 쉬프트 클럭신호의 입력단과 출력 노드 사이에 접속되며 Q 노드의 전위에 따라 턴 온 레벨의 상기 스캔펄스를 상기 출력 노드에 인가하는 풀업 트랜지스터; 상기 출력 노드와 저전위 구동전압의 입력단 사이에 접속되며 상기 Q 노드와 반대 전위를 갖는 QB 노드의 전위에 따라 턴 오프 레벨의 상기 스캔펄스를 상기 출력 노드에 인가하는 풀다운 트랜지스터; 상기 Q 노드의 전위에 따라 상기 게이트 쉬프트 클럭신호 또는 고전위 구동전압을 제1 노드에 인가하는 제3 스위치 소자; 상기 제1 노드의 전위에 따라 상기 제1 버스 라인과 상기 제1 공통라인 간 전류 패스를 스위칭시키는 제1 스위치 소자; 상기 QB 노드의 전위에 따라 상기 제2 버스 라인과 상기 제2 공통라인들 간 전류 패스를 스위칭시키는 제2 스위치 소자; 및 상기 QB 노드의 전위에 따라 상기 제1 노드에 상기 저전위 구동전압을 인가하는 제4 스위치 소자를 구비한다.A pull-up transistor connected between an input terminal of the gate shift clock signal and the output node and applying the scan pulse of the turn-on level to the output node according to the potential of the Q node; A pull-down transistor connected between the output node and the input terminal of the low-potential driving voltage, for applying the scan pulse of the turn-off level to the output node according to the potential of the QB node having the opposite potential to the Q node; A third switch element for applying the gate shift clock signal or the high potential driving voltage to the first node according to the potential of the Q node; A first switch element for switching a current path between the first bus line and the first common line according to a potential of the first node; A second switch element for switching a current path between the second bus line and the second common line according to a potential of the QB node; And a fourth switch element for applying the low potential driving voltage to the first node according to the potential of the QB node.

이 액티브 매트릭스 표시장치는 상기 제1 공통전압을 발생하여 상기 제1 버스 라인에 공급하고, 상기 제2 공통전압을 발생하여 상기 제2 버스 라인에 공급하는 전원회로를 더 구비한다.The active matrix display device further includes a power supply circuit for generating the first common voltage to supply the first common voltage to the first bus line and generating the second common voltage to supply the second common voltage to the second bus line.

상기 전원회로는 상기 제1 공통전압과 제2 공통전압을 동일 레벨로 발생하거나 또는, 서로 다른 레벨로 발생한다.The power supply circuit generates the first common voltage and the second common voltage at the same level or at different levels.

상기 전원회로는, 상기 제2 공통전압을 일정한 레벨로 고정시키고; 상기 제1 공통전압을 상기 제2 공통전압보다 높은 제1 레벨과 상기 제2 공통전압보다 낮은 제2 레벨 사이에서 소정 기간을 주기로 스윙시킨다.
Wherein the power supply circuit fixes the second common voltage at a constant level; And swings the first common voltage between a first level higher than the second common voltage and a second level lower than the second common voltage for a predetermined period.

본 발명에 따른 액티브 매트릭스 표시장치는 충전중인 액정셀들의 공통전극들을 연결하는 제1 공통라인을 게이트 구동회로를 이용하여 제1 버스 라인에 연결시키고, 비 충전중인 액정셀들의 공통전극들을 연결하는 제2 공통라인들을 게이트 구동회로를 이용하여 제2 버스 라인에 연결시킨다. 이를 통해 본 발명은 제1 공통라인 상에 존재하는 리플 성분의 방전 경로를 제2 공통라인들 상에 존재하는 리플 성분의 방전 경로와 다르게 함으로써, 제1 공통라인 상의 리플 성분을 빠르게 제거하여 충전 불균일, 수평 방향의 줄무늬 등을 방지하고 화질을 크게 향상시킬 수 있다.
The active matrix display device according to the present invention includes a first common line connecting common electrodes of liquid crystal cells being charged to a first bus line by using a gate driving circuit and a second common line connecting common electrodes of uncharged liquid crystal cells 2 common lines to the second bus line using a gate drive circuit. Accordingly, by making the discharge path of the ripple component existing on the first common line different from the discharge path of the ripple component existing on the second common lines, the present invention rapidly removes the ripple component on the first common line, , Stripes in the horizontal direction, and the like can be prevented, and the image quality can be greatly improved.

도 1은 종래 공통라인의 접속 구성을 보여주는 도면.
도 2는 공통전압의 리플 성분을 보여주는 도면.
도 3은 종래 액정표시장치에서 공통전압의 리플 성분들이 단일한 외부 공통라인을 통해 방전되는 것을 보여주는 도면.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 표시장치를 보여주는 도면.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 공통라인의 접속 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 6은 게이트 구동회로가 내장된 액정표시패널의 어레이를 보여주는 도면.
도 7은 도 6에 도시된 제n 유닛의 제1 실시예를 보여주는 도면.
도 8은 도 7에 대한 시뮬레이션 결과 파형을 보여주는 도면.
도 9는 도 6에 도시된 제n 유닛의 제2 실시예를 보여주는 도면.
도 10은 도 6에 도시된 제n 유닛의 제3 실시예를 보여주는 도면.
도 11은 도 6에 도시된 제n 유닛의 제4 실시예를 보여주는 도면.
도 12는 도 11에 대한 시뮬레이션 결과 파형을 보여주는 도면.
도 13은 도 6에 도시된 제n 유닛(UNT(n))의 제5 실시예를 보여주는 도면.
도 14 및 도 15는 도 11에 대한 시뮬레이션 결과 파형을 보여주는 도면들.
1 is a view showing a connection configuration of a conventional common line;
2 shows a ripple component of a common voltage;
FIG. 3 is a view showing ripple components of a common voltage in a conventional liquid crystal display device discharged through a single external common line; FIG.
4 is a view showing an active matrix display device according to an embodiment of the present invention.
5 is a view schematically showing a connection configuration of a common line according to an embodiment of the present invention;
6 is a view showing an array of a liquid crystal display panel with a built-in gate driving circuit.
Fig. 7 is a view showing a first embodiment of the n-th unit shown in Fig. 6; Fig.
FIG. 8 is a view showing a simulation result waveform for FIG. 7; FIG.
Fig. 9 is a view showing a second embodiment of the n-th unit shown in Fig. 6; Fig.
Fig. 10 is a view showing a third embodiment of the n-th unit shown in Fig. 6; Fig.
Fig. 11 is a view showing a fourth embodiment of the n-th unit shown in Fig. 6; Fig.
12 is a diagram showing a simulation result waveform for FIG. 11. FIG.
Fig. 13 is a view showing a fifth embodiment of the n-th unit UNT (n) shown in Fig. 6; Fig.
FIGS. 14 and 15 are diagrams showing waveforms of simulation results for FIG. 11. FIG.

이하, 도 4 내지 도 15를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 15. FIG.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 표시장치를 보여준다.4 illustrates an active matrix display device according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 표시장치는 액정표시장치로 구현된다. 액정표시장치는 액정표시패널(10), 타이밍 콘트롤러(11), 데이터 구동회로(12), 및 게이트 구동회로(13), 및 전원회로(14)를 구비한다. Referring to FIG. 4, an active matrix display device according to an embodiment of the present invention is implemented as a liquid crystal display device. The liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel 10, a timing controller 11, a data driving circuit 12, a gate driving circuit 13, and a power supply circuit 14.

액정표시패널(10)은 두 장의 유리기판 사이에 액정층이 형성된다. 이 액정표시패널(10)은 다수의 데이터라인들(DL)과 다수의 게이트라인들(GL)의 교차 구조에 의해 매트릭스 형태로 배치된 다수의 액정셀(Clc)들을 포함한다. In the liquid crystal display panel 10, a liquid crystal layer is formed between two glass substrates. The liquid crystal display panel 10 includes a plurality of liquid crystal cells Clc arranged in a matrix form by an intersection structure of a plurality of data lines DL and a plurality of gate lines GL.

액정표시패널(10)의 하부 유리기판에는 데이터라인들(DL), 게이트라인들(GL), TFT들, TFT들에 각각 접속된 화소전극들(1), 화소전극들(1)과 대향하여 액정셀들(Clc)을 구동하는 공통전극들(2) 등이 형성된다. 공통전극들(2)은 공통라인(CL)에 연결되며, 픽셀 어레이에서 스토리지 온 컴온(Storage on common) 방식의 스토리지 커패시터(Cst)를 형성할 수 있다. The pixel electrodes 1 and the pixel electrodes 1 connected to the data lines DL, the gate lines GL, the TFTs and the TFTs are formed on the lower glass substrate of the liquid crystal display panel 10, Common electrodes 2 for driving liquid crystal cells Clc, and the like are formed. The common electrodes 2 are connected to the common line CL and can form a storage on common storage capacitor Cst in the pixel array.

액정표시패널(10)의 상부 유리기판 상에는 블랙매트릭스, 컬러필터등이 형성된다. On the upper glass substrate of the liquid crystal display panel 10, a black matrix, a color filter, and the like are formed.

액정표시패널(10)의 상부 유리기판과 하부 유리기판 상에는 광축이 직교하는 편광판이 부착되고 액정과 접하는 계면에 액정의 프리틸트각(pre-tilt angle)을 설정하기 위한 배향막이 형성된다. On the upper glass substrate and the lower glass substrate of the liquid crystal display panel 10, a polarizing plate whose optical axis is orthogonal is attached, and an alignment film for setting a pre-tilt angle of liquid crystal is formed at an interface with the liquid crystal.

타이밍 콘트롤러(11)는 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 액정표시패널(10)의 해상도에 맞게 정렬하여 데이터 구동회로(12)에 공급한다.The timing controller 11 arranges the input digital video data RGB in accordance with the resolution of the liquid crystal display panel 10 and supplies the data to the data driving circuit 12.

타이밍 콘트롤러(11)는 수직/수평 동기신호(Vsync, Hsync), 데이터 인에이블 신호(DE), 도트클럭신호(DCLK) 등의 타이밍신호를 입력받아 데이터 구동회로(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와 게이트 구동회로(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)를 발생한다. 게이트 타이밍 제어신호(GDC)는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse, GSP), 게이트 쉬프트 클럭신호(Gate Shift Clock, CLK), 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable, GOE) 등을 포함한다. 데이터 타이밍 제어신호(DDC)는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse, SSP), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 극성제어신호(Polarity : POL), 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE) 등을 포함한다. The timing controller 11 receives the timing signals such as the vertical / horizontal synchronizing signals Vsync and Hsync, the data enable signal DE and the dot clock signal DCLK to control the operation timing of the data driving circuit 12 And a gate control signal (GDC) for controlling the operation timing of the data driving control signal (DDC) and the gate driving circuit (13). The gate timing control signal GDC includes a gate start pulse GSP, a gate shift clock signal CLK, a gate output enable signal GOE, and the like. The data timing control signal DDC includes a source start pulse SSP, a source sampling clock SSC, a polarity control signal POL, and a source output enable signal SOUT, SOE).

데이터 구동회로(12)는 타이밍 콘트롤러(11)의 제어 하에 디지털 비디오 데이터(RGB)를 래치한 후에, 래치된 데이터를 아날로그 정극성/부극성 데이터전압으로 변환하여 데이터라인들(DL)에 공급한다. The data driving circuit 12 latches the digital video data RGB under the control of the timing controller 11 and then converts the latched data into analog positive and negative polarity data voltages and supplies them to the data lines DL .

게이트 구동회로(13)는 타이밍 콘트롤러(11)의 제어 하에 스캔펄스를 발생하여 게이트라인들(GL)에 순차적으로 공급한다. 그리고, 게이트 구동회로(13)는 스캔펄스에 의해 충전 동작이 활성화되는 수평라인에 배치된 공통라인(CL)에 제1 공통전압(Vcom1)을 공급하고, 충전 동작이 활성화되지 않는 수평라인들에 배치된 공통라인(CL)에 제2 공통전압(Vcom2)을 공급한다.The gate driver circuit 13 generates a scan pulse under the control of the timing controller 11 and sequentially supplies the scan pulses to the gate lines GL. The gate driving circuit 13 supplies the first common voltage Vcom1 to the common line CL arranged on the horizontal line where the charging operation is activated by the scan pulse and supplies the first common voltage Vcom1 to the horizontal lines And supplies the second common voltage Vcom2 to the disposed common line CL.

게이트 구동회로(13)는 레벨 쉬프터(level shiftet)와 게이트 쉬프트 레지스터를 구비한다. 레벨 쉬프터는 타이밍 콘트롤러(11)로부터 입력되는 적어도 2상 이상의 게이트 쉬프트 클럭들(CLK)의 TTL(Transistor-Transistor- Logic) 로직 레벨 전압을 게이트 하이 전압과 게이트 로우 전압으로 레벨 쉬프팅한다. 게이트 쉬프트 레지스터는 게이트 스타트 펄스(GSP)를 게이트 쉬프트 클럭(CLK)에 맞추어 쉬프트시켜 순차적으로 스캔펄스를 출력하는 다수의 유닛들로 구성된다. 게이트 구동회로(13)는 GIP(Gate In Panel) 방식으로 액정표시패널(10)의 하부 기판 상에 직접 형성될 수 있다. GIP 방식에서, 레벨 쉬프터는 콘트롤 PCB(미도시) 상에 타이밍 콘트롤러(11)와 함께 실장되고, 게이트 쉬프트 레지스터는 액정표시패널(10) 하부 기판 상에 내장된다. 이하에서는 설명의 편의상 게이트 구동회로(13)가 GIP 방식으로 내장된다고 설명하겠지만, 이는 정확히 게이트 쉬프트 레지스터가 GIP 방식으로 내장됨을 유의하여야 한다.The gate drive circuit 13 includes a level shift and a gate shift register. The level shifter level shifts the TTL (Transistor-Transistor-Logic) logic level voltage of the gate shift clocks (CLK) of at least two phases inputted from the timing controller 11 to the gate high voltage and the gate low voltage. The gate shift register is composed of a plurality of units that sequentially shift the gate start pulse (GSP) in accordance with the gate shift clock (CLK) and sequentially output the scan pulse. The gate driving circuit 13 may be formed directly on the lower substrate of the liquid crystal display panel 10 by a GIP (Gate In Panel) method. In the GIP system, the level shifter is mounted on the control PCB (not shown) together with the timing controller 11, and the gate shift register is embedded on the lower substrate of the liquid crystal display panel 10. [ Hereinafter, it will be described that the gate drive circuit 13 is embedded in the GIP scheme for the convenience of explanation, but it should be noted that the gate shift register is correctly embedded in the GIP scheme.

전원회로(14)는 제1 공통전압(Vcom1)과 제2 공통전압(Vcom2)을 발생한다. 그리고, 전원회로(14)는 제1 공통전압(Vcom1)을 제1 버스 배선을 통해 게이트 구동회로(13)에 공급하고, 제2 공통전압(Vcom2)을 제2 버스 배선을 통해 게이트 구동회로(13)에 공급한다. 전원회로(14)는 제1 공통전압(Vcom1)과 제2 공통전압(Vcom2)을 동일 레벨로 발생하거나 또는, 서로 다른 레벨로 발생할 수 있다. 제1 공통전압(Vcom1)과 제2 공통전압(Vcom2)이 서로 다른 레벨로 발생될 때, 전원회로(14)는 제1 공통전압(Vcom1)을 소정 기간을 주기로 스윙 시킬수 있다. 예컨대, 전원회로(14)는 제2 공통전압(Vcom2)을 일정한 레벨로 고정시키고, 제n(n은 양의 정수) 프레임 기간 동안에는 제1 공통전압(Vcom1)을 제2 공통전압(Vcom2)보다 높은 제1 레벨로 발생하고, 제n+1 프레임 기간 동안에는 제1 공통전압(Vcom1)을 제2 공통전압(Vcom2)보다 낮은 제2 레벨로 발생할 수 있다. 한편, 액정표시패널(10)이 라인 인버젼 방식으로 구동되는 경우, 전원회로(14)는 제2 공통전압(Vcom2)을 일정한 레벨로 고정시키고, 제1 공통전압(Vcom1)을 1 수평기간을 주기로 상기 제1 레벨과 제2 레벨 사이에서 스윙시킬 수 있다. 이 경우, 데이터전압의 출력 스윙폭이 줄어들어 데이터 구동회로(12)에서의 소비전력이 경감될 수 있다.The power supply circuit 14 generates the first common voltage Vcom1 and the second common voltage Vcom2. The power supply circuit 14 supplies the first common voltage Vcom1 to the gate drive circuit 13 through the first bus wiring and supplies the second common voltage Vcom2 to the gate drive circuit 13). The power supply circuit 14 may generate the first common voltage Vcom1 and the second common voltage Vcom2 at the same level or may occur at different levels. When the first common voltage Vcom1 and the second common voltage Vcom2 are generated at different levels, the power supply circuit 14 can swing the first common voltage Vcom1 at regular intervals. For example, the power supply circuit 14 fixes the second common voltage Vcom2 at a constant level, and during the nth (n is a positive integer) frame period, the first common voltage Vcom1 is higher than the second common voltage Vcom2 And the first common voltage Vcom1 may be generated at a second level lower than the second common voltage Vcom2 during the (n + 1) -th frame period. On the other hand, when the liquid crystal display panel 10 is driven by the line-inversion method, the power supply circuit 14 fixes the second common voltage Vcom2 at a constant level, and applies the first common voltage Vcom1 to one horizontal period And may swing between the first level and the second level periodically. In this case, the output swing width of the data voltage is reduced, and the power consumption in the data driving circuit 12 can be reduced.

도 5는 공통전압의 리플 성분을 빠르게 감쇄시키기 위한 공통라인의 접속 구성을 개략적으로 보여준다.5 schematically shows a connection configuration of a common line for rapidly attenuating the ripple component of the common voltage.

도 5를 참조하면, 공통라인(CL)은 액정셀들의 공통전극들을 수평 라인 단위로 연결하는 제1 공통라인(CL1)과 제2 공통라인들(CL2)을 포함한다. Referring to FIG. 5, the common line CL includes a first common line CL1 and second common lines CL2 that connect the common electrodes of the liquid crystal cells on a horizontal line basis.

충전중인 액정셀들의 공통전극들을 연결하는 제1 공통라인(CL1)은 게이트 구동회로(13)에 의해 제1 버스 라인(BL1)에 연결되도록 스위칭되고, 비 충전중인 액정셀들의 공통전극들을 연결하는 제2 공통라인들(CL2)은 게이트 구동회로(13)에 의해 제2 버스 라인(BL2)에 연결되도록 스위칭된다. 예컨대, 제n 수평라인(HL(n))에 배치된 액정셀들이 충전 상태에 있다고 가정할 때, 제n 수평라인(HL(n))에 배치된 공통라인은 제1 공통라인(CL1)으로 기능하여 제1 버스 라인(BL1)에 연결되고, 비 충전중인 수평라인들(HL(n-2),HL(n+2)등)에 배치된 공통라인들은 제2 공통라인들(CL2)로 기능하여 제2 버스 라인(BL2)에 연결된다. 그 결과, 제1 공통라인(CL1) 상의 리플 성분은 제1 버스 라인(BL1)을 포함한 제1 방전 경로를 통해 방전되고, 제2 공통라인들(CL2) 상의 리플 성분은 제2 버스 라인(BL2)을 포함한 제2 방전 경로를 통해 방전된다. 이렇게 리플 성분들의 방전 경로를 다르게 하면, 제1 방전 경로 상의 라인 저항(Rl)이 획기적으로 줄어들기 때문에 제1 공통라인(CL1) 상의 리플 성분이 빠르게 감쇄되는 효과가 있다. The first common line CL1 for connecting the common electrodes of the liquid crystal cells being charged is switched to be connected to the first bus line BL1 by the gate driving circuit 13 and is connected to the common electrodes of the uncharged liquid crystal cells And the second common lines CL2 are switched to be connected to the second bus line BL2 by the gate driving circuit 13. [ For example, assuming that the liquid crystal cells arranged in the nth horizontal line HL (n) are in the charged state, the common line arranged in the nth horizontal line HL (n) is connected to the first common line CL1 And the common lines arranged in the uncharged horizontal lines HL (n-2), HL (n + 2), etc. are connected to the first common line CL1 by the second common lines CL2 And is connected to the second bus line BL2. As a result, the ripple components on the first common line CL1 are discharged through the first discharge path including the first bus line BL1, and the ripple components on the second common lines CL2 are discharged through the second bus line BL2 The second discharge path including the second discharge path. When the discharge paths of the ripple components are made different from each other, the line resistance Rl on the first discharge path drastically decreases, so that the ripple component on the first common line CL1 is attenuated rapidly.

충전 불균일 및 수평 방향의 줄무늬 등을 없애기 위해서는, 제1 공통라인(CL1) 상의 리플 성분이 빨리 제거되어야 한다. 충전중인 액정셀들에 인가되는 공통전압이 리플 성분에 의해 변동되면, 충전중인 액정셀들에서 화소전극과 공통전극 간 전위차가 원하는 값으로 셋팅되기가 어려워진다. 이는 충전중인 액정셀들의 화소전극들이 각 데이터라인과 전기적으로 접속되기 때문이다. 반면, 비 충전중인 액정셀들은 각 데이터라인으로부터 플로팅(Floating) 되어 있으므로, 공통전압의 변동에 영향받지 않는다. 비 충전중인 액정셀들은 커플링 효과에 의해 공통전극의 전위 변동분만큼 화소전극의 전위도 같은 방향으로 변동되므로 기존의 전위차를 그대로 유지할 수 있게 된다. 따라서, 제2 공통라인들(CL2)의 대부분이 제2 버스 라인(BL2)에 연결되더라도 화질 저하는 발생되지 않는다.In order to eliminate filling unevenness and horizontal stripe, the ripple component on the first common line CL1 must be removed quickly. When the common voltage applied to the liquid crystal cells being charged is varied by the ripple component, it is difficult to set the potential difference between the pixel electrode and the common electrode in the liquid crystal cells being charged to a desired value. This is because the pixel electrodes of the liquid crystal cells being charged are electrically connected to the respective data lines. On the other hand, since uncharged liquid crystal cells are floating from each data line, they are not affected by variations in the common voltage. The potential of the pixel electrode is also changed in the same direction by the amount of potential variation of the common electrode due to the coupling effect, so that the existing potential difference can be maintained as it is. Therefore, even if the majority of the second common lines CL2 are connected to the second bus line BL2, the image quality degradation does not occur.

도 6은 게이트 구동회로(13)가 내장된 액정표시패널(10)의 어레이를 보여준다.6 shows an array of the liquid crystal display panel 10 in which the gate drive circuit 13 is incorporated.

도 6을 참조하면, 액정표시패널(10)에서 화상이 표시되는 표시영역(AA)에는 화소 어레이가 형성되고, 표시영역(AA) 바깥의 비 표시영역(NAA)에는 게이트 구동회로(13)가 형성된다.6, a pixel array is formed in a display area AA in which an image is displayed in the liquid crystal display panel 10 and a gate drive circuit 13 is provided in a non-display area NAA outside the display area AA .

게이트 구동회로(13)는 구동전압(Vdd,Vss)을 입력받고, 게이트 스타트 펄스(GSP)를 게이트 쉬프트 클럭(CLK)에 맞추어 쉬프트시켜 순차적으로 스캔펄스(Vg)를 출력하는 다수의 유닛들(UNT)로 구성된다. 유닛들(UNT) 각각은 제1 버스 배선(BL1)을 통해 제1 공통전압(Vcom1)을 입력받음과 아울러 제2 버스 배선(BL2)을 통해 제2 공통전압(Vcom2)을 입력받고, 스캔펄스(Vg)에 의해 충전 동작이 활성화되는 수평라인에 배치된 공통라인에 제1 공통전압(Vcom1)을 공급하고, 충전 동작이 활성화되지 않는 대부분의 수평라인들에 배치된 공통라인에 제2 공통전압(Vcom2)을 공급한다. 유닛들(UNT) 중 어느 하나에 의해 제1 공통전압(Vcom1)이 인가되는 공통라인은 충전중인 액정셀들의 공통전극들을 연결하는 제1 공통라인(CL1)으로 기능하고, 상기 어느 하나를 제외한 나머지 유닛들(UNT)에 의해 제2 공통전압(Vcom2)이 인가되는 공통라인들은 비 충전중인 액정셀들의 공통전극들을 연결하는 제2 공통라인들(CL2)로 기능하게 된다.The gate driving circuit 13 includes a plurality of units which receive the driving voltages Vdd and Vss and shift the gate start pulse GSP in accordance with the gate shift clock CLK to sequentially output the scanning pulse Vg UNT). Each of the units UNT receives the first common voltage Vcom1 through the first bus line BL1 and receives the second common voltage Vcom2 through the second bus line BL2, The first common voltage Vcom1 is supplied to the common line arranged in the horizontal line where the charging operation is activated by the first common voltage Vg and the second common voltage Vcom1 is supplied to the common line arranged in the most horizontal lines, (Vcom2). The common line to which the first common voltage Vcom1 is applied by any one of the units UNT functions as a first common line CL1 for connecting the common electrodes of the liquid crystal cells being charged, The common lines to which the second common voltage Vcom2 is applied by the units UNT function as the second common lines CL2 connecting the common electrodes of the uncharged liquid crystal cells.

도 7은 도 6에 도시된 제n 유닛(UNT(n))의 제1 실시예를 보여준다. 도 8은 도 7에 대한 시뮬레이션 결과 파형을 보여준다. 도 8에서, 'VQ'는 Q 노드(NQ)의 전위를, 'VQB'는 QB 노드(NQB)를 각각 나타낸다.Fig. 7 shows a first embodiment of the n-th unit UNT (n) shown in Fig. FIG. 8 shows a simulation result waveform for FIG. 7. FIG. In FIG. 8, 'VQ' denotes the potential of the Q node NQ, and 'VQB' denotes the QB node (NQB).

도 7 및 도 8을 참조하면, 제1 실시예에 따른 제n 유닛(UNT(n))은 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 풀업 트랜지스터(Tpu), 풀다운 트랜지스터(Tpd), 제1 스위치 소자(S1) 및 제2 스위치 소자(S2)를 포함한다.7 and 8, the n-th unit UNT (n) according to the first embodiment includes a first transistor T1, a second transistor T2, a pull-up transistor Tpu, a pull-down transistor Tpd, A first switch element S1, and a second switch element S2.

제1 트랜지스터(T1)는 전단 유닛들 중 어느 하나의 스캔펄스(PREV)에 따라 스위칭됨으로써 Q 노드(NQ)에 고전위 구동전압(Vdd)을 인가하여 Q 노드(NQ)를 제1 레벨로 활성화시킨다. 인버터(INV)는 Q 노드(NQ)가 활성화될 때 QB 노드(NQB)를 비 활성화시킨다. The first transistor T1 is switched according to one of the scan pulses PREV of the previous stage to apply the high potential driving voltage Vdd to the Q node NQ to activate the Q node NQ to the first level . The inverter INV deactivates the QB node NQB when the Q node NQ is activated.

제2 트랜지스터(T2)는 후단 유닛들 중 어느 하나의 스캔펄스(NEXT)에 따라 스위칭됨으로써 Q 노드(NQ)에 저전위 구동전압(Vss)을 인가하여 Q 노드(NQ)를 비 활성화시킨다. 인버터(INV)는 Q 노드(NQ)가 비 활성화될 때 QB 노드(NQB)를 활성화시킨다.The second transistor T2 is switched according to a scan pulse NEXT of the subsequent stage units to apply a low potential driving voltage Vss to the Q node NQ to inactivate the Q node NQ. The inverter INV activates the QB node NQB when the Q node NQ is inactivated.

풀업 트랜지스터(Tpu)는 Q 노드(NQ)가 상기 제1 레벨보다 높은 제2 레벨로 부스 스트랩핑(boot-strapping)되는 기간 내에서 게이트 쉬프트 클럭신호(CLK)를 출력 노드(NO)에 인가한다. 출력 노드(NO)에 인가된 게이트 쉬프트 클럭신호(CLK)는 VGH 레벨(턴 온 레벨)의 제n 스캔펄스(Vg(n))로서 제n 게이트라인(GL(n))에 공급된다. The pull-up transistor Tpu applies the gate shift clock signal CLK to the output node NO within a period in which the Q node NQ is boot-strapping to a second level higher than the first level . The gate shift clock signal CLK applied to the output node NO is supplied to the nth gate line GL (n) as the nth scan pulse Vg (n) at the VGH level (turn-on level).

풀다운 트랜지스터(Tpd)는 QB 노드(NQB)가 활성화되는 기간 동안 저전위 구동전압(Vss)을 출력 노드(NO)에 인가한다. 출력 노드(NO)에 인가된 저전위 구동전압(Vss)은 VGL 레벨(턴 오프 레벨)의 제n 스캔펄스(Vg(n))로서 제n 게이트라인(GL(n))에 공급된다.The pull-down transistor Tpd applies the low potential driving voltage Vss to the output node NO during the period in which the QB node NQB is activated. The low potential driving voltage Vss applied to the output node NO is supplied to the nth gate line GL (n) as the nth scan pulse Vg (n) at the VGL level (turn-off level).

제1 스위치 소자(S1)는 Q 노드(NQ)에 접속된 게이트단자, 제1 버스 라인(BL1)에 접속된 드레인단자, 및 제n 공통라인(CL(n))에 접속된 소스단자를 구비한다. 제1 스위치 소자(S1)는 Q 노드(NQ)가 제1 레벨로 활성화될 때 턴 온 되어 제1 버스 라인(BL1)과 제n 공통라인(CL(n))을 전기적으로 연결시킴으로써, 제n 공통라인(CL(n))에 제1 공통전압(Vcom1)을 인가한다. 이때, 제n 공통라인(CL(n))은 도 6에서 설명한 제1 공통라인(CL1)으로 기능하게 된다.The first switch element S1 has a gate terminal connected to the Q node NQ, a drain terminal connected to the first bus line BL1, and a source terminal connected to the nth common line CL (n) do. The first switch element S1 is turned on when the Q node NQ is activated to the first level to electrically connect the first bus line BL1 and the nth common line CL (n) And applies the first common voltage Vcom1 to the common line CL (n). At this time, the nth common line CL (n) functions as the first common line CL1 described in Fig.

제2 스위치 소자(S2)는 QB 노드(NQB)에 접속된 게이트단자, 제2 버스 라인(BL2)에 접속된 드레인단자, 및 제n 공통라인(CL(n))에 접속된 소스단자를 구비한다. 제2 스위치 소자(S2)는 QB 노드(NQB)가 활성화될 때 턴 온 되어 제2 버스 라인(BL2)과 제n 공통라인(CL(n))을 전기적으로 연결시킴으로써, 제n 공통라인(CL(n))에 제2 공통전압(Vcom2)을 인가한다. 이때, 제n 공통라인(CL(n))은 도 6에서 설명한 제2 공통라인(CL2)으로 기능하게 된다.The second switch element S2 has a gate terminal connected to the QB node NQB, a drain terminal connected to the second bus line BL2, and a source terminal connected to the nth common line CL (n) do. The second switch element S2 is turned on when the QB node NQB is activated to electrically connect the second bus line BL2 and the nth common line CL (n) of the second common voltage Vcom2. At this time, the n-th common line CL (n) functions as the second common line CL2 described with reference to Fig.

도 8에서는 제1 공통전압(Vcom1)이 5V로, 제2 공통전압(Vcom2)이 8V로 각각 제n 유닛(UNT(n))에 입력되었다. 도 8을 통해 쉽게 알 수 있듯이, 제n 유닛(UNT(n))을 통해 제n 공통라인(CL(n))에 인가되는 공통전압(Vcom(n))은 Q 노드(NQ)가 제1 레벨로 활성화되는 기간 동안 제1 공통전압(Vcom1)인 5V이고, QB 노드(NQB)가 활성화되는 기간 동안 제2 공통전압(Vcom2)인 8V이다. In Fig. 8, the first common voltage Vcom1 is inputted to the n-th unit UNT (n) at 5V and the second common voltage Vcom2 is inputted to the n-th unit UNT (n) at 8V. 8, the common voltage Vcom (n) applied to the n-th common line CL (n) through the n-th unit UNT (n) Level is 5V, which is the first common voltage Vcom1, and 8V, which is the second common voltage Vcom2 during the period in which the QB node NQB is activated.

도 9는 도 6에 도시된 제n 유닛(UNT(n))의 제2 실시예를 보여준다. Fig. 9 shows a second embodiment of the n-th unit UNT (n) shown in Fig.

도 9를 참조하면, 제2 실시예에 따른 제n 유닛(UNT(n))은 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 풀업 트랜지스터(Tpu), 풀다운 트랜지스터(Tpd), 제1 스위치 소자(S1), 제2 스위치 소자(S2), 제3 스위치 소자(S3) 및 제4 스위치 소자(S4)를 포함한다.9, the n-th unit UNT (n) according to the second embodiment includes a first transistor T1, a second transistor T2, a pull-up transistor Tpu, a pull-down transistor Tpd, A switch element S1, a second switch element S2, a third switch element S3 and a fourth switch element S4.

제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 풀업 트랜지스터(Tpu), 풀다운 트랜지스터(Tpd), 제1 스위치 소자(S1) 및 제2 스위치 소자(S2)는 도 7에서 설명한 것과 실질적으로 동일하다.The first transistor T1, the second transistor T2, the pull-up transistor Tpu, the pull-down transistor Tpd, the first switch element S1 and the second switch element S2 are substantially the same as those described in FIG. Do.

제3 스위치 소자(S3)는 Q 노드(NQ)와 제1 스위치 소자(S1)의 게이트단자 사이에 다이오드 커넥션되도록 접속된다. 제3 스위치 소자(S3)는 Q 노드(NQ)에 접속되는 기생 커패시턴스의 용량을 줄여 Q 노드(NQ)의 부트 스트랩핑 효과를 높인다.The third switch element S3 is connected so as to be diode-connected between the Q node NQ and the gate terminal of the first switch element S1. The third switch element S3 increases the bootstrapping effect of the Q node NQ by reducing the capacitance of the parasitic capacitance connected to the Q node NQ.

제4 스위치 소자(S4)는 QB 노드(NQB)에 접속된 게이트단자, 제1 스위치 소자(S1)의 게이트단자와 제3 스위치 소자(S3) 사이의 제1 노드(NX)에 접속된 드레인단자, 및 저전위 구동전압(Vss)이 입력되는 소스단자를 구비한다. 제4 스위치 소자(S4)는 QB 노드(NQB)가 활성화될 때 제1 노드(NX)에 저전위 구동전압(Vss)을 인가한다.The fourth switch element S4 has a gate terminal connected to the QB node NQB and a drain terminal connected to the first node NX between the gate terminal of the first switch element S1 and the third switch element S3. , And a source terminal to which a low potential driving voltage (Vss) is input. The fourth switch element S4 applies the low potential driving voltage Vss to the first node NX when the QB node NQB is activated.

도 10은 도 6에 도시된 제n 유닛(UNT(n))의 제3 실시예를 보여준다. Fig. 10 shows a third embodiment of the n-th unit UNT (n) shown in Fig.

도 10을 참조하면, 제3 실시예에 따른 제n 유닛(UNT(n))은 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 풀업 트랜지스터(Tpu), 풀다운 트랜지스터(Tpd), 제1 스위치 소자(S1) 및 제2 스위치 소자(S2)를 포함한다.10, the n-th unit UNT (n) according to the third embodiment includes a first transistor T1, a second transistor T2, a pull-up transistor Tpu, a pull-down transistor Tpd, And includes a switch element S1 and a second switch element S2.

제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 풀업 트랜지스터(Tpu), 풀다운 트랜지스터(Tpd) 및 제2 스위치 소자(S2)는 도 7에서 설명한 것과 실질적으로 동일하다.The first transistor T1, the second transistor T2, the pull-up transistor Tpu, the pull-down transistor Tpd, and the second switch element S2 are substantially the same as those described in FIG.

제1 스위치 소자(S1)는 출력 노드(NO)에 접속된 게이트단자, 제1 버스 라인(BL1)에 접속된 드레인단자, 및 제n 공통라인(CL(n))에 접속된 소스단자를 구비한다. 제1 스위치 소자(S1)는 출력 노드(NO)에 게이트 쉬프트 클럭신호(CLK)가 인가되는 시점부터 QB 노드(NQB)가 활성화되는 시점까지 턴 온 되어 제1 버스 라인(BL1)과 제n 공통라인(CL(n))을 전기적으로 연결시킴으로써, 제n 공통라인(CL(n))에 제1 공통전압(Vcom1)을 인가한다. 이때, 제n 공통라인(CL(n))은 도 6에서 설명한 제1 공통라인(CL1)으로 기능하게 된다.The first switch element S1 has a gate terminal connected to the output node NO, a drain terminal connected to the first bus line BL1, and a source terminal connected to the nth common line CL (n) do. The first switch element S1 is turned on from the time point when the gate shift clock signal CLK is applied to the output node NO to the time point when the QB node NQB is activated, The first common voltage Vcom1 is applied to the nth common line CL (n) by electrically connecting the line CL (n). At this time, the nth common line CL (n) functions as the first common line CL1 described in Fig.

도 11은 도 6에 도시된 제n 유닛(UNT(n))의 제4 실시예를 보여준다. 도 12는 도 11에 대한 시뮬레이션 결과 파형을 보여준다. 도 12에서, 'VQ'는 Q 노드(NQ)의 전위를, 'VQB'는 QB 노드(NQB)를, 'VNX'는 제1 노드(NX)의 전위를 각각 나타낸다.Fig. 11 shows a fourth embodiment of the n-th unit UNT (n) shown in Fig. Fig. 12 shows a simulation result waveform for Fig. In FIG. 12, 'VQ' represents the potential of the Q node NQ, 'VQB' represents the QB node NQB, and 'VNX' represents the potential of the first node NX.

도 11 및 도 12를 참조하면, 제4 실시예에 따른 제n 유닛(UNT(n))은 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 풀업 트랜지스터(Tpu), 풀다운 트랜지스터(Tpd), 제1 스위치 소자(S1) 및 제2 스위치 소자(S2), 제3 스위치 소자(S3) 및 제4 스위치 소자(S4)를 포함한다.11 and 12, the n-th unit UNT (n) according to the fourth embodiment includes a first transistor T1, a second transistor T2, a pull-up transistor Tpu, a pull-down transistor Tpd, A first switch element S1 and a second switch element S2, a third switch element S3 and a fourth switch element S4.

제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 풀업 트랜지스터(Tpu), 풀다운 트랜지스터(Tpd) 및 제2 스위치 소자(S2)는 도 7에서 설명한 것과 실질적으로 동일하다.The first transistor T1, the second transistor T2, the pull-up transistor Tpu, the pull-down transistor Tpd, and the second switch element S2 are substantially the same as those described in FIG.

제1 스위치 소자(S1)는 제1 노드(NX)에 접속된 게이트단자, 제1 버스 라인(BL1)에 접속된 드레인단자, 및 제n 공통라인(CL(n))에 접속된 소스단자를 구비한다. 제1 스위치 소자(S1)는 출력 노드(NO)에 게이트 쉬프트 클럭신호(CLK)가 인가되는 시점부터 QB 노드(NQB)가 활성화되는 시점까지 턴 온 되어 제1 버스 라인(BL1)과 제n 공통라인(CL(n))을 전기적으로 연결시킴으로써, 제n 공통라인(CL(n))에 제1 공통전압(Vcom1)을 인가한다. 이때, 제n 공통라인(CL(n))은 도 6에서 설명한 제1 공통라인(CL1)으로 기능하게 된다.The first switch element S1 has a gate terminal connected to the first node NX, a drain terminal connected to the first bus line BL1, and a source terminal connected to the nth common line CL (n) Respectively. The first switch element S1 is turned on from the time point when the gate shift clock signal CLK is applied to the output node NO to the time point when the QB node NQB is activated, The first common voltage Vcom1 is applied to the nth common line CL (n) by electrically connecting the line CL (n). At this time, the nth common line CL (n) functions as the first common line CL1 described in Fig.

제3 스위치 소자(S3)는 출력 노드(NO)와 제1 스위치 소자(S1)의 게이트단자 사이에 다이오드 커넥션되도록 접속된다. 제3 스위치 소자(S3)는 출력 노드(NO)에 접속되는 기생 커패시턴스의 용량을 줄여 출력 노드(NO)를 안정화시킨다.The third switch element S3 is connected so as to be diode-connected between the output node NO and the gate terminal of the first switch element S1. The third switch element S3 reduces the capacitance of the parasitic capacitance connected to the output node NO to stabilize the output node NO.

제4 스위치 소자(S4)는 QB 노드(NQB)에 접속된 게이트단자, 제1 스위치 소자(S1)의 게이트단자와 제3 스위치 소자(S3) 사이의 제1 노드(NX)에 접속된 드레인단자, 및 저전위 구동전압(Vss)이 입력되는 소스단자를 구비한다. 제4 스위치 소자(S4)는 QB 노드(NQB)가 활성화될 때 제1 노드(NX)에 저전위 구동전압(Vss)을 인가한다.The fourth switch element S4 has a gate terminal connected to the QB node NQB and a drain terminal connected to the first node NX between the gate terminal of the first switch element S1 and the third switch element S3. , And a source terminal to which a low potential driving voltage (Vss) is input. The fourth switch element S4 applies the low potential driving voltage Vss to the first node NX when the QB node NQB is activated.

도 12에서는 제1 공통전압(Vcom1)이 11V로, 제2 공통전압(Vcom2)이 8V로 각각 제n 유닛(UNT(n))에 입력되었다. 도 12를 통해 쉽게 알 수 있듯이, 제n 유닛(UNT(n))을 통해 제n 공통라인(CL(n))에 인가되는 공통전압(Vcom(n))은 출력 노드(NO)에 게이트 쉬프트 클럭신호(CLK)가 인가되는 시점부터 QB 노드(NQB)가 활성화되는 시점까지 제1 공통전압(Vcom1)인 11V이고, QB 노드(NQB)가 활성화되는 기간 동안 제2 공통전압(Vcom2)인 8V이다. In Fig. 12, the first common voltage Vcom1 is inputted to the n-th unit UNT (n) at 11V and the second common voltage Vcom2 is inputted to the n-th unit UNT (n) at 8V. 12, the common voltage Vcom (n) applied to the n th common line CL (n) through the n th unit UNT (n) is shifted to the output node NO by the gate shift The first common voltage Vcom1 is 11V from the time when the clock signal CLK is applied to the time when the QB node NQB is activated and the second common voltage Vcom2 is 8V during the period in which the QB node NQB is activated. to be.

도 13은 도 6에 도시된 제n 유닛(UNT(n))의 제5 실시예를 보여준다. 도 14 및 도 15는 도 11에 대한 시뮬레이션 결과 파형을 보여준다. 도 14 및 도 15에서, 'VQ'는 Q 노드(NQ)의 전위를, 'VQB'는 QB 노드(NQB)를, 'VNX'는 제1 노드(NX)의 전위를 각각 나타낸다.Fig. 13 shows a fifth embodiment of the n-th unit UNT (n) shown in Fig. Figs. 14 and 15 show waveforms of simulation results for Fig. 14 and 15, 'VQ' represents the potential of the Q node NQ, 'VQB' represents the QB node NQB, and 'VNX' represents the potential of the first node NX.

도 13 내지 도 15를 참조하면, 제5 실시예에 따른 제n 유닛(UNT(n))은 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 풀업 트랜지스터(Tpu), 풀다운 트랜지스터(Tpd), 제1 스위치 소자(S1) 및 제2 스위치 소자(S2), 제3 스위치 소자(S3) 및 제4 스위치 소자(S4)를 포함한다.13 to 15, the n-th unit UNT (n) according to the fifth embodiment includes a first transistor T1, a second transistor T2, a pull-up transistor Tpu, a pull-down transistor Tpd, A first switch element S1 and a second switch element S2, a third switch element S3 and a fourth switch element S4.

제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 풀업 트랜지스터(Tpu), 풀다운 트랜지스터(Tpd) 및 제2 스위치 소자(S2)는 도 7에서 설명한 것과 실질적으로 동일하다.The first transistor T1, the second transistor T2, the pull-up transistor Tpu, the pull-down transistor Tpd, and the second switch element S2 are substantially the same as those described in FIG.

제3 스위치 소자(S3)는 Q 노드(NQ)에 접속된 게이트단자, 게이트 쉬프트 클럭신호(CLK) 또는 고전위 구동전압(Vdd)이 입력되는 드레인단자, 제1 노드(NX)에 접속된 소스단자를 구비한다. 제3 스위치 소자(S3)는 Q 노드(NQ)가 제1 레벨로 활성화될 때 턴 온 되어 게이트 쉬프트 클럭신호(CLK) 또는 고전위 구동전압(Vdd)을 제1 노드(NX)에 인가한다.The third switch element S3 is connected to a gate terminal connected to the Q node NQ, a drain terminal to which the gate shift clock signal CLK or the high potential drive voltage Vdd is inputted, a source connected to the first node NX, Terminal. The third switch element S3 is turned on when the Q node NQ is activated to the first level to apply the gate shift clock signal CLK or the high potential driving voltage Vdd to the first node NX.

제1 스위치 소자(S1)는 제1 노드(NX)에 접속된 게이트단자, 제1 버스 라인(BL1)에 접속된 드레인단자, 및 제n 공통라인(CL(n))에 접속된 소스단자를 구비한다. 제1 노드(NX)에 게이트 쉬프트 클럭신호(CLK)가 인가되는 경우, 제1 스위치 소자(S1)는 도 14와 같이 제1 노드(NX)에 게이트 쉬프트 클럭신호(CLK)가 인가되는 시점부터 QB 노드(NQB)가 활성화되는 시점까지 턴 온 되어 제1 버스 라인(BL1)과 제n 공통라인(CL(n))을 전기적으로 연결시킴으로써, 제n 공통라인(CL(n))에 제1 공통전압(Vcom1)을 인가한다. 제1 노드(NX)에 고전위 구동전압(Vdd)이 인가되는 경우, 제1 스위치 소자(S1)는 도 15와 같이 Q 노드(NQ)가 제1 레벨로 활성화되는 기간 동안 턴 온 되어 제1 버스 라인(BL1)과 제n 공통라인(CL(n))을 전기적으로 연결시킴으로써, 제n 공통라인(CL(n))에 제1 공통전압(Vcom1)을 인가한다. 이때, 제n 공통라인(CL(n))은 도 6에서 설명한 제1 공통라인(CL1)으로 기능하게 된다.The first switch element S1 has a gate terminal connected to the first node NX, a drain terminal connected to the first bus line BL1, and a source terminal connected to the nth common line CL (n) Respectively. When the gate shift clock signal CLK is applied to the first node NX, the first switch element S1 is turned on from the time when the gate shift clock signal CLK is applied to the first node NX, The first bus line BL1 and the nth common line CL (n) are electrically connected to each other until the QB node NQB is activated so that the first common line CL (n) The common voltage Vcom1 is applied. When the high potential driving voltage Vdd is applied to the first node NX, the first switch element S1 is turned on during the period in which the Q node NQ is activated to the first level, The first common voltage Vcom1 is applied to the nth common line CL (n) by electrically connecting the bus line BL1 and the nth common line CL (n). At this time, the nth common line CL (n) functions as the first common line CL1 described in Fig.

제4 스위치 소자(S4)는 QB 노드(NQB)에 접속된 게이트단자, 제1 스위치 소자(S1)의 게이트단자와 제3 스위치 소자(S3) 사이의 제1 노드(NX)에 접속된 드레인단자, 및 저전위 구동전압(Vss)이 입력되는 소스단자를 구비한다. 제4 스위치 소자(S4)는 QB 노드(NQB)가 활성화될 때 제1 노드(NX)에 저전위 구동전압(Vss)을 인가한다.The fourth switch element S4 has a gate terminal connected to the QB node NQB and a drain terminal connected to the first node NX between the gate terminal of the first switch element S1 and the third switch element S3. , And a source terminal to which a low potential driving voltage (Vss) is input. The fourth switch element S4 applies the low potential driving voltage Vss to the first node NX when the QB node NQB is activated.

도 14에서는 제1 공통전압(Vcom1)이 5V로, 제2 공통전압(Vcom2)이 8V로 각각 제n 유닛(UNT(n))에 입력되었다. 도 14를 통해 쉽게 알 수 있듯이, 제n 유닛(UNT(n))을 통해 제n 공통라인(CL(n))에 인가되는 공통전압(Vcom(n))은 제1 노드(NX)에 게이트 쉬프트 클럭신호(CLK)가 인가되는 시점부터 QB 노드(NQB)가 활성화되는 시점까지 제1 공통전압(Vcom1)인 5V이고, QB 노드(NQB)가 활성화되는 기간 동안 제2 공통전압(Vcom2)인 8V이다. In Fig. 14, the first common voltage Vcom1 is input to the n-th unit UNT (n) at 5V and the second common voltage Vcom2 is input to the n-th unit UNT (n) at 8V. 14, the common voltage Vcom (n) applied to the n-th common line CL (n) through the n-th unit UNT (n) The first common voltage Vcom1 is 5 V from the time when the shift clock signal CLK is applied to the time when the QB node NQB is activated and the second common voltage Vcom2 during the period in which the QB node NQB is activated. 8V.

도 15에서는 제1 공통전압(Vcom1)이 11V로, 제2 공통전압(Vcom2)이 8V로 각각 제n 유닛(UNT(n))에 입력되었다. 도 15를 통해 쉽게 알 수 있듯이, 제n 유닛(UNT(n))을 통해 제n 공통라인(CL(n))에 인가되는 공통전압(Vcom(n))은 Q 노드(NQ)가 제1 레벨로 활성화되는 기간 동안 제1 공통전압(Vcom1)인 11V이고, QB 노드(NQB)가 활성화되는 기간 동안 제2 공통전압(Vcom2)인 8V이다. In Fig. 15, the first common voltage Vcom1 is input to the n-th unit UNT (n) at 11V and the second common voltage Vcom2 is input to the n-th unit UNT (n) at 8V. 15, the common voltage Vcom (n) applied to the n-th common line CL (n) through the n-th unit UNT (n) Level during the period in which the QB node NQB is activated and is 8V which is the second common voltage Vcom2 during the period in which the QB node NQB is activated.

이상의 설명에서는 "제1 공통전압(Vcom1)을 스캔펄스(Vg)에 의해 충전 동작이 활성화되는 액정셀들에 접속된 공통라인에 공급" 한다고 기술하였다. 여기서, "충전 동작이 활성화되는 액정셀들에 접속된 공통라인에 공급" 된다는 것은 "충전 동작이 활성화되는 액정셀들에 접속된 공통라인에만 공급" 된다는 의미가 아님에 유의하여야 한다. 본원 발명에서, 제1 공통전압(Vcom1)은, 충전 중인 수평라인의 액정셀들에 접속된 공통라인을 포함하여, 상기 충전 중인 수평라인에 상하로 이웃한 수평라인들 중 적어도 어느 하나의 수평라인의 액정셀들에 접속된 공통라인에도 공급될 수 있다. 이는 도 8, 도 12, 도 14 및 도 15의 시뮬레이션 결과에서 보여지는 것처럼, 제1 공통전압(Vcom1)의 출력기간이 스캔펄스(Vg(n))의 출력 기간에 비해 넓기 때문이다. 예컨대, 도 7 및 도 9와 같은 회로에서는 도 8과 같이 제1 공통전압(Vcom1)의 출력 기간이 스캔펄스(Vg(n))에 비해 앞으로 1 수평기간 및 뒤로 1 수평기간 넓기 때문에, 제1 공통전압(Vcom1)은 제n 수평라인에 배치된 공통라인과 제n-1 및 제n+1 수평라인에 배치된 공통라인에 공급될 수 있다. 또한, 도 10 및 도 11과 같은 회로에서는 도 12와 같이 제1 공통전압(Vcom1)의 출력 기간이 스캔펄스(Vg(n))에 비해 뒤로 1 수평기간 넓기 때문에, 제1 공통전압(Vcom1)은 제n-1 수평라인에 배치된 공통라인과 제n 수평라인에 배치된 공통라인에 공급될 수 있다. 또한, 도 13에서 게이트 쉬프트 클럭신호(CLK)가 입력되는 경우에는 도 14와 같이 제1 공통전압(Vcom1)의 출력 기간이 스캔펄스(Vg(n))에 비해 뒤로 1 수평기간 넓기 때문에, 제1 공통전압(Vcom1)은 제n-1 수평라인에 배치된 공통라인과 제n 수평라인에 배치된 공통라인에 공급될 수 있다. 또한, 도 13에서 고전위 구동전압(Vdd)이 입력되는 경우에는 도 15와 같이 제1 공통전압(Vcom1)의 출력 기간이 스캔펄스(Vg(n))에 비해 앞으로 1 수평기간 및 뒤로 1 수평기간 넓기 때문에, 제1 공통전압(Vcom1)은 제n 수평라인에 배치된 공통라인과 제n-1 및 제n+1 수평라인에 배치된 공통라인에 공급될 수 있다.
In the above description, "the first common voltage Vcom1 is supplied to the common line connected to the liquid crystal cells in which the charging operation is activated by the scan pulse Vg". Note that "supplying to the common line connected to the liquid crystal cells in which the charging operation is activated" does not mean "supplying only the common line connected to the liquid crystal cells in which the charging operation is activated ". In the present invention, the first common voltage Vcom1 includes at least one horizontal line among the horizontal lines vertically adjacent to the charging horizontal line, including a common line connected to the liquid crystal cells of the horizontal line being charged To the common lines connected to the liquid crystal cells. This is because the output period of the first common voltage Vcom1 is wider than the output period of the scan pulse Vg (n), as shown in the simulation results of Figs. 8, 12, 14 and 15. Fig. For example, in the circuit as shown in FIG. 7 and FIG. 9, since the output period of the first common voltage Vcom1 is one horizontal period later and one horizontal period later than the scan pulse Vg (n) The common voltage Vcom1 may be supplied to the common line arranged on the nth horizontal line and the common line arranged on the (n-1) th and (n + 1) th horizontal lines. 10 and 11, since the output period of the first common voltage Vcom1 is one horizontal period later than the scan pulse Vg (n) as shown in Fig. 12, the first common voltage Vcom1, May be supplied to a common line disposed on the (n-1) th horizontal line and a common line disposed on the n th horizontal line. When the gate shift clock signal CLK is input in FIG. 13, since the output period of the first common voltage Vcom1 is one horizontal period later than the scan pulse Vg (n) as shown in FIG. 14, 1 common voltage Vcom1 may be supplied to the common line arranged on the (n-1) th horizontal line and the common line arranged on the nth horizontal line. 13, when the high-level driving voltage Vdd is input, the output period of the first common voltage Vcom1 becomes one horizontal period ahead of the scan pulse Vg (n) The first common voltage Vcom1 can be supplied to the common line arranged on the nth horizontal line and the common line arranged on the (n-1) th and (n + 1) th horizontal lines.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 표시장치는 충전중인 액정셀들의 공통전극들을 연결하는 제1 공통라인을 게이트 구동회로를 이용하여 제1 버스 라인에 연결시키고, 비 충전중인 액정셀들의 공통전극들을 연결하는 제2 공통라인들을 게이트 구동회로를 이용하여 제2 버스 라인에 연결시킨다. 이를 통해 본 발명은 제1 공통라인 상에 존재하는 리플 성분의 방전 경로를 제2 공통라인들 상에 존재하는 리플 성분의 방전 경로와 다르게 함으로써, 제1 공통라인 상의 리플 성분을 빠르게 제거하여 충전 불균일, 수평 방향의 줄무늬 등을 방지하고 화질을 크게 향상시킬 수 있다.As described above, in the active matrix display device according to the present invention, the first common line connecting the common electrodes of the liquid crystal cells being charged is connected to the first bus line by using the gate driving circuit, And the second common lines connecting the electrodes are connected to the second bus line using the gate driving circuit. Accordingly, by making the discharge path of the ripple component existing on the first common line different from the discharge path of the ripple component existing on the second common lines, the present invention rapidly removes the ripple component on the first common line, , Stripes in the horizontal direction, and the like can be prevented, and the image quality can be greatly improved.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아 니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10 : 액정표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러
12 ; 데이터 구동회로 13 : 게이트 구동회로
14 : 전원회로
10: liquid crystal display panel 11: timing controller
12; Data driving circuit 13: Gate driving circuit
14: Power supply circuit

Claims (10)

충전중인 액정셀들의 공통전극들을 연결하는 적어도 하나의 제1 공통라인;
비 충전중인 액정셀들의 공통전극들을 연결하는 다수의 제2 공통라인들;
제1 공통전압이 인가되는 제1 버스 라인;
제2 공통전압이 인가되는 제2 버스 라인; 및
액정셀들로의 데이터 인가시점에 맞추어 스캔펄스를 순차 발생하고, 상기 제1 버스 라인과 상기 제1 공통라인 간 전류 패스를 스위칭시켜 상기 스캔펄스에 의해 충전 동작이 활성화되는 수평라인에 배치된 상기 제1 공통라인에 상기 제1 공통전압을 인가하며, 상기 제2 버스 라인과 상기 제2 공통라인들 간 전류 패스를 스위칭시켜 충전 동작이 활성화되지 않는 수평라인에 배치된 상기 제2 공통라인들에 상기 제2 공통전압을 인가하는 게이트 구동회로를 구비하고,
상기 충전 동작이 활성화되는 액정셀들에 연결된 상기 제1 공통라인은 상기 제1 공통전압이 인가되는 상기 제1 버스 라인에 단독으로 연결되고,
상기 충전 동작이 활성화되지 않는 액정셀들에 연결된 복수의 상기 제2 공통라인들은 상기 제2 공통전압이 인가되는 상기 제2 버스 라인에 공통으로 연결되는 액티브 매트릭스 표시장치.
At least one first common line connecting common electrodes of the liquid crystal cells being charged;
A plurality of second common lines connecting common electrodes of uncharged liquid crystal cells;
A first bus line to which a first common voltage is applied;
A second bus line to which a second common voltage is applied; And
A first common line and a second common line, the scan lines sequentially generating scan pulses in accordance with the time of data application to the liquid crystal cells, switching current paths between the first bus lines and the first common lines, The first common voltage is applied to the first common line and the current path between the second bus line and the second common line is switched to apply the first common voltage to the second common lines arranged on the horizontal line, And a gate driving circuit for applying the second common voltage,
The first common line connected to the liquid crystal cells in which the charging operation is activated is exclusively connected to the first bus line to which the first common voltage is applied,
Wherein the plurality of second common lines connected to the liquid crystal cells in which the charging operation is not activated are connected in common to the second bus lines to which the second common voltage is applied.
제 1 항에 있어서,
상기 액정셀들에 의해 표시패널에서의 표시영역이 정의되고;
상기 게이트 구동회로는 상기 표시영역 바깥에 위치한 상기 표시패널의 비 표시영역에 내장되는 액티브 매트릭스 표시장치.
The method according to claim 1,
A display region in the display panel is defined by the liquid crystal cells;
Wherein the gate driving circuit is embedded in a non-display area of the display panel located outside the display area.
제 2 항에 있어서,
상기 게이트 구동회로는,
게이트 쉬프트 클럭신호의 입력단과 출력 노드 사이에 접속되며 Q 노드의 전위에 따라 턴 온 레벨의 상기 스캔펄스를 상기 출력 노드에 인가하는 풀업 트랜지스터;
상기 출력 노드와 저전위 구동전압의 입력단 사이에 접속되며 상기 Q 노드와 반대 전위를 갖는 QB 노드의 전위에 따라 턴 오프 레벨의 상기 스캔펄스를 상기 출력 노드에 인가하는 풀다운 트랜지스터;
상기 Q 노드의 전위에 따라 상기 제1 버스 라인과 상기 제1 공통라인 간 전류 패스를 스위칭시키는 제1 스위치 소자; 및
상기 QB 노드의 전위에 따라 상기 제2 버스 라인과 상기 제2 공통라인들 간 전류 패스를 스위칭시키는 제2 스위치 소자를 구비하는 액티브 매트릭스 표시장치.
3. The method of claim 2,
The gate drive circuit includes:
A pull-up transistor connected between an input terminal and an output node of the gate shift clock signal and applying the scan pulse of the turn-on level to the output node according to the potential of the Q node;
A pull-down transistor connected between the output node and the input terminal of the low-potential driving voltage, for applying the scan pulse of the turn-off level to the output node according to the potential of the QB node having the opposite potential to the Q node;
A first switch element for switching a current path between the first bus line and the first common line according to a potential of the Q node; And
And a second switch element for switching the current path between the second bus line and the second common line according to the potential of the QB node.
제 3 항에 있어서,
상기 게이트 구동회로는,
상기 Q 노드와 상기 제1 스위치 소자의 게이트단자 사이에 다이오드 커넥션 되도록 접속된 제3 스위치 소자; 및
상기 QB 노드의 전위에 따라 상기 제1 스위치 소자의 게이트단자에 상기 저전위 구동전압을 인가하는 제4 스위치 소자를 더 구비하는 액티브 매트릭스 표시장치.
The method of claim 3,
The gate drive circuit includes:
A third switch element connected to be diode-connected between the Q node and the gate terminal of the first switch element; And
And a fourth switch element for applying the low potential driving voltage to the gate terminal of the first switch element in accordance with the potential of the QB node.
제 2 항에 있어서,
상기 게이트 구동회로는,
게이트 쉬프트 클럭신호의 입력단과 출력 노드 사이에 접속되며 Q 노드의 전위에 따라 턴 온 레벨의 상기 스캔펄스를 상기 출력 노드에 인가하는 풀업 트랜지스터;
상기 출력 노드와 저전위 구동전압의 입력단 사이에 접속되며 상기 Q 노드와 반대 전위를 갖는 QB 노드의 전위에 따라 턴 오프 레벨의 상기 스캔펄스를 상기 출력 노드에 인가하는 풀다운 트랜지스터;
상기 출력 노드의 전위에 따라 상기 제1 버스 라인과 상기 제1 공통라인 간 전류 패스를 스위칭시키는 제1 스위치 소자; 및
상기 QB 노드의 전위에 따라 상기 제2 버스 라인과 상기 제2 공통라인들 간 전류 패스를 스위칭시키는 제2 스위치 소자를 구비하는 액티브 매트릭스 표시장치.
3. The method of claim 2,
The gate drive circuit includes:
A pull-up transistor connected between an input terminal and an output node of the gate shift clock signal and applying the scan pulse of the turn-on level to the output node according to the potential of the Q node;
A pull-down transistor connected between the output node and the input terminal of the low-potential driving voltage, for applying the scan pulse of the turn-off level to the output node according to the potential of the QB node having the opposite potential to the Q node;
A first switch element for switching a current path between the first bus line and the first common line according to a potential of the output node; And
And a second switch element for switching the current path between the second bus line and the second common line according to the potential of the QB node.
제 5 항에 있어서,
상기 게이트 구동회로는,
상기 출력 노드와 상기 제1 스위치 소자의 게이트단자 사이에 다이오드 커넥션 되도록 접속된 제3 스위치 소자; 및
상기 QB 노드의 전위에 따라 상기 제1 스위치 소자의 게이트단자에 상기 저전위 구동전압을 인가하는 제4 스위치 소자를 더 구비하는 액티브 매트릭스 표시장치.
6. The method of claim 5,
The gate drive circuit includes:
A third switch element connected to make a diode connection between the output node and the gate terminal of the first switch element; And
And a fourth switch element for applying the low potential driving voltage to the gate terminal of the first switch element in accordance with the potential of the QB node.
제 2 항에 있어서,
상기 게이트 구동회로는,
게이트 쉬프트 클럭신호의 입력단과 출력 노드 사이에 접속되며 Q 노드의 전위에 따라 턴 온 레벨의 상기 스캔펄스를 상기 출력 노드에 인가하는 풀업 트랜지스터;
상기 출력 노드와 저전위 구동전압의 입력단 사이에 접속되며 상기 Q 노드와 반대 전위를 갖는 QB 노드의 전위에 따라 턴 오프 레벨의 상기 스캔펄스를 상기 출력 노드에 인가하는 풀다운 트랜지스터;
상기 Q 노드의 전위에 따라 상기 게이트 쉬프트 클럭신호 또는 고전위 구동전압을 제1 노드에 인가하는 제3 스위치 소자;
상기 제1 노드의 전위에 따라 상기 제1 버스 라인과 상기 제1 공통라인 간 전류 패스를 스위칭시키는 제1 스위치 소자;
상기 QB 노드의 전위에 따라 상기 제2 버스 라인과 상기 제2 공통라인들 간 전류 패스를 스위칭시키는 제2 스위치 소자; 및
상기 QB 노드의 전위에 따라 상기 제1 노드에 상기 저전위 구동전압을 인가하는 제4 스위치 소자를 구비하는 액티브 매트릭스 표시장치.
3. The method of claim 2,
The gate drive circuit includes:
A pull-up transistor connected between an input terminal and an output node of the gate shift clock signal and applying the scan pulse of the turn-on level to the output node according to the potential of the Q node;
A pull-down transistor connected between the output node and the input terminal of the low-potential driving voltage, for applying the scan pulse of the turn-off level to the output node according to the potential of the QB node having the opposite potential to the Q node;
A third switch element for applying the gate shift clock signal or the high potential driving voltage to the first node according to the potential of the Q node;
A first switch element for switching a current path between the first bus line and the first common line according to a potential of the first node;
A second switch element for switching a current path between the second bus line and the second common line according to a potential of the QB node; And
And a fourth switch element for applying the low potential driving voltage to the first node according to the potential of the QB node.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 공통전압을 발생하여 상기 제1 버스 라인에 공급하고, 상기 제2 공통전압을 발생하여 상기 제2 버스 라인에 공급하는 전원회로를 더 구비하는 액티브 매트릭스 표시장치.
The method according to claim 1,
And a power supply circuit for generating the first common voltage to supply the first common voltage to the first bus line and generating the second common voltage to supply the second common voltage to the second bus line.
제 8 항에 있어서,
상기 전원회로는 상기 제1 공통전압과 제2 공통전압을 동일 레벨로 발생하거나 또는, 서로 다른 레벨로 발생하는 액티브 매트릭스 표시장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the power supply circuit generates the first common voltage and the second common voltage at the same level or occurs at different levels.
제 8 항에 있어서,
상기 전원회로는,
상기 제2 공통전압을 일정한 레벨로 고정시키고;
상기 제1 공통전압을 상기 제2 공통전압보다 높은 제1 레벨과 상기 제2 공통전압보다 낮은 제2 레벨 사이에서 소정 기간을 주기로 스윙시키는 액티브 매트릭스 표시장치.
9. The method of claim 8,
The power supply circuit includes:
Fixing the second common voltage to a constant level;
And swings the first common voltage at a period between a first level higher than the second common voltage and a second level lower than the second common voltage for a predetermined period.
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