KR101977247B1 - Shift register and display device using the same - Google Patents

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    • G09G2310/0286Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit

Abstract

본 발명은 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다. 본 발명의 쉬프트 레지스터는 스타트 신호 또는 전단 캐리신호가 입력되는 스타트 단자; 클럭 신호와 상기 클럭 신호를 반전시킨 반전 클럭 신호가 입력되는 제1 클럭 단자와 제2 클럭 단자; 상기 스타트 단자에 입력된 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호와 동일한 파형의 신호를 출력하는 출력단자; 상기 제1 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호에 응답하여 Q 노드를 상기 스타트 단자를 통해 입력되는 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호로 충방전하는 Q 노드 충방전부; 상기 제1 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호와 상기 스타트 단자를 통해 입력되는 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호에 응답하여 QB 노드를 저전위 전압으로 방전하는 QB 노드 방전부; 상기 QB 노드를 고전위 전압으로 충전하는 QB 노드 충전부; 및 상기 Q 노드의 전압에 응답하여 상기 고전위 전압을 상기 출력단자로 출력하고, 상기 QB 노드의 전압에 응답하여 상기 저전위 전압을 상기 출력단자로 출력하는 출력부를 포함한다. The present invention relates to a shift register and a display device using the shift register. The shift register of the present invention includes: a start terminal to which a start signal or a carry signal is input; A first clock terminal and a second clock terminal receiving a clock signal and an inverted clock signal inverting the clock signal; An output terminal for outputting the start signal inputted to the start terminal or a signal having the same waveform as the previous carry signal; A Q node charging unit charging / discharging the Q node with the start signal or the front carry signal input through the start terminal in response to the clock signal or the inverted clock signal input through the first clock terminal; A QB node discharging unit discharging the QB node to a low potential voltage in response to the clock signal input through the first clock terminal or the inverted clock signal and the start signal input through the start terminal or the front carry signal; A QB node charging unit charging the QB node with a high potential voltage; And an output unit for outputting the high potential voltage to the output terminal in response to the voltage of the Q node and outputting the low potential voltage to the output terminal in response to the voltage of the QB node.

Description

쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치{SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}[0001] SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME [0002]

본 발명은 스타트 전압과 동일한 파형을 갖는 신호를 순차적으로 출력하는 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shift register for sequentially outputting signals having the same waveform as a start voltage and a display using the same.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)이 개발 및 시판되고 있다. 예를 들어, 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광다이오드 표시장치(OLED: Organic Light Emitting Diode)와 같은 여러 가지 평판표시장치가 활용되고 있다. 평판표시장치는 쉬프트 레지스터를 이용하여 표시패널의 게이트 라인들에 게이트 신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로와 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동회로를 이용하여 영상을 표시한다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. Accordingly, a variety of flat panel displays (FPDs) have been developed and marketed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. For example, various flat panel display devices such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting diode (OLED) . The flat panel display uses a shift register to display an image using a gate driving circuit for sequentially supplying gate signals to the gate lines of the display panel and a data driving circuit for supplying data voltages to the data lines.

최근에 유기발광다이오드 표시장치의 경우, 표시패널의 화소들 각각은 화질 향상 등을 이유로 복수의 스위칭 TFT(thin film transistor)를 포함한다. 이 경우, 게이트 구동회로는 복수의 스위칭 TFT를 제어하기 위한 스위칭 제어 신호의 개수만큼 쉬프트 레지스터들을 필요로 한다. 쉬프트 레지스터는 클럭(clock)에 의존하여 출력을 발생하기 때문에, 쉬프트 레지스터에 입력되는 클럭의 개수와 클럭의 위상은 스위칭 제어 신호의 파형 형태에 따라 달라진다. 그러므로, 복수의 스위칭 제어 신호의 파형 형태가 모두 다른 경우에는 쉬프트 레지스터들 각각에 입력되는 클럭의 개수와 클럭의 위상이 모두 달라질 수도 있다. 결국, 클럭 라인들의 수가 늘어나기 때문에 쉬프트 레지스터의 회로 설계 면적이 증가하게 된다. 특히, 쉬프트 레지스터를 표시패널의 베젤 영역에 직접 형성하는 GIP(gate drive IC in panel) 방식의 경우, 쉬프트 레지스터의 회로 설계 면적 증가로 인해 유기발광다이오드 표시장치의 베젤(bezel) 영역이 넓어지는 문제가 있다.
In recent years, in the case of an organic light emitting diode display device, each pixel of the display panel includes a plurality of switching TFTs (thin film transistors) for the purpose of improving image quality and the like. In this case, the gate driving circuit requires shift registers by the number of switching control signals for controlling the plurality of switching TFTs. Since the shift register generates an output depending on the clock, the number of clocks input to the shift register and the phase of the clock depend on the waveform of the switching control signal. Therefore, when the waveforms of the plurality of switching control signals are different from each other, the number of clocks input to each of the shift registers and the phase of the clock may be different from each other. As a result, the number of clock lines increases, which increases the circuit design area of the shift register. Particularly, in the case of a GIP (gate drive IC in panel) method in which a shift register is directly formed in a bezel region of a display panel, a bezel region of the organic light emitting diode display device is widened due to an increase in the circuit design area of the shift register .

본 발명은 표시장치의 베젤 영역을 줄일 수 있는 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치를 제공한다.
The present invention provides a shift register capable of reducing a bezel area of a display device and a display device using the shift register.

본 발명의 쉬프트 레지스터는 스타트 신호 또는 전단 캐리신호가 입력되는 스타트 단자; 클럭 신호와 상기 클럭 신호를 반전시킨 반전 클럭 신호가 입력되는 제1 클럭 단자와 제2 클럭 단자; 상기 스타트 단자에 입력된 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호와 동일한 파형의 신호를 출력하는 출력단자; 상기 제1 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호에 응답하여 Q 노드를 상기 스타트 단자를 통해 입력되는 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호로 충방전하는 Q 노드 충방전부; 상기 제1 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호와 상기 스타트 단자를 통해 입력되는 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호에 응답하여 QB 노드를 저전위 전압으로 방전하는 QB 노드 방전부; 상기 QB 노드를 고전위 전압으로 충전하는 QB 노드 충전부; 및 상기 Q 노드의 전압에 응답하여 상기 고전위 전압을 상기 출력단자로 출력하고, 상기 QB 노드의 전압에 응답하여 상기 저전위 전압을 상기 출력단자로 출력하는 출력부를 포함한다. The shift register of the present invention includes: a start terminal to which a start signal or a carry signal is input; A first clock terminal and a second clock terminal receiving a clock signal and an inverted clock signal inverting the clock signal; An output terminal for outputting the start signal inputted to the start terminal or a signal having the same waveform as the previous carry signal; A Q node charging unit charging / discharging the Q node with the start signal or the front carry signal input through the start terminal in response to the clock signal or the inverted clock signal input through the first clock terminal; A QB node discharging unit discharging the QB node to a low potential voltage in response to the clock signal input through the first clock terminal or the inverted clock signal and the start signal input through the start terminal or the front carry signal; A QB node charging unit charging the QB node with a high potential voltage; And an output unit for outputting the high potential voltage to the output terminal in response to the voltage of the Q node and outputting the low potential voltage to the output terminal in response to the voltage of the QB node.

본 발명의 표시장치는 데이터 라인들과 적어도 하나 이상의 스위칭 신호 라인군을 포함하는 표시패널; 입력되는 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들에 공급하는 데이터 구동회로; 및 상기 쉬프트 레지스터를 이용하여 상기 적어도 하나 이상의 스위칭 신호 라인군에 스위칭 제어 신호를 순차적으로 출력하는 하나 이상의 쉬프트 레지스터를 포함한 게이트 구동회로를 포함한다. A display device of the present invention includes: a display panel including data lines and at least one group of switching signal lines; A data driving circuit for converting input digital video data into analog data voltages and supplying the analog data voltages to the data lines; And a gate driving circuit including at least one shift register for sequentially outputting a switching control signal to the at least one switching signal line group using the shift register.

본 발명의 쉬프트 레지스터는 두 개의 클럭 신호들을 이용하여 스타트 신호와 동일한 파형의 신호를 순차적으로 출력한다. 그 결과, 본 발명은 복수의 쉬프트 레지스터들 각각에 입력되는 스타트 신호의 파형만을 다르게 하는 경우, 복수의 쉬프트 레지스터들은 서로 다른 파형의 복수의 스위칭 제어 신호들을 출력할 수 있다. 이로 인해, 본 발명은 회로 설계 면적을 크게 줄일 수 있으므로, 표시장치의 베젤 영역을 줄일 수 있다.
The shift register of the present invention sequentially outputs signals having the same waveform as the start signal using two clock signals. As a result, in the present invention, when only the waveform of the start signal input to each of the plurality of shift registers is made different, the plurality of shift registers can output a plurality of switching control signals of different waveforms. As a result, the present invention can greatly reduce the circuit design area, thereby reducing the bezel area of the display device.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터를 보여주는 블록도.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 제k 스테이지의 회로 구성의 일 예를 보여주는 회로도.
도 3은 제1 스테이지의 입력 신호들과 출력 신호의 일 예를 보여주는 파형도.
도 4a 내지 도 4j는 제1 내지 제10 기간 동안 제1 스테이지의 회로 동작을 보여주는 일 예시도면.
도 5는 제2 스테이지의 입력 신호들과 출력 신호의 일 예를 보여주는 파형도.
도 6a 내지 도 6k는 제1 내지 제11 기간 동안 제2 스테이지의 회로 동작을 보여주는 일 예시도면.
도 7은 제3 스테이지의 입력 신호들과 출력 신호의 일 예를 보여주는 파형도.
도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 제k 스테이지의 회로 구성의 일 예를 보여주는 회로도.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여주는 블록도.
1 is a block diagram showing a shift register according to an embodiment of the present invention;
2 is a circuit diagram showing an example of a circuit configuration of a k-th stage according to the first embodiment of the present invention;
3 is a waveform diagram showing an example of input signals and output signals of a first stage;
4A to 4J are exemplary diagrams showing circuit operations of the first stage during the first to tenth periods.
5 is a waveform diagram showing an example of input signals and output signals of a second stage;
6A to 6K are exemplary diagrams showing the circuit operation of the second stage during the first to eleventh periods.
7 is a waveform diagram showing an example of input signals and output signals of a third stage;
8 is a circuit diagram showing an example of a circuit configuration of a k-th stage according to a second embodiment of the present invention;
9 is a block diagram schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. The component name used in the following description may be selected in consideration of easiness of specification, and may be different from the actual product name.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터를 보여주는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들(ST(1)~ST(n), n은 스테이지의 개수)을 구비한다. 도 1에서는 설명의 편의를 제1 내지 제3 스테이지(ST(1)~ST(3))만을 예시하였다.1 is a block diagram showing a shift register according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a shift register according to an embodiment of the present invention includes a plurality of stages (ST (1) to ST (n), n being the number of stages connected). In FIG. 1, only the first to third stages ST (1) to ST (3) are illustrated for convenience of explanation.

이하의 설명에서, "전단 스테이지"는 기준이 되는 스테이지의 상부에 위치하는 것을 말한다. 예컨대, 제k(1≤k≤n, k는 2 이상의 자연수) 스테이지(ST(k))를 기준으로, 전단 스테이지는 제1 스테이지(ST(1)) 내지 제k-1 스테이지(ST(k-1)) 중 어느 하나를 지시한다. "후단 스테이지"는 기준이 되는 스테이지의 하부에 위치하는 것을 말한다. 예컨대, 제k 스테이지(ST(k))를 기준으로, 후단 스테이지는 제k+1 스테이지(ST(k+1)) 내지 제k 스테이지(ST(n)) 중 어느 하나를 지시한다.In the following description, the term " front stage " means that the stage is located above the reference stage. For example, with respect to the stage k (1? K? N, where k is a natural number equal to or greater than 2) stage ST (k), the front stage is a stage from the first stage ST (1) -1)). Quot; rear stage " refers to a stage located at the bottom of the reference stage. For example, on the basis of the k-th stage ST (k), the trailing stage indicates any one of the (k + 1) th stages ST (k + 1) to k (n).

쉬프트 레지스터는 스타트 신호(VST)가 공급되는 스타트 신호 라인(STL), 클럭 신호(CLK)가 공급되는 클럭 라인(CL), 반전 클럭 신호(CLKB)가 공급되는 반전 클럭 라인(CBL), 고전위 전압이 인가되는 고전위 전압 라인(VDDL), 저전위 전압이 인가되는 저전위 전압 라인(VSSL)을 포함한다.The shift register includes a start signal line STL to which the start signal VST is supplied, a clock line CL to which the clock signal CLK is supplied, an inverted clock line CBL to which the inverted clock signal CLKB is supplied, A high-potential voltage line VDDL to which a voltage is applied, and a low-potential voltage line VSSL to which a low-potential voltage is applied.

스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 스타트 단자(START), 제1 클럭 단자(CLK1), 제2 클럭 단자(CLK2), 출력단자(OUT), 고전위 전압 입력단자(VDDT), 저전위 전압 입력단자(VSST), Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT), QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT), 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT), 및 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT) 등을 구비한다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 스타트 단자(START)는 스타트 신호 라인(STL) 또는 전단 스테이지의 출력 단자(OUT)에 접속된다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 스타트 단자(START)에는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호가 입력된다. 제1 스테이지(ST(1))의 스타트 단자(START)에는 스타트 신호(VST)가 입력되나, 제2 내지 제n 스테이지들(ST(2)~ST(n)) 각각의 스타트 단자(START)에는 전단 캐리신호가 입력된다. 전단 캐리신호는 전단 스테이지의 출력단자(OUT)의 출력 신호로서 제k 스테이지(ST(k))의 스타트 단자(START)에 입력되는 신호를 의미한다. 예를 들어, 제2 스테이지(ST(2))의 스타트 단자(START)에는 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 전단 캐리신호로서 입력된다.Each of the stages ST (1) to ST (n) includes a start terminal START, a first clock terminal CLK1, a second clock terminal CLK2, an output terminal OUT, a high potential voltage input terminal VDDT QB node voltage output terminal QB_OUT, rear Q node voltage input terminal Q_NEXT, and rear end QB node voltage input terminal QB_NEXT, Respectively. The start terminal START of each of the stages ST (1) to ST (n) is connected to the start signal line STL or the output terminal OUT of the front stage. A start signal VST or a previous carry signal is input to the start terminal START of each of the stages ST (1) to ST (n). The start signal VST is input to the start terminal START of the first stage ST 1 but the start terminal START of each of the second to nth stages ST 2 to ST A carry signal is inputted. The carry signal at the front end means a signal input to the start terminal (START) of the k-th stage ST (k) as the output signal of the output terminal OUT of the front stage. For example, the first output signal GOUT (1) of the output terminal OUT of the first stage ST (1) is connected to the start terminal (START) of the second stage ST (2) As shown in FIG.

스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 제1 클럭 단자(CLK1)는 클럭 라인(CL) 또는 반전 클럭 라인(CBL)에 접속된다. 제k 스테이지(ST(k))의 제1 클럭 단자(CLK1)가 클럭 라인(CL)에 접속된 경우, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 제k 스테이지(ST(k))의 제1 클럭 단자(CLK1)가 반전 클럭 라인(CBL)에 접속된 경우, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 반전 클럭 신호(CLBK)가 입력된다. 반전 클럭 신호(CLKB)는 클럭 신호(CLK)를 반전시킨 신호이다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 제2 클럭 단자(CLK2)도 클럭 라인(CL) 또는 반전 클럭 라인(CBL)에 접속된다. 제k 스테이지(ST(k))의 제2 클럭 단자(CLK2)가 클럭 라인(CL)에 접속된 경우, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 제k 스테이지(ST(k))의 제2 클럭 단자(CLK2)가 반전 클럭 라인(CBL)에 접속된 경우, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 다만, 제k 스테이지(ST(k))의 제1 클럭 단자(CLK1)에 입력되는 신호와 제2 클럭 단자(CLK2)에 입력되는 신호는 서로 다르다. 예를 들어, 제k 스테이지(ST(k))의 제1 클럭 단자(CLK1)가 클럭 라인(CL)에 접속되어 제1 클럭 단자(CLK1)에 클럭 신호(CLK)가 입력되는 경우, 제2 클럭 단자(CLK2)는 반전 클럭 라인(CBL)에 접속되어 제2 클럭 단자(CLK2)에는 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 제k 스테이지(ST(k))의 제1 클럭 단자(CLK1)가 반전 클럭 라인(CBL)에 접속되어 제1 클럭 단자(CLK1)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되는 경우, 제2 클럭 단자(CLK2)는 클럭 라인(CL)에 접속되어 제2 클럭 단자(CLK2)에는 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 제1 클럭 단자(CLK1)와 제2 클럭 단자(CLK2)는 클럭 라인(CL)과 반전 클럭 라인(CBL)에 서로 교번하여 접속한다. 예를 들어, 제k 스테이지(ST(k))의 제1 클럭 단자(CLK1)에 클럭 신호(CLK)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된 경우, 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 제1 클럭 단자(CLK1)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되고, 제2 클럭 단자(CLK2)에 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 제k 스테이지(ST(k))의 제1 클럭 단자(CLK1)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에 클럭 신호(CLK)가 입력된 경우, 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 제1 클럭 단자(CLK1)에 클럭 신호(CLK)가 입력되고, 제2 클럭 단자(CLK2)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다.The first clock terminal CLK1 of each of the stages ST (1) to ST (n) is connected to the clock line CL or the inverted clock line CBL. When the first clock terminal CLK1 of the k-th stage ST (k) is connected to the clock line CL, the clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1. When the first clock terminal CLK1 of the k-th stage ST (k) is connected to the inverted clock line CBL, the inverted clock signal CLBK is input to the first clock terminal CLK1. The inverted clock signal CLKB is a signal obtained by inverting the clock signal CLK. The second clock terminal CLK2 of each of the stages ST (1) to ST (n) is also connected to the clock line CL or the inverted clock line CBL. When the second clock terminal CLK2 of the k-th stage ST (k) is connected to the clock line CL, the clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2. When the second clock terminal CLK2 of the k-th stage ST (k) is connected to the inverted clock line CBL, the inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2. However, the signal input to the first clock terminal CLK1 of the k-th stage ST (k) differs from the signal input to the second clock terminal CLK2. For example, when the first clock terminal CLK1 of the k-th stage ST (k) is connected to the clock line CL and the clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1, The clock terminal CLK2 is connected to the inverted clock line CBL and the inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2. When the first clock terminal CLK1 of the k-th stage ST (k) is connected to the inverted clock line CBL and the inverted clock signal CLKB is input to the first clock terminal CLK1, The clock signal CLK2 is connected to the clock line CL and the clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2. The first clock terminal CLK1 and the second clock terminal CLK2 of each of the stages ST (1) to ST (n) are alternately connected to the clock line CL and the inverted clock line CBL do. For example, when the clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1 of the k-th stage ST (k) and the inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2, the inverted clock signal CLKB is input to the first clock terminal CLK1 of the (k + 1) th stage ST (k + 1) and the clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2. When the inverted clock signal CLKB is input to the first clock terminal CLK1 of the k-th stage ST (k) and the clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2, the (k + 1) The clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1 of the first clock terminal ST (k + 1) and the inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2.

고전위 전압 입력단자(VDDT)는 고전위 전압 공급라인(VDDL)에 접속되므로, 고전위 전압 입력단자(VDDT)에는 고전위 전압이 공급된다. 저전위 전압 입력단자(VSST)는 저전위 전압 공급라인(VSSL)에 접속되므로, 저전위 전압 입력단자(VSST)에는 저전위 전압이 공급된다. 고전위 전압은 게이트 하이 전압(VGH)으로 설정될 수 있고, 저전위 전압은 게이트 로우 전압(VGL)으로 설정될 수 있다. 게이트 하이 전압(VGH)은 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 내부 회로에 존재하는 TFT(thin film transistor)들을 턴-온시킬 수 있는 전압으로 설정될 수 있다.Since the high-potential voltage input terminal VDDT is connected to the high-potential voltage supply line VDDL, a high-potential voltage is supplied to the high-potential voltage input terminal VDDT. Since the low potential voltage input terminal VSST is connected to the low potential voltage supply line VSSL, a low potential voltage is supplied to the low potential voltage input terminal VSST. The high potential voltage can be set to the gate high voltage VGH and the low potential voltage can be set to the gate low voltage VGL. The gate high voltage VGH may be set to a voltage capable of turning on thin film transistors (TFTs) present in the internal circuits of each of the stages ST (1) to ST (n).

제k 스테이지(ST(k))의 Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT)는 전단 스테이지의 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에 접속된다. 제k 스테이지(ST(k))의 Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT)는 제k 스테이지(ST(k))의 Q 노드의 전압을 전단 스테이지의 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에 출력한다. 제k 스테이지(ST(k))의 QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT)는 전단 스테이지의 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에 접속된다. 제k 스테이지(ST(k))의 QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT)는 제k 스테이지(ST(k))의 QB 노드의 전압을 전단 스테이지의 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에 출력한다. 예를 들어, 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT)는 제1 스테이지(ST(1))의 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에 접속된다. 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT)는 제1 스테이지(ST(1))의 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에 접속된다.The Q-node voltage output terminal Q_OUT of the k-th stage ST (k) is connected to the rear-end Q-node voltage input terminal Q_NEXT of the front stage. The Q-node voltage output terminal Q_OUT of the k-th stage ST (k) outputs the voltage of the Q-node of the k-th stage ST (k) to the rear-end Q-node voltage input terminal Q_NEXT of the preceding stage. The QB node voltage output terminal QB_OUT of the k-th stage ST (k) is connected to the rear end QB node voltage input terminal QB_NEXT of the front stage. The QB node voltage output terminal QB_OUT of the k-th stage ST (k) outputs the voltage of the QB node of the k-th stage ST (k) to the rear-end QB node voltage input terminal QB_NEXT of the preceding stage. For example, the Q-node voltage output terminal Q_OUT of the second stage ST (2) is connected to the rear-end Q-node voltage input terminal Q_NEXT of the first stage ST (1). The QB node voltage output terminal QB_OUT of the second stage ST 2 is connected to the rear stage QB node voltage input terminal QB_NEXT of the first stage ST 1.

제k 스테이지(ST(k))의 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)는 후단 스테이지의 Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT)에 접속된다. 제k 스테이지(ST(k))의 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)는 후단 스테이지의 Q 노드 전압을 입력받는다. 제k 스테이지(ST(k))의 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)는 후단 스테이지의 QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT)에 접속된다. 제k 스테이지(ST(k))의 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)는 후단 스테이지의 QB 노드 전압을 입력받는다. 예를 들어, 제2 스테이지(ST(2))의 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)는 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT)에 접속된다. 제2 스테이지(ST(2))의 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)는 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT)에 접속된다.The rear stage Q-node voltage input terminal Q_NEXT of the k-th stage ST (k) is connected to the Q-node voltage output terminal Q_OUT of the rear stage. The rear-end Q-node voltage input terminal Q_NEXT of the k-th stage ST (k) receives the Q-node voltage of the rear stage. The rear stage QB node voltage input terminal QB_NEXT of the k-th stage ST (k) is connected to the QB node voltage output terminal QB_OUT of the rear stage. The rear stage QB node voltage input terminal QB_NEXT of the k-th stage ST (k) receives the QB node voltage of the rear stage. For example, the rear-end Q-node voltage input terminal Q_NEXT of the second stage ST 2 is connected to the Q-node voltage output terminal Q_OUT of the third stage ST 3. The rear stage QB node voltage input terminal QB_NEXT of the second stage ST2 is connected to the QB node voltage output terminal QB_OUT of the third stage ST3.

제k 스테이지(ST(k))의 출력단자(OUT)는 제k 출력 라인에 접속된다. 제k 스테이지(ST(k))의 출력단자(OUT)는 제k 출력 라인에 제k 출력 신호(GOUT(k))를 출력한다. 제k 스테이지(ST(k))의 출력단자(OUT)는 후단 스테이지의 스타트 단자(START)에 접속된다. 제k 스테이지(ST(k))의 출력단자(OUT)의 제k 출력 신호(GOUT(k))는 후단 스테이지의 스타트 단자(START)에 전단 캐리신호로서 입력된다. 예를 들어, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 제2 출력 신호(GOUT(2))를 제2 출력 라인에 출력함과 동시에, 제3 스테이지(ST(3))의 스타트 단자(START)에 전단 캐리신호로서 출력한다.
The output terminal OUT of the k-th stage ST (k) is connected to the k-th output line. The output terminal OUT of the k-th stage ST (k) outputs the k-th output signal GOUT (k) to the k-th output line. The output terminal OUT of the k-th stage ST (k) is connected to the start terminal (START) of the subsequent stage. The k-th output signal GOUT (k) of the output terminal OUT of the k-th stage ST (k) is input as the preceding carry signal to the start terminal (START) of the subsequent stage. For example, the output terminal OUT of the second stage ST (2) outputs the second output signal GOUT (2) to the second output line, and the output terminal OUT of the third stage ST (3) And outputs it to the start terminal (START) in FIG.

도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 제k 스테이지의 회로 구성의 일 예를 보여주는 회로도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 제k 스테이지(ST(k))의 Q 노드(Q)의 충방전을 제어하는 Q 노드 충방전부(10), QB 노드(QB)의 방전을 제어하는 QB 노드 방전부(20), QB 노드(QB)의 충전을 제어하는 QB 노드 충전부(30), Q 노드(Q)의 전압 부스트(boost)를 제어하는 Q 노드 부스트 제어부(40), 및 Q 노드(Q)와 QB 노드(QB)의 전압에 따라 출력 단자(OUT)에 접속된 출력 노드(NO)를 고전위 전압으로 충전하거나 저전위 전압으로 방전시키는 출력부(50)를 포함한다.2 is a circuit diagram showing an example of a circuit configuration of a k-th stage according to the first embodiment of the present invention. 2, a Q-node charging unit 10 for controlling charging and discharging of a Q-node Q of a k-th stage ST (k) according to the first embodiment of the present invention, a Q- A QB node charging unit 30 for controlling the charging of the QB node QB and a Q node boosting controller 40 for controlling the voltage boost of the Q node Q. The QB node discharging unit 20 controls the discharging of the QB node QB, And an output section 50 for charging the output node NO connected to the output terminal OUT according to the voltage of the Q node Q and the QB node QB at a high potential or for discharging to a low potential voltage do.

Q 노드 충방전부(10)는 제1 클럭 단자(CLK1)를 통해 입력되는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호로 충방전한다. 이를 위해, Q 노드 충방전부(10)는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 Q 노드(Q)를 스타트 단자(START)에 접속시키는 제1 TFT(T1)를 포함한다. 제1 TFT(T1)는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여, Q 노드(Q)를 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호의 제1 로직 레벨 전압으로 충전하거나, Q 노드(Q)를 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호의 제2 로직 레벨 전압으로 방전한다. 제1 TFT(T1)의 게이트 전극은 제1 클럭 단자(CLK1)에 접속되고, 소스 전극은 Q 노드(Q)에 접속되며, 드레인 전극은 스타트 단자(START)에 접속된다.The Q node charging unit 10 includes a start signal VST inputted through a start terminal START in response to a clock signal CLK input through the first clock terminal CLK1 or an inverted clock signal CLKB, Charge and discharge with carry signal. To this end, the Q-node charging section 10 includes a first TFT (not shown) for connecting the Q-node Q to the start terminal START in response to the first logic level voltage of the clock signal CLK or the inverted clock signal CLKB T1. The first TFT T1 is a transistor that is responsive to the first logic level voltage of the clock signal CLK or the inverted clock signal CLKB to convert the Q node Q into a start signal VST or a first logic level voltage Or discharges the Q node Q to the start signal VST or the second logic level voltage of the previous carry signal. The gate electrode of the first TFT T1 is connected to the first clock terminal CLK1, the source electrode thereof is connected to the Q node Q, and the drain electrode thereof is connected to the start terminal START.

한편, 제1 로직 레벨 전압과 고전위 전압은 동일한 레벨 전압으로 설정될 수 있고, 제2 로직 레벨 전압과 저전위 전압은 동일한 레벨 전압으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 제1 로직 레벨 전압과 고전위 전압은 게이트 하이 전압(VGH)으로 설정될 수 있고, 제2 로직 레벨 전압과 저전위 전압은 게이트 로우 전압(VGL)으로 설정될 수 있다.On the other hand, the first logic level voltage and the high potential voltage can be set to the same level voltage, and the second logic level voltage and the low potential voltage can be set to the same level voltage. For example, the first logic level voltage and the high potential voltage may be set to the gate high voltage (VGH), and the second logic level voltage and the low potential voltage may be set to the gate low voltage (VGL).

QB 노드 방전부(20)는 제1 클럭 단자(CLK1)를 통해 입력되는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)와 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호에 응답하여 QB 노드(QB)를 저전위 전압으로 방전한다. 이를 위해, QB 노드 방전부(20)는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 제1 노드(N1)를 스타트 단자(START)에 접속시키는 제2 TFT(T2)를 포함한다. 또한, QB 노드 방전부(20)는 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 QB 노드(QB)를 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속시키는 제3 TFT(T3)를 더 포함한다. 제2 TFT(T2)는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여, 제1 노드(N1)를 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호의 제1 로직 레벨 전압으로 충전하거나, 제1 노드(N1)를 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호의 제2 로직 레벨 전압으로 방전한다. 제3 TFT(T3)는 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여, QB 노드(QB)를 저전위 전압으로 방전한다. 제2 TFT(T2)의 게이트 전극은 제1 클럭 단자(CLK1)에 접속되고, 소스 전극은 제1 노드(N1)에 접속되며, 드레인 전극은 스타트 단자(START)에 접속된다. 제3 TFT(T3)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 소스 전극은 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속되며, 드레인 전극은 QB 노드(QB)에 접속된다.The QB node discharging unit 20 outputs a clock signal CLK or an inverted clock signal CLKB input via the first clock terminal CLK1 and a start signal VST input via the start terminal START, And discharges the QB node QB to a low potential voltage in response to the low voltage. To this end, the QB node discharging unit 20 includes a second TFT (not shown) for connecting the first node N1 to the start terminal (START) in response to the first logic level voltage of the clock signal (CLK) or the inverted clock signal (T2). The QB node discharging unit 20 further includes a third TFT T3 for connecting the QB node QB to the low potential input terminal VSST in response to the first logic level voltage of the first node N1 . The second TFT T2 is turned on in response to the first logic level voltage of the clock signal CLK or the inverted clock signal CLKB so that the first node N1 is turned on by the start signal VST or the first logic level Or discharges the first node N1 to the start signal VST or the second logic level voltage of the previous carry signal. The third TFT T3, in response to the first logic level voltage of the first node N1, discharges the QB node QB to a low potential voltage. The gate electrode of the second TFT T2 is connected to the first clock terminal CLK1, the source electrode thereof is connected to the first node N1, and the drain electrode thereof is connected to the start terminal START. The gate electrode of the third TFT T3 is connected to the first node N1, the source electrode thereof is connected to the low potential voltage input terminal VSST, and the drain electrode thereof is connected to the QB node QB.

또한, QB 노드 방전부(20)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 QB 노드(QB)를 저전위 전압으로 방전한다. 이를 위해, QB 노드 방전부(20)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 QB 노드(QB)를 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속시키는 제4 TFT(T4)를 더 포함한다. 제4 TFT(T4)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 QB 노드(QB)를 저전위 전압으로 방전한다. 제4 TFT(T4)의 게이트 전극은 Q 노드(Q)에 접속되고, 소스 전극은 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속되며, 드레인 전극은 QB 노드(QB)에 접속된다.In addition, the QB node discharger 20 discharges the QB node QB to a low potential voltage in response to the first logic level voltage of the Q node (Q). To this end, the QB node discharging unit 20 further includes a fourth TFT (T4) for connecting the QB node (QB) to the low voltage input terminal (VSST) in response to the first logic level voltage of the Q node . The fourth TFT T4 discharges the QB node QB to the low potential voltage in response to the first logic level voltage of the Q node Q. [ The gate electrode of the fourth TFT T4 is connected to the Q node Q, the source electrode thereof is connected to the low potential voltage input terminal VSST, and the drain electrode thereof is connected to the QB node QB.

QB 노드 충전부(30)는 고전위 전압 입력단자(VDDT)를 통해 입력되는 고전위 전압(VDD)에 응답하여 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VDD)으로 충전한다. 이를 위해, QB 노드 충전부(30)는 고전위 전압(VDD)에 응답하여 제2 노드(N2)를 고전위 전압 입력단자(VDDT)에 접속시키는 제5 TFT(T5), 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VDD)에 응답하여 QB 노드(QB)를 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속시키는 제6 TFT(T6), 및 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 제2 노드(N2)를 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속시키는 제7 TFT(T7)를 포함한다. 제5 TFT(T5)는 고전위 전압(VDD)에 응답하여 제2 노드(N2)를 고전위 전압으로 충전한다. 제6 TFT(T6)는 제2 노드(N2)의 고전위 전압에 응답하여 QB 노드(QB)를 고전위 전압으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 제2 노드(N2)를 저전위 전압으로 방전한다. 제5 TFT(T5)의 게이트 전극과 드레인 전극은 고전위 전압 입력단자(VDDT)에 접속되고, 소스 전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. 제6 TFT(T6)의 게이트 전극은 제2 노드(N2)에 접속되고, 소스 전극은 QB 노드(QB)에 접속되며, 드레인 전극은 고전위 전압 입력단자(VDDT)에 접속된다. 제7 TFT(T7)의 게이트 전극은 Q 노드(Q)에 접속되고, 소스 전극은 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속되며, 드레인 전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. The QB node charging unit 30 charges the QB node QB to the high potential voltage VDD in response to the high potential voltage VDD input through the high potential input terminal VDDT. To this end, the QB node charging unit 30 includes a fifth TFT T5 for connecting the second node N2 to the high voltage input terminal VDDT in response to the high potential voltage VDD, a second node N2, A sixth TFT T6 for connecting the QB node QB to the low potential input terminal VSST in response to the high potential voltage VDD of the Q node Q, And a seventh TFT (T7) for connecting the second node (N2) to the low potential voltage input terminal (VSST). The fifth TFT T5 charges the second node N2 to the high-potential voltage in response to the high-potential voltage VDD. The sixth TFT T6 charges the QB node QB to the high potential voltage in response to the high potential voltage of the second node N2. The seventh TFT T7 discharges the second node N2 to the low potential voltage in response to the first logic level voltage of the Q node (Q). The gate electrode and the drain electrode of the fifth TFT T5 are connected to the high potential voltage input terminal VDDT, and the source electrode thereof is connected to the second node N2. The gate electrode of the sixth TFT T6 is connected to the second node N2, the source electrode thereof is connected to the QB node QB, and the drain electrode thereof is connected to the high potential voltage input terminal VDDT. The gate electrode of the seventh TFT T7 is connected to the Q node Q, the source electrode thereof is connected to the low potential voltage input terminal VSST, and the drain electrode thereof is connected to the second node N2.

Q 노드 부스트 제어부(40)는 제2 클럭 단자(CLK2)를 통해 입력되는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)와 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)를 통해 입력되는 후단 스테이지의 Q 노드(Q)의 전압에 응답하여 제3 노드(N3)를 제1 로직 레벨 전압으로 충전함과 동시에, 제3 노드(N3)의 전압 변화량을 Q 노드(Q)에 반영한다. 이를 위해, Q 노드 부스트 제어부(40)는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압과 후단 스테이지의 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 제3 노드(N3)를 제2 클럭 단자(CLK2)에 접속시키는 제8 TFT(T8)와 제9 TFT(T9)를 포함한다. 제8 TFT(T8)는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압을 제9 TFT(T9)의 드레인 전극에 공급한다. 제9 TFT(T9)는 후단 스테이지의 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압을 제3 노드(N3)에 공급한다.The Q node boost controller 40 receives the clock signal CLK or the inverted clock signal CLKB inputted through the second clock terminal CLK2 and the Q node Q2 of the subsequent stage input through the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT, The third node N3 is charged to the first logic level voltage in response to the voltage of the third node N3 and the voltage variation of the third node N3 is reflected to the Q node Q. To this end, the Q-node boost controller 40 controls the Q-node boost controller 40 in response to the first logic level voltage of the clock signal CLK or the inverted clock signal CLKB and the first logic level voltage of the Q- And an eighth TFT T8 and a ninth TFT T9 for connecting the third clock terminal N3 to the second clock terminal CLK2. The eighth TFT T8 supplies the first logic level voltage of the clock signal CLK or the inverted clock signal CLKB in response to the first logic level voltage of the clock signal CLK or the inverted clock signal CLKB to the n- To the drain electrode of the transistor T9. The ninth TFT T9 supplies the first logic level voltage of the clock signal CLK or the inverted clock signal CLKB to the third node N3 in response to the first logic level voltage of the Q node Q of the subsequent stage Supply.

또한, Q 노드 부스트 제어부(40)는 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)를 통해 입력되는 후단 스테이지의 QB 노드(QB)의 전압에 응답하여 제3 노드(N3)를 저전위 전압으로 방전한다. 이를 위해, Q 노드 부스트 제어부(40)는 후단 스테이지의 QB 노드(QB)의 전압에 응답하여 제3 노드(N3)를 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속시키는 제10 TFT(T10)를 더 포함한다. 제10 TFT(T10)는 후단 스테이지의 QB 노드(QB)의 전압에 응답하여 제3 노드(N3)를 저전위 전압으로 방전한다.The Q node boost controller 40 discharges the third node N3 to the low potential voltage in response to the voltage of the QB node QB of the subsequent stage inputted through the QB node voltage input terminal QB_NEXT. To this end, the Q-node boost controller 40 further includes a tenth TFT (T10) for connecting the third node N3 to the low-potential-voltage input terminal VSST in response to the voltage of the QB node (QB) . The tenth TFT (T10) discharges the third node N3 to a low potential voltage in response to the voltage of the QB node (QB) of the subsequent stage.

또한, Q 노드 부스트 제어부(40)는 제3 노드(N3)와 Q 노드(Q) 사이에 접속된 제1 캐패시터(Cp)를 더 포함한다. 제1 캐패시터(Cp)의 일측 전극은 제3 노드(N3)에 접속되고, 타측 전극은 Q 노드(Q)에 접속된다. 제1 캐패시터(Cp)는 제3 노드(N3)의 전압에 변화가 발생하는 경우, 제3 노드(N3)의 전압 변화량을 Q 노드(Q)에 반영한다.The Q node boost controller 40 further includes a first capacitor Cp connected between the third node N3 and the Q node Q. [ One electrode of the first capacitor Cp is connected to the third node N3, and the other electrode thereof is connected to the Q node Q. [ The first capacitor Cp reflects the voltage variation of the third node N3 to the Q node Q when a change occurs in the voltage of the third node N3.

출력부(50)는 Q 노드(Q)의 전압에 응답하여 출력 노드(NO)를 고전위 전압으로 충전하고, QB 노드(QB)의 전압에 응답하여 출력 노드(NO)를 저전위 전압으로 방전한다. 출력부(50)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 출력 노드(NO)를 고전위 전압 입력단자(VDDT)에 접속시키는 풀-업 TFT(TU)와, QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 출력 노드(NO)를 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속시키는 풀-다운 TFT(TD)를 포함한다. 풀-업 TFT(TU)의 게이트 전극은 Q 노드(Q)에 접속되고, 소스 전극은 고전위 전압 입력단자(VDDT)에 접속되며, 드레인 전극은 출력 노드(NO)에 접속된다. 풀-다운 TFT(TD)의 게이트 전극은 QB 노드(QB)에 접속되고, 소스 전극은 출력 노드(NO)에 접속되며, 드레인 전극은 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속된다. 출력단자(OUT)는 출력 노드(NO)에 접속되므로, 출력 노드(NO)의 전압을 출력 신호로 출력한다.The output unit 50 charges the output node NO to the high potential voltage in response to the voltage of the Q node Q and discharges the output node NO to the low potential voltage in response to the voltage of the QB node QB. do. The output section 50 includes a pull-up TFT TU that connects the output node NO to the high potential input terminal VDDT in response to the first logic level voltage of the Q node Q, And a pull-down TFT (TD) which connects the output node (NO) to the low potential input terminal (VSST) in response to the first logic level voltage of the low level voltage input terminal (VSST). The gate electrode of the pull-up TFT (TU) is connected to the Q node (Q), the source electrode thereof is connected to the high potential input terminal (VDDT), and the drain electrode thereof is connected to the output node (NO). The gate electrode of the pull-down TFT (TD) is connected to the QB node (QB), the source electrode is connected to the output node (NO), and the drain electrode is connected to the low potential voltage input terminal (VSST). Since the output terminal OUT is connected to the output node NO, the voltage of the output node NO is output as an output signal.

한편, 도 2에서 제1 내지 제10 TFT(T1~T10), 풀-업 TFT(TU), 및 풀-다운 TFT(TD)는 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였다.
2, the first through tenth TFTs T1 through T10, the pull-up TFT TU, and the pull-down TFT TD are formed of an N type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) .

도 3은 제1 스테이지의 입력 신호들과 출력 신호의 일 예를 보여주는 파형도이다. 도 3에는 제1 스테이지(ST(1))의 입력 신호들로서 스타트 단자(START)로 입력되는 스타트 신호(VST), 제1 클럭 단자(CLK1)로 입력되는 클럭 신호(CLK), 및 제2 클럭 단자(CLK2)로 입력되는 반전 클럭 신호(CLKB)가 나타나 있다. 또한, 도 3에는 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)로 입력되는 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드 전압(Q(2)), 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)로 입력되는 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드 전압(QB(2))이 나타나 있다. 또한, 도 3에는 제1 스테이지(ST(1))의 출력 신호들로서 Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT)로 출력되는 제1 스테이지(ST(1))의 Q 노드 전압(Q(1)), QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT)로 출력되는 제1 스테이지(ST(1))의 QB 노드 전압(QB(1)), 및 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)로 출력되는 제1 출력 신호(GOUT(1))가 나타나 있다.3 is a waveform diagram showing an example of input signals and output signals of the first stage. 3 shows the start signal VST input to the start terminal START as the input signals of the first stage ST 1, the clock signal CLK input to the first clock terminal CLK1, And an inverted clock signal CLKB input to the terminal CLK2. 3, the Q-node voltage Q (2) of the second stage ST (2) input to the rear-end Q-node voltage input terminal Q_NEXT and the Q-node voltage Q And the QB node voltage QB (2) of the two stage ST (2). 3 shows the Q-node voltage Q (1) of the first stage ST (1) outputted as the output signals of the first stage ST (1) to the Q-node voltage output terminal Q_OUT, QB The QB node voltage QB (1) of the first stage ST (1) output to the node voltage output terminal QB_OUT and the QB node voltage QB (1) output to the output terminal OUT of the first stage ST 1 output signal (GOUT (1)) is shown.

스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호와 동일한 파형과 위상을 갖는 출력 신호를 출력단자(OUT)를 통해 출력한다. 제1 스테이지(ST(1))는 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST)와 동일한 파형을 갖는 제1 출력 신호(GOUT(1))을 출력단자(OUT)를 통해 출력한다. 도 3에 도시된 스타트 신호(VST)는 제1 기간(t1), 제2 기간(t2), 제5 내지 제8 기간(t5~t8) 동안 제1 로직 레벨 전압으로 발생하고, 나머지 기간 동안 제2 로직 레벨 전압으로 발생한다. 하지만, 도 3에 도시된 스타트 신호(VST)는 하나의 실시 예에 불과하며, 스타트 신호(VST)는 제1 출력 신호(GOUT(1))의 파형을 고려하여 사전 실험을 통해 미리 결정될 수 있다. Each of the stages ST (1) to ST (n) outputs an output signal having the same waveform and phase as the start signal VST or the preceding carry signal inputted through the start terminal START, through the output terminal OUT Output. The first stage ST 1 outputs a first output signal GOUT (1) having the same waveform as the start signal VST input via the start terminal START through the output terminal OUT. The start signal VST shown in Fig. 3 is generated at the first logic level voltage during the first period t1, the second period t2, and the fifth to eighth periods t5 to t8, 2 logic level voltage. However, the start signal VST shown in FIG. 3 is only one embodiment, and the start signal VST can be predetermined through a preliminary experiment in consideration of the waveform of the first output signal GOUT (1) .

또한, 도 3에서 제1 내지 제10 기간(t1~t10) 각각은 1 수평 기간(1H)인 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 1 수평 기간(1H)은 표시패널의 1 수평 라인에 존재하는 모든 화소들에 데이터 전압을 공급하는 1 라인 스캐닝 기간을 의미한다.3, each of the first to tenth periods t1 to t10 is one horizontal period (1H), but it should be noted that the present invention is not limited thereto. One horizontal period (1H) denotes a one-line scanning period for supplying a data voltage to all the pixels existing in one horizontal line of the display panel.

클럭 신호(CLK)는 소정의 기간을 주기로 발생하고, 반전 클럭 신호(CLKB)는 클럭 신호(CLK)를 반전시킨 신호이므로, 클럭 신호(CLK)와 동일한 주기로 발생한다. 그러므로, 도 3과 같이 클럭 신호(CLK)가 제1 로직 레벨 전압으로 발생하는 경우, 반전 클럭 신호(CLKB)는 제2 로직 레벨 전압으로 발생한다. 또한, 클럭 신호(CLK)가 제2 로직 레벨 전압으로 발생하는 경우, 반전 클럭 신호(CLKB)는 제1 로직 레벨 전압으로 발생한다. 도 3에서 제1 로직 레벨 전압은 게이트 하이 전압(VGH)이고, 제2 로직 레벨 전압은 게이트 로우 전압(VGL)인 것을 중심으로 설명하였다.The clock signal CLK is generated in a period of a predetermined period and the inverted clock signal CLKB is a signal obtained by inverting the clock signal CLK and therefore occurs at the same cycle as the clock signal CLK. Therefore, when the clock signal CLK is generated as the first logic level voltage as shown in FIG. 3, the inverted clock signal CLKB is generated as the second logic level voltage. Further, when the clock signal CLK is generated at the second logic level voltage, the inverted clock signal CLKB is generated at the first logic level voltage. In FIG. 3, the first logic level voltage is the gate high voltage (VGH) and the second logic level voltage is the gate low voltage (VGL).

제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드 전압(Q(2))은 제1 스테이지(ST(1))의 Q 노드 전압(Q(1))보다 소정의 기간만큼 위상이 지연되어 발생한다. 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드 전압(QB(2))은 제1 스테이지(ST(1))의 QB 노드 전압(QB(1))보다 소정의 기간만큼 위상이 지연되어 발생한다. 도 3에서, 소정의 기간은 1 수평기간으로 구현된 것을 중심으로 설명하였다.The Q node voltage Q (2) of the second stage ST (2) is generated with a phase delay from the Q node voltage Q (1) of the first stage ST (1) by a predetermined period . The QB node voltage QB (2) of the second stage ST (2) is generated by delaying the phase of the QB node voltage QB (1) of the first stage ST (1) by a predetermined period . In FIG. 3, the predetermined period is mainly described as being implemented in one horizontal period.

제1 스테이지(ST(1))의 Q 노드 전압(Q(1)), 제1 스테이지(ST(1))의 QB 노드 전압(QB(1)), 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드 전압(Q(2)), 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드 전압(QB(2)), 및 제1 스테이지(ST(1))의 제1 출력 신호(GOUT(1))에 대한 자세한 설명은 도 4a 내지 도 4i를 결부하여 설명한다.
The Q-node voltage QB (1) of the first stage ST (1) and the QB node voltage QB (1) of the first stage ST (1) The QB node voltage QB (2) of the second stage ST (2) and the first output signal GOUT (1) of the first stage ST (1) ) Will be described in detail with reference to Figs. 4A to 4I.

도 4a 내지 도 4i는 제1 내지 제10 기간 동안 제1 스테이지의 회로 동작을 보여주는 일 예시도면이다. 도 4a 내지 도 4i 각각은 제1 내지 제10 기간(t1~t10) 각각에서 제1 스테이지(ST(1))에 존재하는 TFT들의 턴-온 및 턴-오프 상태를 보여준다. 도 4a 내지 도 4i 각각에서는 턴-온된 TFT들을 동그라미로 표시하였다. 이하에서, 제1 로직 레벨 전압과 고전위 전압은 게이트 하이 전압(VGH)이고, 제2 로직 레벨 전압과 저전위 전압은 게이트 로우 전압(VGL)인 것을 중심으로 설명하였다.4A to 4I are exemplary diagrams showing the circuit operation of the first stage during the first to tenth periods. Each of Figs. 4A to 4I shows the turn-on and turn-off states of the TFTs present in the first stage ST (1) in each of the first to tenth periods t1 to t10. In each of Figs. 4A to 4I, the turn-on TFTs are indicated by circles. In the following description, the first logic level voltage and the high potential voltage are the gate high voltage (VGH), and the second logic level voltage and the low potential voltage are the gate low voltage (VGL).

첫 번째로, 도 3과 도 4a를 참조하여 제1 기간(t1) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제1 기간(t1) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제1 기간(t1) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.First, the operation of the first stage ST (1) during the first period t1 will be described in detail with reference to FIG. 3 and FIG. 4A. The start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START during the first period t1 and the start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1, And an inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the second stage ST (2) has the second logic level voltage VGL during the first period t1, the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT has the second logic level The QB node QB of the second stage ST 2 has the first logic level voltage VGH so that the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT receives the first logic level voltage VGH, (VGH) is input.

Q 노드 충방전부(10)는 제1 기간(t1) 동안 Q 노드(Q)를 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전한다. 제1 TFT(T1)는 제1 기간(t1) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 스타트 신호(VST)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다.The Q-node charging unit 10 charges the Q-node Q to the first logic level voltage VGH during the first period t1. The first TFT T1 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH during the first period t1. Due to the turn-on of the first TFT T1, the Q node Q is charged to the first logic level voltage VGH of the start signal VST.

QB 노드 방전부(20)는 제1 기간(t1) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 방전한다. 제2 TFT(T2)는 제1 기간(t1) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 스타트 신호(VST)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다. 제3 TFT(T3)는 제1 기간(t1) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제1 기간(t1) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The QB node discharging unit 20 discharges the QB node QB to the low potential voltage VGL during the first period t1. The second TFT T2 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH during the first period t1. Due to the turn-on of the second TFT T2, the first node N1 is charged with the first logic level voltage VGH of the start signal VST. The third TFT T3 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the first node N1 during the first period t1. The fourth TFT T4 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the first period t1. Due to the turn-on of the third TFT (T3) and the fourth TFT (T4), the QB node (QB) is discharged to the low potential voltage (VGL).

QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제1 기간(t1) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제1 기간(t1) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB node charging section 30 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the first period t1. Due to the turn-on of the seventh TFT (T7), the second node N2 is discharged to the low potential voltage VGL. Thus, the sixth TFT T6 is turned off by the low potential voltage VGL of the second node N2 during the first period t1. Due to the turn-off of the sixth TFT (T6), the high-potential voltage (VGH) is not supplied to the QB node (QB).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제1 기간(t1) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프되고, 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q node boost control section 40 is turned off by the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL during the first period t1, Is turned off by the second logic level voltage (VGL). The tenth TFT (T10) is turned on in response to the first logic level voltage (VGH). Due to the turn-on of the tenth TFT (T10), the third node N3 is discharged to the low potential voltage VGL.

출력부(50)는 제1 기간(t1) 동안 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)으로 충전되므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The output section 50 outputs the first output signal GOUT (1) of the high potential voltage VGH during the first period t1. The pull-down TFT TU is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned on in response to the low potential voltage VGL of the QB node QB. Lt; / RTI > The output node OUT of the first stage ST 1 is turned off at the high potential voltage VHH due to the turn-on of the pull-up TFT TU, And outputs the first output signal GOUT (1) of the VGH.

두 번째로, 도 3과 도 4b를 참조하여 제2 기간(t2) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제2 기간(t2) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제2 기간(t2) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Secondly, the operation of the first stage ST (1) during the second period t2 will be described in detail with reference to FIG. 3 and FIG. 4B. The start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START during the second period t2 and the start signal VST of the second logic level voltage VGL is input to the first clock terminal CLK1, And the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. Also, since the Q node Q of the second stage ST (2) has the first logic level voltage VGH during the second period t2, the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT has the first logic level The QB node QB of the second stage ST 2 has the second logic level voltage VGL so that the second QB node voltage input terminal QB_NEXT receives the second logic level voltage VGL, (VGL) is input.

Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제2 기간(t2) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charging portion 10 is turned off by the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL during the second period t2.

QB 노드 방전부(20)는 제2 기간(t2) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 유지한다. 제2 TFT(T2)는 제2 기간(t2) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제2 기간(t2) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제2 기간(t2) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)을 유지한다.The QB node discharger 20 maintains the QB node QB at the low potential voltage VGL during the second period t2. The second TFT T2 is turned off by the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL during the second period t2. Due to the turn-off of the second TFT T2, the first node N1 floats. The third TFT T3 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the first node N1 during the second period t2. The fourth TFT T4 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the second period t2. Due to the turn-on of the third TFT T3 and the fourth TFT T4, the QB node QB maintains the low potential voltage VGL.

QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제2 기간(t2) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제2 기간(t2) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB node charging section 30 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the second period t2. Due to the turn-on of the seventh TFT (T7), the second node N2 is discharged to the low potential voltage VGL. Thus, the sixth TFT T6 is turned off by the low potential voltage VGL of the second node N2 during the second period t2. Due to the turn-off of the sixth TFT (T6), the high-potential voltage (VGH) is not supplied to the QB node (QB).

Q 노드 부스트 제어부(40)는 제2 기간(t2) 동안 Q 노드(Q)의 전압을 부스트(boost)한다. 제8 TFT(T8)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제9 TFT(T9)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압으로 충전된다. 즉, 제2 기간(t2) 동안 제3 노드(N3)의 전압은 저전위 전압(VGL)에서 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 상승하며, 제3 노드(N3)의 전압 변화량은 제1 캐패시터(Cp)에 의해 Q 노드(Q)에 반영된다. 따라서, 제2 기간(t2) 동안 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')으로 상승한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 전압 상승으로 인해, 안정적으로 턴-온될 수 있는 장점이 있다.The Q node boost controller 40 boosts the voltage of the Q node Q during the second period t2. The eighth TFT T8 is turned on in response to the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH. The ninth TFT T9 is turned on in response to the first logic level voltage VGH. The tenth TFT (T10) is turned off by the second logic level voltage (VGL). Due to the turn-on of the eighth TFT T8 and the ninth TFT T9, the third node N3 is charged with the first logic level voltage of the inverted clock signal CLKB. That is, the voltage of the third node N3 rises from the low potential voltage VGL to the first logic level voltage VGH during the second period t2, and the voltage variation of the third node N3 rises from the low- (Q) by the node Cp. Thus, during the second period t2, the Q node Q rises to a voltage VGH 'that is higher than the first logic level voltage VGH. The pull-up TFT (TU) has an advantage that it can be stably turned on due to the voltage rise of the Q node (Q).

출력부(50)는 제2 기간(t2) 동안 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)을 유지하므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The output section 50 outputs the first output signal GOUT (1) of the high potential voltage VGH during the second period t2. The pull-down TFT TU is turned on in response to a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned on in response to the QB node QB, And is turned off by a second logic level voltage (VGL) The output node OUT of the first stage ST 1 is maintained at the high potential voltage VHH because the output node NO maintains the high potential voltage VGH due to the turn- And outputs the first output signal GOUT (1) of the VGH.

세 번째로, 도 3과 도 4c를 참조하여 제3 기간(t3) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제3 기간(t3) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제3 기간(t3) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Third, the operation of the first stage ST (1) during the third period t3 will be described in detail with reference to Figs. 3 and 4C. The start signal VST of the second logic level voltage VGL is input to the start terminal START during the third period t3 and the start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1, And an inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. Also, during the third period t3, the Q node Q of the second stage ST (2) has a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH, The voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH is input to the QB node Q_NEXT and the QB node QB of the second stage ST 2 has the second logic level voltage VGL, The second logic level voltage VGL is input to the QB node voltage input terminal QB_NEXT.

Q 노드 충방전부(10)는 제3 기간(t3) 동안 Q 노드(Q)를 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전한다. 제1 TFT(T1)는 제3 기간(t3) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 스타트 신호(VST)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전된다.The Q node charging unit 10 discharges the Q node Q to the second logic level voltage VGL during the third period t3. The first TFT T1 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH during the third period t3. Due to the turn-on of the first TFT T1, the Q node Q is discharged to the second logic level voltage VGL of the start signal VST.

QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제3 기간(t3) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 스타트 신호(VST)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전된다. 제3 TFT(T3)는 제3 기간(t3) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제3 기간(t3) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB node discharging portion 20 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH during the third period t3. Due to the turn-on of the second TFT T2, the first node N1 is discharged to the second logic level voltage VGL of the start signal VST. The third TFT T3 is turned off by the second logic level voltage VGL of the first node N1 during the third period t3. The fourth TFT T4 is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the third period t3. Due to the turn-off of the third TFT (T3) and the fourth TFT (T4), the QB node (QB) is not discharged to the low potential voltage (VGL).

QB 노드 충전부(30)는 제3 기간(t3) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제3 기간(t3) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제3 기간(t3) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The QB node charging unit 30 charges the QB node QB to the high potential voltage VGH during the third period t3. The seventh TFT T7 is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the third period t3. Due to the turn-off of the seventh TFT (T7), the second node N2 is charged to the high-potential voltage VGH. Therefore, the sixth TFT T6 is turned on in response to the high-potential voltage VGH of the second node N2 during the third period t3. Due to the turn-on of the sixth TFT (T6), the QB node (QB) is charged to the high-potential voltage (VGH).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제3 기간(t3) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제10 TFT(T10)의 턴-오프로 인해, 제3 노드(N3)는 플로팅된다.The eighth TFT T8 of the Q node boost control section 40 is turned off by the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL during the third period t3. The ninth TFT T9 is turned on in response to a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH. The tenth TFT (T10) is turned off by the second logic level voltage (VGL). Due to the turn-off of the eighth TFT (T8) and the tenth TFT (T10), the third node (N3) floats.

출력부(50)는 제3 기간(t3) 동안 저전위 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The output section 50 outputs the first output signal GOUT (1) of the low potential voltage VGL during the third period t3. The pull-down TFT TU is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned off by the first logic level voltage VGH of the QB node QB ). ≪ / RTI > Because the output node NO is discharged to the low potential voltage VGL due to the turn-on of the pull-down TFT (TD), the output terminal OUT of the first stage ST (1) VGL of the first output signal GOUT (1).

네 번째로, 도 3과 도 4d를 참조하여 제4 기간(t4) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제4 기간(t4) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제4 기간(t4) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.Fourth, the operation of the first stage ST (1) during the fourth period t4 will be described in detail with reference to FIG. 3 and FIG. 4D. The start signal VST of the second logic level voltage VGL is input to the start terminal START during the fourth period t4 and the start signal VST of the second logic level voltage VGL is input to the first clock terminal CLK1, And the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. Also, since the Q node Q of the second stage ST (2) has the second logic level voltage VGL during the fourth period t4, the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT has the second logic level The QB node QB of the second stage ST 2 has the first logic level voltage VGH so that the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT receives the first logic level voltage VGH, (VGH) is input.

Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제4 기간(t4) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charging portion 10 is turned off by the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL during the fourth period t4.

QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제4 기간(t4) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제4 기간(t4) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제4 기간(t4) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB node discharging portion 20 is turned off by the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL during the fourth period t4. Due to the turn-off of the second TFT T2, the first node N1 floats. The third TFT T3 is turned off by the second logic level voltage VGL of the first node N1 during the fourth period t4. The fourth TFT T4 is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the fourth period t4. Due to the turn-off of the third TFT (T3) and the fourth TFT (T4), the QB node (QB) is not discharged to the low potential voltage (VGL).

QB 노드 충전부(30)는 제4 기간(t4) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제4 기간(t4) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제4 기간(t4) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The QB node charging unit 30 charges the QB node QB to the high potential voltage VGH during the fourth period t4. The seventh TFT T7 is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the fourth period t4. Due to the turn-off of the seventh TFT (T7), the second node N2 is charged to the high-potential voltage VGH. Thus, the sixth TFT T6 is turned on in response to the high-potential voltage VGH of the second node N2 during the fourth period t4. Due to the turn-on of the sixth TFT (T6), the QB node (QB) is charged to the high-potential voltage (VGH).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제4 기간(t4) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)의 턴-오프와 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q node boost control section 40 is turned on in response to the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH during the fourth period t4. The ninth TFT T9 is turned off in response to the second logic level voltage VGL. The tenth TFT (T10) is turned on in response to the first logic level voltage (VGH). Due to the turn-off of the ninth TFT T9 and the turn-on of the tenth TFT T10, the third node N3 is discharged to the low potential voltage VGL.

출력부(50)는 제4 기간(t4) 동안 저전위 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The output section 50 outputs the first output signal GOUT (1) of the low potential voltage VGL during the fourth period t4. The pull-down TFT TU is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned off by the first logic level voltage VGH of the QB node QB ). ≪ / RTI > Because the output node NO is discharged to the low potential voltage VGL due to the turn-on of the pull-down TFT (TD), the output terminal OUT of the first stage ST (1) VGL of the first output signal GOUT (1).

다섯 번째로, 도 3과 도 4e를 참조하여 제5 기간(t5) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제5 기간(t5) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제5 기간(t5) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.Fifth, the operation of the first stage ST (1) during the fifth period t5 will be described in detail with reference to FIG. 3 and FIG. 4E. The start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START during the fifth period t5 and the start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1, And an inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the second stage ST (2) has the second logic level voltage VGL during the fifth period t5, the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT has the second logic level The QB node QB of the second stage ST 2 has the first logic level voltage VGH so that the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT receives the first logic level voltage VGH, (VGH) is input.

Q 노드 충방전부(10)는 제5 기간(t5) 동안 Q 노드(Q)를 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전한다. 제1 TFT(T1)는 제5 기간(t5) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 스타트 신호(VST)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다.The Q node charging section 10 charges the Q node Q to the first logic level voltage VGH during the fifth period t5. The first TFT T1 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH during the fifth period t5. Due to the turn-on of the first TFT T1, the Q node Q is charged to the first logic level voltage VGH of the start signal VST.

QB 노드 방전부(20)는 제5 기간(t5) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 방전한다. 제2 TFT(T2)는 제5 기간(t5) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 스타트 신호(VST)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다. 제3 TFT(T3)는 제5 기간(t5) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제5 기간(t5) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The QB node discharging unit 20 discharges the QB node QB to the low potential voltage VGL during the fifth period t5. The second TFT T2 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH during the fifth period t5. Due to the turn-on of the second TFT T2, the first node N1 is charged with the first logic level voltage VGH of the start signal VST. The third TFT T3 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the first node N1 during the fifth period t5. The fourth TFT T4 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the fifth period t5. Due to the turn-on of the third TFT (T3) and the fourth TFT (T4), the QB node (QB) is discharged to the low potential voltage (VGL).

QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제5 기간(t5) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제5 기간(t5) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB node charging section 30 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the fifth period t5. Due to the turn-on of the seventh TFT (T7), the second node N2 is discharged to the low potential voltage VGL. Thus, the sixth TFT T6 is turned off by the low potential voltage VGL of the second node N2 during the fifth period t5. Due to the turn-off of the sixth TFT (T6), the high-potential voltage (VGH) is not supplied to the QB node (QB).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제5 기간(t5) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q node boost control section 40 is turned off by the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL during the fifth period t5. The ninth TFT T9 is turned off by the second logic level voltage VGL. The tenth TFT (T10) is turned on in response to the first logic level voltage (VGH). Due to the turn-on of the tenth TFT (T10), the third node N3 is discharged to the low potential voltage VGL.

출력부(50)는 제5 기간(t5) 동안 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)으로 충전되므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The output section 50 outputs the first output signal GOUT (1) of the high potential voltage VGH during the fifth period t5. The pull-down TFT TU is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned on in response to the low potential voltage VGL of the QB node QB. Lt; / RTI > The output node OUT of the first stage ST 1 is turned off at the high potential voltage VHH due to the turn-on of the pull-up TFT TU, And outputs the first output signal GOUT (1) of the VGH.

여섯 번째로, 도 3과 도 4f를 참조하여 제6 기간(t6) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제6 기간(t6) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제6 기간(t6) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Sixth, the operation of the first stage ST (1) during the sixth period t6 will be described in detail with reference to FIG. 3 and FIG. 4f. The start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START during the sixth period t6 and the start signal VST of the second logic level voltage VGL is input to the first clock terminal CLK1, And the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. Also, during the sixth period t6, the Q node Q of the second stage ST (2) has the first logic level voltage VGH, so that the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT has the first logic level The QB node QB of the second stage ST 2 has the second logic level voltage VGL so that the second QB node voltage input terminal QB_NEXT receives the second logic level voltage VGL, (VGL) is input.

Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제6 기간(t6) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q-node charging portion 10 is turned off by the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL during the sixth period t6.

QB 노드 방전부(20)는 제6 기간(t6) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 유지한다. 제2 TFT(T2)는 제6 기간(t6) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제6 기간(t6) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제6 기간(t6) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)을 유지한다.The QB node discharging unit 20 maintains the QB node QB at the low potential voltage VGL during the sixth period t6. The second TFT T2 is turned off by the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL during the sixth period t6. Due to the turn-off of the second TFT T2, the first node N1 floats. The third TFT T3 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the first node N1 during the sixth period t6. The fourth TFT T4 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the sixth period t6. Due to the turn-on of the third TFT T3 and the fourth TFT T4, the QB node QB maintains the low potential voltage VGL.

QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제6 기간(t6) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제6 기간(t6) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB node charging section 30 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the sixth period t6. Due to the turn-on of the seventh TFT (T7), the second node N2 is discharged to the low potential voltage VGL. Thus, the sixth TFT T6 is turned off by the low potential voltage VGL of the second node N2 during the sixth period t6. Due to the turn-off of the sixth TFT (T6), the high-potential voltage (VGH) is not supplied to the QB node (QB).

Q 노드 부스트 제어부(40)는 제6 기간(t6) 동안 Q 노드(Q)의 전압을 부스트(boost)한다. 제8 TFT(T8)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제9 TFT(T9)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압으로 충전된다. 즉, 제6 기간(t6) 동안 제3 노드(N3)의 전압은 저전위 전압(VGL)에서 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 상승하며, 제3 노드(N3)의 전압 변화량은 제1 캐패시터(Cp)에 의해 Q 노드(Q)에 반영된다. 따라서, 제6 기간(t6) 동안 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')으로 상승한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 전압 상승으로 인해, 안정적으로 턴-온될 수 있는 장점이 있다.The Q node boost controller 40 boosts the voltage of the Q node Q during the sixth period t6. The eighth TFT T8 is turned on in response to the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH. The ninth TFT T9 is turned on in response to the first logic level voltage VGH. The tenth TFT (T10) is turned off by the second logic level voltage (VGL). Due to the turn-on of the eighth TFT T8 and the ninth TFT T9, the third node N3 is charged with the first logic level voltage of the inverted clock signal CLKB. That is, the voltage of the third node N3 rises from the low potential voltage VGL to the first logic level voltage VGH during the sixth period t6, and the voltage variation of the third node N3 rises from the low- (Q) by the node Cp. Thus, during the sixth period t6, the Q node Q rises to a voltage VGH 'that is higher than the first logic level voltage VGH. The pull-up TFT (TU) has an advantage that it can be stably turned on due to the voltage rise of the Q node (Q).

출력부(50)는 제6 기간(t6) 동안 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)을 유지하므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The output section 50 outputs the first output signal GOUT (1) of the high potential voltage VGH during the sixth period t6. The pull-down TFT TU is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned on in response to the second logic level voltage < RTI ID = 0.0 > VGL). ≪ / RTI > The output node OUT of the first stage ST 1 is maintained at the high potential voltage VHH because the output node NO maintains the high potential voltage VGH due to the turn- And outputs the first output signal GOUT (1) of the VGH.

일곱 번째로, 도 3과 도 4g를 참조하여 제7 기간(t7) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제7 기간(t7) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제7 기간(t7) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Seventh, the operation of the first stage ST (1) during the seventh period t7 will be described in detail with reference to Figs. 3 and 4G. The start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START during the seventh period t7 and the start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1, And an inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. Also, during the seventh period t7, the Q node Q of the second stage ST (2) has a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH, The voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH is input to the QB node Q_NEXT and the QB node QB of the second stage ST 2 has the second logic level voltage VGL, The second logic level voltage VGL is input to the QB node voltage input terminal QB_NEXT.

Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)의 게이트 전극에는 제7 기간(t7) 동안 턴-온 전압인 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 하지만, 제1 TFT(T1)의 소스 전극에 접속된 Q 노드(Q)의 전압이 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높기 때문에, Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 유지한다.The inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH which is a turn-on voltage is input to the gate electrode of the first TFT T1 of the Q-node charging portion 10 during the seventh period t7. However, since the voltage of the Q node Q connected to the source electrode of the first TFT T1 is higher than the first logic level voltage VGH, the Q node Q is higher than the first logic level voltage VGH And maintains the voltage VGH '.

QB 노드 방전부(20)는 제7 기간(t7) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 유지한다. 제2 TFT(T2)는 제7 기간(t7) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 스타트 신호(VST)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다. 제3 TFT(T3)는 제7 기간(t7) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제7 기간(t7) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The QB node discharging unit 20 maintains the QB node QB at the low potential voltage VGL during the seventh period t7. The second TFT T2 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH during the seventh period t7. Due to the turn-on of the second TFT T2, the first node N1 is charged with the first logic level voltage VGH of the start signal VST. The third TFT T3 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the first node N1 during the seventh period t7. The fourth TFT T4 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the seventh period t7. Due to the turn-on of the third TFT (T3) and the fourth TFT (T4), the QB node (QB) is discharged to the low potential voltage (VGL).

QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제7 기간(t7) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제7 기간(t7) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB node charging section 30 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the seventh period t7. Due to the turn-on of the seventh TFT (T7), the second node N2 is discharged to the low potential voltage VGL. Therefore, the sixth TFT T6 is turned off by the low potential voltage VGL of the second node N2 during the seventh period t7. Due to the turn-off of the sixth TFT (T6), the high-potential voltage (VGH) is not supplied to the QB node (QB).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제7 기간(t7) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제10 TFT(T10)의 턴-오프으로 인해, 제3 노드(N3)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 유지한다.The eighth TFT T8 of the Q node boost control section 40 is turned off by the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL during the seventh period t7. The ninth TFT T9 is turned on in response to a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH. The tenth TFT (T10) is turned off by the second logic level voltage (VGL). Due to the turn-off of the eighth TFT (T8) and the tenth TFT (T10), the third node (N3) maintains the first logic level voltage (VGH).

출력부(50)는 제7 기간(t7) 동안 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)으로 충전되므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The output section 50 outputs the first output signal GOUT (1) of the high potential voltage VGH during the seventh period t7. The pull-down TFT TU is turned on in response to a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned on in response to the QB node QB, Off by the low potential voltage (VGL) The output node OUT of the first stage ST 1 is turned off at the high potential voltage VHH due to the turn-on of the pull-up TFT TU, And outputs the first output signal GOUT (1) of the VGH.

여덟 번째로, 도 3과 도 4h를 참조하여 제8 기간(t8) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제8 기간(t8) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제8 기간(t8) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Eighthly, the operation of the first stage ST (1) during the eighth period t8 will be described in detail with reference to Figs. 3 and 4H. During the eighth period t8, the start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START and the clock signal VST of the second logic level voltage VGL is input to the first clock terminal CLK1. And the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. Also, during the eighth period t8, the Q node Q of the second stage ST (2) has the voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH, The voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH is input to the QB node Q_NEXT and the QB node QB of the second stage ST 2 has the second logic level voltage VGL, The second logic level voltage VGL is input to the QB node voltage input terminal QB_NEXT.

Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제8 기간(t8) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q-node charging portion 10 is turned off by the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL during the eighth period t8.

QB 노드 방전부(20)는 제8 기간(t8) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 유지한다. 제2 TFT(T2)는 제8 기간(t8) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제8 기간(t8) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제8 기간(t8) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)을 유지한다.The QB node discharging unit 20 maintains the QB node QB at the low potential voltage VGL during the eighth period t8. The second TFT T2 is turned off by the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL during the eighth period t8. Due to the turn-off of the second TFT T2, the first node N1 floats. The third TFT T3 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the first node N1 during the eighth period t8. The fourth TFT T4 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the eighth period t8. Due to the turn-on of the third TFT T3 and the fourth TFT T4, the QB node QB maintains the low potential voltage VGL.

QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제8 기간(t8) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제8 기간(t8) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB node charging section 30 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the eighth period t8. Due to the turn-on of the seventh TFT (T7), the second node N2 is discharged to the low potential voltage VGL. Thus, the sixth TFT T6 is turned off by the low potential voltage VGL of the second node N2 during the eighth period t8. Due to the turn-off of the sixth TFT (T6), the high-potential voltage (VGH) is not supplied to the QB node (QB).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제9 TFT(T9)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압으로 충전된다.The eighth TFT T8 of the Q-node boost control section 40 is turned on in response to the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH. The ninth TFT T9 is turned on in response to a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH. The tenth TFT (T10) is turned off by the second logic level voltage (VGL). Due to the turn-on of the eighth TFT T8 and the ninth TFT T9, the third node N3 is charged with the first logic level voltage of the inverted clock signal CLKB.

출력부(50)는 제8 기간(t8) 동안 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)을 유지하므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The output section 50 outputs the first output signal GOUT (1) of the high potential voltage VGH during the eighth period t8. The pull-down TFT TU is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned on in response to the second logic level voltage < RTI ID = 0.0 > VGL). ≪ / RTI > The output node OUT of the first stage ST 1 is maintained at the high potential voltage VHH because the output node NO maintains the high potential voltage VGH due to the turn- And outputs the first output signal GOUT (1) of the VGH.

아홉 번째로, 도 3과 도 4i를 참조하여 제9 기간(t9) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제9 기간(t9) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제9 기간(t9) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.The operation of the first stage ST (1) during the ninth period t9 will be described in detail with reference to Figs. 3 and 4i. The start signal VST of the second logic level voltage VGL is input to the start terminal START during the ninth period t9 and the start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1, And an inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. Also, during the ninth period t9, the Q node Q of the second stage ST (2) has a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH, The voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH is input to the QB node Q_NEXT and the QB node QB of the second stage ST 2 has the second logic level voltage VGL, The second logic level voltage VGL is input to the QB node voltage input terminal QB_NEXT.

Q 노드 충방전부(10)는 제9 기간(t9) 동안 Q 노드(Q)를 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전한다. 제1 TFT(T1)는 제9 기간(t9) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 스타트 신호(VST)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전된다.The Q-node charging unit 10 discharges the Q-node Q to the second logic level voltage VGL during the ninth period t9. The first TFT T1 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH during the ninth period t9. Due to the turn-on of the first TFT T1, the Q node Q is discharged to the second logic level voltage VGL of the start signal VST.

QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제9 기간(t9) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 스타트 신호(VST)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전된다. 제3 TFT(T3)는 제9 기간(t9) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제9 기간(t9) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB node discharging portion 20 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH during the ninth period t9. Due to the turn-on of the second TFT T2, the first node N1 is discharged to the second logic level voltage VGL of the start signal VST. The third TFT T3 is turned off by the second logic level voltage VGL of the first node N1 during the ninth period t9. The fourth TFT T4 is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the ninth period t9. Due to the turn-off of the third TFT (T3) and the fourth TFT (T4), the QB node (QB) is not discharged to the low potential voltage (VGL).

QB 노드 충전부(30)는 제9 기간(t9) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제9 기간(t9) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제9 기간(t9) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The QB node charging unit 30 charges the QB node QB to the high potential voltage VGH during the ninth period t9. The seventh TFT T7 is turned off in response to the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the ninth period t9. Due to the turn-off of the seventh TFT (T7), the second node N2 is charged to the high-potential voltage VGH. Thus, the sixth TFT T6 is turned on in response to the high-potential voltage VGH of the second node N2 during the ninth period t9. Due to the turn-on of the sixth TFT (T6), the QB node (QB) is charged to the high-potential voltage (VGH).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제9 기간(t9) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제10 TFT(T10)의 턴-오프로 인해, 제3 노드(N3)는 플로팅된다.The eighth TFT T8 of the Q node boost control unit 40 is turned off by the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL during the ninth period t9. The ninth TFT T9 is turned on in response to a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH. The tenth TFT (T10) is turned off by the second logic level voltage (VGL). Due to the turn-off of the eighth TFT (T8) and the tenth TFT (T10), the third node (N3) floats.

출력부(50)는 제9 기간(t9) 동안 저전위 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The output section 50 outputs the first output signal GOUT (1) of the low potential voltage VGL during the ninth period t9. The pull-down TFT TU is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned off by the first logic level voltage VGH of the QB node QB ). ≪ / RTI > Because the output node NO is discharged to the low potential voltage VGL due to the turn-on of the pull-down TFT (TD), the output terminal OUT of the first stage ST (1) VGL of the first output signal GOUT (1).

열 번째로, 도 3과 도 4j를 참조하여 제10 기간(t10) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제10 기간(t10) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제10 기간(t10) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.The operation of the first stage ST (1) during the tenth period t10 will be described in detail with reference to FIG. 3 and FIG. 4J. The start signal VST of the second logic level voltage VGL is input to the start terminal START during the tenth period t10 and the start signal VST of the second logic level voltage VGL is input to the first clock terminal CLK1, And the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. Also, since the Q node Q of the second stage ST (2) has the second logic level voltage VGL during the tenth period t10, the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT has the second logic level The QB node QB of the second stage ST 2 has the first logic level voltage VGH so that the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT receives the first logic level voltage VGH, (VGH) is input.

Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제10 기간(t10) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charging portion 10 is turned off by the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL during the tenth period t10.

QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제10 기간(t10) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제10 기간(t10) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제10 기간(t10) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB node discharging portion 20 is turned off by the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL during the tenth period t10. Due to the turn-off of the second TFT T2, the first node N1 floats. The third TFT T3 is turned off by the second logic level voltage VGL of the first node N1 during the tenth period t10. The fourth TFT T4 is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the tenth period t10. Due to the turn-off of the third TFT (T3) and the fourth TFT (T4), the QB node (QB) is not discharged to the low potential voltage (VGL).

QB 노드 충전부(30)는 제10 기간(t10) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제10 기간(t10) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제10 기간(t10) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The QB node charging unit 30 charges the QB node QB to the high potential voltage VGH during the tenth period t10. The seventh TFT T7 is turned off in response to the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the tenth period t10. Due to the turn-off of the seventh TFT (T7), the second node N2 is charged to the high-potential voltage VGH. Thus, the sixth TFT T6 is turned on in response to the high-potential voltage VGH of the second node N2 during the tenth period t10. Due to the turn-on of the sixth TFT (T6), the QB node (QB) is charged to the high-potential voltage (VGH).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제10 기간(t10) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)의 턴-오프와 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q node boost control section 40 is turned on in response to the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH during the tenth period t10. The ninth TFT T9 is turned off in response to the second logic level voltage VGL. The tenth TFT (T10) is turned on in response to the first logic level voltage (VGH). Due to the turn-off of the ninth TFT T9 and the turn-on of the tenth TFT T10, the third node N3 is discharged to the low potential voltage VGL.

출력부(50)는 제10 기간(t10) 동안 저전위 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The output section 50 outputs the first output signal GOUT (1) of the low potential voltage VGL during the tenth period t10. The pull-down TFT TU is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned off by the first logic level voltage VGH of the QB node QB ). ≪ / RTI > Because the output node NO is discharged to the low potential voltage VGL due to the turn-on of the pull-down TFT (TD), the output terminal OUT of the first stage ST (1) VGL of the first output signal GOUT (1).

제1 스테이지(ST(1))는 제10 기간(t10) 이후부터 그 다음 프레임 기간의 제1 기간(t1)까지, 제9 기간(t9)과 제10 기간(t10)의 동작을 반복 수행할 것이다.The first stage ST (1) repeats the operations of the ninth period t9 and the tenth period t10 from the tenth period t10 to the first period t1 of the next frame period will be.

이상에서 살펴본 바와 같이, 제1 스테이지(ST(1))는 스타트 신호(VST)와 동일한 파형과 위상을 갖는 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 하지만, 제2 내지 제n 스테이지들(ST(2)~ST(n)) 각각은 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 전단 캐리신호와 동일한 파형을 갖고, 위상은 소정의 기간만큼 지연된 출력 신호를 출력한다. 이하에서, 도 5와 도 6a 내지 도 6k를 결부하여 제2 내지 제n 스테이지들(ST(2)~ST(n)) 각각의 입력 신호들, 출력 신호들, 및 동작 방법에 대하여 상세히 설명한다.
As described above, the first stage ST (1) outputs the output signal GOUT (1) having the same waveform and phase as the start signal VST. However, each of the second to n-th stages ST (2) to ST (n) has the same waveform as that of the previous carry signal input through the start terminal (START), and the phase is an output signal delayed by a predetermined period Output. Hereinafter, the input signals, the output signals, and the operation method of each of the second to n-th stages ST (2) to ST (n) will be described in detail with reference to FIG. 5 and FIGS. 6A to 6K .

도 5는 제2 스테이지의 입력 신호들과 출력 신호들의 일 예를 보여주는 파형도이다. 도 5에는 제2 스테이지(ST(2))의 입력 신호들로서 스타트 단자(START)로 입력되는 전단 캐리신호인 제1 스테이지(ST(1))의 출력 신호(GOUT(1)), 제1 클럭 단자(CLK1)로 입력되는 반전 클럭 신호(CLKB), 및 제2 클럭 단자(CLK2)로 입력되는 클럭 신호(CLK)가 나타나 있다. 즉, 제1 스테이지(ST(1))의 제1 클럭 단자(CLK1)에는 클럭 신호(CLK)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에는 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력됨에 반해, 제2 스테이지(ST(2))의 제1 클럭 단자(CLK1)에는 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에는 클럭 신호(CLK)가 입력되는 것에 주의하여야 한다.5 is a waveform diagram showing an example of input signals and output signals of the second stage. 5 shows the output signal GOUT (1) of the first stage ST (1), which is a front carry signal input to the start terminal (START) as input signals of the second stage ST (2) An inverted clock signal CLKB input to the terminal CLK1, and a clock signal CLK input to the second clock terminal CLK2. That is, the clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1 of the first stage ST (1) and the inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2, It should be noted that the inverted clock signal CLKB is input to the first clock terminal CLK1 of the first clock terminal ST2 and the clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2.

또한, 도 5에는 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)로 입력되는 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드 전압(Q(3)), 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)로 입력되는 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드 전압(QB(3))이 나타나 있다. 또한, 도 5에는 제2 스테이지(ST(2))의 출력 신호들로서 Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT)로 출력되는 제2 스테이지(ST(2)) Q 노드 전압(Q(2)), QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT)로 출력되는 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드 전압(QB(2)), 및 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)로 출력되는 제2 출력 신호(GOUT(2))가 나타나 있다.5, the Q-node voltage Q (3) of the third stage ST (3) input to the rear-end Q-node voltage input terminal Q_NEXT and the Q-node voltage Q And the QB node voltage (QB (3)) of the third stage (ST (3)). 5 shows a second stage ST (2) Q node voltage Q (2) output to the Q node voltage output terminal Q_OUT as output signals of the second stage ST (2) The QB node voltage QB (2) of the second stage ST (2) output to the voltage output terminal QB_OUT and the QB node voltage QB (2) of the second stage ST (2) output to the output terminal OUT of the second stage ST The output signal GOUT (2) is shown.

스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호와 동일한 파형을 가지나 위상은 소정의 기간만큼 지연되는 출력 신호를 출력단자(OUT)를 통해 출력한다. 제2 스테이지(ST(2))는 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 전단 캐리신호인 제1 출력 신호(GOUT(1))와 동일한 파형을 가지나 위상은 1 수평 기간(1H)만큼 지연된 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력단자(OUT)를 통해 출력한다. 도 5에서 제1 내지 제11 기간(t1~t11) 각각은 1 수평 기간(1H)인 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 한편, 도 5에 도시된 제1 출력 신호(GOUT(1))는 도 3에서 설명한 바와 같이 제1 스테이지(ST(1))의 스타트 단자에 입력되는 스타트 신호(VST)와 동일한 파형과 위상을 갖는다.Each of the stages ST (1) to ST (n) outputs an output signal whose waveform is the same as the start signal VST input through the start terminal START or the previous carry signal but whose phase is delayed by a predetermined period Through the terminal OUT. The second stage ST 2 has the same waveform as that of the first output signal GOUT (1) which is the front carry signal inputted through the start terminal START, but the phase of the second stage ST 2 is delayed by one horizontal period And outputs the output signal GOUT (2) through the output terminal OUT. 5, each of the first to eleventh periods t1 to t11 is one horizontal period (1H), but it should be noted that the present invention is not limited to this. The first output signal GOUT (1) shown in FIG. 5 has the same waveform and phase as the start signal VST input to the start terminal of the first stage ST (1) .

클럭 신호(CLK)는 소정의 기간을 주기로 발생하고, 반전 클럭 신호(CLKB)는 클럭 신호(CLK)를 반전시킨 신호이므로, 클럭 신호(CLK)와 동일한 주기로 발생한다. 그러므로, 도 5와 같이 클럭 신호(CLK)가 제1 로직 레벨 전압으로 발생하는 경우, 반전 클럭 신호(CLKB)는 제2 로직 레벨 전압으로 발생한다. 또한, 클럭 신호(CLK)가 제2 로직 레벨 전압으로 발생하는 경우, 반전 클럭 신호(CLKB)는 제1 로직 레벨 전압으로 발생한다. 도 5에서 제1 로직 레벨 전압은 게이트 하이 전압(VGH)이고, 제2 로직 레벨 전압은 게이트 로우 전압(VGL)인 것을 중심으로 설명하였다.The clock signal CLK is generated in a period of a predetermined period and the inverted clock signal CLKB is a signal obtained by inverting the clock signal CLK and therefore occurs at the same cycle as the clock signal CLK. Therefore, when the clock signal CLK is generated as the first logic level voltage as shown in FIG. 5, the inverted clock signal CLKB is generated as the second logic level voltage. Further, when the clock signal CLK is generated at the second logic level voltage, the inverted clock signal CLKB is generated at the first logic level voltage. In FIG. 5, the first logic level voltage is the gate high voltage (VGH) and the second logic level voltage is the gate low voltage (VGL).

제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드 전압(Q(3))은 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드 전압(Q(2))보다 소정의 기간만큼 위상이 지연되어 발생한다. 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드 전압(QB(3))은 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드 전압(QB(2))보다 소정의 기간만큼 위상이 지연되어 발생한다. 도 5에서, 소정의 기간은 1 수평기간으로 구현된 것을 중심으로 설명하였다.The Q node voltage Q (3) of the third stage ST (3) is generated by a delay of a predetermined period from the Q node voltage Q (2) of the second stage ST (2) . The QB node voltage QB (3) of the third stage ST (3) is generated by delaying the phase of the QB node voltage QB (2) of the second stage ST (2) by a predetermined period . In FIG. 5, the predetermined period is mainly described as being implemented in one horizontal period.

제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드 전압(Q(2)), 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드 전압(QB(2)), 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드 전압(Q(3)), 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드 전압(QB(3)), 및 제2 스테이지(ST(2))의 출력 신호(GOUT(2))에 대한 자세한 설명은 도 6a 내지 도 6k를 결부하여 설명한다.
The Q-node voltage Q (2) of the second stage ST (2), the Q-node voltage QB (2) of the second stage ST (2) The QB node voltage QB (3) of the third stage ST (3) and the output signal GOUT (2) of the second stage ST (2) 6A to 6K will be described in detail.

도 6a 내지 도 6k는 제1 내지 제11 기간 동안 제2 스테이지의 회로 동작을 보여주는 일 예시도면이다. 도 6a 내지 도 6k 각각은 제1 내지 제11 기간(t1~t11) 각각에서 제2 스테이지(ST(2))에 존재하는 TFT들의 턴-온 및 턴-오프 상태를 보여준다. 도 6a 내지 도 6k 각각에서는 턴-온된 TFT들을 동그라미로 표시하였다. 이하에서, 제1 로직 레벨 전압과 고전위 전압은 게이트 하이 전압(VGH)이고, 제2 로직 레벨 전압과 저전위 전압은 게이트 로우 전압(VGL)인 것을 중심으로 설명하였다.6A to 6K are exemplary diagrams showing the circuit operation of the second stage during the first to eleventh periods. Each of Figs. 6A to 6K shows the turn-on and turn-off states of the TFTs present in the second stage ST (2) in each of the first to eleventh periods t1 to t11. In each of Figs. 6A to 6K, the turn-on TFTs are indicated by circles. In the following description, the first logic level voltage and the high potential voltage are the gate high voltage (VGH), and the second logic level voltage and the low potential voltage are the gate low voltage (VGL).

첫 번째로, 도 5와 도 6a를 참조하여 제1 기간(t1) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제1 기간(t1) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제1 기간(t1) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.First, the operation of the second stage ST (2) during the first period t1 will be described in detail with reference to Figs. 5 and 6A. During the first period t1, the first output signal GOUT (1) of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START and the second logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1 The clock signal CLK of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. Since the Q node Q of the third stage ST 3 during the first period t1 has the second logic level voltage VGL, the second logic level input terminal Q_NEXT receives the second logic level voltage VGL, The QB node QB of the third stage ST 3 has the first logic level voltage VGH so that the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT receives the first logic level voltage VGH, (VGH) is input.

Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제1 기간(t1) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charging portion 10 is turned off by the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL during the first period t1.

QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제1 기간(t1) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제1 기간(t1) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제1 기간(t1) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB node discharging portion 20 is turned off by the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL during the first period t1. Due to the turn-off of the second TFT T2, the first node N1 floats. The third TFT T3 is turned off by the second logic level voltage VGL of the first node N1 during the first period t1. The fourth TFT T4 is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the first period t1. Due to the turn-off of the third TFT (T3) and the fourth TFT (T4), the QB node (QB) is not discharged to the low potential voltage (VGL).

QB 노드 충전부(30)는 제1 기간(t1) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제1 기간(t1) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제1 기간(t1) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The QB node charging unit 30 charges the QB node QB to the high potential voltage VGH during the first period t1. The seventh TFT T7 is turned off in response to the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the first period t1. Due to the turn-off of the seventh TFT (T7), the second node N2 is charged to the high-potential voltage VGH. Therefore, the sixth TFT T6 is turned on in response to the high-potential voltage VGH of the second node N2 during the first period t1. Due to the turn-on of the sixth TFT (T6), the QB node (QB) is charged to the high-potential voltage (VGH).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제1 기간(t1) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)의 턴-오프와 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q node boost control section 40 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH during the first period t1. The ninth TFT T9 is turned off in response to the second logic level voltage VGL. The tenth TFT (T10) is turned on in response to the first logic level voltage (VGH). Due to the turn-off of the ninth TFT T9 and the turn-on of the tenth TFT T10, the third node N3 is discharged to the low potential voltage VGL.

출력부(50)는 제1 기간(t1) 동안 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The output section 50 outputs the second output signal GOUT (2) of the low potential voltage VGL during the first period t1. The pull-down TFT TU is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned off by the first logic level voltage VGH of the QB node QB ). ≪ / RTI > The output node OUT of the second stage ST 2 is turned off at the low potential voltage VGL because the output node NO is discharged to the low potential voltage VGL due to the turn- VGL of the second output signal GOUT (2).

두 번째로, 도 5와 도 6b를 참조하여 제2 기간(t2) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제2 기간(t2) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제2 기간(t2) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.Secondly, the operation of the second stage ST (2) during the second period t2 will be described in detail with reference to Figs. 5 and 6B. The first output signal GOUT (1) of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START during the second period t2 and the first logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1 The clock signal CLK of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. Since the Q node Q of the third stage ST 3 during the second period t2 has the second logic level voltage VGL, the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT has the second logic level The QB node QB of the third stage ST 3 has the first logic level voltage VGH so that the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT receives the first logic level voltage VGH, (VGH) is input.

Q 노드 충방전부(10)는 제2 기간(t2) 동안 Q 노드(Q)를 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전한다. 제1 TFT(T1)는 제2 기간(t2) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 제1 출력 신호(GOUT(1))의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다.The Q node charging section 10 charges the Q node Q to the first logic level voltage VGH during the second period t2. The first TFT T1 is turned on in response to the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH during the second period t2. Due to the turn-on of the first TFT T1, the Q node Q is charged to the first logic level voltage VGH of the first output signal GOUT (1).

QB 노드 방전부(20)는 제2 기간(t2) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 방전한다. 제2 TFT(T2)는 제2 기간(t2) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 제1 출력 신호(GOUT(1))의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다. 제3 TFT(T3)는 제2 기간(t2) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제2 기간(t2) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The QB node discharger 20 discharges the QB node QB to the low potential voltage VGL during the second period t2. The second TFT T2 is turned on in response to the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH during the second period t2. Due to the turn-on of the second TFT T2, the first node N1 is charged with the first logic level voltage VGH of the first output signal GOUT (1). The third TFT T3 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the first node N1 during the second period t2. The fourth TFT T4 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the second period t2. Due to the turn-on of the third TFT (T3) and the fourth TFT (T4), the QB node (QB) is discharged to the low potential voltage (VGL).

QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제2 기간(t2) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제2 기간(t2) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB node charging section 30 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the second period t2. Due to the turn-on of the seventh TFT (T7), the second node N2 is discharged to the low potential voltage VGL. Thus, the sixth TFT T6 is turned off by the low potential voltage VGL of the second node N2 during the second period t2. Due to the turn-off of the sixth TFT (T6), the high-potential voltage (VGH) is not supplied to the QB node (QB).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제2 기간(t2) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프되고, 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)의 턴-오프와 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q node boost control section 40 is turned off by the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL during the second period t2 and the ninth TFT T9 And is turned off by the second logic level voltage VGL. The tenth TFT (T10) is turned on in response to the first logic level voltage (VGH). Due to the turn-off of the ninth TFT T9 and the turn-on of the tenth TFT T10, the third node N3 is discharged to the low potential voltage VGL.

출력부(50)는 제2 기간(t2) 동안 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)으로 충전되므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The output section 50 outputs the second output signal GOUT (2) of the high potential voltage VGH during the second period t2. The pull-down TFT TU is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned on in response to the low potential voltage VGL of the QB node QB. Lt; / RTI > The output node OUT of the second stage ST 2 is turned off at the high potential voltage VHH due to the turn-on of the pull-up TFT TU, And outputs the second output signal GOUT (2) of the VGH.

세 번째로, 도 5와 도 6c를 참조하여 제3 기간(t3) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제3 기간(t3) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제3 기간(t3) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Third, the operation of the second stage ST (2) during the third period t3 will be described in detail with reference to Figs. 5 and 6C. During the third period t3, the first output signal GOUT (1) of the second logic level voltage VGH is input to the start terminal START and the second logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1 The clock signal CLK of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. Also, during the third period t3, the Q node Q of the third stage ST 3 has the first logic level voltage VGH, so that the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT has the first logic level The QB node QB of the third stage ST 3 has the second logic level voltage VGL so that the second QB node voltage input terminal QB_NEXT receives the second logic level voltage VGL, (VGL) is input.

Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제3 기간(t3) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charging portion 10 is turned off by the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL during the third period t3.

QB 노드 방전부(20)는 제3 기간(t3) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 유지한다. 제2 TFT(T2)는 제3 기간(t3) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제3 기간(t3) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제3 기간(t3) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)을 유지한다.The QB node discharging unit 20 maintains the QB node QB at the low potential voltage VGL during the third period t3. The second TFT T2 is turned off by the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL during the third period t3. Due to the turn-off of the second TFT T2, the first node N1 floats. The third TFT T3 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the first node N1 during the third period t3. The fourth TFT T4 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the third period t3. Due to the turn-on of the third TFT T3 and the fourth TFT T4, the QB node QB maintains the low potential voltage VGL.

QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제3 기간(t3) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제3 기간(t3) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB node charging section 30 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the third period t3. Due to the turn-on of the seventh TFT (T7), the second node N2 is discharged to the low potential voltage VGL. Thus, the sixth TFT T6 is turned off by the low potential voltage VGL of the second node N2 during the third period t3. Due to the turn-off of the sixth TFT (T6), the high-potential voltage (VGH) is not supplied to the QB node (QB).

Q 노드 부스트 제어부(40)는 제3 기간(t3) 동안 Q 노드(Q)의 전압을 부스트(boost)한다. 제8 TFT(T8)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제9 TFT(T9)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 클럭 신호(CLK)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다. 즉, 제3 기간(t3) 동안 제3 노드(N3)의 전압은 저전위 전압(VGL)에서 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 상승하며, 제3 노드(N3)의 전압 변화량은 제1 캐패시터(Cp)에 의해 Q 노드(Q)에 반영된다. 따라서, 제3 기간(t3) 동안 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')으로 상승한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 전압 상승으로 인해, 안정적으로 턴-온될 수 있는 장점이 있다.The Q node boost controller 40 boosts the voltage of the Q node Q during the third period t3. The eighth TFT T8 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH. The ninth TFT T9 is turned on in response to the first logic level voltage VGH. The tenth TFT (T10) is turned off by the second logic level voltage (VGL). Due to the turn-on of the eighth TFT T8 and the ninth TFT T9, the third node N3 is charged with the first logic level voltage VGH of the clock signal CLK. That is, the voltage of the third node N3 rises from the low potential voltage VGL to the first logic level voltage VGH during the third period t3, and the voltage variation of the third node N3 rises from the low- (Q) by the node Cp. Thus, during the third period t3, the Q node Q rises to a voltage VGH 'that is higher than the first logic level voltage VGH. The pull-up TFT (TU) has an advantage that it can be stably turned on due to the voltage rise of the Q node (Q).

출력부(50)는 제3 기간(t3) 동안 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)을 유지하므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The output section 50 outputs the second output signal GOUT (2) of the high potential voltage VGH during the third period t3. The pull-down TFT TU is turned on in response to a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned on in response to the QB node QB, And is turned off by a second logic level voltage (VGL) The output node OUT of the second stage ST 2 is maintained at the high potential voltage VHH because the output node NO maintains the high potential voltage VGH due to the turn-on of the pull-up TFT TU And outputs the second output signal GOUT (2) of the VGH.

네 번째로, 도 5와 도 6d를 참조하여 제4 기간(t4) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제4 기간(t4) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제4 기간(t4) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Fourth, the operation of the second stage ST (2) during the fourth period t4 will be described in detail with reference to Figs. 5 and 6D. The first output signal GOUT (1) of the second logic level voltage VGL is input to the start terminal START during the fourth period t4 and the first logic level voltage VGL is input to the first clock terminal CLK1 The clock signal CLK of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. Also, during the fourth period t4, the Q node Q of the third stage ST 3 has the voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH, A voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH is input to the QB node Q_NEXT and a QB node QB of the third stage ST 3 has the second logic level voltage VGL, The second logic level voltage VGL is input to the QB node voltage input terminal QB_NEXT.

Q 노드 충방전부(10)는 제4 기간(t4) 동안 Q 노드(Q)를 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전한다. 제1 TFT(T1)는 제4 기간(t4) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 제1 출력 신호(GOUT(1)))의 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전된다.The Q node charging unit 10 discharges the Q node Q to the second logic level voltage VGL during the fourth period t4. The first TFT T1 is turned on in response to the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH during the fourth period t4. Due to the turn-on of the first TFT T1, the Q node Q is discharged to the second logic level voltage VGL of the first output signal GOUT (1)).

QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제4 기간(t4) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 제1 출력 신호(GOUT(1))의 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전된다. 제3 TFT(T3)는 제4 기간(t4) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제4 기간(t4) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB node discharging portion 20 is turned on in response to the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH during the fourth period t4. Due to the turn-on of the second TFT T2, the first node N1 is discharged to the second logic level voltage VGL of the first output signal GOUT (1). The third TFT T3 is turned off by the second logic level voltage VGL of the first node N1 during the fourth period t4. The fourth TFT T4 is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the fourth period t4. Due to the turn-off of the third TFT (T3) and the fourth TFT (T4), the QB node (QB) is not discharged to the low potential voltage (VGL).

QB 노드 충전부(30)는 제4 기간(t4) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제4 기간(t4) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제4 기간(t4) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The QB node charging unit 30 charges the QB node QB to the high potential voltage VGH during the fourth period t4. The seventh TFT T7 is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the fourth period t4. Due to the turn-off of the seventh TFT (T7), the second node N2 is charged to the high-potential voltage VGH. Thus, the sixth TFT T6 is turned on in response to the high-potential voltage VGH of the second node N2 during the fourth period t4. Due to the turn-on of the sixth TFT (T6), the QB node (QB) is charged to the high-potential voltage (VGH).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제4 기간(t4) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제10 TFT(T10)의 턴-오프로 인해, 제3 노드(N3)는 플로팅된다.The eighth TFT T8 of the Q node boost control unit 40 is turned off by the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL during the fourth period t4. The ninth TFT T9 is turned on in response to a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH. The tenth TFT (T10) is turned off by the second logic level voltage (VGL). Due to the turn-off of the eighth TFT (T8) and the tenth TFT (T10), the third node (N3) floats.

출력부(50)는 제4 기간(t4) 동안 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The output section 50 outputs the second output signal GOUT (2) of the low potential voltage VGL during the fourth period t4. The pull-down TFT TU is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned off by the first logic level voltage VGH of the QB node QB ). ≪ / RTI > The output node OUT of the second stage ST 2 is turned off at the low potential voltage VGL because the output node NO is discharged to the low potential voltage VGL due to the turn- VGL of the second output signal GOUT (2).

다섯 번째로, 도 5와 도 6e를 참조하여 제5 기간(t5) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제5 기간(t5) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제5 기간(t5) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.Fifth, the operation of the second stage ST (2) during the fifth period t5 will be described in detail with reference to FIG. 5 and FIG. 6E. The first output signal GOUT (1) of the second logic level voltage VGL is input to the start terminal START during the fifth period t5 and the second logic level voltage VGL is input to the first clock terminal CLK1 The clock signal CLK of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. Since the Q node Q of the third stage ST 3 has the second logic level voltage VGL during the fifth period t5, the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT has the second logic level The QB node QB of the third stage ST 3 has the first logic level voltage VGH so that the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT receives the first logic level voltage VGH, (VGH) is input.

Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제5 기간(t5) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charging portion 10 is turned off by the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL during the fifth period t5.

QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제5 기간(t5) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제5 기간(t5) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제5 기간(t5) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB node discharging portion 20 is turned off by the inverted clock signal CLK of the second logic level voltage VGL during the fifth period t5. Due to the turn-off of the second TFT T2, the first node N1 floats. The third TFT T3 is turned off by the second logic level voltage VGL of the first node N1 during the fifth period t5. The fourth TFT T4 is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the fifth period t5. Due to the turn-off of the third TFT (T3) and the fourth TFT (T4), the QB node (QB) is not discharged to the low potential voltage (VGL).

QB 노드 충전부(30)는 제5 기간(t5) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제5 기간(t5) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제5 기간(t5) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The QB node charging unit 30 charges the QB node QB to the high potential voltage VGH during the fifth period t5. The seventh TFT T7 is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the fifth period t5. Due to the turn-off of the seventh TFT (T7), the second node N2 is charged to the high-potential voltage VGH. Thus, the sixth TFT T6 is turned on in response to the high-potential voltage VGH of the second node N2 during the fifth period t5. Due to the turn-on of the sixth TFT (T6), the QB node (QB) is charged to the high-potential voltage (VGH).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제5 기간(t5) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)의 턴-오프와 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q node boost control section 40 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH during the fifth period t5. The ninth TFT T9 is turned off in response to the second logic level voltage VGL. The tenth TFT (T10) is turned on in response to the first logic level voltage (VGH). Due to the turn-off of the ninth TFT T9 and the turn-on of the tenth TFT T10, the third node N3 is discharged to the low potential voltage VGL.

출력부(50)는 제5 기간(t5) 동안 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The output section 50 outputs the second output signal GOUT (2) of the low potential voltage VGL during the fifth period t5. The pull-down TFT TU is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned off by the first logic level voltage VGH of the QB node QB ). ≪ / RTI > The output node OUT of the second stage ST 2 is turned off at the low potential voltage VGL because the output node NO is discharged to the low potential voltage VGL due to the turn- VGL of the second output signal GOUT (2).

여섯 번째로, 도 5와 도 6f를 참조하여 제6 기간(t6) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제6 기간(t6) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제6 기간(t6) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.Sixth, the operation of the second stage ST (2) during the sixth period t6 will be described in detail with reference to Figs. 5 and 6F. During the sixth period t6, the first output signal GOUT (1) of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START and the first logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1 The clock signal CLK of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. Since the Q node Q of the third stage ST 3 during the sixth period t6 has the second logic level voltage VGL, the second logic level input terminal Q_NEXT receives the second logic level voltage VGL, The QB node QB of the third stage ST 3 has the first logic level voltage VGH so that the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT receives the first logic level voltage VGH, (VGH) is input.

Q 노드 충방전부(10)는 제6 기간(t6) 동안 Q 노드(Q)를 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전한다. 제1 TFT(T1)는 제6 기간(t6) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 제1 출력 신호(GOUT(1))의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다.The Q node charging section 10 charges the Q node Q to the first logic level voltage VGH during the sixth period t6. The first TFT T1 is turned on in response to the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH during the sixth period t6. Due to the turn-on of the first TFT T1, the Q node Q is charged to the first logic level voltage VGH of the first output signal GOUT (1).

QB 노드 방전부(20)는 제6 기간(t6) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 방전한다. 제2 TFT(T2)는 제6 기간(t6) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 제1 출력 신호(GOUT(1))의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다. 제3 TFT(T3)는 제6 기간(t6) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제6 기간(t6) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The QB node discharging unit 20 discharges the QB node QB to the low potential voltage VGL during the sixth period t6. The second TFT T2 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH during the sixth period t6. Due to the turn-on of the second TFT T2, the first node N1 is charged with the first logic level voltage VGH of the first output signal GOUT (1). The third TFT T3 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the first node N1 during the sixth period t6. The fourth TFT T4 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the sixth period t6. Due to the turn-on of the third TFT (T3) and the fourth TFT (T4), the QB node (QB) is discharged to the low potential voltage (VGL).

QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제6 기간(t6) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제6 기간(t6) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB node charging section 30 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the sixth period t6. Due to the turn-on of the seventh TFT (T7), the second node N2 is discharged to the low potential voltage VGL. Thus, the sixth TFT T6 is turned off by the low potential voltage VGL of the second node N2 during the sixth period t6. Due to the turn-off of the sixth TFT (T6), the high-potential voltage (VGH) is not supplied to the QB node (QB).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제6 기간(t6) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q node boost control section 40 is turned off by the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL during the sixth period t6. The ninth TFT T9 is turned off by the second logic level voltage VGL. The tenth TFT (T10) is turned on in response to the first logic level voltage (VGH). Due to the turn-on of the tenth TFT (T10), the third node N3 is discharged to the low potential voltage VGL.

출력부(50)는 제6 기간(t6) 동안 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)으로 충전되므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The output section 50 outputs the second output signal GOUT (2) of the high potential voltage VGH during the sixth period t6. The pull-down TFT TU is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned on in response to the low potential voltage VGL of the QB node QB. Lt; / RTI > The output node OUT of the second stage ST 2 is turned off at the high potential voltage VHH due to the turn-on of the pull-up TFT TU, And outputs the second output signal GOUT (2) of the VGH.

일곱 번째로, 도 5와 도 6g를 참조하여 제7 기간(t7) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제7 기간(t7) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제7 기간(t7) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Seventh, the operation of the second stage ST (2) during the seventh period t7 will be described in detail with reference to Figs. 5 and 6G. During the seventh period t7, the first output signal GOUT (1) of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START and the second logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1 The clock signal CLK of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. Further, during the seventh period t7, the Q node Q of the third stage ST (3) has the first logic level voltage VGH, so that the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT has the first logic level The QB node QB of the third stage ST 3 has the second logic level voltage VGL so that the second QB node voltage input terminal QB_NEXT receives the second logic level voltage VGL, (VGL) is input.

Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제7 기간(t7) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q-node charging portion 10 is turned off by the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL during the seventh period t7.

QB 노드 방전부(20)는 제7 기간(t7) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 유지한다. 제2 TFT(T2)는 제7 기간(t7) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제7 기간(t7) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제7 기간(t7) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)을 유지한다.The QB node discharging unit 20 maintains the QB node QB at the low potential voltage VGL during the seventh period t7. The second TFT T2 is turned off by the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL during the seventh period t7. Due to the turn-off of the second TFT T2, the first node N1 floats. The third TFT T3 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the first node N1 during the seventh period t7. The fourth TFT T4 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the seventh period t7. Due to the turn-on of the third TFT T3 and the fourth TFT T4, the QB node QB maintains the low potential voltage VGL.

QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제7 기간(t7) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제7 기간(t7) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB node charging section 30 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the seventh period t7. Due to the turn-on of the seventh TFT (T7), the second node N2 is discharged to the low potential voltage VGL. Therefore, the sixth TFT T6 is turned off by the low potential voltage VGL of the second node N2 during the seventh period t7. Due to the turn-off of the sixth TFT (T6), the high-potential voltage (VGH) is not supplied to the QB node (QB).

Q 노드 부스트 제어부(40)는 제7 기간(t7) 동안 Q 노드(Q)의 전압을 부스트(boost)한다. 제8 TFT(T8)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제9 TFT(T9)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다. 즉, 제7 기간(t7) 동안 제3 노드(N3)의 전압은 저전위 전압(VGL)에서 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 상승하며, 제3 노드(N3)의 전압 변화량은 제1 캐패시터(Cp)에 의해 Q 노드(Q)에 반영된다. 따라서, 제7 기간(t7) 동안 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')으로 상승한다.The Q node boost controller 40 boosts the voltage of the Q node Q during the seventh period t7. The eighth TFT T8 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH. The ninth TFT T9 is turned on in response to the first logic level voltage VGH. The tenth TFT (T10) is turned off by the second logic level voltage (VGL). Due to the turn-on of the eighth TFT T8 and the ninth TFT T9, the third node N3 is charged with the first logic level voltage VGH of the clock signal CLKB. That is, the voltage of the third node N3 rises from the low potential voltage VGL to the first logic level voltage VGH during the seventh period t7, and the voltage variation of the third node N3 rises from the low- (Q) by the node Cp. Thus, during the seventh period t7, the Q node Q rises to a voltage VGH 'that is higher than the first logic level voltage VGH.

출력부(50)는 제7 기간(t7) 동안 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)을 유지하므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The output section 50 outputs the second output signal GOUT (2) of the high potential voltage VGH during the seventh period t7. The pull-down TFT TU is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned on in response to the second logic level voltage < RTI ID = 0.0 > VGL). ≪ / RTI > The output node OUT of the second stage ST 2 is maintained at the high potential voltage VHH because the output node NO maintains the high potential voltage VGH due to the turn-on of the pull-up TFT TU And outputs the second output signal GOUT (2) of the VGH.

여덟 번째로, 도 5와 도 6h를 참조하여 제8 기간(t8) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제8 기간(t8) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제8 기간(t8) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Eighthly, the operation of the second stage ST (2) during the eighth period t8 will be described in detail with reference to Figs. 5 and 6H. During the eighth period t8, the first output signal GOUT (1) of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START and the first logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1 The clock signal CLK of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. Also, during the eighth period t8, the Q node Q of the third stage ST 3 has the voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH, A voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH is input to the QB node Q_NEXT and a QB node QB of the third stage ST 3 has the second logic level voltage VGL, The second logic level voltage VGL is input to the QB node voltage input terminal QB_NEXT.

Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)의 게이트 전극에는 제8 기간(t8) 동안 턴-온 전압인 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 하지만, 제1 TFT(T1)의 소스 전극에 접속된 Q 노드(Q)의 전압이 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높기 때문에, Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 유지한다.The inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH which is a turn-on voltage is input to the gate electrode of the first TFT T1 of the Q-node charging portion 10 during the eighth period t8. However, since the voltage of the Q node Q connected to the source electrode of the first TFT T1 is higher than the first logic level voltage VGH, the Q node Q is higher than the first logic level voltage VGH And maintains the voltage VGH '.

QB 노드 방전부(20)는 제8 기간(t8) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 유지한다. 제2 TFT(T2)는 제8 기간(t8) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 스타트 신호(VST)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다. 제3 TFT(T3)는 제8 기간(t8) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제8 기간(t8) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The QB node discharging unit 20 maintains the QB node QB at the low potential voltage VGL during the eighth period t8. The second TFT T2 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH during the eighth period t8. Due to the turn-on of the second TFT T2, the first node N1 is charged with the first logic level voltage VGH of the start signal VST. The third TFT T3 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the first node N1 during the eighth period t8. The fourth TFT T4 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the eighth period t8. Due to the turn-on of the third TFT (T3) and the fourth TFT (T4), the QB node (QB) is discharged to the low potential voltage (VGL).

QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제8 기간(t8) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제8 기간(t8) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB node charging section 30 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the eighth period t8. Due to the turn-on of the seventh TFT (T7), the second node N2 is discharged to the low potential voltage VGL. Thus, the sixth TFT T6 is turned off by the low potential voltage VGL of the second node N2 during the eighth period t8. Due to the turn-off of the sixth TFT (T6), the high-potential voltage (VGH) is not supplied to the QB node (QB).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제8 기간(t8) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제10 TFT(T10)의 턴-오프으로 인해, 제3 노드(N3)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 유지한다.The eighth TFT T8 of the Q node boost control section 40 is turned off by the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL during the eighth period t8. The ninth TFT T9 is turned on in response to a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH. The tenth TFT (T10) is turned off by the second logic level voltage (VGL). Due to the turn-off of the eighth TFT (T8) and the tenth TFT (T10), the third node (N3) maintains the first logic level voltage (VGH).

출력부(50)는 제8 기간(t8) 동안 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)으로 충전되므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The output section 50 outputs the second output signal GOUT (2) of the high potential voltage VGH during the eighth period t8. The pull-down TFT TU is turned on in response to a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned on in response to the QB node QB, Off by the low potential voltage (VGL) The output node OUT of the second stage ST 2 is turned off at the high potential voltage VHH due to the turn-on of the pull-up TFT TU, And outputs the second output signal GOUT (2) of the VGH.

아홉 번째로, 도 5와 도 6i를 참조하여 제9 기간(t9) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제9 기간(t9) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제9 기간(t9) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.The operation of the second stage ST (2) during the ninth period t9 will be described in detail with reference to Figs. 5 and 6i. During the ninth time period t9, the first output signal GOUT (1) of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START and the second logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1 The clock signal CLK of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. Also, during the ninth period t9, the Q node Q of the third stage ST (3) has the voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH, A voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH is input to the QB node Q_NEXT and a QB node QB of the third stage ST 3 has the second logic level voltage VGL, The second logic level voltage VGL is input to the QB node voltage input terminal QB_NEXT.

Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제9 기간(t9) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charging portion 10 is turned off by the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL during the ninth period t9.

QB 노드 방전부(20)는 제9 기간(t9) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 유지한다. 제2 TFT(T2)는 제9 기간(t9) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제9 기간(t9) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제9 기간(t9) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)을 유지한다.The QB node discharging section 20 maintains the QB node QB at the low potential voltage VGL during the ninth period t9. The second TFT T2 is turned off by the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL during the ninth period t9. Due to the turn-off of the second TFT T2, the first node N1 floats. The third TFT T3 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the first node N1 during the ninth period t9. The fourth TFT T4 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the ninth period t9. Due to the turn-on of the third TFT T3 and the fourth TFT T4, the QB node QB maintains the low potential voltage VGL.

QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제9 기간(t9) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제9 기간(t9) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB node charging section 30 is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q during the ninth period t9. Due to the turn-on of the seventh TFT (T7), the second node N2 is discharged to the low potential voltage VGL. Therefore, the sixth TFT T6 is turned off by the low potential voltage VGL of the second node N2 during the ninth period t9. Due to the turn-off of the sixth TFT (T6), the high-potential voltage (VGH) is not supplied to the QB node (QB).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제9 TFT(T9)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 클럭 신호(CLK)의 제1 로직 레벨 전압으로 충전된다.The eighth TFT T8 of the Q node boost control section 40 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH. The ninth TFT T9 is turned on in response to a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH. The tenth TFT (T10) is turned off by the second logic level voltage (VGL). Due to the turn-on of the eighth TFT T8 and the ninth TFT T9, the third node N3 is charged with the first logic level voltage of the clock signal CLK.

출력부(50)는 제9 기간(t9) 동안 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)을 유지하므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The output section 50 outputs the second output signal GOUT (2) of the high potential voltage VGH during the ninth period t9. The pull-down TFT TU is turned on in response to the first logic level voltage VGH of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned on in response to the second logic level voltage < RTI ID = 0.0 > VGL). ≪ / RTI > The output node OUT of the second stage ST 2 is maintained at the high potential voltage VHH because the output node NO maintains the high potential voltage VGH due to the turn-on of the pull-up TFT TU And outputs the second output signal GOUT (2) of the VGH.

열 번째로, 도 5와 도 6j를 참조하여 제10 기간(t10) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제10 기간(t10) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제10 기간(t10) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.The operation of the second stage ST (2) during the tenth period t10 will be described in detail with reference to FIG. 5 and FIG. 6J. During the tenth period t10, the first output signal GOUT (1) of the second logic level voltage VGL is input to the start terminal START and the first logic level voltage VGL is input to the first clock terminal CLK1 The clock signal CLK of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. The Q node Q of the third stage ST 3 during the tenth period t10 has the voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH, A voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH is input to the QB node Q_NEXT and a QB node QB of the third stage ST 3 has the second logic level voltage VGL, The second logic level voltage VGL is input to the QB node voltage input terminal QB_NEXT.

Q 노드 충방전부(10)는 제10 기간(t10) 동안 Q 노드(Q)를 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전한다. 제1 TFT(T1)는 제10 기간(t10) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 제1 출력 신호(GOUT(1))의 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전된다.The Q-node charging unit 10 discharges the Q-node Q to the second logic level voltage VGL during the tenth period t10. The first TFT T1 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH during the tenth period t10. Due to the turn-on of the first TFT T1, the Q node Q is discharged to the second logic level voltage VGL of the first output signal GOUT (1).

QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제10 기간(t10) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 제1 출력 신호(GOUT(1))의 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전된다. 제3 TFT(T3)는 제10 기간(t10) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제10 기간(t10) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB node discharging portion 20 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH during the tenth period t10. Due to the turn-on of the second TFT T2, the first node N1 is discharged to the second logic level voltage VGL of the first output signal GOUT (1). The third TFT T3 is turned off by the second logic level voltage VGL of the first node N1 during the tenth period t10. The fourth TFT T4 is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the tenth period t10. Due to the turn-off of the third TFT (T3) and the fourth TFT (T4), the QB node (QB) is not discharged to the low potential voltage (VGL).

QB 노드 충전부(30)는 제10 기간(t10) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제10 기간(t10) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제10 기간(t10) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The QB node charging unit 30 charges the QB node QB to the high potential voltage VGH during the tenth period t10. The seventh TFT T7 is turned off in response to the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the tenth period t10. Due to the turn-off of the seventh TFT (T7), the second node N2 is charged to the high-potential voltage VGH. Thus, the sixth TFT T6 is turned on in response to the high-potential voltage VGH of the second node N2 during the tenth period t10. Due to the turn-on of the sixth TFT (T6), the QB node (QB) is charged to the high-potential voltage (VGH).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제10 기간(t10) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제10 TFT(T10)의 턴-오프로 인해, 제3 노드(N3)는 플로팅된다.The eighth TFT T8 of the Q node boost control unit 40 is turned off by the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL during the tenth period t10. The ninth TFT T9 is turned on in response to a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH. The tenth TFT (T10) is turned off by the second logic level voltage (VGL). Due to the turn-off of the eighth TFT (T8) and the tenth TFT (T10), the third node (N3) floats.

출력부(50)는 제10 기간(t10) 동안 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The output section 50 outputs the second output signal GOUT (2) of the low potential voltage VGL during the tenth period t10. The pull-down TFT TU is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned off by the first logic level voltage VGH of the QB node QB ). ≪ / RTI > The output node OUT of the second stage ST 2 is turned off at the low potential voltage VGL because the output node NO is discharged to the low potential voltage VGL due to the turn- VGL of the second output signal GOUT (2).

열한 번째로, 도 5와 도 6k를 참조하여 제11 기간(t11) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제11 기간(t11) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제11 기간(t11) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.Eleventh, the operation of the second stage ST (2) during the eleventh period t11 will be described in detail with reference to FIG. 5 and FIG. 6k. The first output signal GOUT (1) of the second logic level voltage VGL is input to the start terminal START during the eleventh period t11 and the second logic level voltage VGL is input to the first clock terminal CLK1 The clock signal CLK of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. Since the Q node Q of the third stage ST 3 has the second logic level voltage VGL during the eleventh period t11, the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT has the second logic level The QB node QB of the third stage ST 3 has the first logic level voltage VGH so that the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT receives the first logic level voltage VGH, (VGH) is input.

Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제11 기간(t11) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charging portion 10 is turned off by the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL during the eleventh period t11.

QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제11 기간(t11) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제11 기간(t11) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제11 기간(t11) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB node discharging portion 20 is turned off by the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL during the eleventh period t11. Due to the turn-off of the second TFT T2, the first node N1 floats. The third TFT T3 is turned off by the second logic level voltage VGL of the first node N1 during the eleventh period t11. The fourth TFT T4 is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the eleventh period t11. Due to the turn-off of the third TFT (T3) and the fourth TFT (T4), the QB node (QB) is not discharged to the low potential voltage (VGL).

QB 노드 충전부(30)는 제11 기간(t11) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제11 기간(t11) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제11 기간(t11) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The QB node charging unit 30 charges the QB node QB to the high potential voltage VGH during the eleventh period t11. The seventh TFT T7 is turned off in response to the second logic level voltage VGL of the Q node Q during the eleventh period t11. Due to the turn-off of the seventh TFT (T7), the second node N2 is charged to the high-potential voltage VGH. Thus, the sixth TFT T6 is turned on in response to the high-potential voltage VGH of the second node N2 during the eleventh period t11. Due to the turn-on of the sixth TFT (T6), the QB node (QB) is charged to the high-potential voltage (VGH).

Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제11 기간(t11) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)의 턴-오프와 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q node boost control section 40 is turned on in response to the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH during the eleventh period t11. The ninth TFT T9 is turned off in response to the second logic level voltage VGL. The tenth TFT (T10) is turned on in response to the first logic level voltage (VGH). Due to the turn-off of the ninth TFT T9 and the turn-on of the tenth TFT T10, the third node N3 is discharged to the low potential voltage VGL.

출력부(50)는 제11 기간(t11) 동안 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The output section 50 outputs the second output signal GOUT (2) of the low potential voltage VGL during the eleventh period t11. The pull-down TFT TU is turned off by the second logic level voltage VGL of the Q node Q and the pull-down TFT TD is turned off by the first logic level voltage VGH of the QB node QB ). ≪ / RTI > The output node OUT of the second stage ST 2 is turned off at the low potential voltage VGL because the output node NO is discharged to the low potential voltage VGL due to the turn- VGL of the second output signal GOUT (2).

제2 스테이지(ST(2))는 제11 기간(t11) 이후부터 그 다음 프레임 기간의 제1 기간(t1) 전까지, 제10 기간(t11)과 제11 기간(t11)의 동작을 반복 수행할 것이다.The second stage ST (2) repeats the operations of the tenth period t11 and the eleventh period t11 from the eleventh period t11 to the first period t1 of the next frame period will be.

이상에서 살펴본 바와 같이, 제2 스테이지(ST(2))는 전단 캐리신호와 동일한 파형을 갖고, 위상이 소정의 기간만큼 지연된 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 한편, 도 6a 내지 도 6k를 결부하여 설명한 제2 스테이지(ST(2))의 동작 방법은 하나의 실시 예임에 주의하여야 한다. 즉, 제1 클럭 단자(CLK1)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되고, 제2 클럭 단자(CLK2)에 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 스타트 단자(START)에 전단 캐리신호가 입력되는 제k 스테이지(ST(k))의 동작 방법은 도 6a 내지 도 6k을 결부하여 설명한 제2 스테이지(ST(2))의 동작 방법과 같다. 따라서, 제1 클럭 단자(CLK1)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되고, 제2 클럭 단자(CLK2)에 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 스타트 단자(START)에 전단 캐리신호가 입력되는 제k 스테이지(ST(k))는 전단 캐리신호와 동일한 파형을 갖고, 위상이 소정의 기간만큼 지연된 제k 출력 신호(GOUT(k))를 출력한다.
As described above, the second stage ST (2) outputs the second output signal GOUT (2) having the same waveform as the preceding carry signal and having a phase delayed by a predetermined period. Note that the operation method of the second stage ST (2) described with reference to Figs. 6A to 6K is one embodiment. That is, the first clock terminal CLK1 receives the inverted clock signal CLKB, the second clock terminal CLK2 receives the clock signal CLK, and the start terminal START receives the previous carry signal. The operation method of the k stage ST (k) is the same as that of the second stage ST (2) described with reference to Figs. 6A to 6K. Accordingly, the clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1, the clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2, and the previous carry signal is input to the start terminal START The k stage ST (k) outputs the k-th output signal GOUT (k), which has the same waveform as the preceding carry signal and whose phase is delayed by a predetermined period.

도 7은 제3 스테이지의 입력 신호들과 출력 신호의 일 예를 보여주는 파형도이다. 도 7에는 제3 스테이지(ST(3))의 입력 신호들로서 스타트 단자(START)로 입력되는 전단 캐리신호인 제2 스테이지(ST(2))의 출력 신호(GOUT(2)), 제1 클럭 단자(CLK1)로 입력되는 클럭 신호(CLK), 및 제2 클럭 단자(CLK2)로 입력되는 반전 클럭 신호(CLKB)가 나타나 있다. 즉, 제1 스테이지(ST(1))와 제3 스테이지(ST(3))의 제1 클럭 단자(CLK1)에는 클럭 신호(CLK)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에는 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력됨에 반해, 제2 스테이지(ST(2))의 제1 클럭 단자(CLK1)에는 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에는 클럭 신호(CLK)가 입력되는 것에 주의하여야 한다.7 is a waveform diagram showing an example of input signals and output signals of the third stage. 7 shows the output signal GOUT (2) of the second stage ST (2), which is the previous carry signal input to the start terminal (START) as the input signals of the third stage ST (3) A clock signal CLK input to the terminal CLK1 and an inverted clock signal CLKB input to the second clock terminal CLK2 are shown. That is, the clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1 of the first stage ST (1) and the third clock signal CLK2 of the third stage ST (3) The inverted clock signal CLKB is input to the first clock terminal CLK1 of the second stage ST 2 and the clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2 .

또한, 도 7에는 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)로 입력되는 제4 스테이지(ST(4))의 Q 노드 전압(Q(4)), 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)로 입력되는 제4 스테이지(ST(4))의 QB 노드 전압(QB(4))이 나타나 있다. 또한, 도 7에는 제3 스테이지(ST(3))의 출력 신호들로서 Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT)로 출력되는 제3 스테이지(ST(3)) Q 노드 전압(Q(3)), QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT)로 출력되는 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드 전압(QB(3)), 및 제3 스테이지(ST(3))의 출력단자(OUT)로 출력되는 제3 출력 신호(GOUT(3))가 나타나 있다.7, the Q-node voltage (Q (4)) of the fourth stage ST (4) input to the rear-end Q-node voltage input terminal Q_NEXT and the Q- And the QB node voltage (QB (4)) of the fourth stage (ST (4)). 7 shows a third stage ST (3) Q node voltage Q (3) output to the Q node voltage output terminal Q_OUT as output signals of the third stage ST (3) The QB node voltage QB (3) of the third stage ST (3) output to the voltage output terminal QB_OUT and the QB node voltage QB (3) of the third stage ST The output signal GOUT (3) is shown.

스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호와 동일한 파형을 가지나 위상은 소정의 기간만큼 지연되는 출력 신호를 출력단자(OUT)를 통해 출력한다. 제3 스테이지(ST(3))는 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 전단 캐리신호인 제2 출력 신호(GOUT(2))와 동일한 파형을 가지나 위상은 1 수평 기간(1H)만큼 지연된 제3 출력 신호(GOUT(3))를 출력단자(OUT)를 통해 출력한다. 도 7에서 제2 내지 제12 기간(t2~t12) 각각은 1 수평 기간(1H)인 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다.Each of the stages ST (1) to ST (n) outputs an output signal whose waveform is the same as the start signal VST input through the start terminal START or the previous carry signal but whose phase is delayed by a predetermined period Through the terminal OUT. The third stage ST 3 has the same waveform as the second output signal GOUT 2 that is the front carry signal input through the start terminal START but has a phase that is delayed by one horizontal period And outputs the output signal GOUT (3) through the output terminal OUT. In FIG. 7, each of the second to twelfth periods (t2 to t12) is one horizontal period (1H), but it is not limited thereto.

클럭 신호(CLK)는 소정의 기간을 주기로 발생하고, 반전 클럭 신호(CLKB)는 클럭 신호(CLK)를 반전시킨 신호이므로, 클럭 신호(CLK)와 동일한 주기로 발생한다. 그러므로, 도 7과 같이 클럭 신호(CLK)가 제1 로직 레벨 전압으로 발생하는 경우, 반전 클럭 신호(CLKB)는 제2 로직 레벨 전압으로 발생한다. 또한, 클럭 신호(CLK)가 제2 로직 레벨 전압으로 발생하는 경우, 반전 클럭 신호(CLKB)는 제1 로직 레벨 전압으로 발생한다. 도 7에서 제1 로직 레벨 전압은 게이트 하이 전압(VGH)이고, 제2 로직 레벨 전압은 게이트 로우 전압(VGL)인 것을 중심으로 설명하였다.The clock signal CLK is generated in a period of a predetermined period and the inverted clock signal CLKB is a signal obtained by inverting the clock signal CLK and therefore occurs at the same cycle as the clock signal CLK. Therefore, when the clock signal CLK is generated at the first logic level voltage as shown in FIG. 7, the inverted clock signal CLKB is generated at the second logic level voltage. Further, when the clock signal CLK is generated at the second logic level voltage, the inverted clock signal CLKB is generated at the first logic level voltage. In FIG. 7, the first logic level voltage is the gate high voltage (VGH) and the second logic level voltage is the gate low voltage (VGL).

제4 스테이지(ST(4))의 Q 노드 전압(Q(4))은 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드 전압(Q(3))보다 소정의 기간만큼 위상이 지연되어 발생한다. 제4 스테이지(ST(4))의 QB 노드 전압(QB(4))은 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드 전압(QB(3))보다 소정의 기간만큼 위상이 지연되어 발생한다. 도 7에서, 소정의 기간은 1 수평기간으로 구현된 것을 중심으로 설명하였다.The Q node voltage Q (4) of the fourth stage ST (4) is generated by delaying the phase of the Q node voltage Q (3) of the third stage ST (3) by a predetermined period . The QB node voltage QB (4) of the fourth stage ST (4) is generated by delaying the phase of the QB node voltage QB (3) of the third stage ST (3) by a predetermined period . In FIG. 7, the predetermined period is mainly described as being implemented in one horizontal period.

한편, 제2 내지 제12 기간(t2~t12) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 동작 방법은 도 6a 내지 도 6k를 결부하여 설명한 제1 내지 제11 기간(t1~t11) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작 방법과 같다. 따라서, 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드 전압(Q(3)), 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드 전압(QB(3)), 제4 스테이지(ST(4))의 Q 노드 전압(Q(4)), 제4 스테이지(ST(4))의 QB 노드 전압(QB(4)), 및 제3 스테이지(ST(3))의 제3 출력 신호(GOUT(3))에 대한 설명도 도 6a 내지 도 6k를 결부하여 설명한 바와 같다. 다만, 제2 스테이지(ST(2))의 스타트 단자(START)에는 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 클럭 신호(CLK)가 입력되고, 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드 전압(Q(3))이 입력되며, 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드 전압(Q(3))이 입력된다. 하지만, 제3 스테이지(ST(3))의 스타트 단자(START)에는 제2 출력 신호(GOUT2)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되고, 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제4 스테이지(ST(4))의 Q 노드 전압(Q(4))이 입력되며, 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제4 스테이지(ST(4))의 QB 노드 전압(Q(4))이 입력되는 것에 주의하여야 한다.On the other hand, the operation method of the third stage ST (3) during the second to twelfth periods t2 to t12 is the same as the first to the eleventh periods t1 to t11 described with reference to Figs. 6A to 6K, Is the same as the operation method of the stage ST (2). Therefore, the Q node voltage Q (3) of the third stage ST (3), the QB node voltage QB (3) of the third stage ST (3) The QB node voltage QB (4) of the fourth stage ST (4), and the third output signal GOUT (4) of the third stage ST (3) 3) are also described with reference to Figs. 6A to 6K. However, the first output signal GOUT (1) is input to the start terminal START of the second stage ST (2), the inverted clock signal CLKB is input to the first clock terminal CLK1, The clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2 and the Q node voltage Q (3) of the third stage ST (3) is input to the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT, The QB node voltage Q (3) of the third stage ST (3) is input to the rear stage QB node voltage input terminal QB_NEXT. However, the second output signal GOUT2 is input to the start terminal START of the third stage ST (3), the clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1, The Q node voltage Q (4) of the fourth stage ST (4) is inputted to the rear stage Q node voltage input terminal Q_NEXT and the inverted clock signal CLKB is inputted to the rear stage QB node CLK2, It should be noted that the QB node voltage Q (4) of the fourth stage ST (4) is input to the voltage input terminal QB_NEXT.

결국, 제3 스테이지(ST(3))는 전단 캐리신호와 동일한 파형을 갖고, 위상이 소정의 기간만큼 지연된 제3 출력 신호(GOUT(3))를 출력한다. 제1 클럭 단자(CLK1)에 클럭 신호(CLK)가 입력되고, 제2 클럭 단자(CLK2)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 스타트 단자(START)에 전단 캐리신호가 입력되는 제k 스테이지(ST(k))의 동작 방법은 도 7을 결부하여 설명한 제3 스테이지(ST(3))의 동작 방법과 같다. 따라서, 제1 클럭 단자(CLK1)에 클럭 신호(CLK)가 입력되고, 제2 클럭 단자(CLK2)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 스타트 단자(START)에 전단 캐리신호가 입력되는 제k 스테이지(ST(k))는 전단 캐리신호와 동일한 파형을 갖고, 위상이 소정의 기간만큼 지연된 제k 출력 신호(GOUT(k))를 출력한다.As a result, the third stage ST (3) outputs the third output signal GOUT (3), which has the same waveform as the preceding carry signal and whose phase is delayed by a predetermined period. A kth stage in which a clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1 and an inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2 and a previous carry signal is input to the start terminal START, (ST (k)) is the same as the operation method of the third stage (ST (3)) described with reference to FIG. Therefore, when the clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1, the inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2, and the previous carry signal is input to the start terminal START The k stage ST (k) outputs the k-th output signal GOUT (k), which has the same waveform as the preceding carry signal and whose phase is delayed by a predetermined period.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터는 제1 내지 제n 스테이지들(ST(1)~ST(n))을 포함하는데, 제1 클럭 단자(CLK1)에 클럭 신호(CLK)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며 스타트 단자(START)에 스타트 신호(VST)가 입력되는 제1 스테이지(ST(1))는 도 3과 도 4a 내지 도 4j를 결부하여 설명한 바와 같이 동작한다. 제1 클럭 단자(CLK1)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에 클럭 신호(CLK)가 입력되며 스타트 단자(START)에 전단 캐리신호가 입력되는 제k 스테이지(ST(k))는 도 5와 도 6a 내지 도 6k를 결부하여 설명한 바와 같이 동작한다. 마지막으로, 제1 클럭 단자(CLK1)에 클럭 신호(CLK)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며 스타트 단자(START)에 전단 캐리신호가 입력되는 제k 스테이지(ST(k))는 도 7을 결부하여 설명한 바와 같이 동작한다.
As described above, the shift register according to the embodiment of the present invention includes the first to n-th stages ST (1) to ST (n), and the first clock terminal CLK1 is supplied with the clock signal CLK The first stage ST (1), to which the inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2 and the start signal VST is input to the start terminal START, To 4j. A k-th stage ST (ST) in which an inverted clock signal CLKB is input to the first clock terminal CLK1, a clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2, and a previous carry signal is input to the start terminal START (k) operates as described in connection with Fig. 5 and Figs. 6A to 6K. The clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1 and the inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2 and the previous carry signal is input to the start terminal START The stage ST (k) operates as described with reference to Fig.

도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 제k 스테이지의 회로 구성의 일 예를 보여주는 회로도이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 제k 스테이지(ST(k))의 Q 노드(Q)의 충방전을 제어하는 Q 노드 충방전부(10), QB 노드(QB)의 방전을 제어하는 QB 노드 방전부(20), QB 노드(QB)의 충전을 제어하는 QB 노드 충전부(30), Q 노드(Q)의 전압 부스트(boost)를 제어하는 Q 노드 부스트 제어부(40), 및 Q 노드(Q)와 QB 노드(QB)의 전압에 따라 출력 단자(OUT)에 접속된 출력 노드(NO)를 고전위 전압으로 충전하거나 저전위 전압으로 방전시키는 출력부(50)를 포함한다.8 is a circuit diagram showing an example of a circuit configuration of a k-th stage according to the second embodiment of the present invention. 8, a Q-node charging unit 10 for controlling charging and discharging of a Q-node Q of a k-th stage ST (k) according to the second embodiment of the present invention, a Q- A QB node charging unit 30 for controlling the charging of the QB node QB and a Q node boosting controller 40 for controlling the voltage boost of the Q node Q. The QB node discharging unit 20 controls the discharging of the QB node QB, And an output section 50 for charging the output node NO connected to the output terminal OUT according to the voltage of the Q node Q and the QB node QB at a high potential or for discharging to a low potential voltage do.

본 발명의 제2 실시 예에 따른 제k 스테이지(ST(k))의 Q 노드 충방전부(10), QB 노드 방전부(20), Q 노드 부스트 제어부(40), 및 출력부(50)는 도 2를 결부하여 설명한 본 발명의 제1 실시 예와 실질적으로 동일하게 구현될 수 있으므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다. 다만, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 제k 스테이지(ST(k))의 QB 노드 충전부(30)는 본 발명의 제1 실시 예와 다르게 구현되며, 이하에서 이에 대하여 상세히 설명한다.The Q-node charging unit 10, QB node discharging unit 20, Q-node boost control unit 40 and output unit 50 of the k-th stage ST (k) according to the second embodiment of the present invention The present invention can be implemented in substantially the same manner as the first embodiment of the present invention described with reference to FIG. 2, so that a description thereof will be omitted. However, the QB node charging unit 30 of the k-th stage ST (k) according to the second embodiment of the present invention is implemented differently from the first embodiment of the present invention, and will be described in detail below.

도 8을 참조하면, QB 노드 충전부(30)는 고전위 전압 입력단자(VDDT)를 통해 입력되는 고전위 전압(VDD)에 응답하여 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VDD)으로 충전한다. 이를 위해, QB 노드 충전부(30)는 고전위 전압(VDD)에 응답하여 QB 노드(QB)를 고전위 전압 입력단자(VDDT)에 접속시키는 제5 TFT(T5)를 포함한다. 제5 TFT(T5)는 고전위 전압(VDD)에 응답하여 QB 노드(QB)를 고전위 전압으로 충전한다. 제5 TFT(T5)의 게이트 전극과 드레인 전극은 고전위 전압 입력단자(VDDT)에 접속되고, 소스 전극은 QB 노드(QB)에 접속된다.Referring to FIG. 8, the QB node charging unit 30 charges the QB node QB to the high-potential voltage VDD in response to the high-potential voltage VDD input through the high-potential voltage input terminal VDDT. To this end, the QB node charging section 30 includes a fifth TFT T5 for connecting the QB node QB to the high potential input terminal VDDT in response to the high potential voltage VDD. The fifth TFT T5 charges the QB node QB to the high-potential voltage in response to the high-potential voltage VDD. The gate electrode and the drain electrode of the fifth TFT T5 are connected to the high potential voltage input terminal VDDT and the source electrode thereof is connected to the QB node QB.

한편, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 제k 스테이지(ST(k))는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 제k 스테이지(ST(k))와 실질적으로 동일하게 동작되므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
Since the k-th stage ST (k) according to the second embodiment of the present invention operates substantially the same as the k-th stage ST (k) according to the first embodiment of the present invention, A description thereof will be omitted.

도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여주는 블록도이다. 도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동회로, 게이트 구동회로, 및 타이밍 콘트롤러(11) 등을 구비한다.9 is a block diagram schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 9, a display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel 10, a data driving circuit, a gate driving circuit, and a timing controller 11.

본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)를 게이트 라인(또는 스캔 라인)들에 순차적으로 공급하여 라인 순차 스캐닝으로 픽셀들에 디지털 비디오 데이터를 기입하는 어떠한 표시장치도 포함될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode, OLED), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 전기영동 표시장치(Electrophoresis, EPD) 중에 어느 하나로 구현될 수 있다. 본 발명은 아래의 실시예에서 표시장치가 유기발광다이오드 표시장치로 구현된 것을 중심으로 예시하였지만, 본 발명의 표시장치는 유기발광다이오드 표시장치에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다.A display device according to an embodiment of the present invention may include any display device that sequentially supplies gate pulses (or scan pulses) to gate lines (or scan lines) to write digital video data to pixels by line sequential scanning have. For example, a display device according to an embodiment of the present invention may include a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode (OLED), a field emission display (FED) , And an electrophoresis display (EPD). Although the present invention has been described in the following embodiments mainly on the display device being implemented as an organic light emitting diode display device, it should be noted that the display device of the present invention is not limited to the organic light emitting diode display device.

표시패널(10)에는 데이터 라인들과 적어도 하나 이상의 스위칭 신호라인 군이 형성된다. 하나의 스위칭 신호라인 군은 제1 내지 제n 스위칭 신호 라인들을 포함한다. 표시패널(10)은 매트릭스 형태로 화소들이 배치된 화소 어레이가 형성된다. 표시패널(10)의 화소들 각각은 적어도 하나 이상의 스위칭 TFT(thin film transistor), 구동 TFT, 유기발광다이오드 소자, 및 적어도 하나 이상의 캐패시터를 포함한다. 화소들 각각은 스위칭 TFT와 구동 TFT를 이용하여 유기발광다이오드 소자에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다. 표시패널(10)은 화소 구조에 따라 배면발광(Bottom emission), 및 전면발광(Top emission) 등의 형태로 화상을 표시할 수 있다.In the display panel 10, data lines and at least one group of switching signal lines are formed. One switching signal line group includes first to nth switching signal lines. In the display panel 10, a pixel array in which pixels are arranged in a matrix form is formed. Each of the pixels of the display panel 10 includes at least one of a thin film transistor, a driving TFT, an organic light emitting diode, and at least one capacitor. Each of the pixels controls an electric current flowing in the organic light emitting diode element using a switching TFT and a driving TFT to display an image. The display panel 10 may display an image in the form of bottom emission and top emission depending on the pixel structure.

데이터 구동회로는 다수의 소스 드라이브 IC(12)들을 포함한다. 소스 드라이브 IC(12)들은 타이밍 콘트롤러(11)로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)를 입력 받는다. 소스 드라이브 IC(12)들 각각은 타이밍 콘트롤러(11)로부터의 소스 타이밍 제어신호에 응답하여 디지털 비디오 데이터(DATA)를 감마보상전압으로 변환하여 데이터 전압을 발생하고, 그 데이터 전압을 게이트 펄스에 동기되도록 표시패널(10)의 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(12)들은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정으로 표시패널(10)의 데이터 라인들에 접속될 수 있다.The data drive circuit includes a plurality of source drive ICs 12. [ The source drive ICs 12 receive digital video data (DATA) from the timing controller 11. [ Each of the source drive ICs 12 converts the digital video data DATA into a gamma compensation voltage in response to a source timing control signal from the timing controller 11 to generate a data voltage, To the data lines of the display panel 10. The source drive ICs 12 may be connected to the data lines of the display panel 10 by a COG (Chip On Glass) process or a TAB (Tape Automated Bonding) process.

게이트 구동회로는 레벨 쉬프터(13)와 적어도 하나 이상의 쉬프트 레지스터(14)를 포함한다. 레벨 쉬프터(13)는 타이밍 콘트롤러(11)로부터 입력되는 클럭 신호들(CLK, CLKB)의 TTL(Transistor-Transistor- Logic) 로직 레벨 전압을 제1 로직 레벨 전압과 제2 로직 레벨 전압으로 레벨 쉬프팅한다. 레벨 쉬프트된 클럭들(CLK, CLKB)은 적어도 하나 이상의 쉬프트 레지스터(14)로 입력된다. 쉬프트 레지스터(14)는 표시패널(10)의 하나의 스위칭 신호라인 군에 연결되어 스위칭 제어 신호를 순차적으로 출력한다. 즉, 쉬프트 레지스터(14)는 제1 내지 제n 신호 라인들에 스위칭 제어신호를 순차적으로 출력한다. 또한, 예를 들어, 유기발광다이오드 표시장치의 화소들 각각이 제1 내지 제3 스위칭 TFT들을 포함하는 경우, 게이트 구동회로는 제1 스위칭 TFT를 제어하기 위해 제1 스위칭 제어 신호를 제1 스위칭 신호라인 군에 공급하는 제1 쉬프트 레지스터, 제2 스위칭 TFT를 제어하기 위해 제2 스위칭 제어 신호를 제2 스위칭 신호라인 군에 공급하는 제2 쉬프트 레지스터, 및 제3 스위칭 TFT를 제어하기 위해 제3 스위칭 제어 신호를 제3 스위칭 신호라인 군에 공급하는 제3 쉬프트 레지스터를 포함할 수 있다.The gate drive circuit includes a level shifter (13) and at least one shift register (14). The level shifter 13 level-shifts the TTL (Transistor-Transistor-Logic) logic level voltage of the clock signals (CLK, CLKB) input from the timing controller 11 to the first logic level voltage and the second logic level voltage . Level shifted clocks (CLK, CLKB) are input to at least one shift register (14). The shift register 14 is connected to one switching signal line group of the display panel 10 and sequentially outputs a switching control signal. That is, the shift register 14 sequentially outputs switching control signals to the first to nth signal lines. Further, for example, when each of the pixels of the organic light emitting diode display includes the first to third switching TFTs, the gate driving circuit supplies the first switching control signal to the first switching TFT A second shift register for supplying a second switching control signal to the second switching signal line group for controlling the second switching TFT, and a third shift register for controlling the third switching TFT, And a third shift register for supplying a control signal to the third switching signal line group.

본 발명의 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터(14)는 두 개의 클럭 신호들을 이용하여 스타트 신호와 동일한 파형의 스위칭 제어 신호를 순차적으로 출력하므로, 복수의 쉬프트 레지스터들 각각에 입력되는 스타트 신호의 파형만을 다르게 하는 경우, 복수의 쉬프트 레지스터들은 서로 다른 파형의 복수의 스위칭 제어 신호들을 출력할 수 있다. 그 결과, 본 발명은 쉬프트 레지스터의 회로 설계 면적을 크게 줄일 수 있으므로, 표시장치의 베젤 영역을 줄일 수 있는 장점이 있다.The shift register 14 according to the embodiment of the present invention sequentially outputs the switching control signals having the same waveform as the start signal by using the two clock signals so that only the waveform of the start signal input to each of the plurality of shift registers is different The plurality of shift registers can output a plurality of switching control signals of different waveforms. As a result, since the circuit design area of the shift register can be greatly reduced, the bezel area of the display device can be reduced.

쉬프트 레지스터(14)는 GIP(Gate Drive-IC In Panel) 방식으로 표시패널(10)의 하부 기판상에 직접 형성된다. GIP 방식에서, 레벨 쉬프터(13)는 인쇄회로보드(Printed Circuit Board)(15) 상에 실장된다. 쉬프트 레지스터(14)에 대하여는 도 1 내지 도 7을 결부하여 이미 앞에서 상세히 설명하였다.The shift register 14 is formed directly on the lower substrate of the display panel 10 by a GIP (Gate Drive-IC In Panel) method. In the GIP scheme, the level shifter 13 is mounted on a printed circuit board 15. The shift register 14 has already been described in detail with reference to Figs. 1 to 7.

타이밍 콘트롤러(11)는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스, TMDS(Transition Minimized Differential Signaling) 인터페이스 등의 인터페이스를 통해 외부의 호스트 시스템으로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(DATA)를 소스 드라이브 IC(12)들로 전송한다. 또한, 타이밍 콘트롤러(11)는 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 수신회로를 통해 호스트 시스템으로부터 수직 동기신호, 수평 동기신호, 데이터 인에이블 신호, 메인 클럭 등의 타이밍 신호를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터의 타이밍 신호를 기준으로 데이터 구동회로와 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. 타이밍 제어신호들은 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호, 소스 드라이브 IC(12)들의 동작 타이밍과 데이터 전압의 극성을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호를 포함한다.The timing controller 11 receives digital video data (DATA) from an external host system through an interface such as an LVDS (Low Voltage Differential Signaling) interface and a TMDS (Transition Minimized Differential Signaling) interface. The timing controller 11 transmits the digital video data (DATA) input from the host system to the source drive ICs 12. The timing controller 11 receives a timing signal such as a vertical synchronizing signal, a horizontal synchronizing signal, a data enable signal, and a main clock from the host system through the LVDS or TMDS interface receiving circuit. The timing controller 11 generates timing control signals for controlling the operation timing of the data driving circuit and the gate driving circuit based on the timing signal from the host system. The timing control signals include a gate timing control signal for controlling the operation timing of the gate drive circuit, a data timing control signal for controlling the operation timing of the source drive ICs 12 and the polarity of the data voltage.

게이트 타이밍 제어신호는 스타트 전압(VST)과 클럭 신호들(CLK, CLKB) 등을 포함한다. 스타트 전압(VST)은 쉬프트 레지스터(14)에 입력되어 쉬프트 레지스터(14)의 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 클럭 신호들(CLK, CLKB)은 레벨 쉬프터(13)에 입력되어 레벨 쉬프팅된 후에 쉬프트 레지스터(14)에 입력되어 쉬프트 레지스터(14)의 스테이지들 각각을 제어한다.The gate timing control signal includes a start voltage VST and clock signals CLK and CLKB. The start voltage VST is input to the shift register 14 to control the shift start timing of the shift register 14. The clock signals CLK and CLKB are input to the level shifter 13 and level-shifted, and then input to the shift register 14 to control each of the stages of the shift register 14.

데이터 타이밍 제어신호(DCS)는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock), 극성(Polarity) 제어신호, 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable) 등을 포함한다. 소스 스타트 펄스는 소스 드라이브 IC(12)들의 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 소스 드라이브 IC(12)들 내에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭신호이다. 극성제어신호는 소스 드라이브 IC(12)들로부터 출력되는 데이터 전압의 극성을 제어한다. 타이밍 콘트롤러(11)와 소스 드라이브 IC(12)들 사이의 데이터 전송 인터페이스가 mini LVDS 인터페이스라면, 소스 스타트 펄스(SSP)와 소스 샘플링 클럭(SSC)은 생략될 수 있다.
The data timing control signal DCS includes a source start pulse, a source sampling clock, a polarity control signal, and a source output enable signal. The source start pulse controls the shift start timing of the source drive ICs 12. [ The source sampling clock is a clock signal that controls the sampling timing of data within the source drive ICs 12 based on the rising or falling edge. The polarity control signals control the polarity of the data voltages output from the source drive ICs 12. [ If the data transfer interface between the timing controller 11 and the source drive ICs 12 is a mini LVDS interface, the source start pulse SSP and the source sampling clock SSC may be omitted.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 쉬프트 레지스터는 두 개의 클럭 신호들을 이용하여 스타트 신호와 동일한 파형의 신호를 순차적으로 출력한다. 그 결과, 본 발명은 복수의 쉬프트 레지스터들 각각에 입력되는 스타트 신호의 파형만을 다르게 하는 경우, 복수의 쉬프트 레지스터들은 서로 다른 파형의 복수의 스위칭 제어 신호들을 출력할 수 있다. 이로 인해, 본 발명은 회로 설계 면적을 크게 줄일 수 있으므로, 표시장치의 베젤 영역을 줄일 수 있다.As described above, the shift register of the present invention sequentially outputs signals having the same waveform as the start signal using two clock signals. As a result, in the present invention, when only the waveform of the start signal input to each of the plurality of shift registers is made different, the plurality of shift registers can output a plurality of switching control signals of different waveforms. As a result, the present invention can greatly reduce the circuit design area, thereby reducing the bezel area of the display device.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10: 표시패널 11: 타이밍 콘트롤러
12: 소스 드라이브 IC 13: 레벨 쉬프터
14: 쉬프트 레지스터 15: 인쇄회로보드
10: Q 노드 전압 충방전부 20: QB 노드 전압 방전부
30: QB 노드 전압 충전부 40: Q 노드 부스트 제어부
50: 출력부
10: Display panel 11: Timing controller
12: Source drive IC 13: Level shifter
14: shift register 15: printed circuit board
10: Q node voltage charging part 20: QB node voltage discharging part
30: QB node voltage charging unit 40: Q node boost control unit
50: Output section

Claims (20)

순차적으로 출력을 발생하는 복수 개의 스테이지들을 구비하고,
상기 스테이지들 각각은,
스타트 신호 또는 전단 캐리신호가 입력되는 스타트 단자;
클럭 신호와 상기 클럭 신호를 반전시킨 반전 클럭 신호가 입력되는 제1 클럭 단자와 제2 클럭 단자;
상기 스타트 단자에 입력된 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호와 동일한 파형의 신호를 출력하는 출력단자;
상기 제1 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호에 응답하여 Q 노드를 상기 스타트 단자를 통해 입력되는 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호로 충방전하는 Q 노드 충방전부;
상기 제1 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호와 상기 스타트 단자를 통해 입력되는 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호에 응답하여 QB 노드를 저전위 전압으로 방전하는 QB 노드 방전부;
상기 QB 노드를 고전위 전압으로 충전하는 QB 노드 충전부; 및
상기 Q 노드의 전압에 응답하여 상기 고전위 전압을 상기 출력단자로 출력하고, 상기 QB 노드의 전압에 응답하여 상기 저전위 전압을 상기 출력단자로 출력하는 출력부를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
And a plurality of stages that sequentially generate outputs,
Each of the stages includes:
A start terminal to which a start signal or a previous carry signal is input;
A first clock terminal and a second clock terminal receiving a clock signal and an inverted clock signal inverting the clock signal;
An output terminal for outputting the start signal inputted to the start terminal or a signal having the same waveform as the previous carry signal;
A Q node charging unit charging / discharging the Q node with the start signal or the front carry signal input through the start terminal in response to the clock signal or the inverted clock signal input through the first clock terminal;
A QB node discharging unit discharging the QB node to a low potential voltage in response to the clock signal input through the first clock terminal or the inverted clock signal and the start signal input through the start terminal or the front carry signal;
A QB node charging unit charging the QB node with a high potential voltage; And
And an output unit for outputting the high potential voltage to the output terminal in response to the voltage of the Q node and outputting the low potential voltage to the output terminal in response to the voltage of the QB node.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 Q 노드 충방전부는,
상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 Q 노드를 상기 스타트 단자에 접속시키는 제1 TFT를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
The Q node charge /
And a first TFT for connecting the Q node to the start terminal in response to a first logic level voltage of the clock signal or the inverted clock signal.
제 3 항에 있어서,
상기 QB 노드 방전부는,
상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호의 상기 제1 로직 레벨 전압에 응답하여, 제1 노드를 상기 스타트 단자에 접속시키는 제2 TFT; 및
상기 제1 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 QB 노드를 상기 저전위 전압으로 방전하는 제3 TFT를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method of claim 3,
The QB node discharger includes:
A second TFT for connecting a first node to the start terminal in response to the clock signal or the first logic level voltage of the inverted clock signal; And
And a third TFT for discharging the QB node to the low potential voltage in response to a first logic level voltage of the first node.
제 4 항에 있어서,
상기 QB 노드 방전부는,
상기 Q 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 QB 노드를 상기 저전위 전압으로 방전하는 제4 TFT를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
5. The method of claim 4,
The QB node discharger includes:
And a fourth TFT for discharging the QB node to the low potential voltage in response to a first logic level voltage of the Q node.
제 5 항에 있어서,
상기 QB 노드 충전부는,
상기 고전위 전압에 응답하여 상기 QB 노드에 상기 고전위 전압을 공급하는 제5 TFT를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
6. The method of claim 5,
The QB node charging unit,
And a fifth TFT for supplying the high potential voltage to the QB node in response to the high potential voltage.
제 5 항에 있어서,
상기 QB 노드 충전부는,
상기 고전위 전압에 응답하여 제2 노드에 상기 고전위 전압을 공급하는 제5 TFT;
상기 제2 노드의 고전위 전압에 응답하여 상기 QB 노드를 상기 고전위 전압으로 충전하는 제6 TFT; 및
상기 Q 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 제2 노드를 상기 저전위 전압으로 방전하는 제7 TFT를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
6. The method of claim 5,
The QB node charging unit,
A fifth TFT for supplying the high potential voltage to a second node in response to the high potential voltage;
A sixth TFT for charging the QB node to the high potential voltage in response to a high potential voltage of the second node; And
And a seventh TFT for discharging the second node to the low potential voltage in response to the first logic level voltage of the Q node.
제 7 항에 있어서,
상기 출력부는,
상기 Q 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 출력단자에 접속된 출력 노드를 상기 고전위 전압으로 충전하는 풀-업 TFT; 및
상기 QB 노드의 고전위 전압에 응답하여 상기 출력 노드를 상기 저전위 전압으로 방전하는 풀-다운 TFT를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
8. The method of claim 7,
The output unit includes:
A pull-up TFT which charges an output node connected to the output terminal in response to a first logic level voltage of the Q node to the high potential voltage; And
And a pull-down TFT for discharging the output node to the low potential voltage in response to a high potential voltage of the QB node.
제 8 항에 있어서,
상기 출력부는,
상기 Q 노드와 상기 출력 노드 사이에 접속된 제1 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
9. The method of claim 8,
The output unit includes:
And a first capacitor connected between the Q node and the output node.
제 1 항에 있어서,
상기 스테이지들 각각은,
상기 제2 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호와 후단 Q 노드 전압 입력단자를 통해 입력되는 후단 스테이지의 Q 노드의 전압에 응답하여 제3 노드를 제1 로직 레벨 전압으로 충전하고, 후단 QB 노드 전압 입력단자를 통해 입력되는 상기 후단 스테이지의 QB 노드의 전압에 응답하여 상기 제3 노드를 상기 저전위 전압으로 방전하는 Q 노드 부스트 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
Each of the stages includes:
The third node is charged with the first logic level voltage in response to the voltage of the clock signal or the inverted clock signal input through the second clock terminal and the Q node of the subsequent stage input through the Q input terminal of the subsequent stage And a Q-node boost controller for discharging the third node to the low-potential voltage in response to a voltage of a QB node of the rear stage inputted through a rear-stage QB node voltage input terminal.
제 10 항에 있어서,
상기 Q 노드 부스트 제어부는,
상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호의 제1 로직 레벨 전압과 상기 후단 스테이지의 Q 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 제3 노드를 상기 제2 클럭 단자에 접속시키는 제8 TFT와 제9 TFT;
상기 후단 스테이지의 QB 노드의 고전위 전압에 응답하여 상기 제3 노드를 상기 저전위 전압으로 방전하는 제10 TFT; 및
상기 Q 노드와 상기 제3 노드 사이에 접속된 제2 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
11. The method of claim 10,
Wherein the Q-node boost controller comprises:
An eighth TFT for connecting the third node to the second clock terminal in response to a first logic level voltage of the clock signal or the inverted clock signal and a first logic level voltage of a Q node of the subsequent stage, ;
A tenth TFT for discharging the third node to the low potential voltage in response to a high potential voltage of a QB node of the subsequent stage; And
And a second capacitor connected between the Q node and the third node.
제 10 항에 있어서,
상기 제1 클럭 단자에 상기 클럭 신호가 입력되는 경우, 상기 제2 클럭 단자에 상기 반전 클럭 신호가 입력되고,
상기 제1 클럭 단자에 상기 반전 클럭 신호가 입력되는 경우, 상기 제2 클럭 단자에 상기 클럭 신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
11. The method of claim 10,
When the clock signal is input to the first clock terminal, the inverted clock signal is input to the second clock terminal,
Wherein when the inverted clock signal is input to the first clock terminal, the clock signal is input to the second clock terminal.
제 10 항에 있어서,
제k(1≤k≤n, k는 2 이상의 자연수, n은 스테이지들의 개수) 스테이지의 상기 제1 클럭 단자에 상기 클럭 신호가 입력되고 상기 제2 클럭 단자에 상기 반전 클럭 신호가 입력되는 경우, 제k+1 스테이지의 상기 제1 클럭 단자에 상기 반전 클럭 신호가 입력되고 상기 제2 클럭 단자에 상기 클럭 신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
11. The method of claim 10,
When the clock signal is input to the first clock terminal of the k stage (1? K? N, k is a natural number of 2 or more and n is the number of stages) and the inverted clock signal is input to the second clock terminal, Wherein the inverted clock signal is input to the first clock terminal of the (k + 1) th stage and the clock signal is input to the second clock terminal.
제 1 항에 있어서,
제k(1≤k≤n, k는 2 이상의 자연수, n은 스테이지들의 개수) 스테이지의 상기 스타트 단자에 상기 스타트 신호가 입력되는 경우 상기 출력단자는 상기 스타트 신호와 동일한 위상을 갖는 신호를 출력하고,
상기 제k 스테이지의 상기 스타트 단자에 상기 전단 캐리신호가 입력되는 경우 상기 출력단자는 상기 전단 캐리신호보다 위상이 지연된 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
Wherein the output terminal outputs a signal having the same phase as the start signal when the start signal is input to the start terminal of the k stage (1? K? N, k is a natural number of 2 or more and n is the number of stages)
Wherein the output terminal outputs a signal whose phase is delayed from that of the previous carry signal when the previous carry signal is input to the start terminal of the k-th stage.
데이터 라인들과 적어도 하나 이상의 스위칭 신호 라인군을 포함하는 표시패널;
입력되는 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들에 공급하는 데이터 구동회로; 및
상기 적어도 하나 이상의 스위칭 신호 라인군에 스위칭 제어 신호를 순차적으로 출력하는 하나 이상의 쉬프트 레지스터를 포함한 게이트 구동회로를 구비하고,
상기 쉬프트 레지스터는 순차적으로 출력을 발생하는 복수 개의 스테이지들을 구비하고,
상기 스테이지들 각각은
스타트 신호 또는 전단 캐리신호가 입력되는 스타트 단자;
클럭 신호와 상기 클럭 신호를 반전시킨 반전 클럭 신호가 입력되는 제1 클럭 단자와 제2 클럭 단자;
상기 스타트 단자에 입력된 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호와 동일한 파형의 신호를 출력하는 출력단자;
상기 제1 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호에 응답하여 Q 노드를 상기 스타트 단자를 통해 입력되는 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호로 충방전하는 Q 노드 충방전부;
상기 제1 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호와 상기 스타트 단자를 통해 입력되는 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호에 응답하여 QB 노드를 저전위 전압으로 방전하는 QB 노드 방전부;
상기 QB 노드를 고전위 전압으로 충전하는 QB 노드 충전부; 및
상기 Q 노드의 전압에 응답하여 상기 고전위 전압을 상기 출력단자로 출력하고, 상기 QB 노드의 전압에 응답하여 상기 저전위 전압을 상기 출력단자로 출력하는 출력부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
A display panel including data lines and at least one switching signal line group;
A data driving circuit for converting input digital video data into analog data voltages and supplying the analog data voltages to the data lines; And
And a gate driving circuit including at least one shift register for sequentially outputting a switching control signal to the at least one switching signal line group,
Wherein the shift register comprises a plurality of stages that sequentially generate outputs,
Each of the stages
A start terminal to which a start signal or a previous carry signal is input;
A first clock terminal and a second clock terminal receiving a clock signal and an inverted clock signal inverting the clock signal;
An output terminal for outputting the start signal inputted to the start terminal or a signal having the same waveform as the previous carry signal;
A Q node charging unit charging / discharging the Q node with the start signal or the front carry signal input through the start terminal in response to the clock signal or the inverted clock signal input through the first clock terminal;
A QB node discharging unit discharging the QB node to a low potential voltage in response to the clock signal input through the first clock terminal or the inverted clock signal and the start signal input through the start terminal or the front carry signal;
A QB node charging unit charging the QB node with a high potential voltage; And
And an output unit for outputting the high potential voltage to the output terminal in response to the voltage of the Q node and outputting the low potential voltage to the output terminal in response to the voltage of the QB node.
제 15 항에 있어서,
상기 스테이지들 각각은,
상기 제2 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호와 후단 Q 노드 전압 입력단자를 통해 입력되는 후단 스테이지의 Q 노드의 전압에 응답하여 제3 노드를 제1 로직 레벨 전압으로 충전하고, 후단 QB 노드 전압 입력단자를 통해 입력되는 상기 후단 스테이지의 QB 노드의 전압에 응답하여 상기 제3 노드를 상기 저전위 전압으로 방전하는 Q 노드 부스트 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
16. The method of claim 15,
Each of the stages includes:
The third node is charged with the first logic level voltage in response to the voltage of the clock signal or the inverted clock signal input through the second clock terminal and the Q node of the subsequent stage input through the Q input terminal of the subsequent stage And a Q node boost controller for discharging the third node to the low potential voltage in response to a voltage of a QB node of the rear stage inputted through a rear stage QB node voltage input terminal.
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