KR20140019920A - Shift register and display device using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 스타트 전압과 동일한 파형을 갖는 신호를 순차적으로 출력하는 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a shift register for sequentially outputting a signal having the same waveform as the start voltage and a display device using the same.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)이 개발 및 시판되고 있다. 예를 들어, 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광다이오드 표시장치(OLED: Organic Light Emitting Diode)와 같은 여러 가지 평판표시장치가 활용되고 있다. 평판표시장치는 쉬프트 레지스터를 이용하여 표시패널의 게이트 라인들에 게이트 신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로와 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동회로를 이용하여 영상을 표시한다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. Accordingly, a variety of flat panel displays (FPDs) have been developed and marketed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. For example, various flat panel display devices such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting diode (OLED) . The flat panel display displays an image using a gate driving circuit which sequentially supplies a gate signal to gate lines of the display panel using a shift register and a data driving circuit which supplies a data voltage to the data lines.
최근에 유기발광다이오드 표시장치의 경우, 표시패널의 화소들 각각은 화질 향상 등을 이유로 복수의 스위칭 TFT(thin film transistor)를 포함한다. 이 경우, 게이트 구동회로는 복수의 스위칭 TFT를 제어하기 위한 스위칭 제어 신호의 개수만큼 쉬프트 레지스터들을 필요로 한다. 쉬프트 레지스터는 클럭(clock)에 의존하여 출력을 발생하기 때문에, 쉬프트 레지스터에 입력되는 클럭의 개수와 클럭의 위상은 스위칭 제어 신호의 파형 형태에 따라 달라진다. 그러므로, 복수의 스위칭 제어 신호의 파형 형태가 모두 다른 경우에는 쉬프트 레지스터들 각각에 입력되는 클럭의 개수와 클럭의 위상이 모두 달라질 수도 있다. 결국, 클럭 라인들의 수가 늘어나기 때문에 쉬프트 레지스터의 회로 설계 면적이 증가하게 된다. 특히, 쉬프트 레지스터를 표시패널의 베젤 영역에 직접 형성하는 GIP(gate drive IC in panel) 방식의 경우, 쉬프트 레지스터의 회로 설계 면적 증가로 인해 유기발광다이오드 표시장치의 베젤(bezel) 영역이 넓어지는 문제가 있다.
Recently, in the organic light emitting diode display, each of the pixels of the display panel includes a plurality of switching thin film transistors (TFTs) for reasons of image quality improvement. In this case, the gate driving circuit needs shift registers as many as the switching control signal for controlling the plurality of switching TFTs. Since the shift register generates an output depending on a clock, the number of clocks input to the shift register and the phase of the clock vary depending on the waveform type of the switching control signal. Therefore, when the waveform types of the plurality of switching control signals are all different, both the number of clocks input to the shift registers and the phase of the clock may be different. As a result, as the number of clock lines increases, the circuit design area of the shift register increases. In particular, in the case of the gate drive IC in panel (GIP) method in which the shift register is directly formed in the bezel area of the display panel, the bezel area of the organic light emitting diode display device becomes large due to the increase in the circuit design area of the shift register. There is.
본 발명은 표시장치의 베젤 영역을 줄일 수 있는 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치를 제공한다.
The present invention provides a shift register that can reduce a bezel area of a display device and a display device using the same.
본 발명의 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터는 순차적으로 출력을 발생하는 복수 개의 스테이지들을 구비하고, 상기 스테이지들 각각은, 스타트 신호 또는 전단 캐리신호가 입력되는 스타트 단자, 클럭 신호와 상기 클럭 신호를 반전시킨 반전 클럭 신호가 입력되는 제1 클럭 단자와 제2 클럭 단자, 및 상기 스타트 단자에 입력된 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호와 동일한 파형의 신호를 출력하는 출력단자를 포함하는 것을 특징으로 한다.The shift register according to an embodiment of the present invention includes a plurality of stages that sequentially generate an output, and each of the stages includes a start terminal to which a start signal or a front carry signal is input, a clock signal, and an inverted clock signal. A first clock terminal and a second clock terminal to which the inverted clock signal is input, and an output terminal for outputting a signal having the same waveform as the start signal or the front carry signal input to the start terminal.
본 발명의 실시 예에 따른 표시장치는 데이터 라인들과 적어도 하나 이상의 스위칭 신호 라인군을 포함하는 표시패널; 입력되는 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들에 공급하는 데이터 구동회로; 및 상기 적어도 하나 이상의 스위칭 신호 라인군에 스위칭 제어 신호를 순차적으로 출력하는 하나 이상의 쉬프트 레지스터를 포함한 게이트 구동회로를 구비하고, 상기 쉬프트 레지스터는 순차적으로 출력을 발생하는 복수 개의 스테이지들을 구비하고, 상기 스테이지들 각각은 스타트 신호 또는 전단 캐리신호가 입력되는 스타트 단자, 클럭 신호와 상기 클럭 신호를 반전시킨 반전 클럭 신호가 입력되는 제1 클럭 단자와 제2 클럭 단자, 및 상기 스타트 단자에 입력된 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호와 동일한 파형의 신호를 출력하는 출력단자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
According to an exemplary embodiment of the present invention, a display device includes a display panel including data lines and at least one switching signal line group; A data driving circuit for converting input digital video data into analog data voltages and supplying the analog data voltages to the data lines; And a gate driving circuit including one or more shift registers for sequentially outputting a switching control signal to the at least one switching signal line group, wherein the shift register includes a plurality of stages that sequentially generate an output; Each of the start signals includes a start terminal to which a start signal or a front carry signal is input, a first clock terminal and a second clock terminal to which a clock signal and an inverted clock signal inverting the clock signal are input, and the start signal input to the start terminal. Or an output terminal for outputting a signal having the same waveform as the front end carry signal.
본 발명의 쉬프트 레지스터는 두 개의 클럭 신호들을 이용하여 스타트 신호와 동일한 파형의 신호를 순차적으로 출력한다. 그 결과, 본 발명은 복수의 쉬프트 레지스터들 각각에 입력되는 스타트 신호의 파형만을 다르게 하는 경우, 복수의 쉬프트 레지스터들은 서로 다른 파형의 복수의 스위칭 제어 신호들을 출력할 수 있다. 이로 인해, 본 발명은 회로 설계 면적을 크게 줄일 수 있으므로, 표시장치의 베젤 영역을 줄일 수 있다.
The shift register of the present invention sequentially outputs a signal having the same waveform as the start signal using two clock signals. As a result, when the present invention changes only the waveform of the start signal input to each of the plurality of shift registers, the plurality of shift registers may output a plurality of switching control signals having different waveforms. For this reason, the present invention can greatly reduce the circuit design area, and thus reduce the bezel area of the display device.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터를 보여주는 블록도.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 제k 스테이지의 회로 구성의 일 예를 보여주는 회로도.
도 3은 제1 스테이지의 입력 신호들과 출력 신호의 일 예를 보여주는 파형도.
도 4a 내지 도 4j는 제1 내지 제10 기간 동안 제1 스테이지의 회로 동작을 보여주는 일 예시도면.
도 5는 제2 스테이지의 입력 신호들과 출력 신호의 일 예를 보여주는 파형도.
도 6a 내지 도 6k는 제1 내지 제11 기간 동안 제2 스테이지의 회로 동작을 보여주는 일 예시도면.
도 7은 제3 스테이지의 입력 신호들과 출력 신호의 일 예를 보여주는 파형도.
도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 제k 스테이지의 회로 구성의 일 예를 보여주는 회로도.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여주는 블록도.1 is a block diagram illustrating a shift register according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram illustrating an example of a circuit configuration of a k-th stage according to the first embodiment of the present invention.
3 is a waveform diagram illustrating an example of input signals and output signals of a first stage;
4A-4J illustrate an example of circuit operation of a first stage during a first to tenth time period.
5 is a waveform diagram illustrating an example of input signals and an output signal of a second stage;
6A-6K illustrate an exemplary circuit operation of a second stage during the first to eleventh periods.
7 is a waveform diagram illustrating an example of input signals and an output signal of a third stage;
8 is a circuit diagram illustrating an example of a circuit configuration of a k-th stage according to the second embodiment of the present invention.
9 is a block diagram schematically illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. The component name used in the following description may be selected in consideration of easiness of specification, and may be different from the actual product name.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터를 보여주는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들(ST(1)~ST(n), n은 스테이지의 개수)을 구비한다. 도 1에서는 설명의 편의를 제1 내지 제3 스테이지(ST(1)~ST(3))만을 예시하였다.1 is a block diagram illustrating a shift register according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a shift register according to an embodiment of the present invention includes a plurality of stages (ST (1) to ST (n) where n is a number of stages) connected in a cascade manner. In FIG. 1, for convenience of description, only the first to third stages ST (1) to ST (3) are illustrated.
이하의 설명에서, "전단 스테이지"는 기준이 되는 스테이지의 상부에 위치하는 것을 말한다. 예컨대, 제k(1≤k≤n, k는 2 이상의 자연수) 스테이지(ST(k))를 기준으로, 전단 스테이지는 제1 스테이지(ST(1)) 내지 제k-1 스테이지(ST(k-1)) 중 어느 하나를 지시한다. "후단 스테이지"는 기준이 되는 스테이지의 하부에 위치하는 것을 말한다. 예컨대, 제k 스테이지(ST(k))를 기준으로, 후단 스테이지는 제k+1 스테이지(ST(k+1)) 내지 제k 스테이지(ST(n)) 중 어느 하나를 지시한다.In the following description, the "shear stage" refers to being located on top of the stage to be a reference. For example, with respect to the stage k (1? K? N, where k is a natural number equal to or greater than 2) stage ST (k), the front stage is a stage from the first stage ST (1) -1)). The "back stage" refers to being located at the lower part of the stage used as a reference. For example, on the basis of the k-th stage ST (k), the trailing stage indicates any one of the (k + 1) th stages ST (k + 1) to k (n).
쉬프트 레지스터는 스타트 신호(VST)가 공급되는 스타트 신호 라인(STL), 클럭 신호(CLK)가 공급되는 클럭 라인(CL), 반전 클럭 신호(CLKB)가 공급되는 반전 클럭 라인(CBL), 고전위 전압이 인가되는 고전위 전압 라인(VDDL), 저전위 전압이 인가되는 저전위 전압 라인(VSSL)을 포함한다.The shift register includes a start signal line STL supplied with the start signal VST, a clock line CL supplied with the clock signal CLK, an inverted clock line CBL supplied with the inverted clock signal CLKB, and a high potential. A high potential voltage line VDDL to which a voltage is applied, and a low potential voltage line VSSL to which a low potential voltage is applied.
스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 스타트 단자(START), 제1 클럭 단자(CLK1), 제2 클럭 단자(CLK2), 출력단자(OUT), 고전위 전압 입력단자(VDDT), 저전위 전압 입력단자(VSST), Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT), QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT), 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT), 및 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT) 등을 구비한다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 스타트 단자(START)는 스타트 신호 라인(STL) 또는 전단 스테이지의 출력 단자(OUT)에 접속된다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 스타트 단자(START)에는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호가 입력된다. 제1 스테이지(ST(1))의 스타트 단자(START)에는 스타트 신호(VST)가 입력되나, 제2 내지 제n 스테이지들(ST(2)~ST(n)) 각각의 스타트 단자(START)에는 전단 캐리신호가 입력된다. 전단 캐리신호는 전단 스테이지의 출력단자(OUT)의 출력 신호로서 제k 스테이지(ST(k))의 스타트 단자(START)에 입력되는 신호를 의미한다. 예를 들어, 제2 스테이지(ST(2))의 스타트 단자(START)에는 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 전단 캐리신호로서 입력된다.Each of the stages ST (1) to ST (n) has a start terminal START, a first clock terminal CLK1, a second clock terminal CLK2, an output terminal OUT, and a high potential voltage input terminal VDDT. ), Low potential voltage input terminal (VSST), Q node voltage output terminal (Q_OUT), QB node voltage output terminal (QB_OUT), rear Q node voltage input terminal (Q_NEXT), and rear QB node voltage input terminal (QB_NEXT) It is provided. The start terminal START of each of the stages ST (1) to ST (n) is connected to the start signal line STL or the output terminal OUT of the preceding stage. The start signal VST or the front carry signal is input to the start terminal START of each of the stages ST (1) to ST (n). Although the start signal VST is input to the start terminal START of the first stage ST (1), the start terminal START of each of the second to nth stages ST (2) to ST (n). The front carry signal is input to the. The front carry signal means a signal input to the start terminal START of the k-th stage ST (k) as an output signal of the output terminal OUT of the front stage. For example, the first output signal GOUT (1) of the output terminal OUT of the first stage ST (1) is a front carry signal at the start terminal START of the second stage ST (2). Is input as.
스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 제1 클럭 단자(CLK1)는 클럭 라인(CL) 또는 반전 클럭 라인(CBL)에 접속된다. 제k 스테이지(ST(k))의 제1 클럭 단자(CLK1)가 클럭 라인(CL)에 접속된 경우, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 제k 스테이지(ST(k))의 제1 클럭 단자(CLK1)가 반전 클럭 라인(CBL)에 접속된 경우, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 반전 클럭 신호(CLBK)가 입력된다. 반전 클럭 신호(CLKB)는 클럭 신호(CLK)를 반전시킨 신호이다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 제2 클럭 단자(CLK2)도 클럭 라인(CL) 또는 반전 클럭 라인(CBL)에 접속된다. 제k 스테이지(ST(k))의 제2 클럭 단자(CLK2)가 클럭 라인(CL)에 접속된 경우, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 제k 스테이지(ST(k))의 제2 클럭 단자(CLK2)가 반전 클럭 라인(CBL)에 접속된 경우, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 다만, 제k 스테이지(ST(k))의 제1 클럭 단자(CLK1)에 입력되는 신호와 제2 클럭 단자(CLK2)에 입력되는 신호는 서로 다르다. 예를 들어, 제k 스테이지(ST(k))의 제1 클럭 단자(CLK1)가 클럭 라인(CL)에 접속되어 제1 클럭 단자(CLK1)에 클럭 신호(CLK)가 입력되는 경우, 제2 클럭 단자(CLK2)는 반전 클럭 라인(CBL)에 접속되어 제2 클럭 단자(CLK2)에는 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 제k 스테이지(ST(k))의 제1 클럭 단자(CLK1)가 반전 클럭 라인(CBL)에 접속되어 제1 클럭 단자(CLK1)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되는 경우, 제2 클럭 단자(CLK2)는 클럭 라인(CL)에 접속되어 제2 클럭 단자(CLK2)에는 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 제1 클럭 단자(CLK1)와 제2 클럭 단자(CLK2)는 클럭 라인(CL)과 반전 클럭 라인(CBL)에 서로 교번하여 접속한다. 예를 들어, 제k 스테이지(ST(k))의 제1 클럭 단자(CLK1)에 클럭 신호(CLK)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된 경우, 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 제1 클럭 단자(CLK1)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되고, 제2 클럭 단자(CLK2)에 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 제k 스테이지(ST(k))의 제1 클럭 단자(CLK1)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에 클럭 신호(CLK)가 입력된 경우, 제k+1 스테이지(ST(k+1))의 제1 클럭 단자(CLK1)에 클럭 신호(CLK)가 입력되고, 제2 클럭 단자(CLK2)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다.The first clock terminal CLK1 of each of the stages ST (1) to ST (n) is connected to the clock line CL or the inverted clock line CBL. When the first clock terminal CLK1 of the kth stage ST (k) is connected to the clock line CL, the clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1. When the first clock terminal CLK1 of the kth stage ST (k) is connected to the inverted clock line CBL, the inverted clock signal CLBK is input to the first clock terminal CLK1. The inverted clock signal CLKB is a signal obtained by inverting the clock signal CLK. The second clock terminal CLK2 of each of the stages ST (1) to ST (n) is also connected to the clock line CL or the inverted clock line CBL. When the second clock terminal CLK2 of the kth stage ST (k) is connected to the clock line CL, the clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2. When the second clock terminal CLK2 of the kth stage ST (k) is connected to the inverted clock line CBL, the inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2. However, a signal input to the first clock terminal CLK1 of the k-th stage ST (k) and a signal input to the second clock terminal CLK2 are different from each other. For example, when the first clock terminal CLK1 of the k-th stage ST (k) is connected to the clock line CL so that the clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1, the second clock terminal CLK1 is connected to the second clock terminal CLK1. The clock terminal CLK2 is connected to the inverted clock line CBL so that the inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2. The second clock terminal when the first clock terminal CLK1 of the k-th stage ST (k) is connected to the inverted clock line CBL so that the inverted clock signal CLKB is input to the first clock terminal CLK1. CLK2 is connected to the clock line CL, and the clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2. In addition, the first clock terminal CLK1 and the second clock terminal CLK2 of each of the stages ST (1) to ST (n) are alternately connected to the clock line CL and the inverted clock line CBL. do. For example, when the clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1 of the k-th stage ST (k) and the inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2, The inverted clock signal CLKB is input to the first clock terminal CLK1 of the k + 1 stage ST (k + 1), and the clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2. When the inverted clock signal CLKB is input to the first clock terminal CLK1 of the k-th stage ST (k) and the clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2, the k + 1th stage The clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1 of (ST (k + 1)), and the inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2.
고전위 전압 입력단자(VDDT)는 고전위 전압 공급라인(VDDL)에 접속되므로, 고전위 전압 입력단자(VDDT)에는 고전위 전압이 공급된다. 저전위 전압 입력단자(VSST)는 저전위 전압 공급라인(VSSL)에 접속되므로, 저전위 전압 입력단자(VSST)에는 저전위 전압이 공급된다. 고전위 전압은 게이트 하이 전압(VGH)으로 설정될 수 있고, 저전위 전압은 게이트 로우 전압(VGL)으로 설정될 수 있다. 게이트 하이 전압(VGH)은 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 내부 회로에 존재하는 TFT(thin film transistor)들을 턴-온시킬 수 있는 전압으로 설정될 수 있다.Since the high potential voltage input terminal VDDT is connected to the high potential voltage supply line VDDL, a high potential voltage is supplied to the high potential voltage input terminal VDDT. Since the low potential voltage input terminal VSST is connected to the low potential voltage supply line VSSL, a low potential voltage is supplied to the low potential voltage input terminal VSST. The high potential voltage may be set to the gate high voltage VGH, and the low potential voltage may be set to the gate low voltage VGL. The gate high voltage VGH may be set to a voltage capable of turning on thin film transistors (TFTs) present in an internal circuit of each of the stages ST (1) to ST (n).
제k 스테이지(ST(k))의 Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT)는 전단 스테이지의 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에 접속된다. 제k 스테이지(ST(k))의 Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT)는 제k 스테이지(ST(k))의 Q 노드의 전압을 전단 스테이지의 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에 출력한다. 제k 스테이지(ST(k))의 QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT)는 전단 스테이지의 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에 접속된다. 제k 스테이지(ST(k))의 QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT)는 제k 스테이지(ST(k))의 QB 노드의 전압을 전단 스테이지의 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에 출력한다. 예를 들어, 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT)는 제1 스테이지(ST(1))의 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에 접속된다. 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT)는 제1 스테이지(ST(1))의 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에 접속된다.The Q node voltage output terminal Q_OUT of the kth stage ST (k) is connected to the rear Q node voltage input terminal Q_NEXT of the preceding stage. The Q node voltage output terminal Q_OUT of the k-th stage ST (k) outputs the voltage of the Q node of the k-th stage ST (k) to the rear-end Q node voltage input terminal Q_NEXT of the previous stage. The QB node voltage output terminal QB_OUT of the k-th stage ST (k) is connected to the rear-end QB node voltage input terminal QB_NEXT of the preceding stage. The QB node voltage output terminal QB_OUT of the k-th stage ST (k) outputs the voltage of the QB node of the k-th stage ST (k) to the rear QB node voltage input terminal QB_NEXT of the preceding stage. For example, the Q node voltage output terminal Q_OUT of the second stage ST (2) is connected to the Q node voltage input terminal Q_NEXT of the rear stage of the first stage ST (1). The QB node voltage output terminal QB_OUT of the second stage ST (2) is connected to the rear-end QB node voltage input terminal QB_NEXT of the first stage ST (1).
제k 스테이지(ST(k))의 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)는 후단 스테이지의 Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT)에 접속된다. 제k 스테이지(ST(k))의 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)는 후단 스테이지의 Q 노드 전압을 입력받는다. 제k 스테이지(ST(k))의 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)는 후단 스테이지의 QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT)에 접속된다. 제k 스테이지(ST(k))의 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)는 후단 스테이지의 QB 노드 전압을 입력받는다. 예를 들어, 제2 스테이지(ST(2))의 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)는 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT)에 접속된다. 제2 스테이지(ST(2))의 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)는 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT)에 접속된다.The rear end Q node voltage input terminal Q_NEXT of the kth stage ST (k) is connected to the Q node voltage output terminal Q_OUT of the rear stage. The rear Q node voltage input terminal Q_NEXT of the k-th stage ST (k) receives the Q node voltage of the rear stage. The rear QB node voltage input terminal QB_NEXT of the k-th stage ST (k) is connected to the QB node voltage output terminal QB_OUT of the rear stage. The rear QB node voltage input terminal QB_NEXT of the k-th stage ST (k) receives the QB node voltage of the rear stage. For example, the rear-end Q node voltage input terminal Q_NEXT of the second stage ST (2) is connected to the Q node voltage output terminal Q_OUT of the third stage ST (3). The rear-end QB node voltage input terminal QB_NEXT of the second stage ST (2) is connected to the QB node voltage output terminal QB_OUT of the third stage ST (3).
제k 스테이지(ST(k))의 출력단자(OUT)는 제k 출력 라인에 접속된다. 제k 스테이지(ST(k))의 출력단자(OUT)는 제k 출력 라인에 제k 출력 신호(GOUT(k))를 출력한다. 제k 스테이지(ST(k))의 출력단자(OUT)는 후단 스테이지의 스타트 단자(START)에 접속된다. 제k 스테이지(ST(k))의 출력단자(OUT)의 제k 출력 신호(GOUT(k))는 후단 스테이지의 스타트 단자(START)에 전단 캐리신호로서 입력된다. 예를 들어, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 제2 출력 신호(GOUT(2))를 제2 출력 라인에 출력함과 동시에, 제3 스테이지(ST(3))의 스타트 단자(START)에 전단 캐리신호로서 출력한다.
The output terminal OUT of the k-th stage ST (k) is connected to the k-th output line. The output terminal OUT of the k-th stage ST (k) outputs the k-th output signal GOUT (k) to the k-th output line. The output terminal OUT of the k-th stage ST (k) is connected to the start terminal START of the rear stage. The kth output signal GOUT (k) of the output terminal OUT of the kth stage ST (k) is input as a front carry signal to the start terminal START of the rear stage. For example, the output terminal OUT of the second stage ST (2) outputs the second output signal GOUT (2) to the second output line and at the same time, the third stage ST (3). It is output as a front carry signal to the start terminal START.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 제k 스테이지의 회로 구성의 일 예를 보여주는 회로도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 제k 스테이지(ST(k))의 Q 노드(Q)의 충방전을 제어하는 Q 노드 충방전부(10), QB 노드(QB)의 방전을 제어하는 QB 노드 방전부(20), QB 노드(QB)의 충전을 제어하는 QB 노드 충전부(30), Q 노드(Q)의 전압 부스트(boost)를 제어하는 Q 노드 부스트 제어부(40), 및 Q 노드(Q)와 QB 노드(QB)의 전압에 따라 출력 단자(OUT)에 접속된 출력 노드(NO)를 고전위 전압으로 충전하거나 저전위 전압으로 방전시키는 출력부(50)를 포함한다.2 is a circuit diagram illustrating an example of a circuit configuration of a k-th stage according to the first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the Q node charging / discharging
Q 노드 충방전부(10)는 제1 클럭 단자(CLK1)를 통해 입력되는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호로 충방전한다. 이를 위해, Q 노드 충방전부(10)는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 Q 노드(Q)를 스타트 단자(START)에 접속시키는 제1 TFT(T1)를 포함한다. 제1 TFT(T1)는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여, Q 노드(Q)를 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호의 제1 로직 레벨 전압으로 충전하거나, Q 노드(Q)를 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호의 제2 로직 레벨 전압으로 방전한다. 제1 TFT(T1)의 게이트 전극은 제1 클럭 단자(CLK1)에 접속되고, 소스 전극은 Q 노드(Q)에 접속되며, 드레인 전극은 스타트 단자(START)에 접속된다.The Q node charging / discharging
한편, 제1 로직 레벨 전압과 고전위 전압은 동일한 레벨 전압으로 설정될 수 있고, 제2 로직 레벨 전압과 저전위 전압은 동일한 레벨 전압으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 제1 로직 레벨 전압과 고전위 전압은 게이트 하이 전압(VGH)으로 설정될 수 있고, 제2 로직 레벨 전압과 저전위 전압은 게이트 로우 전압(VGL)으로 설정될 수 있다.Meanwhile, the first logic level voltage and the high potential voltage may be set to the same level voltage, and the second logic level voltage and the low potential voltage may be set to the same level voltage. For example, the first logic level voltage and the high potential voltage may be set to the gate high voltage VGH, and the second logic level voltage and the low potential voltage may be set to the gate low voltage VGL.
QB 노드 방전부(20)는 제1 클럭 단자(CLK1)를 통해 입력되는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)와 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호에 응답하여 QB 노드(QB)를 저전위 전압으로 방전한다. 이를 위해, QB 노드 방전부(20)는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 제1 노드(N1)를 스타트 단자(START)에 접속시키는 제2 TFT(T2)를 포함한다. 또한, QB 노드 방전부(20)는 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 QB 노드(QB)를 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속시키는 제3 TFT(T3)를 더 포함한다. 제2 TFT(T2)는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여, 제1 노드(N1)를 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호의 제1 로직 레벨 전압으로 충전하거나, 제1 노드(N1)를 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호의 제2 로직 레벨 전압으로 방전한다. 제3 TFT(T3)는 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여, QB 노드(QB)를 저전위 전압으로 방전한다. 제2 TFT(T2)의 게이트 전극은 제1 클럭 단자(CLK1)에 접속되고, 소스 전극은 제1 노드(N1)에 접속되며, 드레인 전극은 스타트 단자(START)에 접속된다. 제3 TFT(T3)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 소스 전극은 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속되며, 드레인 전극은 QB 노드(QB)에 접속된다.The QB
또한, QB 노드 방전부(20)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 QB 노드(QB)를 저전위 전압으로 방전한다. 이를 위해, QB 노드 방전부(20)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 QB 노드(QB)를 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속시키는 제4 TFT(T4)를 더 포함한다. 제4 TFT(T4)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 QB 노드(QB)를 저전위 전압으로 방전한다. 제4 TFT(T4)의 게이트 전극은 Q 노드(Q)에 접속되고, 소스 전극은 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속되며, 드레인 전극은 QB 노드(QB)에 접속된다.In addition, the QB
QB 노드 충전부(30)는 고전위 전압 입력단자(VDDT)를 통해 입력되는 고전위 전압(VDD)에 응답하여 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VDD)으로 충전한다. 이를 위해, QB 노드 충전부(30)는 고전위 전압(VDD)에 응답하여 제2 노드(N2)를 고전위 전압 입력단자(VDDT)에 접속시키는 제5 TFT(T5), 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VDD)에 응답하여 QB 노드(QB)를 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속시키는 제6 TFT(T6), 및 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 제2 노드(N2)를 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속시키는 제7 TFT(T7)를 포함한다. 제5 TFT(T5)는 고전위 전압(VDD)에 응답하여 제2 노드(N2)를 고전위 전압으로 충전한다. 제6 TFT(T6)는 제2 노드(N2)의 고전위 전압에 응답하여 QB 노드(QB)를 고전위 전압으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 제2 노드(N2)를 저전위 전압으로 방전한다. 제5 TFT(T5)의 게이트 전극과 드레인 전극은 고전위 전압 입력단자(VDDT)에 접속되고, 소스 전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. 제6 TFT(T6)의 게이트 전극은 제2 노드(N2)에 접속되고, 소스 전극은 QB 노드(QB)에 접속되며, 드레인 전극은 고전위 전압 입력단자(VDDT)에 접속된다. 제7 TFT(T7)의 게이트 전극은 Q 노드(Q)에 접속되고, 소스 전극은 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속되며, 드레인 전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. The QB
Q 노드 부스트 제어부(40)는 제2 클럭 단자(CLK2)를 통해 입력되는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)와 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)를 통해 입력되는 후단 스테이지의 Q 노드(Q)의 전압에 응답하여 제3 노드(N3)를 제1 로직 레벨 전압으로 충전함과 동시에, 제3 노드(N3)의 전압 변화량을 Q 노드(Q)에 반영한다. 이를 위해, Q 노드 부스트 제어부(40)는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압과 후단 스테이지의 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 제3 노드(N3)를 제2 클럭 단자(CLK2)에 접속시키는 제8 TFT(T8)와 제9 TFT(T9)를 포함한다. 제8 TFT(T8)는 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압을 제9 TFT(T9)의 드레인 전극에 공급한다. 제9 TFT(T9)는 후단 스테이지의 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 클럭 신호(CLK) 또는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압을 제3 노드(N3)에 공급한다.The Q
또한, Q 노드 부스트 제어부(40)는 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)를 통해 입력되는 후단 스테이지의 QB 노드(QB)의 전압에 응답하여 제3 노드(N3)를 저전위 전압으로 방전한다. 이를 위해, Q 노드 부스트 제어부(40)는 후단 스테이지의 QB 노드(QB)의 전압에 응답하여 제3 노드(N3)를 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속시키는 제10 TFT(T10)를 더 포함한다. 제10 TFT(T10)는 후단 스테이지의 QB 노드(QB)의 전압에 응답하여 제3 노드(N3)를 저전위 전압으로 방전한다.In addition, the Q
또한, Q 노드 부스트 제어부(40)는 제3 노드(N3)와 Q 노드(Q) 사이에 접속된 제1 캐패시터(Cp)를 더 포함한다. 제1 캐패시터(Cp)의 일측 전극은 제3 노드(N3)에 접속되고, 타측 전극은 Q 노드(Q)에 접속된다. 제1 캐패시터(Cp)는 제3 노드(N3)의 전압에 변화가 발생하는 경우, 제3 노드(N3)의 전압 변화량을 Q 노드(Q)에 반영한다.In addition, the Q node
출력부(50)는 Q 노드(Q)의 전압에 응답하여 출력 노드(NO)를 고전위 전압으로 충전하고, QB 노드(QB)의 전압에 응답하여 출력 노드(NO)를 저전위 전압으로 방전한다. 출력부(50)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 출력 노드(NO)를 고전위 전압 입력단자(VDDT)에 접속시키는 풀-업 TFT(TU)와, QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 출력 노드(NO)를 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속시키는 풀-다운 TFT(TD)를 포함한다. 풀-업 TFT(TU)의 게이트 전극은 Q 노드(Q)에 접속되고, 소스 전극은 고전위 전압 입력단자(VDDT)에 접속되며, 드레인 전극은 출력 노드(NO)에 접속된다. 풀-다운 TFT(TD)의 게이트 전극은 QB 노드(QB)에 접속되고, 소스 전극은 출력 노드(NO)에 접속되며, 드레인 전극은 저전위 전압 입력단자(VSST)에 접속된다. 출력단자(OUT)는 출력 노드(NO)에 접속되므로, 출력 노드(NO)의 전압을 출력 신호로 출력한다.The
한편, 도 2에서 제1 내지 제10 TFT(T1~T10), 풀-업 TFT(TU), 및 풀-다운 TFT(TD)는 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였다.
Meanwhile, in FIG. 2, the first to tenth TFTs (T1 to T10), the pull-up TFT (TU), and the pull-down TFT (TD) are mainly formed of an N type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Explained.
도 3은 제1 스테이지의 입력 신호들과 출력 신호의 일 예를 보여주는 파형도이다. 도 3에는 제1 스테이지(ST(1))의 입력 신호들로서 스타트 단자(START)로 입력되는 스타트 신호(VST), 제1 클럭 단자(CLK1)로 입력되는 클럭 신호(CLK), 및 제2 클럭 단자(CLK2)로 입력되는 반전 클럭 신호(CLKB)가 나타나 있다. 또한, 도 3에는 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)로 입력되는 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드 전압(Q(2)), 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)로 입력되는 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드 전압(QB(2))이 나타나 있다. 또한, 도 3에는 제1 스테이지(ST(1))의 출력 신호들로서 Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT)로 출력되는 제1 스테이지(ST(1))의 Q 노드 전압(Q(1)), QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT)로 출력되는 제1 스테이지(ST(1))의 QB 노드 전압(QB(1)), 및 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)로 출력되는 제1 출력 신호(GOUT(1))가 나타나 있다.3 is a waveform diagram illustrating an example of input signals and output signals of a first stage. 3 illustrates a start signal VST input to the start terminal START as input signals of the first stage ST (1), a clock signal CLK input to the first clock terminal CLK1, and a second clock. The inverted clock signal CLKB input to the terminal CLK2 is shown. In addition, in FIG. 3, the Q node voltage Q (2) of the second stage ST (2) input to the rear Q node voltage input terminal Q_NEXT and the second QB node voltage input terminal QB_NEXT are input. The QB node voltage QB (2) of the two stages ST (2) is shown. 3, the Q node voltages Q (1) and QB of the first stage ST (1) which are output to the Q node voltage output terminal Q_OUT as output signals of the first stage ST (1) are shown in FIG. The QB node voltage QB (1) of the first stage ST (1) output to the node voltage output terminal QB_OUT and the output terminal OUT of the first stage ST (1) are output. 1 output signal GOUT (1) is shown.
스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호와 동일한 파형과 위상을 갖는 출력 신호를 출력단자(OUT)를 통해 출력한다. 제1 스테이지(ST(1))는 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST)와 동일한 파형을 갖는 제1 출력 신호(GOUT(1))을 출력단자(OUT)를 통해 출력한다. 도 3에 도시된 스타트 신호(VST)는 제1 기간(t1), 제2 기간(t2), 제5 내지 제8 기간(t5~t8) 동안 제1 로직 레벨 전압으로 발생하고, 나머지 기간 동안 제2 로직 레벨 전압으로 발생한다. 하지만, 도 3에 도시된 스타트 신호(VST)는 하나의 실시 예에 불과하며, 스타트 신호(VST)는 제1 출력 신호(GOUT(1))의 파형을 고려하여 사전 실험을 통해 미리 결정될 수 있다. Each of the stages ST (1) to ST (n) has an output signal having the same waveform and phase as the start signal VST or the front carry signal input through the start terminal START through the output terminal OUT. Output The first stage ST (1) outputs the first output signal GOUT (1) having the same waveform as the start signal VST input through the start terminal START through the output terminal OUT. The start signal VST shown in FIG. 3 is generated at the first logic level voltage during the first period t1, the second period t2, and the fifth to eighth periods t5 to t8, and the first period T1 is generated during the remaining period. Generates 2 logic-level voltages. However, the start signal VST shown in FIG. 3 is only one embodiment, and the start signal VST may be predetermined through a preliminary experiment in consideration of the waveform of the first output signal GOUT (1). .
또한, 도 3에서 제1 내지 제10 기간(t1~t10) 각각은 1 수평 기간(1H)인 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 1 수평 기간(1H)은 표시패널의 1 수평 라인에 존재하는 모든 화소들에 데이터 전압을 공급하는 1 라인 스캐닝 기간을 의미한다.In addition, in FIG. 3, each of the first to tenth periods t1 to t10 is described as being one horizontal period 1H, but it should be noted that the present invention is not limited thereto. The one horizontal period 1H refers to a one line scanning period for supplying a data voltage to all pixels existing in one horizontal line of the display panel.
클럭 신호(CLK)는 소정의 기간을 주기로 발생하고, 반전 클럭 신호(CLKB)는 클럭 신호(CLK)를 반전시킨 신호이므로, 클럭 신호(CLK)와 동일한 주기로 발생한다. 그러므로, 도 3과 같이 클럭 신호(CLK)가 제1 로직 레벨 전압으로 발생하는 경우, 반전 클럭 신호(CLKB)는 제2 로직 레벨 전압으로 발생한다. 또한, 클럭 신호(CLK)가 제2 로직 레벨 전압으로 발생하는 경우, 반전 클럭 신호(CLKB)는 제1 로직 레벨 전압으로 발생한다. 도 3에서 제1 로직 레벨 전압은 게이트 하이 전압(VGH)이고, 제2 로직 레벨 전압은 게이트 로우 전압(VGL)인 것을 중심으로 설명하였다.The clock signal CLK is generated at a predetermined period, and the inverted clock signal CLKB is a signal obtained by inverting the clock signal CLK. Therefore, the clock signal CLK is generated at the same period as the clock signal CLK. Therefore, when the clock signal CLK is generated with the first logic level voltage as shown in FIG. 3, the inverted clock signal CLKB is generated with the second logic level voltage. In addition, when the clock signal CLK is generated with the second logic level voltage, the inverted clock signal CLKB is generated with the first logic level voltage. In FIG. 3, the first logic level voltage is the gate high voltage VGH and the second logic level voltage is the gate low voltage VGL.
제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드 전압(Q(2))은 제1 스테이지(ST(1))의 Q 노드 전압(Q(1))보다 소정의 기간만큼 위상이 지연되어 발생한다. 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드 전압(QB(2))은 제1 스테이지(ST(1))의 QB 노드 전압(QB(1))보다 소정의 기간만큼 위상이 지연되어 발생한다. 도 3에서, 소정의 기간은 1 수평기간으로 구현된 것을 중심으로 설명하였다.The Q node voltage Q (2) of the second stage ST (2) is generated by delaying the phase by a predetermined period than the Q node voltage Q (1) of the first stage ST (1). . The QB node voltage QB (2) of the second stage ST (2) is generated by delaying the phase by a predetermined period than the QB node voltage QB (1) of the first stage ST (1). . In FIG. 3, the predetermined period has been described based on the implementation of one horizontal period.
제1 스테이지(ST(1))의 Q 노드 전압(Q(1)), 제1 스테이지(ST(1))의 QB 노드 전압(QB(1)), 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드 전압(Q(2)), 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드 전압(QB(2)), 및 제1 스테이지(ST(1))의 제1 출력 신호(GOUT(1))에 대한 자세한 설명은 도 4a 내지 도 4i를 결부하여 설명한다.
Q node voltage Q (1) of the first stage ST (1), QB node voltage QB (1) of the first stage ST (1), of the second stage ST (2) Q node voltage Q (2), QB node voltage QB (2) of second stage ST (2), and first output signal GOUT (1) of first stage ST (1). ) Will be described in conjunction with FIGS. 4A to 4I.
도 4a 내지 도 4i는 제1 내지 제10 기간 동안 제1 스테이지의 회로 동작을 보여주는 일 예시도면이다. 도 4a 내지 도 4i 각각은 제1 내지 제10 기간(t1~t10) 각각에서 제1 스테이지(ST(1))에 존재하는 TFT들의 턴-온 및 턴-오프 상태를 보여준다. 도 4a 내지 도 4i 각각에서는 턴-온된 TFT들을 동그라미로 표시하였다. 이하에서, 제1 로직 레벨 전압과 고전위 전압은 게이트 하이 전압(VGH)이고, 제2 로직 레벨 전압과 저전위 전압은 게이트 로우 전압(VGL)인 것을 중심으로 설명하였다.4A through 4I are exemplary diagrams illustrating a circuit operation of the first stage during the first to tenth periods. 4A to 4I each show the turn-on and turn-off states of the TFTs present in the first stage ST (1) in each of the first to tenth periods t1 to t10. In each of FIGS. 4A to 4I, the turned-on TFTs are circled. In the following description, the first logic level voltage and the high potential voltage are the gate high voltage VGH, and the second logic level voltage and the low potential voltage are the gate low voltage VGL.
첫 번째로, 도 3과 도 4a를 참조하여 제1 기간(t1) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제1 기간(t1) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제1 기간(t1) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.First, an operation of the first stage ST (1) during the first period t1 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4A. The start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START during the first period t1, and the clock signal of the first logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1. CLK is input, and the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the second stage ST (2) has the second logic level voltage VGL during the first period t1, the second logic level is included in the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT. Since the voltage VGL is input and the QB node QB of the second stage ST (2) has the first logic level voltage VGH, the first logic level voltage is applied to the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT. (VGH) is input.
Q 노드 충방전부(10)는 제1 기간(t1) 동안 Q 노드(Q)를 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전한다. 제1 TFT(T1)는 제1 기간(t1) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 스타트 신호(VST)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다.The Q node charging and discharging
QB 노드 방전부(20)는 제1 기간(t1) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 방전한다. 제2 TFT(T2)는 제1 기간(t1) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 스타트 신호(VST)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다. 제3 TFT(T3)는 제1 기간(t1) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제1 기간(t1) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The QB
QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제1 기간(t1) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제1 기간(t1) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제1 기간(t1) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프되고, 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q node
출력부(50)는 제1 기간(t1) 동안 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)으로 충전되므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The
두 번째로, 도 3과 도 4b를 참조하여 제2 기간(t2) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제2 기간(t2) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제2 기간(t2) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Secondly, an operation of the first stage ST (1) during the second period t2 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4B. During the second period t2, the start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START, and the clock signal of the second logic level voltage VGL to the first clock terminal CLK1. CLK is input, and the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the second stage ST (2) has the first logic level voltage VGH during the second period t2, the first logic level is included in the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT. Since the voltage VGH is input and the QB node QB of the second stage ST (2) has the second logic level voltage VGL, the second logic level voltage is applied to the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT. (VGL) is input.
Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제2 기간(t2) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charging and discharging
QB 노드 방전부(20)는 제2 기간(t2) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 유지한다. 제2 TFT(T2)는 제2 기간(t2) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제2 기간(t2) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제2 기간(t2) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)을 유지한다.The QB
QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제2 기간(t2) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제2 기간(t2) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the
Q 노드 부스트 제어부(40)는 제2 기간(t2) 동안 Q 노드(Q)의 전압을 부스트(boost)한다. 제8 TFT(T8)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제9 TFT(T9)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압으로 충전된다. 즉, 제2 기간(t2) 동안 제3 노드(N3)의 전압은 저전위 전압(VGL)에서 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 상승하며, 제3 노드(N3)의 전압 변화량은 제1 캐패시터(Cp)에 의해 Q 노드(Q)에 반영된다. 따라서, 제2 기간(t2) 동안 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')으로 상승한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 전압 상승으로 인해, 안정적으로 턴-온될 수 있는 장점이 있다.The Q
출력부(50)는 제2 기간(t2) 동안 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)을 유지하므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The
세 번째로, 도 3과 도 4c를 참조하여 제3 기간(t3) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제3 기간(t3) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제3 기간(t3) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Third, the operation of the first stage ST (1) during the third period t3 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4C. During the third period t3, the start signal VST of the second logic level voltage VGL is input to the start terminal START, and the clock signal of the first logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1. CLK is input, and the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the second stage ST (2) has a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH during the third period t3, the latter Q node voltage input terminal The voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH is input to Q_NEXT, and the QB node QB of the second stage ST (2) has a second logic level voltage VGL, so The second logic level voltage VGL is input to the QB node voltage input terminal QB_NEXT.
Q 노드 충방전부(10)는 제3 기간(t3) 동안 Q 노드(Q)를 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전한다. 제1 TFT(T1)는 제3 기간(t3) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 스타트 신호(VST)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전된다.The Q node charging and discharging
QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제3 기간(t3) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 스타트 신호(VST)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전된다. 제3 TFT(T3)는 제3 기간(t3) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제3 기간(t3) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB
QB 노드 충전부(30)는 제3 기간(t3) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제3 기간(t3) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제3 기간(t3) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제3 기간(t3) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제10 TFT(T10)의 턴-오프로 인해, 제3 노드(N3)는 플로팅된다.The eighth TFT T8 of the Q
출력부(50)는 제3 기간(t3) 동안 저전위 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The
네 번째로, 도 3과 도 4d를 참조하여 제4 기간(t4) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제4 기간(t4) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제4 기간(t4) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.Fourth, an operation of the first stage ST (1) during the fourth period t4 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4D. During the fourth period t4, the start signal VST of the second logic level voltage VGL is input to the start terminal START, and the clock signal of the second logic level voltage VGL to the first clock terminal CLK1. CLK is input, and the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the second stage ST (2) has the second logic level voltage VGL during the fourth period t4, the second logic level is included in the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT. Since the voltage VGL is input and the QB node QB of the second stage ST (2) has the first logic level voltage VGH, the first logic level voltage is applied to the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT. (VGH) is input.
Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제4 기간(t4) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charging and discharging
QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제4 기간(t4) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제4 기간(t4) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제4 기간(t4) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB
QB 노드 충전부(30)는 제4 기간(t4) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제4 기간(t4) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제4 기간(t4) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제4 기간(t4) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)의 턴-오프와 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q
출력부(50)는 제4 기간(t4) 동안 저전위 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The
다섯 번째로, 도 3과 도 4e를 참조하여 제5 기간(t5) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제5 기간(t5) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제5 기간(t5) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.Fifth, an operation of the first stage ST (1) during the fifth period t5 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4E. During the fifth period t5, the start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START, and the clock signal of the first logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1. CLK is input, and the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the second stage ST (2) has the second logic level voltage VGL during the fifth period t5, the second logic level is included in the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT. Since the voltage VGL is input and the QB node QB of the second stage ST (2) has the first logic level voltage VGH, the first logic level voltage is applied to the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT. (VGH) is input.
Q 노드 충방전부(10)는 제5 기간(t5) 동안 Q 노드(Q)를 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전한다. 제1 TFT(T1)는 제5 기간(t5) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 스타트 신호(VST)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다.The Q node charging and discharging
QB 노드 방전부(20)는 제5 기간(t5) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 방전한다. 제2 TFT(T2)는 제5 기간(t5) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 스타트 신호(VST)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다. 제3 TFT(T3)는 제5 기간(t5) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제5 기간(t5) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The QB
QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제5 기간(t5) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제5 기간(t5) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제5 기간(t5) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q
출력부(50)는 제5 기간(t5) 동안 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)으로 충전되므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The
여섯 번째로, 도 3과 도 4f를 참조하여 제6 기간(t6) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제6 기간(t6) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제6 기간(t6) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Sixth, an operation of the first stage ST (1) during the sixth period t6 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4F. During the sixth period t6, the start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START, and the clock signal of the second logic level voltage VGL to the first clock terminal CLK1. CLK is input, and the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the second stage ST (2) has the first logic level voltage VGH during the sixth period t6, the first logic level is included in the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT. Since the voltage VGH is input and the QB node QB of the second stage ST (2) has the second logic level voltage VGL, the second logic level voltage is applied to the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT. (VGL) is input.
Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제6 기간(t6) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charging and discharging
QB 노드 방전부(20)는 제6 기간(t6) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 유지한다. 제2 TFT(T2)는 제6 기간(t6) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제6 기간(t6) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제6 기간(t6) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)을 유지한다.The QB
QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제6 기간(t6) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제6 기간(t6) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB
Q 노드 부스트 제어부(40)는 제6 기간(t6) 동안 Q 노드(Q)의 전압을 부스트(boost)한다. 제8 TFT(T8)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제9 TFT(T9)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압으로 충전된다. 즉, 제6 기간(t6) 동안 제3 노드(N3)의 전압은 저전위 전압(VGL)에서 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 상승하며, 제3 노드(N3)의 전압 변화량은 제1 캐패시터(Cp)에 의해 Q 노드(Q)에 반영된다. 따라서, 제6 기간(t6) 동안 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')으로 상승한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 전압 상승으로 인해, 안정적으로 턴-온될 수 있는 장점이 있다.The Q
출력부(50)는 제6 기간(t6) 동안 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)을 유지하므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The
일곱 번째로, 도 3과 도 4g를 참조하여 제7 기간(t7) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제7 기간(t7) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제7 기간(t7) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Seventh, an operation of the first stage ST (1) during the seventh period t7 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4G. During the seventh period t7, the start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START, and the clock signal of the first logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1. CLK is input, and the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the second stage ST (2) has a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH during the seventh period t7, the rear end Q node voltage input terminal ( The voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH is input to Q_NEXT, and the QB node QB of the second stage ST (2) has a second logic level voltage VGL, so The second logic level voltage VGL is input to the QB node voltage input terminal QB_NEXT.
Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)의 게이트 전극에는 제7 기간(t7) 동안 턴-온 전압인 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 하지만, 제1 TFT(T1)의 소스 전극에 접속된 Q 노드(Q)의 전압이 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높기 때문에, Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 유지한다.The inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH, which is a turn-on voltage, is input to the gate electrode of the first TFT T1 of the Q node charge /
QB 노드 방전부(20)는 제7 기간(t7) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 유지한다. 제2 TFT(T2)는 제7 기간(t7) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 스타트 신호(VST)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다. 제3 TFT(T3)는 제7 기간(t7) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제7 기간(t7) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The QB
QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제7 기간(t7) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제7 기간(t7) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제7 기간(t7) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제10 TFT(T10)의 턴-오프으로 인해, 제3 노드(N3)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 유지한다.The eighth TFT T8 of the Q
출력부(50)는 제7 기간(t7) 동안 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)으로 충전되므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The
여덟 번째로, 도 3과 도 4h를 참조하여 제8 기간(t8) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제8 기간(t8) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제8 기간(t8) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Eighth, an operation of the first stage ST (1) during the eighth period t8 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4H. During the eighth period t8, the start signal VST of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START, and the clock signal of the second logic level voltage VGL to the first clock terminal CLK1. CLK is input, and the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. In addition, during the eighth period t8, the Q node Q of the second stage ST (2) has a voltage VGH ′ that is higher than the first logic level voltage VGH, so that the latter Q node voltage input terminal ( The voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH is input to Q_NEXT, and the QB node QB of the second stage ST (2) has a second logic level voltage VGL, so The second logic level voltage VGL is input to the QB node voltage input terminal QB_NEXT.
Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제8 기간(t8) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charging and discharging
QB 노드 방전부(20)는 제8 기간(t8) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 유지한다. 제2 TFT(T2)는 제8 기간(t8) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제8 기간(t8) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제8 기간(t8) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)을 유지한다.The QB
QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제8 기간(t8) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제8 기간(t8) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제9 TFT(T9)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 반전 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압으로 충전된다.The eighth TFT T8 of the Q
출력부(50)는 제8 기간(t8) 동안 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)을 유지하므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The
아홉 번째로, 도 3과 도 4i를 참조하여 제9 기간(t9) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제9 기간(t9) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제9 기간(t9) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Ninth, an operation of the first stage ST (1) during the ninth period t9 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4I. During the ninth period t9, the start signal VST of the second logic level voltage VGL is input to the start terminal START, and the clock signal of the first logic level voltage VGH is input to the first clock terminal CLK1. CLK is input, and the inverted clock signal CLKB of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the second stage ST (2) has a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH during the ninth period t9, the rear Q node voltage input terminal The voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH is input to Q_NEXT, and the QB node QB of the second stage ST (2) has a second logic level voltage VGL, so The second logic level voltage VGL is input to the QB node voltage input terminal QB_NEXT.
Q 노드 충방전부(10)는 제9 기간(t9) 동안 Q 노드(Q)를 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전한다. 제1 TFT(T1)는 제9 기간(t9) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 스타트 신호(VST)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전된다.The Q node charging and discharging
QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제9 기간(t9) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 스타트 신호(VST)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전된다. 제3 TFT(T3)는 제9 기간(t9) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제9 기간(t9) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB
QB 노드 충전부(30)는 제9 기간(t9) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제9 기간(t9) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제9 기간(t9) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제9 기간(t9) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제10 TFT(T10)의 턴-오프로 인해, 제3 노드(N3)는 플로팅된다.The eighth TFT T8 of the Q
출력부(50)는 제9 기간(t9) 동안 저전위 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The
열 번째로, 도 3과 도 4j를 참조하여 제10 기간(t10) 동안 제1 스테이지(ST(1))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제10 기간(t10) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 스타트 신호(VST)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 또한, 제10 기간(t10) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.Tenth, an operation of the first stage ST (1) during the tenth period t10 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4J. During the tenth period t10, the start signal VST of the second logic level voltage VGL is input to the start terminal START, and the clock signal of the second logic level voltage VGL to the first clock terminal CLK1. CLK is input, and the inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the second stage ST (2) has the second logic level voltage VGL during the tenth period t10, the second logic level is included in the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT. Since the voltage VGL is input and the QB node QB of the second stage ST (2) has the first logic level voltage VGH, the first logic level voltage is applied to the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT. (VGH) is input.
Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제10 기간(t10) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charging and discharging
QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제10 기간(t10) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제10 기간(t10) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제10 기간(t10) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB
QB 노드 충전부(30)는 제10 기간(t10) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제10 기간(t10) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제10 기간(t10) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제10 기간(t10) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)의 턴-오프와 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q
출력부(50)는 제10 기간(t10) 동안 저전위 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제1 스테이지(ST(1))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다.The
제1 스테이지(ST(1))는 제10 기간(t10) 이후부터 그 다음 프레임 기간의 제1 기간(t1)까지, 제9 기간(t9)과 제10 기간(t10)의 동작을 반복 수행할 것이다.The first stage ST (1) may repeatedly perform operations of the ninth period t9 and the tenth period t10 from the tenth period t10 to the first period t1 of the next frame period. will be.
이상에서 살펴본 바와 같이, 제1 스테이지(ST(1))는 스타트 신호(VST)와 동일한 파형과 위상을 갖는 출력 신호(GOUT(1))를 출력한다. 하지만, 제2 내지 제n 스테이지들(ST(2)~ST(n)) 각각은 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 전단 캐리신호와 동일한 파형을 갖고, 위상은 소정의 기간만큼 지연된 출력 신호를 출력한다. 이하에서, 도 5와 도 6a 내지 도 6k를 결부하여 제2 내지 제n 스테이지들(ST(2)~ST(n)) 각각의 입력 신호들, 출력 신호들, 및 동작 방법에 대하여 상세히 설명한다.
As described above, the first stage ST (1) outputs an output signal GOUT (1) having the same waveform and phase as the start signal VST. However, each of the second to nth stages ST (2) to ST (n) has the same waveform as the front end carry signal input through the start terminal START, and the phase may output an output signal delayed by a predetermined period. Output Hereinafter, input signals, output signals, and an operation method of each of the second to nth stages ST (2) to ST (n) will be described in detail with reference to FIGS. 5 and 6A to 6K. .
도 5는 제2 스테이지의 입력 신호들과 출력 신호들의 일 예를 보여주는 파형도이다. 도 5에는 제2 스테이지(ST(2))의 입력 신호들로서 스타트 단자(START)로 입력되는 전단 캐리신호인 제1 스테이지(ST(1))의 출력 신호(GOUT(1)), 제1 클럭 단자(CLK1)로 입력되는 반전 클럭 신호(CLKB), 및 제2 클럭 단자(CLK2)로 입력되는 클럭 신호(CLK)가 나타나 있다. 즉, 제1 스테이지(ST(1))의 제1 클럭 단자(CLK1)에는 클럭 신호(CLK)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에는 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력됨에 반해, 제2 스테이지(ST(2))의 제1 클럭 단자(CLK1)에는 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에는 클럭 신호(CLK)가 입력되는 것에 주의하여야 한다.5 is a waveform diagram illustrating an example of input signals and output signals of a second stage. 5 shows an output signal GOUT (1) and a first clock of the first stage ST (1), which is a front carry signal input to the start terminal START as input signals of the second stage ST (2). The inverted clock signal CLKB input to the terminal CLK1 and the clock signal CLK input to the second clock terminal CLK2 are shown. That is, while the clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1 of the first stage ST (1) and the inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2, the second stage is input. Note that the inverted clock signal CLKB is input to the first clock terminal CLK1 of the ST (2) and the clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2.
또한, 도 5에는 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)로 입력되는 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드 전압(Q(3)), 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)로 입력되는 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드 전압(QB(3))이 나타나 있다. 또한, 도 5에는 제2 스테이지(ST(2))의 출력 신호들로서 Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT)로 출력되는 제2 스테이지(ST(2)) Q 노드 전압(Q(2)), QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT)로 출력되는 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드 전압(QB(2)), 및 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)로 출력되는 제2 출력 신호(GOUT(2))가 나타나 있다.In addition, in FIG. 5, the Q node voltage Q (3) of the third stage ST (3) input to the rear end Q node voltage input terminal Q_NEXT and the second QB node voltage input terminal QB_NEXT are input. The QB node voltage QB (3) of the three stages ST (3) is shown. 5, Q node voltage Q (2) and QB node output to Q node voltage output terminal Q_OUT as output signals of second stage ST (2). The QB node voltage QB (2) of the second stage ST (2) output to the voltage output terminal QB_OUT and the second output terminal OUT of the second stage ST (2). The output signal GOUT (2) is shown.
스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호와 동일한 파형을 가지나 위상은 소정의 기간만큼 지연되는 출력 신호를 출력단자(OUT)를 통해 출력한다. 제2 스테이지(ST(2))는 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 전단 캐리신호인 제1 출력 신호(GOUT(1))와 동일한 파형을 가지나 위상은 1 수평 기간(1H)만큼 지연된 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력단자(OUT)를 통해 출력한다. 도 5에서 제1 내지 제11 기간(t1~t11) 각각은 1 수평 기간(1H)인 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 한편, 도 5에 도시된 제1 출력 신호(GOUT(1))는 도 3에서 설명한 바와 같이 제1 스테이지(ST(1))의 스타트 단자에 입력되는 스타트 신호(VST)와 동일한 파형과 위상을 갖는다.Each of the stages ST (1) to ST (n) has the same waveform as the start signal VST or the front carry signal input through the start terminal START, but outputs an output signal whose phase is delayed by a predetermined period. Output through terminal (OUT). The second stage ST (2) has the same waveform as the first output signal GOUT (1), which is a front carry signal input through the start terminal START, but has a phase delayed by one horizontal period 1H. The output signal GOUT (2) is output through the output terminal OUT. In FIG. 5, each of the first to eleventh periods t1 to t11 is described as being one horizontal period 1H, but it should be noted that the present invention is not limited thereto. Meanwhile, as illustrated in FIG. 3, the first output signal GOUT (1) shown in FIG. 5 has the same waveform and phase as the start signal VST input to the start terminal of the first stage ST (1). Have
클럭 신호(CLK)는 소정의 기간을 주기로 발생하고, 반전 클럭 신호(CLKB)는 클럭 신호(CLK)를 반전시킨 신호이므로, 클럭 신호(CLK)와 동일한 주기로 발생한다. 그러므로, 도 5와 같이 클럭 신호(CLK)가 제1 로직 레벨 전압으로 발생하는 경우, 반전 클럭 신호(CLKB)는 제2 로직 레벨 전압으로 발생한다. 또한, 클럭 신호(CLK)가 제2 로직 레벨 전압으로 발생하는 경우, 반전 클럭 신호(CLKB)는 제1 로직 레벨 전압으로 발생한다. 도 5에서 제1 로직 레벨 전압은 게이트 하이 전압(VGH)이고, 제2 로직 레벨 전압은 게이트 로우 전압(VGL)인 것을 중심으로 설명하였다.The clock signal CLK is generated at a predetermined period, and the inverted clock signal CLKB is a signal obtained by inverting the clock signal CLK. Therefore, the clock signal CLK is generated at the same period as the clock signal CLK. Therefore, when the clock signal CLK is generated with the first logic level voltage as shown in FIG. 5, the inverted clock signal CLKB is generated with the second logic level voltage. In addition, when the clock signal CLK is generated with the second logic level voltage, the inverted clock signal CLKB is generated with the first logic level voltage. In FIG. 5, the first logic level voltage is the gate high voltage VGH and the second logic level voltage is the gate low voltage VGL.
제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드 전압(Q(3))은 제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드 전압(Q(2))보다 소정의 기간만큼 위상이 지연되어 발생한다. 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드 전압(QB(3))은 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드 전압(QB(2))보다 소정의 기간만큼 위상이 지연되어 발생한다. 도 5에서, 소정의 기간은 1 수평기간으로 구현된 것을 중심으로 설명하였다.The Q node voltage Q (3) of the third stage ST (3) is generated by delaying the phase by a predetermined period than the Q node voltage Q (2) of the second stage ST (2). . The QB node voltage QB (3) of the third stage ST (3) is generated by delaying the phase by a predetermined period than the QB node voltage QB (2) of the second stage ST (2). . In FIG. 5, the predetermined period has been described based on the implementation of one horizontal period.
제2 스테이지(ST(2))의 Q 노드 전압(Q(2)), 제2 스테이지(ST(2))의 QB 노드 전압(QB(2)), 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드 전압(Q(3)), 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드 전압(QB(3)), 및 제2 스테이지(ST(2))의 출력 신호(GOUT(2))에 대한 자세한 설명은 도 6a 내지 도 6k를 결부하여 설명한다.
The Q node voltage Q (2) of the second stage ST (2), the QB node voltage QB (2) of the second stage ST (2), and the third stage ST (3) To the Q node voltage Q (3), the QB node voltage QB (3) of the third stage ST (3), and the output signal GOUT (2) of the second stage ST (2). A detailed description will be given with reference to FIGS. 6A to 6K.
도 6a 내지 도 6k는 제1 내지 제11 기간 동안 제2 스테이지의 회로 동작을 보여주는 일 예시도면이다. 도 6a 내지 도 6k 각각은 제1 내지 제11 기간(t1~t11) 각각에서 제2 스테이지(ST(2))에 존재하는 TFT들의 턴-온 및 턴-오프 상태를 보여준다. 도 6a 내지 도 6k 각각에서는 턴-온된 TFT들을 동그라미로 표시하였다. 이하에서, 제1 로직 레벨 전압과 고전위 전압은 게이트 하이 전압(VGH)이고, 제2 로직 레벨 전압과 저전위 전압은 게이트 로우 전압(VGL)인 것을 중심으로 설명하였다.6A through 6K are exemplary diagrams illustrating a circuit operation of a second stage during the first to eleventh periods. 6A to 6K each show the turn-on and turn-off states of the TFTs present in the second stage ST (2) in each of the first to eleventh periods t1 to t11. In each of FIGS. 6A-6K, the turned-on TFTs are circled. In the following description, the first logic level voltage and the high potential voltage are the gate high voltage VGH, and the second logic level voltage and the low potential voltage are the gate low voltage VGL.
첫 번째로, 도 5와 도 6a를 참조하여 제1 기간(t1) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제1 기간(t1) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제1 기간(t1) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.First, the operation of the second stage ST (2) during the first period t1 will be described in detail with reference to FIGS. 5 and 6A. During the first period t1, the first output signal GOUT (1) of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START, and the second logic level voltage V1 is input to the first clock terminal CLK1. The inverted clock signal CLKB of the VGL is input, and the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the third stage ST (3) has the second logic level voltage VGL during the first period t1, the second logic level is included in the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT. Since the voltage VGL is input and the QB node QB of the third stage ST (3) has the first logic level voltage VGH, the first logic level voltage is applied to the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT. (VGH) is input.
Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제1 기간(t1) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charge /
QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제1 기간(t1) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제1 기간(t1) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제1 기간(t1) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB
QB 노드 충전부(30)는 제1 기간(t1) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제1 기간(t1) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제1 기간(t1) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제1 기간(t1) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)의 턴-오프와 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q
출력부(50)는 제1 기간(t1) 동안 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The
두 번째로, 도 5와 도 6b를 참조하여 제2 기간(t2) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제2 기간(t2) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제2 기간(t2) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.Secondly, the operation of the second stage ST (2) during the second period t2 will be described in detail with reference to FIGS. 5 and 6B. During the second period t2, the first output signal GOUT (1) of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START, and the first logic level voltage V1 is input to the first clock terminal CLK1. The inverted clock signal CLKB of VGH is input, and the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the third stage ST (3) has the second logic level voltage VGL during the second period t2, the second logic level is included in the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT. Since the voltage VGL is input and the QB node QB of the third stage ST (3) has the first logic level voltage VGH, the first logic level voltage is applied to the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT. (VGH) is input.
Q 노드 충방전부(10)는 제2 기간(t2) 동안 Q 노드(Q)를 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전한다. 제1 TFT(T1)는 제2 기간(t2) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 제1 출력 신호(GOUT(1))의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다.The Q node charging and discharging
QB 노드 방전부(20)는 제2 기간(t2) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 방전한다. 제2 TFT(T2)는 제2 기간(t2) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 제1 출력 신호(GOUT(1))의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다. 제3 TFT(T3)는 제2 기간(t2) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제2 기간(t2) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The QB
QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제2 기간(t2) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제2 기간(t2) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제2 기간(t2) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프되고, 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)의 턴-오프와 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q
출력부(50)는 제2 기간(t2) 동안 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)으로 충전되므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The
세 번째로, 도 5와 도 6c를 참조하여 제3 기간(t3) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제3 기간(t3) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제3 기간(t3) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Third, the operation of the second stage ST (2) during the third period t3 will be described in detail with reference to FIGS. 5 and 6C. During the third period t3, the first output signal GOUT (1) of the second logic level voltage VGH is input to the start terminal START, and the second logic level voltage V1 is input to the first clock terminal CLK1. The inverted clock signal CLKB of the VGL is input, and the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the third stage ST (3) has the first logic level voltage VGH during the third period t3, the first logic level is included in the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT. Since the voltage VGH is input and the QB node QB of the third stage ST (3) has the second logic level voltage VGL, the second logic level voltage is applied to the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT. (VGL) is input.
Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제3 기간(t3) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charge /
QB 노드 방전부(20)는 제3 기간(t3) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 유지한다. 제2 TFT(T2)는 제3 기간(t3) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제3 기간(t3) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제3 기간(t3) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)을 유지한다.The QB
QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제3 기간(t3) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제3 기간(t3) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB
Q 노드 부스트 제어부(40)는 제3 기간(t3) 동안 Q 노드(Q)의 전압을 부스트(boost)한다. 제8 TFT(T8)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제9 TFT(T9)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 클럭 신호(CLK)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다. 즉, 제3 기간(t3) 동안 제3 노드(N3)의 전압은 저전위 전압(VGL)에서 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 상승하며, 제3 노드(N3)의 전압 변화량은 제1 캐패시터(Cp)에 의해 Q 노드(Q)에 반영된다. 따라서, 제3 기간(t3) 동안 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')으로 상승한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 전압 상승으로 인해, 안정적으로 턴-온될 수 있는 장점이 있다.The Q node
출력부(50)는 제3 기간(t3) 동안 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)을 유지하므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The
네 번째로, 도 5와 도 6d를 참조하여 제4 기간(t4) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제4 기간(t4) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제4 기간(t4) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Fourth, an operation of the second stage ST (2) during the fourth period t4 will be described in detail with reference to FIGS. 5 and 6D. During the fourth period t4, the first output signal GOUT (1) of the second logic level voltage VGL is input to the start terminal START, and the first logic level voltage () to the first clock terminal CLK1. The inverted clock signal CLKB of VGH is input, and the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the third stage ST (3) has a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH during the fourth period t4, the subsequent Q node voltage input terminal The voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH is input to Q_NEXT, and the QB node QB of the third stage ST (3) has a second logic level voltage VGL, so The second logic level voltage VGL is input to the QB node voltage input terminal QB_NEXT.
Q 노드 충방전부(10)는 제4 기간(t4) 동안 Q 노드(Q)를 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전한다. 제1 TFT(T1)는 제4 기간(t4) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 제1 출력 신호(GOUT(1)))의 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전된다.The Q node charging and discharging
QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제4 기간(t4) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 제1 출력 신호(GOUT(1))의 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전된다. 제3 TFT(T3)는 제4 기간(t4) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제4 기간(t4) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB
QB 노드 충전부(30)는 제4 기간(t4) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제4 기간(t4) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제4 기간(t4) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제4 기간(t4) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제10 TFT(T10)의 턴-오프로 인해, 제3 노드(N3)는 플로팅된다.The eighth TFT T8 of the Q node
출력부(50)는 제4 기간(t4) 동안 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The
다섯 번째로, 도 5와 도 6e를 참조하여 제5 기간(t5) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제5 기간(t5) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제5 기간(t5) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.Fifth, an operation of the second stage ST (2) during the fifth period t5 will be described in detail with reference to FIGS. 5 and 6E. During the fifth period t5, the first output signal GOUT (1) of the second logic level voltage VGL is input to the start terminal START, and the second logic level voltage V1 is input to the first clock terminal CLK1. The inverted clock signal CLKB of the VGL is input, and the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the third stage ST (3) has the second logic level voltage VGL during the fifth period t5, the second logic level is included in the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT. Since the voltage VGL is input and the QB node QB of the third stage ST (3) has the first logic level voltage VGH, the first logic level voltage is applied to the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT. (VGH) is input.
Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제5 기간(t5) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charge /
QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제5 기간(t5) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제5 기간(t5) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제5 기간(t5) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB
QB 노드 충전부(30)는 제5 기간(t5) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제5 기간(t5) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제5 기간(t5) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제5 기간(t5) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)의 턴-오프와 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q
출력부(50)는 제5 기간(t5) 동안 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The
여섯 번째로, 도 5와 도 6f를 참조하여 제6 기간(t6) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제6 기간(t6) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제6 기간(t6) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.Sixth, an operation of the second stage ST (2) during the sixth period t6 will be described in detail with reference to FIGS. 5 and 6F. During the sixth period t6, the first output signal GOUT (1) of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START, and the first logic level voltage V1 is input to the first clock terminal CLK1. The inverted clock signal CLKB of VGH is input, and the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the third stage ST (3) has the second logic level voltage VGL during the sixth period t6, the second logic level is included in the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT. Since the voltage VGL is input and the QB node QB of the third stage ST (3) has the first logic level voltage VGH, the first logic level voltage is applied to the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT. (VGH) is input.
Q 노드 충방전부(10)는 제6 기간(t6) 동안 Q 노드(Q)를 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전한다. 제1 TFT(T1)는 제6 기간(t6) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 턴-온된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 제1 출력 신호(GOUT(1))의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다.The Q node charging and discharging
QB 노드 방전부(20)는 제6 기간(t6) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 방전한다. 제2 TFT(T2)는 제6 기간(t6) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 제1 출력 신호(GOUT(1))의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다. 제3 TFT(T3)는 제6 기간(t6) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제6 기간(t6) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The QB
QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제6 기간(t6) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제6 기간(t6) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제6 기간(t6) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q
출력부(50)는 제6 기간(t6) 동안 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)으로 충전되므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The
일곱 번째로, 도 5와 도 6g를 참조하여 제7 기간(t7) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제7 기간(t7) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제7 기간(t7) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Seventh, an operation of the second stage ST (2) during the seventh period t7 will be described in detail with reference to FIGS. 5 and 6G. During the seventh period t7, the first output signal GOUT (1) of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START, and the second logic level voltage () to the first clock terminal CLK1. The inverted clock signal CLKB of the VGL is input, and the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the third stage ST (3) has the first logic level voltage VGH during the seventh period t7, the first logic level is included in the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT. Since the voltage VGH is input and the QB node QB of the third stage ST (3) has the second logic level voltage VGL, the second logic level voltage is applied to the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT. (VGL) is input.
Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제7 기간(t7) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charge /
QB 노드 방전부(20)는 제7 기간(t7) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 유지한다. 제2 TFT(T2)는 제7 기간(t7) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제7 기간(t7) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제7 기간(t7) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)을 유지한다.The QB
QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제7 기간(t7) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제7 기간(t7) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB
Q 노드 부스트 제어부(40)는 제7 기간(t7) 동안 Q 노드(Q)의 전압을 부스트(boost)한다. 제8 TFT(T8)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제9 TFT(T9)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 클럭 신호(CLKB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다. 즉, 제7 기간(t7) 동안 제3 노드(N3)의 전압은 저전위 전압(VGL)에서 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 상승하며, 제3 노드(N3)의 전압 변화량은 제1 캐패시터(Cp)에 의해 Q 노드(Q)에 반영된다. 따라서, 제7 기간(t7) 동안 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')으로 상승한다.The Q
출력부(50)는 제7 기간(t7) 동안 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)을 유지하므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The
여덟 번째로, 도 5와 도 6h를 참조하여 제8 기간(t8) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제8 기간(t8) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제8 기간(t8) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Eighth, the operation of the second stage ST (2) during the eighth period t8 will be described in detail with reference to FIGS. 5 and 6H. During the eighth period t8, the first output signal GOUT (1) of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START, and the first logic level voltage V1 is input to the first clock terminal CLK1. The inverted clock signal CLKB of VGH is input, and the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. In addition, during the eighth period t8, the Q node Q of the third stage ST (3) has a voltage VGH ′ that is higher than the first logic level voltage VGH, so that the latter Q node voltage input terminal The voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH is input to Q_NEXT, and the QB node QB of the third stage ST (3) has a second logic level voltage VGL, so The second logic level voltage VGL is input to the QB node voltage input terminal QB_NEXT.
Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)의 게이트 전극에는 제8 기간(t8) 동안 턴-온 전압인 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력된다. 하지만, 제1 TFT(T1)의 소스 전극에 접속된 Q 노드(Q)의 전압이 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높기 때문에, Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 유지한다.The inverted clock signal CLKB of the first logic level voltage VGH, which is a turn-on voltage, is input to the gate electrode of the first TFT T1 of the Q node charge /
QB 노드 방전부(20)는 제8 기간(t8) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 유지한다. 제2 TFT(T2)는 제8 기간(t8) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 스타트 신호(VST)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)으로 충전된다. 제3 TFT(T3)는 제8 기간(t8) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제8 기간(t8) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The QB
QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제8 기간(t8) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제8 기간(t8) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제8 기간(t8) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제10 TFT(T10)의 턴-오프으로 인해, 제3 노드(N3)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 유지한다.The eighth TFT T8 of the Q
출력부(50)는 제8 기간(t8) 동안 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)으로 충전되므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The
아홉 번째로, 도 5와 도 6i를 참조하여 제9 기간(t9) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제9 기간(t9) 동안 스타트 단자(START)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제9 기간(t9) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Ninth, an operation of the second stage ST (2) during the ninth period t9 will be described in detail with reference to FIGS. 5 and 6I. During the ninth period t9, the first output signal GOUT (1) of the first logic level voltage VGH is input to the start terminal START, and the second logic level voltage is input to the first clock terminal CLK1. The inverted clock signal CLKB of the VGL is input, and the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the third stage ST (3) has a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH during the ninth period t9, the latter Q node voltage input terminal ( The voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH is input to Q_NEXT, and the QB node QB of the third stage ST (3) has a second logic level voltage VGL, so The second logic level voltage VGL is input to the QB node voltage input terminal QB_NEXT.
Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제9 기간(t9) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charge /
QB 노드 방전부(20)는 제9 기간(t9) 동안 QB 노드(QB)를 저전위 전압(VGL)으로 유지한다. 제2 TFT(T2)는 제9 기간(t9) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제9 기간(t9) 동안 제1 노드(N1)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 TFT(T4)는 제9 기간(t9) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)을 유지한다.The QB
QB 노드 충전부(30)의 제7 TFT(T7)는 제9 기간(t9) 동안 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제7 TFT(T7)의 턴-온으로 인해, 제2 노드(N2)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제9 기간(t9) 동안 제2 노드(N2)의 저전위 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제6 TFT(T6)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)에는 고전위 전압(VGH)이 공급되지 않는다.The seventh TFT T7 of the QB
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제9 TFT(T9)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 클럭 신호(CLK)의 제1 로직 레벨 전압으로 충전된다.The eighth TFT T8 of the Q
출력부(50)는 제9 기간(t9) 동안 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 풀-업 TFT(TU)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 고전위 전압(VGH)을 유지하므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 고전위 전압(VGH)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The
열 번째로, 도 5와 도 6j를 참조하여 제10 기간(t10) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제10 기간(t10) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제10 기간(t10) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력된다.Tenth, the operation of the second stage ST (2) during the tenth period t10 will be described in detail with reference to FIGS. 5 and 6J. During the tenth period t10, the first output signal GOUT (1) of the second logic level voltage VGL is input to the start terminal START, and the first logic level voltage V1 is input to the first clock terminal CLK1. The inverted clock signal CLKB of VGH is input, and the clock signal CLK of the second logic level voltage VGL is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the third stage ST (3) has a voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH during the tenth period t10, the latter Q node voltage input terminal The voltage VGH 'higher than the first logic level voltage VGH is input to Q_NEXT, and the QB node QB of the third stage ST (3) has a second logic level voltage VGL, so The second logic level voltage VGL is input to the QB node voltage input terminal QB_NEXT.
Q 노드 충방전부(10)는 제10 기간(t10) 동안 Q 노드(Q)를 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전한다. 제1 TFT(T1)는 제10 기간(t10) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제1 TFT(T1)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 제1 출력 신호(GOUT(1))의 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전된다.The Q node charging and discharging
QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제10 기간(t10) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제2 TFT(T2)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 제1 출력 신호(GOUT(1))의 제2 로직 레벨 전압(VGL)으로 방전된다. 제3 TFT(T3)는 제10 기간(t10) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제10 기간(t10) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB
QB 노드 충전부(30)는 제10 기간(t10) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제10 기간(t10) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제10 기간(t10) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제10 기간(t10) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 클럭 신호(CLK)에 의해 턴-오프된다. 제9 TFT(T9)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)보다 높은 전압(VGH')에 응답하여 턴-온된다. 제10 TFT(T10)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제8 TFT(T8)와 제10 TFT(T10)의 턴-오프로 인해, 제3 노드(N3)는 플로팅된다.The eighth TFT T8 of the Q
출력부(50)는 제10 기간(t10) 동안 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The
열한 번째로, 도 5와 도 6k를 참조하여 제11 기간(t11) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제11 기간(t11) 동안 스타트 단자(START)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)가 입력된다. 또한, 제11 기간(t11) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드(Q)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)을 가지므로 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제2 로직 레벨 전압(VGL)이 입력되고, 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드(QB)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)을 가지므로 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제1 로직 레벨 전압(VGH)이 입력된다.Eleventh, the operation of the second stage ST (2) during the eleventh period t11 will be described in detail with reference to FIGS. 5 and 6K. During the eleventh period t11, the first output signal GOUT (1) of the second logic level voltage VGL is input to the start terminal START, and the second logic level voltage V1 is input to the first clock terminal CLK1. The inverted clock signal CLKB of the VGL is input, and the clock signal CLK of the first logic level voltage VGH is input to the second clock terminal CLK2. In addition, since the Q node Q of the third stage ST (3) has the second logic level voltage VGL during the eleventh period t11, the second logic level is included in the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT. Since the voltage VGL is input and the QB node QB of the third stage ST (3) has the first logic level voltage VGH, the first logic level voltage is applied to the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT. (VGH) is input.
Q 노드 충방전부(10)의 제1 TFT(T1)는 제11 기간(t11) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다.The first TFT T1 of the Q node charge /
QB 노드 방전부(20)의 제2 TFT(T2)는 제11 기간(t11) 동안 제2 로직 레벨 전압(VGL)의 반전 클럭 신호(CLKB)에 의해 턴-오프된다. 제2 TFT(T2)의 턴-오프로 인해, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 제3 TFT(T3)는 제11 기간(t11) 동안 제1 노드(N1)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제4 TFT(T4)는 제11 기간(t11) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프된다. 제3 TFT(T3)와 제4 TFT(T4)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되지 않는다.The second TFT T2 of the QB
QB 노드 충전부(30)는 제11 기간(t11) 동안 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VGH)으로 충전한다. 제7 TFT(T7)는 제11 기간(t11) 동안 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제7 TFT(T7)의 턴-오프로 인해, 제2 노드(N2)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다. 따라서, 제6 TFT(T6)는 제11 기간(t11) 동안 제2 노드(N2)의 고전위 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제6 TFT(T6)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압(VGH)으로 충전된다.The
Q 노드 부스트 제어부(40)의 제8 TFT(T8)는 제11 기간(t11) 동안 제1 로직 레벨 전압(VGH)의 클럭 신호(CLK)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)는 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프된다. 제10 TFT(T10)는 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제9 TFT(T9)의 턴-오프와 제10 TFT(T10)의 턴-온으로 인해, 제3 노드(N3)는 저전위 전압(VGL)으로 방전된다.The eighth TFT T8 of the Q
출력부(50)는 제11 기간(t11) 동안 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 풀-업 TFT(TU)는 Q 노드(Q)의 제2 로직 레벨 전압(VGL)에 의해 턴-오프되고, 풀-다운 TFT(TD)는 QB 노드(QB)의 제1 로직 레벨 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 풀-다운 TFT(TD)의 턴-온으로 인해, 출력 노드(NO)는 저전위 전압(VGL)으로 방전되므로, 제2 스테이지(ST(2))의 출력단자(OUT)는 저전위 전압(VGL)의 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다.The
제2 스테이지(ST(2))는 제11 기간(t11) 이후부터 그 다음 프레임 기간의 제1 기간(t1) 전까지, 제10 기간(t11)과 제11 기간(t11)의 동작을 반복 수행할 것이다.The second stage ST (2) may repeatedly perform operations of the tenth period t11 and the eleventh period t11 after the eleventh period t11 and before the first period t1 of the next frame period. will be.
이상에서 살펴본 바와 같이, 제2 스테이지(ST(2))는 전단 캐리신호와 동일한 파형을 갖고, 위상이 소정의 기간만큼 지연된 제2 출력 신호(GOUT(2))를 출력한다. 한편, 도 6a 내지 도 6k를 결부하여 설명한 제2 스테이지(ST(2))의 동작 방법은 하나의 실시 예임에 주의하여야 한다. 즉, 제1 클럭 단자(CLK1)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되고, 제2 클럭 단자(CLK2)에 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 스타트 단자(START)에 전단 캐리신호가 입력되는 제k 스테이지(ST(k))의 동작 방법은 도 6a 내지 도 6k을 결부하여 설명한 제2 스테이지(ST(2))의 동작 방법과 같다. 따라서, 제1 클럭 단자(CLK1)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되고, 제2 클럭 단자(CLK2)에 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 스타트 단자(START)에 전단 캐리신호가 입력되는 제k 스테이지(ST(k))는 전단 캐리신호와 동일한 파형을 갖고, 위상이 소정의 기간만큼 지연된 제k 출력 신호(GOUT(k))를 출력한다.
As described above, the second stage ST (2) outputs the second output signal GOUT (2) having the same waveform as the previous carry signal and having a phase delayed by a predetermined period. On the other hand, it should be noted that the operation method of the second stage ST (2) described with reference to FIGS. 6A to 6K is one embodiment. That is, the inverted clock signal CLKB is input to the first clock terminal CLK1, the clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2, and the front carry signal is input to the start terminal START. The operation method of the k stage ST (k) is the same as the operation method of the second stage ST (2) described with reference to FIGS. 6A to 6K. Therefore, the inverted clock signal CLKB is input to the first clock terminal CLK1, the clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2, and the front carry signal is input to the start terminal START. The k stage ST (k) has the same waveform as the previous carry signal and outputs the kth output signal GOUT (k) whose phase is delayed by a predetermined period.
도 7은 제3 스테이지의 입력 신호들과 출력 신호의 일 예를 보여주는 파형도이다. 도 7에는 제3 스테이지(ST(3))의 입력 신호들로서 스타트 단자(START)로 입력되는 전단 캐리신호인 제2 스테이지(ST(2))의 출력 신호(GOUT(2)), 제1 클럭 단자(CLK1)로 입력되는 클럭 신호(CLK), 및 제2 클럭 단자(CLK2)로 입력되는 반전 클럭 신호(CLKB)가 나타나 있다. 즉, 제1 스테이지(ST(1))와 제3 스테이지(ST(3))의 제1 클럭 단자(CLK1)에는 클럭 신호(CLK)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에는 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력됨에 반해, 제2 스테이지(ST(2))의 제1 클럭 단자(CLK1)에는 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에는 클럭 신호(CLK)가 입력되는 것에 주의하여야 한다.7 is a waveform diagram illustrating an example of input signals and output signals of a third stage. 7 shows an output signal GOUT (2) and a first clock of the second stage ST (2), which is a front carry signal input to the start terminal START as input signals of the third stage ST (3). The clock signal CLK input to the terminal CLK1 and the inverted clock signal CLKB input to the second clock terminal CLK2 are shown. That is, the clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1 of the first stage ST (1) and the third stage ST (3), and the inverted clock signal (CLK2) is input to the second clock terminal CLK2. While the CLKB is input, the inverted clock signal CLKB is input to the first clock terminal CLK1 of the second stage ST (2) and the clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2. Note that
또한, 도 7에는 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)로 입력되는 제4 스테이지(ST(4))의 Q 노드 전압(Q(4)), 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)로 입력되는 제4 스테이지(ST(4))의 QB 노드 전압(QB(4))이 나타나 있다. 또한, 도 7에는 제3 스테이지(ST(3))의 출력 신호들로서 Q 노드 전압 출력단자(Q_OUT)로 출력되는 제3 스테이지(ST(3)) Q 노드 전압(Q(3)), QB 노드 전압 출력단자(QB_OUT)로 출력되는 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드 전압(QB(3)), 및 제3 스테이지(ST(3))의 출력단자(OUT)로 출력되는 제3 출력 신호(GOUT(3))가 나타나 있다.In addition, in FIG. 7, the Q node voltage Q (4) of the fourth stage ST (4), which is input to the rear Q node voltage input terminal Q_NEXT, and the second QB node voltage input terminal QB_NEXT, are input. The QB node voltage QB (4) of the four stages ST (4) is shown. In addition, in FIG. 7, the Q stage voltage Q (3) and the QB node of the third stage ST (3) output to the Q node voltage output terminal Q_OUT as output signals of the third stage ST (3). QB node voltage QB (3) of third stage ST (3) output to voltage output terminal QB_OUT, and third output to output terminal OUT of third stage ST (3). The output signal GOUT (3) is shown.
스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 신호(VST) 또는 전단 캐리신호와 동일한 파형을 가지나 위상은 소정의 기간만큼 지연되는 출력 신호를 출력단자(OUT)를 통해 출력한다. 제3 스테이지(ST(3))는 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 전단 캐리신호인 제2 출력 신호(GOUT(2))와 동일한 파형을 가지나 위상은 1 수평 기간(1H)만큼 지연된 제3 출력 신호(GOUT(3))를 출력단자(OUT)를 통해 출력한다. 도 7에서 제2 내지 제12 기간(t2~t12) 각각은 1 수평 기간(1H)인 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다.Each of the stages ST (1) to ST (n) has the same waveform as the start signal VST or the front carry signal input through the start terminal START, but outputs an output signal whose phase is delayed by a predetermined period. Output through terminal (OUT). The third stage ST (3) has the same waveform as the second output signal GOUT (2), which is the front carry signal input through the start terminal START, but has a phase delayed by one horizontal period 1H. The output signal GOUT (3) is output through the output terminal OUT. In FIG. 7, each of the second to twelfth periods t2 to t12 is one horizontal period 1H, but it should be noted that the present invention is not limited thereto.
클럭 신호(CLK)는 소정의 기간을 주기로 발생하고, 반전 클럭 신호(CLKB)는 클럭 신호(CLK)를 반전시킨 신호이므로, 클럭 신호(CLK)와 동일한 주기로 발생한다. 그러므로, 도 7과 같이 클럭 신호(CLK)가 제1 로직 레벨 전압으로 발생하는 경우, 반전 클럭 신호(CLKB)는 제2 로직 레벨 전압으로 발생한다. 또한, 클럭 신호(CLK)가 제2 로직 레벨 전압으로 발생하는 경우, 반전 클럭 신호(CLKB)는 제1 로직 레벨 전압으로 발생한다. 도 7에서 제1 로직 레벨 전압은 게이트 하이 전압(VGH)이고, 제2 로직 레벨 전압은 게이트 로우 전압(VGL)인 것을 중심으로 설명하였다.The clock signal CLK is generated at a predetermined period, and the inverted clock signal CLKB is a signal obtained by inverting the clock signal CLK. Therefore, the clock signal CLK is generated at the same period as the clock signal CLK. Therefore, when the clock signal CLK is generated with the first logic level voltage as shown in FIG. 7, the inverted clock signal CLKB is generated with the second logic level voltage. In addition, when the clock signal CLK is generated with the second logic level voltage, the inverted clock signal CLKB is generated with the first logic level voltage. In FIG. 7, the first logic level voltage is the gate high voltage VGH and the second logic level voltage is the gate low voltage VGL.
제4 스테이지(ST(4))의 Q 노드 전압(Q(4))은 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드 전압(Q(3))보다 소정의 기간만큼 위상이 지연되어 발생한다. 제4 스테이지(ST(4))의 QB 노드 전압(QB(4))은 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드 전압(QB(3))보다 소정의 기간만큼 위상이 지연되어 발생한다. 도 7에서, 소정의 기간은 1 수평기간으로 구현된 것을 중심으로 설명하였다.The Q node voltage Q (4) of the fourth stage ST (4) is generated by delaying the phase by a predetermined period than the Q node voltage Q (3) of the third stage ST (3). . The QB node voltage QB (4) of the fourth stage ST (4) is generated by delaying the phase by a predetermined period than the QB node voltage QB (3) of the third stage ST (3). . In FIG. 7, the predetermined period has been described based on the implementation of one horizontal period.
한편, 제2 내지 제12 기간(t2~t12) 동안 제3 스테이지(ST(3))의 동작 방법은 도 6a 내지 도 6k를 결부하여 설명한 제1 내지 제11 기간(t1~t11) 동안 제2 스테이지(ST(2))의 동작 방법과 같다. 따라서, 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드 전압(Q(3)), 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드 전압(QB(3)), 제4 스테이지(ST(4))의 Q 노드 전압(Q(4)), 제4 스테이지(ST(4))의 QB 노드 전압(QB(4)), 및 제3 스테이지(ST(3))의 제3 출력 신호(GOUT(3))에 대한 설명도 도 6a 내지 도 6k를 결부하여 설명한 바와 같다. 다만, 제2 스테이지(ST(2))의 스타트 단자(START)에는 제1 출력 신호(GOUT(1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 클럭 신호(CLK)가 입력되고, 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제3 스테이지(ST(3))의 Q 노드 전압(Q(3))이 입력되며, 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제3 스테이지(ST(3))의 QB 노드 전압(Q(3))이 입력된다. 하지만, 제3 스테이지(ST(3))의 스타트 단자(START)에는 제2 출력 신호(GOUT2)가 입력되고, 제1 클럭 단자(CLK1)에 클럭 신호(CLK)가 입력되며, 제2 클럭 단자(CLK2)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되고, 후단 Q 노드 전압 입력단자(Q_NEXT)에는 제4 스테이지(ST(4))의 Q 노드 전압(Q(4))이 입력되며, 후단 QB 노드 전압 입력단자(QB_NEXT)에는 제4 스테이지(ST(4))의 QB 노드 전압(Q(4))이 입력되는 것에 주의하여야 한다.Meanwhile, the operation method of the third stage ST (3) during the second to twelfth periods t2 to t12 is the second method during the first to eleventh periods t1 to t11 described with reference to FIGS. 6A to 6K. The operation method of the stage ST (2) is the same. Therefore, the Q node voltage Q (3) of the third stage ST (3), the QB node voltage QB (3) of the third stage ST (3), and the fourth stage ST (4). Q node voltage Q (4) of Q3, QB node voltage QB (4) of fourth stage ST (4), and third output signal GOUT (3) of third stage ST (3). 3)) is also described with reference to FIGS. 6A to 6K. However, the first output signal GOUT (1) is input to the start terminal START of the second stage ST (2), and the inverted clock signal CLKB is input to the first clock terminal CLK1. The clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2, and the Q node voltage Q (3) of the third stage ST (3) is input to the subsequent Q node voltage input terminal Q_NEXT. The QB node voltage Q (3) of the third stage ST (3) is input to the subsequent QB node voltage input terminal QB_NEXT. However, the second output signal GOUT2 is input to the start terminal START of the third stage ST (3), the clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1, and the second clock terminal is provided. The inverted clock signal CLKB is input to the CLK2, the Q node voltage Q (4) of the fourth stage ST (4) is input to the rear Q node voltage input terminal Q_NEXT, and the rear QB node. Note that the QB node voltage Q (4) of the fourth stage ST (4) is input to the voltage input terminal QB_NEXT.
결국, 제3 스테이지(ST(3))는 전단 캐리신호와 동일한 파형을 갖고, 위상이 소정의 기간만큼 지연된 제3 출력 신호(GOUT(3))를 출력한다. 제1 클럭 단자(CLK1)에 클럭 신호(CLK)가 입력되고, 제2 클럭 단자(CLK2)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 스타트 단자(START)에 전단 캐리신호가 입력되는 제k 스테이지(ST(k))의 동작 방법은 도 7을 결부하여 설명한 제3 스테이지(ST(3))의 동작 방법과 같다. 따라서, 제1 클럭 단자(CLK1)에 클럭 신호(CLK)가 입력되고, 제2 클럭 단자(CLK2)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며, 스타트 단자(START)에 전단 캐리신호가 입력되는 제k 스테이지(ST(k))는 전단 캐리신호와 동일한 파형을 갖고, 위상이 소정의 기간만큼 지연된 제k 출력 신호(GOUT(k))를 출력한다.As a result, the third stage ST (3) outputs the third output signal GOUT (3) having the same waveform as the previous carry signal and having a phase delayed by a predetermined period. Kth stage in which the clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1, the inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2, and the front carry signal is input to the start terminal START. The operation method of ST (k) is the same as the operation method of the third stage ST (3) described with reference to FIG. Therefore, the clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1, the inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2, and the front carry signal is input to the start terminal START. The k stage ST (k) has the same waveform as the previous carry signal and outputs the kth output signal GOUT (k) whose phase is delayed by a predetermined period.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터는 제1 내지 제n 스테이지들(ST(1)~ST(n))을 포함하는데, 제1 클럭 단자(CLK1)에 클럭 신호(CLK)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며 스타트 단자(START)에 스타트 신호(VST)가 입력되는 제1 스테이지(ST(1))는 도 3과 도 4a 내지 도 4j를 결부하여 설명한 바와 같이 동작한다. 제1 클럭 단자(CLK1)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에 클럭 신호(CLK)가 입력되며 스타트 단자(START)에 전단 캐리신호가 입력되는 제k 스테이지(ST(k))는 도 5와 도 6a 내지 도 6k를 결부하여 설명한 바와 같이 동작한다. 마지막으로, 제1 클럭 단자(CLK1)에 클럭 신호(CLK)가 입력되고 제2 클럭 단자(CLK2)에 반전 클럭 신호(CLKB)가 입력되며 스타트 단자(START)에 전단 캐리신호가 입력되는 제k 스테이지(ST(k))는 도 7을 결부하여 설명한 바와 같이 동작한다.
As described above, the shift register according to an embodiment of the present invention includes first to nth stages ST (1) to ST (n), and the clock signal CLK is applied to the first clock terminal CLK1. ) And the inverted clock signal CLKB are input to the second clock terminal CLK2 and the start signal VST is input to the start terminal START. It operates as described in conjunction with FIG. 4J. The k-th stage ST in which the inverted clock signal CLKB is input to the first clock terminal CLK1, the clock signal CLK is input to the second clock terminal CLK2, and the front carry signal is input to the start terminal START. (k) operates as described in conjunction with FIGS. 5 and 6A to 6K. Finally, the k th clock signal CLK is input to the first clock terminal CLK1, the inverted clock signal CLKB is input to the second clock terminal CLK2, and the front carry signal is input to the start terminal START. The stage ST (k) operates as described with reference to FIG.
도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 제k 스테이지의 회로 구성의 일 예를 보여주는 회로도이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 제k 스테이지(ST(k))의 Q 노드(Q)의 충방전을 제어하는 Q 노드 충방전부(10), QB 노드(QB)의 방전을 제어하는 QB 노드 방전부(20), QB 노드(QB)의 충전을 제어하는 QB 노드 충전부(30), Q 노드(Q)의 전압 부스트(boost)를 제어하는 Q 노드 부스트 제어부(40), 및 Q 노드(Q)와 QB 노드(QB)의 전압에 따라 출력 단자(OUT)에 접속된 출력 노드(NO)를 고전위 전압으로 충전하거나 저전위 전압으로 방전시키는 출력부(50)를 포함한다.8 is a circuit diagram illustrating an example of a circuit configuration of a k-th stage according to the second embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8, the Q node charging / discharging
본 발명의 제2 실시 예에 따른 제k 스테이지(ST(k))의 Q 노드 충방전부(10), QB 노드 방전부(20), Q 노드 부스트 제어부(40), 및 출력부(50)는 도 2를 결부하여 설명한 본 발명의 제1 실시 예와 실질적으로 동일하게 구현될 수 있으므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다. 다만, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 제k 스테이지(ST(k))의 QB 노드 충전부(30)는 본 발명의 제1 실시 예와 다르게 구현되며, 이하에서 이에 대하여 상세히 설명한다.The Q node charging and discharging
도 8을 참조하면, QB 노드 충전부(30)는 고전위 전압 입력단자(VDDT)를 통해 입력되는 고전위 전압(VDD)에 응답하여 QB 노드(QB)를 고전위 전압(VDD)으로 충전한다. 이를 위해, QB 노드 충전부(30)는 고전위 전압(VDD)에 응답하여 QB 노드(QB)를 고전위 전압 입력단자(VDDT)에 접속시키는 제5 TFT(T5)를 포함한다. 제5 TFT(T5)는 고전위 전압(VDD)에 응답하여 QB 노드(QB)를 고전위 전압으로 충전한다. 제5 TFT(T5)의 게이트 전극과 드레인 전극은 고전위 전압 입력단자(VDDT)에 접속되고, 소스 전극은 QB 노드(QB)에 접속된다.Referring to FIG. 8, the
한편, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 제k 스테이지(ST(k))는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 제k 스테이지(ST(k))와 실질적으로 동일하게 동작되므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
Meanwhile, the k-th stage ST (k) according to the second embodiment of the present invention operates substantially the same as the k-th stage ST (k) according to the first embodiment of the present invention. The description will be omitted.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여주는 블록도이다. 도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동회로, 게이트 구동회로, 및 타이밍 콘트롤러(11) 등을 구비한다.9 is a block diagram schematically illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 9, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a
본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)를 게이트 라인(또는 스캔 라인)들에 순차적으로 공급하여 라인 순차 스캐닝으로 픽셀들에 디지털 비디오 데이터를 기입하는 어떠한 표시장치도 포함될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode, OLED), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 전기영동 표시장치(Electrophoresis, EPD) 중에 어느 하나로 구현될 수 있다. 본 발명은 아래의 실시예에서 표시장치가 유기발광다이오드 표시장치로 구현된 것을 중심으로 예시하였지만, 본 발명의 표시장치는 유기발광다이오드 표시장치에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다.A display device according to an embodiment of the present invention may include any display device that sequentially supplies gate pulses (or scan pulses) to gate lines (or scan lines) to write digital video data to pixels by line sequential scanning have. For example, a display device according to an embodiment of the present invention may include a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode (OLED), a field emission display (FED) , And an electrophoresis display (EPD). Although the present invention has been described in the following embodiments mainly on the display device being implemented as an organic light emitting diode display device, it should be noted that the display device of the present invention is not limited to the organic light emitting diode display device.
표시패널(10)에는 데이터 라인들과 적어도 하나 이상의 스위칭 신호라인 군이 형성된다. 하나의 스위칭 신호라인 군은 제1 내지 제n 스위칭 신호 라인들을 포함한다. 표시패널(10)은 매트릭스 형태로 화소들이 배치된 화소 어레이가 형성된다. 표시패널(10)의 화소들 각각은 적어도 하나 이상의 스위칭 TFT(thin film transistor), 구동 TFT, 유기발광다이오드 소자, 및 적어도 하나 이상의 캐패시터를 포함한다. 화소들 각각은 스위칭 TFT와 구동 TFT를 이용하여 유기발광다이오드 소자에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다. 표시패널(10)은 화소 구조에 따라 배면발광(Bottom emission), 및 전면발광(Top emission) 등의 형태로 화상을 표시할 수 있다.The
데이터 구동회로는 다수의 소스 드라이브 IC(12)들을 포함한다. 소스 드라이브 IC(12)들은 타이밍 콘트롤러(11)로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)를 입력 받는다. 소스 드라이브 IC(12)들 각각은 타이밍 콘트롤러(11)로부터의 소스 타이밍 제어신호에 응답하여 디지털 비디오 데이터(DATA)를 감마보상전압으로 변환하여 데이터 전압을 발생하고, 그 데이터 전압을 게이트 펄스에 동기되도록 표시패널(10)의 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(12)들은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정으로 표시패널(10)의 데이터 라인들에 접속될 수 있다.The data drive circuit includes a plurality of source drive
게이트 구동회로는 레벨 쉬프터(13)와 적어도 하나 이상의 쉬프트 레지스터(14)를 포함한다. 레벨 쉬프터(13)는 타이밍 콘트롤러(11)로부터 입력되는 클럭 신호들(CLK, CLKB)의 TTL(Transistor-Transistor- Logic) 로직 레벨 전압을 제1 로직 레벨 전압과 제2 로직 레벨 전압으로 레벨 쉬프팅한다. 레벨 쉬프트된 클럭들(CLK, CLKB)은 적어도 하나 이상의 쉬프트 레지스터(14)로 입력된다. 쉬프트 레지스터(14)는 표시패널(10)의 하나의 스위칭 신호라인 군에 연결되어 스위칭 제어 신호를 순차적으로 출력한다. 즉, 쉬프트 레지스터(14)는 제1 내지 제n 신호 라인들에 스위칭 제어신호를 순차적으로 출력한다. 또한, 예를 들어, 유기발광다이오드 표시장치의 화소들 각각이 제1 내지 제3 스위칭 TFT들을 포함하는 경우, 게이트 구동회로는 제1 스위칭 TFT를 제어하기 위해 제1 스위칭 제어 신호를 제1 스위칭 신호라인 군에 공급하는 제1 쉬프트 레지스터, 제2 스위칭 TFT를 제어하기 위해 제2 스위칭 제어 신호를 제2 스위칭 신호라인 군에 공급하는 제2 쉬프트 레지스터, 및 제3 스위칭 TFT를 제어하기 위해 제3 스위칭 제어 신호를 제3 스위칭 신호라인 군에 공급하는 제3 쉬프트 레지스터를 포함할 수 있다.The gate driving circuit includes a
본 발명의 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터(14)는 두 개의 클럭 신호들을 이용하여 스타트 신호와 동일한 파형의 스위칭 제어 신호를 순차적으로 출력하므로, 복수의 쉬프트 레지스터들 각각에 입력되는 스타트 신호의 파형만을 다르게 하는 경우, 복수의 쉬프트 레지스터들은 서로 다른 파형의 복수의 스위칭 제어 신호들을 출력할 수 있다. 그 결과, 본 발명은 쉬프트 레지스터의 회로 설계 면적을 크게 줄일 수 있으므로, 표시장치의 베젤 영역을 줄일 수 있는 장점이 있다.Since the
쉬프트 레지스터(14)는 GIP(Gate Drive-IC In Panel) 방식으로 표시패널(10)의 하부 기판상에 직접 형성된다. GIP 방식에서, 레벨 쉬프터(13)는 인쇄회로보드(Printed Circuit Board)(15) 상에 실장된다. 쉬프트 레지스터(14)에 대하여는 도 1 내지 도 7을 결부하여 이미 앞에서 상세히 설명하였다.The
타이밍 콘트롤러(11)는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스, TMDS(Transition Minimized Differential Signaling) 인터페이스 등의 인터페이스를 통해 외부의 호스트 시스템으로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(DATA)를 소스 드라이브 IC(12)들로 전송한다. 또한, 타이밍 콘트롤러(11)는 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 수신회로를 통해 호스트 시스템으로부터 수직 동기신호, 수평 동기신호, 데이터 인에이블 신호, 메인 클럭 등의 타이밍 신호를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터의 타이밍 신호를 기준으로 데이터 구동회로와 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. 타이밍 제어신호들은 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호, 소스 드라이브 IC(12)들의 동작 타이밍과 데이터 전압의 극성을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호를 포함한다.The
게이트 타이밍 제어신호는 스타트 전압(VST)과 클럭 신호들(CLK, CLKB) 등을 포함한다. 스타트 전압(VST)은 쉬프트 레지스터(14)에 입력되어 쉬프트 레지스터(14)의 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 클럭 신호들(CLK, CLKB)은 레벨 쉬프터(13)에 입력되어 레벨 쉬프팅된 후에 쉬프트 레지스터(14)에 입력되어 쉬프트 레지스터(14)의 스테이지들 각각을 제어한다.The gate timing control signal includes a start voltage VST and clock signals CLK and CLKB. The start voltage VST is input to the
데이터 타이밍 제어신호(DCS)는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock), 극성(Polarity) 제어신호, 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable) 등을 포함한다. 소스 스타트 펄스는 소스 드라이브 IC(12)들의 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 소스 드라이브 IC(12)들 내에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭신호이다. 극성제어신호는 소스 드라이브 IC(12)들로부터 출력되는 데이터 전압의 극성을 제어한다. 타이밍 콘트롤러(11)와 소스 드라이브 IC(12)들 사이의 데이터 전송 인터페이스가 mini LVDS 인터페이스라면, 소스 스타트 펄스(SSP)와 소스 샘플링 클럭(SSC)은 생략될 수 있다.
The data timing control signal DCS includes a source start pulse, a source sampling clock, a polarity control signal, and a source output enable signal. The source start pulse controls the shift start timing of the source drive
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 쉬프트 레지스터는 두 개의 클럭 신호들을 이용하여 스타트 신호와 동일한 파형의 신호를 순차적으로 출력한다. 그 결과, 본 발명은 복수의 쉬프트 레지스터들 각각에 입력되는 스타트 신호의 파형만을 다르게 하는 경우, 복수의 쉬프트 레지스터들은 서로 다른 파형의 복수의 스위칭 제어 신호들을 출력할 수 있다. 이로 인해, 본 발명은 회로 설계 면적을 크게 줄일 수 있으므로, 표시장치의 베젤 영역을 줄일 수 있다.As described above, the shift register of the present invention sequentially outputs a signal having the same waveform as the start signal using two clock signals. As a result, when the present invention changes only the waveform of the start signal input to each of the plurality of shift registers, the plurality of shift registers may output a plurality of switching control signals having different waveforms. For this reason, the present invention can greatly reduce the circuit design area, and thus reduce the bezel area of the display device.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
10: 표시패널 11: 타이밍 콘트롤러
12: 소스 드라이브 IC 13: 레벨 쉬프터
14: 쉬프트 레지스터 15: 인쇄회로보드
10: Q 노드 전압 충방전부 20: QB 노드 전압 방전부
30: QB 노드 전압 충전부 40: Q 노드 부스트 제어부
50: 출력부10: Display panel 11: Timing controller
12: Source drive IC 13: Level shifter
14: shift register 15: printed circuit board
10: Q node voltage charge and discharge unit 20: QB node voltage discharge unit
30: QB node voltage charging section 40: Q node boost control section
50: output unit
Claims (20)
상기 스테이지들 각각은,
스타트 신호 또는 전단 캐리신호가 입력되는 스타트 단자, 클럭 신호와 상기 클럭 신호를 반전시킨 반전 클럭 신호가 입력되는 제1 클럭 단자와 제2 클럭 단자, 및 상기 스타트 단자에 입력된 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호와 동일한 파형의 신호를 출력하는 출력단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.It has a plurality of stages to sequentially generate the output,
Each of the stages includes:
A start terminal to which a start signal or a front carry signal is input, a first clock terminal and a second clock terminal to which a clock signal and an inverted clock signal inverting the clock signal are input, and the start signal or the front end input to the start terminal; And an output terminal for outputting a signal having the same waveform as the carry signal.
상기 스테이지들 각각은,
상기 제1 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호에 응답하여 Q 노드를 상기 스타트 단자를 통해 입력되는 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호로 충방전하는 Q 노드 충방전부;
상기 제1 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호와 상기 스타트 단자를 통해 입력되는 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호에 응답하여 상기 QB 노드를 저전위 전압으로 방전하는 QB 노드 방전부;
상기 QB 노드를 고전위 전압으로 충전하는 QB 노드 충전부; 및
상기 Q 노드의 전압에 응답하여 상기 고전위 전압을 상기 출력단자로 출력하고, 상기 QB 노드의 전압에 응답하여 상기 저전위 전압을 상기 출력단자로 출력하는 출력부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.The method of claim 1,
Each of the stages includes:
A Q node charging and discharging unit configured to charge and discharge a Q node with the start signal or the front carry signal input through the start terminal in response to the clock signal or the inverted clock signal input through the first clock terminal;
A QB node discharge unit configured to discharge the QB node to a low potential voltage in response to the clock signal or the inverted clock signal input through the first clock terminal and the start signal or the front carry signal input through the start terminal; ;
A QB node charger configured to charge the QB node to a high potential voltage; And
And a output unit configured to output the high potential voltage to the output terminal in response to the voltage of the Q node, and output the low potential voltage to the output terminal in response to the voltage of the QB node. .
상기 Q 노드 충방전부는,
상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 Q 노드를 상기 스타트 단자에 접속시키는 제1 TFT를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.3. The method of claim 2,
The Q node charging and discharging unit,
And a first TFT connecting the Q node to the start terminal in response to a first logic level voltage of the clock signal or the inverted clock signal.
상기 QB 노드 방전부는,
상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호의 상기 제1 로직 레벨 전압에 응답하여, 제1 노드를 상기 스타트 단자에 접속시키는 제2 TFT; 및
상기 제1 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 QB 노드를 상기 저전위 전압으로 방전하는 제3 TFT를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.The method of claim 3, wherein
The QB node discharge unit,
A second TFT connecting a first node to the start terminal in response to the first logic level voltage of the clock signal or the inverted clock signal; And
And a third TFT configured to discharge the QB node to the low potential voltage in response to a first logic level voltage of the first node.
상기 QB 노드 방전부는,
상기 Q 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 QB 노드를 상기 저전위 전압으로 방전하는 제4 TFT를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.5. The method of claim 4,
The QB node discharge unit,
And a fourth TFT configured to discharge the QB node to the low potential voltage in response to the first logic level voltage of the Q node.
상기 QB 노드 충전부는,
상기 고전위 전압에 응답하여 상기 QB 노드에 상기 고전위 전압을 공급하는 제5 TFT를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.The method of claim 5, wherein
The QB node charging unit,
And a fifth TFT supplying the high potential voltage to the QB node in response to the high potential voltage.
상기 QB 노드 충전부는,
상기 고전위 전압에 응답하여 상기 제2 노드에 상기 고전위 전압을 공급하는 제5 TFT;
상기 제2 노드의 고전위 전압에 응답하여 상기 QB 노드를 상기 고전위 전압으로 충전하는 제6 TFT; 및
상기 Q 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 제2 노드를 상기 저전위 전압으로 방전하는 제7 TFT를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.The method of claim 5, wherein
The QB node charging unit,
A fifth TFT supplying the high potential voltage to the second node in response to the high potential voltage;
A sixth TFT charging the QB node to the high potential voltage in response to the high potential voltage of the second node; And
And a seventh TFT configured to discharge the second node to the low potential voltage in response to the first logic level voltage of the Q node.
상기 출력부는,
상기 Q 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 출력단자에 접속된 출력 노드를 상기 고전위 전압으로 충전하는 풀-업 TFT; 및
상기 QB 노드의 고전위 전압에 응답하여 상기 출력 노드를 상기 저전위 전압으로 방전하는 풀-다운 TFT를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.The method of claim 7, wherein
The output unit includes:
A pull-up TFT charging an output node connected to the output terminal with the high potential voltage in response to a first logic level voltage of the Q node; And
And a pull-down TFT which discharges the output node to the low potential voltage in response to the high potential voltage of the QB node.
상기 출력부는,
상기 Q 노드와 상기 출력 노드 사이에 접속된 제1 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.The method of claim 8,
The output unit includes:
And a first capacitor connected between the Q node and the output node.
상기 스테이지들 각각은,
상기 제2 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호와 후단 Q 노드 전압 입력단자를 통해 입력되는 후단 스테이지의 Q 노드의 전압에 응답하여 제3 노드를 제1 로직 레벨 전압으로 충전하고, 후단 QB 노드 전압 입력단자를 통해 입력되는 상기 후단 스테이지의 QB 노드의 전압에 응답하여 상기 제3 노드를 상기 저전위 전압으로 방전하는 Q 노드 부스트 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.3. The method of claim 2,
Each of the stages includes:
The third node is charged to the first logic level voltage in response to the voltage of the Q node of the later stage inputted through the clock signal or the inverted clock signal input through the second clock terminal and the latter Q node voltage input terminal. And a Q node boost control unit configured to discharge the third node to the low potential voltage in response to a voltage of the QB node of the rear stage stage input through a rear end QB node voltage input terminal.
상기 Q 노드 부스트 제어부는,
상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호의 제1 로직 레벨 전압과 상기 후단 스테이지의 Q 노드의 제1 로직 레벨 전압에 응답하여 상기 제3 노드를 상기 제2 클럭 단자에 접속시키는 제8 TFT와 제9 TFT;
상기 후단 스테이지의 QB 노드의 고전위 전압에 응답하여 상기 제3 노드를 상기 저전위 전압으로 방전하는 제10 TFT; 및
상기 Q 노드와 상기 제3 노드 사이에 접속된 제2 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.11. The method of claim 10,
The Q node boost control unit,
An eighth TFT and a ninth TFT connecting the third node to the second clock terminal in response to a first logic level voltage of the clock signal or the inverted clock signal and a first logic level voltage of a Q node of the rear stage; ;
A tenth TFT discharging the third node to the low potential voltage in response to the high potential voltage of the QB node of the rear stage; And
And a second capacitor connected between the Q node and the third node.
상기 제1 클럭 단자에 상기 클럭 신호가 입력되는 경우, 상기 제2 클럭 단자에 상기 반전 클럭 신호가 입력되고,
상기 제1 클럭 단자에 상기 반전 클럭 신호가 입력되는 경우, 상기 제2 클럭 단자에 상기 클럭 신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.11. The method of claim 10,
When the clock signal is input to the first clock terminal, the inverted clock signal is input to the second clock terminal,
And the clock signal is input to the second clock terminal when the inverted clock signal is input to the first clock terminal.
제k(1≤k≤n, k는 2 이상의 자연수, n은 스테이지들의 개수) 스테이지의 상기 제1 클럭 단자에 상기 클럭 신호가 입력되고 상기 제2 클럭 단자에 상기 반전 클럭 신호가 입력되는 경우, 제k+1 스테이지의 상기 제1 클럭 단자에 상기 반전 클럭 신호가 입력되고 상기 제2 클럭 단자에 상기 클럭 신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.11. The method of claim 10,
K (1≤k≤n, k is a natural number of 2 or more, n is the number of stages) When the clock signal is input to the first clock terminal of the stage and the inverted clock signal is input to the second clock terminal, And the inverted clock signal is input to the first clock terminal of the k + 1th stage and the clock signal is input to the second clock terminal.
제k(1≤k≤n, k는 2 이상의 자연수, n은 스테이지들의 개수) 스테이지의 상기 스타트 단자에 상기 스타트 신호가 입력되는 경우 상기 출력단자는 상기 스타트 신호와 동일한 위상을 갖는 신호를 출력하고,
상기 제k 스테이지의 상기 스타트 단자에 상기 전단 캐리신호가 입력되는 경우 상기 출력단자는 상기 전단 캐리신호보다 위상이 지연된 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.The method of claim 1,
K (1≤k≤n, k is a natural number of 2 or more, n is the number of stages) When the start signal is input to the start terminal of the stage, the output terminal outputs a signal having the same phase as the start signal,
And the output terminal outputs a signal having a phase delayed from that of the front end carry signal when the front end carry signal is input to the start terminal of the kth stage.
입력되는 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들에 공급하는 데이터 구동회로; 및
상기 적어도 하나 이상의 스위칭 신호 라인군에 스위칭 제어 신호를 순차적으로 출력하는 하나 이상의 쉬프트 레지스터를 포함한 게이트 구동회로를 구비하고,
상기 쉬프트 레지스터는 순차적으로 출력을 발생하는 복수 개의 스테이지들을 구비하고,
상기 스테이지들 각각은 스타트 신호 또는 전단 캐리신호가 입력되는 스타트 단자, 클럭 신호와 상기 클럭 신호를 반전시킨 반전 클럭 신호가 입력되는 제1 클럭 단자와 제2 클럭 단자, 및 상기 스타트 단자에 입력된 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호와 동일한 파형의 신호를 출력하는 출력단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.A display panel including data lines and at least one switching signal line group;
A data driving circuit for converting input digital video data into analog data voltages and supplying the analog data voltages to the data lines; And
A gate driving circuit including one or more shift registers to sequentially output a switching control signal to the at least one switching signal line group,
The shift register has a plurality of stages that sequentially generate an output,
Each of the stages may include a start terminal to which a start signal or a front carry signal is input, a first clock terminal and a second clock terminal to which a clock signal and an inverted clock signal inverting the clock signal are input, and the input terminal input to the start terminal. And an output terminal for outputting a signal having the same waveform as the start signal or the front carry signal.
상기 스테이지들 각각은,
상기 제1 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호에 응답하여 Q 노드를 상기 스타트 단자를 통해 입력되는 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호로 충방전하는 Q 노드 충방전부;
상기 제1 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호와 상기 스타트 단자를 통해 입력되는 상기 스타트 신호 또는 상기 전단 캐리신호에 응답하여 상기 QB 노드를 저전위 전압으로 방전하는 QB 노드 방전부;
상기 QB 노드를 고전위 전압으로 충전하는 QB 노드 충전부; 및
상기 Q 노드의 전압에 응답하여 상기 고전위 전압을 상기 출력단자로 출력하고, 상기 QB 노드의 전압에 응답하여 상기 저전위 전압을 상기 출력단자로 출력하는 출력부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.The method of claim 15,
Each of the stages includes:
A Q node charging and discharging unit configured to charge and discharge a Q node with the start signal or the front carry signal input through the start terminal in response to the clock signal or the inverted clock signal input through the first clock terminal;
A QB node discharge unit configured to discharge the QB node to a low potential voltage in response to the clock signal or the inverted clock signal input through the first clock terminal and the start signal or the front carry signal input through the start terminal; ;
A QB node charger configured to charge the QB node to a high potential voltage; And
And an output unit configured to output the high potential voltage to the output terminal in response to the voltage of the Q node, and output the low potential voltage to the output terminal in response to the voltage of the QB node. .
상기 스테이지들 각각은,
상기 제2 클럭 단자를 통해 입력되는 상기 클럭 신호 또는 상기 반전 클럭 신호와 후단 Q 노드 전압 입력단자를 통해 입력되는 후단 스테이지의 Q 노드의 전압에 응답하여 제3 노드를 제1 로직 레벨 전압으로 충전하고, 후단 QB 노드 전압 입력단자를 통해 입력되는 상기 후단 스테이지의 QB 노드의 전압에 응답하여 상기 제3 노드를 상기 저전위 전압으로 방전하는 Q 노드 부스트 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.17. The method of claim 16,
Each of the stages includes:
The third node is charged to the first logic level voltage in response to the voltage of the Q node of the later stage inputted through the clock signal or the inverted clock signal input through the second clock terminal and the latter Q node voltage input terminal. And a Q node boost control unit configured to discharge the third node to the low potential voltage in response to a voltage of the QB node of the rear stage stage input through a rear end QB node voltage input terminal.
상기 제1 클럭 단자에 상기 클럭 신호가 입력되는 경우, 상기 제2 클럭 단자에 상기 반전 클럭 신호가 입력되고,
상기 제1 클럭 단자에 상기 반전 클럭 신호가 입력되는 경우, 상기 제2 클럭 단자에 상기 클럭 신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 표시장치.The method of claim 17,
When the clock signal is input to the first clock terminal, the inverted clock signal is input to the second clock terminal,
And the clock signal is input to the second clock terminal when the inverted clock signal is input to the first clock terminal.
제k(1≤k≤n, k는 2 이상의 자연수, n은 스테이지들의 개수) 스테이지의 상기 제1 클럭 단자에 상기 클럭 신호가 입력되고 상기 제2 클럭 단자에 상기 반전 클럭 신호가 입력되는 경우, 제k+1 스테이지의 상기 제1 클럭 단자에 상기 반전 클럭 신호가 입력되고 상기 제2 클럭 단자에 상기 클럭 신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 표시장치.The method of claim 17,
K (1≤k≤n, k is a natural number of 2 or more, n is the number of stages) When the clock signal is input to the first clock terminal of the stage and the inverted clock signal is input to the second clock terminal, And the inverted clock signal is input to the first clock terminal of the k + 1th stage and the clock signal is input to the second clock terminal.
제k(1≤k≤n, k는 2 이상의 자연수, n은 스테이지들의 개수) 스테이지의 상기 스타트 단자에 상기 스타트 신호가 입력되는 경우 상기 출력단자는 상기 스타트 신호와 동일한 위상을 갖는 신호를 출력하고,
상기 제k 스테이지의 상기 스타트 단자에 상기 전단 캐리신호가 입력되는 경우 상기 출력단자는 상기 전단 캐리신호보다 위상이 지연된 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 표시장치.The method of claim 15,
K (1≤k≤n, k is a natural number of 2 or more, n is the number of stages) When the start signal is input to the start terminal of the stage, the output terminal outputs a signal having the same phase as the start signal,
And the output terminal outputs a signal having a phase delayed from that of the front end carry signal when the front end carry signal is input to the start terminal of the kth stage.
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