KR20030051209A - Shift register with level shifter - Google Patents

Shift register with level shifter Download PDF

Info

Publication number
KR20030051209A
KR20030051209A KR1020020065541A KR20020065541A KR20030051209A KR 20030051209 A KR20030051209 A KR 20030051209A KR 1020020065541 A KR1020020065541 A KR 1020020065541A KR 20020065541 A KR20020065541 A KR 20020065541A KR 20030051209 A KR20030051209 A KR 20030051209A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive path
node
transistor
voltage
control electrode
Prior art date
Application number
KR1020020065541A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100896404B1 (en
Inventor
박재덕
하용민
김병구
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to US10/315,238 priority Critical patent/US7050036B2/en
Priority to GB0228908A priority patent/GB2383699B/en
Priority to DE10257875A priority patent/DE10257875B9/en
Priority to JP2002361129A priority patent/JP4359038B2/en
Priority to FR0215723A priority patent/FR2833396B1/en
Priority to CN02156146A priority patent/CN1428759A/en
Publication of KR20030051209A publication Critical patent/KR20030051209A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100896404B1 publication Critical patent/KR100896404B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/007Use of pixel shift techniques, e.g. by mechanical shift of the physical pixels or by optical shift of the perceived pixels
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3696Generation of voltages supplied to electrode drivers
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0871Several active elements per pixel in active matrix panels with level shifting

Abstract

PURPOSE: A shift register having a level shifter is provided to reduce swing range of clock signals and start pulse supplied to the shift register to decrease power consumption. CONSTITUTION: A shift register includes a plurality of stages(ST1) and a plurality of level shifters(LS1). The plurality of stages shift a start pulse inputted through an input terminal to sequentially output shift pulses. The multiple level shifters level-shift voltage levels of the shift pulses respectively supplied from the stages. The stages and the level shifters are composed of only P-channel thin film transistor. The level shifters down minimum voltage level of the shift pulses to negative-polarity voltage. Each of the stages includes an output buffer(54) for selecting one of the first clock signal and the first supply voltage according to voltages of the first and second nodes, the first controller(50) for controlling the first node according to the start pulse, and the second controller(52) for controlling the second node according to the start pulse and the second clock signal.

Description

레벨 쉬프터를 갖는 쉬프트 레지스터{SHIFT REGISTER WITH LEVEL SHIFTER}Shift register with level shifter {SHIFT REGISTER WITH LEVEL SHIFTER}

본 발명은 쉬프트 레지스터 회로에 관한 것으로, 특히 동일타입 채널의 박막트랜지스터만을 이용하여 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터에 관한 것이다. 그리고, 본 발명은 상기 쉬프트 레지스터를 포함하는 스캔 드라이버 및 데이터 드라이버와 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a shift register circuit, and more particularly, to a shift register incorporating a level shifter using only thin film transistors of the same type channel. The present invention also relates to a scan driver, a data driver, and a liquid crystal display device including the shift register.

통상의 액정표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이를 위하여, 액정표시장치는 액정셀들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정패널과 이 액정패널을 구동하기 위한 구동회로를 구비한다.Conventional liquid crystal display devices display an image by adjusting the light transmittance of the liquid crystal using an electric field. To this end, the liquid crystal display includes a liquid crystal panel in which liquid crystal cells are arranged in a matrix and a driving circuit for driving the liquid crystal panel.

액정패널에는 게이트라인들과 데이터라인들이 교차하게 배열되고 그 게이트라인들과 데이터라인들의 교차로 마련되는 영역에 액정셀들이 위치하게 된다. 이 액정패널에는 액정셀들 각각에 전계를 인가하기 위한 화소전극들과 공통전극이 마련된다. 화소전극들 각각은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)의 소스 및 드레인 단자들을 경유하여 데이터라인들 중 어느 하나에 접속된다. 박막트랜지스터의 게이트단자는 게이트라인들 중 어느 하나에 접속된다.In the liquid crystal panel, the gate lines and the data lines are arranged to cross each other, and the liquid crystal cells are positioned in an area where the gate lines and the data lines cross each other. The liquid crystal panel is provided with pixel electrodes and a common electrode for applying an electric field to each of the liquid crystal cells. Each of the pixel electrodes is connected to any one of the data lines via source and drain terminals of a thin film transistor, which is a switching element. The gate terminal of the thin film transistor is connected to one of the gate lines.

구동회로는 게이트라인들을 구동하기 위한 게이트 드라이버와, 데이터라인들을 구동하기 위한 데이터 드라이버를 구비한다. 게이트 드라이버는 스캐닝신호를 게이트라인들에 순차적으로 공급하여 액정패널 상의 액정셀들을 1라인분씩 순차적으로 구동한다. 데이터 드라이버는 게이트라인들 중 어느 하나에 게이트신호가 공급될 때마다 데이터라인들 각각에 비디오신호를 공급한다. 이에 따라, 액정표시장치는 액정셀별로 비디오신호에 따라 화소전극과 공통전극 사이에 인가되는 전계에 의해 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시한다.The driving circuit includes a gate driver for driving the gate lines and a data driver for driving the data lines. The gate driver sequentially supplies the scanning signals to the gate lines to sequentially drive the liquid crystal cells on the liquid crystal panel by one line. The data driver supplies a video signal to each of the data lines whenever a gate signal is supplied to any one of the gate lines. Accordingly, the liquid crystal display displays an image by adjusting light transmittance by an electric field applied between the pixel electrode and the common electrode according to the video signal for each liquid crystal cell.

이러한 액정표시장치에 이용되는 박막트랜지스터는 반도체층으로 아몰퍼스(Amorphous) 실리콘과 폴리(Poly) 실리콘을 사용하는가에 따라 아몰퍼스 실리콘형과 폴리 실리콘형으로 구분된다.Thin film transistors used in such liquid crystal display devices are classified into amorphous silicon type and polysilicon type depending on whether amorphous silicon and polysilicon are used as semiconductor layers.

아몰퍼스 실리콘형 박막트랜지스터는 아몰퍼스 실리콘막의 균일성이 비교적 좋아 특성이 안정된 장점을 가지고 있으나 전하 이동도가 비교적 작아 화소 밀도를 향상시키는 경우에는 적용이 어려운 단점이 있다. 또한, 아몰퍼스 실리콘형 박막트랜지스터를 사용하는 경우 상기 게이트 드라이버와 데이터 드라이버와 같은 주변 구동회로들은 별도로 제작하여 액정패널에 실장시켜야 하므로 액정표시장치의 제조비용이 높다는 단점이 있다.The amorphous silicon type thin film transistor has an advantage that the characteristics of the amorphous silicon film are relatively good, so that the characteristics are stable, but it is difficult to apply when the pixel density is improved due to the relatively low charge mobility. In addition, in the case of using an amorphous silicon type thin film transistor, peripheral driving circuits such as the gate driver and the data driver have to be manufactured separately and mounted in the liquid crystal panel, which has a disadvantage in that the manufacturing cost of the liquid crystal display device is high.

반면에, 폴리 실리콘형 박막트랜지스터는 전하 이동도가 높음에 따라 화소밀도 증가에 어려움이 없을 뿐만 아니라 주변 구동회로들을 액정패널에 내장할 수 있게 되어 제조단가를 낮출 수 있는 장점을 가지고 있다. 이에 따라, 폴리실리콘형 박막트랜지스터를 이용한 액정표시장치가 대두되고 있다.On the other hand, the polysilicon thin film transistor has an advantage of not only difficulty in increasing pixel density due to high charge mobility, but also lowering manufacturing cost by allowing peripheral driving circuits to be embedded in the liquid crystal panel. Accordingly, liquid crystal displays using polysilicon thin film transistors have emerged.

도 1은 종래의 폴리 실리콘 박막트랜지스터를 이용한 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한다.1 schematically illustrates a configuration of a liquid crystal display device using a conventional polysilicon thin film transistor.

도 1의 액정표시장치는 화상표시부(12), 데이터 및 게이트 쉬프트 레지스터(14, 16), 그리고 샘플링 스위치 어레이(15)가 형성된 액정패널(10)과, 제어회로 및 데이터 드라이브 IC가 집적화된 제어칩(22)과 레벨 쉬프터 어레이(24)가 실장된 PCB(Printed Circuit Board)(20)와, 액정패널(10)과 PCB(20)를 전기적으로 접속시키는 FPC(Flexible Printed Circuit) 필름(18)을 구비한다.The liquid crystal display of FIG. 1 includes a liquid crystal panel 10 in which an image display unit 12, data and gate shift registers 14 and 16, and a sampling switch array 15 are formed, and a control circuit and a data drive IC are integrated. A printed circuit board (PCB) 20 having a chip 22 and a level shifter array 24 mounted thereon, and a flexible printed circuit (FPC) film 18 electrically connecting the liquid crystal panel 10 and the PCB 20 to each other. It is provided.

화상표시부(12)는 액정셀들(LC) 매트릭스를 통해 화상을 표시한다. 액정셀들(LC) 각각은 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL)의 교차점에 접속된 스위칭소자로서 폴리 실리콘을 이용한 박막트랜지스터(TFT)를 포함한다. 아몰퍼스 실리콘 보다전하 이동도가 100배 정도 빠른 폴리 실리콘을 이용함에 따라 박막트랜지스터(TFT)의 응답속도가 빠르므로 액정셀들(LC)은 통상 점순차 방식으로 구동된다. 데이터라인들(DL)은 데이터 쉬프트 레지스터(14)에 의해 구동되는 샘플링 스위치 어레이(15)로부터 비디오신호를 공급받는다. 게이트라인들(GL)은 게이트 쉬프트 레지스터(16)로부터 스캔펄스를 공급받는다.The image display unit 12 displays an image through the matrix of liquid crystal cells LC. Each of the liquid crystal cells LC includes a thin film transistor TFT using polysilicon as a switching element connected to an intersection of the gate line GL and the data line DL. As polysilicon is 100 times faster in charge mobility than amorphous silicon, the response speed of the TFT is fast, so that the liquid crystal cells LC are usually driven in a point-sequential manner. The data lines DL receive a video signal from the sampling switch array 15 driven by the data shift register 14. The gate lines GL are supplied with scan pulses from the gate shift register 16.

데이터 쉬프트 레지스터(14)는 샘플링 스위치 어레이(15)의 샘플링 스위치에 출력단이 각각 접속된 다수의 스테이지들로 구성된다. 다수의 스테이지들은 도 2에 도시된 바와 같이 종속적으로 접속되어 제어칩(22)으로부터의 소스 스타트 펄스를 쉬프트시킴으로써 샘플링 스위치들에 순차적으로 샘플링 신호를 공급한다.The data shift register 14 is composed of a plurality of stages each having an output terminal connected to a sampling switch of the sampling switch array 15. The multiple stages are cascaded as shown in FIG. 2 to sequentially supply sampling signals to the sampling switches by shifting the source start pulse from the control chip 22.

상세히 하면, 도 2에 도시된 다수의 스테이지들(ST1 내지 STn)은 소스 스타트 펄스(SP) 입력라인에 종속 접속됨과 아울러 4상 클럭신호(C1 내지 C4) 공급라인 중 3개의 클럭신호 공급라인에 각각 접속된다. 4상 클럭신호(C1 내지 C4)는 도 3에 도시된 바와 같이 순차적으로 한 클럭만큼씩 위상지연된 형태로 공급된다. 이러한 클럭신호들(C1 내지 C4) 중 3개의 클럭신호를 이용하여 스테이지들(ST1 내지 STn) 각각은 스타트 펄스(SP)를 한 클럭만큼씩 쉬프트시켜 출력한다. 이러한 쉬프트 레지스터의 각 스테이지(ST1 내지 STn)로부터 각각 출력되는 신호들(SO1 내지 SOn)은 샘플링신호로 공급됨과 아울러 다음단 스테이지의 스타트 펄스로 공급된다.In detail, the plurality of stages ST1 to STn shown in FIG. 2 are cascaded to the source start pulse SP input line and are connected to three clock signal supply lines among the four-phase clock signal C1 to C4 supply lines. Each is connected. The four-phase clock signals C1 to C4 are supplied in a phase delayed form by one clock in sequence as shown in FIG. Each of the stages ST1 to STn shifts the start pulse SP by one clock by using three clock signals among the clock signals C1 to C4. The signals SO1 to SOn respectively output from the stages ST1 to STn of the shift register are supplied as sampling signals and also as start pulses of the next stage.

게이트 쉬프트 레지스터(16)는 게이트 라인들(GL) 각각에 출력단이 각각 접속된 다수의 스테이지들로 구성된다. 다수의 스테이지들은 도 2에 도시된 바와 같이 종속적으로 접속되어 제어칩(22)으로부터의 스타트 펄스를 쉬프트시킴으로써 게이트라인들(GL)에 순차적으로 스캔 펄스를 공급한다.The gate shift register 16 includes a plurality of stages each having an output terminal connected to each of the gate lines GL. The plurality of stages are cascaded as shown in FIG. 2 to sequentially supply the scan pulses to the gate lines GL by shifting the start pulses from the control chip 22.

샘플링 스위치 어레이(15)는 데이터 라인들(DL)에 출력단이 각각 접속되고 데이터 쉬프트 레지스터(14)로부터의 샘플링 신호에 의해 구동되는 다수의 샘플링스위치들(도시하지 않음)로 구성된다. 샘플링 스위치들은 상기 샘플링신호에 응답하여 제어칩(22)으로부터의 비디오 신호를 순차적으로 샘플링하여 데이터 라인들(DL)에 공급한다.The sampling switch array 15 is composed of a plurality of sampling switches (not shown), each having an output terminal connected to the data lines DL, and driven by a sampling signal from the data shift register 14. The sampling switches sequentially sample the video signal from the control chip 22 in response to the sampling signal and supply the data signal to the data lines DL.

이렇게 액정패널(10)에 포함되는 화상표시부(12)와 데이터 쉬프트 레지스터(14) 및 샘플링 스위칭 어레이(15)와 게이트 쉬프트 레지스터(16)는 폴리 실리콘을 채용함에 따라 동일공정으로 형성된다. 이 경우, 액정패널(10)에 포함되는 박막트랜지스터들을 NMOS 또는 PMOS 박막트랜지스터, 즉 동일타입 채널의 박막트랜지스터로만 구성하는 경우 CMOS 박막트랜지스터로 구성하는 경우보다 제조단가를 절감할 수 있게 된다. 이는 CMOS 박막트랜지스터들을 이용하는 경우 P채널과 N채널을 모두 포함하므로 구동전압의 범위가 넓고 회로 집적화가 용이한 장점이 있으나, 공정수가 많아 제조단가가 높고 신뢰성이 떨어지는 단점이 있다. 따라서, 액정패널(10)은 공정수를 줄여 제조단가를 낮추고 상대적으로 신뢰성이 높은 PMOS 또는 NMOS 박막트랜지스터만을 이용하는 방향으로 발전되고 있다.As such, the image display unit 12, the data shift register 14, the sampling switching array 15, and the gate shift register 16 included in the liquid crystal panel 10 are formed in the same process as polysilicon is adopted. In this case, when the thin film transistors included in the liquid crystal panel 10 are composed only of NMOS or PMOS thin film transistors, that is, thin film transistors of the same type channel, the manufacturing cost can be reduced compared to the case of the CMOS thin film transistors. This is because the CMOS thin film transistors include both the P channel and the N channel, so that the driving voltage is wide and the circuit is easy to integrate, but the manufacturing process is high and the reliability is low due to the large number of processes. Therefore, the liquid crystal panel 10 has been developed in the direction of using only PMOS or NMOS thin film transistors having a relatively low manufacturing cost by reducing the number of processes.

제어칩(22)에 포함되는 제어회로(도시하지 않음)는 외부로부터 자신에게 공급되는 비디오 데이터들을 데이터 구동 IC(도시하지 않음)로 전송함과 아울러 데이터 쉬프트 레지스터(14) 및 게이트 쉬프트 레지스터(16)에 필요한 구동제어신호들을 제공한다. 데이터 구동 IC(도시하지 않음)는 제어회로(도시하지 않음)로부터 입력된 비디오 데이터를 아날로그 신호인 비디오 신호로 변환하여 FPC 필름(18)을 통해 샘플링 스위치 어레이(15)로 공급한다.The control circuit (not shown) included in the control chip 22 transmits the video data supplied from the outside to the data driving IC (not shown), as well as the data shift register 14 and the gate shift register 16. Provide the driving control signals required. The data driving IC (not shown) converts the video data input from the control circuit (not shown) into a video signal which is an analog signal and supplies it to the sampling switch array 15 through the FPC film 18.

레벨 쉬프터 어레이(24)는 제어회로로부터 입력되는 구동제어신호들(클럭신호 등)의 스윙폭을 증대시켜 데이터 쉬프트 레지스터(14) 및 게이트 쉬프트 레지스터(16)에 공급한다. 예를 들면, 레벨 쉬프터 어레이(24)는 제어회로에서 발생되어 10V 이하의 스윙전압을 가지는 클럭신호를, 부극성 전압을 포함하여 10V 이상의 스윙폭을 가지게 레벨 쉬프팅하여 출력한다. 이는 액정패널(10)에 형성된 박막트랜지스터를 구동하기 위해서는 10V 이상의 스윙전압을 가지는 펄스를 공급해야하기 때문이다.The level shifter array 24 increases the swing width of the drive control signals (clock signal or the like) input from the control circuit and supplies the swing shift registers 16 to the data shift register 14 and the gate shift register 16. For example, the level shifter array 24 outputs a clock signal generated by a control circuit having a swing voltage of 10 V or less, and level shifted to have a swing width of 10 V or more, including a negative voltage. This is because a pulse having a swing voltage of 10V or more must be supplied to drive the thin film transistor formed on the liquid crystal panel 10.

다시 말하여, 액정패널(10)이 PMOS 박막트랜지스터로 구성되는 경우 샘플링 스위치 어레이(15) 및 화소영역(12)에 포함되는 PMOS 박막트랜지스터들을 구동하기 위한 구동펄스로는 부극성 방향으로 10V 이상의 스윙폭을 가지는 펄스가 필요하다. 이러한 구동펄스를 공급하기 위하여, 게이트 및 데이터 쉬프트 레지스터(14, 16)에는 클럭신호들로서 부극성 방향으로 10V 이상의 스윙폭을 가지는 펄스가 공급되어야 한다. 그러나, 외부회로들을 제어칩(22)과 같이 단일칩으로 구현하는 경우 10V 이내의 스윙폭을 가지는 클럭신호는 용이하게 생성되지만 그 이상의 전압이나 부극성의 전압을 생성하기는 곤란하다. 다시 말하여, 10V 이상의 스윙폭을 가지는 전압이나 부극성 전압을 발생시키기 위한 소자 특성 확보가 곤란하여 IC 단일칩 제작에 어려움이 따르게 된다. 이에 따라, 종래에는 10V의 구동펄스를 부극성전압을 포함하여 10V 이상의 스윙폭을 가지게끔 레벨 쉬프팅시켜주기 위한 레벨 쉬프터 어레이(24)를 별도의 칩으로 구현하여 PCB(20) 상에 장착하여야만 하였다. 이 경우, PCB(20) 상에 실장되는 외부회로의 컴팩트화가 곤란하다는 단점이 있다. 또한, 외부회로로부터 액정패널(10)의 데이터 쉬프트 레지스터(14) 및 게이트 쉬프트 레지스터(16)에 정극성과 부극성의 전압을 포함한 10V 이상의 스윙폭을 가지는 클럭신호가 공급되어야 하므로 전력소비가 크다는 문제점이 있다.In other words, when the liquid crystal panel 10 includes a PMOS thin film transistor, a driving pulse for driving the PMOS thin film transistors included in the sampling switch array 15 and the pixel region 12 is a swing of 10V or more in the negative direction. A pulse with a width is needed. In order to supply such driving pulses, pulses having a swing width of 10 V or more in the negative direction as clock signals should be supplied to the gate and data shift registers 14 and 16. However, when the external circuits are implemented as a single chip, such as the control chip 22, a clock signal having a swing width of less than 10V is easily generated, but it is difficult to generate more voltage or negative voltage. In other words, it is difficult to secure device characteristics for generating a voltage having a swing width of 10V or more or a negative voltage, which makes it difficult to manufacture an IC single chip. Accordingly, in the related art, a level shifter array 24 for level shifting a driving pulse of 10V to have a swing width of 10V or more including a negative voltage had to be implemented as a separate chip and mounted on the PCB 20. . In this case, there is a disadvantage in that it is difficult to compact the external circuit mounted on the PCB 20. In addition, since a clock signal having a swing width of 10V or more including positive and negative voltages must be supplied to the data shift register 14 and the gate shift register 16 of the liquid crystal panel 10 from the external circuit, power consumption is high. There is this.

따라서, 본 발명의 목적은 동일타입 채널의 박막트랜지스터만을 채용하여 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a shift register incorporating a level shifter using only thin film transistors of the same type channel.

본 발명의 다른 목적은 동일타입 채널의 박막트랜지스터만을 채용하여 입력신호의 최저 전압레벨을 다운시킬 수 있는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a shift register incorporating a level shifter capable of lowering the lowest voltage level of an input signal by employing only thin film transistors of the same type channel.

본 발명의 또 다른 목적은 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터를 포함하는 스캔 드라이버를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a scan driver including a shift register incorporating a level shifter.

본 발명의 또 다른 목적은 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터를 포함하는 데이터 드라이버를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a data driver including a shift register incorporating a level shifter.

본 발명의 또 다른 목적은 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터를 포함하는 액정표시장치를 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a liquid crystal display including a shift register incorporating a level shifter.

도 1은 종래의 폴리 실리콘을 채용한 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 블록도.1 is a block diagram schematically showing the configuration of a liquid crystal display device employing a conventional polysilicon.

도 2는 도 1에 도시된 쉬프트 레지스터의 구성을 도시한 블록도.FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of the shift register shown in FIG. 1; FIG.

도 3은 도 2에 도시된 쉬프트 레지스터의 입출력 파형도.3 is an input / output waveform diagram of the shift register shown in FIG. 2;

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 레벨 쉬프터를 갖는 쉬프트 레지스터를 도시한 블록도.4 is a block diagram illustrating a shift register having a level shifter according to an embodiment of the present invention.

도 5a 내지 도 5c는 도 4에 도시된 쉬프트 레지스터의 입출력 파형도.5A to 5C are input and output waveform diagrams of the shift register shown in FIG.

도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 레벨 쉬프터를 갖는 쉬프트 레지스터의 상세 회로도.6 is a detailed circuit diagram of a shift register having a level shifter according to the first embodiment of the present invention.

도 7은 도 6에 도시된 쉬프트 레지스터의 입출력 파형도.7 is an input / output waveform diagram of the shift register shown in FIG. 6;

도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 레벨 쉬프터를 갖는 쉬프트 레지스터의 상세 회로도.8 is a detailed circuit diagram of a shift register having a level shifter according to a second embodiment of the present invention.

도 9는 도 8에 도시된 쉬프트 레지스터의 입출력 파형도.9 is an input / output waveform diagram of the shift register shown in FIG. 8;

도 10은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 레벨 쉬프터를 갖는 쉬프트 레지스터의 상세 회로도.10 is a detailed circuit diagram of a shift register having a level shifter according to a third embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 레벨 쉬프터를 갖는 쉬프트 레지스터를 포함하는 폴리실리콘형 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 블록도.FIG. 11 is a block diagram schematically illustrating a configuration of a polysilicon liquid crystal display including a shift register having a level shifter according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG.

< 도면의 주요부분에 대한 설명><Description of Main Parts of Drawing>

ST1 내지 STn : 스테이지 LS1 내지 LSn : 레벨쉬프터ST1 to STn: Stage LS1 to LSn: Level Shifter

10, 30 : 액정패널 12, 39 : 화상표시부10, 30: liquid crystal panel 12, 39: image display unit

14, 51 : 데이터 쉬프트 레지스터 15, 35 : 샘플링 스위치 어레이14, 51: data shift register 15, 35: sampling switch array

16, 53 : 게이트 쉬프트 레지스터16, 53: gate shift register

18, 44 : 가요성인쇄회로(FPC) 필름 20 : 인쇄회로기판(PCB)18, 44: flexible printed circuit (FPC) film 20: printed circuit board (PCB)

22, 42 : 제어칩 24, 33, 34, 38 : 레벨 쉬프터 어레이22, 42: control chip 24, 33, 34, 38: level shifter array

31, 32, 36 : 쉬프트 스테이지 어레이31, 32, 36: shift stage array

50 : 제1 제어부 52 : 제2 제어부50: first control unit 52: second control unit

54 : 출력 버퍼부 58 : 제3 제어부54: output buffer 58: third control

60 : 출력부60: output unit

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터는 종속적으로 접속되고 입력단자를 통해 입력되는 스타트 펄스를 쉬프트시켜 순차적으로 쉬프트 펄스를 출력하는 다수의 스테이지들과; 스테이지들 각각으로부터 공급되는 쉬프트 펄스의 전압레벨 중 어느 하나를 다운시켜 출력하는 다수의 레벨 쉬프터들을 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a shift register with a built-in level shifter according to the present invention comprises a plurality of stages that are sequentially connected and output a shift pulse sequentially by shifting a start pulse input through an input terminal; And a plurality of level shifters for outputting down one of the voltage levels of the shift pulses supplied from each of the stages.

본 발명에 따른 스캔 드라이버는 표시패널의 스캔라인들에 스캔펄스를 공급하기 위한 스캔 드라이버에 있어서, 종속적으로 접속되고 입력단자를 통해 입력되는 스타트 펄스를 쉬프트시켜 순차적으로 쉬프트 펄스를 출력하는 다수의 스테이지들과, 스테이지들 각각으로부터 공급되는 쉬프트 펄스의 전압레벨을 레벨 쉬프팅시켜 상기 스캔펄스로 출력하는 다수의 레벨 쉬프터들을 포함하는 쉬프트 레지스터를 구비하는 것을 특징으로 한다.The scan driver according to the present invention is a scan driver for supplying scan pulses to scan lines of a display panel, and includes a plurality of stages sequentially outputting shift pulses by shifting start pulses that are cascaded and input through an input terminal. And a shift register including a plurality of level shifters for level shifting the voltage level of the shift pulses supplied from each of the stages and outputting the shift pulses to the scan pulses.

본 발명에 따른 데이터 드라이버는 표시패널의 데이터라인들에 비디오신호를 공급하기 위한 데이터 드라이버에 있어서, 입력 샘플링신호에 응답하여 비디오신호를 샘플링하여 출력하기 위한 샘플링 스위치 어레이와; 종속적으로 접속되고 입력단자를 통해 입력되는 스타트 펄스를 쉬프트시켜 순차적으로 쉬프트 펄스를 출력하는 다수의 스테이지들과, 스테이지들 각각으로부터 공급되는 쉬프트 펄스의 전압레벨을 레벨 쉬프팅시켜 샘플링신호로 출력하는 다수의 레벨 쉬프터들을 포함하는 쉬프트 레지스터를 구비하는 것을 특징으로 한다.A data driver for supplying a video signal to data lines of a display panel, the data driver comprising: a sampling switch array for sampling and outputting a video signal in response to an input sampling signal; A plurality of stages that are connected in a cascaded manner and shift start pulses input through an input terminal to sequentially output shift pulses, and a plurality of stages that level shift the voltage levels of the shift pulses supplied from each of the stages and output them as sampling signals. And a shift register including level shifters.

본 발명에 따른 액정표시장치는 화상표시를 위한 액정셀 매트릭스를 구비하는 액정패널과; 액정패널의 스캔라인들에 스캔펄스를 공급하기 위한 스캔 드라이버와; 액정패널의 데이터라인들에 비디오신호를 공급하기 위한 데이터 드라이버를 구비하고; 스캔 드라이버는, 종속적으로 접속되고 입력단자를 통해 입력되는 스타트 펄스를 쉬프트시켜 순차적으로 쉬프트 펄스를 출력하는 다수의 제1 스테이지들과, 제1 스테이지들 각각으로부터 공급되는 쉬프트 펄스의 전압레벨을 레벨 쉬프팅시켜 스캔펄스로 출력하는 다수의 제1 레벨 쉬프터들을 포함하는 제1 쉬프트 레지스터를 구비하고; 데이터 드라이버는, 입력 샘플링신호에 응답하여 비디오신호를 샘플링하여 출력하기 위한 샘플링 스위치 어레이와, 종속적으로 접속되고 입력단자를 통해 입력되는 스타트 펄스를 쉬프트시켜 순차적으로 쉬프트 펄스를 출력하는 다수의 제2 스테이지들과, 제2 스테이지들 각각으로부터 공급되는 쉬프트 펄스의 전압레벨을 레벨 쉬프팅시켜 샘플링신호로 출력하는 다수의 제2 레벨 쉬프터들을 포함하는 제2 쉬프트 레지스터를 구비하는 것을 특징으로 한다.A liquid crystal display device according to the present invention comprises: a liquid crystal panel comprising a liquid crystal cell matrix for displaying an image; A scan driver for supplying scan pulses to scan lines of the liquid crystal panel; A data driver for supplying a video signal to data lines of the liquid crystal panel; The scan driver level shifts the voltage levels of the shift pulses supplied from each of the first stages and the plurality of first stages that are cascaded and shifted by a start pulse input through an input terminal, and sequentially output the shift pulses. A first shift register including a plurality of first level shifters for outputting a scan pulse; The data driver includes a sampling switch array for sampling and outputting a video signal in response to an input sampling signal, and a plurality of second stages that sequentially output a shift pulse by shifting start pulses that are connected in cascade and input through an input terminal. And a second shift register including a plurality of second level shifters for level shifting the voltage level of the shift pulses supplied from each of the second stages and outputting the sample signal as a sampling signal.

여기서, 상기 쉬프트 레지스터는 동일타입 채널의 박막트랜지스터들로만 구성되는 것을 특징으로 한다.Here, the shift register is characterized by consisting only of thin film transistors of the same type channel.

특히, 상기 쉬프트 레지스터는 P 채널의 박막트랜지스터들로만 구성되는 것을 특징으로 한다.In particular, the shift register is characterized by consisting of only the thin film transistors of the P channel.

상기 레벨 쉬프터는 상기 쉬프트 펄스의 최저 전압레벨을 부극성 전압으로 다운시켜 출력하는 것을 특징으로 한다.The level shifter may be configured to output a result of lowering the lowest voltage level of the shift pulse to a negative voltage.

상기 제1 및 제2 스테이지들 각각은 제1 및 제2 노드의 전압에 따라 제1 클럭신호 및 제1 공급전압 중 어느 하나를 선택하여 출력하기 위한 출력 버퍼부와; 스타트 펄스에 따라 상기 제1 노드를 제어하는 제1 제어부와; 상기 스타트 펄스 및제2 클럭신호에 따라 상기 제2 노드를 제어하는 제2 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.Each of the first and second stages may include an output buffer unit for selecting and outputting any one of a first clock signal and a first supply voltage according to voltages of first and second nodes; A first control unit controlling the first node according to a start pulse; And a second controller configured to control the second node according to the start pulse and the second clock signal.

상기 제1 제어부는 상기 스타트 펄스 및 상기 제1 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 스타트 펄스에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제1 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 한다.The first control unit includes a first transistor having a conductive path between the start pulse and the first node and a control electrode controlling the conductive path according to the start pulse.

상기 제1 제어부는 상기 제1 트랜지스터의 출력단자와 상기 제1 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 제4 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제2 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.The first control unit further includes a second transistor having a conductive path between the output terminal of the first transistor and the first node and a control electrode controlling the conductive path according to a fourth clock signal. do.

상기 제1 제어부는 상기 제1 노드와 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제3 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.The first control unit further includes a third transistor having a conductive path between the first node and the first supply voltage input line and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the second node. It is done.

상기 제2 제어부는 제2 공급전압 입력라인과 상기 제2 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제3 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제4 트랜지스터와; 상기 제2 노드와 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 스타트 펄스에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제5 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 한다.The second control unit includes: a fourth transistor having a conductive path between a second supply voltage input line and the second node and a control electrode controlling the conductive path according to the third clock signal; And a fifth transistor having a conductive path between the second node and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the start pulse.

상기 출력 버퍼부는 상기 제1 클럭신호 입력라인과 상기 스테이지의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제6 트랜지스터와; 상기 스테이지의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제7 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 한다.The output buffer unit includes a sixth transistor having a conductive path between the first clock signal input line and an output line of the stage and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the first node; And a seventh transistor having a conductive path between the output line of the stage and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the second node.

상기 출력 버퍼부는 상기 제6 트랜지스터의 제어전극과 상기 스테이지의 출력라인 사이에 접속되어 그 제어전극의 전압을 부트스트래핑시키기 위한 제1 캐패시터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.The output buffer unit may further include a first capacitor connected between a control electrode of the sixth transistor and an output line of the stage to bootstrap the voltage of the control electrode.

상기 레벨 쉬프터들 각각은 상기 제3 노드의 전압에 따라 제2 공급전압 및 제3 공급전압 중 어느 하나의 전압을 선택하여 출력하기 위한 출력부와; 상기 제1 노드 및 제2 클럭신호에 따라 상기 제3 노드를 제어하기 위한 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.Each of the level shifters includes an output unit for selecting and outputting any one of a second supply voltage and a third supply voltage according to the voltage of the third node; And a controller for controlling the third node according to the first node and the second clock signal.

상기 제어부는 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제8 트랜지스터와; 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 제3 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제9 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 한다.The control unit includes an eighth transistor having a conductive path between the third node and an output line of the level shifter and a control electrode controlling the conductive path according to the second clock signal; And a ninth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and the third node and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the first node.

상기 출력부는 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제3 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제10 트랜지스터와; 상기 레벨 쉬프터의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제11 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 한다.The output unit includes a tenth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and an output line of the level shifter, and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the third node; And an eleventh transistor having a conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the second clock signal.

상기 레벨 쉬프터는 외부 노이즈에 의해 상기 레벨 쉬프터의 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제12 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.The level shifter may include a conductive path between the output line and the first supply voltage input and prevent the output voltage of the output line of the level shifter from being distorted by external noise, and the conductive path may be connected to the voltage of the second node. And a twelfth transistor having a control electrode controlled according to the present invention.

상기 레벨 쉬프터는 상기 제3 노드가 플로팅되는 경우 제10 트랜지스터의 누설전류에 의해 상기 레벨 쉬프터 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제13 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.The level shifter includes a conductive path between the third node and the level shifter to prevent the output voltage of the level shifter output line from being distorted by the leakage current of the tenth transistor when the third node is floated. And a thirteenth transistor having a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the second node.

상기 레벨 쉬프터는 상기 스타트펄스가 입력되는 구간에서 상기 제1 노드의 전압에 따라 턴-온된 제9 트랜지스터에 의해 상기 제10 트랜지스터가 턴-온되어 상기 레벨 쉬프터 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 레벨 쉬프터의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제4 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제14 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.The level shifter prevents the tenth transistor from being turned on by the ninth transistor turned on according to the voltage of the first node in a period in which the start pulse is input, thereby distorting the output voltage of the level shifter output line. And a fourteenth transistor having a conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the fourth clock signal. do.

상기 레벨 쉬프터는 상기 제9 트랜지스터의 누설전류에 의한 상기 레벨 쉬프터 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 제9 트랜지스터의 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 제3 공급전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제15 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.The level shifter may include a conductive path between the third supply voltage input line and the input line of the ninth transistor so as to prevent the output voltage of the level shifter output line from being distorted due to the leakage current of the ninth transistor. And a fifteenth transistor having a control electrode for controlling the conductive passage in accordance with the third supply voltage.

상기 출력부는 상기 제10 트랜지스터의 제어전극과 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이에 접속되어 그 제어전극의 전압을 부트스트래핑시키기 위한 제2 캐패시터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.The output unit may further include a second capacitor connected between the control electrode of the tenth transistor and the output line of the level shifter to bootstrap the voltage of the control electrode.

상기 제1 내지 제3 공급전압은 제3, 제2, 제1 순으로 전압레벨이 작은 것을 특징으로 한다.The first to third supply voltages are characterized in that the voltage level is small in the order of the third, second, first.

상기 제1 내지 제4 클럭신호는 제1, 제2, 제3, 제4 순으로 한 클럭만큼씩 위상지연된 클럭신호이고, 상기 제4 클럭신호는 상기 스타트 펄스와 동위상을 갖는 클럭신호인 것을 특징으로 한다.The first to fourth clock signals are clock signals delayed by one clock in order of first, second, third, and fourth, and the fourth clock signals are clock signals having an in phase with the start pulse. It features.

여기서, 상기 제3 제어부는, 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제8 트랜지스터와; 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 제3 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제9 트랜지스터를 구비하고; 상기 출력부는, 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제3 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제10 트랜지스터와; 상기 레벨 쉬프터의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제11 트랜지스터를 구비하여; 상기 레벨 쉬프터의 출력라인들 통해 출력되는 레벨 다운된 쉬프트 펄스는 이전단 레벨 쉬프터의 레벨 다운된 쉬프트 펄스와 부분적으로 오버랩되는 것을 특징으로 한다.The third control unit may include: an eighth transistor having a conductive path between the third node and an output line of the level shifter, and a control electrode controlling the conductive path according to the second clock signal; A ninth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and the third node and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the first node; The output unit includes: a tenth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and an output line of the level shifter, and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the third node; An eleventh transistor having a conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the second clock signal; The leveled down shift pulse output through the output lines of the level shifter is partially overlapped with the leveled down shift pulse of the previous level shifter.

상기 액정패널과 스캔 드라이버 및 데이터 드라이버에 포함되는 박막트랜지스터는 폴리 실리콘을 반도체층으로 이용하고, 상기 스캔 드라이버와 데이터 드라이버는 상기 액정패널에 내장되는 것을 특징으로 한다.The thin film transistor included in the liquid crystal panel, the scan driver and the data driver uses polysilicon as a semiconductor layer, and the scan driver and the data driver are embedded in the liquid crystal panel.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부한 도면들을 참조한 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and advantages of the present invention in addition to the above object will become apparent from the description of the preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 4 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 11.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터를 도시한 블록도이다.4 is a block diagram illustrating a shift register incorporating a level shifter according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터는 스타트펄스(SP) 입력라인에 종속 접속된 n개의 스테이지들(ST1 내지 STn)로 구성된 쉬프트 스테이지 어레이(32)와, 스테이지들(ST1 내지 STn)의 출력단에 각각 접속된 레벨 쉬프터들(LS1 내지 LSn)로 구성된 레벨 쉬프터 어레이(34)를 구비한다.The shift register incorporating the level shifter shown in FIG. 4 includes a shift stage array 32 composed of n stages ST1 to STn connected to a start pulse input line and stages ST1 to STn. And a level shifter array 34 composed of level shifters LS1 to LSn respectively connected to an output terminal of the.

쉬프트 스테이지 어레이(32)에서 제1 스테이지(ST1)에는 스타트 펄스(SP)가 입력되고, 제2 내지 제n 스테이지들(ST2 내지 STn)에는 이전단 스테이지의 출력신호가 입력된다. 이러한 스테이지들(ST1 내지 STn)은 도 5a에 도시된 바와 같이 순차적으로 위상이 지연되는 제1 내지 제4 클럭신호(C1 내지 C4) 중 3개의 클럭신호를 입력받는다. 입력받은 3개의 클럭신호를 이용하여 스테이지들(ST1 내지 STn)은 스타트펄스(SP)를 쉬프트시킴으로써 도 5b에 도시된 바와 같이 쉬프트 신호들(S01, SO2, ...)를 순차적으로 출력하게 된다. 이 경우, 스테이지들(ST1 내지 STn)은 10V 이하의 스윙전압을 가지고 입력되는 클럭신호들(C1 내지 C4) 및 스타트펄스(SP)를 이용하여 10V 이하의 스윙전압을 가지는 쉬프트 신호들(SO1, SO2, ...)을 출력하게 된다.In the shift stage array 32, the start pulse SP is input to the first stage ST1, and the output signal of the previous stage is input to the second to nth stages ST2 to STn. The stages ST1 to STn receive three clock signals among the first to fourth clock signals C1 to C4 which are sequentially delayed as shown in FIG. 5A. The stages ST1 to STn sequentially output the shift signals S01, SO2, ... as shown in FIG. 5B by shifting the start pulse SP using the three clock signals received. . In this case, the stages ST1 to STn have shift signals SO1 having a swing voltage of 10V or less by using the clock signals C1 to C4 inputted with a swing voltage of 10V or less and the start pulse SP. Will output SO2, ...).

레벨 쉬프터들(LS1 내지 LSn) 각각은 4개의 클럭신호(C1 내지 C4) 중 나머지 1개의 클럭신호를 입력받는다. 이러한 레벨 쉬프터들(LS1 내지 LSn)은 스테이지들(ST1 내지 STn)에서 출력되는 쉬프트 신호들(SO1, SO2, ...)를 레벨 쉬프팅시켜 도 5c에 도시된 바와 같이 10V 이상의 스윙전압을 가지는 출력 신호들(L01, L02, ...)을 출력하게 된다. 특히, 이러한 레벨 쉬프터들(LS1 내지 LSn)은 스테이지들(ST1 내지 STn)에서 출력되는 쉬프트 신호들(SO1, SO2, ...)의 최저 전압을 부극성 전압로 레벨 다운시켜 출력하게 된다.Each of the level shifters LS1 to LSn receives the other one of the four clock signals C1 to C4. The level shifters LS1 to LSn level shift the shift signals SO1, SO2,... Output from the stages ST1 to STn to have a swing voltage of 10 V or more as shown in FIG. 5C. The signals L01, L02, ... are outputted. In particular, the level shifters LS1 to LSn level down the lowest voltages of the shift signals SO1, SO2,... Output from the stages ST1 to STn to a negative voltage to output the level shifters LS1 to LSn.

이렇게 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터에서 출력되는 신호들(L01, LO2, ....)은 표시패널의 스캔(게이트) 라인들을 순차적으로 구동하는 스캔(게이트) 드라이버에서 스캔(게이트) 라인들에 공급되는 스캔 펄스로 이용된다. 또한, 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터에서 출력되는 신호들(L01, LO2, ....)은 표시패널의 데이터 라인들에 비디오 신호를 샘플링하여 공급하기 위한 데이터 드라이버에서 샘플링 스위치에 공급되는 샘플링 신호로 이용된다.The signals (L01, LO2, ....) output from the shift register with the level shifter are connected to the scan (gate) lines in the scan (gate) driver which sequentially drives the scan (gate) lines of the display panel. It is used as a scan pulse to be supplied. In addition, the signals L01, LO2, .... outputted from the shift register with a level shifter are supplied to a sampling switch in a data driver for sampling and supplying a video signal to data lines of a display panel. Used as

도 6은 도 4에 도시된 제1 및 제2 스테이지(ST1 및 ST2)와 제1 및 제2 레벨쉬프터(LS1 및 LS2)의 상세한 회로구성을 나타낸 것이다.FIG. 6 shows a detailed circuit configuration of the first and second stages ST1 and ST2 and the first and second level shifters LS1 and LS2 shown in FIG. 4.

도 6에 도시된 제1 스테이지(ST1)는 스타트 펄스(SP)와 제4 클럭신호(CL4)에 따라 Q노드를 제어하는 제1 제어부(50)와, 제3 클럭신호(CL3) 및 스타트 펄스(SP)에 따라 QB노드를 제어하는 제2 제어부(52)와, Q노드 및 QB노드의 전압에 따라 제1 클럭신호(C1) 및 제1 공급전압(VSS) 중 어느 하나를 선택하여 출력하기 위한 버퍼부(54)를 구비한다.The first stage ST1 illustrated in FIG. 6 includes a first control unit 50 for controlling the Q node according to the start pulse SP and the fourth clock signal CL4, and the third clock signal CL3 and the start pulse. Selecting and outputting one of the first clock signal C1 and the first supply voltage VSS according to the voltage of the Q node and the QB node, and the second control unit 52 that controls the QB node according to (SP). A buffer unit 54 is provided.

제1 제어부(50)는 Q노드 통해 버퍼부(54)의 제6 PMOS 트랜지스터(T6)를 제어하여 제1 클럭신호(C1)가 출력라인을 통해 출력신호(SO1)로 공급되게 한다. 이를 위하여, 제1 제어부(50)는 스타트펄스(SP) 입력라인에 다이오드형으로 접속된 제1 PMOS 트랜지스터(T1)와, 제1 PMOS 트랜지스터(T1)와 제4 클럭신호(C4) 입력라인 및 Q노드 사이에 접속된 제2 PMOS 트랜지스터(T2)를 구비한다.The first controller 50 controls the sixth PMOS transistor T6 of the buffer unit 54 through the Q node so that the first clock signal C1 is supplied to the output signal SO1 through the output line. To this end, the first controller 50 may include a first PMOS transistor T1, a first PMOS transistor T1, a fourth clock signal C4 input line connected to the start pulse SP input line in a diode form, and A second PMOS transistor T2 connected between the Q nodes is provided.

제2 제어부(52)는 QB노드를 통해 버퍼부(54)의 제7 PMOS 트랜지스터(T7)를 제어하여 제1 공급전압(VSS)이 출력라인을 통해 출력신호(SO1)로 공급되게 한다. 이를 위하여, 제2 제어부(52)는 제2 공급전압(VDD) 입력라인과 제3 클럭신호(C3) 입력라인 및 QB노드 사이에 접속된 제4 PMOS 트랜지스터(T4)와, 제4 PMOS 트랜지스터(T4)와 스타트 펄스(SP) 입력라인 및 제1 공급전압(VSS) 입력라인 사이에 접속된 제5 PMOS 트랜지스터(T5)를 구비한다.The second controller 52 controls the seventh PMOS transistor T7 of the buffer unit 54 through the QB node so that the first supply voltage VSS is supplied to the output signal SO1 through the output line. To this end, the second controller 52 may include a fourth PMOS transistor T4 and a fourth PMOS transistor connected between the second supply voltage VDD input line, the third clock signal C3 input line, and the QB node. And a fifth PMOS transistor T5 connected between T4 and the start pulse SP input line and the first supply voltage VSS input line.

버퍼부(54)는 Q노드의 전압에 따라 제1 클럭신호(C1)를 선택하여 출력라인으로 공급하는 제6 PMOS 트랜지스터(T6)와, QB노드의 전압에 따라 제1 공급전압(VSS)을 선택하여 출력라인으로 공급하는 제7 PMOS 트랜지스터(T7)를 구비한다.The buffer unit 54 selects the first clock signal C1 according to the voltage of the Q node and supplies the sixth PMOS transistor T6 to the output line and the first supply voltage VSS according to the voltage of the QB node. And a seventh PMOS transistor T7 to select and supply the output line.

그리고, 제1 제어부(50)는 Q노드 및 QB노드와 제1 공급전압(VSS) 입력라인 사이에 접속되어 제7 PMOS 트랜지스터(T7)와 듀얼동작으로 Q노드를 제어하는 제3 PMOS 트랜지스터(T3)를 더 구비한다.In addition, the first controller 50 is connected between the Q node and the QB node and the first supply voltage VSS input line to control the Q node in dual operation with the seventh PMOS transistor T7. ) Is further provided.

또한, 제1 스테이지(ST1)는 제6 PMOS 트랜지스터(T6)의 게이트단자와 소스단자 사이, 즉 Q노드와 출력라인 사이에 접속된 제1 캐패시터(CQ)와, 제7 PMOS 트랜지스터(T7)의 게이트단자와 소스단자 사이, 즉 QB노드와 제1 공급전압(VSS) 입력라인 사이에 접속된 제2 캐패시터(CQB)를 더 구비한다.In addition, the first stage ST1 includes the first capacitor CQ connected between the gate terminal and the source terminal of the sixth PMOS transistor T6, that is, between the Q node and the output line, and the seventh PMOS transistor T7. A second capacitor CQB is further provided between the gate terminal and the source terminal, that is, between the QB node and the first supply voltage VSS input line.

제1 레벨쉬프터(LS1)는 Q노드 및 제2 클럭신호(C2)의 상태에 따라 QL노드를 제어하는 제3 제어부(58)와, QL노드 및 제2 클럭신호(C2)의 전압에 따라 부극성전압(VNEG) 및 제1 공급전압(VSS) 중 어느 하나를 선택하여 출력하기 위한 출력부(60)를 구비한다.The first level shifter LS1 includes a third control unit 58 for controlling the QL node according to the state of the Q node and the second clock signal C2, and a negative value according to the voltages of the QL node and the second clock signal C2. And an output unit 60 for selecting and outputting any one of the polarity voltage VNEG and the first supply voltage VSS.

제3 제어부(58)는 Q노드 및 제2 클럭신호(C2)의 상태에 따라 Q노드를 통해 부극성전압(VNEG)이 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인으로 공급되게 한다. 이를 위하여, 제3 제어부(58)는 QL노드와 제2 클럭신호(C2) 입력라인 및 출력라인 사이에 접속된 제8 PMOS 트랜지스터(T8)와, 부극성전압(VNEG) 공급라인과 Q노드 및 QL노드 사이에 접속된 제9 PMOS 트랜지스터(T9)를 구비한다.The third controller 58 causes the negative voltage VNEG to be supplied to the output line of the first level shifter LS1 through the Q node according to the states of the Q node and the second clock signal C2. To this end, the third controller 58 includes an eighth PMOS transistor T8 connected between the QL node, the second clock signal C2 input line, and the output line, the negative voltage VNEG supply line, and the Q node; A ninth PMOS transistor T9 connected between the QL nodes is provided.

출력부(60)는 QL노드의 전압에 따라 부극성 공급전압(VNEG)을 선택하여 출력라인으로 공급하는 제10 PMOS 트랜지스터(T10)와, 제2 클럭신호(C2)에 따라 제1 공급전압(VSS)을 선택하여 출력라인으로 공급하는 제11 PMOS 트랜지스터(T11)를 구비한다.The output unit 60 selects the negative supply voltage VNEG according to the voltage of the QL node and supplies it to the output line. The output unit 60 supplies a first supply voltage according to the second clock signal C2. And an eleventh PMOS transistor T11 that selects and supplies VSS to an output line.

그리고, 제1 레벨 쉬프터(LS1)는 출력라인의 왜곡을 방지하기 위하여 출력라인과 제1 스테이지(ST1)의 QB노드 및 제1 공급전압(VSS) 입력라인 사이에 접속된 제12 PMOS 트랜지스터(T12)를 더 구비한다. 또한, 제1 레벨쉬프터(LS1)는 제10 PMOS 트랜지스터(T10)의 게이트단자와 소스단자 사이, 즉 QL노드와 출력라인 사이에 접속된 제3 캐패시터(CQL)를 더 구비한다.The first level shifter LS1 is connected to the twelfth PMOS transistor T12 connected between the output line, the QB node of the first stage ST1, and the first supply voltage VSS input line to prevent distortion of the output line. ) Is further provided. The first level shifter LS1 further includes a third capacitor CQL connected between the gate terminal and the source terminal of the tenth PMOS transistor T10, that is, between the QL node and the output line.

이러한 구성을 가지는 제1 스테이지(ST1)와 레벨쉬프터(LS1)에는 도 7에 도시된 바와 같이 순차적으로 한 클럭만큼씩 위상지연되는 형태를 가지는 제1 내지 제4 클럭신호(C1 내지 C4)가 공급된다. 여기서, 제4 클럭신호(C4)는 스타트펄스(SP)와 동기된 위상을 갖는다. 스타트펄스(SP)를 포함하여 제1 내지 제4 클럭신호(C1 내지 C4)는 10V 이하의 스윙전압을 가지는 부극성타입으로 공급된다. 여기서는 10V의 전위를 로우상태로, 0V의 전위를 하이상태로 가정한다. 이러한 구동파형을 참조하여 제1 스테이지(ST1)와 레벨 쉬프터(LS1)의 동작을 살펴보면 다음과 같다.As shown in FIG. 7, the first to fourth clock signals C1 to C4 having a form in which the phase delay is sequentially delayed by one clock as shown in FIG. 7 are supplied to the first stage ST1 and the level shifter LS1 having such a configuration. do. Here, the fourth clock signal C4 has a phase synchronized with the start pulse SP. The first to fourth clock signals C1 to C4 including the start pulse SP are supplied in the negative polarity type having a swing voltage of 10V or less. Here, the potential of 10V is assumed to be low and the potential of 0V is assumed to be high. The operation of the first stage ST1 and the level shifter LS1 will be described with reference to the driving waveform as follows.

T1 기간에서 스타트펄스(SP)와 제4 클럭신호(C4)가 동시에 하이상태가 되면 제1 및 제2 PMOS 트랜지스터(T1, T2)가 턴-온되어 Q노드에는 약 2V 정도의 전압이 충전된다. 이에 따라, Q노드에 게이트단자가 접속된 제6 및 제9 PMOS 트랜지스터(T6, T9)가 서서히 턴-온된다. 아울러, 하이상태의 스타트펄스(SP)에 의해 제5 PMOS 트랜지스터(T5)가 턴-온되어 제1 공급전압(VSS) 입력라인으로부터의 10V의 전압이 QB노드에 충전된다. 이에 따라, QB노드에 게이트단자가 접속된 제3 및 제7 PMOS 트랜지스터(T3, T7)가 턴-오프된다. 이 결과, 턴-온된 제6 PMOS 트랜지스터(T6)를 통해 로우상태를 유지하는 제1 클럭신호(C1)의 전압 10V가 제1 스테이지(ST1)의 출력라인에 공급되어 출력라인은 로우상태(10V)로 충전된다. 또한, 턴-온된 제9 PMOS 트랜지스터(T9)를 통해 부극성전압(VNEG) -8V가 QL노드에 충전되어 제10 PMOS 트랜지스터(T10)가 미약하게 턴-온되나, QB노드가 하이상태이기 때문에 제12 PMOS 트랜지스터(T12)가 턴-온되어 제1 레벨쉬프터(LS1)의 출력라인에는 10V의 전압이 충전된다.When the start pulse SP and the fourth clock signal C4 become high simultaneously in the T1 period, the first and second PMOS transistors T1 and T2 are turned on to charge the Q node with a voltage of about 2 V. . As a result, the sixth and ninth PMOS transistors T6 and T9 having the gate terminal connected to the Q node are gradually turned on. In addition, the fifth PMOS transistor T5 is turned on by the high state start pulse SP so that a voltage of 10 V from the first supply voltage VSS input line is charged to the QB node. Accordingly, the third and seventh PMOS transistors T3 and T7 having gate terminals connected to the QB node are turned off. As a result, a voltage of 10 V of the first clock signal C1 maintaining the low state through the turned-on sixth PMOS transistor T6 is supplied to the output line of the first stage ST1 so that the output line is low (10 V). ) Is charged. Also, since the negative voltage VNEG -8V is charged to the QL node through the turned-on ninth PMOS transistor T9, the tenth PMOS transistor T10 is weakly turned on, but the QB node is high. The twelfth PMOS transistor T12 is turned on so that a voltage of 10V is charged in the output line of the first level shifter LS1.

T2 기간에서 스타트펄스(SP)와 제4 클럭신호(C4)가 로우상태가 되고 제1 클럭신호(C1)가 하이상태가 되면 제6 PMOS 트랜지스터의 게이트와 소오스 사이에 형성된 내부 캐패시터(Cgs)와 제1 캐패시터(CQ)의 영향으로 부트스트래핑(Bootstrapping) 현상이 발생하여 Q노드는 -7V 정도까지 전압을 충전하게 되어 확실한 하이상태가 된다. 이러한 부트스트래핑 현상은 제1 내지 제3 PMOS 트랜지스터(T1 내지 T3)가 모두 턴-오프되어 Q노드가 플로팅상태이기 때문에 가능하다. 이에 따라, 제6 PMOS트랜지스터(T6)가 확실하게 턴-온되어 제1 클럭신호(C1)의 하이전압(0V)이 제1 스테이지(ST1)의 출력라인에 빠르게 충전되어 그 출력라인은 0V의 하이상태가 된다. 아울러, 제9 PMOS 트랜지스터(T9)도 확실하게 턴-온되어 턴-온된 제10 PMOS 트랜지스터(T10)를 경유하여 -8V의 부극성전압(VNEG)이 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인에 빠르게 충전되게 한다. 이 경우, 제10 PMOS 트랜지스터(T10)의 내부에 형성된 기생캐패시터(Cgs)와 제3 캐패시터(CQL)에 의해 QL노드에도 부트스트래핑 현상이 발생하여 QL노드는 -18V 정도까지 상승하는 확실한 하이상태가 되어 부극성전압(VNEG)이 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인에 빠르게 충전되게 한다.In the T2 period, when the start pulse SP and the fourth clock signal C4 go low and the first clock signal C1 goes high, the internal capacitor Cgs formed between the gate and the source of the sixth PMOS transistor Due to the influence of the first capacitor CQ, a bootstrapping phenomenon occurs, and the Q node is charged to a voltage of about -7V, thereby being surely high. This bootstrapping phenomenon is possible because all of the first to third PMOS transistors T1 to T3 are turned off and the Q node is in a floating state. Accordingly, the sixth PMOS transistor T6 is reliably turned on so that the high voltage (0V) of the first clock signal C1 is quickly charged to the output line of the first stage ST1, and the output line is 0V. Goes high. In addition, the ninth PMOS transistor T9 is reliably turned on, and a negative voltage VNEG of −8 V is applied to the output line of the first level shifter LS1 via the tenth PMOS transistor T10 that is turned on. Allow it to charge quickly. In this case, the bootstrapping occurs on the QL node due to the parasitic capacitor Cgs and the third capacitor CQL formed in the tenth PMOS transistor T10, so that the QL node rises to about -18V. The negative voltage VNEG is quickly charged to the output line of the level shifter LS1.

T3 기간에서 제1 클럭신호(C1)이 로우상태가 되고 제2 클럭신호(C2)가 하이상태가 되면 Q노드의 전압은 다시 약 2V정도로 떨어지고 턴-온된 제6 PMOS 트랜지스터(T6)를 경유하여 제1 클럭신호(C1)의 로우상태의 전압(10V)이 제1 스테이지(ST1)의 출력라인에 충전된다. 아울러, 하이상태의 제2 클럭신호(C2)에 의해 제11 PMOS 트랜지스터(T11)가 턴-온되어 제1 공급전압(VSS)인 약 10V의 전압이 제1 레벨쉬프터(LS1)의 출력라인에 충전된다. 이 경우, 하이상태의 제2 클럭신호(C2)에 의해 제8 PMOS 트랜지스터(T8)가 턴-온되어 QL노드에는 약 7.2V 정도의 전압이 충전되므로 제10 PMOS 트랜지스터(T10)가 턴-오프된다.When the first clock signal C1 becomes low in the T3 period and the second clock signal C2 becomes high, the voltage of the Q node drops back to about 2V and passes through the turned-on sixth PMOS transistor T6. The low voltage 10V of the first clock signal C1 is charged to the output line of the first stage ST1. In addition, the eleventh PMOS transistor T11 is turned on by the second clock signal C2 in the high state, and a voltage of about 10 V, which is the first supply voltage VSS, is applied to the output line of the first level shifter LS1. Is charged. In this case, since the eighth PMOS transistor T8 is turned on by the second clock signal C2 in the high state, the QL node is charged with a voltage of about 7.2 V, so that the tenth PMOS transistor T10 is turned off. do.

T4 기간에서 제3 클럭신호(C3)가 하이상태가 되면 제4 PMOS 트랜지스터(T4)가 턴-온되어 제2 공급전압(VDD)인 0V가 QB노드에 충전됨으로써 제3, 제7, 제12 PMOS 트랜지스터(T3, T7, T12)가 턴-온된다. 턴-온된 제3 PMOS 트랜지스터(T3)를 경유하여 Q노드에 충전된 약 2V의 전압은 10V로 바뀌게 되고, 턴-온된 제7 PMOS 트랜지스터(T7)을 경유하여 제1 스테이지(ST1)의 출력라인은 10V를 유지하게 된다. 그리고, 턴-온된 제12 PMOS 트랜지스터(T12)에 의해 제1 레벨쉬프터(LS1)의 출력라인은 10V를 유지한다. 이 경우, 제2 캐패시터(CQB)는 제3 및 제7 PMOS 트랜지스터(T3, T7)의 누설전류에 의해 QB노드의 전압이 왜곡되는 것을 방지한다.When the third clock signal C3 becomes high in the T4 period, the fourth PMOS transistor T4 is turned on so that 0 V, the second supply voltage VDD, is charged to the QB node. PMOS transistors T3, T7, and T12 are turned on. The voltage of about 2V charged to the Q node via the turned-on third PMOS transistor T3 is changed to 10V, and the output line of the first stage ST1 via the turned-on seventh PMOS transistor T7 is turned on. Will maintain 10V. The output line of the first level shifter LS1 is maintained at 10V by the turned-on twelfth PMOS transistor T12. In this case, the second capacitor CQB prevents the voltage of the QB node from being distorted by the leakage currents of the third and seventh PMOS transistors T3 and T7.

T5 기간에서 제4 클럭신호(C4)가 하이상태가 되면 제2 PMOS 트랜지스터(T2)가 턴-온된다. 그러나, 제1 및 제5 PMOS 트랜지스터(T1, T5)는 턴-오프 상태를 유지하므로 QB노드는 0V를 유지하게 된다. 따라서 제3, 제7, 제12 PMOS 트랜지스터(T3, T7, T12)은 계속 턴-온 상태를 유지하므로 제1 스테이지(ST1)의 출력라인과 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인은 10V를 유지한다.When the fourth clock signal C4 becomes high in the T5 period, the second PMOS transistor T2 is turned on. However, since the first and fifth PMOS transistors T1 and T5 maintain the turn-off state, the QB node maintains 0V. Accordingly, since the third, seventh, and twelfth PMOS transistors T3, T7, and T12 are continuously turned on, the output line of the first stage ST1 and the output line of the first level shifter LS1 are 10V. Keep it.

제2 스테이지(ST2)와 제2 레벨 쉬프터(LS2)는 전술한 제1 스테이지(ST1) 및 레벨 쉬프터(LS1)와 동일한 구성을 가진다. 다만, 제2 스테이지(ST2)와 제2 레벨 쉬프터(LS2)는 상기 제1 스테이지(ST1) 및 레벨 쉬프터(LS1)에 이용된 클럭신호들과는 한 클럭만큼씩 위상차를 갖는 클럭신호들과 제1 스테이지(ST1)의 출력신호를이용하여 상기와 같이 동작하게 된다. 이에 따라, 제2 스테이지(ST2)와 제2 레벨 쉬프터(LS2)는 제1 스테이지(ST1) 및 레벨 쉬프터(LS1)와 대비하여 한 클럭만큼 쉬프트된 신호(S02) 및 레벨 쉬프팅된 신호(LO2)를 출력하게 된다.The second stage ST2 and the second level shifter LS2 have the same configuration as the first stage ST1 and the level shifter LS1 described above. However, the second stage ST2 and the second level shifter LS2 are clock signals having a phase difference by one clock with respect to the clock signals used in the first stage ST1 and the level shifter LS1. It operates as described above using the output signal of ST1. Accordingly, the second stage ST2 and the second level shifter LS2 are shifted by one clock signal S02 and the level shifted signal LO2 in comparison with the first stage ST1 and the level shifter LS1. Will print

도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프터 레지스터를 도시한 것으로, 제1 스테이지(ST1)와 제1 레벨 쉬프터(LS1)에 대한 상세회로를 도시한 것이다.8 illustrates a shifter register incorporating a level shifter according to another embodiment of the present invention, and shows a detailed circuit of the first stage ST1 and the first level shifter LS1.

도 8에 도시된 제1 스테이지(ST1)는 도 6에 도시된 제1 스테이지(ST1)와 동일한 구성을 가진다.The first stage ST1 illustrated in FIG. 8 has the same configuration as the first stage ST1 illustrated in FIG. 6.

제1 레벨 쉬프터(LS1)는 도 6에 도시된 제1 레벨 쉬프터(LS1)와 대비하여 제10 PMOS 트랜지스터(T10)의 누설전류에 의한 출력신호(LS1)의 왜곡을 방지하기 위한 제13 PMOS 트랜지스터(T13)와, QL노드의 프리차징에 의한 출력신호(LS1)의 왜곡을 방지하기 위한 제 14 PMOS 트랜지스터(T14)를 더 구비한다. 이를 위하여, 제13 PMOS 트랜지스터(T13)는 QL 노드와 QB 노드 및 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인 사이에 접속되고, 제14 PMOS 트랜지스터(T14)는 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인과 제2 PMOS 트랜지스터(T2)의 게이트단자 및 제1 공급전압(VSS) 입력라인 사이에 접속된다.The first level shifter LS1 is a thirteenth PMOS transistor to prevent distortion of the output signal LS1 due to leakage current of the tenth PMOS transistor T10 in comparison with the first level shifter LS1 illustrated in FIG. 6. And a fourteenth PMOS transistor T14 for preventing distortion of the output signal LS1 due to precharging the QL node. For this purpose, the thirteenth PMOS transistor T13 is connected between the QL node, the QB node, and the output line of the first level shifter LS1, and the fourteenth PMOS transistor T14 is an output line of the first level shifter LS1. And a gate terminal of the second PMOS transistor T2 and the first supply voltage VSS input line.

이러한 구성을 가지는 제1 스테이지(ST1) 및 제1 쉬프트 레지스터(LS1)의 동작과정을 도 9에 도시된 구동파형과 결부하면 설명하면 다음과 같다.An operation process of the first stage ST1 and the first shift register LS1 having such a configuration will be described below with reference to the driving waveform shown in FIG. 9.

T1 기간에서 스타트펄스(SP)와 제4 클럭신호(C4)가 동시에 하이상태가 되면 제1 및 제2 PMOS 트랜지스터(T1, T2)가 턴-온되어 Q노드는 약 2V 정도의 전압이 충전된다. 이에 따라, Q노드에 게이트단자가 접속된 제6 및 제9 PMOS 트랜지스터(T6, T9)가 서서히 턴-온된다. 아울러, 하이상태의 스타트펄스(SP)에 의해 제5 PMOS 트랜지스터(T5)가 턴-온되어 제1 공급전압(VSS) 입력라인으로부터의 10V의 전압이 QB노드에 충전된다. 이에 따라, QB노드에 게이트단자가 접속된 제3 및 제7 PMOS 트랜지스터(T3, T7)가 턴-오프된다. 이 결과, 턴-온된 제6 PMOS 트랜지스터(T6)를 통해 로우상태를 유지하는 제1 클럭신호(C1)의 전압 10V가 쉬프트 레지스터(56)의 출력라인에 공급되어 출력라인은 로우상태(10V)로 충전된다. 여기서, 서서히 턴-온된 제9 PMOS 트랜지스터(T9)를 통해 부극성전압(VNEG) -8V가 QL노드에 프리차징되어 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인에 -8V의 전압이 유입되어 출력신호(LO1)가 왜곡되는 경우가 발생하게 된다. 제14 PMOS 트랜지스터(T14)는 이렇게 T1기간에서 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력신호(LO1)가 왜곡되는 것을 방지한다. 이를 위하여, 제14 PMOS 트랜지스터(T14)의 게이트단자는 제2 PMOS 트랜지스터(T2)의 게이트단자에 접속되고, 소스단자와 드레인단자 각각은 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인과 제1 공급전압(VSS) 입력라인에 접속된다. 이러한 제14 PMOS 트랜지스터(T14)는 하이상태의 제4 클럭신호(C4)에 의해 턴-온되어 T1기간에서 QL노드가 프리차징되어 제10 PMOS 트랜지스터(T10)가 턴-온되더라도 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인이 10V를 유지하게 한다.When the start pulse SP and the fourth clock signal C4 become high at the same time in the T1 period, the first and second PMOS transistors T1 and T2 are turned on so that the Q node is charged with a voltage of about 2V. . As a result, the sixth and ninth PMOS transistors T6 and T9 having the gate terminal connected to the Q node are gradually turned on. In addition, the fifth PMOS transistor T5 is turned on by the high state start pulse SP so that a voltage of 10 V from the first supply voltage VSS input line is charged to the QB node. Accordingly, the third and seventh PMOS transistors T3 and T7 having gate terminals connected to the QB node are turned off. As a result, a voltage of 10 V of the first clock signal C1 maintaining the low state through the turned-on sixth PMOS transistor T6 is supplied to the output line of the shift register 56 so that the output line is low (10 V). Is charged. Here, the negative voltage VNEG -8V is precharged to the QL node through the ninth PMOS transistor T9 gradually turned on so that a voltage of -8V flows into the output line of the first level shifter LS1 to output the output signal. The case where LO1 is distorted occurs. The fourteenth PMOS transistor T14 prevents the output signal LO1 of the first level shifter LS1 from being distorted in the T1 period. For this purpose, the gate terminal of the fourteenth PMOS transistor T14 is connected to the gate terminal of the second PMOS transistor T2, and each of the source terminal and the drain terminal is an output line and a first supply voltage of the first level shifter LS1. (VSS) is connected to the input line. Although the fourteenth PMOS transistor T14 is turned on by the fourth clock signal C4 in the high state and the QL node is precharged in the T1 period, the first level shifter is turned on. Keep the output line of (LS1) at 10V.

T2 기간에서 그 다음, 스타트펄스(SP)와 제4 클럭신호(C4)가 로우상태가 되고 제1 클럭신호(C1)가 하이상태가 되면 제6 PMOS 트랜지스터(T6)의 게이트와 소오스 사이에 형성된 내부 캐패시터(Cgs)와 제1 캐패시터(CQ)의 영향으로 부트스트래핑(Bootstrapping) 현상이 발생하여 Q노드는 -7V 정도까지 전압을 충전하게 되어 확실한 하이상태가 된다. 이에 따라, 제6 PMOS 트랜지스터(T6)가 확실하게 턴-온되어 제1 클럭신호(C1)의 하이전압(0V)이 제1 스테이지(ST1)의 출력라인에 빠르게 충전되어 그 출력라인은 0V의 하이상태가 된다. 아울러, 제9 PMOS 트랜지스터(T9)도 확실하게 턴-온되어 턴-온된 제10 PMOS 트랜지스터(T10)를 경유하여 -8V의 부극성전압(VNEG)이 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인에 충전되게 한다. 이 경우, 제10 PMOS 트랜지스터(T10)의 내부에 형성된 기생캐패시터(Cgs)와 제2 캐패시터(CQL)에 의해 QL노드에도 부트스트래핑 현상이 발생하여 QL노드는 -18V 정도까지 상승하는 확실한 하이상태가 되어 -8V의 부극성전압(VNEG)이 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인에 빠르게 충전되게 한다.Next, in the period T2, when the start pulse SP and the fourth clock signal C4 go low and the first clock signal C1 goes high, the gate and the source of the sixth PMOS transistor T6 are formed. Bootstrapping occurs under the influence of the internal capacitor Cgs and the first capacitor CQ, and the Q node is charged to a voltage of about -7V, thereby becoming a high state. Accordingly, the sixth PMOS transistor T6 is reliably turned on so that the high voltage (0V) of the first clock signal C1 is quickly charged to the output line of the first stage ST1, and the output line is 0V. Goes high. In addition, the ninth PMOS transistor T9 is reliably turned on, and a negative voltage VNEG of −8 V is applied to the output line of the first level shifter LS1 via the tenth PMOS transistor T10 that is turned on. Allow to charge In this case, the bootstrapping occurs on the QL node due to the parasitic capacitor Cgs and the second capacitor CQL formed in the tenth PMOS transistor T10, so that the high state in which the QL node rises to about -18V is obtained. The negative voltage VNEG of -8V is quickly charged to the output line of the first level shifter LS1.

T3 기간에서 제1 클럭신호(C1)이 로우상태가 되고 제2 클럭신호(C2)가 하이상태가 되면 Q노드의 전압은 다시 약 2V정도로 떨어지고 턴-온된 제6 PMOS 트랜지스터(T6)를 경유하여 제1 클럭신호(C1)의 로우상태의 전압(10V)이 제1 스테이지(ST1)의 출력라인에 충전된다. 아울러, 하이상태의 제2 클럭신호(C2)에 의해 제11 PMOS 트랜지스터(T11)가 턴-온되어 제1 공급전압(VSS)인 약 10V의 전압이 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인에 충전된다. 이 경우, 하이상태의 제2 클럭신호(C2)에 의해 제8 PMOS 트랜지스터(T8)가 턴-온되어 QL노드에는 약 7.2V 정도의 전압이 충전되므로 제10 PMOS 트랜지스터(T10)는 턴-오프된다.When the first clock signal C1 becomes low in the T3 period and the second clock signal C2 becomes high, the voltage of the Q node drops back to about 2V and passes through the turned-on sixth PMOS transistor T6. The low voltage 10V of the first clock signal C1 is charged to the output line of the first stage ST1. In addition, the eleventh PMOS transistor T11 is turned on by the second clock signal C2 in the high state, and a voltage of about 10 V, which is the first supply voltage VSS, is applied to the output line of the first level shifter LS1. Is charged. In this case, since the eighth PMOS transistor T8 is turned on by the second clock signal C2 in the high state, the QL node is charged with a voltage of about 7.2V, so the tenth PMOS transistor T10 is turned off. do.

T4 기간에서 제3 클럭신호(C3)가 하이상태가 되면 제4 PMOS 트랜지스터(T4)가 턴-온되어 제2 공급전압(VDD)인 0V가 QB노드에 충전됨으로써 제3, 제7, 제12PMOS 트랜지스터(T3, T7, T12)가 턴-온된다. 턴-온된 제3 PMOS 트랜지스터(T3)를 경유하여 Q노드에 충전된 약 2V의 전압은 10V로 방전하게 되고, 턴-온된 제7 PMOS 트랜지스터(T7)을 경유하여 제1 스테이지(ST1)의 출력라인은 10V를 유지하게 된다. 그리고, 턴-온된 제12 PMOS 트랜지스터(T12)에 의해 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인은 10V를 유지한다. 여기서, 제9 PMOS 트랜지스터(T9)가 턴-오프 상태가 됨에 따라 QL노드가 플로팅상태가 된다. 이 경우, 제10 PMOS 트랜지스터(T10)의 누설전류에 의해 QL노드가 약 7V의 전압에서 하이상태, 즉 -8V 쪽으로 서서히 변화하게 된다. 이에 따라, 제10 PMOS 트랜지스터(T10)가 서서히 턴-온되어 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인 상의 전압이 왜곡되는 경우가 발생하게 된다. 제13 PMOS 트랜지스터(T13)는 이러한 T4 기간에서 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력신호(LO1)가 왜곡되는 것을 방지한다. 이를 위하여, 제13 PMOS 트랜지스터(T13)는 QB노드에 게이트단자가 접속되고, 소스단자와 드레인단자 각각이 QL노드와 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인에 접속된다. 이러한 제13 PMOS 트랜지스터(T13)는 턴-온된 제4 PMOS 트랜지스터(T4)에 의한 QB노드의 하이상태에 의해 턴-온된다. 이에 따라, QL노드가 제1 레벨 쉬프터(LS1)과 전기적으로 접속되어 플로팅구간이 발생되지 않게 된다. 더불어, 제1 레벨 쉬프터(LS1) 출력라인 상의 로우상태(10V)의 전압이 QL노드에 공급되어 제10 PMOS 트랜지스터(T10)은 턴-오프상태를 유지하므로 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인은 10V의 로우상태를 유지할 수 있게 된다.When the third clock signal C3 becomes high in the T4 period, the fourth PMOS transistor T4 is turned on so that the 0 V, the second supply voltage VDD, is charged to the QB node, thereby causing the third, seventh, and twelfth PMOS. Transistors T3, T7, and T12 are turned on. The voltage of about 2V charged to the Q node via the turned-on third PMOS transistor T3 is discharged to 10V and the output of the first stage ST1 via the turned-on seventh PMOS transistor T7. The line will maintain 10V. The output line of the first level shifter LS1 is maintained at 10V by the turned-on twelfth PMOS transistor T12. Here, as the ninth PMOS transistor T9 is turned off, the QL node is in a floating state. In this case, due to the leakage current of the tenth PMOS transistor T10, the QL node gradually changes from the voltage of about 7V to the high state, that is, toward -8V. Accordingly, a case where the tenth PMOS transistor T10 is gradually turned on and the voltage on the output line of the first level shifter LS1 is distorted. The thirteenth PMOS transistor T13 prevents the output signal LO1 of the first level shifter LS1 from being distorted in the T4 period. To this end, the thirteenth PMOS transistor T13 has a gate terminal connected to the QB node, and a source terminal and a drain terminal respectively connected to the output line of the QL node and the first level shifter LS1. The thirteenth PMOS transistor T13 is turned on by the high state of the QB node by the fourth PMOS transistor T4 turned on. Accordingly, the QL node is electrically connected to the first level shifter LS1 so that no floating section is generated. In addition, since the voltage of the low state 10V on the output line of the first level shifter LS1 is supplied to the QL node, the tenth PMOS transistor T10 remains turned off, so that the output line of the first level shifter LS1 is maintained. Maintains a low state of 10V.

T5 기간에서 제4 클럭신호가 하이상태가 되면 제2 PMOS 트랜지스터(T2)가 턴-온된다. 그러나, 제1 및 제5 PMOS 트랜지스터(T2, T5)는 턴-오프 상태를 유지하므로 QB노드는 0V를 유지하게 된다. 따라서, 제3, 제7, 제12 PMOS 트랜지스터(T3, T7, T12)은 계속 턴-온 상태를 유지하므로 제1 스테이지(ST1)의 출력라인과 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인은 10V를 유지한다.When the fourth clock signal becomes high in the T5 period, the second PMOS transistor T2 is turned on. However, since the first and fifth PMOS transistors T2 and T5 remain turned off, the QB node maintains 0V. Accordingly, since the third, seventh, and twelfth PMOS transistors T3, T7, and T12 remain turned on, the output line of the first stage ST1 and the output line of the first level shifter LS1 are 10V. Keep it.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터를 도시한 것으로, 특히 제1 스테이지(ST1)와 제1 레벨 쉬프터(LS1)에 대한 상세회로를 도시한 것이다.FIG. 10 is a diagram illustrating a shift register according to another embodiment of the present invention. In particular, a detailed circuit of the first stage ST1 and the first level shifter LS1 is illustrated.

도 10에 도시된 제1 스테이지(ST1)는 도 8에 도시된 제1 스테이지(ST1)와 동일한 구성을 가진다.The first stage ST1 illustrated in FIG. 10 has the same configuration as the first stage ST1 illustrated in FIG. 8.

제1 레벨 쉬프터(LS1)는 도 8에 도시된 제1 레벨 쉬프터(LS1)와 대비하여 PMOS 문턱전압이 낮은 경우 QL노드의 전압이 제9 PMOS 트랜지스터(T10)의 누설전류에 의해 왜곡되고, 그로 인하여 출력신호(LO1)가 왜곡되는 것을 방지하기 위한 제15 PMOS 트랜지스터(T15)를 더 구비한다. 이를 위하여 제15 PMOS 트랜지스터(T15)는 부극성전압(VNEG) 입력라인과 제10 PMOS 트랜지스터(T10)의 소스단자와 사이에 다이오드형으로 접속된다.When the PMOS threshold voltage is lower than that of the first level shifter LS1 illustrated in FIG. 8, the voltage of the QL node is distorted by the leakage current of the ninth PMOS transistor T10. And a fifteenth PMOS transistor T15 for preventing the output signal LO1 from being distorted. For this purpose, the fifteenth PMOS transistor T15 is diode-connected between the negative voltage VNEG input line and the source terminal of the tenth PMOS transistor T10.

이러한 구성을 가지는 제1 스테이지(ST1)와 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 동작과정을 도 9에 도시된 구동파형과 결부하면 설명하면 다음과 같다.An operation process of the first stage ST1 and the first level shifter LS1 having such a configuration will be described below with reference to the driving waveform shown in FIG. 9.

T1 기간에서 스타트펄스(SP)와 제4 클럭신호(C4)가 동시에 하이상태가 되면 제1 및 제2 PMOS 트랜지스터(T1, T2)가 턴-온되어 Q노드에는 약 2V 정도의 전압이 충전된다. 이에 따라, Q노드에 게이트단자가 접속된 제6 및 9 PMOS 트랜지스터(T6, T9)가 서서히 턴-온된다. 아울러, 하이상태의 스타트펄스(SP)에의해 제5 PMOS 트랜지스터(T5)가 턴-온되어 제1 공급전압(VSS) 입력라인으로부터의 10V의 전압이 QB노드에 충전된다. 이에 따라, QB노드에 게이트단자가 접속된 제3 및 제7 PMOS 트랜지스터(T3, T7)가 턴-오프된다. 이 결과, 턴-온된 제6 PMOS 트랜지스터(T6)를 통해 로우상태를 유지하는 제1 클럭신호(C1)의 전압 10V가 제1 스테이지(ST1)의 출력라인에 공급되어 출력라인은 로우상태(10V)로 충전된다. 제14 PMOS 트랜지스터(T14)는 하이상태의 제4 클럭신호(C4)에 의해 턴-온되어 제10 PMOS 트랜지스터(T10)가 QL노드의 프리차징으로 턴-온되더라도 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인이 10V를 유지하게 한다.When the start pulse SP and the fourth clock signal C4 become high simultaneously in the T1 period, the first and second PMOS transistors T1 and T2 are turned on to charge the Q node with a voltage of about 2 V. . As a result, the sixth and ninth PMOS transistors T6 and T9 having gate terminals connected to the Q nodes are gradually turned on. In addition, the fifth PMOS transistor T5 is turned on by the start pulse SP in a high state, and a voltage of 10 V from the first supply voltage VSS input line is charged to the QB node. Accordingly, the third and seventh PMOS transistors T3 and T7 having gate terminals connected to the QB node are turned off. As a result, a voltage of 10 V of the first clock signal C1 maintaining the low state through the turned-on sixth PMOS transistor T6 is supplied to the output line of the first stage ST1 so that the output line is low (10 V). ) Is charged. The fourteenth PMOS transistor T14 is turned on by the fourth clock signal C4 in the high state so that the tenth PMOS transistor T10 is turned on due to precharging of the QL node. Keep the output line at 10V.

T2 기간에서 스타트펄스(SP)와 제4 클럭신호(C4)가 로우상태가 되고 제1 클럭신호(C1)가 하이상태가 되면 제6 PMOS 트랜지스터의 게이트와 소오스 사이에 형성된 내부 캐패시터(Cgs)와 제1 캐패시터(CQ)의 영향으로 부트스트래핑(Bootstrapping) 현상이 발생하여 Q노드는 -7V 정도까지 전압을 충전하게 되어 확실한 하이상태가 된다. 이에 따라, 제6 PMOS트랜지스터(T6)가 확실하게 턴-온되어 제1 클럭신호(C1)의 하이전압(0V)이 쉬프트 레지스터(60)의 출력라인에 빠르게 충전되어 제1 스테이지(ST1)의 출력라인은 0V의 하이상태가 된다. 아울러, 제9 PMOS 트랜지스터(T9)도 확실하게 턴-온되어 턴-온된 제10 PMOS 트랜지스터(T10)를 경유하여 -8V의 부극성전압(VNEG)이 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인에 충전되게 한다.In the T2 period, when the start pulse SP and the fourth clock signal C4 go low and the first clock signal C1 goes high, the internal capacitor Cgs formed between the gate and the source of the sixth PMOS transistor Due to the influence of the first capacitor CQ, a bootstrapping phenomenon occurs, and the Q node is charged to a voltage of about -7V, thereby being surely high. Accordingly, the sixth PMOS transistor T6 is reliably turned on so that the high voltage (0V) of the first clock signal C1 is quickly charged to the output line of the shift register 60, thereby The output line goes high at 0V. In addition, the ninth PMOS transistor T9 is reliably turned on, and a negative voltage VNEG of −8 V is applied to the output line of the first level shifter LS1 via the tenth PMOS transistor T10 that is turned on. Allow to charge

한편, QL노드의 전압은 PMOS 트랜지스터의 문턱전압(Vth)에 큰 의존성을 가지게 된다. 이에 따라, 문턱전압(Vth)의 차이로 인해 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인에 충전된 하이상태의 전압이 왜곡되는 경우가 발생할 수도 있다. 상세히 하면, Q노드가 부트스트래핑 현상으로 약 -7V정도까지 상승할 때 턴-온된 제9 PMOS 트랜지스터(T9)의 기생캐패시터(Cgs)와 제3 캐패시터(CQL)에 의해 QL노드에도 부트스트래핑 현상이 발생하여 약 -18V정도까지 전압이 상승한다. 여기서, PMOS 트랜지스터의 문턱전압(Vth)가 -3V인 경우 제9 PMOS 트랜지스터(T9)는 Vgs = 1V, Vds = -10V의 조건으로 턴-오프 상태가 됨으로써 QL노드에 걸린 -18V의 전압은 홀딩되어 턴-온된 제10 PMOS 트랜지스터(T10)를 통해 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인에 공급되는 -8V의 전압은 왜곡없이 유지될 수 있게 된다. 반면에, PMOS 트랜지스터의 문턱전압(Vth)가 -1V인 경우 QL노드에 걸린 -18V의 전압이 제9 PMOS 트랜지스터(T9)의 누설전류에 의해 -8V 쪽으로 방전됨에 따라 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인 상의 전압이 약 -6.9V까지 떨어지는 전압왜곡현상이 발생한다. 이러한 제9 PMOS 트랜지스터(T9)의 누설전류를 차단하기 위하여 부극성전압(VNEG) 입력라인과 제9 PMOS 트랜지스터(T9) 사이에 다이오드 형태로 제15 PMOS 트랜지스터(T15)를 더 삽입한다.On the other hand, the voltage of the QL node has a large dependency on the threshold voltage Vth of the PMOS transistor. Accordingly, the high voltage charged in the output line of the first level shifter LS1 may be distorted due to the difference in the threshold voltage Vth. In detail, when the Q node rises to about -7V due to the bootstrapping phenomenon, the bootstrapping phenomenon is also caused by the parasitic capacitor Cgs and the third capacitor CQL of the ninth PMOS transistor T9 turned on. Occurs and the voltage rises to about -18V. Here, when the threshold voltage Vth of the PMOS transistor is -3V, the ninth PMOS transistor T9 is turned off under the condition of Vgs = 1V and Vds = -10V, so that the voltage of -18V applied to the QL node is held. Therefore, the voltage of −8 V supplied to the output line of the first level shifter LS1 through the turned-on tenth PMOS transistor T10 may be maintained without distortion. On the other hand, when the threshold voltage Vth of the PMOS transistor is -1V, the -18V voltage applied to the QL node is discharged toward -8V by the leakage current of the ninth PMOS transistor T9, so that the first level shifter LS1 is discharged. Voltage distortion occurs at the voltage on the output line of the transistor to about -6.9V. In order to block the leakage current of the ninth PMOS transistor T9, a fifteenth PMOS transistor T15 is further inserted in the form of a diode between the negative voltage VNEG input line and the ninth PMOS transistor T9.

T3 기간에서 제1 클럭신호(C1)이 로우상태가 되고 제2 클럭신호(C2)가 하이상태가 되면 Q노드의 전압은 다시 약 2V정도로 떨어지고 턴-온된 제6 PMOS 트랜지스터(T6)를 경유하여 제1 클럭신호(C1)의 로우상태의 전압(10V)이 제1 스테이지(ST1)의 출력라인에 충전된다. 아울러, 하이상태의 제2 클럭신호(C2)에 의해 제8 PMOS 트랜지스터(T8)가 턴-온되어 QL노드에는 약 7.2V 정도의 전압이 충전되어 제10 PMOS 트랜지스터(T10)가 턴-오프된다. 동시에, 하이상태의 제2 클럭신호(C2)에 의해 제11 PMOS 트랜지스터(T11)가 턴-온되어 제1 공급전압(VSS)인 약 10V의 전압이 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인에 충전된다.When the first clock signal C1 becomes low in the T3 period and the second clock signal C2 becomes high, the voltage of the Q node drops back to about 2V and passes through the turned-on sixth PMOS transistor T6. The low voltage 10V of the first clock signal C1 is charged to the output line of the first stage ST1. In addition, the eighth PMOS transistor T8 is turned on by the second clock signal C2 in the high state, and a voltage of about 7.2V is charged to the QL node, thereby turning off the tenth PMOS transistor T10. . At the same time, the eleventh PMOS transistor T11 is turned on by the second clock signal C2 in the high state, and a voltage of about 10 V, which is the first supply voltage VSS, is applied to the output line of the first level shifter LS1. Is charged.

T4 기간에서 제3 클럭신호(C3)가 하이상태가 되면 제4 PMOS 트랜지스터(T4)가 턴-온되어 제2 공급전압(VDD)인 0V가 QB노드에 충전됨으로써 제3, 제7, 제13 PMOS 트랜지스터(T3, T7, T13)가 턴-온된다. 턴-온된 제3 PMOS 트랜지스터(T3)를 경유하여 Q노드에 충전된 약 2V의 전압은 10V로 방전하게 되고, 턴-온된 제7 PMOS 트랜지스터(T7)을 경유하여 쉬프트 레지스터(60)의 출력라인은 10V를 유지하게 된다. 그리고, 턴-온된 제13 PMOS 트랜지스터(T13)에 의해 제1 레벨 쉬프터(LS1) 출력라인은 로우상태 전압(10V)을 유지하게 된다.When the third clock signal C3 becomes high in the T4 period, the fourth PMOS transistor T4 is turned on so that the 0 V, the second supply voltage VDD, is charged to the QB node. PMOS transistors T3, T7, and T13 are turned on. The voltage of about 2V charged to the Q node via the turned-on third PMOS transistor T3 is discharged to 10V, and the output line of the shift register 60 via the turned-on seventh PMOS transistor T7. Will maintain 10V. In addition, the first level shifter LS1 output line maintains the low state voltage 10V by the turned-on thirteenth PMOS transistor T13.

T5 기간에서 제4 클럭신호가 하이상태가 되면 제2 PMOS 트랜지스터(T2)가 턴-온된다. 그러나, 제1 및 제5 PMOS 트랜지스터(T2, T5)는 턴-오프 상태를 유지하므로 QB노드는 0V를 유지하게 된다. 따라서, 제3, 제7, 제12 PMOS 트랜지스터(T3, T7, T12)은 계속 턴-온 상태를 유지하므로 제1 스테이지(ST1)와 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 출력라인은 로우상태(10V)를 유지한다.When the fourth clock signal becomes high in the T5 period, the second PMOS transistor T2 is turned on. However, since the first and fifth PMOS transistors T2 and T5 remain turned off, the QB node maintains 0V. Therefore, since the third, seventh, and twelfth PMOS transistors T3, T7, and T12 remain turned on, the output lines of the first stage ST1 and the first level shifter LS1 are low (10V). Keep).

이와 같이, 본 발명에 따른 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터는 10V 이하의 스윙전압을 가지는 클럭신호 및 스타트펄스를 이용하여 10V 이상의 스윙전압을 가지는 쉬프트 신호를 출력하게 된다. 특히, 본 발명에 따른 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터는 PMOS 트랜지스터들만을 이용하여 최저전압을 부극성 방향으로 레벨다운시킬 수 있게 된다. 이러한 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터는 EL(Electro Luminesence) 표시장치 또는 도 11에 도시된 액정표시장치의게이트(스캔) 드라이버 및 데이터 드라이버에 적용된다.As described above, the shift register incorporating the level shifter according to the present invention outputs a shift signal having a swing voltage of 10 V or more by using a clock signal having a swing voltage of 10 V or less and a start pulse. In particular, the shift register incorporating the level shifter according to the present invention can lower the lowest voltage in the negative direction using only PMOS transistors. The shift register incorporating such a level shifter is applied to an EL (Electro Luminesence) display or a gate (scan) driver and a data driver of the liquid crystal display shown in FIG.

여기서, 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터가 데이터 드라이버에 적용되는 경우 보다 빠른 속도의 회로동작이 요구된다. 그런데, 레벨 쉬프터(LS)의 폴링타임 특성이 좋지 않은 경우 오버랩(Overlap) 구동을 위해 레벨 쉬프터(LS)에 포함되는 제8 및 제11 PMOS 트랜지스터(T8, T11)에 제2 클럭신호(C2) 대신 제3 클럭신호(C3)가 입력되게 한다. 상세히 하면, 전술한 바와 같이 제2 클럭신호(C2)가 제8 및 제11 PMOS 트랜지스터(T8, T11)에 입력되는 경우 T3 기간에서 하이상태의 제2 클럭신호(C2)에 의해 제8 및 제11 PMOS 트랜지스터(T8, T11)가 턴-온되어 레벨 쉬프터(LS)의 출력라인이 10V의 로우상태로 충전된다. 반면에, 제3 클럭신호(C3)가 제8 및 제11 PMOS 트랜지스터(T8, T11)에 입력되는 경우 T3 기간에서는 로우상태의 제2 클럭신호(C3)에 의해 제8 및 제11 PMOS 트랜지스터(T8, T11)가 턴-오프되어 레벨쉬프터의 출력라인이 -8V의 하이상태를 유지하고 그 다음, T4 기간에서 하이상태의 제3 클럭신호(C3)에 의해 제8 및 제11 PMOS 트랜지스터(T8, T11)가 턴-온되어 레벨 쉬프터(LS)의 출력라인이 10V의 로우상태로 충전된다. 이에 따라, 레벨쉬프터는 T3과 T4 기간에 걸쳐 하이상태를 유지하게 한다. 여기서, 폴링특성이 좋지 않아 사용이 불가능한 T3기간에서의 출력파형은 이전단과 레벨 쉬프터(LS)의 출력파형과 오버랩되게 하여 사용되지 않고, 안정된 하이상태를 유지하는 T4 기간에서의 출력파형이 샘플링신호로 이용된다.Here, when a shift register with a level shifter is applied to a data driver, a faster circuit operation is required. However, when the polling time characteristic of the level shifter LS is not good, the second clock signal C2 is applied to the eighth and eleventh PMOS transistors T8 and T11 included in the level shifter LS in order to drive the overlap. Instead, the third clock signal C3 is input. In detail, when the second clock signal C2 is input to the eighth and eleventh PMOS transistors T8 and T11 as described above, the eighth and the fifth clock signals are generated by the second clock signal C2 in the high state in the T3 period. 11 PMOS transistors T8 and T11 are turned on to charge the output line of the level shifter LS to a low state of 10V. On the other hand, when the third clock signal C3 is input to the eighth and eleventh PMOS transistors T8 and T11, the eighth and eleventh PMOS transistors may be formed by the second clock signal C3 in a low state in the T3 period. T8 and T11 are turned off so that the output line of the level shifter remains high at -8 V. Then, the eighth and eleventh PMOS transistors T8 are driven by the third clock signal C3 being high in the T4 period. T11 is turned on to charge the output line of the level shifter LS to a low state of 10V. Accordingly, the level shifter is kept high for the periods T3 and T4. Here, the output waveform in the T3 period, which cannot be used due to poor polling characteristics, is not used because it overlaps the output waveform of the previous stage and the level shifter LS, and the output waveform in the T4 period in which the stable high state is maintained is the sampling signal. Used as

도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 폴리실리콘형 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한다. 도 4의 액정표시장치는 화상표시부(39), 데이터 쉬프트 레지스터(51), 게이트 쉬프트 레지스터(53), 그리고 샘플링 스위치 어레이(35)가 형성된 액정패널(30)과, 제어회로 및 데이터 드라이브 IC가 집적화된 제어칩(42)이 실장된 PCB(40)와, 액정패널(30)과 PCB(40)를 전기적으로 접속시키는 FPC 필름(44)을 구비한다.11 schematically illustrates a configuration of a polysilicon liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention. 4 includes a liquid crystal panel 30 in which an image display unit 39, a data shift register 51, a gate shift register 53, and a sampling switch array 35 are formed, and a control circuit and a data drive IC. The PCB 40 in which the integrated control chip 42 is mounted is provided, and the FPC film 44 electrically connecting the liquid crystal panel 30 and the PCB 40 to each other is provided.

액정패널(30)에 포함되는 화상표시부(39), 데이터 쉬프트 레지스터(51), 샘플링 스위치 어레이(35), 게이트 쉬프트 레지스터(53)는 동일공정으로 형성된다. 특히, 액정패널(30)에 포함되는 박막트랜지스터들은 NMOS 또는 PMOS의 박막트랜지스터만으로 구성되어 CMOS 박막트랜지스터로 구성되는 경우보다 공정수를 줄이고 신뢰성을 향상시켜 제조단가를 절감할 수 있게 된다.The image display unit 39, the data shift register 51, the sampling switch array 35, and the gate shift register 53 included in the liquid crystal panel 30 are formed in the same process. In particular, the thin film transistors included in the liquid crystal panel 30 may be composed of only NMOS or PMOS thin film transistors, thereby reducing manufacturing costs by reducing the number of processes and improving reliability than those of the CMOS thin film transistors.

화상표시부(39)에는 액정셀들(LC)이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시한다. 액정셀들(LC) 각각은 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL)의 교차점에 접속된 스위칭소자로서 폴리실리콘을 이용한 박막트랜지스터(TFT)를 포함한다. 박막트랜지스터(TFT)가 아몰퍼스실리콘 보다 전하이동도가 100배 정도 빠른 폴리실리콘을 이용함에 따라 액정셀들(LC)은 점순차 방식으로 구동된다. 게이트라인들(GL)은 게이트 쉬프트 레지스터(53)를 통해 스캔펄스를 공급받는다. 데이터라인들(DL)은 샘플링스위치 어레이(35)를 통해 비디오신호를 공급받는다.In the image display unit 39, liquid crystal cells LC are arranged in a matrix to display an image. Each of the liquid crystal cells LC includes a thin film transistor TFT using polysilicon as a switching element connected to an intersection of the gate line GL and the data line DL. As the thin film transistor TFT uses polysilicon 100 times faster than amorphous silicon, the liquid crystal cells LC are driven in a point-sequential manner. The gate lines GL are supplied with scan pulses through the gate shift register 53. The data lines DL receive a video signal through the sampling switch array 35.

게이트 쉬프트 레지스터(53)는 전술한 바와 같이 다수의 스테이지들로 구성되는 쉬프트 스테이지 어레이(36)와, 스테이지들과 게이트라인들(GL) 각각의 사이에 접속된 레벨 쉬프터들로 구성된 레벨 쉬프터 어레이(38)를 구비한다.The gate shift register 53 has a shift stage array 36 composed of a plurality of stages as described above, and a level shifter array composed of level shifters connected between the stages and the gate lines GL. 38).

쉬프트 스테이지 어레이(36)의 스테이지들은 제어칩(42)로부터의 스타트 펄스(SP)를 쉬프트시켜 레벨 쉬프터들에 순차적으로 쉬프트 펄스를 공급한다.The stages of the shift stage array 36 shift the start pulse SP from the control chip 42 to sequentially supply the shift pulses to the level shifters.

레벨 쉬프터 어레이(38)의 레벨 쉬프터들은 스테이지로부터의 쉬프트 펄스를 그의 스윙전압을 증대시켜 게이트라인들(GL) 각각에 스캔 펄스로 공급한다. 예를 들면, 레벨 쉬프터 어레이(38)는 쉬프트 스테이지 어레이(36)에서 10V 이하의 스윙전압을 가지고 입력되는 쉬프트 신호를, 부극성 전압을 포함하여 10V 이상의 스윙폭을 가지게끔 레벨 쉬프팅하여 스캔 펄스로 출력한다.The level shifters of the level shifter array 38 supply the shift pulses from the stage by increasing their swing voltages as scan pulses to each of the gate lines GL. For example, the level shifter array 38 shifts a shift signal input with a swing voltage of 10 V or less from the shift stage array 36 to a scan pulse by level shifting the shift signal to have a swing width of 10 V or more including a negative voltage. Output

데이터 쉬프트 레지스터(51)는 전술한 바와 같이 다수의 스테이지들로 구성되는 쉬프트 스테이지 어레이(31)와, 스테이지들과 샘플링 스위치 어레이(35)의 샘플링 스위치들 각각의 사이에 접속된 레벨 쉬프터들로 구성된 레벨 쉬프터 어레이(33)를 구비한다.The data shift register 51 is composed of a shift stage array 31 composed of a plurality of stages as described above, and level shifters connected between each of the stages and sampling switches of the sampling switch array 35. A level shifter array 33 is provided.

쉬프트 스테이지 어레이(31)의 스테이지들은 제어칩(42)로부터의 스타트 펄스(SP)를 쉬프트시켜 레벨 쉬프터들에 순차적으로 쉬프트 펄스를 공급한다.The stages of the shift stage array 31 shift the start pulse SP from the control chip 42 to sequentially supply the shift pulses to the level shifters.

레벨 쉬프터 어레이(33)의 레벨 쉬프터들은 스테이지로부터의 쉬프트 펄스를 그의 스윙전압을 증대시켜 샘플링 스위치들 각각에 샘플링 신호로 공급한다. 예를 들면, 레벨 쉬프터 어레이(33)는 쉬프트 스테이지 어레이(31)에서 10V 이하의 스윙전압을 가지고 입력되는 쉬프트 신호를, 부극성 전압을 포함하여 10V 이상의 스윙폭을 가지게끔 레벨 쉬프팅하여 샘플링 신호로 출력한다.The level shifters of the level shifter array 33 supply the shift pulse from the stage by increasing its swing voltage as a sampling signal to each of the sampling switches. For example, the level shifter array 33 level shifts a shift signal input from the shift stage array 31 with a swing voltage of 10 V or less to have a swing width of 10 V or more, including a negative voltage, as a sampling signal. Output

샘플링 스위치 어레이(35)는 데이터라인들(DL)에 출력단이 각각 접속되고 데이터 쉬프트 레지스터(51)로부터 입력되는 샘플링신호에 의해 구동되는 다수의 샘플링 스위치들(도시하지 않음)로 구성된다. 샘플링 스위치들은 샘플링신호에 응답하여 제어칩(42)으로부터 입력되는 비디오신호를 순차적으로 샘플링하여 데이터라인들(DL)에 공급한다.The sampling switch array 35 is composed of a plurality of sampling switches (not shown), each having an output terminal connected to the data lines DL and driven by a sampling signal input from the data shift register 51. The sampling switches sequentially sample the video signal input from the control chip 42 in response to the sampling signal and supply the data signal to the data lines DL.

제어칩(42)에 포함되는 제어회로(도시하지 않음)는 외부로부터 자신에게 공급되는 비디오데이터를 데이터 구동 IC로 전송함과 아울러 FPC 필름(44)를 통해 데이터 쉬프트 레지스터(51) 및 게이트 쉬프트 레지스터(53)에 필요한 구동제어신호들을 제공한다. 여기서, 제어칩(42)에서 데이터 쉬프트 레지스터(51) 및 게이트 쉬프트 레지스터(53)에 공급하는 클럭신호들은 10V 이하의 스윙전압을 가지게 되므로 소비전력을 줄일 수 있게 된다. 데이터 구동 IC(도시하지 않음)는 제어회로로부터 입력된 비디오데이터를 아날로그신호로 변환하여 FPC 필름(44)을 통해 샘플링 스위치 어레이(35)로 공급한다.The control circuit (not shown) included in the control chip 42 transmits the video data supplied from the outside to the data driving IC, as well as the data shift register 51 and the gate shift register through the FPC film 44. The drive control signals necessary for the 53 are provided. Here, the clock signals supplied from the control chip 42 to the data shift register 51 and the gate shift register 53 have a swing voltage of 10V or less, thereby reducing power consumption. The data driving IC (not shown) converts the video data input from the control circuit into an analog signal and supplies it to the sampling switch array 35 through the FPC film 44.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터는 폴리 실리콘을 이용한 동일타입의 박막트랜지스터들만을 이용하여 레벨 쉬프터를 내장할 수 있게 된다. 특히, 본 발명에 따른 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터는 폴리 실리콘을 이용한 동일타입의 박막트랜지스터들만을 이용하여 입력신호의 최저 전압레벨을 부극성 방향으로 레벨 다운시켜 쉬프트 신호로 출력할 수 있게 된다. 이에 따라, 쉬프트 레지스터에 공급되는 클럭신호들 및 스타트펄스의 스윙폭을 줄여 소비전력을 절감할 수 있게 된다.As described above, the shift register incorporating the level shifter according to the present invention can incorporate the level shifter using only thin film transistors of the same type using polysilicon. In particular, the shift register incorporating the level shifter according to the present invention may output the shift signal by leveling down the lowest voltage level of the input signal in the negative direction using only thin film transistors of the same type using polysilicon. Accordingly, the power consumption can be reduced by reducing the swing width of the clock signals and the start pulses supplied to the shift register.

그리고, 본 발명에 따른 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터는 폴리 실리콘을 이용하는 EL 표시장치 또는 액정표시장치의 표시패널의 게이트(스캔) 드라이버 및 데이터 드라이버에 적용되고, 이 경우 화소 매트릭스와 동일한 공정으로 형성되어 표시패널에 내장될 수 있게 된다. 이렇게 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터가 표시패널에 내장되는 경우 그 표시패널로 공급되는 클럭신호들 및 스타트펄스의 스윙폭을 줄일 수 있게 되므로 소비전력을 절감할 수 있게 된다.The shift register with a built-in level shifter according to the present invention is applied to a gate (scan) driver and a data driver of a display panel of an EL display device or a liquid crystal display device using polysilicon. Can be embedded in the display panel. When the shift register with the level shifter is embedded in the display panel, the swing width of the clock signals and start pulses supplied to the display panel can be reduced, thereby reducing power consumption.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (93)

종속적으로 접속되고 입력단자를 통해 입력되는 스타트 펄스를 쉬프트시켜 순차적으로 쉬프트 펄스를 출력하는 다수의 스테이지들과;A plurality of stages that are cascadely connected and sequentially output a shift pulse by shifting a start pulse input through an input terminal; 상기 스테이지들 각각으로부터 공급되는 쉬프트 펄스의 전압레벨을 레벨 쉬프팅시켜 출력하는 다수의 레벨 쉬프터들을 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a plurality of level shifters for level shifting and outputting a voltage level of a shift pulse supplied from each of the stages. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스테이지들과 레벨 쉬프터들은 동일타입 채널의 박막트랜지스터들로만 구성되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And said stages and level shifters comprise only thin film transistors of the same type channel. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 스테이지들과 레벨 쉬프터들은 P 채널의 박막트랜지스터들로만 구성되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And said stages and level shifters comprise only a thin film transistor of a P channel. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 쉬프트 펄스의 최저 전압레벨을 부극성 전압으로 다운시켜 출력하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a shift register having a level shifter, wherein the minimum voltage level of the shift pulse is lowered to a negative voltage and output. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스테이지들 각각은Each of the stages 제1 및 제2 노드의 전압에 따라 제1 클럭신호 및 제1 공급전압 중 어느 하나를 선택하여 출력하기 위한 출력 버퍼부와;An output buffer unit for selecting and outputting any one of a first clock signal and a first supply voltage according to voltages of the first and second nodes; 스타트 펄스에 따라 상기 제1 노드를 제어하는 제1 제어부와;A first control unit controlling the first node according to a start pulse; 상기 스타트 펄스 및 제2 클럭신호에 따라 상기 제2 노드를 제어하는 제2 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a second controller configured to control the second node according to the start pulse and the second clock signal. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제1 제어부는The first control unit 상기 스타트 펄스 및 상기 제1 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 스타트 펄스에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제1 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a first transistor having a conductive path between the start pulse and the first node and a control electrode for controlling the conductive path according to the start pulse. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1 제어부는The first control unit 상기 제1 트랜지스터의 출력단자와 상기 제1 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 제3 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제2 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a second transistor having a conductive path between the output terminal of the first transistor and the first node and a control electrode for controlling the conductive path according to a third clock signal. One shift register. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1 제어부는The first control unit 상기 제1 노드와 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제3 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a third transistor having a conductive path between the first node and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the second node. Built-in shift register. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제2 제어부는The second control unit 제2 공급전압 입력라인과 상기 제2 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제4 트랜지스터와;A fourth transistor having a conductive path between a second supply voltage input line and the second node and a control electrode for controlling the conductive path according to the second clock signal; 상기 제2 노드와 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 스타트 펄스에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제5 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a fifth transistor having a conductive path between the second node and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the start pulse. . 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 출력 버퍼부는The output buffer unit 상기 제1 클럭신호 입력라인과 상기 스테이지의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제6 트랜지스터와;A sixth transistor having a conductive path between the first clock signal input line and an output line of the stage, and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the first node; 상기 스테이지의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제7 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a seventh transistor having a conductive path between the output line of the stage and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the second node. Built-in shift register. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 출력 버퍼부는The output buffer unit 상기 제6 트랜지스터의 제어전극과 상기 스테이지의 출력라인 사이에 접속되어 그 제어전극의 전압을 부트스트래핑시키기 위한 제1 캐패시터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a first capacitor connected between the control electrode of the sixth transistor and the output line of the stage, for bootstrapping the voltage of the control electrode. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 레벨 쉬프터들 각각은Each of the level shifters 상기 제3 노드의 전압에 따라 제1 공급전압 및 제3 공급전압 중 어느 하나의 전압을 선택하여 출력하기 위한 출력부와;An output unit for selecting and outputting any one of a first supply voltage and a third supply voltage according to the voltage of the third node; 상기 제1 노드 및 제4 클럭신호에 따라 상기 제3 노드를 제어하기 위한 제3 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a third controller configured to control the third node according to the first node and the fourth clock signal. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제3 제어부는The third control unit 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제4 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제8 트랜지스터와;An eighth transistor having a conductive path between the third node and an output line of the level shifter, and a control electrode controlling the conductive path according to the fourth clock signal; 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 제3 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제9 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a ninth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and the third node and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the first node. One shift register. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 출력부는The output unit 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제3 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제10 트랜지스터와;A tenth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and an output line of the level shifter and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the third node; 상기 레벨 쉬프터의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제4 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제11 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And an eleventh transistor having a conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the fourth clock signal. Built-in shift register. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 외부 노이즈에 의해 상기 레벨 쉬프터의 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력사이의 도전통로와,그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제12 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프터 레지스터.In order to prevent the output voltage of the output line of the level shifter from being distorted by external noise, the conductive path between the output line and the first supply voltage input and the conductive path are controlled according to the voltage of the second node. A shifter register with a level shifter, further comprising a twelfth transistor having a control electrode. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 제3 노드가 플로팅되는 경우 제10 트랜지스터의 누설전류에 의해 상기 레벨 쉬프터 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제13 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.In order to prevent the output voltage of the level shifter output line from being distorted by the leakage current of the tenth transistor when the third node is floated, the conductive passage between the third node and the level shifter and the conductive passage are And a thirteenth transistor having a control electrode for controlling in accordance with the voltage of the second node. 제 16 항에 있어서,The method of claim 16, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 스타트펄스가 입력되는 구간에서 상기 제1 노드의 전압에 따라 턴-온된 제9 트랜지스터에 의해 상기 제10 트랜지스터가 턴-온되어 상기 레벨 쉬프터 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 레벨 쉬프터의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제3 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제14 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.In order to prevent the output voltage of the level shifter output line from being distorted, the tenth transistor is turned on by the ninth transistor turned on according to the voltage of the first node in the period in which the start pulse is input. And a fourteenth transistor having a conductive path between an output line of the shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the third clock signal. Built-in shift register. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 제9 트랜지스터의 누설전류에 의한 상기 레벨 쉬프터 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 제9 트랜지스터의 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 제3 공급전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제15 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.In order to prevent the output voltage of the level shifter output line from being distorted due to the leakage current of the ninth transistor, the conductive passage between the third supply voltage input line and the input line of the ninth transistor and A shift register with a level shifter, further comprising a fifteenth transistor having a control electrode controlled according to a supply voltage. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 출력부는The output unit 상기 제10 트랜지스터의 제어전극과 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이에 접속되어 그 제어전극의 전압을 부트스트래핑시키기 위한 제2 캐패시터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a second capacitor connected between the control electrode of the tenth transistor and the output line of the level shifter and for bootstrapping the voltage of the control electrode. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제1 내지 제3 공급전압은 제3, 제2, 제1 순으로 전압레벨이 작은 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터 회로.And said first to third supply voltages have a lower voltage level in order of third, second, and first. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제1 내지 제4 클럭신호는 제1, 제4, 제2, 제3 순으로 한 클럭만큼씩 위상지연된 클럭신호이고,The first to fourth clock signals are clock signals that are phase-delayed by one clock in order of first, fourth, second, and third, 상기 제3 클럭신호는 상기 스타트 펄스와 동위상을 갖는 클럭신호인 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터 회로.And the third clock signal is a clock signal having a phase in phase with the start pulse. 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제3 제어부는,The third control unit, 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제8 트랜지스터와; 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 제3 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제9 트랜지스터를 구비하고;An eighth transistor having a conductive path between the third node and an output line of the level shifter, and a control electrode controlling the conductive path according to the second clock signal; A ninth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and the third node and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the first node; 상기 출력부는,The output unit, 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제3 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제10 트랜지스터와; 상기 레벨 쉬프터의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제11 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.A tenth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and an output line of the level shifter and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the third node; And an eleventh transistor having a conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the second clock signal. Built-in shift register. 제 22 항에 있어서,The method of claim 22, 상기 레벨 쉬프터로부터의 출력 펄스는 이전단 레벨 쉬프터의 출력 펄스와 부분적으로 오버랩되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And an output pulse from the level shifter partially overlaps with an output pulse of a previous level shifter. 표시패널의 스캔라인들에 스캔펄스를 공급하기 위한 스캔 드라이버에 있어서,In the scan driver for supplying the scan pulse to the scan lines of the display panel, 종속적으로 접속되고 입력단자를 통해 입력되는 스타트 펄스를 쉬프트시켜 순차적으로 쉬프트 펄스를 출력하는 다수의 스테이지들과; 상기 스테이지들 각각으로부터 공급되는 쉬프트 펄스의 전압레벨을 레벨 쉬프팅시켜 상기 스캔펄스로 출력하는 다수의 레벨 쉬프터들을 포함하는 쉬프트 레지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.A plurality of stages that are cascadely connected and sequentially output a shift pulse by shifting a start pulse input through an input terminal; And a shift register including a plurality of level shifters for level shifting the voltage level of the shift pulses supplied from each of the stages and outputting the shift pulses to the scan pulses. 제 24 항에 있어서,The method of claim 24, 상기 쉬프트 레지스터는 동일타입 채널의 박막트랜지스터들로만 구성되는 것을 특징으로 스캔 드라이버.The shift register is configured as only thin film transistors of the same type channel. 제 25 항에 있어서,The method of claim 25, 상기 쉬프트 레지스터는 P 채널의 박막트랜지스터들로만 구성되는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.The shift register is configured as only a thin film transistor of the P channel. 제 24 항에 있어서,The method of claim 24, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 쉬프트 펄스의 최저 전압레벨을 부극성 전압으로 다운시켜 출력하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.And down the minimum voltage level of the shift pulse to a negative voltage and outputting the negative voltage. 제 24 항에 있어서,The method of claim 24, 상기 스테이지들 각각은Each of the stages 제1 및 제2 노드의 전압에 따라 제1 클럭신호 및 제1 공급전압 중 어느 하나를 선택하여 출력하기 위한 출력 버퍼부와;An output buffer unit for selecting and outputting any one of a first clock signal and a first supply voltage according to voltages of the first and second nodes; 스타트 펄스에 따라 상기 제1 노드를 제어하는 제1 제어부와;A first control unit controlling the first node according to a start pulse; 상기 스타트 펄스 및 제2 클럭신호에 따라 상기 제2 노드를 제어하는 제2 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.And a second controller configured to control the second node according to the start pulse and the second clock signal. 제 28 항에 있어서,The method of claim 28, 상기 제1 제어부는The first control unit 상기 스타트 펄스 및 상기 제1 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 스타트 펄스에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제1 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.And a first transistor having a conductive path between the start pulse and the first node and a control electrode for controlling the conductive path according to the start pulse. 제 29 항에 있어서,The method of claim 29, 상기 제1 제어부는The first control unit 상기 제1 트랜지스터의 출력단자와 상기 제1 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 제3 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제2 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.And a second transistor having a conductive path between the output terminal of the first transistor and the first node and a control electrode for controlling the conductive path according to a third clock signal. 제 30 항에 있어서,The method of claim 30, 상기 제1 제어부는The first control unit 상기 제1 노드와 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제3 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 스캔 드라이버.And a third transistor having a conductive path between the first node and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the second node. 제 31 항에 있어서,The method of claim 31, wherein 상기 제2 제어부는The second control unit 제2 공급전압 입력라인과 상기 제2 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제4 트랜지스터와;A fourth transistor having a conductive path between a second supply voltage input line and the second node and a control electrode for controlling the conductive path according to the second clock signal; 상기 제2 노드와 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 스타트 펄스에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제5 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.And a fifth transistor having a conductive path between the second node and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the start pulse. 제 32 항에 있어서,The method of claim 32, 상기 출력 버퍼부는The output buffer unit 상기 제1 클럭신호 입력라인과 상기 스테이지의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제6 트랜지스터와;A sixth transistor having a conductive path between the first clock signal input line and an output line of the stage, and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the first node; 상기 스테이지의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제7 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.And a seventh transistor having a conductive path between the output line of the stage and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the second node. 제 33 항에 있어서,The method of claim 33, wherein 상기 출력 버퍼부는The output buffer unit 상기 제6 트랜지스터의 제어전극과 상기 스테이지의 출력라인 사이에 접속되어 그 제어전극의 전압을 부트스트래핑시키기 위한 제1 캐패시터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.And a first capacitor connected between the control electrode of the sixth transistor and the output line of the stage and for bootstrapping the voltage of the control electrode. 제 33 항에 있어서,The method of claim 33, wherein 상기 레벨 쉬프터들 각각은Each of the level shifters 상기 제3 노드의 전압에 따라 제1 공급전압 및 제3 공급전압 중 어느 하나의 전압을 선택하여 출력하기 위한 출력부와;An output unit for selecting and outputting any one of a first supply voltage and a third supply voltage according to the voltage of the third node; 상기 제1 노드 및 제4 클럭신호에 따라 상기 제3 노드를 제어하기 위한 제3제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.And a third controller for controlling the third node according to the first node and the fourth clock signal. 제 35 항에 있어서,36. The method of claim 35 wherein 상기 제3 제어부는The third control unit 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제4 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제8 트랜지스터와;An eighth transistor having a conductive path between the third node and an output line of the level shifter, and a control electrode controlling the conductive path according to the fourth clock signal; 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 제3 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제9 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.And a ninth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and the third node and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the first node. 제 36 항에 있어서,The method of claim 36, 상기 출력부는The output unit 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제3 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제10 트랜지스터와;A tenth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and an output line of the level shifter and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the third node; 상기 레벨 쉬프터의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제4 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제11 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.And an eleventh transistor having a conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the fourth clock signal. 제 37 항에 있어서,The method of claim 37, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 외부 노이즈에 의해 상기 레벨 쉬프터의 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제12 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.In order to prevent the output voltage of the output line of the level shifter from being distorted by external noise, the conductive path between the output line and the first supply voltage input and the conductive path are controlled according to the voltage of the second node. And a twelfth transistor having a control electrode. 제 38 항에 있어서,The method of claim 38, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 제3 노드가 플로팅되는 경우 제10 트랜지스터의 누설전류에 의해 상기 레벨 쉬프터 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제13 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.In order to prevent the output voltage of the level shifter output line from being distorted by the leakage current of the tenth transistor when the third node is floated, the conductive passage between the third node and the level shifter and the conductive passage are And a thirteenth transistor having a control electrode controlled according to the voltage of the second node. 제 39 항에 있어서,The method of claim 39, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 스타트펄스가 입력되는 구간에서 상기 제1 노드의 전압에 따라 턴-온된 제9 트랜지스터에 의해 상기 제10 트랜지스터가 턴-온되어 상기 레벨 쉬프터 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 레벨 쉬프터의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제3 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제14 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.In order to prevent the output voltage of the level shifter output line from being distorted, the tenth transistor is turned on by the ninth transistor turned on according to the voltage of the first node in the period in which the start pulse is input. And a fourteenth transistor having a conductive path between an output line of the shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the third clock signal. 제 40 항에 있어서,The method of claim 40, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 제9 트랜지스터의 누설전류에 의한 상기 레벨 쉬프터 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 제9 트랜지스터의 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 제3 공급전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제15 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.In order to prevent the output voltage of the level shifter output line from being distorted due to the leakage current of the ninth transistor, the conductive passage between the third supply voltage input line and the input line of the ninth transistor and And a fifteenth transistor having a control electrode controlled according to a supply voltage. 제 37 항에 있어서,The method of claim 37, 상기 출력부는The output unit 상기 제10 트랜지스터의 제어전극과 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이에 접속되어 그 제어전극의 전압을 부트스트래핑시키기 위한 제2 캐패시터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.And a second capacitor connected between the control electrode of the tenth transistor and the output line of the level shifter and for bootstrapping the voltage of the control electrode. 제 35 항에 있어서,36. The method of claim 35 wherein 상기 제1 내지 제3 공급전압은 제3, 제2, 제1 순으로 전압레벨이 작은 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.The first to third supply voltages are scan drivers, characterized in that the voltage level is small in the order of the third, second, first. 제 35 항에 있어서,36. The method of claim 35 wherein 상기 제1 내지 제4 클럭신호는 제1, 제4, 제2, 제3 순으로 한 클럭만큼씩 위상지연된 클럭신호이고,The first to fourth clock signals are clock signals that are phase-delayed by one clock in order of first, fourth, second, and third, 상기 제3 클럭신호는 상기 스타트 펄스와 동위상을 갖는 클럭신호인 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.And the third clock signal is a clock signal having an in phase with the start pulse. 제 44 항에 있어서,The method of claim 44, 상기 제3 제어부는,The third control unit, 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제8 트랜지스터와; 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 제3 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제9 트랜지스터를 구비하고;An eighth transistor having a conductive path between the third node and an output line of the level shifter, and a control electrode controlling the conductive path according to the second clock signal; A ninth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and the third node and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the first node; 상기 출력부는,The output unit, 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제3 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제10 트랜지스터와; 상기 레벨 쉬프터의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제11 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.A tenth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and an output line of the level shifter and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the third node; And an eleventh transistor having a conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the second clock signal. 제 45 항에 있어서,The method of claim 45, 상기 레벨 쉬프터로부터의 출력 펄스는 이전단 레벨 쉬프터의 출력 펄스와 부분적으로 오버랩되는 것을 특징으로 하는 스캔 드라이버.And the output pulse from the level shifter partially overlaps with the output pulse of the previous level shifter. 표시패널의 데이터라인들에 비디오신호를 공급하기 위한 데이터 드라이버에 있어서,A data driver for supplying a video signal to data lines of a display panel, 입력 샘플링신호에 응답하여 상기 비디오신호를 샘플링하여 출력하기 위한 샘플링 스위치 어레이와;A sampling switch array for sampling and outputting the video signal in response to an input sampling signal; 종속적으로 접속되고 입력단자를 통해 입력되는 스타트 펄스를 쉬프트시켜 순차적으로 쉬프트 펄스를 출력하는 다수의 스테이지들과; 상기 스테이지들 각각으로부터 공급되는 쉬프트 펄스의 전압레벨을 레벨 쉬프팅시켜 상기 샘플링신호로 출력하는 다수의 레벨 쉬프터들을 포함하는 쉬프트 레지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.A plurality of stages that are cascadely connected and sequentially output a shift pulse by shifting a start pulse input through an input terminal; And a shift register including a plurality of level shifters for level shifting the voltage level of the shift pulses supplied from each of the stages and outputting the sample signal as the sampling signal. 제 47 항에 있어서,The method of claim 47, 상기 쉬프트 레지스터는 동일타입 채널의 박막트랜지스터들로만 구성되는 것을 특징으로 데이터 드라이버.The shift register is configured as only thin film transistors of the same type channel. 제 48 항에 있어서,49. The method of claim 48 wherein 상기 쉬프트 레지스터는 P 채널의 박막트랜지스터들로만 구성되는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.And the shift register is composed of only P-channel thin film transistors. 제 47 항에 있어서,The method of claim 47, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 쉬프트 펄스의 최저 전압레벨을 부극성 전압으로 다운시켜 출력하는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.And lowering the lowest voltage level of the shift pulse to a negative voltage and outputting the negative voltage. 제 47 항에 있어서,The method of claim 47, 상기 스테이지들 각각은Each of the stages 제1 및 제2 노드의 전압에 따라 제1 클럭신호 및 제1 공급전압 중 어느 하나를 선택하여 출력하기 위한 출력 버퍼부와;An output buffer unit for selecting and outputting any one of a first clock signal and a first supply voltage according to voltages of the first and second nodes; 스타트 펄스에 따라 상기 제1 노드를 제어하는 제1 제어부와;A first control unit controlling the first node according to a start pulse; 상기 스타트 펄스 및 제2 클럭신호에 따라 상기 제2 노드를 제어하는 제2 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.And a second controller for controlling the second node according to the start pulse and the second clock signal. 제 51 항에 있어서,The method of claim 51, wherein 상기 제1 제어부는The first control unit 상기 스타트 펄스 및 상기 제1 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 스타트 펄스에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제1 트랜지스터를 구비하는 것을특징으로 하는 데이터 드라이버.And a first transistor having a conductive path between the start pulse and the first node and a control electrode for controlling the conductive path according to the start pulse. 제 52 항에 있어서,The method of claim 52, wherein 상기 제1 제어부는The first control unit 상기 제1 트랜지스터의 출력단자와 상기 제1 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 제3 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제2 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.And a second transistor having a conductive path between an output terminal of the first transistor and the first node and a control electrode for controlling the conductive path according to a third clock signal. 제 53 항에 있어서,The method of claim 53, wherein 상기 제1 제어부는The first control unit 상기 제1 노드와 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제3 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 데이터 드라이버.And a third transistor having a conductive path between the first node and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the second node. 제 54 항에 있어서,The method of claim 54, wherein 상기 제2 제어부는The second control unit 제2 공급전압 입력라인과 상기 제2 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제4 트랜지스터와;A fourth transistor having a conductive path between a second supply voltage input line and the second node and a control electrode for controlling the conductive path according to the second clock signal; 상기 제2 노드와 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 스타트 펄스에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제5 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.And a fifth transistor having a conductive path between the second node and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the start pulse. 제 55 항에 있어서,The method of claim 55, 상기 출력 버퍼부는The output buffer unit 상기 제1 클럭신호 입력라인과 상기 스테이지의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제6 트랜지스터와;A sixth transistor having a conductive path between the first clock signal input line and an output line of the stage, and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the first node; 상기 스테이지의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제7 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.And a seventh transistor having a conductive path between the output line of the stage and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the second node. 제 56 항에 있어서,The method of claim 56, wherein 상기 출력 버퍼부는The output buffer unit 상기 제6 트랜지스터의 제어전극과 상기 스테이지의 출력라인 사이에 접속되어 그 제어전극의 전압을 부트스트래핑시키기 위한 제1 캐패시터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.And a first capacitor connected between the control electrode of the sixth transistor and the output line of the stage to bootstrap the voltage of the control electrode. 제 56 항에 있어서,The method of claim 56, wherein 상기 레벨 쉬프터들 각각은Each of the level shifters 상기 제3 노드의 전압에 따라 제1 공급전압 및 제3 공급전압 중 어느 하나의전압을 선택하여 출력하기 위한 출력부와;An output unit for selecting and outputting any one of a first supply voltage and a third supply voltage according to the voltage of the third node; 상기 제1 노드 및 제4 클럭신호에 따라 상기 제3 노드를 제어하기 위한 제3 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.And a third controller for controlling the third node according to the first node and the fourth clock signal. 제 58 항에 있어서,The method of claim 58, 상기 제3 제어부는The third control unit 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제4 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제8 트랜지스터와;An eighth transistor having a conductive path between the third node and an output line of the level shifter, and a control electrode controlling the conductive path according to the fourth clock signal; 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 제3 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제9 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.And a ninth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and the third node and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the first node. 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 상기 출력부는The output unit 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제3 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제10 트랜지스터와;A tenth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and an output line of the level shifter and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the third node; 상기 레벨 쉬프터의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제4 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제11 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.And an eleventh transistor having a conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the fourth clock signal. 제 60 항에 있어서,The method of claim 60, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 외부 노이즈에 의해 상기 레벨 쉬프터의 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제12 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.In order to prevent the output voltage of the output line of the level shifter from being distorted by external noise, the conductive path between the output line and the first supply voltage input and the conductive path are controlled according to the voltage of the second node. And a twelfth transistor having a control electrode. 제 61 항에 있어서,62. The method of claim 61, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 제3 노드가 플로팅되는 경우 제10 트랜지스터의 누설전류에 의해 상기 레벨 쉬프터 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제13 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.In order to prevent the output voltage of the level shifter output line from being distorted by the leakage current of the tenth transistor when the third node is floated, the conductive passage between the third node and the level shifter and the conductive passage are And a thirteenth transistor having a control electrode for controlling in accordance with the voltage of the second node. 제 62 항에 있어서,63. The method of claim 62, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 스타트펄스가 입력되는 구간에서 상기 제1 노드의 전압에 따라 턴-온된 제9 트랜지스터에 의해 상기 제10 트랜지스터가 턴-온되어 상기 레벨 쉬프터 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 레벨 쉬프터의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제3 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제14 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.In order to prevent the output voltage of the level shifter output line from being distorted, the tenth transistor is turned on by the ninth transistor turned on according to the voltage of the first node in the period in which the start pulse is input. And a fourteenth transistor having a conductive path between an output line of the shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the third clock signal. 제 63 항에 있어서,The method of claim 63, wherein 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 제9 트랜지스터의 누설전류에 의한 상기 레벨 쉬프터 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 제9 트랜지스터의 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 제3 공급전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제15 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.In order to prevent the output voltage of the level shifter output line from being distorted due to the leakage current of the ninth transistor, the conductive passage between the third supply voltage input line and the input line of the ninth transistor and And a fifteenth transistor having a control electrode controlled according to a supply voltage. 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 상기 출력부는The output unit 상기 제10 트랜지스터의 제어전극과 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이에 접속되어 그 제어전극의 전압을 부트스트래핑시키기 위한 제2 캐패시터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.And a second capacitor connected between the control electrode of the tenth transistor and the output line of the level shifter and for bootstrapping the voltage of the control electrode. 제 58 항에 있어서,The method of claim 58, 상기 제1 내지 제3 공급전압은 제3, 제2, 제1 순으로 전압레벨이 작은 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.The first to the third supply voltage is a data driver, characterized in that the voltage level is small in the order of the third, second, first. 제 58 항에 있어서,The method of claim 58, 상기 제1 내지 제4 클럭신호는 제1, 제4, 제2, 제3 순으로 한 클럭만큼씩 위상지연된 클럭신호이고,The first to fourth clock signals are clock signals that are phase-delayed by one clock in order of first, fourth, second, and third, 상기 제3 클럭신호는 상기 스타트 펄스와 동위상을 갖는 클럭신호인 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.And the third clock signal is a clock signal having an in phase with the start pulse. 제 67 항에 있어서,The method of claim 67 wherein 상기 제3 제어부는,The third control unit, 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제8 트랜지스터와; 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 제3 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제9 트랜지스터를 구비하고;An eighth transistor having a conductive path between the third node and an output line of the level shifter, and a control electrode controlling the conductive path according to the second clock signal; A ninth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and the third node and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the first node; 상기 출력부는,The output unit, 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제3 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제10 트랜지스터와; 상기 레벨 쉬프터의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제11 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.A tenth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and an output line of the level shifter and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the third node; And an eleventh transistor having a conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the second clock signal. 제 68 항에 있어서,The method of claim 68, wherein 상기 레벨 쉬프터로부터의 출력 펄스는 이전단 레벨 쉬프터의 출력 펄스와 부분적으로 오버랩되는 것을 특징으로 하는 데이터 드라이버.And the output pulse from the level shifter partially overlaps with the output pulse of the previous level shifter. 화상표시를 위한 액정셀 매트릭스를 구비하는 액정패널과;A liquid crystal panel comprising a liquid crystal cell matrix for displaying an image; 상기 액정패널의 스캔라인들에 스캔펄스를 공급하기 위한 스캔 드라이버와;A scan driver for supplying scan pulses to scan lines of the liquid crystal panel; 상기 액정패널의 데이터라인들에 비디오신호를 공급하기 위한 데이터 드라이버를 구비하고;A data driver for supplying a video signal to data lines of the liquid crystal panel; 상기 스캔 드라이버는,The scan driver, 종속적으로 접속되고 입력단자를 통해 입력되는 스타트 펄스를 쉬프트시켜 순차적으로 쉬프트 펄스를 출력하는 다수의 제1 스테이지들과, 상기 제1 스테이지들 각각으로부터 공급되는 쉬프트 펄스의 전압레벨을 레벨 쉬프팅시켜 상기 스캔펄스로 출력하는 다수의 제1 레벨 쉬프터들을 포함하는 제1 쉬프트 레지스터를 구비하고;The scan is performed by level shifting the voltage levels of the shift pulses supplied from each of the first stages and the plurality of first stages that are sequentially connected and shift the start pulses input through the input terminal, and sequentially output the shift pulses. A first shift register comprising a plurality of first level shifters outputting in pulses; 상기 데이터 드라이버는,The data driver, 입력 샘플링신호에 응답하여 상기 비디오신호를 샘플링하여 출력하기 위한 샘플링 스위치 어레이와,A sampling switch array for sampling and outputting the video signal in response to an input sampling signal; 종속적으로 접속되고 입력단자를 통해 입력되는 스타트 펄스를 쉬프트시켜 순차적으로 쉬프트 펄스를 출력하는 다수의 제2 스테이지들과, 상기 제2 스테이지들 각각으로부터 공급되는 쉬프트 펄스의 전압레벨을 레벨 쉬프팅시켜 상기 샘플링신호로 출력하는 다수의 제2 레벨 쉬프터들을 포함하는 제2 쉬프트 레지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The sampling is performed by level shifting the voltage levels of the shift pulses supplied from the second stages and the plurality of second stages sequentially connected to the start pulses input through the input terminal to sequentially output the shift pulses. And a second shift register including a plurality of second level shifters for outputting a signal. 제 70 항에 있어서,The method of claim 70, 상기 제1 및 제2 쉬프트 레지스터는 동일타입 채널의 박막트랜지스터들로만 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the first and second shift registers are composed of thin film transistors of the same type channel only. 제 71 항에 있어서,The method of claim 71 wherein 상기 제1 및 제2 쉬프트 레지스터는 P 채널의 박막트랜지스터들로만 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the first and second shift registers are composed of only P-channel thin film transistors. 제 70 항에 있어서,The method of claim 70, 상기 제1 및 제2 레벨 쉬프터는The first and second level shifters 상기 쉬프트 펄스의 최저 전압레벨을 부극성 전압으로 다운시켜 출력하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And lowering the lowest voltage level of the shift pulse to a negative voltage and outputting the negative voltage. 제 70 항에 있어서,The method of claim 70, 상기 제1 및 제2 스테이지들 각각은Each of the first and second stages 제1 및 제2 노드의 전압에 따라 제1 클럭신호 및 제1 공급전압 중 어느 하나를 선택하여 출력하기 위한 출력 버퍼부와;An output buffer unit for selecting and outputting any one of a first clock signal and a first supply voltage according to voltages of the first and second nodes; 스타트 펄스에 따라 상기 제1 노드를 제어하는 제1 제어부와;A first control unit controlling the first node according to a start pulse; 상기 스타트 펄스 및 제2 클럭신호에 따라 상기 제2 노드를 제어하는 제2 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a second controller configured to control the second node according to the start pulse and the second clock signal. 제 74 항에 있어서,The method of claim 74, wherein 상기 제1 제어부는The first control unit 상기 스타트 펄스 및 상기 제1 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 스타트 펄스에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제1 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a first transistor having a conductive path between the start pulse and the first node and a control electrode for controlling the conductive path according to the start pulse. 제 75 항에 있어서,76. The method of claim 75 wherein 상기 제1 제어부는The first control unit 상기 제1 트랜지스터의 출력단자와 상기 제1 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 제3 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제2 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a second transistor having a conductive path between the output terminal of the first transistor and the first node and a control electrode for controlling the conductive path according to a third clock signal. 제 76 항에 있어서,77. The method of claim 76, 상기 제1 제어부는The first control unit 상기 제1 노드와 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제3 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a third transistor having a conductive path between the first node and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the second node. . 제 77 항에 있어서,78. The method of claim 77 wherein 상기 제2 제어부는The second control unit 제2 공급전압 입력라인과 상기 제2 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제4 트랜지스터와;A fourth transistor having a conductive path between a second supply voltage input line and the second node and a control electrode for controlling the conductive path according to the second clock signal; 상기 제2 노드와 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 스타트 펄스에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제5 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a fifth transistor having a conductive path between the second node and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the start pulse. 제 78 항에 있어서,The method of claim 78, 상기 출력 버퍼부는The output buffer unit 상기 제1 클럭신호 입력라인과 상기 스테이지의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제6 트랜지스터와;A sixth transistor having a conductive path between the first clock signal input line and an output line of the stage, and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the first node; 상기 스테이지의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제7트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a seventh transistor having a conductive path between the output line of the stage and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the second node. . 제 79 항에 있어서,80. The method of claim 79 wherein 상기 출력 버퍼부는The output buffer unit 상기 제6 트랜지스터의 제어전극과 상기 스테이지의 출력라인 사이에 접속되어 그 제어전극의 전압을 부트스트래핑시키기 위한 제1 캐패시터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a first capacitor connected between the control electrode of the sixth transistor and the output line of the stage and for bootstrapping the voltage of the control electrode. 제 80 항에 있어서,81. The method of claim 80, 상기 레벨 쉬프터들 각각은Each of the level shifters 상기 제3 노드의 전압에 따라 제2 공급전압 및 제3 공급전압 중 어느 하나의 전압을 선택하여 출력하기 위한 출력부와;An output unit for selecting and outputting any one of a second supply voltage and a third supply voltage according to the voltage of the third node; 상기 제1 노드 및 제4 클럭신호에 따라 상기 제3 노드를 제어하기 위한 제3 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a third controller for controlling the third node according to the first node and the fourth clock signal. 제 81 항에 있어서,82. The method of claim 81 wherein 상기 제3 제어부는The third control unit 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제4 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제8 트랜지스터와;An eighth transistor having a conductive path between the third node and an output line of the level shifter, and a control electrode controlling the conductive path according to the fourth clock signal; 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 제3 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제9 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a ninth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and the third node and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the first node. 제 82 항에 있어서,83. The method of claim 82, 상기 출력부는The output unit 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제3 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제10 트랜지스터와;A tenth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and an output line of the level shifter and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the third node; 상기 레벨 쉬프터의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제4 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제11 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And an eleventh transistor having a conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the fourth clock signal. . 제 83 항에 있어서,84. The method of claim 83 wherein 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 외부 노이즈에 의해 상기 레벨 쉬프터의 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제12 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.In order to prevent the output voltage of the output line of the level shifter from being distorted by external noise, the conductive path between the output line and the first supply voltage input and the conductive path are controlled according to the voltage of the second node. And a twelfth transistor having a control electrode. 제 84 항에 있어서,87. The method of claim 84, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 제3 노드가 플로팅되는 경우 제10 트랜지스터의 누설전류에 의해 상기 레벨 쉬프터 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제13 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.In order to prevent the output voltage of the level shifter output line from being distorted by the leakage current of the tenth transistor when the third node is floated, the conductive passage between the third node and the level shifter and the conductive passage are And a thirteenth transistor having a control electrode controlled according to the voltage of the second node. 제 85 항에 있어서,86. The method of claim 85, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 스타트펄스가 입력되는 구간에서 상기 제1 노드의 전압에 따라 턴-온된 제9 트랜지스터에 의해 상기 제10 트랜지스터가 턴-온되어 상기 레벨 쉬프터 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 레벨 쉬프터의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제3 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제14 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.In order to prevent the output voltage of the level shifter output line from being distorted, the tenth transistor is turned on by the ninth transistor turned on according to the voltage of the first node in the period in which the start pulse is input. And a fourteenth transistor having a conductive path between an output line of the shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the third clock signal. . 제 86 항에 있어서,87. The method of claim 86, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 제9 트랜지스터의 누설전류에 의한 상기 레벨 쉬프터 출력라인의 출력전압이 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 제9 트랜지스터의 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 제3 공급전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제15 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.In order to prevent the output voltage of the level shifter output line from being distorted due to the leakage current of the ninth transistor, the conductive passage between the third supply voltage input line and the input line of the ninth transistor and And a fifteenth transistor having a control electrode controlled according to a supply voltage. 제 83 항에 있어서,84. The method of claim 83 wherein 상기 출력부는The output unit 상기 제10 트랜지스터의 제어전극과 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이에 접속되어 그 제어전극의 전압을 부트스트래핑시키기 위한 제2 캐패시터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a second capacitor connected between the control electrode of the tenth transistor and the output line of the level shifter and for bootstrapping the voltage of the control electrode. 제 81 항에 있어서,82. The method of claim 81 wherein 상기 제1 내지 제3 공급전압은 제3, 제2, 제1 순으로 전압레벨이 작은 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the first to third supply voltages have a smaller voltage level in order of third, second, and first. 제 81 항에 있어서,82. The method of claim 81 wherein 상기 제1 내지 제4 클럭신호는 제1, 제4, 제2, 제3 순으로 한 클럭만큼씩 위상지연된 클럭신호이고,The first to fourth clock signals are clock signals that are phase-delayed by one clock in order of first, fourth, second, and third, 상기 제3 클럭신호는 상기 스타트 펄스와 동위상을 갖는 클럭신호인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the third clock signal is a clock signal having an in phase with the start pulse. 제 90 항에 있어서,92. The method of claim 90, 상기 제3 제어부는,The third control unit, 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제8 트랜지스터와; 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 제3 노드 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제9 트랜지스터를 구비하고;An eighth transistor having a conductive path between the third node and an output line of the level shifter, and a control electrode controlling the conductive path according to the second clock signal; A ninth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and the third node and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the first node; 상기 출력부는,The output unit, 상기 제3 공급전압 입력라인과 상기 레벨 쉬프터의 출력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제3 노드의 전압에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제10 트랜지스터와; 상기 레벨 쉬프터의 출력라인과 상기 제1 공급전압 입력라인 사이의 도전통로와, 그 도전통로를 상기 제2 클럭신호에 따라 제어하는 제어전극을 가지는 제11 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.A tenth transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and an output line of the level shifter and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the third node; And an eleventh transistor having a conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the second clock signal. . 제 91 항에 있어서,92. The method of claim 91 wherein 상기 레벨 쉬프터로부터의 출력 펄스는 이전단 레벨 쉬프터의 출력 펄스와 부분적으로 오버랩되는 것을 특징으로 액정표시장치.And the output pulse from the level shifter partially overlaps with the output pulse of the previous level shifter. 제 70 항에 있어서,The method of claim 70, 상기 액정패널과 스캔 드라이버 및 데이터 드라이버에 포함되는 박막트랜지스터는 폴리 실리콘을 반도체층으로 이용하고,The thin film transistor included in the liquid crystal panel, the scan driver and the data driver uses polysilicon as a semiconductor layer, 상기 스캔 드라이버와 데이터 드라이버는 상기 액정패널에 내장되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The scan driver and the data driver are built in the liquid crystal panel.
KR1020020065541A 2001-12-12 2002-10-25 Shift register with level shifter KR100896404B1 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/315,238 US7050036B2 (en) 2001-12-12 2002-12-10 Shift register with a built in level shifter
GB0228908A GB2383699B (en) 2001-12-12 2002-12-11 A shift register with a built in level shifter
DE10257875A DE10257875B9 (en) 2001-12-12 2002-12-11 Shift register with built-in level shifter
JP2002361129A JP4359038B2 (en) 2001-12-12 2002-12-12 Shift register with built-in level shifter
FR0215723A FR2833396B1 (en) 2001-12-12 2002-12-12 LIQUID CRYSTAL DISPLAY, AS WELL AS A SHIFT REGISTER, SCANNING CONTROL CIRCUIT, AND INTEGRATED DATA GENERATOR FOR SUCH DISPLAY
CN02156146A CN1428759A (en) 2001-12-12 2002-12-12 Shift register with built-in level shifter

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010078450 2001-12-12
KR20010078450 2001-12-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030051209A true KR20030051209A (en) 2003-06-25
KR100896404B1 KR100896404B1 (en) 2009-05-08

Family

ID=29574411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020065541A KR100896404B1 (en) 2001-12-12 2002-10-25 Shift register with level shifter

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100896404B1 (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100574363B1 (en) * 2002-12-04 2006-04-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Shift register with built-in level shifter
KR100674543B1 (en) * 2004-08-23 2007-01-29 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 Driver circuit of display device
KR100704016B1 (en) * 2003-11-26 2007-04-04 재단법인서울대학교산학협력재단 Data driver for liquid crystal display
KR100719666B1 (en) * 2006-04-04 2007-05-18 삼성에스디아이 주식회사 Data driver and organic light emitting display using the same
KR100719667B1 (en) * 2006-04-04 2007-05-18 삼성에스디아이 주식회사 Data driver and organic light emitting display using the same
KR101012972B1 (en) * 2003-12-30 2011-02-10 엘지디스플레이 주식회사 Active matrix display device
US7907107B2 (en) 2006-01-26 2011-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and driving apparatus
KR101054328B1 (en) * 2005-06-30 2011-08-04 엘지디스플레이 주식회사 Level Shifter Package for Liquid Crystal Display
KR20130101760A (en) * 2012-03-06 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 Shift register and display device using the same
CN113920914A (en) * 2021-10-13 2022-01-11 京东方科技集团股份有限公司 GOA circuit, driving method thereof and display device

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101155899B1 (en) 2010-05-07 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 Apparatus for scan driving and driving method for the same
KR102199846B1 (en) * 2014-07-01 2021-01-08 엘지디스플레이 주식회사 Display device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0695073A (en) * 1992-09-11 1994-04-08 Toshiba Corp Liquid crystal display device
JP3359844B2 (en) * 1996-07-22 2002-12-24 シャープ株式会社 Matrix type image display device
JP3473745B2 (en) * 1999-05-28 2003-12-08 シャープ株式会社 Shift register and image display device using the same
TW556145B (en) * 2000-01-11 2003-10-01 Toshiba Corp Flat display apparatus having scan-line driving circuit and its driving method

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100574363B1 (en) * 2002-12-04 2006-04-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Shift register with built-in level shifter
KR100704016B1 (en) * 2003-11-26 2007-04-04 재단법인서울대학교산학협력재단 Data driver for liquid crystal display
KR101012972B1 (en) * 2003-12-30 2011-02-10 엘지디스플레이 주식회사 Active matrix display device
KR100674543B1 (en) * 2004-08-23 2007-01-29 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 Driver circuit of display device
KR101054328B1 (en) * 2005-06-30 2011-08-04 엘지디스플레이 주식회사 Level Shifter Package for Liquid Crystal Display
US7907107B2 (en) 2006-01-26 2011-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and driving apparatus
KR100719666B1 (en) * 2006-04-04 2007-05-18 삼성에스디아이 주식회사 Data driver and organic light emitting display using the same
KR100719667B1 (en) * 2006-04-04 2007-05-18 삼성에스디아이 주식회사 Data driver and organic light emitting display using the same
KR20130101760A (en) * 2012-03-06 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 Shift register and display device using the same
CN113920914A (en) * 2021-10-13 2022-01-11 京东方科技集团股份有限公司 GOA circuit, driving method thereof and display device
CN113920914B (en) * 2021-10-13 2023-11-28 京东方科技集团股份有限公司 GOA circuit, driving method thereof and display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR100896404B1 (en) 2009-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4359038B2 (en) Shift register with built-in level shifter
KR100574363B1 (en) Shift register with built-in level shifter
US7233308B2 (en) Shift register
KR101023726B1 (en) Shift register
US7477226B2 (en) Shift register
US7532701B2 (en) Shift register and driving method thereof
US8564329B2 (en) Semiconductor device and driving method thereof
US7561655B2 (en) Shift register circuit and method of operating the same
KR100995637B1 (en) Shift register
KR100896404B1 (en) Shift register with level shifter
KR101027827B1 (en) Shift register and method for driving the same
US20040100318A1 (en) Level shifter and latch with the same built in
KR100835518B1 (en) Level shift circuit
KR101143803B1 (en) Shift register and method for driving the same
KR100600087B1 (en) Level shifter and shift register with built-in the same
KR101146425B1 (en) Shift register
KR101016739B1 (en) Shift register
KR101073263B1 (en) Shift register and method for driving the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120330

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130329

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160329

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170320

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190318

Year of fee payment: 11