KR20130099066A - 전자파 흡수성 열전도 시트 및 전자파 흡수성 열전도 시트의 제조 방법 - Google Patents

전자파 흡수성 열전도 시트 및 전자파 흡수성 열전도 시트의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

시트의 유연성이 양호한 전자파 흡수성 열전도 시트를 제공한다. 실리콘 고무와, 커플링제와, 커플링제로 표면 처리된 자성 금속 분말을 함유하고, 자성 금속 분말의 체적률이 50 ∼ 80 vol％ 이고, 커플링제는, 탄소수가 10 ∼ 18 인 장사슬 알킬기를 유기 관능기로서 갖고, 또한, 자성 금속 분말의 표면에 커플링제의 단분자층을 형성하는 데에 필요한 양의 0.5 ∼ 5 배의 중량이 함유되어 있다.

Description

전자파 흡수성 열전도 시트 및 전자파 흡수성 열전도 시트의 제조 방법 {EM-ABSORBING/HEAT-CONDUCTING SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING EM-ABSORBING/HEAT-CONDUCTING SHEET}
본 발명은, 열전도성이나 전자파 억제 특성이 양호한 전자파 흡수성 열전도 시트 및 전자파 흡수성 열전도 시트의 제조 방법에 관한 것이다.
본 출원은, 일본국에 있어서 2010년 8월 23일에 출원된 일본 특허 출원 번호 제2010-185890호를 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이고, 이 출원을 참조함으로써, 본 출원에 원용된다.
최근, 전자 기기는, 소형화의 경향을 따라 가는 한편, 어플리케이션의 다양성을 위해서 전력 소비량을 그만큼 변화시킬 수 없기 때문에, 기기 내에 있어서의 방열 대책이 더욱 더 중요시되고 있다.
상기 서술한 전자 기기에 있어서의 방열 대책으로서, 구리나 알루미늄 등과 같은 열전도율이 높은 금속 재료로 제작된 방열판이나 히트 파이프, 혹은 히트 싱크 등이 널리 이용되고 있다. 이들 열전도성이 우수한 방열 부품은, 방열 효과 또는 기기 내의 온도 완화를 도모하기 위해, 전자 기기 내에 있어서의 발열부인 반도체 패키지 등의 전자 부품에 근접하도록 하여 배치된다. 또, 이들 열전도성이 우수한 방열 부품은, 발열부인 전자 부품으로부터 저온 장소에 걸쳐 배치된다.
전자 기기 내에 있어서의 발열부는, 전류 밀도가 높은 반도체 소자 등의 전자 부품이다. 전류 밀도가 높다는 것은, 불필요 복사의 성분이 될 수 있는 전계 강도 또는 자계 강도가 크다. 이 때문에, 금속으로 제작된 방열 부품을 전자 부품 부근에 배치하면, 열과 함께 전자 부품 내를 흐르는 전기 신호의 고조파 성분도 취하는 경우가 있다. 구체적으로는, 방열 부품은, 금속 재료로 제작되어 있기 때문에, 그 자체가 고조파 성분의 안테나로서 작용하거나, 고조파 노이즈 성분의 전달 경로로서 작용한다.
이와 같은 배경에 의해, 열전도성 시트는, 방열 부품이 안테나로서 작용하는 것을 억제하기 위해, 즉, 자계의 커플링을 끊기 위해서, 자성 재료를 함유하는 것이 있다. 이와 같은 전자파 흡수성 열전도 시트는, 예를 들어, 페라이트 등의 고투자율을 갖는 자성 재료를, 실리콘계나 아크릴계 등의 고분자재에 함유시킴으로써, 열전도 특성과 전자파 억제 특성의 양자의 기능을 실현하고 있다.
그런데, 전자파 흡수성 열전도 시트의 열전도성 및 전자파 억제 특성 (자계의 디커플링 효과) 은, 각각의 목적 분말의 재료 물성값도 인자 중 하나인데, 모재가 되는 고분자재에 포함되는 목적 분말의 충전량을 크게 하는 것이 중요해진다.
여기서, 목적 분말과 고분자재의 젖음성이 나쁘면 목적 분말을 고충전할 수 없고, 성형품의 유연성도 악화된다. 그래서, 모재와 분말의 젖음성을 개선하기 위해서, 일반적으로 커플링제라고 칭하는 분말의 표면 처리제를 첨가하는 방법이 알려져 있다 (특허문헌 1 ∼ 특허문헌 4).
특허문헌 1 에는, 실리콘 고무에 대해, 소프트 페라이트의 충전성을 개선하여 유연성을 갖게 하기 위해서, 무관능기의 실란 화합물로 표면 처리를 하는 기술이 기재되어 있다. 또, 특허문헌 2 에는, 실리콘 고무와, 자성 금속 분말의 조합에는, 티타네이트계 또는 알루미늄계의 커플링제로 표면 처리하는 기술이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 3 에는, 실리콘 고무와 산화물 분말의 조합으로, 특정 구성의 실란 커플링제가 효과적인 것이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 4 에는, 산화물 필러에 대해, 실리콘 원소에 직접 결합하는 알킬기의 탄소수가 4 개의 실란 커플링제를 0.2 ∼ 10 중량％ 로 하는 기술이 기재되어 있다.
그러나, 분말의 표면 개질을 목적으로 한 커플링제는, 필요 이상으로 첨가하면, 시간 경과에 수반하여 미반응 부분에서 반응이 서서히 진행되고, 장시간 경과 후에 실리콘 성형품인 시트의 유연성이 악화된다.
일본 공개특허공보 2005-286190호 일본 특허 제3719382호 일본 특허 제3290127호 일본 특허 제3535805호
본 발명은, 이와 같은 종래의 실정을 감안하여 제안된 것이고, 시트의 유연성이 양호한 전자파 흡수성 열전도 시트 및 전자파 흡수성 열전도 시트의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 관련된 전자파 흡수성 열전도 시트는, 실리콘 고무와, 커플링제와, 커플링제로 표면 처리된 자성 금속 분말을 함유하고, 자성 금속 분말의 체적률이 50 ∼ 80 vol％ 이고, 커플링제는, 탄소수가 10 ∼ 18 인 장사슬 알킬기를 유기 관능기로서 갖고, 또한, 자성 금속 분말의 표면에 커플링제의 단분자층을 형성하는 데에 필요한 양의 0.5 ∼ 5 배의 중량이 함유되어 있다.
본 발명에 관련된 전자파 흡수성 열전도 시트는, 실리콘 고무와, 커플링제와, 커플링제로 표면 처리된 아모르퍼스 금속 분말을 함유하고, 아모르퍼스 금속 분말의 체적률이 50 ∼ 80 vol％ 이고, 커플링제는, 메타크릴옥시기를 유기 관능기로서 갖고, 또한, 아모르퍼스 금속 분말의 표면에 커플링제의 단분자층을 형성하는 데에 필요한 양의 0.5 ∼ 5 배의 중량이 함유되어 있다.
본 발명에 관련된 전자파 흡수성 열전도 시트의 제조 방법은, 실리콘 고무와, 탄소수가 10 ∼ 18 인 장사슬 알킬기를 유기 관능기로서 갖는 커플링제와, 자성 금속 분말을 혼합하여 교반하는 교반 공정과, 교반 공정에서 교반된 혼합물을 시트 형상으로 성형하여 경화시키는 경화 공정을 갖고, 교반 공정에서는, 자성 금속 분말의 체적률이 50 ∼ 80 vol％ 가 되도록 자성 금속 분말을 함유시킴과 함께, 자성 금속 분말의 표면에 커플링제의 단분자층을 형성하는 데에 필요한 양의 0.5 ∼ 5 배 중량의 커플링제를 함유시킨다.
본 발명에 관련된 전자파 흡수성 열전도 시트의 제조 방법은, 실리콘 고무와, 메타크릴옥시기를 유기 관능기로서 갖는 커플링제와, 아모르퍼스 금속 분말을 혼합하고, 혼합한 혼합물을 교반하는 교반 공정과, 교반 공정에서 교반된 혼합물을 시트 형상으로 성형하여 경화시키는 경화 공정을 갖고, 교반 공정에서는, 아모르퍼스 금속 분말의 체적률이 50 ∼ 80 vol％ 가 되도록 아모르퍼스 금속 분말을 함유시킴과 함께, 아모르퍼스 금속 분말의 표면에 커플링제의 단분자층을 형성하는 데에 필요한 양의 0.5 ∼ 5 배 중량의 커플링제를 함유시킨다.
본 발명에 의하면, 자성 금속 분말을 고충전할 수 있기 때문에 시트의 유연성을 양호하게 할 수 있다.
도 1 은, 본 실시형태에 관련된 전자파 흡수성 열전도 시트에 사용되는 아모르퍼스 금속 분말의 SEM 화상을 나타내는 도면이다.
도 2 는, 본 실시형태에 관련된 전자파 흡수성 열전도 시트에 사용되는 결정질 금속 분말의 SEM 화상을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명을 적용한 전자파 흡수성 열전도 시트 및 전자파 흡수성 열전도 시트의 제조 방법의 구체적인 실시형태의 일례에 대해, 이하의 순서로 설명한다.
1. 전자파 흡수성 열전도 시트
1-1. 자성 금속 분말
1-2. 커플링제
1-3. 열전도성 충전제
1-4. 실리콘 고무
2. 전자파 흡수성 열전도 시트의 제조 방법
3. 다른 실시형태
4. 실시예
(1. 전자파 흡수성 열전도 시트)
본 실시형태에 관련된 전자파 흡수성 열전도 시트는, 자성 금속 분말과, 커플링제와, 열전도성 충전제와, 실리콘 고무를 함유한다.
(1-1. 자성 금속 분말)
자성 금속 분말로는, 전자 부품에서 방출되는 전자파를 흡수하기 위한 전자파 흡수 재료가 사용된다. 이와 같은 자성 금속 분말로는, 아모르퍼스 금속 분말이나, 결정질의 금속 분말을 사용할 수 있다. 아모르퍼스 금속 분말로는, 예를 들어, Fe-Si-B-Cr 계, Fe-Si-B 계, Co-Si-B 계, Co-Zr 계, Co-Nb 계, Co-Ta 계인 것 등을 들 수 있다. 결정질의 금속 분말로는, 예를 들어, 순철, Fe 계, Co 계, Ni 계, Fe-Ni 계, Fe-Co 계, Fe-Al 계, Fe-Si 계, Fe-Si-Al 계, Fe-Ni-Si-Al 계인 것 등을 들 수 있다. 또, 결정질의 금속 분말로는, 결정질의 금속 분말에, N (질소), C (탄소), O (산소), B (붕소) 등을 미량 첨가하여 미세화시킨 미결정질 금속 분말을 사용해도 된다. 또, 자성 금속 분말로는, 재료가 상이한 것이나, 평균 입경이 상이한 것을 2 종 이상 혼합한 것을 사용해도 된다.
자성 금속 분말로는, 충전성을 높게 하는 관점에서, 입경이 수 ㎛ ∼ 수십 ㎛ 이며, 구상인 것이 바람직하다. 이와 같은 자성 금속 분말은, 예를 들어 아토마이즈법에 의해 제조할 수 있다. 아토마이즈법이란, 구상의 분말을 만들기 쉬운 이점을 갖고, 용융 금속을 노즐로부터 유출시키고, 유출시킨 용융 금속에 공기, 물, 불활성 가스 등의 제트류를 분사하여 액적으로서 응고시켜 분말을 만드는 방법이다. 아토마이즈법에 의해 자성 금속 분말을 제조할 때에는, 용융 금속이 결정화되지 않도록 하기 위해서, 냉각 속도를 10-6 (K/s) 정도로 하는 것이 바람직하다.
상기 서술한 아토마이즈법에 의해, 아모르퍼스 금속 분말을 제조한 경우에는, 예를 들어 도 1 에 나타내는 바와 같이, 아모르퍼스 금속 분말의 표면을 매끄러운 상태로 할 수 있다. 이와 같이 표면 요철이 적고, 비표면적이 작은 아모르퍼스 금속 분말을 자성 금속 분말로서 사용함과 함께, 후에 상세히 서술하는 바와 같이 최적인 커플링제를 사용함으로써, 매우 소량의 커플링제로도 실리콘 고무와의 친화성을 개선하고, 실리콘 성형품, 즉, 시트의 유연성을 향상시킬 수 있다. 또, 이와 같은 아모르퍼스 금속 분말을 사용함으로써, 과도하게 커플링제를 사용하지 않고, 시트를 장기 보존한 경우에 있어서, 시트의 유연성이 열화되는 것을 방지할 수 있다.
또, 상기 서술한 아토마이즈법에 의해, 결정질 금속의 일례인 Fe-Si 합금 분말을 제조한 경우에는, Fe-Si 합금 분말은, 예를 들어 도 2 에 나타내는 바와 같이, 구상을 나타내면서도 표면에 미소한 요철을 발생시켜 비표면적이 커진다. 이와 같은 Fe-Si 합금 분말을 자성 금속 분말로서 사용하는 경우에는, Fe-Si 합금 분말의 충전량을 줄여, 비표면적의 증가에 대응하도록 커플링제의 양을 늘리는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 아모르퍼스 금속 분말을 자성 금속 분말로서 사용했을 때와 동일하게, 시트의 유연성을 향상시킬 수 있다.
자성 금속 분말은, 실리콘 고무와 커플링제와 자성 금속 분말과 열전도성 충전제를 함유하는 실리콘 고무 조성물 전체량 (이하, 간단히 「조성물 전체량」이라고 한다) 에 대해, 체적률이 50 ∼ 80 vol％ 인 것이 바람직하다. 자성 금속 분말의 체적률을 조성물 전체량에 대해 50 vol％ 이상으로 함으로써, 열전도 특성과 전자파 억제 특성을 양호하게 할 수 있다. 또, 자성 금속 분말의 체적률을 조성물 전체량에 대해 80 vol％ 이하로 함으로써, 시트의 유연성을 양호하게 할 수 있다.
(1-2. 커플링제)
커플링제는, 자성 금속 분말과 실리콘 고무의 젖음성을 양호하게 하여 자성 금속 분말의 충전성을 양호하게 하고, 시트의 유연성을 양호하게 할 목적으로 사용된다. 커플링제로는, 예를 들어, 일반식 X-Si-MEn(OR)3-n (n=0, 1) 로 나타내는 실란 커플링제나, 일반식 X-R-Si-(OR)3-n (n=0, 1) 로 나타내는 실란 커플링제를 사용할 수 있다. 이들 일반식에 있어서, 「X」는 유기 관능기를 나타내고, 「ME」는 메틸기를 나타내고, 「OR」은 가수분해기를 나타내고, 「R」은 알킬기를 나타내고 있다. 상기 일반식 X-Si-MEn(OR)3-n 에 있어서, n=1 일 때의 가수분해기로는, 예를 들어 트리메톡시기나 트리에톡시기를 들 수 있고, n=2 일 때의 가수분해기로는, 예를 들어 메틸디메톡시기나 메틸디에톡시기를 들 수 있다.
일반식 X-Si-MEn(OR)3-n (n=0, 1) 로 나타내는 실란 커플링제로는, 탄소수 10 ∼ 18 의 장사슬 알킬기를 유기 관능기로서 갖는 것이 바람직하다. 또, 일반식 X-R-Si-(OR)3-n (n=0, 1) 로 나타내는 실란 커플링제로는, 메타크릴옥시기를 유기 관능기로서 갖는 것이 바람직하다. 이와 같은 실란 커플링제를 사용함으로써, 자성 금속 분말과 실리콘 고무의 젖음성을 양호하게 하여 자성 금속 분말의 충전성을 양호하게 하고, 시트의 유연성을 양호하게 할 수 있다. 여기서, 탄소수 10 ∼ 18 의 장사슬 알킬기를 유기 관능기로서 갖는 실란 커플링제에 있어서, 장사슬 알킬기의 탄소수를 10 이상으로 함으로써, 자성 금속 분말과 실리콘 고무의 젖음성을 양호하게 하여 시트의 유연성을 향상시킬 수 있다. 또, 장사슬 알킬기의 탄소수를 18 이하로 함으로써, 장사슬 알킬기의 비점이 지나치게 높아져 실란 커플링제의 구조가 불안정해지고, 자성 금속 분말과 실리콘 고무의 젖음성이 나빠지는 것을 방지할 수 있다.
탄소수 10 ∼ 18 의 장사슬 알킬기를 유기 관능기로서 갖는 실란 커플링제로는, 예를 들어, 탄소수 10 ∼ 18 의 장사슬 알킬기를 유기 관능기로서 가짐과 함께, 메톡시기나 에톡시기를 가수분해기로서 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는, n-데실트리메톡시실란 (n-C10H21Si(OCH3)3), n-데실메틸디메톡시실란 (n-C10H21SiCH3(OCH3)2), 옥타데실트리에톡시실란 (CH3(CH2)17Si(OCH2CH3)3), 옥타데실메틸디메톡시실란 (CH3(CH2)17SiCH3(OCH3)2) 등을 들 수 있다.
또, 메타크릴옥시기를 유기 관능기로서 갖는 실란 커플링제로는, 예를 들어, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다.
실란 커플링제의 사용량은, 자성 금속 분말의 비표면적과, 실란 커플링제의 분자량에 따라 변화시키는 것이 바람직하고, 자성 금속 분말의 표면에 실란 커플링제의 단분자층을 형성하는 데에 필요한 첨가량 (이하, 「단분자층 형성 필요량」이라고 한다) 의 0.5 ∼ 5 배의 중량으로 하는 것이 바람직하다. 실란 커플링제의 양을 단분자층 형성 필요량의 0.5 배 이상으로 함으로써, 실란 커플링제에 의한 표면 처리 효과, 즉, 자성 금속 분말과 실리콘 고무의 젖음성의 효과가 약해지는 것을 방지할 수 있다. 또, 실란 커플링제의 양을 단분자층 형성 필요량의 5 배 이하로 함으로써, 시트를 장기 보존한 경우에, 실란 커플링제의 미반응부에서의 반응이 진행되어, 시트의 경도가 증가되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 시트의 유연성을 장기에 걸쳐 양호하게 유지할 수 있다. 여기서, 시트의 경도란, 예를 들어, JISK6301A 에 준거하여 측정한 값을 말한다.
실란 커플링제의 단분자층 형성 필요량은, 예를 들어, 하기 (1) 식에 의해 구해진다.
단분자층 형성 필요량 (g)=대상 필러의 중량 (g)×대상 필러의 비표면적 (㎡/g)/실란 커플링제의 최소 피복 면적 (㎡/g) (1)
상기 (1) 식에 있어서, 대상 필러란, 상기 서술한 자성 금속 분말 또는 열전도성 충전제를 나타낸다. 또, (1) 식에 있어서, 실란 커플링제의 최소 피복 면적은, 다음 (2) 식에 의해 구할 수 있다.
최소 피복 면적 (㎡/g)=6.02×1023×13×10-20/실란 커플링제의 분자량 (2)
상기 서술한 바와 같이, 도 1 에 나타내는 바와 같이 표면 요철이 적고, 비표면적이 작은 아모르퍼스 금속 분말을 자성 금속 분말로서 사용한 경우에는, 최적인 실란 커플링제를 사용함으로써, 매우 소량의 실란 커플링제로도 실리콘 고무와의 친화성을 개선하고, 실리콘 성형품인 시트의 유연성을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 비표면적이 작은 아모르퍼스 금속 분말을 자성 금속 분말로서 사용한 경우에는, 메타크릴옥시기를 유기 관능기로서 갖는 실란 커플링제를 사용하는 것이 바람직하다.
또, 도 2 에 나타내는 바와 같이 Fe-Si 합금 분말을 자성 금속 분말로서 사용한 경우에는, Fe-Si 합금 분말의 충전량을 줄이고, 비표면적의 증가에 대응하도록 실란 커플링제의 양을 늘리는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 아모르퍼스 금속 분말을 자성 금속 분말로서 사용했을 때와 동일하게, 시트의 유연성을 향상시킬 수 있다.
(1-3. 열전도성 충전제)
본 실시형태에 관련된 전자파 흡수성 열전도 시트는, 시트의 열전도율을 보다 향상시키기 위해서, 열전도성 충전제를 함유해도 된다. 열전도성 충전제로는, 자성 금속 입자보다 열전도율이 높은 열전도성 입자, 예를 들어, 고열전도성 세라믹스나, 구리나 알루미늄 등에 절연체를 코팅한 분말 등을 사용할 수 있다. 고열전도성 세라믹스로는, 알루미나, 질화붕소, 질화규소, 질화알루미늄, 탄화규소 등을 들 수 있다.
열전도성 충전제는, 자성 금속 분말과 입경이 동일한 정도의 것을 사용해도 되는데, 시트 중에 있어서의 자성 금속 분말의 충전율을 더욱 향상시키는 관점에서, 자성 금속 분말보다 입경이 작은 것이 바람직하다. 예를 들어, 열전도성 충전제는, 평균 입경이, 자성 금속 분말에 대해 1/3 ∼ 1/30 정도인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
또, 열전도성 충전제는, 체적률이 조성물 전체량에 대해 30 vol％ 이하인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 시트의 유연성을 저해하지 않고 , 시트의 열전도율을 향상시킬 수 있다.
또한, 열전도성 충전제는, 상기 서술한 것에 한정되지 않고, 자성 금속 분말보다 열전도율이 높은 재료이면 되고, 특히, 평균 입경이 자성 금속 분말에 비해 작은 것이면, 고충전화를 실현할 수 있다.
(1-4. 실리콘 고무)
실리콘 고무로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 2 액형이나 1 액형의 액상 타입의 실리콘 겔이나 실리콘 고무, 열가황형의 실리콘 고무 등을 사용할 수 있다.
(2. 전자파 흡수성 열전도 시트의 제조 방법)
본 실시형태에 관련된 전자파 흡수성 열전도 시트는, 예를 들어, 실리콘 고무와, 실란 커플링제와, 자성 금속 분말과, 열전도성 충전물을 혼합하여, 혼합물을 교반시키고, 실란 커플링제로 자성 금속 분말을 표면 처리하는 교반 공정과, 교반된 혼합물을 시트 형상으로 성형하여 경화시키는 경화 공정을 갖는다.
교반 공정에 있어서, 상기 서술한 바와 같이, 자성 금속 분말의 체적률이 조성물 전체량에 대해 50 ∼ 80 vol％ 가 되도록 자성 금속 분말을 함유시킴과 함께, 자성 금속 분말의 표면에 실란 커플링제의 단분자층을 형성하는 데에 필요한 양의 0.5 ∼ 5 배 중량의 실란 커플링제를 함유시키는 것이 바람직하다.
또, 교반 공정에 있어서, 실리콘 고무와, 실란 커플링제와, 자성 금속 분말과, 열전도성 충전물의 혼합물의 교반은, 예를 들어, 진공 건조기를 사용하여 진공 상태에서 실시하는 것이 바람직하다.
교반 공정에 있어서, 자성 금속 분말이나 열전도성 충전물에 대한 커플링 처리 방법으로는, 예를 들어, 직접 처리법이나 인테그랄 블렌드법이 사용된다. 직접 처리법으로는, 예를 들어, 건식 처리법이나 습식 처리법을 들 수 있다. 건식 처리법이란, 실란 커플링제를 물 또는 알코올 수용액으로 희석한 상태로, 대상 분말에 적하나 스프레이 분무하여 교반하는 방법이다. 습식 처리법이란, 대상 분말을 물 또는 알코올 수용액을 첨가하여 슬러리상으로 한 것에, 실란 커플링제 원액을 첨가하여 교반하는 방법이다. 인테그랄 블렌드법이란, 실란 커플링제와, 실리콘 고무와, 대상 분말을 첨가하여 한 번에 처리하는 방법이다.
교반 공정에 있어서, 특히, 실란 커플링제와 자성 금속 분말이나 열전도성 충전물의 친화성이 좋은 경우에는, 실란 커플링제의 원액을 대상 분말에 직접 적하하는 방법이나, 자성 금속 분말에 실란 커플링제 처리를 미리 실시하여, 순차적으로 다른 재료를 첨가해 가는 방법이나, 인테그랄 블렌드법으로 처리하는 것이 바람직하다.
또, 교반 공정에 있어서, 자성 금속 분말이나 열전도성 충전물의 종류 및 입경에 따라, 최적인 실란 커플링제나 커플링 처리의 방법이 상이하기 때문에, 실란 커플링제나 커플링 처리 방법을 조합하는 것이 바람직하다.
경화 공정에서는, 교반 공정에서 교반된 혼합물을 시트 형상으로 성형하여 경화시킨다. 예를 들어, 경화 공정에서는, 교반 공정에서 교반된 혼합물을 소정 크기의 시트 형상으로 성형하여, 100 ℃, 30 분의 환경하에서 경화시킴으로써, 전자파 흡수성 열전도 시트를 제조할 수 있다.
(3. 다른 실시형태)
상기 서술한 설명에서는, 1 종류의 실란 커플링제를 사용한 경우에 대해 설명했는데, 2 종류 이상의 실란 커플링제를 혼합해도 된다. 이와 같이, 복수의 실란 커플링제를 혼합하여 사용하는 경우에는, 각 실란 커플링제에 있어서, 평균 탄소수가 10 ∼ 18 인 장사슬 알킬기를 유기 관능기로서 갖는 것이 바람직하다.
상기 서술한 설명에서는, 열전도성 충전물에 대해 커플링 처리를 실시하는 것으로서 설명했는데, 이 예에 한정되지 않고, 열전도성 충전물에 대한 커플링 처리를 생략해도 된다.
또, 상기 서술한 설명에서는, 자성 금속 분말 및 열전도성 충전물에 대해 동일한 실란 커플링제를 사용하는 경우에 대해 설명했는데, 이 예에 한정되지 않고, 열전도성 충전물에 자성 금속 분말에 대해 사용하는 실란 커플링제와는 상이한 실란 커플링제를 사용해도 된다.
또, 상기 서술한 설명에서는, 자성 금속 분말과, 열전도성 충전물과, 실란 커플링제와, 실리콘 고무를 사용하여 전자파 흡수성 열전도 시트를 제조하는 것으로 했는데, 특성에 지장을 초래하지 않는 범위에서, 연소를 억제하기 위한 난연재, 착색재 등을 추가로 함유시켜도 된다.
실시예
이하, 본 발명의 구체적인 실시예에 대해 설명한다. 또한, 하기 실시예에 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
실시예 1 에서는, 분자 사슬 양 말단에만 알케닐기를 함유하는 오르가노폴리실록산, 측사슬에만 규소 원자에 직접 결합한 수소 원자를 갖는 메틸하이드로젠폴리실록산 및 백금족계 부가 반응 촉매를 1 ％ 미만 포함한 실리콘 혼합물과, 자성 금속 분말과, 실란 커플링제를 혼합하여, 진공 건조기로 교반하였다.
구상의 아모르퍼스 금속 분말은, 조성물 전체량에 대해 체적률이 70 vol％ 가 되도록 배합하였다. 자성 금속 분말로는, 평균 입경 25 ㎛ 인 Fe-Si-B 계의 구상의 아모르퍼스 금속 분말을 사용하였다. 실란 커플링제로는, 구상의 아모르퍼스 금속 분말의 중량에 대해 0.06 wt％ 의 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란을 사용하였다.
계속해서, 교반한 혼합물을, 2 ㎜ 의 시트 형상으로 성형하고, 100 ℃, 30 분의 환경하에서 경화시킴으로써 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(실시예 2)
실시예 2 에서는, 실란 커플링제로서, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란을 사용한 점 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(실시예 3)
실시예 3 에서는, 실란 커플링제로서, n-데실트리메톡시실란을 사용한 점 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(실시예 4)
실시예 4 에서는, 실란 커플링제로서, n-데실트리메톡시실란과, 디메톡시메틸옥타데실실란을 당량 배합한 것을 사용한 점 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(실시예 5)
실시예 5 에서는, 자성 금속 분말로서 평균 입경 35 ㎛ 인 Fe-Si 합금 분말을 조성물 전체량에 대해 체적률이 60 vol％ 가 되도록 배합한 점, Fe-Si 합금 분말의 중량에 대해 0.08 wt％ 의 n-데실트리메톡시실란을 실란 커플링제로서 사용한 점 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(실시예 6)
실시예 6 에서는, 자성 금속 분말로서 아모르퍼스 금속 분말을 체적률이 조성물 전체량에 대해 60 vol％ 가 되도록 배합한 점, 실란 커플링제로서 아모르퍼스 금속 분말의 중량에 대해 0.09 wt％ 의 n-데실트리메톡시실란을 사용한 점, 열전도성 충전제로서 평균 입경 5 ㎛ 인 알루미나 가루를 조성물 전체량에 대해 6 vol％ 배합한 점 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(실시예 7)
실시예 7 에서는, 자성 금속 분말로서, 평균 입경 25 ㎛ 인 구상의 아모르퍼스 자성 분말을 사용한 점 이외에는, 실시예 3 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(실시예 8)
실시예 8 에서는, 자성 금속 분말로서, 평균 입경 25 ㎛ 인 구상의 아모르퍼스 자성 분말을 사용한 점, 실란 커플링제로서, n-데실메틸디메톡시실란을 사용한 점 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(실시예 9)
실시예 9 에서는, 자성 금속 분말로서, 평균 입경 25 ㎛ 인 구상의 아모르퍼스 자성 분말을 사용한 점, 실란 커플링제로서, n-옥타데실메틸디메톡시실란을 사용한 점 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(실시예 10)
실시예 10 에서는, 실시예 5 와 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(실시예 11)
실시예 11 에서는, 실란 커플링제로서, n-데실메틸디메톡시실란을 사용한 점 이외에는, 실시예 5 와 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(실시예 12)
실시예 12 에서는, 실란 커플링제로서, n-옥타데실메틸디메톡시실란을 사용한 점 이외에는, 실시예 5 와 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 1)
비교예 1 에서는, 실란 커플링제로서, n-옥틸트리에톡시실란을 사용한 점 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 2)
비교예 2 에서는, 실란 커플링제로서, 비닐트리에톡시실란을 사용한 점 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 3)
비교예 3 에서는, 실란 커플링제로서, 비닐트리메톡시실란을 사용한 점 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 4)
비교예 4 에서는, 실란 커플링제로서, 알킬알콕시실록산을 사용한 점 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 5)
비교예 5 에서는, 실란 커플링제로서, n-옥틸트리에톡시실란을 사용한 점, 자성 금속 분말로서 평균 입경 35 ㎛ 인 Fe-Si 합금 분말을 조성물 전체량에 대해 체적률이 60 vol％ 가 되도록 배합한 점 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 6)
비교예 6 에서는, 실란 커플링제를 사용하지 않은 점 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 7)
비교예 7 에서는, 실란 커플링제를 사용하지 않은 점, 자성 금속 분말로서 평균 입경 35 ㎛ 인 Fe-Si 합금 분말을 조성물 전체량에 대해 체적률이 60 vol％ 가 되도록 배합한 점 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 8)
비교예 8 에서는, 열전도성 충전제로서 평균 입경 3 ㎛ 인 알루미나 가루를 조성물 전체량에 대해 체적률이 6 vol％ 가 되도록 배합한 점, 구상의 아모르퍼스 금속 분말의 중량에 대해 0.1 wt％ 의 n-옥틸트리에톡시실란을 실란 커플링제로서 사용한 점 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 9)
비교예 9 에서는, 실란 커플링제로서, 구상의 아모르퍼스 금속 분말의 중량에 대해 0.27 wt％ 의 n-옥틸트리에톡시실란을 사용한 점 이외에는, 비교예 8 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 10)
비교예 10 에서는, 실란 커플링제로서, 구상의 아모르퍼스 금속 분말의 중량에 대해 0.5 wt％ 의 n-옥틸트리에톡시실란을 사용한 점 이외에는, 비교예 8 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 11)
비교예 11 에서는, 실란 커플링제로서, 구상의 아모르퍼스 금속 분말의 중량에 대해 0.9 wt％ 의 n-옥틸트리에톡시실란을 사용한 점 이외에는, 비교예 8 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 12)
비교예 12 에서는, 실란 커플링제를 사용하지 않은 점 이외에는, 비교예 8 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 13)
비교예 13 에서는, 자성 금속 분말 대신에, 평균 입경 5 ㎛ 인 구상의 알루미나 분말을 조성물 전체량에 대해 체적률이 65 vol％ 가 되도록 배합한 점, 구상의 알루미나 분말의 중량에 대해 0.09 wt％ 의 비닐트리에톡시실란을 실란 커플링제로서 사용한 점 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 14)
비교예 14 에서는, 구상의 알루미나 분말의 중량에 대해 0.09 wt％ 의 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란을 실란 커플링제로서 사용한 점 이외에는, 비교예 13 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 15)
비교예 15 에서는, 구상의 알루미나 분말의 중량에 대해 0.09 wt％ 의 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란을 실란 커플링제로서 사용한 점 이외에는, 비교예 13 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 16)
비교예 16 에서는, 구상의 알루미나 분말의 중량에 대해 0.09 wt％ 의 알킬알콕시실록산을 실란 커플링제로서 사용한 점 이외에는, 비교예 13 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 17)
비교예 17 에서는, 구상의 알루미나 분말의 중량에 대해 0.09 wt％ 의 n-데실트리메톡시실란을 실란 커플링제로서 사용한 점 이외에는, 비교예 13 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 18)
비교예 18 에서는, 실란 커플링제를 사용하지 않은 점 이외에는, 비교예 13 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 19)
비교예 19 에서는, 자성 금속 분말로서, 평균 입경 25 ㎛ 인 구상의 아모르퍼스 자성 분말을 사용한 점 이외에는, 비교예 1 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 20)
비교예 20 에서는, 비교예 6 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 21)
비교예 21 에서는, 비교예 5 와 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 22)
비교예 22 에서는, 비교예 7 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 23)
비교예 23 에서는, 비교예 18 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 24)
비교예 24 에서는, 구상의 알루미나 분말의 중량에 대해 0.09 wt％ 의 n-옥틸트리에톡시실란을 실란 커플링제로서 사용한 점 이외에는, 비교예 13 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 25)
비교예 25 에서는, 비교예 17 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 26)
비교예 26 에서는, 구상의 알루미나 분말의 중량에 대해 0.09 wt％ 의 n-데실메틸디메톡시실란을 실란 커플링제로서 사용한 점 이외에는, 비교예 13 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
(비교예 27)
비교예 27 에서는, 구상의 알루미나 분말의 중량에 대해 0.09 wt％ 의 n-옥타데실메틸디메톡시실란을 실란 커플링제로서 사용한 점 이외에는, 비교예 13 과 동일한 조건으로 전자파 흡수성 열전도 시트를 제작하였다.
이상의 실시예 1 ∼ 실시예 12 및 비교예 1 ∼ 비교예 27 의 결과를, 표 1 ∼ 표 5 에 정리한다. 실시예 6, 비교예 8 ∼ 비교예 12 의 에이징 시험에서는, 125 ℃ 의 조건으로 300 시간, 각 전자파 흡수성 열전도 시트의 샘플에 대해 에이징 처리를 실시하였다. 각 실시예 및 비교예에 있어서, 시트의 경도는 ASKER 사의 아스카 고무 경도계 C 형과 정압 하중기를 사용하여 구하고 있고, 시트를 겹쳐 30×50×10 ㎜ 의 형상으로 하여 측정하였다.
Figure pct00001
실시예 1 ∼ 실시예 6 에서 얻어진 전자파 흡수성 열전도 시트에 있어서, 자성 금속 분말은, 체적률이 조성물 전체량에 대해 50 ∼ 80 vol％ 를 만족하고 있다. 또, 실란 커플링제는, 탄소수 또는 평균 탄소수가 10 ∼ 18 인 장사슬 알킬기, 또는 메타크릴옥시기를 유기 관능기로서 갖는다. 또한, 실란 커플링제는, 자성 금속 분말의 표면에 실란 커플링제의 단분자층을 형성하는 데에 필요한 양의 0.5 ∼ 5 배의 중량이 함유되어 있다. 그 때문에, 실시예 1 ∼ 실시예 6 에서 얻어진 전자파 흡수성 열전도 시트는, 비교예 6, 7 에서 얻어진 전자파 흡수성 열전도 시트보다 유연성이 양호하였다.
또, 실시예 4 에서 얻어진 전자파 흡수성 열전도 시트의 결과로부터, 2 종류의 실란 커플링제를 함유하고, 평균 탄소수가 14 인 장사슬 알킬기를 유기 관능기로서 사용한 경우에도, 시트의 유연성이 양호한 것을 알 수 있다.
또한, 실시예 6 에서 얻어진 전자파 흡수성 열전도 시트는, 에이징 시험 전에 있어서 시트의 유연성이 양호하고, 에이징 시험 후에 있어서도 시트의 경도 증가가 억제되어, 유연성이 양호하였다.
비교예 1 ∼ 5 에서 얻어진 전자파 흡수성 열전도 시트는, 실란 커플링제가, 탄소수가 10 ∼ 18 인 장사슬 알킬기를 유기 관능기로서 갖고 있지 않기 때문에, 시트의 유연성이 양호하지 않았다. 또, 비교예 6 및 비교예 7 에서 얻어진 전자파 흡수성 열전도 시트는, 실란 커플링제를 함유시키고 있지 않기 때문에, 시트의 유연성이 양호하지 않았다.
Figure pct00002
비교예 8 ∼ 비교예 12 의 샘플에 대해 에이징 전후의 시트 경도를 조사하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다. 커플링제가 0.1 wt％ 로 적을 때에는 경도가 커플링제 없음인 것과 거의 동일하고, 커플링제의 첨가에 의한 경화 개선이 확인되지 않았다. 커플링제의 양을 늘린 경우에는, 경도가 낮아지지만, 고온 유지 시험 후에 단단해지고 있다. 이들 샘플에 사용한 구상 아모르퍼스 금속 분말의 비표면적과, 커플링제의 분자량으로부터 계산한, 아모르퍼스 금속 분말의 표면에 그 단분자층을 형성하는 데에 필요한 커플링제의 최저량은 0.035 wt％ 이므로, 이론 최저 첨가량에 비해 1 자리수 큰 양의 커플링제를 첨가하지 않으면 유연성을 개선할 수 없고, 또, 그 경우, 커플링제가 과잉으로 함유되기 때문에 미반응 부분이 시간 경과에 대해 서서히 반응해감으로써, 고온 에이징 후에 시트의 경도가 증가되었다.
비교예 8 ∼ 11 에서는, 구상 아모르퍼스 금속 분말에 대해 탄소수가 10 ∼ 18 인 장사슬 알킬기를 유기 관능기로서 갖는 실란 커플링제를 사용하고 있지 않기 때문에, 시트의 유연성 개선과, 장기 보존에서의 유연성 유지를 양립할 수 없고, 커플링제를 사용하지 않은 비교예 12 와 비교하여 특성의 개선이 확인되지 않는다.
Figure pct00003
비교예 13 ∼ 비교예 17 에서 얻어진 전자파 흡수성 열전도 시트는, 단분자층 형성 필요량의 0.5 ∼ 5 배 중량의 실란 커플링제를 함유하는 것인데, 자성 금속 분말을 함유하지 않기 때문에, 시트의 유연성이 양호하지 않았다.
Figure pct00004
실시예 7 ∼ 실시예 12 에서 얻어진 전자파 흡수성 열전도 시트에 있어서, 자성 금속 분말인 아모르퍼스 금속 분말 또는 Fe-Si 합금 분말은, 체적률이 조성물 전체량에 대해 50 ∼ 80 vol％ 를 만족하고 있다. 또, 실란 커플링제는, 탄소수 또는 평균 탄소수가 10 ∼ 18 인 장사슬 알킬기를 유기 관능기로서 갖는다. 또한, 실란 커플링제는, 자성 금속 분말의 표면에 실란 커플링제의 단분자층을 형성하는 데에 필요한 양의 0.5 ∼ 5 배의 중량이 함유되어 있다. 그 때문에, 실시예 7 ∼ 실시예 12 에서 얻어진 전자파 흡수성 열전도 시트는, 비교예 20 또는 비교예 22 에서 얻어진 전자파 흡수성 열전도 시트보다 유연성이 양호하였다.
비교예 19, 비교예 21 에서 얻어진 전자파 흡수성 열전도 시트는, 탄소수가 10 ∼ 18 인 장사슬 알킬기를 유기 관능기로서 갖는 실란 커플링제를 사용하고 있지 않기 때문에, 비교예 20 또는 비교예 22 에서 얻어진 전자파 흡수성 열전도 시트와 비교하여, 경도의 개선이 확인되지 않았다.
Figure pct00005
비교예 24 ∼ 비교예 27 에서 얻어진 전자파 흡수성 열전도 시트는, 단분자층 형성 필요량의 0.5 ∼ 5 배 중량의 실란 커플링제를 함유하는 것인데, 자성 금속 분말을 함유하지 않기 때문에, 시트의 유연성이 양호하지 않았다.

Claims (12)

  1. 실리콘 고무와, 커플링제와, 상기 커플링제로 표면 처리된 자성 금속 분말을 함유하고,
    상기 자성 금속 분말의 체적률이 50 ∼ 80 vol％ 이고,
    상기 커플링제는, 탄소수가 10 ∼ 18 인 장사슬 알킬기를 유기 관능기로서 갖고, 또한, 상기 자성 금속 분말의 표면에 상기 커플링제의 단분자층을 형성하는 데에 필요한 양의 0.5 ∼ 5 배의 중량이 함유되어 있는, 전자파 흡수성 열전도 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 자성 금속 분말은, 아모르퍼스 금속 분말인, 전자파 흡수성 열전도 시트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 커플링제는, 복수의 커플링제를 혼합한 것이고, 유기 관능기의 평균 탄소수가 10 ∼ 18 인, 전자파 흡수성 열전도 시트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 커플링제는, 메톡시기 또는 에톡시기를 가수분해기로서 갖는, 전자파 흡수성 열전도 시트.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 커플링제는, 디메톡시기 또는 디에톡시기를 가수분해기로서 갖는, 전자파 흡수성 열전도 시트.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 자성 금속 분말은, 결정질의 금속 분말인, 전자파 흡수성 열전도 시트.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    열전도성 충전제를 추가로 함유하는, 전자파 흡수성 열전도 시트.
  8. 실리콘 고무와, 커플링제와, 상기 커플링제로 표면 처리된 아모르퍼스 금속 분말을 함유하고,
    상기 아모르퍼스 금속 분말의 체적률이 50 ∼ 80 vol％ 이고,
    상기 커플링제는, 메타크릴옥시기를 유기 관능기로서 갖고, 또한, 상기 아모르퍼스 금속 분말의 표면에 상기 커플링제의 단분자층을 형성하는 데에 필요한 양의 0.5 ∼ 5 배의 중량이 함유되어 있는, 전자파 흡수성 열전도 시트.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 커플링제는, 메톡시기 또는 에톡시기를 가수분해기로서 갖는, 전자파 흡수성 열전도 시트.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    열전도성 충전제를 추가로 함유하는, 전자파 흡수성 열전도 시트.
  11. 실리콘 고무와, 탄소수가 10 ∼ 18 인 장사슬 알킬기를 유기 관능기로서 갖는 커플링제와, 자성 금속 분말을 혼합하여 교반하는 교반 공정과,
    상기 교반 공정에서 교반된 혼합물을 시트 형상으로 성형하여 경화시키는 경화 공정을 갖고,
    상기 교반 공정에서는, 상기 자성 금속 분말의 체적률이 50 ∼ 80 vol％ 가 되도록 상기 자성 금속 분말을 함유시킴과 함께, 상기 자성 금속 분말의 표면에 상기 커플링제의 단분자층을 형성하는 데에 필요한 양의 0.5 ∼ 5 배 중량의 상기 커플링제를 함유시키는, 전자파 흡수성 열전도 시트의 제조 방법.
  12. 실리콘 고무와, 메타크릴옥시기를 유기 관능기로서 갖는 커플링제와, 아모르퍼스 금속 분말을 혼합하고, 혼합한 혼합물을 교반하는 교반 공정과,
    상기 교반 공정에서 교반된 혼합물을 시트 형상으로 성형하여 경화시키는 경화 공정을 갖고,
    상기 교반 공정에서는, 상기 아모르퍼스 금속 분말의 체적률이 50 ∼ 80 vol％ 가 되도록 상기 아모르퍼스 금속 분말을 함유시킴과 함께, 상기 아모르퍼스 금속 분말의 표면에 상기 커플링제의 단분자층을 형성하는 데에 필요한 양의 0.5 ∼ 5 배 중량의 상기 커플링제를 함유시키는, 전자파 흡수성 열전도 시트의 제조 방법.
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