JP4790892B2

JP4790892B2 - 電波吸収体

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Publication number: JP4790892B2
Application number: JP2000127370A
Authority: JP
Inventors: 謙悟西
Original assignee: Polymatech Co Ltd
Current assignee: Polymatech Co Ltd
Priority date: 2000-04-27
Filing date: 2000-04-27
Publication date: 2011-10-12
Anticipated expiration: 2020-04-27
Also published as: JP2001308584A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、数百ＭＨｚ〜数十ＧＨｚの周波数帯に整合させた電波吸収体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
平面波が自由空間から導電体に裏打ちされた物体へ垂直入射した時の反射減衰量は、下記の（１）式により表現できる。
【０００３】
【数１】

一方、金属軟磁性体粒子を有機高分子中へ分散させた電波吸収体において、集合体がバルク内まで磁化されるには、粒子を有機高分子中へ分散させ、粒子間を流れる渦電流を防ぐ構造にするのが普通である。ここで、完全球形粒子が有機高分子中に均一分散した金属軟磁性複合体の複素比透磁率を検討してみる。
【０００４】
磁性粒子間に有機高分子相が介在する構造を単位構造とする時、図１に示すように、点線で囲まれた円筒形の領域の磁気抵抗Ｒｍは、（４）式で近似的に表現される。
【０００５】
【数２】

ここで、Ｒは粒子の半径、ｄは粒子間平均距離、μＡは粒子自身の複素比透磁率、μＢは有機高分子の複素比透磁率である。尚、（４）式中のμをεにすれば磁気抵抗の逆数Ｒｍ^-1は電気容量Ｃになる。
【０００６】
この式から磁気抵抗を小さくする（複素比透磁率を大きくする）には、粒子間平均距離ｄを小さくすること、すなわち粒子充填率を大きくすることと、粒子や有機高分子の複素比透磁率を大きくすることが有効であるといえる。また、電気容量を大きくする（複素比誘電率を大きくする）のも同様で、粒子充填率を大きくすることと、粒子や有機高分子の複素比誘電率を大きくすることが有効である。そして、金属軟磁性複合体の複素比透磁率μは以下の（５）式で表わせる。
【０００７】
【数３】

上記（５）式中の１／ＲｍをＣにすれば複合体の複素比誘電率εについての式となる。
【０００８】
従来、電波吸収体として、立方晶フェライトの焼結体やその粉砕粒子を樹脂中に分散した複合体を用いたものが知られており、数百ＭＨｚ〜数十ＧＨｚ域において整合させた電波吸収体を得ることができた。しかし、得られる電波吸収体の整合厚さが６〜８ｍｍとほぼ一定となるため、立方晶フェライト系の電波吸収体の適用箇所は、その厚さ及び重さにより、電波暗室などに限られていた。
【０００９】
一方、カルボニル鉄粒子を有機高分子中に分散した複合体を用いると、整合厚さが２ｍｍ程度と薄い電波吸収体を得ることが可能であった。しかし、カルボニル鉄系の複合体の性状は有機高分子中の金属軟磁性体粒子の充填率と関連し、金属軟磁性体粒子の充填率を増加すると有機高分子中における均一分散が進まず、成形前の複合体の性状が粉体状になってしまうため、金属軟磁性体粒子の充填率を増加させようとすると強度ある金属軟磁性複合体の成形が難しかった。また、仮に成形ができても、金属軟磁性体粒子同士の接触により大きな誘電性が生じてしまい、数ＧＨｚ域において整合させた金属軟磁性複合体による電波吸収体の設計は困難であった。そのため、電波吸収体として整合する周波数は４ＧＨｚ以上の高周波数に限られていた。
【００１０】
このような問題点を克服するために、金属軟磁性体粒子表面にシラン系カップリング剤からなる絶縁性被膜を設け、従来よりも薄い電波吸収体が特開平１１−４５８０４号公報にて提唱されている。この電波吸収体によると、シラン系カップリング剤を絶縁性被膜として用いることにより、金属軟磁性体粒子側に無機系の疎水基が、有機高分子側に有機系の親水基がそれぞれ配位した構造となるため、金属軟磁性体粒子と有機高分子との親和性を高めることができ、金属軟磁性体粒子を有機高分子中に高密度に均一分散させることができ、数ＧＨｚ域において整合させた従来よりも薄い電波吸収体を得ることができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特開平１１−４５８０４号公報にて提唱されている金属軟磁性複合体においては、有機高分子中に金属軟磁性体粒子を高充填させると、金属軟磁性体粒子の表面に有機高分子と親和性のある絶縁性被膜が形成されているにもかかわらず、成形前の複合体の性状が粉体となり、製造過程における混練作業、分散、成形などの取扱いに不都合が生じることが多かった。
【００１２】
この問題を解決するため、溶媒等を用いて流動性を付与することもできるが、この場合は溶媒を揮発させる乾燥工程等が必要となり、例えば、硬化成形中に溶媒の揮発によりボイド等が発生するなどの新たな問題が生じる。
【００１３】
また、得られる電波吸収体においては、金属軟磁性体粒子が高充填化されているため柔軟性が欠如しており、例えば、若干の凹凸や曲面などに対応できず反射体に密着させることができないという不都合があった。そして、この不都合は、反射減衰量が異なる部分を発生させ、電波吸収体の電波減衰を制御しづらい等の問題を生ずる。
【００１４】
これらの問題は、有機高分子側に配位するシランカップリング剤の官能基が、グリシドキシ基、ビニル基、アミノ基など、極性が高い官能基であることが原因の一つとして考えられる。シランカップリング剤は、金属軟磁性体粒子側に無機系の疎水基が、有機高分子側に有機系の親水基がそれぞれ配位した構造で被覆されるが、極性の高い官能基が有機高分子側に配位した構造で被覆されると、有機高分子との親和性が低下し、金属軟磁性体粒子の均一分散が進まなくなり金属軟磁性体粒子が凝集してしまう。そのため、成形前の複合体の性状が粉末状となってしまい、製造過程における混練作業性、分散性、成形性が低下し、取扱いが不便となり、また、得られる電波吸収体に柔軟性が欠如する。
【００１５】
本発明は、このような問題を鑑みてなされたものであり、その目的は、良好な反射減衰特性を維持したまま、柔軟性と良好な混練作業性、分散性、成形性を兼ね備えた、数百ＭＨｚ〜数十ＧＨｚの周波数帯に整合させた電波吸収体を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
これらの問題点を解決する為に、金属軟磁性体粒子の表面に形成させる絶縁性皮膜を種々変更した電波吸収体を検討した結果、炭素数６〜２５のアルキル基を含み、且つシラン系加水分解性基を有する有機化合物により予め形成した金属軟磁性体粒子を有機高分子中に分散した。
【００１７】
すなわち、絶縁性被膜を表面に形成した金属軟磁性体粒子が有機高分子中に分散された電波吸収体において、前記有機高分子は、シリコーンゴムであり、絶縁性被膜が炭素数６〜２５のアルキル基を含み、且つシラン系加水分解性基を有する有機化合物により予め形成される電波吸収体である。さらに、有機化合物が、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルメチルジメトキシシラン、テトラデシルトリクロロシラン、及びエイコシルトリクロロシランから選ばれる一種である電波吸収体である。さらに、絶縁性被膜の厚みが０．００５〜０．２μｍである電波吸収体である。さらに、金属軟磁性体粒子が、鉄、ニッケル及びコバルトから選ばれる少なくとも一種の元素を含む金属又は化合物よりなる粒子である電波吸収体である。さらに、前記金属軟磁性体粒子が、カルボニル鉄よりなる粒子である電波吸収体である。
【００１８】
本発明の電波吸収体の特徴は、金属軟磁性体粒子の表面へ形成された絶縁性皮膜を炭素数６〜２５のアルキル基を含む有機化合物より構成されていることである。絶縁性被膜を、従来の官能基（グリシドキシ基、ビニル基、アミノ基など）と比較して極性が低い炭素数６〜２５のアルキル基を含む有機化合物により形成すると、有機高分子側にアルキル基が配位した構造で金属軟磁性体粒子の表面に被覆され、金属軟磁性体粒子と有機高分子との親和性を増すことができる。これにより、金属軟磁性体粒子を有機高分子中へ均一分散させることができ、成形前の複合体の性状がスラリー状を呈するようになり、金属軟磁性体粒子の凝集を防止することができる。
【００２０】
更に、シラン系加水分解性基を有し、炭素数６〜２５のアルキル基を含む有機化合物により絶縁性被膜を設けると、シラン系加水分解性基が金属軟磁性体粒子側に、アルキル基が有機高分子側にそれぞれ配位した構造で被覆することとなるため、有機高分子と金属軟磁性体粒子との親和性を増すことができる。そして、１分子中に複数個のシラン系加水分解性基を有するシラン系化合物であれば、シラン系加水分解性基同士が架橋反応してより強固な絶縁性被膜を形成するため、有機高分子と金属軟磁性体との親和性を更に増すことができる。
【００２１】
そして、有機高分子内に金属軟磁性体粒子を均一分散することにより誘電性を小さくでき、金属軟磁性体粒子を有機高分子中により高充填することができることとなる。このことは、同一の被覆厚みであれば、従来の電波吸収体による表面処理より柔軟性が有るということであり、同一の硬度にするのであれば、従来の電波吸収体より金属軟磁性体粒子の高充填が可能であるということである。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
金属軟磁性体粒子の表面に被覆される絶縁性皮膜を形成する有機化合物は、炭素数６〜２５のアルキル基を含むものである。炭素数６未満のアルキル基であると、有機高分子に添加する金属軟磁性体粒子の量が増加するにつれて、均一分散させることができず、複合体の性状が流動性を失い粉末状となってしまう。また、得られる電波吸収体に柔軟性は生じることなく剛直となる。より好ましい炭素数は１０〜２５の範囲である。炭素数２５より長いアルキル基を有する分子により構成された絶縁性被膜で被覆すると、絶縁性被膜の厚さによって隣接する金属軟磁性体粒子との距離が必要以上に広くなり、その絶縁性被膜の占める体積により有機高分子中に高充填できない等の問題が発生することがある。さらに好ましくは、片末端に水酸基、カルボキシル基、リン酸基及びシラン系加水分解性基のいずれかの官能基を有する有機化合物が良い。このような有機化合物により絶縁性被膜を形成すると、有機高分子側にアルキル基が配位した構造で金属軟磁性体粒子に被覆され、有機高分子との親和性を増すことになり、有機高分子中に金属軟磁性体粒子をより充填することができることとなる。具体的な有機化合物としては、例えば、ステアリン酸、オレイン酸、ｎ−オクタノール等が挙げられる。
さらにより好ましくは、１分子中に複数個のシラン系加水分解性基をもつシラン系化合物が良い。シラン系加水分解性基同士が架橋反応することにより、より強固な皮膜が形成される。炭素数６〜２５のアルキル基とシラン系加水分解性基とを有するシラン系化合物としては、例えば、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。その他、炭素数６〜２５のアルキル基を有するシラン系化合物として、テトラデシルトリクロロシラン、エイコシルトリクロロシラン等も使用可能である。
【００２３】
絶縁性皮膜の厚みは、０．００５〜０．２μｍの範囲が好ましい。０．００５μｍより薄いと絶縁性皮膜として作用しなくなり、導電性が生じてしまう場合がある。一方、０．２μｍより厚いと膜厚が必要以上に厚くなり、金属軟磁性体を有機高分子中に高充填できなくなる。
【００２４】
本発明の金属軟磁性体粒子としては、鉄、ニッケル及びコバルトから選ばれる少なくとも一種の元素を含む金属又は化合物など、これらの分散体を形成した際に比誘電率が大きな値をとる化合物が適用可能である。また、金属単体であっても、これらの元素を少なくとも一種含む合金であってもよい。さらに、結晶質であってもアモルファスであってもよい。なお、軟磁性体とは、磁化や減磁が比較的容易にできる磁性体のことをいう。金属軟磁性体粒子の製造方法については特に限定されず、金属単体は還元法、カルボニル法、電解法等によって製造され、さらに適宜必要な方法で合金化される。また、金属軟磁性体粒子の造粒方法も限定されず、機械粉砕法、浴湯粉化法、還元法、電解法、気相法などが例示される。また、粉体の形状は球状や塊状、柱状、針状、板状、鱗片状などでもよく、造粒後の後工程によって形状を変化させてもよい。
【００２５】
金属軟磁性体粒子の粒径については、金属軟磁性体粒子自身の透磁率が立方晶フェライトのそれを上回るような条件を選べば、立方晶フェライト系の電波吸収体を上回る特性が発揮される。
【００２６】
ここで、金属軟磁性体粒子の比透磁率値が表皮効果だけで決まると仮定し、半径Ｒの球形粒子が表面から表皮深さδまで磁化された時に、球形粒子中で磁化された体積Ｖは以下の（６）式で表わされる。
【００２７】
【数４】

なお、表皮深さδは粒子の比抵抗ρ、透磁率μならびに周波数ｆから以下の（７）式で表わされる（強磁性体の物理、近角聡信、掌華房、１９９１）。
【００２８】
【数５】

したがって、粒子自身のみかけの透磁率は以下の（８）式で表わされる。
【００２９】
【数６】

１ＧＨｚにおける立方晶フェライトの比透磁率値は約６である（磁性体ハンドブック、朝倉書店、１９９３）。この値を金属軟磁性体粒子、たとえば鉄（比抵抗１×１０^-7Ωｍ、比透磁率５００；磁性体ハンドブック、朝倉書店、１９９３）が上回るための条件は、上述の（６），（７）式から粒子半径Ｒ＜３０μｍと算出される。従って、算出された条件を充分満足するために粒子系は半径３０μｍ以下が良く、より望ましくは半径０．１〜１５μｍの範囲である。半径が０．１μｍより小さいと、表皮深さを下回ってしまい、効率よく電波を吸収できない。半径が１５μｍより大きいと高充填できない。
【００３０】
有機高分子としては特に限定されず、たとえば、樹脂、ゴム、熱可塑性エラストマー、接着剤用樹脂、塗料用樹脂など、目的とする電波吸収体の硬さや機械的強度、耐熱性、電気的特性、耐久性、信頼性などの要求性能に応じて選択することができる。なかでも、成形加工性が容易な熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、架橋ゴム、熱可塑性エラストマーなどが好適である。
【００３１】
具体的な熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレンプロピレン共重合体などのエチレン−α−オレフィン共重合体、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリフッ化ビニリデンやポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、スチレンアクリロニトリル共重合体、ＡＢＳ樹脂、ポリフェニレンエーテル及び変性ＰＰＥ樹脂、脂肪族及び芳香族ポリアミド類、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリメタクリル酸およびそのメチルエステルなどのポリメタクリル酸エステル類、ポリアクリル酸類、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルケトン、ポリケトン、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、アイオノマー等などが挙げられる。
【００３２】
具体的な硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ジシクロペンタジエン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等が挙げられる。
【００３３】
具体的な架橋ゴムとしては、天然ゴム、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、スチレンブタジエン共重合ゴム、ニトリルゴム、水添ニトリルゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、塩素化ポリエチレン、クロロスルホン化ポリエチレン、ブチルゴムおよびハロゲン化ブチルゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム等が挙げられる。
【００３４】
具体的な熱可塑性エラストマーとしては、スチレン−ブタジエンまたはスチレン−イソプレンブロック共重合体とその水添ポリマーおよびスチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー等が挙げられる。
【００３５】
さらに、上記より選択される複数の高分子材料からなるポリマーアロイを使用したり、公知の可塑剤や充填材、炭素繊維やガラス繊維、アラミド繊維などの有機繊維、安定剤、着色剤などの添加剤を配合しても差し支えない。なかでも、ポリオレフィン系又はシリコーン系の樹脂、ゴム、エラストマーは高分子の誘電率の温度依存性、数百ＭＨｚ〜数十ＧＨｚの周波数帯で周波数依存性が小さく、電波吸収体の設計に好適である。特に金属軟磁性体粒子の表面に形成する絶縁性皮膜にシラン系化合物を用いた場合は、有機高分子としてシリコーンゴムが相性もよく最も好ましい。また、有機高分子の中に、絶縁性被膜を表面に形成した金属軟磁性体粒子以外に、他の粉体、繊維、結晶等が適宜分散されていても良い。
【００３６】
有機高分子の硬化方法については特に限定されず、たとえば、硬化性樹脂の硬化方法については熱硬化に限定されず、光硬化、湿気硬化などの公知の硬化方法を採用することができる。
【００３７】
電波吸収体は、単一の構成であっても、反射体で裏打ちされた構成であってもかまわない。
以上の実施形態により発揮される効果について、以下にまとめて説明する。
【００３８】
・上記金属軟磁性体粒子の表面に設けられた絶縁性被膜を、炭素数６〜２５のアルキル基を含む有機化合物より形成すると、有機高分子側にアルキル基が配位した構造で金属軟磁性体粒子の表面に被覆されるため、金属軟磁性体粒子と有機高分子との親和性を増すことができる。
【００３９】
・上記絶縁性皮膜を形成することにより、金属軟磁性体粒子を有機高分子中へ均一分散させ、その凝集を防止することができるようになるため、金属軟磁性体粒子を有機高分子へ高充填することができる。このことは、同一の被覆厚みであれば、従来の電波吸収体による表面処理より柔軟性が有るということであり、同一の硬度にするのであれば、従来の電波吸収体より金属軟磁性体粒子の高充填が可能であるということである。
【００４０】
・成形前の複合体の性状がスラリー状となるため、製造過程における混練作業性、分散性、成形性を向上することができ、取扱いが容易となるとともに、得られる電波吸収体に柔軟性を付与することができる。
【００４１】
・カルボキシル基、水酸基又はリン酸基を有し、炭素数６〜２５のアルキル基を含む有機化合物により絶縁性被膜を形成すると、金属軟磁性体粒子側にカルボキシル基、水酸基又はリン酸基が、有機高分子側にアルキル基がそれぞれ配位した構造で金属軟磁性体粒子の表面に被覆されるため、有機高分子と金属軟磁性体との親和性を増すことができる。
【００４２】
・シラン系加水分解性基を有し、炭素数６〜２５のアルキル基を含む有機化合物により絶縁性被膜を形成すると、シラン系加水分解性基が金属軟磁性体粒子側に、アルキル基が有機高分子側にそれぞれ配位した構造で被覆することとなるため、有機高分子と金属軟磁性体粒子との親和性を増すことができる。また、１分子中に複数個のシラン系加水分解性基を有するシラン系化合物を用いると、シラン系加水分解性基同士が架橋反応をすることにより、より強固な絶縁性被膜を形成することができ、有機高分子と金属軟磁性体との親和性を更に増すことができる。
【００４３】
・金属軟磁性体粒子としては、鉄、ニッケル及びコバルトから選ばれる少なくとも一種の元素を含む金属又は化合物など、これらの分散体を形成した際に比誘電率が大きな値をとる化合物を用いることにより、広い範囲の周波数帯に整合させた電波吸収体を得ることが可能となる。
【００４４】
・金属軟磁性体粒子の表面に形成する絶縁性皮膜にシラン系化合物を用いた場合は、有機高分子として、シリコーンゴムが相性もよく最も好ましく、良好な混練作業性、分散性、成形性を兼ね備えた、数百ＭＨｚ〜数十ＧＨｚの周波数帯に整合させた柔軟性のある電波吸収体を得ることができる。
【００４５】
【実施例】
以下、前記実施形態を実施例により更に具体的に説明するが、この発明はこれら実施形態により何ら制限を受けるものではない。
【００４６】
（実施例１）
カルボニル鉄粒子（ＢＡＳＦ社製）を長鎖アルキル基含有シラン化合物（ＧＥ東芝シリコーン社製ＴＳＬ８１８５：オクタデシルトリメトキシシラン）を２０ｗｔ％分散させたトルエン中で混合攪拌し、洗浄後乾燥させて表面被覆カルボニル鉄粒子を得た。この粉体を熱硬化性液状シリコーンゴム（ＧＥ東芝シリコーン社製ＴＳＥ３０３３）に６０ｖｏｌ％添加し、混合分散させたところスラリー状固形物を得た。この固形物を加熱成形し電波吸収体を作製した。この電波吸収体の反射減衰量を図２に、その硬度を表１に示す。
【００４７】
（実施例２）
カルボニル鉄粒子（ＢＡＳＦ社製）を長鎖アルキル基含有シラン化合物（ＧＥ東芝シリコーン社製ＴＳＬ８１８５）を２０ｗｔ％分散させたトルエン中で混合攪拌し、洗浄後乾燥させて表面被覆カルボニル鉄粒子を得た。この粉体を熱硬化性液状シリコーンゴム（ＧＥ東芝シリコーン社製ＴＳＥ３０３３）に６５ｖｏｌ％添加し、混合分散させたところスラリー状固形物を得た。この固形物を加熱成形し電波吸収体を作製した。この電波吸収体の反射減衰量を図２に、その硬度を表１に示す。
【００４８】
（参考例３）
カルボニル鉄粒子（ＢＡＳＦ社製）をステアリン酸（和光純薬製）を２０ｗｔ％分散させたメタノール中で混合攪拌し、洗浄後乾燥させて表面被覆カルボニル鉄粒子を得た。この粉体を熱硬化性エポキシ樹脂（スリーボンド株式会社製ＴＢ２０３２）に、固形物量対比６０ｖｏｌ％添加し混合分散させたところスラリー状固形物を得た。この固形物を加熱成形し電波吸収体を作製した。この電波吸収体の反射減衰量を図２に、その硬度を表１に示す。
【００４９】
（比較例１）
カルボニル鉄粒子（ＢＡＳＦ社製）を、炭素数６〜２５のアルキル基を含まないエポキシ基含有シラン（γ−グルシドキシプロピルトリメトキシシランＧＥ東芝シリコーン社製ＴＳＬ８３５０）を２０ｗｔ％分散させたトルエン中で混合攪拌し、洗浄後乾燥させて表面被覆カルボニル鉄粒子を得た。この粉体を熱硬化性液状シリコーンゴム（ＧＥ東芝シリコーン社製ＴＳＥ３０３３）に６０ｖｏｌ％添加し、混合分散させたところスラリー状固形物を得た。この固形物を加熱成形し電波吸収体を作製した。この電波吸収体の反射減衰量を図２に、その硬度を表１に示す。
【００５０】
（比較例２）
カルボニル鉄粒子（ＢＡＳＦ社製）を炭素数６〜２５のアルキル基を含まないエポキシ基含有シラン（γ−グルシドキシプロピルトリメトキシシランＧｃＥ東芝シリコーン社製ＴＳＬ８３５０）を２０ｗｔ％分散させたトルエン中で混合攪拌し、洗浄後乾燥させて表面被覆カルボニル鉄粒子を得た。この粉体を熱硬化性エポキシ樹脂（スリーボンド株式会社製ＴＢ２０３２）に６０ｖｏｌ％添加し、混合分散させたところ粉体を得た。この固形物を加熱成形し電波吸収体を作製した。この電波吸収体の反射減衰量を図２に、その硬度を表１に示す。
【００５１】
図２に各例の電波吸収体（厚さ２ｍｍ）の反射減衰量を示す。図２によれば実施例１，参考例３は比較例１，２と同様に２．１ＧＨｚ付近で２０ｄＢ以上の反射減衰が得られた。実施例２ではさらに低周波側に高反射減衰が現れた。
【００５２】
一方、表１に各例の成形前の性状、混練性、成形作業性及び電波吸収体の硬度（ＪＩＳＫ７２１５準拠、タイプＤデュロメータにて測定）のを示す。成形前の形状は、実施例１，実施例２，参考例３，比較例１においてはスラリー状を呈し、また、比較例２においては粉体状となっていた。そのため、混練性、成形作業性は、実施例１，実施例２，参考例３，比較例１においては良好であったが、比較例２においては不良であった。また成型体の硬度は、実施例１，２は比較例１に対して硬度が低く柔軟性があった。また、参考例３は比較例２に対して、硬度が低く柔軟性があった。
【００５３】
以上のことから、実施例１，２は比較例１と比較して、参考例３は比較例２と比較して、金属軟磁性体粒子を高充填化でき、混練成、成型作業性を向上し、成型後の複合体に柔軟性を付与することができたことが確認された。
【００５４】
次に、上記実施形態から把握される技術的思想について、以下に記載する。
・前記有機化合物は、複数のシラン系加水分解性基を有するものである電波吸収体。
【００５５】
このように絶縁性被膜を構成すると、シラン系加水分解性基が金属軟磁性体粒子側に、アルキル基が有機高分子側にそれぞれ配位した構造で被覆するとともに、シラン系加水分解性基同士が架橋反応してより強固な絶縁性被膜を形成するため、有機高分子と金属軟磁性体粒子との親和性を増すことができる。
【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば、表面に炭素数６〜２５のアルキル基を有する分子により構成された絶縁性皮膜をもつ金属軟磁性体粒子を、有機高分子中に分散させることにより、数百ＭＨｚ〜数十ＧＨｚの周波数帯に整合させた電波吸収体を得ることができる。そして、良好な反射減衰特性を維持したまま、柔軟性と良好な混練作業性、分散性、成形性を兼ね備えた電波吸収体を得ることができる。
【００５７】
このことは、従来の電波吸収体と比較して、同一の被覆厚みであれば、従来の電波吸収体より柔軟性が有ることであり、同一の硬度にするのであれば、従来の電波吸収体より金属軟磁性体粒子の高充填が可能であることである。
【００５８】
【表１】

【図面の簡単な説明】
【図１】完全球形粒子が有機高分子中に均一分散した金属軟磁性複合体の場合の模式図。
【図２】実施例、参考例および比較例の電波吸収体の反射減衰量を示すグラフ。

Claims

絶縁性被膜を表面に形成した金属軟磁性体粒子が有機高分子中に分散された材料を成形してなる電波吸収体において、
前記有機高分子は、シリコーンゴムであり、
絶縁性被膜は、炭素数６〜２５のアルキル基を含み、且つシラン系加水分解性基を有する有機化合物により予め形成されたものである電波吸収体。
前記有機化合物が、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルメチルジメトキシシラン、テトラデシルトリクロロシラン、及びエイコシルトリクロロシランから選ばれる一種である請求項１に記載の電波吸収体。
前記絶縁性被膜の厚みが０．００５〜０．２μｍである請求項１又は請求項２に記載の電波吸収体。
前記金属軟磁性体粒子は、鉄、ニッケル及びコバルトから選ばれる少なくとも一種の元素を含む金属又は化合物よりなる粒子である請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電波吸収体。
前記金属軟磁性体粒子が、カルボニル鉄よりなる粒子である請求項４に記載の電波吸収体。