JP2001308584A - 電波吸収体 - Google Patents
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Abstract
と良好な混練作業性、分散性、成形性を兼ね備えた、数
百MHz〜数十GHzの周波数帯に整合させた電波吸収
体を提供すること。 【解決手段】 本発明は、絶縁性被膜を表面に形成した
金属軟磁性体粒子が有機高分子中に分散された電波吸収
体において、絶縁性被膜が、炭素数6〜25のアルキル
基を含む有機化合物により構成される。より好ましく
は、有機化合物の片末端に、シラン系加水分解性基、カ
ルボキシル基、水酸基、リン酸基から選択されるいずれ
かの官能基を有する分子により絶縁性被膜がよい。
Description
GHzの周波数帯に整合させた電波吸収体に関する。
れた物体へ垂直入射した時の反射減衰量は、下記の
(1)式により表現できる。
波吸収体において、集合体がバルク内まで磁化されるに
は、粒子を有機高分子中へ分散させ、粒子間を流れる渦
電流を防ぐ構造にするのが普通である。ここで、完全球
形粒子が有機高分子中に均一分散した金属軟磁性複合体
の複素比透磁率を検討してみる。
を単位構造とする時、図1に示すように、点線で囲まれ
た円筒形の領域の磁気抵抗Rmは、(4)式で近似的に
表現される。
粒子自身の複素比透磁率、μBは有機高分子の複素比透
磁率である。尚、(4)式中のμをεにすれば磁気抵抗
の逆数Rm-1は電気容量Cになる。
透磁率を大きくする)には、粒子間平均距離dを小さく
すること、すなわち粒子充填率を大きくすることと、粒
子や有機高分子の複素比透磁率を大きくすることが有効
であるといえる。また、電気容量を大きくする(複素比
誘電率を大きくする)のも同様で、粒子充填率を大きく
することと、粒子や有機高分子の複素比誘電率を大きく
することが有効である。そして、金属軟磁性複合体の複
素比透磁率μは以下の(5)式で表わせる。
誘電率εについての式となる。
トの焼結体やその粉砕粒子を樹脂中に分散した複合体を
用いたものが知られており、数百MHz〜数十GHz域
において整合させた電波吸収体を得ることができた。し
かし、得られる電波吸収体の整合厚さが6〜8mmとほ
ぼ一定となるため、立方晶フェライト系の電波吸収体の
適用箇所は、その厚さ及び重さにより、電波暗室などに
限られていた。
分散した複合体を用いると、整合厚さが2mm程度と薄
い電波吸収体を得ることが可能であった。しかし、カル
ボニル鉄系の複合体の性状は有機高分子中の金属軟磁性
体粒子の充填率と関連し、金属軟磁性体粒子の充填率を
増加すると有機高分子中における均一分散が進まず、成
形前の複合体の性状が粉体状になってしまうため、金属
軟磁性体粒子の充填率を増加させようとすると強度ある
金属軟磁性複合体の成形が難しかった。また、仮に成形
ができても、金属軟磁性体粒子同士の接触により大きな
誘電性が生じてしまい、数GHz域において整合させた
金属軟磁性複合体による電波吸収体の設計は困難であっ
た。そのため、電波吸収体として整合する周波数は4G
Hz以上の高周波数に限られていた。
軟磁性体粒子表面にシラン系カップリング剤からなる絶
縁性被膜を設け、従来よりも薄い電波吸収体が特開平1
1−45804号公報にて提唱されている。この電波吸
収体によると、シラン系カップリング剤を絶縁性被膜と
して用いることにより、金属軟磁性体粒子側に無機系の
疎水基が、有機高分子側に有機系の親水基がそれぞれ配
位した構造となるため、金属軟磁性体粒子と有機高分子
との親和性を高めることができ、金属軟磁性体粒子を有
機高分子中に高密度に均一分散させることができ、数G
Hz域において整合させた従来よりも薄い電波吸収体を
得ることができる。
45804号公報にて提唱されている金属軟磁性複合体
においては、有機高分子中に金属軟磁性体粒子を高充填
させると、金属軟磁性体粒子の表面に有機高分子と親和
性のある絶縁性被膜が形成されているにもかかわらず、
成形前の複合体の性状が粉体となり、製造過程における
混練作業、分散、成形などの取扱いに不都合が生じるこ
とが多かった。
流動性を付与することもできるが、この場合は溶媒を揮
発させる乾燥工程等が必要となり、例えば、硬化成形中
に溶媒の揮発によりボイド等が発生するなどの新たな問
題が生じる。
属軟磁性体粒子が高充填化されているため柔軟性が欠如
しており、例えば、若干の凹凸や曲面などに対応できず
反射体に密着させることができないという不都合があっ
た。そして、この不都合は、反射減衰量が異なる部分を
発生させ、電波吸収体の電波減衰を制御しづらい等の問
題を生ずる。
シランカップリング剤の官能基が、グリシドキシ基、ビ
ニル基、アミノ基など、極性が高い官能基であることが
原因の一つとして考えられる。シランカップリング剤
は、金属軟磁性体粒子側に無機系の疎水基が、有機高分
子側に有機系の親水基がそれぞれ配位した構造で被覆さ
れるが、極性の高い官能基が有機高分子側に配位した構
造で被覆されると、有機高分子との親和性が低下し、金
属軟磁性体粒子の均一分散が進まなくなり金属軟磁性体
粒子が凝集してしまう。そのため、成形前の複合体の性
状が粉末状となってしまい、製造過程における混練作業
性、分散性、成形性が低下し、取扱いが不便となり、ま
た、得られる電波吸収体に柔軟性が欠如する。
たものであり、その目的は、良好な反射減衰特性を維持
したまま、柔軟性と良好な混練作業性、分散性、成形性
を兼ね備えた、数百MHz〜数十GHzの周波数帯に整
合させた電波吸収体を提供することにある。
る為に、金属軟磁性体粒子の表面に形成させる絶縁性皮
膜を種々変更した電波吸収体を検討した結果、炭素数6
〜25のアルキル基を含む有機化合物により形成された
絶縁性皮膜を表面に形成した金属軟磁性体粒子を有機高
分子中に分散した。
属軟磁性体粒子が有機高分子中に分散された電波吸収体
において、絶縁性被膜が炭素数6〜25のアルキル基を
含む有機化合物により形成される電波吸収体である。さ
らに、絶縁性被膜を構成する有機化合物が、シラン系加
水分解性基を有するものである電波吸収体である。さら
に、絶縁性被膜を構成する有機化合物が、カルボキシル
基、水酸基又はリン酸基を有するものである電波吸収体
である。さらに、金属軟磁性体粒子が、鉄、ニッケル及
びコバルトから選ばれる少なくとも一種の元素を含む金
属又は化合物よりなる粒子である電波吸収体である。さ
らに、有機高分子が、シリコーンゴムである電波吸収体
である。
体粒子の表面へ形成された絶縁性皮膜を炭素数6〜25
のアルキル基を含む有機化合物より構成されていること
である。絶縁性被膜を、従来の官能基(グリシドキシ
基、ビニル基、アミノ基など)と比較して極性が低い炭
素数6〜25のアルキル基を含む有機化合物により形成
すると、有機高分子側にアルキル基が配位した構造で金
属軟磁性体粒子の表面に被覆され、金属軟磁性体粒子と
有機高分子との親和性を増すことができる。これによ
り、金属軟磁性体粒子を有機高分子中へ均一分散させる
ことができ、成形前の複合体の性状がスラリー状を呈す
るようになり、金属軟磁性体粒子の凝集を防止すること
ができる。
基を有し、炭素数6〜25のアルキル基を含む有機化合
物により絶縁性被膜を設けると、カルボキシル基、水酸
基又はリン酸基が金属軟磁性体粒子側に、アルキル基が
有機高分子側にそれぞれ配位した構造で被覆する。その
ため、有機高分子と金属軟磁性体との親和性を増すこと
ができる。
数6〜25のアルキル基を含む有機化合物により絶縁性
被膜を設けると、シラン系加水分解性基が金属軟磁性体
粒子側に、アルキル基が有機高分子側にそれぞれ配位し
た構造で被覆することとなるため、有機高分子と金属軟
磁性体粒子との親和性を増すことができる。そして、1
分子中に複数個のシラン系加水分解性基を有するシラン
系化合物であれば、シラン系加水分解性基同士が架橋反
応してより強固な絶縁性被膜を形成するため、有機高分
子と金属軟磁性体との親和性を更に増すことができる。
を均一分散することにより誘電性を小さくでき、金属軟
磁性体粒子を有機高分子中により高充填することができ
ることとなる。このことは、同一の被覆厚みであれば、
従来の電波吸収体による表面処理より柔軟性が有るとい
うことであり、同一の硬度にするのであれば、従来の電
波吸収体より金属軟磁性体粒子の高充填が可能であると
いうことである。
詳細に説明する。金属軟磁性体粒子の表面に被覆される
絶縁性皮膜を形成する有機化合物は、炭素数6〜25の
アルキル基を含むものである。炭素数6未満のアルキル
基であると、有機高分子に添加する金属軟磁性体粒子の
量が増加するにつれて、均一分散させることができず、
複合体の性状が流動性を失い粉末状となってしまう。ま
た、得られる電波吸収体に柔軟性は生じることなく剛直
となる。より好ましい炭素数は10〜25の範囲であ
る。炭素数25より長いアルキル基を有する分子により
構成された絶縁性被膜で被覆すると、絶縁性被膜の厚さ
によって隣接する金属軟磁性体粒子との距離が必要以上
に広くなり、その絶縁性被膜の占める体積により有機高
分子中に高充填できない等の問題が発生することがあ
る。さらに好ましくは、片末端に水酸基、カルボキシル
基、リン酸基及びシラン系加水分解性基のいずれかの官
能基を有する有機化合物が良い。このような有機化合物
により絶縁性被膜を形成すると、有機高分子側にアルキ
ル基が配位した構造で金属軟磁性体粒子に被覆され、有
機高分子との親和性を増すことになり、有機高分子中に
金属軟磁性体粒子をより充填することができることとな
る。具体的な有機化合物としては、例えば、ステアリン
酸、オレイン酸、n−オクタノール等が挙げられる。さ
らにより好ましくは、1分子中に複数個のシラン系加水
分解性基をもつシラン系化合物が良い。シラン系加水分
解性基同士が架橋反応することにより、より強固な皮膜
が形成される。炭素数6〜25のアルキル基とシラン系
加水分解性基とを有するシラン系化合物としては、例え
ば、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキ
シシラン、オクチルトリエトキシシラン、デシルトリエ
トキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オク
タデシルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。その
他、炭素数6〜25のアルキル基を有するシラン系化合
物として、テトラデシルトリクロロシラン、エイコシル
トリクロロシラン等も使用可能である。
μmの範囲が好ましい。0.005μmより薄いと絶縁
性皮膜として作用しなくなり、導電性が生じてしまう場
合がある。一方、0.2μmより厚いと膜厚が必要以上
に厚くなり、金属軟磁性体を有機高分子中に高充填でき
なくなる。
ニッケル及びコバルトから選ばれる少なくとも一種の元
素を含む金属又は化合物など、これらの分散体を形成し
た際に比誘電率が大きな値をとる化合物が適用可能であ
る。また、金属単体であっても、これらの元素を少なく
とも一種含む合金であってもよい。さらに、結晶質であ
ってもアモルファスであってもよい。なお、軟磁性体と
は、磁化や減磁が比較的容易にできる磁性体のことをい
う。金属軟磁性体粒子の製造方法については特に限定さ
れず、金属単体は還元法、カルボニル法、電解法等によ
って製造され、さらに適宜必要な方法で合金化される。
また、金属軟磁性体粒子の造粒方法も限定されず、機械
粉砕法、浴湯粉化法、還元法、電解法、気相法などが例
示される。また、粉体の形状は球状や塊状、柱状、針
状、板状、鱗片状などでもよく、造粒後の後工程によっ
て形状を変化させてもよい。
軟磁性体粒子自身の透磁率が立方晶フェライトのそれを
上回るような条件を選べば、立方晶フェライト系の電波
吸収体を上回る特性が発揮される。
表皮効果だけで決まると仮定し、半径Rの球形粒子が表
面から表皮深さδまで磁化された時に、球形粒子中で磁
化された体積Vは以下の(6)式で表わされる。
周波数fから以下の(7)式で表わされる(強磁性体の
物理、近角聡信、掌華房、1991)。
式で表わされる。
である(磁性体ハンドブック、朝倉書店、1993)。
この値を金属軟磁性体粒子、たとえば鉄(比抵抗1×1
0-7Ωm、比透磁率500;磁性体ハンドブック、朝倉
書店、1993)が上回るための条件は、上述の
(6),(7)式から粒子半径R<30μmと算出され
る。従って、算出された条件を充分満足するために粒子
系は半径30μm以下が良く、より望ましくは半径0.
1〜15μmの範囲である。半径が0.1μmより小さ
いと、表皮深さを下回ってしまい、効率よく電波を吸収
できない。半径が15μmより大きいと高充填できな
い。
えば、樹脂、ゴム、熱可塑性エラストマー、接着剤用樹
脂、塗料用樹脂など、目的とする電波吸収体の硬さや機
械的強度、耐熱性、電気的特性、耐久性、信頼性などの
要求性能に応じて選択することができる。なかでも、成
形加工性が容易な熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、架橋ゴ
ム、熱可塑性エラストマーなどが好適である。
レン、ポリプロピレン、エチレンプロピレン共重合体な
どのエチレン−α−オレフィン共重合体、ポリメチルペ
ンテン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢
酸ビニル、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルアセタール、ポリフッ化ビニリデ
ンやポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系重合体、
ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレ
ート、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、ポリ
アクリロニトリル、スチレンアクリロニトリル共重合
体、ABS樹脂、ポリフェニレンエーテル及び変性PP
E樹脂、脂肪族及び芳香族ポリアミド類、ポリイミド、
ポリアミドイミド、ポリメタクリル酸およびそのメチル
エステルなどのポリメタクリル酸エステル類、ポリアク
リル酸類、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィ
ド、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテ
ルニトリル、ポリエーテルケトン、ポリケトン、液晶ポ
リマー、シリコーン樹脂、アイオノマー等などが挙げら
れる。
脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポ
リイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタ
レート樹脂、ジシクロペンタジエン樹脂、ベンゾシクロ
ブテン樹脂等が挙げられる。
タジエンゴム、イソプレンゴム、スチレンブタジエン共
重合ゴム、ニトリルゴム、水添ニトリルゴム、クロロプ
レンゴム、エチレンプロピレンゴム、塩素化ポリエチレ
ン、クロロスルホン化ポリエチレン、ブチルゴムおよび
ハロゲン化ブチルゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、シ
リコーンゴム等が挙げられる。
スチレン−ブタジエンまたはスチレン−イソプレンブロ
ック共重合体とその水添ポリマーおよびスチレン系熱可
塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマ
ー、塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、ポリエステル
系熱可塑性エラストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラ
ストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー等が挙げ
られる。
材料からなるポリマーアロイを使用したり、公知の可塑
剤や充填材、炭素繊維やガラス繊維、アラミド繊維など
の有機繊維、安定剤、着色剤などの添加剤を配合しても
差し支えない。なかでも、ポリオレフィン系又はシリコ
ーン系の樹脂、ゴム、エラストマーは高分子の誘電率の
温度依存性、数百MHz〜数十GHzの周波数帯で周波
数依存性が小さく、電波吸収体の設計に好適である。特
に金属軟磁性体粒子の表面に形成する絶縁性皮膜にシラ
ン系化合物を用いた場合は、有機高分子としてシリコー
ンゴムが相性もよく最も好ましい。また、有機高分子の
中に、絶縁性被膜を表面に形成した金属軟磁性体粒子以
外に、他の粉体、繊維、結晶等が適宜分散されていても
良い。
されず、たとえば、硬化性樹脂の硬化方法については熱
硬化に限定されず、光硬化、湿気硬化などの公知の硬化
方法を採用することができる。
射体で裏打ちされた構成であってもかまわない。以上の
実施形態により発揮される効果について、以下にまとめ
て説明する。
れた絶縁性被膜を、炭素数6〜25のアルキル基を含む
有機化合物より形成すると、有機高分子側にアルキル基
が配位した構造で金属軟磁性体粒子の表面に被覆される
ため、金属軟磁性体粒子と有機高分子との親和性を増す
ことができる。
り、金属軟磁性体粒子を有機高分子中へ均一分散させ、
その凝集を防止することができるようになるため、金属
軟磁性体粒子を有機高分子へ高充填することができる。
このことは、同一の被覆厚みであれば、従来の電波吸収
体による表面処理より柔軟性が有るということであり、
同一の硬度にするのであれば、従来の電波吸収体より金
属軟磁性体粒子の高充填が可能であるということであ
る。
なるため、製造過程における混練作業性、分散性、成形
性を向上することができ、取扱いが容易となるととも
に、得られる電波吸収体に柔軟性を付与することができ
る。
を有し、炭素数6〜25のアルキル基を含む有機化合物
により絶縁性被膜を形成すると、金属軟磁性体粒子側に
カルボキシル基、水酸基又はリン酸基が、有機高分子側
にアルキル基がそれぞれ配位した構造で金属軟磁性体粒
子の表面に被覆されるため、有機高分子と金属軟磁性体
との親和性を増すことができる。
6〜25のアルキル基を含む有機化合物により絶縁性被
膜を形成すると、シラン系加水分解性基が金属軟磁性体
粒子側に、アルキル基が有機高分子側にそれぞれ配位し
た構造で被覆することとなるため、有機高分子と金属軟
磁性体粒子との親和性を増すことができる。また、1分
子中に複数個のシラン系加水分解性基を有するシラン系
化合物を用いると、シラン系加水分解性基同士が架橋反
応をすることにより、より強固な絶縁性被膜を形成する
ことができ、有機高分子と金属軟磁性体との親和性を更
に増すことができる。
ケル及びコバルトから選ばれる少なくとも一種の元素を
含む金属又は化合物など、これらの分散体を形成した際
に比誘電率が大きな値をとる化合物を用いることによ
り、広い範囲の周波数帯に整合させた電波吸収体を得る
ことが可能となる。
縁性皮膜にシラン系化合物を用いた場合は、有機高分子
として、シリコーンゴムが相性もよく最も好ましく、良
好な混練作業性、分散性、成形性を兼ね備えた、数百M
Hz〜数十GHzの周波数帯に整合させた柔軟性のある
電波吸収体を得ることができる。
的に説明するが、この発明はこれら実施形態により何ら
制限を受けるものではない。
社製)を長鎖アルキル基含有シラン化合物(GE東芝シ
リコーン社製 TSL8185:オクタデシルトリメト
キシシラン)を20wt%分散させたトルエン中で混合
攪拌し、洗浄後乾燥させて表面被覆カルボニル鉄粒子を
得た。この粉体を熱硬化性液状シリコーンゴム(GE東
芝シリコーン社製 TSE3033)に60vol%添
加し、混合分散させたところスラリー状固形物を得た。
この固形物を加熱成形し電波吸収体を作製した。この電
波吸収体の反射減衰量を図2に、その硬度を表1に示
す。
社製)を長鎖アルキル基含有シラン化合物(GE東芝シ
リコーン社製 TSL8185)を20wt%分散させ
たトルエン中で混合攪拌し、洗浄後乾燥させて表面被覆
カルボニル鉄粒子を得た。この粉体を熱硬化性液状シリ
コーンゴム(GE東芝シリコーン社製 TSE303
3)に65vol%添加し、混合分散させたところスラ
リー状固形物を得た。この固形物を加熱成形し電波吸収
体を作製した。この電波吸収体の反射減衰量を図2に、
その硬度を表1に示す。
社製)をステアリン酸(和光純薬製)を20wt%分散
させたメタノール中で混合攪拌し、洗浄後乾燥させて表
面被覆カルボニル鉄粒子を得た。この粉体を熱硬化性エ
ポキシ樹脂(スリーボンド株式会社製 TB2032)
に、固形物量対比60vol%添加し混合分散させたと
ころスラリー状固形物を得た。この固形物を加熱成形し
電波吸収体を作製した。この電波吸収体の反射減衰量を
図2に、その硬度を表1に示す。
社製)を、炭素数6〜25のアルキル基を含まないエポ
キシ基含有シラン(γ−グルシドキシプロピルトリメト
キシシラン GE東芝シリコーン社製 TSL835
0)を20wt%分散させたトルエン中で混合攪拌し、
洗浄後乾燥させて表面被覆カルボニル鉄粒子を得た。こ
の粉体を熱硬化性液状シリコーンゴム(GE東芝シリコ
ーン社製 TSE3033)に60vol%添加し、混
合分散させたところスラリー状固形物を得た。この固形
物を加熱成形し電波吸収体を作製した。この電波吸収体
の反射減衰量を図2に、その硬度を表1に示す。
社製)を炭素数6〜25のアルキル基を含まないエポキ
シ基含有シラン(γ−グルシドキシプロピルトリメトキ
シシラン GcE東芝シリコーン社製 TSL835
0)を20wt%分散させたトルエン中で混合攪拌し、
洗浄後乾燥させて表面被覆カルボニル鉄粒子を得た。こ
の粉体を熱硬化性エポキシ樹脂(スリーボンド株式会社
製 TB2032)に60vol%添加し、混合分散さ
せたところ粉体を得た。この固形物を加熱成形し電波吸
収体を作製した。この電波吸収体の反射減衰量を図2
に、その硬度を表1に示す。
(厚さ2mm)の反射減衰量を示す。図2によれば実施
例1,3は比較例1,2と同様に2.1GHz付近で2
0dB以上の反射減衰が得られた。実施例2ではさらに
低周波側に高反射減衰が現れた。
の性状、混練性、成形作業性及び電波吸収体の硬度(J
IS K7215準拠、タイプDデュロメータにて測
定)のを示す。成形前の形状は、実施例1〜3,比較例
1においてはスラリー状を呈し、また、比較例2におい
ては粉体状となっていた。そのため、混練性、成形作業
性は、実施例1〜実施例3,比較例1においては良好で
あったが、比較例2においては不良であった。また成型
体の硬度は、実施例1,2は比較例1に対して硬度が低
く柔軟性があった。また、実施例3は比較例2に対し
て、硬度が低く柔軟性があった。
と比較して、実施例3は比較例2と比較して、金属軟磁
性体粒子を高充填化でき、混練成、成型作業性を向上
し、成型後の複合体に柔軟性を付与することができたこ
とが確認された。
思想について、以下に記載する。・ 前記有機化合物
は、複数のシラン系加水分解性基を有するものである請
求項2に記載の電波吸収体。
ン系加水分解性基が金属軟磁性体粒子側に、アルキル基
が有機高分子側にそれぞれ配位した構造で被覆するとと
もに、シラン系加水分解性基同士が架橋反応してより強
固な絶縁性被膜を形成するため、有機高分子と金属軟磁
性体粒子との親和性を増すことができる。
のアルキル基を有する分子により構成された絶縁性皮膜
をもつ金属軟磁性体粒子を、有機高分子中に分散させる
ことにより、数百MHz〜数十GHzの周波数帯に整合
させた電波吸収体を得ることができる。そして、良好な
反射減衰特性を維持したまま、柔軟性と良好な混練作業
性、分散性、成形性を兼ね備えた電波吸収体を得ること
ができる。
て、同一の被覆厚みであれば、従来の電波吸収体より柔
軟性が有ることであり、同一の硬度にするのであれば、
従来の電波吸収体より金属軟磁性体粒子の高充填が可能
であることである。
金属軟磁性複合体の場合の模式図。
量を示すグラフ。
Claims (5)
- 【請求項1】 絶縁性被膜を表面に形成した金属軟磁性
体粒子が有機高分子中に分散された材料を成形してなる
電波吸収体において、 絶縁性被膜は、炭素数6〜25のアルキル基を含む有機
化合物より形成されるものである電波吸収体。 - 【請求項2】 前記有機化合物は、シラン系加水分解性
基を有するものである請求項1に記載の電波吸収体。 - 【請求項3】 前記有機化合物は、カルボキシル基、水
酸基又はリン酸基を有するものである請求項1に記載の
電波吸収体。 - 【請求項4】 前記金属軟磁性体粒子は、鉄、ニッケル
及びコバルトから選ばれる少なくとも一種の元素を含む
金属又は化合物よりなる粒子である請求項1から請求項
3のいずれかに記載の電波吸収体。 - 【請求項5】 前記有機高分子は、シリコーンゴムであ
る請求項1から請求項4のいずれかに記載の電波吸収
体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000127370A JP4790892B2 (ja) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | 電波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000127370A JP4790892B2 (ja) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | 電波吸収体 |
Publications (2)
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