KR20130096695A - 다층점착시트 및 전자부품의 제조방법 - Google Patents

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KR20130096695A
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다케시 사이토
가즈노리 시카노
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덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤
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Abstract

다이어태치 필름에 아크릴산에스테르 공중합체를 사용하였을 경우마저도 픽업시에 있어서 점착층과 다이어태치 필름의 사이의 박리가 용이하여, 이렇게 하여 다이싱후의 반도체칩의 픽업 작업을 용이하게 할 수 있는 다층점착시트로서, 기재 필름과, 기재 필름의 일방의 면에 적층된 점착층과, 점착층의 노출면에 적층된 다이어태치 필름을 구비하고, 점착층을 구성하는 점착제가, (메타)아크릴산에스테르 공중합체(A)와 자외선 중합성 화합물(B)과 다관능 이소시아네이트 경화제(C)와 광중합 개시제(D)와 실리콘 중합체(E)를 구비하는 다층점착시트를 제공한다.

Description

다층점착시트 및 전자부품의 제조방법{MULTILAYER ADHESIVE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은, 다층점착시트(多層粘着sheet) 및 다층점착시트를 사용한 전자부품의 제조방법에 관한 것이다.
ＩＣ 등의 전자부품의 제조방법으로서, 실리콘, 갈륨-비소(gallium arsenide) 등의 반도체 웨이퍼상에 회로패턴을 형성하여 전자부품 집합체로 하고, 전자부품 집합체를 기재 필름층(基材film層)과 점착층으로 이루어지는 점착시트에 부착하고, 이것을 또 링 프레임(ring frame)에 고정하고나서 개개의 반도체칩으로 절단 분리(다이싱(dicing))하고, 필요에 따라 필름을 늘이고(익스팬드(expand)), 반도체칩을 픽업하여, 반도체칩을 접착제로 리드 프레임(lead frame) 등에 고정하는 방법이 널리 이루어지고 있다.
이러한 제조방법에 있어서, 점착시트에 다이어태치 필름(die attach film)을 적층 일체화 함으로써, 다이싱용의 점착시트로서의 기능과, 칩을 리드 프레임 등에 고정하는 접착제로서의 기능을 겸비하는 다층점착시트(다이어태치 필름 일체형 시트)를 사용하는 방법이 제안되어 있다(특허문헌1 및 특허문헌2). 다이어태치 필름 일체형 시트를 전자부품의 제조에 사용함으로써, 접착제의 도포 공정을 생략할 수 있고, 접착제를 사용하는 방법에 비하여 접착제 부분의 두께 제어나 비어져 나옴을 억제할 수 있다는 이점이 있다.
일본국 공개특허 특개2006-049509호 공보 일본국 공개특허 특개2007-246633호 공보
보통 다층점착시트의 다이어태치 필름에는, 아크릴계 수지(acryl系樹脂), 에폭시계 수지(epoxy系樹脂), 폴리아미드계 수지(polyamide系樹脂) 등의 일반적인 접착제 재료가 사용되고 있다. 특히 다이어태치 필름을 구성하는 재료로서 아크릴산에스테르 공중합체를 사용하면, 보관 안정성, 성막성을 향상시킬 수 있다. 그러나 아크릴산에스테르 공중합체를 함유하는 다이어태치 필름은, 점착시트의 점착층과의 점착 강도가 지나치게 높아서 반도체칩을 픽업할 때에 점착층으로부터 다이어태치 필름을 박리하기 어려워져, 반도체칩의 픽업성이 떨어지는 경우가 있었다.
본 발명은 상기 사정을 고려하여 이루어진 것으로서, 다층점착시트의 점착층을 구성하는 점착제를 특정한 조성으로 함으로써, 다이어태치 필름에 아크릴산에스테르 공중합체를 사용하였을 경우마저도 픽업시에 있어서 점착층과 다이어태치 필름의 사이의 박리가 용이하여, 이렇게 해서 다이싱후의 반도체칩의 픽업 작업을 용이하게 할 수 있다는 것을 찾아내어 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 하기의 다층점착시트 및 다층점착시트를 사용한 전자부품의 제조방법에 관한 것이다.
(1) 기재 필름과, 기재 필름의 일방의 면에 적층된 점착층과, 점착층의 노출면에 적층된 다이어태치 필름을 구비하고, 점착층을 구성하는 점착제가, (메타)아크릴산에스테르 공중합체(A)와 자외선 중합성 화합물(B)과 다관능 이소시아네이트 경화제(C)와 광중합 개시제(D)와 실리콘 중합체(E)를 구비하고, (메타)아크릴산에스테르 공중합체(A)가, (메타)아크릴산에스테르 단량체의 공중합체 또는 (메타)아크릴산에스테르 단량체와 비닐 화합물 단량체의 공중합체의 어느 일방으로서, (메타)아크릴산에스테르 단량체와 비닐 화합물 단량체의 모두가 수산기를 구비하지 않는 것이며, 자외선 중합성 화합물(B)이 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)와 다관능(메타)아크릴레이트(B2)로 이루어지고, 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)는 비닐기를 10개 이상 구비하고, 중량평균분자량 Ｍｗ가 50000이상, 그리고 상기 중량평균분자량 Ｍｗ와 수평균분자량(數平均分子量) Ｍｎ의 비(比)인 분산도(分散度) Ｍｗ/Ｍｎ이 5이상이며, 광중합 개시제(D)가 수산기를 구비하고, 실리콘 중합체(E)가 수산기를 구비하고, 점착층을 구성하는 점착제에 있어서 (메타)아크릴산에스테르 공중합체(A)가 100질량부, 자외선 중합성 화합물(B)이 5～200질량부, 다관능 이소시아네이트 경화제(C)가 0.5～20질량부, 광중합 개시제(D)가 0.1～20질량부 및 실리콘 중합체(E)가 0.1～20질량부인 다층점착시트.
(2) 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)가, 이소포론디이소시아네이트( isophorone diisocyanate)의 삼량체의 이소시아네이트에 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트를 주성분으로 하는 수산기 함유 아크릴레이트를 반응시킨 것이며, 다관능(메타)아크릴레이트(B2)가 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트인 (1)에 기재된 다층점착시트.
(3) 다이어태치 필름을 구성하는 조성물이 아크릴산에스테르 공중합체를 구비하는 (1) 또는 (2)에 기재된 다층점착시트.
(4) (1) 내지 (3)중의 어느 하나의 항에 기재된 다층점착시트를 사용하여 다층점착시트를 실리콘 웨이퍼와 링 프레임에 부착하여 고정하는 붙임 공정, 다이싱 블레이드로 실리콘 웨이퍼를 다이싱 하여 반도체칩으로 하는 다이싱 공정, 적어도 자외선 또는 방사선을 조사하여 칩과 다이어태치 필름을 점착층으로부터 픽업하는 픽업 공정을 포함하는 전자부품의 제조방법.
본 발명의 다층점착시트에 의하면, 다이어태치 필름에 아크릴산에스테르 공중합체를 사용하였을 경우마저도 픽업시에 있어서 점착시트와 다이어태치 필름의 사이의 박리가 용이하여, 이렇게 해서 다이싱후의 칩의 픽업 작업을 용이하게 할 수 있다.
또한 본 발명의 다층점착시트는, 칩의 픽업성에 더하여, 다이싱에 의한 칩 비산이 적고(칩 유지성), 또한 점착층 유래 성분에 의한 다이어태치 필름의 오염이 적기(오염 방지성) 때문에, 전자부품의 제조방법에 적합하게 사용할 수 있다.
<용어의 설명>
단량체 단위란 단량체에 유래하는 구조 단위를 의미한다. 「부」 및 「％」는 질량기준이다. (메타)아크릴레이트란 아크릴레이트 및 메타크릴레이트의 총칭이다. (메타)아크릴산 등의 (메타)를 포함하는 화합물 등도 마찬가지로, 명칭중에 「메타」를 구비하는 화합물과 「메타」를 구비하지 않은 화합물의 총칭이다.
[다층점착시트]
다층점착시트는, 기재 필름과, 기재 필름의 일방의 면에 적층된 점착층과, 점착층의 노출면에 적층된 다이어태치 필름을 구비한다. 즉 다층점착시트는, 기재 필름, 점착층, 다이어태치 필름이 이 순서로 적층된 다층구조체이다. 본 명세서중, 기재 필름과 점착층만을 적층 일체화시킨 것을 단순히 「점착시트」라고 하고, 점착시트에 다이어태치 필름을 더 적층 일체화시킨 것을 「다층점착시트」라고 한다.
<기재 필름>
기재 필름은, 특별하게 한정되는 것이 아니라 공지의 수지재료를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산-아크릴산에스테르 필름, 에틸렌-에틸아크릴레이트 공중합체, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 프로필렌계 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체 및, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체나 에틸렌-(메타)아크릴산-(메타)아크릴산에스테르 공중합체 등을 금속이온으로 가교(架橋)한 이오노머 수지(ionomer樹脂)를 들 수 있다. 기재 필름은 이들 수지의 혼합물, 공중합체 또는 이들의 적층물이더라도 좋다.
그중에서도 기재 필름으로서는 프로필렌계 공중합체가 바람직하다. 프로필렌계 공중합체를 채용함으로써 반도체 웨이퍼를 절단할 때에 발생하는 부스러기를 억제할 수 있다. 프로필렌계 공중합체로서는, 예를 들면 프로필렌과 타성분(他成分)과의 랜덤 공중합체, 프로필렌과 타성분과의 블록 공중합체(block copolymer), 프로필렌과 타성분과의 교대 공중합체(alternating copolymer)가 있다. 타성분으로서는, 에틸렌, 1-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 1-헵텐 등의 α-올레핀, 적어도 2종 이상의 α-올레핀으로 이루어지는 공중합체, 스티렌-디엔 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 1-부텐이 바람직하다.
프로필렌계 공중합체를 중합하는 방법으로서는, 예를 들면 용매중합법, 벌크 중합법(bulk重合法), 기상중합법, 축차중합방법(逐次重合方法; step growth 重合方法) 등을 들 수 있지만, 1단계로 프로필렌 단독 중합체 또는 프로필렌과 소량의 에틸렌 및/또는 α-올레핀의 랜덤 공중합체를 제조한 후, 2단계 이후에 α-올레핀의 단독 중합체 또는 프로필렌과 소량의 에틸렌 및/또는 α-올레핀의 랜덤 공중합체를 제조하는, 적어도 2단계 이상의 축차중합방법이 바람직하다.
기재 필름에는 대전방지 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 대전방지 처리를 함으로써, 다이어태치 필름 박리시에 있어서 대전을 방지할 수 있다. 대전방지 처리로서는, (1)기재 필름을 구성하는 조성물에 대전방지제를 배합하는 처리, (2)기재 필름에 있어서 다이어태치 필름 적층측의 면에 대전방지제를 도포하는 처리, (3)코로나방전에 의한 대전처리가 있다. 대전방지제로서는, 4급 아민염 단량체 등이 있다.
4급 아민염 단량체로서는, 예를 들면 디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 4급 염화물, 디에틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 4급 염화물, 메틸에틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 4급 염화물, p-디메틸아미노스티렌 4급 염화물 및 p-디에틸아미노스티렌 4급 염화물이 있고, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트 4급 염화물이 바람직하다.
<점착제>
점착층은 점착제로 구성되고, 점착제는, (메타)아크릴산에스테르 공중합체(A)와 자외선 중합성 화합물(B)과 다관능 이소시아네이트 경화제(C)와 광중합 개시제(D)와 실리콘 중합체(E)를 구비한다.
〔(메타)아크릴산에스테르 공중합체(A)〕
(메타)아크릴산에스테르 공중합체는, (메타)아크릴산에스테르의 단량체만의 공중합체 또는 (메타)아크릴산에스테르의 단량체와 비닐 화합물 단량체의 공중합체이며, 이들의 단량체가 수산기를 가지지 않는 것이다.
(메타)아크릴산에스테르의 단량체로서는, 예를 들면 부틸(메타)아크릴레이트, 2-부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트, 펜틸(메타)아크릴레이트, 옥틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 이소프로필(메타)아크릴레이트, 트리데실(메타)아크릴레이트, 미리스틸(메타)아크릴레이트, 세틸(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보로닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 메톡시에틸(메타)아크릴레이트, 에톡시에틸(메타)아크릴레이트, 부톡시메틸(메타)아크릴레이트 및 에톡시-n-프로필(메타)아크릴레이트가 있다.
비닐 화합물 단량체로서는, 카르복실기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기, 메틸올기, 술폰산기, 술파민산기 또는 (아)인산에스테르기와 같은 관능기군의 1종 이상을 구비하는 관능기 함유 단량체가 있다.
카르복실기를 구비하는 비닐 화합물 단량체로서는, 예를 들면 (메타)아크릴산, 크로톤산(crotonic acid), 말레인산(maleic acid), 무수말레인산(maleic anhydride), 이타콘산(itaconic acid), 푸마르산(fumaric acid), 아크릴아미드N-글리콜산 및 신남산(cinnamic acid) 등을 들 수 있다.
에폭시기를 구비하는 비닐 화합물 단량체로서는, 예를 들면 알릴글리시딜에테르(allylglycidylether) 및 (메타)아크릴산글리시딜에테르가 있다.
아미드기를 구비하는 비닐 화합물 단량체로서는, 예를 들면 (메타)아크릴아미드가 있다.
아미노기를 구비하는 비닐 화합물 단량체로서는, 예를 들면 N,N-디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트가 있다.
메틸올기를 구비하는 비닐 화합물 단량체로서는, 예를 들면 N-메틸올아크릴아미드가 있다.
(메타)아크릴산에스테르 공중합체의 제조방법으로서는, 유화중합, 용액중합이 있다. 그중에서도, 방사선 조사후에 점착시트가 다이어태치 필름으로부터 용이하게 박리되고 높은 반도체칩 픽업성을 유지할 수 있기 때문에, 유화중합이 바람직하다.
〔자외선 중합성 화합물(B)〕
자외선 중합성 화합물(B)은, 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)와 다관능(메타)아크릴레이트(B2)의 혼합물이다. 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)와 다관능(메타)아크릴레이트(B2)의 배합비는, B1 : B2가 50 : 50 이상이고 95 : 5 이하인 것이 바람직하고, 65 : 35 이상이고 85 : 15 이하인 것이 더 바람직하다.
〔우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)〕
우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)는, 비닐기를 10개 이상 구비하고, 중량평균분자량 Ｍｗ가 50000이상이며, 또한 상기 중량평균분자량 Ｍｗ와 수평균분자량 Ｍｎ의 비인 분산도 Ｍｗ/Ｍｎ이 5이상인 것이다.
우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)로서는, (1)수산기와 복수의 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 (메타)아크릴레이트 화합물과, 복수의 이소시아네이트기를 구비하는 화합물(예를 들면 디이소시아네이트 화합물(diisocyanate化合物))을 반응시켜서 제조된 것, (2)복수의 수산기 말단을 구비하는 폴리올 올리고머(polyol oligomer)에, 복수의 이소시아네이트기를 구비하는 화합물(예를 들면 디이소시아네이트 화합물)을 과잉으로 첨가하여 반응시켜서 복수의 이소시아네이트 말단을 구비하는 올리고머로 하고, 또한 수산기와 복수의 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 (메타)아크릴레이트 화합물을 반응시킨 것이 있다.
우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)의 비닐기의 수가 10개 이상이면, 방사선 조사후에 점착시트와 다이어태치 필름의 사이의 박리가 용이하게 된다. 그 때문에 반도체칩의 픽업성을 양호하게 유지할 수 있다.
또한 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)의 중량평균분자량 Ｍｗ가 50000이상이며, 또한 중량평균분자량 Ｍｗ와 수평균분자량 Ｍｎ의 비인 분산도 Ｍｗ/Ｍｎ이 5이상이면, 점착시트와 다이어태치 필름의 사이의 점착 강도가 저감되어 방사선 조사후에 점착시트로부터 다이어태치 필름을 용이하게 박리 할 수 있다.
우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)를 구성할 수 있는 수산기와 복수의 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 (메타)아크릴레이트 화합물로서는, 예를 들면 히드록시프로필화 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리스리톨히드록시펜타아크릴레이트, 비스(펜타에리스리톨)테트라아크릴레이트, 테트라메틸올메탄트리아크릴레이트, 글리시돌디아크릴레이트(glycidol diacrylate)나, 이들의 아크릴레이트기의 일부 또는 전부를 메타크릴레이트기로 한 화합물이 있다.
우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)를 구성할 수 있는 복수의 이소시아네이트기를 구비하는 화합물로서는, 예를 들면 방향족 이소시아네이트(芳香族 isocyanate), 지환족 이소시아네이트(脂環族 isocyanate) 및 지방족 이소시아네이트(脂肪族 isocyanate)가 있다. 이들의 이소시아네이트 중에서, 복수의 이소시아네이트기를 구비하는 지환족 이소시아네이트 및 지방족 이소시아네이트가 바람직하다. 이소시아네이트 성분의 형태로서는 단량체, 이량체, 삼량체가 있고, 그 중에서 삼량체가 바람직하다.
방향족 디이소시아네이트로서는, 예를 들면 톨릴렌디이소시아네이트(tolylene diisocyanate), 4,4-디페닐메탄디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트(xylylene diisocyanate)가 있다.
지환족 디이소시아네이트로서는, 예를 들면 이소포론디이소시아네이트, 메틸렌비스(4-시클로헥실이소시아네이트)이 있다.
지방족 디이소시아네이트로서는, 예를 들면 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트가 있다.
우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)를 구성할 수 있는 복수의 수산기 말단을 구비하는 폴리올 올리고머의 폴리올 성분으로서는, 예를 들면 폴리(프로필렌옥시드)디올, 폴리(프로필렌옥시드)트리올, 코폴리(에틸렌옥시드-프로필렌옥시드)디올, 폴리(테트라메틸렌옥시드)디올, 에톡시화 비스페놀A, 에톡시화 비스페놀S스피로글리콜, 카프로락톤 변성 디올(caprolactone變性diol) 및 카보네이트디올이 있다.
〔다관능(메타)아크릴레이트(B2)〕
다관능(메타)아크릴레이트(B2)로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 히드록시프로필화 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨에톡시테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 비스(펜타에리스리톨)테트라아크릴레이트, 테트라메틸올메탄-트리아크릴레이트, 글리시돌-디아크릴레이트나, 이들의 아크릴레이트기의 일부 또는 전부를 메타크릴레이트기로 한 화합물이 있다.
자외선 중합성 화합물(B)의 배합량은, (메타)아크릴산에스테르 공중합체(A) 100질량부에 대하여 5질량부 이상, 200질량부 이하로 하는 것이 바람직하다. 자외선 중합성 화합물(B)의 배합량이 지나치게 적으면, 방사선 조사후에 점착시트로부터 다이어태치 필름을 박리하기 어려워져, 반도체칩의 픽업성에 관한 문제가 발생하기 쉬워진다. 자외선 중합성 화합물(B)의 배합량이 지나치게 많으면, 다이싱시에 페이스트의 올라옴에 의하여 픽업 불량이 발생하기 쉬워지고, 또한 반응 잔사에 의하여 미소한 페이스트 잔류가 발생해 다이어태치 필름이 오염되기 때문에, 다이어태치 필름이 부착된 반도체칩을 리드 프레임상에 접착한 후, 가온시(加溫時)에 접착불량이 발생하기 쉬워진다.
〔다관능 이소시아네이트 경화제(C)〕
다관능 이소시아네이트 경화제(C)는, 이소시아네이트기를 2개 이상 구비하는 것이며, 예를 들면 방향족 폴리이소시아네이트, 지방족 폴리이소시아네이트, 지환족 폴리이소시아네이트가 있다.
방향족 폴리이소시아네이트로서는, 예를 들면 1,3-페닐렌디이소시아네이트, 4,4'－디페닐디이소시아네이트, 1,4-페닐렌디이소시아네이트, 4,4'－디페닐메탄디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'－톨루이딘디이소시아네이트(toluidine diisocyanate), 2,4,6-트리이소시아네이트톨루엔, 1,3,5-트리이소시아네이트벤젠, 디아니시딘디이소시아네이트(dianisidine diisocyanate), 4,4'－디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4',4"-트리페닐메탄트리이소시아네이트, ω,ω'－디이소시아네이트-1,3-디메틸벤젠, ω,ω'－디이소시아네이트-1,4-디메틸벤젠, ω,ω'－디이소시아네이트-1,4-디에틸벤젠, 1,4-테트라메틸크실릴렌디이소시아네이트 및 1,3-테트라메틸크실릴렌디이소시아네이트가 있다.
지방족 폴리이소시아네이트로서는, 예를 들면 트리메틸렌디이소시아네이트, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 펜타메틸렌디이소시아네이트, 1,2-프로필렌디이소시아네이트, 2,3-부틸렌디이소시아네이트, 1,3-부틸렌디이소시아네이트, 도데카메틸렌디이소시아네이트 및 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트가 있다.
지환족 폴리이소시아네이트로서는, 예를 들면 3-이소시아네이트메틸-3,5,5-트리메틸시클로헥실이소시아네이트, 1,3-시클로펜탄디이소시아네이트, 1,3-시클로헥산디이소시아네이트, 1,4-시클로헥산디이소시아네이트, 메틸-2,4-시클로헥산디이소시아네이트, 메틸-2,6-시클로헥산디이소시아네이트, 4,4'－메틸렌비스(시클로헥실이소시아네이트), 1,4-비스(이소시아네이트메틸)시클로헥산 및 1,4-비스(이소시아네이트메틸)시클로헥산이 있다.
상기의 폴리이소시아네이트 중, 1,3-페닐렌디이소시아네이트, 4,4'－디페닐디이소시아네이트, 1,4-페닐렌디이소시아네이트, 4,4'－디페닐메탄디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'－톨루이딘디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트가 바람직하다.
다관능 이소시아네이트 경화제(C)의 배합비는, (메타)아크릴산에스테르 공중합체(A) 100질량부에 대하여 0.5질량부 이상, 20질량부 이하가 바람직하고, 하한으로서는 1.0질량부 이상, 상한으로서는 10질량부 이하가 더 바람직하다. 다관능 이소시아네이트 경화제(C)가 0.5질량부 이상이면, 점착 강도가 지나치게 높은 경우가 없기 때문에 픽업 불량의 발생을 억제할 수 있다. 다관능 이소시아네이트 경화제(C)가 20질량부 이하이면, 점착 강도가 지나치게 낮은 경우가 없기 때문에 다이싱시에 반도체칩의 유지성이 유지된다.
〔광중합 개시제(D)〕
광중합 개시제(D)는, 적어도 1개의 수산기를 구비하는 것이다. 1개의 수산기를 구비하는 광중합 개시제로서는, 2-히드록시-메틸-1-페닐-프로판-1-온(지바·재팬사 제품, 제품명 Ｄａｒｏｃｕｒ1173), 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤(지바·재팬사 제품, 제품명 Ｉｒｇａｃｕｒｅ184) 등을 들 수 있고, 2개 이상의 수산기를 구비하는 광중합 개시제로서는, 1-[4-(히드록시에톡시)-페닐]-2-히드록시-2메틸-1-프로판-1-온(지바·재팬사 제품, 제품명 Ｉｒｇａｃｕｒｅ2959), 2-히드록시-1-{4-[4-(2-히드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]-페닐}-2-메틸-프로판-1-온(지바·재팬사 제품, 제품명 Ｉｒｇａｃｕｒｅ127) 등을 들 수 있다. 수산기를 구비하는 광중합 개시제(B)의 수산기의 수는, 2개 이상이 바람직하다. 2개 이상 구비함으로써, 방사선 조사후에 개열(開裂)한 광중합 개시제가 (메타)아크릴산에스테르 단량체(A)의 아크릴로일기(acryloyl基)의 반응계에 들어가기 때문에, 다이어태치 필름으로의 마이그레이션을 억제할 수 있다. 또, 수산기의 수의 상한에 관해서는 특별하게 한정하는 것은 아니다.
광중합 개시제(D)의 배합량은, 바람직하게는 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상, 20질량부 이하이다. 이 배합량이 지나치게 적으면 방사선 조사후에 점착시트로부터 다이어태치 필름을 용이하게 박리할 수 없게 되어서 반도체칩의 픽업성의 저하가 발생하는 경향이 있다. 이 비율이 지나치게 많으면, 점착층 표면으로의 브리드아웃(흡출(bleed out))에 의하여 오염이 억제되지 않게 되어, 다이어태치 필름이 부착된 반도체칩을 리드 프레임상에 탑재한 후, 가온시에 접착불량이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다.
〔실리콘 중합체(E)〕
점착제에 배합하기에 바람직한 실리콘 중합체(E)는, 폴리디메틸실록산 결합의 말단에 비닐기를 구비하는 단량체(이하, 「실리콘계 매크로모노머」라고 한다)에 유래하는 단량체 단위를 구비하는 것이다. 구체적으로는, 실리콘계 매크로모노머의 호모폴리머(homopolymer), 실리콘계 매크로모노머와 다른 비닐 화합물을 중합한 비닐 중합체가 있다. 실리콘계 매크로모노머는, 폴리디메틸실록산 결합의 말단이 (메타)아크릴로일기 또는 스티릴기 등의 비닐기인 화합물이 바람직하다.
실리콘 중합체(E)를 구성하는 실리콘계 매크로모노머 이외의 비닐 화합물로서는 (메타)아크릴 단량체를 사용할 수 있다. 이러한 실리콘 중합체를 사용하면, 점착시트와 다이어태치 필름을 적층하였을 경우에 실리콘 중합체가 다이어태치 필름으로 마이그레이션 하는 것을 방지할 수 있고, 반도체칩을 픽업했을 때에 파티클이라고 불리는 미소한 페이스트 잔류의 발생을 방지할 수 있다. (메타)아크릴 단량체로서는, 알킬(메타)아크릴레이트, 히드록시알킬(메타)아크릴레이트, 변성 히드록시(메타)아크릴레이트 및 (메타)아크릴산이 있다.
알킬(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트(isobornyl (meth)acrylate) 및 히드록시알킬(메타)아크릴레이트가 있다.
히드록시알킬(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 히드록시프로필(메타)아크릴레이트 및 히드록시부틸(메타)아크릴레이트가 있다.
변성 히드록시(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 에틸렌옥시드 변성 히드록시(메타)아크릴레이트 및 락톤 변성 히드록시(메타)아크릴레이트가 있다.
실리콘 중합체(E)의 배합량은, 바람직하게는, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상, 20질량부 이하이다. 이 배합량이 지나치게 적으면 방사선 조사후에 점착시트로부터 다이어태치 필름을 용이하게 박리할 수 없게 되어서 반도체칩의 픽업성의 저하가 발생하는 경향이 있다. 한편 이 배합량이 지나치게 많으면, 초기의 점착력의 저하를 억제할 수 없게 되어서 다이싱시에 반도체칩의 유지성이 손상되는 경향이 있다.
실리콘 중합체(E)에 있어서의 실리콘계 매크로모노머 단위의 비율은, 실리콘 중합체 100질량부중에서 15질량부 이상, 50질량부 이하가 바람직하다. 이 비율이 적어지면, 방사선 조사후에 점착시트로부터 다이어태치 필름을 용이하게 박리할 수 없게 되어서 반도체칩의 픽업성의 저하가 발생하는 경향이 있다. 이 비율이 많아지면, 점착제 표면으로의 브리드아웃에 의한 오염이 억제되지 않게 되어, 다이어태치 필름이 부착된 반도체칩을 리드 프레임상에 접착한 후, 가온시에 접착불량이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다.
점착제에는, 다른 소재에 영향을 끼치지 않는 범위에서 연화제, 노화방지제, 충전제, 자외선흡수제 및 광안정제 등의 첨가제를 첨가할 수 있다.
점착층의 두께는 3μｍ 이상, 100μｍ 이하가 바람직하고, 5μｍ 이상, 20μｍ 이하가 특히 바람직하다.
<다이어태치 필름>
다층점착시트에 사용되는 다이어태치 필름은, 접착제를 필름모양으로 성형한 것이다. 다이어태치 필름을 구성하는 구체적인 조성물로서는, 아크릴산에스테르 공중합체, 폴리아미드, 폴리에틸렌, 폴리술폰, 에폭시수지, 폴리이미드, 폴리아미드산, 실리콘 수지, 페놀 수지, 고무, 불소 고무 및 불소 수지의 단체(單體) 또는 이들 혼합물, 공중합체 및 적층체가 있다. 다이어태치 필름을 구성하는 조성물은, 칩과의 접착 신뢰성의 면에서 아크릴산에스테르 공중합체를 포함하는 것이 바람직하다. 이 조성물에는, 광중합 개시제, 대전방지제, 가교제, 가교촉진제, 필러 등을 첨가하더라도 좋다.
<다층점착시트의 제조방법>
다층점착시트는, 기재 필름상에 점착제를 도포하여 점착시트를 작성한 후, 점착시트의 점착제 도포면에 다이어태치 필름을 부착함으로써 제조할 수 있다. 또한 점착제를 폴리에틸렌테레프탈레이트 등으로 이루어지는 세퍼레이터 필름상에 도포하고, 임의로 건조시킨 후에, 기재 필름에 적층하여 점착시트를 작성하고, 다음에 세퍼레이터 필름을 떼어낸 노출면에 다이어태치 필름을 부착함으로써도 제조할 수 있다.
다이어태치 필름과 점착시트의 사이의 점착 강도는, 지나치게 크면 픽업 불량이 발생하는 경향이 있고, 지나치게 작으면 칩 유지성이 저하하는 경향이 있기 때문에, 0.05～1.5N/20mm이면 바람직하다. 점착시트의 점착층을 구성하는 점착제를 상기 특정의 조성으로 함으로써, 다이어태치 필름에 아크릴산에스테르 공중합체를 사용하였을 경우마저도 적합한 점착 강도를 유지할 수 있다.
[전자부품의 제조방법]
상기의 다층점착시트를 사용하여 전자부품을 제조하는 방법은, 다음의 공정을 포함한다.
(1)다층점착시트를 실리콘 웨이퍼와 링 프레임에 부착하여 고정하는 붙임 공정,
(2)다이싱 블레이드로 실리콘 웨이퍼를 다이어태치 필름째 다이싱 하여 반도체칩으로 하는 다이싱 공정,
(3)적어도 자외선 또는 방사선을 조사하여, 다이어태치 필름이 부착된 반도체칩을 점착층으로부터 픽업하는 픽업 공정.
상기한 바와 같이, 다층점착시트가 반도체칩의 칩 유지성, 픽업성 및 오염 방지성이 우수한 것으로부터, 상기 다이싱 공정(2)에 있어서 칩 비산의 발생을 저감할 수 있고, 상기 픽업 공정(3)에 있어서 다이어태치 필름이 부착된 반도체칩을 점착시트로부터 용이하게 박리하여 픽업할 수 있고, 또한 픽업후에 다이어태치 필름이 오염되어 있지 않기 때문에, 리드 프레임 등에 대하여 높은 접착력을 구비한다.
실시예
이하에 기재하는 기재 필름과, 점착층과, 다이어태치 필름을 사용하여 실시예 및 비교예에 관한 여러가지의 다층점착시트를 제조하였다.
<기재 필름>
기재 필름은, 실시예 및 비교예의 모두에 있어서, 산아로마사 제품 프로필렌계 공중합체(품번(品番) : X500F)를 사용하였다. 이 필름의 ＭＦＲ(멜트 플로우 레이트(melt flow rate)) 값은 7.5g/10분, 밀도는 0.89g/ｃｍ3, 두께는 80μm이다.
<점착층>
점착층은, 이하에 기재하는 (메타)아크릴산에스테르 공중합체(A), 자외선 중합성 화합물(B), 다관능 이소시아네이트 경화제(C), 광중합 개시제(D) 및 실리콘 중합체(E)를 함유하는 점착제를 사용하여 형성하였다.
[점착제]
〔(메타)아크릴산에스테르 공중합체(A）〕
A-1 : 니혼제온사 제품 아크릴 고무ＡＲ53L ; 에틸아크릴레이트 40%, 부틸아크릴레이트 23%, 메톡시에틸아크릴레이트 37%의 공중합체이며, 유화중합에 의하여 얻어진다. 어느 화합물에도 수산기 없음.
A-2 : 자사 중합품 ; 에틸아크릴레이트 40%, 부틸아크릴레이트 22%, 메톡시에틸아크릴레이트 37%, 아크릴산 1%의 공중합체이며, 유화중합에 의하여 얻어진다. 어느 화합물에도 수산기 없음.
A-3 : 소켄화학사 제품 ＳＫ다인1435 ; 부틸아크릴레이트 67%, 메틸아크릴레이트 28%, 2-히드록시에틸아크릴레이트 5%의 공중합체이며, 용액중합에 의하여 얻어진다. 2-히드록시에틸아크릴레이트에 수산기 있음.
〔자외선 중합성 화합물(B）〕
B-1 : 네가미공업사 제품 ＵＮ-905 ; B-1은, 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)와 다관능(메타)아크릴레이트(B2)로 이루어진다. 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)는, 이소포론디이소시아네이트의 삼량체의 이소시아네이트에, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트를 주성분으로 하는 수산기 함유 아크릴레이트를 반응시킨 것이다. 다관능(메타)아크릴레이트(B2)는, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트를 주성분으로 하는 것이다. 양쪽 성분의 배합비는, 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)가 75%, 다관능(메타)아크릴레이트(B2)가 25%이다. 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)는, 중량평균분자량 100000, 분산도 10.7이고 비닐기의 수가 15개이다.
B-2 : 네가미공업사 제품 ＵＮ-3320ＨＳ ; B-2는, 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)와 다관능(메타)아크릴레이트(B2)로 이루어진다. 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)는, 이소포론디이소시아네이트의 삼량체의 이소시아네이트에, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트를 주성분으로 하는 수산기 함유 아크릴레이트를 반응시킨 것이다. 다관능(메타)아크릴레이트(B2)는, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트를 주성분으로 하는 것이다. 양쪽 성분의 배합비는, 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)가 45%, 다관능(메타)아크릴레이트(B2)가 55%이다. 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)는, 중량평균분자량 11000, 분산도 1.2이고 비닐기의 수가 15개이다.
B-3 : 자사 중합품 A ; B-3은, 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)와 다관능(메타)아크릴레이트(B2)로 이루어진다. 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)는, 헥사메틸렌디이소시아네이트의 삼량체의 이소시아네이트에, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트를 주성분으로 하는 수산기 함유 아크릴레이트를 반응시킨 것이다. 다관능(메타)아크릴레이트(B2)는, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트를 주성분으로 하는 것이다. 양쪽 성분의 배합비는, 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)가 45%, 다관능(메타)아크릴레이트(B2)가 55%이다. 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)는, 중량평균분자량 70000, 분산도 1.2이고 비닐기의 수가 15개이다.
B-4 : 자사 중합품 B ; B-4는, 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)와 다관능(메타)아크릴레이트(B2)로 이루어진다. 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)는, 헥사메틸렌디이소시아네이트의 삼량체의 이소시아네이트에, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트를 주성분으로 하는 수산기 함유 아크릴레이트를 반응시킨 것이다. 다관능(메타)아크릴레이트(B2)는, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트를 주성분으로 하는 것이다. 양쪽 성분의 배합비는, 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)가 45%, 다관능(메타)아크릴레이트(B2)가 55%이다. 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)는, 중량평균분자량 30000, 분산도 7.5이고 비닐기의 수가 15개이다.
B-5 : 자사 중합품 C ; B-5는, 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)와 다관능(메타)아크릴레이트(B2)로 이루어진다. 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)는, 헥사메틸렌디이소시아네이트의 삼량체의 이소시아네이트에, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트를 주성분으로 하는 수산기 함유 아크릴레이트를 반응시킨 것이다. 다관능(메타)아크릴레이트(B2)는, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트를 주성분으로 하는 것이다. 양쪽 성분의 배합비는, 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)가 45%, 다관능(메타)아크릴레이트(B2)가 55%이다. 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)는, 중량평균분자량 70000, 분산도 8.2이고 비닐기의 수가 6개이다.
〔다관능 이소시아네이트 경화제(C）〕
C-1 : 니혼폴리우레탄사 제품 코로네이트L-45E ; 2,4-톨릴렌디이소시아네이트의 트리메틸올프로판 어덕트체(adduct體).
〔광중합 개시제(D）〕
D-1 : 지바·재팬사 제품, 제품명 Ｉｒｇａｃｕｒｅ127 ; 2-히드록시-1-{4-[4-(2-히드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]-페닐}-2-메틸-프로판-1-온. 수산기 있음.
D-2 : 지바·재팬사 제품, 제품명 Ｉｒｇａｃｕｒｅ184 ; 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤. 수산기 있음.
D-3 : 지바·재팬사 제품, 제품명 Ｉｒｇａｃｕｒｅ651 ; 벤질디메틸케탈. 수산기 없음.
〔실리콘 중합체(E）〕
E-1 : 소켄화학사 제품 ＵＴＭＭ-ＬＳ2 ; 실리콘 분자 사슬의 말단에 (메타)아크릴로일기를 구비하는 실리콘계 올리고머계 단위를 함유하고, 메틸메타크릴레이트 등으로 이루어지는 아크릴비닐 단위를 중합한 실리콘계 그래프트 공중합체(silicon系 graft copolymer). 수산기 있음.
E-2 : 실리콘유(silicon油), 시판품. 수산기 없음.
자외선 중합성 화합물(B)에 포함되는 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)의 분자량은 하기에 기재된 ＧＰＣ 측정조건으로 측정하였다.
장치명 : ＨＬＣ-8120ＧＰＣ(토소사 제품)
칼럼 : ＴＳＫ Ｇｕａｒｄ ＨＺ-L 1개와 ＨＺＭ-N 3개를 직렬
온도 : 40도
검출 : 시차굴절율
용매 : 테트라히드로퓨란
농도 : 0.2질량/부피％
검량선 : 표준 폴리스티렌(ＰＳ)(Ｖａｒｉａｎ사 제품)을 사용하여 작성하고, 분자량은 ＰＳ환산값으로 나타냈다.
<다이어태치 필름>
다이어태치 필름은, 이하의 어느 하나를 사용하였다.
1 : 아크릴산에스테르 공중합체를 주체로 하고, 두께 30μm.
2 : 에폭시계 접착제를 주체로 하고, 두께 30μm.
<다층점착시트의 제조>
점착제를, 폴리에틸렌테레프탈레이트제의 세퍼레이터 필름상에, 건조 후의 점착층의 두께가 10μm가 되도록 도포하였다. 이 점착층을 기재 필름에 적층하고, 40도로 7일간 숙성시켜 세퍼레이터 필름 부착 점착시트를 얻었다. 이어서 세퍼레이터 필름을 떼어내고, 노출된 점착층상에 지름 8.2인치의 원형으로 절단한 다이어태치 필름을 라미네이트 하여 다층점착시트를 얻었다.
<다층점착시트의 평가>
얻어진 다층점착시트를 사용하여, 이하의 공정(1)～(3)에 의하여 실리콘 웨이퍼를 고정하고 다이싱 하고 반도체칩을 픽업하여, 칩 유지성, 픽업성 및 오염 방지성에 대하여 평가를 하였다.
(1)붙임 공정 : 다층점착시트의 접착층에, 더미(dummy)의 회로패턴을 형성한 지름 8인치×두께 0.1mm의 실리콘 웨이퍼와 링 프레임을 부착하여 고정하였다.
(2)다이싱 공정 : 다이싱 블레이드를 사용하여 실리콘 웨이퍼를, 다층점착시트의 다이어태치 필름째 9mm×9mm의 사이즈의 반도체칩으로 절단하였다. 다이싱 공정은 이하의 장치 및 조건으로 하였다.
다이싱 장치 : ＤＩＳＣＯ사 제품 ＤＡＤ341
다이싱 블레이드 : ＤＩＳＣＯ사 제품 ＮＢＣ-ＺＨ205O-27ＨＥＥＥ
다이싱 블레이드 형상 : 외경 55.56mm, 칼날 폭 35μm, 내경 19.05mm
다이싱 블레이드 회전수 : 40,000ｒｐｍ
다이싱 블레이드 이송속도 : 50mm/초
점착시트에의 파임량 : 15μm
절삭수(切削水) 온도 : 25도
절삭수량 : 1.0L/분
(3)픽업 공정 : 자외선을 조사하여 점착층의 점착력을 저하시킨 후에, 다이어태치 필름이 부착된 반도체칩을 접착층으로부터 박리시켜서 픽업하였다. 픽업 공정은 이하의 장치 및 조건으로 하였다.
픽업 장치 : 캐논머시너리사 제품 ＣＡＰ-300ＩＩ
니들핀 형상 : 250μｍＲ
니들핀 밀어올림 높이 : 0.5mm
익스팬드량 : 8mm
<칩 유지성>
칩 유지성은, 다이싱 공정 후에 있어서 점착시트에 유지되어 있는 반도체칩의 잔존율로 평가하였다.
◎(우수) : 칩 비산이 5% 미만.
○(양호) : 칩 비산이 5% 이상 10% 미만.
×(불가) : 칩 비산이 10% 이상.
<픽업성>
픽업성은, 픽업 공정에 있어서 픽업된 칩의 비율로 평가하였다.
◎(우수) : 95% 이상의 칩이 픽업되었다.
○(양호) : 80% 이상 95% 미만의 칩이 픽업되었다.
×(불가) : 80% 미만의 칩이 픽업되었다.
<오염 방지성>
오염 방지성은, 점착시트의 점착층과 다이어태치 필름을 접합시켜서 1주일 보관한 후에, 고압 수은등으로 자외선을 500ｍＪ/ｃｍ2 조사하고, 조사로부터 1주일 더 보관후 또는 4주일 더 보관후에 점착시트로부터 다이어태치 필름을 박리하고, 다이어태치 필름에 대하여 ＧＣ-ＭＳ 분석을 하고, 점착제 성분 유래의 피크를 확인하여 평가하였다.
◎(우수) : 자외선을 조사하여 1주일 보관후 및 4주일 보관후에 점착시트로부터 박리한 어느 쪽의 다이어태치 필름으로부터도 점착제 성분 유래의 피크는 확인되지 않았다.
○(양호) : 자외선을 조사하여 1주일 보관후에 점착시트로부터 박리한 다이어태치 필름으로부터는 점착제 성분 유래의 피크는 확인되지 않았지만, 자외선을 조사하여 4주일 보관후에 점착시트로부터 박리한 다이어태치 필름으로부터는 점착제 성분 유래의 피크가 확인되었다.
×(불가) : 자외선을 조사하여 1주일 보관후 및 4주일 보관후에 점착시트로부터 박리한 어느 쪽의 다이어태치 필름으로부터도 점착제 성분 유래의 피크가 확인되었다.
점착층을 구성하는 점착제의 조성, 사용한 다이어태치 필름의 종류, 평가결과를 표1에 나타낸다. 표1에 있어서, 점착층을 구성하는 점착제의 조성을 나타내는 수치는 질량부이다.
Figure pct00001
표1에 나타나 있는 바와 같이, 점착시트의 점착층을 구성하는 점착제를 특정한 조성으로 함으로써, 다이어태치 필름에 아크릴산에스테르 공중합체를 사용한 경우마저도 픽업시에 있어서 점착시트와 다이어태치 필름의 사이의 박리가 용이하고, 또한 반도체칩의 픽업성 및 다이어태치 필름의 오염 방지성이 우수한 다층점착시트를 얻을 수 있었다.

Claims (4)

  1. 기재 필름(基材film)과, 기재 필름의 일방의 면에 적층된 점착층(粘着層)과, 점착층의 노출면(露出面)에 적층된 다이어태치 필름(die attach film)을 구비하고,
    점착층을 구성하는 점착제가, (메타)아크릴산에스테르 공중합체(A)와 자외선 중합성 화합물(B)과 다관능 이소시아네이트 경화제(C)와 광중합 개시제(D)와 실리콘 중합체(E)를 구비하고,
    (메타)아크릴산에스테르 공중합체(A)가, (메타)아크릴산에스테르 단량체의 공중합체 또는 (메타)아크릴산에스테르 단량체와 비닐 화합물 단량체의 공중합체의 어느 일방으로서, (메타)아크릴산에스테르 단량체와 비닐 화합물 단량체의 모두가 수산기를 구비하지 않는 것이며,
    자외선 중합성 화합물(B)이 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)와 다관능(메타)아크릴레이트(B2)로 이루어지고, 우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)는 비닐기를 10개 이상 구비하고, 중량평균분자량 Ｍｗ가 50000이상, 그리고 상기 중량평균분자량 Ｍｗ와 수평균분자량(數平均分子量) Ｍｎ의 비(比)인 분산도(分散度) Ｍｗ/Ｍｎ이 5이상이며,
    광중합 개시제(D)가 수산기를 구비하고,
    실리콘 중합체(E)가 수산기를 구비하고,
    점착층을 구성하는 점착제에 있어서 (메타)아크릴산에스테르 공중합체(A)가 100질량부, 자외선 중합성 화합물(B)이 5～200질량부, 다관능 이소시아네이트 경화제(C)가 0.5～20질량부, 광중합 개시제(D)가 0.1～20질량부 및 실리콘 중합체(E)가 0.1～20질량부인 다층점착시트(多層粘着sheet).
  2. 제1항에 있어서,
    우레탄아크릴레이트 올리고머(B1)가, 이소포론디이소시아네이트의 삼량체의 이소시아네이트에 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트를 주성분으로 하는 수산기 함유 아크릴레이트를 반응시킨 것이며, 다관능(메타)아크릴레이트(B2)가 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트인 다층점착시트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    다이어태치 필름을 구성하는 조성물이 아크릴산에스테르 공중합체를 구비하는 다층점착시트.
  4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 하나의 항의 다층점착시트를 사용하여, 다층점착시트를 실리콘 웨이퍼와 링 프레임에 부착하여 고정하는 붙임 공정, 다이싱 블레이드로 실리콘 웨이퍼를 다이싱 하여 반도체칩으로 하는 다이싱 공정, 적어도 자외선 또는 방사선을 조사하여 칩과 다이어태치 필름을 점착층으로부터 픽업하는 픽업 공정
    을 포함하는 전자부품의 제조방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015093794A1 (ko) * 2013-12-19 2015-06-25 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 점착층 형성용 조성물 및 다이싱 필름
KR20150072343A (ko) * 2013-12-19 2015-06-29 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 점착층 형성용 조성물 및 다이싱 필름
KR102401234B1 (ko) * 2020-11-25 2022-05-24 에이엠씨주식회사 에너지선 경화형 화합물을 함유하는 점착시트 및 반도체 칩의 제조방법

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6128837B2 (ja) * 2012-02-21 2017-05-17 東京応化工業株式会社 接着剤組成物の製造方法、接着剤組成物及び接着フィルム
JP6066778B2 (ja) * 2012-03-08 2017-01-25 積水化学工業株式会社 透明基板の処理方法及び透明基板処理用粘着剤
JP5997506B2 (ja) * 2012-05-31 2016-09-28 リンテック株式会社 ダイシング・ダイボンディングシート
WO2014015497A1 (en) * 2012-07-26 2014-01-30 Henkel Ag & Co. Kgaa Uv-curing hot melt adhesive containing low content of oligomers
CN103666362B (zh) * 2012-09-19 2015-06-10 广东恒大新材料科技有限公司 一种液体组合物及其在印刷有油墨面板的粘接中的应用
CN105189590B (zh) 2013-02-21 2019-08-06 三菱化学株式会社 交联用树脂组合物和封装材料
KR101730054B1 (ko) * 2013-12-13 2017-04-25 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 점착층 형성용 조성물 및 다이싱 필름
JP6246020B2 (ja) * 2014-02-27 2017-12-13 日本カーバイド工業株式会社 粘着剤組成物及び光学部材表面保護フィルム
CN106462891B (zh) * 2014-06-11 2020-08-04 甲骨文国际公司 利用现有订阅为服务提供订阅
CN106488963B (zh) * 2014-07-14 2020-02-28 电化株式会社 粘合片、电子部件的制造方法
CN108307635B (zh) * 2015-04-30 2021-04-02 琳得科株式会社 工件加工用胶粘带
US9741677B1 (en) 2016-03-01 2017-08-22 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including antistatic die attach material
JP6829250B2 (ja) * 2016-04-15 2021-02-10 デンカ株式会社 半導体加工用粘着テープ、及びそれを用いた半導体チップ又は半導体部品の製造方法
JP6618038B2 (ja) * 2016-06-29 2019-12-11 荒川化学工業株式会社 粘着剤組成物
JP6832784B2 (ja) * 2017-04-24 2021-02-24 デンカ株式会社 ステルスダイシング用粘着テープ及びそれを用いた半導体チップの製造方法
KR102203869B1 (ko) * 2018-03-28 2021-01-18 주식회사 엘지화학 임시고정용 점착시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법
KR102643219B1 (ko) * 2018-08-08 2024-03-05 주식회사 엘지에너지솔루션 발광물질을 포함하는 리드필름을 구비한 이차전지 및 이차전지의 불량 검사 방법
CN109627388B (zh) * 2018-11-27 2022-03-08 苏州赛伍应用技术股份有限公司 一种切割保护膜用丙烯酸树脂及其制备方法
WO2020184310A1 (ja) * 2019-03-08 2020-09-17 積水化学工業株式会社 粘着剤組成物及び粘着テープ
JPWO2021065515A1 (ko) * 2019-10-01 2021-04-08
KR102347872B1 (ko) * 2019-11-21 2022-01-06 주식회사 엘지화학 표면 보호 필름
CN111440494B (zh) * 2019-12-30 2022-01-25 宁波激智科技股份有限公司 一种涂层组合物及一种偏光片
CN112300708B (zh) * 2020-11-04 2022-09-30 深圳广恒威科技有限公司 可uv固化的胶膜及其应用
TWI821127B (zh) * 2023-02-21 2023-11-01 翌驊實業股份有限公司 用於晶圓的複合膠帶及其製法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0353546A (ja) * 1989-07-21 1991-03-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法およびその製造装置
JPWO2005022971A1 (ja) * 2003-09-01 2007-11-01 大日本印刷株式会社 プラズマディスプレイ用電磁波シールドフィルム
JP4776189B2 (ja) 2004-08-03 2011-09-21 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP4592535B2 (ja) 2005-02-23 2010-12-01 日東電工株式会社 多層シートとその製造方法及びこの多層シートを用いた粘着シート
JP4402651B2 (ja) * 2005-12-26 2010-01-20 キヤノン株式会社 データ通信装置及びデータ通信方法
JP5089895B2 (ja) 2006-03-15 2012-12-05 電気化学工業株式会社 多層粘着シート、多層粘着シート用の粘着シート、及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。
JP4874011B2 (ja) * 2006-06-23 2012-02-08 電気化学工業株式会社 粘着剤、粘着剤を用いた粘着シート、粘着シートを用いた多層粘着シート、及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。
JP5178732B2 (ja) * 2007-10-16 2013-04-10 電気化学工業株式会社 粘着剤、粘着シート、多層粘着シート及び電子部品の製造方法
JP2011044444A (ja) * 2007-12-19 2011-03-03 Denki Kagaku Kogyo Kk 多層粘着シート及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015093794A1 (ko) * 2013-12-19 2015-06-25 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 점착층 형성용 조성물 및 다이싱 필름
KR20150072343A (ko) * 2013-12-19 2015-06-29 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 점착층 형성용 조성물 및 다이싱 필름
US10526513B2 (en) 2013-12-19 2020-01-07 Lg Chem, Ltd. Composition for forming adhesive layer of dicing film, and dicing film
KR102401234B1 (ko) * 2020-11-25 2022-05-24 에이엠씨주식회사 에너지선 경화형 화합물을 함유하는 점착시트 및 반도체 칩의 제조방법

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Publication number Publication date
CN102971839B (zh) 2016-01-27
CN102971839A (zh) 2013-03-13
SG186726A1 (en) 2013-02-28
TW201207061A (en) 2012-02-16
MY156758A (en) 2016-03-31
JP2012039053A (ja) 2012-02-23
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