KR20130054225A - 엣지 받침대를 위한 측부 패드 디자인 - Google Patents

엣지 받침대를 위한 측부 패드 디자인 Download PDF

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KR20130054225A
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polishing pad
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인 유안
헝 치 첸
소-성 창
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

폴리싱 패드의 폴리싱 표면의 균등화된 컨디셔닝을 촉진시키기 위한 방법 및 장치가 서술된다. 상기 장치는 컨디셔닝 디바이스를 지지하도록 적용되는 폴리싱 패드의 주변 엣지 근처에서 베이스에 연결되는 연장 디바이스를 포함하며, 상기 연장 디바이스는 폴리싱 패드에 대해 이동 가능한 본체와, 상기 본체의 장착 표면에 연결되는 폴리싱 물질을 포함하는 희생 패드를 포함한다.

Description

엣지 받침대를 위한 측부 패드 디자인{SIDE PAD DESIGN FOR EDGE PEDESTAL}
본 발명의 실시예는 반도체 웨이퍼와 같은 기판의 폴리싱에 관한 것이다.
기판상의 집적 회로 및 다른 전자 디바이스의 제조에 있어서, 도전성, 반도전성(semiconductive), 및 유전체 물질의 다층이 기판의 특징부(feature) 측부, 즉 증착 수용 표면상에 증착되거나 또는 증착 수용 표면으로부터 제거된다. 물질의 층이 연속적으로 증착 및 제거될 때, 기판의 특징부 측부는 평탄하지 않게 되고, 평탄화(planarization) 및/또는 폴리싱을 요구한다. 일반적으로 균일한, 평탄한 또는 평평한 표면을 형성하기 위해, 평탄화 및 폴리싱은 이미 증착된 물질이 기판의 특징부 측부로부터 제거되는 절차이다. 상기 절차는 거친 표면, 뭉쳐진(agglomerated) 물질, 결정 격자 손상, 및 스크래치와 같은 표면 결함과 바람직하지 않은 표면 지형을 제거하는데 유용하다. 또한, 상기 절차는 특징부를 충전(fill)하고 후속의 증착 및 프로세싱을 위한 균일한 또는 편평한 표면을 제공하는데 사용되는 과잉 증착된 물질을 제거함으로써 기판상에 특징부를 형성하는데 유용하다.
화학적 기계적 폴리싱은 폴리싱 유체가 존재할 동안 폴리싱 패드와 접촉하는 기판의 특징부 측부를 이동시킴으로써, 반도체 웨이퍼상에 증착되는 물질의 층을 평탄화 또는 폴리싱하기 위한 고밀도 집적되는 회로의 제조에 통상적으로 사용되는 프로세스이다. 화학적 및 기계적 작동의 조합을 통해 폴리싱 표면과 접촉하는 기판의 특징부 측부로부터 물질이 제거된다.
폴리싱 표면에 걸쳐 일정한 거칠기 및/또는 일반적으로 평평한 프로필을 유지하기 위해, 폴리싱 표면의 주기적인 컨디셔닝(conditioning)이 요구된다. 컨디셔닝은 전형적으로 패드 표면의 대부분에 걸쳐 스위핑(sweeping)될 동안 폴리싱 표면에 대해 가압되는 회전하는 컨디셔닝 디스크를 사용하여 수행된다. 그러나, 디스크가 패드로 절단되고 상기 패드의 주변 엣지가 조기에 마모되는 "엣지 발딩(balding)" 으로서 알려진 상태를 유발시킬 때, 컨디셔닝 디스크는 패드 표면의 외측 주변 엣지상에서 효과적으로 사용될 수 없다. 마찬가지로, 패드의 주변 엣지가 주변 엣지 내부의 패드 부분과 동일한 정도로 컨디셔닝되지 않기 때문에, 폴리싱을 위해 패드의 주변 엣지가 사용될 수 없다.
따라서, 폴리싱 표면의 균등한 컨디셔닝을 촉진시키고 패드의 폴리싱 표면의 전체적인 사용을 가능하게 하는 방법 및 장치가 요망되고 있다.
폴리싱 패드의 폴리싱 표면의 균등한 컨디셔닝을 촉진시키기 위한 방법 및 장치가 서술된다. 일 실시예에서, 장치가 서술된다. 상기 장치는 그 상부 표면에 연결되는 회전 가능한 폴리싱 패드를 갖는 베이스, 주변 엣지를 지나 연장되는 스위프(sweep) 패턴으로 상기 폴리싱 표면에 대해 이동하도록 적용되는 컨디셔닝 장치, 및 상기 폴리싱 패드의 주변 엣지 근처에서 상기 베이스에 연결되며 상기 컨디셔닝 디바이스가 스위프 패턴의 적어도 일부에 있을 때 컨디셔닝 디바이스를 지지하도록 적용되는 연장 디바이스를 포함하며, 상기 폴리싱 패드는 폴리싱 표면 및 주변 엣지를 갖는다. 상기 연장 디바이스는 상기 폴리싱 패드에 대해 이동 가능한 본체, 및 상기 본체의 장착 표면에 연결되는 폴리싱 물질을 포함하는 희생(sacrificial) 패드를 포함하며, 상기 본체와 희생 패드 중 하나 또는 모두는 인덱싱(indexing) 특징부를 포함한다.
다른 실시예에서, 장치가 서술된다. 상기 장치는 그 상부 표면에 연결되는 원형 폴리싱 패드 및 회전 가능한 압반(platen)을 갖는 베이스, 원주방향 엣지를 지나 연장되는 스위프 패턴으로 폴리싱 표면에 대해 이동하도록 적용되는 마멸재(abrasive) 표면을 갖는 컨디셔닝 디바이스, 및 상기 폴리싱 패드의 원주방향 엣지 근처에서 상기 베이스에 연결되며 상기 컨디셔닝 디바이스가 스위프 패턴의 적어도 일부에 있을 때 상기 컨디셔닝 디바이스를 지지하도록 적용되는 연장 디바이스를 포함하며, 상기 폴리싱 패드는 폴리싱 표면 및 원주방향 엣지를 갖는다. 상기 연장 디바이스는 폴리싱 패드에 대해 이동 가능한 본체, 상기 본체의 장착 표면에 연결되는 폴리싱 물질을 포함하는 희생 패드, 및 상기 희생 패드와 장착 표면의 정렬을 촉진시키기 위하여 상기 본체와 희생 패드 중 하나 또는 모두상에 배치되는 인덱싱 특징부를 포함하며, 상기 본체는 상기 폴리싱 패드의 원주방향 엣지와 마주보는 인터페이스 표면을 가지며, 상기 희생 패드는 상기 컨디셔닝 디바이스의 마멸재 표면 보다 작은 표면적을 갖는다.
다른 실시예에서, 폴리싱 패드를 컨디셔닝하기 위한 방법이 서술된다. 상기 방법은 회전하는 폴리싱 패드의 폴리싱 표면에 대해 컨디셔닝 디스크를 가압하는 단계, 및 상기 폴리싱 표면과 접촉할 동안 상기 폴리싱 패드의 주변 엣지를 지나 그리고 폴리싱 패드의 주변 엣지 근처에서 희생 패드상으로 적어도 부분적으로 연장하는 스위프 패턴으로 상기 컨디셔닝 디스크를 이동시키는 단계를 포함하며, 상기 컨디셔닝 디스크는 제1표면적을 갖는 마멸재 접촉 표면을 가지며, 상기 희생 패드는 컨디셔닝 디스크의 제1표면적 보다 작은 제2표면적을 갖는다.
본 발명의 상기 열거된 특징이 상세히 이해될 수 있는 방식과 위에 간단히 요약된 본 발명의 더욱 특정한 서술은 실시예를 참고하여 이루어질 수 있으며, 그 일부가 첨부의 도면에 도시되어 있다. 그러나, 본 발명이 다른 등가의 유효한 실시예를 인정할 수 있기 때문에, 첨부의 도면은 단지 본 발명의 전형적인 실시예만 도시하였으며 따라서 그 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않음을 인식해야 한다.
도1은 폴리싱 프로세스를 수행하도록 구성되는 프로세싱 스테이션의 일 실시예의 부분 단면도.
도2는 도1의 프로세싱 스테이션의 상부 평면도.
도3은 도2의 폴리싱 표면 연장 디바이스와 폴리싱 패드의 일부의 횡단면도.
도4a는 폴리싱 표면 연장 디바이스의 일 실시예의 등각도.
도4b는 희생 패드의 일 실시예의 상부 평면도.
도4c는 도4b의 희생 패드의 확대도.
도4d는 폴리싱 패드 및 폴리싱 표면 연장 디바이스의 상부 평면도.
도5는 종래의 컨디셔닝 장치 및 방법을 이용하여 컨디셔닝된 새로운(사용하지 않은) 폴리싱 패드의 마모를 나타내는 테스트 결과를 도시한 그래프.
도6은 여기에 서술되는 폴리싱 표면 연장 디바이스의 실시예를 사용하여 컨디셔닝되는 새로운(사용하지 않은) 폴리싱 패드의 마모를 나타내는 테스트 결과를 도시한 그래프.
이해를 촉진시키기 위해, 도면에서 공통적인 동일한 요소를 식별하도록 가능한 경우 동일한 도면부호가 사용되었다. 일 실시예에 서술되는 요소는 특정한 열거 없이도 다른 실시예에 유익하게 사용될 수 있음이 예상된다.
도1은 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 프로세스 또는 전기화학적 기계적 폴리싱(ECMP) 프로세스와 같은 폴리싱 프로세스를 수행하도록 구성되는 프로세싱 스테이션(100)의 일 실시예의 부분 단면도이다. 프로세싱 스테이션(100)은 단독 유니트 또는 대형 프로세싱 시스템의 일부일 수 있다. 프로세싱 스테이션(100)이 사용될 수 있는 대형 프로세싱 시스템의 예는 다른 폴리싱 시스템들이 사용될 수 있지만, 캘리포니아 산타 클라라 소재의 어플라이드 머티어리얼즈, 인코포레이티드로부터 입수할 수 있는 REFLEXION®, REFLEXION® LK, REFLEXION® LK ECMP™, 및 MIRRA MESA® 폴리싱 시스템을 포함한다. 다른 형태의 프로세싱 패드, 벨트(belt), 인덱스 가능한 웹 타입(web-type) 패드, 또는 그 조합물을 사용하는 것을 포함하는 다른 폴리싱 모듈과 그리고 폴리싱 표면에 대해 회전의, 선형의, 또는 다른 평탄한 운동으로 기판을 이동시키는 것은 여기에 서술되는 실시예로부터의 이익을 얻도록 적용될 수 있다.
프로세싱 스테이션(100)은 베이스(110)상에 회전 가능하게 지지되는 압반(105)을 포함한다. 압반(105)은 회전 축선(A) 주위로 압반(105)을 회전시키도록 적용되는 구동 모터(115)에 연결된다. 압반(105)은 폴리싱 물질(122)로 제조되는 폴리싱 패드(120)를 지지한다. 일 실시예에서, 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 물질(122)은 전형적으로 CMP 프로세스에 사용되는 폴리머 기반 패드 물질과 같은 상용적으로 입수할 수 있는 패드 물질이다. 폴리머 물질은 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 플로오로폴리머, PTFE, PTFA, 폴리페닐렌 황화물(PPS), 또는 그 조합물일 수 있다. 폴리싱 물질(122)은 개방 또는 폐쇄 셀(cell) 발포(foamed) 폴리머, 엘라스토머, 펠트(felt), 함침된(impregnated) 펠트, 플라스틱, 및 프로세싱 화학물(chemistry)과 양립 가능한 유사 물질을 추가로 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 폴리싱 물질(122)은 다공성 코팅을 이용하여 함침되는 펠트 물질이다. 적어도 부분적으로 도전성인 폴리싱 표면을 갖는 폴리싱 패드(120)는 본 발명으로부터의 부터의 이익을 얻도록 적용될 수 있는 것으로 예상된다.
일 실시예에서, 폴리싱 패드(120)는 미세한 구멍(pore) 구조를 포함할 수 있는 냅(nap)을 포함하는 프로세싱 표면(125)을 포함한다. 상기 냅 및/또는 구멍 구조는 기판의 특징부 측부로부터 물질 제거를 실시한다. 폴리싱 화합물 유지, 폴리싱 또는 제거 작용, 그리고 물질 및 유체 운반과 같은 속성은 제거율에 영향을 끼친다. 기판으로부터 물질의 최적 제거를 촉진시키기 위하여, 프로세싱 표면(125)은 상기 냅 또는 구멍 구조를 거칠게 및/또는 완전히 그리고 균일하게 개방시키도록 주기적으로 컨디셔닝되어야만 한다. 프로세싱 표면(125)이 이 방식으로 컨디셔닝될 때, 프로세싱 표면(125)은 균일한 그리고 안정적인 제거율을 제공한다. 패드 표면 습식능력(wetability)을 강화시키고 그리고 예를 들어 폴리싱 화합물로부터 공급되는 마멸재 입자와 같은 폴리싱 화합물을 분산시킴으로써, 거친 프로세싱 표면(125)이 제거를 촉진시킨다.
캐리어 헤드(130)는 폴리싱 패드(120)의 프로세싱 표면(125) 위에 배치된다. 캐리어 헤드(130)는 기판(135)을 유지시키며, 프로세싱 중 폴리싱 패드(120)의 프로세싱 표면을 향해(Z 축선을 따라) 기판(135)을 제어 가능하게 가압한다. 캐리어 헤드(130)는 캐리어 헤드(130)를 지지하고 폴리싱 패드(120)에 대한 캐리어 헤드(130)의 운동을 촉진시키는 지지 부재(140)에 장착된다. 지지 부재(140)는 베이스(110)에 연결될 수 있으며, 또는 폴리싱 패드(120) 위에 캐리어 헤드(130)를 현수(suspend)시키는 방식으로 프로세싱 스테이션(100) 위에 장착될 수 있다. 일 실시예에서, 지지 부재(140)는 프로세싱 스테이션(100) 위에 장착되는 원형 트랙이다. 캐리어 헤드(130)는 회전 축선(B) 주위로 캐리어 헤드(130)의 적어도 회전 운동을 제공하는 구동 시스템(145)에 연결된다. 구동 시스템(145)은 지지 부재(140)를 따라 폴리싱 패드(120)에 대해 횡방향으로(X 및/또는 Y 축) 캐리어 헤드(130)를 이동시키도록 추가적으로 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 구동 시스템(145)은 횡방향 운동과 함께 폴리싱 패드(120)에 대해 캐리어 헤드(130)를 수직으로(Z 축) 이동시킨다. 예를 들어, 구동 시스템(145)은 폴리싱 패드(120)에 대해 기판(135)의 회전 및/또는 횡방향 운동을 제공함과 함께, 폴리싱 패드(120)를 향해 기판(135)을 가압하는데 사용될 수 있다. 캐리어 헤드(130)의 횡방향 운동은 선형 또는 원호형(arcing) 또는 스위핑 운동일 수 있다.
컨디셔닝 디바이스(150) 및 유체 어플리케이터(155)는 폴리싱 패드(120)의 프로세싱 표면(125) 위에 위치되는 것으로 도시되어 있다. 유체 어플리케이터(155)는 폴리싱 패드(120)의 적어도 일부에 폴리싱 유체 또는 폴리싱 화합물을 제공하도록 적용되는 하나 또는 둘 이상의 노즐(160)을 포함한다. 유체 어플리케이터(155)는 베이스(110)에 회전 가능하게 연결된다. 일 실시예에서, 유체 어플리케이터(155)는 회전 축선(C) 주위로 회전하도록 적용되며, 프로세싱 표면(125)을 향해 지향되는 유체를 제공한다. 상기 유체는 화학 용액, 세척 용액, 또는 그 조합물일 수 있다. 예를 들어, 유체는 기판(135)의 특징부 측부로부터의 물질의 제거를 돕도록 적용되는 마멸재 함유 또는 마멸재 비포함(free) 폴리싱 화합물일 수 있다. 또한, 과산화수소와 같은 환원제 및 산화제가 유체에 추가될 수 있다. 대안적으로, 상기 유체는 폴리싱 물질(122)로부터 폴리싱 부산물을 린스(rinse) 또는 씻어내리는데 사용되는 탈이온수(DIW)와 같은 린스 작용제(agent)일 수도 있다. 대안으로, 상기 유체는 폴리싱 물질(122)의 미세한 구멍 구조를 개방시키기 위해 프로세싱 표면(125)의 컨디셔닝을 촉진시키는데 사용될 수 있다.
컨디셔닝 디바이스(150)는 일반적으로 헤드 조립체(170)에 연결되는 컨디셔너(conditioner) 캐리어(165)를 포함한다. 헤드 조립체(170)는 아암(180)에 의해 지지 부재(175)에 연결된다. 지지 부재(175)는 프로세싱 스테이션(100)의 베이스(110)를 통해 배치된다. 회전 축선(D) 주위로 베이스(110)에 대한 지지 부재(175)의 회전을 촉진시키기 위하여, 베이스(110)와 지지 부재(175) 사이에 베어링(도시되지 않음)이 제공된다. 회전 축선(D) 주위로 지지 부재(175)의 회전 방향을 제어하여 폴리싱 패드(120)의 프로세싱 표면(125)에 걸쳐 헤드 조립체(170)가 원호형 또는 스위핑 운동으로 이동하는 것을 허용하기 위해, 베이스(110)와 지지 부재(175) 사이에 작동기(185)가 연결된다. 회전 축선(E) 주위로 폴리싱 패드(120)에 대해 컨디셔너 캐리어(165)를 선택적으로 회전시키기 위해, 지지 부재(175)는 구동 부품들을 수용할 수 있다. 또한, 지지 부재(175)는 컨디셔너 캐리어(165) 또는 헤드 조립체(170) 중 하나의 수직 위치(Z 축으로)를 제어하기 위한 유체 도관을 제공한다.
컨디셔닝 요소(190)는 컨디셔너 캐리어(165)의 바닥 표면에 연결된다. 컨디셔너 캐리어(165)는 헤드 조립체(170)에 연결되며, 컨디셔닝 요소(190)를 이용하여 폴리싱 물질(122)을 컨디셔닝하기 위해 회전 축선(E) 주위로 회전할 동안 압반(105)에 대해 선택적으로 가압될 수 있다. 컨디셔닝 요소(190)는 약 0.1 파운드-힘 내지 약 20 파운드-힘, 예를 들어 약 3 파운드 힘 내지 약 11 파운드 힘의 압력 또는 하향력으로 폴리싱 물질(122)을 향해 가압될 수 있다. 컨디셔닝 요소(190)는 다이아몬드 또는 세라믹 물질과 같은 마멸재 디스크일 수 있으며, 이는 폴리싱 물질(122)을 마멸 및 강화시키도록 구성된다. 대안적으로, 컨디셔닝 요소(190)는 나일론 강모(bristle)를 갖는 디스크와 같은 브러시(brush) 타입 컨디셔닝 디스크일 수도 있다. 컨디셔닝 요소(190)는 전형적으로 원형이며 또는 컨디셔닝 캐리어(165)에 대한 교체 및 부착이 용이하도록 구성되는 디스크이다.
또한, 프로세싱 스테이션(100)은 폴리싱 패드(120) 및 압반(105)의 주변 근처에 위치되는 폴리싱 표면 연장 디바이스(195)를 포함한다. 컨디셔닝 요소(190)의 중심이 폴리싱 패드(226)의 주변으로 또는 주변을 지나 스위프하게 함으로써, 폴리싱 표면 연장 디바이스(195)는 폴리싱 패드(120)의 전체 프로세싱 표면(125)의 컨디셔닝을 제공한다. 연장 디바이스(195)는 컨디셔닝 요소(190)가 폴리싱 패드(226)의 주변으로 또는 주변을 지나 스위프할 때 컨디셔닝 요소(190)를 적어도 부분적으로 지지한다.
도2는 도1의 프로세싱 스테이션(100)의 상부 평면도이다. 일 실시예에서, 프로세싱 스테이션(100)에 배치되는 폴리싱 패드(120)는, 프로세싱 중 기판(135)으로부터의 물질의 제거 및/또는 유체 운반을 촉진시키는 패턴화된(patterned) 프로세싱 표면(200)을 포함한다. 패턴화된 프로세싱 표면(200)은 폴리싱 물질(122)에 특정한 깊이로 형성되는 천공부(perforation) 또는 홈(groove) 또는 채널을 포함할 수 있다. 상기 채널 또는 홈은 선형이거나 또는 구부러질 수 있고, 폴리싱 패드(120)상에 방사방향, 그리드, X/Y 패턴, 나선형(spiral) 또는 원형 방향을 가질 수 있다. 상기 채널 또는 홈은 교차하거나 또는 교차하지 않을 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 폴리싱 물질(122)은 엠보싱될 수 있다. 이 실시예에서, 패턴화된 프로세싱 표면(200)은 복수의 동심(concentric) 채널 또는 홈(205)을 포함한다.
도2는 또한 폴리싱 중 패턴화된 프로세싱 표면(200)상에 기판(135)의 폴리싱 스위프 패턴(210A)의 일 실시예를 나타내기 위해 폴리싱 패드(120)(부분적으로 가상선인)의 폴리싱 물질(122)상에 배치되는 기판(135)을 도시하고 있다. 패턴화된 프로세싱 표면(200)상에 컨디셔닝 요소(190)의 컨디셔닝 스위프 패턴(210B)의 일 실시예를 나타내기 위해, 컨디셔닝 요소(135)는 부분적으로 가상선으로 도시되어 있다. 패턴화된 프로세싱 표면(200)을 컨디셔닝 및/또는 리프레시(refresh)하여 기판(135)으로부터의 강화된 물질의 제거율을 촉진시키기 위해, 컨디셔닝 요소(190)는 프로세싱 표면(200)에 걸쳐 스위핑된다.
이 실시예에서, 폴리싱 패드(120)는 원형이며, 폴리싱 패드(120)의 기하학적 중심(215A)으로부터 폴리싱 패드(120)의 엣지(220)까지 반경(R)을 포함한다. 외경에서 또는 외경 근처에서 컨디셔닝 요소가 폴리싱 패드를 더욱 공격적으로 마모시키려는 경향을 갖기 때문에, 종래의 CMP 컨디셔닝 장치는 일반적으로 패드의 전체 반경 또는 표면에 걸쳐 균일하게 컨디셔닝하지 않는다. 폴리싱 패드의 외경에서의 또는 외경 근처에서의 증가된 마모는 "엣지 발딩" 으로서 알려진 것을 생성하며, 이는 폴리싱 패드의 외경의 부분을 폴리싱 프로세스에 바람직하지 않게 한다. 또한, 폴리싱 패드의 외경에서의 또는 외경 근처에서의 증가된 마모는 폴리싱 패드의 수명을 감소시키며, 이는 더욱 빈번한 교체를 필요로 하며, 소유(ownership) 비용 뿐만 아니라 정지시간을 증가시킨다.
폴리싱 표면 연장 디바이스(195)는 컨디셔닝 요소(190)의 적어도 일부가 폴리싱 패드(120)의 엣지(220)를 지나 스위핑되게 할 수 있다. 상기 엣지(220)는 원형 폴리싱 패드(120)의 경우 주변 엣지 또는 원주방향 엣지일 수 있다. 일 실시예에서, 연장 디바이스(195)는 컨디셔닝 요소(1909)의 중심(215B)이 폴리싱 패드(120)의 엣지(220)를 지나 스위프할 수 있도록 충분히 크다. 컨디셔닝 요소(1909)의 중심(215B)이 엣지(220)에 있을 때 또는 엣지 근처에 있을 때, 컨디셔닝 요소(190)는 폴리싱 패드(120)와 연장 디바이스(195)의 조합에 의해 완전히 지지되는(즉, 상부에 완전히) 상태로 존재한다.
도3은 도2의 폴리싱 표면 연장 디바이스(195) 및 폴리싱 패드(120)의 일부의 횡단면도이다. 연장 디바이스(195)는 폴리싱 패드(120)의 엣지(220)에 대해 이동 가능한 지지 부재(300)상에 배치된다. 지지 부재(300)는 교체 가능한 희생 패드(305)를 지지한다. 일 실시예에서, 지지 부재(300)는 조정 가능하며, 폴리싱 패드(120)에 대해 선택적으로 고정될 수 있다. 이 실시예에서, 지지 부재(300)는 프로세싱 표면(200) 및/또는 엣지(220)의 수평면에 대해 수직으로(Z 축) 그리고 수평으로(X 및/또는 Y 축) 조정될 수 있다.
새로운 폴리싱 패드(120)가 압반(105)상에 설치될 때 및/또는 새로운 희생 패드(305)가 폴리싱 표면 연장 디바이스(195)의 지지 부재(300)상에 설치될 때, 희생 패드(305)의 프로세싱 표면(310)의 평면 또는 높이는 폴리싱 패드(226)의 프로세싱 표면(125)에 의해 한정(define)되는 평면 또는 높이와 짝이룸(match)될 수 있다. 프로세싱 표면(310)의 높이는 폴리싱 패드(226)의 프로세싱 표면(125)의 평면에 대해 직선형 엣지 또는 게이지에 의해 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 폴리싱 패드(120)의 엣지(220) 위로 컨디셔닝 요소(190)의 하부 표면을 연장시킴으로써, 높이가 세팅된다. 컨디셔닝 요소(190)의 접촉 표면은 폴리싱 패드(120)의 프로세싱 표면(125)과 접촉하고 그리고 동일 평면상에 있도록(coplanar) 유지되며, 희생 패드(305)의 프로세싱 표면(310)이 컨디셔닝 요소(190)의 접촉 표면과 접촉하도록 지지 부재(300)가 조정될 수 있다. 일단, 지지 부재(300)가 조정되면, 그 후 지지 부재(300)는 폴리싱 프로세스 및/또는 컨디셔닝 프로세스 중 폴리싱 패드(120)에 대해 고정된다. 지지 부재(300)에 대한 조정은 사람 또는 드라이브(drive)의 사용에 의해 수동으로 이루어질 수 있다.
일 실시예에서, 지지 부재(300)는 프로세싱 스테이션(100)의 베이스(108)에 연결된다. 연장 디바이스(195)는 적어도 X 방향 및 Z 방향으로 지지 부재(300)의 위치를 조정하도록 적용되는 구동 시스템(320)을 포함하거나 또는 구동 시스템에 연결된다. 연장 디바이스(195)로부터의 간섭 없이 폴리싱 패드(120)의 회전 운동을 허용하기 위해, 폴리싱 패드(120)의 주변 엣지(220) 사이의 작은 간극(G)이 제공될 수 있다. 상기 간극(G)은 약 3 mm 내지 약 20 mm, 또는 그 이상일 수 있다.
일 실시예에서, 구동 시스템(320)은 폴리싱 패드(120) 및/또는 압반(105)에 대해 지지 부재(300)를 횡방향으로(X 및/또는 Y 축) 및/또는 수직으로(Z 축) 이동시키도록 적용되는 작동기(325)를 포함한다. 일 실시예에서, 작동기(325)는 폴리싱 패드(120) 및/또는 압반(105)에 대해 지지 부재(300)를 횡방향으로 및/또는 수직으로 이동시키도록 적용되는 브레이크를 갖는 공압(pneumatic) 모터이다. 작동기(325)는 베이스(108)에 대해 구동 플랫포옴(330)을 조정하도록 느슨해질 수 있는 파스너(fastener)에 의해 베이스(108)에 다시(in turn) 연결될 수 있는 구동 플랫포옴(330)에 연결될 수 있으며, 이는 폴리싱 패드(120) 및/또는 압반(105)에 대해 지지 부재(300)를 이동시킨다. 다른 실시예에서, 지지 부재(300)의 횡방향 조정은 수동으로 이루어지며, 상기 조정은 세트 스크류(set screw) 또는 볼트와 같은 하나 또는 둘 이상의 파스너에 의해 동심으로 또는 편심으로(eccentrically) 제공된다. 추가적으로 또는 대안적으로, 작동기는 유압 실린더, 리드 스크류(lead screw), 또는 다른 기계적 또는 전기기계적 드라이브일 수 있다.
폴리싱 물질(308)을 포함하는 희생 패드(305)는 지지 부재(300)의 상부 표면(315)상에 지지된다. 일 실시예에서, 폴리싱 물질(308)은 위에 서술한 바와 같이 폴리싱 물질(122)과 동일한 물질로 제조된다. 다른 실시예에서, 희생 패드(305)는 위에 서술한 바와 같이 폴리싱 물질 보다 큰 경도를 갖는 물질일 수 있다. 다른 실시예에서, 희생 패드(305)는 희생 물질 또는 베어링 표면일 수 있다. 희생 패드(305)는 희생 패드(305)의 교체를 허용하는 방식으로 지지 부재(300)의 상부 표면(315)에 고착되거나 그렇지 않을 경우 제거가능하게 연결된다.
이 실시예에서, 폴리싱 패드(120)의 프로세싱 표면(200)은 하나 또는 둘 이상의 제1홈(205A)의 제1세트를 포함하며, 희생 패드(305)의 프로세싱 표면(310)은 폴리싱 패드(120)의 프로세싱 표면(200)상의 패턴과는 상이한 다른 패턴으로 구성될 수 있는 패턴화된 프로세싱 표면을 포함한다. 프로세싱 표면(310)상의 패턴의 예는 천공부, 또는 홈, 또는 채널을 포함한다. 상기 채널 또는 홈은 프로세싱 표면(310)상에 선형 또는 구부러진 패턴, 또는 방사방향 패턴, 그리드, X/Y 패턴, 또는 나선형 또는 원형 방향으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 프로세싱 표면(310)은 하나 또는 둘 이상의 제2홈(205B)의 제2세트를 포함한다. 홈(205A)은 프로세싱 표면(200)의 상부 표면으로부터 홈(205A)의 바닥까지의 측정 시의 깊이(D1)를 포함한다. 일 실시예에서, 홈(205A)의 깊이(D1)는 폴리싱 패드(120)가 새로운 것일 때 약 30 mil 깊을 수 있다. 일 실시예에서, 홈(205B)은 홈(205A)의 깊이(D1)와 실질적으로 동일할 수 있는 깊이(D2)를 포함한다. 홈(205A)의 적어도 일부는, 컨디셔닝 및/또는 폴리싱 프로세스로부터의 물질의 손실로 인해 깊이(D1)의 감소를 경험할 것이다. 컨디셔닝 및/또는 폴리싱 프로세스 중, 폴리싱 물질(122) 및/또는 폴리싱 물질(308)은 컨디셔닝 요소(190)의 접촉 표면으로부터 마모되며, 이는 깊이(D1) 및/또는 깊이(D2)를 감소시킨다.
일 실시예에서, 폴리싱 패드(120)의 홈(205A)은 약 30 mil 내지 약 80 mil, 예를 들어 약 50 mil 의 피치(P1)를 포함한다. 이 실시예에서, 희생 패드(305)상의 홈(205B)은 홈(205)의 피치(P1)와 실질적으로 동일한 피치(P2)를 포함한다. 일부 실시예에서, 연장 디바이스(195)의 포지셔닝(positioning)은 폴리싱 패드(120)의 홈(105A)과 희생 패드(305)의 홈(205B) 사이에 피치(P3)를 제공한다. 상기 피치(P3)는 피치(P1)와 피치(P2) 중 하나 또는 모두 보다 작거나 클 수 있다. 일 실시예에서, 피치(P3)는 피치(P1)와 피치(P2) 중 하나 또는 모두와 실질적으로 동일하다.
도4a는 폴리싱 표면 연장 디바이스(195)의 일 실시예의 등각도이다. 연장 디바이스(195)는 그 위에 배치되는 희생 패드(305)를 갖는 지지 부재(300)를 포함한다. 이 실시예에서, 지지 부재(300)는 접착제(adhesive)(405)에 의해 그에 연결되는 희생 패드(305)를 갖는 본체(400)를 포함한다. 일 실시예에서, 본체(400)는 희생 패드(305)의 표면적 보다 큰 표면적을 갖는 장착 표면(309)을 포함한다. 접착제(405)는 프로세스 화학물에 견디도록 적용되는 온도 및/또는 압력 감응형 접착제일 수 있다. 이 실시예에서, 연장 디바이스(195)는 상기 연장 디바이스(195)의 제1단부(420A)와 제2단부(420B) 사이에 한정되는 인터페이스 표면(410)을 포함한다. 상기 인터페이스 표면(410)은 작동 중 폴리싱 패드(120)(도2 및 3)의 엣지(220) 및 압반(105)과 마주보도록 구성된다. 인터페이스 표면(410)은 본체(400)의 엣지(415A)와 희생 패드(305)의 엣지(415B)를 포함한다. 일 실시예에서, 인터페이스 표면(410)은 제1단부(420A)와 제2단부(4220B) 사이에서 일정한 반경으로 구부러진다. 일 면(aspect)에 있어서, 인터페이스 표면(410)을 한정하는 반경은 실질적으로 압반(105) 및/또는 폴리싱 패드(120)(도시되지 않음)의 반경 보다 미세하게 크거나 동일하다. 예를 들어, 폴리싱 패드가 30 인치 직경을 포함한다면, 인터페이스 표면(410)은 약 15 인치 반경 또는 더 큰 반경에 의해 한정되는 오목한 형상을 가질 것이다. 다른 실시예에서, 인터페이스 표면(410)은 평평하거나 또는 평탄할 수 있다.
일 실시예에서, 연장 디바이스(195)는 희생 패드(305)와 지지 부재(300)의 정렬을 촉진시키도록 적용되는 인덱싱 특징부(425)를 포함한다. 인덱싱 특징부(425)는 인터페이스 표면(410)상의 마크(mark) 또는 인터페이스 표면(410)에 형성되는 오목부(depression) 또는 채널일 수 있다. 일 실시예에서, 인덱싱 특징부(425)는 본체(400)에 형성되는 채널(430A) 및/또는 희생 패드(305)에 형성되는 채널(430B)을 포함한다.
도4b는 희생 패드(305)의 일 실시예의 상부 평면도이다. 일 실시예에서, 희생 패드(305)는 중심 반경(450)을 갖는 원호(440)에 의해 한정되는 원(circle)의 일부 또는 원형 섹터를 포함한다. 일 면에 있어서, 희생 패드(305)는 원호(440)에 의해 경계를 이루는 원형 본체를 포함하며, 엣지(415B)는 원호(440)의 중심(445)으로부터 중첩되는 및/또는 2개의 반경(435A, 435B)에서 원호(440)와 교차하는 코드(chord)를 포함한다. 희생 패드(305)의 중심(445) 및/또는 중심 반경(450)은 설치 및/또는 사용 중 폴리싱 패드(120)(도1 및 2에 도시된)의 반경과 정렬될 수 있다.
일 실시예에서, 희생 패드(305)의 직경 또는 표면적은 컨디셔닝 요소(190)(도1 및 2)의 직경 또는 표면적과 관련된다. 예를 들어, 디스크 형상의 컨디셔닝 요소(190)를 이용하여, 직경 또는 표면적은 컨디셔닝 요소(190)의 컨디셔닝 표면의 표면적 또는 직경을 지칭한다[즉, 폴리싱 물질(122)과 접촉하는 컨디셔닝 요소(190)의 부분). 일 실시예에서, 희생 패드(305)의 표면적은 사용되는 컨디셔닝 요소(190)의 컨디셔닝 표면의 표면적 보다 작다. 예를 들어, 희생 패드(305)의 표면적은 컨디셔닝 요소(190)의 표면적 보다 작다. 일 면에 있어서, 희생 패드(305)의 반경[예를 들어, 반경(450)]은 컨디셔닝 요소(190)의 컨디셔닝 표면의 반경의 100 % 보다 작다. 다른 면에 있어서, 희생 패드(305)의 반경[예를 들어, 반경(450)]은 컨디셔닝 요소(190)의 컨디셔닝 표면의 반경의 75 % 보다 작다. 예를 들어, 희생 패드(305)의 반경[예를 들어, 반경(450)]은 컨디셔닝 요소(190)의 컨디셔닝 표면의 반경의 약 80 % 내지 약 98 % 이다.
특정한 실시예에서, 컨디셔닝 요소(190)의 컨디셔닝 표면의 직경이 약 4.0 인치 내지 약 4.25 인치라면, 컨디셔닝 요소(190)의 컨디셔닝 표면이 약 4.0 인치일 때, 희생 패드(305)의 반경[예를 들어, 반경(450)]은 약 1.8 인치와 같은 약 1.9 인치 내지 약 1.5 인치 이다.
본 발명자들은 희생 패드(305)의 표면적과 컨디셔닝 요소(190)의 컨디셔닝 표면의 표면적 사이의 관계가 패드 수명을 연장시키는 것을 발견하였다. 한가지 고려 사항은 압반(105)의 각속도, 컨디셔닝 요소(190)의 각속도 및/또는 선형 속도와 같은 요소를 포함하며, 그리고 컨디셔닝 요소(190)의 하향력은 컨디셔닝 중 폴리싱 패드(120)의 마모에 영향을 끼친다. 압반(105)의 각속도, 컨디셔닝 요소(190)의 각속도 및/또는 선형 속도, 그리고 컨디셔닝 요소(190)의 하향력이 컨디셔닝 중 동일하게 유지된다면, 폴리싱 패드(120)의 엣지(220)에서의 마모는 폴리싱 패드(120)의 중심(215)에서의 마모에 대해 크다. 컨디셔닝 요소(190)가 컨디셔닝 스위핑 패턴(210B)(도2)으로 이동할 때, 폴리싱 패드(120)의 엣지(220)의 더 큰 마모는 압반(105)의 각속도, 컨디셔닝 요소(190)의 각속도 및/또는 선형 속도, 그리고 컨디셔닝 요소(190)의 하향력 중의 하나 또는 조합의 복잡한 조정에 의해 완화될 수 있다. 본 발명자들은 압반(105)의 각속도, 컨디셔닝 요소(190)의 각속도 및/또는 선형 속도, 그리고 컨디셔닝 요소(190)의 하향력은 여기에 서술되는 바와 같이 희생 패드(305)의 실시예를 사용하여 컨디셔닝 스위프 패턴(210B) 중 일정하게 유지될 수 있음을 발견하였다. 컨디셔닝 요소(190)의 컨디셔닝 표면의 표면적 보다 작은 표면적을 갖는 희생 패드(305)를 사용하는 것은 압반(105)이 회전할 때 컨디셔닝 요소(190)의 상대속도를 균등하게 한다. 따라서, 컨디셔닝 요소의 균등화된 상대속도는 압반(105)의 각속도, 컨디셔닝 요소(190)의 각속도 및/또는 선형 속도, 그리고 컨디셔닝 요소(190)의 하향력의 하나 또는 조합에 대한 조정 없이도 실질적으로 프로세싱 표면(125)의 컨디셔닝을 균등하게 한다. 다른 고려사항은 컨디셔닝 요소(190)의 컨디셔닝 표면의 구성을 포함한다. 일 면에 있어서, 컨디셔닝 요소(190)의 컨디셔닝 표면은 마멸재를 포함하는 중심 표면적과, 마멸재를 포함하지 않는 외측 표면적 또는 주변을 포함할 수 있다. 예를 들어, 컨디셔닝 요소(190)의 컨디셔닝 표면의 약 90 % 는 폴리싱 패드(120)의 프로세싱 표면(125)을 벗기도록 구성되는 다이아몬드 구조와 같은 마멸재를 포함하는 반면에, 컨디셔닝 요소(190)의 컨디셔닝 표면의 외측 주변(예를 들어, 약 10 %)은 폴리싱 패드(120)의 프로세싱 표면(125)을 벗기지 않는다. 따라서, 컨디셔닝 요소의 컨디셔닝 표면상의 마멸재 분포는 희생 패드(305) 및/또는 연장 디바이스(195)의 형상[예를 들어, 크기, 이격거리(spacing) 또는 조정]과 관련될 수 있다.
도4c는 채널(430B)의 상세(detail)를 도시하기 위한 도4b의 희생 패드(305)의 확대된 도면이다. 일 면에 있어서, 채널(430B)은 측벽(455A, 455B)과 같은 적어도 하나의 측벽을 포함한다. 측벽(455A, 455B)은 희생 패드(305)의 중심(445)을 향해 경사 또는 지향된다. 일 실시예에서, 측벽(455A, 455B)은 수직선(normal)으로부터 또는 엣지(415B)에 대해 각도(α')로 및/또는 각도(α")로 내향하여 경사진다. 일 면에 있어서, 각도(α' 또는 α") 중 적어도 하나는 약 60°와 같은 약 30°내지 약 75°이다. 일 실시예에서, 각도(α') 및 각도(α") 모두는 실질적으로 동일하다.
도4d는 폴리싱 패드(120) 및 폴리싱 표면 연장 디바이스(195)의 상부 평면도이다. 이 실시예에서, 폴리싱 패드(120)에 대한 폴리싱 표면 연장 디바이스(195)의 정렬이 도시되어 있다. 폴리싱 패드(120)는 반경(460)을 포함하며, 폴리싱 표면 연장 디바이스(195)의 인덱싱 특징부(425)는 실질적으로 반경(460)과 정렬된다. 다른 면에 있어서, 희생 패드(305)의 반경(450) 및 중심(445)은 실질적으로 폴리싱 패드(120)의 반경(460)과 정렬될 수 있다.
도5는 종래의 컨디셔닝 장치 및 방법으로 컨디셔닝된 새로운(사용하지 않은) 폴리싱 패드의 마모의 테스트 결과를 도시한 그래프(500)이다. 폴리싱 패드는 도1 및 2에 서술된 폴리싱 패드(120)와 유사하다. 폴리싱 패드는 예시적으로 30 인치 직경과 약 30 mil 깊이의 홈을 갖는다. 테스트는 7 파운드-힘의 하향력으로 다이아몬드 컨디셔닝 디스크를 사용하여 실행되었다. 기준 번호(505)는 폴리싱 패드의 프로세싱 표면의 반경을 따라 컨디셔닝 스위프 패턴 내의 스위프 범위를 나타낸다. 각각의 단부(510A, 510B)는 컨디셔닝 요소의 중심[즉, 예를 들어 도2에 도시된 컨디셔닝 요소(190)의 중심(215)]이 스위프 범위(505)의 한계에 도달하는 방사방향 위치를 나타낸다. 컨디셔닝 디스크는 약 60 RPM 으로 회전되었으며, 스위프 주파수는 분당 약 20 사이클이었다. 세로좌표 평면은 홈 깊이의 측정값을 mil 로 나타내며, 가로좌표 평면은 폴리싱 패드의 반경을 인치로 나타낸다.
새로운 폴리싱 패드 및 컨디셔닝된 폴리싱 패드를 사용하는 폴리싱 프로세스에 대한 브레이크-인(break-in) 컨디셔닝 계획을 사용하여 테스트가 실행되었다. 폴리싱 패드는 폴리싱 프로세스 중 계속 컨디셔닝되었다. 컨디셔닝 및/또는 폴리싱에 의해 프로세싱 표면으로부터 제거된 물질의 크기를 결정하는 것으로 도시된 증가 시의 홈 깊이가 측정되었다. 515 로 표시된 반경방향 지역에 도시된 바와 같이, 폴리싱 패드의 프로세싱 표면의 최외측 부분이 폴리싱 패드의 내측 부분 보다 큰 비율로 마모되었다. 폴리싱 패드의 최외측 부분에서의 더 큰 마모는 폴리싱 패드의 수명을 상당히 감소시켰다.
도6은 여기에 서술되는 희생 패드(305)를 갖는 폴리싱 표면 연장 디바이스(195)를 이용하여 컨디셔닝되는 새로운(사용하지 않은) 폴리싱 패드의 테스트 결과를 도시한 그래프(600)이다. 폴리싱 패드는 도1 및 2에 서술된 폴리싱 패드(120)와 유사하다. 폴리싱 패드는 예시적으로 30 인치 직경과 약 30 mil 깊이의 홈을 갖는다. 테스트는 7 파운드-힘의 하향력으로 다이아몬드 컨디셔닝 디스크를 사용하여 실행되었다. 기준 번호(605)는 폴리싱 패드의 프로세싱 표면의 반경을 따라 컨디셔닝 스위프 패턴[즉, 도2에 도시된 바와 같이 컨디셔닝 스위프 패턴(210B)] 내의 스위프 범위를 나타낸다. 각각의 단부(610A, 610B)는 컨디셔닝 요소의 중심[즉, 예를 들어 도2에 도시된 컨디셔닝 요소(190)의 중심(215)]이 스위프 범위(505)의 한계에 도달하는 반경방향 위치를 나타낸다. 컨디셔닝 디스크는 약 60 RPM 으로 회전되었으며, 스위프 주파수는 분당 약 20 사이클이었다. 세로좌표 평면은 홈 깊이의 측정값을 mil 로 나타내며, 가로좌표 평면은 폴리싱 패드의 반경을 인치로 나타낸다.
새로운 폴리싱 패드 및 컨디셔닝된 폴리싱 패드를 사용하는 폴리싱 프로세스에 대한 브레이크-인(break-in) 컨디셔닝 계획을 사용하여 테스트가 실행되었다. 폴리싱 패드는 폴리싱 프로세스 중 계속 컨디셔닝되었다. 컨디셔닝 및/또는 폴리싱에 의해 프로세싱 표면으로부터 제거된 물질의 크기를 결정하는 것으로 도시된 증가 시의 홈 깊이가 측정되었다. 도시된 바와 같이, 폴리싱 표면의 마모는 컨디셔닝 요소가 폴리싱 패드의 엣지를 지나 연장되는 것이 허용될 때 지역(515)에서 컨디셔닝 요소와 동일한 비율로 완화 또는 컨디셔닝 되었다. 도시된 바와 같이, 지역(515)에서 폴리싱 패드의 완화된 마모는 폴리싱 패드의 수명을 연장시켰다.
여기에 서술되는 실시예는 폴리싱 패드에 불리한 컨디셔닝 효과에 반대로 작용하기 위한 방법 및 장치를 제공한다. 여기에 서술되는 방법 및 장치는 더욱 긴 패드 수명을 촉진시키며 그리고 폴리싱 패드의 더 오랜 사용을 촉진시킨다.
상술한 바는 본 발명의 실시예에 관한 것이지만, 그 기본적인 범위로부터의 일탈 없이 본 발명의 다른 및 추가적인 실시예가 창작될 수 있다.
100: 프로세싱 스테이션 105: 압반
115: 구동 모터 120: 폴리싱 패드
125: 프로세싱 표면 130: 캐리어 헤드
135: 기판 140: 지지 부재
150: 컨디셔닝 디바이스

Claims (15)

  1. 장치로서:
    회전 가능한 폴리싱 패드가 상부 표면에 연결되는 베이스;
    주변 엣지를 지나 연장되고 스위프 패턴으로 상기 폴리싱 표면에 대해 이동하도록 구성되는 컨디셔닝 장치; 및
    상기 폴리싱 패드의 상기 주변 엣지 근처에서 상기 베이스에 연결되며 그리고 상기 컨디셔닝 디바이스가 스위프 패턴의 적어도 일부에 있을 때 컨디셔닝 디바이스를 지지하도록 구성되는 연장 디바이스; 를 포함하며,
    상기 연장 디바이스는:
    상기 폴리싱 패드에 대해 이동 가능한 본체; 및
    상기 본체의 장착 표면에 연결되는 폴리싱 물질을 포함하는 희생 패드; 를 포함하며,
    상기 폴리싱 패드는 폴리싱 표면 및 주변 엣지를 가지며, 상기 본체와 희생 패드 중 하나 또는 모두는 인덱싱 특징부를 포함하는
    장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 희생 패드는 상기 컨디셔닝 디바이스의 표면적 보다 작은 표면적을 포함하는
    장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 인덱싱 특징부는 상기 본체에 형성되는 채널을 포함하는
    장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 인덱싱 특징부는 상기 채널과 정렬되는 상기 희생 패드상에 배치되는 노치를 포함하는
    장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 본체는 폴리싱 패드의 주변 엣지와 마주보는 인터페이스 표면을 포함하고 그리고 간극에 의해 상기 주변 엣지로부터 분리되는
    장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 인터페이스 표면은 오목한
    장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 폴리싱 패드는 원형이고 그리고 반경을 포함하며, 상기 인터페이스 표면은 상기 폴리싱 패드의 반경과 실질적으로 동일한 반경을 포함하는
    장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 폴리싱 패드 및 희생 패드 모두는 패턴화된 표면을 포함하는
    장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 패턴화된 표면은 상기 폴리싱 패드 및 희생 패드 모두에서 실질적으로 동일한
    장치.
  10. 장치로서:
    그 상부 표면에 연결되는 원형 폴리싱 패드 및 회전 가능한 압반을 갖는 베이스;
    원주방향 엣지를 지나 연장되고 스위프 패턴으로 폴리싱 표면에 대해 이동하도록 구성되는 마멸재 표면을 갖는 컨디셔닝 디바이스; 및
    상기 폴리싱 패드의 원주방향 엣지 근처에서 상기 베이스에 연결되며 그리고 상기 컨디셔닝 디바이스가 스위프 패턴의 적어도 일부에 있을 때 상기 컨디셔닝 디바이스를 지지하도록 구성되는 연장 디바이스; 를 포함하며,
    상기 연장 디바이스는:
    상기 폴리싱 패드에 대해 이동 가능한 본체;
    상기 본체의 장착 표면에 연결되는 폴리싱 물질을 포함하는 희생 패드; 및
    상기 희생 패드와 상기 장착 표면의 정렬을 촉진시키기 위하여 상기 본체와 상기 희생 패드 중 하나 또는 모두에 배치되는 인덱싱 특징부를 포함하며,
    상기 폴리싱 패드는 폴리싱 표면 및 원주방향 엣지를 가지며, 상기 본체는 상기 폴리싱 패드의 원주방향 엣지와 마주보는 인터페이스 표면을 가지며, 상기 희생 패드는 상기 컨디셔닝 디바이스의 마멸재 표면 보다 작은 표면적을 갖는
    장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 인덱싱 특징부는 상기 본체에 형성되는 채널을 포함하는
    장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 희생 패드상에 배치되는 상기 인덱싱 특징부는 상기 본체에 형성되는 상기 채널과 정렬되는 채널을 포함하는
    장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 인터페이스 표면은 오목한
    장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 인터페이스 표면은 상기 폴리싱 패드의 반경과 실질적으로 동일한 반경을 포함하는
    장치.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 본체는 수직 방향과 수평 방향 중 하나 또는 모두로 조정 가능한
    장치.


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