CN105328562A - 一种化学机械研磨方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种化学机械研磨方法，晶圆研磨前或开始后，将修整器置于研磨垫的边缘，使修整器向研磨垫中央移动，使研磨液均匀分布于研磨垫；当修整器到达研磨垫的中央区域时，抬升修整器脱离研磨垫回至初始位置；来回移动修整器至研磨液分布于研磨垫的整个区域。研磨结束后，将修整器置于研磨垫上中央区域，使修整器向研磨垫边缘移动，将研磨中副产物推向研磨垫之外；当修整器到达研磨垫边缘时，抬升修整器，使其脱离研磨垫回至研磨垫中央区域；来回移动修整器至研磨副产物被推向研磨垫之外。本发明实现了研磨液的均匀分布，研磨结束后，将研磨副产物推向研磨垫之外，有效修复了研磨垫，避免研磨垫长期积累副产物而导致划伤晶圆的情况。

Description

一种化学机械研磨方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种化学机械研磨方法。

背景技术

随着超大规模集成电路(UltraLargeScaleIntegration，ULSI)的飞速发展，集成电路制造工艺变得越来越复杂和精细。为了提高集成度，降低制造成本，器件的特征尺寸(FeatureSize)不断变小，芯片单位面积的元件数量不断增加，平面布线已难满足元件高密度分布的要求，只能采用多层布线技术，利用芯片的垂直空间，进一步提高器件的集成密度。但多层布线技术的应用会造成硅片表面起伏不平，对图形制作极其不利。为此，需要对不平坦的晶片表面进行平坦化(Planarization)处理。目前，化学机械研磨法(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)是达成全局平坦化的最佳方法，尤其在半导体制作工艺进入亚微米(submicron)领域后，化学机械研磨已成为一项不可或缺的制作工艺技术。

化学机械研磨法(CMP)是通过化学反应和机械研磨相结合的方式将半导体结构表面的材料层去除的一种平坦化方法。请参见图1，图1是一种现有的化学机械研磨装置。该装置包括：表面贴有研磨垫10的研磨平台102、吸附晶圆121的研磨头12、研磨液分布于所述研磨垫10表面的凹槽101中。研磨时，先将待研磨的晶圆121吸附在研磨头12上，通过在研磨头上施加压力，使晶圆紧压到研磨垫上，将晶圆位于研磨垫上表面进行研磨；然后，表面贴有研磨垫的研磨平台102在电机的带动下旋转，研磨头12也进行同向转动，实现机械研磨；与此同时，修整器11在所述研磨垫表面来回摆动，用于将所述研磨垫表面的研磨液涂抹均匀；在研磨过程中，由于研磨液的作用，待研磨晶圆和研磨垫之间形成一层液体薄膜，该薄膜与待研磨晶圆的表面发生化学反应，生成研磨过程中的副产物13；在修整器来回摆动的过程中，及其容易使研磨产生的副产物聚集在研磨垫及沟槽内，可能造成晶圆的划伤。

因此，上述化学机械研磨方法极有可能造成晶圆报废，使得产品的良率下降。因此，有必要提出一种新的化学机械研磨方法来避免上述情况的发生。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种化学机械研磨方法，用于解决现有技术的研磨过程中，修整器在将研磨液涂抹不均匀的同时，将晶圆表面与研磨液反应生成的副产物聚集在研磨垫及沟槽将晶圆划伤的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种化学机械研磨方法，其特征在于，该方法提供一研磨头和吸附于所述研磨头下表面的晶圆，用于实现晶圆研磨；该方法还包括以下步骤：

(1)晶圆研磨前或开始后，提供一研磨垫和与所述研磨垫接触的一修整器；

(2)将所述修整器置于所述研磨垫的边缘区域，对该修整器施加指向所述研磨垫表面的压力，并使该修整器逐渐向所述研磨垫中央区域移动，使研磨液均匀分布于该研磨垫上表面；当所述修整器到达所述研磨垫的中央区域时，抬升所述修整器使其脱离所述研磨垫表面；

(3)重复步骤(2)直至所述研磨液均匀分布于所述研磨垫的上表面为止；

(4)晶圆研磨结束后，将所述修整器置于所述研磨垫上表面的中央区域，使该修整器逐渐向所述研磨垫边缘区域移动，同时将晶圆研磨过程中的研磨副产物推向所述研磨垫的边缘区域；当所述修整器到达所述研磨垫的边缘区域时，将所述修整器抬升，使其脱离所述研磨垫的上表面；

(5)重复步骤(4)，直至所述研磨垫上的研磨副产物完全被推向所述研磨垫之外为止。

优选地，所述晶圆研磨包括将吸附在所述研磨头下表面的晶圆置于所述研磨垫上表面进行研磨，直至研磨结束为止。

优选地，所述研磨垫具有凹槽；所述修整器与所述研磨垫接触的表面设有若干金刚石颗粒。

优选地，所述修整器从研磨垫的中央区域移动至该研磨垫边缘区域的过程中，对所述修整器施加指向所述研磨垫表面的压力。

优选地，提供一支撑臂；所述修整器由位于其上方的所述支撑臂悬挂；所述修整器在所述研磨垫上表面来回移动的过程中，所述支撑臂随所述修整器来回移动。

优选地，所述研磨垫的形状为圆形；所述修整器的形状为圆形；所述研磨垫放置于一研磨平台上；所述研磨垫在研磨过程中发生旋转。

优选地，所述研磨液由氧化剂和研磨粒子组成。

优选地，所述研磨垫由多孔的、有弹性的聚合物材料制作而成。

如上所述，本发明的化学机械研磨方法，在晶圆研磨前和研磨过程中，由于研磨垫的旋转，研磨液在离心力的作用下会更多地分布于研磨垫的边缘，而本发明的化学机械研磨方法，其具有以下有益效果：使修整器在研磨垫表面重复多次由边缘区域向中央区域移动从而将研磨液均匀分布于研磨垫上表面，使得研磨时更多的利用研磨液达到充分研磨；在研磨后，修整器在研磨垫表面重复多次由中央区域向边缘区域移动，从而将研磨后的副产物从研磨垫中央推动至研磨垫之外，实现了研磨垫的修复，避免下次研磨时研磨副产物等刮伤晶圆。

附图说明

图1显示为本发明现有技术中的化学机械研磨装置示意图。

图2显示为本发明的化学机械研磨方法流程图。

图3显示为本发明的化学机械研磨方法的研磨前或研磨过程中修整器移动轨迹示意图。

图4显示为本发明的化学机械研磨方法的研磨后修整器移动轨迹示意图。

元件标号说明

10研磨垫

101凹槽

102研磨平台

11修整器

12研磨头

121晶圆

13副产物

14支撑臂

S1～S5步骤

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图2至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

实施例一

如图2所述，显示为本发明的化学机械研磨方法的流程图。如图3所示，本实施例提供一种化学机械研磨方法，该化学机械研磨方法中包括一研磨头和吸附于所述研磨头下表面的晶圆，用于实现晶圆研磨；首先，步骤S1：晶圆研磨前，如图3所示，提供一上表面分布有研磨液的研磨垫10和与所述研磨垫10接触的一修整器11；优选地，所述研磨垫10的表面具有凹槽；所述凹槽用于分布研磨液；所述修整器11与所述研磨垫10接触的表面设有若干金刚石颗粒，所述金刚石颗粒用于在研磨前清除所述研磨垫凹槽中的残留物，避免在后续晶圆的研磨过程中，停留在所述研磨垫表面的残留物划伤晶圆，导致晶圆破片甚至报废。

本实施例中，优选地，如图3所示，提供一支撑臂14；所述修整器11由位于其上方的所述支撑臂14悬挂。

接着实施步骤S2：如图3所示，将所述修整器11置于所述研磨垫10上表面的边缘区域，接着对所述修整器施加压力，所述压力指向所述研磨垫表面，优选地，所施加的压力为0-0.6MPa,本实施例中所施加的压力为0.15MPa时，优选地，所述压力垂直于所述修整器上表面，接着，所述支撑臂拖动所述修整器逐渐向所述研磨垫的中央区域移动，如图3中所示的靠近所述研磨垫表面的水平箭头，表示所述修整器由所述研磨垫边缘向其中央区域移动的过程；优选地，本实施例中所述研磨垫发生旋转，优选地，所述研磨垫的旋转速率为0-410rpm，本实施例中所述研磨垫的旋转速率为110rpm；在此旋转速率下，晶圆的研磨会更充分，修整器的移动更加均匀；由于位于所述研磨垫上表面的研磨液在所述研磨垫发生旋转的情况下，所述研磨液在离心力的作用下被甩在所述研磨垫的边缘；在所述修整器向所述研磨垫中央区域移动的过程中，所述修整器在压力的挤压下使处于所述研磨垫边缘的研磨液分布于所述研磨垫的上表面，即位于所述研磨垫边缘区域的研磨液被所述修整器涂抹开；当所述修整器到达所述研磨垫的中央区域时，沿着如图3中竖直向上的箭头方向，抬升所述修整器使其脱离所述研磨垫的上表面。

接着实施步骤S3：该步骤为重复实施步骤S2，直至所述研磨液均匀分布于所述研磨垫的上表面为止，即再将所述修整器由所述研磨垫的中央区域移动至边缘区域(沿着图3中水平向左的箭头方向移动)。接着，对所述修整器施加压力，所述压力指向所述研磨垫表面，优选地，所述压力垂直于所述修整器上表面，接着，所述支撑臂拖动所述修整器逐渐向所述研磨垫的中央区域移动，在所述修整器向所述研磨垫中央区域移动的过程中，所述修整器在压力的挤压下使处于所述研磨垫边缘的研磨液分布于所述研磨垫的上表面；当所述修整器到达所述研磨垫的中央区域时，沿着如图3中竖直向上的箭头方向抬升所述修整器使其脱离所述研磨垫的上表面。

步骤S2在本实施例中多次实施，实施该步骤的过程中，反复将所述修整器置于所述研磨垫的边缘区域，当所述研磨垫为圆形时，优选地，所述修整器由边缘区域移动至中央区域的轨迹是沿着该圆形的半径，所述修整器经过的轨迹可以重复，但最终所述研磨垫表面全部边缘区域被所述修整器经过。步骤S2在本实施例中多次实施直至所述研磨垫表面上所有的边缘区域都被所述修整器接触并且使得所述研磨垫表面所有边缘区域的研磨液分布于所述研磨垫的上表面。优选地，本实施例中，所述修整器的形状为圆形；如图3中，所述研磨垫放置于一研磨平台102上。进一步优选地，所述研磨垫由多孔的、有弹性的聚合物材料制作而成。

本实施例中，实施所述步骤S1至步骤S3之后，进行晶圆的研磨，在所述晶圆的研磨过程中，所述修整器停止移动；所述晶圆的研磨过程为：将研磨头下表面吸附晶圆后，将晶圆置于所述研磨垫上表面，在本实施例的步骤S1至步骤S3中已经将所述研磨垫边缘区域的研磨液分布于所述研磨垫的上表面，晶圆研磨时，晶圆的表面一边需要和研磨垫上表面的研磨液进行反应，一边在机械作用下，研磨液中的研磨颗粒致使晶圆表面平坦化，平坦化是一种移除表面凹凸特征使表面平坦的工艺，平坦化的程度意味着表面的光滑度和平整度。优选地，所述研磨液由氧化剂和研磨粒子组成。为了达到理想的研磨效果，优选地，所述研磨垫在晶圆研磨过程中发生旋转。

步骤S4：所述晶圆研磨结束后，所述研磨头停止工作，所述研磨头和晶圆均脱离所述研磨垫表面。将所述修整器置于所述研磨垫上表面的中央区域，如图4所示，所述修整器沿着水平向左的箭头指示的方向逐渐由研磨垫中央区域向研磨垫边缘区域移动，优选地，所述修整器由中央区域移动至边缘区域的过程中，对所述修整器施加指向所述研磨垫表面的压力。进一步优选地，所述压力垂直于所述研磨垫上表面，在该压力的作用下，所述修整器可以实现在所述研磨垫上的移动。在所述修整器由中央区域移动至边缘区域的过程中，所述修整器将晶圆研磨的副产物推向所述研磨垫之外，图4中，当所述修整器到达所述研磨垫的边缘时，沿着竖直向上的箭头所示的方向抬升所述修整器，使其脱离所述研磨垫的上表面。

接着实施步骤S5：重复实施步骤S4，直至所述研磨垫上的研磨副产物完全被推向所述研磨垫边缘区域为止。

接着步骤S4，当所述修整器抬升至所述研磨垫上方的边缘区域时，在所述支撑臂的牵引下沿着图4水平向右的箭头所指的方向再次将所述修整器置于所述研磨垫上表面的中央区域，当所述修整器与所述研磨垫表面接触时，所述修整器沿着水平向左的箭头指示的方向逐渐由研磨垫中央区域向研磨垫边缘区域移动。优选地，所述修整器由中央区域移动至边缘区域的过程中，对所述修整器施加指向所述研磨垫表面的压力。进一步优选地，所述压力垂直于所述研磨垫上表面，在该压力的作用下，所述修整器可以实现在所述研磨垫上的移动。在所述修整器由中央区域移动至边缘区域的过程中，所述修整器将晶圆研磨过程中的研磨副产物推向所述研磨垫之外，图4中，当所述修整器达到所述研磨垫的边缘区域时，沿着竖直向上的箭头所示的方向抬升所述修整器，使其脱离所述研磨垫的上表面。也就是说，该步骤为多次实施步骤S4所得，最终使得所述研磨垫上的研磨副产物完全被推向所述研磨垫之外为止。所述修整器由研磨垫中央区域移动至边缘区域的过程中，所述修整器在所述研磨垫上经过的轨迹基本不相同，也就是说，当所述研磨垫为圆形时，所述修整器的初始位置(没有与研磨垫接触的位置)是位于圆形的中心，之后所述修整器沿着该圆形的不同半径由中心移动至边缘，因此，所述修整器经过了所述研磨垫的全部的表面区域，直至研磨后的副产物被全部移动至所述研磨垫之外为止。

实施例二

首先实施步骤S1：该步骤中，如图3所示，提供一上表面分布有研磨液的研磨垫10和与所述研磨垫10接触的一修整器11；优选地，所述研磨垫10的表面具有凹槽；所述凹槽用于分布研磨液；所述修整器11与所述研磨垫10接触的表面设有若干金刚石颗粒，所述金刚石颗粒用于在研磨过程中清除所述研磨垫凹槽中的残留物。

接着提供一研磨头和吸附于所述研磨头下表面的晶圆，用于实现晶圆研磨。将研磨头下表面吸附晶圆后，将晶圆置于所述研磨垫的上表面，所述晶圆表面一边需要和研磨垫上表面的研磨液进行反应，一边在机械作用下，将反应后的副产物研磨掉，致使晶圆表面平坦化，优选地，所述研磨液由氧化剂和研磨粒子组成。为了达到理想的研磨效果，优选地，所述研磨垫在晶圆研磨过程中发生旋转。

本实施例中，优选地，如图3所示，提供一支撑臂14；所述修整器11由位于其上方的所述支撑臂14悬挂。

接着实施步骤S2：在晶圆的研磨过程中，将所述修整器11置于所述研磨垫10上表面的边缘区域，接着对所述修整器施加压力，所述压力指向所述研磨垫表面，优选地，所施加的压力为0-0.6MPa,本实施例中所施加的压力为0.15MPa时，优选地，所述压力垂直于所述修整器上表面，接着，所述支撑臂拖动所述修整器逐渐向所述研磨垫的中央区域移动，如图3中所示的靠近所述研磨垫表面的水平箭头，表示所述修整器由所述研磨垫边缘向其中央区域移动的方向；优选地，本实施例中所述研磨垫发生旋转，由于位于所述研磨垫上表面的研磨液在所述研磨垫发生旋转的情况下，所述研磨液在离心力的作用下被甩在所述研磨垫的边缘；优选地，所述研磨垫的旋转速率为0-410rpm，本实施例中所述研磨垫的旋转速率为110rpm；在此旋转速率下，晶圆的研磨会更充分，修整器的移动更加均匀；在所述修整器向所述研磨垫中央区域移动的过程中，所述修整器在压力的挤压下使得处于所述研磨垫边缘的研磨液分布于所述研磨垫的上表面；即位于所述研磨垫边缘区域的研磨液被所述修整器涂抹开；当所述修整器到达所述研磨垫的中央区域时，沿着如图3中竖直向上的箭头方向抬升所述修整器使其脱离所述研磨垫的上表面。该步骤的整个过程均伴随晶圆的研磨，该步骤中，一边进行晶圆的研磨，一边将所述修整器置于所述研磨垫的表面使研磨垫边缘区域的研磨液均匀分布于所述研磨垫上表面；所述晶圆的研磨和所述修整器的移动二者在所述研磨垫上表面上同时进行且互不干扰。

接着实施步骤S3：该步骤为重复实施步骤S2，直至所述研磨液均匀分布于所述研磨垫的上表面为止，即再将所述修整器由所述研磨垫上方的中央区域移动至其上方的边缘区域(沿着图3中水平向左的箭头方向移动)。接着，对所述修整器施加压力，所述压力指向所述研磨垫表面，优选地，所述压力垂直于所述修整器上表面，接着，所述支撑臂拖动所述修整器逐渐向所述研磨垫的中央区域移动，所述修整器由所述研磨垫边缘向其中央区域移动的过程中，所述修整器在压力的挤压下使处于所述研磨垫边缘的研磨液分布于所述研磨垫的上表面其他区域；当所述修整器到达所述研磨垫的中央区域时，沿着如图3中竖直向上的箭头方向抬升所述修整器使其脱离所述研磨垫的上表面。该步骤S3中伴随晶圆的研磨过程，一边进行晶圆的研磨，一边将所述修整器置于所述研磨垫的表面使得研磨垫边缘区域的研磨液分布于研磨垫的其他区域；所述晶圆的研磨和所述修整器的移动二者在所述研磨垫上表面上同时进行且互不干扰。

步骤S3是步骤S2在本实施例中多次实施所得，步骤S2中，反复将所述修整器置于所述研磨垫上方的边缘区域，当所述研磨垫为圆形时，所述修整器由边缘区域移动至中央区域的轨迹是沿着该圆形的半径，所述修整器经过的轨迹可以重复，但最终所述研磨垫表面的全部边缘区域被所述修整器经过。步骤S2在本实施例中多次实施直至所述研磨垫表面上所有的边缘区域都被所述修整器接触并且使得所述研磨垫表面所有边缘区域的研磨液均匀分布于所述研磨垫的上表面为止。优选地，本实施例中，所述研磨垫的形状为圆形；如图3中，所述研磨垫放置于一研磨平台102上。进一步优选地，所述研磨垫由多孔的、有弹性的聚合物材料制作而成。

步骤S4：所述晶圆研磨结束后，所述研磨头停止工作，即停止所述晶圆的研磨过程。所述研磨头和晶圆均脱离所述研磨垫表面。将所述修整器置于所述研磨垫上表面的中央区域，如图4所示，所述修整器沿着水平向左的箭头指示的方向逐渐由研磨垫中央区域向研磨垫边缘区域移动，优选地，所述修整器由中央区域移动至边缘区域的过程中，对所述修整器施加指向所述研磨垫表面的压力。进一步优选地，所述压力垂直于所述研磨垫上表面，在该压力的作用下，所述修整器可以实现在所述研磨垫上的移动。在所述修整器由中央区域移动至边缘区域的过程中，所述修整器将晶圆研磨过程中的研磨副产物推向所述研磨垫之外，图4中，当所述修整器到达所述研磨垫的边缘区域时，沿着竖直向上的箭头所示的方向抬升所述修整器，使其脱离所述研磨垫的上表面。

接着实施步骤S5：重复实施步骤S4，直至所述研磨垫上的研磨副产物完全被推向所述研磨垫之外为止。

当所述修整器抬升至所述研磨垫上方的边缘区域时，在所述支撑臂的牵引下沿着图4水平向右的箭头所指的方向再次将所述修整器置于所述研磨垫上表面的中央区域，当所述修整器与所述研磨垫表面接触时，所述修整器沿着水平向左的箭头指示的方向逐渐由研磨垫中央区域向研磨垫边缘区域移动。优选地，所述修整器由中央区域移动至边缘区域的过程中，对所述修整器施加指向所述研磨垫表面的压力。进一步优选地，所述压力垂直于所述研磨垫上表面，在该压力的作用下，所述修整器可以实现在所述研磨垫上的移动。在所述修整器由中央区域移动至边缘区域的过程中，所述修整器将晶圆研磨过程中的研磨副产物推向所述研磨垫之外，图4中，当所述修整器达到所述研磨垫的边缘区域时，沿着竖直向上的箭头所示的方向抬升所述修整器，使其脱离所述研磨垫的上表面。也就是说，该步骤为多次实施步骤S4所得，最终使得所述研磨垫上的研磨副产物完全被推向所述研磨垫边缘区域。所述修整器由研磨垫中央区域移动至边缘区域的过程中，所述修整器在所述研磨垫上经过的轨迹基本不相同，当所述研磨垫为圆形时，所述修整器的初始位置是位于圆形的中心，之后所述修整器沿着该圆形的不同半径由中心移动至边缘，因此，所述修整器经过了所述研磨垫的全部的表面区域，直至研磨后的副产物被全部移动至所述研磨垫之外。

至此，完成了本发明的化学机械研磨方法所有实施过程。

综上所述，本发明在晶圆研磨前和研磨过程中，使修整器在研磨垫表面重复多次由边缘区域向中央区域移动从而最终将研磨液均匀分布为研磨垫上表面，使得研磨时由于研磨垫的旋转，所述研磨液被甩至所述研磨垫边缘后，被所述修整器均匀涂抹在所述研磨垫的上表面，从而更多的利用研磨液达到充分研磨；在研磨后，修整器在研磨垫表面重复多次由中央区域向边缘区域移动，从而将研磨后的副产物从研磨垫上表面推动至研磨垫之外，实现了研磨垫的修复，避免下次研磨时由于研磨垫的凹槽中积累研磨副产物而刮伤晶圆。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，该方法提供一研磨头和吸附于所述研磨头下表面的晶圆，用于实现晶圆研磨；该方法还包括以下步骤：

(1)晶圆研磨前或开始后，提供研磨垫,和与所述研磨垫接触的一修整器；

(2)将所述修整器置于所述研磨垫的边缘区域，对该修整器施加指向所述研磨垫表面的压力，并使该修整器逐渐向所述研磨垫中央区域移动，使研磨液分布于该研磨垫上表面；当所述修整器到达所述研磨垫的中央区域时，抬升所述修整器使其脱离所述研磨垫表面；

(3)重复步骤(2)直至所述研磨液均匀分布于所述研磨垫上表面为止；

(4)晶圆研磨结束后，将所述修整器置于所述研磨垫上表面的中央区域，使该修整器逐渐向所述研磨垫边缘区域移动，同时将晶圆研磨过程中的研磨副产物推向所述研磨垫之外；当所述修整器到达所述研磨垫的边缘区域时，将所述修整器抬升，使其脱离所述研磨垫的上表面；

(5)重复步骤(4)，直至所述研磨垫上的研磨副产物完全被推向所述研磨垫之外为止。

2.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述研磨垫具有凹槽；所述修整器与所述研磨垫接触的表面设有若干金刚石颗粒。

3.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述修整器从研磨垫的中央区域移动至该研磨垫边缘区域的过程中，对所述修整器施加指向所述研磨垫表面的压力。

4.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述研磨垫的形状为圆形；所述研磨垫放置于一研磨平台上并且在研磨过程中发生旋转。

5.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述修整器的形状为圆形。

6.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述研磨液由氧化剂和研磨粒子组成。

7.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述研磨垫由多孔的、有弹性的聚合物材料制作而成。

8.根据权利要求4所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述研磨垫旋转速率为0-410rpm。

9.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述步骤(2)中所述修整器施加指向所述研磨垫表面的压力为0-0.6MPa。