KR20130023208A - 반도체 칩 및 변환 소자를 구비한 방사선 방출 컴포넌트 그리고 방사선 방출 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 - Google Patents

반도체 칩 및 변환 소자를 구비한 방사선 방출 컴포넌트 그리고 방사선 방출 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 칩(1) 및 변환 소자(2)를 구비한 방사선 방출 컴포넌트(10)와 관련이 있으며, 이 경우 상기 반도체 칩(1)은 전자기 방사선을 발생하기에 적합한 활성 층 및 방사선 배출 면(11)을 포함한다. 상기 변환 소자(2)는 매트릭스 재료(2a) 및 인광 물질(2b)을 포함하며, 이 경우 상기 변환 소자(2)는 상기 반도체 칩(1)의 방사선 배출 면(11) 뒤에 배치되어 있다. 상기 매트릭스 재료는 적어도 40 중량-%의 텔루륨 옥사이드(tellurium oxide)를 함유하고, 보론 트리옥사이드(boron trioxide) 및/또는 게르마늄 옥사이드(germanium oxide)는 함유하지 않는다. 본 발명은 또한 상기와 같은 방사선 방출 컴포넌트(10)를 제조하기 위한 방법과도 관련이 있다.

Description

반도체 칩 및 변환 소자를 구비한 방사선 방출 컴포넌트 그리고 방사선 방출 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 {RADIATION-EMITTING COMPONENT COMPRISING A SEMICONDUCTOR CHIP AND A CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING IT}
본 특허 출원서는 독일 특허 출원 제 10 2010 009 456.0호를 우선권으로 주장하며, 상기 우선권의 공개 내용은 본 출원서에 인용의 형태로 수용된다.
본 발명은 반도체 칩 및 변환 소자를 구비한 방사선 방출 컴포넌트에 관한 것이다. 본 발명은 또한 방사선 방출 컴포넌트를 제조하기 위한 방법과도 관련이 있다.
변환 소자를 구비한 방사선 방출 컴포넌트는 예를 들어 간행물 WO 97/50132호에 공지되어 있다. 상기 컴포넌트는 작동 중에 광(1차 광)을 방출하는 반도체 몸체 그리고 상기 1차 광의 한 부분을 다른 파장 범위(2차 광)로 변환시키는 변환 소자를 포함한다. 이와 같은 반도체 컴포넌트에 의해서 방출되는 광의 컬러 인상은 1차 광 및 2차 광으로 이루어진 부가적인 컬러 혼합에 의해서 나타난다.
상기 변환 소자는 다양한 방식으로 상기 반도체 몸체 뒤에 배치될 수 있다. 예를 들어 변환 소자는 반도체 몸체를 둘러싸는 밀봉 재료로 이루어지며, 상기 밀봉 재료 안에 인광 물질이 매립되어 있다. 또한, 적어도 하나의 인광 물질을 포함하는 상기 변환 소자를 반도체 몸체 뒤에 배치하는 것도 공지되어 있다.
종래 방식에서는 실리콘을 매트릭스 재료로서 구비하는 변환 소자가 사용되며, 이 경우에는 상기 매트릭스 재료 안에 인광 물질이 삽입되어 있다. 이 경우에는 변환 소자가 접착 촉진 층에 의해서, 예를 들어 유기 접착제에 의해서 반도체 칩의 표면에 고정되어 있다. 하지만, 실리콘은 열 전도성이 불량이며, 이와 같은 단점은 컴포넌트의 작동 중에 인광 물질을 가열시킴으로써 상기 컴포넌트의 효율에 단점적인 손실을 야기할 수 있다.
또한, 간행물 US 2009/0309125호에는 광을 방출하는 장치를 위한 유리-캡슐이 공지되어 있다.
본 발명의 과제는, 매트릭스 재료에 의해서 컴포넌트의 작동 중에 생성되는 열의 열 방출이 개선되어 상기 컴포넌트의 효율이 개선되는 것을 특징으로 하는 동시에 상기 매트릭스 재료의 높은 굴절률을 특징으로 하는 방사선 방출 컴포넌트를 제공하는 것이다.
상기 과제들은 특허 청구항 1의 특징들을 갖는 방사선 방출 컴포넌트에 의해서 그리고 특허 청구항 15의 특징들을 갖는 방사선 방출 컴포넌트를 제조하기 위한 방법에 의해서 해결된다. 상기 방사선 방출 컴포넌트의 그리고 이와 같은 컴포넌트를 제조하기 위한 방법의 바람직한 개선 예들은 종속 청구항들의 대상이다.
본 발명에 따라, 반도체 칩 및 변환 소자를 구비하는 방사선 방출 컴포넌트가 제공되었다. 상기 반도체 칩은 전자기 방사선을 발생하기에 적합한 활성 층 및 방사선 배출 면을 포함한다. 상기 변환 소자는 텔루륨(tellurium)을 함유하는 유리로 이루어진 매트릭스 재료 및 인광 물질을 포함한다. 상기 변환 소자는 반도체 칩의 방사선 배출 면 뒤에 배치되어 있다.
상기 방사선 배출 면은 바람직하게 반도체 칩의 주(主) 표면에 의해서 형성되었다. 특히 바람직하게 상기 변환 소자는 적어도 반도체 칩의 상기 주 표면에 증착되었다.
바람직하게 상기 반도체 칩은 소수의 다양한 층으로 구성된 층 시퀀스를 구비하는 LED-칩이며, 이때 상기 층 시퀀스는 활성 층을 포함한다. 상기 활성 층은 바람직하게 컴포넌트의 작동 중에 적어도 하나의 방사선, 예를 들어 자외선, 청색 또는 녹색 방사선을 방출한다. 상기 활성 층은 예컨대 pn-천이부, 이중 헤테로 구조물, 단일 양자 웰 구조물(SQW-구조물) 또는 다중 양자 웰 구조물(MQW-구조물)을 구비할 수 있다. 이와 같은 구조물들은 당업자에게 공지되어 있기 때문에 본 출원서에서는 더 이상 상세하게 설명되지 않는다.
상기 반도체 칩은 바람직하게 질화물 화합물 반도체, 인화물 화합물 반도체 및/또는 비소화물 화합물 반도체를 기본으로 한다. 본 발명과 관련하여 상기 사실이 의미하는 바는, 활성 에피택셜 성장층 시퀀스 또는 상기 시퀀스의 적어도 하나의 층이 질화물-, 인화물- 및/또는 비소화물-Ⅲ/Ⅴ-화합물 재료를 포함한다는 것이다. 이 경우에 상기 화합물 재료는 하나 또는 다수의 도펀트 그리고 상기 화합물 재료의 특징적인 물리적 특성들을 실제로 변경시키지 않는 추가 성분들을 구비할 수 있다.
바람직하게 상기 반도체 칩은 파장(λ0)을 갖는 1차 방사선을 방출한다. 상기 반도체 칩에 의해서 방출되는 방사선의 큰 부분은 바람직하게 방사선 배출 면을 통해서 반도체 칩으로부터 외부로 방출된다. 방출 방향으로 상기 반도체 칩 뒤에는 바람직하게 적어도 하나의 인광 물질을 함유하는 변환 소자가 배치되어 있으며, 이때 상기 인광 물질은 상기 파장(λ0)이 여기(exciting) 할 때에 다른 파장의 2차 방사선을 방출한다. 특히 바람직하게 상기와 같은 컴포넌트는 반도체 칩의 1차 방사선 및 변환 소자의 2차 방사선을 포함하는 혼합 방사선을 방출한다.
적합한 인광 물질들은 간행물 WO 98/12757호에서 그리고 간행물 WO 01/65613 A1호에서 당업자에게 공지되어 있으며, 상기 간행물들의 공개 내용은 각각 인용의 형태로 본 출원서에 수용된다.
한 가지 실시 예에서는, 상기 변환 소자가 반도체 칩의 방사선 배출 면 바로 위에 배치되어 있다. 따라서, 반도체 칩과 변환 소자 사이에는 간격이 전혀 존재하지 않는다. 바람직하게 상기 변환 소자는 반도체 칩의 방사선 배출 면 상에 고정되어 있다. 따라서, 상기 변환 소자는 반도체 칩의 주 표면에 직접 고정되며, 이 경우에는 변환 소자와 반도체 칩 사이에 간격 및/또는 다른 층들 또는 재료들이 전혀 존재하지 않는다.
본 출원서의 틀 안에서 예를 들어 두 개 층 사이에 직접 배치된다는 내용이 의미하는 바는, 상기 층들이 직접 서로 인접하도록 배치되어 있거나 또는 고정되어 있다는 것이며, 이 경우에는 예를 들어 상기 층들 사이에 있는 먼지 함유물과 같은 불순물 함유물 또는 제조로부터 기인하는 공기 함유물(air inclusion)에 주의를 기울이지 않아도 된다.
한 가지 추가의 실시 예에서는, 상기 변환 소자와 반도체 칩의 방사선 배출 면 사이에 간격이 존재한다. 바람직하게 상기 변환 소자와 방사선 배출 면 사이에는 가스, 예를 들어 공기를 포함하는 간극이 형성되어 있다.
한 가지 추가의 실시 예에서는, 칩 표면과 매트릭스 사이에 의도적으로 삽입된 중간 층이 배치되어 있으며, 상기 중간 층에 의해서 간격이 형성된다. 상기 중간 층의 두께는 0 ㎛ 내지 10 ㎛, 바람직하게는 원자 층 내지 0.5 ㎛, 이상적으로는 1 nm 내지 100 nm일 수 있다. 상기 중간 층은 예를 들어 비반사 방식으로, 배리어로서 또는 광학 필터로서 작용할 수 있다. 중간 층이 비반사 작용을 하는 경우에 굴절률은 칩의 굴절률과 매트릭스의 굴절률 사이에 놓인다.
상기 변환 소자의 매트릭스 재료는 바람직하게 텔루륨을 함유하는 유리이다. 바람직하게 상기 매트릭스 재료는 적어도 40 중량-%의 텔루륨 산화물(TeO2)을 포함한다. 특히 바람직하게 상기 매트릭스 재료는 적어도 75 중량-%의 텔루륨 산화물을 포함한다. 한 가지 특히 바람직한 실시 예에서 상기 매트릭스 재료는 적어도 90 중량-%의 텔루륨 산화물을 포함한다.
예를 들어 상기 매트릭스 재료는 그 내부에 인광 물질이 매립된 TeO2로 이루어진다. 대안적으로 상기 매트릭스 재료는 75 중량-%를 초과하는 TeO2 및 9 내지 24 중량-%의 ZnO를 포함한다.
상기 변환 소자의 인광 물질은 텔루륨 함유 유리로 이루어진 매트릭스 재료 안에 매립되어 있다. 유리가 바람직하게는 종래 방식에서 사용된 실리콘보다 개선된 열 전도성을 가짐으로써, 작동 중에 생성되는 열의 열 방출은 상기 매트릭스 재료에 의해서 바람직하게 상승 된다. 그럼으로써 작동 중에 생성되는 열, 특히 작동 중에 이루어지는 변환 소자 내부에 있는 인광 물질의 가열로 인한 열이 상기 매트릭스 재료를 통해서 효율적으로 방출될 수 있으며, 그로 인해 인광 물질의 효율 그리고 그와 더불어 컴포넌트의 효율도 바람직하게 상승하게 된다.
또한, 텔루륨 함유 유리가 바람직하게는 고-굴절 특성을 갖는 것을 특징으로 함으로써, 결과적으로 상기와 같은 변환 소자, 특히 매트릭스 재료는 높은 굴절률을 특징으로 한다. 예를 들어 유리 매트릭스 안에 포함된 텔루륨 함량에 따라서 n ≥ 2의 굴절률이 가능하다.
한 가지 바람직한 실시 예에서는, 포스포 텔루라이트(Phosphor-Tellurite) 유리가 매트릭스 재료로서 사용된다. 특히 바람직하게는 실버 포스포 텔루라이트 유리가 매트릭스 재료로서 사용된다. 이 경우에는 컴포넌트의 적용 예에 따라서 상기 매트릭스 재료의 개별 성분들 상호 간의 조성이 변경될 수 있다.
예를 들어 포스포 텔루라이트 유리로 이루어진 매트릭스 재료의 조성들은 예를 들어 간행물 DE 2222771 A1호에서 당업자에게 공지되어 있으며, 상기 간행물의 공개 내용은 본 출원서에 인용의 형태로 명시적으로 수용된다.
대안적으로, 실버 포스포 텔루라이트 유리로 이루어진 매트릭스 재료를 사용하는 경우에는 상기 실버가 예를 들어 알칼리 재료 또는 토류 알칼리 재료로 전체적으로 또는 부분적으로 대체될 수 있다. 또한, 상기 매트릭스 재료의 포스포(phosphor)는 예를 들어 Sb2O3 및/또는 SiO2 및/또는 WO3 및/또는 MoO3 및/또는 Bi2O3 및/또는 Mn2O7 및/또는 PbO와 같은 당업자에게 공지된 다른 유리 형성제로 치환될 수도 있다. 그와 마찬가지로 상기 매트릭스 재료의 텔루륨 옥사이드를 다른 유리 형성제로 부분적으로 대체하는 것도 가능하다. 바람직하게 상기 매트릭스 재료는 RoHS(유해 물질 제한 지침)에 적합(RoHS-conform)하고 Pb, As, Cd, U, Tm이 없다.
한 가지 추가의 바람직한 실시 예에서는, 상기 매트릭스 재료가 반도체 칩에 의해서 방출되는 방사선에 대하여 적어도 부분적으로 투과적이다. 바람직하게 상기 매트릭스 재료는 반도체 칩에 의해서 방출되는 방사선의 파장 범위 안에서 60 % 이상의, 특히 바람직하게는 80 % 이상의, 바람직하게는 95 % 이상의 투명도(transparency)를 갖는다.
한 가지 추가의 바람직한 실시 예에서는, 상기 매트릭스 재료에 보론 옥사이드(boron oxide) 및/또는 게르마늄 옥사이드(germanium oxide)가 없다.
보론 옥사이드 및/또는 게르마늄 옥사이드를 함유하는 매트릭스 재료는 디믹싱(demixing; 해리) 특성으로 인해 단점적으로 결정화되는 경향이 있으며, 그로 인해 변환 소자는 더 이상 투과적인 특성을 갖지 않게 된다. 바람직하게는 보론 옥사이드 및 게르마늄 옥사이드가 없는 매트릭스 재료에 의해서 상기와 같은 부정적인 상황에 맞설(confront) 수 있다. 예를 들면 TeO2 및 P2O5의 용융 조합에 의해서, 더 상세하게 말하자면 포스포 텔루라이트-유리에 의해서 디믹싱 특성에 맞설 수 있다. 우수한 혼합 가능성은 특히 포스페이트 유리 및 텔루라이트 유리가 우선 상대적으로 유사한 용적 응력을 갖는 체인 컴포넌트를 함유함으로써 구현되며, 이로 인해 거의 균질의 구조물이 얻어질 수 있다.
한 가지 추가의 바람직한 실시 예에서는, 상기 매트릭스 재료가 이 매트릭스 재료의 굴절률을 높이는 적어도 하나의 추가 원소를 포함한다. 유리에는 예를 들어 La2O3와 같이 굴절률을 높여주고 당업자에게 공지된 화합물들이 첨가될 수 있다.
한 가지 추가의 실시 예에서는, 상기 매트릭스 재료에, 특히 텔루륨 함유 유리에 납이 없다.
한 가지 추가의 바람직한 실시 예에서는, 상기 매트릭스 재료가 방사선을 흡수하는 특성을 갖는 적어도 하나의 추가 성분을 포함한다. 바람직하게 상기 추가의 성분들은 λ ≤ 380 nm의 파장 범위 안에 있는 방사선, 바람직하게는 λ ≤ 400 nm의 파장 범위 안에 있는 방사선, 특히 바람직하게는 λ ≤ 420 nm의 파장 범위 안에 있는 방사선을 흡수한다. 바람직하게 상기 추가의 성분들은 전술된 파장 범위 안에 있는 방사선의 20 %, 바람직하게는 40 %, 특히 바람직하게는 60 %를 흡수한다. 한 가지 추가의 매트릭스 재료 안에서는 상기 성분이 추가의 층으로서 변환 소자 위에 또는 변환 소자 옆에 배치될 수 있다. 예를 들어 상기 추가의 층은 UV-필터로서 이용되는 한 가지 성분을 포함한다.
한 가지 추가의 실시 예에서는, 상기 매트릭스 재료의 변환 온도(Tg)가 최대 350 ℃, 특히 ≤ 350 ℃이다. 특히 상기 매트릭스 재료는 최대 350 ℃의 변환 온도(Tg)에서 자체 열 팽창을 변경한다.
한 가지 추가의 바람직한 실시 예에서는, 상기 매트릭스 재료가 저용융 재료이다. 본 출원서의 틀 안에서는 최대 350 ℃의 온도에서 연화되는 재료가 저용융 재료로서 간주 된다. 이와 같은 저용융 재료에 의해서는 바람직하게 최대 350 ℃의 온도에서 변환 소자와 반도체 칩 간에 결합이 이루어짐으로써 변환 소자가 반도체 칩과 직접적으로 연결될 수 있으며, 이 경우 상기와 같은 온도에서는 반도체 칩의 방사선 배출 면 상에 변환 소자가 증착될 때에 상기 반도체 칩이 전혀 손상되지 않는다. 이 경우에는 상기 반도체 칩의 전기적인 콘택팅을 위해서 사용되는 본딩 와이어, 예를 들어 골드 와이어가 상기 변환 소자 안에 완전히 또는 부분적으로 매립될 수 있다.
한 가지 추가의 바람직한 실시 예에서는, 상기 매트릭스 재료 또는 상기 변환 소자가 접착 촉진 층으로서 형성되었다. 예를 들어 저용융 재료인 것을 특징으로 하는 상기와 같은 매트릭스 재료에 의해서는 최대 350 ℃의 온도에서 추가의 변환 소자, 방사선 형성 소자, 예를 들어 광학 수단 혹은 렌즈, 또는 커버가 반도체 칩과 접착될 수 있다. 따라서, 이 경우에 상기 변환 소자는 방사선을 변환하는 특성뿐만 아니라 접착을 촉진하는 특성도 갖는 것을 특징으로 한다.
한 가지 추가의 바람직한 실시 예에서는, 상기 변환 소자가 소형 플레이트 모양으로 형성되었다. 바람직하게 상기 변환 소자는 인광 물질이 그 안에 매립되어 있는 텔루륨을 함유하는 소형 유리이다.
한 가지 추가의 실시 예에서, 상기 변환 소자는 반도체 칩이 그 안에 매립되어 있는 밀봉 재료에 의해서 형성되었다. 이 경우에 상기 변환 소자는 반도체 칩을 바람직하게 완전히 둘러싼다. 상기 밀봉 재료와 반도체 칩 사이에는 바람직하게 간격이 존재하지 않으며, 이 경우에는 예를 들어 밀봉 재료와 반도체 칩 사이에 있는 먼지 함유물과 같은 불순물 함유물 또는 제조로부터 기인하는 공기 함유물이 소량 발생할 수 있다.
한 가지 추가의 바람직한 실시 예에서는, 상기 변환 소자가 방사선을 형성하는 소자로서 형성되었다. 본 출원서의 틀 안에서 방사선을 형성하는 소자란, 반도체 칩에 의해서 방출되는 방사선의 방출 방향을 변경하고/변경하거나 상기 방출 방향에 영향을 미치는 소자로 이해될 수 있다. 예를 들어 방사선을 형성하는 소자란 렌즈, 광학 수단 또는 예를 들어 분산 입자를 함유하는 커버로 이해될 수 있다. 상기 방사선을 형성하는 소자는 바람직하게 매트릭스 재료를 가열할 때에 상기 매트릭스 재료를 의도한 바대로 성형함으로써 또는 상기 매트릭스 재료의 표면 응력에 의해서 형성될 수 있다. 이 목적을 위해서는 바람직하게 저용융 재료가 매트릭스 재료로서 적합하다.
반도체 칩 및 변환 소자를 포함하는 방사선 방출 컴포넌트를 제조하기 위한 방법은 다음과 같은 처리 단계들을 포함한다:
- 전자기 방사선을 발생하기에 적합한 활성 층 및 방사선 배출 면을 포함하는 반도체 칩을 준비하는 단계, 그리고
- 텔루륨을 함유하는 유리로 이루어진 매트릭스 재료 및 인광 물질을 포함하는 변환 소자를 상기 반도체 칩의 방사선 배출 면 상에 증착하는 단계.
상기 방사선 방출 컴포넌트를 제조하기 위한 방법의 바람직한 개선 예들은 상기 방사선 방출 컴포넌트의 바람직한 개선 예들과 유사하게 나타나며 그리고 그 역도 마찬가지다. 상기 방법에 의해서는 특히 본 출원서에 기재된 방사선 방출 컴포넌트가 제조될 수 있다.
바람직하게 상기 변환 소자는 소결 방법에 의해서 제조되며, 이 경우에는 공기 함유물을 최소화하기 위하여 인광 물질 및 유리 분말로 이루어진 혼합물이 소결되는데, 특히 압축된다. 이 경우에는 유리의 연화점 근처에 있는 온도가 사용된다.
한 가지 추가의 바람직한 실시 예에서는, 그 안에 현탁하는 인광 물질을 포함하는 텔루륨 함유 유리로부터 상기 매트릭스 재료의 액체 용융물이 제조되며, 그 다음에 이어서 상기 액체 용융물이 스프레잉 됨으로써, 변환 소자가 반도체 칩의 방사선 배출 면 상에 증착된다.
한 가지 추가의 바람직한 실시 예에서는, 인광 물질 및 선택적으로 추가의 성분들로 이루어진 규정된 두께의 층이 유리 기판상에 제조될 수 있으며, 그 다음에 이어서 상기 층이 유리의 연화점에 가까운 온도에서 소결된다.
한 가지 추가의 바람직한 실시 예에서는, 인광 물질 입자로 이루어진 인광 물질 층이 반도체 칩의 방사선 배출 면 상에 증착되며, 그 다음에 이어서 텔루륨을 함유하는 기체 상태의 유리가 인광 물질 입자들 사이에 있는 간극 안으로 증착된다.
한 가지 추가의 바람직한 실시 예에서는, 350 ℃를 초과하는 더 높은 온도에서 상기 매트릭스 재료로부터 상기 칩 상에 직접 하나의 얇은 층 또는 별도의 소형 플레이트가 제조된다. 상기 온도에서 유리는 바람직하게 107.6 dPas*s ≥ η ≥ 10-2 dPas*s, 특히 104 dPas*s ≥ η ≥ 10-2 dPas*s, 이상적으로는 102 dPas*s ≥ η ≥ 10-2 dPas*s의 점도를 갖는다. 그럼으로써 매우 콤팩트하고 기포가 없는 유리 층이 형성된다. 그 다음에 이어서 상기 유리 층이 당업자에게 공지된 방법에 의해서 인광 물질로, 예를 들어 YAG:Ce로 코팅된다. 그 다음에 이어서 인광 물질 입자들이 350 ℃ 미만의 더 낮은 온도에서 상기 유리 층 내부에 침전된다. 다시 말해, 그때 인광 물질로 코팅된 상기 매트릭스 재료는 유리가 쉽게 연화될 정도까지 그리고 인광 물질이 유리 층 내부에 침전되고 상기 유리 층에 의해 둘러싸이게 될 정도까지 가열된다. 상기 침전 온도는 바람직하게 ≥ RT 내지 ≤ 유리의 절반 볼 재료에 놓이며, 더 우수하게는 ≥ 유리의 Tg 내지 ≤ 유리의 절반 볼 재료에 놓이며, 더 우수하게는 ≥ 유리의 연화 온도 내지 ≤ 유리의 절반 볼 재료에 놓인다. 상기와 같은 침전의 장점은, 이와 같은 침전을 위해서는 단지 낮은 온도만이 필요하다는 것 그리고 침전으로 인해 인광 물질이 전혀 손상되지 않는다는 것이다. 예를 들어 매트릭스 재료가 저용융 재료이면, 상기 침전 온도는 ≤ 350 ℃에 놓이게 된다.
별도의 소형 플레이트의 경우에는, 상기 소형 플레이트가 침전 전에 칩 상에서 위치 설정되어 침전 과정 중에 칩과 동시에 접착되는 것이 가능하다. 이 경우에 인광 물질로 코팅된 측은 칩 표면 쪽을 향하거나 또는 칩 표면으로부터 떨어져서 마주할 수 있다. 동일한 또는 상이한 인광 물질로 정면을 코팅하는 것 그리고 양면을 코팅하는 것도 가능하다.
상기 침전 방법을 위해서 인광 물질은 예컨대 복사각을 통해서 모듈의 컬러 위치 균일성을 개선하기 위하여 의도적으로 불균일하게 증착될 수도 있다. 따라서, 예를 들어 백색 LED에서 종종 발생하는 소위 "황색 링"은 인광 물질을 수평 또는 수직 방향으로 의도적으로 불균일하게 증착함으로써 약화될 수 있다. 매트릭스 재료, 예를 들어 유리 층의 두께는 바람직하게 200 ㎛보다 작거나 같으며, 바람직하게는 100 ㎛보다 작거나 같으며, 특히 50 ㎛보다 작거나 같지만, 적어도 최대 인광 물질 입자만큼은 크다.
인광 물질을 유리 내부에 매립하기 위한 방법은 예를 들어 간행물 DE 102005023134 A1호에서 당업자에게 공지되어 있으며, 상기 간행물의 공개 내용은 본 출원서에 인용의 형태로 명시적으로 수용된다.
본 발명에 따른 방사선 방출 컴포넌트 그리고 방사선 방출 컴포넌트를 제조하기 위한 방법의 특징들, 장점들, 바람직한 실시 예들 그리고 합목적성은 도 1 내지 도 7에 도시된 실시 예들과 연관하여 아래에서 상세하게 설명된다.
도 1 내지 도 7은 각각 본 발명에 따른 방사선 방출 컴포넌트의 실시 예에 대한 개략적인 횡단면도이다.
각 도면들에서 동일한 또는 동일하게 작용을 하는 구성 부품들에는 각각 동일한 도면 부호들이 제공되었다. 도면에 도시된 구성 부품들 그리고 상기 구성 부품들의 상호 크기 비율은 척도에 맞는 것으로 간주 될 수 없다.
도 1에는 반도체 칩(1) 및 변환 소자(2)를 포함하는 방사선 방출 컴포넌트(10)가 도시되어 있다.
상기 방사선 방출 컴포넌트란 실제로 작동 중에 방사선을 방출하기에 적합한 컴포넌트로 이해될 수 있다. 특히 이와 같은 컴포넌트에서는 방사선의 방출이 작동 중에 상기 컴포넌트의 전기적인 콘택팅에 의해서 이루어진다.
반도체 칩(1)은 바람직하게 LED-칩(LED: 발광 다이오드)이다. 바람직하게 상기 반도체 칩(1)은 박막-LED이다. 박막-LED의 경우에는 반도체 칩(1)을 위한 층 스택이 그 위에 제조된, 특히 증착된 제조 기판이 국부적으로 또는 완전히 제거되었다.
반도체 칩(1)은 전자기 방사선을 발생하기에 적합한 활성 층을 구비한다. 상기 반도체 칩(1)의 활성 층은 방사선을 발생하기 위하여 pn-천이부, 이중 헤테로 구조물, 단일 양자 웰 구조물(SQW) 또는 다중 양자 웰 구조물(MQW)을 구비한다. 이 경우에 '양자 웰 구조물'이라는 명칭은 양자화의 치수 설계와 관련된 의미를 나타내지는 않는다. 따라서, 상기 명칭은 다른 무엇보다도 양자 웰, 양자 와이어 및 양자 점 그리고 상기 구조물들의 각각의 조합을 포함한다.
상기 반도체 칩(1)은 바람직하게 질화물-, 인화물- 또는 비소화물 화합물 반도체를 기본으로 한다. 본 발명과 관련해서 상기 '질화물-, 인화물- 또는 비소화물 화합물 반도체를 기본으로 한다'는 표현이 의미하는 바는, 활성의 에피택셜 성장 층 시퀀스 또는 상기 층 시퀀스의 적어도 하나의 층이 InxGayAl1 -x- yP, InxGayAl1 -x-yN 또는 InxGayAl1 -x- yAS의 조성을 갖는 Ⅲ/Ⅴ-반도체 재료를 포함한다는 것이며, 이 경우에 0 ≤ x, y ≤ 1 이고, x + y ≤ 1이다.
상기 반도체 칩(1)은 방사선 배출 면(11)을 갖는다. 상기 방사선 배출 면(11)은 바람직하게 반도체 칩(1)의 주(主) 표면에 의해서 형성되었다. 상기 '주 표면'이란 예를 들어 반도체 칩(1)의 상부 면으로 이해될 수 있다.
상기 반도체 칩(1)의 방사선 배출 면(11) 상에는 바람직하게 활성 층 안에서 발생하는 방사선의 디커플링(decoupling)을 개선하기 위한 수단이 제공될 수 있다(도면에는 도시되어 있지 않음). 상기 '디커플링을 개선하기 위한 수단'이란 실제로 표면 구조화로 이해될 수 있다. 특히 광 디커플링의 개선은 마이크로 프리즘 구조화에 의해서 또는 상기 방사선 배출 면(11)의 조도(roughness; 거칠기) 상승에 의해서 성취될 수 있다. 예를 들어 방사선 배출 면(11)에 주름이 제공되면, 그로 인해 컴포넌트로부터의 광의 디커플링을 개선하는 불규칙한 표면이 형성되고, 이로써 바람직하게는 반도체 칩(1)의 효율도 상승하게 된다.
상기 반도체 칩(1)의 방사선 배출 면(11) 상에는 변환 소자(2)가 배치되어 있다. 바람직하게 상기 변환 소자(2)는 반도체 칩(1)의 방사선 배출 면(11) 바로 위에 배치되어 있다. 특히 상기 변환 소자(2)는 방사선 배출 면(11) 상에 고정되어 있으며, 특히 방사선 배출 면(11)과 기계적으로 그리고 형상 결합 방식으로 연결되어 있다. 바람직하게 상기 변환 소자(2)는 반도체 칩(1)의 광 배출 면(11)을 적어도 부분적으로 덮는다. 특히 바람직하게 상기 변환 소자(2)는 반도체 칩(1)의 방사선 배출 면(11)을 완전히 덮는다.
상기 변환 소자(2)는 텔루륨을 함유하는 유리로 이루어진 매트릭스 재료(2a) 및 인광 물질(2b)을 포함한다. 상기 인광 물질(2b)은 바람직하게 실제로 상기 매트릭스 재료(2a) 안에 균일하게 분포되어 있다. 그럼으로써 상기 방사선 방출 컴포넌트에 의해서 방출되는 방사선의 복사각을 통해서 컬러 불균일성이 줄어들 수 있게 되며, 그로 인해 바람직하게는 방사선 방출 컴포넌트에 의해서 방출되는 방사선의 균일한 방출 특성이 성취된다.
상기 반도체 칩(1)은 바람직하게 파장(λ0)을 갖는 1차 방사선을 방출한다. 변환 소자(2) 내부에 있는 상기 인광 물질(2b)은 바람직하게 상기 파장(λ0)의 방사선을 적어도 부분적으로 흡수하며, 그리고 다른 파장의 2차 방사선을 방출한다. 그럼으로써 반도체 칩(1)의 1차 방사선뿐만 아니라 인광 물질(2b)의 2차 방사선도 포함하는 혼합 방사선을 방출하는 컴포넌트가 구현될 수 있다.
상기 반도체 칩(1)의 방사선 배출 면(11) 상에 배치된 변환 소자(2)에 의해서는 상기 반도체 칩(1)에 의해서 방출되는 방사선의 컬러 위치가 변경될 수 있는데, 특히 의도한 바대로 조절될 수 있다. 상기 '컬러 위치'란 실제로 CIE-색 공간에서 상기 컴포넌트의 방출 방사선의 컬러를 나타내는 숫자 값으로 이해된다.
상기 인광 물질(2b)을 의도한 바대로 선택함으로써 반도체 칩(1)에 의해서 방출되는 방사선의 컬러 위치를 의도한 바대로 보정할 수 있게 되며, 그로 인해 바람직하게는 상기 방사선 방출 컴포넌트(10)에 의해서 방출되는 방사선의 원하는 컬러 위치가 얻어진다.
상기 변환 소자(2)는 하나 이상의 인광 물질(2b)을 포함할 수 있다. 하나 이상의 인광 물질(2b)을 사용함으로써 컴포넌트에 의해서 방출되는 방사선의 컬러 위치의 컬러를 정확하게 선택할 수 있게 되며, 그로 인해 특히 상기 컴포넌트에 의해서 방출되는 혼합 방사선의 원하는 컬러 위치가 성취될 수 있다. 바람직하게 상기 컴포넌트에 의해서 방출되는 방사선의 혼합 방사선은 백색 컬러 위치 범위 안에 놓인다.
상기와 같은 변환 소자들에 적용될 수 있는 적합한 인광 물질들은 예를 들어 간행물 WO 98/12757호 및 간행물 WO 01/65613 A1호에서 당업자에게 공지되어 있으며, 상기 간행물들의 공개 내용은 각각 본 출원서에 인용의 형태로 수용된다.
상기 변환 소자(2)의 매트릭스 재료(2a)는 바람직하게 텔루륨을 함유하는 유리를 구비한다. 바람직하게 상기 매트릭스 재료는 적어도 40 중량-%의 텔루륨 옥사이드, 바람직하게는 적어도 75 중량-%의 텔루륨 옥사이드, 특히 바람직하게는 적어도 90 중량-%의 텔루륨 옥사이드를 함유한다.
유리로 이루어진 매트릭스 재료(2a)는 바람직하게 종래 방식으로 사용되는 실리콘으로 이루어진 매트릭스 재료에 비해 개선된 열 전도성을 갖는다. 상기 매트릭스 재료의 개선된 열 전도성에 의해서는 바람직하게 작동 중에 인광 물질(2b)의 가열이 줄어들 수 있는데, 그 이유는 작동 중에 생성되는 열이 상기 매트릭스 재료에 의해서 인광 물질(2b)로부터 의도한 바대로 방출될 수 있기 때문이다. 그럼으로써 상기 인광 물질은 작동 중에 상승된 효율을 갖게 되고, 그로 인해 바람직하게는 컴포넌트의 효율도 개선된다.
바람직한 매트릭스 재료(2a)로서는 텔루륨을 함유하는 유리들이 사용되는데, 그 이유는 상기 유리들이 고-굴절 특성을 갖기 때문이다. 그럼으로써 특히 상기 매트릭스 재료(2a)의 높은 굴절률을 특징으로 하는 변환 소자(2)가 얻어질 수 있다. 상기 매트릭스 재료 안에 포함된 텔루륨 함량에 따라서 n ≥ 2의 굴절률이 가능해질 수 있다.
바람직하게 상기 매트릭스 재료(2a)는 포스포 텔루라이트 유리를 포함한다. 특히 바람직하게 상기 매트릭스 재료(2a)는 실버 포스포 텔루라이트 유리를 포함한다. 이때 상기 변환 소자의 개별 성분들의 조성은 바람직하게 가변적이다. 또한, 상기 실버는 예를 들어 알칼리 또는 토류 알칼리로 전체적으로 또는 부분적으로 대체될 수 있으며 그리고/또는 상기 매트릭스 재료의 포스포는 예를 들어 SbO2 또는 SiO2와 같은 당업자에게 공지된 다른 유리 형성제로 치환될 수도 있다. 대안적으로는 텔루륨 옥사이드를 다른 유리 형성제로 부분적으로 대체하는 것도 가능하다.
바람직하게 상기 매트릭스 재료(2a)는 반도체 칩(1)에 의해서 방출되는 방사선에 대하여 투과적이다. 바람직하게 상기 매트릭스 재료(2a)에는 보론 옥사이드 및 게르마늄 옥사이드가 없다.
보론 옥사이드 및/또는 게르마늄 옥사이드를 함유하는 매트릭스 재료(2a)는 디믹싱 특성으로 인해 단점적으로 결정화되는 경향이 있으며, 그로 인해 변환 소자(2)는 더 이상 투과적인 특성을 갖지 않게 된다. 바람직하게는 보론 옥사이드 및 게르마늄 옥사이드가 없는 매트릭스 재료에 의해서 상기와 같은 부정적인 상황에 맞설 수 있다.
바람직하게 상기 매트릭스 재료(2a)에는 납이 없다.
바람직하게 상기 매트릭스 재료(2a)는 저용융 재료, 특히 텔루륨을 함유하는 저용융 유리이다. 그럼으로써 상기 변환 소자(2)는 방사선 방출 컴포넌트(10)를 제조할 때에 바로 반도체 칩(1)의 방사선 배출 면(11)과 형상 결합 방식으로 연결될 수 있다. 이때 인광 물질을 함유하는 매트릭스 재료는 상기 변환 소자(2)와 반도체 칩(1)의 결합이 최대 350 ℃에서 이루어질 수 있도록 낮은 온도에서 연화된다. 그럼으로써 바람직하게는 변환 소자가 칩 상에 증착되는 증착 프로세스 중에 반도체 칩의 손상 위험이 피해질 수 있다. 이때 예를 들어 반도체 칩(1)의 전기적인 콘택팅을 목적으로 사용되는 본딩 와이어는 완전히 또는 부분적으로 변환 소자(2) 안에 함께 매립될 수 있다.
도 1에 따른 실시 예에서 상기 변환 소자(2)는 소형 플레이트 형태로 형성되었다. 상기 변환 소자(2)는 바람직하게 1 ㎛ 내지 200 ㎛, 더 우수하게는 5 ㎛ 내지 100 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 50 ㎛, 바람직하게는 25 ㎛ 내지 30 ㎛, 이상적으로는 실제로 30 ㎛의 범위 안에 있는 두께를 갖는다.
상기 소형 플레이트 모양의 변환 소자(2)는 바람직하게 반도체 칩(1)의 방사선 배출 면(11)의 적어도 80 %를 덮는다. 특히 바람직하게 상기 소형 플레이트 모양의 변환 소자(2)의 팽창은 상기 반도체 칩(1)의 팽창에 적응되었다. 바람직하게 상기 변환 소자(2)의 바닥면은 반도체 칩(1)의 바닥면과 동일하거나 또는 거의 동일하다.
인광 물질(2b)을 상기 매트릭스 재료(2a) 안에 매립하는 과정은 바람직하게 용융 프로세스에 의해서 그리고/또는 소결 프로세스에 의해서 이루어진다. 예를 들어 상기 인광 물질(2b)은 매트릭스 재료(2a) 안에서 현탁 된 후에 이어서 실크 스크린 프린팅 된다. 인광 물질을 매트릭스 재료 안에, 특히 유리 안에 매립하기 위한 방법은 간행물 DE 102005023134 A1호에서 당업자에 공지되어 있으며, 상기 간행물의 공개 내용은 본 출원서에 인용의 형태로 명시적으로 수용된다.
도 1의 실시 예에 따른 방사선 방출 컴포넌트를 제조하기 위한 방법은 예를 들어 다음과 같은 처리 단계들을 포함한다:
- 활성 층 및 방사선 배출 면(11)을 포함하는 반도체 칩(1)을 준비하는 단계, 그리고
- 변환 소자(2)를 상기 방사선 배출 면(11) 상에 증착하는 단계로서, 이 경우 상기 변환 소자(2)는 텔루륨을 함유하는 유리로 이루어진 매트릭스 재료(2a) 그리고 바람직하게 상기 매트릭스 재료(2a) 안에 매립된 인광 물질(2b)을 포함한다.
도 2에 따른 실시 예는 변환 소자(2)가 방사선을 형성하는 소자로서 형성되었다는 점에서 도 1에 따른 실시 예와 구별된다. 특히 상기 변환 소자(2)는 볼록 렌즈의 형상을 갖는다. 따라서 변환 소자(2)는 이미 통합된 렌즈로서 형성되었으며, 이 경우 상기 렌즈는 예를 들어 상기 변환 소자(2)를 가열할 때에 유리를 의도한 바대로 성형함으로써 또는 상기 유리의 표면 응력에 의해서 생성될 수 있다.
상기와 같이 변환 소자(2)가 렌즈로서 형성되거나 또는 방사선을 형성하는 소자로서 형성됨으로써 반도체 칩(1)에 의해서 방출되는 방사선이 의도한 바대로 가이드 될 수 있다. 특히 반도체 칩(1)에 의해서 방출되는 방사선의 복사각이 의도한 바대로 변경될 수 있고/변경될 수 있거나 보정될 수 있다. 따라서 변환 소자(2)는 다른 무엇보다도 컴포넌트에 의해서 방출되는 방사선의 방출 특성 및 방향성(directionality)에 그리고 컬러 위치에 영향을 미친다. 특히 상기 컬러 위치는 변환 소자(2) 안에 매립된 인광 물질(2b)에 의해서 의도한 바대로 변경될 수 있는 한편, 상기 방출 특성 및 방향성은 상기 변환 소자(2)의 성형에 의해서 영향을 받는다.
또한, 도 1에 따른 실시 예와 달리 도 2에 따른 실시 예의 변환 소자는 추가의 소자(2c)를 구비하며, 상기 추가 소자도 마찬가지로 변환 소자(2)의 매트릭스 재료(2a) 안에 바람직하게는 균일하게 매립되어 있고 분포되어 있다. 바람직하게 상기 추가의 소자(2c)는 매트릭스 재료(2a)의 굴절률을 높여준다. 굴절률을 높여주는 소자는 예컨대 상기 매트릭스 재료(2a)에 첨가된 La2O3이다.
그 밖에 도 2에 따른 실시 예는 도 1에 따른 실시 예에 실제로 상응한다.
도 3에는 반도체 칩(1) 및 변환 소자(2)를 포함하는 방사선 방출 컴포넌트(10)의 한 가지 추가 실시 예가 도시되어 있다. 도 1에 도시된 실시 예와 달리 도 3에 따른 변환 소자(2)는 반도체 칩(1)이 그 안에 매립되어 있는 밀봉 재료에 의해서 형성되었다. 특히 상기 반도체 칩(1)은 바람직하게 변환 소자(2)에 의해서 완전히 둘러싸여 있다. 단지 바람직하게 방사선 배출 면(11)에 마주 놓인 상기 반도체 칩(1)의 측에 있는 고정 면에만 변환 소자(2)가 없다. 그럼으로써 상기 방사선 방출 컴포넌트(10)는 예를 들어 기판, 회로 기판 또는 PCB(Printed Circuit Board) 상에 배치되어 전기적으로 그리고 기계적으로 연결될 수 있다.
도 1에 도시된 실시 예와 달리 도 3에 도시된 실시 예에서는 변환 소자(2) 뒤에 추가의 층(3)이 배치되어 있으며, 이 경우 상기 추가 층(3)은 바람직하게 상기 추가의 층(3) 안에 규칙적으로 매립되어 있는 성분들을 포함한다. 상기 추가의 층(3) 안에 매립된 성분들의 분포는 바람직하게 대체로 균일하다. 상기 성분들은 바람직하게 방사선을 흡수하는 특성을 갖는다. 특히 바람직하게 상기 성분들은 λ ≤ 380 nm의 파장 범위 안에 있는 방사선, 바람직하게는 λ ≤ 400 nm의 파장 범위 안에 있는 방사선, 이상적으로는 λ ≤ 420 nm의 파장 범위 안에 있는 방사선을 흡수한다. 그럼으로써 상기 방사선 방출 컴포넌트(10)의 유기 성분들은 예컨대 플라스틱 하우징과 같이 단파(short-wave) 방사선으로부터 보호될 수 있으며, 그리고 궁극적으로는 상기와 같은 단파 방사선으로 인해서 야기되는 예컨대 변색과 같은 손상으로부터도 보호될 수 있다.
그 밖에 도 3에 따른 실시 예는 도 1에 따른 실시 예와 실제로 일치한다.
도 4는 방사선 방출 컴포넌트(10)의 한 가지 추가 실시 예를 보여주고 있으며, 상기 방사선 방출 컴포넌트는 도 3에 도시된 실시 예와 달리 밀봉 재료로서 형성된 변환 소자(2)를 구비하며, 이 경우 상기 밀봉 재료는 추가로 방사선을 형성하는 소자로서 형성되었다. 특히 상기 밀봉 재료(2)는 볼록 렌즈의 형상을 갖는다. 그럼으로써 반도체 칩(1)에 의해서 방출되는 방사선의 방출 특성 그리고 방향성이 의도한 바대로 변경되거나 보정될 수 있다.
또한, 상기 변환 소자(2)의 매트릭스 재료(2a) 안에는 인광 물질(2b) 그리고 상기 매트릭스 재료(2a)의 굴절률을 높여주는 추가 소자(2c)가 매립되어 있다. 바람직하게 매트릭스 재료(2a) 안에 매립된 성분들은 실제로 상기 매트릭스 재료(2a) 안에 균일하게 분포되어 있다.
바람직하게 상기 변환 소자(2) 뒤에는 방사선 흡수 특성을 갖는 성분들을 포함하는 추가의 층(3)이 배치되어 있다. 상기 추가 층(3)은 바람직하게 밀봉 재료로서 형성되었으며, 이 경우에 상기 밀봉 재료는 변환 소자(2)와 마찬가지로 방사선을 형성하는 소자로서 추가로 형성되었다.
그 외에 도 4에 따른 실시 예는 도 3에 따른 실시 예와 실제로 일치한다.
도 5에 따른 실시 예에서는 도 3에 도시된 실시 예와 달리 변환 소자(2) 상에 방사선을 형성하는 소자(4)가 배치되어 있다. 따라서, 본 실시 예의 변환 소자(2)는 자체적으로 방사선을 형성하는 소자로서 형성되지 않았고, 오히려 추가의 방사선 형성 소자(4)로서 사용된다. 특히 상기 방사선을 형성하는 소자(4)는 반도체 칩(1)으로부터 떨어져서 마주한 상기 변환 소자(2)의 측에 배치되어 있다. 따라서, 상기 방사선 형성 소자(4)는 반도체 칩(1)의 방사선 배출 면(11) 뒤에 배치되어 있다. 바람직하게 상기 방사선 형성 소자(4)는 광학 수단, 렌즈 및/또는 커버이다.
상기 실시 예에서 방사선을 형성하는 소자(4)는 예를 들어 변환 소자(2)에 의해서 반도체 칩(1)과 접착될 수 있다. 이 경우에는 상기 변환 소자(2)가 바람직하게 저용융 유리를 구비함으로써, 결과적으로 매트릭스 재료(2a)를 가열할 때에 상기 방사선 형성 소자(4)가 변환 소자(2)와 기계적으로 그리고 형상 결합 방식으로 연결될 수 있다.
그럼으로써 반도체 칩(1)을 매트릭스 재료(2a)와 그리고 방사선 형성 소자(4)와 연결하는 것이 가능해진다. 따라서 본 경우에는 변환 소자(2)가 접착 촉진 층으로 사용됨으로써, 결과적으로 바람직하게는 추가의 접착 촉진 층이 반드시 필요치 않게 된다.
상기 방사선을 형성하는 소자(4)는 또한 예를 들어 유리, 유리 세라믹 또는 세라믹으로 이루어진 매트릭스 재료를 구비하는 추가의 변환 소자일 수 있다. 이때 상기 추가의 변환 소자는 인광 물질을 구비할 수 있으며, 상기 인광 물질은 반도체 칩에 의해서 방출되는 한 가지 파장의 방사선을 다른 파장의 방사선으로 변환하기에 적합하다. 그럼으로써 바람직하게는 혼합 방사선을 방출하는 컴포넌트가 구현될 수 있으며, 이 경우 상기 혼합 방사선은 세 가지 이상의 상이한 파장 범위로부터 조성되는데, 다시 말하자면 반도체 칩(1)에 의해서 방출되는 방사선의 파장 범위, 변환 소자(2)에 의해서 변환된 방사선의 파장 범위 그리고 추가 변환 소자에 의해서 변환된 방사선의 파장 범위로부터 조성된다.
도 5에 따른 실시 예의 나머지 부분은 도 3에 따른 실시 예와 실제로 일치한다.
도 6에 따른 실시 예에서는 도 1에 도시된 실시 예와 달리 변환 소자(2)가 다층의 소자로서 형성되었다. 바람직하게 상기 변환 소자(2)는 제 1 층(21) 그리고 제 2 층(22)을 포함한다. 상기 제 1 층(21)은 바람직하게 접착 촉진 층으로서 형성되었다. 예를 들어 상기 제 1 층(21)은 인광 물질이 그 안에 매립되어 있지 않은 매트릭스 재료를 포함한다. 상기 제 2 층(22)은 바람직하게 매트릭스 재료(2a) 그리고 상기 매트릭스 재료 안에 매립된 인광 물질(2b)을 구비한다. 대안적으로 제 2 층(22)으로서는 또한 예컨대 인광 물질을 함유한 유리 세라믹과 같은 외부 변환 소자도 사용될 수 있다.
상기 실시 예에서 제 2 층(22)은 제 1 층(21)에 의해서 반도체 칩(1)과 접착될 수 있다. 본 경우에는 상기 제 2 층(22)이 바람직하게 저용융 유리를 구비함으로써, 결과적으로 상기 제 2 층(22)을 가열할 때에 제 1 층(21)이 반도체 칩(1)과 기계적으로 그리고 형상 결합 방식으로 연결될 수 있다.
그 외에 도 6에 따른 실시 예는 도 1에 따른 실시 예와 실제로 일치한다.
도 7에 따른 실시 예에서는 도 1에 도시된 실시 예와 달리 변환 소자(2)와 반도체 칩(1) 사이에 간격이 존재함으로써, 결과적으로 변환 소자(2)와 반도체 칩(1) 사이에는 간극(5)이 형성되었다. 상기 간극(5) 안에는 바람직하게 가스, 예를 들어 공기가 존재한다.
예를 들어 반도체 칩(1) 및 변환 소자(2)는 기판(6) 상에 배치되어 있다. 이때 상기 변환 소자(2)는 간격을 두고서 상기 반도체 칩(1)을 둘러쌀 수 있다. 대안적으로 상기 반도체 칩(1)은 하나의 하우징(도면에는 도시되어 있지 않음) 안에 배치될 수도 있으며, 이 경우에는 예를 들어 상기 하우징의 영역들이 변환 소자(2)의 지지 면으로 이용됨으로써, 결과적으로 변환 소자(2)와 반도체 칩(1) 사이에 간격이 구현될 수 있다.
그 외에 도 7에 따른 실시 예는 도 1에 따른 실시 예와 실제로 일치한다.
본 발명은 실시 예를 참조하는 상세한 설명에 의해서 한정되지 않는다. 오히려 본 발명은 각각의 새로운 특징 그리고 상기 특징들의 각각의 조합을 포함하며, 특히 상기 특징 그리고 특징 조합 자체가 특허 청구의 범위 또는 실시 예에 명시적으로 기재되어 있지 않더라도 각각의 특징 및 특징 조합은 특허 청구의 범위에 포함된 것으로 간주 된다.

Claims (15)

  1. 반도체 칩(1) 및 변환 소자(2)를 구비하는 방사선 방출 컴포넌트(10)로서,
    상기 반도체 칩(1)이 전자기 방사선을 발생하기에 적합한 활성 층 및 방사선 배출 면(11)을 포함하며,
    상기 변환 소자(2)가 매트릭스 재료(2a) 및 인광 물질(2b)을 포함하며, 이때 상기 매트릭스 재료(2a)는 적어도 40 중량-%의 텔루륨 옥사이드(tellurium oxide)를 함유하고, 보론 트리옥사이드(boron trioxide) 및/또는 게르마늄 옥사이드(germanium oxide)는 함유하지 않으며, 그리고
    상기 변환 소자(2)가 상기 반도체 칩(1)의 방사선 배출 면(11) 뒤에 배치된,
    방사선 방출 컴포넌트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 변환 소자(2)가 상기 반도체 칩(1)의 방사선 배출 면(11) 바로 위에 배치된,
    방사선 방출 컴포넌트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 변환 소자(2)와 반도체 칩(1)의 방사선 배출 면(11) 사이에 간격이 존재하는,
    방사선 방출 컴포넌트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 매트릭스 재료(2a)가 적어도 75 중량-%의 텔루륨 옥사이드를 함유하는,
    방사선 방출 컴포넌트.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 매트릭스 재료(2a)가 포스포 텔루라이트 및/또는 실버 포스포 텔루라이트를 포함하는,
    방사선 방출 컴포넌트.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 매트릭스 재료(2a)가 이 매트릭스 재료(2a)의 굴절률을 높여주는 적어도 하나의 추가 소자(2c)를 포함하는,
    방사선 방출 컴포넌트
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 매트릭스 재료(2a)가 2보다 큰 굴절률(n)을 갖는,
    방사선 방출 컴포넌트
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 변환 소자(2) 뒤에 방사선을 흡수하는 특성을 갖는 적어도 하나의 추가 층(3)이 배치된,
    방사선 방출 컴포넌트
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 매트릭스 재료(2a)의 연화 온도가 350 ℃보다 작거나 같은,
    방사선 방출 컴포넌트
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 변환 소자(2) 또는 매트릭스 재료(2a)가 접착 촉진 층으로서 형성된,
    방사선 방출 컴포넌트
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 변환 소자(2)가 소형 플레이트 모양으로 형성되거나 또는 반도체 칩(1)이 그 안에 매립되어 있는 밀봉 재료에 의해서 형성된,
    방사선 방출 컴포넌트
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 변환 소자(2)가 방사선을 형성하는 소자로서 형성된,
    방사선 방출 컴포넌트
  13. 방사선 방출 컴포넌트(10)를 제조하기 위한 방법으로서,
    상기 방법이
    전자기 방사선을 발생하기에 적합한 활성 층 및 방사선 배출 면(11)을 포함하는 반도체 칩(1)을 준비하는 처리 단계, 그리고
    매트릭스 재료(2a) 및 및 인광 물질(2b)을 포함하는 변환 소자(2)를 상기 반도체 칩(1)의 방사선 배출 면(11) 상에 증착하는 처리 단계를 포함하며, 이때 상기 매트릭스 재료(2a)는 적어도 40 중량-%의 텔루륨 옥사이드를 함유하고, 보론 트리옥사이드 및/또는 게르마늄 옥사이드는 함유하지 않는,
    방사선 방출 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 증착 처리 단계가 상기 매트릭스 재료(2a)를 상기 반도체 칩(1)의 방사선 배출 면(11) 바로 위에 증착한 후에 이어서 인광 물질(2b)로 코팅하며, 그리고 상기 인광 물질(2b)을 상기 매트릭스 재료(2a) 안에 침전시키는 과정을 포함하는,
    방사선 방출 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 매트릭스 재료(2a)가 의도한 바대로 상기 인광 물질(2b)로 불균일하게 코팅됨으로써, 결과적으로 균일한 방출 특성이 형성될 수 있는,
    방사선 방출 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017010730A1 (ko) * 2015-07-14 2017-01-19 주식회사 베이스 유리 프릿을 활용한 색변환 소재를 포함하는 led 칩 스케일 패키지 및 그 제조방법
KR20210110045A (ko) * 2020-02-28 2021-09-07 한양대학교 산학협력단 텔루륨 산화물 및 이를 채널층으로 구비하는 박막트랜지스터

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010042217A1 (de) 2010-10-08 2012-04-12 Osram Ag Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US9365766B2 (en) * 2011-10-13 2016-06-14 Intematix Corporation Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion
DE102012210195A1 (de) 2012-06-18 2013-12-19 Osram Gmbh Vorrichtung zum Bereitstellen elektromagnetischer Strahlung
DE102012212086A1 (de) * 2012-07-11 2014-01-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen einer komponente eines optoelektronischen bauelements und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
DE102012213467B4 (de) 2012-07-31 2023-12-07 Coretronic Corporation Vorrichtung zum bereitstellen elektromagnetischer strahlung
DE102012220980A1 (de) 2012-11-16 2014-05-22 Osram Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement
DE102012112307A1 (de) * 2012-12-14 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
JP7068771B2 (ja) * 2013-07-08 2022-05-17 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 波長変換式半導体発光デバイス
DE102013218451A1 (de) * 2013-09-14 2015-03-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Konversionselement für ein optisches oder optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102013226630A1 (de) 2013-12-19 2015-06-25 Osram Gmbh Konversionselement, Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE102013226636A1 (de) 2013-12-19 2015-06-25 Friedrich-Schiller-Universität Jena Glaszusammensetzung, Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE102014106074A1 (de) * 2014-04-30 2015-11-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung
JP6575314B2 (ja) * 2015-11-13 2019-09-18 日本電気硝子株式会社 波長変換部材の製造方法及び波長変換部材
JP2018097351A (ja) * 2016-12-15 2018-06-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
US10487390B2 (en) 2017-03-10 2019-11-26 Osram Gmbh Method of bonding a laser activated remote phosphor assembly, method of manufacture and a laser activated remote phosphor assembly
JP6900571B2 (ja) * 2017-08-03 2021-07-07 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置を製造する方法
DE102019105831A1 (de) * 2019-03-07 2020-09-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement mit einer transparenten verbindung zwischen zwei fügepartnern und verfahren zu dessen herstellung
JP7279436B2 (ja) 2019-03-18 2023-05-23 セイコーエプソン株式会社 波長変換素子、光源装置、プロジェクター、及び波長変換素子の製造方法
JP6922939B2 (ja) 2019-03-18 2021-08-18 セイコーエプソン株式会社 波長変換素子、光源装置、プロジェクター、及び波長変換素子の製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3798114A (en) 1971-05-11 1974-03-19 Owens Illinois Inc Glasses with high content of silver oxide
DD158176A3 (de) * 1980-09-25 1983-01-05 Herbert Buerger Hochbrechendes optisches glas mit verbesserter transmission
JPS623042A (ja) 1985-06-28 1987-01-09 Hoya Corp テルライトガラス
JPS62128946A (ja) * 1985-11-26 1987-06-11 Hoya Corp テルライトガラス
JPH03232738A (ja) * 1990-02-09 1991-10-16 Nippon Electric Glass Co Ltd 低融点封着用組成物
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
KR100643442B1 (ko) 1996-06-26 2006-11-10 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
DE10010638A1 (de) 2000-03-03 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines lichtabstrahlenden Halbleiterkörpers mit Lumineszenzkonversionselement
JP4292794B2 (ja) * 2002-12-04 2009-07-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置の製造方法および発光装置の色度調整方法
US20040186488A1 (en) 2003-03-17 2004-09-23 Droese Karl William Method of peripheral nerve reconstruction using a micro suction connector
JP4465989B2 (ja) 2003-06-18 2010-05-26 旭硝子株式会社 発光ダイオード素子
US7553683B2 (en) 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
JP2006143490A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Toyo Glass Co Ltd 低融点ガラス接着剤
WO2006112417A1 (ja) * 2005-04-15 2006-10-26 Asahi Glass Company, Limited ガラス封止発光素子、ガラス封止発光素子付き回路基板およびそれらの製造方法
WO2006117710A1 (en) * 2005-04-29 2006-11-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source with glass housing
DE102005023134A1 (de) 2005-05-19 2006-11-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lumineszenzkonversions-LED
US8425271B2 (en) 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
WO2008096796A1 (ja) 2007-02-07 2008-08-14 Asahi Glass Company, Limited 光学素子被覆用ガラス及びガラス被覆発光装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017010730A1 (ko) * 2015-07-14 2017-01-19 주식회사 베이스 유리 프릿을 활용한 색변환 소재를 포함하는 led 칩 스케일 패키지 및 그 제조방법
KR20210110045A (ko) * 2020-02-28 2021-09-07 한양대학교 산학협력단 텔루륨 산화물 및 이를 채널층으로 구비하는 박막트랜지스터

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Publication number Publication date
KR101825044B1 (ko) 2018-02-02
DE102010009456A1 (de) 2011-09-01
US8890140B2 (en) 2014-11-18
CN102782888B (zh) 2015-12-02
DE112011100677A5 (de) 2013-03-07
WO2011104364A1 (de) 2011-09-01
US20130056725A1 (en) 2013-03-07
JP2013520824A (ja) 2013-06-06
CN102782888A (zh) 2012-11-14

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