KR20130018866A - 콘택트 프로브 - Google Patents

Abstract

피검체(특히, 피검체에 포함되는 Sn)와의 저부착성을 실현하는 동시에, 장기간에 걸쳐 안정된 접촉 저항을 유지할 수 있는 콘택트 프로브 및 그것을 갖는 접속 장치를 제공한다. 본 발명은, 전극에 반복하여 접촉하는 콘택트 프로브이며, 전극과 접촉하는 상기 콘택트 프로브 표면에, 금속 원소를 함유하는 탄소 피막이 형성되어 있고, 상기 금속 원소의 탄소 피막 표면에서의 농도가 탄소 피막 전체의 평균 농도보다도 낮은 콘택트 프로브에 관한 것이다.

Description

콘택트 프로브{CONTACT PROBE}

본 발명은, 반도체 소자의 전극에 접촉시켜 전기적 특성을 검사하기 위해 사용되는 콘택트 프로브에 관한 것으로, 특히, 검사의 반복에 의해서도 도전성이 열화되지 않는 콘택트 프로브 및 그것을 갖는 검사용 소킷, 프로브 카드, 검사 유닛 등의 검사용 접속 장치에 관한 것이다.

집적 회로(IC), 대규모 집적 회로(LSI), 발광 다이오드(LED) 등의 전자 부품(즉, 반도체 소자를 사용한 전자 부품)은, 반도체 소자의 전극에 콘택트 프로브를 접촉시켜 그 전기 특성이 검사된다. 이러한 검사 장치에서 사용되는 콘택트 프로브는 도전성, 즉, 접촉 저항값이 작은 것은 물론, 피검체인 전극과 반복하여 접촉시켜도 도전성이 열화되지 않는 것이 요구된다.

콘택트 프로브의 접촉 저항값은, 일반적으로는 100mΩ 이하로 설정되어 있지만, 피검체와의 반복 검사를 행함으로써, 접촉 저항값이 수 100mΩ로부터 수 Ω까지 악화되는 경우가 있다. 이러한 사태에의 대책으로서는, 콘택트 프로브의 클리닝이나 교환이 행해지고 있다. 그러나 이들 대책은, 검사 공정의 신뢰성과 검사 장치의 가동률을 현저하게 저하시키는 것이며, 접촉 저항값이 장기 사용에 의해서도 악화되지 않는 특성을 갖는 콘택트 프로브의 실현이 요망되고 있다. 특히, 피검체인 전극에 땜납이나 주석 등이 형성되어 있는 경우, 그 표면이 산화되기 쉽고 또한 유연하므로, 콘택트 프로브의 접촉에 의해 전극 표면이 깎아내어져, 콘택트 프로브의 선단부에 부착되기 쉬운 성질이 있어, 안정된 접촉을 행하는 것이 곤란하다.

예를 들어, 특허문헌 1에는, 땜납이나 Al 등의 연질 금속의 용착 방지의 이형성 코팅 등에 적용할 수 있는 경질 탄소막으로서, 기재(基材)와 경질 탄소막의 밀착성을 향상시키기 위해, 탄소 또는 탄소와 수소로 이루어지고, 전기 저항률을 두께 방향에서 변화시킨 경질 탄소막이 개시되어 있다. 그러나 특허문헌 1에서는 콘택트 프로브에의 적용에 대해서는 언급되어 있지 않고, 도전성에 대해서는 전혀 고려되어 있지 않다.

콘택트 프로브의 접촉 저항값을 안정화시키기 위한 기술로서는, 예를 들어 특허문헌 2 내지 5를 들 수 있다. 특허문헌 2 내지 5에서는, 반도체 소자의 전극과의 접촉 단자의 표면에 형성시키는 DLC(Diamond Like Carbon) 등의 탄소 피막에, 텅스텐 등의 금속 원소를 함유시킴으로써, 상대재에 대한 저부착성과, 함유시킨 금속에 의한 높은 도전성을 아울러 갖는 표면 피막을 실현할 수 있는 취지가 개시되어 있다.

일본 특허 출원 공개 평10-226874호 공보 일본 특허 출원 공개 제2002-318247호 공보 일본 특허 출원 공개 제2003-231203호 공보 일본 특허 출원 공개 제2007-24613호 공보 일본 특허 출원 공개 제2001-289874호 공보

본 발명의 목적은, 피검체(예를 들어, 땜납, Sn, Al, Pd 등)와의 저부착성을 실현하는 동시에, 장기간에 걸쳐 안정된 도전성(본 발명에 있어서는 접촉 저항값에 의해 평가함)을 유지할 수 있는 콘택트 프로브 및 그것을 갖는 접속 장치를 제공하는 것에 있다.

본 발명은 이하의 콘택트 프로브 및 검사용 접속 장치를 제공한다.

(1) 전극에 반복하여 접촉하는 콘택트 프로브이며,

전극과 접촉하는 상기 콘택트 프로브 표면에, 금속 원소를 함유하는 탄소 피막이 형성되어 있고,

상기 금속 원소의 탄소 피막 표면에서의 농도가 탄소 피막 전체의 평균 농도보다도 낮은 콘택트 프로브.

(2) 상기 탄소 피막은, 상기 금속 원소의 농도에 관하여 다층 구조를 갖거나, 또는 상기 금속 원소의 농도가 막 두께 방향으로 연속적으로 변화되는 (1)에 기재된 콘택트 프로브.

(3) 상기 금속 원소의 농도가, 상기 콘택트 프로브의 기재측으로부터 표면측을 향해 계속 감소하는 (2)에 기재된 콘택트 프로브.

(4) 상기 탄소 피막의 표면에 있어서의 상기 금속 원소의 농도는, 15원자％ 이하인 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 콘택트 프로브.

(5) 상기 금속 원소는, 표면 농도와 평균 농도의 차가 10원자％ 이상인 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 콘택트 프로브.

(6) 상기 금속 원소는, 탄소 피막 전체의 평균 농도가 15원자％ 초과인 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 콘택트 프로브.

(7) 상기 탄소 피막은 다이아몬드 라이크 카본막인 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 콘택트 프로브.

(8) 상기 금속 원소는, 텅스텐, 탄탈, 몰리브덴, 니오브, 티탄 및 크롬으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 (1) 내지 (7) 중 어느 하나에 기재된 콘택트 프로브.

(9) 상기 탄소 피막의 전체 막 두께는, 50㎚ 이상, 5㎛ 이하인 (1) 내지 (8)중 어느 하나에 기재된 콘택트 프로브.

(10) 상기 콘택트 프로브의 선단에 돌기가 형성되어 있고, 상기 돌기의 선단을 상기 콘택트 프로브의 측면으로부터 투영하였을 때, 곡률 반경이 10㎛ 이하인 (1) 내지 (9) 중 어느 하나에 기재된 콘택트 프로브.

(11) (1) 내지 (10) 중 어느 하나에 기재된 콘택트 프로브를 복수개 갖는 검사용 접속 장치.

본 발명의 콘택트 프로브는, 전극과 접촉하는 콘택트 프로브 표면에 형성되는 탄소 피막 중의 금속 원소의 농도에 대해, 피막 표면에서의 농도가 평균 농도보다도 작게 되어 있으므로, 상기 금속 원소의 산화에 의한 도전성의 열화를 방지할 수 있다. 또한, 상기 피막 전체의 평균 농도를 소정 이상 확보함으로써, 콘택트 프로브의 도전성 및 피검체(특히, 피검체에 포함되는 Sn)와의 저부착성도 동시에 실현할 수 있다.

도 1은 탄소 피막(DLC막) 중의 W(텅스텐) 농도와, 접촉 저항의 상승 속도의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 2는 탄소 피막(DLC막) 중의 W(텅스텐) 농도와, 비저항의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 3은 본 발명의 콘택트 프로브가 갖는 탄소 피막 등의 구성을 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 4의 (a)와 (b)는 콘택트 프로브의 선단을 확대한 SEM(주사형 전자 현미경) 사진으로, 도 4의 (a)는 선단의 곡률 반경이 13㎛인 경우의 SEM 사진이고, 도 4의 (b)는 선단의 곡률 반경이 9㎛인 경우의 SEM 사진이다.

상기 특허문헌 2 내지 5에 개시되는 기술에 대해 본 발명자들이 검토한 바, 이들은 장기의 사용에 의한 도전성의 악화, 즉, 접촉 저항값의 상승이 아직 높은 것인 것이 판명되었다. 이 원인에 대해 본 발명자들이 검토한 바, 콘택트 프로브의 표면에 형성되는 탄소 피막 중에 포함되는 금속 원소, 나아가서는 그 탄화물이 주위 환경의 수분(습도)이나 온도의 영향을 받아 산화됨으로써 콘택트 프로브의 접촉 저항값이 증가하는 것이라 생각되었다. 보다 상세하게는, 상기 특허문헌 2 내지 5에서는 탄소 피막 중에 함유하는 금속 원소로서 몰리브덴, 텅스텐, 탄탈 등이 언급되어 있지만, 이들 금속 원소의 산화물은 절연체 혹은 반도체이며, 이들 금속의 산화물이 형성됨으로써 콘택트 프로브의 접촉 저항값에 악영향을 미친다고 생각된다. 또한, 본 발명자의 검토에 따르면, 상기 금속 원소는 탄화물 상태라도 산화가 진행되어, 표면에 산화물을 형성하여 콘택트 프로브의 접촉 저항을 증가시키고, 조건에 따라서는 수 Ω라고 하는 높은 접촉 저항을 나타내는 경우가 있는 것을 알 수 있었다. 특히 반도체의 검사에서는 120 내지 160℃ 정도의 고온에서의 검사가 종종 행해지지만, 이러한 경우에 상기 금속 원소나 그 탄화물을 함유시킨 탄소 피막을, 반도체 소자 등의 전극에 접촉시키면, 보다 빠르게 이들 산화물이 형성되어, 콘택트 프로브의 접촉 저항의 증가가 진행된다. 이러한 산화막은, 반도체 소자 등의 전극과의 반복 접촉에 의한 마찰에 의해 제거되는 경우도 있지만, 제거되지 않고 잔존한 경우에는, 당해 전극과의 접촉 불량이 발생하는 것이며, 항상 안정적으로 콘택트 프로브의 도전성을 확보하기 위해서는 산화물의 형성을 최대한 억제하는 것이 중요하다. 이 산화물의 형성에 대해 또한 검토를 진행시킨 결과, 상기한 금속 원소나 그 탄화물의 산화에 의한 접촉 저항의 증대는, 탄소 피막의 표면에 있어서의 금속 원소의 농도가 크게 영향을 미치고 있고, 주위의 수분 등의 영향에 의해 산화물이 형성되므로, 일정 시간 경과 후에 접촉 저항값이 상승하는 것이 명확해졌다.

한편, 탄소 피막의 도전성은, 탄소 피막에 함유되는 금속 원소 등의 농도에 의존하고, 금속 원소 등의 농도가 낮은 경우에는 탄소 피막의 도전성을 충분히 확보할 수 없다.

따라서, 상기 금속 원소의 산화를 억제하여 일정 시간 경과 후의 콘택트 프로브의 접촉 저항의 상승을 방지하면서, 사용 개시 초기의 접촉 저항도 저감시키기 위해서는, 탄소 피막 중에 함유되는 상기 금속 원소의 농도에 대해, 탄소 피막의 표면 근방에서는 농도를 낮게 하고, 그 이외의 부분에서는 농도를 높게 하면 되는 것을 발견하였다. 이하에 상세하게 서술한다.

본 발명에 있어서의 탄소 피막은, 전극과 접촉하는 콘택트 프로브 표면에 형성되어 있고, 금속 원소를 함유하는 것이다. 본 발명에 있어서, 상기 금속 원소의, 탄소 피막 전체의 평균 농도보다도 낮은 것이 중요하다. 즉, 본 발명의 콘택트 프로브 표면에 형성되는 상기 탄소 피막은, 금속 원소의 농도가, 탄소 피막 전체의 평균 농도보다도 낮은 영역을 탄소 피막 표면에 갖고 있는 것에 특징이 있다. 이와 같이 금속 원소의 농도가 낮게 제어된 영역을 탄소 피막 표면에 형성함으로써, 상기 금속 원소가 주위 환경의 수분(습도)이나 온도의 영향을 받아 산화되는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 반복 검사를 행하여 일정 시간 경과한 후에 있어서도 콘택트 프로브의 접촉 저항값의 상승을 방지할 수 있다.

또한, 상기 금속 원소는, 탄소 피막 중에서 금속 원소의 단체로서 존재하고 있어도 되고, 금속 원소의 탄화물로서 존재하고 있어도 된다. 탄화물로서 존재하는 경우라도, 여기서는 금속 원소의 농도로서 나타낸다. 예를 들어, WC 등의 탄화물이라도, W 원소의 농도(원자％)로 나타낸다.

본 발명에 있어서 「탄소 피막 표면」이라 함은, 금속 원소의 농도가, 탄소 피막 전체의 평균 농도보다도 낮게 되어 있는 표면측의 영역을 의미한다. 따라서, 금속 원소의 농도가 상기 관계를 만족시키는 탄소 피막 표면측의 영역은, 모두 본 발명에 있어서의 탄소 피막 표면에 포함된다. 구체적으로는 「탄소 피막 표면」이라 함은, 금속 원소의 농도가 상기 관계를 만족시키는 한, 예를 들어 탄소 피막의 최표면으로부터 1 내지 3㎚ 정도의 깊이까지의 영역이어도 되고, 탄소 피막의 최표면으로부터 5㎚ 깊이의 위치까지의 영역이어도 된다. 또한, 주위 환경에 의한 산화의 영향을 보다 고도로 억제하기 위해서는, 탄소 피막의 최표면으로부터 적어도 20㎚ 정도 깊이까지의 영역(＝「탄소 피막 표면」에 상당)의 농도가, 탄소 피막 전체의 평균 농도보다도 낮아지도록 하는 것이 보다 바람직하다.

상술한 탄소 피막 표면 형성에 의한 작용(금속 원소의 산화를 억제하여 콘택트 프로브의 접촉 저항의 상승을 방지함)을 유효하게 발휘시키기 위해서는, 탄소 피막 표면에 있어서의 금속 원소의 농도는 15원자％ 이하인 것이 바람직하다. 이 상한(15원자％ 이하)의 근거로 된 예비 실험에 대해, 도 1을 참조하면서 설명한다. 이하의 예비 실험(후기하는 도 2도 포함함)은, 금속 원소로서 W(텅스텐)를 사용하였을 때의 결과이지만, W에 한정되지 않고, 본 발명에 사용될 수 있는, 다른 바람직한 금속 원소(탄탈, 몰리브덴, 니오브, 티탄 및 크롬)나, 상기 W를 포함하는 상기 금속 원소를 2종 이상 포함하는 혼합물을 사용하였을 때에도, 대략 마찬가지의 결과를 나타내는 것을 실험에 의해 확인하고 있다.

도 1은, 탄소 피막 중의 금속 원소 농도가 표면 산화에 미치는 영향을 조사하기 위해 행한 예비 실험의 결과를 나타낸 것이며, 보다 구체적으로는, 하기와 같이 제작한 측정 시료에 대해, 탄소 피막(DLC막) 중의 W(텅스텐) 농도와, DLC막의 접촉 저항의 상승 속도의 관계를 나타낸 그래프이다. 우선, Au 전극 상에 일부 마스킹을 행하여, 후기하는 실시예와 마찬가지의 요령으로 탄소 피막(DLC막)을 성막하였다. DLC막의 성막시에는, DLC막 중에 W(텅스텐)가 함유되도록 카본 타깃 상에 W 칩을 배치하고, 그 수량을 조정함으로써 DLC막 중의 W 농도를 제어하였다. 그 후, 마스킹을 제거하고, 마스킹을 행하고 있었던 부위의 Au 전극을 노출시켜 시료를 얻었다. 이와 같이 제작된 측정 시료(상세하게는, 노출시킨 Au 전극 부분과 DLC막 부분의 각각)에, 전극과 동일한 금속 재료로 이루어지는 Au의 콘택트 프로브를 접촉시킴으로써 측정 시료의 접촉 저항을 측정하였다. Au 전극과 Au의 콘택트 프로브를 접촉시킨 경우에는, 그 접촉 저항을 거의 무시할 수 있는 동시에, 프로브나 배선의 저항은 일정하므로, 미리 측정된 이들 값을, 측정 시료의 접촉 저항으로부터 뺌으로써, 측정 시료를 구성하는 DLC막 표면의 접촉 저항을 산출할 수 있다. 이러한 측정을, 일정 시간, 핀을 방치한 전후에 실시하였다. 핀을 방치하는 환경의 온도에 대해 23℃와 160℃ 각각에서 행하였을 때의 결과를 도 1에 나타내었다. 도 1로부터, 어느 온도에 있어서도 W 농도가 15원자％ 이상으로 되면, 접촉 저항의 상승 속도가 급격하게 상승하는 것을 알 수 있었다.

상기 도 1의 실험 결과에 기초하여, 금속 원소의 산화 억제에 유용한, 탄소 피막 표면에 있어서의 금속 원소의 바람직한 농도(2종 이상의 금속 원소인 경우는 그 합계의 농도를 나타냄)를 15원자％ 이하로 정하였다. 보다 바람직하게는 10원자％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 8원자％ 이하이다. 또한, 탄소 피막 표면에 있어서의 상기 농도의 하한값은, 접촉 저항의 상승 속도로부터는 특별히 한정되지 않지만, 탄소 피막의 도전성을 충분히 확보한다는 관점에서, 대체로 1원자％ 이상으로 하는 것이 바람직하다.

한편, 탄소 피막의 도전성은, 탄소 피막 중에 함유되는 금속 원소의 농도에 비례하여 양호한 것으로 되므로(즉, 접촉 저항값은 감소), 탄소 피막 전체적으로는 상기 금속 원소의 평균 농도를 소정 이상 확보하는 것이 유효하다.

도 2는, 탄소 피막 중의 금속 원소 농도가 도전성에 미치는 영향을 조사하기 위해 행한 예비 실험의 결과를 나타낸 것이며, 보다 구체적으로는, 하기와 같이 하여 제작한 측정 시료에 대해, 탄소 피막(DLC막) 중의 W(텅스텐) 농도와, DLC막의 비저항의 관계를 나타낸 그래프이다. 우선, 절연성 기판(실리콘 기판에 열산화막을 100㎚ 형성한 것) 상에, 후기하는 실시예와 마찬가지의 요령으로 W(텅스텐)를 포함하는 탄소 피막(DLC막)을 성막한 측정 시료를 제작하고, 4탐침법에 의해 시트저항을 측정하여, DLC막의 단면적과 두께로부터 W를 포함하는 DLC막의 비저항을 산출하였다. W 농도를 다양하게 변화시킨 경우의 DLC막의 비저항을 각각 측정하여, 도 2에 나타내었다. 그 결과, 도 2에 나타낸 바와 같이, DLC막의 비저항은 DLC막중의 W 농도에 거의 역비례하여, W 농도가 증가할수록 비저항을 작게 할 수 있는 것을 알 수 있었다. 예를 들어, W 농도가 10원자％인 경우는 비저항은 약 2000μΩ·㎝로 되어(예를 들어, 금 등의 금속의 비저항의 약 1000배 정도의 값), DLC막의 막 두께 및 접촉 면적을, 각각 예를 들어 1㎛ 정도 및 200㎛² 정도로 하면, DLC막의 저항은 약 100mΩ으로 된다. 한편, W 농도를 15원자％ 정도로 높이면, 비저항은 약 1200μΩ·㎝로 되어, 상기한 바와 마찬가지의 막 두께 및 접촉 면적에서, 저항값을 60mΩ 정도로 할 수 있고, 또한 W 농도를 35원자％까지 높이면, 저항값을 약 20mΩ로 할 수 있다.

따라서, 탄소 피막 전체의 상기 금속 원소의 평균 농도(2종 이상의 금속 원소인 경우는 그 합계의 농도를 나타냄)는, 15원자％ 초과인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20원자％ 이상이다. 또한, 피막 전체의 평균 농도를 소정 이상으로 높임으로써, 탄소 피막의 기재와의 밀착력이 증대되어, 막 응력이 저감되어 박리되기 어려워진다고 하는 이점도 있다. 한편, 탄소 피막 전체의 평균 농도는 지나치게 높아지면, 금속으로서의 성질이 증가되어, 탄소 피막으로서 적절하게 사용되는 DLC와 같은 균질한 비정질의 실현에 의한 평활한 표면이 얻어지기 어려워진다. 또한, 피막 표면 부분과의 기계적 특성의 차이가 지나치게 커져 박리가 발생되기 쉬워져, 탄소 피막 전체의 설계가 어려워진다. 따라서, 탄소 피막 전체의 상기 금속 원소의 평균 농도(금속 원소를 포함하는 탄소 피막의 금속 원소 농도는 모든 장소에 있어서)는 95원자％ 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 90원자％ 이하, 더욱 바람직하게는 70원자％ 이하이다. 또한, 상기 금속 원소에 대해, 표면 농도와 평균 농도의 차는 대체로 10원자％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 15원자％ 이상이다. 이와 같이 함으로써, 사용 개시 직후 초기의 접촉 저항값을 낮게 억제하는 동시에, 반복 검사를 행하여 일정 시간 경과한 후에도 접촉 저항값의 상승을 억제할 수 있다고 하는 효과를, 보다 유효하게 발휘시킬 수 있다.

상기 탄소 피막의 구성은, 상기 금속 원소의 농도에 관하여 다층 구조(즉, 2층 이상)여도 되고, 또는 상기 농도가 막 두께 방향으로 연속적으로 변화되는 것이어도 된다. 각 층에 포함되는 금속 원소의 종류(바람직한 금속 원소의 종류는 후술함)는, 동일해도 되고, 달라도 된다.

본 발명의 탄소 피막이 상기 금속 원소의 농도에 관하여 다층 구조인 경우, 각 층 내에 있어서의 상기 금속 원소는, 각 층 내에서 막 두께 방향으로 농도가 일정해도 되고, 각 층 내에서 막 두께 방향으로 농도가 연속적으로 변화되는 것이어도 된다.

상기한 다층 구조인 경우, 혹은 상기 금속 원소의 농도가 탄소 피막의 막 두께 방향으로 연속적으로 변화되는 경우, 금속 원소의 표면 농도가 피막 전체의 평균 농도보다도 낮은 것인 한, 상기 금속 원소의 막 두께 방향의 농도 분포는, 콘택트 프로브의 기재측으로부터 표면측을 향해 계속 감소하는 것이어도 되고, 감소와 증가를 교대로 반복하는 것이어도 된다. 그러나, 금속 원소의 산화의 억제와 피막 전체의 저저항화라고 하는 관점에서, 콘택트 프로브의 기재측으로부터 표면측을 향해 계속 감소하는 것인 것이 바람직하다. 탄소 피막이 다층 구조인 경우, 상기 금속 원소의 농도가 기재측으로부터 표면측을 향해 계속 감소한다고 하는 것은, 기재측으로부터 차례로 제1층, 제2층, 제3층…, 최표면층으로 한 경우, (제1층에 있어서의 농도)＞(제2층에 있어서의 농도)＞(제3층에 있어서의 농도)＞…＞(최표면층에 있어서의 농도)라고 하는 관계를 만족시키고 있으면 된다.

본 발명에 있어서, 탄소 피막 전체의 금속 원소의 평균 농도라 함은, 금속 원소의 농도가 막 두께 방향으로 연속적으로 변화되는 것인 경우는, 탄소 피막의 전체 막 두께에 걸치는 금속 원소의 적분 농도를 구하고, 탄소 피막의 전체 막 두께로 나눔으로써 구할 수 있다. 또한, 탄소 피막이 다층 구조인 경우에는, (각 층의 농도)×(각 층의 막 두께)의 값을 모든 층에 대해 계산하여 이들의 합을 구하고, 탄소 피막의 전체 막 두께로 나눔으로써 구할 수 있다. 또한, 다층 구조에 있어서, 각 층 내의 농도가 연속적으로 변화되는 것인 경우, 상기와 마찬가지로 하여 각 층의 평균 농도를 구하고, 이것을 각 층의 농도로 하면 된다.

본 발명에 있어서, 금속 원소의 탄소 피막 막 두께 방향(기재측으로부터 표면측을 향하는 방향)의 분석은, 오제 전자 분광법에 의해 행하였다. XPS 분석법에 의해서도 금속 원소의 탄소 피막 막 두께 방향의 분석은 가능하지만, 오제 전자 분광법에 따르면, 수 ㎛의 크기까지 빔을 좁힐 수 있으므로, 특히 콘택트 프로브와 같이 미세한 선단을 갖는 기재의 분석을 더욱 고정밀도로 행할 수 있다.

탄소 피막 중에 포함되는 상기 금속 원소로서는, 텅스텐, 탄탈, 몰리브덴, 니오브, 티탄 및 크롬으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다. 이들 원소는, 용이하게 탄화물을 형성하는 금속이며, 탄소 피막 중에 균일하게 분산되어, 비정질로 균일한 상태를 유지할 수 있는 원소이므로 바람직하다. 상기 원소 중, 탄화물의 안정성이나 저렴하게 입수할 수 있다고 하는 점에서, 텅스텐을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 상기한 금속 원소는 단독으로 포함되어 있어도 되고, 2종 이상이 포함되어 있어도 된다. 또한, 탄소 피막 표면에 포함되는 금속 원소와, 표면을 제외하는 탄소 피막 중에 포함되는 금속 원소는, 후기하는 제1 실시예에 나타내는 바와 같이 동일해도 되고, 혹은 후기하는 제4 실시예에 나타내는 바와 같이 달라도 된다.

본 발명에 있어서의 탄소 피막이라 함은, 예를 들어 DLC막으로 대표되는 바와 같이, 고경도이며, 내마모성 및 미끄럼 이동성이 우수하고, 피막의 전체면에 걸쳐 비정질인 것이 바람직하다. 왜냐하면, 이러한 탄소 피막은, 상대 재료와의 콘택트를 반복해도 소모되지 않고, 상대 재료가 부착되는 일도 없고, 또한 비정질임으로써 표면의 요철을 증가시킬 가능성도 작기 때문이다. 또한, 탄소 피막의 막 두께는, 지나치게 얇으면 기계적 강도가 불충분해져 마모나 크랙의 원인으로 될 우려가 있고, 또한 지나치게 두꺼우면 도전성이 저하될 우려가 있다. 따라서 탄소 피막 전체의 막 두께는, 50㎚ 이상, 5㎛ 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100㎚이상, 2㎛ 이하이다. 상기 막 두께의 상한과 하한을 임의로 조합하여, 상기 막 두께의 범위로 할 수도 있다.

이러한 층 구성을 갖는 탄소 피막(나아가서는, 후기하는 중간층)은, 화학 기상 증착법(CVD법), 스퍼터링법 및 아크 이온 플레이팅법(AIP법) 등, 다양한 성막 방법에 의해 형성할 수 있지만, 전기 저항이 낮은 탄소 피막이 형성되기 쉽거나, 탄소 피막에 금속 원소를 도입하기 쉬운 점으로부터, 스퍼터링법이나 AIP법을 적용하는 것이 바람직하다. 특히, 스퍼터링법은, 양질의 탄소 피막을 형성하는 점에서 가장 바람직하다. 즉, 탄소 피막 본래의 성질로는, 다이아몬드 구조나 그라파이트 구조가 있고, 충분한 경도와 낮은 전기 전도를 얻기 위해서는 양자의 중간적인 구조인 비정질 구조가 바람직한 것이지만, 이러한 구조는 스퍼터링법에 의해 가장 얻어지기 쉽고, 또한 전기 전도를 저해하는 수소의 혼입도 거의 발생하는 일은 없다.

상기 스퍼터링법을 이용하여, 금속 원소의 탄소 피막 표면에서의 농도가 탄소 피막 전체의 평균 농도보다도 낮아지는 탄소 피막을 성막하는 데 있어서는, 예를 들어 이하와 같이 하여 행할 수 있다.

우선, 탄소 공급원으로서, 하나의 카본 타깃 또는 그라파이트 타깃과 ; 금속 원소 공급원으로서, 탄소 피막에 함유시키는 각 금속 원소로 구성된 금속 타깃을 준비한다. 금속 타깃은, 탄소 피막에 함유되는 금속 원소의 종류에 따라서, 단독의 금속 원소로 구성되어 있어도 되고, 2종 이상의 금속 원소를 포함하고 있어도 된다. 상기한 금속 타깃 대신에, 카본과 금속 원소 중 적어도 1종을 모자이크 형상 혹은 매트릭스 내에 함유시키는 형태로 혼합시킨 복합 타깃을 사용할 수도 있다. 이들 타깃을 사용하여 스퍼터링을 행하지만, 스퍼터링에 있어서는, 예를 들어 카본 타깃과 금속 타깃에의 투입 전력을 적절하게 조정함으로써 탄소 피막 중의 금속 원소의 농도를 조정할 수 있다. 이때, 탄소 피막 중의 금속 원소의 농도는, 상술한 양쪽의 타깃 상을 교대로 이동하도록 회전시키는 등의 방법에 의해, 자유롭게 제어할 수 있다.

혹은, 상기한 바와 같이 2개 이상의 스퍼터링 타깃을 사용하는 것이 아니라, 후기하는 실시예에 나타낸 바와 같이, 카본 타깃 또는 그라파이트 타깃 상에, 탄소 피막 중에 함유시키고자 하는 금속 원소를 칩 온하여, 상기 스퍼터링 타깃 상의 금속 원소의 양과 위치를 조정함으로써 탄소 피막 중의 금속 원소의 농도를 조정할 수도 있다.

금속 원소의 탄소 피막 표면에서의 농도를 조정하는 데 있어서는, 보다 상세하게는, 예를 들어 금속 원소 함유 탄소 피막의 단층막을 형성하고, EPMA[전자선 마이크로 프로브 X선 분석계(Electron Probe X-ray Micro Analyzer ; EPMA)]에 의해 당해 단층막 중의 금속 원소 농도를 결정한 후, 그 적층 두께에 관해서는, 스퍼터링시의 성막 속도에 기초하여 그 농도의 막이 원하는 두께로 되도록 적층하는 방법을 들 수 있다.

본 발명의 콘택트 프로브는, 상기한 바와 같이 소정의 탄소 피막을 형성한 것에 특징이 있고, 그 이외의 요건은 특별히 한정되지 않으며, 콘택트 프로브의 기술 분야에 있어서 통상 사용되는 것을 적절하게 선택하여 채용할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 콘택트 프로브에 있어서의 기재는, 강도나 도전성을 고려하여, 베릴륨 구리(Be-Cu), 팔라듐(Pd), 텅스텐(W), 이리듐(Ir) 또는 이들의 합금, 탄소 공구강 등이 적절하게 사용된다. 또한 필요에 따라서, 상기 기재의 위에 Au계 등의 도금이 실시되어 있어도 된다.

또한, 본 발명은 콘택트 프로브와 마찬가지로 반도체 검사에 사용되는 검사용 소킷, 프로브 카드, 검사 유닛 등에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명의 탄소 피막이 피복되는 기재는 특별히 한정되지 않지만, 텅스텐이나 그 밖에 이리듐의 합금 등을 사용할 수 있다.

상기 기재 또는 그 위의 도금(이하, 「기재 등」이라 함)과, 본 발명을 특징짓는 탄소 피막 사이에는, 도 3에 도시하는 바와 같이 밀착성을 높이기 위한 중간층을 형성시키는 것이 바람직하다. 기재 등과 탄소 피막은 본래 밀착성이 나쁜 것이며, 또한 탄소 피막은, 기재 등을 구성하는 금속과의 열팽창률의 차에 기인하여 성막시에 압축 응력이 잔존하므로, 기재 등과의 계면에서 박리되기 쉽기 때문이다. 이러한 중간층으로서는 공지의 것을 사용할 수 있고, 예를 들어 전술한 특허문헌 2에 기재된 중간층을 참조할 수 있다. 구체적으로는 중간층으로서, 예를 들어 기재와 밀착성이 양호한 금속(예를 들어, Ni 등) 또는 그 합금으로 이루어지는 금속 밀착층을 적어도 1층 이상 갖는 것 ; 상기 금속 밀착층 상에 상기 금속 밀착층의 금속(예를 들어, Ni 등)과, 상기 탄소 피막에 포함되는 금속 원소(예를 들어, W 등)와, 탄소를 포함하는 탄소 함유층을 형성시킨 것 등을 들 수 있다. 이 탄소 함유층은, 기재측으로부터 탄소 피막측으로 됨에 따라서, 상기 탄소 함유층 중의 탄소 함유량이 계속 증가하는 경사층이어도 된다.

상기 금속 밀착층에 사용하는 금속은, 기재 등의 종류에 따라 적절한 것을 선택하면 좋지만, 기재 등(특히, 도금)이 Au계인 경우는 Ni나 Cr을 사용하는 것이 바람직하고, Ni를 사용하는 것이 보다 바람직하다. 이와 같이 기재 등에 따라서 적절한 중간층을 형성함으로써, 우수한 내구성을 실현할 수 있다.

그런데, 피검체로서의 전극에 납 프리 땜납이나 주석이 형성되어 있는 경우, 이들 도금은 대기 중에서 산화 절연 피막을 형성하는 것이며, 콘택트 프로브는 접촉시에 상기 절연 피막을 변형시켜 손상시킴으로써 양호한 도통을 확보한다. 표면에 탄소 피막을 형성한 콘택트 프로브에서는, 탄소 피막을 형성하지 않는 콘택트 프로브보다도, 피검체와의 접촉 계면의 저항이 증가하므로, 피검체 표면의 상태에 민감해지기 쉽다. 발명자의 검토에 따르면, 피검체에 소정의 하중으로 콘택트 프로브를 압박한 경우, 상기 산화 피막을 손상시키는 정도는, 콘택트 프로브의 선단의 곡률 반경에 크게 의존하는 것을 알 수 있었다. 그리고 선단의 곡률 반경이 10㎛ 이하인 경우에 피검체 표면의 상태에 관계없이 양호한 도통을 확보하는 것이 가능해져, 초기의 접촉 저항을 저감하는 동시에, 반복 검사에 의한 일정 시간 경과 후의 접촉 저항의 상승을 억제할 수 있다고 하는 본 발명의 효과가 보다 유효하게 발휘되어, 바람직한 것을 알 수 있었다. 선단의 곡률 반경은, 바람직하게는 9㎛ 이하이다. 또한, 콘택트 프로브 기재나 상대 재료(접촉하는 전극재)의 하중에도 의존하지만, 지나치게 예리한 선단은 일정한 하중에 의해 변형될 가능성이 높으므로, 곡률 반경은 1㎛ 이상이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이상이다.

또한, 상기한 바와 같은 표면 처리를 실시한 접촉 단자를 복수개 조합하여 반도체나 그 전자 소자 등의 검사에 사용되는 것으로서는, 예를 들어 검사용 소킷, 프로브 카드, 검사 유닛 등이 있다. 이들 장치에서는 복수의 콘택트 프로브(단자)를 장착하여, 전기적 도통을 동시에 행할 필요가 있으므로, 단자 표면의 신뢰성을 향상시키는 본 발명에 의한 방법이 특히 유효하다.

실시예

이하, 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 본 발명은 물론 하기 실시예에 의해 제한을 받는 것은 아니며, 상기·후기하는 취지에 적합한 범위에서 적당히 변경을 가하여 실시하는 것도 물론 가능하고, 그들은 모두 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

제1 실시예

본 실시예에서는, 콘택트 프로브로서, 선단부가 4분할된 스프링 내장 프로브를 사용하였다. 이 콘택트 프로브(가부시끼가이샤 요꼬오제, YPW-6XT03-047)는, Be-Cu 기재의 최표면에 Au계 도금이 실시된 것이다.

다음에, 이하와 같이 하여, 스퍼터링법에 의해, 기재와의 밀착성을 향상시키기 위한 중간층 및 탄소 피막(금속 원소로서 W를 함유)을 차례로 성막하였다.

구체적으로는, 우선, 마그네트론 스퍼터링 장치에, W(텅스텐) 칩을 적재한 탄소(그라파이트) 타깃 2기(基), 크롬 타깃 및 니켈 타깃을 배치하고, 이들과 대향하는 위치에 상기한 콘택트 프로브를 배치하였다. 이 중, 크롬 타깃 및 니켈 타깃은, 중간층 성막용으로 사용된다. 스퍼터링 챔버는, 미리 6.7×10^-4Pa까지 진공 배기한 후, Ar 가스를 도입하여 압력을 0.13Pa로 조정하였다.

다음에, 상기 Au계 도금 상에 중간층을 성막하였다. 상세하게는, Ni를 50㎚ 및 Cr을 50㎚ 차례로 성막한 후, 상기 Cr막 상에 Cr막과, 그 후에 형성되는 탄소 피막 중의 W(텅스텐)를 포함하는 W 함유 탄소 함유층을 교대로 성막하면서, 기재측으로부터 탄소 피막측을 향함에 따라 서서히 W 함유 탄소 함유층의 비율(막 두께)을 증가시키는 경사층을 형성하였다.

상기한 바와 같이 하여 중간층을 형성한 후, 이하와 같이 하여 탄소 피막을 성막하였다. 우선, W(텅스텐) 칩을 적재한 그라파이트 타깃을 사용하여, 투입 전력 밀도 : 5.66W/㎠로 DC 마그네트론 방전시키고, 기재에는 -40V의 바이어스 전압을 인가하여, 약 500㎚의 탄소 피막(DLC막)을 성막하였다. 성막에 있어서는, 그라파이트 타깃 상의 W 칩의 양과 위치를 조정하여 상기 탄소 피막(500㎚) 중의 W의 농도가 약 24원자％로 되도록 하였다.

계속해서, 그라파이트 타깃 상의 W 칩의 양과 위치를 조정하여, W의 농도가 약 5원자％로 되도록 조정한 탄소 피막을 약 20㎚의 두께로 성막하여, 본 발명예의 콘택트 프로브를 제작하였다.

또한, 최표면의 탄소 피막(즉, 탄소 피막 20㎚ 중의 W의 농도가 5원자％)을 갖고 있지 않은 것 이외에는 본 발명예의 콘택트 프로브와 마찬가지의 콘택트 프로브도 제작하였다(비교예). 또한, W의 농도는 EPMA에 의해 측정하였다.

상기한 바와 같이 하여 얻어진 탄소 피막을 갖는 콘택트 프로브(본 발명예 및 비교예)를, 온도:23℃, 습도:50％의 대기 중에 2주간 방치하고, 납 프리 땜납(Sn-3％Ag-0.5％Cu)으로 이루어지는 전극에 대해 접촉 저항값을 측정하였다. 접촉 저항값의 측정은, 납 프리 땜납 전극에 2개의 선을 접속하고, 또한 콘택트 프로브의 반대측에 접촉하는 Au 전극에도 2개의 선을 접속하여, 각각 각 1개에 전류를 인가하고, 나머지 각 1개 사이의 전압을 측정하는, 이른바 켈빈 접속에 의해, 콘택트 프로브 자신＋상하 전극과의 접촉 저항＋상하 전극의 내부 저항을 측정하고, 그 이외의 저항 성분은 캔슬할 수 있는 방법에 의해 측정을 행하였다.

그 결과, 측정된 접촉 저항값(프로브 본체의 저항＋접촉 저항＋전극의 내부 저항)은 본 발명예의 콘택트 프로브에서는 약 150mΩ이고, 비교예의 콘택트 프로브에서는 약 500mΩ이었다. 이에 대해, 2주간 방치하기 전의 접촉 저항값은 본 발명예의 콘택트 프로브가 50mΩ이고, 비교예의 콘택트 프로브가 35mΩ이었다. 즉, 콘택트 프로브의 표면의 W 농도가 24원자％인 비교예에서는, 접촉 저항값이 500mΩ-35mΩ＝465mΩ나 상승한 것에 대해, 표면의 W 농도가 5원자％인 본 발명예에서는 접촉 저항값의 상승은 150mΩ-50mΩ＝100mΩ 정도로 억제할 수 있었다. 또한, 상기 저항값에 있어서, 전극의 내부 저항은 무시할 수 있을 정도로 작아, 프로브 본체의 저항은 변화되지 않으므로, 방치 전후의 저항값의 변화량은, 접촉 저항값의 변화량과 동등하다.

또한 본 발명예의 콘택트 프로브에서는, 탄소 피막 전체에서의 W의 평균 농도가 {(20㎚×5원자％)＋(500㎚×24원자％)}/(20㎚＋500㎚)≒23.3원자％로, 탄소 피막 전체적으로 W 농도가 충분히 확보되어 있으므로, 초기의 도전성도 충분히 확보할 수 있었다.

제2 실시예

상기 제1 실시예에 있어서의 콘택트 프로브 선단의 돌기부를 측면으로부터 투영하였을 때의 사진은 도 4의 (a) 및 (b)에 나타낸 바와 같으며, 선단 부근 부분이 내접하는 원의 반경(선단부의 곡률 반경)은 약 13㎛였다[도 4의 (a)]. 본 실시예에서는, 선단부의 곡률 반경이 9㎛인 것 이외에는 제1 실시예와 마찬가지로 하여 콘택트 프로브 상에 성막하여[도 4의 (b)], 제1 실시예와 마찬가지의 조건으로 2주간 방치하여, 방치 전후의 접촉 저항값을 측정하였다. 그 결과, 방치 전의 접촉 저항값은 약 45mΩ이고, 방치 후는 약 100mΩ였다. 즉, 콘택트 프로브의 선단 형상을 적절하게 조정함으로써, 초기의 접촉 저항값을 낮게 할 수 있는 동시에, 일정 시간 경과 후의 접촉 저항값의 상승도 낮게 억제하는(즉, 접촉 저항값의 상승 속도를 억제하는) 것이 가능했다. 도 1에 나타낸 바와 같이 단위 면적당의 접촉 저항 상승이 일정해도, 본 실시예에서 접촉 저항의 상승이 낮게 억제되었지만, 이것은 실효적인 접촉 면적이 변화되었기 때문에, 그 면적에 따라서 접촉 저항값의 상승이 낮게 억제된 것이라 생각된다.

제3 실시예

본 실시예에서는, 제1 실시예에서 사용한 본 발명예의 콘택트 프로브와, 제1 실시예에서 탄소 피막을 형성하기 전인, 최표면이 Au계 도금인 콘택트 프로브(YPW-6XT03-047)를 사용하여, 상대 재료인 납 프리 땜납 전극의 Sn의 부착의 유무를 조사하였다. 각각의 콘택트 프로브를, 납 프리 땜납 전극에 10만회 콘택트하고, 1회의 콘택트마다 100㎃의 통전을 200㎳ 행하였다. 10만회의 접촉 후에, 각각의 프로브의 표면을 SEM으로 관찰하는 동시에, 그것에 부대된 EDX 장치에 의해 원소 분석(매핑)을 행하였다.

원소 분석 결과에 따르면, 최표면이 Au인 콘택트 프로브에서는, 콘택트 프로브 표면에 납 프리 땜납의 성분인 Sn의 부착이 확인되지만, 본 발명의 탄소 피막을 형성한 콘택트 프로브에서는 Sn의 부착이 억제되어 있는 것을 알 수 있었다.

제4 실시예

본 실시예에서는, 탄소 피막으로서, 표층에 W를 함유하고, 표층을 제외하는 영역에 W 및 Cr을 함유하는 탄소 피막을 형성하였을 때의 접촉 저항값을 측정하였다.

상세하게는, 상기 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 중간층을 형성한 후, W(텅스텐) 칩 및 Cr 칩을 적재한 그라파이트 타깃을 사용하여, 투입 전력 밀도:5.66W/㎠로 DC 마그네트론 방전시키고, 기재에는 -40V의 바이어스 전압을 인가하여, 약 500㎚의 탄소 피막(DLC막)을 성막하였다. 성막에 있어서는, 그라파이트 타깃 상의 W 칩 및 Cr 칩의 양과 위치를 조정하여, 상기 탄소 피막(500㎚) 중, Cr의 농도가 50원자％, W와 탄소(C)를 합친 농도가 50원자％(구체적으로는, W의 농도는 7원자％ 정도, 탄소의 농도는 43원자％ 정도)로 되도록 하였다.

계속해서, 그라파이트 타깃 상의 W 칩의 양과 위치를 조정하여, W의 농도가 약 14원자％로 되도록 조정한 탄소 피막을 약 20㎚의 두께로 성막하여, 본 발명의 콘택트 프로브를 제작하였다.

다음에, 이와 같이 하여 얻어진 탄소 피막을 갖는 콘택트 프로브(본 발명예 및 비교예)를 사용하여, 전술한 제1 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 대기 폭로 시험을 2주간 행하여, 시험 전후의 접촉 저항 측정을 실시하였다.

그 결과, 본 발명예에서는, 2주간 방치 후의 접촉 저항값은 약 350mΩ, 2주간 방치하기 전의 접촉 저항값은 30mΩ로, 접촉 저항값의 상승은 350mΩ-30mΩ＝320mΩ 정도였다. 상기 접촉 저항값의 상승은, 전술한 제1 실시예에서 제작한 본 발명예에 있어서의 접촉 저항값의 상승 레벨(100mΩ 정도)에 비해 커졌지만, 전술한 제1 실시예에서 제작한 비교예에 있어서의 접촉 저항값의 상승 레벨(465mΩ)보다도 훨씬 작은 것이었다.

또한, 본 발명예의 콘택트 프로브에서는, 탄소 피막 전체에서의 금속 원소(W＋Cr)의 평균 농도는, {(20㎚×14원자％)＋(500㎚×(50원자％＋7원자％)}/(20㎚＋500㎚)≒53.3원자％로, 탄소 피막 전체적으로 금속 원소 농도가 충분히 확보되어 있으므로, 초기의 도전성도 충분히 확보되어 있었다.

따라서, 전술한 제1 실시예에 기재된 본 발명예와 같이 탄소 피막 표면에 금속 원소를 단독으로 함유하는 콘택트 프로브뿐만 아니라, 본 실시예에 기재된 본 발명예와 같이 탄소 피막의 표면과 표면 이외의 영역에서 다른 금속 원소를 함유하고, 또한 당해 표면 이외의 영역에 금속 원소를 2종류 이상 함유하는 콘택트 프로브에 있어서도, 금속 원소의 산화에 의한 도전성의 열화를 방지할 수 있고, 또한 콘택트 프로브의 도전성 및 피검체와의 저부착성도 동시에 실현할 수 있는 것이 확인되었다.

본 출원을 상세하게, 또한 특정한 실시 형태를 참조하여 설명하였지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하는 일 없이 다양한 변경이나 수정을 가할 수 있는 것은 당업자에게 있어서 명백하다.

본 출원은, 2010년 5월 10일에 출원된 일본 특허 출원(일본 특허 출원 제2010-108504) 및 2011년 5월 9일에 출원된 일본 특허 출원(일본 특허 출원 제2011-104394)에 기초하는 것이며, 그 내용은 여기에 참조로서 포함된다.

본 발명의 콘택트 프로브는, 전극과 접촉하는 콘택트 프로브 표면에 형성되는 탄소 피막 중의 금속 원소의 농도에 대해, 피막 표면에서의 농도가 평균 농도보다도 작게 되어 있으므로, 상기 금속 원소의 산화에 의한 도전성의 열화를 방지할 수 있다. 또한, 상기 피막 전체의 평균 농도를 소정 이상 확보함으로써, 콘택트 프로브의 도전성 및 피검체(특히, 피검체에 포함되는 Sn)와의 저부착성도 동시에 실현할 수 있다.

Claims (11)

1. 전극에 반복하여 접촉하는 콘택트 프로브이며,
   전극과 접촉하는 상기 콘택트 프로브 표면에, 금속 원소를 함유하는 탄소 피막이 형성되어 있고,
   상기 금속 원소의 탄소 피막 표면에서의 농도가 탄소 피막 전체의 평균 농도보다도 낮은, 콘택트 프로브.
2. 제1항에 있어서, 상기 탄소 피막은, 상기 금속 원소의 농도에 관하여 다층 구조를 갖거나, 또는 상기 금속 원소의 농도가 막 두께 방향으로 연속적으로 변화되는, 콘택트 프로브.
3. 제2항에 있어서, 상기 금속 원소의 농도가, 상기 콘택트 프로브의 기재측으로부터 표면측을 향해 계속 감소하는, 콘택트 프로브.
4. 제1항에 있어서, 상기 탄소 피막의 표면에 있어서의 상기 금속 원소의 농도는 15원자％ 이하인, 콘택트 프로브.
5. 제1항에 있어서, 상기 금속 원소는, 표면 농도와 평균 농도의 차가 10원자％ 이상인, 콘택트 프로브.
6. 제1항에 있어서, 상기 금속 원소는, 탄소 피막 전체의 평균 농도가 15원자％ 초과인, 콘택트 프로브.
7. 제1항에 있어서, 상기 탄소 피막은 다이아몬드 라이크 카본막인, 콘택트 프로브.
8. 제1항에 있어서, 상기 금속 원소는, 텅스텐, 탄탈, 몰리브덴, 니오브, 티탄 및 크롬으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인, 콘택트 프로브.
9. 제1항에 있어서, 상기 탄소 피막의 전체 막 두께는, 50㎚ 이상, 5㎛ 이하인, 콘택트 프로브.
10. 제1항에 있어서, 상기 콘택트 프로브의 선단에 돌기가 형성되어 있고, 상기 돌기의 선단을 상기 콘택트 프로브의 측면으로부터 투영하였을 때, 곡률 반경이 10㎛ 이하인, 콘택트 프로브.
11. 제1항에 기재된 콘택트 프로브를 복수개 갖는, 검사용 접속 장치.

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