KR20130016273A - １,２,４,５―치환 페닐 유도체와 그 제조방법, 그리고 그것을 구성 성분으로 하는 유기 전계 발광소자 - Google Patents

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Abstract

하기 일반식 1로 표시되는 1,2,4,5-치환 페닐 유도체:
Figure pct00030

(식 중, X1 내지 X5는, 이들 5개 중 어느 하나만이 N원자를 의미하고, 나머지는 C원자를 의미한다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 H원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. m은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m이 2 이상일 때, R3는 서로 상이해도 된다. n은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. n이 2 이상일 때, R4는 서로 상이해도 된다.)
이 화합물은, 유기 전계 발광소자의 구성 성분으로서 유용하다.

Description

１,２,４,５―치환 페닐 유도체와 그 제조방법, 그리고 그것을 구성 성분으로 하는 유기 전계 발광소자{1,2,4,5-SUBSTITUTED PHENYL DERIVATIVE, METHOD FOR PRODUCING SAME AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT HAVING SAME AS CONSTITUENT COMPONENT}
본 발명은, 1,2,4,5-치환 페닐 유도체와 그 제조방법, 그리고 그것을 구성 성분으로 하는 유기 전계 발광소자에 관한 것이다.
본 발명의 1,2,4,5-치환 페닐 유도체는, 양호한 전하수송 특성을 가지고, 안정한 박막을 형성하는 것이므로, 형광 또는 인광 유기 전계 발광소자의 구성 성분으로서 유용하다. 따라서, 본 발명은, 또한, 이 1,2,4,5-치환 페닐 유도체를 유기 전계 발광소자의 유기 화합물층의 적어도 한 층에 이용한, 구동성 및 발광성이 우수한 고효율 유기 전계 발광소자에 관한 것이다.
유기 전계 발광소자는, 발광 재료를 함유하는 발광층을, 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 샌드위치시키고, 또한 그 외측에 양극과 음극을 설치하여, 발광층에 주입된 정공 및 전자의 재결합에 의해 생기는 여기자가 실활할 때의 광의 방출(형광 또는 인광)을 이용하는 소자로서, 디스플레이 등에 응용되고 있다.
유기 전해 발광소자는 다양한 표시 기기에 이용되고 있지만, 전원공급에 제한이 있는 휴대 기기에의 유기 전계 발광소자의 이용에 관해서는, 보다 저소비 전력을 달성하는 것이 요구되고 있다. 또, 동시에 유기 전계 발광소자의 상업적 이용을 행할 때에는, 안정한 성능을 얻기 위해서 소자 수명을 어떻게 연장시킬 것인지가 문제로 된다.
본 발명의 1,2,4,5-치환 페닐 유도체는, 벤젠 고리(環)의 1, 2, 4, 5번 위치에 피리딜 치환 페닐렌기 또는 페닐 치환 피리딜렌기를 지니는 것을 특징으로 한다.
최근, 1,2,4,5-치환 페닐 유도체로서, 바이피리딜기를 방향족 탄화수소 고리에 도입한 화합물을 유기 전계 발광소자에 이용하는 것이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 그러나, 벤젠 고리에, 피리딜 치환 페닐렌기 또는 페닐 치환 피리딜렌기를 도입한 치환 페닐 유도체는 개시되어 있지 않다.
또, 1,2,4,5-치환 올리고페닐렌 유도체를 유기 전계 발광소자에 이용하는 것이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조). 그러나, 벤젠 고리에 피리딜 치환 페닐렌기 또는 페닐 치환 피리딜렌기를 도입한 치환 페닐 유도체는 개시되어 있지 않다. 또한, 이들 올리고페닐렌 유도체의 발광 효율의 향상 효과가 논의되어 있을 뿐, 유기 전계 발광소자에 필요한 저소비 전력·장수명화에 대해서는 기재되어 있지 않다.
또, 페닐기와 피리딜기를 조합시킨 유도체를 유기 전계 발광소자에 이용한 예도 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 3 내지 7 참조). 그러나, 벤젠 고리에 피리딜 치환 페닐렌기 또는 페닐 치환 피리딜렌기를 도입한 치환 페닐 유도체는 개시되어 있지 않다. 이들 특허문헌에 개시되는 화합물은, 발광소자 성능향상의 효과가 불충분하다.
WO 2009-151039 A WO 2009-081873 A JP 2008-63232 A JP 2003-336043 A JP 2007-015993 A JP 2005-255986 A JP 2008-127326 A
본 발명의 목적은, 유기 전계 발광소자의 구성 재료로서 이용할 때, 저전압으로 구동할 수 있고, 또한, 장수명의 유기 전계 발광소자를 부여하는, 신규한 구조를 지니는 1,2,4,5-치환 페닐 유도체를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 공업적으로 유리한, 상기 1,2,4,5-치환 페닐 유도체의 제조방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 저전압으로 구동할 수 있고, 또한, 장수명의 유기 전계 발광소자를 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은, 앞서의 과제를 해결하도록 예의검토를 거듭한 결과, 본 발명의 1,2,4,5-치환 페닐 유도체는, 진공증착 등의 일반적인 방법으로 박막형성이 가능하고, 또한, 이들을 전자 수송층으로서 이용한 유기 전계 발광소자가, 범용의 유기 전계 발광소자에 비해서 소비 전력의 저감 및 장수명화를 달성할 수 있는 것을 찾아내었다. 이와 같이 해서, 이 지견에 의거해서 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은, 일 측면에 있어서, 하기 일반식 1로 표시되는 1,2,4,5-치환 페닐 유도체를 제공한다:
[일반식 1]
Figure pct00001
(식 중, X1 내지 X5는, 이들 5개 중 어느 하나만이 질소원자를 나타내고, 나머지는 탄소원자를 나타낸다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. m은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m이 2 이상일 때, R3는 서로 상이해도 된다. n은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. n이 2 이상일 때, R4는 서로 상이해도 된다.)
본 발명은, 다른 측면에 있어서, 하기 일반식 2로 표시되는 화합물과, 하기 일반식 3으로 표시되는 화합물을, 염기 및 금속 촉매의 존재 하에 커플링 반응시키는 것을 특징으로 하는, 하기 일반식 1로 표시되는 1,2,4,5-치환 페닐 유도체의 제조방법을 제공한다:
[일반식 2]
Figure pct00002
(식 중, Y1 내지 Y4는 각각 독립적으로 이탈기를 나타낸다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다.)
[일반식 3]
Figure pct00003
(식 중, X1 내지 X5는, 이들 5개 중 어느 하나만이 질소원자를 나타내고, 나머지는 탄소원자를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. m은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m이 2 이상일 때, R3는 서로 상이해도 된다. n은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. n이 2 이상일 때, R4는 서로 상이해도 된다. M1은 금속기 또는 헤테로원자기를 나타낸다.)
[일반식 1]
Figure pct00004
(식 중, X1 내지 X5는, 이들 5개 중 어느 하나만이 질소원자를 나타내고, 나머지는 탄소원자를 나타낸다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. m은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m이 2 이상일 때, R3는 서로 상이해도 된다. n은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. n이 2 이상일 때, R4는 서로 상이해도 된다.)
본 발명은, 또 다른 측면에 있어서, 하기 일반식 4로 표시되는 화합물과, 하기 일반식 5로 표시되는 화합물을, 염기 및 금속 촉매의 존재 하에 커플링 반응시키는 것을 특징으로 하는, 하기 일반식 1로 표시되는 1,2,4,5-치환 페닐 유도체의 제조방법을 제공한다:
[일반식 4]
Figure pct00005
(식 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. M2 내지 M5는 각각 독립적으로 금속기 또는 헤테로원자기를 나타낸다.)
[일반식 5]
Figure pct00006
(식 중, X1 내지 X5는, 이들 5개 중 어느 하나만이 질소원자를 나타내고, 나머지는 탄소원자를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. m은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m이 2 이상일 때, R3는 서로 상이해도 된다. n은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. n이 2 이상일 때, R4는 서로 상이해도 된다. Y5는 이탈기를 나타낸다.)
[일반식 1]
Figure pct00007
(식 중, X1 내지 X5는, 이들 5개 중 어느 하나만이 질소원자를 나타내고, 나머지는 탄소원자를 나타낸다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. m은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m이 2 이상일 때, R3는 서로 상이해도 된다. n은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. n이 2 이상일 때, R4는 서로 상이해도 된다.)
또한, 본 발명은, 또 다른 측면에 있어서, 하기 일반식 1로 표시되는 1,2,4,5-치환 페닐 유도체를 구성 성분으로 하는 유기 전계 발광소자를 제공한다:
[일반식 1]
Figure pct00008
(식 중, X1 내지 X5는, 이들 5개 중 어느 하나만이 질소원자를 나타내고, 나머지는 탄소원자를 나타낸다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. m은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m이 2 이상일 때, R3는 서로 상이해도 된다. n은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. n이 2 이상일 때, R4는 서로 상이해도 된다.)
본 발명의 일반식 1로 표시되는 1,2,4,5-치환 페닐 유도체(이하, 「화합물(1)」이라 지칭할 경우가 있음)로 이루어진 박막은, 양호한 전하 주입 특성 및 전하 수송 특성을 지닌다. 그 때문에, 화합물(1)은, 형광 또는 인광 유기 전계 발광소자의 재료로서 유용하다. 특히 호스트 재료나 전자 수송 재료 등으로서 유용하다.
또한, 화합물(1)의 밴드갭은 3.2eV 이상이며, 패널을 구성하는 3원색(적색: 1.9eV, 녹색: 2.4eV, 청색: 2.8eV)의 각 색의 에너지를 가두는데 충분한 와이드 밴드갭을 나타낸다. 따라서, 와이드 밴드갭 재료로서, 단색의 표시 소자, 3원색의 컬러 표시 소자, 조명 용도 등의 백색 소자 등 다양한 소자에의 응용이 가능하다. 또, 화합물(1)은, 치환기의 변경에 의해서 용해성의 제어도 가능하기 때문에, 증착 소자뿐만 아니라 도포 소자에의 응용도 가능하다.
따라서, 화합물(1)을 이용한 형광 또는 인광 유기 전계소자는, 기존 재료를 이용한 소자와 비교해서 저소비 전력화 가능하여, 종래의 소자보다도 더욱 수명을 연장시킬 수 있다.
도 1은 화합물(1)로 이루어진 박막 층을 지니는 유기 전계 발광소자의 단면구조의 일례를 대략 나타낸 도면.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
일반식 1로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(1)」이라 지칭할 경우가 있음)에 있어서, X1 내지 X5는, 이들 5개 중 어느 하나만이 질소원자를 나타내고, 나머지는 탄소원자를 나타낸다. X1 내지 X5 중 2개 이상이 질소원자로 되는 일은 없다.
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. R1 및 R2는, 바람직하게는 수소원자 또는 메틸기이며, 더욱 바람직하게는 수소원자이다.
R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. R3 및 R4는 메틸기인 것이 바람직하다.
m은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m이 2 이상일 때, R3는 서로 상이해도 된다. n은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. n이 2 이상일 때, R4는 서로 상이해도 된다. m 및 n은 모두 0인 것이 바람직하다.
일반식 1 중에 기재된 R1 내지 R4에 있어서의 탄소수 1 내지 6의 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, 아이소뷰틸기, 1-메틸프로필기, t-뷰틸기, 펜탄-1-일기, 3-메틸뷰틸기, 2,2-다이메틸프로필기 및 헥세인-1-일기를 들 수 있다. 일반식 1 중에 기재된 R1 내지 R4에 있어서의 탄소수 1 내지 6의 알콕시기의 구체예로서는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 뷰톡시기, 펜타녹시기 및 헥사녹시기를 들 수 있다.
화합물(1)로서는, 벤젠 고리의 1, 2, 4, 5번 위치 모두에 동일한 피리딜 치환 페닐렌기 또는 페닐 치환 피리딜렌기가 결합하고 있는 화합물이, 합성이 용이한 점에서 바람직하다.
또, 일반식 1 중의 각 수소원자는 각각 독립적으로 중수소원자이어도 된다.
화합물(1)의 구체예로서는, 이하의 (A1) 내지 (A25)의 화합물을 들 수 있다. 본 발명의 화합물(1)은 이들로 한정되는 것은 아니다.
Figure pct00009
Figure pct00010
「
Figure pct00011
다음에, 화합물(1)의 제조방법에 대해서 설명한다.
화합물(1)은 이하의 반응식으로 표시되는 공정(이하 「공정 1」이라 지칭할 경우가 있음)에 의해서도 제조할 수 있다:
Figure pct00012
(식 중, X1 내지 X5는, 이들 5개 중 어느 하나만이 질소원자를 나타내고, 나머지는 탄소원자를 나타낸다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. m은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m이 2 이상일 때, R3는 서로 상이해도 된다. n은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. n이 2 이상일 때, R4는 서로 상이해도 된다. Y1 내지 Y4는 각각 독립적으로 이탈기를 나타낸다. M1은 금속기 또는 헤테로원자기를 나타낸다.)
이하, 본 반응에 대해서 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.
상기 일반식 3으로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(3)」이라고 지칭될 경우가 있음)은, 예를 들어, 일본국 공개 특허 제2008-280330호 공보의 (0061) 내지 (0076)에 개시되어 있는 방법을 이용해서 제조할 수 있다. 화합물(3)에 있어서의 M1의 예로서는, ZnR5, MgR6, Sn(R7)3 및 B(OR8)2 등을 들 수 있다. 단, R5 및 R6는, 각각 독립적으로 염소원자, 브롬원자 또는 요오드원자를 나타내고, R7은 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 페닐기를 나타낸다. R8은 수소원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, B(OR8)2의 2개의 R8은 동일 또는 상이해도 된다. 또, 2개의 R8은 일체로 되어서 산소원자 및 붕소원자를 포함해서 고리를 형성할 수도 있다.
화합물(3)에 있어서의 B(OR8)2의 구체예로서는, B(OH)2, B(OMe)2, B(OiPr)2, B(OBu)2 및 B(OPh)2를 들 수 있다. 또한, 2개의 R8이 일체로 되어서 산소원자 및 붕소원자를 포함해서 고리를 형성했을 경우의 B(OR8)2의 구체예로서는, 이하의 (I) 내지 (VI)로 표시되는 기를 예시할 수 있으며, 이들 중, 수율이 양호한 점에서 (II)로 표시되는 기가 바람직하다:
Figure pct00013
.
상기 일반식 2로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(2)」라고 지칭될 경우가 있음)에 있어서의 Y1 내지 Y4로 표시되는 이탈기의 구체예로서는, 염소기, 불소기, 요오드기, 트라이플루오로메틸설포닐옥시(OTf)기, 메탄설포닐옥시(OMs)기, 클로로메탄설포닐옥시기 및 p-톨루엔설포닐옥시(OTs)기를 들 수 있다.
화합물(2)의 구체예로서는, 다음 B1 내지 B25(식 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타냄)를 예시할 수 있지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다:
Figure pct00014
「공정 1」은 화합물(3)을, 경우에 따라서는 염기의 존재 하에, 금속 촉매의 존재 하에 화합물(2)와 반응시켜, 본 발명의 1,2,4,5-치환 페닐 유도체(1)을 수득하는 방법이다. 이 반응에 있어서는, 스즈키-미야우라 반응(Suzuki-Miyaura reaction), 네기시 반응(Negishi reaction), 타마오-쿠마다 반응(Tamao-Kumada reaction), 스틸레 반응(Stille reaction) 등의, 일반적인 커플링 반응의 반응 조건을 적용하는 것에 의해, 수율 양호하게 목적물을 수득할 수 있다.
「공정 1」에서 이용하는 것이 가능한 금속 촉매로서는, 팔라듐 촉매 및 니켈 촉매가 바람직하게 이용된다.
팔라듐 촉매의 구체예로서는, 염화팔라듐, 아세트산팔라듐, 트라이플루오로 아세트산팔라듐, 질산팔라듐 등의 염을 예시할 수 있다. 또, π-알릴팔라듐 클로라이드 다이머, 팔라듐 아세틸아세토네이트, 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐, 다이클로로비스(트라이페닐포스핀)팔라듐, 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐 및 다이클로로(1,1'-비스(다이페닐포스피노)페로센)팔라듐 등의 착화합물을 예시할 수 있다. 그 중에서도, 제3급 포스핀을 배위자로서 지니는 팔라듐 착체는 반응 수율이 양호한 점에서 바람직하다.
제3급 포스핀을 배위자로서 지니는 팔라듐 착체는, 팔라듐염 또는 착화합물에 제3급 포스핀을 첨가하여, 반응계 중에서 조제하는 것도 가능하다. 이때 이용하는 것이 가능한 제3급 포스핀의 구체예로서는, 트라이페닐포스핀, 트라이메틸포스핀, 트라이뷰틸포스핀, 트라이(tert-뷰틸)포스핀, 트라이사이클로헥실포스핀, tert-뷰틸다이페닐포스핀, 9,9-다이메틸-4,5-비스(다이페닐포스피노)잔텐, 2-(다이페닐포스피노)-2'-(N,N-다이메틸아미노)바이페닐, 2-(다이-tert-뷰틸포스피노)바이페닐, 2-(다이사이클로헥실포스피노)바이페닐, 비스(다이페닐포스피노)메탄, 1,2-비스(다이페닐포스피노)에탄, 1,3-비스(다이페닐포스피노)프로판, 1,4-비스(다이페닐포스피노)뷰테인, 1,1'-비스(다이페닐포스피노)페로센, 트라이(2-퓨릴)포스핀, 트라이(o-톨릴)포스핀, 트리스(2,5-자일릴)포스핀、(±)-2,2'-비스(다이페닐포스피노)-1,1'-바이나프틸, 2-다이사이클로헥실포스피노-2',4',6'-트라이아이소프로필바이페닐 및 2-다이사이클로헥실포스피노-2',6'-다이메톡시바이페닐을 예시할 수 있다. 입수 용이하고, 반응 수율이 양호한 점에서, 2-다이사이클로헥실포스피노-2',4',6'-트라이아이소프로필바이페닐이 바람직하다.
제3급 포스핀과 팔라듐염 또는 착화합물과의 몰비는, 1:10 내지 10:1이 바람직하고, 반응 수율이 양호한 점에서 1:2 내지 5:1이 더욱 바람직하다.
니켈 촉매의 구체예로서는 [1,1'-비스(다이페닐포스피노)페로센]니켈(II)다이클로라이드, [1,2-비스(다이페닐포스피노)에탄]니켈(II)다이클로라이드, [1,3-비스(다이페닐포스피노)프로판]니켈(II)다이클로라이드, [1,1'-비스(다이페닐포스피노)프로판]니켈(II)다이클로라이드, 1,2-비스(다이페닐포스피노)에탄]니켈(II)다이클로라이드 및 [1,3-비스(다이페닐포스피노)프로판]니켈(II)다이클로라이드를 들 수 있다.
「공정 1」에서 이용하는 것이 가능한 염기의 구체예로서는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산리튬, 탄산세슘, 인산 3칼륨, 인산나트륨, 불화나트륨, 불화칼륨 및 불화세슘을 들 수 있다. 수율이 양호한 점에서 인산 3칼륨이 바람직하다.
염기와 화합물(3)과의 몰비는, 1:2 내지 10:1이 바람직하고, 수율이 양호한 점에서 1:1 내지 3:1이 더욱 바람직하다.
「공정 1」에서 이용하는 화합물(2)와 화합물(3)의 몰비는, 1:4 내지 1:10이 바람직하고, 수율이 양호한 점에서 1:4 내지 1:8이 더욱 바람직하다.
「공정 1」에서 이용하는 것이 가능한 용매의 구체예로서는, 물, 다이메틸설폭사이드, 다이메틸포름아마이드, 테트라하이드로퓨란, 다이옥산, 톨루엔, 벤젠, 다이에틸에터, 에탄올, 메탄올 및 자일렌을 예시할 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도, 또는, 적절하게 조합시켜서 이용해도 된다. 그 중에서도, 수율이 양호한 점에서 톨루엔 및 에탄올의 혼합 용매를 이용하는 것이 바람직하다.
「공정 1」은, 0℃ 내지 150℃에서 적절하게 선택된 온도에서 실시할 수 있고, 수율이 양호한 점에서 60℃ 내지 100℃에서 행하는 것이 더욱 바람직하다. 화합물(1)은, 「공정 1」의 종료 후에 통상의 처리를 함으로써 얻어진다. 필요에 따라서, 재결정, 칼럼 크로마토그래피 또는 승화 등으로 정제해도 된다.
본 발명의 1,2,4,5-치환 페닐 유도체[화합물(1)]는, 이하의 반응식으로 표시되는 공정(이하 「공정 2」라고 지칭될 경우가 있음)에 의해서도 제조하는 것이 가능하다:
Figure pct00015
(식 중, X1 내지 X5는, 이들 5개 중 어느 하나만이 질소원자를 나타내고, 나머지는 탄소원자를 나타낸다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. m은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m이 2 이상일 때, R3는 서로 상이해도 된다. n은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. n이 2 이상일 때, R4는 서로 상이해도 된다. M2 내지 M5는 각각 독립적으로 금속기 또는 헤테로원자기를 나타낸다. Y5는 이탈기를 나타낸다.)
상기 일반식 (4)로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(4)」라고 지칭될 경우가 있음)에 있어서의 M2 내지 M5로 표시되는 금속기 또는 헤테로원자기로서는, Sn(R7)3 및 B(OR8)2 등을 들 수 있다. 단, R7은 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, R8은 수소원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, B(OR8)2의 2개의 R8은 동일 또는 상이해도 된다. 또, 2개의 R8은 일체로 되어서 산소원자 및 붕소원자를 포함해서 고리를 형성할 수도 있다.
화합물(4)에 있어서의 B(OR8)2의 구체예로서는, B(OH)2, B(OMe)2, B(OiPr)2, B(OBu)2 및 B(OPh)2를 예시할 수 있다. 또한, 2개의 R8이 일체로 되어서 산소원자 및 붕소원자를 포함해서 고리를 형성했을 경우의 B(OR8)2의 구체예로서는, 다음 (I) 내지 (VI)으로 표시되는 기를 예시할 수 있으며, 수율이 양호한 점에서 (II)로 표시되는 기가 바람직하다:
Figure pct00016
상기 일반식 (5)로 표시되는 화합물(이하, 「화합물(5)」라고 지칭될 경우가 있음)은, 예를 들어, 문헌[Synlett, vol. 6, 852-854, 2003]에 개시되어 있는 방법을 이용해서 제조할 수 있다.
화합물(5)에 있어서의 Y5로 표시되는 이탈기의 구체예로서는, 염소기, 불소기, 요오드기, 트라이플루오로메틸설포닐옥시기, 메탄설포닐옥시기, 클로로메탄설포닐옥시기 및 p-톨루엔설포닐옥시를 들 수 있다.
「공정 2」는, 「공정 1」과 마찬가지 반응 조건 하에서 실시할 수 있다. 또, 화합물(1)은, 「공정 2」의 종료 후에 통상의 처리를 함으로써 얻을 수 있다. 필요에 따라서, 재결정, 칼럼 크로마토그래피 또는 승화 등으로 정제해도 된다.
본 발명의 유기 전계 발광소자는, 상기 1,2,4,5-치환 페닐 유도체(화합물(1))를 구성 성분으로 하는 것으로서, 화합물(1)로 이루어진 박막 층을 포함하는 다층구조를 지닌다. 유기 전계 발광소자박막 층을 포함하는 다층구조는, 각별히 한정되는 것은 아니고, 형광 또는 인광 유기 전계 발광소자의 재료로서 종래부터 알려져 있는 것과 마찬가지 구성으로 할 수 있다.
화합물(1)로 이루어진 박막 층을 포함하는 다층구조의 일 구체예를 도 1에 나타낸다. 이 유기 전계 발광소자는, ITO 투명전극 부착 유리 기판(1) 위에, 유기 화합물층으로서, 정공 주입층(2), 정공 수송층(3), 발광층(4) 및 본 발명의 화합물(1)로 이루어진 전자 수송층(5)이 순차 성막되고, 또한, 음극층(6)이 성막되어 있다.
본 발명의 1,2,4,5-치환 페닐 유도체(화합물(1))를 구성 성분으로 하는 유기 전계 발광소자의 제조방법에 특별히 한정은 없다. 진공증착법에 의한 성막이 가능하다. 진공증착법에 의한 성막은, 범용의 진공증착장치를 이용함으로써 행할 수 있다. 진공증착법으로 막을 형성할 때의 진공조의 진공도는, 유기 전계 발광소자 제작의 제조 택트 타임이나 제조 비용을 고려하면, 일반적으로 이용되는 확산 펌프, 터보 분자 펌프, 크라이오펌프 등에 의해 도달할 수 있는 1×10-2 내지 1×10-5㎩ 정도가 바람직하다. 증착 속도는, 형성하는 막의 두께에 좌우되지만 0.005 내지 1.0㎚/초가 바람직하다.
또한, 본 발명의 화합물(1)은, 범용의 장치를 이용한 스핀 코팅법, 잉크젯법, 캐스트법 또는 침지법 등에 의한 성막도 가능하다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 들어서, 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
[화합물(1)의 합성예]
Figure pct00017
아르곤 기류하, 1,2,4,5-테트라브로모벤젠 1.00g(2.5m㏖), 4-(2-피리딜)페닐보론산 4.04g(20m㏖), 아세트산팔라듐 28.5㎎(0.13m㏖), 2-다이사이클로헥실포스피노-2',4',6'-트라이아이소프로필바이페닐 121㎎(0.25m㏖) 및 인산 3칼륨 5.39g(25m㏖)을 10㎖의 톨루엔 및 1㎖의 물에 용해시키고, 가열 환류 하에 44시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 메탄올로 희석시키고, 고체를 여과 분별하였다. 얻어진 조질의(crude) 생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(전개 용매 클로로포름:헥세인=2:1 내지 1:0)로 정제하여, 목적으로 하는 4,4"-다이(2-피리딜)-4',5'-비스[4-(2-피리딜)페닐]-1,1'：2',1"-터페닐의 백색 고체(수득량 1.38g, 수율 79%)를 수득하였다.
1H-NMR(CDCl3): δ 7.21-7.53(m, 4H), 7.44(d, J=8.44㎐, 8H), 7.69(s, 2H), 7.53-7.79(m, 8H), 7.94(d, J=8.48㎐, 8H), 8.70(d, J=4.56㎐, 4H).
실시예 2
[화합물(1)의 합성예]
Figure pct00018
아르곤 기류하, 1,2,4,5-테트라브로모벤젠 1.00g(2.5m㏖), 4-(3-피리딜)페닐보론산 4.04g(20m㏖), 아세트산팔라듐 28.5㎎(0.13m㏖), 2-다이사이클로헥실포스피노-2',4',6'-트라이아이소프로필바이페닐 121㎎(0.25m㏖) 및 인산 3칼륨 5.39g(25m㏖)을 20㎖의 다이옥산 및 6㎖의 물에 용해시키고, 가열 환류 하에 21시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 물로 희석시키고, 고체를 여과 분별하였다. 얻어진 조질의 생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(전개 용매 클로로포름)로 정제하여, 목적으로 하는 4,4"-다이(3-피리딜)-4',5'-비스[4-(3-피리딜)페닐]-1,1'：2',1"-터페닐의 백색 고체(수득량 1.35g, 수율 77%)를 수득하였다.
1H-NMR(CDCl3): δ 7.46(d, J=8.28㎐, 8H), 7.48-7.56(m, 4H), 7.57(d, J=8.32㎐, 8H), 7.69(s, 2H), 8.07(d, J=7.12㎐, 4H), 8.63(dd, J=1.48, 4.96㎐, 4H), 8.92(d, J=1.96㎐, 4H)
실시예 3
[화합물(1)의 합성예]
Figure pct00019
아르곤 기류하, 1,2,4,5-테트라브로모벤젠 65.9㎎(0.17m㏖), 4-(4-피리딜)페닐보론산 200㎎(1.01m㏖), 아세트산팔라듐 1.88㎎(0.0084m㏖), 2-다이사이클로헥실포스피노-2',6'-다이메톡시바이페닐 8.60㎎(0.021m㏖) 및 인산 3칼륨 640㎎(3.02m㏖)을 100㎖의 톨루엔에 용해시키고, 과열 환류 하에 48시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 300㎖의 클로로포름으로 희석시키고, 고체를 여과 분별하였다. 유기층을 농축시키고, 얻어진 조질의 생성물을 실리카겔 크로마토그래피(전개 용매 클로로포름:메탄올=99:1 내지 20:1)로 정제하여, 목적으로 하는 4,4"-다이(4-피리딜)-4',5'-비스[4-(4-피리딜)페닐]-1,1'：2',1"-터페닐의 백색 고체(수득량 20㎎, 수율 17%)를 수득하였다.
1H-NMR(CDCl3): δ 7.52(s, 2H), 7.54(d, J=6.21㎐, 8H), 7.65(d, J=8.28㎐, 8H), 7.85(d, J=8.28㎐, 8H), 8.68(d, J=6.21㎐, 8H).
실시예 4
[화합물(1)의 합성예]
Figure pct00020
아르곤 기류하, 1,2,4,5-테트라브로모벤젠 0.787g(2.0m㏖), 2-페닐피리딘-5-일보론산 3.19g(16m㏖), 아세트산팔라듐 22.5㎎(0.10m㏖), 2-다이사이클로헥실포스피노-2',4',6'-트라이아이소프로필바이페닐 95.3㎎(0.20m㏖) 및 인산 3칼륨 4.25g(20m㏖)을 25㎖의 톨루엔 및 5.0㎖의 물에 용해시키고, 가열 환류 하에 72시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 클로로포름으로 추출하고, 저비점 성분을 감압 제거하였다. 메탄올을 첨가하고, 고체를 여과 분별하였다. 얻어진 조질의 생성물을 o-자일렌으로 재결정하여, 목적으로 하는 1,2,4,5-테트라키스(2-페닐피리딘-5-일)벤젠의 백색 고체(수득량 0.743g, 수율 54%)를 수득하였다.
1H-NMR(CDCl3): δ 7.41-7.52(m, 12H), 7.67(d, J=8.2㎐, 4H), 7.72(s, 2H), 7.72(d, J=8.2㎐, 4H), 8.02(d, J=7.0㎐, 8H), 8.70(s, 4H).
실시예 5
[화합물(1)의 합성예]
Figure pct00021
아르곤 기류하, 1,2,4,5-테트라브로모벤젠 0.50g(1.3m㏖), 2-(4-메틸페닐)피리딘-5-일보론산 2.16g(10.2m㏖), 아세트산팔라듐 14.3㎎(0.06m㏖), 2-다이사이클로헥실포스피노-2',4',6'-트라이아이소프로필바이페닐 60.5㎎(0.13m㏖) 및 인산 3칼륨 2.70g(13m㏖)을 20㎖의 톨루엔 및 2㎖의 물에 용해시키고, 가열 환류 하에 72시간 교반하였다. 그 후 물을 가하고, 클로로포름으로 추출 후, 용매를 감압 제거하였다. 석출한 고체를 25㎖의 ｏ-자일렌으로 재결정하여, 목적으로 하는 1,2,4,5-테트라키스[2-(4-메틸페닐)피리딘-5-일]벤젠의 백색 고체(수득량 901㎎, 수율 95%)를 수득하였다.
1H-NMR(CDCl3): δ 2.44(s, 12H), 7.30(d, J=8.28㎐, 8H), 7.63 d, J=8.24㎐, 4H), 7.68(d, J=8.40㎐, 4H), 7.69(s, 2H), 7.91(d, J=8.20㎐, 8H), 8.67(s, 4H)
실시예 6
[실시예 1에서 수득한 화합물(1)을 이용한 유기 전계 발광소자의 작성 및 평가]
기판에는, 2㎜ 폭의 산화인듐-주석(ITO)막이 스트라이프 형상으로 패턴화된 ITO 투명전극 부착 유리 기판을 이용하였다. 이 기판을 아이소프로필 알코올로 세정한 후, 오존-자외선 세정으로 표면처리를 행하였다. 세정 후의 기판에, 진공증착법으로 각 층의 진공증착을 행하고, 단면도를 도 1에 나타낸 바와 같은 발광 면적 4㎟의 유기 전계 발광소자를 제작하였다.
우선, 진공증착조 내에 상기 유리 기판을 도입하고, 1.0×10-4㎩까지 감압시켰다. 그 후, 도 1의 (1)로 표시한 상기 유리 기판 상에 유기 화합물층으로서, 정공 주입층(2), 정공 수송층(3), 발광층(4) 및 전자 수송층(5)을 순차 성막하고, 그 후 음극층(6)을 성막하였다.
정공 주입층(2)으로서는, 승화 정제한 프탈로사이아닌구리(II)를 25㎚의 막두께로 진공증착하였다. 정공 수송층(3)으로서는, N,N'-다이(1-나프틸)-N,N'-다이페닐벤지딘(NPD)을 45㎚의 막두께로 진공증착하였다. 발광층(4)으로서는, 2-t-뷰틸-9,10-다이(2-나프틸)안트라센(TBADN)과 4,4'-비스[4-(다이-p-톨릴아미노)페닐에텐-1-일]바이페닐(DPAVBi)을 97:3(질량%)의 비율로 40㎚의 막두께로 진공증착하였다. 전자 수송층(5)으로서는, 실시예 1에서 합성한 4,4"-다이(2-피리딜)-4',5'-비스[4-(2-피리딜)페닐]-1,1'：2',1"-터페닐을 20㎚의 막두께로 진공증착하였다.
또, 각 유기재료는 저항 가열 방식에 의해 성막하고, 가열한 화합물을 0.3 내지 0.5㎚/초의 성막속도로 진공증착하였다. 최후에, ITO 스트라이프와 직교하도록 메탈 마스크를 배치하고, 음극층(6)을 성막하였다. 음극층(6)은, 불화리튬과 알루미늄을 각각 1.0㎚와 100㎚의 막두께로 진공증착하여, 2층 구조로 하였다.
각각의 막두께는, 촉침식 막두께측정계(DEKTAK)로 측정하였다. 또, 이 소자를 산소 및 수분농도 1ppm 이하의 질소분위기 글러브 박스 내에서 밀봉하였다. 밀봉은, 유리제의 밀봉캡과 상기 성막 기판 에폭시형 자외선 경화수지(나가세켐텍스사 제품)를 이용하였다.
제작한 유기 전계 발광소자에 직류 전류를 인가하고, 탑콘사(Topcon Corporation) 제품인 LUMINANCE METER(BM-9)의 휘도계를 이용해서 발광 특성을 평가하였다. 발광 특성으로서, 전류밀도 20mA/㎠를 흐르게 했을 때의 전압(V), 휘도(cd/㎡), 전류효율(cd/A), 전력효율(㏐/W)을 측정하고, 연속 점등 시의 휘도반감 시간을 측정하였다.
제작한 소자의 상기 발광 특성의 측정값은, 각각, 3.8V, 2070cd/㎡, 10.4cd/A, 8.5㏐/W였다. 또한, 이 소자의 휘도 반감 시간은 1550시간이었다.
실시예 7
[실시예 4에서 수득한 화합물(1)을 이용한 유기 전계 발광소자의 작성 및 평가]
실시예 1에서 수득한 화합물(1)을 이용한 전자 수송층(5) 대신에, 실시예 4에서 합성한 1,2,4,5-테트라키스(2-페닐피리딘-5-일)벤젠을 20㎚의 막두께로 진공증착해서 전자 수송층(5)을 형성한 것 이외에는, 실시예 6과 마찬가지로 유기 전계 발광소자를 제작하였다.
제작한 소자의 전압(V), 휘도(cd/㎡), 전류효율(cd/A) 및 전력효율(㏐/W)의 측정값은, 각각, 5.3V, 1691cd/㎡, 8.5cd/A, 5.1㏐/W였다.
실시예 8
[실시예 5에서 수득한 화합물(1)을 이용한 유기 전계 발광소자의 작성 및 평가]
실시예 1에서 수득한 화합물(1)을 이용한 전자 수송층(5) 대신에, 실시예 5에서 합성한 1,2,4,5-테트라키스[2-(4-메틸페닐)피리딘-5-일]벤젠을 20㎚의 막두께로 진공증착해서 전자 수송층(5)을 형성한 것 이외에는, 실시예 6과 마찬가지로 유기 전계 발광소자를 제작하였다.
제작한 소자의 전압(V), 휘도(cd/㎡), 전류효율(cd/A) 및 전력효율(㏐/W)의 측정값은, 각각, 6.3V, 1629cd/㎡, 8.5cd/A, 4.2㏐/W였다.
비교예 1
[공지의 유기 전계 발광소자 재료를 이용한 유기 전계 발광소자의 작성 및 평가]
실시예 1에서 수득한 화합물(1)을 이용한 전자 수송층(5) 대신에, 기존 재료의 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)(Alq)을 20㎚의 막두께로 진공증착해서 전자 수송층(5)을 형성한 것 이외에는, 실시예 6과 마찬가지로 유기 전계 발광소자를 제작하였다.
제작한 소자의 전압(V), 휘도(cd/㎡), 전류효율(cd/A) 및 전력효율(㏐/W)의 측정값은, 각각, 6.4V, 1664cd/㎡, 8.3cd/A, 4.1㏐/W였다. 또, 이 소자의 휘도 반감 시간은 1500시간이었다.
본 발명의 화합물(1)을 이용한 형광 또는 인광 유기 전계 발광소자는, 기존 재료를 이용한 소자에 비해서, 저소비 전력화, 장수명화를 달성할 수 있다. 또, 본 발명의 화합물(1)은, 전자 수송층 이외에도, 발광 호스트층 등에도 적용가능하다. 또한, 형광 발광 재료나 인광 재료를 이용한 다양한 소자 구성의 유기 전계 발광소자에의 적용도 가능하다. 게다가, 평판형 디스플레이 등의 용도 이외에도, 저소비 전력과 장수명의 양립이 요구되는 조명 용도 등에도 유용하다.
1: ITO 투명전극 부착 유리 기판 2: 정공 주입층
3: 정공 수송층 4: 발광층
5: 전자 수송층 6: 음극층

Claims (4)

  1. 하기 일반식 1로 표시되는 1,2,4,5-치환 페닐 유도체:
    [일반식 1]
    Figure pct00022

    (식 중, X1 내지 X5는, 이들 5개 중 어느 하나만이 질소원자를 나타내고, 나머지는 탄소원자를 나타낸다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. m은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m이 2 이상일 때, R3는 서로 상이해도 된다. n은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. n이 2 이상일 때, R4는 서로 상이해도 된다.)
  2. 하기 일반식 2로 표시되는 화합물과, 하기 일반식 3으로 표시되는 화합물을, 염기 및 금속 촉매의 존재 하에 커플링 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 하기 일반식 1로 표시되는 1,2,4,5-치환 페닐 유도체의 제조방법:
    [일반식 2]
    Figure pct00023

    (식 중, Y1 내지 Y4는 각각 독립적으로 이탈기를 나타낸다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다.)
    [일반식 3]
    Figure pct00024

    (식 중, X1 내지 X5는, 이들 5개 중 어느 하나만이 질소원자를 나타내고, 나머지는 탄소원자를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. m은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m이 2 이상일 때, R3는 서로 상이해도 된다. n은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. n이 2 이상일 때, R4는 서로 상이해도 된다. M1은 금속기 또는 헤테로원자기를 나타낸다.)
    [일반식 1]
    Figure pct00025

    (식 중, X1 내지 X5는, 이들 5개 중 어느 하나만이 질소원자를 나타내고, 나머지는 탄소원자를 나타낸다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. m은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m이 2 이상일 때, R3는 서로 상이해도 된다. n은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. n이 2 이상일 때, R4는 서로 상이해도 된다.).
  3. 하기 일반식 4로 표시되는 화합물과, 하기 일반식 5로 표시되는 화합물을, 염기 및 금속 촉매의 존재 하에 커플링 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 하기 일반식 1로 표시되는 1,2,4,5-치환 페닐 유도체의 제조방법:
    [일반식 4]
    Figure pct00026

    (식 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. M2 내지 M5는 각각 독립적으로 금속기 또는 헤테로원자기를 나타낸다.)
    [일반식 5]
    Figure pct00027

    (식 중, X1 내지 X5는, 이들 5개 중 어느 하나만이 질소원자를 나타내고, 나머지는 탄소원자를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. m은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m이 2 이상일 때, R3는 서로 상이해도 된다. n은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. n이 2 이상일 때, R4는 서로 상이해도 된다. Y5는 이탈기를 나타낸다.)
    [일반식 1]
    Figure pct00028

    (식 중, X1 내지 X5는, 이들 5개 중 어느 하나만이 질소원자를 나타내고, 나머지는 탄소원자를 나타낸다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. m은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m이 2 이상일 때, R3는 서로 상이해도 된다. n은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. n이 2 이상일 때, R4는 서로 상이해도 된다.).
  4. 하기 일반식 1로 표시되는 1,2,4,5-치환 페닐 유도체를 구성 성분으로 하는 유기 전계 발광소자:
    [일반식 1]
    Figure pct00029

    (식 중, X1 내지 X5는, 이들 5개 중 어느 하나만이 질소원자를 나타내고, 나머지는 탄소원자를 나타낸다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다. m은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. m이 2 이상일 때, R3는 서로 상이해도 된다. n은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. n이 2 이상일 때, R4는 서로 상이해도 된다.)
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