KR20120131947A - 증발원 및 이를 이용한 증착장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는, 도가니; 도가니를 가열하는 히팅부; 및 도가니의 내부에 설치되고 열전도성 재질로 이루어지며 3차원 구조를 갖는 메쉬를 포함하는 증발원을 제공한다.

Description

증발원 및 이를 이용한 증착장치{Deposition Source and Deposition Apparatus using the same}
본 발명의 실시예는 증발원 및 이를 이용한 증착장치에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Display: OLED), 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD) 및 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel: PDP) 등과 같은 표시장치의 사용이 증가하고 있다.
이와 같은 표시장치는 텔레비전(TV)이나 비디오 등의 가전분야에서 노트북(Note book)과 같은 컴퓨터나 핸드폰과 등과 같은 산업분야 등에서 다양한 용도로 사용되고 있다.
앞서 설명된 표시장치 중 일부 예컨대, 유기전계발광표시장치는 증착장치 내에 배치된 재료를 가열하는 방법으로 기판 상에 금속 박막 또는 유기 박막 등을 증착하여 소자를 형성하였다. 증착장치 내에는 상단에서 기판을 홀딩하는 척과 하단에서 재료를 증발시켜주는 증발원이 포함된다.
최근 표시장치가 대형화되면서, 재료를 수용하는 도가니의 크기는 커지고 있지만 도가니의 중앙과 외곽 간의 열 균형이 일치하지 않는 문제가 대두 되고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 종래에는 재료의 증착 온도를 맞추기 위해 도가니의 외곽 히팅부를 오버히팅(overheating)하는 방법을 이용하였다.
그러나, 히팅부가 오버히팅을 하게 되면 재료의 열적 변성이 발생하게 되며 이는 소자의 성능 저하를 유발하게 되므로 이의 개선이 요구된다.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예는, 도가니 내부의 열 균일도 향상을 통한 수용 재료의 열 변성 방지와 더불어 도가니 내부의 공간 증대를 통한 생산성 향상을 기대할 수 있는 증발원 및 이를 이용한 증착장치를 제공하는 것이다.
상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 실시예는, 도가니; 도가니를 가열하는 히팅부; 및 도가니의 내부에 설치되고 열전도성 재질로 이루어지며 3차원 구조를 갖는 메쉬를 포함하는 증발원을 제공한다.
메쉬는 도가니와 일체형이거나 도가니로부터 착탈되는 분리형 수 있다.
메쉬는 1차원 와이어들의 조합으로 3차원 구조를 이루거나 2차원 평면을 형성하는 와이어 및 1차원 와이어의 조합으로 3차원 구조를 이룰 수 있다.
2차원 평면을 형성하는 와이어는 도가니의 하부부터 상부까지 다단을 이루며 영역별로 배치되도록 복수로 이루어질 수 있다.
2차원 평면을 형성하는 와이어의 최외곽의 지름은 영역별로 같거나 다를 수 있다.
2차원 평면을 형성하는 와이어는 폐곡선을 이루는 적어도 하나의 제1와이어와, 제1와이어의 제1지점과 제2지점을 연결하는 적어도 하나의 제2와이어를 포함할 수 있다.
제1와이어 및 제2와이어는 복수로 구성되고 제1와이어는 각기 다른 크기를 갖는 원형 또는 타원형을 가지며 제2와이어에 의해 각기 다른 크기를 갖는 원형 또는 타원형의 제1와이어가 일정 간격을 유지하며 2차원 평면을 형성할 수 있다.
메쉬는 열을 전달받는 연결부를 포함하며, 연결부는 히팅부에 연결되거나 히팅부와 별도로 구성된 서브 히팅부에 연결될 수 있다.
다른 측면에서 본 발명의 실시예는, 챔버; 챔버의 상부에 위치하고 타겟기판 및 마스크를 홀딩하는 척; 및 챔버의 하부에 위치하고 타겟기판에 증착되는 재료가 수용되며, 도가니와, 도가니를 가열하는 히팅부와, 도가니의 내부에 설치되고 열전도성 재질로 이루어지며 3차원 구조를 갖는 메쉬를 포함하는 증발원을 포함하는 증착장치를 제공한다.
메쉬는 도가니와 일체형이거나 도가니로부터 착탈되고, 메쉬는 1차원 와이어들의 조합으로 3차원 구조를 이루거나 2차원 평면을 형성하는 와이어 및 1차원 와이어의 조합으로 3차원 구조를 이루며, 2차원 평면을 형성하는 와이어는 도가니의 하부부터 상부까지 다단을 이루며 영역별로 배치되도록 복수로 이루어지고, 2차원 평면을 형성하는 와이어의 최외곽의 지름은 영역별로 같거나 다를 수 있다.
본 발명의 실시예는, 열 전도성 와이어로 이루어진 메쉬로 도가니 내부의 열 균일도 향상을 통한 수용 재료의 열 변성 방지와 더불어 도가니 내부의 공간 증대를 통한 생산성 향상을 기대할 수 있는 증발원 및 이를 이용한 증착장치를 제공할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 증발원의 개략적인 단면도.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 증발원의 개략적인 단면도.
도 3은 메쉬의 다양한 형상을 나타낸 도면.
도 4는 메쉬 고정부의 예를 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 증발원의 개략적인 단면도.
도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 증발원의 개략적인 단면도.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착장치의 개략적인 구성도.
이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
<제1실시예>
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 증발원의 개략적인 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 증발원에는 도가니(110), 히팅부(120) 및 메쉬(130)가 포함된다.
도가니(110)는 증착 재료 예컨대, 유기물을 수용하는 역할을 한다. 도가니(110)의 상부는 적어도 하나의 개구부(117)를 갖는 덮개부(115)에 의해 덮인다. 덮개부(115)는 도가니(110) 내에서 증발된 증착 재료가 원하는 방향 외의 곳으로 유출되지 않고 개구부(117)를 통해 유출되도록 차단하는 역할을 한다. 개구부(117)는 도가니(110) 내에서 증발된 증착 재료가 넓은 방향성을 갖고 균일하게 유출되도록 바깥쪽으로 갈수록 각도가 커지는 형상을 가질 수 있다.
히팅부(120)는 도가니(110)에 수용된 증착 재료가 증발될 수 있도록 도가니(110)를 가열하는 역할을 한다. 히팅부(120)는 효율적인 열 전달을 위해 도가니(110)의 주변을 감싸는 구조 등 다양하게 설치될 수 있다.
메쉬(130)는 증착 재료의 열 변성을 방지하도록 도가니(110) 내부의 열 균일도를 향상시키는 역할을 한다. 메쉬(130)는 도가니(110)의 내부에 설치되고 열전도성 재질로 이루어지며 3차원 구조를 갖는다.
메쉬(130)는 도가니(110)와 일체형으로 형성되거나 도가니(110)로부터 착탈되는 분리형으로 형성될 수 있다. 메쉬(130)는 도가니(110)의 내부에 수용되는 증착 재료의 수용성을 높이기 위한 구조로 1차원 와이어들의 조합으로 3차원 구조를 이룰 수 있다.
<제2실시예>
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 증발원의 개략적인 단면도이고, 도 3은 메쉬의 다양한 형상을 나타낸 도면이며, 도 4는 메쉬 고정부의 예를 나타낸 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 증발원에는 도가니(110), 히팅부(120) 및 메쉬(130)가 포함된다.
도가니(110) 및 히팅부(120)는 앞서 설명한 바와 같으므로 설명의 중복을 피하기 위해 생략한다.
메쉬(130)는 증착 재료의 열 변성을 방지하도록 도가니(110) 내부의 열 균일도를 향상시키는 역할을 한다. 메쉬(130)는 도가니(110)의 내부에 설치되고 열전도성 재질로 이루어지며 3차원 구조를 갖는다.
메쉬(130)는 도가니(110)와 일체형으로 형성되거나 도가니(110)로부터 착탈되는 분리형으로 형성될 수 있다. 메쉬(130)는 도가니(110)의 내부에 수용되는 증착 재료의 수용성을 높이기 위한 구조로 2차원 평면을 형성하는 와이어(131, 133, 135, 137) 및 1차원 와이어(132)의 조합으로 3차원 구조를 이룰 수 있다.
2차원 평면을 형성하는 와이어(131, 133, 135, 137)는 도가니(110)의 하부부터 상부까지 다단을 이루며 영역별로 배치되도록 복수로 이루어진다.
2차원 평면을 형성하는 와이어(131, 133, 135, 137)의 최외곽의 지름은 영역별로 같을 수 있다. 이는 도가니(110)의 내부 지름이 모두 같은 경우에 해당한다.
2차원 평면을 형성하는 와이어(131, 133, 135, 137)는 폐곡선을 이루는 적어도 하나의 제1와이어(131a)와, 제1와이어(131a)의 제1지점과 제2지점을 연결하는 적어도 하나의 제2와이어(131b)를 포함할 수 있다. 제1와이어(131a)는 도시된 바와 같이 원형 또는 타원형이 될 수 있다. 이는 도가니(110)의 내부가 원형 또는 타원형일 경우에 해당한다.
제1와이어(131a) 및 제2와이어(131b)는 복수로 구성되고 제1와이어(131a)는 각기 다른 크기를 갖는 원형 또는 타원형을 가지며 제2와이어(131b)에 의해 각기 다른 크기를 갖는 원형 또는 타원형의 제1와이어(131a)가 일정 간격을 유지하며 2차원 평면을 형성하게 된다.
제1와이어(131a) 및 제2와이어(131b)의 구성 및 연결관계에 따라 메쉬(130)의 형상은 도 3의 (a)와 같은 형상이나 도 3의 (b)와 같은 형상 그리고 도시되어 있진 않지만 이밖에 다른 형상으로도 설계될 수 있게 된다.
그러나 위의 설명과 달리, 도가니(110)의 내부가 사각형이거나 다각형일 경우 제1와이어(131a)는 도가니(110)의 내부 형상에 대응하여 사각형이나 다각형으로 구성되고 2차원 평면의 형상 또한 이에 대응하는 형상으로 형성될 수 있을 것이다.
한편, 도가니(110) 내에 설치된 메쉬(130)는 도 4와 같은 메쉬 고정부(113)에 의해 고정될 수 있다. 메쉬 고정부(113)는 도시된 바와 같이 도가니(110)의 하부 저면에 형성된다. 메쉬 고정부(113)는 메쉬(130)를 구성하는 와이어가 끼워지는 공간부(113a, 113b)를 형성하도록 돌출된 구조물로 형성된다. 여기서, 제1공간부(113a)는 다소 작은 크기의 2차원 평면을 형성하는 와이어가 끼워지는 공간이 되고, 제2공간부(113b)는 보다 큰 크기의 2차원 평면을 형성하는 와이어가 끼워지는 공간이 된다. 그러나, 앞서 설명한 메쉬 고정부(113)의 위치와 구조는 설명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐 이의 위치와 구조는 이에 한정되지 않는다.
<제3실시예>
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 증발원의 개략적인 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 증발원에는 도가니(110), 히팅부(120) 및 메쉬(130)가 포함된다.
도가니(110) 및 히팅부(120)는 앞서 설명한 바와 같으므로 설명의 중복을 피하기 위해 생략한다.
메쉬(130)는 증착 재료의 열 변성을 방지하도록 도가니(110) 내부의 열 균일도를 향상시키는 역할을 한다. 메쉬(130)는 도가니(110)의 내부에 설치되고 열전도성 재질로 이루어지며 3차원 구조를 갖는다.
메쉬(130)는 도가니(110)와 일체형으로 형성되거나 도가니(110)로부터 착탈되는 분리형으로 형성될 수 있다. 메쉬(130)는 도가니(110)의 내부에 수용되는 증착 재료의 수용성을 높이기 위해 와이들로 구성된 3차원 구조를 이룬다.
메쉬(130)는 열을 전달받는 연결부(139)를 포함한다. 연결부(139)는 히팅부(120)에 연결되거나 도시된 바와 같이 히팅부(120)와 별도로 구성된 서브 히팅부(140)에 연결된다.
<제4실시예>
도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 증발원의 개략적인 단면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제4실시예에 따른 증발원에는 도가니(110), 히팅부(120) 및 메쉬(130)가 포함된다.
도가니(110)는 증착 재료 예컨대, 유기물을 수용하는 역할을 한다. 도가니(110)는 하부의 수용 면적과 상부의 수용 면적이 다른 형상 예컨대 하부가 좁고 상부가 넓은 형상을 갖는다.
히팅부(120)는 앞서 설명한 바와 같으므로 설명의 중복을 피하기 위해 생략한다.
메쉬(130)는 증착 재료의 열 변성을 방지하도록 도가니(110) 내부의 열 균일도를 향상시키는 역할을 한다. 메쉬(130)는 도가니(110)의 내부에 설치되고 열전도성 재질로 이루어지며 3차원 구조를 갖는다.
메쉬(130)는 도가니(110)와 일체형으로 형성되거나 도가니(110)로부터 착탈되는 분리형으로 형성될 수 있다. 메쉬(130)는 도가니(110)의 내부에 수용되는 증착 재료의 수용성을 높이기 위해 와이들로 구성된 3차원 구조를 이룬다.
도가니(110)의 내부 형상이 위와 같을 경우, 메쉬(130)의 2차원 평면을 형성하는 와이어(131, 133, 135)의 최외곽의 지름은 영역별로 다르다. 예컨대, 2차원 평면을 형성하는 와이어의 크기는 제1영역 와이어(131) < 제2영역 와이어(133) < 제3영역 와이어(135)로 배치된다.
도가니(110) 및 메쉬(130)의 형상이 위와 같을 경우, 메쉬 고정부(113)는 도가니(110)의 측벽에 형성된다. 이때, 메쉬 고정부(113)는 다단을 이루는 제1영역 와이어(131), 제2영역 와이어(133) 및 제3영역 와이어(135)를 영역별로 고정하기 위해 일정 간격을 두며 다단으로 설치된다.
이하, 앞서 설명한 증발원을 이용한 증착장치에 대해 설명한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착장치의 개략적인 구성도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착장치에는 챔버(160), 증발원(150), 지지부(165) 및 척(170)이 포함된다.
챔버(160)는 진공 상태를 유지할 수 있으며, 그 하단에는 증발원(150)이 배치되고 그 상단에는 지지부(165) 및 척(170)이 배치된다.
증발원(150)은 챔버(160)의 하단에 배치되며 그 내부에는 증착 재료가 수용되어 있다. 증발원(150)의 내부에 증착 재료는 증발원의 다양한 실시예에서 설명한 바와 같이 히팅부에 의해 가열되어 증발된 재료(S)로 증발되어 기판(180)의 일면에 증착된다. 여기서, 증발된 재료(S)는 기판(180)에 얼라인된 마스크(190)에 의해 마스킹 되어 원하는 영역에만 증착된다.
지지부(165)는 챔버(160)의 상단에 배치되며 척(170)을 지지한다. 척(170)은 다양한 방식으로 기판(180)과 마스크(190)를 홀딩한다.
앞서 설명한 증착장치는 챔버(160) 내에 배치된 재료를 가열하는 방법으로 기판(180) 상에 금속 박막 또는 유기 박막 등을 증착할 수 있게 된다. 이 장치에 따른 증착방법에 의하면, 각종 박막 소자 예컨대, 유기전계발광표시장치 등을 제작할 수 있게 된다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착장치에 포함된 증발원(150)은 제1 내지 제4실시예에서 설명한 바와 같이 다양한 형상 및 구조를 갖는 와이어로 이루어진 메쉬에 의해 증착 재료의 열 변성이 방지되고 도가니 내부의 열 균일도를 향상시킬 수 있게 된다.
이상 본 발명은 도가니 내부의 열 균일도 향상을 통한 수용 재료의 열 변성 방지와 더불어 도가니 내부의 공간 증대를 통한 생산성 향상을 기대할 수 있는 증발원 및 이를 이용한 증착장치를 제공할 수 있게 된다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110: 도가니 120: 히팅부
130: 메쉬 150: 증발원
160: 챔버 165: 지지부
170: 척

Claims (10)

  1. 도가니;
    상기 도가니를 가열하는 히팅부; 및
    상기 도가니의 내부에 설치되고 열전도성 재질로 이루어지며 3차원 구조를 갖는 메쉬를 포함하는 증발원.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 메쉬는 상기 도가니와 일체형이거나 상기 도가니로부터 착탈되는 분리형인 것을 특징으로 하는 증발원.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 메쉬는 1차원 와이어들의 조합으로 3차원 구조를 이루거나 2차원 평면을 형성하는 와이어 및 1차원 와이어의 조합으로 3차원 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 증발원.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 2차원 평면을 형성하는 와이어는 상기 도가니의 하부부터 상부까지 다단을 이루며 영역별로 배치되도록 복수로 이루어진 것을 특징으로 하는 증발원.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 2차원 평면을 형성하는 와이어의 최외곽의 지름은 영역별로 같거나 다른 것을 특징으로 하는 증발원.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 2차원 평면을 형성하는 와이어는 폐곡선을 이루는 적어도 하나의 제1와이어와, 상기 제1와이어의 제1지점과 제2지점을 연결하는 적어도 하나의 제2와이어를 포함하는 증발원.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1와이어 및 상기 제2와이어는 복수로 구성되고 상기 제1와이어는 각기 다른 크기를 갖는 원형 또는 타원형을 가지며 상기 제2와이어에 의해 상기 각기 다른 크기를 갖는 원형 또는 타원형의 제1와이어가 일정 간격을 유지하며 상기 2차원 평면을 형성하는 것을 특징으로 하는 증발원.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 메쉬는 열을 전달받는 연결부를 포함하며,
    상기 연결부는 상기 히팅부에 연결되거나 상기 히팅부와 별도로 구성된 서브 히팅부에 연결되는 것을 특징으로 하는 증발원.
  9. 챔버;
    상기 챔버의 상부에 위치하고 타겟기판 및 마스크를 홀딩하는 척; 및
    상기 챔버의 하부에 위치하고 상기 타겟기판에 증착되는 재료가 수용되며, 도가니와, 상기 도가니를 가열하는 히팅부와, 상기 도가니의 내부에 설치되고 열전도성 재질로 이루어지며 3차원 구조를 갖는 메쉬를 포함하는 증발원을 포함하는 증착장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 메쉬는 상기 도가니와 일체형이거나 상기 도가니로부터 착탈되고,
    상기 메쉬는 1차원 와이어들의 조합으로 3차원 구조를 이루거나 2차원 평면을 형성하는 와이어 및 1차원 와이어의 조합으로 3차원 구조를 이루며,
    상기 2차원 평면을 형성하는 와이어는 상기 도가니의 하부부터 상부까지 다단을 이루며 영역별로 배치되도록 복수로 이루어지고,
    상기 2차원 평면을 형성하는 와이어의 최외곽의 지름은 영역별로 같거나 다른 것을 특징으로 하는 증착장치.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103409720A (zh) * 2013-08-23 2013-11-27 深圳市华星光电技术有限公司 一种镀膜机坩埚
CN103938160A (zh) * 2014-03-06 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 一种坩埚
CN104109834A (zh) * 2014-06-19 2014-10-22 合肥鑫晟光电科技有限公司 蒸镀机的蒸发源装置及蒸镀机
WO2015013987A1 (zh) * 2013-08-02 2015-02-05 深圳市华星光电技术有限公司 具有导热装置的坩埚
WO2015051604A1 (zh) * 2013-10-12 2015-04-16 深圳市华星光电技术有限公司 蒸镀装置
CN104928628A (zh) * 2015-05-15 2015-09-23 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀坩埚
US20150276264A1 (en) * 2014-03-27 2015-10-01 Lam Research Corporation Systems and methods for bulk vaporization of precursor
CN105112855A (zh) * 2015-09-29 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀坩埚和蒸镀系统
WO2016033932A1 (zh) * 2014-09-01 2016-03-10 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀坩埚和蒸镀装置
WO2016082874A1 (en) * 2014-11-26 2016-06-02 Applied Materials, Inc. Crucible assembly for evaporation purposes
CN105648405A (zh) * 2016-03-29 2016-06-08 苏州方昇光电装备技术有限公司 一种有机材料蒸发装置

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015013987A1 (zh) * 2013-08-02 2015-02-05 深圳市华星光电技术有限公司 具有导热装置的坩埚
CN103409720A (zh) * 2013-08-23 2013-11-27 深圳市华星光电技术有限公司 一种镀膜机坩埚
WO2015024280A1 (zh) * 2013-08-23 2015-02-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种镀膜机坩埚
WO2015051604A1 (zh) * 2013-10-12 2015-04-16 深圳市华星光电技术有限公司 蒸镀装置
CN103938160A (zh) * 2014-03-06 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 一种坩埚
US20150354896A1 (en) * 2014-03-06 2015-12-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Crucible
WO2015131504A1 (zh) * 2014-03-06 2015-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种坩埚
US20150276264A1 (en) * 2014-03-27 2015-10-01 Lam Research Corporation Systems and methods for bulk vaporization of precursor
US9964332B2 (en) * 2014-03-27 2018-05-08 Lam Research Corporation Systems and methods for bulk vaporization of precursor
CN104109834A (zh) * 2014-06-19 2014-10-22 合肥鑫晟光电科技有限公司 蒸镀机的蒸发源装置及蒸镀机
WO2016033932A1 (zh) * 2014-09-01 2016-03-10 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀坩埚和蒸镀装置
WO2016082874A1 (en) * 2014-11-26 2016-06-02 Applied Materials, Inc. Crucible assembly for evaporation purposes
CN104928628A (zh) * 2015-05-15 2015-09-23 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀坩埚
WO2016184083A1 (en) * 2015-05-15 2016-11-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Vapor-deposition crucible
CN104928628B (zh) * 2015-05-15 2018-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀坩埚
CN105112855A (zh) * 2015-09-29 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀坩埚和蒸镀系统
WO2017054417A1 (zh) * 2015-09-29 2017-04-06 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀坩埚和蒸镀系统
CN105648405A (zh) * 2016-03-29 2016-06-08 苏州方昇光电装备技术有限公司 一种有机材料蒸发装置

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