KR20120112208A - 테이퍼 형상 표면을 갖는 멤브레인 지지대를 구비한 마이크로기계 음향 변환기 - Google Patents

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Abstract

마이크로기계 음향 변환기를 제조하는 방법은, 제1 에칭 레이트와 더 낮은 제2 에칭 레이트를 각각 갖는, 기판 배열의 제1 주 표면 상에 제1 및 제2 멤브레인 지지 재료의 연속 층을 증착시키는 단계를 포함한다. 다음에, 멤브레인 재료 층이 증착된다. 공동이 제1 멤브레인 지지 재료 층으로 적어도 연장될 때까지 멤브레인 지지 재료와 멤브레인 재료에 대향하는 기판의 측면으로부터 기판 배열에 공동이 생성된다. 제1 및 제2 멤브레인 지지 재료 층은 공동의 연장부에 위치된 적어도 하나의 제1 영역에 그리고 또한 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역에 공동을 통해 에칭제를 가함으로써 에칭된다. 에칭은 제2 영역에서 제2 멤브레인 지지 재료 층 상에 테이퍼 형상 표면을 생성한다. 적어도 제2 멤브레인 지지 재료 층이 제1 영역에서 제거되어 멤브레인 재료 층을 노출시킬 때까지 계속해서 에칭된다.

Description

테이퍼 형상 표면을 갖는 멤브레인 지지대를 구비한 마이크로기계 음향 변환기{MICROMECHANICAL SOUND TRANSDUCER HAVING A MEMBRANE SUPPORT WITH TAPERED SURFACE}
본 발명에 따른 몇몇 실시예는 마이크로기계 음향 변환기를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 몇몇 실시예는 마이크로기계 음향 변환기에 관한 것이다.
음향(sound) 신호를 캡처하고 및/또는 음향 신호를 재생하기 위한 능력은 오늘날 제조되고 사용되는 대규모의 전자 디바이스에 의해 지원된다. 특히, 두 가지 목표는 전자 디바이스의 분야에서 진행중인 집중적인 연구, 즉, 더 긴 배터리 수명을 위한 추가의 소형화와 향상된 효율을 촉진시킨다. 전자 디바이스의 음향 서브시스템은 전형적으로 캡처되고 및/또는 재생될 음향 신호의 물리적 특성에 의해 대규모로 미리 정해지는 주파수 범위 및 음향 압력 레벨(SPL) 같은 임의의 사양(specification)을 충족시킬 필요가 있다. 마이크로기계 구성에 기초한 음향 변환기는 소형화 및 향상된 효율에 대하여 전도 유망한 특성을 제공한다. 이들 솔루션 중 몇몇은 실리콘으로 이루어지는 마이크로기계 멤브레인 상의 압전 또는 강유전성 재료의 사용을 제안한다. 압전 또는 강유전성 재료에 기인하여, 새로운 재료 시스템은 전형적으로 그러한 마이크로기계 라우드스피커의 제조를 위해 반도체 제조 공정에 통합될 필요가 있다. 대조적으로, 각각 수신된 음향 신호 또는 전기 입력 신호에 기인하는 멤브레인 편향의 용량 검출/생성에 기초하는 음향 변환기는 전형적으로 전형적으로 전형적인 반도체 제조 공정을 이용할 수 있거나 그와 호환가능한 재료를 사용하여 구성될 수 있다.
본 발명에 따른 몇몇 실시예는 마이크로기계 음향 변환기를 제조하는 방법을 제공하며, 이 방법은, 기판 배열의 제1 주 표면상에 제1 멤브레인 지지 재료의 제1 층을 증착시키는 단계, 제1 멤브레인 지지 재료 층의 주 표면상에 제2 멤브레인 지지 재료 층을 증착시키는 단계, 제2 멤브레인 지지 재료 층의 주 표면상에 멤브레인 재료 층을 증착시키는 단계, 기판 배열에 공동(cavity)을 생성하는 단계, 공동을 통해 특정 에칭제를 적용함으로써 제1 멤브레인 지지 재료 층 및 제2 멤브레인 지지 재료 층을 에칭하는 단계, 및 적어도 제2 멤브레인 지지 재료 층이 멤브레인 재료 층을 노출시키도록 제1 영역에서 제거될 때까지 계속해서 에칭하는 단계를 포함한다. 제1 멤브레인 지지 재료는 특정 에칭제에 대해 제1 에칭 레이트를 갖거나 보인다. 제2 멤브레인 지지 재료는 특정 에칭제에 대해 제1 에칭 레이트보다 낮은 제2 에칭 레이트를 갖거나 보인다. 기판 배열 내의 공동은 제1 멤브레인 지지 재료, 제2 멤브레인 지지 재료 층, 및 멤브레인 재료 층에 대향하는 기판 배열의 측면으로부터 생성된다. 공동을 생성하는 동작을 완료한 후, 공동은 적어도 제1 멤브레인 지지 재료 층까지 연장된다. 제1 멤브레인 지지 재료 층 및 제2 멤브레인 지지 재료 층의 에칭은 기판 배열의 제1 주 표면에 실질적으로 수직인 방향을 따라 공동의 연장부에 위치된 적어도 하나의 제1 영역에서 일어난다. 또한, 에칭은 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역에서도 일어나며, 여기서, 에칭은 제2 영역내의 제2 멤브레인 지지 재료 층 상에 테이퍼 형상 표면을 생성한다. 테이퍼 형상 표면은 제1 에칭 레이트와 제2 에칭 레이트 간의 차이에 기인한다.
여기서 개시된 교시에 따른 또 다른 실시예에서, 마이크로기계 음향 변환기의 제조 방법은, 기판 배열의 제1 주 표면 상에 제3 멤브레인 지지 재료 층을 증착시키는 단계, 제3 멤브레인 지지 재료 층의 주 표면상에 보조 재료 층을 증착시키는 단계, 보조 재료 층의 주 표면을 부분적으로 마스킹하는 단계, 특정 에칭제를 적용함으로써 적어도 하나의 제1 영역에서 그리고 또한 적어도 하나의 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역에서 보조 재료 층 및 제3 멤브레인 지지 재료 층을 에칭하는 단계, 적어도 제3 멤브레인 지지 재료 층이 적어도 하나의 제1 영역에서 제거되어 적어도 하나의 제1 영역에서 기판 배열을 노출시킬 때까지 계속해서 에칭하는 단계, 보조 재료 및 보조 재료 층의 주 표면의 마스킹 동안 생성된 마스크를 제거하는 단계, 제3 멤브레인 지지 재료 층의 주 표면 상에 멤브레인 재료 층을 증착시키는 단계, 및 기판 배열에 공동을 생성하는 단계를 포함한다. 제3 멤브레인 지지 재료는 특정 에칭제에 대하여 제3 에칭 레이트를 갖거나 보이고, 보조 재료는 특정 에칭제에 대하여 제3 에칭 레이트보다 더 높은 제4 에칭 레이트를 갖거나 보인다. 보조 재료 층의 주 표면이 부분적인 마스킹을 완료한 후, 보조 재료 층은 적어도 하나의 제1 영역에서 노출되고 적어도 하나의 제1 영역 외부에서 마스킹된다. 에칭 동작은 제2 영역에서 제3 멤브레인 지지 재료 층이 테이퍼 형상 표면을 생성한다. 제3 멤브레인 지지 재료 층의 주 표면상에 멤브레인 재료 층을 증착시킬 때, 멤브레인 재료는 실질적으로 제3 멤브레인 지지 재료의 테이퍼 형상 표면을 재생하거나 따른다. 기판 배열에서의 공동의 생성은 공동이 적어도 하나의 제1 영역에서 멤브레인 재료까지 적어도 연장될 때까지 보조 재료 층, 제3 멤브레인 지지 재료 층, 및 멤브레인 재료 층에 대향하는 기판 배열의 측면으로부터 수행된다.
제3 멤브레인 지지 재료의 존재는 제1 및 제2 멤브레인 지지 재료의 존재를 반드시 내포할 필요는 없다는 것을 유의해야한다. 용어 "제3 멤브레인 지지 재료", "제3 에칭 레이트", "제4 에칭 레이트", "제5 멤브레인 지지 재료", 및 "제5 에칭 레이트"는 계수자라기보다는 오히려 식별자로서 간주되어야 한다. 상이한 구성요소들에 대한 고유 식별자들은, 특히, 두 개 이상의 실시예의 특징들이 조합되는 경우에, 명료성을 위해 선택되었다.
여기서 개시된 교시에 따른 마이크로기계 음향 변환기는 기판 배열, 멤브레인 지지 구조, 멤브레인 지지 구조의 개구(apreture), 및 멤브레인을 포함한다. 멤브레인 지지 구조는 기판 배열에 인접한 제1 멤브레인 지지 재료 층, 및 기판 배열에 대향하는 제1 멤브레인 재료 층의 계면에 제2 멤브레인 지지 재료 층을 포함한다. 제1 멤브레인 지지 재료는 특정 에칭제에 대한 제1 에칭 레이트를 갖고, 제2 멤브레인 지지 재료는 특정 에칭제에 대하여 제1 에칭 레이트보다 낮은 제2 에칭 레이트를 갖는다. 멤브레인 지지 구조에서의 개구는 적어도 부분적으로 제2 멤브레인 지지 재료 층의 테이퍼 형상 표면에 의해 경계가 정해진다. 멤브레인은 개구에 대하여 노출되고, 테이퍼 형상 표면에 대향하는 제2 멤브레인 지지 재료의 표면에서 제2 멤브레인 지지 재료 층에 고정된다.
여기서 개시된 교시의 또 다른 실시예에 따른 마이크로기계 음향 변환기는 기판 배열, 멤브레인 지지 구조, 및 멤브레인을 포함한다. 멤브레인 지지 구조는 기판 배열에 고정된 제3 멤브레인 지지 재료 층을 포함하고, 여기서, 제3 멤브레인 지지 재료 층은 테이퍼 형상 표면을 포함한다. 멤브레인은 기판 배열에 대향하는 멤브레인 지지 구조의 측면에 배치된다. 멤브레인은 기판 배열과 멤브레인 지지 구조 중 적어도 하나에 있는 개구에 의해 정의되는 제1 영역에서 노출된다. 또한, 멤브레인은 테이퍼 형상 표면에 고정된다.
도 1은 여기서 개시된 교시를 사용하지 않는 마이크로기계 음향 변환기의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 2는 여기서 개시된 교시를 사용하지 않는 마이크로기계 음향 변환기의 사시 단면도를 도시한다.
도 3은 하부에 음향 변환기의 부분 단면을 도시하고, 상부에 기계적 스트레스를 세 개의 상이한 구성에 대한 위치의 함수로서 도시한다.
도 4는 여기서 개시된 교시의 제1 실시예에 따른 마이크로기계 음향 변환기의 개략적인 부분 단면도를 도시한다.
도 5는 여기서 개시된 교시의 제2 실시예에 따른 마이크로기계 음향 변환기의 개략적인 부분 단면도를 도시한다.
도 6은 여기서 개시된 교시의 제3 실시예에 다른 마이크로기계 음향 변환기의 개략적인 부분 단면도를 도시한다.
도 7은 멤브레인에 어떠한 외부 압력 또는 힘도 미치지 않는 경우의 멤브레인의 일부 및 그 멤브레인의 지지 구조의 기계적 시뮬레이션의 결과를 도시한다.
도 8은, 도 8(a)에, 여기서 개시된 교시를 구현하지 않은, 멤브레인 및 그 멤브레인의 지지 구조의 기계적 시뮬레이션의 결과를 도시하고, 도 8(b)에, 여기서 개시된 교시에 따라 구성된 상부로부터 권유된 멤브레인 및 그 멤브레인 지지 구조의 기계적 시뮬레이션의 결과를 도시하고, 도 8(c)에, 여기서 개시된 교시에 따라 구성된 하부로부터 권유된 멤브레인 및 그 멤브레인 지지 구조의 기계적 시뮬레이션의 결과를 도시한다.
도 9는, 도 9(a)에, 여기서 개시된 교시가 사용되지 않은 위로부터 권유된 멤브레인 및 그 멤브레인 지지 구조의 기계적 시뮬레이션의 결과를 도시하고, 도 9(b)에, 여기서 개시된 교시에 따른, 특히, 보강 링을 포함하는 위로부터 권유된 멤브레인 및 그 멤브레인 지지 구조의 기계적 시뮬레이션의 결과를 도시한다.
도 10은 여기서 개시된 교시의 제1 실시예에 따른 방법을 수행할 때 관찰가능한 에칭 프로세스의 진행을 도시한다.
도 11은 여기서 개시된 교시의 제2 실시예에 따른 방법의 실행 동안 관찰가능한 에칭 프로세스의 진행을 도시한다.
도 12는, 상부에, 여기서 개시된 교시에 따른 마이크로기계 변환기의 개략적인 부분 단면도를 도시하고, 하부에, 대응하는 REM(raster electron microscope)을 도시한다.
도 13은 여기서 개시된 교시의 제4 실시예에 따른 마이크로기계 변환기의 개략적인 부분 단면도를 도시한다.
도 14는 마이크로기계 음향 변환기를 제조하는 프로세스를 도시한다.
도 15a 내지 도 15m은 여기서 개시된 실시예에 따른 마이크로기계 음향 변환기를 제조하는 방법의 복수의 프로세스 단계를 도시한다.
도 1은 여기서 개시된 교시의 핵심 특징 중 몇몇이 구현되지 않은 마이크로기계 음향 변환기의 개략적인 단면도를 도시한다. 마이크로기계 음향 변환기는 마이크로폰, 라우드스피커, 또는 조합된 마이크로폰 및 라우드스피커일 수 있다. 마이크로기계 음향 변환기는 기판(10), 고정자 또는 카운터 전극(16), 및 멤브레인(14)을 포함한다. 멤브레인(14) 및 카운터 전극(16)은 기판(10)에 고정된 지지 구조(32)에 고정된다. 실질적으로 동질인 기판(예를 들면, 실리콘) 대신, 기판 배열은 본 구성 및 다른 구성에서, 예를 들면, 자신의 주 표면에 이산화 실리콘 SiO2의 층을 갖는 실리콘 벌크로 존재할 수 있다. 용어 "고정된"은 "장착된", "부착된" 등을 의미한다. 전형적으로, 카운터 전극(16)은 실질적으로 단단한데, 이것은 카운터 전극(16)의 두께 및/또는 재료를 적절히 선택함으로써 달성될 수 있다. 멤브레인(14)은 특히 그 멤브레인(14)의 중앙부가 안정 위치(rest position)에서 들뜬 위치(excited position)로 변위될 수 있도록 변형가능하고, 멤브레인(14)의 중앙부는 카운터 전극(16) 쪽으로 휘어지거나 심지어 카운터 전극(16)에 접촉하게 된다. 멤브레인(14)은 그 멤브레인(14)의 원주부에서 지지 구조(32)에 기계적으로 접속된다. 멤브레인(14) 또는 멤브레인(14)의 중앙부의 카운터 전극(16) 쪽으로의 변위는 멤브레인(14) 상에 정전기력을 가함으로써 달성될 수 있다. 특히, 카운터 전극(16)은 멤브레인(14)을 정전기적으로 끌어 당길 수 있다. 카운터 전극(16)과 멤브레인(14) 간의 정전기 효과는 카운터 전극(16) 및 멤브레인(14)에 상이한 전기적 전위를 가함으로써 달성된다. 지지 구조(32)는 전형적으로 카운터 전극(16)과 멤브레인(14) 간의 전기 절연체로서 동작한다. 멤브레인(14)과 카운터 전극(16)이 증폭기(도시 생략) 같은 다른 컴포넌트에 접속될 수 있는 전기 접속 및 접속 패드는 도 1에 도시되어 있지 않다.
기판(10)은 멤브레인(14)의 제1 영역 아래에 공동(22)을 갖는다. 공동(22)은 마이크로기계 음향 변환기의 백 볼륨(back volume)으로서 동작하고, 멤브레인(14)이 카운터 전극(16) 쪽으로 상대적으로 자유롭게 이동하게 하거나 멀어지게 할 수 있다. 카운터 전극(16)에 복수의 에어 구멍(1)이 형성된다. 따라서, 멤브레인(14)은 카운터 전극(16) 쪽으로 이동할 때의 강한 카운터 압력 또는 카운터 전극(16)으로부터 떨어져 이동할 때의 서브-압력(진공)을 극복할 필요가 없다. 도 1에 도시된 구성에서, 공동(22)은 멤브레인-고정자 배열에 대하여 대향측에서, 예를 들면, 도 1의 표현에 대하여 공동(22)의 하부 단부에서 개방된다. 공동(22)은 지지 구조(32)에서 계속되지만 더 큰 단면을 갖는다. 멤브레인(14)에 제1 자유 볼륨(free volume)이 제공되고, 멤브레인(14) 아래에 제2 자유 볼륨이 제공되는데, 더 상세하게는, 멤브레인(14)의 중앙부의 위/아래에 각각 제공된다. 이들 자유 볼륨은 멤브레인(14)의 중앙부가 위 아래로 이동하게 할 수 있다. 지지 구조(32)를 관통하는 공동(22)의 연장부는 마이크로기계 음향 변환기의 음향 변환 영역으로서 간주될 수 있고 본 개시에서 이 외에는 "제1 영역"으로서 지칭된다.
일반적으로, 정전기 음향 변환기는 플레이트들 중 하나(즉, 멤브레인)가 이동가능한 적어도 하나의 커패시터를 포함한다. 그러한 구조를 라우드스피커로서 동작시킬 때, 커패시터는 전형적으로 전기적으로 바이어싱되고, 변환될 오디오 데이터를 나타내는 전기 입력 신호는 전기장을 변조시킨다. 커패시터 내의 전기장의 이러한 변조는 멤브레인이 발진하도록 야기한다. 전형적으로, 이러한 구조는 자승력/전압(square-law force/voltage) 특성을 갖고, 자승력/전압 특성에 기인하여, 특히 오디오 입력 신호의 높은 입력 전압에 대해 뚜렷한 왜곡이 발생할 수 있다. 한편, 그러한 구조를 마이크로폰으로서 동작시킬 때, 커패시터는 전형적으로 전기적으로 또한 바이어싱된다. 멤브레인(14) 상에 부딪치는 음향 신호는 멤브레인(14)이 발진하도록 야기한다. 이러한 발진은 마이크로전자기계 음향 변환기의 전기 접속 패드에서 감지될 수 있는 커패시터 내의 전기장의 변조를 야기한다.
도 1의 하부에 있는 삽입도는 개략적인 단면도에서의 마이크로기계 음향 변환기의 세부사항을 도시한다. 멤브레인(14)의 주변 영역과 기판(10) 사이에, 멤브레인 지지 재료 층(502)은 멤브레인(14)을 지지하는 역할을 한다. 멤브레인 지지 재료 층(502)은 멤브레인 지지 구조(32)에 속한다. 멤브레인 지지 재료(502)는 전형적으로 이산화 실리콘 SiO2과 같은 산화물이다. 멤브레인(14)은, 바닥 측에, 실질적으로 수직 에지를 제공하는 산화물층(502)에 의해 유지된다. 공동(22)은 멤브레인 지지 재료 층(502)의 개구(503)까지 확장되는 기판(10) 내에서 실질적으로 균일한 단면을 갖는다. 개구(503)는 멤브레인 지지 재료의 실질적으로 수직 에지에 의해 원형으로 경계를 이루고, 멤브레인 지지 재료 층(502)의 산화물 재료에만 실질적으로 영향을 미치고 멤브레인(14) 및 기판(10)에는 영향을 미치지 않는 등방성 에칭에 의해 전형적으로 형성된다. 등방성 에칭 프로세스의 타이밍을 맞추고 온도 및 에칭제의 농도 같은 등방성 에칭 프로세스의 다른 파라미터를 제어함으로써, 개구(503)의 치수가 상대적으로 정밀하게 제어될 수 있다. 개구(503)의 치수는 멤브레인의 공진 주파수 및 견고성 같은 물리적 특성의 일부에 영향을 미친다. 멤브레인 지지 구조 또는 도 1에 도시된 바와 같은 "홀딩 디바이스"(32)는 압축 부하가 전면으로부터(위로부터) 가해질 때 주어진 변환기 구성에 대해 5 bar의 높은 압축 강도를 생성하지만, 압축 부하가 후면측(아래로부터) 가해질 때는 1.5 bar의 약한 압축 강도를 생성한다.
사실, 현재의 마이크로기계 음향 변환기의 제조는 압축 부하가 후면측으로부터 가해질 때 압축 강도에 대해 멤브레인 홀딩 디바이스가 약한 면을 보인다.
이에 따라, 도 1에 도시된 바와 같은 구성을 갖는 마이크로기계 음향 변환기는 압축 부하가 후면측으로부터 가해질 때 압축 강도에 대해 멤브레인 지지 구조가 약한 면을 보인다.
도 2는 도 1에 도시된 마이크로기계 음향 변환기의 단면의 사시도를 도시한다. 멤브레인(14)은 공동(22)과 멤브레인(14) 위의 볼륨 간의 정지 압력을 갖게 하는데 주로 사용되는 통풍 구멍(4)을 포함한다.
도 3은 하부에 멤브레인 지지 재료 층(502)과 멤브레인(14)의 개략적인 단면도를 도시한다. 도 3에서, 멤브레인 지지 재료 층(502)과 멤브레인(14) 간의 천이(transition)에 대한 세 개의 상이한 구성이 도시되어 있다. 멤브레인(14)은 아래로부터 압력 P에 의해 로딩되고, 따라서, 멤브레인(14) 상에 압축 부하가 가해진다고 가정한다. 세 개의 대응하는 스트레스 곡선이 도 3의 상부에 비교되어 있다. 제1 구성에서, 멤브레인 지지 재료 층(502)과 멤브레인(14)은 실질적으로 직사각형 코너를 형성하는데, 즉, 멤브레인 지지 재료 층(502)의 에지가 실질적으로 수직(연속선)이다. 도 3의 상부에, 탄젠트 스트레스 σt를 나타내는 스트레스 곡선(321)은 멤브레인 지지 재료(502)와 멤브레인(14) 간의 실질적으로 직사각형 코너를 갖는 구성에 대응한다. 제1 스트레스 곡선(321)은 실질적으로 직사각형 코너의 위치에서 높고 가파른(sharp) 피크를 갖는다. 제1 스트레스 곡선(321)에서의 가파른 피크는 멤브레인 지지 재료 층(502)에 멤브레인(14)을 고정하는 압축 강도를 감소시킨다. 멤브레인(14)이 과도한 압축 부하로 로딩될 때, 스트레스가 특히 높은 곳에 크랙(crack)이 발생할 가능성이 있다. 이러한 영향을 "스트레스 집중" 또는 "노치 효과"로 칭한다.
제2 구성은 도 3의 하부에서 쇄선(302)으로 도시되어 있다. 이러한 제2 구성에 따라, 멤브레인 지지 재료 층(502)과 멤브레인(14) 간의 천이는 중간 정도로(moderately) 굽어있다. 도 3a의 상부에서, 스트레스 라인(322)은 이러한 제2 구성에 대해 탄젠트 스트레스 σt를 도시한다. 화살표(331)로 지시된 바와 같이, 제1 구성 위에 제2 구성을 선택함으로써 스트레스의 최대값의 상당한 감소를 달성할 수 있다. 스트레스 곡선(322)은 또한 스트레스가 스트레스 곡선(321)에 비해 더 넓은 영역에 걸쳐 분포되어 있는 것을 도시하고, 제2 구성에 대한 영역은 대략 둥근(rounded) 코너(302)의 확장에 대략 대응한다.
탄젠트 스트레스 σt의 최대값의 추가의 감소는 점선(303)에 의해 도 3의 하부에 도시된 제3 구성을 선택함으로써 달성될 수 있다. 도 3의 상부에서, 스트레스 곡선(323)은 대응하는 스트레스 분포를 도시한다. 제2 구성과 제3 구성 간의 최대 스트레스 값의 추가 감소는 화살표(332)로 도시되어 있다. 스트레스 곡선(323)은 상대적으로 편평하고, 상대적으로 넓은 영역에 걸쳐 스트레스가 분포되어 있는 것을 볼 수 있다.
여기서 개시된 교시는 멤브레인 지지 구조의 에지 형상을 선택함으로써 노치 효과 또는 스트레스 집중의 감소를 제공하여, 결과적으로 멤브레인 지지 구조 내에 보다 균일한 압력(strain) 분포를 달성한다. 더욱이, 재료 및 상이한 에칭제에 대한 그들의 상이한 응답의 특정 순서 또는 시퀀스는 음향 변환기의 선택된 서브-구조를 서로 독립적으로 에칭하는 것을 가능하게 한다. 이 방법에서, 몇몇의 에칭 프로세스는 상대적으로 높은 정밀도를 제공하도록 제어될 수 있지만, 다른 에칭 프로세스가 더 빠르다. 멤브레인의 릴리스 에칭 같은 상대적으로 높은 정밀도를 갖는 에칭 프로세스는 멤브레인에 가까운 구조를 에칭하는데 사용될 수 있다.
이들 교시에 따라, 압축 부하가 후면측으로부터 가해질 때 압축 강도가 약해지는 문제는 노치 효과를 감소시키기 위해 멤브레인 지지 구조의 에지를 구조화하는 것에 의해 해결될 수 있다. 제1 구성을 이용하는 경우, 멤브레인(14)이 압축 부하에 의해 아래로부터 편향되면, 노치 효과로 인해 멤브레인 지지 구조(32)에서 직접적으로 대량의 기계적 장력을 초래할 것이다. 장력의 최대값은 도 3에서 제2 구성 및 제3 구성에 대한 곡선(302 및 303)에 의해 도시된 바와 같이 얇은 칼라(collar)를 멤브레인 지지 구조에 제공함으로써 감소될 수 있다. 칼라는 칼라 구조의 영역에 대해 대략 기계 장력의 보다 폭넓은 분포를 가져오고, 결과적으로 장력의 최대값의 감소를 가져오며, 또한 결과적으로 압축 강도를 증가시킨다.
도 4는 여기서 개시된 교시 하의 제1 가능한 구성에 따른 마이크로기계 음향 변환기의 부분 개략 단면도를 도시한다. 제1 가능한 구성에 따라, 칼라를 포함하는 멤브레인 지지 구조가 생산된다. 기판(10)의 상부의 제1 주 표면상에, 멤브레인 지지 재료 층(402)이 제공된다. 멤브레인 지지 재료 층(402)은, 도시된 최종 음향 변환기에서, 제1 멤브레인 재료 층의 나머지 패치(patch)가 제공되도록 마이크로기계 음향 변환기의 제조 프로세스 동안 구조화되었다. 제1 멤브레인 재료 층(402) 위에, 즉, 기판(10)에 대향하는 제1 멤브레인 지지 재료 층의 주 표면에, 제2 멤브레인 지지 재료 층(404)이 위치된다. 제2 멤브레인 재료 층(404)은 칼라 또는 칼라형의 구조를 형성할 수 있다. 도 4에서, 제1 멤브레인 지지 재료 층(402)의 좌측에 그리고 제2 멤브레인 재료 층(404)의 좌측에, 개구(403)가 형성된다. 제2 멤브레인 지지 재료 층(404)은 개구(403)를 경계짓는 테이퍼 형상 표면을 갖는다. 멤브레인(14)은 즉 제1 멤브레인 지지 재료 층(402)에 대향하는 제2 멤브레인 재료 층(404)의 상부 주 표면에 위치된다. 제2 멤브레인 지지 재료 층(404)의 테이퍼 형상 표면에 기인하여, 제2 멤브레인 지지 재료 층(404)의 폭은 제2 멤브레인 지지 재료 층(404)의 하부 주 표면과 상부 주 표면 사이의 값 L만큼 증가한다. 용어 "테이퍼" 또는 "테이퍼 형상의"는 연속 표면 또는 에지, 곡선 표면 또는 에지뿐만 아니라 계단형 표면 또는 에지를 포괄할 수 있다. 테이퍼 형상 표면/에지의 다른 구현예 또한 용어 "테이퍼" 및 "테이퍼 형상의"에 포함될 수 있다.
개구(403)는 등방성 에칭 프로세스에 의한 마이크로기계 음향 변환기의 제조 공정동안 얻어졌다. 제1 멤브레인 지지 재료 층은 등방성 에칭 프로세스 동안 사용된 에칭제에 대해 제1 에칭 레이트를 갖는다. 이러한 제1 에칭 레이트는 전형적으로 비교적 높다. 제2 멤브레인 지지 재료 층(404)은 사용된 에칭제에 대해 비교적 낮은 제2 에칭 레이트를 갖는다. 어떤 경우에, 제2 에칭 레이트는 전형적으로 제1 에칭 레이트보다 더 낮다. 에칭제는 전형적으로 멤브레인(14)과 기판(10)을 현저하게 에칭하지 않는다.
제2 멤브레인 지지 재료 층(404)의 테이퍼 형상 표면의 전술한 폭 L은 제2 멤브레인 지지 재료 층(404)의 두께에 의존하고 또한 제1 에칭 레이트 및 제2 에칭레이트의 비율에 의존한다. 즉,
L = 두께제2 멤브레인 지지 재료 * 에칭 레이트1/에칭 레이트2
제1 멤브레인 재료는, 예를 들면, 이산화 실리콘 SiO2일 수 있다. 제2 멤브레인 재료는, 예를 들면, 실리콘 산질화물 SiON일 수 있다. 이에 따라, 산화물(SiO2) 및 산질화물(SiON)을포함하는 2층 구조가 생성된다. SiO2의 에칭 레이트는 임의의 에칭제에 대하여 SiON의 에칭 레이트보다 분명히 더 높다. 마스크를 사용하여 등방성의 습식 화학 에칭이 수행되면, SiON의 삼각형의 돌출부가 생성되고 그 폭은 전술한 바와 같이 층 두께에 대응하고 에칭 레이트 비율에 대응한다. 3㎛의 칼라 폭 및 190nm의 칼라 두께를 포함하는 가능한 실현이 도시되어 있다. 칼라는 또한 층 두께 및 에칭 레이트/재료를 선택함으로써 조정될 수 있다.
멤브레인 지지 구조는 또한 지지 링에 의해 최적화될 수 있고, 따라서, 멤브레인 층 내부에 위치될 수 있다. 도 5는 칼라 대신 보강 링을 피처링(featuring)하는 여기서 개시된 교시한 제2 가능한 구성에 따른 마이크로기계 음향 변환기의 부분 개략 단면도를 도시한다. 다시, 기판(10)의 상부 제1 표면에 제1 멤브레인 지지 재료 층(512)이 제공된다. 기판(10)에 대향하는 제1 멤브레인 재료 층(512)의 주 표면에, 제3 멤브레인 지지 재료 층(514)이 제공된다. 제3 멤브레인 지지 재료 층(514)은 보강 링 또는 지지 링을 형성할 수 있다. 일반적으로, 제3 멤브레인 지지 재료 층(514)은 적어도 하나의 테이퍼 형상 표면을 포함한다. 도 5에서, 제3 멤브레인 지지 재료 층(514)은 두 개의 테이퍼 형상 표면을 포함한다. 제2 멤브레인 지지 재료 층(514)에 의해 형성되는 보강 링의 방사형의 내측에 제1 테이퍼 형상 표면이 제공된다. 제1 테이퍼 형상 표면은 폭 L을 갖는다. 보강 링의 방사형의 외측에 제2 테이퍼 형상 표면이 제공된다. 멤브레인 재료 층(14)은 제3 멤브레인 재료 층(514)을 피복하고, 또한 국부적으로 제1 멤브레인 재료 층(512)을 피복한다. 이 방식에서, 멤브레인 재료 층(14)은 몇몇 영역에서 제3 멤브레인 지지 재료 층(514)의 테이퍼 형상 표면을 따르거나 재생한다. 개구(513)는 기판(10)의 상부 주 표면에 의해 경계를 이룬 하부에서, 제1 멤브레인 재료 층(512)에 의해 제한된 방사형의 외부에서, 그리고 제3 멤브레인 지지 재료 층(514) 및 멤브레인(14)에 의해 경계를 이룬 상부에서 경계를 이룬다. 개구(513)는 등방성 에칭을 이용하여 형성되었다.
제3 멤브레인 지지 재료(514)의 테이퍼 형상 표면은 자신의 상부 주 표면에서 제3 멤브레인 지지 재료에 인접하는 보조층을 이용하여 생성되었다. 보조층은 특정 에칭제에 대해 제3 멤브레인 지지 재료(514)의 에칭 레이트보다 더 높은 에칭 레이트를 갖는다. 보강 링의 영역에서 보조층의 마스킹을 사용하여, 테이퍼 형상 표면이 얻어질 수 있다.
제3 멤브레인 지지 재료 층(514)은 범위가 100nm 내지 800nm, 바람직하게는, 300nm 내지 800nm인 두께를 가질 수 있다. 보조 멤브레인 지지 재료 층은 범위가 100nm 내지 1000nm, 바람직하게는, 100nm 내지 500nm인 두께를 가질 수 있다.
도 6은 도 4 및 도 5에 각각 도시된 제1 및 제2 구성이 결합된, 여기서 개시된 교시 하의 제3 가능한 구성에 따른 마이크로기계 음향 변환기의 부분 개략 단면도를 도시한다. 기판(10)의 제1 주 표면에, 제1 멤브레인 지지 재료 층(402)(예를 들면, 실리콘 산화물 SiO2)가 제공된다. 기판(10)의 대향 표면에서, 제2 멤브레인 지지 재료 층(404)이 제1 멤브레인 지지 재료 층(402) 상에 제공된다. 전과 같이, 제2 멤브레인 지지 재료 층(404)은 칼라 또는 칼라형의 구조를 형성한다. 제2 멤브레인 지지 재료(404)는, 예를 들면, 실리콘 산질화물(SiON)일 수 있고, 테이퍼 형상 표면을 갖는다. 이미 도 5에 도시되었고 대응하는 설명에서 설명되었으며, 예를 들면, 보강 링을 형성할 수 있는 제3 멤브레인 지지 재료 층(514)이 제2 멤브레인 지지 재료(404)의 상부 표면에 제공된다. 멤브레인 재료 층(14)은 제3 멤브레인 지지 재료 층(514)의 상부 표면에 제공된다.
제2 멤브레인 지지 재료 층(404)은 제2 멤브레인 지지 재료(404)와 기판(10) 사이의 개구(603)를 부분적으로 경계짓는 테이퍼 형상 표면을 포함한다. 방사 방향에서, 개구(603)는 제1 멤브레인 지지 재료 층(402)에 의해 경계를 이룬다. 제2 멤브레인 지지 재료 층(404)의 테이퍼 형상 표면은 Lcollar의 폭을 갖는다. 또한, 제3 멤브레인 지지 재료 층(514)은, 특히 멤브레인 재료 층(14)이 제공되는 테이퍼 형상 표면을 포함한다. 제3 멤브레인 재료(514)의 테이퍼 형상 표면의 폭은 Lreinforcement ring이다.
도 6에 도시된 구조는 다음의 액션을 포함하는 방법에 의해 얻어졌을 수 있다:
- 기판 배열의 제1 주 표면 상에 제1 멤브레인 지지 재료 층을 증착, 여기서, 제1 기판 재료는 특정 에칭제에 대해 제1 에칭 레이트를 가짐,
- 제1 멤브레인 지지 재료 층의 주 표면 상에 제2 멤브레인 지지 재료 층을 증착, 여기서, 제2 멤브레인 지지 재료는 특정 에칭제에 대해 제1 에칭 레이트보다 더 낮은 제2 에칭 레이트를 가짐,
- 제2 멤브레인 지지 재료 층의 주 표면 상에 제3 멤브레인 지지 재료 층을 증착,
- 제3 멤브레인 지지 재료 층의 제1 표면 상에 보조 재료 층을 증착, 여기서, 보조 재료는 특정 에칭제에 대해 제3 에칭 레이트보다 더 높은 제4 에칭 레이트를 갖고, 멤브레인 재료는 또한 제3 멤브레인 지지 재료 층이 제2 멤브레인 지지 재료 층을 피복하는 제3 멤브레인 지지 재료 층 상에 증착됨,
- 보조 재료 층이 적어도 하나의 제1 영역에서 노출되고 적어도 하나의 제1 영역 외부에서 마스킹되도록 보조 재료 층의 주 표면을 부분적으로 마스킹,
- 특정 에칭제를 가함으로써 적어도 하나의 제1 영역에서 그리고 또한 제2 영역에서 보조 재료 층과 제3 멤브레인 지지 재료 층을 에칭, 여기서, 에칭은 제2 영역에서 제3 멤브레인 지지 재료 층의 테이퍼 형상 표면을 생성함,
- 적어도 제3 멤브레인 지지 재료 층이 적어도 하나의 제1 영역에서 제거되어 적어도 하나의 제1 영역에서 제2 멤브레인 지지 재료 층을 노출시킬 때까지 계속하여 에칭, 및
- 보조 재료, 및 보조 재료 층의 주 표면의 마스킹 동안 생성된 마스크를 제거,
- 제2 멤브레인 지지 재료 층의 주 표면 상에 멤브레인 재료 층을 증착,
- 공동이 제1 멤브레인 지지 재료 층까지 연장될 때까지, 제1 멤브레인 지지 재료 층, 제2 멤브레인 지지 재료 층, 및 멤브레인 재료 층에 대향하는 기판 배열의 측으로부터 기판 배열 내에 공동을 생성,
- 공동을 통해 특정 에칭제를 가함으로써 제1 멤브레인 지지 재료 층 및 제2 멤브레인 지지 재료 층을 에칭, 여기서, 에칭은 기판 배열의 제1 주 표면에 실질적으로 수직인 방향을 따라 공동의 연장부에 위치된 적어도 하나의 제1 영역에서 발생하고, 또한 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역에서 발생하며, 에칭은 제1 에칭 레이트와 제2 에칭 레이트 간의 차에 기인하여 제2 영역 내의 제2 멤브레인 지지 재료 층 상에 테이퍼 형상 표면을 생성함, 및
- 적어도 제2 멤브레인 지지 재료 층이 제1 영역에서 제거되어 멤브레인 재료 층을 노출시킬 때까지 계속하여 에칭.
도 4 내지 도 6과 연결하여 개시된 교시는 멤브레인 고정이 압축 강도를 향상시키는 것을 의도되도록 하고, 현재의 실험은 실질적으로 수직 에지를 갖는 멤브레인 지지에 비해 2-3의 인자만큼 향상을 보여준다.
도 7은 제1 가능한 구성에 다른 마이크로기계 음향 변환기의 부분 개략 단면도를 도시한다. 특히, 도 7은, 멤브레인(14)이 무부하(unloaded) 상태에 있을 때, 멤브레인(14)에서, 제1 멤브레인 지지 재료(402)(SiO2)의 층에서, 제2 멤브레인 지지 재료(404)(SiON)의 층에서의 스트레스 분포를 도시한다. 외부적으로 유도된 스트레스는 제공되지 않고, 다양한 재료의 고유 기계 장력이 균일하게 분포되어 있다.
도 8(a) 내지 도 8(c)는 멤브레인(14) 상에 압력이 가해질 때 칼라 구조의 기계 시뮬레이션의 결과를 도시한다. 도 8(a)에, 테이퍼 형상이 표면을 갖지 않는 구성 또는 유사한 구조의 시뮬레이션의 결과가 도시되어 있다. 멤브레인(14) 및 멤브레인 지지 재료(502)의 기계적 스트레스는 멤브레인 지지 재료(502)의 실질적으로 수직인 에지 및 멤브레인(14)의 실질적으로 수평인 표면에 의해 형성된 코너에서 비교적 높은 2.2 GPa 및 3.9 GPa의 절대값에 도달한다는 것을 볼 수 있다. 표시 "MX" 및 "MN"은 대략 최대 스트레스 및 최소 스트레스가 각각 발생하는 영역들을 나타낸다.
도 8(b)에서, 압력이 상부로부터 가해질 때, 테이퍼 형상 표면을 갖는 칼라를 구비한 구성의 기계적 시뮬레이션의 결과가 도시되어 있다. 스트레스의 최대값은 1.8 GPa에 달하고 멤브레인(14)의 상부 표면에서 관찰될 수 있다. 도 8(c)에, 압력이 아래로부터 가해지는 경우, 칼라 또는 칼라형의 구조를 갖는 동일한 구성의 기계적 시뮬레이션 결과가 도시되어 있다. 최대 압력은 대략 2.6 GPa에 달하고, 제2 멤브레인 지지 재료(404)의 테이퍼 형상 표면의 팁(tip) 부근에서 관찰될 수 있다.
도 9(a) 및 도 9(b)는 보강 링을 갖지 않는 구성과 갖는 구성에 대한 기계적 시뮬레이션의 결과의 비교를 도시한다. 도 9(a)는 도 8(a)에 대응하는데, 즉, 테이퍼 형상의 보강 링을 갖지 않는 구성의 멤브레인에 상부로부터 1 bar의 압력이 가해질 때의 기계적 시뮬레이션의 결과에 대응한다. 도 9(b)는 동일한 상황, 즉, 상부로터 1 bar의 압력이 가해질 때 테이퍼 형상의 보강 링을 갖는 구성에 대한 기계적 시뮬레이션의 결과를 도시한다. 멤브레인 지지 구조와 멤브레인(14) 간의 코너에서, 보강 링이 없는 구성에 대해 스트레스에 대한 최대 3.9 GPa의 절대값에 도달한다. 이것은 테이퍼 형상의 보강 링을 갖는 구성에 대한 최대 2.8 GPa의 절대값에 비교한다. 멤브레인의 상부 측에서, 보강 링이 없는 구성(도 9(a))에 대한 최대 절대값은 2.2 bar이고, 보강 링을 갖는 구성(도 9(b))에 대한 최대 절대값은 1.7 GPa이다.
장력 또는 스트레스의 최대값은 특히 테이퍼 형상 표면의 각에 의존한다. 다음의 표는 이러한 의존성을 나타낸다.
Figure pat00001
비교의 목적을 위해, 우측 열은 보강 링이 없는 구성에 대한 값을 포함한다.멤브레인(14)과 보강 링 사이의 천이의 장력 또는 스트레스 분포는 에지의 각도에 상당히 의존한다. 각이 작을수록 최대 장력은 더 작아지고 압축 강도는 더 높아진다. 특히, 메브레인이 위로부터의 압력으로 로딩되는 경우, 90도의 각과 10도의 각 사이에서 최대 스트레스의 상당한 감소가 관찰될 수 있다.
기계적 시뮬레이션은 유한 요소(FEM) 시뮬레이션에 기초하고 멤브레인 지지 구조에서 최대 장력의 명백한 감소를 보여준다. 이 결과는 또한 2-3의 향상 인자를 갖는 압축 강도에 관한 제1 측정에 의해 확인되었다.
도 10은 제1 가능한 구성, 즉, 칼라 또는 칼라형의 구조를 갖는 구성에 따른 마이크로기계 음향 변환기의 제조 동안 이용될 수 있는 등방성 에칭 프로세스의 진행을 도시한다. 예를 들면, 한 층은 낮은 에칭 레이트를 갖고, 다른 층을 높은 에칭 레이트를 갖는 2 층 구조 상의 등방성 에칭에 의해 칼라 구조가 생성될 수 있다. 칼라의 치수는 에칭 레이트의 비율 및 낮은 에칭 레이트를 갖는 층의 층 두께에 의해 결정된다.
도 10의 최하단에 초기 구성이 도시되어 있다. 기판(10)의 주 표면 상에, 상이한 재료의 세 개의 층이 생성되었다, 제1 멤브레인 지지 재료(402)(높은 에칭 레이트), 제2 멤브레인 지지 재료(404)(낮은 에칭 레이트), 및 멤브레인 재료(14)(에칭 공정에 의해 실질적으로 영향받지 않음). 공동(22)은, 제1 멤브레인 지지 재료 층(402)이 공동(22)에 기인하여 적어도 부분적으로 노출되도록, 에칭 공정에 앞서 기판(10)에 생성되었다.
도 10의 추가의 도면은 아래에서 위로 제1 멤브레인 지지 재료 층(402)이 제2 멤브레인 지지 재료 층(404)에 비해 어떻게 비교적 빠르게 에칭되는지를 보여준다. 이것은 제2 멤브레인 지지 재료 층의 테이퍼 형상 표면의 생성을 초래한다.
도 11은 제2 가능한 구성에 따른 마이크로기계 음향 변환기의 제조 동안 이용될 수 있는 등방성 에칭 프로세스의 진행을 도시한다. 제1 단계는 강하게 테이퍼링된, 즉, 비교적 작은 기울기를 갖는 적어도 하나의 내부 에지를 갖는 지지 링 또는 보강 링을 생성하는 단계를 포함한다. 에지 형상은, 예를 들면, 적절한 층 두께 및 적절한 에칭 레이트를 갖는 보조 층에 의해 만들어질 수 있다. 보조 층은 전형적으로 나중에 완전히 제거된다.
도 11에 도시된 제조 상태에 후속하는 제2 단계에서, 멤브레인의 지지 링 위에 실제 멤브레인 층이 증착된다. 보강 링이 충분히 두껍다면, 보강 링 자체가 멤브레인 지지 구조를 나타낼 것이다. 이것은 보강 링의 실제 멤브레인 지지 구조가 압력 부하가 가해지는 경우에 중요하지 않다는 것을 의미한다.
도 12는, 상부에, 여기서 개시된 교시에 따라 마이크로기계 음향 변환기의 부분 개략 단면도를 다시 도시한다. 도 12의 하부에, 부분 단면의 전자 현미경 이미지가 도시되어 있다. 기판(10)의 상부 상에, 제1 멤브레인 지지 재료(여기서는 TEOS)(402)의 층이 제공되고 개구(403)와 경계를 이루는 테이퍼 형상 표면을 갖는다. 제1 멤브레인 지지 재료 층(402)의 두께는 600nm이다. 제2 멤브레인 지지 재료 층(404)은, 예를 들면, 실리콘 산질화물을 포함한다. 이 구성에서, 제2 멤브레인 지지 재료 층(404)은 또한 개구(403)와 경계를 이루는 테이퍼 형상 표면을 갖는다. 제2 멤브레인 지지 재료 층(404)의 두께는 190nm이고, 제2 멤브레인 지지 재료 층에 의해 형성된 칼라의 길이는 3㎛이다. 제2 멤브레인 지지 재료 층(404) 위에, 330nm의 두께를 갖는 멤브레인 재료 층(14)이 제공된다. 멤브레인 재료(14)는, 이 예에서, 폴리 실리콘이다.
도 13은 제1 가능한 구성의 추가의 진행 예를 도시한다. 부가의 칼라 대신, 감소하는 에칭 레이트를 갖는 이중 층 구조가 사용될 수 있다. 그 결과는 이중 칼라가 될 것이고, 각각의 칼라 각은 전술한 바와 같이 에칭 레이트에 의해 정의된다. 기판(10)에서 시작하여, 기판(10)의 상부 주 표면 상의 층들의 스택은 다음과 같다: 높은 에칭 레이트를 갖는 제1 멤브레인 지지 재료 층(402), 중간의 에칭 레이트를 갖는 제2 멤브레인 지지 재료 층(404), 및 낮은 에칭 레이트를 갖는 제5 멤브레인 지지 재료 층(405). 멤브레인 재료 층(14)은 제5 멤브레인 지지 재료 층(405)의 상부 표면상에 제공된다. 상이한 에칭 레이트에 기인하여, 그 결과의 테이퍼 형상 표면은 상이한 각을 갖는 두 개의 섹션을 포함한다. 제2 멤브레인 지지 재료의 테이퍼 형상 표면의 폭은 L1이다. 제2 지지 재료의 테이퍼 형상 표면의 폭은 L2이다.
도 14는 마이크로기계 음향 변환기의 제조 공정의 프로세스 블록들의 시퀀스를 도시한다. 우선, 도 14에 프로세스 블록(1402)에 의해 도시된 바와 같이, 기판(10) 상에 에칭 정지 산화물이 적용된다. 다음에, 1404에서, 폴리 실리콘을 사용하여 멤브레인이 생성된다. 후속 액션 1406에서, 부착 방지(anti-sticking) 범프를위한 구조를 갖는 희생 산화물이 형성된다. 다음에, 액션 1408 동안, 대응하는 부착 방지 범프를 갖는 카운터 전극이 생성된다. 다음에, 액션 1410에 나타낸 바와 같이, 중간 산화물, 콘택 홀, 및 금속층이 형성된다. 다음에, 액션 1412 동안 패시베이션이 적용된다. 액션 1412 동안 멤브레인 및 패드를 통해 후면측(backside) 개구가 또한 형성된다. 다음에, 1414에서, 멤브레인 및 패드 위에 개구가 형성된다. 다음에, 액션 1416에 의해 표시된 바와 같이, 보쉬(Bosch) 프로세스에 의해 후면측 공동(22)이 에칭된다. 액션 1418 동안 희생 산화물이 에칭되고, 마이크로기계 음향 변환기가 건조된다.
도 15a 내지 도 15m은 상이한 프로세스 단계에서 기판(10)의 개략적인 단면 및 기판(10)에 적용되는 층을 도시한다. 본 개시의 설명 및 도면에 걸쳐 임의의 크기 및 두께는 예로서 이해되어야 한다는 것을 유의해야한다. 도 15a는 기판(10) 및 기판(10)의 상부 주 표면 상에 증착된 두 개의 멤브레인 지지 재료 층(402 및 404)을 도시한다. 예를 들면, 600nm의 TEOS가 제1 멤브레인 지지 재료 층(402)으로서 증착될 수 있고, 140nm의 실리콘 산질화물 SiON이 제2 멤브레인 지지 재료 층(404)으로서 증착될 수 있다. 도 15b에 도시된 바와 같이, 제2 멤브레인 지지 재료 층(404) 상에 미래의 멤브레인(14)을 위한 폴리 실리콘 층이 증착된다. 폴리 실리콘이 주입되고 다음에, 미래의 멤브레인(14)의 폴리 실리콘을 구조화하기 위해 마스킹된 실리콘 에칭이 수행된다. 기판(10)의 후면측에 산화물층(504) 및 실리콘층(505)이 또한 증착된다.
도 15c는 미래의 멤브레인 지지 구조를 생성하기 위해 1600nm의 두께를 갖는 추가의 TEOS층(32)이 멤브레인층(14)의 상부 상에 어떻게 생성되는지를 도시한다. 이 추가의 TEOS 층의 일부는 멤브레인(14)과 카운터 전극(16) 간의 갭을 정의하기 위해 제거될 것이다. 이에 따라, TEOS는 일시적으로 미래의 멤브레인(14)을 둘러싸고 특히 일시적으로 미래의 에어 구멍(4)을 채운다. 카운터 전극의 부착 방지 범프(2)의 형성을 위해 구조(72)를 제공하도록 450nm의 깊이를 갖는 마스킹된 TEOS 에칭이 또한 수행된다. 도 15c와 도 15d 사이에, 140nm의 두께를 갖는 실리콘 질화물(SiN)층(162)이 도 15c에 도시된 구성의 상부 표면에 적용되었다. 실리콘 질화물층(162)은 TEOS층(32)에서 구조(72)를 채워 얻어진 부착 방지 범프(2)를 포함한다. 실리콘 질화물층(162)의 상부 상에, 750nm의 두께를 갖는 또 다른 TEOS층이 생성된다.
다음에, 도 15e에 도시된 바와 같이, 1400nm의 두께를 갖는 비정질 실리콘(a-Si) 층(164)이 생성된다. 다음에, 비정질 실리콘층(164)이 주입되고(개략적으로 화살표로 표시됨) 결정화가 수행된다. 도 15f는 실리콘 질화물층(162) 및 실리콘층(164) 상에 수행된 마스킹된 에칭 단계의 결과를 도시한다. 미래의 카운터 전극(16)의 외부 윤곽에 더하여, 마스킹된 에칭은 또한 두 개의 층에 에어 구멍(1)을 생성한다. 도 15f의 상부는 추후 프로세스 단계에서 멤브레인층(14)과 실리콘 질화물층(162) 사이의 희생 산화물(32)이 제거된 후의 아래로부터 실리콘 질화물층(162)과 비정질 실리콘층(164)의 사시도를 도시한다. 이 도면에서 부착 방지 범프(2) 및 에어 구멍(1)을 볼 수 있다. 부착 방지 범프(2)는 과도한 부착력에 기인하여 카운터 전극(16)에 부착되는 것을 방지한다.
도 15g는 추가의 에칭 단계의 결과를 도시하는데, 이 시간은 TEOS층(32)에 영향을 미친다. 에칭 단계는 산화물층(504)의 단지 선택된 영역, 특히 산화물층(504)의 윤곽을 구조화하기 위해 에지에서 제거되도록 에칭 단계가 마스킹된다. 도 15h에서, 150nm의 두께를 갖는 추가의 실리콘 산화물(SiO2)층이 생성되었다. 더욱이, 800nm의 두께를 갖는 BPSG(borophosphosilicate glass)층(563)이 형성되었다. 다음에, 멤브레인층(14), 카운터 전극층(162, 164) 및 기판(10)으로의 콘택 홀(564)을 생성하기 위해 마스킹된 산화물 에칭이 수행된다. 도 15i에 도시된 바와 같이, 콘택 홀은 금속 콘택(565)을 제공하기 위해 각각 50nm, 100nm 및 600nm의 두께를 갖는 티타늄, 백금 및/또는 금으로 채워진다. 콘택 홀을 채우는 것은 마스킹된 금속화 단계에 의해 이루어진다.
도 15j에서, 하드마스크 후면측 단계가 수행되었다. 우선, 이전에 적용된 실리콘층(505)을 제거하기 위해 후면측으로부터 마스킹되지 않은 실리콘 에칭이 수행되었다. 다음에, 실리콘 산화물층(504)에서 후면측 공동(22)의 구조를 정의하기 위해 후면측으로부터 마스킹된 실리콘 산화물 에칭이 수행된다. 지금까지 생성된 전면측 구조를 보호하기 위해 전면측에 패시베이션(566)(전형적으로 SiN)이 또한 적용된다. 도 15k는 패드 및 멤브레인 개구가 수행된 후의 마이크로기계 음향 변환기를 도시한다. 이를 위해, 콘택 패드(565) 및 BPSG층(563)의 중앙부가 노출되도록 마스킹된 실리콘 질화물 에칭이 수행되었다.
도 15l은 공동(22)을 생성하기 위해 후면측으로부터 보쉬 프로세스를 수행한 결과를 도시한다. 보쉬 프로세스의 일부인 에칭은 에칭 정지층으로서 동작하는 TEOS층(402, 512)에서 정지한다. 전면측에서, 후속 프로세스 단계를 위한 준비로서 포토레지스트(567)가 적용되고, 그 결과가 도 15m에 도시되어 있다.
도 15m에서, 전면측뿐만 아니라 후면측으로부터 릴리스 에칭이 수행되었다. 릴리스 에칭은 에어 구멍(1) 및 송풍 구멍(4)을 통해 멤브레인(14)과 카운터 전극(16) 사이의 갭에 들어간다. 릴리스 에칭의 완료 후, 포토리지스트(567)가 제거되고 구조가 클리닝된다. 공동(22)을 생성하기 위한 보쉬 프로세스는 빠르고 비교적 성긴 프로세스이지만, 릴리스 에칭은 더 정교하여 멤브레인(14)의 개구 및 멤브레인과 카운터 전극 간의 갭이 비교적 정교한 방식으로 형성될 수 있다. 개구(403, 513, 603)의 가파름(sharp) 및 치수는, 특히, 공진 주파수 및 댐핑(damping)에 대해 멤브레인(14)의 기계적 특성에 영향을 미칠 수 있다. 재현가능한 결과를 얻기 위해, 릴리스 에칭을 비교적 정밀하게 제어할 수 있는 것이 바람직하다. 양호한 정확도를 갖는 릴리스 에칭의 결과는 전형적으로 예측가능하므로, 예를 들면, 에칭의 지속기간, 에칭제의 농도 및/또는 온도를 조정하여 바람직한 에칭 결과를 얻을 수 있다.
몇몇 양상을 장치의 콘텍스트에서 설명하였지만, 이들 양상은 또한, 블록 또는 디바이스가 방법 단계 또는 방법 단계의 특징에 대응하는 대응 방법의 설명을 또한 나타낼 수 있다는 것은 자명하다. 유사하게, 방법 단계의 콘텍스트로 설명된 양상 또한 대응하는 장치의 대응하는 블록 또는 항목 또는 특징의 설명을 나타낸다.
상술한 실시예는 본 발명의 원리에 대한 단지 예이다. 여기서 설명되는 배열 및 세부 사항의 수정 및 변경은 당업자에게는 자명할 것이라는 것이 이해된다. 따라서, 본 발명은 단지 첨부의 청구범위에 의해서만 제한되고 여기의 실시예의 기술 및 설명에 의해 제공되는 특정 세부 사항에 의해 제한되는 것은 아니라는 것을 의도로 한다.
1: 에어 구멍
10: 기판
14: 멤브레인
16: 고정자 또는 카운터 전극
22: 공동
32: 지지 구조
502: 멤브레인 지지 재료 층
503: 개구

Claims (26)

  1. 마이크로기계 음향 변환기를 제조하는 방법으로서,
    기판 배열의 제1 주 표면상에 제1 멤브레인 지지 재료 층을 증착(depositing)시키는 단계 - 상기 제1 멤브레인 지지 재료는 특정 에칭제에 대해 제1 에칭 레이트를 가짐 - 와,
    상기 제1 멤브레인 지지 재료 층의 주 표면상에 제2 멤브레인 지지 재료 층을 증착시키는 단계 - 상기 제2 멤브레인 지지 재료는 상기 특정 에칭제에 대해 상기 제1 에칭 레이트보다 낮은 제2 에칭 레이트를 가짐 - 와,
    상기 제2 멤브레인 지지 재료 층의 주 표면상에 멤브레인 재료 층을 증착시키는 단계와,
    상기 제1 멤브레인 지지 재료 층에 대향하는 상기 기판 배열의 측면으로부터의 기판 배열에 공동(cavity)을 생성하는 단계 - 상기 공동은 적어도 상기 제1 멤브레인 지지 재료 층까지 연장될 때까지 생성됨 - 와,
    상기 공동을 통해 상기 특정 에칭제를 적용함으로써 상기 제1 멤브레인 지지 재료 층 및 제2 멤브레인 지지 재료 층을 에칭하는 단계 - 상기 에칭은 상기 기판 배열의 제1 주 표면에 실질적으로 수직인 방향을 따라 상기 공동의 연장부에 위치된 적어도 하나의 제1 영역에서 발생하고, 또한, 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역에서도 발생하며, 상기 에칭은 상기 제2 영역 내의 제2 멤브레인 지지 재료 층 상에 테이퍼 형상 표면(tapered surface)을 생성함 - 와,
    상기 제2 멤브레인 지지 재료 층이 상기 제1 영역에서 제거되어 상기 멤브레인 재료 층을 노출시킬 때까지 계속해서 에칭하는 단계를 포함하는
    마이크로기계 음향 변환기 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 멤브레인 지지 재료 층을 증착시키는 단계와 상기 멤브레인 재료 층을 증착시키는 단계 사이에,
    상기 제2 멤브레인 지지 재료 층의 주 표면 상에 제3 멤브레인 지지 재료 층을 증착시키는 단계 - 상기 제3 멤브레인 지지 재료는 상기 특정 에칭제에 대해 제3 에칭 레이트를 가짐 - 와,
    상기 제3 멤브레인 지지 재료 층의 제1 주 표면 상에 보조 재료 층을 증착시키는 단계 - 상기 보조 재료는 상기 특정 에칭제에 대해 상기 제3 에칭 레이트보다 더 높은 제4 에칭 레이트를 가짐 - 와,
    상기 보조 재료 층이 상기 적어도 하나의 제1 영역에서 노출되고 상기 적어도 하나의 제1 영역 외부에서 마스킹되도록 상기 보조 재료 층의 주 표면을 부분적으로 마스킹하는 단계와,
    상기 특정 에칭제를 적용함으로써 상기 적어도 하나의 제1 영역에서 그리고 또한 상기 제2 영역에서 상기 보조 재료 층 및 상기 제3 멤브레인 지지 재료 층을 에칭하는 단계 - 상기 에칭은 상기 제2 영역에서 상기 제3 멤브레인 지지 재료 층의 테이퍼 형상 표면을 생성함 - 와,
    상기 제3 멤브레인 지지 재료 층이 상기 적어도 하나의 제1 영역에서 제거되어 상기 적어도 하나의 제1 영역에서 상기 제2 멤브레인 지지 재료 층을 적어도 노출시킬 때까지 계속해서 에칭하는 단계와,
    상기 보조 재료 및 상기 보조 재료 층의 주 표면의 마스킹 동안 생성된 마스크를 제거하는 단계를 더 포함하고,
    상기 멤브레인 재료는, 상기 제3 멤브레인 지지 재료 층이 상기 제2 멤브레인 지지 재료 층을 피복하는 제3 멤브레인 지지 재료 층 상에 또한 증착되는
    마이크로기계 음향 변환기 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판 배열에 대향하는 상기 멤브레인 재료 층의 주 표면 상에 전극 지지부 및 전극을 생성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제1 영역에서 상기 멤브레인 재료와 상기 전극 간의 미래의 갭을 형성하는데 희생 재료가 사용되며, 상기 희생 재료는 상기 전극 내의 또는 그 옆의 액세스 구멍을 통해 상기 공동에 대향하는 측면으로부터 에칭되는
    마이크로기계 음향 변환기 제조 방법.

  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 멤브레인 지지 재료 층 및 상기 제2 멤브레인 지지 재료 층을 에칭하는 단계는 등방성 에칭 프로세스를 수행하는 단계를 포함하는
    마이크로기계 음향 변환기 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 테이퍼 형상 표면은 상기 제1 멤브레인 지지 재료 및 제2 멤브레인 지지 재료와 상기 멤브레인 재료 간의 기계적 접속을 위해 보강 칼라(reinforcement collar)와 경계를 이루고(delimitate), 상기 보강 칼라는 상기 기계적 접속 부근에서 기계적 스트레스의 광범위한 공간적 분포를 야기하는
    마이크로기계 음향 변환기 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 멤브레인 지지 재료는 실리콘 산화물 및 테트라에틸 오쏘실리케이트(tetraethyl orthosilicate) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 멤브레인 지지 재료는 산질화물(oxynitride)을 포함하는
    마이크로기계 음향 변환기 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 멤브레인 지지 재료 층은 400nm 내지 800nm의 두께를 갖는
    마이크로기계 음향 변환기 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 멤브레인 지지 재료 층은 100nm 내지 200nm의 두께를 갖는
    마이크로기계 음향 변환기 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 멤브레인 지지 재료 층의 주 표면 상에 제5 멤브레인 지지 재료 층을 증착시키는 단계를 더 포함하고,
    상기 제5 멤브레인 지지 재료는 상기 특정 에칭제에 대해 상기 제2 에칭 레이트보다 더 낮은 제5 에칭 레이트를 갖고,
    상기 제5 멤브레인 지지 재료 층은 상기 제1 멤브레인 지지 재료 층과 상기 제2 멤브레인 지지 재료 층을 에칭하는 동안 에칭되며,
    상기 에칭은 상기 제2 멤브레인 지지 재료 층 상의 테이퍼 형상 표면과 상이한 각을 갖는, 상기 제2 영역 내의 상기 제5 멤브레인 지지 재료 층 상에 제2 테이퍼 형상 표면을 생성하는
    마이크로기계 음향 변환기 제조 방법.
  10. 마이크로기계 음향 변환기를 제조하는 방법으로서,
    기판 배열의 제1 주 표면 상에 제3 멤브레인 지지 재료 층을 증착시키는 단계 - 상기 제3 멤브레인 지지 재료는 특정 에칭제에 대해 제3 에칭 레이트를 가짐 - 와,
    상기 제3 멤브레인 지지 재료 층의 주 표면상에 보조 재료 층을 증착시키는 단계 - 상기 보조 재료는 상기 특정 에칭제에 대해 상기 제3 에칭 레이트보다 더 높은 제4 에칭 레이트를 가짐 - 와,
    상기 보조 재료 층이 적어도 제1 영역에서 노출되고 상기 적어도 하나의 제1 영역 외부에서 마스킹되도록 상기 보조 재료 층의 주 표면을 부분적으로 마스킹하는 단계와,
    상기 특정 에칭제를 적용함으로써 상기 적어도 하나의 제1 영역에서 그리고 또한 상기 적어도 하나의 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역에서 상기 보조 재료 층 및 상기 제3 멤브레인 지지 재료 층을 에칭하는 단계 - 상기 에칭 단계는 상기 제2 영역에서 상기 제3 멤브레인 지지 재료 층의 테이퍼 형상 표면을 생성함 - 와,
    상기 제3 멤브레인 지지 재료 층이 상기 적어도 하나의 제1 영역에서 제거되어 상기 적어도 하나의 제1 영역에서 상기 기판 배열을 적어도 노출시킬 때까지 계속해서 에칭하는 단계와,
    상기 보조 재료, 및 상기 보조 재료 층의 상기 주 표면의 마스킹 동안 생성된 마스크를 제거하는 단계와,
    상기 멤브레인 재료가 상기 제3 멤브레인 지지 재료의 상기 테이퍼 형상 표면을 실질적으로 재생하도록 상기 제3 멤브레인 지지 재료 층의 상기 주 표면 상에 멤브레인 재료 층을 증착시키는 단계와,
    상기 보조 재료 층, 상기 제3 멤브레인 지지 재료 층, 및 상기 멤브레인 재료 층에 대향하는 측면으로부터 상기 기판 배열에 공동을 생성하는 단계 - 상기 공동은 상기 적어도 하나의 제1 영역에서 상기 멤브레인 재료에 적어도 연장될 때까지 생성됨 - 를 포함하는
    마이크로기계 음향 변환기 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 기판 배열에 대향하는 상기 멤브레인 재료 층의 주 표면 상에 전극 지지부 및 전극을 생성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 적어도 제1 영역에서 상기 멤브레인 재료와 상기 전극 간의 미래의 갭을 형성하는데 희생 재료가 사용되며, 상기 희생 재료는 상기 전극 내의 또는 그 옆의 액세스 구멍을 통해 상기 공동에 대향하는 측면으로부터 에칭되는
    마이크로기계 음향 변환기 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 보조 재료 층 및 상기 제3 멤브레인 지지 재료 층을 에칭하는 단계는 등방성 에칭 프로세스를 수행하는 단계를 포함하는
    마이크로기계 음향 변환기 제조 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 테이퍼 형상 표면은 상기 멤브레인 지지 재료와 상기 멤브레인 재료 간의 기계적 접속을 위해 보강 링과 경계를 이루고, 상기 보강 링은 상기 기계적 접속 부근에서 기계적 스트레스의 광범위한 공간적 분포를 야기하는
    마이크로기계 음향 변환기 제조 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제3 멤브레인 지지 재료는 실리콘 산화물 및 테트라에틸 오쏘실리케이트 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 멤브레인 지지 재료는 산질화물을 포함하는
    마이크로기계 음향 변환기 제조 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 제3 멤브레인 지지 재료 층은 100nm 내지 800nm의 두께를 갖는
    마이크로기계 음향 변환기 제조 방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 보조 재료 층은 100nm 내지 1000nm의 두께를 갖는
    마이크로기계 음향 변환기 제조 방법.
  17. 마이크로기계 음향 변환기로서,
    기판 배열과,
    상기 기판 배열에 인접한 제1 멤브레인 지지 재료 층, 및 상기 기판 배열에 대향하는 상기 제1 멤브레인 지지 재료 층의 계면에서 제2 멤브레인 지지 재료 층을 포함하는 멤브레인 지지 구조 - 상기 제1 멤브레인 지지 재료는 특정 에칭제에 대하여 제1 에칭 레이트를 갖고, 상기 제2 멤브레인 지지 재료는 상기 특정 에칭제에 대해 상기 제1 에칭 레이트보다 낮은 제2 에칭 레이트를 가짐 - 와,
    상기 제2 멤브레인 지지 재료의 층의 테이퍼 형상 표면에 의해 경계를 이루는 상기 멤브레인 지지 구조 내의 개구(apreture)와,
    상기 개구에 노출되고, 상기 테이퍼 형상 표면에 대향하는 상기 제2 멤브레인 지지 재료의 표면에서 상기 제2 멤브레인 지지 재료 층에 고정되는 멤브레인을 포함하는
    마이크로기계 음향 변환기.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 기판 배열은 실리콘 벌크, 및 상기 실리콘 벌크의 주 표면에 인접한 산화물층을 포함하는
    마이크로기계 음향 변환기.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 멤브레인 지지 구조는 상기 제1 멤브레인 지지 재료 층에 대향하는 상기 제2 멤브레인 지지 재료 층에 대한 계면에 제5 멤브레인 지지 재료 층을 포함하고, 상기 제5 멤브레인 지지 재료는 상기 특정 에칭제에 대해 상기 제2 에칭 레이트보다 낮은 제5 에칭 레이트를 갖고, 상기 제5 멤브레인 지지 재료 층은 상기 개구와 경계를 이루고 상기 제2 멤브레인 지지 재료 층 상의 상기 테이퍼 형상 표면과 상이한 각을 갖는 제2 테이퍼 형상 표면을 포함하는
    마이크로기계 음향 변환기.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 멤브레인 지지 구조는 상기 제2 멤브레인 지지 재료에 인접하고 추가의 테이퍼 형상 표면을 갖는 제3 멤브레인 지지 재료를 더 포함하고, 상기 멤브레인은 또한 상기 제3 멤브레인 지지 재료의 추가의 테이퍼 형상 표면에 고정되는
    마이크로기계 음향 변환기.
  21. 제17항에 있어서,
    상기 제1 멤브레인 지지 재료 층은 400nm 내지 800nm의 두께를 갖는
    마이크로기계 음향 변환기.
  22. 제17항에 있어서,
    상기 제2 멤브레인 지지 재료 층은 100nm 내지 200nm의 두께를 갖는
    마이크로기계 음향 변환기.
  23. 마이크로기계 음향 변환기로서,
    기판 배열과,
    상기 기판 배열에 고정된 제3 멤브레인 지지 재료 층을 포함하는 멤브레인 지지 구조 - 상기 제3 멤브레인 지지 재료 층은 상기 기판 배열에 대향하는 측면에 테이퍼 형상 표면을 포함함 - 와,
    상기 기판 배열에 대향하는 상기 멤브레인 지지 구조의 측면의 멤브레인 - 상기 멤브레인은 상기 테이퍼 형상 표면에 고정됨 -을 포함하는
    마이크로기계 음향 변환기.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 기판 배열은 실리콘 벌크, 및 상기 실리콘 벌크의 주 표면에 인접한 산화물층을 포함하는
    마이크로기계 음향 변환기.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 제3 멤브레인 지지 재료는 산질화물을 포함하고 100nm 내지 300nm의 두께를 갖는
    마이크로기계 음향 변환기.

  26. 제23항에 있어서,
    적어도 상기 기판 배열, 상기 멤브레인 지지 구조 및 상기 멤브레인에 의해 경계를 이루는 개구를 더 포함하고, 상기 개구는 상기 테이퍼 형상 표면에 대향하는 상기 멤브레인 지지 구조의 측면에 위치되는
    마이크로기계 음향 변환기.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9736590B2 (en) 2014-06-06 2017-08-15 Infineon Technologies Ag System and method for a microphone
US10322481B2 (en) 2014-03-06 2019-06-18 Infineon Technologies Ag Support structure and method of forming a support structure

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8503699B2 (en) 2011-06-01 2013-08-06 Infineon Technologies Ag Plate, transducer and methods for making and operating a transducer
GB2506173B8 (en) * 2012-09-24 2015-10-28 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd MEMS device and process
DE102012109587A1 (de) * 2012-10-09 2014-04-10 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Differenzdrucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung
US9487386B2 (en) 2013-01-16 2016-11-08 Infineon Technologies Ag Comb MEMS device and method of making a comb MEMS device
US9499392B2 (en) 2013-02-05 2016-11-22 Butterfly Network, Inc. CMOS ultrasonic transducers and related apparatus and methods
JP6127595B2 (ja) * 2013-03-11 2017-05-17 オムロン株式会社 音響トランスデューサ
KR102170559B1 (ko) 2013-03-15 2020-10-27 버터플라이 네트워크, 인크. 상보성 금속 산화물 반도체(cmos) 초음파 트랜스듀서
DE102013104567A1 (de) * 2013-05-03 2014-11-06 Infineon Technologies Ag Chipanordnung, Chipkartenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Chipanordnung
JP6209041B2 (ja) * 2013-09-30 2017-10-04 新日本無線株式会社 Ｍｅｍｓ素子およびその製造方法
US9448126B2 (en) * 2014-03-06 2016-09-20 Infineon Technologies Ag Single diaphragm transducer structure
TWI661534B (zh) 2014-04-18 2019-06-01 美商蝴蝶網路公司 在互補式金屬氧化物半導體晶圓中的超音波轉換器及相關設備和方法
US9067779B1 (en) 2014-07-14 2015-06-30 Butterfly Network, Inc. Microfabricated ultrasonic transducers and related apparatus and methods
US9540226B2 (en) 2015-05-20 2017-01-10 Infineon Technologies Ag System and method for a MEMS transducer
KR101657652B1 (ko) 2015-12-01 2016-09-19 주식회사 비에스이센서스 정전용량형 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법
US9987661B2 (en) 2015-12-02 2018-06-05 Butterfly Network, Inc. Biasing of capacitive micromachined ultrasonic transducers (CMUTs) and related apparatus and methods
CN107786929B (zh) * 2016-08-26 2023-12-26 华景科技无锡有限公司 硅麦克风
KR102040378B1 (ko) * 2016-12-20 2019-11-05 주식회사 티씨케이 지그를 이용한 반도체 제조용 부품의 제조방법 및 제조장치
CN110115048B (zh) 2016-12-28 2020-11-24 美商楼氏电子有限公司 微机电系统和微机电系统麦克风封装物
US10196261B2 (en) 2017-03-08 2019-02-05 Butterfly Network, Inc. Microfabricated ultrasonic transducers and related apparatus and methods
CN108632732B (zh) * 2017-03-24 2021-02-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 麦克风及其制造方法
TW201908021A (zh) 2017-06-21 2019-03-01 美商蝴蝶網路公司 具有電性隔離的電極部分的個別單元的微加工超音波換能器
US11825266B2 (en) 2018-03-21 2023-11-21 Knowles Electronics, Llc Dielectric comb for MEMS device
US10939214B2 (en) 2018-10-05 2021-03-02 Knowles Electronics, Llc Acoustic transducers with a low pressure zone and diaphragms having enhanced compliance
DE112019004979T5 (de) 2018-10-05 2021-06-17 Knowles Electronics, Llc Verfahren zur Herstellung von MEMS-Membranen, die Wellungen umfassen
DE112019004970T5 (de) * 2018-10-05 2021-06-24 Knowles Electronics, Llc Mikrofonvorrichtung mit Eindringschutz
US10981780B2 (en) * 2019-08-19 2021-04-20 Infineon Technologies Ag Membrane support for dual backplate transducers
JP2023526431A (ja) * 2020-05-22 2023-06-21 マジック リープ， インコーポレイテッド 走査式ｍｅｍｓ片持ち梁のための方法およびシステム
US11665485B2 (en) * 2020-10-08 2023-05-30 UPBEAT TECHNOLOGY Co., Ltd Micro-electro-mechanical system acoustic sensor, micro-electro-mechanical system package structure and method for manufacturing the same
DE102020213772A1 (de) 2020-11-03 2022-05-05 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Mikromechanisches Bauelement
CN112929804A (zh) * 2021-04-02 2021-06-08 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风芯片
US11528546B2 (en) 2021-04-05 2022-12-13 Knowles Electronics, Llc Sealed vacuum MEMS die
CN112926250B (zh) * 2021-04-07 2023-01-06 苏州大学 一种缝尖端区域最优压电薄膜摆放形状的确定方法及系统
US11540048B2 (en) 2021-04-16 2022-12-27 Knowles Electronics, Llc Reduced noise MEMS device with force feedback
CN113292040B (zh) * 2021-05-31 2023-05-19 成都海威华芯科技有限公司 一种mems滤波器和制备方法
US11649161B2 (en) 2021-07-26 2023-05-16 Knowles Electronics, Llc Diaphragm assembly with non-uniform pillar distribution
US11772961B2 (en) 2021-08-26 2023-10-03 Knowles Electronics, Llc MEMS device with perimeter barometric relief pierce
US11780726B2 (en) 2021-11-03 2023-10-10 Knowles Electronics, Llc Dual-diaphragm assembly having center constraint
DE102022211730A1 (de) 2022-11-07 2024-05-08 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines Magnetsensors

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1066823B (it) * 1975-12-30 1985-03-12 Sits Soc It Telecom Siemens Trasduttore elettroacustico particolarmente del tipo a lamina piezoceramica
JP3111489B2 (ja) * 1991-02-28 2000-11-20 カシオ計算機株式会社 傾斜面を有する絶縁膜の形成方法
EP0970355A1 (en) * 1997-03-24 2000-01-12 Integrated Micromachines, Inc. Batch fabricated semiconductor thin-film pressure sensor and method of making same
US6768403B2 (en) * 2002-03-12 2004-07-27 Hrl Laboratories, Llc Torsion spring for electro-mechanical switches and a cantilever-type RF micro-electromechanical switch incorporating the torsion spring
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
DE10210335A1 (de) 2002-03-08 2003-10-02 Bosch Gmbh Robert Membransensor
KR100599083B1 (ko) * 2003-04-22 2006-07-12 삼성전자주식회사 캔틸레버 형태의 압전 박막 공진 소자 및 그 제조방법
EP2495212A3 (en) 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
DE102005035058B4 (de) 2005-07-27 2016-01-21 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Vorrichtung, mikromechanischer Sensor und Verfahren
US7518493B2 (en) * 2005-12-01 2009-04-14 Lv Sensors, Inc. Integrated tire pressure sensor system
JP4592585B2 (ja) * 2005-12-27 2010-12-01 三洋電機株式会社 音響センサ
JP2007295280A (ja) * 2006-04-25 2007-11-08 Toshiba Corp 電子素子
US7321457B2 (en) * 2006-06-01 2008-01-22 Qualcomm Incorporated Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts
JP4850086B2 (ja) * 2007-02-14 2012-01-11 パナソニック株式会社 Ｍｅｍｓマイクロホン装置
KR101378510B1 (ko) * 2007-11-01 2014-03-28 삼성전자주식회사 Ｆｂａｒ를 이용한 튜너블 공진기
CN101572850A (zh) * 2008-04-11 2009-11-04 王文 在低温下制作的带应力释放膜的电容式麦克风及其制作方法
JP5067584B2 (ja) * 2009-03-02 2012-11-07 オムロン株式会社 半導体センサ及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10322481B2 (en) 2014-03-06 2019-06-18 Infineon Technologies Ag Support structure and method of forming a support structure
US9736590B2 (en) 2014-06-06 2017-08-15 Infineon Technologies Ag System and method for a microphone
US10506345B2 (en) 2014-06-06 2019-12-10 Infineon Technologies Ag System and method for a microphone

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