KR20120094427A - Work dividing device and method for dividing work - Google Patents

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KR20120094427A KR1020120013857A KR20120013857A KR20120094427A KR 20120094427 A KR20120094427 A KR 20120094427A KR 1020120013857 A KR1020120013857 A KR 1020120013857A KR 20120013857 A KR20120013857 A KR 20120013857A KR 20120094427 A KR20120094427 A KR 20120094427A
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가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔
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Abstract

PURPOSE: A work separating device and a work separating method are provided to prevent the deterioration of quality by selectively heating a sag part of a die attach film. CONSTITUTION: A work includes a semiconductor wafer with a preset separation line. A cooling chuck table(10) selectively cools an area of a die attach film including the preset separation line of the work. A lifting ring(12) separates the work from the die attach film by expanding a dicing tape(S). An optical heating device(22) selectively heats an area except the work of the dicing tape.

Description

워크 분할장치 및 워크 분할방법 {WORK DIVIDING DEVICE AND METHOD FOR DIVIDING WORK}Work splitting device and work splitting method {WORK DIVIDING DEVICE AND METHOD FOR DIVIDING WORK}

본 발명은 워크(work) 분할장치 및 워크 분할방법에 관한 것으로서, 특히 다이싱 테이프를 통해서 링상의 프레임에 장착되어 각각의 칩으로 다이싱, 그루빙(grooving) 가공된 반도체 웨이퍼에 대하여 다이싱 가공 후에 다이싱 테이프를 익스팬드(expand)를 해서 각각의 칩으로 분할하는 워크 분할장치 및 워크 분할방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a work dividing apparatus and a work dividing method, and in particular, a dicing process for a semiconductor wafer mounted on a ring-shaped frame through a dicing tape and diced and grooved with each chip. A work dividing apparatus and a work dividing method for dividing a dicing tape after expansion and dividing it into respective chips.

종래, 반도체 칩의 제조에 즈음하여 예를 들면, 미리 레이저 조사 등에 의해 그 내부에 분단 예정 라인이 형성된 반도체 웨이퍼를 DAF(Die Attach Film; 다이어태치필름)이라고 불리는 다이본딩(die bonding) 용의 필름상 접착제가 붙은 다이싱 테이프(점착테이프, 점착시트)을 통해서 프레임에 붙인 워크에 있어서, 다이싱 테이프를 확장(익스팬드)해서 반도체 웨이퍼 및 DAF를 각각의 칩으로 분할하도록 하고 있다.Conventionally, in the manufacture of semiconductor chips, for example, a die bonding film called DAF (Die Attach Film) is formed on a semiconductor wafer having a predetermined line of division formed therein by laser irradiation or the like. In the workpiece | work which affixed to the frame via the dicing tape (adhesive tape, adhesive sheet) with an adhesive agent, the dicing tape is expanded (expanded), and a semiconductor wafer and DAF are divided into each chip.

도 28에 워크를 나타냈다. 도 28 (a)는 사시도, 도 28 (b)는 단면도이다. 도면에 나타낸 바와 같이 반도체 웨이퍼(W)는 편면(片面)에 점착층이 형성된 두께 100μm 정도의 다이싱테이프(S)가 이면에 DAF(D)을 통해서 붙여져 있다. 그리고 다이싱 테이프(S)는 강성이 있는 링상의 프레임(F)에 장착되어 워크 분할장치에 있어서, 반도체 웨이퍼(W)가 척스테이지에 재치(載置)되어 다이싱테이프(S)가 익스팬드되어 되어 각 칩(T)으로 개편화(個片化) 된다.The workpiece | work was shown in FIG. (A) is a perspective view, and FIG. 28 (b) is sectional drawing. As shown in the figure, a dicing tape S having a thickness of about 100 μm in which a pressure-sensitive adhesive layer is formed on one side thereof is pasted through the DAF (D). Then, the dicing tape S is mounted on the rigid ring-shaped frame F. In the work dividing apparatus, the semiconductor wafer W is placed on the chuck stage so that the dicing tape S is expanded. And each chip T is separated into pieces.

여기서, DAF는 실온부근에서는 점성이 높고, 상술한 바와 같이 DAF가 붙은 테이프를 확장해서 반도체 웨이퍼를 칩에 개편화(個片化) 하기 위해서는 DAF를 냉각해서 취성화시킨 상태로 테이프를 확장할 필요가 있다. 대표적인 냉각 방법으로서는 저온 척테이블 방식이나 분위기 냉각 방식이 알려져 있다.Here, the DAF has a high viscosity near room temperature, and as described above, in order to expand the tape with DAF and to separate the semiconductor wafer into chips, it is necessary to expand the tape while the DAF is cooled and embrittled. There is. As a typical cooling method, a low temperature chuck table system and an atmosphere cooling system are known.

또한 한쪽에서 테이프를 확장해서 칩에 개편화(個片化) 한 후의 공정에서의 처리 때문에 확장 후 늘어진 테이프를 다시 긴장시킬 필요가 있다. 대표적인 긴장 방법으로서는 프레임에 테이프 확장용 링을 체결하는 방식이나 테이프를 온풍 히터 등으로 가열하는 방식이 있다. 이중 온풍히터를 채용하는 방법은 운전 자금이 저렴한 반면, 온풍은 확산해 버린다고 하는 특성상 테이프를 냉각ㆍ확장하는 유닛에 탑재하고, 냉각ㆍ확장과 가열ㆍ긴장을 하나의 유닛에서 하는 것은 곤란했다.In addition, it is necessary to retension the sagging tape after expansion because of the processing in the process after the tape is expanded on one side and separated into chips. Representative tension methods include a method of fastening a tape extension ring to a frame or a method of heating a tape with a warm air heater or the like. The method of adopting the double hot air heater is inexpensive to operate, while the warm air is spreading, and it is difficult to mount the tape in a unit for cooling and expanding, and to perform cooling, expansion, heating, and tension in one unit.

예를 들면, 워크 분할장치로서 다이싱 테이프를 통해서 미리 분할 예정 라인이 형성된 워크를 지지한 상태의 프레임인 워크 부착 프레임의 프레임을 보유하고, 프레임과 워크를 워크의 면에 직교하는 방향으로 배반시켜서 다이싱 테이프를 확장시킴으로써 워크를 분할 예정 라인에 따라 분할하는 분할수단과, 확장에 의해 생긴 다이싱 테이프의 이완을 가열해서 제거하는 가열수단과, 워크 부착 프레임을 회전시키면서 워크에 세정액을 공급함으로써 워크를 세정하는 세정수단과, 워크의 다이싱 테이프에 자외선을 조사하는 수단을 갖춘 워크 분할장치가 제안되어 있다(예컨대 특허문헌 1 등 참조).For example, as a work dividing apparatus, a frame of a work attachment frame, which is a frame in a state of supporting a work on which a preliminary scheduled line is formed through a dicing tape, is held, and the frame and the work are betrayed in a direction orthogonal to the surface of the work. Dividing means for dividing the work along the scheduled dividing line by expanding the dicing tape, heating means for heating and removing the loosening of the dicing tape caused by the expansion, and supplying the cleaning liquid to the work while rotating the work attachment frame. There is proposed a work splitting device comprising a cleaning means for cleaning the substrate and a means for irradiating ultraviolet rays to the dicing tape of the work (see Patent Document 1 and the like, for example).

특허문헌 1 : 특허공개 2010-206136호 공보Patent Document 1: Patent Publication No. 2010-206136

그렇지만, 상기 특허문헌 1에 기재된 것에서는 냉각ㆍ확장 유닛과, 열수축 유닛이 다른 유닛으로 되어 있기 때문에, 이들 유닛간에 있어서 테이프가 처진 상태로 워크가 반송되고 있다. 이와 같이 테이프가 처진 상태에서의 반송은 테이프 형상이 크게 아래로 드리워져서 불안정하기 때문에 테이프 상에서 개편화(個片化)된 칩의 윗면끼리가 서로 접촉하거나, 과도한 외곡 응력을 받는 일이 있다. 그 때문에 칩의 파손, 품질 저하나 제품 비율의 저하를 초대한다고 하는 문제가 있었다.However, in the patent document 1, since the cooling / expansion unit and the heat shrink unit are different units, the workpiece is conveyed with the tape sagging between these units. As described above, the conveyance in the state where the tape sags is unstable because the tape shape is drastically lowered, so that the upper surfaces of the chips separated on the tape may come into contact with each other, or may be subjected to excessive bending stress. Therefore, there existed a problem of inviting chip | tip damage, a quality fall, or a fall of a product ratio.

또한, 늘어난 테이프를 긴장시킬 때에 분위기를 전면 히터 등으로 과열했을 경우, 앞의 냉각해서 취화(脆化)한 테이프도 데워져 버리므로 과도한 점성을 가지게 된다. 즉, 그 후, 칩을 다이싱 테이프로부터 박리할 때에 과도한 점착력을 갖는 DAF의 영향으로 칩을 다이싱 테이프로부터 예쁘게 벗길 수 없게 된다. 경우에 따라서는, DAF끼리가 달라 붙기 때문에 칩간의 분단성(分斷性)이 나빠질 경우도 있다.In addition, if the atmosphere is overheated when the stretched tape is tense, the previously cooled and brittle tape also warms up, resulting in excessive viscosity. That is, after that, when the chip is peeled off from the dicing tape, the chip cannot be peeled off from the dicing tape cleanly under the influence of DAF having excessive adhesive force. In some cases, the DAFs stick together, resulting in poor chipping.

본 발명은 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 워크의 냉각ㆍ확장 및 열수축 등에 의한 확장 상태의 보유를 동일한 유닛에서 실시함으로써 유닛간에서의 워크 반송을 없애고, 다이싱 테이프의 늘어남에 의한 칩 상호의 접촉에 의한 품질 저하 등을 막고, 또 DAF를 따뜻하게 할 수 있음으로써 다이싱 테이프에 과도하게 점착하는 것을 막도록 한 워크 분할장치 및 워크 분할방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 　SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and by carrying out the maintenance of the expanded state due to cooling, expansion, and heat shrinkage of the work in the same unit, work conveying between units is eliminated, and chip contact is caused by the increase of dicing tape. It is an object of the present invention to provide a work dividing apparatus and a work dividing method which can prevent deterioration due to quality and the like and also make the DAF warm, thereby preventing excessive adhesion to the dicing tape.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 워크 분할장치는, 다이싱 테이프에 다이싱 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 워크를 미리 형성된 분단 예정 라인에 따라 각각의 칩으로 분할하는 워크 분할장치에 있어서, 분단 예정 라인을 갖는 반도체 웨이퍼로 이루어지는 워크와, 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)에 첨부된 상기 워크의 분단 예정 라인을 포함하는 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)의 영역을 선택적으로 냉각하는 선택적 냉각수단과, 상기 냉각 후, 상기다이싱 테이프를 익스팬드해서 상기 워크 및 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 분할하는 워크 분할수단과, 상기 다이싱 테이프의 상기 워크가 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 영역 이외의 부분을 선택적으로 가열하여 상기 다이싱 테이프의 상기 익스팬드에 의한 늘어남을 배제하는 선택적 가열수단을 구비한다.In order to achieve the above object, the work splitting apparatus of the present invention comprises: a work splitting dividing a work attached to a dicing tape through a dicing die attach film into respective chips according to a pre-formed dividing line. An apparatus, comprising: a region of a die attach film including a workpiece formed of a semiconductor wafer having a segment scheduled line and a segment scheduled line of the workpiece attached to the die attach film. Selective cooling means for selectively cooling the workpiece, work dividing means for expanding the dicing tape and dividing the work and the die attach film after the cooling, and the work of the dicing tape The die attach film may be selectively heated to a portion other than the region attached to the die attach film to extract the dicing tape. An optional heating means is provided to avoid stretching by the pand.

본 발명에 의하면, 워크가 첨부된 다이 어태치 필름(Die Attach Film)의 영역을 선택적으로 냉각하는 선택적 냉각수단과, 다이싱 테이프의 워크가 첨부된 영역 이외의 부분을 선택적으로 가열하는 선택적 가열수단을 갖추었기 때문에 워크의 냉각ㆍ확장과 익스팬드 상태의 보유를 동일한 유닛에서 실시할 수 있고, 유닛 간에서의 워크 반송을 없애고, 다이싱 테이프의 늘어짐에 의한 칩의 품질 저하 등을 막을 수 있다.According to the present invention, there is provided a selective cooling means for selectively cooling an area of a die attach film to which a workpiece is attached, and a selective heating means for selectively heating a portion other than the area to which the workpiece of the dicing tape is attached. With this arrangement, cooling and expansion of the work and retention of the expanded state can be performed in the same unit, eliminating work transfer between the units, and preventing chip quality degradation due to sagging of the dicing tape.

또한, 하나의 실시 태양으로서, 상기 선택적 냉각수단은 상기 워크가 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 상기 다이싱 테이프에 접촉해서 열전달에 의해 냉각하는 냉각수단인 것이 바람직하다.In one embodiment, the selective cooling means is preferably cooling means in which the work is in contact with the dicing tape attached through the die attach film and cooled by heat transfer.

이것에 의하면, 워크가 첨부된 다이 어태치 필름(Die Attach Film)의 영역만을 선택적으로 냉각할 수 있다.According to this, only the area | region of the die attach film with a workpiece | work can be selectively cooled.

또, 하나의 실시 태양으로서, 상기 선택적 냉각 수단은 냉동 척테이블인 것이 바람직하다.In one embodiment, the selective cooling means is preferably a refrigeration chuck table.

이것에 의하면, 워크가 첨부된 다이 어태치 필름(Die Attach Film)의 영역만을 선택적으로 냉각할 수 있다.According to this, only the area | region of the die attach film with a workpiece | work can be selectively cooled.

또한, 하나의 실시 태양으로서, 상기 워크 분할수단은 상기 냉각된 워크의 외주부를 상기 다이싱 테이프의 외주 지지부에서 상대적으로 밀어 올려서 익스팬드하는 쳐 올리기용 링인 것이 바람직하다.Moreover, as one aspect, it is preferable that the said workpiece | work division means is a raising ring which expands and expands the outer peripheral part of the cooled workpiece relatively from the outer peripheral support part of the dicing tape.

이것에 의하면 간단한 기구로 워크를 한번에 분할할 수 있다.According to this, the workpiece can be divided at a time by a simple mechanism.

또, 하나의 실시 태양으로서 더구나 상기 익스팬드된 워크의 영역을 덮도록 밑바닥의 원통 형상을 갖는 승강 가능하게 배치되어 하강했을 때에 상기 워크를 덮는 웨이퍼 커버를 갖추고, 상기 선택적 가열수단은 그 웨이퍼 커버의 주위에 승강 가능하게 배치된 것이 바람직하다.In addition, as an embodiment, a wafer cover is disposed to be capable of lifting and lowering to have a bottomed cylindrical shape so as to cover an area of the expanded work, and covering the work when lowered. It is preferable to arrange | position so that lifting is possible around.

이것에 의하면 쳐 올리기용 링을 강하시켜도 칩 간격을 유지하고, 웨이퍼 커버에 의해 반도체 웨이퍼의 영역을 선택적 가열수단의 열로부터 차폐할 수 있어 다이 어태치 필름(Die Attach Film)이 녹는 것을 막고, 칩 간의 틈이 없어지는 것을 방지할 수 있다.According to this, the chip spacing is maintained even when the lifting ring is lowered, and the wafer cover can shield the area of the semiconductor wafer from the heat of the selective heating means, preventing the die attach film from melting and the chip. The gap between the liver can be prevented.

또한, 하나의 실시 태양으로서 상기 워크 분할수단은 상기 냉각된 워크의 외주부를 상기 다이싱테이프의 외주 지지부에서 상대적으로 밀어 올려서 익스팬드 하는 쳐 올리기용 링이며, 상기 웨이퍼 커버가 하강해서 상기 워크를 덮을 때에는 그 웨이퍼 커버의 측부의 선단면이 상기 익스팬드 하고 있는 쳐 올리기용 링의 선단면과 맞댈 수 있어 상기 워크를 상기 웨이퍼 커버 내부에 밀폐하는 것이 바람직하다.In one embodiment, the work dividing means is a lifting ring for expanding and expanding the outer peripheral portion of the cooled workpiece from the outer peripheral support portion of the dicing tape, and the wafer cover is lowered to cover the workpiece. In this case, it is preferable that the front end face of the side portion of the wafer cover can be in contact with the front end face of the expanding ring for expanding, and the work is sealed in the wafer cover.

그에 따라 반도체 웨이퍼의 영역을 완전히 열적으로 차폐할 수 있다.As a result, the area of the semiconductor wafer can be completely thermally shielded.

상기 선택적 가열수단은 상기 워크를 덮고 있는 웨이퍼 커버의 주위를 일정한 주기로 회전 가능하게 배치되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the said selective heating means is arrange | positioned rotatably around a wafer cover which covers the said workpiece at a fixed period.

그에 따라 다이싱테이프를 균등하게 가열할 수 있어 다이싱테이프의 긴장 상태에 치우침이 생기는 것을 막을 수 있다.As a result, the dicing tape can be heated evenly to prevent the biasing of the dicing tape from tensioning.

또, 하나의 실시 태양으로서 상기 선택적 가열수단은 빛의 복사에 의해 상기다이싱테이프의 상기 워크가 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 영역 이외의 부분을 선택적으로 가열하는 광가열 수단인 것이 바람직하다.In one embodiment, the selective heating means includes optical heating for selectively heating a portion of the dicing tape other than the region to which the workpiece of the dicing tape is attached through the die attach film by light radiation. It is preferable that it is a means.

그에 따라 다이싱테이프의 익스팬드에 의해 늘어난 부분을 선택적으로 가열할 수 있다.Thereby, the part extended by the expansion of a dicing tape can be selectively heated.

또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 워크 분할방법은 다이싱테이프에 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 워크를 미리 형성된 분단 예정 라인에 따라 각각의 칩으로 분할하는 워크 분할방법에 있어서, 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)에 첨부된 상기 워크의 분할 예정 라인을 포함하는 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)의 영역을 선택적으로 냉각하는 선택적 냉각 공정과, 상기 냉각 후 상기 다이싱테이프를 익스팬드해서 상기 워크 및 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 분할하는 워크 분할공정과, 상기 다이싱테이프의 상기 워크가 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 영역 이외의 부분을 선택적으로 가열하고, 상기 다이싱테이프의 상기 익스팬드에 의한 늘어남을 배제하는 선택적 가열공정을 구비한다.In addition, in order to achieve the above object, the workpiece dividing method of the present invention divides the workpiece attached to the dicing tape through a die attach film (Die Attach Film) to each of the chips according to the pre-formed division scheduled line formed A selective cooling process of selectively cooling an area of the die attach film including a scheduled line of division of the workpiece attached to the die attach film, and after the cooling. The work dividing step of expanding the dicing tape to divide the work and the die attach film, and attaching the work of the dicing tape through the die attach film. And a selective heating step for selectively heating a portion other than the above-described region, and excluding stretching by the expand of the dicing tape.

본 발명에 의하면, 워크가 첨부된 다이 어태치 필름(Die Attach Film)의 영역을 선택적으로 냉각하고, 워크가 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 영역 이외의 부분에 발생하는 늘어남을 선택적으로 가열할 수 있고, 워크의 냉각ㆍ확장 및 열수축을 동일한 유닛에서 실시함으로써 유닛 간에서의 워크 반송을 없애고, 다이싱테이프의 늘어남에 의한 칩의 품질 저하 등을 막을 수 있다.According to the present invention, the area of the die attach film to which the work is attached is selectively cooled, and the increase in the work occurring in portions other than the area to which the work is attached through the die attach film is prevented. By selectively heating, by cooling and expanding the work, and by performing heat shrink in the same unit, work conveying between the units can be eliminated and chip quality can be prevented due to the increase of the dicing tape.

또, 하나의 실시 태양으로서 상기 선택적 냉각공정은 상기 워크가 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 상기 다이싱테이프에 냉각 수단이 접촉해서 열전달에 의해 냉각하는 것이 바람직하다.In one embodiment, in the selective cooling step, it is preferable that cooling means is brought into contact with the dicing tape to which the workpiece is attached through the die attach film and cooled by heat transfer.

그에 따라 워크가 첨부된 다이 어태치 필름(Die Attach Film)의 영역만을 선택적으로 냉각할 수 있다.Accordingly, only the region of the die attach film to which the work is attached can be selectively cooled.

또한, 하나의 실시 태양으로서 상기 워크 분할공정은 상기 냉각된 워크의 외주부를 쳐 올리기용 링으로 상기 다이싱테이프의 외주 지지부에서 상대적으로 밀어 올려서 익스팬드하는 것이 바람직하다.In one embodiment, it is preferable that the work dividing step expands by relatively pushing up the outer peripheral portion of the dicing tape with a ring for lifting the outer peripheral portion of the cooled workpiece.

그에 따라 간단한 기구로 워크를 한번에 분할할 수 있다.Therefore, the workpiece can be divided at a time by a simple mechanism.

또한, 하나의 실시 태양으로서 더구나 상기 익스팬드된 워크의 영역을 덮도록 밑바닥의 원통 형상을 이루어 승강 가능하게 배치된 웨이퍼 커버를 갖추고, 그 웨이퍼 커버가 하강했을 때에 상기 원통 형상의 선단면이 상기 익스팬드하고 있는 쳐 올리기용 링의 선단면과 맞댈 수 있어 상기 워크를 그 웨이퍼 커버 내부에 밀폐하는 워크 피복공정을 구비하고, 상기 선택적 가열 공정은 상기 워크를 덮고 있는 상기 웨이퍼 커버의 주위를 선택적으로 가열하는 것이 바람직하다.In addition, as an embodiment, a wafer cover having a bottomed cylindrical shape so as to cover the area of the expanded work is arranged to be liftable, and when the wafer cover is lowered, the cylindrical front end surface is extended. And a work coating step of sealing the work inside the wafer cover, which can be in contact with the tip surface of the panning ring, wherein the selective heating step selectively heats the periphery of the wafer cover covering the work. It is desirable to.

그에 따라 워크가 첨부된 다이 어태치 필름(Die Attach Film)의 영역을 선택적으로 냉각하고, 익스팬드된 워크를 웨이퍼 커버로 덮음으로써 열적으로 차폐한 상에서 다이싱테이프의 늘어남 부분을 선택적으로 가열함으로써 워크의 냉각ㆍ확장 및 열수축을 동일한 유닛에서 실시할 수 있고, 유닛 간에서의 워크 반송을 없애 다이싱테이프의 늘어남에 의한 칩의 품질 저하 등을 막을 수 있다.Thereby selectively cooling the region of the die attach film to which the workpiece is attached and selectively heating the stretched portion of the dicing tape on the thermally shielded phase by covering the expanded workpiece with a wafer cover. Cooling, expansion and thermal contraction can be performed in the same unit, and work conveying between units can be eliminated to prevent chip quality deterioration due to an increase in dicing tape.

또, 하나의 실시 태양으로서 상기 선택적 가열공정은 빛의 복사에 의해 상기다이싱테이프의 상기 워크가 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 영역 이외의 부분을 선택적으로 가열하는 것이 바람직하다.In one embodiment, the selective heating step preferably involves selectively heating a portion of the dicing tape other than the region to which the workpiece of the dicing tape is attached through the die attach film. Do.

그에 따라 다이싱테이프의 익스팬드에 의해 늘어진 부분을 선택적으로 가열할 수 있다.Thereby, the drooping part of the dicing tape can be selectively heated.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 고정된 워크의 다이 어태치 필름(Die Attach Film)의 영역을 선택적으로 냉각하고, 다이싱테이프의 익스팬드 상태가 보유되지 않고 있는 부분에 발생하는 늘어짐 부분을 선택적으로 가열함으로써 익스팬드가 해제되어도 다이싱테이프의 익스팬드 상태를 보유할 수 있고, 워크의 냉각ㆍ확장 및 열수축 등에 의한 확장 상태의 보유를 동일한 유닛에서 실시할 수 있어 유닛 간에서의 워크 반송을 없애고, 다이싱테이프의 늘어짐에 의한 칩의 품질 저하 등을 막을 수 있다.As described above, according to the present invention, the region of the die attach film of the fixed work is selectively cooled, and the droop portion generated in the portion where the expanded state of the dicing tape is not retained is selectively selected. Heating can be used to retain the expanded state of the dicing tape even when the expansion is released, and to maintain the expanded state by cooling, expanding, or shrinking the work in the same unit, eliminating work transfer between units. It is possible to prevent deterioration of the chip quality due to sagging of the dicing tape.

도 1은 본 발명에 관한 워크 분할장치의 제 1의 실시 형태를 나타낸 요부 단면도,
도 2는 본 발명의 제 1의 실시 형태에 관한 워크 분할장치의 동작을 나타낸플로우 챠트(flow chart),
도 3은 제 1의 실시 형태의 워크 분할장치가 익스팬드를 하고 있는 상태를 나타낸 단면도,
도 4는 서브 링을 다이싱테이프에 삽입한 상태를 내타낸 단면도,
도 5는 서브 링에 의해 다이싱테이프의 확장 상태를 보유하고 있는 상태를 나타낸 단면도,
도 6은 본 발명에 관한 워크 분할장치의 제 2의 실시 형태를 나타낸 요부 단면도,
도 7은 워크상에 붙여진 사모 라벨의 확대도,
도 8은 동(同) 프로세스 후의 사모 라벨의 확대도,
도 9는 본 발명의 제 2의 실시 형태에 관한 워크 분할장치의 동작을 나타내는 플로우 챠트(flow chart),
도 10은 제 2의 실시 형태의 워크 분할장치가 익스팬드를 하고 있는 상태를 나타낸 단면도,
도 11은 웨이퍼 커버를 하강시킨 상태를 나타낸 단면도,
도 12는 웨이퍼 커버와 쳐 올리기용 링으로 다이싱테이프를 눌러 유지한 채 강하한 상태를 나타낸 단면도,
도 13은 다이싱테이프가 늘어난 부분을 빛 가열 장치로 가열하고 있는 상태를 나타낸 단면도,
도 14는 빛 가열 장치와 다이싱테이프와의 위치 관계의 일예를 제시하는 평면도,
도 15는 빛 가열 장치를 회전 주사하는 모양을 나타낸 평면도,
도 16은 8개의 빛 가열 장치를 구비한 예를 제시하는 평면도,
도 17은 도 16의 8개의 선택적 가열장치를 회전 주사하는 모양을 나타낸 평면도,
도 18은 빛 가열 장치로 가열한 다이싱테이프의 측정 위치를 나타낸 설명도,
도 19는 도 18의 각 측정 위치에 있어서의 측정 방향을 나타낸 설명도,
도 20은 측정 결과를 나타낸 설명도,
도 21은 비교 예의 측정 결과를 나타낸 설명도,
도 22는 다이싱테이프 외주부를 가열한 모양을 나타낸 서모 트레이서 화면,
도 23은 동일하게 다이싱테이프 외주부를 가열한 모양을 나타낸 서모 트레이서 화면,
도 24는 다이싱테이프를 가열 경화한 후의 상태를 나타낸 단면도,
도 25는 칩 간격이 유지된 가열처리 후의 워크를 나타낸 평면도,
도 26은 본 발명을 적용하지 않을 경우에 칩 간격이 유지되지 않는 상태를 나타낸 단면도,
도 27은 제 2의 실시 형태의 변형예로서의 워크 분할장치의 동작을 나타낸 플로우 챠트(flow chart),
도 28a는 워크를 나타낸 사시도,
도 28b는 워크를 나타낸 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The principal part sectional drawing which shows 1st Embodiment of the workpiece | work divider which concerns on this invention,
2 is a flow chart showing the operation of the work splitting apparatus according to the first embodiment of the present invention;
3 is a cross-sectional view illustrating a state in which the work splitter of the first embodiment is expanding;
4 is a cross-sectional view showing a state in which a sub-ring is inserted into a dicing tape;
5 is a cross-sectional view showing a state in which an extended state of a dicing tape is held by a sub ring;
6 is a sectional view showing the principal parts of a second embodiment of a work splitter according to the present invention;
7 is an enlarged view of a private label pasted on a work;
8 is an enlarged view of a private label after the same process;
9 is a flow chart showing the operation of the work splitting apparatus according to the second embodiment of the present invention;
10 is a cross-sectional view illustrating a state in which the work splitter of the second embodiment is expanding;
11 is a cross-sectional view showing a state in which the wafer cover is lowered;
12 is a cross-sectional view showing a state where the dicing tape is pressed and held down by the wafer cover and the lifting ring;
13 is a cross-sectional view showing a state in which a portion of the dicing tape has been extended with a light heating device;
14 is a plan view showing an example of a positional relationship between a light heating device and a dicing tape;
15 is a plan view showing the shape of rotating scanning the light heating device,
16 is a plan view showing an example with eight light heating devices,
FIG. 17 is a plan view showing the rotational scanning of the eight optional heating devices of FIG.
18 is an explanatory diagram showing a measurement position of a dicing tape heated with a light heating device;
19 is an explanatory diagram showing a measurement direction at each measurement position in FIG. 18;
20 is an explanatory diagram showing a measurement result;
21 is an explanatory diagram showing a measurement result of a comparative example;
22 is a thermo tracer screen showing a state in which the outer peripheral portion of the dicing tape is heated,
FIG. 23 is a thermotracer screen showing a state in which the outer peripheral portion of the dicing tape is similarly heated;
24 is a cross-sectional view showing a state after heat-curing a dicing tape;
25 is a plan view showing a work after heat treatment in which the chip spacing is maintained;
26 is a cross-sectional view illustrating a state in which a chip gap is not maintained when the present invention is not applied;
27 is a flow chart showing the operation of the work splitting apparatus as a modification of the second embodiment;
28A is a perspective view of a work piece;
28B is a sectional view of the work.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 관한 워크 분할장치 및 워크 분할방법에 대해서 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, with reference to an accompanying drawing, the workpiece | work division apparatus and workpiece | work division method which concern on this invention are demonstrated in detail.

도 1은 본 발명에 관한 워크 분할장치의 제 1의 실시 형태를 나타낸 요부 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing of the principal part which shows 1st Embodiment of the workpiece | work divider which concerns on this invention.

도 1에 나타낸 바와 같이 워크 분할장치(1)는 냉동 척테이블(10), 쳐 올리기용 링(12)을 구비하고 있다. 냉동 척테이블(10) 상에 도 28에 나타낸 것 같은 반도체 웨이퍼(W)가 다이싱테이프(S)를 통해서 프레임(F)에 장착된 워크(2)가 설치된다. 한편, 반도체 웨이퍼(W)의 이면에는 DAF(Die Attach Film(다이 어태치 필름(D); 이하, DAF(D)이라고 표시한다.)를 통해서 다이싱테이프(S)가 첨부된 상태로 되어 있다. 여기서 예를 들면, 반도체 웨이퍼(W)는 두께 50μm정도, DAF(D) 및 다이싱테이프(S)는 각각 두께 수μm으로부터 100μm 정도인 것으로 한다.As shown in FIG. 1, the work splitting apparatus 1 includes a freezing chuck table 10 and a lifting ring 12. On the freezing chuck table 10, a work 2 having a semiconductor wafer W as shown in FIG. 28 mounted on the frame F through a dicing tape S is provided. On the other hand, the dicing tape S is attached to the back surface of the semiconductor wafer W via DAF (Die Attach Film D; hereafter referred to as DAF (D)). Here, for example, it is assumed that the semiconductor wafer W is about 50 µm thick, and the DAF (D) and dicing tape S are about several µm to about 100 µm, respectively.

한편, 본 실시 형태에 있어서는 이하와 같은 테이프를 이용해서 가열 수축 실험을 했다. 즉, 사용한 다이싱테이프는, PO(폴리올레핀)계 테이프로서는 후루가와전공(古河電工)제의 UC-353EP-110이나 인(燐) 테크제의 D-675,또 PVC(포리염화 비닐)계 테이프로서는 니토전공(日東電工)제의 UE-110B나 인(燐) 테크제의 D-175,또 UV형 DAF테이프(근본재료는 PO계)로서 히타치 화확공업(日立化成工業)제의 FH시리즈(예를 들면, FH-9011) 등을 들 수 있다.In addition, in this embodiment, the heat shrink experiment was performed using the following tapes. That is, the used dicing tape is a polyolefin (PO) -based tape, such as UC-353EP-110 manufactured by Furugawa Electric Industries Co., Ltd., D-675 manufactured by Phostech, and PVC (polyvinyl chloride) -based. As tape, UE-110B manufactured by Nito Electric Co., Ltd., D-175 manufactured by Intech, and FH series manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. as UV type DAF tape (base material is PO). (For example, FH-9011) etc. are mentioned.

또한, 감압형 DAF테이프(기재는 PO계)로서는 히타치 화확공업(日立化成工業)제의 HR시리즈(예를 들면 HR-9004)을 들 수 있다. 이것들 어느 쪽의 테이프라도 열수축할 수 있는 것이 확인되었지만, 실험 결과에 관한 상세한 것은 후술한다.In addition, as a pressure-sensitive DAF tape (base material is PO type), HR series (for example, HR-9004) made by Hitachi Chemical Industries, Inc. may be mentioned. Although it was confirmed that any of these tapes can be thermally contracted, the details of the experimental results will be described later.

또, 이 테이프의 열전도율은 대표 예로서 폴리에틸렌을 들 수 있는 PO계의 테이프에서는 0.3 ? 0.5W/mㆍK이며, PVC계의 테이프에서는 0.1 ? 0.3W/mㆍK다. 또한, Si는 도프(dope)량과 결정 방향에 의해 다르지만, 그 열전도율은 130 ?170W/mㆍK다. 또, 건조 공기의 열전도율은, 0.02 ? 0.03W/mㆍK다.In addition, the thermal conductivity of this tape is 0.3? 0.5 W / mK; 0.1 to 0.5 0.3 W / m · K. In addition, although Si differs according to the dope amount and a crystal direction, the thermal conductivity is 130-170 W / m * K. Moreover, the thermal conductivity of dry air is 0.02? It is 0.03 W / m * K.

한편, 열의 전해지기 쉬움의 이미지로서는 공기를 1이라 하면, 테이프는 10, 실리콘은 10000이다.On the other hand, as the image of heat transferability, if air is 1, the tape is 10 and the silicon is 10000.

예를 들면, 0.1mm 두께의 PO계 테이프(열전도율을 0.4W/mㆍK라 가정한다)상에 0.02mm 두께의 DAF(열전도율을 1W/mㆍK라 가정한다)와, 0.1mm 두께의 실리콘(열전도율을 160W/mㆍK라 가정한다)을 붙였을 경우, PO계 테이프의 열 저항치는 0.0001m/0.4W/mㆍK = 0.00025m2ㆍK/W이며, DAF의 열 저항치는 0.00002m/1W/mㆍK = 0.00002m2ㆍK/W로 된다. 또, 실리콘의 열 저항치는 0.0001m/160W/mㆍK = 0.000000625m2ㆍK/W이다.For example, on a 0.1 mm thick PO-based tape (assuming thermal conductivity of 0.4 W / m · K), a DAF of 0.02 mm thickness (assuming thermal conductivity of 1 W / m · K) and 0.1 mm thick silicon (Assuming a thermal conductivity of 160 W / m · K), the thermal resistance of the PO-based tape is 0.0001 m / 0.4 W / m · K = 0.00025 m 2 K / W, and the DAF thermal resistance is 0.00002 m / 1 W. / m * K = 0.00002m2 * K / W. The heat resistance of silicon is 0.0001 m / 160 W / m · K = 0.000000625 m 2 K / W.

지금 이들이 직렬로 접속되어 있으므로 테이프 이면에서 실리콘 표면까지의 열 저항치는, 상기의 합으로되어 0.000270625m2ㆍK/W로 된다.Since these are connected in series now, the thermal resistance value from the back surface of the tape to the silicon surface is the sum of the above values, and becomes 0.000270625m2 · K / W.

그건 그렇고, 냉동 척테이블로부터 1mm 외측의 부분까지의 다이싱테이프 + DAF의 열 저항치(R)는 다음과 같이 요구된다. 즉, PO계 테이프의 열 저항치는 0.001m/0.4W/mㆍK = 0.0025m2ㆍK/W이며, DAF의 열 저항치는 0.001m/1W/mㆍK = 0.001m2ㆍK/W이며, 이들이 병렬로 접속되어 있으므로 저항의 병렬 접속에 관한 다음 식으로부터 구해진다.By the way, the thermal resistance value R of the dicing tape + DAF from the freezing chuck table to the part 1mm outside is required as follows. That is, the thermal resistance of the PO-based tape is 0.001 m / 0.4 W / m · K = 0.0025 m 2 · K / W, and the thermal resistance of DAF is 0.001 m / 1 W / m · K = 0.001 m 2 K / W. Since it is connected in parallel, it is calculated | required from the following formula regarding parallel connection of a resistor.

1/R = 1/0.0025 + 1/0.001 = 400 + 1000 = 1400 그에 따라R = 1/1400 = 0.00071m2ㆍK/W로 된다.1 / R = 1 / 0.0025 + 1 / 0.001 = 400 + 1000 = 1400 Therefore, R = 1/1400 = 0.00071 m2 · K / W.

따라서, 다이싱테이프 이면에서 실리콘 표면까지의 열 저항치에 대하여 냉동 척테이블로부터 1mm 외측의 다이싱테이프의 부분까지의 열 저항치는 0.00071 ÷ 0.000270625 = 2.62355… 보다, 약 2.6배로 된다.Accordingly, the thermal resistance value from the freezing chuck table to the portion of the dicing tape 1 mm outside from the freezing chuck table with respect to the thermal resistance value from the backside of the dicing tape to the silicon surface is 0.00071 ÷ 0.000270625 = 2.62355. It becomes about 2.6 times more.

따라서, 실리콘 표면에 비해서 냉동 척테이블의 외주부의 다이싱테이프는 냉동 척테이블에 의해 냉각되기 어려운 것이 분명하다. 게다가 외부의 공기의 영향은 전열 방향과 수직 방향에 공기층이 있는 다이싱테이프 쪽이 크다. 이상의 것으로부터 실리콘 표면에 비해서 냉동 척테이블 외주부의 온도 쪽이 저하되기 어려운 것이 분명하다.Therefore, it is clear that the dicing tape on the outer circumference of the freezing chuck table is difficult to be cooled by the freezing chuck table as compared to the silicon surface. In addition, the influence of the outside air is greater on the dicing tape with the air layer in the direction of heat transfer and vertical. From the above, it is clear that the temperature of the outer circumference of the freezing chuck table is less likely to be lowered than that of the silicon surface.

냉동 척테이블(10)은 워크(2)을 진공 흡착에 의해 보유하고, 워크(2)를 냉동 척테이블(10)에 접촉시켜 접촉한 부분을 통해서 열 전달에 의해 DAF(D)을 0℃ 이하, 예를 들면 -5℃ ? -10℃ 정도로 냉각하는 것이다. 한편, 동일물질 내에서 열이 전해지는 것을 열전도라고 말하고, 다른 물질끼리가 접촉해서 열이 전해지는 것을 열전달이라고 부른다.The freezing chuck table 10 holds the work 2 by vacuum adsorption, and the DAF (D) is set to 0 ° C. or lower by heat transfer through the contacted portion by contacting the work 2 with the freezing chuck table 10. For example -5 ℃? Cool down to -10 ℃. On the other hand, heat transfer in the same material is called heat conduction, and heat transfer is called heat transfer by contacting different materials.

냉동하는 방식으로서는 척 내에 냉매를 공급함으로써 냉동하는 방식 등도 있지만, 펠체효과를 이용해서 척 표면을 빙결시키는 방식이라도 좋다. 냉동 척테이블은 다이싱테이프와 DAF를 통하여 웨이퍼 이면을 진공 흡착한다. 그 특징으로서 위에서 말한 것으로부터 분명한 바와 같이 그 흡착 영역은 열전달에 의해 곧바로 냉각될 뿐, 흡착 영역 이외는 그다지 냉각되지 않고 끝나는 것이다. 이것은 단지 대류 등에 의해 분위기를 차게하는 것과는 다르고, 열전달에 의한 냉각은 국소적으로 냉각하고 싶은 부분만 냉각시킬 수 있기 때문이다.As a method of refrigeration, there is also a method of refrigeration by supplying a refrigerant into the chuck, but a method of freezing the surface of the chuck using the Pelce effect may be used. The freezing chuck table vacuum-adsorbs the back surface of the wafer through the dicing tape and the DAF. As is apparent from the above, the adsorption region is cooled immediately by heat transfer and ends without being cooled except the adsorption region. This is different from simply cooling the atmosphere by convection or the like, and cooling by heat transfer can only cool a portion to be cooled locally.

이렇게 냉동 척테이블에 의해 웨이퍼 분할 영역만을 선택적으로 냉각할 수 있는 것을 알지만, 그 이유를 이하 더욱 자세하게 설명한다.Although it is understood that only the wafer partition region can be selectively cooled by the freezing chuck table, the reason thereof will be described in more detail below.

앞서도 말한 바와 같이 DAF 및 점착테이프의 두께는 기껏 100μm 정도다. 따라서 냉동 척테이블 표면에서의 거리는 DAF 및 점착테이프, 웨이퍼까지의 거리는 기껏 커서 0.2mm 이내다. 그것에 대하여 냉동 척테이블의 외주에서 DAF의 외주까지의 직경의 차이는 12mm 이기 때문에 편측(片側) 6mm 정도는 있다.As mentioned above, the thickness of the DAF and the adhesive tape is about 100 μm at most. Therefore, the distance from the surface of the freezing chuck table is DAF, the adhesive tape, and the wafer is at most 0.2 mm. On the other hand, since the difference in diameter from the outer circumference of the freezing chuck table to the outer circumference of the DAF is 12 mm, there is about 6 mm on one side.

여기서 열이 전해지는 현상에 대해서 보면, 열량은 온도 구배와 단면적에 비례해서 전도, 전달된다.Here, as for the phenomenon of heat transfer, the amount of heat is conducted and transmitted in proportion to the temperature gradient and the cross-sectional area.

두께(Δx), 면적(S)으로 둘러싸진 어떤 미소구간(SΔx) 내의 단면을 통과하는 열의 총량(ΔQ)은 열전도율(λ), 접촉면적(S), 온도(u), 온도 구배(Δu/Δx), 미소시간(Δt)로서 다음식으로 나타낼 수 있다.The total amount of heat (ΔQ) passing through the cross section in any microsection (SΔx) surrounded by thickness (Δx), area (S) is determined by thermal conductivity (λ), contact area (S), temperature (u), and temperature gradient (Δu / Δx) and the minute time Δt can be expressed by the following equation.

ΔQ = λS(Δu/Δx)Δt ??????(1)ΔQ = λS (Δu / Δx) Δt ?????? (1)

또한, 이종 재료간을 전달하는 열전달에 있어서는 동종 재료 내를 전달하는 열전도와 기본적으로는 같아서 열전도율의 변함에 열전달 계수가 적용되는 것뿐이다.In addition, in the heat transfer between dissimilar materials, the heat transfer coefficient is basically applied to the change in the thermal conductivity since the heat transfer through the same material is basically the same.

따라서 냉동 척테이블을 예를 들면, -5℃로 냉각한 것으로 한다. 그러면, 웨이퍼 영역내는 DAF 및 점착테이프의 두께(Δx)는 기껏 0.2mm인 것에 대하여 열이 전해지는 단면적(S)은 웨이퍼 영역 전역에 상당한다. 그 때문에 열전달에 의해 이동하는 열량은 대단히 크고, DAF나 점착테이프의 열전달 계수나 열전도율이 다소 낮아도 열전달에 의해 곧 바로 웨이퍼 영역 내의 DAF는 냉각된다.Therefore, it is assumed that the freezing chuck table is cooled to -5 ° C, for example. Then, while the thickness Δx of the DAF and the adhesive tape in the wafer region is at most 0.2 mm, the cross-sectional area S through which heat is transmitted corresponds to the whole wafer region. Therefore, the amount of heat transferred by heat transfer is very large, and even if the heat transfer coefficient and thermal conductivity of the DAF and the adhesive tape are somewhat low, the DAF in the wafer region is immediately cooled by the heat transfer.

한편, DAF의 외경 부분은 앞의 사례에서는 냉동 척의 외경보다 6mm도 떨어져 있다. 즉, 열이 전도하는 거리에 상당하는 Δx는 6mm이 된다. 또, DAF를 붙이고 있는 다이싱 테이프는 폴리에틸렌 등의 수지로 형성되어 있기 때문에 열전도율(λ)도 낮다. 게다가 그 폴리에틸렌의 두께가 100μm으로 대단히 얇기 때문에 즉, 열이 전해지는 단면적(S)도 대단히 작아진다. 그 결과 웨이퍼에의 열전달성과 비교하여 ㄷ다이싱테이프나 DAF를 전해지는 열 전도성은 지극히 낮아진다.On the other hand, the outer diameter portion of the DAF is 6 mm away from the outer diameter of the freezing chuck in the previous case. That is, Δx corresponding to the distance at which heat conducts is 6 mm. Moreover, since the dicing tape with DAF is formed of resin, such as polyethylene, thermal conductivity ((lambda)) is also low. In addition, since the thickness of the polyethylene is very thin at 100 µm, that is, the cross-sectional area S through which heat is transmitted is also very small. As a result, compared with the heat transfer to the wafer, the thermal conductivity for transferring the dicing tape or DAF is extremely low.

그 때문에 냉동 척이 접촉하지 않는 부분, 실질적으로 다이싱테이프의 두께이상으로 거리가 떨어져 있는 DAF외주 부분은 냉동 척으로부터의 열전도에 의해 냉각되는 영향을 받을 일은 없다. 또, 냉동 척으로부터 떨어진 다이싱테이프의 부분은 대부분의 면적이 주변의 분위기에 노출되어 있기 때문에 냉동 척의 온도로는 아니고, 냉동 척 이외의 주위 분위기의 온도에 지배되게 된다. 그 때문에 예를 들면, 주위의 분위기를 실온으로 보유하고 있을 경우는 냉동 척이 접촉하고 있는 영역이 외는 대부분 주위 분위기의 온도로 된다. 다시 말해 냉동 척의 냉동 영역에서 실질상의 온도의 경계영역을 형성하는 것이 가능해진다.Therefore, the portion where the freezing chuck does not come into contact, and the DAF outer peripheral portion that is substantially separated from the thickness of the dicing tape, is not affected by cooling by heat conduction from the freezing chuck. The portion of the dicing tape away from the freezing chuck is controlled by the temperature of the ambient atmosphere other than the freezing chuck because most of its area is exposed to the surrounding atmosphere. Therefore, for example, when the surrounding atmosphere is kept at room temperature, the temperature of the surrounding atmosphere is largely outside the area where the freezing chuck is in contact. In other words, it becomes possible to form the boundary region of the actual temperature in the freezing region of the freezing chuck.

이상과 같은 경계영역을 형성하는 것은 DAF테이프의 두께나 다이싱테이프의 두께를 웨이퍼 영역(엄밀하게는 웨이퍼와 DAF의 쌍방을 분할하는 영역)보다도 외주부에 밀려 나온 DAF까지의 거리보다도 작게(얇게) 하고 있기 때문에다.To form the boundary area as described above, the thickness of the DAF tape or the thickness of the dicing tape is smaller (thinner) than the distance from the wafer area (strictly dividing both the wafer and the DAF) to the DAF pushed out of the outer peripheral part. I'm doing it.

그에 따라 열전달에 의한 냉각 지역을 한정하여 효율적으로 소정 영역(분할하고 싶은 영역)만을 냉각하는 것이 가능해진다. Thereby, it becomes possible to limit only the cooling area | region by heat transfer and to cool only a predetermined | prescribed area | region (region to be divided | segmented) efficiently.

그러한 것으로부터 종래 DAF테이프는 신축성의 재료이기 때문에 웨이퍼 이면에 확실하게 붙이기 위해서는 붙이기 정밀도 상의 마진으로부터 DAF 외경은 웨이퍼 직경보다도 10mm 정도, 적어도 DAF 외경 2mm이상(편측 1mm 이상)은 웨이퍼 직경보다도 크지 않으면 안 되었다.For this reason, conventional DAF tapes are elastic materials, so in order to reliably adhere to the back surface of the wafer, the DAF outer diameter must be about 10 mm larger than the wafer diameter and at least 2 mm or larger DAF outer diameter (1 mm or more on one side) to be larger than the wafer diameter in order to ensure a good adhesion. It became.

그 상태로 DAF전역을 저온으로 하면, 웨이퍼가 존재하지 않는 외주부의 DAF는 저온이 됨으로써 취화(脆化) 하고, 그 결과, DAF 아래에 존재하는 다이싱테이프와의 신축성의 차이로 DAF는 점착테이프로부터 넘길 수 있어 올라가버리고 있었다. 넘길 수 있어 올라간 DAF는 일부가 분리하여 웨이퍼 상에 덮히고, DAF가 이물로서 웨이퍼 상에 부착된다고 하는 문제가 일어나고 있었다.If the whole DAF is made low temperature in that state, DAF of the outer peripheral part where a wafer does not exist becomes low temperature and becomes brittle, and as a result, DAF is adhesive tape by the difference in elasticity with the dicing tape which exists under DAF. We were able to turn over and were going up. Some of the DAFs that could be turned up were separated and covered on the wafer, and a problem occurred that the DAF adhered on the wafer as foreign matters.

그러나, DAF를 붙여진 상태에 있어도 열전달을 고려하고, 충분히 얇은 DAF와 다이싱테이프를 사용하고, 냉동 척을 사용하며, 웨이퍼 영역을 진공으로 척하고, 또한, 척 된 웨이퍼 영역만을 효율적으로, 열전달 현상으로 국소 냉각할 경우, 웨이퍼보다 외주에 밀려나온 DAF가 냉각될 일은 없다. 그 때문에 외주의 DAF가 냉각에 의해 취화(脆化) 하고, 넘길 수 있는 웨이퍼 상에 떨어진다고 하는 문제는 일어나지 않는다.However, even when the DAF is attached, heat transfer is considered, a sufficiently thin DAF and a dicing tape are used, a freezing chuck is used, the wafer area is chucked by vacuum, and only the chucked wafer area is efficiently and efficiently transferred. In the case of local cooling, the DAF pushed outward from the wafer does not cool. Therefore, the problem that the outer DAF is embrittled by cooling and falls on a wafer that can be turned over does not occur.

또한, 한 방향 냉각된 부분에 있어서 DAF의 분단성을 향상하기 위해서 다이싱테이프를 잡아당김으로써 웨이퍼가 할단(割斷) 됨과 동시에 DAF도 예쁘게 분단할 수 있다In addition, in order to improve the dividing property of DAF in the one-way cooled part, the wafer can be cut and the DAF can be cut neatly by pulling the dicing tape.

냉동 척테이블의 크기는 웨이퍼 영역과 거의 동등의 크기이다. 예를 들면, 웨이퍼가 8인치 사이즈(직경 200mm)의 크기인 경우, 냉동 척테이블도 웨이퍼 이면의 DAF의 분단성을 양호하게 하면 좋기 때문에 웨이퍼와 거의 같은 면적의 8인치 사이즈(직경 200mm)가 좋다.The size of the freezing chuck table is about the same size as the wafer area. For example, if the wafer is 8 inches in size (200 mm in diameter), the freezing chuck table should also be good at dividing the DAF on the back of the wafer, so 8 inches in size (200 mm in diameter) is approximately equal to the wafer. .

웨이퍼를 보유하는 익스팬드성의 다이싱테이프는 익스팬드시키는 것이 필요하기 때문에 당연 웨이퍼보다도 큰 영역으로 된다. 예를 들면, 웨이퍼가 200mm 사이즈인 경우, 익스팬드하는 다이싱테이프는 300mm 정도 크기의 프레임에 부착되어 있어 그 안쪽에 웨이퍼가 있다. 웨이퍼와 프레임의 사이도 25mm ? 40mm 이상은 있다.Since the expandable dicing tape which holds a wafer needs to expand, it becomes a larger area than a wafer naturally. For example, when the wafer is 200 mm in size, the expanding dicing tape is attached to a frame about 300 mm in size, and there is a wafer therein. 25mm between wafer and frame There is more than 40mm.

웨이퍼와 다이싱테이프의 사이에는 DAF가 붙여져 있다. DAF는 웨이퍼와 거의 동(同) 직경이지만, 실질은 웨이퍼보다도 조금 크게 하고 있다. 왜냐하면, DAF는 신축성의 재료이므로 완전히 동일 사이즈로 했을 경우, 웨이퍼가 DAF에 대하여 조금 벗어나서 붙어버릴 경우가 있기 때문이다. 이러한 미묘한 차이가 있어도 반드시 DAF 상에 웨이퍼를 재치하여 붙이기 위해서 DAF는 그 차이량도 고려해서 다소 웨이퍼보다도 크게, 즉, 외형으로 해서 약 1cm 정도 크게 하는 것이 바람직하다. 그러나, 반드시 이것에 한정되는 것이 아니고, 극단적일 경우, DAF는 다이싱테이프와 같이 프레임(F) 가득한 크기로 해도 좋다.DAF is attached between the wafer and the dicing tape. DAF is almost the same diameter as the wafer, but the actual size is slightly larger than that of the wafer. This is because the DAF is a stretchable material, and when the wafer is made to be of the same size, the wafer may stick to the DAF slightly. Even if there is such a subtle difference, it is preferable that the DAF be somewhat larger than the wafer, that is, about 1 cm larger in appearance, in order to always place and attach the wafer on the DAF. However, the present invention is not necessarily limited to this, and in extreme cases, the DAF may have a frame full size like a dicing tape.

또, 쳐 올리기용 링(12)은 냉동 척테이블(10)의 주위를 둘러싸게 배치되어 링 승강 기구(16)에 의해 승강 가능하게 구성된 링이다. 한편, 이 링에는 마찰력 저감을 위한 고로(롤러(la))를 설치해도 좋다. 도 1에서는 쳐 올리기용 링(12)은 하강 위치(대기 위치)에 위치하고 있다.The lifting ring 12 is a ring arranged to surround the freezing chuck table 10 and configured to be lifted by the ring lift mechanism 16. In addition, you may install the blast furnace (roller la) for this friction reduction. In FIG. 1, the lifting ring 12 is located in the lowered position (standby position).

이 쳐 올리기용 링은 알루미늄 등의 열전도성이 좋은 금속 등으로 형성되어 있는 것이 좋다. 또, 쳐 올리기용 링은 다이싱테이프의 전주(全周)로 접촉하고 있다.This lifting ring is preferably formed of a metal having good thermal conductivity such as aluminum. The lifting ring is in contact with the entire circumference of the dicing tape.

이와 같이 다이싱테이프와 접촉하는 구성으로 함으로써 쳐 올리기용 링은 이하와 같은 기능을 갖고 있다.By setting it as the structure which contacts a dicing tape in this way, a lifting ring has the following functions.

즉, DAF가 붙은 영역은 DAF를 웨이퍼와 함께 분단하기 위해서 냉각 상태를 유지해둘 필요가 있다. 한편, 익스팬드 한 후에 늘어짐이 발생했을 때, 그 늘어짐을 배제하지 않으면 안된다. 늘어짐이 남겨진 채 반송하면, 분단된 칩 끼리가 부딪쳐서 칩을 파손하게 되기 때문이다. 이 늘어짐을 배제하기 위해서는 다이싱테이프로서, 가열하면 수축하는 기능을 갖는 열수축성의 테이프가 사용된다. 이러한 다이싱테이프에 사용되는 열수축성을 갖는 테이프로서는 특허공개 평9 - 17756호에 개시되는 반도체 보호용 시트(테이프)을 사용하면 좋다.In other words, the area to which the DAF is attached needs to be kept in a cooled state in order to divide the DAF together with the wafer. On the other hand, when sagging occurs after expansion, the sagging must be excluded. This is because if the transfer is carried out with sagging, the chips are broken and the chips are broken. In order to eliminate this sagging, as a dicing tape, a heat shrinkable tape having a function of shrinking when heated is used. As a tape which has heat shrinkability used for such a dicing tape, the semiconductor protective sheet (tape) disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 9-17756 may be used.

이와 같이 익스팬드해서 분단할 경우에 있어서, 본건의 경우에서는 웨이퍼 영역은 냉동함으로써 DAF 테이프의 분단성을 향상시키는 것을 확보하지 않으면 안되는 동시에 웨이퍼 영역 외의 외측에 있어서는 늘어짐을 없앨 목적에서 다이싱테이프를 가열해서 수축시키는 것이 필요하게 된다.In the case of expanding and dividing in this manner, in this case, the wafer area must be frozen to improve the dividing property of the DAF tape, and the dicing tape is heated for the purpose of eliminating sagging outside the wafer area. It is necessary to shrink.

즉, 쳐 올리기용 링은 이 둘의 영역에 있어서의 열환경을 분리한다고 하는 기능을 갖고 있다.That is, the lifting ring has a function of separating the thermal environment in the two areas.

웨이퍼 영역은 냉동 척테이블에 의해 냉각된다. 그 냉각한 상태는 외부의 가열 지역에서의 열의 유입은 쳐 올리기용 링으로 차단된다. 또, 다이싱테이프는 고분자로 되어 있어 금속 등과 비교해서 열 전도성이 나쁘기 때문에 쳐 올리기용 링의 내주부(內周部)에 존재하는 웨이퍼 지역에도 열이 전해지기 어렵다.The wafer region is cooled by the freezing chuck table. In the cooled state, the inflow of heat from the outside heating zone is cut off by the ring for lifting. In addition, since the dicing tape is made of a polymer and has poor thermal conductivity as compared with metals, heat is hardly transmitted to the wafer region existing in the inner peripheral portion of the lifting ring.

이상으로부터 쳐 올리기용 링에 의해 열 환경을 영역적으로 완전히 격리할 수 있다. 즉, 쳐 올리기용 링의 안쪽, 또는 특히 웨이퍼 지역은 국소적으로 냉각되어서 DAF의 분단성이 향상하는 상태를 유지한다. 한쪽에서 쳐 올리기용 링의 외측은 가열함으로써 다이싱테이프를 수축시켜서 익스팬드에 의해 발생한 다이싱테이프 외주부의 늘어짐을 제거하고, 긴장한 상황을 만드는 것이 가능해진다.It is possible to completely isolate the thermal environment from the above by the lifting ring. That is, the inside of the lifting ring, or in particular the wafer area, is locally cooled to maintain a state of improving the DAF's segmentability. By heating the outer side of the ring for lifting from one side, the dicing tape is contracted to remove sagging of the outer peripheral portion of the dicing tape caused by the expansion, thereby making it possible to create a tense situation.

반도체 웨이퍼(W)에는 도 28에 나타낸 바와 같이 미리 레이저 조사 등에 의해 그 내부에 분단 예정 라인이 격자상으로 형성되어 있다. 자세한 내용은 후술하지만, 쳐 올리기용 링(12)은 상승함으로써 아래로부터 다이싱테이프(S)를 밀어 올리고, 다이싱테이프(S)를 익스팬드 한다. 이와 같이 다이싱테이프(S)를 잡아 늘림으로써 분단 예정 라인이 분단되어 반도체 웨이퍼(W)가 DAF(D)와 함께 각각의 칩(T)으로 분할된다.As illustrated in FIG. 28, the semiconductor wafer W is previously formed with a predetermined line to be divided into a lattice shape by laser irradiation or the like. Although details will be described later, the lifting ring 12 is pushed up to push up the dicing tape S from below and expand the dicing tape S. FIG. As the dicing tape S is stretched in this manner, the scheduled dividing line is divided so that the semiconductor wafer W is divided into the respective chips T together with the DAF (D).

그런데 상술한 바와 같이 냉동 척테이블(10)로 DAF(D)을 냉각하는 것은, DAF(D)은 실온에서는 점도가 높고, 쳐 올리기용 링(12)으로 다이싱테이프(S)를 아래쪽으로부터 밀어 올려도, DAF(D)는 다이싱테이프(S)와 함께 늘어져 분단되지 않기 때문이다. 즉, DAF(D)를 냉각해서 취성화(脆性化) 함으로써 분단하기 쉽게 하고 있는 것이다.By the way, as described above, the DAF (D) is cooled by the freezing chuck table 10. The DAF (D) has a high viscosity at room temperature, and pushes the dicing tape S with the lifting ring 12 from below. This is because the DAF (D) is stretched together with the dicing tape S and is not divided even if raised. In other words, the DAF (D) is cooled and brittle to make it easier to divide.

또한, 도 1에 나타낸 바와 같이 워크(2)는 다이싱테이프(S)의 이면이 정확히 냉동 척테이블(10)의 표면에 접촉하는 것 같은 위치에 프레임 고정기구(18)에 의해 프레임(F)이 고정되도록 되어 있다. 또, 쳐 올리기용 링(12)의 외주측에는 서브 링(14)이 설치되어 있다. 자세한 내용은 후술하지만, 이 서브링(14)은 익스팬드된 다이싱테이프(S)의 확장 상태를 보유하고, 분단된 칩(T) 간의 간격을 유지하기 위한 것이다.In addition, as shown in FIG. 1, the workpiece | work 2 is frame F by the frame fixing mechanism 18 in the position where the back surface of the dicing tape S exactly contacts the surface of the freezing chuck table 10. As shown in FIG. It is supposed to be fixed. Moreover, the sub ring 14 is provided in the outer peripheral side of the ring 12 for lifting. Although the details will be described later, the sub-ring 14 is intended to hold the expanded state of the expanded dicing tape S, and to maintain the gap between the divided chips (T).

이하, 도 2의 플로우 챠트(flow chart)에 따라, 워크 분할장치(1)에 의한 워크(2)의 반도체 웨이퍼(W)를 각각의 칩(T)으로 분할해서 개편화(個片化)하는 동작을 설명한다.Hereinafter, according to the flowchart of FIG. 2, the semiconductor wafer W of the workpiece | work 2 by the workpiece | work divider 1 is divided into each chip T, and it is divided into pieces. Describe the operation.

우선, 도 2의 스텝(S100)에서 도 1에 나타낸 바와 같이 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 DAF(D)을 통해서 다이싱테이프(S)가 접착된 워크(2)의 프레임(F)을 프레임 고정기구(18)로 고정한다. 그리고, 반도체 웨이퍼(W)가 존재하는 영역이 냉동 척테이블(10) 상에 위치하도록 배치한다.First, in step S100 of FIG. 2, as shown in FIG. 1, the frame F of the workpiece 2 to which the dicing tape S is adhered to the rear surface of the semiconductor wafer W through the DAF D is framed. Fix it with the fixing mechanism (18). Then, the region where the semiconductor wafer W is present is disposed on the freezing chuck table 10.

다음에 도 2의 스텝(S110)에서 냉동 척테이블(10)은 워크(2)의 이면을 진공 흡착에 의해 흡착해서 냉동 척테이블(10)의 표면에 확실하게 접촉시킨다. 냉동 척테이블(10)은 저온상태에 있으므로 이 접촉에 의해 열전달로 워크(2)는 냉각된다. 특히, DAF(D)이 -5℃ ? -10℃ 정도로 냉각되어 이것에 의해 DAF(D)는 취성화(脆性化)하고, 힘을 가함으로써 용이하게 깨지게 된다. 냉동 척테이블(10)은 소정시간 진공 흡착을 해 특히 DAF(D)이 소정온도가 될 때까지 워크(2)의 냉각을 한다. 한편, 이 제어는 도시를 생략한 제어 수단에 의해 행하여진다.Next, in step S110 of FIG. 2, the freezing chuck table 10 adsorb | sucks the back surface of the workpiece | work 2 by vacuum suction, and makes contact with the surface of the freezing chuck table 10 reliably. Since the freezing chuck table 10 is in a low temperature state, the work 2 is cooled by heat transfer by this contact. In particular, DAF (D) is -5 ℃? It cools down to about -10 degreeC, and by this, DAF (D) becomes brittle and is easily broken by applying a force. The freezing chuck table 10 performs vacuum suction for a predetermined time, and in particular, cools the work 2 until the DAF (D) reaches a predetermined temperature. On the other hand, this control is performed by control means (not shown).

그 다음에, 도 2의 스텝(S120)에서 도 3에 나타낸 바와 같이 익스팬드하여 반도체 웨이퍼(W)를 DAF(D)와 함께 개편화(個片化)한다.Next, in step S120 of FIG. 2, as shown in FIG. 3, the semiconductor wafer W is separated into pieces together with the DAF (D).

즉, 도 3에 나타낸 바와 같이 냉동 척테이블(10)응 진공 흡착을 정지하고, 워크(2)의 흡착을 해제하여 링 승강기구(16)에 의해 쳐 올리기용 링(12) 및 서브 링(14)을 상승시킨다. 쳐 올리기용 링(12)의 상승은 예를 들면, 400mm/sec로, 15mm 윗쪽에 쳐 올리도록 하고 있다. 한편, 이때 서브 링(14)은 프레임(F)보다도 위로는 상승하지 않는 것 같은 위치에서 정지하도록 한다.That is, as shown in FIG. 3, the vacuum suction of the freezing chuck table 10 is stopped, the suction of the workpiece 2 is released, and the ring 12 and the sub-ring 14 are lifted up by the ring lift mechanism 16. Raise). As for the raising of the ring 12 for raising, for example, it raises to 15 mm upper at 400 mm / sec. On the other hand, at this time, the sub ring 14 stops at a position that does not seem to rise above the frame F. FIG.

도 2에 나타낸 바와 같이 쳐 올리기용 링(12)의 상승에 의해 다이싱테이프(S)는 아래에서 밀어 올릴 수 있고, 다이싱테이프(S)의 면 내에 있어서 반도체 웨이퍼(W)의 중심에서 방사상으로 익스팬드 된다. 다이싱테이프(S)가 확장되면, 반도체 웨이퍼(W)는 분단 예정 라인을 따라 분할되어 각각의 칩(T) 사이에 수μm으로부터 100μm의 틈이 형성된다. 이때 DAF(D)는 냉각되어서 취성화(脆性化) 하고 있으므로 DAF(D)도 반도체 웨이퍼(W)와 함께 분단 예정 라인을 따라 분할된다. 그에 따라 반도체 웨이퍼(W)는 이면에 DAF(D)이 달라붙은 각 칩(T)으로 개편화(個片化)된다.As shown in Fig. 2, the dicing tape S can be pushed up by the lifting of the lifting ring 12, and is radial in the center of the semiconductor wafer W in the plane of the dicing tape S. Is expanded. When the dicing tape S is expanded, the semiconductor wafer W is divided along the dividing line to form a gap of several micrometers to 100 micrometers between each chip T. At this time, since the DAF (D) is cooled and brittle, the DAF (D) is also divided along the division scheduled line together with the semiconductor wafer (W). As a result, the semiconductor wafer W is divided into chips T having DAFs D stuck to the rear surface thereof.

다이싱테이프(S)는 쳐 올리기용 링(12)에 의한 익스팬드를 해제하면, 그 탄성에 의해 원래로 돌아가 버려, 각 칩(T) 간의 틈이 없어져버리므로, 적어도 각 칩(T)이 존재하는 영역에 있어서 다이싱테이프(S)의 확장 상태를 유지하지 않으면 않된다.When the dicing tape S releases the expansion by the lifting ring 12, the elasticity of the dicing tape returns to its original state, so that the gap between the chips T disappears. In the existing area, the dicing tape S must be kept in an expanded state.

거기서 다음에 도 2의 스텝(S130)에서 도 4에 나타낸 바와 같이 서브 링(14)을 프레임(F) 상의 확장된 다이싱테이프(S)에 삽입할 수 있는 위치까지 링 승강기구(16)에 의해 상승시키고, 서브 링(14)을 다이싱테이프(S)의 확장된 부분에 삽입한다. 이때, 상승하는 서브링(14)에 의해 다이싱테이프(S)가 파탄하지 않도록 저속으로 서브링(14)을 상승시킨다.Thereafter, in step S130 of FIG. 2, as shown in FIG. 4, the ring elevating mechanism 16 is moved to a position where the sub ring 14 can be inserted into the extended dicing tape S on the frame F. FIG. The sub ring 14 is inserted into the extended portion of the dicing tape S. At this time, the sub-ring 14 is raised at a low speed so that the dicing tape S is not broken by the rising sub-ring 14.

그 다음에, 도 2의 스텝(S140)에서 도 5에 나타낸 바와 같이 서브 링(14)만을 프레임(F)보다도 위의 위치에 남겨서 쳐 올리기용 링(12)을 하강시켜 하강 위치(대기위치)로 이동시킨다. 이때 서브링(14)은 프레임(F) 상의 위치에 남아있으므로 다이싱테이프(S)의 확장 상태가 보유된다.Next, in step S140 of FIG. 2, as shown in FIG. 5, only the sub ring 14 is left at a position above the frame F, and the lifting ring 12 is lowered to lower the position (standby position). Move to. At this time, since the sub-ring 14 remains in the position on the frame F, the expanded state of the dicing tape S is retained.

그에 따라 다이싱테이프(S)의 확장 상태가 보유되므로 각 칩(T) 간의 틈도 넓게 유지되어 DAF(D)이 재고착할 일도 없다. 따라서 다이싱테이프(S)가 늘어난 상태로 워크(2)을 반송하는 일이 없어 그 후의 처리가 용이하게 된다.Accordingly, since the dicing tape S is held in an expanded state, the gap between the chips T is kept wide so that the DAF D does not need to be reattached. Therefore, the workpiece | work 2 is not conveyed in the state which the dicing tape S extended, and subsequent process becomes easy.

이상과 같이 도 2의 플로우 챠트(flow chart)에 따라 설명한 바와 같은 방법으로 워크(2)를 분할함으로써 워크 분할(개편화) 및 분할한 각 칩간의 틈을 유지하기 위한 확장 상태의 보유까지를 하나의 유닛 내에서 할 수 있어 제품을 제조하는 택트타임(tact time)을 빨리하는 것이 가능해진다.As described above, by dividing the work 2 in the manner described in accordance with the flow chart of FIG. 2, the work is divided (reorganized) and retained in an expanded state for maintaining the gap between the divided chips. It is possible to do so in the unit of the tact time (tact time) to manufacture the product can be made faster.

그러나, 서브링(14)을 이용해서 다이싱테이프(S)의 확장 상태를 보유하는 방법에서는 서브링(14)에 의해 다이싱테이프(S)를 파손할 우려가 있는 등의 문제가 있다.However, in the method of holding the extended state of the dicing tape S using the sub ring 14, there is a problem that the sub ring 14 may damage the dicing tape S.

그래서 다음에 서브링을 채용하지 않는 실시 형태를 설명한다.Thus, an embodiment in which the sub ring is not employed will be described next.

도 6은 본 발명에 관한 워크 분할장치의 제 2의 실시 형태를 나타낸 요부 단면도이다.6 is a sectional view showing the principal parts of a second embodiment of a work splitter according to the present invention.

도 6에 나타낸 바와 같이 본 실시 형태의 워크 분할장치(100)는 냉동 척테이블(10), 쳐 올리기용 링(12), 웨이퍼 커버(20; 다이싱테이프 누름) 및 광가열 장치 (22)를 갖추고 있다. 광가열 장치(22)는 예를 들면 스팟 타입의 할로겐 램프 히터이다. 또, 광가열 장치(22)는 빛을 조사해서 복사에 의해 가열하는 것이라면, 그 외에 레이저나 플래시 램프(flash lamp) 등 이어도 좋다.As shown in FIG. 6, the work splitting apparatus 100 according to the present embodiment includes a freezing chuck table 10, a lifting ring 12, a wafer cover 20 (pressing a dicing tape), and an optical heating device 22. Equipped. The optical heating device 22 is a spot lamp halogen lamp heater, for example. Moreover, as long as the optical heating device 22 irradiates light and heats it by radiation, it may be a laser, a flash lamp, etc. other than that.

이러한 광가열형 장치의 경우, 빛의 조사 상태를 육안으로 확인할 수 있다. 또, 빛이 조사된 영역은 복사 현상에 의해 가열되는 것에 대해서, 빛이 조사되지 않는 영역은 가열되지 않는다. 즉, 빛을 조사할 때 그 조사 영역을 시인할 수 있으므로 그 조사를 시인할 수 있는 영역을 복사에 의해 가열하는 영역으로서 국소적으로 한정하는 것이 가능해진다.In the case of such an optical heating device, the light irradiation state can be visually confirmed. In addition, the area | region to which light is irradiated is heated by the radiation phenomenon, but the area | region to which light is not irradiated is not heated. That is, since the irradiation area can be visually recognized when irradiating light, it becomes possible to locally limit the area where the irradiation can be visually recognized as an area to be heated by radiation.

본 실시 형태로 있어서는 광가열 장치(22)로서 스팟 타입의 할로겐 램프 히터를 이용하고 있다. 구체적으로는 인후릿지공업(주)의 할로겐 스팟 히터LCB-50(램프정격 12V/100W)을 이용했다. 촛점거리는 35mm, 집광 직경은 2mm이다. 그러나, 본 실시 형태에서는 후술하는 도 11에 나타낸 바와 같이 정확히 집광하는 부분을 이용해서 가열하는 것이 아니고, 광원으로부터 대상물까지의 거리(조사 거리)를 46mm으로하여 촛점거리 35mm에 대하여 11mm 오프셋 하고, 조사 직경을 17.5mm로 하고 있다. 실제의 조사 직경은 15mm 이며, 다이싱테이프(S)의 워크(W)의 외측의 직경 15mm의 지역을 가열하도록 하고 있다.In this embodiment, the spot type halogen lamp heater is used as the optical heating device 22. The halogen spot heater LCB-50 (lamp rating 12V / 100W) of Infridge Industries Co., Ltd. was used specifically ,. The focal length is 35mm and the condensing diameter is 2mm. However, in this embodiment, as shown in FIG. 11 mentioned later, it does not heat using the part which condenses correctly, but sets the distance (irradiation distance) from a light source to an object to 46 mm, and offsets 11 mm with respect to the focal length 35 mm, and irradiates it. The diameter is 17.5 mm. The actual irradiation diameter is 15 mm, and the area | region of diameter 15 mm of the outer side of the workpiece | work W of dicing tape S is made to heat.

도 7은 워크(2)의 프레임(F) 상, 웨이퍼 커버(20)의 외측의 다이싱테이프(S) 상 및 반도체 웨이퍼(W) 측에 각각 붙여진 서모 라벨(TL)의 확대도 이며, 도 8은 광가열 장치(22)에 의해 웨이퍼 커버(20)의 외측의 다이싱테이프(S)를 가열한 프로세스 후의 서모 라벨 확대도 이다.FIG. 7 is an enlarged view of the thermo label TL attached on the frame F of the work 2, on the dicing tape S on the outside of the wafer cover 20, and on the semiconductor wafer W side, respectively. 8 is an enlarged view of the thermo label after the process of heating the dicing tape S on the outside of the wafer cover 20 by the optical heating device 22.

여기서 서모 라벨(TL)은 50℃ 이상의 온도로 빨강 변하는 타입인 도 8의 프로세스 후의 서모 라벨 확대도 에서도 알 수 있듯이 빛이 조사되지 않고 있는 웨이퍼(W) 측 및 프레임(F) 측은 50℃에 달하지 않고 있다.Here, as shown in the thermo label enlarged view after the process of FIG. 8, in which the thermo label TL turns red at a temperature of 50 ° C. or higher, the wafer W side and the frame F side where the light is not irradiated do not reach 50 ° C. It is not.

이와 같이 스팟 타입의 할로겐 램프 히터를 이용함으로써 가열하고 싶은 부분만을 선택적으로(국소적으로) 가열할 수 있고, 그 이외의 부분에의 열스트레스를 최소한으로 억제할 수 있다.Thus, by using the spot type halogen lamp heater, only the portion to be heated can be selectively (locally) heated, and the heat stress to other portions can be minimized.

또한, 할로겐 램프용 전원으로서는 (주)뮤테크의 할로겐 램프용 전원 KPS-100E-12을 사용했다. 이 할로겐 램프용 전원의 출력은 정격전압 12V 다. 또, 소프트 스타트(soft start; 슬로우 스타트) 기능을 갖고 있어 할로겐 램프에 돌입 전류가 흐르는 것을 방지하고 있다.In addition, as a halogen lamp power supply, Mutech Co., Ltd. halogen lamp power supply KPS-100E-12 was used. The output of this halogen lamp power supply is rated at 12V. It also has a soft start (slow start) function to prevent inrush current from flowing into the halogen lamp.

이들의 조합에 의해 히터 전원 ON 지령보다 슬로우 스타트 0.75초를 경과해서 히터 최대 조도에 도달할 때까지 걸리는 시간은 3초 이내다. 이것은 온풍 히터나 적외선 히터와 비교하면 대단히 단시간이다. 마찬가지로 최대 조도로부터 전원OFF까지의 시간도 같다. 또, 소정의 조도로부터 다른 조도에의 변경 응답성도 3초 이내다. 이렇게 할로겐 램프를 이용함으로써 단시간에 원하는 조도 즉 온도를 얻을 수 있다. 이것은 일반적인 적외선 히터나 온풍 히터에서의 실현은 곤란하다. 이와 같이 제어성이 좋은 것도 할로겐 램프 히터를 이용하는 것이 바람직한 하나의 이유다.By these combinations, it takes less than 3 seconds to reach the maximum illuminance of the heater after the slow start of 0.75 seconds from the heater power ON command. This is a very short time compared with a warm air heater or an infrared heater. Similarly, the time from the maximum illuminance to the power off. Moreover, the change responsiveness from predetermined illuminance to another illuminance is also within 3 second. By using a halogen lamp in this way, desired illuminance, or temperature, can be obtained in a short time. This is difficult to realize in a general infrared heater or a warm air heater. Such good controllability is one reason why it is preferable to use a halogen lamp heater.

냉동 척테이블에 있어서의 열전달 현상을 이용한 웨이퍼 이면의 DAF 부분의 국소적인 냉각과, 할로겐 램프 히터에 의한 복사 현상을 이용한 다이싱테이프 외주부의 늘어난 부분에 대한 국소적인 가열에 의해 동일 지역 내에서 열상태를 완전히 분리할 수 있기 때문에 같은 스테이지, 또는 같은 쳄버(chamber) 내에서 DAF의 냉각과, 다이싱테이프의 열수축을 할 수 있다. 그에 따라 DAF의 냉각 후, 다이싱테이프의 열수축을 위해서 장소를 이동시킬 필요가 없어진다.Thermal state in the same area by local cooling of the DAF portion on the back surface of the wafer using the heat transfer phenomenon in the freezing chuck table and local heating of the extended portion of the outer peripheral portion of the dicing tape using the radiation phenomenon by the halogen lamp heater. Since it can be completely separated, the DAF can be cooled and the dicing tape can be thermally contracted in the same stage or the same chamber. This eliminates the need to move the place for heat shrinkage of the dicing tape after cooling of the DAF.

본 실시 형태는 이하 설명하는 바와 같이 다이싱테이프(S)의 확장 상태를 보유하기 위해서 서브 링을 이용하지 않고, 웨이퍼 커버(20)와 광가열 장치(22)를 이용하고, 다이싱테이프(S)가 늘어난 부분을 선택적으로 가열해서 긴장시킴으로써 다이싱테이프(S)의 확장 상태를 보유하도록 하는 것이다.In the present embodiment, as described below, in order to retain the expanded state of the dicing tape S, the dicing tape S is used without using the sub-ring, but using the wafer cover 20 and the optical heating device 22. By selectively heating and stretching the stretched portion), the dicing tape S may be held in an expanded state.

웨이퍼 커버(20)는 밑바닥의 높이가 낮은 원통 형상을 하고 있고, 저면(20a)과 측면(20b)으로 이루어지고, 저면(20a)은 반도체 웨이퍼(W)보다도 한결 크게 형성되어 있다. 또, 웨이퍼 커버(20)는 커버 승강기구(21)에 의해 승강 가능하게 설치되어 있어 하강한 위치에서 반도체 웨이퍼(W)를 덮도록 되어 있다. 또 한 방향, 웨이퍼 커버(20)의 측면(20b)의 선단면은 상승한 쳐 올리기용 링(12)의 선단면과 대향하고 있어 이것에 의해 반도체 웨이퍼(W)는 웨이퍼 커버(20)에 의해 완전히 밀폐된다.The wafer cover 20 has a cylindrical shape having a low bottom height, and is formed of a bottom surface 20a and a side surface 20b, and the bottom surface 20a is formed to be larger than the semiconductor wafer W. In addition, the wafer cover 20 is provided to be liftable by the cover lift mechanism 21 so as to cover the semiconductor wafer W at the lowered position. In addition, the front end face of the side surface 20b of the wafer cover 20 faces the front end face of the raised lifting ring 12, whereby the semiconductor wafer W is completely covered by the wafer cover 20. It is sealed.

광가열 장치(22)는 웨이퍼 커버(20)의 외측에서 대칭적인 위치에 배치되어 웨이퍼 커버(20)와 히터 승강기구(23)에 의해 승강 가능하고, 자세한 내용은 후술하는 바와 같이 하강한 위치에서 다이싱테이프(S)의 주변부를 선택적으로 가열하도록 구성되어 있다. 도면에서는, 광가열 장치(22)는 워크(2)의 직경 방향의 대칭적인 위치에 둘 배치되어 있지만, 광가열 장치(22)의 개수는 2개에 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 웨이퍼 커버(20)의 주위에 90°의 간격으로 4개 배치하도록 해도 좋다.The optical heating device 22 is disposed at a symmetrical position on the outside of the wafer cover 20 and can be lifted and lowered by the wafer cover 20 and the heater elevating mechanism 23, and the details thereof will be described later. It is comprised so that the peripheral part of dicing tape S may be selectively heated. In the figure, although two optical heating devices 22 are arrange | positioned at the symmetrical position of the radial direction of the workpiece | work 2, the number of the optical heating devices 22 is not limited to two. For example, four may be arranged around the wafer cover 20 at intervals of 90 degrees.

이하, 도 9의 플로우 챠트(flow chart)에 따라 본 실시 형태의 작용을 설명한다.Hereinafter, the operation of the present embodiment will be described according to the flow chart of FIG. 9.

먼저 도 9의 스텝(S200)에서 도 6에 나타낸 바와 같이 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 DAF(D)을 통해서 다이싱테이프(S)가 접착된 워크(2)의 프레임(F)을 프레임 고정기구(18)로 고정한다. 그리고, 반도체 웨이퍼(W)가 존재하는 영역이 냉동 척테이블(10) 상에 위치하게 배치한다. 한편, 반도체 웨이퍼(W)에는 도 28에 나타낸 바와 같이 미리 레이저 조사 등에 의해 그 내부에 분단 예정 라인이 격자 상으로 형성되어 있다.First, in step S200 of FIG. 9, as shown in FIG. 6, the frame F of the workpiece 2 to which the dicing tape S is adhered to the back surface of the semiconductor wafer W through the DAF D is frame fixed. Secure with mechanism 18. The region where the semiconductor wafer W is present is disposed on the freezing chuck table 10. On the other hand, as shown in Fig. 28, the semiconductor wafer W is previously formed with a line to be divided in a lattice shape by laser irradiation or the like.

다음에 도 9의 스텝(S210)에서 냉동 척테이블(10)은 워크(2)의 이면을 진공흡착에 의해 흡착해서 냉동 척테이블(10)의 표면에 확실하게 접촉시켜 열전달에 의해 워크(2)에 접착된 DAF(D)을 냉각한다. 냉동 척테이블(10)은 소정시간 워크(2)을 진공 흡착하여 DAF(D)이 취성화(脆性化) 하게 냉각한 후, 진공 흡착을 해제한다.Next, in step S210 of FIG. 9, the freezing chuck table 10 adsorbs the back surface of the work 2 by vacuum adsorption and reliably contacts the surface of the freezing chuck table 10 to heat the work 2. Cool the DAF (D) attached to it. The freezing chuck table 10 vacuum-adsorbs the workpiece 2 for a predetermined time, cools the DAF (D) brittlely, and then releases vacuum suction.

그 다음에 도 9의 스텝(S220)에서 도 10에 나타낸 바와 같이 링 승강기구(16)에 의해 쳐 올리기용 링(12)을 상승시켜 다이싱테이프(S)를 익스팬드 한다. 이때의 쳐 올리기용 링(12)의 쳐 올리기는 앞의 실시 형태와 동일하게, 예를 들면 400mm/sec의 속도로, 15mm의 높이까지 다이싱테이프(S)를 쳐 올린다.Next, as shown in FIG. 10, in step S220 of FIG. 9, the ring 12 for lifting is raised by the ring elevating mechanism 16, and the dicing tape S is expanded. The lifting of the lifting ring 12 at this time raises the dicing tape S to a height of 15 mm, for example, at a speed of 400 mm / sec, for example.

그에 따라 다이싱테이프(S)가 워크(2)의 중심에서 방사상에 확장되어 반도체 웨이퍼(W)가 분단 예정 라인에 따라 DAF(D)와 하나가 되어 각 칩(T)으로 분할된다.As a result, the dicing tape S extends radially from the center of the work 2 so that the semiconductor wafer W becomes one with the DAF D along the scheduled line to be divided into chips T.

그 다음에 도 9의 스텝(S230)에서 도 11에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 커버(20) 및 광가열 장치(22)을 각각 커버 승강기구(21) 및 히터 승강기구(23)에 의해 하강시켜 웨이퍼 커버(20)로 워크(2)의 반도체 웨이퍼(W) 부분을 피복한다. 이 때 도 11에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 커버(20)의 측면(20b)의 선단면과, 쳐 올리기용 링(12)의 선단면을 맞대고, 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)과의 사이에서 다이싱테이프(S)를 파지한다.Then, in step S230 of FIG. 9, as shown in FIG. 11, the wafer cover 20 and the optical heating device 22 are lowered by the cover elevating mechanism 21 and the heater elevating mechanism 23, respectively. A portion of the semiconductor wafer W of the work 2 is covered with (20). At this time, as shown in Fig. 11, the front end surface of the side surface 20b of the wafer cover 20 is brought into contact with the front end surface of the lifting ring 12, and the wafer cover 20 and the lifting ring 12 are The dicing tape S is gripped in between.

이 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)과의 사이에서 다이싱테이프(S)를 파지하는 힘은, 예를 들면 40kgf 정도다.The force for holding the dicing tape S between the wafer cover 20 and the lifting ring 12 is, for example, about 40 kgf.

그 다음에, 도 9의 스텝(S240)에서 도 12에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)과의 사이에서 다이싱테이프(S)를 파지한 채, 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)을 반도체 웨이퍼(W)의 아래쪽 다이싱테이프(S)의 이면이 냉동 척테이블(10)의 표면에 접촉하는 위치까지 하강시킨다. 그에 따라 다이싱테이프(S)의 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)으로 파지된 부분의 주변부가 느슨하게 늘어남부가 발생한다. 한편 이때 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)과의 사이에서 다이싱테이프(S)를 파지하는 힘은 40kgf를 유지하고 있다.Next, in step S240 of FIG. 9, as shown in FIG. 12, the wafer cover 20 while holding the dicing tape S between the wafer cover 20 and the lifting ring 12. ) And the lifting ring 12 are lowered to a position where the rear surface of the lower dicing tape S of the semiconductor wafer W contacts the surface of the freezing chuck table 10. As a result, the periphery of the portion gripped by the wafer cover 20 and the lifting ring 12 of the dicing tape S is loosened. On the other hand, at this time, the force holding the dicing tape S between the wafer cover 20 and the lifting ring 12 maintains 40 kgf.

그 다음에 도 9의 스텝(S250)에서 도 13에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)의 각 선단면을 맞대서 파지한 부분의 외측이 느슨한 다이싱테이프(S)의 부분에 대하여만, 광가열 장치(22)로 스팟 광을 가하여 선택적으로 가열한다. 이때 만약 워크가 첨부된 DAF(D)의 영역도 동시에 가열되어버리면 DAF(D)이 녹아서 칩(T) 간의 틈이 없어져 버릴 우려가 있어서 다이싱테이프(S)의 워크가 첨부된 영역 이외가 풀어진 부분만을 선택적으로 가열할 필요가 있다.Then, in step S250 of FIG. 9, as shown in FIG. 13, the outer side of the portion gripped against each end surface of the wafer cover 20 and the lifting ring 12 is loose, and the dicing tape S is loose. Only to the portion of, the spot light is applied to the optical heating device 22 to selectively heat it. At this time, if the area of the DAF (D) to which the workpiece is attached is also heated at the same time, the DAF (D) may be melted and the gap between the chips T may disappear, so that the area other than the area to which the workpiece of the dicing tape S is attached is released. Only part needs to be heated selectively.

이 가열에 의해 늘어난 다이싱테이프(S)가 긴장하고, 늘어남이 점차로 해소해 간다. 한편, 예를 들면 광가열 장치(22)는 각각 100W이며, 직경 20mm의 지역에 빛을 조사한다. 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)과의 사이의 파지력도 40kgf가 유지되고 있다.The dicing tape S increased by this heating is strained, and the elongation gradually resolves. On the other hand, the optical heating device 22 is 100W, respectively, and irradiates light to the area of 20 mm in diameter. The holding force between the wafer cover 20 and the lifting ring 12 is also 40 kgf.

또 이때 광가열 장치(22)를 온 하고나서 그 가열 상태가 안정된 후(약 2초 후), 고정한 일정한 위치에서만 가열함으로써 다이싱테이프(S)의 긴장 상태에 치우침이 생기지 않도록, 광가열 장치(22)를 웨이퍼 커버(20)의 주위에 일정한 주기로 소정 속도로 회전하는 것이 바람직하다. 이렇게 광가열 장치(22)를 웨이퍼 커버(20)의 주위에 일정한 주기로 회전시킴으로써 다양한 방향에서 가열하는 것에 의해, 다이싱테이프(S)의 긴장 상태에 치우침이 생기는 것을 막을 수 있다. 한편 광가열 장치(22)을 회전할 경우에 히터 승강기구(23)가 단지 광가열 장치(22)를 승강시킬 뿐만 아니라, 광가열 장치(22)를 일정한 주기로 회전시키는 히터 회전기구의 기능도 갖추도록 해도 좋다.At this time, after the optical heating device 22 is turned on and its heating state is stabilized (after about 2 seconds), heating is performed only at a fixed fixed position so that the biasing state of the dicing tape S does not occur. 22 is preferably rotated at a predetermined speed around the wafer cover 20 at regular intervals. Thus, the optical heating device 22 is rotated at regular intervals around the wafer cover 20 to be heated in various directions to prevent the biasing of the dicing tape S from occurring. On the other hand, when the optical heating device 22 is rotated, the heater lifting mechanism 23 not only lifts the optical heating device 22 but also has a function of the heater rotating mechanism that rotates the optical heating device 22 at a constant cycle. You may do so.

여기서 광가열 장치(22)의 제어 방법에 대해서 자세하게 설명해 둔다. 도 14에 광가열 장치(22)와 다이싱테이프(S)와의 위치 관계의 하나의 예를 평면도로서 나타냈다. 광가열 장치(22)는 스팟 타입의 할로겐 램프 히터이다.Here, the control method of the optical heating device 22 is demonstrated in detail. 14 shows an example of a positional relationship between the optical heating device 22 and the dicing tape S as a plan view. The optical heating device 22 is a spot lamp halogen lamp heater.

도 14에 나타낸 예에서는 다이싱테이프(S)의 주위에 등 간격으로 대칭적으로 4개의 광가열 장치(22)가 배치되어 있다. 한편, 도 14에서는 반도체 웨이퍼(W)나 프레임(F) 등은 생략하고, 중앙에 칩(T)을 하나만 표시하고 있다.In the example shown in FIG. 14, four optical heating devices 22 are arranged symmetrically at equal intervals around the dicing tape S. In FIG. In FIG. 14, only one chip T is displayed in the center of the semiconductor wafer W, the frame F, and the like.

도 14의 예에서는 칩(T)은 거의 정방형이며, 각 광가열 장치(22)는 칩(T)의 각 변에 대향하는 위치에 각각 배치되어 있다. 이 위치에서 각 광가열 장치(22)의 전원을 온으로 하면, 열 수축성의 재료로 형성된 다이싱테이프(S)는 가열되어 도 면에 화살표(J)로 나타낸 것 같이 수축한다. 그 결과 칩(T)은 X방향 및 Y방향으로 인장된다.In the example of FIG. 14, the chip | tip T is substantially square, and each optical heating apparatus 22 is arrange | positioned in the position which opposes each side of the chip | tip T, respectively. When the power source of each optical heating device 22 is turned on at this position, the dicing tape S formed of a heat shrinkable material is heated to shrink as indicated by the arrow J in the drawing. As a result, the chip T is stretched in the X and Y directions.

여기서 예를 들면 다이싱테이프(S)는 도면의 X방향(가로방향)은 수축하기 어렵고, Y방향(세로방향)은 수축하기 쉬운 것으로 한다. 이러한 수축 이방성을 해소하기 위해 수축하기 어려운 X방향에 배치된 광가열 장치(22)에 대하여는 수축하기 쉬운 Y방향에 배치된 광가열 장치(22)보다도 (할로겐 램프 히터에 대한) 인가(印加) 전압을 높게 설정하도록 한다. 그에 따라 다이싱테이프(S)는 세로방향 및 가로방향으로 균등하게 수축하고, 각 칩(T)은 외주 방향으로 균등하게 인장되므로 칩(T) 끼리가 달라 붙어버리거나, 배열 차이가 생기는 일은 없다.Here, for example, the dicing tape S is difficult to shrink in the X direction (horizontal direction) in the drawing, and the Y direction (vertical direction) is easy to shrink. In order to solve such shrinking anisotropy, the application voltage (to a halogen lamp heater) is applied to the optical heating device 22 disposed in the X direction that is difficult to contract than the optical heating device 22 arranged in the Y direction that is easy to contract. Set it to high. As a result, the dicing tape S contracts evenly in the longitudinal direction and the transverse direction, and each chip T is uniformly stretched in the outer circumferential direction so that the chips T do not stick to each other or cause an arrangement difference.

더구나 이때 도면에 화살표(K)로 나타낸 바와 같이 광가열 장치(스팟 타입의 할로겐 램프 히터; 22)를 히터 승강기구(23)에 의해 다이싱테이프(S)의 주위에 회전 주사시킨다.Moreover, at this time, as shown by the arrow K in the figure, the optical heating device (spot type halogen lamp heater) 22 is rotated and scanned around the dicing tape S by the heater elevating mechanism 23.

도 15에 광가열 장치(22)를 회전 주사하는 모양을 나타냈다.15, the state which rotate-scans the optical heating apparatus 22 was shown.

우선, 도 15에 부호 1로 나타낸 위치에서 광가열 장치(22; 도 15에 있어서는 용도설명 생략)의 전원을 온으로 해서 가열을 한다. 이때 전술한 바와 같이 다이싱테이프(S)는 X방향(가로방향)은 수축하기 어렵고, Y방향(세로방향)은 수축하기 쉬우므로 도면의 부호 H의 위치에 있는 광가열 장치(22)는 부호 L의 위치에 있는 광가열 장치(22)보다도 인가(印加) 전압을 높게 설정한다.First, heating is performed by turning on the power supply of the optical heating device 22 (application description omitted in FIG. 15) at the position indicated by the numeral 1 in FIG. At this time, as described above, the dicing tape S is difficult to contract in the X direction (horizontal direction), and the Y heating direction (vertical direction) is easily contracted, so that the optical heating device 22 at the position of the symbol H in the drawing is The applied voltage is set higher than that of the optical heating device 22 at the L position.

다음에 광가열 장치(22)의 전원을 오프로 하지만, 가열에 기여하지 않는 전압을 인가하여 정확히 부호 1의 중간의 위치인 부호 2의 위치까지 광가열 장치(22)를 히터 승강기구(23)에 의해 45도 회전한다.Next, although the power supply of the optical heating device 22 is turned off, the optical heating device 22 is moved up to the position of the code | symbol 2 which is the position of intermediate | middle of code | symbol 1, by applying the voltage which does not contribute to heating, and the heater raising / lowering mechanism 23 Rotate by 45 degrees.

그 다음에, 부호 2의 위치에서 또 광가열 장치(22)의 전원을 온으로 하여 다이싱테이프(S)를 가열한다. 이 부호 2의 위치에 있어서는 X방향과 Y방향의 중간의 방향이므로 모든 광가열 장치(22)의 인가(印加) 전압은 동등하다.Next, the dicing tape S is heated by turning on the power supply of the optical heating device 22 at the position of code | symbol 2 again. In the position of this code | symbol 2, since the direction of the intermediate | middle of a X direction and a Y direction, the applied voltage of all the optical heating devices 22 are equal.

이렇게 하여 다이싱테이프(S)를 가로방향, 세로방향 및 경사 방향의 모든 방향에 대하여 균등하게 수축시킬 수 있다.In this way, the dicing tape S can be contracted evenly with respect to all directions of the horizontal direction, the longitudinal direction, and the inclination direction.

한편, 광가열 장치(22)의 개수는 이 예와 같이 4개에 한정되는 것이 아니고, 도 14에 나타낸 바와 같이 4개의 광가열 장치(22)의 사이에 각각 1개씩 광가열 장치를 추가해서 8개의 광가열 장치(22)를 갖추도록 해도 좋다.On the other hand, the number of the optical heating devices 22 is not limited to four as in this example, and as shown in FIG. 14, one optical heating device is added between each of the four optical heating devices 22, and 8 Two optical heating devices 22 may be provided.

도 16에 8개의 광가열 장치를 구비한 예를 나타냈다. 도 16에 나타낸 예에 있어서는 도 14의 4개의 광가열 장치(22)에 대하여 각 광가열 장치(22)의 사이에 각각 하나씩 광가열 장치(22)가 배치되어 전체로 8개의 광가열 장치(22)가 다이싱테이프(S)의 주위에 등 간격으로 배치되어 있다. 이 경우도 8개의 광가열 장치(22)는 히터 승강기구(23)에 의해 다이싱테이프(S)에 대하여 승강 가능함과 동시에 그 주위에 회전 주사시킬 수 있다.The example provided with eight optical heating devices was shown in FIG. In the example shown in FIG. 16, with respect to the four optical heating devices 22 of FIG. 14, one optical heating device 22 is disposed between each of the optical heating devices 22 so that the eight optical heating devices 22 as a whole are arranged. ) Is arranged around the dicing tape S at equal intervals. In this case as well, the eight optical heating devices 22 can be lifted and lowered with respect to the dicing tape S by the heater elevating mechanism 23 and can be rotationally scanned around the dicing tape S. FIG.

도 17에 8개의 광가열 장치(22)를 회전 주사하는 모양을 나타냈다.In FIG. 17, the state which rotate-scans eight optical heating apparatuses 22 is shown.

예를 들면, 8개의 공가열 장치(22)는 처음 도 17의 부호 1의 위치에서 다이싱테이프(S)의 주변부를 가열한다. 그 다음에 도 17에 화살표(K)로 나타낸 바와 같이 광가열 장치(22)를 히터 승강기구(23)에 의해 부호 2의 위치까지 22.5°(360°÷8÷2)만큼 회전한다. 이 회전 중에는 광가열 장치(22)는 전원 오프하지만, 가열에 기여하지 않는 정도의 전압을 인가한다. 그리고, 다음에 도 17의 부호 2의 위치에서 다이싱테이프(S)의 주변부를 가열한다.For example, the eight co-heating devices 22 initially heat the periphery of the dicing tape S at the position 1 of FIG. Next, as shown by the arrow K in FIG. 17, the optical heating device 22 is rotated by the heater elevating mechanism 23 by 22.5 degrees (360 degrees ÷ 8 ÷ 2) to the position of the sign 2. During this rotation, the optical heating device 22 turns off the power, but applies a voltage that does not contribute to heating. Next, the peripheral part of the dicing tape S is heated at the position of 2 of FIG.

한편, 이때 앞의 예와 동일하게 칩(T)에 대하여 나타낸 X방향(가로방향)은 Y방향(세로방향) 보다도 다이싱테이프(S)가 수축하기 어려울 경우에는 도면에 점선으로 나타낸 범위(H)에 있는 광가열 장치(22)는 도면에 점선으로 나타낸 범위(L)에 있는 광가열 장치(22)보다도 인가(印加) 전압을 높게 하도록 한다.In this case, as in the previous example, when the dicing tape S is more difficult to shrink than the Y direction (vertical direction), the X direction (horizontal direction) shown for the chip T is indicated by a dotted line in the drawing (H). The optical heating device 22 in Fig. 2) has a higher applied voltage than the optical heating device 22 in the range L indicated by the dotted line in the figure.

또한, 광가열 장치(22)의 개수는 이 예와 같이 4개나 8개에 한정되는 것이 아니고, 적어도 4개 이상으로 다이싱테이프(S)의 외주를 따라 등 간격에 대칭적으로 배치할 수 있으면 좋다. 예를 들면, 6개의 광가열 장치는 다이싱테이프(S)의 외주를 따라 등 간격에 대칭적으로 배치할 수 있으므로 6개라도 좋다.The number of the optical heating devices 22 is not limited to four or eight as in this example, and at least four can be arranged symmetrically at equal intervals along the outer periphery of the dicing tape S. good. For example, six optical heating apparatuses may be arranged symmetrically at equal intervals along the outer circumference of the dicing tape S, and thus may be six.

또, 도 14의 4개의 광가열 장치(22)의 사이에 각각 2개의 광가열 장치를 추가해서 12개로 해도 좋고, 도 14의 4개의 광가열 장치(22)의 사이에 각각 3개의 광가열 장치를 추가해서 16개라도 좋다. 이렇게 광가열 장치(22)의 개수는 4의 배수로 하는 것이 바람직하다.In addition, two optical heating devices may be added to each other between the four optical heating devices 22 of FIG. 14 to be 12, or three optical heating devices respectively to the four optical heating devices 22 of FIG. 16 may be added. Thus, the number of the optical heating devices 22 is preferably a multiple of four.

이와 같이 적어도 4개 이상의 광가열 장치를 다이싱테이프(S)의 주위에 균등하게 배치하고, 다이싱테이프(S)의 수축하기 어려운 방향에 대해서는 광가열 장치에 대한 인가(印加) 전압을 보다 높게 해서 가열하도록 하고, 광가열 장치에 의한 가열과 소정 각도의 회전을 되풀이함으로써 다이싱테이프(S)를 가로방향, 세로방향 및 경사 방향의 모든 방향에 대하여 균등하게 수축시킬 수 있다.In this manner, at least four or more optical heating devices are disposed evenly around the dicing tape S, and the applied voltage to the optical heating device is higher in the direction in which the dicing tape S is hard to contract. The dicing tape S can be evenly contracted in all directions in the lateral direction, the longitudinal direction, and the inclined direction by repeatedly heating the optical heating device and rotating the predetermined angle.

한편, 여기에서는 도 16에 나타낸 바와 같이 다이싱테이프(S)의 주위를 따라 등간격으로 8개의 광가열 장치(22)가 배치되어 있는 것으로 한다. 또, 도 16의 예와 동일하게 칩(T)에 대하여 나타낸 X방향(가로방향)은 Y방향(세로방향)보다도 다이싱테이프(S)가 수축하기 어려운 것으로 한다.On the other hand, as shown in FIG. 16, eight optical heating devices 22 are arrange | positioned at equal intervals along the circumference | surroundings of the dicing tape S here. In addition, as in the example of FIG. 16, the dicing tape S is less likely to shrink in the X direction (horizontal direction) shown with respect to the chip T than in the Y direction (vertical direction).

그 다음에, 도 17의 부호 1로 나타낸 위치에 있어서 8개의 광가열 장치(122)의 전원을 온으로 해서 다이싱테이프(S)가 축 늘어진 외주부를 가열한다. 이때 도 17에 점선(H)으로 둘러싼 영역에 있어서는 광가열 장치(22)의 인가(印加) 전압을 점선(L)으로 둘러싼 영역에 있어서 보다도 높게 설정한다. 그에 따라 다이싱테이프(S)의 수축하기 어려운 가로방향(X방향)에 대해서도 수축하기 쉬운 방향(Y방향)과 같이 수축시킬 수 있어 수축의 이방성을 억제 할 수 있다.Next, the power supply of the eight optical heating devices 122 is turned on in the position shown by the code | symbol 1 of FIG. 17, and the outer peripheral part in which the dicing tape S drooped is heated. At this time, in the area | region enclosed by the dotted line H in FIG. 17, the applied voltage of the optical heating device 22 is set higher than in the area | region enclosed by the dotted line L. FIG. As a result, the dicing tape S can also be contracted in the transverse direction (X direction) where it is difficult to contract in the same direction as the direction (Y direction) that is easy to contract, and thus anisotropy of contraction can be suppressed.

그 다음에, 광가열 장치(22)의 전원을 오프로 하지만, 가열에 기여하지 않는 전압을 인가해서 도 17에 화살표(K)로 나타낸 바와 같이 히터 승강기구(23)에 의해 광가열 장치(22)는 부호 2로 나타낸 위치까지 회전한다.Next, although the power supply of the optical heating device 22 is turned off, the voltage which does not contribute to heating is applied, and the optical heating device 22 is applied by the heater elevating mechanism 23 as shown by the arrow K in FIG. ) Rotates to the position indicated by the sign 2.

그 다음에, 도 17의 부호 2의 위치에서 광가열 장치(22)의 전원을 온으로 해서 다이싱테이프(S)의 외주부를 가열한다. 이때 도 17에 점선(H)으로 둘러싼 영역에 있어서는 광가열 장치(22)의 인가(印加) 전압을 점선(L)으로 둘러싼 영역보다도 높고 설정한다.Next, the power supply of the optical heating apparatus 22 is turned on at the position of 2 of FIG. 17, and the outer peripheral part of the dicing tape S is heated. At this time, in the area | region enclosed by the dotted line H in FIG. 17, the applied voltage of the optical heating device 22 is set higher than the area | region enclosed by the dotted line L. FIG.

그리고, 광가열 장치(22)의 전원을 오프로 하여 히터 승강 기구(23)에 의해 광가열 장치(22)을 대기 위치까지 상승시킨다.Then, the power supply of the optical heating device 22 is turned off and the optical heating device 22 is raised to the standby position by the heater elevating mechanism 23.

그리고, 마지막에 웨이퍼 커버(20)를 광가열 장치(22)와 동일하게 대기 위치로 상승시키는 동시에 쳐 올리기용 링(12)도 대기 위치까지 강하시켜 다이싱테이프(S)의 확장을 해제한다. 그리고 프레임(F)을 풀어서 워크를 다음 공정에 반송한다. 혹은, 샘플 칩의 검사가 종료할 때까지 소정의 장소에 보관한다.Finally, the wafer cover 20 is raised to the standby position in the same manner as the optical heating device 22, and the lifting ring 12 is also lowered to the standby position to release the dicing tape S from expanding. Then, the frame F is released to convey the work to the next step. Alternatively, the sample chip is stored in a predetermined place until the inspection of the sample chip is completed.

이와 같이 광가열 장치에 의해 다이싱테이츠(S)가 늘어난 부분만을 선택적으로 또 균등 가열함으로써 다이싱테이프(S)가 모든 방향에 대해서 균등하게 수축되어 분할된 각 칩(T)의 간격 및 배열을 유지할 수 있다. 따라서, 샘플 칩을 픽업한 워크를 다이본더로터 떼어내 샘플 칩의 검사가 종료할 때까지 보관하여도 다이싱테이프(S)의 확장 상태가 유지되기 때문에 확장된 다이싱테이프(S)가 다시 원래로 돌아가서 칩(T)의 간격이 좁아져 칩 끼리가 접촉하는것 같은 일은 없다.Thus, by selectively and evenly heating only the portion where the dicing data S has been extended by the optical heating device, the dicing tape S is contracted evenly in all directions, and the spacing and arrangement of the divided chips T are divided. Can be maintained. Therefore, even if the workpiece picked up with the sample chip is removed from the die bonder and stored until the inspection of the sample chip is completed, the extended state of the dicing tape S is maintained. Returning to the chip, the gap between the chips T is narrowed so that the chips do not touch each other.

또, 광가열 장치가 다이싱테이프(S)의 주위를 따라 등 간격으로 8개 배치되었을 경우의 다른 가열 제어 방법에 대해서 설명한다.Moreover, the other heating control method when eight optical heating apparatuses are arrange | positioned at equal intervals along the periphery of the dicing tape S is demonstrated.

즉, 예를 들면 도 16에 나타낸 바와 같이 다이싱테이프(S)의 주위를 따라 등 간격으로 8개의 광가열 장치(22)로서 스팟 타입의 할로겐 램프 히터가 배치되어 있다. 단, 이때 칩(T)은 도 16에 나타낸 바와 같은 대략 정방형이 아니고, 도면의 X방향(가로방향)과 Y방향(세로방향)에 있어서의 길이의 비(애스펙트(aspect)비)는 1:2.4의 세로가 긴 장방형인 것으로 한다(도 19 참조).That is, as shown in FIG. 16, the spot type halogen lamp heater is arrange | positioned as eight optical heating devices 22 at equal intervals along the circumference | surroundings of the dicing tape S. As shown in FIG. However, at this time, the chip T is not substantially square as shown in Fig. 16, and the ratio (aspect ratio) of the length in the X direction (horizontal direction) and the Y direction (vertical direction) in the figure is 1: It is assumed that the length of 2.4 is a long rectangle (see Fig. 19).

각 광가열 장치(22)는 다이싱테이프(S)의 주위에 45°의 간격으로 나열해 있다. 이 45°의 간격을 8등분하고, 5°, 6°씩 각 광가열 장치(22)를 다이싱테이프(S)의 주위를 따라 회전하고, 5°, 6°회전할 때마다 그 위치에서 가열하도록 한다. 이때 처음에는 도 18에 있어서, 광가열 장치(22)로서의 할로겐 램프 히터에 대한 인가(印加) 전압은 Left와 Right의 위치에서는 12V로 하고, Top과 Bottom의 위치에서는 5V로 한다.Each optical heating device 22 is arranged at intervals of 45 degrees around the dicing tape S. FIG. Divide the interval of 45 ° into 8 parts, rotate each optical heating device 22 around the dicing tape S by 5 ° and 6 °, and heat it at that position each time it is rotated by 5 ° or 6 °. Do it. At this time, initially, in FIG. 18, the applied voltage to the halogen lamp heater as the optical heating device 22 is 12V in the positions of Left and Right, and 5V in the positions of Top and Bottom.

이와 같이 하여 5°, 6°씩 회전하면서 8회 가열하면, 다음은 최초의 위치보다 5°, 6°의 반의 2.8°비켜 놓은 위치부터 시작하도록 한다. 이 다음에는 할로겐 램프 히터에 대한 인가(印加) 전압은 Left와 Right의 위치에서는 12V로 하고, Top와 Bottom의 위치에서는 11V로 한다. 그리고 또 5°, 6°씩 회전하면서 8회 가열한다.In this way, when heated 8 times while rotating by 5 ° and 6 °, the next step is to start from the position 2.8 ° half of 5 ° and 6 ° from the initial position. After this, the applied voltage to the halogen lamp heater is 12V at the left and right positions, and 11V at the top and bottom positions. And it heats 8 times, rotating by 5 degrees and 6 degrees.

이렇게 하여 가열하고, 다이싱테이프(S) 상의 각 칩(T)의 간격을 도 18에 나타낸 바와 같이 Center, Left, Right, Top, Bottom의 5군데에 대해서 도 19에 나타낸 것 같은 5개의 포인트에서 각각 Horizontal 및 Vertical의 2방향에 대해서 측정했다.In this way, heating is performed, and the intervals of the respective chips T on the dicing tape S are shown at five points as shown in FIG. 19 for five places of Center, Left, Right, Top, and Bottom as shown in FIG. Measurements were made in two directions, Horizontal and Vertical, respectively.

도 20에 각각의 개소에 대해서 각 포인트마다의 측정 결과를 나타냈다. 이 결과를 보면, 상기와 같은 가열 제어에 의해 칩간의 간격은 어느 장소에 있어서도 평균 20 ? 30 정도이며, 그다지 큰 차이는 발생하지 않은 것이 분명하다.In FIG. 20, the measurement result for each point was shown about each location. According to these results, the average spacing between the chips was 20? It's about 30, and it's clear that no big difference happened.

이것에 대하여 비교를 위해 이러한 가열 제어를 하는 일 없이 단지 다이싱테이프(S)의 전주위에서 동일하게 가열한 경우의 측정 결과를 도 21에 나타냈다.On the other hand, in FIG. 21, the measurement result at the time of heating similarly only around the dicing tape S without performing this heating control for comparison is shown.

도 21을 보면, 칩(T)의 애스펙트(aspect)비가 1:2.4로 이방성을 갖는 경우에, 전방향에서 같이 가열했을 경우에는 다이싱테이프(S) 상의 장소 및 방향에 의해 칩 간격이 평균으로 10대로부터 50대까지로, 크게 변화되고 있는 것이 분명하다.Referring to FIG. 21, when the aspect ratio of the chip T has anisotropy of 1: 2.4, and when heated together in all directions, the chip spacing is averaged by the location and direction on the dicing tape S. FIG. It is clear that it is greatly changed from teenager to 50s.

이와 같이 상술한 가열 제어를 함으로써 칩이 정방형으로부터 크게 빗나간 것 같은 형상을 하고 있고, 이방성이 있을 경우라도 전방향에 대해서 동일하게 다이싱테이프(S)를 수축할 수 있다. 또, 반대로 칩이 등방적으로 이방성이 없고, 다이싱테이프(S)의 측에 이방성이 있을 경우라도 상기 가열 제어방법으로 대응할 수 있다.Thus, the dicing tape S can be shrunk similarly to all directions, even if it has an anisotropy, and the chip | tip is largely deviated from square by performing the heating control mentioned above. On the contrary, even if the chip is not anisotropically isotropic and there is anisotropy on the dicing tape S side, the heating control method can be used.

한편, 지금까지 설명해 온 예에 있어서는 광가열 장치는 스팟 타입의 할로겐 램프 히터로 하고 있었지만, 웨이퍼 커버(20)가 존재함으로써 온풍 히터를 채용하는 것도 가능하다. 즉, 노즐 등으로부터 국소적인 영역만에 온풍을 토출하도록 하면, 웨이퍼 커버(20)에 의해 온풍이 다이렉트로 반도체 웨이퍼(W)의 영역에는 가지 않도록 할 수 있으므로 다이싱테이프(S)의 늘어난 부분만을 선택적으로 가열하는 것이 가능해진다.On the other hand, in the example demonstrated so far, the optical heating device was made into a spot type halogen lamp heater, but it is also possible to employ a warm air heater because the wafer cover 20 exists. In other words, if the hot air is discharged only to the local area from the nozzle or the like, the hot air can be prevented from going directly to the area of the semiconductor wafer W by the wafer cover 20, so that only the portion of the dicing tape S is increased. It is possible to selectively heat.

또한, 본 실시 형태에 있어서는, 광가열 장치(22)에 의한 열복사에 의해 가열하고 있으므로 다이싱테이프(S)가 늘어난 부분에만 국소적으로(선택적으로) 가열할 수 있다. 또 특히 본 실시 형태에서는 반도체 웨이퍼(W)를 웨이퍼 커버(20)로 덮고 있기 때문에 열을 차폐하고, 광가열 장치(22)에 의해 워크가 첨부된 DAF(D)가 가열되어버리는 것을 막을 수 있고, 더 한층 광가열 장치(22)에 의한 국소적인 가열을 가능하게 하고 있다.In addition, in this embodiment, since it heats by the thermal radiation by the optical heating device 22, it can heat locally (selectively) only to the part in which the dicing tape S extended. Moreover, especially in this embodiment, since the semiconductor wafer W is covered by the wafer cover 20, heat is shielded and the DAF (D) with a workpiece | work is prevented from being heated by the optical heating apparatus 22, Furthermore, local heating by the optical heating device 22 is enabled.

또, 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)에 의해 다이싱테이프(S)가 축 늘어진 부분의 부근을 압지(押持)하고 있으므로 늘어난 부분을 가열함으로써 웨이퍼 커버(20)나 쳐 올리기용 링(12)도 가열되지만, 이 열은 열전도에 의해 웨이퍼 커버(20)나 쳐 올리기용 링(12)을 통해서 도망쳐 간다. 따라서 웨이퍼 커버(20) 및 쳐 올리기용 링(12)의 내부에 둘러싸진 워크가 첨부된 DAF(D)는 열적으로 차폐되어 있어 가열될 일은 없다.In addition, since the dicing tape S is squeezed by the wafer cover 20 and the ring 12 for lifting, the wafer cover 20 is raised by heating the stretched portion. The ring 12 is also heated, but this heat escapes through the wafer cover 20 or the ring 12 for lifting by heat conduction. Therefore, DAF (D) with the workpiece | work enclosed inside the wafer cover 20 and the lifting ring 12 is thermally shielded, and is not heated.

이 점 종래는 온풍에 의한 가열이었으므로 열대류에 의해 전체가 가열되어버리므로 다이싱테이프(S)의 늘어난 부분만을 선택적으로 가열할 수는 없었다. 또, DAF(D)의 냉각도 냉장고 내와 같이 유닛 전체를 냉각하는 분위기 냉각 방식으로 익스팬드를 하고 있었으므로 선택적인 냉각을 할 수 있지 않고, 냉각과 가열을 하나의 유닛에서 할 수 없었다.This point conventionally was heating by warm air, so that the whole was heated by tropical flow, so that only the extended portion of the dicing tape S could not be selectively heated. Moreover, since cooling of DAF (D) was expanded by the atmosphere cooling system which cools the whole unit like the refrigerator, selective cooling was not possible and cooling and heating could not be performed by one unit.

이것에 대하여 본 실시 형태에서는 DAF(D)의 냉각에 대해서도 냉동 척테이블(10)로 흡착해서 워크(2)를 접촉시킴에 의한 열전달을 이용하고 있으므로 워크가 첨부된 DAF(D)의 부분만을 선택적으로 냉각할 수 있다.On the other hand, in this embodiment, since the heat transfer by adsorbing with the freezing chuck table 10 and contacting the workpiece | work 2 is used also for cooling of DAF (D), only the part of DAF (D) with which a workpiece | work is attached is selective. Can be cooled.

따라서, 본 실시 형태에 있어서는 워크가 첨부된 DAF(D)의 냉각과, 워크가 첨부된 영역 이외의 늘어진 다이싱테이프(S)의 가열을 하나의 유닛 내에서 하는 것이 가능하다.Therefore, in this embodiment, it is possible to cool DAF (D) with a workpiece | work, and to heat the stretched dicing tape S other than the area | region with a workpiece | work in one unit.

이와 같이 하여 웨이퍼 커버(20)의 외주부의 다이싱테이프(S)가 늘어난 부분을 가열한 결과를 도 22 및 도 23에 나타냈다.Thus, the result of having heated the part in which the dicing tape S of the outer peripheral part of the wafer cover 20 extended was shown in FIG. 22 and FIG.

도 22 및 도 23은 광가열 장치(22)에 의해 선택적으로 가열된 다이싱테이프(S)가 열수축하고 있는 모양을 측정한 사모토레사 화면이다.22 and 23 are Samotoresa screens in which the dicing tape S selectively heated by the optical heating device 22 measures the heat shrinkage.

도 22 및 도 23에서 스팟 타입의 할로겐 램프 히터로 웨이퍼 커버(20)의 외측의 늘어진 다이싱테이프(S)를 국소적으로 가열하고 있다. 그에 따라 도면에 부호A로 나타낸 다이싱테이프(S)의 가열 중심의 온도는 140℃ 가까이에 달하고 있다. 이것에 대하여 웨이퍼 커버(20)는 50℃ 정도이며, 또 프레임 고정 기구(18; 프레임 누름)도 40℃ 정도로 대부분 온도는 안 오르고 있다. 한편, 도면의 부호B의 부분도 90℃ 정도가 되고 있지만, 이것은 할로겐 램프로부터의 정반사 광이 들어간 것으로 정확하게 측정된 것이 아니다.In FIG. 22 and FIG. 23, the hanging dicing tape S of the outer side of the wafer cover 20 is locally heated by the spot type halogen lamp heater. Accordingly, the temperature of the heating center of the dicing tape S indicated by the reference A in the drawing is close to 140 ° C. On the other hand, the wafer cover 20 is about 50 ° C, and the temperature of the frame fixing mechanism 18 (frame pressing) is also about 40 ° C. In addition, although the part of code | symbol B of a figure becomes about 90 degreeC, this was not measured correctly because the specular light from a halogen lamp entered.

이와 같이 스팟 타입의 할로겐 히터로 가열함으로써 다이싱테이프(S)가 늘어난 부분만을 가열하고, 기타의 부분의 온도를 상승시키지 않도록 선택적으로 가열하는 것이 가능해진다.Thus, by heating with a spot type halogen heater, only the part in which the dicing tape S was extended can be heated, and it can selectively heat so that the temperature of other parts may not be raised.

그 다음에 앞에 말한 각 테이프에 대하여 복사에 의한 광가열 장치에 의한 가열 수축 실험을 한 결과에 대해서 설명한다.Next, the result of the heat shrinkage experiment by the optical heating apparatus by radiation is demonstrated about each said tape mentioned above.

프로세스 시간은 PO계 테이프에 관해서 표준적인 시간으로 했다. 웨이퍼 냉각은 실온으로부터 -10℃까지 20초로 냉각을 했다. 익스팬드는 3초로 15mm 쳐 올리기용 링을 상승시켰다. 다이싱테이프에의 늘어짐 형성 시간은 7초로 했다. 열수축은 슬로우 스타트 분과 광가열 장치의 이동 시간이 6초×4스텝으로, 24초+6초로 한다. 혹은 열수축을 슬로우 스타트 분과 광가열 장치의 이동 시간이 6초×8스텝으로, 48초+10초로 한다.Process time was made into the standard time regarding PO type tape. Wafer cooling was cooled from room temperature to -10 degreeC for 20 second. Expand raised the ring for 15mm slap in 3 seconds. The sag formation time to a dicing tape was 7 seconds. The heat shrinkage is set to 24 seconds + 6 seconds in the slow start time and the moving time of the optical heating device in 6 seconds x 4 steps. Alternatively, the heat shrinkage is set to 48 seconds + 10 seconds in the slow start time and the movement time of the optical heating device in 6 seconds x 8 steps.

또, 다이싱테이프의 경화 기다리기를 30초로 하고, 더욱 로드, 언로드, 센터링 등에 10초로 한다. 이상의 합계로 100초 또는 128초로 한다. 한편 8스텝은 소칩의 경우다.In addition, the curing wait of the dicing tape is set to 30 seconds, and further set to 10 seconds for loading, unloading and centering. It is set as 100 second or 128 second in the above total. 8 steps is for small chips.

이때 광가열 장치는 스팟 타입이기 때문에 광조사 위치에서의 단위 면적당의 투입 열량이 많다. 그에 따라 열수축성이 있는 PO계의 다이싱테이프는 물론, PVC계의 다이싱테이프에서도 수축시킬 수 있었다.At this time, since the optical heating device is a spot type, the amount of heat input per unit area at the light irradiation position is large. As a result, not only PO-based dicing tape having heat shrinkability but also PVC-based dicing tape could be shrunk.

예를 들면 상술한 인텍제의 PO계의 테이프인 D175에서는 테이프의 롤 방향(MD)으로 5mm, 폭방향(TD)으로 3mm 확장시킬 수 있었다.For example, in D175 which is PO tape made from Intec mentioned above, it could expand 5 mm in roll direction MD of tape, and 3 mm in width direction TD.

이렇게 하여 다이싱테이프(S)를 소정시간 가열해서 다이싱테이프(S)가 긴장해서 늘어짐이 해소하면, 광가열 장치(22)에 의한 가열(광가열 장치(22)의 회전)을 정지한다. 이때 다이싱테이프(S)가 경화할 때까지 약30초 정도, 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)에 의한 다이싱테이프(S)의 파지를 계속한다.In this way, when the dicing tape S is heated for a predetermined time and the dicing tape S is tensioned and sagging, the heating by the optical heating device 22 (rotation of the optical heating device 22) is stopped. At this time, holding of the dicing tape S by the wafer cover 20 and the lifting ring 12 is continued for about 30 seconds until the dicing tape S hardens.

마지막으로 도 9의 스텝(S260)에서 도 24에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 커버(20)(와 광가열 장치(22))를 상승시키는 동시에 쳐 올리기용 링(12)을 강하시켜서 다이싱테이프(S)의 파지를 해방한다. 또한 이 사이 냉동 척테이블(10)에 의한 진공 흡착에 의해 열 수축부를 냉각함으로써 경화를 촉진하도록 해도 좋다. 이렇게 냉동 척테이블(10)에 의해 다이싱테이프(S)를 진공 흡착해서 냉각함으로써 다이싱테이프(S)의 외주부가 가열된 부분의 열을 취해 줌으로써 통상 실온에 방치하는 것 보다도 단시간에 다이싱테이프(S)를 경화시킬 수 있다. 그 후, 냉동 척테이블(10)에 의한 진공 흡착을 하고 있었을 경우 진공 흡착도 정지한다.Finally, in step S260 of FIG. 9, as shown in FIG. 24, the wafer cover 20 (and the optical heating device 22) is raised, and the lifting ring 12 is lowered and the dicing tape S is lowered. Free phage In addition, hardening may be accelerated | stimulated by cooling a heat shrink part by vacuum adsorption by the freezing chuck table 10 in the meantime. The dicing tape S is vacuum-adsorbed and cooled by the freezing chuck table 10 to take heat of the heated portion of the outer peripheral portion of the dicing tape S, so that the dicing tape is shorter than the normal temperature at room temperature. (S) can be hardened. After that, when the vacuum suction is performed by the freezing chuck table 10, the vacuum suction is also stopped.

이렇게 하여 각 칩(T)의 간격이 충분히 유지되는 동시에 주위의 다이싱테이프(S)에 늘어남이 없는 워크(2)를 제조할 수 있다. 도 25에 이렇게 하여 제조한 열수축 처리후 워크의 사진을 나타냈다. 도 25는 테이프 뒷면에서 촬상한 것이지만, 웨이퍼 내에 종횡으로 흰 틈이 들어 있는 것을 확실하게 확인할 수 있고, 각 칩이 이간한 상태가 유지되고 있는 것이 분명하다.In this way, the workpiece | work 2 which can fully maintain the space | interval of each chip | tip T, and is not stretched in the surrounding dicing tape S can be manufactured. The photograph of the workpiece | work after the heat shrink processing manufactured in this way was shown in FIG. Although it is image | photographed from the back surface of a tape, it can be sure that white gaps were inserted longitudinally and horizontally in a wafer, and it is clear that the state which separated each chip is maintained.

이것에 대하여 종래와 같이 냉각ㆍ확장 유닛과 열수축 유닛이 별도 유닛으로각 유닛 간에서 워크 반송이 필요할 경우에는 늘어진 다이싱테이프가 크게 아래로 쳐져 부정(不定)한 상태로 된다. 그러면 도 26에 단면도로 나타낸 바와 같이 다이싱테이프(S) 상에서 DAF(D)와 함께 개편화(個片化) 된 칩(T)의 표면끼리가 서로 접촉해버린다. 이와 같이 이웃이 된 칩 간의 틈이 없어져 버리면, 그 후의 공정에서 칩의 파손이 생기거나 하여 품질 저하를 초래해 버린다.On the other hand, when the cooling / expansion unit and the heat-shrink unit are separate units as in the prior art, and the workpiece conveyance is required between each unit, the stretched dicing tape is largely struck down, resulting in an indefinite state. Then, as shown in the sectional view in FIG. 26, the surfaces of the chips T separated into pieces with the DAF (D) on the dicing tape S come into contact with each other. In this way, if the gap between neighboring chips disappears, the chip may be damaged in a subsequent step, resulting in deterioration in quality.

그러나, 본 실시 형태에 의하면, 도 25에 나타낸 바와 같이 열수축 처리 후에 있어서 개편화(個片化) 된 각칩이 이간한 상태로 유지되어 칩의 품질 저하나 제품 수율의 저하를 생기게 할 일도 없다.However, according to the present embodiment, as shown in Fig. 25, the individual chips separated into pieces after the heat shrink treatment are kept in the separated state, so that the chip quality and the product yield are not reduced.

이상 설명한 제 2실시 형태에 있어서는 웨이퍼 커버에 의해 워크(2)의 반도체 웨이퍼(W)의 부분을 피복해서 가열 수단인 광가열 장치(22)로부터 열적으로 차폐하고 있었지만, 광가열 장치(22)는 스팟적으로 열을 대서 선택적으로 가열할 수 있으므로 웨이퍼 커버로 열적으로 차폐하는 쪽이 바람직하지만, 반드시 웨이퍼 커버에 의한 차폐는 필요하지 않다.In the second embodiment described above, the portion of the semiconductor wafer W of the work 2 is covered with a wafer cover and thermally shielded from the optical heating device 22 serving as a heating means. It is preferable to thermally shield with the wafer cover because the spot can be selectively heated by applying heat, but shielding by the wafer cover is not necessary.

따라서, 제 2의 실시 형태의 변형예로서, 제 2의 실시 형태로부터 웨이퍼 커버(20)의 사용을 그만두는 것도 고려할 수 있다.Therefore, as a modification of the second embodiment, it is also conceivable to stop using the wafer cover 20 from the second embodiment.

이하, 이러한 변형예의 동작을 도 27의 플로우 챠트(flow chart)에 따라 설명한다.Hereinafter, the operation of this modified example will be described according to the flow chart of FIG. 27.

워크 분할 장치로서는 도 6에 나타낸 바와 같이 제 2의 실시 형태의 장치구성으로부터 웨이퍼 커버(20)를 제외한 것, 혹은 장치구성은 같고 단지 웨이퍼 커버(20)을 사용하지 않도록 한 것으로 한다.As the work dividing apparatus, as shown in FIG. 6, the wafer cover 20 is removed from the device configuration of the second embodiment, or the device configuration is the same, and the wafer cover 20 is not used.

먼저 도 27의 스텝(S300)에서 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 DAF(D)을 통해서 다이싱테이프(S)가 접착된 워크(2)의 프레임(F)을 프레임 고정기구(18)에 의해 고정한다. 그리고, 반도체 웨이퍼(W)가 존재하는 영역이 냉동 척테이블(10) 위에 위치하도록 배치한다.First, in step S300 of FIG. 27, the frame F of the workpiece 2 to which the dicing tape S is adhered to the back surface of the semiconductor wafer W through the DAF D is formed by the frame fixing mechanism 18. Fix it. Then, the region where the semiconductor wafer W is present is disposed on the freezing chuck table 10.

다음에 도 27의 스텝(S310)에서 냉동 척테이블(10)에 의해 워크(2)의 이면을 진공 흡착에 의해 흡착해서 냉동 척테이블(10)의 표면에 확실하게 접촉시켜 열전달에 의해 워크(2)를 냉각한다.Next, in step S310 of FIG. 27, the back surface of the work 2 is sucked by the vacuum suction by the freezing chuck table 10, the surface of the freezing chuck table 10 is reliably brought into contact with the work 2 by heat transfer. Cool).

다음에 도 27의 스텝(S320)에서 링 승강기구(16)에 의해 쳐 올리기용 링(12)을 상승시켜 다이싱테이프(S)를 익스팬드한다.Next, in step S320 of FIG. 27, the ring lifting mechanism 16 is raised by the ring elevating mechanism 16 to expand the dicing tape S. FIG.

다음에 도 27의 스텝(S330)에서 쳐 올리기용 링(12)을 반도체 웨이퍼(W)의 아래쪽의 다이싱테이프(S)의 이면이 냉동 척테이블(10)의 표면에 접촉하는 위치까지 하강시킨다. 그에 따라 다이싱테이프(S)의 주변부가 느슨해져 늘어짐부가 발생한다.Next, in step S330 of FIG. 27, the lifting ring 12 is lowered to a position where the rear surface of the dicing tape S below the semiconductor wafer W contacts the surface of the freezing chuck table 10. . As a result, the periphery of the dicing tape S is loosened to produce a sagging portion.

다음에 도 27의 스텝(S340)에서 쳐 올리기용 링(12)의 외측이 느슨한 다이싱테이프(S)의 부분에 대하여만, 광가열 장치(22)로 스팟 광을 받아서 선택적으로 가열시킨다. 그에 따라 다이싱테이프(S)의 늘어짐 부분이 열에 의해 긴장해 늘어짐이 해소한다. 또 이때 다이싱테이프(S)가 느슨한 부분에 가해진 열은 다이싱테이프(S)의 다른 부분에도 전해지지만 다이싱테이프(S)에 접촉하고 있는 쳐 올리기용 링(12)을 통해서 열전달에 의해 열이 달아나기 때문에 DAF(D)의 영역쪽에는 열이 전해지기 어려워지고 있다.Next, in step S340 of FIG. 27, only the portion of the dicing tape S on which the outside of the lifting ring 12 is loose is received by the optical heating device 22 and selectively heated. As a result, the sagging portion of the dicing tape S is strained by heat to eliminate sagging. At this time, the heat applied to the loose portion of the dicing tape S is transmitted to the other portions of the dicing tape S, but is heated by heat transfer through the lifting ring 12 in contact with the dicing tape S. Because of this runaway, heat is hardly transmitted to the area of the DAF (D).

또, 이때 다이싱테이프는 고분자로 열전도율이 낮은 것에 대해 쳐 올리기용 링은 금속 등으로 형성되어 있는 것이므로 열이 그대로 쳐 올리기용 링에 전달되기 쉽고, 또, 쳐 올리기용 링은 다이싱테이프 보다도 열전도율을 높게 설정해 두면, 특히 DAF에는 열이 전해지지 않게 된다.In this case, since the dicing tape is a polymer and has a low thermal conductivity, the squeezing ring is formed of a metal or the like, so that heat is transferred to the squeezing ring as it is, and the squeezing ring is more thermally conductive than a dicing tape. If is set high, especially heat will not be transmitted to DAF.

한편, 이때 냉동 척테이블(10)로 DAF(D)의 영역을 동시에 냉각하도록 해도 좋다.In this case, the freezing chuck table 10 may simultaneously cool the area of the DAF (D).

최후에, 도 27의 스텝(S350)에서 쳐 올리기용 링(12)을 하강시켜서 하강 위치(대기 위치)로 이동시킨다. 또 이 사이 냉동 척테이블(10)에 의한 진공흡착에 의해 열수축부를 냉각함으로써 늘어진 다이싱테이프(S)의 경화를 촉진하도록 해도 좋다. 이렇게 냉동 척테이블(10)에 의해 진공흡착해서 냉각함으로써 다이싱테이프(S)의 외주부가 가열된 부분의 열을 취해 줌으로써 통상 실온에 방치하는 것보다도 단시간에 다이싱테이프(S)를 경화시킬 수 있다.Finally, in step S350 of Fig. 27, the lifting ring 12 is lowered and moved to the lowered position (standby position). In addition, you may make it harden | cure the slack dicing tape S by cooling a heat shrink part by vacuum suction by the freezing chuck table 10 in the meantime. In this way, by vacuum-absorbing and cooling by the freezing chuck table 10, the outer peripheral portion of the dicing tape S is taken out of the heated portion, so that the dicing tape S can be cured in a short time rather than being left at room temperature. have.

그에 따라 칩 간격이 충분히 확보된 워크가 형성되어 다음 공정에서의 처리가 용이하게 된다.Thereby, the workpiece | work which fully secured the chip space | interval is formed and it becomes easy to process in a next process.

이상, 본 발명의 워크 분할장치 및 워크 분할방법에 대해서 상세하게 설명했지만, 본 발명은 이상의 예로 한정되지 않고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 개량이나 변형을 해도 좋은 것은 물론이다.As mentioned above, although the workpiece | work division apparatus and the workpiece | work division method of this invention were demonstrated in detail, this invention is not limited to the above example, Of course, you may make various improvement and deformation in the range which does not deviate from the summary of this invention.

예를 들면 다이싱테이프의 빛이 조사된 영역은 빛이 조사되고 있는 것을 시인할 수 있도록 초월하는 것은 아니지만, 적외선 등으로 조사 지역이 시인되지 않아도 DAF가 존재하는 웨이퍼 영역이 충분히 국소 냉각된 상태에 있는 것을 전제로, 외주의 다이싱테이프의 소정의 지역을 상대적으로 국소 가열할 수 있으면 좋다. 예컨대 웨이퍼 영역에 있어서 냉동 척테이블에 의한 열전달을 사용하고 있는 것이라면, 외주부는 적외선에 의한 복사 현상이나 대류현상에 의한 열 공급이라도 개의치 않는다.For example, the area irradiated with the light of the dicing tape does not transcend to visually recognize that the light is being irradiated. It is only necessary to be able to heat relatively a predetermined area of the dicing tape of the outer periphery assuming that it is present. For example, if heat transfer by the freezing chuck table is used in the wafer area, the outer circumferential portion does not mind the heat supply due to infrared radiation or convection.

한편, 냉동 척테이블도 펠티에소자(Peltier device)를 이용한 냉동 기능을 갖지 않고, 예를 들면 사전에 웨이퍼 내면을 냉각하고, 그 냉각된 상태가 단순한 열용량이 큰 금속제의 척이나 폴라스 세라믹의 척에 흡착하는 것만으로, 그 사전의 냉각 상태를 유지할 수 있고, 다이싱테이프의 외주 영역과 비교하여 충분한 온도차이를 확보할 수 있는 것이라면, 그것은 실질적으로는 상대적인 의미에 있어서 냉동 척으로 간주할 수 있다.On the other hand, the refrigeration chuck table also does not have a freezing function using a Peltier device. For example, the internal surface of the wafer is cooled in advance, and the cooled state is simply applied to a metal chuck or a polar ceramic chuck with a large heat capacity. If only the adsorption can maintain the pre-cooled state and can ensure a sufficient temperature difference compared with the outer peripheral region of the dicing tape, it can be regarded as a freezing chuck in a substantially relative sense.

또, 쳐 올리기용 링으로 웨이퍼 지역 영역과 다이싱테이프의 외주 영역과에 열영역을 구분할 수 있고, 웨이퍼 지역에서는 냉각 상태를 형성하고, 다이싱테이프 외주부에 있어서 가열 상태를 동일개소에서 형성하고 있는 것이라면 좋다.In addition, the heat ring can be divided into a wafer region and a peripheral region of the dicing tape by a squeezing ring, whereby a cooling state is formed in the wafer region, and a heating state is formed at the same place in the outer peripheral portion of the dicing tape. If it is good.

1, 100 : 워크 분할장치 2 : 워크
10 : 냉동 척테이블 12 : 쳐 올리기용 링
14 : 서브링 16 : 링 승강기구
18 : 프레임 고정기구 20 : 웨이퍼 커버
21 : 커버 승강기구 22 : 광가열장치
23 : 히터 승강기구(회전기구) D : 다이 어태치 필름(DAF)
F : 프레임 S : 다이싱테이프
T : 칩 W : 반도체 웨이퍼 1, 100: Work partition device 2: Work
10: freezing chuck table 12: lifting ring
14: sub ring 16: ring lifting mechanism
18: frame fixing mechanism 20: wafer cover
21: cover lifting mechanism 22: optical heating device
23: heater lifting mechanism (rotating mechanism) D: die attach film (DAF)
F: Frame S: Dicing Tape
T: Chip W: Semiconductor Wafer

Claims (13)

다이싱 테이프에 다이싱 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 워크를 미리 형성된 분단 예정 라인에 따라 각각의 칩으로 분할하는 워크 분할장치에 있어서,
분단 예정 라인을 갖는 반도체 웨이퍼로 이루어지는 워크와,
상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)에 첨부된 상기 워크의 분단 예정 라인을 포함하는 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)의 영역을 선택적으로 냉각하는 선택적 냉각수단과,
상기 냉각 후, 상기다이싱 테이프를 익스팬드해서 상기 워크 및 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 분할하는 워크 분할수단과,
상기 다이싱 테이프의 상기 워크가 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 영역 이외의 부분을 선택적으로 가열하여 상기 다이싱 테이프의 상기 익스팬드에 의한 늘어남을 배제하는 선택적 가열수단을 구비한 것을 특징으로 하는 워크 분할장치.In the work dividing device for dividing the workpiece attached to the dicing tape through a die attach film (Die Attach Film) into each chip according to a pre-formed dividing line,
A work consisting of a semiconductor wafer having a line to be divided,
Selective cooling means for selectively cooling an area of the die attach film including a scheduled line of dividing the work attached to the die attach film;
Work dividing means for dividing the work and the die attach film by expanding the dicing tape after the cooling;
And a selective heating means for selectively heating a portion of the dicing tape other than the region attached through the die attach film to prevent stretching by the expand of the dicing tape. Work partition device characterized in that. 제 1항에 있어서, 상기 선택적 냉각수단은 상기 워크가 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 상기 다이싱 테이프에 접촉해서 열전달에 의해 냉각하는 냉각수단인 것을 특징으로 하는 워크 분할장치.The work partitioning apparatus according to claim 1, wherein the selective cooling means is cooling means for cooling the work by contacting the dicing tape attached through the die attach film and cooling by heat transfer. . 제 2항에 있어서, 상기 선택적 냉각 수단은 냉동 척테이블인 것을 특징으로 하는 워크 분할장치.3. The work partitioning apparatus according to claim 2, wherein said selective cooling means is a freezing chuck table. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 워크 분할수단은 상기 냉각된 워크의 외주부를 상기 다이싱 테이프의 외주 지지부에서 상대적으로 밀어 올려서 익스팬드하는 쳐 올리기용 링인 것을 특징으로 하는 워크 분할장치.4. The workpiece according to any one of claims 1 to 3, wherein the workpiece dividing means is a lifting ring that expands by expanding relatively the outer peripheral portion of the cooled workpiece from the outer peripheral support portion of the dicing tape. Partition device. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 기재한 워크 분할장치에 있어서, 더구나 상기 익스팬드된 워크의 영역을 덮도록 밑바닥의 원통 형상을 갖는 승강 가능하게 배치되어 하강했을 때에 상기 워크를 덮는 웨이퍼 커버를 갖추고, 상기 선택적 가열수단은 그 웨이퍼 커버의 주위에 승강 가능하게 배치된 것을 특징으로 하는 워크 분할장치.The work partitioning device according to any one of claims 1 to 3, further comprising a bottom cylindrical shape that is capable of lifting and lowering to cover an area of the expanded work so as to cover the work when lowered. And a wafer cover, wherein said selective heating means is arranged to be elevated around said wafer cover. 제 5항에 있어서, 상기 워크 분할수단은 상기 냉각된 워크의 외주부를 상기 다이싱테이프의 외주 지지부에서 상대적으로 밀어 올려서 익스팬드 하는 쳐 올리기용 링이며, 상기 웨이퍼 커버가 하강해서 상기 워크를 덮을 때에는 그 웨이퍼 커버의 측부의 선단면이 상기 익스팬드 하고 있는 쳐 올리기용 링의 선단면과 맞댈 수 있어 상기 워크를 상기 웨이퍼 커버 내부에 밀폐하는 것을 특징으로 하는 워크 분할장치.6. The work dividing means according to claim 5, wherein the work dividing means is a squeezing ring for expanding and expanding the outer peripheral portion of the cooled workpiece from the outer circumferential support portion of the dicing tape, wherein the wafer cover is lowered to cover the work. And a front end face of the side portion of the wafer cover may be in contact with a front end face of the expanding ring for sealing, thereby sealing the work inside the wafer cover. 제 5항에 있어서, 상기 선택적 가열수단은 상기 워크를 덮고 있는 웨이퍼 커버의 주위를 일정한 주기로 회전 가능하게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 워크 분할장치.6. The work partitioning device according to claim 5, wherein said selective heating means is arranged to be rotatable at regular intervals around the wafer cover covering said work. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 선택적 가열수단은 빛의 복사에 의해 상기 다이싱테이프의 상기 워크가 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 영역 이외의 부분을 선택적으로 가열하는 광가열 수단인 것을 특징으로 하는 워크 분할장치.4. The selective heating means according to any one of claims 1 to 3, wherein the selective heating means includes a portion other than an area where the workpiece of the dicing tape is attached through the die attach film by light radiation. And a light heating means for selectively heating the workpiece. 다이싱테이프에 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 워크를 미리 형성된 분단 예정 라인에 따라 각각의 칩으로 분할하는 워크 분할방법에 있어서,
상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)에 첨부된 상기 워크의 분할 예정 라인을 포함하는 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)의 영역을 선택적으로 냉각하는 선택적 냉각 공정과,
상기 냉각 후 상기 다이싱테이프를 익스팬드해서 상기 워크 및 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 분할하는 워크 분할공정과,
상기 다이싱테이프의 상기 워크가 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 영역 이외의 부분을 선택적으로 가열하고, 상기 다이싱테이프의 상기 익스팬드에 의한 늘어남을 배제하는 선택적 가열공정을 구비한 것을 특징으로 하는 워크 분할방법.In the work dividing method of dividing the work attached to the dicing tape through the die attach film (Die Attach Film) into each chip in accordance with the pre-formed dividing line,
A selective cooling process of selectively cooling an area of the die attach film including a scheduled line of division of the workpiece attached to the die attach film;
A work partitioning step of dividing the work and the die attach film by expanding the dicing tape after the cooling;
A selective heating process for selectively heating a portion of the dicing tape other than the region attached through the die attach film, and excluding stretching by the expand of the dicing tape; Work partitioning method characterized in that provided. 제 9항에 있어서, 상기 선택적 냉각공정은 상기 워크가 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 상기 다이싱테이프에 냉각 수단이 접촉해서 열전달에 의해 냉각하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 워크 분할방법.10. The method of claim 9, wherein the selective cooling step comprises the cooling means by heat transfer in contact with the dicing tape attached to the workpiece through the die attach film (Die Attach Film). Work splitting method. 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 워크 분할공정은 상기 냉각된 워크의 외주부를 쳐 올리기용 링으로 상기 다이싱테이프의 외주 지지부에서 상대적으로 밀어 올려서 익스팬드하는 것을 특징으로 하는 워크 분할방법.The work dividing method according to claim 9 or 10, wherein the work dividing step expands by relatively pushing up the outer peripheral portion of the dicing tape with a ring for lifting the outer peripheral portion of the cooled work. 제 11항에 기재한 워크 분할방법에서 더구나 상기 익스팬드된 워크의 영역을 덮도록 밑바닥의 원통 형상을 이루어 승강 가능하게 배치된 웨이퍼 커버를 갖추고, 그 웨이퍼 커버가 하강했을 때에 상기 원통 형상의 선단면이 상기 익스팬드하고 있는 쳐 올리기용 링의 선단면과 맞댈 수 있어 상기 워크를 그 웨이퍼 커버 내부에 밀폐하는 워크 피복공정을 구비하고, 상기 선택적 가열 공정은 상기 워크를 덮고 있는 상기 웨이퍼 커버의 주위를 선택적으로 가열하는 것을 특징으로 하는 워크 분할방법.12. In the work dividing method as set forth in claim 11, furthermore, there is provided a wafer cover which is formed in a bottomed cylindrical shape so as to be able to be lifted and lowered so as to cover an area of the expanded work, and when the wafer cover is lowered, the cylindrical front end surface. And a work coating step of contacting the distal end surface of the expanding lifting ring to seal the work inside the wafer cover, wherein the selective heating step surrounds the wafer cover covering the work. A method of dividing a workpiece, characterized in that heating selectively. 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 선택적 가열공정은 빛의 복사에 의해 상기 다이싱테이프의 상기 워크가 상기 다이 어태치 필름(Die Attach Film)을 통해서 첨부된 영역 이외의 부분을 선택적으로 가열하는 것을 특징으로 하는 워크 분할방법.The method of claim 9, wherein the selective heating process selectively heats a portion of the dicing tape other than the region to which the workpiece of the dicing tape is attached through the die attach film by radiation of light. Work partitioning method characterized in that.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180123958A (en) * 2017-05-10 2018-11-20 린텍 가부시키가이샤 Spacing device and spacing method
KR20190004657A (en) * 2017-07-04 2019-01-14 닛토덴코 가부시키가이샤 Dicing tape, dicing die bond film and method of manufacturing semiconductor device
KR20190079509A (en) * 2017-12-27 2019-07-05 가부시기가이샤 디스코 Dividing apparatus
CN110098148A (en) * 2018-01-30 2019-08-06 株式会社迪思科 The processing method of chip
KR20190134478A (en) * 2018-05-24 2019-12-04 닛토덴코 가부시키가이샤 Dicing die bonding film and semiconductor device manufacturing method

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5013148B1 (en) * 2011-02-16 2012-08-29 株式会社東京精密 Work dividing apparatus and work dividing method
JP2013191718A (en) * 2012-03-14 2013-09-26 Disco Abrasive Syst Ltd Workpiece division device and division method
JP5885033B2 (en) * 2012-09-24 2016-03-15 株式会社東京精密 Work dividing apparatus and work dividing method
KR102047347B1 (en) * 2012-12-26 2019-11-21 히타치가세이가부시끼가이샤 Expansion method, method for manufacturing semiconductor devices, and semiconductor device
JP6298635B2 (en) * 2014-01-10 2018-03-20 株式会社ディスコ Dividing device and workpiece dividing method
JP6573072B2 (en) * 2015-08-27 2019-09-11 株式会社村田製作所 Film expansion apparatus and method of manufacturing electronic component using the same
JP6570942B2 (en) * 2015-09-18 2019-09-04 株式会社ディスコ Dividing device and wafer dividing method
JP5939416B2 (en) * 2016-02-12 2016-06-22 株式会社東京精密 Work dividing apparatus and work dividing method
JP6060475B2 (en) * 2016-05-16 2017-01-18 株式会社東京精密 Work dividing apparatus and work dividing method
JP6741529B2 (en) * 2016-09-09 2020-08-19 株式会社ディスコ Tip spacing maintenance method
CN109891556B (en) * 2016-10-28 2022-11-22 株式会社东京精密 Workpiece dividing device and workpiece dividing method
JP6414995B2 (en) * 2016-12-14 2018-10-31 株式会社東京精密 Work dividing apparatus and work dividing method
JP6814672B2 (en) * 2017-03-23 2021-01-20 株式会社ディスコ Processing method
JP2018207068A (en) * 2017-06-09 2018-12-27 株式会社ディスコ Pickup method
JP7110541B2 (en) 2018-01-11 2022-08-02 株式会社東京精密 Work dividing device and work dividing method
JP7030006B2 (en) * 2018-04-12 2022-03-04 株式会社ディスコ Expansion method and expansion device
JP7130324B2 (en) * 2018-05-18 2022-09-05 株式会社ディスコ Device chip forming method
JP2018170525A (en) * 2018-07-09 2018-11-01 株式会社東京精密 Workpiece division device and workpiece division method
TWI677932B (en) * 2019-02-01 2019-11-21 相豐科技股份有限公司 Expansion method of stretch film and expander thereof
WO2020217397A1 (en) * 2019-04-25 2020-10-29 日立化成株式会社 Method for producing semiconductor device having dolmen structure, method for producing supporting pieces, and multilayer film
JP7386649B2 (en) 2019-08-29 2023-11-27 株式会社ディスコ tape expansion unit
JP7345328B2 (en) * 2019-09-13 2023-09-15 株式会社ディスコ Processing method of workpiece
CN110729186A (en) * 2019-10-24 2020-01-24 东莞记忆存储科技有限公司 Processing method for wafer cutting and separating
JP7217408B2 (en) * 2020-05-26 2023-02-03 株式会社東京精密 Temperature imparting device and temperature imparting method
US11842907B2 (en) * 2020-07-08 2023-12-12 Applied Materials, Inc. Spot heating by moving a beam with horizontal rotary motion
KR102441184B1 (en) * 2020-07-15 2022-09-07 주식회사 기가레인 Transfer device for easy film exchange and film exchange method
JP7170208B2 (en) * 2021-01-19 2022-11-14 株式会社東京精密 Work dividing device and work dividing method
WO2023042261A1 (en) * 2021-09-14 2023-03-23 ヤマハ発動機株式会社 Expanding device and expanding method
WO2023042260A1 (en) * 2021-09-14 2023-03-23 ヤマハ発動機株式会社 Expansion device
WO2023209901A1 (en) * 2022-04-27 2023-11-02 ヤマハ発動機株式会社 Expanding device, semiconductor chip production method, and semiconductor chip

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2831680B2 (en) * 1989-03-06 1998-12-02 株式会社東芝 Wafer sheet stretching device, wafer sheet stretching method, semiconductor pellet removal method, semiconductor pellet removal device, inner lead bonding device, inner lead bonding method
JPH0541451A (en) * 1991-08-06 1993-02-19 Sony Corp Method and device for pelletizing semiconductor wafer
JP4526651B2 (en) * 1999-08-12 2010-08-18 富士通セミコンダクター株式会社 Semiconductor device
JP4392732B2 (en) * 2000-02-07 2010-01-06 リンテック株式会社 Manufacturing method of semiconductor chip
JP4288392B2 (en) * 2003-09-29 2009-07-01 株式会社東京精密 Expanding method
JP2004200381A (en) * 2002-12-18 2004-07-15 Renesas Technology Corp Manufacturing method of semiconductor device and manufacturing device for semiconductor device
JP2005260154A (en) * 2004-03-15 2005-09-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method of manufacturing chip
WO2005114714A1 (en) * 2004-05-24 2005-12-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Wafer expanding apparatus, component supplying apparatus and wafer sheet expanding method
JP2007027562A (en) * 2005-07-20 2007-02-01 Disco Abrasive Syst Ltd Method of fracturing bonding film attached on wafer
JP2007123658A (en) * 2005-10-31 2007-05-17 Disco Abrasive Syst Ltd Expansion apparatus of adhesive tape
JP2009064905A (en) * 2007-09-05 2009-03-26 Disco Abrasive Syst Ltd Extension method and extension apparatus
JP4935733B2 (en) * 2008-03-24 2012-05-23 富士通株式会社 Lending status display program, lending status display device, and lending status display method
JP5354149B2 (en) * 2008-04-08 2013-11-27 株式会社東京精密 Expanding method
JP5243101B2 (en) * 2008-05-14 2013-07-24 株式会社ディスコ Breaking device
JP5378780B2 (en) * 2008-12-19 2013-12-25 株式会社ディスコ Tape expansion method and tape expansion device
JP5253996B2 (en) * 2008-12-26 2013-07-31 株式会社ディスコ Work dividing method and tape expansion device
JP5791866B2 (en) * 2009-03-06 2015-10-07 株式会社ディスコ Work dividing device
JP5303330B2 (en) * 2009-03-26 2013-10-02 積水化学工業株式会社 Dicing tape and semiconductor chip manufacturing method
JP2011077482A (en) * 2009-10-02 2011-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd Tape expanding device
JP5554118B2 (en) * 2010-03-31 2014-07-23 古河電気工業株式会社 Wafer processing tape
JP5536555B2 (en) * 2010-06-22 2014-07-02 株式会社ディスコ Expansion tape shrink device
JP2012156400A (en) * 2011-01-27 2012-08-16 Disco Abrasive Syst Ltd Tape expanding device
JP5013148B1 (en) * 2011-02-16 2012-08-29 株式会社東京精密 Work dividing apparatus and work dividing method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180123958A (en) * 2017-05-10 2018-11-20 린텍 가부시키가이샤 Spacing device and spacing method
KR20190004657A (en) * 2017-07-04 2019-01-14 닛토덴코 가부시키가이샤 Dicing tape, dicing die bond film and method of manufacturing semiconductor device
KR20190079509A (en) * 2017-12-27 2019-07-05 가부시기가이샤 디스코 Dividing apparatus
CN110098148A (en) * 2018-01-30 2019-08-06 株式会社迪思科 The processing method of chip
KR20190134478A (en) * 2018-05-24 2019-12-04 닛토덴코 가부시키가이샤 Dicing die bonding film and semiconductor device manufacturing method

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