JPH0541451A - Method and device for pelletizing semiconductor wafer - Google Patents
Method and device for pelletizing semiconductor waferInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 160
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 55
- 238000005453 pelletization Methods 0.000 title description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 239000012634 fragment Substances 0.000 abstract 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 87
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 36
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 29
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハのダイシン
グ方法及び装置に係わり、特に、半導体ウエハを良好に
ダイシングすることが可能であると共に、ダイシングテ
ープ上でダイシングされた各半導体チップ間隙間を十分
に引き離し、ダイボンディング時のピツクアップ作業性
を向上させることが可能な半導体ウエハのダイシング方
法及びそれに用いられる装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for dicing a semiconductor wafer, and more particularly to dicing the semiconductor wafer satisfactorily and providing sufficient clearance between the dicing semiconductor chips on a dicing tape. The present invention relates to a semiconductor wafer dicing method and a device used therefor, which can be separated from each other to improve pick-up workability during die bonding.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の半導体ウエハのダイシング方法の
一例を図７に示す。同図（Ａ）に示すように、まず周辺
にディスコリング２が装着されたダイシングテープ４の
表面に、半導体ウエハ６を貼着する。次に、同図（Ｂ）
に示すように、ダイシングテープ４上の半導体ウエハ６
をディープカットダイシングする。ディープカットダイ
シングでは、半導体ウエハ６の切り残し量が約３０±１
０μｍ程度になる。2. Description of the Related Art An example of a conventional method for dicing a semiconductor wafer is shown in FIG. As shown in FIG. 3A, first, the semiconductor wafer 6 is attached to the surface of the dicing tape 4 around which the disco ring 2 is attached. Next, FIG.
, The semiconductor wafer 6 on the dicing tape 4
Deep cut dicing. In deep cut dicing, the uncut amount of the semiconductor wafer 6 is about 30 ± 1.
It becomes about 0 μm.
【０００３】次に、同図（Ｃ）に示すように、ディープ
カットされた半導体ウエハ６の表面を保護テープ８で被
覆し、ダイシングテープ４と共に裏返しにし、ホルダー
１０上に載置する。そして、ダイシングテープ４の上か
ら、ローラ１２でホルダー１０方向に押圧し、半導体ウ
エハ６をブレーキングし、同図（Ｄ）に示すように、分
割された半導体チップ６ａを得る。次に、ダイシングテ
ープ４の周囲を外周方向に引っ張り、ダイシングテープ
４を延伸させる。すると、同図（Ｅ）に示すように、各
半導体チップ６ａの隙間が広がる。その状態で、延伸リ
ング１４に装着してある両面粘着テープ１６に対し、最
外周に位置する半導体チップ６ａの外周位置に位置する
ダイシングテープ４の表面を接着し、ダイシングテープ
４を延伸された状態で固定する。Next, as shown in FIG. 1C, the surface of the deep-cut semiconductor wafer 6 is covered with a protective tape 8, turned upside down together with the dicing tape 4, and placed on a holder 10. Then, the semiconductor wafer 6 is braked from above the dicing tape 4 by the roller 12 toward the holder 10 to obtain the divided semiconductor chips 6a as shown in FIG. Next, the periphery of the dicing tape 4 is pulled in the outer peripheral direction to stretch the dicing tape 4. Then, as shown in FIG. 6E, the gap between the semiconductor chips 6a is widened. In this state, the surface of the dicing tape 4 located at the outer peripheral position of the semiconductor chip 6a located at the outermost periphery is adhered to the double-sided adhesive tape 16 mounted on the stretching ring 14, and the dicing tape 4 is stretched. Fix with.
【０００４】次に、同図（Ｆ）に示すように、ダイシン
グテープ４が接着された延伸リング１４をひっくり返
し、ダイシングテープ４の周囲をゴムバンド１８で延伸
リング１４に対し固定すると共に、保護テープ８を剥
す。すると、半導体チップ６ａがダイシングテープ４上
に所定間隔で配置される。このように半導体チップ６ａ
を所定間隔で配置するのは、その後のダイボンディング
工程における半導体チップ６ａのピックアップ作業性を
向上させるためである。Next, as shown in FIG. 1F, the stretch ring 14 to which the dicing tape 4 is adhered is turned over, and the periphery of the dicing tape 4 is fixed to the stretch ring 14 with a rubber band 18 and protected. Peel off the tape 8. Then, the semiconductor chips 6a are arranged on the dicing tape 4 at predetermined intervals. Thus, the semiconductor chip 6a
Are arranged at predetermined intervals in order to improve the workability of picking up the semiconductor chip 6a in the subsequent die bonding process.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体ウエハのダイシング方法では、ローラ１２を
用いて強制的に半導体ウエハ６をブレーキングするた
め、半導体ウエハ上のアルミ電極表面に傷がついたり、
得られる半導体チップに欠けが生じるおそれがあり、検
査工程に長時間を要する等の問題点を有している。ま
た、半導体ウエハをダイシングして得られる半導体チッ
プが、バリキャップダイオード等の比較的小さなチップ
の場合には、機械によるローラ押圧動作では良好にブレ
ーキングできないことから、ローラ１２による押圧動作
を手作業でやらなければならず、そのための作業が煩雑
であるという問題点も有する。また、従来の方法では、
各半導体チップを十分に分離するためのダイシングテー
プの延伸量が一定であり、任意の延伸倍率でダイシング
テープを延伸することはできないと共に、半導体チップ
が載置してある位置によってダイシングテープの延伸量
にばらつきが生じ易いという問題点を有している。その
結果、その後の工程におけるダイボンディング時に、各
半導体チップをコレットなどによりピックアップする作
業性が低下するという問題点を有している。However, in such a semiconductor wafer dicing method, since the semiconductor wafer 6 is forcibly braked by using the roller 12, the surface of the aluminum electrode on the semiconductor wafer may be damaged. ,
There is a problem that the obtained semiconductor chip may be chipped and the inspection process requires a long time. When the semiconductor chip obtained by dicing the semiconductor wafer is a relatively small chip such as a varicap diode, the roller pressing operation by the machine cannot satisfactorily brake, so the pressing operation by the roller 12 is manually performed. There is also a problem in that the work for doing so is complicated. Also, in the conventional method,
The stretching amount of the dicing tape for separating each semiconductor chip sufficiently is constant, the dicing tape cannot be stretched at an arbitrary stretching ratio, and the stretching amount of the dicing tape depends on the position where the semiconductor chip is placed. However, there is a problem that variations easily occur. As a result, there is a problem in that the workability of picking up each semiconductor chip with a collet or the like is reduced during die bonding in the subsequent steps.
【０００６】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、ウエハ表面に傷や欠け等を生じさせることなく、良
好にダイシングすることが可能であり、任意の延伸倍率
でダイシングテープを延伸することが可能であり、ダイ
シングテープ上でダイシングされた各半導体チップを均
一な間隔で十分に分離することが可能なダイシング方法
及びそれに用いる装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to satisfactorily perform dicing without causing scratches or chips on the surface of the wafer, and to stretch the dicing tape at an arbitrary stretching ratio. It is an object of the present invention to provide a dicing method and an apparatus used therefor capable of sufficiently separating the respective semiconductor chips diced on the dicing tape at uniform intervals.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のダイシング方法は、ダイシングテープ上
に、半導体ウエハを設置し、この半導体ウエハをフルカ
ットダイシングするダイシング工程と、ダイシングテー
プの周囲を固定しつつ、ダイシングされた半導体ウエハ
が設置されたダイシングテープ部分を相対的に任意の所
定量押し上げて、ダイシングテープを延伸させ、ダイシ
ングテープ上のダイシングされた個々の半導体チップを
所定間隔で引き離す第１段階延伸工程と、延伸されたダ
イシングテープをインナリングとアウタリングとで挟み
込みつつ延伸する第２段階延伸工程とを有する。In order to achieve the above object, the dicing method of the present invention comprises a dicing step of placing a semiconductor wafer on a dicing tape and performing full-cut dicing on the semiconductor wafer, and a dicing tape While fixing the periphery, the dicing tape portion on which the diced semiconductor wafer is installed is pushed up relatively by a predetermined amount, the dicing tape is stretched, and the individual diced semiconductor chips on the dicing tape are spaced at predetermined intervals. It has a first-stage stretching step of separating and a second-stage stretching step of stretching while stretching the stretched dicing tape between the inner ring and the outer ring.
【０００８】また、本発明のダイシングテープ延伸装置
は、フルカットダイシングされた半導体ウエハが設置さ
れるダイシングテープと、このダイシングテープの周囲
を固定する固定手段と、この固定手段に対して相対的に
上下動移動自在に装着され、頂部外周にインナリングが
装着され、この頂部が上記ダイシングされた半導体ウエ
ハの裏側に位置するダイシングテープの表面に適宜圧接
し、半導体ウエハが設置されたダイシングテープ部分
を、上記固定手段に対して相対的に上方に押し上げるこ
とにより、ダイシングテープを延伸させることが可能な
インナリングホルダーと、上記固定手段に対して相対的
に上下動可能に装着され、上記インナリングホルダーに
対して接近する方向の相対移動により、上記インナリン
グの外周にダイシングテープを挟み込むように嵌合され
るアウタリングが装着してあるアウタリングホルダーと
を有する。Further, the dicing tape stretching apparatus of the present invention comprises a dicing tape on which a semiconductor wafer that has been subjected to full-cut dicing is placed, a fixing means for fixing the periphery of the dicing tape, and a relative position with respect to the fixing means. It is mounted so that it can move up and down, an inner ring is mounted on the outer periphery of the top, and the top is appropriately pressed against the surface of the dicing tape located on the back side of the diced semiconductor wafer, and the dicing tape portion on which the semiconductor wafer is installed is attached. An inner ring holder capable of extending the dicing tape by pushing it upward relative to the fixing means, and an inner ring holder mounted so as to be vertically movable relative to the fixing means. By the relative movement in the direction of approaching the Having an outer ring holder outer ring fitted so as to sandwich the tape are mounted.
【０００９】[0009]
【作用】本発明では、半導体ウエハをフルカットダイシ
ングするようにしているので、従来のようにローラによ
る押圧作業が一切不用となる。また、従来必要としてい
た保護テープも不用となる。さらに、ダイシングテープ
の周囲を固定している固定手段に対して、インナリング
ホルダーを相対的に押し上げること等の手段で、ダイシ
ングテープを任意の延伸倍率に延伸させることができ
る。その後、インナリングの外周にアウタリングを嵌合
させることで、ダイシングテープに対し、第２段階目の
延伸を行う。インナリングとアウタリングの嵌合が終了
すれば、半導体チップが載置されているダイシングテー
プ部分は、任意の延伸倍率で延伸された状態で固定され
ることになる。したがって、各半導体チップは、所定の
間隔で均一にダイシングテープ上に配置される。In the present invention, since the semiconductor wafer is subjected to full-cut dicing, the pressing work by the roller as in the conventional case is completely unnecessary. Further, the protective tape which has been conventionally required is also unnecessary. Furthermore, the dicing tape can be stretched to an arbitrary stretching ratio by means such as pushing up the inner ring holder relative to the fixing means that fixes the periphery of the dicing tape. After that, the outer ring is fitted to the outer circumference of the inner ring, so that the dicing tape is stretched in the second stage. When the fitting of the inner ring and the outer ring is completed, the portion of the dicing tape on which the semiconductor chip is mounted is fixed in the stretched state at an arbitrary stretch ratio. Therefore, the semiconductor chips are uniformly arranged on the dicing tape at a predetermined interval.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明の一実施例に係る半導体ウエハ
のダイシング方法について、図面を参照しつつ詳細に説
明する。図１〜５は本発明の一実施例に係る半導体ウエ
ハのダイシング方法を示す概略断面図、図６は本発明の
一実施例に係る半導体ウエハのダイシングテープ延伸装
置の全体図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor wafer dicing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. 1 to 5 are schematic sectional views showing a method for dicing a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an overall view of a dicing tape stretching apparatus for a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
【００１１】図１に示すように、本実施例のダイシング
方法では、半導体ウエハ６をダイシングテープ４上でフ
ルカットダイシングし、ウエハを各半導体チップ６ａに
分割する。フルカットダイシングとは、ディープカット
ダイシングとは異なり、切り残しを設けないで半導体ウ
エハ６を半導体チップ６ａに分割することである。ダイ
シングに用いられる切断手段としては、例えばダイヤモ
ンドブレード等が例示される。As shown in FIG. 1, in the dicing method of this embodiment, the semiconductor wafer 6 is subjected to full cut dicing on the dicing tape 4 to divide the wafer into semiconductor chips 6a. The full-cut dicing, unlike the deep-cut dicing, is to divide the semiconductor wafer 6 into semiconductor chips 6a without providing an uncut portion. As a cutting means used for dicing, a diamond blade or the like is exemplified.
【００１２】フルカットダイシングされた半導体ウエハ
６が乗せられたダイシングテープ４は、ダイシングテー
プ４の周縁に装着されたディスコフレームリング２０と
共に、図６に示す半導体ウエハのダイシングテープ延伸
装置４０の下部ユニット２１上に設置される。下部ユニ
ット２１は、ディスコ受けプレート２２と、インナリン
グホルダー２６とから成る。下部ユニット２１の上部に
は、上部ユニット２３が位置するようになっている。上
部ユニット２３は、ディスコフレーム押えプレート３０
とアウタリングホルダー３４とから成る。ディスコフレ
ームリング２０は、図１に示すように、ディスコフレー
ム受けプレート２２の上に設置されるようになってい
る。ディスコフレーム受けプレート２２の中央には、貫
通孔２４が形成してあり、ここにインナリングホルダー
２６が位置するようになっている。インナリングホルダ
ー２６の頂部は半導体ウエハ６と反対側のダイシングテ
ープ４表面に接するように位置し、ホルダー２６の頂部
周囲には、インナリング２８が装着してある。インナリ
ング２８は、半導体ウエハ６の外径よりもさらに大きな
内径を有し、半導体ウエハ６の外周に位置するようにな
っている。また、インナリングホルダー２６には、加熱
手段２９が装着してある。加熱手段２９により、インナ
リングホルダー２６の頂部は、約４０±２°Ｃに加熱し
てある。加熱温度は特に限定されないが、このような加
熱により、その後に行うダイシングテープ４に対する延
伸工程を、きわめてスムーズに行うことができる。The dicing tape 4 on which the semiconductor wafer 6 that has been subjected to full-cut dicing is placed together with the disco frame ring 20 mounted on the periphery of the dicing tape 4 are the lower unit of the dicing tape stretching device 40 for the semiconductor wafer shown in FIG. 21 is installed. The lower unit 21 includes a disco receiving plate 22 and an inner ring holder 26. The upper unit 23 is located above the lower unit 21. The upper unit 23 is a disco frame pressing plate 30.
And an outer ring holder 34. As shown in FIG. 1, the disco frame ring 20 is installed on the disco frame receiving plate 22. A through hole 24 is formed in the center of the disco frame receiving plate 22, and the inner ring holder 26 is located there. The top of the inner ring holder 26 is positioned so as to contact the surface of the dicing tape 4 on the side opposite to the semiconductor wafer 6, and an inner ring 28 is mounted around the top of the holder 26. The inner ring 28 has an inner diameter larger than the outer diameter of the semiconductor wafer 6 and is located on the outer periphery of the semiconductor wafer 6. A heating means 29 is attached to the inner ring holder 26. The top of the inner ring holder 26 is heated to about 40 ± 2 ° C. by the heating means 29. The heating temperature is not particularly limited, but by such heating, the subsequent stretching process for the dicing tape 4 can be performed extremely smoothly.
【００１３】ディスコフレームリング２０がディスコフ
レーム受けプレート２２の上に設置されると、図２に示
すように、上部ユニット２３のディスコフレーム押えプ
レート３０が上から降りてきてディスコフレーム受けプ
レート２２との間で、ダイシングテープ４の周縁をディ
スコフレームリングと共に挟み込み固定する。ディスク
フレーム押えプレート３０、ディスコフレームリング２
０及びディスコフレーム受けプレート２２が、ダイシン
グテープに対する固定手段を構成する。When the disco frame ring 20 is installed on the disco frame receiving plate 22, as shown in FIG. 2, the disco frame pressing plate 30 of the upper unit 23 comes down from above and the disco frame receiving plate 22 In between, the peripheral edge of the dicing tape 4 is sandwiched and fixed together with the disco frame ring. Disc frame retainer plate 30, disco frame ring 2
0 and the disco frame receiving plate 22 constitute a fixing means for the dicing tape.
【００１４】ダイシングテープ４の周縁を固定した後、
図３に示すように、押えプレート３０をさらに下に押し
下げて、相対的にインナリングホルダー２６を上方に押
し上げる。図３及び図６に示すように、ディスコフレー
ム受けプレート２２の下部には、スプリング３２が装着
してあるので、プレート２２は、押えプレート３０によ
りスプリング３２の弾性力に抗して押し下げられる。押
えプレート３０を押し下げ移動させるための駆動源は、
特に限定されないが、例えば空気圧シリンダ等が例示さ
れる。その空気圧力は、特に限定されないが、約４ｋｇ
／ｃｍ2 程度である。押えプレート３０が押し下げられ
ると、ダイシングテープ４は、押えプレート３０の押し
下げ量に対応して延伸させられる。この延伸が第１段階
の延伸に相当する。この第１段階の延伸による延伸量
は、押えプレート３０の押し下げ量を選択することで、
任意に改変させることが可能である。ダイシングテープ
４が延伸させられると、その上に接着されたダイシング
後の各半導体チップ６ａは、それぞれの間隔が引き離さ
れる。After fixing the peripheral edge of the dicing tape 4,
As shown in FIG. 3, the presser plate 30 is pushed down further, and the inner ring holder 26 is relatively pushed up. As shown in FIG. 3 and FIG. 6, since the spring 32 is attached to the lower portion of the disco frame receiving plate 22, the plate 22 is pressed down by the pressing plate 30 against the elastic force of the spring 32. The drive source for pushing down and moving the presser plate 30 is
Although not particularly limited, a pneumatic cylinder or the like is exemplified. The air pressure is not particularly limited, but is about 4 kg.
It is about / cm 2 . When the pressing plate 30 is pressed down, the dicing tape 4 is stretched in accordance with the pressing amount of the pressing plate 30. This stretching corresponds to the first stage stretching. The amount of stretching by the stretching in the first step is performed by selecting the amount of pressing down of the pressing plate 30.
It can be modified arbitrarily. When the dicing tape 4 is stretched, the respective semiconductor chips 6a after dicing which are adhered thereon are separated from each other.
【００１５】次に、上からアウタリングホルダー３４が
下降してくる。このホルダー３４の駆動源は特に限定さ
れないが、押えプレート３０を下降移動させるための駆
動源と同様な手段を適用することができる。アウタリン
グホルダー３４には、その下端部に、アウタリング３６
が装着してある。アウタリング３６の内径は、インナリ
ング２８の外径より若干大きい寸法を有し、アウタリン
グホルダー３４の下降移動により、図４に示すように、
アウタリング３６は、インナリング２８の外側に嵌合
し、間にダイシングテープ４を挟み込むようになってい
る。その際に、ダイシングテープ４は、第２段階の延伸
が行われ、延伸された状態で固定される。延伸されたダ
イシングテープ４上には、半導体チップ６ａが所定間隔
分離された状態で設置される。半導体チップ６ａ間の分
離量、すなわちダイシングテープ４の延伸量は、半導体
ウエハ６及びダイシングテープ４を加熱するためにイン
ナリングホルダー２６に設けられた加熱手段２９による
加熱温度と、第１段階の延伸工程における押えプレート
３０の下降量によって決定される。Next, the outer ring holder 34 descends from above. The drive source of the holder 34 is not particularly limited, but the same means as the drive source for moving the pressing plate 30 downward can be applied. The outer ring holder 34 has an outer ring 36 at its lower end.
Is attached. The inner diameter of the outer ring 36 has a size slightly larger than the outer diameter of the inner ring 28, and when the outer ring holder 34 moves downward, as shown in FIG.
The outer ring 36 is fitted on the outer side of the inner ring 28 and sandwiches the dicing tape 4 therebetween. At that time, the dicing tape 4 is stretched in the second stage and is fixed in the stretched state. The semiconductor chips 6a are placed on the stretched dicing tape 4 in a state of being separated by a predetermined distance. The amount of separation between the semiconductor chips 6a, that is, the amount of extension of the dicing tape 4 is determined by the heating temperature of the heating means 29 provided in the inner ring holder 26 for heating the semiconductor wafer 6 and the dicing tape 4, and the first stage extension. It is determined by the descending amount of the pressing plate 30 in the process.
【００１６】その後、延伸されたダイシングテープ４
は、図５に示すように、リング２０，２８，３６と共
に、ダイボンディング用装置に移され、そこで、ダイシ
ングテープ４上の各半導体チップ６ａは、角錘コレット
などのピックアップ装置でピックアップされ、ダイボン
ディングされる。その際に、各半導体チップは、所定の
間隔で均一にダイシングテープ上に配置されているの
で、ピックアップ作業性が向上する。Thereafter, the stretched dicing tape 4
As shown in FIG. 5, the rings 20, 28, and 36 are transferred to a die bonding apparatus, where each semiconductor chip 6a on the dicing tape 4 is picked up by a pickup device such as a pyramid collet. Bonded. At this time, since the respective semiconductor chips are uniformly arranged on the dicing tape at predetermined intervals, the picking workability is improved.
【００１７】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変するこ
とができる。例えば、上述した実施例では、固定手段と
しての押えプレート３０及びフレーム受けプレート２２
が、インナリングホルダー２６に対して押し下がるよう
に構成したが、それと逆に、インナリングホルダー２６
が固定手段に対して押し上がるように構成してもよい。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but can be variously modified within the scope of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the holding plate 30 and the frame receiving plate 22 as the fixing means are provided.
However, the inner ring holder 26 is configured to be pushed down with respect to the inner ring holder 26.
May be configured to be pushed up with respect to the fixing means.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、半導体ウエハをフルカットダイシングするようにし
ているので、従来のようにローラによる押圧作業が一切
不用となる。したがって、ダイシング後の半導体チップ
の表面に傷や欠け等が生じることはなくなる。しかも、
従来必要としていた保護テープも不用となる。As described above, according to the present invention, since the semiconductor wafer is subjected to full-cut dicing, the pressing work by the roller as in the conventional case is completely unnecessary. Therefore, the surface of the semiconductor chip after dicing is not scratched or chipped. Moreover,
The protective tape that was previously required is no longer needed.
【００１９】また、本発明では、ダイシングテープの周
囲を固定している固定手段に対して、インナリングホル
ダーを相対的に押し上げること等の手段で、ダイシング
テープを任意の延伸倍率に容易に延伸させることができ
る。その後、インナリングの外周にアウタリングを嵌合
させることで、ダイシングテープに対し、第２段階目の
延伸が行われれば、半導体チップが載置されているダイ
シングテープ部分は、任意の延伸倍率で延伸された状態
で固定されることになる。したがって、各半導体チップ
は、所定の間隔で均一にダイシングテープ上に配置さ
れ、その後のダイボンディング工程におけるコレットな
どによる半導体チップのピックアップ作業効率が著しく
向上する。さらに、本発明方法を実現するための装置
は、比較的安価な装置であるため、設備費が増大するこ
ともない。特に本発明の方法は、半導体ウエハを比較的
小さいチップに分割する場合に有効である。Further, in the present invention, the dicing tape is easily stretched to a desired stretching ratio by means such as pushing up the inner ring holder relative to the fixing means which fixes the periphery of the dicing tape. be able to. After that, by fitting the outer ring to the outer circumference of the inner ring, if the second step of stretching is performed on the dicing tape, the dicing tape portion on which the semiconductor chip is mounted can be stretched at an arbitrary stretching ratio. It will be fixed in the stretched state. Therefore, the semiconductor chips are uniformly arranged on the dicing tape at predetermined intervals, and the efficiency of picking up the semiconductor chips by the collet or the like in the subsequent die bonding process is significantly improved. Furthermore, since the device for implementing the method of the present invention is a relatively inexpensive device, the facility cost does not increase. In particular, the method of the present invention is effective when dividing a semiconductor wafer into relatively small chips.
【図１】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのダイシ
ング方法の一過程を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a step in a semiconductor wafer dicing method according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのダイシ
ング方法の一過程を示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a step in a method of dicing a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのダイシ
ング方法の一過程を示す概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a step in the semiconductor wafer dicing method according to an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのダイシ
ング方法の一過程を示す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a step in the method of dicing a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
【図５】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのダイシ
ング方法の一過程を示す概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a step in the method of dicing a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
【図６】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのダイシ
ングテープ延伸装置の全体図である。FIG. 6 is an overall view of a dicing tape stretching device for a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
【図７】従来のダイシング方法の一例を示す概略断面図
である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing an example of a conventional dicing method.
４ ダイシングテープ ６ 半導体ウエハ ６ａ 半導体チップ ２０ ディスコフレームリング ２２ ディスコフレーム受けプレート ２６ インナリングホルダー ２８ インナリング ２９ 加熱手段 ３０ ディスコフレーム押えプレート ３４ アウタリングホルダー ３６ アウタリング ４０ 半導体ウエハのダイシングテープ延伸装置 4 Dicing Tape 6 Semiconductor Wafer 6a Semiconductor Chip 20 Disco Frame Ring 22 Disco Frame Receiving Plate 26 Inner Ring Holder 28 Inner Ring 29 Heating Means 30 Disco Frame Holding Plate 34 Outer Ring Holder 36 Outer Ring 40 Semiconductor Wafer Dicing Tape Stretching Device
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成３年１２月２４日[Submission date] December 24, 1991
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】全文[Name of item to be corrected] Full text
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【書類名】 明細書[Document name] Statement
【発明の名称】 半導体ウエハのペレタイズ方法と装置 Title: Method and apparatus for pelletizing semiconductor wafers
【特許請求の範囲】[Claims]
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハのペレタイ
ズ方法及び装置に係わり、特に、半導体ウエハを良好に
ダイシングすることが可能であると共に、ダイシングテ
ープ上でダイシングされた各半導体チップ間隙間を十分
に引き離し、ダイボンディング時のピツクアップ作業性
を向上させることが可能な半導体ウエハのペレタイズ方
法及びそれに用いられる装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor wafer pelletizing.
In particular, it is possible to satisfactorily dice a semiconductor wafer and to sufficiently separate the gaps between the semiconductor chips diced on the dicing tape to improve the pick-up workability during die bonding. Method for pelletizing semiconductor wafers
Method and apparatus used therefor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の半導体ウエハのペレタイズ方法の
一例を図７に示す。同図（Ａ）に示すように、まず周辺
にディスコリング２が装着されたダイシングテープ４の
表面に、半導体ウエハ６を貼着する。次に、同図（Ｂ）
に示すように、ダイシングテープ４上の半導体ウエハ６
をディープカットダイシングする。ディープカットダイ
シングでは、半導体ウエハ６の切り残し量が約３０±１
０μｍ程度になる。2. Description of the Related Art An example of a conventional semiconductor wafer pelletizing method is shown in FIG. As shown in FIG. 3A, first, the semiconductor wafer 6 is attached to the surface of the dicing tape 4 around which the disco ring 2 is attached. Next, FIG.
, The semiconductor wafer 6 on the dicing tape 4
Deep cut dicing. In deep cut dicing, the uncut amount of the semiconductor wafer 6 is about 30 ± 1.
It becomes about 0 μm.
【０００３】次に、同図（Ｃ）に示すように、ディープ
カットされた半導体ウエハ６の表面を保護テープ８で被
覆し、ダイシングテープ４と共に裏返しにし、シリコン
ゴム製のホルダー１０上に載置する。そして、ダイシン
グテープ４の上から、ローラ１２でホルダー１０方向に
押圧し、半導体ウエハ６をブレーキングし、同図（Ｄ）
に示すように、分割された半導体チップ６ａを得る。次
に、ダイシングテープ４の周囲を外周方向に引っ張り、
ダイシングテープ４を延伸させる。すると、同図（Ｅ）
に示すように、各半導体チップ６ａの隙間が広がる。そ
の状態で、延伸リング１４に装着してある両面粘着テー
プ１６に対し、最外周に位置する半導体チップ６ａの外
周位置に位置するダイシングテープ４の表面を接着し、
ダイシングテープ４を延伸された状態で固定する。Then, as shown in FIG. 1C, the surface of the deep-cut semiconductor wafer 6 is covered with a protective tape 8 which is then turned inside out together with the dicing tape 4 to form silicon.
It is placed on the rubber holder 10. Then, the roller 12 is pressed from above the dicing tape 4 toward the holder 10, and the semiconductor wafer 6 is braked.
A divided semiconductor chip 6a is obtained as shown in FIG. Next, pull the periphery of the dicing tape 4 in the outer peripheral direction,
The dicing tape 4 is stretched. Then, the same figure (E)
As shown in, the gap between the semiconductor chips 6a is widened. In this state, the surface of the dicing tape 4 located at the outer peripheral position of the semiconductor chip 6a located at the outermost periphery is bonded to the double-sided adhesive tape 16 mounted on the stretch ring 14.
The dicing tape 4 is fixed in the stretched state.
【０００４】次に、同図（Ｆ）に示すように、ダイシン
グテープ４が接着された延伸リング１４をひっくり返
し、ダイシングテープ４の周囲をゴムバンド１８で延伸
リング１４に対し固定すると共に、保護テープ８を剥
す。すると、半導体チップ６ａがダイシングテープ４上
に所定間隔で配置される。このように半導体チップ６ａ
を所定間隔で配置するのは、その後のダイボンディング
工程における半導体チップ６ａのピックアップ作業性を
向上させるためである。Next, as shown in FIG. 1F, the stretch ring 14 to which the dicing tape 4 is adhered is turned over, and the periphery of the dicing tape 4 is fixed to the stretch ring 14 with a rubber band 18 and protected. Peel off the tape 8. Then, the semiconductor chips 6a are arranged on the dicing tape 4 at predetermined intervals. Thus, the semiconductor chip 6a
Are arranged at predetermined intervals in order to improve the workability of picking up the semiconductor chip 6a in the subsequent die bonding process.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体ウエハのペレタイズ方法では、ローラ１２を
用いて強制的に半導体ウエハ６をブレーキングするた
め、半導体ウエハ上のアルミ電極表面に傷がついたり、
得られる半導体チップに欠けが生じるおそれがあり、検
査工程に長時間を要する等の問題点を有している。ま
た、半導体ウエハをダイシングして得られる半導体チッ
プが、バリキャップダイオード等の０．３ｍｍ角前後の
比較的小さなチップの場合には、機械によるローラ押圧
動作では良好にブレーキングできないことから、ローラ
１２による押圧動作を手作業でやらなければならず、そ
のための作業が煩雑であるという問題点も有する。ま
た、従来の方法では、各半導体チップを分離するための
ダイシングテープの延伸量が一定であり、任意の延伸倍
率でダイシングテープを延伸することはできないと共
に、半導体チップが載置してある位置によってダイシン
グテープの延伸量にばらつきが生じ易いという問題点を
有している。その結果、その後の工程におけるダイボン
ディング時に、各半導体チップをコレットなどによりピ
ックアップする作業性が低下するという問題点を有して
いる。However, in such a method of pelletizing a semiconductor wafer, the semiconductor wafer 6 is forcibly braked by using the roller 12, so that the surface of the aluminum electrode on the semiconductor wafer may be damaged. ,
There is a problem that the obtained semiconductor chip may be chipped and the inspection process requires a long time. Further, when the semiconductor chip obtained by dicing the semiconductor wafer is a relatively small chip of about 0.3 mm square such as a varicap diode, it is impossible to satisfactorily brake by the roller pressing operation by the machine. Therefore, the pressing operation by the roller 12 has to be performed manually, and there is a problem that the operation for that is complicated. Further, in the conventional method, the stretching amount of the dicing tape for separating each semiconductor chip is constant, the dicing tape cannot be stretched at an arbitrary stretching ratio, and depending on the position where the semiconductor chip is placed. There is a problem that the amount of stretching of the dicing tape tends to vary. As a result, there is a problem in that the workability of picking up each semiconductor chip with a collet or the like is reduced during die bonding in the subsequent steps.
【０００６】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、ウエハ表面に傷や欠け等を生じさせることなく、良
好にペレタイズすることが可能であり、任意の延伸倍率
でダイシングテープを延伸することが可能であり、ダイ
シングテープ上でダイシングされた各半導体チップを均
一な間隔で十分に分離することが可能なペレタイズ方法
及びそれに用いる装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and it is possible to satisfactorily pelletize a wafer surface without causing scratches or chips, and to stretch a dicing tape at an arbitrary stretching ratio. The present invention aims to provide a pelletizing method and a device used therefor capable of sufficiently separating the respective semiconductor chips diced on the dicing tape at uniform intervals.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のペレタイズ方法は、ダイシングテープ上
に、半導体ウエハを設置し、この半導体ウエハをフルカ
ットダイシングするダイシング工程と、ダイシングテー
プの周囲を固定しつつ、ダイシングされた半導体ウエハ
が設置されたダイシングテープ部分を相対的に任意の所
定量押し上げて、ダイシングテープを延伸させ、ダイシ
ングテープ上のダイシングされた個々の半導体チップを
所定間隔で引き離す第１段階延伸工程と、延伸されたダ
イシングテープをインナリングとアウタリングとで挟み
込みつつ延伸する第２段階延伸工程とを有する。In order to achieve the above object, the pelletizing method of the present invention comprises a dicing step of placing a semiconductor wafer on a dicing tape and performing full-cut dicing on the semiconductor wafer, and a dicing tape While fixing the periphery, the dicing tape portion on which the diced semiconductor wafer is installed is pushed up relatively by a predetermined amount, the dicing tape is stretched, and the individual diced semiconductor chips on the dicing tape are spaced at predetermined intervals. It has a first-stage stretching step of separating and a second-stage stretching step of stretching while stretching the stretched dicing tape between the inner ring and the outer ring.
【０００８】また、本発明のダイシングテープ延伸装置
は、フルカットダイシングされた半導体ウエハが設置さ
れるダイシングテープと、このダイシングテープの周囲
を固定する固定手段と、この固定手段に対して相対的に
上下動移動自在に装着され、頂部外周にインナリングが
装着され、この頂部が上記ダイシングされた半導体ウエ
ハの裏側に位置するダイシングテープの裏面に適宜圧接
し、半導体ウエハが設置されたダイシングテープ部分
を、上記固定手段に対して相対的に上方に押し上げるこ
とにより、ダイシングテープを延伸させることが可能な
インナリングホルダーと、上記固定手段に対して相対的
に上下動可能に装着され、上記インナリングホルダーに
対して接近する方向の相対移動により、上記インナリン
グの外周にダイシングテープを挟み込むように嵌合され
るアウタリングが装着してあるアウタリングホルダーと
を有する。Further, the dicing tape stretching apparatus of the present invention comprises a dicing tape on which a semiconductor wafer that has been subjected to full-cut dicing is placed, a fixing means for fixing the periphery of the dicing tape, and a relative position with respect to the fixing means. It is mounted so that it can move up and down, and an inner ring is mounted on the outer periphery of the top, and this top is appropriately pressed against the back surface of the dicing tape located on the back side of the diced semiconductor wafer, and the dicing tape portion where the semiconductor wafer is installed is attached. An inner ring holder capable of extending the dicing tape by pushing it upward relative to the fixing means, and an inner ring holder mounted so as to be vertically movable relative to the fixing means. By the relative movement in the direction of approaching the Having an outer ring holder outer ring fitted so as to sandwich the tape are mounted.
【０００９】[0009]
【作用】本発明では、半導体ウエハをフルカットダイシ
ングするようにしているので、従来のようにローラによ
る押圧作業が一切不用となる。また、従来必要としてい
た保護テープも不用となる。さらに、ダイシングテープ
の周囲を固定している固定手段に対して、インナリング
ホルダーを相対的に押し上げること等の手段で、ダイシ
ングテープを任意の延伸倍率に延伸させることができ
る。その後、インナリングの外周にアウタリングを嵌合
させることで、ダイシングテープに対し、第２段階目の
延伸を行う。インナリングとアウタリングの嵌合が終了
すれば、半導体チップが載置されているダイシングテー
プ部分は、任意の延伸倍率で延伸された状態で固定され
ることになる。したがって、各半導体チップは、所定の
間隔で均一にダイシングテープ上に配置される。In the present invention, since the semiconductor wafer is subjected to full-cut dicing, the pressing work by the roller as in the conventional case is completely unnecessary. Further, the protective tape which has been conventionally required is also unnecessary. Furthermore, the dicing tape can be stretched to an arbitrary stretching ratio by means such as pushing up the inner ring holder relative to the fixing means that fixes the periphery of the dicing tape. After that, the outer ring is fitted to the outer circumference of the inner ring, so that the dicing tape is stretched in the second stage. When the fitting of the inner ring and the outer ring is completed, the portion of the dicing tape on which the semiconductor chip is mounted is fixed in the stretched state at an arbitrary stretch ratio. Therefore, the semiconductor chips are uniformly arranged on the dicing tape at a predetermined interval.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明の一実施例に係る半導体ウエハ
のペレタイズ方法について、図面を参照しつつ詳細に説
明する。図１〜５は本発明の一実施例に係る半導体ウエ
ハのペレタイズ方法を示す概略断面図、図６は本発明の
一実施例に係る半導体ウエハのダイシングテープ延伸装
置の全体図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor wafer pelletizing method according to an embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. 1 to 5 are schematic cross-sectional views showing a method of pelletizing a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an overall view of a dicing tape stretching apparatus for a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
【００１１】図１に示すように、本実施例のダイシング
方法では、半導体ウエハ６をダイシングテープ４上でフ
ルカットダイシングし、ウエハを各半導体チップ６ａに
分割する。フルカットダイシングとは、ディープカット
ダイシングとは異なり、切り残しを設けないで半導体ウ
エハ６を半導体チップ６ａに分割することである。ダイ
シングに用いられる切断手段としては、例えばダイヤモ
ンドプレードによるダイシングソー等が例示される。こ
のとき、ダイシングテープへの切り込み量は２０〜３０
（μｍ）が適当である。 As shown in FIG. 1, in the dicing method of this embodiment, the semiconductor wafer 6 is subjected to full cut dicing on the dicing tape 4 to divide the wafer into semiconductor chips 6a. The full-cut dicing, unlike the deep-cut dicing, is to divide the semiconductor wafer 6 into semiconductor chips 6a without providing an uncut portion. Examples of the cutting means used for dicing include a dicing saw made of diamond blade. This
When, the amount of cut into the dicing tape is 20-30
(Μm) is suitable.
【００１２】フルカットダイシングされた半導体ウエハ
６が乗せられたダイシングテープ４は、ダイシングテー
プ４の周縁に装着されたディスコフレームリング２０と
共に、図６に示す半導体ウエハのダイシングテープ延伸
装置４０の下部ユニット２１上に設置される。下部ユニ
ット２１は、ディスコ受けプレート２２と、インナリン
グホルダー２６とから成る。下部ユニット２１の上部に
は、上部ユニット２３が位置するようになっている。上
部ユニット２３は、ディスコフレーム押えプレート３０
とアウタリングホルダー３４とから成る。ディスコフレ
ームリング２０は、図１に示すように、ディスコフレー
ム受けプレート２２の上に設置されるようになってい
る。ディスコフレーム受けプレート２２の中央には、貫
通孔２４が形成してあり、ここにインナリングホルダー
２６が位置するようになっている。インナリングホルダ
ー２６の頂部は半導体ウエハ６と反対側のダイシングテ
ープ４裏面に接するように位置し、ホルダー２６の頂部
周囲には、インナリング２８が装着してある。インナリ
ング２８は、半導体ウエハ６の外径よりもさらに大きな
内径を有し、半導体ウエハ６の外周に位置するようにな
っている。また、インナリングホルダー２６には、加熱
手段２９が装着してある。加熱手段２９により、インナ
リングホルダー２６の頂部は、約４０±２°Ｃに加熱し
てある。加熱温度は特に限定されないが、このような加
熱により、その後に行うダイシングテープ４に対する延
伸工程を、きわめてスムーズに行うことができる。The dicing tape 4 on which the semiconductor wafer 6 that has been subjected to full-cut dicing is placed together with the disco frame ring 20 mounted on the periphery of the dicing tape 4 are the lower unit of the dicing tape stretching device 40 for the semiconductor wafer shown in FIG. 21 is installed. The lower unit 21 includes a disco receiving plate 22 and an inner ring holder 26. The upper unit 23 is located above the lower unit 21. The upper unit 23 is a disco frame pressing plate 30.
And an outer ring holder 34. As shown in FIG. 1, the disco frame ring 20 is installed on the disco frame receiving plate 22. A through hole 24 is formed in the center of the disco frame receiving plate 22, and the inner ring holder 26 is located there. The top of the inner ring holder 26 is positioned so as to contact the back surface of the dicing tape 4 on the side opposite to the semiconductor wafer 6, and an inner ring 28 is mounted around the top of the holder 26. The inner ring 28 has an inner diameter larger than the outer diameter of the semiconductor wafer 6 and is located on the outer periphery of the semiconductor wafer 6. A heating means 29 is attached to the inner ring holder 26. The top of the inner ring holder 26 is heated to about 40 ± 2 ° C. by the heating means 29. The heating temperature is not particularly limited, but by such heating, the subsequent stretching process for the dicing tape 4 can be performed extremely smoothly.
【００１３】ディスコフレームリング２０がディスコフ
レーム受けプレート２２の上に設置されると、図２に示
すように、上部ユニット２３のディスコフレーム押えプ
レート３０が上から降りてきてディスコフレーム受けプ
レート２２との間で、ダイシングテープ４の周縁をディ
スコフレームリングと共に挟み込み固定する。ディスク
フレーム押えプレート３０、ディスコフレームリング２
０及びディスコフレーム受けプレート２２が、ダイシン
グテープに対する固定手段を構成する。When the disco frame ring 20 is installed on the disco frame receiving plate 22, as shown in FIG. 2, the disco frame pressing plate 30 of the upper unit 23 comes down from above and the disco frame receiving plate 22 In between, the peripheral edge of the dicing tape 4 is sandwiched and fixed together with the disco frame ring. Disc frame retainer plate 30, disco frame ring 2
0 and the disco frame receiving plate 22 constitute a fixing means for the dicing tape.
【００１４】ダイシングテープ４の周縁を固定した後、
図３に示すように、押えプレート３０をさらに下に押し
下げて、相対的にインナリングホルダー２６を上方に押
し上げる。図３及び図６に示すように、ディスコフレー
ム受けプレート２２の下部には、スプリング３２が装着
してあるので、プレート２２は、押えプレート３０によ
りスプリング３２の弾性力に抗して押し下げられる。押
えプレート３０を押し下げ移動させるための駆動源は、
特に限定されないが、例えば空気圧シリンダ等が例示さ
れる。その空気圧力は、特に限定されないが、約４ｋｇ
／ｃｍ２程度である。押えプレート３０が押し下げられ
ると、ダイシングテープ４は、押えプレート３０の押し
下げ量に対応して延伸させられる。この延伸が第１段階
の延伸に相当する。この第１段階の延伸による延伸量
は、押えプレート３０の押し下げ量を選択することで、
任意に改変させることが可能である。ダイシングテープ
４が延伸させられると、その上に接着されたダイシング
後の各半導体チップ６ａは、それぞれの間隔が引き離さ
れる。After fixing the peripheral edge of the dicing tape 4,
As shown in FIG. 3, the presser plate 30 is pushed down further, and the inner ring holder 26 is relatively pushed up. As shown in FIG. 3 and FIG. 6, since the spring 32 is attached to the lower portion of the disco frame receiving plate 22, the plate 22 is pressed down by the pressing plate 30 against the elastic force of the spring 32. The drive source for pushing down and moving the presser plate 30 is
Although not particularly limited, a pneumatic cylinder or the like is exemplified. The air pressure is not particularly limited, but is about 4 kg.
It is about / cm 2 . When the pressing plate 30 is pressed down, the dicing tape 4 is stretched in accordance with the pressing amount of the pressing plate 30. This stretching corresponds to the first stage stretching. The amount of stretching by the stretching in the first step is performed by selecting the amount of pressing down of the pressing plate 30.
It can be modified arbitrarily. When the dicing tape 4 is stretched, the respective semiconductor chips 6a after dicing which are adhered thereon are separated from each other.
【００１５】次に、上からアウタリングホルダー３４が
下降してくる。このホルダー３４の駆動源は特に限定さ
れないが、押えプレート３０を下降移動させるための駆
動源と同様な手段を適用することができる。アウタリン
グホルダー３４には、その下端部に、アウタリング３６
が装着してある。アウタリング３６の内径は、インナリ
ング２８の外径より若干大きい寸法を有し、アウタリン
グホルダー３４の下降移動により、図４に示すように、
アウタリング３６は、インナリング２８の外側に嵌合
し、間にダイシングテープ４を挟み込むようになってい
る。その際に、ダイシングテープ４は、第２段階の延伸
が行われ、延伸された状態で固定される。延伸されたダ
イシングテープ４上には、半導体チップ６ａが所定間隔
分離された状態で設置される。半導体チップ６ａ間の分
離量、すなわちダイシングテープ４の延伸量は、半導体
ウエハ６及びダイシングテープ４を加熱するためにイン
ナリングホルダー２６に設けられた加熱手段２９による
加熱温度と、第１段階の延伸工程における押えプレート
３０の下降量によって決定される。Next, the outer ring holder 34 descends from above. The drive source of the holder 34 is not particularly limited, but the same means as the drive source for moving the pressing plate 30 downward can be applied. The outer ring holder 34 has an outer ring 36 at its lower end.
Is attached. The inner diameter of the outer ring 36 has a size slightly larger than the outer diameter of the inner ring 28, and when the outer ring holder 34 moves downward, as shown in FIG.
The outer ring 36 is fitted on the outer side of the inner ring 28 and sandwiches the dicing tape 4 therebetween. At that time, the dicing tape 4 is stretched in the second stage and is fixed in the stretched state. The semiconductor chips 6a are placed on the stretched dicing tape 4 in a state of being separated by a predetermined distance. The amount of separation between the semiconductor chips 6a, that is, the amount of extension of the dicing tape 4 is determined by the heating temperature of the heating means 29 provided in the inner ring holder 26 for heating the semiconductor wafer 6 and the dicing tape 4, and the first stage extension. It is determined by the descending amount of the pressing plate 30 in the process.
【００１６】その後、延伸されたダイシングテープ４
は、図５に示すように、リング２０，２８，３６と共
に、ダイボンディング用装置に移され、そこで、ダイシ
ングテープ４上の各半導体チップ６ａは、角錘コレット
などのピックアップ装置でピックアップされ、ダイボン
ディングされる。その際に、各半導体チップは、所定の
間隔で均一にダイシングテープ上に配置されているの
で、ピックアップ作業性が向上する。Thereafter, the stretched dicing tape 4
As shown in FIG. 5, the rings 20, 28, and 36 are transferred to a die bonding apparatus, where each semiconductor chip 6a on the dicing tape 4 is picked up by a pickup device such as a pyramid collet. Bonded. At this time, since the respective semiconductor chips are uniformly arranged on the dicing tape at predetermined intervals, the picking workability is improved.
【００１７】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変するこ
とができる。例えば、上述した実施例では、固定手段と
しての押えプレート３０及びフレーム受けプレート２２
が、インナリングホルダー２６に対して押し下がるよう
に構成したが、それと逆に、インナリングホルダー２６
が固定手段に対して押し上がるように構成してもよい。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but can be variously modified within the scope of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the holding plate 30 and the frame receiving plate 22 as the fixing means are provided.
However, the inner ring holder 26 is configured to be pushed down with respect to the inner ring holder 26.
May be configured to be pushed up with respect to the fixing means.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、半導体ウエハをフルカットダイシングするようにし
ているので、従来のようにローラによる押圧作業が一切
不用となる。したがって、ダイシング後の半導体チップ
の表面に傷や欠け等が生じることはなくなる。しかも、
従来必要としていた保膜テープも不用となる。As described above, according to the present invention, since the semiconductor wafer is subjected to full-cut dicing, the pressing work by the roller as in the conventional case is completely unnecessary. Therefore, the surface of the semiconductor chip after dicing is not scratched or chipped. Moreover,
The film-retaining tape that was required in the past is also unnecessary.
【００１９】また、本発明では、ダイシングテープの周
囲を固定している固定手段に対して、インナリングホル
ダーを相対的に押し上げること等の手段で、ダイシング
テープを任意の延伸倍率に容易に延伸させることができ
る。その後、インナリングの外周にアウタリングを嵌合
させることで、ダイシングテープに対し、第２段階目の
延伸が行われれば、半導体チップが載置されているダイ
シングテープ部分は、任意の延伸倍率で延伸された状態
で固定されることになる。したがって、各半導体チップ
は、所定の間隔で均一にダイシングテープ上に配置さ
れ、その後のダイボンディング工程におけるコレットな
どによる半導体チップのピックアップ作業効率が著しく
向上する。さらに、本発明方法を実現するための装置
は、比較的安価な装置であるため、設備費が増大するこ
ともない。特に本発明の方法は、半導体ウエハを比較的
小さいチップに分割する場合に有効である。Further, in the present invention, the dicing tape is easily stretched to a desired stretching ratio by means such as pushing up the inner ring holder relative to the fixing means which fixes the periphery of the dicing tape. be able to. After that, by fitting the outer ring to the outer circumference of the inner ring, if the second step of stretching is performed on the dicing tape, the dicing tape portion on which the semiconductor chip is mounted can be stretched at an arbitrary stretching ratio. It will be fixed in the stretched state. Therefore, the semiconductor chips are uniformly arranged on the dicing tape at predetermined intervals, and the efficiency of picking up the semiconductor chips by the collet or the like in the subsequent die bonding process is significantly improved. Furthermore, since the device for implementing the method of the present invention is a relatively inexpensive device, the facility cost does not increase. In particular, the method of the present invention is effective when dividing a semiconductor wafer into relatively small chips.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのペレタ
イズ方法の一過程を示す概略断面図である。FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer pelletizer according to an embodiment of the present invention .
It is a schematic sectional drawing which shows one process of the noise method .
【図２】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのペレタ
イズ方法の一過程を示す概略断面図である。FIG. 2 is a semiconductor wafer pelletizer according to an embodiment of the present invention .
It is a schematic sectional drawing which shows one process of the noise method .
【図３】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのペレタ
イズ方法の一過程を示す概略断面図である。FIG. 3 is a perspective view of a semiconductor wafer pelletizer according to an embodiment of the present invention .
It is a schematic sectional drawing which shows one process of the noise method .
【図４】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのペレタ
イズ方法の一過程を示す概略断面図である。FIG. 4 is a perspective view of a semiconductor wafer pelletizer according to an embodiment of the present invention .
It is a schematic sectional drawing which shows one process of the noise method .
【図５】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのペレタ
イズ方法の一過程を示す概略断面図である。FIG. 5 is a semiconductor wafer pelletizer according to an embodiment of the present invention .
It is a schematic sectional drawing which shows one process of the noise method .
【図６】本発明の一実施例に係る半導体ウエハのダイシ
ングテープ延伸装置の全体図である。FIG. 6 is an overall view of a dicing tape stretching device for a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
【図７】従来のペレタイズ方法の一例を示す概略断面図
である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing an example of a conventional pelletizing method .
【符号の説明】 ４ ダイシングテープ ６ 半導体ウエハ ６ａ 半導体チップ ２０ ディスコフレームリング ２２ ディスコフレーム受けプレート ２６ インナリングホルダー ２８ インナリング ２９ 加熱手段 ３０ ディスコフレーム押えプレート ３４ アウタリングホルダー ３６ アウタリング ４０ 半導体ウエハのダイシングテープ延伸装置[Explanation of symbols] 4 dicing tape 6 semiconductor wafer 6a semiconductor chip 20 disco frame ring 22 disco frame receiving plate 26 inner ring holder 28 inner ring 29 heating means 30 disco frame pressing plate 34 outer ring holder 36 outer ring 40 dicing of semiconductor wafer Tape stretching machine
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図７[Name of item to be corrected] Figure 7
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図７】 [Figure 7]
Claims (3)
設置し、この半導体ウエハをフルカットダイシングする
ダイシング工程と、 ダイシングテープの周囲を固定しつつ、ダイシングされ
た半導体ウエハが設置されたダイシングテープ部分を相
対的に任意の所定量押し上げて、ダイシングテープを延
伸させ、ダイシングテープ上のダイシングされた個々の
半導体チップを所定間隔で引き離す第１段階延伸工程
と、 延伸されたダイシングテープをインナリングとアウタリ
ングとで挟み込みつつ延伸する第２段階延伸工程とを有
する半導体ウエハのダイシング方法。1. A dicing step of placing a semiconductor wafer on a dicing tape and performing full-cut dicing on the semiconductor wafer, and fixing a periphery of the dicing tape to a portion of the dicing tape on which the diced semiconductor wafer is placed. A first step of stretching the dicing tape by pushing it up by a relatively arbitrary amount, and separating the individual diced semiconductor chips on the dicing tape at predetermined intervals, and the inner ring and outer ring of the stretched dicing tape. And a second-stage stretching step of stretching while sandwiching the semiconductor wafer with the semiconductor wafer.
ハが設置されるダイシングテープと、 このダイシングテープの周囲を固定する固定手段と、 この固定手段に対して相対的に上下動移動自在に装着さ
れ、頂部外周にインナリングが装着され、この頂部が上
記ダイシングされた半導体ウエハの裏側に位置するダイ
シングテープの表面に適宜圧接し、半導体ウエハが設置
されたダイシングテープ部分を、上記固定手段に対して
相対的に上方に押し上げることにより、ダイシングテー
プを延伸させることが可能なインナリングホルダーと、 上記固定手段に対して相対的に上下動可能に装着され、
上記インナリングホルダーに対して接近する方向の相対
移動により、上記インナリングの外周にダイシングテー
プを挟み込むように嵌合されるアウタリングが装着して
あるアウタリングホルダーとを有する半導体ウエハのダ
イシングテープ延伸装置。2. A dicing tape on which a semiconductor wafer that has been subjected to full-cut dicing is placed, a fixing means for fixing the periphery of the dicing tape, and a vertically movable movable member relative to the fixing means. An inner ring is mounted on the outer periphery, and the top portion is appropriately pressed against the surface of the dicing tape located on the back side of the diced semiconductor wafer, and the dicing tape portion on which the semiconductor wafer is installed is relatively attached to the fixing means. The inner ring holder capable of stretching the dicing tape by pushing it upwards, and is mounted so as to be vertically movable relative to the fixing means,
Dicing tape stretching of a semiconductor wafer having an outer ring holder equipped with an outer ring fitted so as to sandwich the dicing tape on the outer periphery of the inner ring by relative movement in a direction approaching the inner ring holder apparatus.
ングテープを加熱するための加熱手段が装着してある半
導体ウエハのダイシングテープ延伸装置。3. A dicing tape stretching apparatus for a semiconductor wafer, wherein the inner ring holder is equipped with heating means for heating the dicing tape.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22108491A JPH0541451A (en) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | Method and device for pelletizing semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22108491A JPH0541451A (en) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | Method and device for pelletizing semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541451A true JPH0541451A (en) | 1993-02-19 |
Family
ID=16761242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22108491A Pending JPH0541451A (en) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | Method and device for pelletizing semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541451A (en) |
Cited By (11)
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1991
- 1991-08-06 JP JP22108491A patent/JPH0541451A/en active Pending
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