JP2019012841A - Work division device and work division method - Google Patents
Work division device and work division method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019012841A JP2019012841A JP2018175177A JP2018175177A JP2019012841A JP 2019012841 A JP2019012841 A JP 2019012841A JP 2018175177 A JP2018175177 A JP 2018175177A JP 2018175177 A JP2018175177 A JP 2018175177A JP 2019012841 A JP2019012841 A JP 2019012841A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing tape
- workpiece
- wafer
- work
- daf
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 144
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 56
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 42
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 37
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 29
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 29
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 25
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 21
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 21
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 6
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009300 dissolved air flotation Methods 0.000 description 1
- 239000002654 heat shrinkable material Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N odevixibat Chemical compound C12=CC(SC)=C(OCC(=O)N[C@@H](C(=O)N[C@@H](CC)C(O)=O)C=3C=CC(O)=CC=3)C=C2S(=O)(=O)NC(CCCC)(CCCC)CN1C1=CC=CC=C1 XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
Abstract
Description
本発明は、ワーク分割装置及びワーク分割方法に係り、特に、ダイシングテープを介してリング状のフレームにマウントされ、個々のチップにダイシング、グルービング加工された半導体ウェハに対し、ダイシング加工後にダイシングテープをエキスパンドして個々のチップに分割するワーク分割装置及びワーク分割方法に関するものである。 The present invention relates to a workpiece dividing apparatus and a workpiece dividing method, and in particular, a dicing tape is mounted on a semiconductor wafer mounted on a ring-shaped frame via a dicing tape and diced and grooved into individual chips after dicing. The present invention relates to a workpiece dividing apparatus and a workpiece dividing method for expanding and dividing into individual chips.
従来、半導体チップの製造にあたり、例えば、予めレーザ照射等によりその内部に分断予定ラインが形成された半導体ウェハをDAF(Die Attach Film ダイアタッチフィルム)と呼ばれるダイボンディング用のフィルム状接着剤が付いたダイシングテープ(粘着テープ、粘着シート)を介してフレームに張り付けたワークにおいて、ダイシングテープを拡張(エキスパンド)して半導体ウェハ及びDAFを個々のチップに分割するようにしている。 Conventionally, in the manufacture of semiconductor chips, for example, a semiconductor wafer on which a line to be cut is formed in advance by laser irradiation or the like is attached with a film adhesive for die bonding called DAF (Die Attach Film Die attach film). In a work attached to a frame via a dicing tape (adhesive tape, adhesive sheet), the dicing tape is expanded (expanded) to divide the semiconductor wafer and DAF into individual chips.
図28にワークを示す。図28(a)は斜視図、図28(b)は断面図である。図に示すように、半導体ウェハWは、片面に粘着層が形成された厚さ100μm程度のダイシングテープSが裏面にDAF(D)を介して貼り付けられている。そしてダイシングテープSは剛性のあるリング状のフレームFにマウントされ、ワーク分割装置において、半導体ウェハWがチャックステージに載置され、ダイシングテープSがエキスパンドされて、各チップTに個片化(分割)される。 FIG. 28 shows the work. FIG. 28A is a perspective view, and FIG. 28B is a cross-sectional view. As shown in the figure, a semiconductor wafer W has a dicing tape S having a thickness of about 100 μm with an adhesive layer formed on one side and is attached to the back side via DAF (D). Then, the dicing tape S is mounted on a rigid ring-shaped frame F, and in the work dividing device, the semiconductor wafer W is placed on the chuck stage, the dicing tape S is expanded, and is divided into individual chips (divided). )
ここで、DAFは室温付近では粘性が高く、上述したようにDAFの付いたテープを拡張して半導体ウェハをチップに個片化するためには、DAFを冷却して脆性化させた状態でテープを拡張する必要がある。代表的な冷却方法としては、低温チャックテーブル方式や雰囲気冷却方式が知られている。 Here, DAF is highly viscous near room temperature. As described above, in order to expand the tape with DAF and separate the semiconductor wafer into chips, the DAF is cooled and made brittle. Need to be extended. As typical cooling methods, a low-temperature chuck table method and an atmosphere cooling method are known.
また一方で、テープを拡張してチップに個片化した後の工程での処理のため、拡張後の弛んだテープを再度緊張させる必要がある。代表的な緊張方法としては、フレームにテープ拡張用リングをかしめる方式やテープを温風ヒータ等で加熱する方式がある。このうち温風ヒータを用いる方法は、ランニングコストが安価である反面、温風は拡散してしまうという特性上、テープを冷却・拡張するユニットに搭載し、冷却・拡張と加熱・緊張を一つのユニットで行うことは困難であった。 On the other hand, it is necessary to re-tension the loosened tape after expansion for processing in a process after the tape is expanded and separated into chips. As a typical tension method, there are a method in which a tape expansion ring is crimped on a frame and a method in which the tape is heated with a hot air heater or the like. Of these, the method using a warm air heater is cheaper in running cost, but the warm air diffuses, so it is mounted in a unit that cools and expands the tape, and cooling / expansion and heating / tension are combined into one unit. It was difficult to do in units.
例えば、ワーク分割装置として、予め分割予定ラインが形成されたワークをダイシングテープを介して支持した状態のフレームであるワーク付きフレームのフレームを保持し、フレームとワークとをワークの面に直交する方向に離反させてダイシングテープを拡張させることにより、ワークを分割予定ラインに沿って分割する分割手段と、拡張によって生じたダイシングテープの弛みを加熱して除去する加熱手段と、ワーク付きフレームを回転させながらワークに洗浄液を供給することによりワークを洗浄する洗浄手段と、ワークのダイシングテープに紫外線を照射する手段とを備えたワーク分割装置が提案されている(例えば、特許文献1等参照)。 For example, as a workpiece dividing device, a frame of a workpiece-attached frame that is a frame in which a workpiece on which a division planned line has been formed in advance is supported via a dicing tape is held, and the frame and the workpiece are orthogonal to the surface of the workpiece The dicing tape is expanded by moving the dicing tape apart, the dividing means for dividing the work along the planned dividing line, the heating means for heating and removing the slack of the dicing tape caused by the expansion, and the frame with the work are rotated. However, there has been proposed a workpiece dividing device including a cleaning unit that cleans a workpiece by supplying a cleaning liquid to the workpiece and a unit that irradiates ultraviolet rays onto a dicing tape of the workpiece (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、上記特許文献1に記載されたものでは、冷却・拡張ユニットと、熱収縮ユニットが別ユニットとなっているため、これらのユニット間において、テープが弛んだ状態でワークが搬送されている。このようにテープが弛んだ状態での搬送は、テープ形状が大きく垂れ下がって不定となるため、テープ上で個片化されたチップの上面同士が互いに接触したり、過度の曲げ応力を受けることがある。そのため、チップの破損、品質低下や歩留りの低下を招くという問題があった。 However, since the cooling / expansion unit and the heat-shrinking unit are separate units in the device described in Patent Document 1, the workpiece is transported between these units with the tape loosened. In such a state where the tape is slackened, since the tape shape droops greatly and becomes indefinite, the upper surfaces of the chips separated on the tape may contact each other or receive excessive bending stress. is there. Therefore, there is a problem that the chip is damaged, the quality is deteriorated, and the yield is reduced.
また、弛んだテープを緊張させる際に、雰囲気を全面ヒータ等で過熱した場合、先の冷却して脆化したテープも暖められてしまうことで過度の粘性を持つようになる。すなわち、その後、チップをダイシングテープから剥離する際に、過度の粘着力を有したDAFの影響で、チップをダイシングテープからきれいに剥がすことができなくなる。場合によっては、DAF同士がくっつくことで、チップ間の分断性が悪くなる場合もある。 In addition, when the atmosphere is overheated with a heater or the like when tensioning the loosened tape, the previously cooled and embrittled tape is also warmed, resulting in excessive viscosity. That is, after that, when the chip is peeled from the dicing tape, the chip cannot be peeled cleanly from the dicing tape due to the influence of the DAF having an excessive adhesive force. In some cases, DAFs may stick to each other, resulting in poor inter-chip separation.
本発明はこのような問題に鑑みて成されたものであり、ワークの冷却・拡張及び熱収縮等による拡張状態の保持を同一のユニットで実施することによりユニット間でのワーク搬送をなくし、ダイシングテープの弛みによるチップ相互の接触による品質低下等を防ぎ、またDAFが暖められることによって、ダイシングテープに過度に粘着することを防ぐようにしたワーク分割装置及びワーク分割方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and by carrying out the holding of the expanded state by cooling and expansion of the workpiece and thermal contraction in the same unit, it is possible to eliminate the conveyance of the workpiece between the units and dicing. An object of the present invention is to provide a workpiece dividing device and a workpiece dividing method which prevent deterioration of quality due to contact between chips due to tape slack, and prevent excessive adhesion to a dicing tape when the DAF is heated. To do.
前記目的を達成するために、本発明のワーク分割装置は、ダイシングテープにダイアタッチフィルムを介して貼付されたワークを、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップに分割するワーク分割装置において、前記ワークを保持するワーク保持位置を有し、前記ワークを保持する同位置において、分断予定ラインを有する半導体ウェハからなるワークと、前記ダイアタッチフィルムに貼付された前記ワークの分断予定ラインを含む前記ワークの領域を、前記ダイシングテープに冷凍チャックテーブルを接触させて熱伝達により、選択的に冷却する選択的冷却手段と、前記冷却後、前記ダイシングテープをエキスパンドして、前記ワーク及び前記ダイアタッチフィルムを分割するワーク分割手段と、前記ダイシングテープの前記ワークが前記ダイアタッチフィルムを介して貼付された領域以外の部分を加熱して、前記ダイシングテープの前記エキスパンドによる弛みを排除する加熱手段と、を備えたことを特徴とする。 In order to achieve the above object, a workpiece dividing apparatus according to the present invention divides a workpiece affixed to a dicing tape through a die attach film into individual chips along a predetermined division line. A workpiece holding position for holding the workpiece, and at the same position for holding the workpiece, a workpiece made of a semiconductor wafer having a dividing line, and a dividing line of the workpiece attached to the die attach film. A selective cooling means for selectively cooling the area of the workpiece including the dicing tape in contact with the freezing chuck table by heat transfer; and after the cooling, the dicing tape is expanded to expand the workpiece and the die. A workpiece dividing means for dividing the touch film; and the warp of the dicing tape. Click is heated portions other than the region which is attached via the die attach film, characterized by comprising a heating means for eliminating the slack due to the expanding of the dicing tape.
本発明によれば、ワークが貼付されたダイアタッチフィルムの領域を選択的に冷却する選択的冷却手段と、ダイシングテープのワークが貼付された領域以外の部分を選択的に加熱する選択的加熱手段を備えたため、ワークの冷却・拡張とエキスパンド状態の保持を同一のユニットで実施することができ、ユニット間でのワーク搬送をなくし、ダイシングテープの弛みによるチップの品質低下等を防ぐことができる。 According to the present invention, the selective cooling means for selectively cooling the area of the die attach film to which the work is affixed and the selective heating means for selectively heating a portion other than the area to which the work of the dicing tape is affixed. Therefore, the cooling and expansion of the workpiece and the holding of the expanded state can be performed in the same unit, the workpiece conveyance between the units can be eliminated, and the deterioration of the chip quality due to the slack of the dicing tape can be prevented.
また、選択的冷却手段が、冷凍チャックテーブルであることからワークが貼付されたダイアタッチフィルムの領域のみを選択的に冷却することができる。 Further, since the selective cooling means is a freezing chuck table, only the region of the die attach film to which the workpiece is attached can be selectively cooled.
また、一つの実施態様として、前記選択的冷却手段は、前記ワークが前記ダイアタッチフィルムを介して貼付された前記ダイシングテープに接触して冷却する冷却手段であることが好ましい。 In one embodiment, the selective cooling unit is preferably a cooling unit that cools the workpiece in contact with the dicing tape attached via the die attach film.
これによれば、ワークが貼付されたダイアタッチフィルムの領域のみを選択的に冷却することができる。 According to this, only the area | region of the die attach film to which the workpiece | work was stuck can be selectively cooled.
また、一つの実施態様として、前記ワーク分割手段は、前記冷却されたワークの外周部を、前記ダイシングテープの外周支持部から相対的に押し上げてエキスパンドする突上げ用リングであることが好ましい。 Moreover, as one embodiment, it is preferable that the workpiece dividing means is a push-up ring that pushes and expands the outer peripheral portion of the cooled workpiece relatively from the outer peripheral support portion of the dicing tape.
これによれば、簡単な機構でワークを一度に分割することができる。 According to this, a work can be divided at a time with a simple mechanism.
また、一つの実施態様として、さらに、前記エキスパンドされたワークの領域を覆うように有底の円筒形状を有し昇降可能に配置され、下降したときに前記ワークを覆うウェハカバーを備え、前記加熱手段は該ウェハカバーの周囲に昇降可能に配置されたことが好ましい。 Further, as one embodiment, the apparatus further comprises a wafer cover having a bottomed cylindrical shape so as to cover the expanded workpiece region and arranged so as to be able to be raised and lowered, and covering the workpiece when lowered. The means is preferably arranged to be movable up and down around the wafer cover.
これによれば、突上げ用リングを降下させてもチップ間隔を維持し、ウェハカバーにより半導体ウェハの領域を選択的加熱手段の熱から遮蔽することができ、ダイアタッチフィルムが溶けるのを防ぎ、チップ間の隙間がなくなることを防止することができる。 According to this, even if the thrust ring is lowered, the chip interval is maintained, the area of the semiconductor wafer can be shielded from the heat of the selective heating means by the wafer cover, and the die attach film is prevented from melting, It is possible to prevent the gap between the chips from being lost.
また、一つの実施態様として、前記ワーク分割手段は、前記冷却されたワークの外周部を、前記ダイシングテープの外周支持部から相対的に押し上げてエキスパンドする突上げ用リングであり、前記ウェハカバーが下降して前記ワークを覆うときには、該ウェハカバーの側部の先端面が、前記エキスパンドしている突上げ用リングの先端面と突き合わせられ前記ワークを前記ウェハカバー内部に密閉することが好ましい。 In one embodiment, the workpiece dividing means is a push-up ring that pushes and expands the outer peripheral portion of the cooled workpiece relatively from the outer peripheral support portion of the dicing tape, and the wafer cover includes: When the workpiece is lowered to cover the workpiece, it is preferable that the tip surface of the side portion of the wafer cover is abutted with the tip surface of the expanding push-up ring to seal the workpiece inside the wafer cover.
これにより、半導体ウェハの領域を完全に熱的に遮蔽することができる。 Thereby, the area | region of a semiconductor wafer can be shielded completely thermally.
また、前記目的を達成するために、本発明のワーク分割方法は、ダイシングテープにダイアタッチフィルムを介して貼付されたワークを、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップに分割するワーク分割方法において、前記ワークを保持するワーク保持位置を有し、前記ワークを保持する同位置において、前記ダイアタッチフィルムに貼付された前記ワークの分割予定ラインを含む前記ダイアタッチフィルムの領域を、前記ダイシングテープに冷凍チャックテーブルを接触させて熱伝達により、選択的に冷却する選択的冷却工程と、前記冷却後、前記ダイシングテープをエキスパンドして前記ワーク及び前記ダイアタッチフィルムを分割するワーク分割工程と、前記ダイシングテープの前記ワークが前記ダイアタッチフィルムを介して貼付された領域以外の部分を加熱して、前記ダイシングテープの前記エキスパンドによる弛みを排除する加熱工程と、を備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the work dividing method of the present invention is a work dividing method in which a work affixed to a dicing tape via a die attach film is divided into individual chips along a pre-scheduled dividing line. In the dividing method, the workpiece holding position for holding the workpiece, and in the same position for holding the workpiece, the area of the die attach film including the planned dividing line of the workpiece affixed to the die attach film, A selective cooling step in which a freezing chuck table is brought into contact with the dicing tape and selectively cooled by heat transfer; and after the cooling, the dicing tape is expanded to divide the workpiece and the die attach film; The work of the dicing tape is passed through the die attach film. Heating a portion other than the attached area of Te, characterized in that it comprises a heating step to eliminate slack by said expanding of said dicing tape.
本発明によれば、ワークが貼付されたダイアタッチフィルムの領域を選択的に冷却し、ワークがダイアタッチフィルムを介して貼付された領域以外の部分に発生する弛みを選択的に加熱することができ、ワークの冷却・拡張及び熱収縮を同一のユニットで実施することにより、ユニット間でのワーク搬送をなくし、ダイシングテープの弛みによるチップの品質低下等を防ぐことができる。 According to the present invention, it is possible to selectively cool a region of a die attach film to which a workpiece is attached and selectively heat a slack generated in a portion other than the region to which the workpiece is attached via a die attach film. In addition, by performing workpiece cooling / expansion and thermal contraction in the same unit, it is possible to eliminate the conveyance of the workpiece between the units, and to prevent deterioration of the chip quality due to loosening of the dicing tape.
また、選択的冷却工程は、ダイシングテープに冷凍チャックテーブルが接触して冷却するため、ワークが貼付されたダイアタッチフィルムの領域のみを選択的に冷却することができる。 Further, in the selective cooling step, since the refrigeration chuck table comes into contact with the dicing tape and cools, only the region of the die attach film to which the workpiece is attached can be selectively cooled.
また、一つの実施態様として、前記ワーク分割工程は、前記冷却されたワークの外周部を、突上げ用リングで前記ダイシングテープの外周支持部から相対的に押し上げてエキスパンドすることが好ましい。 In one embodiment, in the workpiece dividing step, it is preferable that the outer peripheral portion of the cooled workpiece is expanded by being pushed up relatively from the outer peripheral support portion of the dicing tape with a push-up ring.
これによれば、簡単な機構でワークを一度に分割することができる。 According to this, a work can be divided at a time with a simple mechanism.
また、一つの実施態様として、さらに、前記エキスパンドされたワークの領域を覆うように有底の円筒形状を有し昇降可能に配置されたウェハカバーを備え、該ウェハカバーが下降したときに前記円筒形状の先端面が前記エキスパンドしている突上げ用リングの先端面と突き合わせられ、前記ワークを該ウェハカバー内部に密閉するワーク被覆工程を有し、前記加熱工程は、前記ワークを覆っている前記ウェハカバーの周囲を加熱することが好ましい。 Further, as one embodiment, the apparatus further comprises a wafer cover having a bottomed cylindrical shape so as to cover the expanded workpiece region and arranged to be movable up and down, and the cylinder when the wafer cover is lowered A tip end surface of the shape is abutted with a tip end surface of the expanding push-up ring, and includes a workpiece covering step for sealing the workpiece inside the wafer cover, and the heating step covers the workpiece It is preferable to heat the periphery of the wafer cover.
これによれば、ワークが貼付されたダイアタッチフィルムの領域を選択的に冷却し、エキスパンドされたワークをウェハカバーで覆うことで熱的に遮蔽した上でダイシングテープの弛み部分を選択的に加熱することにより、ワークの冷却・拡張及び熱収縮を同一のユニットで実施することができ、ユニット間でのワーク搬送をなくし、ダイシングテープの弛みによるチップの品質低下等を防ぐことができる。 According to this, the area of the die attach film to which the work is affixed is selectively cooled, and the expanded work is covered with the wafer cover to be thermally shielded, and the slack portion of the dicing tape is selectively heated. By doing so, the cooling / expansion and thermal contraction of the workpiece can be performed in the same unit, the conveyance of the workpiece between the units can be eliminated, and the deterioration of the chip quality due to the slack of the dicing tape can be prevented.
また、一つの実施態様として、前記選択的加熱工程は、光の輻射により前記ダイシングテープの前記ワークが前記ダイアタッチフィルムを介して貼付された領域以外の部分を選択的に加熱することが好ましい。 Moreover, as one embodiment, it is preferable that the selective heating step selectively heats a portion other than a region where the work of the dicing tape is pasted through the die attach film by radiation of light.
これによれば、ダイシングテープのエキスパンドによって弛んだ部分を選択的に加熱することができる。 According to this, the part loosened by the expansion of the dicing tape can be selectively heated.
以上説明したように、本発明によれば、固定されたワークのダイアタッチフィルムの領域を選択的に冷却し、ダイシングテープのエキスパンド状態が保持されていない部分に発生する弛み部分を選択的に加熱することにより、エキスパンドが解除されてもダイシングテープのエキスパンド状態を保持することができ、ワークの冷却・拡張及び熱収縮等による拡張状態の保持を同一のユニットで実施することができユニット間でのワーク搬送をなくし、ダイシングテープの弛みによるチップの品質低下等を防ぐことができる。 As described above, according to the present invention, the region of the die attach film of the fixed workpiece is selectively cooled, and the slack portion generated in the portion where the expanded state of the dicing tape is not maintained is selectively heated. By doing so, the expanded state of the dicing tape can be maintained even when the expanded state is released, and the expanded state can be maintained in the same unit by cooling / expanding the workpiece and heat shrinking. It is possible to eliminate work conveyance and prevent deterioration of chip quality due to slack of the dicing tape.
以下、添付図面を参照して、本発明に係るワーク分割装置及びワーク分割方法について詳細に説明する。 Hereinafter, a work dividing apparatus and a work dividing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1は、本発明に係るワーク分割装置の第1の実施形態を示す要部断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view of an essential part showing a first embodiment of a workpiece dividing apparatus according to the present invention.
図1に示すように、ワーク分割装置1は、冷凍チャックテーブル10、突上げ用リング12を備えている。冷凍チャックテーブル10上に、図28に示したような、半導体ウェハWがダイシングテープSを介してフレームFにマウントされたワーク2が設置される。なお、半導体ウェハWの裏面には、DAF(Die Attach Film ダイアタッチフィルム)D(以下、DAF(D)と表示する。)を介してダイシングテープSが貼付された状態となっている。ここで例えば、半導体ウェハWは厚さ50μm程度、DAF(D)及びダイシングテープSはそれぞれ厚さ数μmから100μm程度であるとする。 As shown in FIG. 1, the workpiece dividing device 1 includes a refrigeration chuck table 10 and a push-up ring 12. On the freezing chuck table 10, a workpiece 2 in which a semiconductor wafer W is mounted on a frame F via a dicing tape S as shown in FIG. A dicing tape S is attached to the back surface of the semiconductor wafer W via a DAF (Die Attach Film Die attach film) D (hereinafter referred to as DAF (D)). Here, for example, the semiconductor wafer W has a thickness of about 50 μm, and the DAF (D) and the dicing tape S each have a thickness of about several μm to 100 μm.
なお、本実施形態においては、以下のようなテープを用いて加熱収縮実験を行った。すなわち使用したダイシングテープは、PO(ポリオレフィン)系テープとしては、古河電工製のUC−353EP−110やリンテック製のD−675、またPVC(ポリ塩化ビニール)系テープとしては、日東電工製のUE−110Bやリンテック製のD−175、またUV型DAFテープ(基材はPO系)として日立化成工業製のFHシリーズ(例えば、FH−9011)等が挙げられる。 In the present embodiment, a heat shrink experiment was performed using the following tape. In other words, the dicing tape used was a UC-353EP-110 manufactured by Furukawa Electric or D-675 manufactured by Lintec as a PO (polyolefin) tape, and a UE manufactured by Nitto Denko as a PVC (polyvinyl chloride) tape. -110B, D-175 manufactured by Lintec, and UV-type DAF tapes (base material is PO-based) include FH series (for example, FH-9011) manufactured by Hitachi Chemical.
また、感圧型DAFテープ(基材はPO系)としては、日立化成工業製のHRシリーズ(例えばHR−9004)が挙げられる。これらいずれのテープでも熱収縮できることが確認されたが、実験結果についての詳細は後述する。 Moreover, as a pressure-sensitive DAF tape (a base material is PO type), HR series (for example, HR-9004) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. may be mentioned. It has been confirmed that any of these tapes can be thermally shrunk, but details of the experimental results will be described later.
また、これらのテープの熱伝導率は、代表例としてポリエチレンが挙げられるPO系のテープでは、0.3〜0.5W/m・Kであり、PVC系のテープでは0.1〜0.3W/m・Kである。また、Siはドープ量と結晶方位によって異なるが、その熱伝導率は、130〜170W/m・Kである。また、乾燥空気の熱伝導率は、0.02〜0.03W/m・Kである。 In addition, the thermal conductivity of these tapes is 0.3 to 0.5 W / m · K for PO-based tapes that include polyethylene as a representative example, and 0.1 to 0.3 W for PVC-based tapes. / M · K. Further, although Si differs depending on the doping amount and crystal orientation, its thermal conductivity is 130 to 170 W / m · K. The dry air has a thermal conductivity of 0.02 to 0.03 W / m · K.
なお、熱の伝わりやすさのイメージとしては、空気を1とすると、テープは10、シリコンは10000である。 As an image of the ease of heat transfer, if the air is 1, the tape is 10 and the silicon is 10,000.
例えば、0.1mm厚のPO系テープ(熱伝導率を0.4W/m・Kと仮定する)上に、0.02mm厚のDAF(熱伝導率を1W/m・Kと仮定する)と、0.1mm厚のシリコン(熱伝導率を160W/m・Kと仮定する)を貼り付けた場合、PO系テープの熱抵抗値は0.0001m/0.4W/m・K=0.00025m2・K/Wであり、DAFの熱抵抗値は0.00002m/1W/m・K=0.00002m2・K/Wとなる。また、シリコンの熱抵抗値は0.0001m/160W/m・K=0.000000625m2・K/Wである。 For example, on a 0.1 mm thick PO-based tape (assuming a thermal conductivity of 0.4 W / m · K) and a 0.02 mm thick DAF (assuming a thermal conductivity of 1 W / m · K) When 0.1 mm thick silicon (having a thermal conductivity of 160 W / m · K) is pasted, the PO tape has a thermal resistance value of 0.0001 m / 0.4 W / m · K = 0.00025 m. 2 · K / W, and the thermal resistance value of the DAF is 0.00002 m / 1 W / m · K = 0.00002 m 2 · K / W. The thermal resistance value of silicon is 0.0001 m / 160 W / m · K = 0.0000000625 m 2 · K / W.
今これらが直列に接続されているので、テープ裏面からシリコン上面までの熱抵抗値は、上記の和となり、0.000270625m2・K/Wとなる。 Since these are now connected in series, the thermal resistance value from the back surface of the tape to the top surface of the silicon is the sum of the above, and is 0.000270625 m 2 · K / W.
ところで、冷凍チャックテーブルから1mm外側の部分までのダイシングテープ+DAFの熱抵抗値Rは、次のように求められる。すなわち、PO系テープの熱抵抗値は0.001m/0.4W/m・K=0.0025m2・K/Wであり、DAFの熱抵抗値は0.001m/1W/m・K=0.001m2・K/Wであり、これらが並列に接続されているので、抵抗の並列接続に関する次の式から求められる。 By the way, the thermal resistance value R of the dicing tape + DAF from the freezing chuck table to the portion 1 mm outside is obtained as follows. That is, the thermal resistance value of the PO-based tape is 0.001 m / 0.4 W / m · K = 0.0025 m 2 · K / W, and the thermal resistance value of the DAF is 0.001 m / 1 W / m · K = 0. .001m 2 · K / W, and since these are connected in parallel, they can be obtained from the following equation regarding parallel connection of resistors.
1/R = 1/0.0025 + 1/0.001 =400+1000=1400
これより、R=1/1400=0.00071m2・K/Wとなる。
1 / R = 1 / 0.0025 + 1 / 0.001 = 400 + 1000 = 1400
Accordingly, R = 1/1400 = 0.00071 m 2 · K / W.
従って、ダイシングテープ裏面からシリコン上面までの熱抵抗値に対して、冷凍チャックテーブルから1mm外側のダイシングテープの部分までの熱抵抗値は0.00071÷0.000270625=2.62355・・・より、約2.6倍となる。 Therefore, with respect to the thermal resistance value from the back surface of the dicing tape to the upper surface of the silicon, the thermal resistance value from the freezing chuck table to the portion of the dicing tape 1 mm outside is 0.00071 ÷ 0.000270625 = 2.62355. Approximately 2.6 times.
よって、シリコン上面に比べて冷凍チャックテーブルの外周部のダイシングテープは冷凍チャックテーブルによって冷却され難いことがわかる。さらに、外部の空気の影響は伝熱方向と垂直方向に空気層のあるダイシングテープの方が大きい。以上のことから、シリコン上面に比べて冷凍チャックテーブル外周部の温度の方が低下し難いことがわかる。 Therefore, it can be seen that the dicing tape on the outer periphery of the freezing chuck table is less likely to be cooled by the freezing chuck table than the silicon upper surface. Furthermore, the influence of external air is greater in a dicing tape having an air layer in a direction perpendicular to the heat transfer direction. From the above, it can be seen that the temperature of the outer periphery of the freezing chuck table is less likely to be lower than the upper surface of the silicon.
冷凍チャックテーブル10は、ワーク2を真空吸着により保持して、ワーク2を冷凍チャックテーブル10に接触させて、接触した部分を介して熱伝達によりDAF(D)を0℃以下、例えば−5℃〜−10℃程度に冷却するものである。なお、同一物質内で熱が伝わることを熱伝導と言い、異なる物質同士が接触して熱が伝わることを熱伝達と呼ぶ。 The freezing chuck table 10 holds the work 2 by vacuum suction, brings the work 2 into contact with the freezing chuck table 10, and DAF (D) is 0 ° C. or less, for example −5 ° C., by heat transfer through the contacted part. It cools to about -10 degreeC. Note that heat transfer in the same substance is referred to as heat conduction, and heat transfer is performed when different substances come into contact with each other.
冷凍する方式としては、チャック内に冷媒を供給することにより冷凍する方式などもあるが、ペルチェ効果を利用してチャック表面を氷結させる方式でも良い。冷凍チャックテーブルは、ダイシングテープとDAFを介して、ウェハ裏面を真空吸着する。その特徴として、上で述べたことからもわかるように、その吸着領域は熱伝達によりすぐに冷却される一方、吸着領域以外は、あまり冷却されずに済むことである。これは、単に対流等によって雰囲気を冷やすこととは異なり、熱伝達による冷却は、局所的に冷却したい部分のみ冷却させることができるからである。 As a method of freezing, there is a method of freezing by supplying a refrigerant into the chuck, but a method of freezing the chuck surface using the Peltier effect may be used. The freezing chuck table vacuum-sucks the back surface of the wafer via a dicing tape and DAF. The characteristic is that, as can be seen from the above description, the adsorption region is cooled immediately by heat transfer, while the portions other than the adsorption region need not be cooled much. This is because, unlike the case where the atmosphere is simply cooled by convection or the like, the cooling by heat transfer can cool only the portion to be locally cooled.
このように冷凍チャックテーブルによってウェハ分割領域のみを選択的に冷却することができることがわかるが、その理由を以下さらに詳しく説明する。 Thus, it can be seen that only the wafer division region can be selectively cooled by the refrigeration chuck table. The reason will be described in more detail below.
先にも述べたように、DAF及び粘着テープの厚みは、せいぜい100μm程度である。よって、冷凍チャックテーブル表面からの距離は、DAF、及び粘着テープ、ウェハまでの距離はせいぜい大きくて0.2mm以内である。それに対して、冷凍チャックテーブルの外周からDAFの外周までの径の差は12mmであるため、片側6mm程度はある。 As described above, the thickness of the DAF and the adhesive tape is at most about 100 μm. Therefore, the distance from the surface of the freezing chuck table is at most 0.2 mm within the distance to the DAF, the adhesive tape, and the wafer. On the other hand, since the difference in diameter from the outer periphery of the freezing chuck table to the outer periphery of the DAF is 12 mm, there is about 6 mm on one side.
ここで、熱の伝わる現象についてみると、熱量は温度勾配と断面積に比例して伝導、伝達される。 Here, regarding the phenomenon of heat transfer, the amount of heat is conducted and transferred in proportion to the temperature gradient and the cross-sectional area.
厚さΔx、面積Sで囲われたある微小区間SΔx内の断面を通過する熱の総量ΔQは、熱伝導率λ、接触面積S、温度u、温度勾配Δu/Δx、微小時間Δtとして、次式で表すことができる。 The total amount ΔQ of heat passing through a cross section in a minute section SΔx surrounded by a thickness Δx and an area S is expressed as follows: thermal conductivity λ, contact area S, temperature u, temperature gradient Δu / Δx, minute time Δt It can be expressed by a formula.
ΔQ=λS(Δu/Δx)Δt ・・・・・・(1)
なお、異種材料間を伝わる熱伝達においては、同種材料内を伝わる熱伝導と基本的には同じであり、熱伝導率の変わりに熱伝達係数が適用されるだけである。
ΔQ = λS (Δu / Δx) Δt (1)
Note that heat transfer conducted between different materials is basically the same as heat conduction conducted in the same kind of material, and only the heat transfer coefficient is applied instead of the heat conductivity.
よって、冷凍チャックテーブルを、例えば、−5℃に冷却したとする。すると、ウェハ領域内は、DAF及び粘着テープの厚みΔxはせいぜい0.2mmであるのに対して、熱が伝わる断面積Sはウェハ領域全域に相当する。そのため、熱伝達によって移動する熱量は非常に大きく、DAFや粘着テープの熱伝達係数や熱伝導率が多少低くても、熱伝達によってすぐさまウェハ領域内のDAFは冷却される。 Therefore, it is assumed that the freezing chuck table is cooled to, for example, −5 ° C. Then, in the wafer area, the thickness Δx of the DAF and the adhesive tape is 0.2 mm at most, whereas the cross-sectional area S through which heat is transferred corresponds to the entire wafer area. Therefore, the amount of heat transferred by heat transfer is very large, and even if the heat transfer coefficient and heat conductivity of the DAF and the adhesive tape are somewhat low, the DAF in the wafer region is immediately cooled by heat transfer.
一方、DAFの外径部分は、先の事例では、冷凍チャックの外径より6mmも離れている。すなわち、熱が伝導する距離に相当するΔxは6mmとなる。また、DAFを貼り付けているダイシングテープはポリエチレン等の樹脂で形成されているため熱伝導率λも低い。さらに、そのポリエチレンの厚みが100μmと非常に薄いため、すなわち熱が伝わる断面積Sも非常に小さくなる。その結果、ウェハへの熱伝達性と比較して、ダイシングテープやDAFを伝わる熱伝導性は極めて低くなる。 On the other hand, the outer diameter portion of the DAF is 6 mm away from the outer diameter of the freezing chuck in the previous case. That is, Δx corresponding to the distance through which heat is conducted is 6 mm. Further, since the dicing tape to which the DAF is attached is formed of a resin such as polyethylene, the thermal conductivity λ is also low. Furthermore, since the polyethylene has a very small thickness of 100 μm, that is, the cross-sectional area S through which heat is transmitted is very small. As a result, the thermal conductivity transmitted through the dicing tape or DAF is extremely low as compared with the heat transfer to the wafer.
そのため、冷凍チャックが接触しない部分、実質的にダイシングテープの厚み以上に距離が離れているDAF外周部分は、冷凍チャックからの熱伝導によって冷却される影響を受けることはない。また、冷凍チャックから離れたダイシングテープの部分は、ほとんどの面積が周りの雰囲気に晒されているため、冷凍チャックの温度ではなく、冷凍チャック以外の周囲の雰囲気の温度に支配されるようになる。そのため、例えば、周囲の雰囲気を室温に保持している場合は、冷凍チャックが接触している領域以外は、ほとんど周囲の雰囲気の温度になる。すなわち、冷凍チャックの冷凍域で、実質上の温度の境界領域を形成することが可能となる。 Therefore, the portion where the refrigeration chuck does not contact, the outer peripheral portion of the DAF which is substantially separated by the thickness of the dicing tape is not affected by being cooled by the heat conduction from the refrigeration chuck. In addition, since most of the area of the dicing tape away from the freezing chuck is exposed to the surrounding atmosphere, it is governed not by the temperature of the freezing chuck but by the temperature of the surrounding atmosphere other than the freezing chuck. . Therefore, for example, when the surrounding atmosphere is kept at room temperature, the temperature of the surrounding atmosphere is almost the region other than the region where the freezing chuck is in contact. That is, it is possible to form a boundary region of a substantial temperature in the freezing area of the freezing chuck.
以上のような境界領域を形成することは、DAFテープの厚みやダイシングテープの厚みを、ウェハ領域(厳密にはウェハとDAFの双方を分割する領域)よりも外周部にはみ出たDAFまでの距離よりも小さく(薄く)、しているためである。 The formation of the boundary region as described above means that the thickness of the DAF tape or the thickness of the dicing tape is a distance from the wafer region (strictly, the region that divides both the wafer and the DAF) to the DAF that protrudes from the outer peripheral portion. This is because they are smaller (thin).
それにより、熱伝達による冷却エリアを限定し、効率よく所定領域(分割したい領域)だけを冷却することが可能となる。 Thus, it is possible to limit the cooling area by heat transfer and efficiently cool only a predetermined area (area to be divided).
そうしたことから、従来、DAFテープは伸縮性の材料であるから、ウェハ裏面に確実に貼り付けるためには、貼り付け精度上のマージンからDAF外径はウェハ径よりも10mm程度、少なくともDAF外径2mm以上(片側1mm以上)は、ウェハ径よりも大きくなければならなかった。 Therefore, since DAF tape is conventionally a stretchable material, the DAF outer diameter is about 10 mm from the wafer diameter, at least the DAF outer diameter, in order to ensure that the DAF tape is securely attached to the backside of the wafer. 2 mm or more (1 mm or more on one side) had to be larger than the wafer diameter.
その状態でDAF全域を低温にすると、ウェハが存在しない外周部のDAFは、低温になることで脆化し、その結果、DAFの下に存在するダイシングテープとの伸縮性の差でDAFは粘着テープからめくれ上がってしまっていた。めくれ上がったDAFは、一部が分離してウェハ上に降りかかり、DAFが異物としてウェハ上に付着するという問題が起こっていた。 In this state, when the entire area of the DAF is lowered, the DAF in the outer peripheral portion where the wafer is not present becomes brittle when the temperature is lowered. As a result, the DAF is an adhesive tape due to a difference in stretchability with the dicing tape existing under the DAF. I was turning up. A part of the DAF turned up is separated and falls on the wafer, and there is a problem that the DAF adheres to the wafer as a foreign matter.
しかし、DAFが貼り付けられた状態であっても、熱伝達を考慮して、十分薄いDAFとダイシングテープを使用し、冷凍チャックを使用し、ウェハ領域を真空でチャックするとともに、チャックされたウェハ領域のみを効率的に、熱伝達現象で局所冷却することによって、ウェハより外周にはみ出たDAFが冷却されることはない。そのため、外周のDAFが冷却により脆化し、めくれ上がってウェハ上に降りかかるという問題は起こらない。 However, even with DAF attached, considering heat transfer, use a sufficiently thin DAF and dicing tape, use a freezing chuck, chuck the wafer area in vacuum, and chucked wafer By efficiently locally cooling only the region by the heat transfer phenomenon, the DAF that protrudes from the outer periphery of the wafer is not cooled. Therefore, the problem that the outer peripheral DAF becomes brittle by cooling, turns up and falls onto the wafer does not occur.
また一方、冷却された部分においてDAFの分断性は向上するため、ダイシングテープを引っ張ることで、ウェハが割断されると同時に、DAFもきれいに分断することができる。 On the other hand, since the DAF splitting property is improved in the cooled portion, by pulling the dicing tape, the wafer is cleaved and at the same time the DAF can be cut cleanly.
冷凍チャックテーブルの大きさは、ウェハ領域とほぼ同等の大きさである。例えば、ウェハが8インチサイズ(直径200mm)の大きさの場合、冷凍チャックテーブルもウェハ裏面のDAFの分断性を良好にすればよいため、ウェハとほぼ同じ面積の8インチサイズ(直径200mm)がよい。 The size of the freezing chuck table is almost the same size as the wafer area. For example, if the wafer is 8 inches in size (diameter 200 mm), the freezing chuck table should also have good DAF separation on the back side of the wafer. Good.
ウェハを保持するエキスパンド性のダイシングテープは、エキスパンドさせることが必要となるため、当然ウェハよりも大きい領域となる。例えば、ウェハが200mmサイズの場合、エキスパンドするダイシングテープは、300mm程度の大きさのフレームに貼られており、その内側にウェハがある。ウェハとフレームの間も25mm〜40mm以上はある。 Since the expandable dicing tape that holds the wafer needs to be expanded, it naturally becomes an area larger than the wafer. For example, when the wafer is 200 mm in size, the expanding dicing tape is attached to a frame having a size of about 300 mm, and the wafer is inside. There is also between 25 mm and 40 mm or more between the wafer and the frame.
ウェハとダイシングテープの間にはDAFが貼られている。DAFはウェハとほぼ同径ではあるが、実質はウェハよりも少し大きくしている。なぜならば、DAFは伸縮性の材料であるので、全く同一サイズとした場合、ウェハが、DAFに対して、少しずれて貼り付けられてしまう場合があるからである。こうした微妙なずれがあっても、必ずDAF上にウェハを載せ置いて貼り付けるために、DAFはそのずれ量も考慮して多少ウェハよりも大きめ、すなわち、外形にして約1cm程度大きくすることが好ましい。しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、極端な場合、DAFはダイシングテープと同じようにフレームFいっぱいの大きさとしてもよい。 DAF is stuck between the wafer and the dicing tape. DAF is almost the same diameter as the wafer, but is substantially larger than the wafer. This is because DAF is a stretchable material, and if the size is exactly the same, the wafer may be attached to the DAF with a slight deviation. Even if there is such a slight deviation, in order to always place and attach the wafer on the DAF, the DAF may be slightly larger than the wafer in consideration of the deviation, that is, the outer shape may be increased by about 1 cm. preferable. However, the present invention is not necessarily limited to this, and in an extreme case, the DAF may be the full size of the frame F like the dicing tape.
また、突上げ用リング12は、冷凍チャックテーブル10の周りを囲むように配置され、リング昇降機構16によって昇降可能に構成されたリングである。なお、このリングには摩擦力低減のためのコロ(ローラ)を設けてもよい。図1では、突上げ用リング12は、下降位置(待機位置)に位置している。 The push-up ring 12 is a ring that is arranged so as to surround the refrigeration chuck table 10 and that can be moved up and down by the ring lifting mechanism 16. This ring may be provided with a roller (roller) for reducing the frictional force. In FIG. 1, the push-up ring 12 is located at the lowered position (standby position).
この突上げ用リングは、アルミニウムなどの熱伝導性の良い金属等で形成されているのがよい。また、突上げ用リングは、ダイシングテープの全周で接触している。 This push-up ring is preferably formed of a metal having good thermal conductivity such as aluminum. The push-up ring is in contact with the entire circumference of the dicing tape.
このようにダイシングテープと接触する構成としていることにより、突上げ用リングは、以下のような機能を有している。 Thus, by making it the structure which contacts a dicing tape, the ring for thrusting has the following functions.
すなわち、DAFが貼られた領域は、DAFをウェハとともに分断するために、冷却状態を保っておく必要がある。一方、エキスパンドした後に弛みが発生した際、その弛みを排除しなくてはならない。弛みが残されたまま搬送すると、分断されたチップ同士がぶつかってチップを破損することになるからである。この弛みを排除するためには、ダイシングテープとして、加熱すると収縮する機能を有する熱収縮性のテープが使用される。こうしたダイシングテープに使用される熱収縮性を有するテープとしては、特開平9−17756に開示される半導体保護用シート(テープ)を使用すればよい。 That is, the region where the DAF is pasted needs to be kept in a cooled state in order to divide the DAF together with the wafer. On the other hand, when looseness occurs after expanding, the looseness must be eliminated. This is because if the chips are transported with the slack remaining, the divided chips collide with each other and damage the chips. In order to eliminate this slack, a heat shrinkable tape having a function of shrinking when heated is used as a dicing tape. As a heat-shrinkable tape used for such a dicing tape, a semiconductor protective sheet (tape) disclosed in JP-A-9-17756 may be used.
このようにエキスパンドして分断する場合において、本件の場合では、ウェハ領域は冷凍することによって、DAFテープの分断性を向上させることを確保しなければならないとともに、ウェハ領域外の外側においては、弛みをなくす目的でダイシングテープを加熱して収縮させることが必要となる。 In this case, in the case of expanding and dividing in this case, it is necessary to ensure that the wafer area is frozen to improve the dividing property of the DAF tape, and the outside of the wafer area is loosened. In order to eliminate this, it is necessary to heat and dilate the dicing tape.
すなわち、突上げ用リングは、この二つの領域においての熱環境を分離するという機能を有している。 That is, the push-up ring has a function of separating the thermal environment in these two regions.
ウェハ領域は、冷凍チャックテーブルにより冷却される。その冷却した状態は、外部の加熱エリアからの熱の流入は突上げ用リングで遮断される。また、ダイシングテープは高分子でできており、金属などと比べて熱伝導性が悪いため、突上げ用リングの内周部に存在するウェハエリアにも熱が伝わりにくい。 The wafer area is cooled by a freezing chuck table. In the cooled state, the inflow of heat from the external heating area is blocked by the push-up ring. In addition, since the dicing tape is made of a polymer and has a lower thermal conductivity than a metal or the like, heat is not easily transmitted to the wafer area existing on the inner peripheral portion of the push-up ring.
以上から、突上げ用リングによって、熱環境を領域的に完全に隔離することができる。すなわち突上げ用リングの内側、また、特にウェハエリアは局所的に冷却されてDAFの分断性が向上する状態を保つ。一方で突上げ用リングの外側は、加熱することによってダイシングテープを収縮させて、エキスパンドにより発生したダイシングテープ外周部の弛みを除去し、緊張した状況を作ることが可能となる。 From the above, the thermal environment can be completely isolated in a region by the push-up ring. In other words, the inside of the push-up ring, and particularly the wafer area, is locally cooled to maintain a state in which the DAF division is improved. On the other hand, the outside of the push-up ring can be heated to contract the dicing tape to remove the slack of the outer peripheral portion of the dicing tape caused by the expansion, thereby creating a tense situation.
半導体ウェハWには、図28に示すように、予めレーザ照射等によりその内部に分断予定ラインが格子状に形成されている。詳しくは後述するが、突上げ用リング12は、上昇することにより下からダイシングテープSを押し上げて、ダイシングテープSをエキスパンドする。このようにダイシングテープSを引き伸ばすことにより、分断予定ラインが分断されて半導体ウェハWがDAF(D)とともに個々のチップTに分割される。 In the semiconductor wafer W, as shown in FIG. 28, lines to be divided are formed in a lattice shape in advance by laser irradiation or the like. As will be described in detail later, the push-up ring 12 rises to push up the dicing tape S from below and expand the dicing tape S. By extending the dicing tape S in this way, the division line is divided, and the semiconductor wafer W is divided into individual chips T together with DAF (D).
ところで、上述したように、冷凍チャックテーブル10でDAF(D)を冷却するのは、DAF(D)は室温では粘度が高く、突上げ用リング12でダイシングテープSを下側から押し上げても、DAF(D)はダイシングテープSとともに伸びてしまい、分断されないからである。すなわち、DAF(D)を冷却して脆性化することにより、分断しやすくしているのである。 By the way, as described above, the DAF (D) is cooled by the freezing chuck table 10 because the DAF (D) has a high viscosity at room temperature, and even if the dicing tape S is pushed up from the lower side by the push-up ring 12, This is because DAF (D) extends with the dicing tape S and is not divided. That is, DAF (D) is cooled and embrittled, so that it can be easily divided.
なお、図1に示すように、ワーク2は、ダイシングテープSの裏面が、丁度冷凍チャックテーブル10の上面に接触するような位置に、フレーム固定機構18によりフレームFが固定されるようになっている。また、突上げ用リング12の外周側には、サブリング14が設置されている。詳しくは後述するが、このサブリング14は、エキスパンドされたダイシングテープSの拡張状態を保持して、分断されたチップT間の間隔を維持するためのものである。 As shown in FIG. 1, the work 2 is configured such that the frame F is fixed by the frame fixing mechanism 18 at a position where the back surface of the dicing tape S just contacts the upper surface of the freezing chuck table 10. Yes. A sub-ring 14 is provided on the outer peripheral side of the push-up ring 12. As will be described in detail later, the sub-ring 14 is for maintaining the expanded state of the expanded dicing tape S and maintaining the interval between the divided chips T.
以下、図2のフローチャートに沿って、ワーク分割装置1によるワーク2の半導体ウェハWを個々のチップTに分割して個片化する動作を説明する。 The operation of dividing the semiconductor wafer W of the workpiece 2 by the workpiece dividing apparatus 1 into individual chips T by the workpiece dividing apparatus 1 will be described below along the flowchart of FIG.
まず、図2のステップS100において、図1に示すように、半導体ウェハWの裏面にDAF(D)を介してダイシングテープSが接着されたワーク2のフレームFをフレーム固定機構18により固定する。そして、半導体ウェハWが存在する領域が冷凍チャックテーブル10の上に位置するように配置する。 First, in step S100 of FIG. 2, the frame F of the work 2 having the dicing tape S bonded to the back surface of the semiconductor wafer W via the DAF (D) is fixed by the frame fixing mechanism 18 as shown in FIG. And it arrange | positions so that the area | region where the semiconductor wafer W exists may be located on the freezing chuck table 10. FIG.
次に図2のステップS110において、冷凍チャックテーブル10は、ワーク2の裏面を、真空吸着により吸着して冷凍チャックテーブル10の表面に確実に接触させる。冷凍チャックテーブル10は低温状態にあるので、この接触により熱伝達でワーク2は冷却される。特に、DAF(D)が−5℃〜−10℃程度に冷却され、これによりDAF(D)は脆性化し、力を加えることにより容易に割れるようになる。冷凍チャックテーブル10は、所定時間真空吸着を行い特にDAF(D)が所定温度になるまでワーク2の冷却を行う。なお、これらの制御は、図示を省略した制御手段によって行われる。 Next, in step S <b> 110 of FIG. 2, the freezing chuck table 10 adsorbs the back surface of the work 2 by vacuum suction so as to contact the surface of the freezing chuck table 10 with certainty. Since the freezing chuck table 10 is in a low temperature state, the workpiece 2 is cooled by heat transfer by this contact. In particular, DAF (D) is cooled to about −5 ° C. to −10 ° C., so that DAF (D) becomes brittle and easily cracks when force is applied. The freezing chuck table 10 performs vacuum suction for a predetermined time, and in particular, cools the workpiece 2 until DAF (D) reaches a predetermined temperature. These controls are performed by a control means (not shown).
次に、図2のステップS120において、図3に示すように、エキスパンドを行い半導体ウェハWをDAF(D)とともに個片化する。 Next, in step S120 of FIG. 2, as shown in FIG. 3, the semiconductor wafer W is divided into pieces together with DAF (D) by expanding.
すなわち、図3に示すように、冷凍チャックテーブル10は、真空吸着を停止し、ワーク2の吸着を解除し、リング昇降機構16により突上げ用リング12及びサブリング14を上昇させる。突上げ用リング12の上昇は、例えば、400mm/secで、15mm上方に突き上げるようにしている。なお、このときサブリング14はフレームFよりも上には上昇しないような位置で止まっているようにする。 That is, as shown in FIG. 3, the freezing chuck table 10 stops the vacuum suction, releases the suction of the work 2, and raises the push-up ring 12 and the sub-ring 14 by the ring lifting / lowering mechanism 16. The push-up ring 12 is raised, for example, at 400 mm / sec and pushed upward by 15 mm. At this time, the sub ring 14 is stopped at a position where it does not rise above the frame F.
図2に示すように、突上げ用リング12の上昇により、ダイシングテープSは下から押し上げられ、ダイシングテープSの面内において半導体ウェハWの中心から放射状にエキスパンド(拡張)される。ダイシングテープSが拡張されると、半導体ウェハWは分断予定ラインに沿って分割され、個々のチップT間に数μmから100μmの隙間が形成される。このときDAF(D)は、冷却されて脆性化しているので、DAF(D)も半導体ウェハWと一緒に分断予定ラインに沿って分割される。これにより半導体ウェハWは、裏面にDAF(D)が付いた各チップTに個片化される。 As shown in FIG. 2, the dicing tape S is pushed up from below by the rising of the push-up ring 12, and is expanded (expanded) radially from the center of the semiconductor wafer W within the surface of the dicing tape S. When the dicing tape S is expanded, the semiconductor wafer W is divided along the planned dividing line, and a gap of several μm to 100 μm is formed between the individual chips T. At this time, since the DAF (D) is cooled and becomes brittle, the DAF (D) is also divided along the planned dividing line together with the semiconductor wafer W. As a result, the semiconductor wafer W is divided into individual chips T each having a DAF (D) on the back surface.
ダイシングテープSは、突上げ用リング12によるエキスパンドを解除すると、その弾性によって元に戻ってしまい、各チップT間の隙間がなくなってしまうので、少なくとも各チップTが存在する領域においてダイシングテープSの拡張状態を維持しなければならない。 When the dicing tape S is released from the expansion by the push-up ring 12, the dicing tape S returns to its original state due to its elasticity, and there is no gap between the chips T. Therefore, at least in the region where the chips T are present, the dicing tape S is removed. The expanded state must be maintained.
そこで、次に図2のステップS130において、図4に示すように、サブリング14を、フレームF上の拡張されたダイシングテープSに挿入できる位置までリング昇降機構16によって上昇させ、サブリング14をダイシングテープSの拡張された部分に挿入する。このとき、上昇するサブリング14によってダイシングテープSが破断しないように、低速でサブリング14を上昇させる。 Therefore, next, in step S130 of FIG. 2, as shown in FIG. 4, the sub-ring 14 is raised by the ring lifting mechanism 16 to a position where it can be inserted into the expanded dicing tape S on the frame F. Insert into the expanded part of the dicing tape S. At this time, the sub ring 14 is raised at a low speed so that the dicing tape S is not broken by the rising sub ring 14.
次に、図2のステップS140において、図5に示すように、サブリング14だけをフレームFよりも上の位置に残して突上げ用リング12を下降させ、下降位置(待機位置)に移動させる。このとき、サブリング14はフレームF上の位置に残っているので、ダイシングテープSの拡張状態が保持される。 Next, in step S140 of FIG. 2, as shown in FIG. 5, the thrust ring 12 is lowered leaving only the sub-ring 14 at a position above the frame F and moved to the lowered position (standby position). . At this time, since the sub-ring 14 remains at the position on the frame F, the expanded state of the dicing tape S is maintained.
これにより、ダイシングテープSの拡張状態が保持されるので、各チップT間の隙間も広く維持され、DAF(D)が再固着することもない。従って、ダイシングテープSが弛んだ状態でワーク2を搬送するようなことがなく、その後の処理が容易となる。 As a result, the expanded state of the dicing tape S is maintained, so that the gaps between the chips T are maintained wide, and the DAF (D) does not adhere again. Therefore, the work 2 is not transported in a state where the dicing tape S is loosened, and the subsequent processing becomes easy.
以上のように、図2のフローチャートに沿って説明したような方法でワーク2を分割することにより、ワーク分割(個片化)及び分割した各チップ間の隙間を維持するための拡張状態の保持までを一つのユニット内で行うことができ、製品を製造するタクトタイムを速くすることが可能となる。 As described above, by dividing the work 2 by the method described with reference to the flowchart of FIG. 2, the work is divided (individed into pieces) and the extended state is maintained to maintain the gaps between the divided chips. This can be performed in one unit, and the tact time for manufacturing the product can be increased.
しかし、サブリング14を用いてダイシングテープSの拡張状態を保持する方法では、サブリング14によってダイシングテープSを破ってしまう虞がある等の問題がある。 However, the method of holding the expanded state of the dicing tape S using the sub-ring 14 has a problem that the dicing tape S may be broken by the sub-ring 14.
そこで、次にサブリングを用いない実施形態を説明する。 Therefore, an embodiment in which no sub-ring is used will be described next.
図6は、本発明に係るワーク分割装置の第2の実施形態を示す要部断面図である。 FIG. 6 is a cross-sectional view of an essential part showing a second embodiment of the workpiece dividing apparatus according to the present invention.
図6に示すように、本実施形態のワーク分割装置100は、冷凍チャックテーブル10、突上げ用リング12、ウェハカバー(ダイシングテープ抑え)20及び光加熱装置22を備えている。光加熱装置22は、例えば、スポットタイプのハロゲンランプヒータである。また、光加熱装置22は、光を照射して輻射により加熱するものであれば、その他に、レーザやフラッシュランプなどでもよい。 As shown in FIG. 6, the workpiece dividing apparatus 100 of this embodiment includes a refrigeration chuck table 10, a push-up ring 12, a wafer cover (dicing tape restraint) 20, and a light heating device 22. The light heating device 22 is, for example, a spot type halogen lamp heater. In addition, the light heating device 22 may be a laser, a flash lamp, or the like as long as it is irradiated with light and heated by radiation.
こうした光加熱型装置の場合、光の照射状態を目視で確認することができる。また、光が照射された領域は、輻射現象により加熱されるのに対して、光が照射されない領域は加熱されない。すなわち、光を照射するとき、その照射領域を視認することができるので、その照射が視認できる領域を輻射により加熱する領域として局所的に限定することが可能となる。 In the case of such a light heating type device, the irradiation state of light can be visually confirmed. The region irradiated with light is heated by the radiation phenomenon, whereas the region not irradiated with light is not heated. That is, when irradiating light, the irradiation region can be visually recognized, so that the region where the irradiation can be visually recognized can be locally limited as a region heated by radiation.
本実施形態においては、光加熱装置22としてスポットタイプのハロゲンランプヒータを用いている。具体的には、インフリッヂ工業(株)のハロゲンスポットヒータLCB−50(ランプ定格12V/100W)を用いた。焦点距離は35mm、集光径は2mmである。しかし、本実施形態では後述する図11に示すように、丁度集光する部分を用いて加熱するのではなく、光源から対象物までの距離(照射距離)を46mmとして、焦点距離35mmに対して11mmオフセットし、照射径を17.5mmとしている。実際の照射径は、15mmであり、ダイシングテープSのワークWの外側の径15mmのエリアを加熱するようにしている。 In the present embodiment, a spot-type halogen lamp heater is used as the light heating device 22. Specifically, a halogen spot heater LCB-50 (lamp rating 12 V / 100 W) manufactured by Infridge Industry Co., Ltd. was used. The focal length is 35 mm and the condensing diameter is 2 mm. However, in this embodiment, as shown in FIG. 11 to be described later, heating is not performed using a portion that is just focused, but the distance (irradiation distance) from the light source to the object is 46 mm, and the focal length is 35 mm. The offset is 11 mm and the irradiation diameter is 17.5 mm. The actual irradiation diameter is 15 mm, and an area having a diameter of 15 mm outside the work W of the dicing tape S is heated.
図7はワーク2のフレームF上、ウェハカバー20の外側のダイシングテープS上、及び半導体ウェハW側にそれぞれ貼られたサーモラベルTLの拡大図であり、図8は、光加熱装置22によってウェハカバー20の外側のダイシングテープSを加熱したプロセス後のサーモラベル拡大図である。 FIG. 7 is an enlarged view of the thermo label TL affixed on the frame F of the workpiece 2, the dicing tape S outside the wafer cover 20, and the semiconductor wafer W side. FIG. 5 is an enlarged view of a thermo label after a process in which a dicing tape S outside the cover 20 is heated.
ここで、サーモラベルTLは50℃以上の温度で赤変するタイプである。図8のプロセス後のサーモラベル拡大図でもわかるように、光が照射されていないウェハW側及びフレームF側は50℃に達していない。 Here, the thermo label TL is a type that turns red at a temperature of 50 ° C. or higher. As can be seen from the enlarged thermolabel after the process of FIG. 8, the wafer W side and the frame F side that are not irradiated with light do not reach 50 ° C.
このようにスポットタイプのハロゲンランプヒータを用いることにより、加熱したい部分のみを選択的に(局所的に)加熱することができ、それ以外の部分への熱ストレスを最小限に抑制することができる。 By using the spot type halogen lamp heater in this way, only the portion to be heated can be selectively (locally) heated, and the thermal stress on other portions can be minimized. .
また、ハロゲンランプ用電源としては、(株)ミューテックのハロゲンランプ用電源KPS−100E−12を使用した。このハロゲンランプ用電源の出力は定格電圧12Vである。また、ソフトスタート(スロースタート)機能を有しており、ハロゲンランプに突入電流が流れるのを防止している。 Further, as a halogen lamp power source, a Mutec Corporation halogen lamp power source KPS-100E-12 was used. The output of this halogen lamp power supply is rated voltage 12V. Also, it has a soft start (slow start) function to prevent inrush current from flowing through the halogen lamp.
これらの組み合わせにより、ヒータ電源ON指令よりスロースタート0.75秒を経てヒータ最大照度に到達するまでにかかる時間は3秒以内である。これは温風ヒータや赤外線ヒータと比較すると非常に短時間である。同様に最大照度から電源OFFまでの時間も同様である。また、所定の照度から別の照度への変更応答性も3秒以内である。このよう
にハロゲンランプを用いることにより、短時間で目的の照度つまり温度を得ることができる。これは一般的な赤外線ヒータや温風ヒータでの実現は困難である。このように制御性が良いこともハロゲンランプヒータを用いることが好ましい一つの理由である。
With these combinations, the time required to reach the heater maximum illuminance after a slow start of 0.75 seconds from the heater power ON command is within 3 seconds. This is a very short time compared to a warm air heater or an infrared heater. Similarly, the time from the maximum illuminance to power off is the same. Moreover, the change responsiveness from predetermined illuminance to another illuminance is also within 3 seconds. By using a halogen lamp in this way, a desired illuminance, that is, temperature can be obtained in a short time. This is difficult to realize with a general infrared heater or hot air heater. The good controllability is one reason why it is preferable to use a halogen lamp heater.
冷凍チャックテーブルにおける熱伝達現象を利用したウェハ裏面のDAF部分の局所的な冷却と、ハロゲンランプヒータによる輻射現象を利用したダイシングテープ外周部の弛み部分に対する局所的な加熱によって、同一エリア内で熱状態を完全に分離することができ、同じステージ、ないしは同じチャンバー内で、DAFの冷却と、ダイシングテープの熱収縮を行うことができる。それによって、DAFの冷却後、ダイシングテープの熱収縮のために、場所を移動させる必要がなくなる。 Heat is generated in the same area by locally cooling the DAF portion on the backside of the wafer using the heat transfer phenomenon in the freezing chuck table and locally heating the slack portion of the outer periphery of the dicing tape using the radiation phenomenon by the halogen lamp heater. The states can be completely separated, and the DAF can be cooled and the dicing tape can be thermally contracted in the same stage or the same chamber. Thereby, after the DAF is cooled, there is no need to move the location due to the heat shrinkage of the dicing tape.
本実施形態は、以下説明するように、ダイシングテープSの拡張状態を保持するために、サブリングを用いずに、ウェハカバー20と光加熱装置22を用いて、ダイシングテープSの弛んだ部分を選択的に加熱して緊張させることでダイシングテープSの拡張状態を保持するようにするものである。 In the present embodiment, as will be described below, in order to maintain the expanded state of the dicing tape S, the slack portion of the dicing tape S is removed using the wafer cover 20 and the light heating device 22 without using a sub-ring. The expanded state of the dicing tape S is maintained by selectively heating and tensioning.
ウェハカバー20は、有底の高さの低い円筒形状をしており、底面20aと側面20bとからなり、底面20aは半導体ウェハWよりも一回り大きく形成されている。また、ウェハカバー20は、カバー昇降機構21によって昇降可能に設置されており、下降した位置において、半導体ウェハWを覆うようになっている。また一方、ウェハカバー20の側面20bの先端面は、上昇した突上げ用リング12の先端面と突き合わされるようになっており、これにより半導体ウェハWはウェハカバー20によって完全に密閉される。 The wafer cover 20 has a bottomed cylindrical shape with a low height, and includes a bottom surface 20a and a side surface 20b. The bottom surface 20a is formed to be slightly larger than the semiconductor wafer W. Further, the wafer cover 20 is installed so as to be lifted and lowered by a cover lifting mechanism 21, and covers the semiconductor wafer W at the lowered position. On the other hand, the front end surface of the side surface 20 b of the wafer cover 20 is abutted with the front end surface of the raised push-up ring 12, whereby the semiconductor wafer W is completely sealed by the wafer cover 20.
光加熱装置22は、ウェハカバー20の外側で対称的な位置に配置され、ウェハカバー20とヒータ昇降機構23によって昇降可能であり、詳しくは後述するように、下降した位置においてダイシングテープSの周辺部を選択的に加熱するように構成されている。図では、光加熱装置22は、ワーク2の直径方向の対称的な位置に二つ配置されているが、光加熱装置22の個数は2個に限定されるものではない。例えば、ウェハカバー20の周囲に、90度の間隔で4個配置するようにしてもよい。 The light heating device 22 is arranged at a symmetrical position outside the wafer cover 20 and can be moved up and down by the wafer cover 20 and the heater lifting mechanism 23. As will be described in detail later, the periphery of the dicing tape S is lowered. The part is configured to be selectively heated. In the figure, two light heating devices 22 are arranged at symmetrical positions in the diameter direction of the workpiece 2, but the number of the light heating devices 22 is not limited to two. For example, four pieces may be arranged around the wafer cover 20 at intervals of 90 degrees.
以下、図9のフローチャートに沿って本実施形態の作用を説明する。 The operation of the present embodiment will be described below along the flowchart of FIG.
まず、図9のステップS200において、図6に示すように、半導体ウェハWの裏面にDAF(D)を介してダイシングテープSが接着されたワーク2のフレームFをフレーム固定機構18により固定する。そして、半導体ウェハWが存在する領域が冷凍チャックテーブル10の上に位置するように配置する。なお、半導体ウェハWには、図28に示すように、予めレーザ照射等によりその内部に分断予定ラインが格子状に形成されている。 First, in step S200 of FIG. 9, as shown in FIG. 6, the frame F of the workpiece 2 having the dicing tape S bonded to the back surface of the semiconductor wafer W via the DAF (D) is fixed by the frame fixing mechanism 18. And it arrange | positions so that the area | region where the semiconductor wafer W exists may be located on the freezing chuck table 10. FIG. In the semiconductor wafer W, as shown in FIG. 28, division lines to be divided are formed in a lattice shape in advance by laser irradiation or the like.
次に図9のステップS210において、冷凍チャックテーブル10は、ワーク2の裏面を、真空吸着により吸着して冷凍チャックテーブル10の表面に確実に接触させ、熱伝達によってワーク2に接着されたDAF(D)を冷却する。冷凍チャックテーブル10は、所定時間ワーク2を真空吸着して、DAF(D)が脆性化するように冷却した後、真空吸着を解除する。 Next, in step S210 of FIG. 9, the refrigeration chuck table 10 adsorbs the back surface of the work 2 by vacuum suction so as to contact the surface of the refrigeration chuck table 10 securely, and adheres to the work 2 by heat transfer. D) is cooled. The freezing chuck table 10 releases the vacuum suction after the workpiece 2 is vacuum-sucked for a predetermined time and cooled so that the DAF (D) becomes brittle.
次に、図9のステップS220において、図10に示すように、リング昇降機構16によって突上げ用リング12を上昇させて、ダイシングテープSをエキスパンドする。このときの突上げ用リング12の突上げは、前の実施形態と同様に、例えば400mm/secの速度で、15mmの高さまでダイシングテープSを突き上げる。 Next, in step S220 of FIG. 9, as shown in FIG. 10, the ring for raising and lowering is raised by the ring lifting mechanism 16, and the dicing tape S is expanded. In this case, the push-up ring 12 pushes up the dicing tape S to a height of 15 mm, for example, at a speed of 400 mm / sec, as in the previous embodiment.
これによりダイシングテープSがワーク2の中心から放射状に拡張されて半導体ウェハWが分断予定ラインに沿ってDAF(D)と一緒になって、各チップTに分割される。 As a result, the dicing tape S is radially expanded from the center of the workpiece 2, and the semiconductor wafer W is divided into chips T along with the DAF (D) along the planned dividing line.
次に、図9のステップS230において、図11に示すように、ウェハカバー20及び光加熱装置22を、それぞれカバー昇降機構21及びヒータ昇降機構23によって下降させ、ウェハカバー20でワーク2の半導体ウェハWの部分を被覆する。このとき図11に示すように、ウェハカバー20の側面20bの先端面と、突上げ用リング12の先端面とを突き合わせて、ウェハカバー20と突上げ用リング12との間でダイシングテープSを把持する。 Next, in step S230 of FIG. 9, as shown in FIG. 11, the wafer cover 20 and the light heating device 22 are lowered by the cover elevating mechanism 21 and the heater elevating mechanism 23, respectively, and the semiconductor wafer of the workpiece 2 is moved by the wafer cover 20. Cover the W part. At this time, as shown in FIG. 11, the front end surface of the side surface 20 b of the wafer cover 20 and the front end surface of the push-up ring 12 are brought into contact with each other, and the dicing tape S is placed between the wafer cover 20 and the push-up ring 12. Hold it.
このウェハカバー20と突上げ用リング12との間でダイシングテープSを把持する力は、例えば40kgf程度である。 The force for gripping the dicing tape S between the wafer cover 20 and the push-up ring 12 is, for example, about 40 kgf.
次に、図9のステップS240において、図12に示すように、ウェハカバー20と突上げ用リング12との間でダイシングテープSを把持したまま、ウェハカバー20と突上げ用リング12を、半導体ウェハWの下側のダイシングテープSの裏面が冷凍チャックテーブル10の上面に接触する位置まで下降させる。これにより、ダイシングテープSの、ウェハカバー20と突上げ用リング12とで把持された部分の周辺部が弛緩し、弛み部が発生する。なお、このとき、ウェハカバー20と突上げ用リング12との間でダイシングテープSを把持する力は40kgfを維持している。 Next, in step S240 of FIG. 9, as shown in FIG. 12, while holding the dicing tape S between the wafer cover 20 and the push-up ring 12, the wafer cover 20 and the push-up ring 12 are connected to the semiconductor. The wafer is lowered to a position where the back surface of the dicing tape S on the lower side of the wafer W comes into contact with the upper surface of the freezing chuck table 10. As a result, the peripheral portion of the portion of the dicing tape S gripped by the wafer cover 20 and the push-up ring 12 is relaxed, and a slack portion is generated. At this time, the force for gripping the dicing tape S between the wafer cover 20 and the push-up ring 12 is maintained at 40 kgf.
次に、図9のステップS250において、図13に示すように、ウェハカバー20と突上げ用リング12の各先端面を突き合わせて把持した部分の外側の弛緩したダイシングテープSの部分に対してのみ、光加熱装置22でスポット光を当てて選択的に加熱する。このとき、もしワークが貼付されたDAF(D)の領域も同時に加熱されてしまうとDAF(D)が溶けてチップT間の隙間がなくなってしまう虞があるので、ダイシングテープSのワークが貼付された領域以外の弛んだ部分のみを選択的に加熱する必要がある。 Next, in step S250 of FIG. 9, as shown in FIG. 13, only the loose dicing tape S portion outside the portion gripped by abutting the respective front end surfaces of the wafer cover 20 and the push-up ring 12 is shown. Then, the light heating device 22 is selectively heated by applying a spot light. At this time, if the area of the DAF (D) to which the workpiece is affixed is also heated at the same time, the DAF (D) may melt and the gap between the chips T may be lost. It is necessary to selectively heat only the slack portion other than the region where the heat treatment is performed.
この加熱により弛んだダイシングテープSが緊張して、弛みが次第に解消して行く。なお、例えば光加熱装置22はそれぞれ100Wであり、直径20mmのエリアに光を照射する。ウェハカバー20と突上げ用リング12との間の把持力も40kgfが維持されている。 The dicing tape S slackened by this heating is tensioned, and the slack is gradually eliminated. For example, each of the light heating devices 22 is 100 W, and irradiates light to an area having a diameter of 20 mm. The gripping force between the wafer cover 20 and the push-up ring 12 is also maintained at 40 kgf.
またこのとき、光加熱装置22をオンしてからその加熱状態が安定した後(約2秒後)、固定した一定の位置からのみ加熱することによってダイシングテープSの緊張状態に偏りが生じないように、光加熱装置22をウェハカバー20の周囲に一定の周期で所定速度で回転することが好ましい。このように光加熱装置22をウェハカバー20の周囲に一定の周期で回転させることで様々な方向から加熱することにより、ダイシングテープSの緊張状態に偏りが生じるのを防ぐことができる。なお、光加熱装置22を回転する場合に、ヒータ昇降機構23が単に光加熱装置22を昇降させるだけでなく、光加熱装置22を一定の周期で回転させるヒータ回転機構の機能をも備えるようにしてもよい。 At this time, after the heating state is turned on after the light heating device 22 is turned on (after about 2 seconds), the biased state of the dicing tape S is not biased by heating only from a fixed position. Furthermore, it is preferable to rotate the light heating device 22 around the wafer cover 20 at a predetermined speed at a constant cycle. In this way, by rotating the light heating device 22 around the wafer cover 20 at a constant period, heating from various directions can prevent the dicing tape S from being biased. When the light heating device 22 is rotated, the heater lifting mechanism 23 not only simply moves the light heating device 22 up and down, but also has a function of a heater rotating mechanism that rotates the light heating device 22 at a constant cycle. May be.
ここで、光加熱装置22の制御方法について、詳しく説明しておく。図14に、光加熱装置22とダイシングテープSとの位置関係の一例を平面図で示す。光加熱装置22は、スポットタイプのハロゲンランプヒータである。 Here, the control method of the light heating device 22 will be described in detail. FIG. 14 is a plan view showing an example of the positional relationship between the light heating device 22 and the dicing tape S. The light heating device 22 is a spot type halogen lamp heater.
図14に示す例では、ダイシングテープSの周囲に等間隔で対称的に4つの光加熱装置22が配置されている。なお、図14では、半導体ウェハWやフレームF等は省略して、中央にチップTを一つだけ表示している。 In the example shown in FIG. 14, four light heating devices 22 are arranged around the dicing tape S symmetrically at equal intervals. In FIG. 14, the semiconductor wafer W and the frame F are omitted, and only one chip T is displayed in the center.
図14の例では、チップTは略正方形であり、各光加熱装置22は、チップTの各辺に対向する位置にそれぞれ配置されている。この位置で各光加熱装置22の電源をオンにすると、熱収縮性の材料で形成されたダイシングテープSは、加熱されて図に矢印Jで示したように収縮する。その結果、チップTは、X方向及びY方向に引っ張られる。 In the example of FIG. 14, the chip T is substantially square, and each light heating device 22 is disposed at a position facing each side of the chip T. When the power source of each light heating device 22 is turned on at this position, the dicing tape S formed of the heat-shrinkable material is heated and contracts as indicated by an arrow J in the figure. As a result, the chip T is pulled in the X direction and the Y direction.
ここで例えばダイシングテープSは、図のX方向(横方向)は収縮し難く、Y方向(縦方向)は収縮し易いとする。このような収縮異方性を解消するために、収縮し難いX方向に配置された光加熱装置22に対しては、収縮し易いY方向に配置された光加熱装置22よりも(ハロゲンランプヒータに対する)印加電圧を高めに設定するようにする。これにより、ダイシングテープSは縦方向及び横方向に均等に収縮し、各チップTは外周方向に均等に引っ張られるので、チップT同士がくっついてしまったり、配列ずれを生じることはない。 Here, for example, it is assumed that the dicing tape S is not easily contracted in the X direction (horizontal direction) and is easily contracted in the Y direction (vertical direction). In order to eliminate such shrinkage anisotropy, the light heating device 22 arranged in the X direction, which is hard to shrink, is more (halogen lamp heater) than the light heating device 22 arranged in the Y direction, which is easy to shrink. Set the applied voltage to a higher value. As a result, the dicing tape S is uniformly contracted in the vertical direction and the horizontal direction, and each chip T is pulled evenly in the outer peripheral direction, so that the chips T do not stick to each other and the arrangement is not shifted.
さらにこのとき、図に矢印Kで示すように、光加熱装置(スポットタイプのハロゲンランプヒータ)22を、ヒータ昇降機構23によって、ダイシングテープSの周囲に回転走査させる。 Further, at this time, as indicated by an arrow K in the figure, the light heating device (spot type halogen lamp heater) 22 is rotated and scanned around the dicing tape S by the heater lifting mechanism 23.
図15に、光加熱装置22を回転走査する様子を示す。 FIG. 15 shows how the optical heating device 22 is rotationally scanned.
まず、図15に符号1で示す位置で光加熱装置22(図15においては図示省略)の電源をオンにして加熱を行う。このとき、前述したようにダイシングテープSはX方向(横方向)は収縮し難く、Y方向(縦方向)は収縮し易いとしているので、図の符号Hの位置にある光加熱装置22は、符号Lの位置にある光加熱装置22よりも印加電圧を高く設定する。 First, heating is performed by turning on the power of the light heating device 22 (not shown in FIG. 15) at a position indicated by reference numeral 1 in FIG. At this time, as described above, the dicing tape S is not easily contracted in the X direction (lateral direction) and is easily contracted in the Y direction (vertical direction). The applied voltage is set to be higher than that of the light heating device 22 at the position indicated by the symbol L.
次に光加熱装置22の電源をオフにするか、加熱に寄与しない電圧を印加して、丁度符号1の中間の位置である符号2の位置まで、光加熱装置22をヒータ昇降機構23によって45度回転する。 Next, the power of the light heating device 22 is turned off or a voltage that does not contribute to heating is applied, and the light heating device 22 is moved 45 by the heater lifting mechanism 23 to the position of the reference numeral 2, which is an intermediate position of the reference numeral 1. Rotate degrees.
次に、符号2の位置でまた光加熱装置22の電源をオンにしてダイシングテープSを加熱する。この符号2の位置においては、X方向とY方向の中間の方向であるので、全ての光加熱装置22の印加電圧は等しくする。 Next, the dicing tape S is heated by turning on the power of the light heating device 22 again at the position of reference numeral 2. Since the position indicated by reference numeral 2 is an intermediate direction between the X direction and the Y direction, the applied voltages of all the light heating devices 22 are made equal.
このようにして、ダイシングテープSを、ダイシングテープSを、横方向、縦方向及び斜め方向の全ての方向に対して均等に収縮させることができる。 In this way, the dicing tape S can be evenly contracted in all directions of the horizontal direction, the vertical direction, and the oblique direction.
なお、光加熱装置22の個数はこの例のように4個に限定されるものではなく、図14に示す4個の光加熱装置22の間にそれぞれ1個ずつ光加熱装置を追加して8個の光加熱装置22を備えるようにしてもよい。 Note that the number of the light heating devices 22 is not limited to four as in this example, and one light heating device is added between each of the four light heating devices 22 shown in FIG. A single light heating device 22 may be provided.
図16に、8個の光加熱装置を備えた例を示す。図16に示す例においては、図14の4つの光加熱装置22に対して、各光加熱装置22の間にそれぞれ一つずつ光加熱装置22が配置され、全体で8個の光加熱装置22がダイシングテープSの周囲に等間隔で配置されている。この場合も、8個の光加熱装置22は、ヒータ昇降機構23によってダイシングテープSに対して昇降可能かつその周囲に回転走査させることができる。 FIG. 16 shows an example provided with eight light heating devices. In the example shown in FIG. 16, one light heating device 22 is arranged between each light heating device 22 with respect to the four light heating devices 22 in FIG. 14, and eight light heating devices 22 in total. Are arranged around the dicing tape S at equal intervals. Also in this case, the eight light heating devices 22 can be moved up and down with respect to the dicing tape S by the heater lifting mechanism 23 and can be rotated and scanned around the same.
図17に、8個の光加熱装置22を回転走査する様子を示す。 FIG. 17 shows how the eight light heating devices 22 are rotationally scanned.
例えば、8個の光加熱装置22は、始め図17の符号1の位置においてダイシングテープSの周辺部を加熱する。次に、図17に矢印Kで示すように、光加熱装置22をヒータ昇降機構23によって符号2の位置まで22.5度(360度÷8÷2)だけ回転する。この回転中においては、光加熱装置22は電源オフするか、加熱に寄与しない程度の電圧を印加する。そして、次に図17の符号2の位置においてダイシングテープSの周辺部を加熱する。 For example, the eight light heating devices 22 initially heat the peripheral portion of the dicing tape S at the position indicated by reference numeral 1 in FIG. Next, as indicated by an arrow K in FIG. 17, the light heating device 22 is rotated by 22.5 degrees (360 degrees ÷ 8 ÷ 2) by the heater lifting mechanism 23 to the position of 2. During this rotation, the light heating device 22 turns off the power or applies a voltage that does not contribute to heating. Then, the peripheral portion of the dicing tape S is heated at the position indicated by reference numeral 2 in FIG.
なお、このとき前の例と同様に、チップTに対して示したX方向(横方向)はY方向(縦方向)よりもダイシングテープSが収縮し難い場合には、図に破線で示した範囲Hにある光加熱装置22は、図に破線で示した範囲Lにある光加熱装置22よりも印加電圧を高くするようにする。 At this time, as in the previous example, when the dicing tape S is less likely to contract in the X direction (horizontal direction) than the Y direction (vertical direction) with respect to the chip T, it is indicated by a broken line in the figure. The light heating device 22 in the range H is set to have a higher applied voltage than the light heating device 22 in the range L indicated by a broken line in the drawing.
なお、光加熱装置22の個数は、これらの例のように4個や8個に限定されるものではなく、少なくとも4個以上で、ダイシングテープSの外周に沿って等間隔に対称的に配置することができればよい。例えば、6個の光加熱装置は、ダイシングテープSの外周に沿って等間隔に対称的に配置することができるので、6個でもよい。 Note that the number of the light heating devices 22 is not limited to four or eight as in these examples, but is at least four or more and symmetrically arranged along the outer periphery of the dicing tape S at equal intervals. I can do it. For example, the six light heating devices can be arranged symmetrically at equal intervals along the outer periphery of the dicing tape S, and thus may be six.
また、図14の4個の光加熱装置22の間にそれぞれ2個の光加熱装置を追加して12個としてもよいし、図14の4個の光加熱装置22の間にそれぞれ3個の光加熱装置を追加して16個としてもよい。このように、光加熱装置22の個数は、4の倍数とすることが好ましい。 Further, two light heating devices may be added between the four light heating devices 22 in FIG. 14 to obtain twelve, or three light heating devices 22 in FIG. It is good also as 16 by adding a light heating apparatus. Thus, the number of the light heating devices 22 is preferably a multiple of four.
このように、少なくとも4個以上の光加熱装置をダイシングテープSの周囲に均等に配置して、ダイシングテープSの収縮し難い方向については、光加熱装置に対する印加電圧をより高くして加熱するようにして、光加熱装置による加熱と所定角度の回転を繰り返すことで、ダイシングテープSを横方向、縦方向及び斜め方向の全ての方向に対して均等に収縮させることができる。 In this way, at least four or more light heating devices are evenly arranged around the dicing tape S, and in the direction in which the dicing tape S is difficult to contract, the voltage applied to the light heating device is increased to heat the device. Thus, by repeating the heating by the light heating device and the rotation by a predetermined angle, the dicing tape S can be uniformly shrunk in all the horizontal, vertical and oblique directions.
なお、ここでは、図16に示すようにダイシングテープSの周囲に沿って等間隔に8個の光加熱装置22が配置されているとする。また、図16の例と同様に、チップTに対して示したX方向(横方向)はY方向(縦方向)よりもダイシングテープSが収縮し難いものとする。 Here, it is assumed that eight light heating devices 22 are arranged at equal intervals along the periphery of the dicing tape S as shown in FIG. Similarly to the example of FIG. 16, it is assumed that the dicing tape S is less likely to contract in the X direction (horizontal direction) shown with respect to the chip T than in the Y direction (vertical direction).
次に、図17の符号1で示す位置において、8個の光加熱装置22の電源をオンにしてダイシングテープSの弛んだ外周部を加熱する。このとき、図17に破線Hで囲んだ領域においては、光加熱装置22の印加電圧を、破線Lで囲んだ領域においてよりも高く設定する。これにより、ダイシングテープSの収縮し難い横方向(X方向)についても、収縮し易い方向(Y方向)と同じように収縮させることができ、収縮の異方性を抑性することができる。 Next, at the position indicated by reference numeral 1 in FIG. 17, the power supply of the eight light heating devices 22 is turned on to heat the slack outer peripheral portion of the dicing tape S. At this time, in the region surrounded by the broken line H in FIG. 17, the applied voltage of the light heating device 22 is set higher than in the region surrounded by the broken line L. Thereby, the horizontal direction (X direction) in which the dicing tape S is difficult to contract can be contracted in the same manner as the direction in which the dicing tape S easily contracts (Y direction), and the anisotropy of the contraction can be suppressed.
次に、光加熱装置22の電源をオフにするか加熱に寄与しない電圧を印加して図17に矢印Kで示したように、ヒータ昇降機構23によって光加熱装置22を符号2で示す位置まで回転する。 Next, the power of the light heating device 22 is turned off or a voltage that does not contribute to heating is applied and the light heating device 22 is moved to a position indicated by reference numeral 2 by the heater lifting mechanism 23 as indicated by an arrow K in FIG. Rotate.
次に、図17の符号2の位置で、光加熱装置22の電源をオンにしてダイシングテープSの外周部を加熱する。このとき、図17に破線Hで囲んだ領域においては、光加熱装置22の印加電圧を、破線Lで囲んだ領域よりも高く設定する。 Next, at the position of reference numeral 2 in FIG. 17, the light heating device 22 is turned on to heat the outer peripheral portion of the dicing tape S. At this time, in the region surrounded by the broken line H in FIG. 17, the applied voltage of the light heating device 22 is set higher than the region surrounded by the broken line L.
そして、光加熱装置22の電源をオフにして、ヒータ昇降機構23により光加熱装置22を待機位置まで上昇させる。 Then, the power source of the light heating device 22 is turned off and the light heating device 22 is raised to the standby position by the heater lifting mechanism 23.
そして、最後に、ウェハカバー20を光加熱装置22と同様に待機位置に上昇させるとともに、突上げ用リング12も待機位置まで降下させ、ダイシングテープSの拡張を解除する。そしてフレームFをはずしてワークを次の工程に搬送する。あるいは、サンプルチップの検査が終了するまで所定の場所に保管する。 Finally, the wafer cover 20 is raised to the standby position in the same manner as the light heating device 22, and the push-up ring 12 is also lowered to the standby position to release the dicing tape S from being expanded. Then, the frame F is removed and the work is conveyed to the next process. Alternatively, it is stored in a predetermined place until the inspection of the sample chip is completed.
このように光加熱装置によりダイシングテープSの弛んだ部分のみを選択的にまた均等加熱することにより、ダイシングテープSが全ての方向について均等に収縮され、分割された各チップTの間隔及び配列を維持することができる。従って、サンプルチップをピックアップしたワークをダイボンダからはずして、サンプルチップの検査が終了するまで保管するとしても、ダイシングテープSの拡張状態が維持されるため、拡張されたダイシングテープSが再び元に戻ってチップTの間隔が狭まってチップ同士が接触するようなことはない。 In this way, by selectively and evenly heating only the slack portion of the dicing tape S by the light heating device, the dicing tape S is uniformly shrunk in all directions, and the interval and arrangement of the divided chips T are changed. Can be maintained. Therefore, even if the work picking up the sample chip is removed from the die bonder and stored until the inspection of the sample chip is completed, the expanded state of the dicing tape S is maintained, so that the expanded dicing tape S is returned to its original state. Thus, the interval between the chips T is not narrowed and the chips do not come into contact with each other.
また、光加熱装置がダイシングテープSの周囲に沿って等間隔に8個配置された場合のその他の加熱制御方法について説明する。 Further, another heating control method when eight light heating devices are arranged at equal intervals along the periphery of the dicing tape S will be described.
すなわち、例えば図16に示すように、ダイシングテープSの周囲に沿って等間隔に8個の光加熱装置22としてスポットタイプのハロゲンランプヒータが配置されている。ただし、このときチップTは、図16に示すような略正方形ではなく、図のX方向(横方向)とY方向(縦方向)とにおける長さの比(アスペクト比)は、1:2.4の縦長の長方形状であるとする(図19参照)。 That is, for example, as shown in FIG. 16, spot-type halogen lamp heaters are arranged as eight light heating devices 22 at equal intervals along the periphery of the dicing tape S. However, at this time, the chip T is not substantially square as shown in FIG. 16, and the length ratio (aspect ratio) in the X direction (horizontal direction) and the Y direction (vertical direction) in the drawing is 1: 2. 4 is a vertically long rectangle (see FIG. 19).
各光加熱装置22は、ダイシングテープSの周囲に45度の間隔で並んでいる。この45度の間隔を8等分して、5.6度ずつ各光加熱装置22をダイシングテープSの周囲に沿って回転し、5.6度回転する毎にその位置で加熱するようにする。このとき、最初は図18において、光加熱装置22としてのハロゲンランプヒータに対する印加電圧は、LeftとRightの位置では12Vとし、TopとBottomの位置では5Vとする。 The light heating devices 22 are arranged around the dicing tape S at intervals of 45 degrees. This 45 degree interval is divided into eight equal parts, and each light heating device 22 is rotated along the periphery of the dicing tape S by 5.6 degrees, and is heated at that position every time it rotates 5.6 degrees. . At this time, initially, in FIG. 18, the voltage applied to the halogen lamp heater as the light heating device 22 is 12V at the Left and Right positions and 5V at the Top and Bottom positions.
このようして、5.6度ずつ回転しながら、8回加熱したら、次は、最初の位置より5.6度の半分の2.8度ずらした位置から初めるようにする。今度は、ハロゲンランプヒータに対する印加電圧は、LeftとRightの位置では12Vとし、TopとBottomの位置では11Vとする。そして、また5.6度ずつ回転しながら、8回加熱する。 Thus, after heating 8 times while rotating by 5.6 degrees, the next is to start from a position shifted by 2.8 degrees, which is half 5.6 degrees from the first position. This time, the voltage applied to the halogen lamp heater is 12V at the Left and Right positions and 11V at the Top and Bottom positions. And it heats 8 times, rotating 5.6 degrees at a time.
このようにして加熱し、ダイシングテープS上の各チップTの間隔を、図18に示す、Center、Left、Right、Top、Bottomの5か所について、図19に示すような5つのポイントで、それぞれHorizontal及びVerticalの2方向について測定した。 In this way, the intervals between the chips T on the dicing tape S are set at five points as shown in FIG. 19 at five locations of Center, Left, Right, Top and Bottom shown in FIG. Measurements were made in two directions, horizontal and vertical, respectively.
図20に、それぞれの箇所について各ポイント毎の測定結果を示す。この結果を見ると、上記のような加熱制御により、チップ間の間隔はどの場所においても平均20〜30程度であり、それほど大きな違いは発生しないことがわかる。 In FIG. 20, the measurement result for every point is shown about each location. From this result, it can be seen that the distance between chips is about 20 to 30 on average in any place by the heating control as described above, and the difference is not so large.
これに対して、比較のために、このような加熱制御をすることなく、単にダイシングテープSの全周囲から同じように加熱した場合の測定結果を図21に示す。 On the other hand, for comparison, FIG. 21 shows a measurement result in the case where heating is simply performed from the entire periphery of the dicing tape S without performing such heating control.
図21を見ると、チップTのアスペクト比が1:2.4で異方性を有する場合に、全方向から同じように加熱した場合には、ダイシングテープS上の場所及び方向によって、チップ間隔が、平均で10台から50台までと、大きく変化していることがわかる。 Referring to FIG. 21, when the aspect ratio of the chip T is 1: 2.4 and anisotropy, when the same heating is performed from all directions, the chip interval depends on the location and direction on the dicing tape S. However, it can be seen that, on average, 10 to 50 units have changed greatly.
このように、上述したような加熱制御を行うことにより、チップが正方形から大きくはずれたような形状をしており、異方性がある場合でも、全方向について同じようにダイシングテープSを収縮することができる。また、逆にチップが等方的で異方性がなく、ダイシングテープSの側に異方性がある場合でも、上記加熱制御方法で対応することができる
。
Thus, by performing the heating control as described above, the dicing tape S is contracted in the same manner in all directions even when the chip has a shape that is greatly deviated from the square and has anisotropy. be able to. On the contrary, even when the chip is isotropic and has no anisotropy and the dicing tape S has anisotropy, the above heating control method can be used.
なお、いままで説明してきた例においては、光加熱装置は、スポットタイプのハロゲンランプヒータとしていたが、ウェハカバー20が存在することにより、温風ヒータを用いることも可能である。すなわち、ノズル等から局所的な領域のみに温風を吹き出すようにしすれば、ウェハカバー20により、温風がダイレクトに半導体ウェハWの領域には行かないようにすることができるので、ダイシングテープSの弛み部のみを選択的に加熱することが可能となる。 In the examples described so far, the light heating device is a spot-type halogen lamp heater. However, since the wafer cover 20 exists, a warm air heater can be used. In other words, if the hot air is blown only to a local area from the nozzle or the like, the hot air can be prevented from going directly to the area of the semiconductor wafer W by the wafer cover 20, so that the dicing tape S It is possible to selectively heat only the slack portion.
また、本実施形態においては、光加熱装置22による熱輻射によって加熱しているので、ダイシングテープSの弛んだ部分にのみ局所的に(選択的に)加熱することができる。また特に本実施形態では、半導体ウェハWをウェハカバー20で覆っているため熱を遮蔽して、光加熱装置22によってワークが貼付されたDAF(D)が加熱されてしまうのを防ぐことができ、より一層光加熱装置22による局所的な加熱を可能としている。 Moreover, in this embodiment, since it heats with the thermal radiation by the optical heating apparatus 22, only the loose part of the dicing tape S can be heated locally (selectively). In particular, in this embodiment, since the semiconductor wafer W is covered with the wafer cover 20, heat can be shielded and the DAF (D) to which the workpiece is attached can be prevented from being heated by the light heating device 22. Further, local heating by the light heating device 22 is possible.
また、ウェハカバー20と突上げ用リング12とによってダイシングテープSの弛んだ部分の近くを把持しているので、弛んだ部分を加熱することによってウェハカバー20や突上げ用リング12も加熱されるが、この熱は熱伝導によってウェハカバー20や突上げ用リング12を通じて逃げて行く。従って、ウェハカバー20及び突上げ用リング12の内部に囲われたワークが貼付されたDAF(D)は、熱的に遮蔽されており、加熱されることはない。 Further, since the wafer cover 20 and the push-up ring 12 grip the vicinity of the slack portion of the dicing tape S, the wafer cover 20 and the push-up ring 12 are also heated by heating the slack portion. However, this heat escapes through the wafer cover 20 and the push-up ring 12 by heat conduction. Accordingly, the DAF (D) to which the work surrounded by the wafer cover 20 and the push-up ring 12 is attached is thermally shielded and is not heated.
この点従来は、温風による加熱であったので、熱対流により全体が加熱されてしまうので、ダイシングテープSの弛んだ部分だけを選択的に加熱することはできなかった。また、DAF(D)の冷却も、冷蔵庫内のようにユニット全体を冷却する雰囲気冷却方式でエキスパンドを行っていたので、選択的な冷却をすることができず、冷却と加熱を一つのユニットで行うことができなかった。 In this regard, conventionally, since heating was performed by warm air, the whole was heated by heat convection, so that only the slack portion of the dicing tape S could not be selectively heated. In addition, the cooling of DAF (D) is performed in an atmosphere cooling system that cools the entire unit as in a refrigerator, so selective cooling cannot be performed, and cooling and heating can be performed with one unit. Could not do.
これに対して本実施形態では、DAF(D)の冷却についても、冷凍チャックテーブル10で吸着してワーク2を接触させることによる熱伝達を用いているので、ワークが貼付されたDAF(D)の部分のみを選択的に冷却することができる。 On the other hand, in the present embodiment, the DAF (D) with which the workpiece is stuck is also used for cooling the DAF (D) because heat transfer is performed by adsorbing the workpiece to the workpiece 2 by being sucked by the freezing chuck table 10. Only this part can be selectively cooled.
従って、本実施形態においては、ワークが貼付されたDAF(D)の冷却と、ワークが貼付された領域以外の弛んだダイシングテープSの加熱とを一つのユニット内で行うことが可能である。 Therefore, in this embodiment, it is possible to perform cooling of the DAF (D) to which the work is stuck and heating of the slack dicing tape S other than the area to which the work is stuck in one unit.
このようにして、ウェハカバー20の外周部のダイシングテープSの弛んだ部分を加熱した結果を図22及び図23に示す。 Thus, the result of heating the slack part of the dicing tape S of the outer peripheral part of the wafer cover 20 is shown in FIG.22 and FIG.23.
図22及び図23は、光加熱装置22によって選択的に加熱されたダイシングテープSが熱収縮している様子を測定したサーモトレーサ画面である。 22 and 23 are thermotracer screens in which the dicing tape S selectively heated by the light heating device 22 is measured to be thermally contracted.
図22及び図23において、スポットタイプのハロゲンランプヒータでウェハカバー20の外側の弛んだダイシングテープSを局所的に加熱している。これにより、図に符号Aで示すダイシングテープSの加熱中心の温度は140度近くに達している。これに対して、ウェハカバー20は50度程度であり、またフレーム固定機構(フレーム抑え)18も40度程度とほとんど温度は上がっていない。なお、図の符号Bの部分も90度程度になっているが、これはハロゲンランプからの正反射光が入ったもので、正確に測定されたものではない。 22 and 23, the slack dicing tape S outside the wafer cover 20 is locally heated by a spot type halogen lamp heater. As a result, the temperature of the heating center of the dicing tape S indicated by symbol A in the figure has reached nearly 140 degrees. On the other hand, the temperature of the wafer cover 20 is about 50 degrees, and the temperature of the frame fixing mechanism (frame restraint) 18 is also about 40 degrees. In addition, although the part of the code | symbol B of a figure is also about 90 degree | times, this contains the regular reflection light from a halogen lamp, and is not measured correctly.
このように、スポットタイプのハロゲンヒータで加熱することにより、ダイシングテープSの弛んだ部分のみを加熱し、その他の部分の温度を上昇させないように選択的に加熱することが可能となる。 In this way, by heating with the spot type halogen heater, only the slack portion of the dicing tape S can be heated and selectively heated so as not to raise the temperature of the other portions.
次に、前に述べた各テープに対して輻射による光加熱装置による加熱収縮実験を行った結果について説明する。 Next, a description will be given of the result of a heating / shrinking experiment performed on each of the tapes described above using a light heating device using radiation.
プロセス時間は、PO系テープに関して標準的な時間とした。ウェハ冷却は、室温から−10℃まで20秒で冷却を行った。エキスパンドは3秒で15mm突上げ用リングを上昇させた。ダイシングテープへの弛み形成時間は7秒とした。熱収縮は、スロースタート分と光加熱装置の移動時間が、6秒×4ステップで、24秒+6秒とする。あるいは、熱収縮を、スロースタート分と光加熱装置の移動時間が、6秒×8ステップで、48秒+10秒とする。 The process time was a standard time for PO tape. Wafer cooling was performed in 20 seconds from room temperature to −10 ° C. The expand lifted the 15 mm push-up ring in 3 seconds. The slack formation time on the dicing tape was 7 seconds. The heat shrinkage is set to 24 seconds + 6 seconds with a slow start and a moving time of the light heating device of 6 seconds × 4 steps. Alternatively, the heat shrinkage is set to 48 seconds + 10 seconds in 6 seconds × 8 steps for the slow start and the moving time of the light heating device.
また、ダイシングテープの硬化待ちを30秒とし、さらにロード、アンロード、センタリング等に10秒とする。以上の合計で、100秒又は128秒とする。なお、8ステップは小チップの場合である。 The waiting time for dicing tape curing is 30 seconds, and further 10 seconds for loading, unloading, centering and the like. The total of the above is 100 seconds or 128 seconds. Note that 8 steps are for a small chip.
このとき光加熱装置はスポットタイプのため、光照射位置での単位面積あたりの投入熱量が多い。これにより、熱収縮性のあるPO系のダイシングテープはもちろん、PVC系のダイシングテープでも収縮させることができた。 At this time, since the light heating device is a spot type, the amount of input heat per unit area at the light irradiation position is large. As a result, not only the PO-based dicing tape having heat shrinkage but also the PVC-based dicing tape could be contracted.
例えば、上述したリンテック製のPO系のテープであるD175では、テープのロール方向(MD)に5mm、幅方向(TD)に3mm拡張させることができた。 For example, D175, which is the above-mentioned PO tape manufactured by Lintec, can be expanded by 5 mm in the tape roll direction (MD) and 3 mm in the width direction (TD).
このようにして、ダイシングテープSを所定時間加熱してダイシングテープSが緊張して弛みが解消したら、光加熱装置22による加熱(光加熱装置22の回転)を停止する。このときダイシングテープSが硬化するまで約30秒程度、ウェハカバー20と突上げ用リング12とによるダイシングテープSの把持を続ける。 In this way, when the dicing tape S is heated for a predetermined time and the dicing tape S is tensioned and loosening is eliminated, heating by the light heating device 22 (rotation of the light heating device 22) is stopped. At this time, holding of the dicing tape S by the wafer cover 20 and the push-up ring 12 is continued for about 30 seconds until the dicing tape S is cured.
最後に、図9のステップS260において、図24に示すように、ウェハカバー20(と光加熱装置22)を上昇させるとともに、突上げ用リング12を降下させて、ダイシングテープSの把持を解放する。なおこの間、冷凍チャックテーブル10による真空吸着によって熱収縮部を冷却することにより硬化を促進するようにしてもよい。このように冷凍チャックテーブル10によってダイシングテープSを真空吸着して冷却することにより、ダイシングテープSの外周部の加熱された部分の熱をとってやることで、通常室温に放置するよも短時間でダイシングテープSを硬化させることができる。その後、冷凍チャックテーブル10による真空吸着を行っていた場合、真空吸着も停止する。 Finally, in step S260 of FIG. 9, as shown in FIG. 24, the wafer cover 20 (and the light heating device 22) is raised and the push-up ring 12 is lowered to release the holding of the dicing tape S. . During this time, curing may be promoted by cooling the heat-shrinkable part by vacuum suction by the freezing chuck table 10. In this way, the dicing tape S is vacuum-adsorbed and cooled by the freezing chuck table 10 so that the heated portion of the outer peripheral portion of the dicing tape S is removed, so that it is shorter than the normal room temperature. The dicing tape S can be cured. Thereafter, when the vacuum chucking by the freezing chuck table 10 is performed, the vacuum chucking is also stopped.
このようにして、各チップTの間隔が十分維持されるとともに、周囲のダイシングテープSに弛みのないワーク2を製造することができる。図25にこのようにして製造した熱収縮処理後のワークの写真を示す。図25はテープ裏側から撮像したものであるが、ウェハ内に縦横に白い隙間が入っていることがはっきりと確認することができ、各チップが離間した状態が維持されていることがわかる。 In this way, it is possible to manufacture the workpiece 2 in which the distance between the chips T is sufficiently maintained and the surrounding dicing tape S is not loose. FIG. 25 shows a photograph of the workpiece after the heat shrinking process manufactured in this way. FIG. 25 is an image taken from the back side of the tape, but it can be clearly confirmed that white gaps are vertically and horizontally in the wafer, and it can be seen that the chips are maintained in a separated state.
これに対して、従来のように冷却・拡張ユニットと熱収縮ユニットが別ユニットで、各ユニット間でワーク搬送が必要な場合には、弛んだダイシングテープが大きく垂れ下がって不定の状態となる。すると図26に断面図で示すように、ダイシングテープS上でDAF(D)とともに個片化されたチップTの上面同士が互いに接触してしまう。このように、隣り合ったチップ間の隙間がなくなってしまうと、その後の工程でチップの破損が生じたりして品質低下を招いてしまう。 On the other hand, when the cooling / expansion unit and the heat shrinking unit are separate units as in the prior art and it is necessary to transport the workpiece between the units, the slack dicing tape droops greatly and becomes indefinite. Then, as shown in a cross-sectional view in FIG. 26, the upper surfaces of the chips T separated with DAF (D) on the dicing tape S come into contact with each other. In this way, if there is no gap between adjacent chips, the chip may be damaged in the subsequent process, leading to a decrease in quality.
しかし、本実施形態によれば、図25に示すように、熱収縮処理後において個片化された各チップが離間した状態が維持され、チップの品質低下や歩留りの低下を生じることもない。 However, according to the present embodiment, as shown in FIG. 25, the chips separated after the heat shrinking process are maintained in a separated state, and the chip quality and yield are not reduced.
以上説明した第2実施形態においては、ウェハカバーによりワーク2の半導体ウェハWの部分を被覆して加熱手段である光加熱装置22から熱的に遮蔽していたが、光加熱装置22はスポット的に熱を当てて選択的に加熱することができるので、ウェハカバーで熱的に遮蔽する方が好ましいが、必ずしもウェハカバーによる遮蔽は必要ではない。 In the second embodiment described above, the portion of the semiconductor wafer W of the workpiece 2 is covered with the wafer cover and is thermally shielded from the light heating device 22 as a heating means. However, the light heating device 22 is spot-like. Since it is possible to selectively heat the substrate with heat, it is preferable to thermally shield it with a wafer cover, but shielding with a wafer cover is not always necessary.
従って、第2の実施形態の変形例として、第2の実施形態からウェハカバー20の使用をやめたものも考えられる。 Accordingly, a modification of the second embodiment in which the use of the wafer cover 20 is stopped from the second embodiment is also conceivable.
以下、このような変形例の動作を図27のフローチャートに沿って説明する。 The operation of such a modification will be described below with reference to the flowchart of FIG.
ワーク分割装置としては、図6に示す第2の実施形態の装置構成からウェハカバー20を除いたもの、あるいは装置構成は同じで単にウェハカバー20を使用しないようにしたものとする。 As the workpiece dividing apparatus, it is assumed that the wafer cover 20 is removed from the apparatus configuration of the second embodiment shown in FIG. 6, or the apparatus configuration is the same and the wafer cover 20 is simply not used.
まず図27のステップS300において、半導体ウェハWの裏面にDAF(D)を介してダイシングテープSが接着されたワーク2のフレームFをフレーム固定機構18により固定する。そして、半導体ウェハWが存在する領域が冷凍チャックテーブル10の上に位置するように配置する。 First, in step S300 of FIG. 27, the frame F of the work 2 having the dicing tape S bonded to the back surface of the semiconductor wafer W via the DAF (D) is fixed by the frame fixing mechanism 18. And it arrange | positions so that the area | region where the semiconductor wafer W exists may be located on the freezing chuck table 10. FIG.
次に図27のステップS310において、冷凍チャックテーブル10によりワーク2の裏面を真空吸着により吸着して冷凍チャックテーブル10の表面に確実に接触させ、熱伝達によってワーク2を冷却する。 Next, in step S310 in FIG. 27, the back surface of the work 2 is adsorbed by vacuum suction by the freezing chuck table 10 to be surely brought into contact with the surface of the freezing chuck table 10, and the work 2 is cooled by heat transfer.
次に図27のステップS320において、リング昇降機構16によって突上げ用リング12を上昇させて、ダイシングテープSをエキスパンドする。 Next, in step S320 of FIG. 27, the ring 12 for raising is raised by the ring raising / lowering mechanism 16, and the dicing tape S is expanded.
次に図27のステップS330において、突上げ用リング12を、半導体ウェハWの下側のダイシングテープSの裏面が冷凍チャックテーブル10の上面に接触する位置まで下降させる。これにより、ダイシングテープSの周辺部が弛緩し、弛み部が発生する。 Next, in step S330 of FIG. 27, the push-up ring 12 is lowered to a position where the back surface of the dicing tape S on the lower side of the semiconductor wafer W comes into contact with the upper surface of the freezing chuck table 10. Thereby, the peripheral part of the dicing tape S relaxes and a slack part occurs.
次に図27のステップS340において、突上げ用リング12の外側の弛緩したダイシングテープSの部分に対してのみ、光加熱装置22でスポット光を当てて選択的に加熱する。これにより、ダイシングテープSの弛んだ部分が熱によって緊張し弛みが解消する。またこのとき、ダイシングテープSの弛緩した部分に加えられた熱は、ダイシングテープSの他の部分にも伝わろうとするが、ダイシングテープSに接触している突上げ用リング12を介して熱伝達によって熱が逃げて行くため、DAF(D)の領域の方へは熱が伝わり難くなっている。 Next, in step S340 of FIG. 27, only the relaxed dicing tape S portion outside the push-up ring 12 is selectively heated by applying the spot light with the light heating device 22. Thereby, the slack portion of the dicing tape S is tensioned by heat and the slack is eliminated. At this time, the heat applied to the relaxed portion of the dicing tape S is also transmitted to the other portions of the dicing tape S, but the heat is transferred through the push-up ring 12 in contact with the dicing tape S. Because of this, the heat escapes, so that it is difficult for the heat to be transmitted to the DAF (D) region.
また、このとき、ダイシングテープは高分子で熱伝導率が低いのに対して、突上げ用リングは金属等で形成していることから熱がそのまま突上げ用リングに伝達されやすく、また、突上げ用リングは、ダイシングテープよりも熱伝導率を高く設定しておけば、特にDAFには熱が伝わらないようになる。 At this time, the dicing tape is a polymer and has a low thermal conductivity, whereas the push-up ring is made of metal or the like, so that heat is easily transferred to the push-up ring as it is. If the raising ring is set to have a higher thermal conductivity than the dicing tape, heat will not be transmitted to the DAF in particular.
なお、このとき、冷凍チャックテーブル10でDAF(D)の領域を同時に冷却するようにしてもよい。 At this time, the DAF (D) region may be simultaneously cooled by the freezing chuck table 10.
最後に、図27のステップS350において、突上げ用リング12を下降させて下降位置(待機位置)へ移動させる。なおこの間、冷凍チャックテーブル10による真空吸着によって熱収縮部を冷却することにより弛んだダイシングテープSの硬化を促進するようにしてもよい。このように冷凍チャックテーブル10によって真空吸着して冷却することにより、ダイシングテープSの外周部の加熱された部分の熱をとってやることで、通常室温に放置するよも短時間でダイシングテープSを硬化させることができる。 Finally, in step S350 in FIG. 27, the push-up ring 12 is lowered and moved to the lowered position (standby position). During this time, hardening of the slack dicing tape S may be promoted by cooling the heat shrinkage portion by vacuum suction by the freezing chuck table 10. In this way, by vacuum suction and cooling by the freezing chuck table 10, the heat of the heated portion of the outer peripheral portion of the dicing tape S is taken, so that the dicing tape S can be shortened in a short time compared with normal room temperature. Can be cured.
これにより、チップ間隔が十分に確保されたワークが形成され、次の工程での処理が容易となる。 As a result, a work having a sufficiently secured chip interval is formed, and the processing in the next step is facilitated.
以上、本発明のワーク分割装置及びワーク分割方法について詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。 The work dividing apparatus and the work dividing method of the present invention have been described in detail above. However, the present invention is not limited to the above examples, and various improvements and modifications are made without departing from the gist of the present invention. Of course it is also good.
例えば、ダイシングテープの光が照射された領域は、光が照射されていることを視認できるに越したことはないが、赤外線等で照射エリアが視認されずとも、DAFが存在するウェハ領域が十分局所冷却された状態にあることを前提に、外周のダイシングテープの所定のエリアを相対的に局所加熱することができればよい。例えば、ウェハ領域において冷凍チャックテーブルによる熱伝達を使用しているのであれば、外周部は赤外線による輻射現象や対流現象による熱供給であってもかまわない。 For example, the area of the dicing tape that has been irradiated with the light has never been able to visually recognize that the light has been irradiated, but the wafer area where the DAF is present is sufficient even if the irradiation area is not visually recognized by infrared rays or the like. It is only necessary that the predetermined area of the outer peripheral dicing tape can be relatively locally heated on the premise of being locally cooled. For example, if heat transfer by a refrigeration chuck table is used in the wafer region, the outer peripheral portion may be heat supply by infrared radiation or convection.
なお、冷凍チャックテーブルも、ペルチェ素子を利用した冷凍機能を有せず、例えば事前にウェハ内面を冷却し、その冷却された状態が、単純な熱容量の大きい金属製のチャックやポーラスセラミックスのチャックに吸着するだけで、その事前の冷却状態を維持でき、ダイシングテープの外周領域と比較して、十分な温度差を確保できるのであれば、それは実質的には、相対的な意味において冷凍チャックとみなしうる。 The freezing chuck table also does not have a freezing function using a Peltier element. For example, the inner surface of the wafer is cooled in advance, and the cooled state becomes a simple metal chuck or porous ceramic chuck having a large heat capacity. If it is possible to maintain its pre-cooled state by simply adsorbing and securing a sufficient temperature difference compared to the outer peripheral area of the dicing tape, it is substantially regarded as a freezing chuck in a relative sense. sell.
また、突上げ用リングで、ウェハエリア領域とダイシングテープの外周領域とに熱領域を区分でき、ウェハエリアでは冷却状態を形成し、ダイシングテープ外周部において加熱状態を、同一箇所において形成しているのであればよい。 Also, with the push-up ring, the heat region can be divided into the wafer area region and the outer peripheral region of the dicing tape, the cooling state is formed in the wafer area, and the heating state is formed in the outer periphery of the dicing tape at the same location. If it is.
1、100…ワーク分割装置、2…ワーク、10…冷凍チャックテーブル、12…突上げ用リング、14…サブリング、16…リング昇降機構、18……フレーム固定機構、20…ウェハカバー、21…カバー昇降機構、22…光加熱装置、23…ヒータ昇降機構(回転機構)、D…ダイアタッチフィルム(DAF)、F…フレーム、S…ダイシングテープ、T…チップ、W…半導体ウェハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,100 ... Work division | segmentation apparatus, 2 ... Work, 10 ... Freezing chuck table, 12 ... Push-up ring, 14 ... Sub ring, 16 ... Ring raising / lowering mechanism, 18 ... Frame fixing mechanism, 20 ... Wafer cover, 21 ... Cover lifting mechanism, 22 ... light heating device, 23 ... heater lifting mechanism (rotating mechanism), D ... die attach film (DAF), F ... frame, S ... dicing tape, T ... chip, W ... semiconductor wafer
Claims (4)
前記ダイシングテープをエキスパンドするエキスパンド手段と、
前記エキスパンドにより前記ダイシングテープの弛んだ箇所を選択的に熱照射する熱照射手段と、
前記熱照射手段を前記ワークの周方向に沿って相対的に回転移動させる回転移動手段と、
を備える、ワーク分割装置。 In a workpiece dividing device that divides a workpiece affixed to the dicing tape into individual chips by expanding a dicing tape stretched in a frame,
Expanding means for expanding the dicing tape;
A heat irradiating means for selectively irradiating the loosened portion of the dicing tape with the expand;
Rotational movement means for relatively rotating the heat irradiation means along the circumferential direction of the workpiece;
A workpiece dividing device.
前記エキスパンド手段は、前記ワーク保持手段とは独立して昇降可能である、
請求項1に記載のワーク分割装置。 A work holding means for holding the work;
The expanding means can be moved up and down independently of the work holding means.
The work dividing apparatus according to claim 1.
前記ダイシングテープをエキスパンドするエキスパンドステップと、
前記エキスパンドにより前記ダイシングテープの弛んだ箇所を、熱照射手段により選択的に熱照射する熱照射ステップと、
前記熱照射手段を前記ワークの周方向に沿って相対的に回転移動させる回転移動ステップと、
を備える、ワーク分割方法。 In a work dividing method for dividing a work affixed to the dicing tape into individual chips by expanding a dicing tape stretched in a frame,
An expanding step for expanding the dicing tape;
A heat irradiation step of selectively heat-irradiating the loosened portion of the dicing tape with the expander by a heat irradiation means;
A rotational movement step of relatively rotating the heat irradiation means along the circumferential direction of the workpiece;
A work dividing method comprising:
請求項3に記載のワーク分割方法。
The expanding step expands the dicing tape by raising and lowering the expanding means independently of the work holding means.
The work dividing method according to claim 3.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011031291 | 2011-02-16 | ||
JP2011031291 | 2011-02-16 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017203593A Division JP6508286B2 (en) | 2011-02-16 | 2017-10-20 | Work division apparatus and work division method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018219316A Division JP6466620B1 (en) | 2011-02-16 | 2018-11-22 | Work dividing device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6452016B1 JP6452016B1 (en) | 2019-01-16 |
JP2019012841A true JP2019012841A (en) | 2019-01-24 |
Family
ID=46844533
Family Applications (11)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011282761A Active JP5013148B1 (en) | 2011-02-16 | 2011-12-26 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP2012126847A Active JP5871719B2 (en) | 2011-02-16 | 2012-06-04 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP2015121666A Active JP6069740B2 (en) | 2011-02-16 | 2015-06-17 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP2016243282A Pending JP2017050574A (en) | 2011-02-16 | 2016-12-15 | Work division device |
JP2017030266A Active JP6383030B2 (en) | 2011-02-16 | 2017-02-21 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP2017099990A Active JP6384975B2 (en) | 2011-02-16 | 2017-05-19 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP2017203593A Active JP6508286B2 (en) | 2011-02-16 | 2017-10-20 | Work division apparatus and work division method |
JP2018175177A Active JP6452016B1 (en) | 2011-02-16 | 2018-09-19 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP2018219316A Active JP6466620B1 (en) | 2011-02-16 | 2018-11-22 | Work dividing device |
JP2019001461A Active JP6562170B2 (en) | 2011-02-16 | 2019-01-08 | Work dividing device |
JP2019001460A Active JP6562169B2 (en) | 2011-02-16 | 2019-01-08 | Work dividing device |
Family Applications Before (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011282761A Active JP5013148B1 (en) | 2011-02-16 | 2011-12-26 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP2012126847A Active JP5871719B2 (en) | 2011-02-16 | 2012-06-04 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP2015121666A Active JP6069740B2 (en) | 2011-02-16 | 2015-06-17 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP2016243282A Pending JP2017050574A (en) | 2011-02-16 | 2016-12-15 | Work division device |
JP2017030266A Active JP6383030B2 (en) | 2011-02-16 | 2017-02-21 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP2017099990A Active JP6384975B2 (en) | 2011-02-16 | 2017-05-19 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP2017203593A Active JP6508286B2 (en) | 2011-02-16 | 2017-10-20 | Work division apparatus and work division method |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018219316A Active JP6466620B1 (en) | 2011-02-16 | 2018-11-22 | Work dividing device |
JP2019001461A Active JP6562170B2 (en) | 2011-02-16 | 2019-01-08 | Work dividing device |
JP2019001460A Active JP6562169B2 (en) | 2011-02-16 | 2019-01-08 | Work dividing device |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (11) | JP5013148B1 (en) |
KR (1) | KR101522276B1 (en) |
TW (1) | TWI433228B (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020217397A1 (en) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | 日立化成株式会社 | Method for producing semiconductor device having dolmen structure, method for producing supporting pieces, and multilayer film |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5013148B1 (en) * | 2011-02-16 | 2012-08-29 | 株式会社東京精密 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP2013191718A (en) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | Workpiece division device and division method |
JP5885033B2 (en) * | 2012-09-24 | 2016-03-15 | 株式会社東京精密 | Work dividing apparatus and work dividing method |
KR102047347B1 (en) * | 2012-12-26 | 2019-11-21 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | Expansion method, method for manufacturing semiconductor devices, and semiconductor device |
JP6298635B2 (en) * | 2014-01-10 | 2018-03-20 | 株式会社ディスコ | Dividing device and workpiece dividing method |
JP6573072B2 (en) * | 2015-08-27 | 2019-09-11 | 株式会社村田製作所 | Film expansion apparatus and method of manufacturing electronic component using the same |
JP6570942B2 (en) * | 2015-09-18 | 2019-09-04 | 株式会社ディスコ | Dividing device and wafer dividing method |
JP5939416B2 (en) * | 2016-02-12 | 2016-06-22 | 株式会社東京精密 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP6060475B2 (en) * | 2016-05-16 | 2017-01-18 | 株式会社東京精密 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP6741529B2 (en) * | 2016-09-09 | 2020-08-19 | 株式会社ディスコ | Tip spacing maintenance method |
CN109891556B (en) * | 2016-10-28 | 2022-11-22 | 株式会社东京精密 | Workpiece dividing device and workpiece dividing method |
JP6414995B2 (en) * | 2016-12-14 | 2018-10-31 | 株式会社東京精密 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP6814672B2 (en) * | 2017-03-23 | 2021-01-20 | 株式会社ディスコ | Processing method |
JP6820099B2 (en) * | 2017-05-10 | 2021-01-27 | リンテック株式会社 | Separation device and separation method |
JP2018207068A (en) * | 2017-06-09 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | Pickup method |
JP7105120B2 (en) * | 2017-07-04 | 2022-07-22 | 日東電工株式会社 | Dicing tape, dicing die-bonding film, and semiconductor device manufacturing method |
JP7109916B2 (en) * | 2017-12-27 | 2022-08-01 | 株式会社ディスコ | splitter |
JP7110541B2 (en) * | 2018-01-11 | 2022-08-02 | 株式会社東京精密 | Work dividing device and work dividing method |
CN110098148A (en) * | 2018-01-30 | 2019-08-06 | 株式会社迪思科 | The processing method of chip |
JP7030006B2 (en) * | 2018-04-12 | 2022-03-04 | 株式会社ディスコ | Expansion method and expansion device |
JP7130324B2 (en) * | 2018-05-18 | 2022-09-05 | 株式会社ディスコ | Device chip forming method |
JP7033004B2 (en) * | 2018-05-24 | 2022-03-09 | 日東電工株式会社 | Dicing Diebond film and semiconductor device manufacturing method |
JP2018170525A (en) * | 2018-07-09 | 2018-11-01 | 株式会社東京精密 | Workpiece division device and workpiece division method |
TWI677932B (en) * | 2019-02-01 | 2019-11-21 | 相豐科技股份有限公司 | Expansion method of stretch film and expander thereof |
JP7386649B2 (en) * | 2019-08-29 | 2023-11-27 | 株式会社ディスコ | tape expansion unit |
JP7345328B2 (en) * | 2019-09-13 | 2023-09-15 | 株式会社ディスコ | Processing method of workpiece |
CN110729186A (en) * | 2019-10-24 | 2020-01-24 | 东莞记忆存储科技有限公司 | Processing method for wafer cutting and separating |
JP7217408B2 (en) * | 2020-05-26 | 2023-02-03 | 株式会社東京精密 | Temperature imparting device and temperature imparting method |
US11842907B2 (en) * | 2020-07-08 | 2023-12-12 | Applied Materials, Inc. | Spot heating by moving a beam with horizontal rotary motion |
KR102441184B1 (en) * | 2020-07-15 | 2022-09-07 | 주식회사 기가레인 | Transfer device for easy film exchange and film exchange method |
JP7170208B2 (en) * | 2021-01-19 | 2022-11-14 | 株式会社東京精密 | Work dividing device and work dividing method |
CN117957637A (en) * | 2021-09-14 | 2024-04-30 | 雅马哈发动机株式会社 | Expansion device |
JPWO2023042261A1 (en) * | 2021-09-14 | 2023-03-23 | ||
WO2023209901A1 (en) * | 2022-04-27 | 2023-11-02 | ヤマハ発動機株式会社 | Expanding device, semiconductor chip production method, and semiconductor chip |
CN117894720A (en) * | 2024-03-15 | 2024-04-16 | 视睿(杭州)信息科技有限公司 | Method and device for sorting semiconductor wafer chips |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004200381A (en) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Renesas Technology Corp | Manufacturing method of semiconductor device and manufacturing device for semiconductor device |
JP2009253071A (en) * | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Expansion method |
JP2009277837A (en) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | Rupturing device |
JP2010153692A (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | Workpiece dividing method and tape expanding device |
JP2010206136A (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | Work dividing device |
JP2010232301A (en) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Sekisui Chem Co Ltd | Dicing tape and method of manufacturing semiconductor chip |
JP2011077482A (en) * | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | Tape expanding device |
JP2011216508A (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Wafer processing tape |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2831680B2 (en) * | 1989-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社東芝 | Wafer sheet stretching device, wafer sheet stretching method, semiconductor pellet removal method, semiconductor pellet removal device, inner lead bonding device, inner lead bonding method |
JPH0541451A (en) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Sony Corp | Method and device for pelletizing semiconductor wafer |
JP4526651B2 (en) * | 1999-08-12 | 2010-08-18 | 富士通セミコンダクター株式会社 | Semiconductor device |
JP4392732B2 (en) * | 2000-02-07 | 2010-01-06 | リンテック株式会社 | Manufacturing method of semiconductor chip |
JP4288392B2 (en) * | 2003-09-29 | 2009-07-01 | 株式会社東京精密 | Expanding method |
JP2005260154A (en) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Method of manufacturing chip |
WO2005114714A1 (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wafer expanding apparatus, component supplying apparatus and wafer sheet expanding method |
JP2007027562A (en) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method of fracturing bonding film attached on wafer |
JP2007123658A (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | Expansion apparatus of adhesive tape |
JP2009064905A (en) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | Extension method and extension apparatus |
JP4935733B2 (en) * | 2008-03-24 | 2012-05-23 | 富士通株式会社 | Lending status display program, lending status display device, and lending status display method |
JP5378780B2 (en) * | 2008-12-19 | 2013-12-25 | 株式会社ディスコ | Tape expansion method and tape expansion device |
JP5536555B2 (en) * | 2010-06-22 | 2014-07-02 | 株式会社ディスコ | Expansion tape shrink device |
JP2012156400A (en) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | Tape expanding device |
JP5013148B1 (en) * | 2011-02-16 | 2012-08-29 | 株式会社東京精密 | Work dividing apparatus and work dividing method |
-
2011
- 2011-12-26 JP JP2011282761A patent/JP5013148B1/en active Active
-
2012
- 2012-02-10 KR KR1020120013857A patent/KR101522276B1/en active IP Right Grant
- 2012-02-15 TW TW101104820A patent/TWI433228B/en active
- 2012-06-04 JP JP2012126847A patent/JP5871719B2/en active Active
-
2015
- 2015-06-17 JP JP2015121666A patent/JP6069740B2/en active Active
-
2016
- 2016-12-15 JP JP2016243282A patent/JP2017050574A/en active Pending
-
2017
- 2017-02-21 JP JP2017030266A patent/JP6383030B2/en active Active
- 2017-05-19 JP JP2017099990A patent/JP6384975B2/en active Active
- 2017-10-20 JP JP2017203593A patent/JP6508286B2/en active Active
-
2018
- 2018-09-19 JP JP2018175177A patent/JP6452016B1/en active Active
- 2018-11-22 JP JP2018219316A patent/JP6466620B1/en active Active
-
2019
- 2019-01-08 JP JP2019001461A patent/JP6562170B2/en active Active
- 2019-01-08 JP JP2019001460A patent/JP6562169B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004200381A (en) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Renesas Technology Corp | Manufacturing method of semiconductor device and manufacturing device for semiconductor device |
JP2009253071A (en) * | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Expansion method |
JP2009277837A (en) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | Rupturing device |
JP2010153692A (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | Workpiece dividing method and tape expanding device |
JP2010206136A (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | Work dividing device |
JP2010232301A (en) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Sekisui Chem Co Ltd | Dicing tape and method of manufacturing semiconductor chip |
JP2011077482A (en) * | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | Tape expanding device |
JP2011216508A (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Wafer processing tape |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020217397A1 (en) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | 日立化成株式会社 | Method for producing semiconductor device having dolmen structure, method for producing supporting pieces, and multilayer film |
WO2020218531A1 (en) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | 日立化成株式会社 | Method for manufacturing semiconductor device having dolmen structure, method for manufacturing support piece, and laminated film |
JPWO2020218531A1 (en) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | ||
US11935870B2 (en) | 2019-04-25 | 2024-03-19 | Resonac Corporation | Method for manufacturing semiconductor device having dolmen structure, method for manufacturing support piece, and laminated film |
JP7494844B2 (en) | 2019-04-25 | 2024-06-04 | 株式会社レゾナック | Manufacturing method for semiconductor device having dolmen structure, manufacturing method for support piece and laminated film |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012186504A (en) | 2012-09-27 |
JP6562170B2 (en) | 2019-08-21 |
JP5013148B1 (en) | 2012-08-29 |
JP2012186445A (en) | 2012-09-27 |
JP5871719B2 (en) | 2016-03-01 |
TWI433228B (en) | 2014-04-01 |
TW201243932A (en) | 2012-11-01 |
JP6069740B2 (en) | 2017-02-01 |
JP2018029203A (en) | 2018-02-22 |
JP2015164233A (en) | 2015-09-10 |
JP2019068102A (en) | 2019-04-25 |
JP6384975B2 (en) | 2018-09-05 |
JP2019068101A (en) | 2019-04-25 |
JP6466620B1 (en) | 2019-02-06 |
JP6383030B2 (en) | 2018-08-29 |
JP2017139504A (en) | 2017-08-10 |
JP2017050574A (en) | 2017-03-09 |
JP6452016B1 (en) | 2019-01-16 |
JP6562169B2 (en) | 2019-08-21 |
JP6508286B2 (en) | 2019-05-08 |
JP2019050414A (en) | 2019-03-28 |
JP2017123476A (en) | 2017-07-13 |
KR20120094427A (en) | 2012-08-24 |
KR101522276B1 (en) | 2015-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6562170B2 (en) | Work dividing device | |
JP6249586B2 (en) | Work dividing apparatus and work dividing method | |
JP5885033B2 (en) | Work dividing apparatus and work dividing method | |
CN102646584B (en) | Workpiece dividing device and method for dividing workpiece | |
JP2018170525A (en) | Workpiece division device and workpiece division method | |
KR102225430B1 (en) | Work dividing device and method for dividing work | |
JP6414995B2 (en) | Work dividing apparatus and work dividing method | |
JP5939416B2 (en) | Work dividing apparatus and work dividing method | |
JP6060475B2 (en) | Work dividing apparatus and work dividing method | |
JP2020025112A (en) | Work division device and work division method | |
KR101843794B1 (en) | Work dividing device and method for dividing work | |
JP2013062414A (en) | Die bonder |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6452016 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |