JP6573072B2 - Film expansion apparatus and method of manufacturing electronic component using the same - Google Patents
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Description
本発明は、フィルム拡張装置および電子部品の製造方法に関し、詳しくは、複数のチップが貼り着けられたフィルムを面方向に拡張するためのフィルム拡張装置およびそれを用いた電子部品の製造方法に関する。 The present invention relates to a film expansion device and an electronic component manufacturing method, and more particularly to a film expansion device for expanding a film on which a plurality of chips are attached in a surface direction and an electronic component manufacturing method using the film expansion device.
例えば、セラミック電子部品を製造する方法の一つに、セラミックグリーンシートを積層することにより形成されたマザーブロックをカットして複数のチップに分割する(個片化する)工程を経て電子部品を製造する方法がある。 For example, one of the methods for manufacturing ceramic electronic components is to manufacture electronic components through a process of cutting a mother block formed by laminating ceramic green sheets and dividing it into multiple chips (dividing into individual pieces). There is a way to do it.
ところで、特許文献1には、基材の片面に形成された粘着剤層を有するレーザーを用いてダイシングを行うステルスダイシング用の粘着シートであって、粘着シートの23℃におけるヤング率が200〜600MPaであり、粘着剤層の23℃における貯蔵弾性率が0.10〜50MPaであるステルスダイシング用の粘着シートが開示されている。
By the way,
また、特許文献1には、表面に回路が形成された半導体ウエハにレーザー光を照射して、ウエハ内部に改質部を形成する工程、該半導体ウエハの裏面に、上記の粘着シートを貼付する工程、粘着シートを面方向に拡張することにより、半導体ウエハを分割して複数のチップに個片化する工程、分離された複数のチップをピックアップする工程を含む半導体装置の製造方法が提案されている。
そして、上述の方法で、半導体ウエハが貼付された粘着シートを拡張して、隣り合うチップの間隔を広げ、半導体ウエハを分割することにより、半導体チップに対するピックアップなどの取り扱いが容易になるという効果を得ることが可能になる。 And by the above-mentioned method, the adhesive sheet to which the semiconductor wafer is stuck is expanded, the interval between adjacent chips is widened, and the semiconductor wafer is divided, thereby making it easy to handle a pickup for the semiconductor chip. It becomes possible to obtain.
この特許文献1に記載されている方法で半導体ウエハが貼付された粘着フィルムを拡張すると、粘着フィルムの全体が均一に拡張することになる。そのため、フィルムに貼付された半導体ウエハの周辺領域が、個片化されない余白部である場合、上記余白部分も拡張され、半導体ウエハを貼り付けた領域が拡張される割合が低くなる。したがって、一度の拡張工程で処理することができる(分離することができる)チップの個数が少なくなり、生産性が低下するという問題点がある。
When the adhesive film to which the semiconductor wafer is attached is expanded by the method described in
また、チップの平面形状が正方形でない場合、方向によってチップの間隔が異なる場合がある。具体的には、ワークの寸法(半導体ウエハの寸法(正確には半導体チップの集合体の寸法))の大きい方向におけるチップの間隔が、ワークの寸法の小さい方向におけるチップの間隔よりも大きくなる。 In addition, when the planar shape of the chip is not square, the distance between the chips may differ depending on the direction. Specifically, the chip interval in the direction in which the workpiece dimension (semiconductor wafer dimension (to be precise, the dimension of the semiconductor chip assembly)) is larger than the chip interval in the workpiece dimension direction.
そして、ワークの寸法の小さい方向におけるチップの間隔を必要十分に広げた場合、ワークの寸法が大きい方向におけるチップの間隔が必要以上に大きくなり、結果として、一度の拡張工程で処理できるチップの個数が少なくなり、生産性が低下するという問題点がある。 If the interval between the chips in the direction in which the workpiece dimension is small is increased sufficiently, the interval between the chips in the direction in which the workpiece dimension is large becomes larger than necessary. As a result, the number of chips that can be processed in one expansion process There is a problem that productivity decreases.
本発明は、上記課題を解決するものであり、一度の拡張工程で処理できるチップの個数を増やすことが可能で、生産性に優れたフィルムの拡張装置および該拡張装置を用いた生産性の高い電子部品の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention solves the above-described problem, and can increase the number of chips that can be processed in one expansion process, and has a highly productive film expansion apparatus and high productivity using the expansion apparatus. An object is to provide a method for manufacturing an electronic component.
上記課題を解決するために、本発明のフィルム拡張装置は、
複数のチップが貼り着けられたフィルムを面方向に拡張するためのフィルム拡張装置であって、
フィルムの周縁部を保持する保持部と、
平面視で前記保持部の内側に位置し、前記保持部により保持された前記フィルムを面方向に拡張する際に拡張支点となる枠体と、
平面視で前記枠体の内側に位置するベース部と、前記ベース部上に形成され、前記フィルムの下面と当接して前記フィルムの前記枠体の内側の所定領域を加熱する当接部とを有する加熱テーブルとを備え、
前記当接部は、平面視で前記ベース部が占める領域よりも小さい領域を有するように形成されていることを特徴としている。
In order to solve the above-described problems, a film expansion device of the present invention includes:
A film expansion device for expanding a film to which a plurality of chips are attached in a surface direction,
A holding part for holding the peripheral edge of the film;
A frame that is located inside the holding part in a plan view and serves as an expansion fulcrum when the film held by the holding part is expanded in the surface direction;
A base portion located inside of the frame in a plan view, the formed on the base portion, and a contact portion for heating an inner predetermined area of the frame body of the lower surface and the contact with the film of the film and a heating table having,
The contact portion is formed so as to have an area smaller than an area occupied by the base portion in plan view .
また、本発明のフィルム拡張装置においては、前記枠体を、前記保持部との関係において相対的に上方に移動させることにより、周縁部が前記保持部により保持され、下面の所定領域が前記当接部と当接して加熱された前記フィルムを、前記枠体を拡張支点として面方向に拡張するように構成されていることが好ましい。 In the film expanding apparatus of the present invention, the frame body is moved relatively upward in relation to the holding portion, so that the peripheral portion is held by the holding portion, and the predetermined area on the lower surface is the contact portion. It is preferable that the film heated in contact with the contact portion is configured to expand in the plane direction with the frame body as an expansion fulcrum.
上記構成とすることにより、フィルムにおける意図する領域を効率よく、選択的に拡張することが可能になり、本発明をより実効あらしめることができる。 With the above configuration, it is possible to efficiently and selectively expand an intended region in the film, and the present invention can be more effectively realized.
前記当接部の、前記フィルムの下面と当接する面の、所定の一方向であるX方向の寸法DXと、前記一方向と直交する他方向であるY方向の寸法DYとが異なることが好ましい。 The dimension D X in the X direction, which is a predetermined direction, and the dimension D Y in the Y direction, which is the other direction orthogonal to the one direction, of the surface of the contact part that contacts the lower surface of the film are different from each other. Is preferred.
当接部の、フィルムの下面と当接する面の、X方向の寸法DXと、他方向であるY方向の寸法DYとを異ならせることにより、X方向とY方向におけるフィルムの拡張量を異ならせる(異方拡張させる)ことが可能になり、拡張の態様の自由度を高めることが可能になる。
その結果、チップ集合体の形状や寸法と、加熱テーブルの当接部の形状や寸法の関係を適切に設定することにより、所定の一方向であるX方向と、上記一方向と直交する他方向であるY方向における、個々のチップどうしの間隔を自由に制御することができるようになる。
The amount of expansion of the film in the X direction and the Y direction can be increased by making the dimension D X in the X direction of the surface of the contact part that contacts the lower surface of the film different from the dimension D Y in the Y direction, which is the other direction. It is possible to make them different (isotropically expanded), and it is possible to increase the degree of freedom of the expansion mode.
As a result, by appropriately setting the relationship between the shape and size of the chip assembly and the shape and size of the contact portion of the heating table, the X direction which is a predetermined direction and the other direction orthogonal to the one direction Thus, the interval between individual chips in the Y direction can be freely controlled.
また、前記当接部の、前記フィルムの下面と当接する面の平面形状が長方形であることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the planar shape of the surface which contact | abuts the lower surface of the said film of the said contact part is a rectangle.
加熱テーブルの当接部の、フィルムの下面と当接する面の平面形状を長方形とした場合、所定の一方向であるX方向と、上記一方向と直交する他方向であるY方向とで、拡張量が異なるような態様でフィルムを拡張する(異方拡張する)ことが可能になる。 When the planar shape of the surface of the contact portion of the heating table that contacts the lower surface of the film is a rectangle, it expands in the predetermined X direction and the Y direction that is the other direction orthogonal to the one direction. the amount to extend the full Irumu in different such embodiments (anisotropic extended) it becomes possible.
また、前記当接部の、前記フィルムの下面と当接する面の平面形状は、長方形で角が丸められた形状とすることも可能である。 Further, the planar shape of the surface of the contact portion that contacts the lower surface of the film may be a rectangle with rounded corners.
当接部を、例えば、角が丸められた横長の長方形(X方向の寸法DX)>(Y方向の寸法DY)とした場合、フィルムの、当接部と当接して加熱された加熱領域Rの対角方向の距離が短くなり、フィルムの対角方向についてみた場合に、加熱領域と非加熱領域を含む全体の拡張量が同じ場合に、角が丸められていない場合に比べて、加熱領域における拡張の割合を、非加熱領域に比べて大きくすることが可能になる。したがって、チップ集合体の対角方向の拡張量を十分に確保することが可能になり、チップ集合体を構成する個々のチップどうしの間隔のばらつきを抑制して、均一性を高めることが可能になる。 When the contact portion is, for example, a horizontally long rectangle with rounded corners (dimension D X in the X direction)> (dimension D Y in the Y direction), the film is heated by being in contact with the contact portion and heated. When the distance in the diagonal direction of the region R is shortened and the overall expansion amount including the heated region and the non-heated region is the same when viewed in the diagonal direction of the film, compared to the case where the corners are not rounded, The expansion ratio in the heating region can be increased as compared with the non-heating region. Accordingly, it is possible to secure a sufficient amount of expansion of the chip assembly in the diagonal direction, and it is possible to improve the uniformity by suppressing the variation in the interval between the individual chips constituting the chip assembly. Become.
また、前記当接部の、前記フィルムの下面と当接する面の平面形状は、円形とすることも可能である。 Further, the planar shape of the surface of the contact portion that contacts the lower surface of the film may be circular.
当接部の上面を円形とすることにより、フィルムを、その方向にかかわらず、全面で均一に拡張する(等方拡張する)ことが可能になり、チップやチップの集合体の形状によっては(例えば、チップやチップの集合体の平面形状が正方形であるような場合)、チップどうしの間隔を、全方位的に均一にすることが可能になり、特に好ましい場合がある。 By making the upper surface of the contact portion circular, the film can be uniformly expanded (isotropically expanded) over the entire surface regardless of its direction. Depending on the shape of the chip or the assembly of chips ( For example, when the planar shape of a chip or a chip assembly is a square), the distance between chips can be made uniform in all directions, which may be particularly preferable.
また、本発明の電子部品の製造方法は、
マザーブロックをカットして、複数のチップに分割する工程を経て電子部品を製造する方法であって、
(a)所定の位置でカットされた、複数のチップを含むマザーブロックが、面方向に拡張することが可能なフィルムの表面に貼り付けられた状態とする工程と、
(b)上記本発明のフィルム拡張装置を用いて、前記複数のチップを含む前記マザーブロックが貼り付けられた前記フィルムを拡張することにより、前記フィルム上の前記複数のチップどうしの間隔を広げる工程と
を具備することを特徴としている。
In addition, the method of manufacturing the electronic component of the present invention includes
A method of manufacturing an electronic component through a process of cutting a mother block and dividing it into a plurality of chips,
(A) a step in which a mother block including a plurality of chips cut at a predetermined position is attached to the surface of a film that can be expanded in a plane direction;
(B) A step of expanding the distance between the plurality of chips on the film by expanding the film to which the mother block including the plurality of chips is attached using the film expansion apparatus of the present invention. It is characterized by comprising.
また、本発明の電子部品の製造方法においては、
前記フィルムの表面に貼り付けられた前記マザーブロックに含まれる複数のチップの集合体の、所定の一方向であるX方向の寸法MXが、前記一方向と直交する他方向であるY方向の寸法MYより大きく、かつ、
前記加熱テーブルの前記当接部の前記フィルムの下面と当接する面の、前記X方向の寸法DXが、前記Y方向の寸法DYよりも大きいこと
が好ましい。
In the method of manufacturing an electronic component of the present invention,
A plurality of chip assemblies that are included in the mother block affixed to a surface of the film, the dimension M X in the X direction is a predetermined one direction, in the Y direction which is the other direction perpendicular to the one direction larger than the dimension M Y, and,
It is preferable that the dimension D X in the X direction of the surface of the contact portion of the heating table that contacts the lower surface of the film is larger than the dimension D Y in the Y direction.
マザーブロックに含まれる複数のチップの集合体の、当接部のX方向に対応する方向Xmの寸法MXが、当接部のY方向に対応する方向Ymの寸法MYより大きく、かつ、加熱テーブルの当接部の上面の、X方向の寸法DXが、Y方向の寸法DYよりも大きい場合、X方向よりもY方向におけるチップどうしの間隔を大きくすることが可能になり、例えば、個々のチップを、X方向を回転軸方向として90回転させて(Y方向に転がして)、回転後に上向きとなった面に処理を施す(例えば、絶縁シートを貼り付けたりする)ことが可能になる。 The dimension M X in the direction Xm corresponding to the X direction of the contact part of the aggregate of the plurality of chips included in the mother block is larger than the dimension M Y in the direction Ym corresponding to the Y direction of the contact part, and When the dimension D X in the X direction on the upper surface of the contact portion of the heating table is larger than the dimension D Y in the Y direction, it is possible to increase the interval between chips in the Y direction rather than the X direction. Each chip can be rotated 90 times with the X direction as the axis of rotation (rolled in the Y direction) and processed on the surface facing upward after rotation (for example, an insulating sheet is attached). become.
また、フィルムはX方向には大きく拡張しないので、X方向においてチップどうしの間隔が不必要に大きくなることがなく、一度の拡張工程で処理することができる(分離することができる)チップの個数を、必要な範囲で多くして、生産性を向上させることができる。 Also, since the film does not expand greatly in the X direction, the number of chips that can be processed (separated) in one expansion process without an unnecessarily large interval between chips in the X direction. Can be increased within the required range to improve productivity.
なお、X方向とY方向は相対的なものであり、フィルムを大きく拡張することで、チップの間隔を大きくしたい方向を考慮して、上述のX方向とY方向を定めることにより、種々の態様に効率よく対応することができる。 The X direction and the Y direction are relative, and various aspects can be achieved by defining the X direction and the Y direction described above in consideration of the direction in which the distance between the chips is to be increased by greatly expanding the film. Can be handled efficiently.
本発明の、複数のチップが貼り着けられたフィルムを面方向に拡張するためのフィルム拡張装置は、フィルムの周縁部を保持する保持部と、保持部の内側に位置し、保持部により保持されたフィルムを面方向に拡張する枠体と、平面視で枠体の内側に位置するベース部と、ベース部上に形成され、フィルムの下面と当接してフィルムの枠体の内側における所定領域を加熱する当接部とを有する加熱テーブルとを備えており、当接部は、平面視でベース部が占める領域よりも小さい領域を有するように形成されているので、フィルムの、加熱されてヤング率が低下した領域を主に拡張することが可能になる。そして、このことを利用して、フィルムの加熱領域を変化させることで、拡張量を制御することが可能になる。 A film expansion device for expanding a film on which a plurality of chips are attached according to the present invention in a surface direction is located on the inner side of the holding unit that holds the peripheral edge of the film, and is held by the holding unit. A frame that extends the film in the plane direction, a base portion that is located inside the frame body in plan view, and a predetermined area inside the film frame that is formed on the base portion and abuts the lower surface of the film. A heating table having a heating contact portion, and the contact portion is formed so as to have an area smaller than the area occupied by the base portion in plan view. It becomes possible to mainly expand the area where the rate has decreased. And it is possible to control the expansion amount by changing the heating area of the film by utilizing this fact.
その結果、フィルムの意図する領域を拡張して、一度の拡張工程で処理することができる(分離することができる)チップの個数を多くして、生産性を向上させることができるようになる。 As a result, the intended area of the film can be expanded to increase the number of chips that can be processed (separated) in a single expansion process, thereby improving productivity.
すなわち、当接部の形状を変化させて加熱領域を調整する(変化させる)ことで、フィルムに、意図するような温度差(位置による温度差)を持たせることが可能になり、フィルムのヤング率の差を利用して面内で拡張率の差を発生させることが可能になる。 In other words, by adjusting (changing) the heating area by changing the shape of the contact portion, it becomes possible to give the film a desired temperature difference (temperature difference depending on the position). It is possible to generate a difference in expansion rate in the plane using the difference in rate.
また、本発明の電子部品の製造方法においては、(a)所定の位置でカットされた、複数のチップを含むマザーブロックが、面方向に拡張することが可能なフィルムの表面に貼り付けられた状態とした後、(b)上述の本発明のフィルム拡張装置を用いて、複数のチップを含むマザーブロックが貼り付けられたフィルムを拡張することにより、フィルム上の複数のチップどうしの間隔を広げるようにしているので、個々のチップをフィルム上から効率よくピックアップするなどして、電子部品を効率よく製造することができるようになる。 In the method for manufacturing an electronic component according to the present invention, (a) a mother block including a plurality of chips cut at a predetermined position is attached to the surface of a film that can be expanded in the surface direction. (B) The distance between the plurality of chips on the film is widened by expanding the film to which the mother block including the plurality of chips is attached using the above-described film expansion device of the present invention. Therefore, electronic components can be efficiently manufactured by picking up individual chips from the film efficiently.
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。 Embodiments of the present invention will be described below to describe the features of the present invention in more detail.
[実施形態1]
この実施形態にかかるフィルム拡張装置は、複数のチップが貼り着けられたフィルムを面方向に拡張するための拡張装置であって、例えば、図1(a),(b)に示すように、フィルム1の周縁部1aを保持する保持部2と、平面視で、保持部2の内側に位置し、保持部2により保持されたフィルム1を面方向に拡張する枠体3と、枠体3の内側に位置して、フィルム1を、下面側から加熱する加熱テーブル4を備えている。
[Embodiment 1]
The film expansion device according to this embodiment is an expansion device for expanding a film on which a plurality of chips are attached in the surface direction. For example, as shown in FIGS. A
フィルム1としては、例えば、拡張させることが可能な伸縮性を有する種々の材料、例えば、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリオレフィンまたはポリエチレンテレフタラート(PET)などを含む基材層と、基材の表面に形成された粘着性を有する種々の材料、例えば、アクリルまたはゴムなどを含む粘着層とを備えたフィルムが用いられる。
ただし、フィルム1の構成に特別の制約はなく、他の構成のものを用いることも可能である。
The
However, there is no special restriction | limiting in the structure of the
そして、加熱テーブル4は、ベース部5と、ベース部5に設けられ、平面視でベース部5より小さく、かつ、ベース部5が占める領域内に位置する当接部6とを備え、当接部6がフィルム1の下面と当接してフィルム1を加熱するように構成されている。すなわち、フィルム1の、当接部6と当接した領域が加熱領域Rとなるように構成されている。
The heating table 4 includes a
また、フィルム1の周縁部1aを保持する保持部2は、基部2aと、フィルム1を周縁部1aを挟み込むフレーム2bと、フレーム2bを介してフィルム1を基部2aとの間に挟み込む保持部本体2cを備えている。
The holding
そして、この実施形態にかかるフィルム拡張装置は、周縁部1aが保持部2により保持され、下面が加熱テーブル4の当接部6に接して加熱された状態のフィルム1を、枠体3により上方に押し上げることで、枠体3(詳しくは外周上側稜線部)3aを拡張支点としてフィルム1が面方向に拡張するように構成されている。
In the film expanding apparatus according to this embodiment, the
すなわち、枠体3は、平面視で保持部2の内側の領域に位置し、加熱テーブル4とともに上方に移動させることができるように構成されており、フィルム1は、枠体3が上方に移動することによって押し上げられ、枠体3の外周上側稜線部3aを拡張支点として面方向に拡張するように構成されている。
That is, the
なお、この実施形態では、枠体3が上方に移動するように構成されているが、枠体3が保持部2との関係において相対的に上方に移動させることができればよいので、保持部2を下降させるように構成することも可能である。
In this embodiment, the
この実施形態のフィルム拡張装置は、上述のように構成されているので、フィルム1の、加熱されてヤング率が低下した領域(加熱領域R)を主に拡張することが可能になるとともに、所定の領域を選択的に加熱して加熱領域Rとすることが可能になる。その結果、フィルム1の加熱領域Rを適切に変化させて、フィルム1の拡張方向と拡張量の関係を任意に制御することが可能になる。
Since the film expansion device of this embodiment is configured as described above, it is possible to mainly expand the region (heating region R) of the
したがって、本発明のフィルム拡張装置によれば、以下に説明するように、方向によって拡張量(拡張の度合い)が異なるような異方拡張や、方向による拡張量が変動しない等方拡張を行うことが可能になり、フィルム1に貼り付けられたチップ集合体を構成する個々のチップどうしの、例えば所定の一方向であるX方向と、X方向と直交するY方向の間隔を自由に制御することができるようになる。
Therefore, according to the film expansion apparatus of the present invention, as will be described below, the anisotropic expansion in which the expansion amount (degree of expansion) varies depending on the direction and the isotropic expansion in which the expansion amount does not vary depending on the direction. For example, it is possible to freely control the distance between the individual chips constituting the chip assembly affixed to the
このように、フィルム1の意図する領域(主として、当接部6と当接して加熱された領域である加熱領域R)を拡張することが可能になる結果、一度の拡張工程で処理することができる(分離することができる)チップの個数を多くして、生産性を向上させることができるようになる。
As described above, the intended region of the film 1 (mainly, the heating region R that is heated in contact with the contact portion 6) can be expanded. As a result, the
次に、フィルム1の拡張の態様について、具体的に説明する。
まず、図2A(a),(b)および図2B(a),(b)に模式的に示すように、ベース部5と当接部6を備えた加熱テーブル4の当接部6を、例えば、平面視で枠体3およびベース部5よりも小さい円形とした場合、フィルム1の当接部6と当接する加熱領域Rを加熱した状態で、枠体3を上昇させて、枠体3の外周上側稜線部3aを拡張支点としてフィルム1を拡張すると、フィルム1の加熱されていない非加熱領域Rnはあまり拡張せず、当接部6に接して加熱された加熱領域Rが主として拡張することになる。すなわち、フィルム1の全体の拡張量に対して、加熱領域Rの拡張量を大きくすることが可能になる。
Next, the expansion mode of the
First, as schematically shown in FIGS. 2A (a), (b) and FIGS. 2B (a), (b), the
また、この実施形態のように当接部6の形状をベース部5よりも小さい円形とした場合には、上述のようにフィルム1の全体の拡張量に対する加熱領域Rの拡張量を大きくすることが可能になるばかりでなく、その方向にかかわらず、フィルム1を均一に拡張する(等方拡張する)ことが可能になる。
Further, when the shape of the
そのため、例えば、図2B(a),(b)に示すように、平面形状が正方形のチップ集合体20がフィルム1の加熱領域Rの内側に貼り付けられた状態で、枠体3の外周上側稜線部3aを拡張支点としてフィルム1を面方向に拡張した場合、フィルム1が等方拡張し、それに伴って、チップ集合体20も等方拡張することになり、個々のチップどうしの間隔のばらつきを全方位的に少なくして、均一性を高めることが可能になる。
Therefore, for example, as shown in FIGS. 2B (a) and 2 (b), the outer peripheral upper side of the
これに対して、例えば、図3A(a),(b)および図3B(a),(b)に示すように、フィルム1の、枠体3により規定される領域(枠体3の内側の全領域に対応する領域)を加熱するようにした場合、すなわち、枠体3の内側全体を加熱領域Rとした場合、枠体3の内側全体の大きい領域が加熱領域Rとなり、この大きい加熱領域Rでフィルム1が拡張するため、チップ集合体20をフィルム1上に貼り付けた状態でフィルム1を面方向に拡張した場合、フィルム1の全体の拡張量に対する、チップ集合体20が貼り付けられた領域の拡張量の割合が小さくなり、一度の拡張工程で処理することができる(分離することができる)チップの個数が少なくなり、生産性が制約されることになる。
On the other hand, for example, as shown in FIGS. 3A (a), (b) and FIGS. 3B (a), (b), an area defined by the frame 3 (inside the frame 3) (Region corresponding to the entire region) is heated, that is, when the entire inside of the
[実施形態2]
図4は、本発明の他の実施形態(実施形態2)にかかるフィルム拡張装置を示す図であり、(a)は正面断面図、(b)は要部平面図である。
この実施形態2のフィルム拡張装置は、加熱テーブル4を構成する当接部6が、平面視で、ベース部5より小さく、X方向およびY方向に延びる長方形であって、(X方向の寸法DX)>(Y方向の寸法DY)を満たす長方形であることを除いては、上述の実施形態1のフィルム拡張装置と同様に構成されている。
[Embodiment 2]
4A and 4B are diagrams showing a film expansion device according to another embodiment (Embodiment 2) of the present invention, in which FIG. 4A is a front sectional view and FIG.
In the film expansion device of the second embodiment, the
この実施形態2のように、加熱テーブル4の当接部6を、例えば、図4(a),(b)に示すように、平面形状が、枠体3およびベース部5より小さく、かつ、X方向およびY方向に延びる長方形であって、(X方向の寸法DX)>(Y方向の寸法DY)を満たす長方形とした場合、フィルム1の当接部6と当接する加熱領域Rを加熱した状態で枠体3を上昇させ、フィルム1を、枠体3の外周上側稜線部3aを拡張支点として拡張すると、フィルム1の加熱されていない非加熱領域Rnはあまり拡張せず、当接部6に接して加熱された加熱領域Rが主として拡張する。
As in the second embodiment, the
したがって、図5(a),(b)に示すように、フィルム1の、長方形の加熱領域Rの内側領域にチップ集合体20を貼り付け、加熱テーブル4の当接部6をフィルム1の下面に接触させることによりフィルム1を加熱し、その状態で枠体3を上昇させて、枠体3の外周上側稜線部3aを拡張支点としてフィルム1を拡張すると、当接部6がDX>DYを満たす長方形であることから、図5(b)に示すように、フィルム1は加熱領域Rにおいて、X方向よりも、Y方向に大きく拡張することになり、フィルム1に貼り付けたチップ集合体20も、X方向よりも、Y方向に大きく拡張することになる。その結果、チップ集合体20を構成する個々のチップどうしの間隔が、Y方向に大きく、X方向に小さい態様で、個々のチップを分離することが可能になる。
Therefore, as shown in FIGS. 5A and 5B, the
また、図6(a),(b)は、この実施形態2のフィルム拡張装置の変形例にかかるフィルム拡張装置の要部構成を示す図である。
この変形例においては、加熱テーブル4を構成する当接部6が、平面視で、ベース部5より小さく、(X方向の寸法DX)<(Y方向の寸法DY)を満たす長方形とされている。その他の構成は、上述の実施形態2にかかるフィルム拡張装置の場合と同様である。
6 (a) and 6 (b) are diagrams showing the main configuration of a film expansion device according to a modification of the film expansion device of the second embodiment.
In this modification, the
このように当接部6を(X方向の寸法DX)<(Y方向の寸法DY)を満たす長方形とした場合、図6(a)に示すように、長方形の加熱領域Rの内側領域にチップ集合体20を貼り付け、加熱テーブル4の当接部6をフィルム1の下面に接触させることによりフィルム1を加熱し、その状態で枠体3を上昇させて、枠体3の外周上側稜線部3aを拡張支点としてフィルム1を拡張すると、当接部6がDX<DYでを満たす長方形であることから、図6(b)に示すように、フィルム1は加熱領域Rにおいて、Y方向よりも、X方向に大きく拡張することになり、フィルム1に貼り付けたチップ集合体20も、Y方向よりも、X方向に大きく拡張することになる。その結果、チップ集合体20を構成する個々のチップどうしの間隔が、X方向に大きく、Y方向に小さい態様で、個々のチップを分離することが可能になる。
In this way, when the
なお、当接部6を図5(a),(b)に示す長方形にするか、図6(a),(b)に示す長方形にするかは、意図する異方拡張の態様を考慮して、任意に決定することができる。
Whether the
[実施形態3]
また、図7(a),(b)は本発明のさらに他の実施形態(実施形態3)にかかるフィルム拡張装置の要部構成を示す図である。
[Embodiment 3]
7 (a) and 7 (b) are diagrams showing the main configuration of a film expansion device according to still another embodiment (third embodiment) of the present invention.
実施形態3のフィルム拡張装置においては、加熱テーブル4を構成する当接部6が、平面視で、ベース部5より小さく、X方向およびY方向に延びる長方形であって、(X方向の寸法DX)>(Y方向の寸法DY)を満たす長方形とされ、かつ、角が丸められた形状を有している。その他の構成は、上述の実施形態1および2のフィルム拡張装置の場合と同様である。
In the film expansion device of
この実施形態3のように、当接部6を、角が丸められた、(X方向の寸法DX)>(Y方向の寸法DY)を満たす長方形とした場合、加熱領域Rの対角方向の距離が短くなり、フィルム1の対角方向についてみた場合に、加熱領域Rと非加熱領域Rnを含む全体におけるフィルム1の拡張量が同じ場合に、フィルム1の加熱領域Rに対応する領域における拡張の割合を、非加熱領域Rnに対応する領域における拡張の割合に比べて大きくすることが可能になる。すなわち、当接部6の角が丸められていない場合に比べて加熱領域Rに対応する領域における拡張の割合を大きくすることが可能になる。
As in the third embodiment, when the
すなわち、図8(a)に示すように、当接部6を、角が丸められていない、(X方向の寸法DX)>(Y方向の寸法DY)を満たす長方形とした場合、加熱領域Rの対角方向の寸法が、角が丸められている場合に比べて大きくなり、その分だけフィルム1の加熱領域Rに対応する領域における拡張の割合が、非加熱領域Rnに対応する領域における拡張の割合に比べて小さくなる。したがって、チップ集合体20を加熱領域Rの内側の領域に貼り付けてフィルム1を拡張した場合、図8(b)に示すように、チップ集合体20の対角方向の拡張量が他の方向に比べて不十分になる。
That is, as shown in FIG. 8A, when the
これに対して、図7(a)に示すように、当接部6を、角が丸められた(X方向の寸法DX)>(Y方向の寸法DY)を満たす長方形とした場合、フィルム1の対角方向の、加熱領域Rに対応する領域における拡張の割合を、非加熱領域Rnに対応する領域における拡張の割合に比べて大きくすることが可能になり、チップ集合体20を加熱領域R内に貼り付けてフィルム1を拡張させた場合に、図7(b)に示すように、チップ集合体20の対角方向の拡張量を十分に確保することが可能になり、チップ集合体20を構成する個々のチップどうしの間隔のばらつきを抑制することが可能になる。
On the other hand, as shown in FIG. 7A, when the
なお、実施形態3では、当接部6が横長で角が丸められた形状を有するものである場合を例にとって説明したが、当接部6を縦長で角が丸められた形状とすることも可能である。
また、当接部6の平面形状が正方形で角が丸められた構造とすることも可能である。
In the third embodiment, the case where the
It is also possible to adopt a structure in which the planar shape of the
[実施形態4]
この実施形態4では、ブロックを複数のチップに分割する工程を経て、電子部品を製造する方法として、図9に示す積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。ただし、本発明は、積層セラミックコンデンサのみならず、インダクタやサーミスタ、圧電素子などのセラミック電子部品、あるいは半導体素子など、ブロックを複数のチップに分割する工程を経て製造される種々の電子部品に適用可能である。
[Embodiment 4]
In the fourth embodiment, a method of manufacturing a multilayer ceramic capacitor shown in FIG. 9 will be described as a method of manufacturing an electronic component through a process of dividing a block into a plurality of chips. However, the present invention is applicable not only to multilayer ceramic capacitors but also to various electronic parts manufactured through a process of dividing a block into a plurality of chips, such as ceramic electronic parts such as inductors, thermistors, piezoelectric elements, or semiconductor elements. Is possible.
なお、この実施形態4で説明する方法で製造される積層セラミックコンデンサは、図9に示すように、誘電体層であるセラミック層101を介して複数の内部電極102(102a,102b)が積層されたセラミック積層体(チップ)110の一対の端面103(103a,103b)に、内部電極102(102a,102b)と導通するように一対の外部電極104(104a,104b)が配設された構造を有するものである。
In the multilayer ceramic capacitor manufactured by the method described in the fourth embodiment, as shown in FIG. 9, a plurality of internal electrodes 102 (102a, 102b) are stacked via a
以下、この積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
(1)本発明のフィルム拡張装置に装着されることになるフィルムに積層ブロックを貼り付け、積層ブロックを分割することにより、複数のチップのチップ集合体が、フィルムの表面に貼り付けられた状態とする。なお、チップ集合体が、フィルムに貼り付けられた状態とする方法に特別の制約はなく、例えば、複数の内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、内部電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを、拡張可能なフィルム上に所定の順序で積層することにより積層ブロックを形成し、この積層ブロックを所定の位置でカットすることにより、チップ集合体を得ることができる。
Hereinafter, a method for manufacturing the multilayer ceramic capacitor will be described.
(1) A state in which a chip assembly of a plurality of chips is attached to the surface of the film by attaching the laminated block to the film to be attached to the film expansion device of the present invention and dividing the laminated block. And There are no particular restrictions on the method of making the chip assembly affixed to the film. For example, a ceramic green sheet on which a plurality of internal electrode patterns are formed and a ceramic green on which no internal electrode patterns are formed A chip assembly can be obtained by forming a laminated block by laminating sheets on an expandable film in a predetermined order and cutting the laminated block at a predetermined position.
また、例えば、別の工程で積層ブロックをカットして得られたチップ集合体を、拡張可能なフィルム上に移し替えることによっても、チップ集合体が、フィルムの表面に貼り付けられた状態とすることが可能である。 In addition, for example, by transferring the chip aggregate obtained by cutting the laminated block in another process onto an expandable film, the chip aggregate is attached to the surface of the film. It is possible.
(2)それから、本発明のフィルム拡張装置を用い、枠体の内側に位置する加熱テーブルの当接部をフィルム1の下面に押し当てることにより、フィルムの所定の領域(加熱領域)を加熱する。
(2) Then, by using the film expansion device of the present invention, a predetermined area (heating area) of the film is heated by pressing the contact portion of the heating table located inside the frame against the lower surface of the
(3)それから、複数のチップを含むチップ集合体が貼り付けられたフィルムを面方向に拡張することにより、個々のチップを分離する。 (3) Then, the individual chips are separated by expanding the film to which the chip assembly including a plurality of chips is attached in the surface direction.
このとき、上記実施形態1の場合(図2参照)のように、加熱テーブル4の当接部6、すなわち別の観点で言う加熱領域Rが円形で、フィルムの拡張の態様が等方拡張となるように構成されたフィルム拡張装置を用いることも可能であり、また、上記実施形態2の場合のように、加熱テーブル4の当接部6、すなわち別の観点で言う加熱領域Rが図5に示す長方形、あるいは図6に示す長方形で、フィルム1の拡張の態様が異方拡張となるように構成されたフィルム拡張装置を用いることも可能である。
At this time, as in the case of the first embodiment (see FIG. 2), the
さらに、上記実施形態3の場合のように、角が丸められた当接部6、すなわち別の観点で言う加熱領域Rを備えたフィルム拡張装置を用いることも可能である。
Furthermore, as in the case of the third embodiment, it is also possible to use a film expansion device provided with a
ただし、この実施形態4では、加熱テーブル4の当接部6、すなわち別の観点で言う加熱領域Rが横長で、異方拡張となるように構成されたフィルム拡張装置を用いる場合について説明する。
However, in this
図10(a)に示すように、フィルム1上にチップ集合体20を貼り付けた状態から、フィルム1を面方向に拡張させると、図10(b)に示すように、フィルム1のチップ集合体20を貼り付けた領域がY方向には大きく拡張し、X方向にはY方向よりも小さく拡張して、フィルム1上の個々のチップ20aが所定の間隔をおいて保持された状態となり、個々のチップ20aが確実に分離される。
As shown in FIG. 10 (a), when the
このとき、上述のように、フィルム1のチップ集合体20を貼り付けた領域がY方向には大きく拡張するので、チップ20aどうしの間隔も大きくなる。
At this time, as described above, since the region where the
そのため、例えば、個々のチップ30を、X方向を回転軸方向として90回転させて(Y方向に転がして)、回転後に上向きとなった面に処理を施す(例えば、絶縁シートを貼り付けたり、絶縁ペーストを塗布したりする)ことが可能になり、好ましい。
また、フィルム1は、X方向には必要以上に拡張せず、チップ20aどうしの間隔もX方向では大きくなりすぎないため、一度の拡張工程で処理することができるチップの個数を、必要以上に減少させることがなく、適正な生産性を確保することができる。
Therefore, for example, each chip 30 is rotated 90 times with the X direction as the rotation axis direction (rolled in the Y direction), and processing is performed on the surface facing upward after the rotation (for example, an insulating sheet is attached, It is possible to apply an insulating paste), which is preferable.
Further, since the
(4)次に、フィルム1上から個々のチップ20aを取り出し、所定の条件で焼成することにより、セラミック積層体を得る。
(4) Next, the
(5)それから、セラミック積層体の両端側に外部端子を形成する。これにより、図9に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサが得られる。 (5) Then, external terminals are formed on both ends of the ceramic laminate. Thereby, a multilayer ceramic capacitor having a structure as shown in FIG. 9 is obtained.
上述のように構成されたフィルム拡張装置を用い、複数のチップを含むマザーブロックが貼り付けられたフィルムを拡張して、複数のチップどうしの間隔を広げることにより、電子部品を効率よく製造することができる。 Using the film expansion device configured as described above, an electronic component can be efficiently manufactured by expanding a film on which a mother block including a plurality of chips is attached and widening the interval between the plurality of chips. Can do.
なお、本発明において、X方向とY方向は相対的なものであり、チップの間隔を大きくしたい方向を考慮して、上述のX方向とY方向を定めることにより、種々の態様に確実に対応することができる。 In the present invention, the X direction and the Y direction are relative to each other, and the X direction and the Y direction described above are determined in consideration of the direction in which the interval between the chips is desired to be increased. can do.
本発明は、さらにその他の点においても上記実施形態に限定されるものではなく、加熱テーブルの構成や、当接部の形状、枠体の構成やその形状、チップ集合体の構成などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。 The present invention is not limited to the above embodiment in other respects, and relates to the configuration of the heating table, the shape of the contact portion, the configuration of the frame, the shape thereof, the configuration of the chip assembly, and the like. It is possible to add various applications and modifications within the range.
1 フィルム
1a フィルムの周縁部
2 保持部
2a 基部
2b フレーム
2c 保持部本体
3 枠体
3a 拡張支点(外周上側稜線部)
4 加熱テーブル
5 ベース部
6 当接部
20 チップ集合体
20a 個々のチップ
102(102a,102b) 内部電極
110 セラミック積層体(チップ)
103(103a,103b) セラミック素体の110の端面
104(104a,104b) 外部電極
R 加熱領域
Rn 非加熱領域
DX 当接部のフィルムの下面と当接する面のX方向の寸法
DY 当接部のフィルムの下面と当接する面のY方向の寸法
DESCRIPTION OF
4 Heating table 5
103 (103a, 103b)
Claims (8)
フィルムの周縁部を保持する保持部と、
平面視で前記保持部の内側に位置し、前記保持部により保持された前記フィルムを面方向に拡張する際に拡張支点となる枠体と、
平面視で前記枠体の内側に位置するベース部と、前記ベース部上に形成され、前記フィルムの下面と当接して前記フィルムの前記枠体の内側の所定領域を加熱する当接部とを有する加熱テーブルとを備え、
前記当接部は、平面視で前記ベース部が占める領域よりも小さい領域を有するように形成されていることを特徴とするフィルム拡張装置。 A film expansion device for expanding a film to which a plurality of chips are attached in a surface direction,
A holding part for holding the peripheral edge of the film;
A frame that is located inside the holding part in a plan view and serves as an expansion fulcrum when the film held by the holding part is expanded in the surface direction;
A base portion located inside of the frame in a plan view, the formed on the base portion, and a contact portion for heating an inner predetermined area of the frame body of the lower surface and the contact with the film of the film and a heating table having,
The film expanding apparatus according to claim 1, wherein the contact portion is formed so as to have an area smaller than an area occupied by the base portion in a plan view .
(a)所定の位置でカットされた、複数のチップを含むマザーブロックが、面方向に拡張することが可能なフィルムの表面に貼り付けられた状態とする工程と、
(b)請求項1〜6のいずれかに記載のフィルム拡張装置を用いて、前記複数のチップを含む前記マザーブロックが貼り付けられた前記フィルムを拡張することにより、前記フィルム上の前記複数のチップどうしの間隔を広げる工程と
を具備することを特徴とする電子部品の製造方法。 A method of manufacturing an electronic component through a process of cutting a mother block and dividing it into a plurality of chips,
(A) a step in which a mother block including a plurality of chips cut at a predetermined position is attached to the surface of a film that can be expanded in a plane direction;
(B) Using the film expansion device according to any one of claims 1 to 6, by extending the film to which the mother block including the plurality of chips is attached, the plurality of the films on the film And a step of widening the gap between the chips.
前記加熱テーブルの前記当接部の前記フィルムの下面と当接する面の、前記X方向の寸法DXが、前記Y方向の寸法DYよりも大きいこと
を特徴とする請求項7記載の電子部品の製造方法。 A plurality of chip assemblies that are included in the mother block affixed to a surface of the film, the dimension M X in the X direction is a predetermined one direction, in the Y direction which is the other direction perpendicular to the one direction larger than the dimension M Y, and,
The electronic component according to claim 7, wherein a dimension DX in the X direction of a surface of the contact portion of the heating table that contacts the lower surface of the film is larger than a dimension DY in the Y direction. Manufacturing method.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6912938B2 (en) * | 2017-05-29 | 2021-08-04 | リンテック株式会社 | Separation device and separation method |
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Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5831414Y2 (en) * | 1977-06-20 | 1983-07-12 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | Tape stretching device |
JPS5984438A (en) * | 1982-11-04 | 1984-05-16 | Nec Corp | Sheet expansion device |
JPH0346253A (en) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Fujitsu Ltd | Wafer extending device |
JPH03250751A (en) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | Wafer expander |
JP2680935B2 (en) * | 1991-02-07 | 1997-11-19 | 九州日本電気株式会社 | Sheet enlarger |
JPH04352452A (en) * | 1991-05-30 | 1992-12-07 | Sharp Corp | Dividing method for wafer |
KR0119765Y1 (en) * | 1991-12-24 | 1993-07-28 | Tape fixer workbench structure | |
JPH08102452A (en) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Sharp Corp | Semiconductor chip-mounted sheet extension device |
JP4306359B2 (en) * | 2003-07-25 | 2009-07-29 | 株式会社東京精密 | Expanding method |
JP2005101288A (en) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Sharp Corp | Sheet extending device |
JP4714950B2 (en) * | 2005-11-18 | 2011-07-06 | 株式会社東京精密 | Expanding ring and substrate dividing method using the expanding ring |
JP2010147316A (en) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method and apparatus for expanding tape |
JP2011077482A (en) * | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | Tape expanding device |
JP5409280B2 (en) * | 2009-11-09 | 2014-02-05 | 株式会社ディスコ | Tip interval expansion method |
JP5128575B2 (en) | 2009-12-04 | 2013-01-23 | リンテック株式会社 | Stealth dicing adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device |
JP2012156400A (en) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | Tape expanding device |
JP5013148B1 (en) * | 2011-02-16 | 2012-08-29 | 株式会社東京精密 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP5780169B2 (en) * | 2011-03-14 | 2015-09-16 | 株式会社村田製作所 | Manufacturing method of multilayer ceramic electronic component |
JP5472275B2 (en) * | 2011-12-14 | 2014-04-16 | 株式会社村田製作所 | Expanding apparatus and component manufacturing method |
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