KR20120044473A - 태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템 - Google Patents

태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20120044473A
KR20120044473A KR1020100105758A KR20100105758A KR20120044473A KR 20120044473 A KR20120044473 A KR 20120044473A KR 1020100105758 A KR1020100105758 A KR 1020100105758A KR 20100105758 A KR20100105758 A KR 20100105758A KR 20120044473 A KR20120044473 A KR 20120044473A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
thin film
solar cell
deposition
unit
Prior art date
Application number
KR1020100105758A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101199210B1 (ko
Inventor
이정철
송진수
조준식
박상현
Original Assignee
한국에너지기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국에너지기술연구원 filed Critical 한국에너지기술연구원
Priority to KR1020100105758A priority Critical patent/KR101199210B1/ko
Priority to US13/244,598 priority patent/US20120108002A1/en
Priority to JP2011226620A priority patent/JP2012094861A/ja
Publication of KR20120044473A publication Critical patent/KR20120044473A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101199210B1 publication Critical patent/KR101199210B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템이 제공된다.
본 발명에 따른 태양전지 박막 증착장치는 기판을 경계로 구분되는 복수 개의 단위 챔버; 복수 개의 단위 챔버에 증착가스를 독립적으로 주입시키기 위한 증착가스 주입부; 및 상기 단위 챔버 내에 각각 구비되며, 상기 주입된 증착가스를 분해하기 위한 분해 수단을 포함하며, 상기 기판의 양면 각각은 상기 복수 개의 단위 챔버로 노출되며, 본 발명에 따른 태양전지 박막 증착장치 및 이를 이용한 제조방법은 기판의 회전 없이 고정된 상태에서 기판의 양면 증착이 가능하게 한다. 따라서, 일면에 대해서 하나의 층만이 적층되는 종래 기술에 비하여, 요구되는 설비의 수가 획기적으로 줄 수 있으며, 그 결과 본 발명에 따른 증착장치는 종래 기술에 비하여 경제성이 우수하다. 더 나아가, 증착공정의 수가 감소됨에 따라, 기판의 외부노출 시간을 또한 줄며, 그 결과 기판표면의 오염을 최소화할 수 있으며, 우수한 신뢰성을 갖는 태양전지의 제조가 가능하다.

Description

태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템{Apparatus, method and system for depositing layer of solar cell}
본 발명은 태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 회전 없이 고정된 상태에서 기판의 양면 증착이 가능하므로, 경제성이 우수하고, 또한 기판의 외부노출 시간을 줄여 기판표면의 오염을 최소화할 수 있는 새로운 태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템에 관한 것이다.
최근 치솟는 유가 상승과 지구환경문제와 화석에너지의 고갈, 원자력발전의 폐기물처리 및 신규발전소 건설에 따른 위치선정 등의 문제로 인하여 신?재생에너지에 대한 관심이 고조되고 있으며, 그 중에서도 무공해 에너지원인 태양전지에 대한 연구개발이 활발하게 진행되고 있다.
태양전지란 광기전력 효과(Photovoltaic Effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치로서, 그 구성 물질에 따라서 실리콘 태양전지, 박막 태양전지, 염료감응 태양전지 및 유기고분자 태양전지 등으로 구분된다. 이러한 태양전지는 독립적으로는 전자시계, 라디오, 무인등대, 인공위성, 로켓 등의 주전력원으로 이용되고, 상용교류전원의 계통과 연계되어 보조전력원으로도 이용되며, 최근 대체 에너지에 대한 필요성이 증가하면서 태양전지에 대한 관심이 높아지고 있다. 이러한 태양전지에서는, 입사되는 태양 광을 전기 에너지로 변환시키는 비율과 관계된 변환효율(Efficiency)을 높이는 것이 매우 중요하다. 변환효율을 높이기 위해서 여러가지 연구가 행해지고 있으며, 높은 광흡수 계수를 갖는 박막을 태양전지에 포함시킴으로써 변환효율을 높이고자 하는 기술 개발이 활발히 진행되고 있다. 효율 증가를 위한 새로운 시도록 태양전지의 양면 활용 기술이 대두되고 있다.
따라서, 본 발명이 해결하려는 과제는 기판의 회전 없이 고정된 상태에서 기판의 양면 증착이 가능하므로, 경제성이 우수하고, 또한 기판의 외부노출 시간을 줄여 기판표면의 오염을 최소화할 수 있는 새로운 태양전지 박막 증착장치 및 시스템 이를 이용한 태양전지 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 태양전지 박막 증착장치로서, 기판을 경계로 구분되는 복수 개의 단위 챔버; 복수 개의 단위 챔버에 증착가스를 독립적으로 주입시키기 위한 증착가스 주입부; 및 상기 단위 챔버 내에 각각 구비되며, 상기 주입된 증착가스를 분해하기 위한 분해 수단을 포함하며, 상기 기판의 양면 각각은 상기 복수 개의 단위 챔버로 노출되는 것을 특징으로 하는 태양전지 박막 증착장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 장치는 두 개의 단위 챔버를 포함하며, 상기 단위 챔버는 상기 기판 및 상기 기판을 지지하는 지지부에 의하여 분획된다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 분해 수단은 상기 기판의 일 측으로부터 소정 간격으로 이격된다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 분해 수단은 열선 또는 플라즈마 발생부이다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 증착가스는 실란, 수소를 포함하며, 증착되는 박막에 따라 도핑가스를 더 포함할 수 있다.
상기 또 다른 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 상술한 박막 증착장치를 복수 개 구비하며, 상기 복수 개의 증착장치에 의하여 동일 기판에 대한 순차적인 박막 증착 공정이 진행된다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 박막 증착 시스템은 소정 간격으로 이격된, 제 1 항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 따른 박막 증착장치; 및 상기 박막 증착장치를 지나는 기판 이송 수단을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 복수 개의 박막 증착장치에 의한 증착 공정이 진행됨에 따라 상기 기판의 양 측면에 박막이 동시에 또는 순차적으로 증착된다.
상기 또 다른 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 태양전지 기판의 양면 상에 증착 가스를 주입하는 단계; 및 상기 주입된 증착 가스를 분해하여 상기 기판 양면에 박막을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 증착 가스는 상기 기판을 경계로 분획된 단위챔버로 주입되며, 상기 기판은 상기 단위챔버의 경계면을 구성한다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 증착가스는 상기 단위 챔버에 독립적으로 주입되며, 상기 증착공정 중 상기 기판은 회전하지 않는다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 기판은 제 1형 불순물이 도핑된 실리콘 태양전지일 수 있다.
상기 또 다른 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 상술한 방법에 의하여 제조된 태양전지를 제공한다.
본 발명에 따른 태양전지 박막 증착장치 및 이를 이용한 제조방법은 기판의 회전 없이 고정된 상태에서 기판의 양면 증착이 가능하게 한다. 따라서, 일면에 대해서 하나의 층만이 적층되는 종래 기술에 비하여, 요구되는 설비의 수가 획기적으로 줄 수 있으며, 그 결과 본 발명에 따른 증착장치는 종래 기술에 비하여 경제성이 우수하다. 더 나아가, 증착공정의 수가 감소됨에 따라, 기판의 외부노출 시간을 또한 줄며, 그 결과 기판표면의 오염을 최소화할 수 있으며, 우수한 신뢰성을 갖는 태양전지의 제조가 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 박막 증착장치의 모식도이다.
도 2a 및 2b는 각각 기판을 수평, 수직으로 구성한 증착장치의 단면도이다.
도 3은 도 2a에 도시된 증착장치를 이용한 기판 양면의 박막 증착방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 2a에 도시된 증착장치를 이용한 기판 양면의 박막 증착방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 내지 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착장치를 이용하여 두 개의 층을 기판 양면으로 적층시키는 단계를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 증착 공정을 포함하는 태양전지 제조방법의 단계도이다.
이하, 본 발명을 도면을 참조하여 상세하게 설명하고자 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명된 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
상술한 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 태양전지 기판에 대한 박막 증착을 하나의 챔버에서 기판 양면으로 진행하는 박막 증착장치 및 태양전지 제조방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 박막 증착장치의 모식도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 태양전지 박막 증착장치, 보다 구체적으로는 증착장치의 챔버(100)는 복수 개의 단위 챔버를 포함하는데, 도 1에서는 두 개의 단위 챔버(110a, 110b)를 포함하는 증착장치가 도시된다. 상기 두 개의 단위챔버(110a, 110b)에는 증착을 위한 반응가스(G1, G2)가 유입되는 별도의 증착가스 주입부(120)가 구비된다. 따라서, 기판 양면으로 주입되는 가스를 위한 상기 증착가스 주입부(120)는 두 단위챔버에 독립적으로 구비되어, 동일하거나 상이한 종류의 증착가스가 두 단위챔버(110a, 110b)로 각각 주입되는 통로가 될 수 있다. 또한, 기판의 수직면뿐만 아니라, 측면에서도 주입가능하며, 이 경우 노즐 형태의 증착가스 주입부(120)가 사용될 수 있다. 대면적 기판인 경우, 기판 전체로의 균일한 분산이 매주 중요하므로, 상기 증착가스 주입부(120)은 샤워노즐 형태일 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 상기 박막 증착장치는 두 개의 단위챔버를 구분하는 경계로 기판(W)을 사용하며, 이로써 상기 기판(W)의 양면은 상기 두 개의 단위챔버(110a, 110b)에 모두 노출된다. 즉, 본 발명에 따른 태양전지 박막 증착장치는 기판(W)을 두 단위챔버(110a, 110b) 격벽의 일부로 사용하며, 상기 두 개의 단위챔버(110a, 110b)는 기판(W) 및 상기 기판을 지지하는 지지부(140)에 의하여 분획될 수 있다.
본 발명에 따른 증착장치는 두 개의 단위챔버(110a, 110b)로 주입된 동일하거나, 상이한 종류의 증착가스(G1, G2)를 분해하기 위한 분해수단(130)을 더 포함할 수 있다. 상기 분해수단(130)은 두 개의 단위챔버(110a, 110b)에 각각 구비되며, 두 기판의 경계에 위치한 기판(W)과 소정간격으로 이격된다. 상기 증착가스 분해수단(130)은 주입된 증착가스를 분해하여, 기판(W) 표면상에 박막을 적층시키게 한다. 도 1에서는 열선을 상기 증착가스 분해수단(130)으로 사용하였으나, rf, 마이크로웨이브를 이용한 플라즈마 발생부가 상기 증착가스 분해수단(130)으로도 사용될 수 있으며, 이는 모두 본 발명의 범위에 속한다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 증착가스는 실리콘 박막을 형성하기 위한 실란, 수소를 포함하며, 증착하고자 하는 박막의 종류에 따라 적절한 도핑가스를 더 포함할 수 있다. 더 나아가, 투명 전극물질 등과 같은 태양전지의 요소 소자층을 적층하기 위한 가스로서, 상술한 증착가스 분해수단(130)에 의하여 분해되는 임의의 모든 가스가 본 발명의 증착가스에 속한다.
도 2a 및 2b는 각각 기판을 수평, 수직으로 구성한 증착장치의 단면도이다.
도 2a 및 2b를 참조하면, 두 개의 단위챔버(110a, 110b)는 수직 또는 수평으로 구성되며, 단위챔버(110a, 110b)의 경계면 전부 또는 일부는 증착대상인 기판(W)이 된다. 따라서, 단위챔버(110a, 110b) 경계를 구성하는 기판의 양면이 단위챔버 각각에 노출된다.
도 3은 도 2a에 도시된 증착장치를 이용한 기판 양면의 박막 증착방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 두 개의 단위챔버(110a, 110b)의 경계 격벽 중 일부는 증착대상인 기판(W)이 되며, 상기 기판(W)은 기판의 끝을 잡음으로써 기판 전체를 고정, 지지하는 지지부(140)와 결속된다.
증착가스 주입부(120)를 통하여 주입된 증착가스(G1, G2)는 각각 별도의 분해수단(130)에 의하여 분해된 후, 기판의 상부면과 하부면에 증착되어, 박막 S1, S2를 구성한다. 바람직하게는 각 단위챔버로의 가스 주입과 박막 증착은 동시에 진행되나, 순차적인 진행 방식이어도 무방하다. 하지만, 적어도 본 발명에 따른 박막 증착장치 및 방법은 기판을 뒤집기 위한 회전 수단과 회전 단계가 불필요하며, 이를 통하여, 기판의 오염과 기판에 대한 기계적 부담을 감소시킬 수 있다.
도 4a 내지 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착장치를 이용하여 두 개의 층을 기판 양면으로 적층시키는 단계를 나타내는 도면이다.
도 4a 내지 4c를 참조하면, 먼저 베어 기판(W)에 제 1 박막(410)을 기판 양면에 적층하는데, 이때 상기 양면 박막 적층은 상술한 본 발명의 증착장치 및 방법을 사용하므로, 기판을 뒤집는 별도의 회전수단과 이를 이용한 회전단계가 사용되지 않는다.
제 1 박막(410)이 양면에 적층된 기판을 또 다른 증착장치로 이송시키고, 상기 이송된 기판에 대한 또 다른 양면 증착공정을 진행한다. 이로써 제 2 박막(420)이 상기 제 1 박막(410) 위로 적층되며, 상기 제 2 박막(420)은 기판 양면으로 적층된다. 하지만, 이와 달리 동일 챔버에서 복수의 양면 적층 또한 가능하며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
본 발명은 상술한 박막 증착장치를 연속적으로 복수 개 구비하는 박막 증착 시스템을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 박막 증착 시스템은 소정 간격으로 이격되며, 연속적으로 기판이 지남으로써 공정이 진행되는 박막 증착장치를 포함하며, 상기 박막 증착장치 사이에는 기판 이송 수단이 구비된다. 또한 각각의 박막 증착장치에는 독립적으로 제어되는 공정가스 유입라인이 대상 기판의 양측으로 연결된다. 따라서, 복수 개의 박막 증착장치에 의한 증착 공정이 진행됨에 따라 상기 기판의 양 측면에 박막이 동시에 또는 순차적으로 증착된다.
도 5는 본 발명에 따른 증착 공정을 포함하는 태양전지 제조방법의 단계도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 태양전지 제조방법은 태양전지 기판의 양면으로 증착가스를 주입하고, 주입된 증착가스를 별도의 분해수단으로 분해한 후, 분해된 반응가스를 기판에 증착시켜, 기판 상에 박막을 증착, 제조한다.
이때 상기 기판은 증착가스가 주입되는 단위챔버의 경계벽의 일부 또는 전부를 구성하며, 상기 단위챔버는 상기 기판을 경계로 분획된다. 기판이 경계를 일부 또는 전부 구성하는 두 개의 단위챔버로 주입되는 증착가스는 상기 단위 챔버에 독립적인 방식으로 주입될 수 있다. 즉, 동일한 종류 또는 상이한 종류의 증착가스가 두 단위챔버로 동시에 또는 순차적으로 주입될 수 있으며, 이때의 주입속도와 압력 등은 챔버별로 제어될 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들을 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 한다.

Claims (14)

  1. 태양전지 박막 증착장치로서,
    기판을 경계로 구분되는 복수 개의 단위 챔버;
    복수 개의 단위 챔버에 증착가스를 독립적으로 주입시키기 위한 증착가스 주입부; 및
    상기 단위 챔버 내에 각각 구비되며, 상기 주입된 증착가스를 분해하기 위한 분해 수단을 포함하며, 상기 기판의 양면 각각은 상기 복수 개의 단위 챔버로 노출되는 것을 특징으로 하는 태양전지 박막 증착장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 장치는 두 개의 단위 챔버를 포함하며, 상기 단위 챔버는 상기 기판 및 상기 기판을 지지하는 지지부에 의하여 분획되는 것을 특징으로 하는 태양전지 박막 증착장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 분해 수단은 상기 기판의 일 측으로부터 소정 간격으로 이격되는 것을 특징으로 하는 태양전지 박막 증착장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 분해 수단은 열선 또는 플라즈마 발생부인 것을 특징으로 하는 태양전지 기판의 박막 증착장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 증착가스는 실란, 수소를 포함하며, 증착되는 박막에 따라 도핑가스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 기판의 박막 증착장치.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 따른 박막 증착장치를 복수 개 구비하며, 상기 복수 개의 증착장치에 의하여 동일 기판에 대한 순차적인 박막 증착 공정이 진행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 박막 증착 시스템.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 박막 증착 시스템은
    소정 간격으로 이격된, 제 1 항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 따른 박막 증착장치; 및
    상기 박막 증착장치를 지나는 기판 이송 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 박막 증착 시스템.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 복수 개의 박막 증착장치에 의한 증착 공정이 진행됨에 따라 상기 기판의 양 측면에 박막이 동시에 또는 순차적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 태양전지 박막 증착 시스템.
  9. 태양전지 기판의 양면 상에 증착 가스를 주입하는 단계; 및
    상기 주입된 증착 가스를 분해하여 상기 기판 양면에 박막을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 증착 가스는 상기 기판을 경계로 분획된 단위챔버로 주입되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 기판은 상기 단위챔버의 경계면을 구성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 증착가스는 상기 단위 챔버에 독립적으로 주입되며, 상기 증착공정 중 상기 기판은 회전하지 않는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 기판은 제 1형 불순물이 도핑된 실리콘 태양전지인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  14. 제 9항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 태양전지.




KR1020100105758A 2010-10-28 2010-10-28 태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템 KR101199210B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100105758A KR101199210B1 (ko) 2010-10-28 2010-10-28 태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템
US13/244,598 US20120108002A1 (en) 2010-10-28 2011-09-25 Apparatus, method and system for depositing layer of solar cell
JP2011226620A JP2012094861A (ja) 2010-10-28 2011-10-14 太陽電池の薄膜蒸着装置、方法及びシステム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100105758A KR101199210B1 (ko) 2010-10-28 2010-10-28 태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120044473A true KR20120044473A (ko) 2012-05-08
KR101199210B1 KR101199210B1 (ko) 2012-11-07

Family

ID=45997210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100105758A KR101199210B1 (ko) 2010-10-28 2010-10-28 태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20120108002A1 (ko)
JP (1) JP2012094861A (ko)
KR (1) KR101199210B1 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2555251A4 (en) * 2010-03-31 2017-04-19 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for manufacturing solar cell, and solar cell
US8969711B1 (en) * 2011-04-07 2015-03-03 Magnolia Solar, Inc. Solar cell employing nanocrystalline superlattice material and amorphous structure and method of constructing the same
EP3067940B1 (en) * 2013-11-08 2023-07-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solar cell
DE102013113687A1 (de) * 2013-12-09 2015-06-11 Otto-Von-Guericke-Universität Magdeburg Beschichtungssystem
EP3179317A1 (fr) * 2015-12-11 2017-06-14 The Swatch Group Research and Development Ltd. Aiguille solaire pour objet portable tel qu'une montre ou un instrument de mesure
CN107785488A (zh) * 2016-08-25 2018-03-09 杭州纤纳光电科技有限公司 钙钛矿薄膜的低压化学沉积的设备及其使用方法和应用
CN110998869B (zh) * 2017-08-09 2022-12-27 株式会社钟化 光电转换元件的制造方法
CN109722646A (zh) * 2017-10-27 2019-05-07 深圳先进技术研究院 制备金刚石涂层的热丝架及装置
WO2019205351A1 (zh) * 2018-04-24 2019-10-31 君泰创新(北京)科技有限公司 双面镀膜设备及其载板处理单元
KR102544875B1 (ko) * 2018-05-25 2023-06-19 주성엔지니어링(주) 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치
CN113445029A (zh) * 2020-03-25 2021-09-28 拓荆科技股份有限公司 双面沉积设备及方法
FR3117675B1 (fr) * 2020-12-16 2023-10-27 Commissariat Energie Atomique Procédé de fabrication d’au moins une cellule photovoltaïque en utilisant une plaque en appui sur au moins un fil
CN116387411A (zh) * 2023-04-12 2023-07-04 苏州迈为科技股份有限公司 大面积双频异质结太阳能电池薄膜沉积方法和设备

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0950992A (ja) * 1995-08-04 1997-02-18 Sharp Corp 成膜装置
JPH09213636A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜形成装置
US6176932B1 (en) * 1998-02-16 2001-01-23 Anelva Corporation Thin film deposition apparatus
US6368678B1 (en) * 1998-05-13 2002-04-09 Terry Bluck Plasma processing system and method
JP4496401B2 (ja) * 2000-09-14 2010-07-07 三菱電機株式会社 プラズマcvd装置および太陽電池の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101199210B1 (ko) 2012-11-07
US20120108002A1 (en) 2012-05-03
JP2012094861A (ja) 2012-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101199210B1 (ko) 태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템
CN101609858B (zh) 薄膜沉积方法
CN201183822Y (zh) 薄膜沉积装置
CN101265574B (zh) 薄膜沉积装置和薄膜沉积方法
CN102084459A (zh) 利用等离子内侧气相沉积的多结硅薄膜太阳能电池
JP2013072132A (ja) 成膜装置
CN101265573B (zh) 薄膜沉积方法
KR101147658B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 방법
WO2010023947A1 (ja) 光電変換装置の製造方法、光電変換装置、及び光電変換装置の製造システム
Meier et al. From R&D to mass production of micromorph thin film silicon PV
CN101593792A (zh) 薄膜太阳能电池的制造方法
CN101609852A (zh) 一种硅薄膜太阳电池及其制备方法
CN102021537A (zh) 薄膜沉积设备
CN101931022A (zh) 晶体硅太阳能电池的制备方法
CN101626049A (zh) 薄膜太阳能电池的制造方法
JP2007157915A (ja) 光電変換素子およびそれの製造方法ならびに製造装置
CN102024676A (zh) 单室反应器中制造半导体器件的方法
CN101775591A (zh) 沉积薄膜的方法
CN201758113U (zh) 薄膜沉积装置
KR20110138222A (ko) 태양 전지의 제조를 위한 장치
KR101356536B1 (ko) 태양 전지 제조 시스템
US20240014330A1 (en) Solar cell, solar module and method of producing a solar cell
KR20110062856A (ko) 태양전지 제조용 롤투롤 장치
Schropp Amorphous (protocrystalline) and microcrystalline thin film silicon solar cells
JPH0563223A (ja) 非単結晶タンデム型太陽電池の製法及びそれに用いる製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151103

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161101

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171101

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180918

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190909

Year of fee payment: 8